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Organizacin de la clase
1. Diodos de potencia
Lo intento apagar
Dispositivos con
control de apagado
1.Introduccin a la electrnica de potencia
Ejemplo de uso de los dispositivos:
Debe permanecer encendido
Lo intento apagar
La corriente
de base es
significativa
La corriente
de gate es
despreciable
1.Introduccin a la electrnica de potencia
Clasificacin de los circuitos electrnicos de potencia:
Los dispositivos permiten convertir potencia elctrica de DC y AC:
Funcionamiento:
t1 t2
1.Introduccin a la electrnica de potencia
2. Conversores AC-DC - Ejemplo:
ngulo de disparo
Pulso de encendido
Cambiando el
ngulo de
disparo se
modifica VDC VDC
1.Introduccin a la electrnica de potencia
3. Conversores AC-AC - Ejemplo:
ngulo de disparo
VAC (eficaz)
VDC = 0
Cambiando el
ngulo de
disparo se
modifica VAC
1.Introduccin a la electrnica de potencia
4. Conversores DC-DC - Ejemplo:
Tiempo de disparo
Diodo de
proteccin VDC
Cambiando el
duty cycle (t1)
se modifica
VDC
1.Introduccin a la electrnica de potencia
5. Conversores DC-AC - Ejemplo:
Semi-periodo de disparo
Cambiando el
disparo se
modifica VAC
1.Introduccin a la electrnica de potencia
Efectos indeseados:
stos circuitos operan encendiendo y apagndose constantemente,
lo que introduce ruido en:
La tensin de salida
La fuente de alimentacin
Curvas caractersticas:
2.Diodos de potencia
Ecuacin del diodo:
Donde:
- ID = corriente que circula por el diodo [A]
- VD = tensin Va-Vd [V]
- IS = corriente de saturacin inversa (10-6 a 10-15A)
- n = coeficiente de emisin (1 a 2)
- VT = voltaje trmico:
Diodos Fast-recovery:
2.Diodos de potencia
Ejemplo de hoja de datos (1/3):
2.Diodos de potencia
Ejemplo de hoja de datos (continuacin 2/3):
2.Diodos de potencia
Ejemplo de hoja de datos (continuacin 3/3):
- Para el silicio debe garantizarse: Tj < Tjmax (por ej. 125C o 150C)
3.Modelo trmico y clculo de disipadores
Tj
Rjc
Analoga trmico - elctrica: Modelo
trmico Pd
Carcaza Tc
equivalente
Pot.Rt = Tamb I.R = V del diodo: Rca
Ta
Ambiente
T mx
j Tc 200 25 C C
Por lo tanto: R jc = = = 1.50
P @T
mx
c
177 W W
T mx
j Ta 200 25 C C
R ja= = = 29.17
P @T
mx
a
6 W W
C C
Rca = R ja R jc = ( 29.17 1.50 ) = 27.67
W W
3.Modelo trmico y clculo de disipadores
Puede el dispositivo, sin disipador externo, disipar 30W a Ta = 50C?
C
Verificacin: Si P= 30 W, T a = 50 C y R ja= 29.17
W
Entonces:
T j = R ja P + Ta = 29.17 30 C + 50 C = 925 C
Resulta T mx
j >> 200C Qu hacemos?
3.Modelo trmico y clculo de disipadores
TO-220 TO-3
3.Modelo trmico y clculo de disipadores
Incidencia de la posicin Ventilacin forzada
Limpieza
Pulido
Lubricado
Ajuste
3.Modelo trmico y clculo de disipadores
Ejercicio (resolucin - continuacin)
Un transistor 2N3055 se utiliza en una etapa de salida de potencia en un
circuito de audio y disipa una potencia media de 30W. El circuito se
encuentra en montado en el interior de un gabinete dnde el aire puede
alcanzar una temperatura mxima de 50 C. El fabricante indica las
especificaciones de la figura.
a) Indicar si en necesario o no colocar un disipador al transistor. Si el
disipador es necesario calcular su resistencia trmica.
b) Si por fallas en la ventilacin la temperatura dentro del gabinete
aumenta a 75C, Qu le ocurre al transistor?
P= 30 W Si tomamos: T j = 200 C
T a = 50 C T mx mx
c = T j P R jc
C Tcmx = 200 C 30 1.5 C
R jc = 1.50
W
C = 155 C Quema!
R ja = 27.67
W
Y cuanto debe valer Rdis?
3.Modelo trmico y clculo de disipadores
Dispositivo con disipador externo:
P= 30 W
C
R jc = 1.50
W
T a = 50 C C
R ja = 27.67
W
Tc = 155 C
Tc Ta 155 50 C C
Rca || Rdis = = = 3.5
P 30 W W
1 1 1 C
= Rdis = 4
Rdis C Rca W
3.5
W
ngulo de disparo
Pulso de encenido
Cambiando el ngulo de
disparo se modifica VDC VDC
- Luego del encendido IG debe ser cero para evitar perdidas en la juntura.
- No debe aplicarse IG con el tiristor en inversa, porque podra dispararse.
4.Tiristores
Circuitos de proteccin
Al cargarse el capacitor
limita dV/dt
pero al descargarse
nada limita la corriente
4.Tiristores
Circuitos de proteccin
Limita la corriente
de descarga del
capacitor
(SCRs) (3)
3. Gate Turn-off Thyristors
(GTOs) (9)
4. Triode of Alternating Current
(TRIACs)
(4)
5. Reverse Conducting Thyristors
(RCTs) (7)
6. Static Induction Thyristors
(SITHs)
7. Light Activated Silicon
Controlled Rectifiers
(LASCRs)
8. FET Controlled Thyristors
(FET-CTHs)
9. MOS Controlled Thyristors
(MCTs)
4.Tiristores
3. Gate Turn-Off thyristors (GTO):
- Puede apagarse mediante una seal negativa en el gate.
- Puede no bloquear la tensin inversa (fugas).
- Tiene varias ventajas sobre un SCR:
Requiere menos componentes circuitales.
Alta velocidad de apagado.
+ +
-
+ +
4.Tiristores
4. Triode of Alternating Current (TRIACs):
t t
vSCR vSCR
t t
vRL vRL
t td > 0 t
td = 0
SCR1
Vs D1 Seal disparo
Vef = 220V RL
f = 50Hz
Seal disparo
D2
SCR2
4.Tiristores
Ejercicio (resolucin)
a. Cada uno de los SCR conduce durante ciclo de la seal Vs.
200
Vs [V]
SCR1 0
D1 Seal disparo -200
RL 0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
Tiempo [s]
Seal disparo
V RL [V]
D2 200
0
SCR2 -200
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
Tiempo [s]
V SRC1 [V]
200
0
-200
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
Tiempo [s]
V D1 [V]
200
0
-200
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
Tiempo [s]
V D2 [V]
200
0
-200
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
Tiempo [s]
V SCR2 [V]
200
0
-200
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
Tiempo [s]
Vs [V]
0
SCR1 -200
D1 Seal disparo 0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
RL Tiempo [s]
V RL [V]
Seal disparo 200
D2 0
-200
SCR2
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
Tiempo [s]
200
0
-200
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
Tiempo [s]
V D2 [V]
200
0
-200
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
Tiempo [s]
V SCR2 [V]
200
0
-200
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
Tiempo [s]
SCR1 200
Vs [V]
D1 Seal disparo 0
-200
RL
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
Seal disparo Tiempo [s]
D2
V RL [V]
SCR2 200
0
-200
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
V SRC1 [V] Tiempo [s]
200
0
-200
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
Tiempo [s]
V D1 [V]
200
0
-200
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
Tiempo [s]
V D2 [V]
200
0
-200
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
Tiempo [s]
V SCR2 [V]
200
0
-200
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
Tiempo [s]
5.Transistores de potencia
Caractersticas
Son transistores que deben soportar grandes corrientes, tensiones y potencias.
IC
IB
Esto es as porque: VC
E
Potdis = VCEIC
IC
Potdis-ON = 0VIC
ON OFF
Potdis-OFF = VCE0A
IB
IC
Pdi
s
5.Transistores de potencia
Ejemplos de dispositivos daados:
5.Transistores de potencia
Zona de operacin segura (SOA Safety Operation Area):
- La zona de funcionamiento est limitada por la disipacin de energa:
Para carga resistiva el transistor pasa de corte a saturacin por la recta A-C-A
Para carga inductiva el transistor pasa a saturacin recorriendo A-B-C-D-A:
- Hay una profunda incursin en avalancha secundaria, con valor VCE >> VCC
5.Transistores de potencia
Efecto asociado a cargas inductivas:
- Para cargas inductivas tambin hay un aumento en la disipacin de potencia
del transistor:
5.Transistores de potencia
Circuitos de proteccin para cargas inductivas:
Vz>Vcc
Red Snubber
- El IGBT es mas rpido que el TBJ, pero mas lento que el MOSFET
5.Transistores de potencia
Comparacin de distintos tipos de transistores