Eletrnica Digital

Prof. Gilson Yukio Sato

sato[at]utfpr[dot]edu[dot]br
Memrias Semicondutoras
Prof. Gilson Yukio Sato
sato[at]utfpr[dot]edu[dot]br
 Memrias Digitais
Magntica
Fitas K7, discos 3, etc
tica
CDs, DVDs, etc
Semicondutoras
Chips de memria
 Importncia das Memrias
O microprocessador precisa armazenar
instrues e dados

P Memria Principal
(semicondutora)

Memria Auxiliar
(magntica, tica)
 Tipos de Memrias
Semicondutoras
ROM
Mask
PROM
EPROM
EEPROM/E2PROM
Flash
RAM
Dinmica (DRAM)
Esttica (SRAM)
 ROM
ROM (Read Only Memory)
Memria somente para leitura
Dados no volteis
No volteis = os dados no so perdidos
quando a memria est sem alimentao
Armazenamento de programa para P
Dados presentes quando da alimentao do
sistema P
 ROM Mask
ROM programada por mscara
Programada pelo fabricante
No pode ser apagada ou reprogramada
Custo baixo para grandes quantidades

Mscara
Especificada pelo cliente
(Tocci, 2007)
 PROM
Programmable ROM
OTPROM (One Time Programmable ROM)
Pode ser programada pelo usurio
(gravador/programador de memria)
No pode ser apagada ou reprogramada
Fusveis como conexo
Programao = queima de fusveis
PROM

(Tocci, 2007)
 EPROM
Erasable Programmable ROM
UVEPROM (Ultra-Violet EPROM)
Pode ser programada, apagada e
reprogramada pelo usurio
(gravador/programador de memria)
Apagamento no seletivo
Transistores MOS com porta flutuante
Porta flutuante controla fluxo de cargas
 EPROM

Veja animao no site: http://www.howstuffworks.com/rom4.htm

 EPROM

Retirado do site: http://www.clubedohardware.com.br/dicionario/termo/350

 EPROM

Retirado do site: http://www.cpushack.net/EPROM.html

EPROM

(Tocci, 2007)
 EEPROM
Electrically Erasable PROM
Pode ser programada, apagada e
reprogramada no prprio circuito
Apagamento seletivo (bytes)
Pode ser usada como uma RAM no voltil
Construo complexa / baixa densidade
Maior custo
Processo de programao lento
EEPROM

(Tocci, 2007)
 FLASH
Flash
Pode ser programada, apagada e
reprogramada no prprio circuito
Apagamento por blocos
Pode ser usada como uma RAM no voltil
Construo mais simples que EEPROM
Custo menor que EEPROM
Velocidade maior que EEPROM
Flash

(Tocci, 2007)
Comparao entre ROMs

(Tocci, 2007)
 Aplicaes ROM
Sistemas microprocessados
Armazenamento de programa
Transferncia de dados e portabilidade
Pen drive, MP3 players, PDAs
Memria bootstrap
BIOS de PCs
Tabelas de dados
Conversor de dados
 RAM
RAM (Random Access Memory)
Memria de leitura e escrita
RWM (Read Write Memory)
Dados volteis
Volteis = os dados so perdidos se a memria
fica sem alimentao
Armazenamento de dados
Dados temporrios
 SRAM
Static RAM (RAM esttica)
Dados so mantidos enquanto houver
alimentao
No necessita de refresh como a DRAM
Cada clula um FF
Ciclo de leitura e escrita rpido
SRAM

(Tocci, 2007)
 DRAM
Dynamic RAM (RAM dinmica)
Armazenam os dados sob a forma de
carga de capacitor
Necessita de refresh, pois os capacitores
precisam ser periodicamente recarregados
Alta densidade
 DRAM

Escrita SW1 e SW2 ON

Leitura SW2, SW3 e SW4 ON

(Tocci, 2007)
 Estrutura Interna Genrica
Clula Uma Clula armazena um bit
Dn-1 Dn-2 D1 D0 (FF)
Registro
0 O Registro um conjunto de
n bits
n Clulas
1
Cada Registro ocupa uma das
m Posies de Memria
Posio de Cada Posio de Memria
Memria acessada atravs de um
m-1 Endereo (A)
O Endereo (A) uma
palavra de k bits tal que:
m = 2k
 Exemplo

Representao de uma memria cujo registro de n = 4 bits e que

possui m = 8 posies de memria

D3 D2 D1 D0 A2 A1 A0
Se m = 8 ento:
0 0 1 1 1 0 0 0
8 = 2k
1 1 1 0 1 0 0 1
0 0 1 Tal que:
2 0 0 1 0
3 1 1 0 0 0 1 1 k=3

4 0 1 1 1 1 0 0
5 0 0 0 0 1 0 1
6 1 0 1 0 1 1 0
7 0 1 1 0 1 1 1
 Pinagem Genrica
EPROMs, EEPROMs, Flashes, SRAMs

mxn
A0
k linhas de A1
endereo D0
D1 n linhas de
Ak-1
dados
CS Dn-1
linhas de
controle RD
WR
 Pinagem Genrica
A0~Ak-1: linhas de endereo capazes de
enderear m posies de memria
D0~Dn-1: linhas de dados para leitura e
escrita de dados na memria
CS: Chip Select habilita a operao da
memria (ME)
RD: Read deve ser ativada para indicar
uma leitura (OE)
WR: Write deve ser ativada para indicar
escrita (no existe para ROM, PROM,
EPROM)
 Exemplo

D3 D2 D1 D0 A2 A1 A0
8x4 0 0 1 1 1 0 0 0
A0 1 1 1 0 1 0 0 1
A1
A2 D0 2 0 0 0 1 0 1 0
D1
D2 3 1 1 0 0 0 1 1
D3 4 0 1 1 1 1 0 0
CS 5 0
0 0 0 1 0 1
RD
6 1 0 1 0 1 1 0
WR
7 0 1 1 0 1 1 1
 Exemplo - Leitura

D3 D2 D1 D0 A2 A1 A0
8x4 0 0 1 1 1 0 0 0
0 A0 1 1 1 0 1 0 0 1
0 A1
1 A2 D0 1 2 0 0 0 1 0 1 0
D1 1
D2 1 3 1 1 0 0 0 1 1
D3 0 4 0 1 1 1 1 0 0
0 CS 5 0
0 0 0 1 0 1
0 RD
6 1 0 1 0 1 1 0
1 WR
7 0 1 1 0 1 1 1
 Exemplo - Escrita

D3 D2 D1 D0 A2 A1 A0
8x4 0 0 1 1 1 0 0 0
1 A0 1 1 1 0 1 0 0 1
0 A1
1 A2 D0 0 2 0 0 0 1 0 1 0
D1 1
D2 0 3 1 1 0 0 0 1 1
D3 1 4 0 1 1 1 1 0 0
0 CS 5 1 0 10 0
0 1 0 1
1 RD
6 1 0 1 0 1 1 0
0 WR
7 0 1 1 0 1 1 1
Timming Leitura EPROM

(Microchip)
Timming Escrita EEPROM

(Tocci, 2007)
Timming Leitura SRAM

(Holtek)
Timming Escrita RAM

(Holtek)
 Organizao

Uma memria organizada em termos do

nmero de posies de memria (m) e do
nmero de bits por registro (n)

mxn
Exemplo 1: 1024 x 8 = 1k x 8
Exemplo 2: 2048 x 8 = 2k x 8
 Capacidade

A capacidade C de uma memria dada

em bits e pode ser obtida multiplicando-se o
nmero de posies de memria m e
nmero de bits por registro n .

C=mxn
Exemplo 1: uma memria 1024x8 tem uma capacidade de 8192 bits
Exemplo 2: uma memria 2048x4 tem uma capacidade de 8192 bits
 Bancos de Memria
Banco ou associao de memrias
O objetivo de projetar um banco de
memria pode ser:
Caso 1: Aumentar o nmero de bits por registro
Caso 2: Aumentar o nmero de posies de
memria
Caso 3: Aumentar ambos
Caso 4: Associar memrias de tipos diferentes
 Bancos de Memria

Memo Memo Memo Memo

Memo Caso 2
Caso 1 Memo

Memo Memo
ROM
Memo
Memo Caso 4
Memo Memo
RAM

Caso 3
 Caso 1 - Exemplo
Caso 1: Aumentar o nmero de bits por registro.
Exemplo: A partir de memrias do tipo 8x4 obter um banco 8x8.

Memo Banco N CIs

n=4 D0...D3 n=8 D0...D7 8x8/8x4 2
m=8 k=3 m=8 k=3
k=3 A0...A2 k=3 A0...A2

Idia principal: Sero necessrios dois CIs que devem

ser associados de forma que cada um disponibilize 4
linhas de dados
 Caso 1 - Exemplo
Memo AA0 A0
8x4
n=4 D0...D3 AA1 A1 D0 DD0
m=8 k=3 AA2 A2
D1 DD1
k=3 A0...A2 CS
D2 DD2
CS
D3 DD3
Banco RD RD
WR
n=8 D0...D7 WR

m=8 k=3
k=3 A0...A2 A0
8x4
A1 D0 DD4
N CIs A2
D1 DD5
8x8/8x4 2 D2 DD6
CS
D3 DD7
RD
WR
 Caso 2 - Exemplo
Caso 2 Aumentar o nmero de posies de memria.
Exemplo: A partir de memrias do tipo 8x8 obter um banco 16x8.

Memo Banco N CIs

n=8 D0...D7 n=8 D0...D7 16x8/8x8 2
m=8 k=3 m=16 k=4
k=3 A0...A2 k=4 A0...A3

Idia principal: Sero necessrios dois CIs que devem

ser associados de forma que cada um disponibilize 8
posies de memria
 Memo Banco N CIs
n=8 D0...D7 n=8 D0...D7 16x8/8x8 2
m=8 k=3 m=16 k=4
k=3 A0...A2 k=4 A0...A3

CI1 DD0...DD7

8x8 DD0
AA0 A0 D0
D1 DD1
AA1 A1
D2 DD2
AA2 A2
D3 DD3
D4 DD4
CS D5 DD5
RD DD6
RD D6 DD7
WR WR D7

CI2
AA3 1 x/y 0 8x8 DD0
A0 D0
2 1 DD1
A1 D1
D2 DD2
2 A2 DD3
D3
CS EN 3 DD4
D4
CS DD5
D5 DD6
RD D6 DD7
WR D7
 Barramento (Bus)

DD0...DD7

8x8 DD0 8x8

A0 D0 A0 D0 DD0
D1 DD1 D1
A1 A1 DD1
D2 DD2 D2 DD2
A2 A2
D3 DD3 D3 DD3
D4 DD4
D4 DD4
CS D5 DD5 CS D5 DD5

=
DD6
RD D6 DD7 RD D6 DD6
WR D7 WR D7 DD7

8x8 DD0 8x8

A0 D0 A0 D0
DD1
A1 D1 A1 D1
D2 DD2
A2 A2 D2
D3 DD3 D3
DD4
D4 D4
CS DD5 CS
D5 DD6 D5
RD D6 DD7 RD D6
WR D7 WR D7
 Mapa de Memria
O mapa de memria representa a faixa
de endereos ocupada por cada
memria.
Mapa de Memria

AA3 AA2 AA1 AA0 HEX CI

0 0 0 0 0h
0 1 1 1 7h 1
1 0 0 0 8h
1 1 1 1 Fh 2
 Caso 3 - Exemplo
Caso 3: Aumentar o nmero de bits por registro e o nmero de
posies de memria.
Exemplo: A partir de memrias do tipo 8x4 obter um banco 16x8.

Memo Banco N CIs

n=4 D0...D3 n=8 D0...D7 16x8/8x4 4
m=8 k=3 m=16 k=4
k=3 A0...A2 k=4 A0...A3

Idia principal: Sero necessrios quatro CIs. Cada par

de CIs 8x4 deve ser associado formando dois
conjuntos 8x8. Esses dois conjuntos devem ser
associados para formar um banco 16x8.
 DD0...DD7

AA0...AA2

CI1 CI3
AA0 A0 8x4 AA0 8x4
A0
AA1 AA1 DD0
A1 D0 DD0 A1 D0
AA2 AA2
A2 DD1 A2 DD1
D1 D1
DD2 DD2
D2 D2
CS DD3 CS DD3
D3 D3
RD RD RD
WR WR WR

CI4
AA3 1 x/y 0 AA0 8x4 AA0 8x4
A0 A0
AA1 DD4 AA1 DD4
2 1 A1 A1 D0
AA2 D0 AA2
A2 DD5 A2 DD5
2 D1 D1
DD6 DD6
CS EN 3 D2 D2
CS DD7 CS DD7
D3 D3
RD RD
WR WR
CI2
Mapa de Memria

AA3 AA2 AA1 AA0 HEX CI

0 0 0 0 0h
0 1 1 1 7h 1/2
1 0 0 0 8h
1 1 1 1 Fh 3/4
 Caso 4 Exemplo 1
Caso 4: Associar tipos diferentes de memria.
Exemplo: Associar uma EPROM 8x8 e uma RAM 8x8, com a
EPROM ocupando os endereos mais baixos.

Memos (EPROM e RAM) Banco

N CIs
n=8 D0...D7 n=8 D0...D7
2
m=8 k=3 m=16 k=4
k=3 A0...A2 k=4 A0...A3

Idia principal: Nesse caso EPROM e RAM possuem a

mesma organizao e capacidade, por isso a
associao e similar ao caso 2
 EPROM DD0...DD7

8x8 DD0
AA0 A0 D0
D1 DD1
AA1 A1
D2 DD2
AA2 A2
D3 DD3
D4 DD4
CS D5 DD5
RD DD6
RD D6 DD7
D7

RAM
AA3 1 x/y 0 8x8 DD0
A0 D0
2 1 DD1
A1 D1
DD2
2 A2 D2
D3 DD3
CS EN 3 DD4
D4
CS DD5
D5 DD6
RD D6 DD7
WR WR D7
Mapa de Memria

AA3 AA2 AA1 AA0 HEX CI

0 0 0 0 0h EPROM
0 1 1 1 7h
1 0 0 0 8h RAM
1 1 1 1 Fh
 Caso 4 Exemplo 2
Caso 4: Associar tipos diferentes de memria.
Exemplo: Associar EPROMs 8x8 e RAMs 8x8 para obter um banco
de 8x8 de EPROM e 16x8 de ram, com a EPROM ocupando os
endereos mais baixos.
Memos (EPROM e RAM) Banco
N CIs
n=8 D0...D7 n=8 D0...D7
1 EPROM
m=8 k=3 m=24 k=5
2 RAMs
k=3 A0...A2 k=5 A0...A4

Idia principal: Como EPROM e RAMs possuem a

mesma organizao e capacidade a associao e
similar ao caso 2
 AA0...AA2 EPROM DD0...DD7

8x8 DD0
A0 D0
D1 DD1
A1
D2 DD2
A2
D3 DD3
D4 DD4
CS D5 DD5
RD DD6
RD D6 DD7
D7

RAM1
AA3 1 x/y 0 DD0
8x8
A0 D0 DD1
AA4 2 1 DD2
A1 D1
2 A2 D2 DD3
D3 DD4
CS EN 3 D4 DD5
CS D5 DD6
RD D6 DD7
WR WR D7

RAM2
8x8 DD0
A0 D0
A1 D1 DD1
A2 D2 DD2
D3 DD3
D4 DD4
CS D5 DD5
D6 DD6
RD DD7
WR D7
 Mapa de Memria

AA4 AA3 AA2 AA1 AA0 HEX CI

0 0 0 0 0 00h EPROM
0 0 1 1 1 07h
0 1 0 0 0 08h RAM1
0 1 1 1 1 0Fh
1 0 0 0 0 10h RAM2
1 0 1 1 1 17h
 Exerccios
Projetar um banco de memrias RAM de
1024x8 a partir de memrias 1024x4
Projetar um banco de memrias de
2048x8 a partir de memrias 1024x8.
Elabore o mapa de memria.
Projetar um banco de memrias de
2048x8 a partir de memrias 1024x4.
Elabore o mapa de memria.
 Exerccios
Projetar um banco de memrias com 1024x8 de
EPROM e 1024x8 de RAM a partir de EPROMs
de 512x8 e de RAMs de 512x8. A EPROM deve
ocupar os endereos mais baixos. Elabore
tambm o mapa de memria.
Projetar um banco de memrias com 1024x8 de
EPROM e 512x8 de RAM a partir de EPROMs
de 512x8 e de RAMs de 512x8. A EPROM deve
ocupar os endereos mais baixos. Elabore
tambm o mapa de memria.