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E Los tiristores constituyen una familia de dispositivos que La estructura fsica base de los miembros de la familia de
pueden tomar diferentes nombres y caractersticas, pero los tiristores est formada por cuatro capas de
donde todos los elementos que la componen se basan en el semiconductores P y N como se ilustra en la Figura 1, figura
mismo principio de funcionamiento. Constructivamente son donde tambin se ha incluido el smbolo del SCR por ser el
dispositivos de 4 capas semiconductoras N-P-N-P y cuya dispositivo ms representativo de la familia.
principal diferencia con otros dispositivos de potencia es
que presentan un comportamiento biestable. Su
construccin se debe en su origen a General Electric en 1957
y la comercializacin general comienza hacia 1960.
Para explicar el funcionamiento del SCR, se recurre a Para que el SCR deje de conducir es necesario que su
analizar un smil resultante de desdoblar a las cuatro corriente caiga por debajo del valor mnimo de
junturas de la figura 1 en dos transistores interconectados mantenimiento (IH), permitiendo que se restablezca la
entre s, en configuracin de par complementario, y barrera de potencial en J2. Para la conmutacin del
presentando en consecuencia una realimentacin positiva. dispositivo no basta con aplicar una tensin negativa entre
Este modelo, representado en la figura 2, tiene validez con nodo y ctodo. Dicha tensin inversa acelera el proceso de
el SCR bloqueado (antes del disparo) y en el momento del desconexin por dislocar en los sentidos adecuados los
encendido; no vale cuando el SCR se encuentra portadores en la estructura cristalina, pero ella sola no
conduciendo. garantiza la desconexin.
CARACTERSTICAS TENSIN-CORRIENTE
SCR
a) Zona de bloqueo inverso (VAK < 0): sta condicin Tensin residual mxima que no enciende ningn
corresponde al estado de no conduccin en inversa, elemento: VGNT.
comportndose como un diodo. Corriente de puerta para el encendido: IGT.
b) Zona de bloqueo directo (VAK > 0 sin disparo): El SCR Corriente residual mxima que no enciende ningn
se comporta como un circuito abierto hasta alcanzar la elemento: IGNT.
tensin de ruptura directa. Corriente mxima entre nodo y ctodo: IFM.
c) Zona de conduccin (VAK > 0 con disparo): El SCR se
comporta como un interruptor cerrado, si una vez ha
ocurrido el disparo, por el dispositivo circula una II. DESARROLLO DEL LABORATORIO
corriente superior a la de enclavamiento. Una vez en
conduccin, se mantendr en dicho estado si el valor de
De la hoja de datos se obtuvieron los valores de IFM, Voltaje
la corriente nodo ctodo es superior a la corriente de
de ruptura mximo que soporta el SCR (VBR), Cada de
mantenimiento.
tensin en directa cuando conduce (VF-ON), Corriente de
sostenimiento o mantenimiento (IH), Corriente de enganche
La figura 4 muestra las caractersticas corriente-tensin (I-
(IL), Corriente mxima (IGM) y tensin entre gate y ctodo
V) del SCR y permite ver claramente cmo, dependiendo de
(VGK).
la corriente de puerta (IG), dichas caractersticas pueden
variar. Valor Unidad
IFmax 4 A
VBR 400 V
VF-ON 1,23 V
IH 6 mA
IL 10 mA
IGmin 200 A
IGmax 2 A
VGK 613 mV
Tabla 1. Valores caractersticos del C106D.
12 + 1 + 1 + 2 + = 0 (1)
V. REFERENCIAS