EL DIODO RECTIFICADOR

1. OBJETIVOS
Identificar los terminales del diodo y verificar su estado
Determinar la caracterstica V-I
2. MATERIALES
1 Osciloscopio de doble trazo
1 Multmetro
1 Protoboard
1 Transformador de 220V/12V, 1
4 Diodos rectificadores de 1
1 resistencia de 1k
2 Puntas de prueba para el osciloscopio
5 Cables con cocodrilo
3. PROCEDIMIENTO
3.1. PROCESO EXPERIMENTAL
Se arm el siguiente circuito:

Se hizo el mismo proceso con diferentes fuentes de voltaje, se tom las lecturas del
ampermetro y voltmetro, y se hizo la siguiente tabla:

E(Voltios) 0,42 0,49 0,60 0,69 0,80

Vp(Voltios) 0,41 0,48 0,60 0,69 0,79
Ip(mA) 0,104 0,417 3,475 19,9 146
 Posteriormente se arm el mismo circuito, pero invirtiendo el sentido del diodo.

En este caso se hizo dos experimentos de este circuito para corroborar, ya que en todos los
resultados la intensidad de corriente se aproximara a cero, y el voltaje dara lo mismo que la
fuente.

E(Voltios) 0,42 0,49

Vp(Voltios) 0,41 0,48
Ip(uA) 0,111 0,056

Luego se arm el siguiente circuito, aadiendo una resistencia de 1k.

Se tomaron igualmente las mediciones de voltaje y intensidad de corriente del circuito, pero
esta vez teniendo en cuenta el voltaje de la fuente variara de 0-15V.

E(Voltios) 1,98 3,03 4,01 5 7,07 9,03 11,96 15,03

Vp(Voltios) 0,552 0,579 0,598 0,610 0,632 0,645 0,659 0,673
Ip(mA) 1,425 2,448 3,410 4,387 6,437 8,381 11 14
 Finalmente se arm el anterior circuito, pero con el diodo en sentido contrario.

Como la segunda experiencia, se tom dos mediciones ya que el voltaje en el diodo era muy
similar al voltaje dado por la fuente y la intensidad de corriente se aproximaba siempre a cero,
como consecuencia de que el diodo no dejaba pasar la corriente en el circuito.

E(Voltios) 1,33 1,98

Vp(Voltios) 1,32 1,98
Ip(uA) 0,222 0,222

3.2. PROCESO SIMULADO

La simulacin del primer circuito experimental.
La tabla del primer circuito variando el voltaje quedara as:

E(Voltios) 0,42 0,49 0,60 0,69 0,80

Vp(Voltios) 0,42 0,49 0,60 0,69 0,80
Ip(mA) 0,107 0,416 3,476 20 147

La simulacin del segundo circuito experimental.

La tabla del segundo circuito variando el voltaje dara as:

E(Voltios) 0,42 0,49

Vp(Voltios) 0,42 0,49
Ip(uA) 0,111 0,056
 La simulacin del tercer circuito experimental.
La tabla del tercer circuito variando el voltaje dara as:

E(Voltios) 1,98 3,03 4,01 5 7,07 9,03 11,96 15,03

Vp(Voltios) 0,554 0,582 0,599 0,612 0,632 0,646 0,661 0,674
Ip(mA) 1,426 2,448 3,411 4,388 6,438 8,384 11 14

La simulacin del cuarto circuito experimental.

La tabla del cuarto circuito variando el voltaje dara as:

E(Voltios) 1,33 1,98

Vp(Voltios) 1,33 1,98
Ip(uA) 0,222 0,222
4. INFORME PREVIO

I. Que es un semiconductor intrnseco y extrnseco. Describa las caractersticas de un

semiconductor tipo P y tipo N.

Semiconductor Intrnseco

Un material semiconductor hecho slo de un nico tipo de tomo, se

denomina semiconductor intrnseco.

Los ms empleados histricamente son el germanio (Ge) y el silicio (Si); siendo ste ltimo el
ms empleado (por ser mucho ms abundante y poder trabajar a temperaturas mayores que
el germanio).

Cada tomo de un semiconductor tiene 4 electrones en su rbita externa (electrones de

valencia), que comparte con los tomos adyacentes formando 4 enlaces covalentes. De esta
manera cada tomo posee 8 electrones en su capa ms externa., formando una red cristalina,
en la que la unin entre los electrones y sus tomos es muy fuerte. Por consiguiente, en dicha
red, los electrones no se desplazan fcilmente, y el material en circunstancias normales se
comporta como un aislante.

Sin embargo, al aumentar la temperatura, los electrones ganan energa, por lo que algunos
pueden separarse del enlace e intervenir en la conduccin elctrica. De esta manera, la
resistividad de un semiconductor disminuye con la temperatura (su conductividad aumenta). A
temperatura ambiente, algunos electrones de valencia absorben suficiente energa calorfica
para librarse del enlace covalente y moverse a travs de la red cristalina, convirtindose en
electrones libres. Si a estos electrones, se le somete al potencial elctrico, como por ejemplo
de una pila, se dirigen al polo positivo. Cuando un electrn libre abandona el tomo de un
cristal de silicio, deja en la red cristalina un hueco, cuyo efecto es similar al que provocara una
carga positiva.

Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. La conduccin elctrica a travs
de un semiconductor es el resultado del movimiento de electrones (de carga negativa) y de
los huecos (cargas positivas) en direcciones opuestas al conectarse a un generador. Si se
somete el cristal a una diferencia de potencial se producen dos corrientes elctricas: una
debida al movimiento de los electrones libres de la estructura cristalina, y otra debida al
desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tendern a saltar a los huecos
prximos, originando una corriente de huecos. Los electrones libres se dirigen hacia el polo
positivo de la pila (ctodo), mientras que los huecos pueden considerarse como portadores de
carga positiva y se dirigen hacia el polo negativo de la pila, llamado nodo (hay que considerar
que por el conductor exterior slo circulan los electrones que dan lugar a la corriente elctrica;
los huecos slo existen en el seno del cristal semiconductor).

Semiconductores Extrnsecos

Para mejorar las propiedades de los semiconductores, se le somete a un proceso de

impurificacin (llamado dopaje), consistente en introducir tomos de otros elementos con el
fin de aumentar su conductividad. El semiconductor obtenido se denominar semiconductor
extrnseco. Segn la impureza (llamada dopante) distinguimos:

Semiconductor tipo P: se emplean elementos trivalentes (3 electrones de valencia)

como el Boro (B), Indio (In) o Galio (Ga) como dopantes. Puesto que no aportan los 4
 electrones necesarios para establecer los 4 enlaces covalentes, en la red cristalina
stos tomos presentarn un defecto de electrones (para formar los 4 enlaces
covalentes). De esa manera se originan huecos que aceptan el paso de electrones que
no pertenecen a la red cristalina. As, al material tipo P tambin se le denomina
donador de huecos (o aceptador de electrones).
Semiconductor tipo N: Se emplean como impurezas elementos pentavalentes (con 5
electrones de valencia) como el Fsforo (P), el Arsnico (As) o el Antimonio (Sb). El
donante aporta electrones en exceso, los cuales, al no encontrarse enlazados, se
movern fcilmente por la red cristalina aumentando su conductividad. De ese modo,
el material tipo N se denomina tambin donador de electrones.
II. Explique cmo afecta la temperatura a un material semiconductor

Los dispositivos semiconductores son muy sensibles a la temperatura, de forma que la mayora
de las uniones de las uniones N y P no pueden resistir una temperatura superior a la mxima,
que en los semiconductores de silicio es de 200 C. Antes de llegar a esta temperatura
empiezan a perder sus caractersticas, aumentan las corrientes en sentido contrario a las
deseadas. Por ejemplo, un diodo tiene que conducir en un sentido y no en el opuesto. Pues
bien, cuando la temperatura aumenta, la corriente en sentido inverso va aumentando
progresivamente, de forma que el diodo va perdiendo su eficacia. Tambin hay un lmite por
temperatura demasiado baja, que por el contrario afecta a la conduccin en sentido
favorable.
Como los semiconductores son elementos que presentan resistencia al paso de la corriente se
calientan mientras funcionan, con lo cual su temperatura puede subir demasiado. Por ello se
les tiene que refrescar, dando al calor generado una salida hacia el ambiente. Este es el
propsito de las aletas radiadores y los ventiladores.
En las estructuras complejas como un "Triac" la mxima temperatura de trabajo es ms
reducida, es de 150C, y en los circuitos integrados cuanto ms complejos ms baja.
El microprocesador de tu ordenador tiene que llevar un radiador y un ventilador para l solo,
pues si su temperatura aumenta, empieza a equivocarse.

III. Describa el comportamiento de un diodo ideal.

El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulacin de corriente entre sus
terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el sentido contrario. En la
Figura se muestran el smbolo y la curva caracterstica tensin-intensidad del funcionamiento
del diodo ideal.

IV. Simular con Multisim todos los circuitos realizados en el laboratorio

La simulacin est completamente especificada en el cuerpo del informe.

V. Describir brevemente las caractersticas del diodo rectificador 1N4004.

Tensin inversa repetitiva de pico VRRM 50v
Tensin inversa de pico de funcionamiento VRWM 50v
Tensin de bloqueo en cc VR 50v
VI. Cules son las diferencias entre un diodo de germanio y uno de silicio.

La cada de voltaje en un Diodo de Silicio es 0.7 voltios (en conduccin) y el de Germanio la

cada de voltaje es de 0.3 voltios tambin en conduccin. Es ms caro el de Ge, es ms
comercial (hay mayora en el mercado) y barato el de Si.
CONCLUSIONES
Se lleg a verificar los datos experimentales obtenidos mediante la simulacin por
medio del programa Multisim.
Se verifico las terminales del diodo 1N4004.
Se verifico el estado del diodo rectificador 1N4004.

BIBLIOGRAFIA
Malvino, A; Bates, Principios de Electrnica, 7 Edicin, McGraw Hill 2006. 621.3
MAL pri
Enrique Mandado, Sistemas Electrnicos Digitales, Editorial Marcombo, ISBN-84-
267-0804-08. 621.3 MAN sis
Apuntes de la asignatura.