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pour l EMSE
Daprs un diaporama original de Thomas Heiser
Institut d'Electronique du Solide et des Systmes
1
Architecture
analogique
numrique
analogique
Electronique
Amplica6on
et
ANALOGIQUE
Amplica6on
Filtrage
:
en
puissance
Condi6onnement
Paramtres
(coecients)
Instrumenta.on
Robo.que
Communica.ons
Mul.mdia
Systmes informa.ques
Cartes mmoires
3
Histoire des semi-conducteurs
Et les transistors
4
Le transistor effet de champ a t invent en 1925-1928 par J.E. Lilienfeld (bien avant
le transistor bipolaire). Un brevet a t dpos, mais aucune ralisation n'a t possible
avant les annes 60.
6
William Shockley
1910-1989
prix Nobel de physique William Shockley (assis), John
1956 Bardeen, and Walter Brattain,
1948.
7
Le premier rcepteur radio
transistors bipolaires
8
En
1971
:
le
premier
Processeur
9
INTEL
ITANIUM
Tukwila
core
Electronique
molculaire
Une
molcule
comme
composant
11
Mais
a
ne
se
fait
pas
tout
seul...
12
Contenu
du
cours
d
lectronique
analogique
1
1.
Introduc.on
aux
semi-conducteurs,
jonc.on
PN
2. Les Diodes
5. Amplicateur opra.onnel
13
Bibliographie
14
LES
SEMI-CONDUCTEURS
15
Introduction aux semi-conducteurs, la jonction PN
I Matriaux semi-conducteurs.
1 Introduction.
Colonne IVA : Si, Ge.
Quest ce quun semi-conducteur ? Association IIIA-VA : AsGa, etc.
Ni un conducteur, ni un isolant.
I Matriaux semi-conducteurs
2 Modle des bandes dnergie.
Atome de silicium : le noyau comporte 14 protons nuage comportant 14 e-
-
Rpartition lectronique : 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2 - -- -
-
couche de - 14+ - -
valence : 4 e- - - -
-
-
Energie
(eV)
Niveaux dnergie
lectronique dun
atome isol :
17
I Matriaux semi-conducteurs
Energie Energie
(eV) (eV)
bande permise
bande interdite
Bande de valence : contient les tats lectroniques des couches priphriques des
atomes du cristal (c.--d. les e- de valence, 4 pour le Si)
Bande de conduction : bande permise immdiatement suprieure en nergie la bande
de valence. Les e- y sont quasi-libres, ils ont rompus leur lien avec leur atome dorigine,
18
ils permettent la conduction dun courant.
I Matriaux semi-conducteurs
valence
300K Si Ge AsGa
Eg (eV) 1,12 0,66 1,43 19
I Matriaux semi-conducteurs
4 Le silicium.
a. Semi-conducteur intrinsque (cristal pur).
association avec 4 atomes voisins pour obtenir 8 e- sur la couche de valence (rgle de
loctet, la couche de valence est sature) :
Si Si Si Si
Si Si Si Si
liaison covalente
Si Si Si Si
20
I Matriaux semi-conducteurs
Energie
(eV)
Si Si Si Si
b. conduction
Eg Si Si Si Si
b. valence
Si Si Si Si
21
I Matriaux semi-conducteurs
Dplacement des trous : de proche en proche courant (de charges +)
Si Si Si Si Si Si Si Si Si
Si Si Si
3 E g
n i = A.T .exp
2
2kT
[ ]
cm 3
elle est toujours vrifie pour un cristal lquilibre thermique (quil soit intrinsque ou non).
23
I Matriaux semi-conducteurs
24
I Matriaux semi-conducteurs
b. valence
Si Si Si Si
Le cristal garde sa neutralit lectrique globale ( chaque lectron libre donn par les
atomes dimpuret correspond un cation fixe).
Porteurs de charges :
26
I Matriaux semi-conducteurs
Energie
(eV)
Si Si Si Si b. conduction
Si Si B Si
+ EA
b. valence
B- Si Si Si
B- : anion fixe
27
I Matriaux semi-conducteurs
Le cristal garde sa neutralit lectrique globale (pour chaque lectron libre accept par
les atomes dimpuret crant un anion fixe, un trou est cr).
Porteurs de charges :
Energie Energie
(eV) (eV)
b. conduction b. conduction
h h
b. valence b. valence
28
I Matriaux semi-conducteurs
5 La jonction PN.
Un semi-conducteur seul (N ou P) prsente peu dintrt, cest lassociation de plusieurs
SC dops qui permet de crer les composants semi-conducteurs. Le plus simple dentre
eux est la jonction PN (ou diode), il permet en outre dapprhender le fonctionnement
des transistors.
Semi-conducteur P Semi-conducteur N
ion fixe ion fixe
e- mobile
trou
mobile majoritaire
majoritaire
Que se passe-t-il si lon met en contact un s.-c. de type P avec un s.-c. de type N pour
raliser une jonction PN ? (! Attention ! cest simplement une vue de lesprit, ce nest pas ainsi que lon
procde)
I Matriaux semi-conducteurs
Energie
(eV) b. conduction
V0 : barrire
de potentiel
tq
b. valence
31
ZCE = zone de dpltion = zone dserte
I Matriaux semi-conducteurs
b. Jonction PN polarise en direct. VPN > 0
Valim R
Energie
(eV) b. conduction
b. valence
32
I Matriaux semi-conducteurs
On tablit :
On retiendra que le courant traverse facilement une diode polarise en direct (VPN
> V 0)
On obtient :
33
I Matriaux semi-conducteurs
Charge stocke dans une jonction polarise en direct :
Non polaris :
Polarisation
directe :
Avant de bloquer une jonction PN polarise en directe il faut vacuer ces charges en
excs par rapport la situation dquilibre courant inverse transitoire (cf. temps
de recouvrement dans la suite du cours).
34
I Matriaux semi-conducteurs
c. Jonction PN polarise en inverse.
VPN = - Valim < 0
augmentation de la barrire de potentiel
largissement de la ZCE et intensification du champ P N
lectrique
IPN 0
Valim R
Energie
(eV) b. conduction
b. valence
35
I Matriaux semi-conducteurs
Claquage :
36
I Matriaux semi-conducteurs
d. Influence de la temprature.
Sur Is :
courant d aux porteurs minoritaires crs par gnration thermique, il augmente
rapidement avec T pour le Si il double tout les 7C.
Sur V0 la barrire de potentiel :
pour le Si autour de 300K elle dcroit de 2 mV pour une augmentation de 1C.
37
I Matriaux semi-conducteurs
VAK
A K
anode IAK "k"athode
P N
38
Direntes
diodes
:
Symboles
Anode
A
Cathode
K
Diode
Diode
Zener
En
inverse
pour
la
rgula.on
Diode Varicap En HF
39
Diodes
de
signal
(ex
1N914)
42
Diodes
de
puissance
43
Autres diodes
44
2.
Les
Diodes
2.1 Dni6on Id Id
Vd
sous
polarisa;on
inverse
(Vd<0)
la
diode
=
circuit
ouvert
Ce
type
de
composant
est
u.le
pour
raliser
des
fonc6ons
lectroniques
telles
que
le
redressement
dune
tension,
la
mise
en
forme
des
signaux
(crtage,
).
45
2.2
Caractris6ques
dune
diode
relle
base
de
Silicium
hyp:
rgime
sta.que
Id
(tension
et
courant
140
indpendants
du
comportement
linaire
100
temps)
60
20
Is
-2
-1.5
-1
-0.5
0
0.5
Vo1
Vd
Pour
Vd
>>
~0.6v,
le
courant
augmente
rapidement
avec
une
varia6on
peu
prs
linaire
la
diode
est
dite
passante
mais
Id
nest
pas
propor6onnel
Vd
(il
existe
une
tension
seuil~
Vo)
46
Id
140
100
le
comportement
est
fortement
non-linaire
60
varia6on
avec
la
temprature
20
Rq
:
pour
Vd>>Vt
le
terme
(-1)
est
negligeable
Vd
-2
-1.5
-1
-0.5
0
0.5
1
Vo
47
Limites
de
fonc.onnement
:
48
2.3
Diode
dans
un
circuit
et
droite
de
charge
49
2.3.2
Droite
de
charge
Caractris;que I(V)
Id
Val/RL
Q
Q=
Point
de
fonc.onnement
IQ
Droite de charge
Vd
VQ
Val
Schmas
quivalents
:
Id
Ri
pente=1/Ri
diode
passante
Val
Val
>0
Vd
Ri
Val
Val
Id
Ri
diode
bloque
Val<
0
Vd
Val
Val
51
2.4.2
Seconde
approxima6on
Id
caractris.que
directe
ver.cale
Vd
(pas
de
rsistance
srie)
Vd
Vd
<0:
circuit
ouvert
Vo
Pour
une
diode
en
Si:
Vo
0,6-0,7
V
schmas
quivalents
:
Schmas
quivalents
Ri
Id
diode
passante
pente=1/Ri
Val
Vo
Val
>Vo
Vd
Ri
Vo
Val
Val
Id
Ri
diode
bloque
Val<Vo
Vd
Val
Val
52
2.4.3
3ime
Approxima6on
Caractris.que
relle
pente
=
1/Rf
tension
seuil
Vo
non
nulle
Id
rsistance
directe
Rf
non
nulle
Vd
pente
=
1/Rr~
0
Modlisa.on
Vd
<0:
rsistance
Rr
nie
Modle
couramment
u.lis
Rf
=
15
Rr
=1M
La
2ime
approx.
est
souvent
susante
pour
une
tude
qualita6ve
du
fonc.onnement
dun
circuit
.
55
EXERCICES:
Caractris.ques
des
diodes
:
Rf
=
30,
Vo=0.6V,
Is=0
et
RR
innie
1)
50
Calcul
de
Id
et
Vd
56
Diodes
au
Si
(Rf
=
30,
Vo=0.6V,
Is=0
et
RR
innie)
3)
D1
D2
2 V R=100 Dnir If
If=(2-2*V0)/(R+2Rf)=5mA
EXERCICES
R=50
4)
1V
Dnir
IR
en
appliquant
lapproxima6on
2
(Rf=0)
IR=(1-Vf)/(R+Rf/2)=0.4/50=6.15mA
57
Ve
(V)
VeMAX
Vcc+ 0,6v
Vcc
t
-0,6v
L Analyse sta.que
ne
concerne
que
les
composantes
variables
des
tensions
et
courants
(ou
signaux
lectriques,
ou
encore
composantes
alterna.ves
(AC)
)
Lanalyse
dynamique
permet
de
dnir
la
fonc6on
de
transfert
informa6onnelle
R1
hypothses:
ve
ve
=
signal
sinusodal,
valeur
moyenne
nulle
R2
V(t)=V+v(t)
VE
=
source
sta;que
VE
Calcul complet
V
v(t)
Principe
de
superposi.on
:
Comme
tous
les
composants
sont
linaires,
le
principe
de
superposi.on
sapplique
la
source
sta.que
VE
est
lorigine
de
V
,
et
ve
est
lorigine
de
v
63
R1
Analyse
sta.que
:
VE
R2
V
schma dynamique
64
Autres
exemples:
R1
R2
1)
ve
Io
R3
V(t)=V+v(t)
Schma sta.que R1 R2
Io R3 V
Schma
dynamique
R1
R2
ve R3 v
Val
R1
R2 V
66
Schma
dynamique
:
R1
ZC
vg
Rg
R2
v
67
POLARISATION et signal
Le
principe
de
superposi6on
nest
plus
valable
en
prsence
de
composants
non-
linaires
!
Extrapola.ons possibles:
69
2.5.2
Modle
pe6ts
signaux
(basses
frquences)
hypothse:
varia.on
susamment
lente
(basse
frquence)
pour
que
la
caractris.que
sta.que
reste
valable.
Varia.on
de
faible
amplitude
autour
du
point
de
fonc.onnement
sta.que
Q
:
la
caractris.que
Id(Vd)
peut
tre
approxime
par
la
tangente
en
Q
pente
:
Id
schma
quivalent
dynamique
correspondant
au
point
Q
:
2|id|
Q
Vd
=
rsistance
dynamique
Vo
de
la
diode
2| v|
Ce
schma
ne
peut
tre
u.lis
QUE
pour
une
analyse
dynamique
du
circuit
!
70
Nota6on
:
rf
=
=
rsistance
dynamique
pour
VdQ>
0
Pour Vd < 0 , rr Rr
temprature ambiante :
Analyse sta.que :
Analyse dynamique :
Schma dynamique :
v d 1,2 10 3 sin(10 3 2 t )
2k
1k
Amplitude
des
ondula6ons
rsiduelles
:
1,2
mV
vd
ve
~
12
72
DIODE3
73
2.5.3
Rponse
frquen6elle
des
diodes
74
Varia6on
de
Vd
de
faible
amplitude,
sous
polarisa6on
directe
(VdQ
>0)
une
pe6te
varia6on
de
Vd
induit
une
grande
varia6on
Id,
cest
--dire
des
charges
qui
traversent
la
diode
A
haute
frquence,
des
charges
restent
stockes
dans
la
diode
(elle
narrivent
pas
suivre
les
varia.ons
de
Vd)
rc
Ordre
de
grandeur
:
Cd
~
40
nF
1mA,
300K.
rsc
=
capacit
de
diusion
basse
frquence
:
rc
+
rsc
=
rf
la
spara.on
en
deux
rsistances
.ent
mieux
compte
des
phnomnes
physiques
en
jeu.
75
suite
de
lexemple
prcdent:
A
quelle
frquence
la
capacit
dynamique
commence-t-
elle
inuencer
la
tension
vd
?
5V
Rb
Id
=
2,2mA
!
Cdi
~100nF
1k
C
2k
Ra
10F
D
ve
Vd(t)
1k
rth
~11
v
v
~
12
ve
Cdi
vth
Cdi
=
ltre
passe-bas
-3dB
log f
76
Diode
en
commuta6on
:
Temps
de
recouvrement
direct
et
inverse
Le
temps
de
rponse
ni
de
la
diode
sobserve
aussi
en
mode
impulsionnel
,
lorsque
la
diode
bascule
dun
tat
passant
vers
un
tat
bloqu
et
vice-versa.
VQ
Vg
Vo
t
R
-VR
Vo
Vd
Vg
Vd
-VR
temps
de
rponse
Id
(VQ-Vo)/R
-VR/R
Caractris6ques
VZ
:
tension
Zener
(par
dni.on:
VZ
>0)
Id
Imin
:
courant
minimal
(en
valeur
absolue)
au
-Vz
Vd
del
duquel
commence
le
domaine
linaire
-Imin
Zener
Imax
:
courant
max.
support
par
la
diode
(puissance
max:Pmax
~VZImax)
-Imax
Rz
Vd
Id
Id
V
+
z
-Vz
Vd
-Imin
Q
Modle
dynamique,
basses
frquences,
pente
faibles
signaux
:
1/Rz
80
2.6.2
Diode
lectroluminescente
(ou
LED)
Vo
0.7V
!
Vo
dpend
de
la
couleur
81
Couleur Longueur donde (nm) Tension de seuil (V)
IR >760 Vs<1.63
Capteur
CCD
83
3.
Applica6ons
des
Diodes
Rg
circuit
Q
Vg
Ve
Ze
Vd=Ve
protger
Vo
Vg
Limite
du.lisa.on
:
Puissance
maximale
tolre
par
la
diode.
Clipping
srie
:
Rg
circuit
Vg
Ve(t)
Ze
protger
84
Protec.on
contre
une
surtension
induc.ve
(ex:
ouverture/
fermeture
dun
relais)
V
L
Vmax<0
~
-
0.7V
V
I
VA
+
VA
~20,7V
I
A
risque
de
dcharge
la
conduc.on
de
la
lectrique
travers
diode
engendre
un
linterrupteur
ouvert
courant
transitoire
et
diminue
la
tension
Linterrupteur
pourrait
tre
induc.ve.
un
transistor...
85
Lors de la rupture de courant
(relche du bouton) la diode
commence conduite lorsque
Vs atteint VCC+0,7v.
Lnergie accumule dans L1
est dissipe dans la
rsistance interne de la diode
durant environ 250uS, il y a
ensuite un phnomne
oscillatoire due la capacit
de la diode (circuit LC //), ce
phnomne apparait lorsque
le point de fonctionnement de
la diode sapproche du coude
(fonctionnement non linaire).
86
A suivre .
Le transistor effet de champ
Pour prparer la prochaine squence :
Revoir les exercices, tre capable dexpliquer les formes et grandeurs des
signaux sur les graphes temporels.
87