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ESCOLA POLITCNICA
DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA
FELIPE CARVALHO
Salvador 2017
TALES PINHEIRO VASCONCELOS
FELIPE CARVALHO
RELATRIO
SALVADOR 2017
NDICE DE FIGURAS
1 INTRODUO ................................................................................................ 9
2.2 N ........................................................................................................... 11
3 METODOLOGIA............................................................................................ 30
5 CONCLUSO................................................................................................ 42
6 REFERENCIAS ............................................................................................. 43
1 INTRODUO
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Em 1963, surge o A702 construdo com transistor Shockley, pelo engenheiro
da Fairchild semicondutores Robert Widlar, mas apresentou grandes limitaes, pois
operava com alimentao assimtrica (-12V e +6V) baixo ganho de tenso (3600 ou
71dB), baixa impedncia de entrada (40k), dissipava muita
potncia e possua altas tenses de trabalho. Pouca rejeio
em modo comum. No possua proteo contra curto. Custo
difcil de ser reduzido.
J em 1965, surge o A709 da Fairchild Semicondutores,
que fez grande sucesso, foi reconhecido como o primeiro
Figura 4 - ADI's HOS-050:
AmpOp em Circuito Integrado ampop de qualidade. Onde a assimetria das fontes j havia
hbrido de alta velocidade
(1979). sido resolvida operando com fonte simtrica de 15V, baixa
impedncia do antecessor corrigida para 400k. O ganho ultrapassava 45000 ou
93dB. Possua custo baixo, mas continuava sem proteo contra curto. Nessa poca
a indstria do s semicondutores j havia se desenvolvido
muito, mas ainda no havia encapsulamento para o
capacitor, o qual necessrio para a compensao de
frequncia e fase, portanto havia necessidade de
compensao externa.
Em 1968, surge o A741 da Fairchild
Semicondutores, que se tornar o padro industrial para Figura 5 - AmpOp em embalagem
DIP (Dual In-Line Package) -
amplificadores operacionais j compensado apresentao actual.
internamente.
Nos anos seguintes 1968 grandes saltos foram e esto sendo dados com
relao dispositivos eletrnicos como por exemplo possvel notar a evoluo do
encapsulamento desse dispositivo nas figuras 1, 2, 3, 4 e 5. Os amplificadores
operacionais de alto desempenho, compatveis com o A741, que foram
desenvolvidos depois dele so por exemplo o BIFET - construdo com tecnologia
BIPOLAR (transistores bipolares) e JFET (transistores de efeito de campo), nesta
gerao destacam o LF356 e o BIMOS utilizam a tecnologia BIPOLAR e MOSFET
(Metal-xido Semicondutor), como o CA3130. Em muitas das aplicaes dos AMPOP
esto tambm na converso de sinais analgicos para digitais, em conversores A/D.
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2 REVISO BIBLIOGRFICA
A Lei de Ohm diz que a corrente que flui atravs de um dispositivo diretamente
proporcional diferena de potencial aplicada ao dispositivo[1], [2]. Matematicamente:
= (1)
Onde: U = Diferena de Potencial
R = Resistncia
I = Intensidade de Corrente
2.2 N
2.3 Ramo
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2.4 Malha
Uma malha um caminho fechado por onde passa corrente que no inclua outro
caminho. [1]
A LKC diz que a soma algbrica das correntes que incidem num n igual a
zero [1]. Usualmente, diz-se que a soma das correntes que entram em um n igual
a soma das correntes que saem.
1 + 2 + 3 4 5 = 0 (2)
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Para facilitar o entendimento do circuito da figura 12 esto descritas a seguir algumas
de suas caractersticas.
Entrada inversora (): Um sinal aplicado nesta entrada aparecer amplificado e com
polaridade invertida, [4], [5].
Um amplificador ideal funciona como uma caixa preta onde seus parmetros
internos no tm efeito na relao entrada/sada do sinal. Em muitas aplicaes,
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assim mesmo que ele deve ser considerado, mas um AMPOP ideal utopia. Por outro
lado, o amplificador real no possui caractersticas ideais, mas so muito prximas s
ideais, portanto, apresenta alguns parmetros altssimos, idealmente infinitos e outros
baixssimos, idealmente zero [4], [5].
Tem impedncia de sada nula (Ro = 0). Isto significa que a sada uma fonte
de tenso ideal independente da corrente drenada pela carga acoplada a sada.
[4]
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2.8.2 Modelo de Representao Real e caractersticas do
encapsulamento DIP do LM741
=
(4)
O ganho A do amplificador
= (5)
possvel ento admitir que
= ( ) (6)
E utilizando a equao
= (7)
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Tabela 1 - Quadro com algumas caractersticas eltricas comparativas entre ampop real e ideal,[5].
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Figura 15 - Representao de um Amp-Op alimentado por uma fonte simtrica improvisada com duas
fontes de tenso contnua ligadas em srie
(a) (b)
Figura 17 Amp-Op configurado para ampliar sinal de entrada invertertido (a) e em apenas
amplificando em (b)
Figura 21 - Grfico para a obteno da frequncia de passagem unitria, atravs do Rise time.
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Resposta em frequncia (Malha fechada) O amplificador operacional em
malha aberta apresenta um alto ganho, porm uma baixa resposta em frequncia.
Para melhorar a resposta em frequncia maior o circuito deve ser realimentado [4],
[5].
Slew Rate Este parmetro est ligado faixa de passagem plena potncia.
Quando num operacional injetado um sinal senoidal de alta frequncia, de amplitude
superior a um certo valor prefixado, observa-se a sua sada uma onda triangular. A
inclinao desta forma de onda triangular o slew rate. Esta limitao tem origem nas
caractersticas de construo do dispositivo e est diretamente ligado a um elemento,
o chamado capacitor de compensao de fase e mxima taxa com que este pode
ser carregado. Este capacitor, que nos amplificadores operacionais monolticos
apresenta tipicamente 30 pF, conta com fontes de corrente de cerca de 30mA
disponveis para carreg-lo. Assim, dependendo da amplitude do sinal desejado na
sada, o amplificador operacional "no consegue acompanhar o sinal de entrada".
Como a corrente num capacitor dada pela capacitncia vezes a taxa de variao da
tenso (frmula abaixo), ocorre limitao chamada slew rate:
= (9)
Sr = (10)
Em amplificadores operacionais monolticos, de uso geral, S r vale alguns Volts
por microssegundos. Em amplificadores operacionais construdos pela tcnica de
C.I.s hbridos, este valor pode ser muito grande, por exemplo, Sr = 2000 V/ms. Tendo
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comentado os parmetros acima, convm lembrar tambm que a impedncia de
entrada nos amplificadores operacionais no infinita sendo da ordem de 108W em
operacionais monolticos, da ordem de 1012W em operacionais com entradas dotadas
de FET e at 1013W em operacionais construdos com dispositivos discretos. Da
mesma forma, a impedncia de sada no nula, apresentando os operacionais
prticos, valores que podem ir de alguns ohms a cerca de 3 kW. O Sr pode ser
entendido como sendo o tempo que o sinal de sada demora a atingir o valor mximo,
nesse processo uma inclinao produzida, ficando mais evidente em sinais com
altas freqncias e pode ser calculado em termos da frequncia do sinal f vezes a
tenso de pico Vp esperada na sada, a figura abaixo representa este efeito, [4], [5].
Sr = 2 f Vp (11)
Figura 25 - Grficos mostrando como ocorre a saturao em um ampop onde em (b) est apresentado
um sinal de sada saturado, comparado com o sinal de entrada e o faixa de trabalho usual na regio
linear em (a).
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A excurso mxima do sinal entre + VSAT e VSAT e denominada output voltage
swing, Vo(pp). Como exemplo, o 741 alimentado com 15V: o sinal de sada poder
excursionar entre 14 (tpico) e 13 (mnimo) para uma carga de 10kW e entre 12
(tpico) e 10 (mnimo) para uma carga de 2kW, [4], [5].
VE v1 v1 VS
i1 = i2 = (12)
R1 Rf
VE
VS =
R (14)
R1 f
E finalmente o ganho de tenso simplesmente:
Rf VS
Av = =
R1 VE (15)
VS
Av = 20 log | | (16)
VE
Av Ganho de tenso em decibis
VS Tenso de Sada
VE Tenso de entrada
VE
I1 = (17)
R1
Assim, se IB() = 0, conclui-se que a corrente que passa por R1 a mesma que passa
por RF. Portanto:
If = I1 (18)
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A corrente de sada do AOP depender da carga e da tenso aplicada:
RF
VS = VE (19)
R1
|VS|
IL = (20)
RL
IO = IF + IL (21)
VE VE VS
= (23)
R1 Rf
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Temos a tenso de sada em funo da tenso de entrada:
Rf
VS = (1 + ) VE (24)
R1
Rf VS
Av = 1 + = (25)
R1 VE
Devido ao curto virtual, a corrente que passa por R1 tambm passar por RF,
assim podemos calcular atravs da seguinte expresso, [4], [5].:
VE
I1 = (26)
R1
Portanto:
If = I1
(27)
A corrente de sada do AOP depender da carga e da tenso aplicada:
RF
VS = (1 + ) VE
R1 (28)
|VS|
IL = (29)
RL
IO = IF + IL (30)
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2.9.3 Amplificador Somador
= 1 + 2 + 3 (31)
Mas:
1
1 = (32)
1
2
2 = (33)
2
3
3 = (34)
3
VS
= (35)
3 METODOLOGIA
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CIRCUITO AMPLIFICADOR OPERACIONAL INVERSOR
Rf
V: -- 3k V: --
V(p-p): -- V(p-p): --
V(rms): -- V(rms): --
V(dc): -- I: -- V(dc): --
V(freq): -- I(p-p): -- V(freq): -- XSC1
I(rms): --
I(dc): --
I(freq): --
Tektronix
4
U1
V R1 A P 1 2 3 4 T
G
2 V PR3 A
XFG1 1k 6
V2
Agilent 3
20V
7
5
1
741 I: --
I(p-p): --
I(rms): --
V1 I(dc): --
I(freq): --
20V
Figura 32 Modelagem de circuito eltrico no Multisim 14 projetado pela equao terica para
Amp-Op Inversor.
A fonte disponvel na bancada foi preparada para ser utilizada como fonte
simtrica, utilizando os quatro terminais disponveis no seu painel e ativando a opo
de operao em paralelo atravs do boto disponvel em seu painel.
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Esse circuito modelado foi montado na protoboard juntamente com as
resistncias e equipamentos de laboratrio, utilizando de garras jacar e jumpers,
observando a numerao e denominao dos terminais deste CI, como apresentados
no seu Datasheet.
A
Tektronix
V1
4
20V U2
R1 P 1 2 3 4 T
G
2 V PR6 A
V2 1k 6
XFG2 V
PR1
20V 3 I: --
Agilent I(p-p): --
7
5
1
741 I(rms): --
I(dc): --
I(f req): --
Figura 33 - Modelagem de circuito eltrico no Multisim 14 projetado pela equao terica para
Amp-Op No-Inversor.
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3.3 Amplificador Somador
U3
R1
V1
2 V A
20V 3k 6
V2 R2
7
5
1
741 I: --
20V I(p-p): --
2k
XFG4 V
I(rms): --
Agilent
I(dc): --
I(freq): --
V: -- V: --
V(p-p): -- V(p-p): --
V(rms): -- V(rms): --
V(dc): -- V(dc): --
V(freq): -- V(freq): --
Figura 34 - Modelagem de circuito eltrico no Multisim 14 projetado pela equao terica para
Amp-Op Somador.
Da mesma forma que nos dois casos anteriores o experimento para este circuito foi
executado e configurado de forma semelhante ao procedimento utilizado nos dois
casos anteriores.
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4 RESULTADOS E DISCUSSES
R f = 3 R1 e v0 = 3 vi (38)
U1
V R1ok A P 1 2 3 4 T
G
PR3
2 V A
XFG1 1k 6
V2ok
Agilent 3
20V I: 0 A
7
5
1
R f = 2 R1 e 0 = 3 (23)
V: -4.06 mV
I: -1.33 uA
V: 17.5 uV
I(p-p): 2.00 mA Rff V(p-p): 6.00 V
V(p-p): 2.00 V V(rms): 2.11 V
I(rms): 705 uA
V(rms): 705 mV V(dc): 3.21 mV
V(dc): -408 pV
I(dc): 1.09 uA
I(freq): 800 Hz
2k V(freq): 800 Hz
V(freq): 800 Hz XSC2
A
Tektronix
V1ok2
4
20V U2
R1ok2 P 1 2 3 4 T
G
2 V PR6 A
V2ok2 1k 6
XFG2 V
PR1
20V 3 I: 0 A
Agilent I(p-p): 6.00 pA
I(rms): 2.11 pA
7
5
1
741 I(dc): 0 A
I(freq): 800 Hz
Figura 40 - Display do gerador de funes apresentando a tenso pico a pico aplicada para um sinal
senoidal em (a) e A frequncia aplicada ao circuito em (b)
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Figura 41 - Osciloscpio mostrando o as tenses de sada no canal 2 em azul e de entrada no canal 1
em amarelo.
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4.3 CIRCUITO SOMADOR
a varivel b.
v0 = (2v1 + 3v2 ) Volts (26)
E portanto:
Rf Rf
=2e =3 (27)
R1 R2
6k 6k
R1 = = 3k e R 2 = = 2k
2 3
0 = (2 0,5 + 3 2) = 7
4.3.2 Resultados simulados da modelagem do circuito projetado
U3
R1
V1
2 V A
20V 3k 6
V2 R2 I: 0 A
7
5
1
741
20V I(p-p): 7.00 pA
2k I(rms): 2.47 pA
XFG4 V I(dc): 0 A
Agilent
I(freq): 800 Hz
V: -3.49 V
V: 1.00 V V(p-p): 7.00 V
V(p-p): 2.00 V V(rms): 2.47 V
V(rms): 705 mV V(dc): 6.55 mV
V(dc): -2.35 nV V(freq): 800 Hz
V(freq): 800 Hz
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Figura 44 - Display do gerador de funes apresentando as tenses pico a pico aplicadas, para um
sinal senoidal com frequncia de 800 Hz no resistor R1 em (a) e no resistor R2 (b)
(a) (b)
Figura 47 Sinais de tenso aplicado ao resistor R1 em (a) e ao resistor R2 em (b)
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Na figura 46, o display do osciloscpio apresenta o sinal na sada do
amplificador operacional apenas, mas no apresenta o sinal das entradas, pois h
uma limitao de disponibilidade de canais do osciloscpio disponvel no laboratrio.
A tenso pico a pico medida no osciloscpio da sada do circuito apresentou
valor ligeiramente maior que a tenso pico a pico calculada e simulada. A diferena
de 0,52 volts. Portanto o erro muito pequeno, a tabela 2 abaixo resume todos os
dados da tenso de sada para os trs circuitos projetados, tericos, simulados e
experimentais. A caracterstica dos sinais de tenso no osciloscpio simulado se
repete no osciloscpio de laboratrio.
Essa diferena se deve ao fato de que na montagem de um circuito amplificador
somador real, deve-se considerar que a resistncia de sada diferente de zero e a
resistncia de entrada diferente de infinito (porm ainda assim tal valor de resistncia
ainda muito grande), podendo resultar em medidas reais ligeiramente diferentes das
medidas tericas e simuladas. Pelo fato de existir impedncia nos fios utilizados,
assim como as resistncias utilizadas no possurem os valores exatos utilizados nos
clculos, tais influncias contribuem para essa discrepncia. A presena de poeiras
(ocasionando mal contato), rudos, as diferenas entre os valores mostrados no
display dos aparelhos utilizados e seus verdadeiros valores, variaes de
temperatura.
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5 CONCLUSO
Atravs desse relatrio, foi possvel realizar uma anlise sobre o funcionamento
da ponte de circuitos operacionais, onde aspectos tericos embasaram tanto as
concluses sobre os valores simulados, quanto queles obtidos experimentalmente,
os quais ratificaram os teoremas utilizados para a correta exposio tanto dos
aspectos tericos explanados, quanto dos clculos utilizados. Essa anlise permitiu o
entendimento sobre amplificadores operacionais aplicados em circuitos inversores,
no-inversores e somadores, muito utilizados em instrumentao e conversores
analgicos digitais.
As diferenas entre os resultados obtidos por simulao, clculos tericos e
atravs dos experimentos no so proeminentes, podendo tal diferena ser atribuda
s aproximaes e erros de medida, na simulao e no multmetro respectivamente,
onde a maior contribuio para a diferena do instrumento de medio utilizado, o
multmetro, tal erro est na faixa de 0,6 a 7,43%.
Tais erros de medida de laboratrio, podem ser atribudos a preciso depende
de fatores externos. Portanto na maioria dos experimentos realizados em laboratrio,
so esperados tais erros, justificando a inexatido nas medidas. Os externos podem
estar relacionados umidade, temperatura, poeira e mal contato devido tambm
qualidade dos materiais usados, como resistores, protoboard e os cabos utilizados
nos equipamentos de medio. Visto isso, conclusivo dizer que atravs dos
resultados experimentais, ratifica-se o que fora exposto na teoria, e os dados obtidos
atravs de simulao.
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6 REFERENCIAS
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[6] Figura9. Disponvel em:
<http://www.ufrgs.br/eng04030/Aulas/teoria/cap_04/imgs/ft040020.gif>. Acesso em:
28/08/2017
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