Instituto Tecnolgico De Acapulco

Ingeniera Electromecnica

Tecnologa de los materiales

Unidad I
Estructura cristalina de los materiales

EL LOCO

9/FEBRERO/2015
1.1 Estructura y arreglo cristalino y no cristalino
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La mayora de los materiales slidos no metlicos con los que estamos en contacto, no hay
diferencia caracterstica entre su forma interna y la de casi todos los objetos metlicos. Cabe
mencionar que los materiales metlicos poseen una estructura cristalina, mientras que la madera,
platicos, papel, vidrio y otros no la poseen.

1.1 ESTRUCTURA Y ARREGLO CRISTALINO Y NO CRISTALINO

La estructura fsica de los slidos es consecuencia de la disposicin de los tomos, molculas o

iones en el espacio, as como de las fuerzas de interconexin de las partculas:

Estado amorfo: Las partculas componentes del slido se agrupan al azar.

Estado cristalino: Los tomos (molculas o iones) que componen el slido se disponen segn un
orden regular. Las partculas se sitan ocupando los nudos o puntos singulares de una red espacial
geomtrica tridimensional.

Los metales, las aleaciones y determinados materiales cermicos tienen estructuras cristalinas. Los
tomos que pertenecen a un slido cristalino se pueden representar situndolos en una red
tridimensional, que se denomina retculo espacial o cristalino. Este retculo espacial se puede
definir como una repeticin en el espacio de celdas unitarias.

La celda unitaria de la mayora de las estructuras cristalinas son paraleleppedos o prismas con tres
conjuntos de caras paralelas Segn el tipo de enlace atmico, los cristales pueden ser de tres
tipos:

a) Cristales inicos: punto de fusin elevado, duros y muy frgiles, conductividad elctrica baja y
presentan cierta elasticidad. Ej: NaCl (sal comn)

b) Cristales covalentes: Gran dureza y elevada temperatura de fusin. Suelen ser transparentes
quebradizos y malos conductores de la electricidad. No sufren deformacin plstica (es decir, al
intentar deformarlos se fracturan). Ej: Diamante

c) Cristales metlicos: Opacos y buenos conductores trmicos y elctricos. No son tan duros como
los anteriores, aunque si maleables y dctiles. Hierro, estao, cobre

Los materiales slidos se pueden clasificar de acuerdo a la regularidad con que los tomos o iones
estn ordenados uno con respecto al otro. Un material cristalino es aquel en que los tomos se
encuentran situados en un arreglo repetitivo o peridico dentro de grandes distancias atmicas;
tal como las estructuras solidificadas, los tomos se posicionarn de una manera repetitiva

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tridimensional en el cual cada tomo est enlazado al tomo vecino ms cercano. Todos los
metales, muchos cermicos y algunos polmeros forman estructuras cristalinas bajo condiciones
normales de solidificacin.

Existen siete sistemas cristalinos los cuales se distinguen entre s por la longitud de sus aristas de la
celda (llamados constantes o parmetros de la celda) y los ngulos entre los bordes de sta. Estos
sistemas son: cbico, tetragonal, ortorrmbico, rombodrica (o trigonal), hexagonal, monoclnico
y triclnico.

1.2 Imperfecciones

Nada en nuestro mundo no es tan perfecto, no existe un material real en ingeniera que no tenga
por lo menos unos pocos defectos estructurales, incluso en la perfeccin cristalina estos defectos
estructurales estn presentes, algunos en mayor cantidad que otros. Los defectos primordiales en
los materiales de ingeniera son: la imperfeccin qumica, defectos puntuales, defectos lineales y
defectos planares.

No existe un material solido que sea preparado sin contener contaminacin, es decir ningn
material puede ser preparado sin tener algn grado de impurezas, los tomos o iones que
componen a las impurezas alteran la regularidad estructural del material puro ideal. La
contaminacin normal de una sustancia solida (como el caso de un cristal) con impurezas se le
conoce como imperfeccin qumica.

Defectos puntuales. (Imperfeccin cerodimencional)

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Son defectos que se presentan estructuralmente a nivel atmico en sistemas cristalinos reales.
Existen dos tipos de defectos puntuales: vacante y intersticial.

La vacante es un sitio desocupado por tomo dentro de la estructura del cristal.

El intersticial es un tomo extra insertado en la estructura ideal del cristal haciendo que dos
tomos ocupen un lugar cercano al de uno solo en la estructura perfecta del cristal. Los defectos
puntuales ocurren ocurren como resultado de la vibracin trmica de toda la estructura atmica
del cristal. Al aumentar la temperatura aumenta la intensidad de esta vibracin y se incrementa la
probabilidad de desorganizacin estructural.

Dislocacin de Borde: Se genera por la insercin de un semiplano adicional de tomos. La distancia

de desplazamiento de los tomos alrededor de una dislocacin se denomina vector b de
deslizamiento o de Burger y es perpendicular a la lnea de dislocacin.

Dislocacin de tornillo: Se genera en un plano que se somete a un esfuerzo de corte. Se provoca

un desplazamiento que genera una superficie de un plano en forma de espiral semejante al
movimiento de un tornillo.

Dato: Las dislocaciones en algunos materiales hacen que el material se ablande y mientras ms se
vaya usando el material se hace ms blando.

Defectos planares

Tambin se les conoce como bordes de grano. son imperfecciones en la superficie que separan
los granos (cristales) de diferentes orientaciones en materiales poli cristalinos. Es una regin de
tomos mal distribuidos entre granos adyacentes.

En los metales los lmites de grano se crean durante la solidificacin cuando los cristales
formados a partir de diferentes ncleos crecen simultneamente y se encuentran unos con otros.

El borde de grano es una regin estrecha. El empaquetamiento atmico de los bordes de grano
es algo menor que dentro de los granos.

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Hasta el momento todas las celdas fueron descritas como elementos perfectos,
pero un material en su parte estructural presenta una serie de defectos o
imperfecciones que afectan las propiedades fsicas y mecnicas del mismo.
Las imperfecciones de la red cristalina se clasifican de acuerdo a su geometra y
forma en:

Defectos puntuales o de Dimensin 0

Defectos lineales o de Dimensin 1
Defectos planares 0 de Dimensin 2

A. DEFECTOS PUNTUALES

Este tipo de defectos o interrupciones pueden localizarse en arreglos atmicos

(metales) o inicos (cermicos). En el caso de los metales se presentan
bsicamente dos defectos: las vacancias e intersticios

Vacancias: Es el ms sencillo de los defectos y consiste en la falta de

un tomo o Ion en un sitio normal de la red, dejando un agujero; esto puede
ser producido en el proceso de solidificacin, por temperaturas elevadas o
por reordenamientos atmicos existentes en el cristal debido a la movilidad
de los tomos (figura 16). Estas vacancias influyen en la rapidez de
movimiento de los tomos para difundirse en un material solid.

Figura 16. Vacancias [Fuente: Unalmed ,2008]

Intersticial: Ocurre cuando en un tomo ocupa el lugar intersticial

entre tomos ubicados en sitios normales causando una distorsin de la red

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(figura 17). Se pueden introducir en la estructura por irradiacin.

tomos comnmente intersticiales son los de carbono que se introducen en los
intersticios del hierro para conformar el acero.

Figura 17. Defecto intersticial [Fuente: Unalmed ,2008]

Estos defectos son ms complejos en cermicos debido a la necesidad de
mantener la neutralidad elctrica en el material. Se dividen en do grupos a
saber: Defecto Schottky: Se presenta cuando iones de carga opuesta se
pierden en un cristal y se crea un par de huecos debido al cation y al anin con
el fin de garantizar la neutralidad elctrica. (fig. 18)

Figura 18. Defecto Schottky [Fuente: Unalmed ,2008]

Defecto Frenkel: Se presenta cuando catin se mueve de una posicin normal

de la red hacia un lugar intersticial en donde se encuentra otro cation.(fig 19)

Figura 19. Defecto Frenkel [Fuente: Unalmed ,2008]

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1.3 Movilidad de los tomos (Difusin)

La difusin puede ser definida como el mecanismo por el cual la materia es transportada por la
materia.

MECANISMOS DE DIFUSIN

Existen dos mecanismos principales de difusin en los tomos en una estructura cristalina:
mecanismo de vacantes o sustitucin, y el mecanismo intersticial.

Mecanismo de difusin por vacantes o sustitucin

Los tomos pueden moverse en las redes cristalinas desde una posicin a otra si hay presente
suficiente energa de activacin, proporcionada sta por la vibracin trmica de los tomos, y si
hay vacantes u otros defectos cristalinos en la estructura para que ellos los ocupen. Las vacantes
en los metales son defectos en equilibrio, y por ello algunos estn siempre presentes para facilitar
que tenga lugar la difusin sustitucin de los tomos. Segn va aumentando la temperatura del
metal se producirn ms vacantes y habr ms energa trmica disponible, por tanto, el grado de
difusin es mayor a temperaturas ms altas.

La energa de activacin para la difusin propia es igual a la suma de la energa de activacin

necesaria para formar la vacante y la energa de activacin necesaria para moverla.

Mecanismo de difusin intersticial

La difusin intersticial de los tomos en redes cristalinas tiene lugar cuando los tomos se
trasladan de un intersticio a otro contiguo al primero sin desplazar permanentemente a ninguno
de los tomos de la matriz de la red cristalina. Para que el mecanismo intersticial sea efectivo, el
tamao de los tomos que se difunde debe ser relativamente pequeo comparado con el de los
tomos de la matriz. Los tomos pequeos como los de hidrgeno, carbono, oxgeno y nitrgeno,
pueden difundirse intersticialmente en algunas redes cristalinas metlicas.

Bibliografa

Askeland, D. R., Phul, P. P. Ciencia e ingeniera de los materiales, Edicin 4, Editorial:

Internacional Thomson Editores, S. A. de C. V.,Fecha: 2004, Mxico.

Flinn y Trojan Materiales de ingeniera y sus aplicaciones, Edicin , Editorial: Mc Graw-Hill

https://es.scribd.com/doc/186590124/Unidad-1-Cristal-Tecnologia-de-Los-Materiales

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Es el movimiento de los tomos, iones o molculas, dentro de un material. Estos se mueven de

manera predecible, tratando de eliminar diferencias de concentracin y producir una composicin
homognea y uniforme.

La difusin puede ser definida como el mecanismo por el cual la materia es transportada por la
materia. (Movilizacin de fluido) y difusin. En los slidos, estos movimientos atmicos quedan
restringidos debido a los enlaces que mantienen los tomos en las posiciones de equilibrio, por lo
cual el nico mecanismo de transporte de masa es la difusin.

La probabilidad de intercambiar posiciones depende de la temperatura

Mecanismo de difusin por vacantes o sustitucional.

Los tomos pueden moverse en las redes cristalinas desde una posicin a otra si hay presente
suficiente energa de activacin proporcionada sta por la vibracin trmica de los tomos, y si
hay vacantes u otros defectos cristalinos en la estructura para que ellos los ocupen. Las vacantes
en los metales son defectos en equilibrio, y por ello algunos estn siempre presentes para facilitar
que tenga lugar la difusin sustitucional de los tomos. Segn va aumentando la temperatura del
metal se producirn ms vacantes y habr ms energa trmica disponible, por tanto, el grado de
difusin es mayor a temperaturas ms altas.

Mecanismo de difusin intersticial

La difusin intersticial de los tomos en redes cristalinas tiene lugar cuando los tomos se
trasladan de un intersticio a otro contiguo al primero sin desplazar permanentemente a ninguno
de los tomos de la matriz de la red cristalina. Para que el mecanismo intersticial sea efectivo, el
tamao de los tomos que se difunde debe ser relativamente pequeo comparado con el de los
tomos de la matriz. Los tomos pequeos como los de hidrgeno, carbono, oxgeno y nitrgeno,
pueden difundirse intersticialmente en algunas redes cristalinas metlicas. Por ejemplo, el
carbono puede difundirse intersticialmente en el hierro alfa BCC y hierro gamma FCC. En la
difusin intersticial de carbono en hierro, los tomos de carbono deben pasar entre los tomos de
la matriz de hierro.

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