Grado en Ingeniera Informtica.

Relacin de problemas n4. La conduccin en semiconductores.

I.- CUESTIONES

1.- Explicar por qu un semiconductor acta como aislante a 0 K y por qu su

conductividad aumenta con la temperatura.

2.- Cul es la distincin entre un semiconductor intrnseco y un semiconductor

extrnseco?. Explicar el concepto de hueco en un semiconductor e indicar de forma
grfica como contribuye a la conduccin. Explicar que se entiende por
semiconductor tipo P y tipo N.

3.- a) Definir la concentracin intrnseca de huecos. b) Qu relacin existe entre la

densidad y la concentracin intrnseca de electrones?. c) Qu ocurre a 0 K?.

4.- Un semiconductor se dopa con impurezas donadoras y aceptadoras de

concentraciones respectivas ND y NA respectivamente. Escribir la ecuacin, o
ecuaciones que determinan las concentraciones de huecos y electrones.

5.- Dado un semiconductor intrnseco explicar dos procedimientos fsicos para

aumentar su conductividad. Explicarlos brevemente.

6.- Explicar por qu debe desarrollarse una diferencia de potencial en la unin PN en

circuito abierto.

7.- Explicar el principio de funcionamiento de un diodo.

II.- PROBLEMAS

1.- Sea una muestra semiconductora de germanio a 300 K con una concentracin de
impurezas aceptadoras de NA = 107 cm-3 y donadoras ND = 1018 cm-3. Determinar
si la muestra es del tipo N o P, y calcular la densidad de portadores de uno y otro
tipo. La densidad de portadores intrnseca para el Ge a esta temperatura es ni =
21013 cm-3.
Solucin: Tipo N, n = 1018 cm-3, p = 4108 cm-3.

2.- Calcular la concentracin de electrones y huecos y la conductividad de una muestra

de Ge con dopado tipo P a 300 K, sabiendo que la concentracin de impurezas es
 NA = 51017 cm-3. La concentracin de portadores intrnseca para el Germanio a
esta temperatura es ni = 21013 cm-3, y las movilidades respectivas son: p = 3500
cm2/Vs, n = 4500 cm2/Vs. Razonar si se puede despreciar la contribucin de los
portadores minoritarios a la conduccin elctrica.
Solucin: p = 51017 cm-3, n = 8108 cm-3, p = 2.8102 cm-11, n = 5.7610-7
cm-11.

3.- Sea una barra cilndrica de silicio puro (intrnseco), cuya longitud es l = 10 cm, y
su dimetro d = 2 cm. Calcular la resistencia de la barra si el material est a 300 K.
A esta temperatura en el silicio se verifica que: ni = 1.451010 cm-3, p = 475
cm2/Vs, n = 1500 cm2/Vs. Carga del electrn e = 1.60910-19 C.
Solucin: R = 221.225 k.

4.- Sea una barra cilndrica de Si dopado homogneamente tipo P con NA = 1015 cm-3.
La barra tiene una longitud l = 10 cm y un dimetro d = 2 cm. En los extremos de
la barra se realizan contactos hmicos y se conecta a una d.d.p. de 1 V. determinar
el campo elctrico en el seno el semiconductor, la contribucin de la corriente de
cada tipo de portador y la intensidad que circula por el material. Datos: ni =
1.451017 cm-3, p = 475 cm2/Vs, n = 1500 cm2/Vs.
Solucin: E = 10 V/m; Ip = 2.3910-2 A, ; In = 1.5810-11 A.

5.- En la figura se muestra un circuito formado por una fuente de tensin y un bloque
semiconductor de tipo N que se comporta como una resistencia, de forma que la
corriente que circula es I1.

Si iluminamos la muestra semiconductora de forma que se generen pares electrn

hueco en el semiconductor hasta que la concentracin de huecos iguale a la de
impurezas donadoras ND, la intensidad adquirir un nuevo valor I2. Sabiendo que
la movilidad de los electrones es el triple que la de los huecos, Ser I2 mayor o
menor que I1? Cul es el valor de la relacin I2/ I1?

Solucin: a) I2>I1; b) I2/ I1=7/3.

6.- Se define la resistencia dinmica de un diodo como la relacin incremental entre el
voltaje aplicado y la intensidad que circula por el diodo, rd = dV/dI. Teniendo en
cuenta que la relacin tensin - corriente para un diodo ideal viene dada por la

expresin I I S eV /VT 1 con VT = 25 mV. Calcular la relacin entre las

resistencias dinmicas del diodo que corresponden a las tensiones V1 = 0.5 V y V2

= 0.7 V.

Solucin: rd1/rd2 = 2.98103.

7.- El diodo de la figura tiene las 150

A
siguientes caractersticas: Tensin
umbral de conduccin 1.5 V,
1 2
resistencia equivalente serie 150 .
1.2 V 3V
Teniendo en cuenta el circuito
equivalente del diodo, B

a) calcular la diferencia de potencial entre los puntos AB cuando el conmutador S

est en la posicin 1.

b) Repetir el mismo clculo cuando el conmutador est en la posicin 2.

Solucin: a) VAB = 1.2 V; b) VAB = 2.25 V.

8.- En el circuito de la figura, sabiendo que Vi Vo

R1+R2 = 100 k (son un potencimetro de 1k 5V
100 k ) a) Calcule R1 y R2 para que el R1
diodo empiece a conducir cuando Vi=2.5
V. b) Cunto vale Vo en este caso?.
R2
Solucin: a) R1= 63 k R2=37 k; b) Vo = 2.5 V.

9.- En el circuito de la figura los diodos son de Si y tienen las siguientes

caractersticas: V = 0.65 V; rd 0 . El valor de R = 1 k.
R
Discutir cmo ser la tensin de salida
(Vo) para valores de la tensin de entrada D1 D2
(Vi) comprendidos entre [-5,5] voltios. Vi Vo
R R
Representar grficamente la tensin de
salida en funcin de la tensin de entrada.
 Solucin: Vo 0.5Vi 0.325; Vi 0.65V ,5V , Vo Vi ; Vi 0.65V ,0,

Vo 0.5Vi 0.325; Vi 0.65V ,5V

10.- En el circuito de la figura la tensin de entrada puede variar entre -25 y 25 V.

1 k
a
a) Obtenga la tensin de Vi
salida en funcin de la tensin de
D1 D2
entrada. Nota: prescinda para 1 F
b c
ello de la rama de los
Vo
condensadores. (3 puntos) 1 k
1 k 2 F
b) Represente el resultado 5V
en un diagrama en el que Vi est
en abscisas y Vo en ordenadas.
(1 punto).
c) Determine la energa almacenada por cada condensador cuando Vi = 5 V.
(1 punto).
Nota: Desprecie la resistencia de los diodos en su modelo linealizado. Tensin
umbral los diodos V = 0.5 V.

Solucin

Vi Vi 25, 0.5

Vi 0.5,10.5
1
a) Vo 0.25 Vi b)
2
Vi 10.5, 25
1
2 V
3
i

c) UC1 1.68 J ; UC 2 0.84 J