Laboratorio de electrnica analoga

LABORATORIO No. 2: PARMETROS DEL DIODO SEMICONDUCTOR

John Franklin Ibagos
ibagos@hotmail.com

RESUMEN: OBJETIVOS.
En el laboratorio sobre el diodo, realizamos pruebas 1. Identificar las caractersticas de los diodos
en dos tipos diodo germanio, y silicio el cual con la semiconductores
practica verificaremos la curva del dio para estos 2. Determinar el estado de un diodo
dos tipos de materiales semiconductores , y el uso 3. Identificar las formas de polarizacin de un
de el manual de remplazo ECG , para los elementos diodo
electrnicos

PALABRAS CLAVE:
MARCO TEORICO

Diodo, semiconductor . El diodo es un dispositivo de semiconductor

ABSTRACT
In the following lab, it deals with the configuration of
the par Darlington in ac (alternating current).
We observe the circuits of the guide and we do its
analysis in DC so as to be able to the ac analysis
and to be able to fill the respective tables, with
different frequencies, with the signal generator.
This lab is used to learn how the voltage and current
gain is in this configuration of the BJT transistor.
Keywords:
compuesto por una unin P-N, es un material
extrnseco que adquiere unas propiedades
especificas dependiendo del dopado o las
impurezas que han sido aadidas a un
configuracin molecular, en la parte practica es
utilizado en el rea de la electricidad con el objetivo
de modificar diferentes seales de voltaje, regular
el voltaje, emitir luz y muchas otras aplicaciones que
no se abarcan en este informe. El diodo que se
utilizar
es el rectificador este tiene una curva
caracterstica

Step capacitor, impedance, current gain, model re,

voltage gain, Darlington

INTRODUCCIN

Es Una conexin muy popular de dos transistores

de unin bipolar que opera como un transistor
sper beta es la conexin Darlington .La
caracterstica principal de la conexin Darlington es
que el transistor compuesto acta como una sola
unidad con una ganancia de corriente que es el
producto de las ganancias de corriente de los
transistores individuales. Si la conexin se hace con Hoja Caractersticas del Diodo 1N4004
dos transistores distintos con ganancias de
corriente de b1 y b2, la conexin Darlington
Caractersticas:
proporciona una ganancia de corriente de 1 2.
1N4004 es uno de los diodos de una serie muy
Tienen una alta impedancia de entrada y adems
utilizados en infinidad de equipos electrnicos.
produce un efecto un efecto multiplicativo sobre la
-Tensin inversa repetitiva de pico VRRM 50v
corriente.
-Tensin inversa de pico de funcionamiento VRWM
50v
-Tensin de bloqueo en cc VR 50v

1
Laboratorio de electrnica analoga
.

-Rectificador de media onda Tabla 2

-Rectificador de onda completa
-Rectificador en paralelo 3. Montar el circuito de la figura 1
-Doblador de tensin
-Estabilizador Zener 4. Medir y anotar en la tabla No.5 los valores de VD
-Led e ID para cada valor de entrada de Vin utilizando el
-Limitador diodo de Si.
-Circuito fijador
-Multiplicador de tensin
-Divisor de tensin Circuitos
Figura 1
Especificaciones:

-Corriente en directo max.: 1A

-Corriente pico en directo (8.3ms): 30A
-Voltaje en directo max. (@ 1A): 1.1V
-Voltaje DC inverso max.: 400V
-Encapsulado: DO-41

Hoja Caractersticas del diodo 1N60

Mechanical Data Case: DO-7, molded glass

Terminals: Plated axial lead, solderable per MIL- Figura 2
STD-202E, Method 208 Polarity: Color band
denotes cathode end Weight: 0.2 gram Maximum
Ratings and Electrical Characteristics (T A=25C
unless noted otherwise) Symbol Description 1N60
1N60P Unit Conditions VRRM Maximum Repetitive
Peak Reverse Voltage 50 45 V VDC Maximum DC
Blocking Voltage - 20 V IF(AV) Maximum Average
Forward Rectified Current 50 mA IFM Peak
Forward Current - 150 mA IFSM Peak Forward
Surge Current - 500 mA 8.3ms single half sine-
wave superimposed on rated load (JEDEC
Method) VF Maximum Instantaneous Forward
Voltage 1.0 - V IF=5mA IF Minimum Forward
Current - 4 mA VF=1V VR Maximum Reverse
Leakage 20 - V IR=40A

PROCEDIMIENTO
1. 2.
1. Buscar los parmetros de los siguientes 2. Calcular la impedancia de entrada
diodos. empleando el siguiente mtodo.

Tabla 1 a. Medir la amplitud de la sea

2. Para determinar si el diodo se encuentra en buen TABLAS

estado o tiene algn defecto, basta probar
simplemente si se encuentra en: corto, abierto o si
presentan fugas excesivas. Consigne cada una de Tabla No1.
las lecturas obtenidas y antelas en la tabla No. 4

2
Laboratorio de electrnica analoga
.

Referencia Reemplaz Tipo Corrient Encapsulad

o ECG e o (case)
de
Diod
o
1N100
1N4004
1N4548
1N3511
1N5231
B

Materiales
Tabla No2.
- 3 resistencias de 3.3K.
Referencia Resistencia en Resistencia en - 3 resistencias de 10K.
Polarizacin Polarizacin Inversa - 3 resistencias de 470K.
Directa
- 1 potencimetro de 1 M.
Si: 1N4004 - 2 transistores BC548y BD139.
- Condensadores de 22 F
Ge: 1N100 - Condensadores de 100F
- Condensadores de 0.1 F
Tabla No3. Diodo de Si - Condensadores de 1 F
- Tester.
Vin (v) 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 - Fuente.
VD(v)
Registro fotogrfico
ID(mA)

Vin (v) 0.8 0.9 1.0 1.2 1.5 2.0 3.0 4.0
VD(v)
ID(mA)

Tabla No4 Diodo de Ge

Vin (v) 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
VD(v)
ID(mA)

Vin (v) 0.8 0.9 1.0 1.2 1.5 2.0

VD(v)
ID(mA)

FIGURAS

Figura 1.

3
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.

Observaciones

- La medida del canal 1 es de 20V/DIV.

- La medida del canal 2 es de 10V/DIV.

- El canal 1 tiene un Vrms 18.1V y el

canal 2 un Vrms17.7V.

- El canal 1 tiene un Vpp 52.0V y el canal

2 tiene un Vpp 23.5V.

- El canal 1 tiene un Vmax 28.0V y el

canal 2 tiene un Vmax 27.6V.

- El canal 1 tiene un Vmin -24.0V y el

canal 2 tiene un Vmin 4.0V.

4
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.

- El canal 1 tiene una frecuencia de - http://es.farnell.com/stmicroelectronics/bd139/transist

or-npn-45-v-1-5a-sot-
87.11HZ y el canal 2 tiene una 32/dp/1015770?mckv=sQj05PamO_dc|pcrid|1868508
frecuencia de 87.41HZ. 07110|kword|bd139|match|p|plid|&CMP=KNC-GES-
SKU-
1015770&DM_PersistentCookieCreated=true&gclid=
CKa_maewjtQCFRJZhgodIDUDuQ.

PREGUNTAS

- Dar una explicacin breve de por qu es

elevada la impedancia de entrada del par
Darlington.

- Por qu el par Darlington ofrece impedancia

de salida baja?

- Comparar las caractersticas de impedancias

y ganancias, entre el par Darlington y el
amplificador colector comn

RESPUESTAS

- La impedancia de entrada es alta. Esta sera

la diferencia con el colector comn es que
tienen alta ganancia de corriente pero el
par Darlington si tiene impedancia de
entrada alta.

CONCLUCIONES

- La impedancia de entrada es
elevada.

- La resistencia de salida es baja.

- La ganancia de voltaje es al
cuadrado.

- Una desventaja del par Darlington es que

la corriente de fuga del primer transistor es
amplificada por segundo.

BIBLIOGRAFIA

- Libro, ROBERT L.BOYLESTAD LOUIS

NASHELSKY, Electrnica teora de
circuitos y dispositivos electrnicos,
10va edicin pag 251- 253, pag 299-303.

- http://www.labc.usb.ve/paginas/mgimenez/EC1
177/Contenido/clase13.pdf.