Nombre: Kimberly Borja Arrobo

Curso: III Sistemas Matutino

SEMICONDUCTORES Y SU APLICACIN
EN LOS SISTEMAS COMPUTACIONALES.
Semiconductores
Metales, semiconductores y aisladores
Las bandas asociadas con las capas completas internas en los tomos originarios tienen las cuotas exactas
de electrones que les permite el principio de exclusin de Pauli. En estas bandas los orbitales no sufren alteraciones
significativas y retienen su carcter atmico al formarse el slido. Sin embargo, la banda correspondiente a la capa
atmica ms externa, ocupada por los electrones de valencia, es la ms interesante en lo que se refiere a las
propiedades de los slidos. Si la banda ms externa no est completamente llena, se denomina banda de
conduccin. Pero, si est llena, se llama banda de valencia y la banda vaca que queda inmediatamente encima de
esta ltima recibe el nombre de banda de conduccin.
Estamos ahora en condiciones de definir los distintos tipos de materiales de acuerdo a sus propiedades de
trasporte de corriente elctrica:
Conductor es toda sustancia en que la energa del primer estado electrnico vaco se encuentra inmediatamente
adyacente a la energa del ltimo estado electrnico ocupado. En otros trminos, un conductor es un material
en el cual la ltima banda ocupada no est completamente llena.
Aislador es toda sustancia en que la energa del primer estado electrnico vaco se encuentra separada, por una
brecha finita, de la energa del ltimo estado electrnico ocupado.
Semiconductor es un material aislador en que el ancho de banda prohibida es menor que 1eV.
o
A fin de precisar nuestra definicin de semiconductor recordemos que a temperatura ambiente ( T 300 K )
la energa trmica transferida a un electrn de la red es del orden de K BT 0.025eV . Un clculo estadstico que
omitiremos muestra que esta energa es suficiente para que una pequea fraccin de los electrones en la banda de
valencia pueda saltar a la banda desocupada. Sin embargo, a temperatura nula ningn electrn podr ocupar la
o
banda superior. Por lo tanto, los semiconductores a T 0 K son aisladores. Esto nos permite definir los
semiconductores como aisladores de banda prohibida angosta. La Figura 2 muestra esquemticamente las
diferencias existentes entre las tres clases de slidos de acuerdo a sus propiedades de transporte de carga.

Banda de
Gap de Energa (eV)
Banda de Banda de
conduccin conduccin conduccin
Aisladores eV Semiconductores eV
Eg Eg Diamante 5,33Silicio 1,14
Oxido de Zinc 3,2Germanio 0,67
Banda de Banda de Banda de
valencia valencia Cloruro de Plata 3,2Telurio 0,33
valencia
Sulfuro de Cadmio 2,42Antimoniuro de Indio 0,23
Aislante Semiconductor Conductor

Figura 2 Metales, semiconductores y aisladores desde el punto de vista Tabla 1 Gap de energa de algunos aisladores y
de la teora de bandas. semiconductores.

Semiconductores extrnsecos
Hasta ahora slo hemos hablado acerca de materiales semiconductores naturales, los que definimos como
aisladores de banda prohibida angosta; ellos reciben el nombre de semiconductores intrnsecos. Sin embargo, existe
la posibilidad de disear y fabricar materiales con caractersticas elctricas especficas a la medida agregando, de
manera controlada, impureza a semiconductores. Este proceso de introduccin de impurezas extraas se denomina
dopado.
Consideremos los efectos de estas impurezas en el silicio (Si), uno de los semiconductores de uso ms
frecuente (vase la Figura 3). La configuracin electrnica del Si es Ne3s 2 3 p 2 , de modo que tiene cuatro
electrones de valencia. Para fijar ideas, veamos que sucede si remplazamos algunos de los tomos de Si por tomos
de fsforo (P) que tienen cinco electrones de valencia y cuya configuracin electrnica es Ne3s 2 3 p 3 :
Por cada tomo de P que se agrega aparece un estado electrnico nuevo y adicional en la banda prohibida. Este
nivel se ubica justo por debajo de la banda de conduccin del Si.
Cada tomo de P utiliza cuatro de sus cinco electrones de valencia para formar enlaces con cuatro tomos de Si
vecinos, quedando un electrn extra que necesita liberar para alcanzar su configuracin ms estable de ocho
 electrones. La energa trmica es suficiente para que el electrn extra sea transferido a la banda de conduccin

dejando atrs un in positivo P inmvil.
Los tomos de P se llaman tomos dadores, y la conductividad elctrica en este tipo de semiconductores implica
fundamentalmente movimiento de electrones procedentes de los tomos dadores a travs de la banda de
conduccin. Este tipo de semiconductores se denomina de tipo-n, donde n se refiera a negativo, el tipo de carga
elctrica que transportan los electrones.

Reemplacemos ahora algunos tomos de Si por tomos de aluminio (Al) cuya configuracin electrnica es Ne3s
2
3 p1 de manera que tiene tres electrones de valencia.
Por cada tomo de Al que se agrega aparece un estado electrnico nuevo que se encuentra justo por encima de la
banda de valencia del Si.
Cada tomo de Al utiliza sus tres electrones de valencia para formar enlaces con tres tomos de Si vecinos. La
capa externa del Al tratar de capturar un electrn extra de la banda de valencia para conformar una capa estable
de ocho electrones.
Un electrn se trasfiere con facilidad desde la banda de valencia hasta el nivel aceptor formando un in negativo
inmvil. Cuando esto ocurre, se crea una vacante positiva en la banda de valencia. Debido a que en este tipo de
semiconductores la conductividad elctrica consiste fundamentalmente en la transferencia de vacantes positivas,
se les denomina semiconductores de tipo-p.

Banda de Banda de
Figura 3 En un semiconductor con tomos dadores (por ejemplo conduccin conduccin
P en Si), el nivel dador se encuentra justo por debajo de la banda
de conduccin. Los electrones ( ) son promocionados Nivel
fcilmente a la banda de conduccin. El semiconductor es de tipo dador
-n. En un semiconductor con tomos aceptores ( por ejemplo Al en Nivel
Energa

Si), el nivel aceptor se encuentra justo por encima de la banda de aceptor

valencia. Los electrones son promovidos fcilmemnte al nivel
aceptor dejando agujeros positivos ( ) en la banda de valencia. El Banda de Banda de
semiconductor es de tipo-p. valencia valencia

Semiconductor tipo-n Semiconductor tipo-p

Aplicaciones de los semiconductores

A partir de la dcada de 1950, los dispositivos semiconductores -conocidos tambin como dispositivos de
estado slido- remplazaron los tubos electrnicos de la industria tradicional. Por la enorme reduccin de tamao,
consumo de energa y costo, acompaada de una mucho mayor durabilidad y confiabilidad, los dispositivos
semiconductores significaron un cambio revolucionario en las telecomunicaciones, la computacin, el
almacenamiento de informacin, etc.
Desde el punto de vista de su forma de operacin, el dispositivo semiconductor ms simple y fundamental
es el diodo; todos los dems dispositivos pueden entenderse en base a su funcionamiento.

Figura 4 Unin pn. Debido a Electrones - Electrones -

la diferencia de sus Vacantes + Vacantes +
concentraciones, las vacantes
se transfieren del lado p al n y
-+
los electrones se difunden del -+
lado n al p. Como resultado, -+
existe una doble capa de carga
en la unin, siendo negativo el
-+
lado p y positivo el n.
Lado p Lado n Lado p Lado n

Cuando un semiconductor de tipo n y otro de tipo p se unen del modo indicado en la Figura 4, las
concentraciones inicialmente desiguales de electrones y vacantes dan lugar a una trasferencia de electrones a travs
de la unin desde el lado p al n y de vacantes desde el lado n al p. Como resultado, se crea una doble capa de carga
en la unin semejante a la de un condensador de placas paralelas, siendo negativo el lado p y positivo el lado n.
Existe por tanto una diferencia de potencial V a travs de la unin que tiende a inhibir una transferencia posterior.
La regin de la unin se llama regin de agotamiento porque est desprovista de portadores de carga.
Establezcamos ahora una diferencia de potencial externa a travs de la unin pn mediante una batera.
Cuando el terminal (+) de la batera se conecta al lado p de la unin como se muestra en la Figura 5, se dice que la
unin est sometida a una polarizacin directa. Este tipo de polarizacin disminuye el potencial a travs de la
unin. La transferencia de electrones y vacantes se incrementa, por tanto, en un intento de restablecer el equilibrio,
dando lugar a una corriente en el circuito.
Si el terminal (+) de la batera se conecta al lado n de la unin, como se ilustra en la Figura 5, se dice que la
unin est inversamente polarizada. La polarizacin inversa tiende a incrementar la diferencia de potencial a travs
de la unin, inhibiendo, por tanto, la transferencia posterior. Esencialmente, la unin conduce en una sola direccin.

I Sin corriente
(a) (b)
- + - +
- + - +
+ - + - - +
V V
- Lado p Lado n + Lado p Lado n

Polarizacin directa Polarizacin inversa

Figura 5 Diodo de unin pn. (a) Unin pn con polarizacin directa. La diferencia de potencial aplicada estimula la transferencia
de vacantes del lado p al n y de electrones del lado n al p, dando lugar a una corriente I. (b) Unin pn con polarizacin inversa.
La diferencia de potencial inhibe la transferencia posterior de vacantes y electrones, de modo que no hay corriente.

Los diodos tienen mltiples aplicaciones. La ms evidente, y que se desprende directamente de nuestra
discusin anterior, es la conversin de la corriente alterna en continua, proceso que se llama rectificacin. Otras
aplicaciones de inters son las clulas solares, que convierten la energa luminosa en energa elctrica, y los diodos
emisores de luz (LEDs) que se utilizan corrientemente en las pantallas de relojes digitales y calculadoras.
Naturalmente, nuestra discusin no podra estar completa sin mencionar al dispositivo de estado slido ms
relevante desde el punto de vista tecnolgico; el transistor. Dicho en trminos simples, el transistor es un
dispositivo utilizado para producir una seal de salida en respuesta a una seal de entrada. Una de las formas ms
simples que puede adoptar un transistor se consigue uniendo tres piezas de material semiconductor. Estos
materiales pueden ser tanto npn como pnp. Ambos tipos conforman lo que se denomina un transistor de unin
bipolar, que consiste esencialmente de tres regiones distintas llamadas emisor, base y colector. Entre las
aplicaciones del transistor bipolar podemos mencionar su uso como amplificador de corriente. Mediante la
introduccin de una pequea seal de entrada en forma de una corriente variable aplicada a la base I b , se
producir una corriente de colector I c que es una fiel copia de la seal de entrada, pero aumentada. Es costumbre
expresar la corriente de salida I c en la forma Ic Ib , donde se denomina ganancia de corriente del transistor.
Los transistores pueden tener valores de desde 10 hasta varios centenares.
En los dispositivos electrnicos se emplean tambin transistores pero como interruptores. Si no colocamos
voltaje entre la base y el emisor, muy pocos electrones sern capaces de pasar del emisor al colector. El transistor se
comporta entonces como un interruptor cerrado, rechazando prcticamente todo flujo de corriente. Pero si
aplicamos un voltaje alto entre el emisor y la base, la corriente podr fluir libremente. En este caso el transistor se
comporta como un interruptor abierto. Realizando diferentes combinaciones entre transistores es posible desarrollar
elementos lgicos que ejecuten desde las simples operaciones aritmticas de una calculadora de bolsillo, hasta los
sofisticados clculos matemticos involucrados en un vuelo espacial.
Las aplicaciones prcticas de los semiconductores son innumerables. Para hacer justicia al vasto y
complejo campo cientfico y tecnolgico inaugurado por los dispositivos de estado slido sera necesario disponer
de varios volmenes de material escrito. Por lo tanto, estas cuatro modestas pginas apenas si aspiran a haber
presentado un simple esbozo; a lo ms una introduccin a los semiconductores y sus aplicaciones. Si he conseguido
realizar dicho esbozo, y al mismo tiempo he podido despertar el inters suficiente como para realizar un estudio
ms profundo y acabado de este fascinante captulo de la ciencia moderna, me sentir ms que satisfecho.
Referencias

(1) Jim Lesurf: Que Son y Como Operan los Transistores, New Scientist, Enero 1991.
(2) Paul A. Tipler: Fsica, Volumen II, cuarta edicin.
(3) http://pre.com.mx/p37.php