Universidad de Tarapac

ELECTRONICA I

 

ALUMNO:

PAUL TERRAZAS L

-1-
 Universidad de Tarapac

1.- Determine la corriente del diodo para E=3V y E=1V.

Fig.1.-Circuito del ejemplo 1.

Usando:

a) E=3V.
-16
Modelo exponencial con Is=10 A, n=1.

Dado que es un problema no-lineal y si suponemos que la solucin est cerca del voltaje
umbral, digamos que VD=0.7V entonces:
 

  
   


 
  


   

La ecuacin del diodo debera darnos el mismo valor, para que fuera solucin, entonces:

"#
   ! $%"&  '  (

-.
  )*+ , *%/+0  1

  2 3456

Lo cual NO coincide1, por lo que no es solucin.

Iteracin 1: 72  2 5

Tomando el valor anterior en ec.(1)


 
*  


8   

*  ( % )9

-2-
 Universidad de Tarapac

Al reemplazar en (2.1)


  :;< => , ? 1  (


( % )9
*   % (@ %  )9
=> ! ? '
)*+

78  2 5444A

Iteracin 2:

Con este nuevo de  *  BBB; , en ec. (1)

  
  


 BB
/ 


   28 % 

(( % )9
/   % (@ %  )9
=> ! ? '
)*+

7  2 54C5A

Anlisis:

Como obtenemos ID2=2.201mA y en ec.(2) ID=2.219mA y de ec. (2.1) VD=0.7987V, se

observa que se converge rpidamente a la solucin.

D#E
   ! &
F%D  '

-.GH.
   )*+
% , *%/+0  1

   843

En efecto, dado que la ecuacin lineal da ID=2.201mA (VD=0.799V) y la no-lineal da

ID=2.194mA (VD=0.7987V) es decir, 2.2012.219=-0.018mA (-0.82%) y tambin
0.7990.798=0.001(0.125%) por lo que, cualquiera de estos pares (VDV=D, ID) es la solucin.

2 C7
822I
2 2287
J  
822I
 2 28C
J
 % I 
 (LI K % I
K  K(I
((

-3-
 Universidad de Tarapac

a) E=1V.
-16
Modelo exponencial con Is=10 A, n=1.

Dado que es un problema no-lineal y si suponemos que la solucin est cerca del voltaje
umbral, digamos tambin estamos aproximado a VD=0.7V entonces:
  

  
   


  
  


  2 

La ecuacin del diodo debera darnos el mismo valor, para que fuera solucin, entonces:

"#
   ! $%"&  '  (

-.
   )*+
, *%/+0  1

  2 3456

Lo cual NO coincide, por lo que no es solucin.

Iteracin 1: 72  2 5

Tomando el valor anterior en ec.(1)


  
*  


8  2 

Al reemplazar en (2.1)


  :;< => , ? 1  (


 % )9
*   % (@ %  )9
=> ! ? '
)*+

78  2 53M4A

-4-
 Universidad de Tarapac

Iteracin 2:

Con este nuevo de 78  2 53M4A , en ec. (1)

  
  


  N@B
/ 


  2 O8 % P

(L  % )9
/   % (@ %  )9
=> ! ? '
)*+

/  N(L;

Anlisis:

Como obtenemos VD2=0.7425V reemplazando en ec.(2) vemos que la solucin converge

rpidamente al la solucin.

D#E
   ! &
F%D  '  (

-.Q/R
  )*+ % , *%/+0  1

  2 OM

Anlisis grfico del circuito en S ;T S

5.0mA

4.0mA

3.0mA

(800.000m,2.2000m)

2.0mA

1.0mA
(743.421m,256.579u)

0A
0V 0.5V 1.0V 1.5V 2.0V 2.5V 3.0V 3.5V
(3- V_V1)/1000 (1- V_V1)/1000 1e-16*(EXP( V_V1/0.026)-1)
V_V1

Se aprecia el punto de interseccin de la recta de carga y la ecuacin no lineal del diodo.

Obteniendo el valor Idq y Vdq, la cual confirma los datos obtenidos en forma terica.

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b) modelo con VD(on)=V=0.8V. A partir de eq.(1) obtenemos:


  K
  U 


Para E=3
 K
   ((PV

Para E=1
  K
   (PV

Con el modelo con V=0.8V:
(E=3) 0.8V 2.2mA
(E=1) 0.8V 0.2mA
Se puede apreciar que el valor de corriente obtenido con el modelo del voltaje umbral
constante (b) es aproximado. Si bien se obtuvo con menor trabajo el resultado, no asegura que
el voltaje y corriente este en el punto de operacin, debido a que representa solo un punto de
operacin en la recta.
2.- Se desea determinar los valores de R e W . Se hacen las siguientes mediciones: cuando E=1V
 =0.5mA y cuando E=2V  =0.2mA. (suponga que n=1)
Desarrollo: LVK
E= %  ?  

Reemplazando los datos

1V= 0.2mR + vD1 (1)
2V= 0.5mR + vD2 (2)

[
Como   < % Y: Z # ]reemplazando en (1) y (2)
[\
1=0.2mR +0.026( ln0.2m-lnW )
2=0.5mR +0.026( ln0.5m- lnW 

W =2.9)*- A
R=3.25k

-6-
 Universidad de Tarapac

3.- En el circuito con diodos que se indica determine VD, ID y la resistencia dinmica en el
punto de operacin.

(a) Si el diodo es ideal.

(b) Si el diodo se modela con un diodo ideal y una fuente de tensin de 0.7V (di+E).
(c) Si el diodo se modela con un diodo ideal, una fuente de 0.7V y una resistencia dinmica.
(di+E+rd) considere Is=2.682nA, N=1.836 (d) Si el diodo se modela con la ecuacin de
Schockley.
(e) Interprete el desarrollo con simulacin que se incluye.

Responder en un mismo grafico a) b) y c)

en otro grafico d) y e)

3.1.- Repita si Vcc=1.5V, R6=40.

Solucin.
(a) Si el diodo es ideal
Adems Vcc>VD D>y    
Ap=ic>dLVKbt>ms:
(  ( ?  U 
(
   V
(

m  2 8
7m  27

(b) Si el diodo se modela con un diodo ideal y una fuente de tensin de 0.7V en (Eq.3)
Debido que Vcc>  D>y    
(  ( ? 
(  ( ? 

(  
 
(
  @LV

m  2 2MO
7m  2 57

(c) Si el diodo se modela con un diodo ideal, una fuente de 0.7V y una resistencia dinmica
(di+E+rd) considere Is=2.682nA, N=1.836.
Si Vcc>  D>y    ? nS 

(  ( ?  
(  ( ?  ? nS 
(  ( ? nS  ? 
(    ( ? no 

-7-
 Universidad de Tarapac

(  
  U  
( ? nS
Para obtener la resistencia dinmica se requiere calcular el punto de operacin p ,
q % < 
nS  U N
p

Realizando 3 iteraciones obtendremos un punto aproximado.

Iteracin 1: Suponiendo un punto arbitrario pequeo -   5 y adems que R>>rd

en ec.(3.1) podemos aproximarnos a:

(  

   
(
  2 MO

Considerando Is=2.682nA, n=1.836.

Al reemplazar en (2.1)


  :;< => , ? 1  (


@L
*  K @ % (@ % )9 => , ? 1
(@K( % )G

78  2 48OA

Iteracin 2:

Con este nuevo valor, *  B(L;, en ec. (3.1).

(  B(L
  
(

  2 2O3

LN
/  K @ % (@ % )9 => , ? 1
(@K( % )G

7  2 C2A

Iteracin 3:

Con este nuevo de 7  2 C2A , en ec. (1)

(  K(
  
(

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 Universidad de Tarapac

  2 2O44

LBB
/  K @ % (@ % )9 => , ? 1
(@K( % )G

7  2 C25A

Vemos que el resultado tiende a un valor, el cual consideramos aceptable para Vdq e Idq.
Por lo que el valor del punto de operacin ser:

m  2 2O44
7m  2 C25A

q % < 
nS  
p
K @ % (@ % )9 
nS 
LBB

nS  K Pr

4.- Se tiene un diodo ideal con una carga resistiva, y una fuente de poder sinusoidal.

Fig.4.-
4.1.-Anlisis algebraico.
Si V1>Vd. Y si el diodo est polarizado directamente, la salida (out) en la carga ser
igual al voltaje de entrada. Cuando el diodo este polarizado inversamente, el diodo impedir que
la corriente circule en el circuito, de esta forma la tensin de salida ser nula. Se puede apreciar
en el grfico en anlisis transciente V/T esta caracterstica.

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Grfico en anlisis transciente de V/T

4.0V

0V

SEL>>
-4.0V
V(in)
4.0V

2.0V

0V
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms
V(out)
Time

Grfico en anlisis DC de V/V_V1

6.0V

4.0V

2.0V

0V
-6.0V -4.0V -2.0V 0V 2.0V 4.0V 6.0V
V(out)
V_V1

-10-
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5.-Anlisis algebraico. Obtener st 7u7st Anlisis en Transciente de V v/s Tiempo.

4.0
V

0
V

SEL>
->
4.0V V(in
4.0 )
V

0
V

-
4.0V 0 0.5m 1.0m 1.5m 2.0m
s V(out s s s s
) Tim
e

Anlisis en C.D de V v/s V_V1

2.0V

Fig.5.-
0V

-2.0V

-4.0V

-6.0V
-6.0V -4.0V -2.0V 0V 2.0V 4.0V 6.0V
V(out)
V_V1

Anlisis de Iin v/s V_V1

6.0mA

4.0mA

2.0mA

0A
-6.0V -4.0V -2.0V 0V 2.0V 4.0V 6.0V
I(D1)
V_V1

-11-
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6.-

Anlisis en Transciente de V v/s Tiempo.

4.0V

0V

SEL>>
-4.0V
V(in)
4.0V

0V

-4.0V
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms
V(out)
Time

Anlisis en C.D de V v/s V_V1

4.0
V

Fig.6.-
0
V

-
4.0V

-
8.0V- - - 0 2.0 4.0 6.0
6.0V V(out 4.0V 2.0V V V V V
) V_V
1

Anlisis de Iin v/s V_V1

1000uA

500uA

0A
-6.0V -4.0V -2.0V 0V 2.0V 4.0V 6.0V
I(D2)
V_V1

-12-
 Universidad de Tarapac

7.1-
Anlisis en Transciente de V v/s Tiempo.

4.0V

0V

SEL>>
-4.0V
V(in)
4.0V

0V

-4.0V
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms
V(out)
Time

Anlisis en C.D de V v/s V_V1

Fig.7.-

4.0V

(1.9900,1.9900)

0V

-4.0V

-8.0V
-6.0V -4.0V -2.0V 0V 2.0V 4.0V 6.0V
V(out)
V_V1

Anlisis de Iin v/s V_V1

4.0mA

3.0mA

2.0mA

1.0mA

0A
-6.0V -4.0V -2.0V 0V 2.0V 4.0V 6.0V
I(D2)
V_V1

-13-
 Universidad de Tarapac

7.2.-
Anlisis en Transciente de V v/s Tiempo.

4.0V

0V

-4.0V
V(in)
4.0V
(250.909u,2.2584)

0V

SEL>>
-4.0V
0s 0.4ms 0.8ms 1.2ms 1.6ms 2.0ms
V(out)
Fig.8.- Time

Anlisis en C.D de V v/s V_V1

5.0V

(2.4600,2.0101)

0V

-5.0V
-6.0V -4.0V -2.0V 0V 2.0V 4.0V 6.0V
V(out)
V_V1

Anlisis de Iin v/s V_V1

1.0mA

(2.4211,400.734u)
0.5mA

0A

-0.5mA

-1.0mA
-6.0V -4.0V -2.0V 0V 2.0V 4.0V 6.0V
I(R4)
V_V1

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