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Prctica III
Objetivos
- Obtener prcticamente la curva caractersticas del diodo rectificador
1N4001.
- Evaluar experimentalmente los parmetro e Io del diodo
- Evaluar la resistencia dinmica del diodo para una corriente directa de 2
mA.
Pre-reporte
- Simulacin de los circuitos contenidos en la prctica.
- Realizar tabla I mediante datos simulados.
1. Antecedentes tericos
El diodo es un dispositivo semiconductor constituido mediante la unin de materiales
semiconductores tipos p y n y sus respectivas terminales metlicas. El material p con
su terminal es conocido como anodo A y el material n como el ctodo K. La figura 3.1
muestra la estructura y el smbolo del diodo.
SEMI- SEMI-
CONDUCTOR CONDUCTOR A K
A K + -
TIPO P TIPO N
3. Desarrollo experimental
3.1 Utilice el circuito de la figura 3.3 para evaluar la caracterstica iD contra vD del diodo
1N4001 o equivalente, utilizando como referencia los valores propuestos en la tabla 3.1
(es probable que requiera cambiar el valor de R a 10 K para tener mayor exactitud en
polarizacin directa para corrientes entre 0 y 1 mA).
R=1 k R=1 k
+ +
ID ID
VD VD
- -
a) b)
Figura 3.3 Circuito para obtener las curvas caractersticas del diodo semiconductor.
a) Polarizacin directa. b) Polarizacin inversa
vD (V) medido
iD(mA) medida
ln(iD/1 mA)
8mA
6 mA
4 mA
2 mA
0 mA
-5 A
-10 A
-15 A
ln(iD/1 mA)
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
R=4.7 k
R=10 k
f= 1 kHz
4.7
Despejando = = ______ K
[( )1]
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