Hacheur Dimen

Calculs des convertisseurs
en l'Electronique de Puissance
Projet : PROGRAMMATION 2
Date : 14 avril 2002
Auteur : Thierry LEQUEU
T. LEQUEU 1, rue Jules Massenet 37 200 TOURS Tel 02 47 25 93 64

Thierry LEQUEU Juin 2002 [DIV327] Fichier : DESIGN.DOC
2
Calculs des convertisseurs en l'Electronique de Puissance 2002
Sommaire
Chapitre 1 - Ressources gnrales ........................................................ 6
1.1 Prsentation................................................................................................................... 6
1.2 Mthode de calculs ....................................................................................................... 6
1.3 Cahier des charges ........................................................................................................ 7
1.4 Caractristiques des diodes ........................................................................................... 7
1.4.1 Caractristique statique ...................................................................................................... 7
1.4.2 Calcul du courant efficace IDeff ........................................................................................... 8
1.4.3 Caractristiques en mode bloque - Quadrant 3................................................................. 8
1.4.4 Pertes en commutations - Mise en conduction rapide........................................................ 8
1.4.5 Equivalence FranaisAnglais ......................................................................................... 10
1.4.6 Bilan des diodes ............................................................................................................... 10
1.5 Caractristiques des transistors ................................................................................... 11
1.5.1 Le transistor bipolaire ...................................................................................................... 11
1.5.2 Le transistor MOSFET..................................................................................................... 11
1.5.3 Le transistor IGBT ........................................................................................................... 11
1.5.4 Calcul du courant efficace ITeff ......................................................................................... 12
1.5.5 Bilan des transistors ......................................................................................................... 13
Chapitre 2 - Hacheur abaisseur de type BUCK .................................. 14

2.1 Prsentation du hacheur abaisseur de type BUCK ..................................................... 14
2.2 Caractristiques du hacheur srie de type BUCK....................................................... 14
2.3 Caractristiques des composants................................................................................. 14
2.3.1 L'inductance ..................................................................................................................... 14
2.3.2 Le transistor principal ...................................................................................................... 14
2.3.3 La diode principale........................................................................................................... 15
2.3.4 Le condensateur de sortie................................................................................................. 15
2.3.5 Le condensateur d'entre .................................................................................................. 15
Chapitre 3 - Hacheur lvateur de type BOOST ................................ 16

3.1 Prsentation du hacheur lvateur de type BOOST.................................................... 16
3.1.1 Schma simplifi.............................................................................................................. 16
3.1.2 Bilan des grandeurs lectriques........................................................................................ 16
3.1.3 Calculs des grandeurs lectriques .................................................................................... 17
3.1.4 Ondulations du courant et de la tension ........................................................................... 17
3.1.5 Contraintes sur les interrupteurs....................................................................................... 17
3.1.6 Chronogrammes de fonctionnement - boost(10,2,24,100e-6,50e3,1e6,2). ...................... 18
3.2.1 Caractristiques de l'inductance L.................................................................................... 18
3.2.2 Caractristiques du transistor T principal......................................................................... 19
3.2.3 Caractristiques de la diode D principale......................................................................... 19
3.2.4 Caractristiques du condensateur Cs (sortie) ................................................................... 19
3.2.5 Caractristiques du condensateur Ce (entre) .................................................................. 19
Chapitre 4 - Hacheur inverseur de type BUCKBOOST..................... 21

Chapitre 5 - Alimentation isole de type FLYBACK......................... 22
3

Chapitre 6 - Alimentation isole de type FORWARD........................ 23
Chapitre 7 - Alimentation isole de type PUSH-PULL ..................... 24
Chapitre 8 - Correcteur de Facteur de Puissance PFC........................ 25
Chapitre 9 - Transformateur + redresseur + rgulateur linaire ......... 26
9.1 Prsentation du redresseur capacitif............................................................................ 26
9.2 Caractristiques du redresseur capacitif...................................................................... 26
Chapitre 10 - Bibliographie................................................................. 27
10.1 Sur les convertisseurs en Electronique de Puissance.................................................. 27
10.2 Sur les redresseurs....................................................................................................... 27
10.3 Sur la commutation des transistors et des diodes........................................................ 27
10.4 Sur le calcul des inductances ...................................................................................... 27
10.5 Sur le calcul des transformateurs ................................................................................ 27
10.6 Sur le choix des condensateurs ................................................................................... 27
4
Liste des figures :

Fig. 1.1. Environnement du programme principal. .................................................................... 6
Fig. 1.2. Schma quivalent en statique (dessins\diodepin.drw). .............................................. 7
Fig. 1.3. Courant et tension de la diode (dessins\h_serie1.drw)................................................. 8
Fig. 1.4. Surtension la mise en conduction (dessins \diodevfp.drw). ....................................... 9
Fig. 1.5. Schma quivalent (dessins\igbt0.drw). .................................................................... 11
Fig. 1.6. Courant et tension du transistor (dessins\h_serie1.drw). ........................................... 12
Fig. 2.1. Schma complet du hacheur abaisseur de type BUCK.............................................. 14
Fig. 3.1. Schma complet du hacheur lvateur de type BOOST. ........................................... 16
Fig. 3.2. Hacheur lvateur (dessins\boost5.drw). ................................................................... 16
Fig. 3.3. VS en fonction de . (hacheurs.m)............................................................................. 17
Fig. 3.4. Comparaison avec l'ondulation du courant du hacheur srie (hacheurs.m)............... 17
Fig. 3.5. Comparaison avec l'ondulation de tension du hacheur srie (hacheurs.m). .............. 17
Fig. 9.1. Schma complet du redresseur capacitif (dessins\red_cr.drw). ................................. 26
Liste des tableaux :

Tableau 1.1. Equivalence FranaisAnglais. ........................................................................... 10
Tableau 1.2. Bilan des diodes................................................................................................... 10
Tableau 1.3. Bilan pour les transistors. .................................................................................... 13
5
Chapitre 1 - Ressources gnrales

1.1 Prsentation
Fig. 1.1. Environnement du programme principal.
1.2 Mthode de calculs

L'analyse se fait par type de montage, avec dans l'ordre :
1) tude thorique (modles des composants parfaits) ;
2) dtermination des contraintes sur les composants (Diode Transistor, Condensateur, Circuit
Magntique) ;
3) choix des composants parmi une liste intgrs ;
4) Calculs des pertes, des radiateurs et du rendement ;
5) Re-bouclage du calcul : impact des schmas quivalents des composants sur les caractristiques du
convertisseur.
6
1.3 Cahier des charges

Vs = 5,00 V (tension de sortie).
Is = 2,00 A (courant de sortie).
Ve = 12,00 V (tension d'entre).
Rd = 100 % (rendement).
Fd = 50,0 kHz (frquence de dcoupage).
dIL = 50,0 % (ondulation du courant dans l'inductance).
dVs = 1,0 % (ondulation de la tension de sortie).
dVe = 1,0 % (ondulation de la tension d'entre).
KV = 2,0 (coefficient de scurit en tension).
KI = 2,0 (coefficient de scurit en courant).
Dt = 5,0 (densit de courant Delta).
1.4 Caractristiques des diodes

1.4.1 Caractristique statique
Un premier schma quivalent, reprsentant la caractristique statique est donne la figure 1.2.
la tension de seuil VD0 = E0 paramtre de construction de la diode;
la rsistance dynamique rD paramtre de construction de la diode;
La puissance dissipe dans la diode est donne par :
2 2
PDcond vD iD E0 i D rD i D E 0 I Dmoy rD I Deff (1.1)
Le courant efficace IDeff et le courant moyen IDmoy sont des limites de fonctionnement calculer par
l'utilisateur.
Anode
iD iD
rD
vD
E0
Cathode
Fig. 1.2. Schma quivalent en statique (dessins\diodepin.drw).
7
1.4.2 Calcul du courant efficace IDeff

iD
I Lmax
I Lmin
vD T t
-Ve
Fig. 1.3. Courant et tension de la diode (dessins\h_serie1.drw).
IL t T
L'expression de iD pour t [ T ; T ] est : i D t Is IL . Donc i D2 vaut :
2 T T
2 2
IL t T t T IL
i D2 t Is IL 2 IL Is (1.2)
2 T T T T 2
2
La valeur efficace I Deff est gale la valeur moyenne de i D2 , donc :
T
2 2 3 2
2 1 IL IL t T 2 IL IL t T
I Deff Is t T Is
T 2 T T 3 T T 2 2
T
D'ou l'expression de IDeff (cf iteff.m pour [1,0.6] par exemple):

2 3
IL IL IL
I Deff Is I L Is 1 (1.3)
2 3 2
IL
Dans la cas ou l'ondulation est faible 1 , l'expression devient I Deff Is 1 .
Is
1
Lorsque le hacheur travail I Lmin = 0, IL = 2 Is et I Deff IL I L 0,577 1 .
3
1.4.3 Caractristiques en mode bloque - Quadrant 3

Les principaux paramtre de construction de la diode sont :
la tension inverse max VDIM = VRRM;
le courant de fuite correspondant IDIM ;
la tension zener / avalanche ?
Pour la tension inverse maximale VDIM, le courant de fuite IDIM permet de calculer une rsistance quivalente
de l'interrupteur ouvert.
1.4.4 Pertes en commutations - Mise en conduction rapide

[LIVRE015] Fig. 4.20 - BALIGA - page 154 et [LIVRE037] Fig. B.II.4 - DALMASSO - 66 et 67.
8
di D
Dans le cas ou la mise en conduction se fait avec un fort , jusqu' 500A/ s, il apparat, aux bornes de
dt
la diode PIN, une tension direct suprieure V D0 qui peut atteindre plusieurs dizaine de volts. Elle est
essentiellement due au comportement rsistif de la zone centrale de la jonction. Sa rsistivit initiale l'tat
bloqu est leve puis diminue rapidement avec l'arrive des porteurs minoritaires injects par le courant
direct.
iD(t)
IF
0
vD (t) t
VFP
VR
VF
0 t FR
t
Fig. 1.4. Surtension la mise en conduction (dessins\diodevfp.drw).
Le courant crot plus vite que la diffusion des porteurs minoritaire dans la zone N- (i) de la diode. La
rsistivit reste transitoirement leve et une chute de tension directe supplmentaire apparat.
Aux trs grandes vitesses d'tablissement de iD(t), les proprits inductives du cristal de silicium, des
connexions et du botiers participent aussi la su rtension de fermeture :
di D t
vD t R total i D t L eq (1.4)
dt
Le temps de recouvrement direct tFR est la dure entre l'application du courant d'attaque et le passage de vD(t)
par une valeur de rfrence VR = VF. Cette tension de rfrence est soit dfinie par rapport V F, par exemple
VR 1,2 VF , soit fixe arbitrairement, 2 volts par exemple.
Cette surtension entrane des pertes supplmentaire la mise en conduction. Moyennant quelques
simplification sur les formes d'ondes, savoir une surtension triangulaire, avec une fr quence de
commutation F, ces pertes supplmentaire valent :
1
PD F t FR I F VFP VF (1.5)
2
9
1.4.5 Equivalence FranaisAnglais

Tableau 1.1. Equivalence FranaisAnglais.
Symbol Parameter Symbole Paramtre
VR or VRSM Continuous reverse voltage VDinv Tension inverse permanente
VRRM Repetitive peak reverse voltage VDinv max Tension inverse maximale
VBRR
IR Reverse current IDinv Courant inverse
IF Continuous forward current ID Courant continu permanent
IF(RMS) RMS forward current IDeff Courant direct efficace
IF(AV) Average forward current IDmoy Courant direct moyen
IFRM Repetitive peak forward current IDmax rep Courant de pointe rptitif
IFSM Surge peak forward current IDmax cc Courant maximal occasionnel
VF Forward voltage VD Tension direct
VFR Forward recovery voltage VFP Surtension la fermeture
Ptot Total power dissipation PD Puissance dissipe dans la diode
Tj Junction temperature Tj Temprature de jonction
Thermal resistance from Rsistance thermique jonction-
RTH J-A RTH J-A
junction to ambient ambient
CD Diode capacitance CD Capacit de diffusion
trr Reverse recovery time trr Temps de recouvrement inverse
Qrr Recovery charge Qrr Charge de recouvrement
Turn-off over voltage
C C Coefficient de surtension
coefficient
1.4.6 Bilan des diodes

Tableau 1.2. Bilan des diodes.
Chute de tension l'tat passant vD E0 rD i D
2
Pertes statiques PDcond E 0 I Dmoy rD I Deff
Pertes dynamiques la commutation ON

Pertes dynamiques la commutation OFF
10
1.5 Caractristiques des transistors

1.5.1 Le transistor bipolaire
1.5.2 Le transistor MOSFET

La rsistance RDSON engendre une chute de tension VGSON R DSON I DS et des pertes en conduction
PDSON R DSON I 2DS .
1.5.3 Le transistor IGBT
iC
RD
vCE
V0
Fig. 1.5. Schma quivalent (dessins\igbt0.drw).

Dans le fonctionnement en interrupteurs, on n'exploite l'tat passant que la partie des caractristiques situe
en dessous de la tension de pincement VP (figure Erreur ! Source du renvoi introuvable..b).
En traits interrompus est reprsent l'allure des caractristiques d'un MOSFET de mmes dimensions pour
monter les effet de l'addition de la zone P+ du cot collecteur :
- iC ne s'carte de zro qu'au del d'un seuil V 0 de vCE ;
- mais iC augmente ensuite beaucoup plus vite : la chute de tension augmente trs peu en fonction du
courant ;
- v GS donn, le courant maximum est plus grand dans l'IGBT, car au courant d'lectrons qui passe par les
canaux s'ajoute le courant de trous.
Si l'on dtaille la zone faibles valeurs de v CE, qui caractrise l'tat passant du composant, on note que la
jonction P+N- entrane l'existence d'un seuil dans la chute de tension l'tat passant. On peut donc
grossirement utiliser un schma quivalent similaire celui d'une diode pour dterminer la chute de tension
et les pertes statiques en conduction, avec une tension de seuil constante V0 et une rsistance dynamique RD.
vCE V0 R D iC
(1.6)
PON V0 I Cmoy R D I Ceff 2
11
1.5.4 Calcul du courant efficace ITeff
iT
I Lmax
I Lmin
vT T t
+Ve
Fig. 1.6. Courant et tension du transistor (dessins\h_serie1.drw).

IL t
L'expression de iT pour t [0; T ] est : iT t Is IL . Donc iT2 vaut :
2 T
2 2
IL t t IL
iT2 t Is IL 2 IL Is (1.7)
2 T T 2
2
La valeur efficace I Teff est gale la valeur moyenne de iT2 , donc :
2 2 T
T
2 1 1 IL IL t3 2 IL IL t2
I Teff iT2 t dt Is t Is
T 0
T 2 T 3 T 2 2
0
D'ou l'expression de ITeff (cf iteff.m pour [1,0.6] par exemple):

2 3
IL IL IL
I Teff Is I L Is (1.8)
2 3 2
IL
Dans la cas ou l'ondulation est faible 1 , l'expression devient I Teff Is .
Is
Lorsque le hacheur travail ILmin = 0, IL = 2 Is et I Teff IL I L 0,577 .

3
12
1.5.5 Bilan des transistors

Tableau 1.3. Bilan pour les transistors.
Chute de tension l'tat passant vCE V0 R D iC
2
Pertes statiques PTcond V0 I Tmoy R D I Teff
Pertes dynamiques la commutation ON

Pertes dynamiques la commutation OFF
13
Chapitre 2 - Hacheur abaisseur de type BUCK

2.1 Prsentation du hacheur abaisseur de type BUCK
vT vL
L E iE A iT iL C iS
iR
T iD L iC
E CE vE vD vC vS
D C R
B D
Fig. 2.1. Schma complet du hacheur abaisseur de type BUCK.
2.2 Caractristiques du hacheur srie de type BUCK

Ps = 10,0 W (puissance de sortie).
Pe = 10,0 W (puissance d'ente).
Ie = 833,33 m A (courant d'entre).
a = 42 % (rapport cyclique).
Cs = 50,00 F (condensateur de sortie).
Ce = 166,67 F (condensateur de sortie).
2.3 Caractristiques des composants

2.3.1 L'inductance
L1 = 58,33 H (valeur de l'inductance du hacheur BUCK).
ILmoy = 2,00 A (courant moyen dans l'inductance).
dIL = 1,00 A (0ndulation du courant de l'inductance).
ILmax = 2,50 A (courant maximal dans l'inductance).
ILeff = 2,02 A (courant efficace de inductance).
KIL = 1,24 (facteur de forme du courant : ILmax/ILeff).
ThoIL = 50,0 % (taux d'ondulation du courant : dIL/ILmoy).
scu = 0,404 mm (section de cuivre d'un fils).
2.3.2 Le transistor principal

VTmax = 24,00 V. (tension maximale aux bornes du transistor).
ITmax = 2,50 A. (courant maximal dans le transistor).
ITmoy = 833,33 mA. (courant moyen dans le transistor).
14
ITeff = 1,30 A. (courant efficace dans le transistor).

Fd(rel) = 6,00 . (facteur de dimensionnement rel : VTmax*ITmax).
Fd(th.) = 2,40 . (facteur de dimensionnement thorique).
2.3.3 La diode principale

VRRM = 24,00 V. (tension inverse maximale aux bornes de la diode).
ID(MAX) = 2,50 A. (courant maximal dans la diode).
ID(AV) = 1,17 A. (courant moyen dans la diode).
ID(RMS) = 1,54 A. (courant efficace dans la diode).
Fd(rel) = 2,80 . (facteur de dimensionnement rel : VRRM*ID(AV)).
2.3.4 Le condensateur de sortie
2.3.5 Le condensateur d'entre
15
Chapitre 3 - Hacheur lvateur de type BOOST

3.1 Prsentation du hacheur lvateur de type BOOST
vL vD
LE iE A iL iD C iS
iR
L iT D iC
T vC
E CE vE vS
F vT C R
B D
Fig. 3.1. Schma complet du hacheur lvateur de type BOOST.
3.1.1 Schma simplifi

vL
iL
L
K1
Ve K2 Vs
Fig. 3.2. Hacheur lvateur (dessins\boost5.drw).
3.1.2 Bilan des grandeurs lectriques

Pour t [0 ; T], le transistor T est ferm (T ON). Pour t [ T ; T], T est ouvert (T OFF).
vL vL
iL iL
L L
K1
Ve K2 Ve Vs
L'inductance se charge sous +Ve (Ve >0). L'inductance se dcharge sous Ve Vs (Vs > Ve).
vE Ve vD vT vS vE Ve vD 0
iE iL iD 0 iE 0 iD iL
vT 0 vS Vs vT vS vD vS Vs
iT iL iS 0 iT 0 iS iL
vL vE vT di L vL vE vS vD di
vL L vL L L
iL inconnu dt iL inconnu dt
16
3.1.3 Calculs des grandeurs lectriques

Ve Ve Vs
Pour t [0; T ], i L t I L min t 0 et pour t [ T ; T ], i L t I L max t T .
L L
1
vL v L t dt 70
T T
60
1
Ve T Ve Vs T T 50
T
Ve Ve 1 Vs 1 40
En rgime permanent <vL> = 0 donc : 30
20
1
Vs Ve .
1 10
Exemple ci-contre pour Ve = 10V et [ 0 ; 1 ]. 0

0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
Pour avoir Vs = +24 V il faut = 0,5833.

Fig. 3.3. VS en fonction de . (hacheurs.m)
3.1.4 Ondulations du courant et de la tension

Ve Ve
IL pour L = 100 H et F = 50 kHz. VC pour C = 100 F et R = 12 .
LF 1 RCF
2
1.8
1.6 0.2
1.4
1.2 0.15
0.8 0.1
0.6
0.4 0.05
0.2
0 0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
Fig. 3.4. Comparaison avec l'ondulation du courant Fig. 3.5. Comparaison avec l'ondulation de tension
du hacheur srie (hacheurs.m). du hacheur srie (hacheurs.m).
3.1.5 Contraintes sur les interrupteurs

VD Im ax I Dmoy
Diode : IDmoy = Is VDinv max = Vs Fd 1
P
Is IL VT max I T max 1
Transistor : ITmax = ILmax = VTmax = Vs Fd
1 2 P 1
17
3.1.6 Chronogrammes de fonctionnement - boost(10,2,24,100e-6,50e3,1e6,2).
Hacheur de type BOOST
1
Com m ande
0.5
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40
30
vt(t) & it(t)
20
10
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40
20
vd(t) & id(t)
-20
-40
0 5 10 15 20 25 30 35 40
20
vl(t) & il(t)
-20
0 5 10 15 20 25 30 35 40
t en us .

3.2.1 Caractristiques de l'inductance L
Ve IL
A partir de l'ondulation du courant IL Ie moy , et de la valeur de donne par la relation
LF I L moy
1 Ve
Vs Ve 1 , on calcul la valeur de l'inductance :
1 Vs
Ve Ve
L 1 (3.1)
IL F Vs
L1 = 56,12 H. (valeur de l'inductance).
ILmoy = 33,60 A. (courant moyen dans l'inductance).
18
dIL = 3,36 A. (ondulation du courant dans l'inductance).

ILmax = 35,28 A. (courant maximale dans l'inductance). (3.2)
ILeff = 33,61 A. (courant efficace dans l'inductance).
KIL = 1,05 . (facteur de forme du courant ).
ThoIL = 10,0 %. (taux d'ondulation).
scu = 6,723 mm. (section de cuivre).
Wem = 34,9 mJ. (energie lectromagntique).
Tamb = 25,0 . (temprature ambiante).
3.2.2 Caractristiques du transistor T principal

VTmax = 112,00 V. (tension maximale aux bornes du transistor).
ITmax = 35,28 A. (courant maximal dans le transistor).
ITmoy = 26,40 A. (courant moyen dans le transistor).
ITeff = 6,44 A. (courant efficace dans le transistor).
Fd(rel) = 9,80 . (facteur de dimensionnement rel : VTmax*ITmax).
3.2.3 Caractristiques de la diode D principale

VRRM = 112,00 V. (tension inverse maximale aux bornes de la diode).
ID(MAX) = 35,28 A. (courant maximal dans la diode).
ID(AV) = 7,20 A. (courant moyen dans la diode).
ID(RMS) = 3,36 A. (courant efficace dans la diode).
Fd(rel) = 2,00 . (facteur de dimensionnement rel : VRRM*ID(AV)).
3.2.4 Caractristiques du condensateur Cs (sortie)

Cmin = 202,04 F. (valuer minimale du condensateur).
VCmax = 24,00 V. (tension maximale aux bornes du condensateur).
VCmoy = 56,00 V. (tension moyenne aux bornes du condensateur).
dVc = 560,00 mV. (ondulation de tension du condensateur).
ICeff = 3,36 A. (courant efficace dans le condensateur).
ESR = 0,00 pOhms. (Equivalent Serial Resistor).
F0 = 500,00 kHz. (Frquence de coupure > 10 x Fd).
3.2.5 Caractristiques du condensateur Ce (entre)

Cmin = 560,00 F. (valuer minimale du condensateur).
VCmax = 24,00 V. (tension maximale aux bornes du condensateur).
VCmoy = 12,00 V. (tension moyenne aux bornes du condensateur).
dVc = 120,00 mV. (ondulation de tension du condensateur).
ICeff = 33,60 A. (courant efficace dans le condensateur).
19
ESR = 0,00 pOhms. (Equivalent Serial Resistor).

F0 = 500,00 kHz. (Frquence de coupure > 10 x Fd).
20
Chapitre 4 - Hacheur inverseur de type BUCKBOOST

21
Chapitre 5 - Alimentation isole de type FLYBACK

22
Chapitre 6 - Alimentation isole de type FORWARD

23
Chapitre 7 - Alimentation isole de type PUSH-PULL

24
Chapitre 8 - Correcteur de Facteur de Puissance PFC

25
Chapitre 9 - Transformateur + redresseur + rgulateur

linaire
9.1 Prsentation du redresseur capacitif
i out
vL
i in iC iR vin
r L i in
C R v
E vin out
Fig. 9.1. Schma complet du redresseur capacitif (dessins\red_cr.drw).
9.2 Caractristiques du redresseur capacitif

26
Chapitre 10 - Bibliographie
10.1 Sur les convertisseurs en Electronique de Puissance
[LIVRE122] J.-P. FERRIEUX, F. FOREST, Alimentations dcoupage - Convertisseurs rsonance, 3e
dition revue et augmente, 1999.
[DATA032] Recherche sur les mots cls REDRESSEUR* + DECOUPAGE*
[DATA193] Recherche sur les PFC, Power Factor Controller.
10.2 Sur les redresseurs
[LIVRE023] C. ROMBAUT, G. SEGUIER, Volume 2 : La conversion alternatif-alternatif, Lavoisier
TEC & DOC, 2 dition, septembre 1991, 363 pages.
[99DIV060] Recherche sur les REDRESSEURS, aot 1999.
10.3 Sur la commutation des transistors et des diodes
[LIVRE015] B.J. BALIGA, Power Semiconductor devices, 1996.
[LIVRE037] J.-L. DALMASSO, L'lectronique de puissance - commutation, dition DIA Technique
Suprieur, 1987.
10.4 Sur le calcul des inductances
[99DIV120] T. LEQUEU, Annexe 03 - Calculs des inductances et des transformateurs, cours
d'Electronique de Puissance, mars 2002.
[DIV143] T. LEQUEU, Informations diverses sur les ferrites et les circuits magntiques, septembre
2001.
[DIV035] B. MULTON, Composants Passifs de la conversion Statique de l'Energie Electrique,
polycopi de cours, ENS de CACHAN, 30 pages.
10.5 Sur le calcul des transformateurs
[99DIV120] T. LEQUEU, Annexe 03 - Calculs des inductances et des transformateurs, cours
d'Electronique de Puissance, mars 2002.
[DIV143] T. LEQUEU, Informations diverses sur les ferrites et les circuits magntiques, septembre
2001.
10.6 Sur le choix des condensateurs
[DATA205] Informations diverses sur les CONDENSATEURS en l'Electronique de Puissance, mars
2002.
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Calculs des convertisseurs

T. LEQUEU 1, rue Jules Massenet 37 200 TOURS Tel 02 47 25 93 64

Chapitre 2 - Hacheur abaisseur de type BUCK .................................. 14

Chapitre 3 - Hacheur lvateur de type BOOST ................................ 16

Chapitre 4 - Hacheur inverseur de type BUCKBOOST..................... 21

5.2 Caractristiques du hacheur srie de type BUCK....................................................... 22

Liste des figures :

Liste des tableaux :

Chapitre 1 - Ressources gnrales

Fig. 1.1. Environnement du programme principal.

1.2 Mthode de calculs

1.3 Cahier des charges

1.4 Caractristiques des diodes

1.4.2 Calcul du courant efficace IDeff

D'ou l'expression de IDeff (cf iteff.m pour [1,0.6] par exemple):

1.4.3 Caractristiques en mode bloque - Quadrant 3

1.4.4 Pertes en commutations - Mise en conduction rapide

1.4.5 Equivalence FranaisAnglais

1.4.6 Bilan des diodes

Pertes dynamiques la commutation ON

1.5 Caractristiques des transistors

1.5.2 Le transistor MOSFET

1.5.3 Le transistor IGBT

Fig. 1.5. Schma quivalent (dessins\igbt0.drw).

1.5.4 Calcul du courant efficace ITeff

Fig. 1.6. Courant et tension du transistor (dessins\h_serie1.drw).

D'ou l'expression de ITeff (cf iteff.m pour [1,0.6] par exemple):

Lorsque le hacheur travail ILmin = 0, IL = 2 Is et I Teff IL I L 0,577 .

1.5.5 Bilan des transistors

Pertes dynamiques la commutation ON

Chapitre 2 - Hacheur abaisseur de type BUCK

2.2 Caractristiques du hacheur srie de type BUCK

2.3 Caractristiques des composants

2.3.2 Le transistor principal

ITeff = 1,30 A. (courant efficace dans le transistor).

2.3.3 La diode principale

2.3.4 Le condensateur de sortie

2.3.5 Le condensateur d'entre

Chapitre 3 - Hacheur lvateur de type BOOST

3.1.1 Schma simplifi

Fig. 3.2. Hacheur lvateur (dessins\boost5.drw).

3.1.2 Bilan des grandeurs lectriques

3.1.3 Calculs des grandeurs lectriques

En rgime permanent <vL> = 0 donc : 30

Exemple ci-contre pour Ve = 10V et [ 0 ; 1 ]. 0

Pour avoir Vs = +24 V il faut = 0,5833.

3.1.4 Ondulations du courant et de la tension

3.1.5 Contraintes sur les interrupteurs

3.1.6 Chronogrammes de fonctionnement - boost(10,2,24,100e-6,50e3,1e6,2).

Hacheur de type BOOST

3.2 Caractristiques des composants

dIL = 3,36 A. (ondulation du courant dans l'inductance).

3.2.2 Caractristiques du transistor T principal

3.2.3 Caractristiques de la diode D principale

3.2.4 Caractristiques du condensateur Cs (sortie)

3.2.5 Caractristiques du condensateur Ce (entre)

ESR = 0,00 pOhms. (Equivalent Serial Resistor).

Chapitre 4 - Hacheur inverseur de type BUCKBOOST

4.2 Caractristiques du hacheur srie de type BUCK

4.3 Caractristiques des composants

Chapitre 5 - Alimentation isole de type FLYBACK

5.2 Caractristiques du hacheur srie de type BUCK

5.3 Caractristiques des composants