2003_Photovoltaik - Neue HorizonteS

Themen 2003
Photovoltaik Neue Horizonte

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Photovoltaik
Neue Horizonte
Jahrestagung des
ForschungsVerbunds Sonnenenergie
25. 26. September 2003 in Berlin
FVS Themen 2003

Diese Publikation wurde durch das BMU gefrdert.
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Inhalt
Themen 2003
2 Geleitwort
Margareta Wolf
Parlamentarische Staatssekretrin BMU
5 Photovoltaik Neue Horizonte

Prof. Dr. Joachim Luther Fraunhofer ISE
Erfolge der Photovoltaik-Forschung
12 Kristalline Silicium-Solarzellen
Dr. Gerhard Willeke Fraunhofer ISE
17 Dnnschicht-Solarzellen auf der Basis von

amorphem und mikrokristallinem Silicium
Dr. Bernd Rech FZJ
22 Dnnschicht-Solarzellen auf der Basis

von Verbindungshalbleitern
Dr. Michael Powalla ZSW
28 Photovoltaik-Anlagen
Bewhrung und Herausforderung
Ulrike Jahn ISFH
Innovative Prozesse Neue Materialien
37 Neue Silicium-Solarzellenstrukturen
fr hhere Wirkungsgrade
Prof. Dr. Rudolf Hezel ISFH
42 Dnnschicht-Solarzellen aus Silicium

Prof. Dr. Walther Fuhs HMI
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48 III-V Halbleiter Konzentratorzellen 94 Die Grenzflche in Chalkopyrit-Solarzellen

Dr. Frank Dimroth Fraunhofer ISE Ein neuer Ansatz
Dr. Reiner Klenk HMI
53 Neue Chalkopyrit (CIS)-Dnnschicht-
Solarzellen flexibel, leicht, effektiv 96 Isolations- und Diffusionsbarrieren fr
Dr. Friedrich Kessler ZSW Solarzellen auf groen Flchen
Dr. Dirk Herrmann ZSW
Neue Analyseverfahren und Technologien

Neue Forschungsanstze
60 Materialforschung mit neuen
analytischen Methoden 102 Neue Solarzellenkonzepte
Stefan Rein Fraunhofer ISE Prof. Dr. Peter Wrfel Uni Karlsruhe
66 Lebenszyklusanalyse und Recyclingkonzepte 107 Optische Hochkonversion und

fr Solarmodule Nanotechnologie
Dr. Johann Springer ZSW Prof. Dr. Martha C. Lux-Steiner HMI
71 Solarmodule mit integriertem Wechselrichter 111 Organische und Polymersolarzellen

Michael Viotto ISET Dr. Markus Scharber Konarka Austria
76 Multifunktionale Nutzung
photovoltaischer Anlagen
Dr. Christian Bendel ISET
117 Bildnachweise
Neue Konzepte zur Leistungssteigerung 118 Standorte der Mitgliedsinstitute
85 Photonenmanagement Optische Strukturen 119 Anschriften der Mitgliedsinstitute

Dr. Reinhard Carius FZJ
121 Impressum
90 Chalkopyrit-Dnnschicht-Solarzellen mit
hoher Bandlcke
Dr. Roland Scheer HMI
1
FVS Themen 2003
im Jahr 2010 sollen es 12,5 % am

Geleitwort Stromverbrauch sein.
Bis 2020 wollen wir einen 20 %-Anteil am
Die deutsche Solarenergieforschung liegt inter- Stromverbrauch erreichen und
national mit an der Spitze. Wir sind neben Japan bis zur Mitte des Jahrhunderts soll die
bei der Photovoltaiktechnologie fhrend. Diese Hlfte des gesamten Energieverbrauchs sich
Erfolge haben sich seit 1999 mit deutlichen aus erneuerbaren Energien decken.
Wachstumsraten von 30 40 % jhrlich auch im
Markt durchgeschlagen. Neben der Windkraft Bei den erneuerbaren Energien stellte bisher noch
zeigt sich nun auch bei der Solarenergie, dass die Wasserkraft den grten Anteil. Die Windkraft
Margareta Wolf erneuerbare Energien ein wachsender und ist derzeit aber dabei, die Wasserkraft zu berholen.
Parlamentarische zukunftsfhiger Markt sind. Solche Erfolge zhlen Im vergangenen Jahr hat die Windenergie schon
Staatssekretrin, Bundes- in diesen wirtschaftlich harten Zeiten besonders. 3,5 % des gesamten Strombedarfs geliefert.
ministerium fr Umwelt, Die Basis fr solche Entwicklungen werden durch Die Photovoltaik hat hnlich hohe Wachstums-
Naturschutz und Reaktor- solide Grundlagenforschung und innovative Tech- raten wie die Windkraft. Allerdings begann die
sicherheit (BMU) nologielsungen geleistet. Die heutige Jahres- Erfolgsstory 1998 auf sehr viel niedrigerem Niveau.
margaretawolf@bmu.de
tagung des ForschungsVerbunds Sonnenenergie
wird hierzu Bilanz ziehen. Die Kombination des Erneuerbare-Energien-
Gesetzes und des 100.000-Dcher-Solarstrom-
Weil die Bundesregierung ihre Vorreiterrolle im programms hat zu einer Verzehnfachung des
Klimaschutz und im Ausbau der erneuerbaren Marktvolumens von 1999 bis 2002 gefhrt.
Energien halten will, hat sie sich ehrgeizige Ziele
gesetzt. Bis Ende 2003 wird mit einer insgesamt installier-
Klimaschutz und Energiewende sind politische ten solarelektrischen Leistung von 400 MWp
Jahrhundertprojekte. Hier muss die Regierung gerechnet. Das bedeutet gegenber dem Vorjahr
ein System von Anreizen schaffen, dass Inves- eine fnfzigprozentige Steigerung der Installations-
titionen der Privatwirtschaft in die richtige Rich- rate. Dies ist vor allem dem groen Erfolg des
tung lenkt. Die wesentlichen Ecksteine 100.000-Dcher-Solarstrom-Programms gerade in
dieser Politik sind: diesem Jahr zu verdanken. Hier ist es zu einem
die kologische Steuerreform, die wir jetzt wahren Antragsboom gekommen. Die attraktiven
zu einer kologischen Finanzreform ausbauen, Frderkonditionen mit 1,9 % zinsgnstigen
der Ausstieg aus der Kernenergie, Darlehen lieen das Programm zu einem Erfolgs-
das Erneuerbare-Energien-Gesetz, produkt werden. Das Ziel des zum Ende 2003
das 100.000-Dcher-Solarstrom-Programm, auslaufenden Programms die Frderung von
das Marktanreizprogramm fr erneuerbare Investitionen zur Errichtung von 300 MW in-
Energien und stallierter Photovoltaik-Leistung wird bis Jahres-
zahlreiche weitere Initiativen in allen Sektoren. ende mit rund 340 MW weit bertroffen werden.
Das Kreditvolumen wird dann rund 1,7 Milliarden
Wir wollen Strom aus Atomkraftwerken und Euro betragen.
klimaschdlichen alten fossilen Grokraftwerken
durch Strom aus erneuerbaren Energiequellen, Gleichwohl wird es keine Neuauflage des Pro-
effizienten Gas- und Dampfkraftwerken und gramms geben, da die Bundesregierung zuknftig
anderen modernen, hocheffizienten, fossilen bei der Frderung der Photovoltaik vorrangig auf
Heizkraftwerken ersetzen. das Erneuerbare-Energien-Gesetz setzt. Es kommt
ohne zustzliche Haushaltsmittel aus.
Wir wollen den Anteil erneuerbarer Energien Durch die Novelle des EEG werden wir es
am Stromverbrauch und gesamten Energiever- auch im Bereich der Photovoltaik noch ziel-
brauch bis 2010 verdoppeln. genauer zuschneiden: Wir werden die Frder-
Bis Ende 2003 werden die erneuerbaren stze fr kleine Anlagen auf Hausdchern
Energien bereits rund 9 % am Stromverbrauch weiter differenzieren und fr PV-Anlagen am
ausmachen, Boden eine Einspeisevergtung einfhren.
2 Sie wird allerdings niedriger sein als die fr
FVS Themen 2003
Anlagen auf und an Gebuden. Wir wollen mit von Fertigungstechnologien sowie die Erforschung
der Einspeisevergtung einen Anreiz zum Bau PV-geeigneter neuer Materialien. Hierbei wird
groer Anlagen von mehr als 100 kW geben. auch die Systemtechnik nicht vergessen werden.
Darber hinaus stehen fr die Errichtung von Die Entwicklung einer Produktionstechnologie fr
Photovoltaik-Anlagen aus dem KfW-Umwelt- Solar-Silicium wird weiter untersttzt werden.
programm und dem KfW-CO2-Minderungs- Das Innovations- und Nutzungspotenzial ist bei
programm auf Wohngebuden zinsgnstige der Photovoltaik sehr gro. Technologische
Darlehen zur Verfgung. Auch ein Zinssatz Fortschritte gehen jedoch nur langsam voran.
von 3,75 % ist attraktiv. Viel Forschung und Entwicklung Grundlagen-
forschung und anwendungsorientierte Forschung
Mit der im Referentenentwurf zur Novelle EEG ist daher noch zu leisten, bevor Solarzellen so
vorgesehenen Vergtung von Solarstrom aus billig werden, dass sie sprbar zur Stromversor-
PV-Freiflchenanlagen haben wir eine Perspektive gung unseres Landes bzw. der Welt beitragen
fr die PV-Industrie zum Bau grerer, wirtschaft- knnen.
licher Anlagen geschaffen, welche uns die
notwendige Kostensenkung ermglicht. Die
Vergtung ist dabei an Bedingungen geknpft, Was sind die konkreten
die sowohl den Bedrfnissen der Solarindustrie
gerecht werden als auch eine bessere Steuerung
Herausforderungen der
der Auswahl der unbebauten Flchen zur nchsten Zeit?
Errichtung von Freilandanlagen ermglichen soll.
Die Beeintrchtigung von Natur und Landschaft Bisher haben kristalline Solarzellen noch eine
wird so mglichst gering gehalten. Dicke von 200 bis 300 Mikrometer. Wir
mssen schrittweise bergehen zu dnneren
Die Einspeisevergtung ist und bleibt degressiv, Wafern mit einer Strke von nur 100 m
d. h. auf Dauer muss die einzelne Photovoltaik- oder sogar noch darunter.
anlage billiger werden, damit sich diese erneuer- Wir mssen parallel die Wirkungsgrade von
bare Energie auf dem Markt behaupten kann. derzeit 14 17 Prozent steigern.
Bei der Kostensenkung haben wir bereits erheb- Wegen ihres grundstzlich hohen Kosten-
liche Erfolge erreicht: Whrend eine Familie 1990 senkungspotenzials sind Dnnschichtsolar-
fr eine komplette Solaranlage mit 3 kW Leistung zellen mit einer Strke von wenigen
noch 38.000 zahlen musste, braucht sie heute Mikrometern von besonderem Interesse.
nur noch rund 20.000 fr ihr Einfamilienhaus. Dafr soll auch nach neuen Materialien
Die bisherige Preisreduktion reicht allerdings gesucht werden. Mglich wren solche
noch nicht, um mit den Kosten fr den erzeugten Dnnschichtsolarzellen zum Beispiel auf der
Strom in die Nhe der Wirtschaftlichkeit zu Basis von Farbstoffen und organischen
kommen. Um dieses Ziel zu erreichen, mssen wir Halbleitern.
die Subventionierung der fossilen Energie- Wir brauchen Stapelsolarzellen, da sie hohe
wirtschaft abbauen, Wirkungsgrade versprechen.
die Photovoltaikanlagen durch Forschung und Wir brauchen Forschung zu den Lebens-
Entwicklung verbessern, um die Wirkungs- zyklen von Solarzellen und die Entwicklung
grade der Zellen weiter zu erhhen von Recyclingkonzepten, die die kobilanz
sowie die Produktionskosten senken. der Photovoltaik weiter verbessern und
mglicherweise auch die Preise senken.
Die Bundesregierung sieht die Frderung der
Photovoltaikforschung durch die ffentliche Hand Deutschland als Land ohne groe Rohstoffvor-
weiterhin als prioritre Aufgabe. Im Regierungs- kommen ist in besonderem Mae von Forschung
entwurf fr den Haushalt 2004 haben wir rund und Entwicklung abhngig, um Hochtechnologie-
18 Millionen Euro fr die Photovoltaikforschung produkte anbieten und exportieren zu knnen.
vorgesehen. Schwerpunkte sind die Weiterent- Deshalb haben wir uns mit der nationalen Nach-
wicklung zu besseren Solarzellen- bzw. Solarmodul- haltigkeitsstrategie das Ziel gesetzt, den Anteil an
technologien, die Verbesserung und Verbilligung Ausgaben fr Forschung und Entwicklung von 3
FVS Themen 2003
jetzt 2,4 % auf rund 3 % am Bruttoinlandsprodukt Wir bekommen dadurch Wettbewerbsvorteile fr

bis 2010 zu erhhen. Die Ausgaben fr Forschung die Mrkte von morgen und Arbeitspltze schon
und Entwicklung in Deutschland liegen noch fr heutige Generationen.
immer niedriger als in den USA und Japan.
Auch der Wissenschaftliche Beirat fr Globale Im gesamten Bereich der erneuerbaren Energien
Umweltvernderungen (WBGU) hat in seinem wurden in Deutschland bislang rund
jngsten Gutachten Energiewende zur Nach- 130.000 Arbeitspltze geschaffen.
haltigkeit gefordert, die weltweit staatlichen Das Umsatzvolumen lag 2002 bei rund
Ausgaben fr Forschung und Entwicklung im 9 Mrd. .
Bereich Energie bis 2020 mindestens zu verzehn- Im vergangenen Jahr wurden rund
fachen (zurzeit weltweit: 1,3 Milliarden Dollar). 50 Mio. t CO2 vermieden.
Dabei soll der Forschungsschwerpunkt verlagert
werden von fossilen und nuklearen Energie- Zukunft hat Deutschland, wenn es seine Vor-
trgern hin zu erneuerbaren Energien und zu reiterrolle bei der Energiewende ausbaut. Die
Energieeffizienztechnologien. Photovoltaik bietet hierbei langfristig besonders
groe Potenziale fr eine zukunftsfhige Energie-
In Deutschland ist uns bisher diese Schwerpunkt- versorgung.
verlagerung noch nicht gelungen. Der nuklearen
Forschung, Fusionsforschung und Forschung
im Bereich fossiler Energietrger in Hhe von ins- Berlin, 25. September 2003
gesamt 225 Millionen Euro stehen gerade mal
102 Millionen Euro Forschungsgelder fr erneuer-
bare Energien gegenber.
Um unsere fhrende Rolle bei der Energiewende
zu halten, mssen wir hier eine deutliche Kurs-
korrektur vornehmen.
Das Engagement fr erneuerbare Energien dient

dabei nicht nur dem globalen Klimaschutz Margareta Wolf
obwohl das allein Grund genug wre. Es dient Parlamentarische Staatssekretrin im
dem Aufbau einer nachhaltigen Entwicklung Bundesministerium fr Umwelt, Naturschutz
insgesamt und nutzt uns dabei auch wirtschaftlich. und Reaktorsicherheit (BMU)
4
Prof. Dr. Joachim Luther Photovoltaik Neue Horizonte

FVS Themen 2003
Photovoltaik Neue Horizonte
Fr ein neues Energieforschungsprogramm der Industrie und Forschung sind hier mit Unter- Prof. Dr. Joachim Luther
Bundesrepublik [1] fordert der FVS Forschungs- sttzung durch staatliche Frdermittel in den Fraunhofer ISE
Verbund Sonnenenergie in seinem Eckpunkte- vergangenen 10 bis 20 Jahren sehr erfolgreich joachim.luther@
ise.fraunhofer.de
papier eine Verdopplung der Frdermittel des gewesen. Dies verdeutlicht die Preis-Erfahrungs-
Bundes im Bereich Erneuerbare Energien inner- kurve photovoltaischer Module (Abb. 1).
halb der nchsten fnf Jahre. Eine derartige
$/Wp
Forderung zur Erhhung von Finanzmitteln in 100
diesem Forschungs- und Entwicklungsfeld ist
nach Meinung des FVS unabdingbar, um die
folgenden drngenden Problemkreise mit der
Forschung
unbedingt notwendigen Geschwindigkeit 10 & Entwicklung
anzugehen:
Schutz unserer natrlichen Lebensgrundlage

Bekmpfung der Energiearmut in 1
weiten Teilen der Welt

ohne Forschung
Verringerung des geopolitischen & Entwicklung
Konfliktpotenzials
0,1
Erzeugung neuer Produkte fr den Markt 1 10 100 1.000 10.000 100.000 1.000.000 10.000.000
kumulierte Leistung in MWp

Zielgerichtete und durch Strategien unter-
mauerte, wachsende Anstrengungen im Bereich Die Steigung der Kurve in Abb.1 zeigt, dass Abbildung 1
Forschung und Entwicklung sind die Basis fr sich die Preise bei jeder Verdopplung des Markt- Preis-Erfahrungskurve
Lsungen in den ersten drei genannten Problem- volumens bisher um etwa 20 % verringert des globalen Marktes
feldern. Darber hinaus schaffen Forschung haben. Aufgetragen ist der mittlere Preis von photovoltaischer
und Entwicklung im Bereich der erneuerbaren Modulen in doppeltlogarithmischem Mastab Module, die auf der
Energien auch neue Produkte fr den Markt ber der gesamten, weltweit verkauften Menge. Basis von Silicium-
und helfen so, die Gewinnmglichkeiten von Dies ist fr Industrieprodukte ein hervorragend Wafer-Solarzellen
Unternehmen zu strken und Arbeitslosigkeit zu gnstiger Wert. Die gesamte, Ende 2002 hergestellt werden.
bekmpfen. Zustzlich schaffen industrielle installierte, Nennleistung an photovoltaischen
Umstze in Bereichen, die nicht der groma- Modulen betrug 2,1 Gigawatt (GW).
stblichen Energieversorgung zuzurechen sind
zum Beispiel die Stromversorgung industrieller Die Pfeile in Abb.1 sollen Krfte andeuten, die
Gerte durch Solarzellen ein zustzliches zu einer wahrscheinlichen nderung der
Marktvolumen, das zu verstrkten Kosten- Steigung der Kurve mit und ohne eine starke
reduktionen fhrt und somit die konomische Forschung und Entwicklung fhren knnen.
Situation der erneuerbaren Energien auch im Vllig neue photovoltaische Technologien
eigentlichen Energiebereich signifikant verbessert. mssen beginnend bei kleinen Marktmengen
eine eigene Preis-Erfahrungskurve durchlaufen.
Anwendungsorientierte Forschung im Bereich Es besteht die begrndete Aussicht, dass auch
der Photovoltaik muss in erster Linie auf eine solche Produkte in Konkurrenz zur marktbeherr-
drastische Kostenreduktion hinzielen. Wege dazu schenden Silicium-Technologie wesentliche
sind: geringerer Materialverbrauch, hherer Marktanteile erobern werden.
Wirkungsgrad bei der Energiekonversion und
die Realisierung innovativer Photovoltaikkonzepte Natrlich ist es unsicher, solche Kurven auch
mit hohem Kostensenkungspotenzial. Lernkurven genannt sehr weit in die Zukunft 5

FVS Themen 2003
zu extrapolieren. Insbesondere ohne die stndige anderen neue photovoltaische Technologien

Realisierung technologischer Innovationen den Markt erobern.
besteht die Gefahr, dass die Geschwindigkeit
der Preisreduktion merklich abnimmt. Gegen- In Abb. 2 werden Solarzellentechnologien mit
krfte zu dieser Tendenz lassen sich ber Marktvolumina grer als 3 MW/a gezeigt.
Forschung und Entwicklung mobilisieren. Die neuen Technologien mit geringeren Markt-
Forschung und Entwicklung muss dabei zum volumina, die heute am Horizont sichtbar sind,
einen die Techniken optimieren, die derzeit in werden in diesem Beitrag anhand von Beispielen
der industriellen Produktion sind (linker oberer behandelt. Photovoltaische Module aus mono-
Pfeil in Abb. 1), sie muss aber zum anderen auch kristallinem, multikristallinem und Band-Silicium
neue Technologien, also Technologieschiffe, machen heute ber 90 % des Weltmarktes fr
die derzeit am Horizont sichtbar sind, zur Indust- Leistungsmodule aus. Als Dnnschichttechnolo-
riereife entwickeln. Essentiell zur Bewltigung gie besitzt das amorphe Silicium einen relevan-
der oben genannten globalen Problemfelder ist ten Marktanteil.
darber hinaus eine sehr langfristig angelegte
Strategie, mit einer anwendungsorientierten Generell lsst sich aus heutiger Sicht sagen,
Grundlagenforschung als wesentlichem Element: dass in der Photovoltaik vor allem durch
Es mssen Technologien erforscht werden, die Innovationen vom Horizont an Land gebracht
sich noch jenseits unseres Horizonts befinden, werden knnen. Folgende Technologiegebiete
von denen um im Bild zu bleiben gerade haben einen besonders hohen Forschungs-
erst die Mastspitzen sichtbar werden. und Entwicklungsbedarf:
In diesem Beitrag werden Beispiele fr neue Entwicklung von solarspezifischen Materialien

Technologien diskutiert, die heute bereits am (derzeit werden im Wesentlichen teure
Horizont sichtbar sind, fr deren berfhrung Materialien aus der Elektronikindustrie fr
in die industrielle Anwendung aber noch die photovoltaische Massenproduktion
betrchtlicher Forschungs- und Entwicklungs- eingesetzt).
aufwand notwendig sein wird. Es ist sehr
wahrscheinlich, dass eine Aktivierung Reduktion des Materialbedarfs: dnnere
entsprechender Innovationspotenziale dafr Wafer fr die Siliciumphotovoltaik,
sorgt, dass zum einen bei der derzeit markt- Dnnschichtsolarzellen (Abb. 3 bis 6).
beherrschenden Silicium-Wafer-Technologie
(Abb. 2) die beeindruckenden Fortschritte bei Hhere Wirkungsgrade photovoltaischer
der Preissenkung auch in der mittelfristigen Energiekonverter. Obwohl der Brennstoff
Zukunft aufrechterhalten werden und, dass zum der Solarzellen das Sonnenlicht kostenlos
zur Verfgung steht, sind mit der photo-
voltaischen Energiekonversion viele flchen-
300 MWp /a proportionale Kosten verbunden. Dies macht
Zeit
die Steigerung der Flchenenergieertrge
Abbildung 2 2000 unbedingt erforderlich (Abb. 7 bis 9).
Stammbaum der
Photovoltaik: Markt- amorphes Si Bnder-Si Extrem langlebige Module: Verkapselungs-
anteile der einzelnen techniken fr die Photovoltaik, die eine
Technologien technische Lebensdauer dieser Komponenten
mono kristallines Si multi kristallines Si
(Si = Silicium) von deutlich ber 30 Jahren zulassen.
1990
Innovative Fertigungstechnologien:
Hochratenbeschichtungstechnologien fr
Dnnschichtsolarzellen, Handhabung
von papierdnnen Siliciumwafern in der
1980 Produktion, etc.
6

FVS Themen 2003
Fortschrittliche elektrische Systemtechnik: geeignete Verfahren entwickelt werden. Diverse

Leistungselektronik zur Einspeisung von Anstze sind derzeit in der Entwicklung.
Photovoltaikstrom in Netze, die im
Zusammenspiel vieler Anlagen eine gute In der Abb. 4 entspricht die vertikale Richtung
Netzqualitt und eine hohe Versorgungs- der Zeitachse. ber 90 % der photovoltaischen
sicherheit garantieren (Abb. 10). Leistungsmodule werden derzeit ber die Wa-
fer-Siliciumtechnologie hergestellt (linker blauer
Angepasste Stromnetze: Entwicklung einer Dreizack). Daneben sind in der Abbildung
intelligenten Netzstruktur, die die flexible Dnnschichtmaterialien dargestellt, auf deren
Einbindung unterschiedlichster Stromerzeuger Basis bereits seit lngerem industriell produziert
gestattet und gleichzeitig Stromqualitt und wird (a-Si amorphes Silicium) beziehungsweise
Sicherheit garantiert (Abb. 10). diejenigen, die sich seit einigen Jahren in der
Pilotproduktionsphase befinden (CIS, CdTe-
Beispiele fr neue Forschungs- und Cadmiumtellurid). Fr Dnnschichtsolarzellen
Entwicklungshorizonte der Photovoltaik: auf der Basis von kristallinem Silicium (CVD-Si)1
ist noch eine lngere Forschungs- und Entwick-
lungsphase vor der industriellen Einfhrung Abbildung 3
vonnten. Papierdnne und
Solarzellen aus GaAs und verwandten Material- flexible Silicium-Wafer-
systemen (III/V-Materialien)2 werden derzeit solarzellen
verstrkt in der Raumfahrt eingesetzt. Auch fr
ihren Einsatz in optisch konzentrierenden terres-
trischen Kraftwerken wird heute intensiv geforscht
und neue Technologien entwickelt (Abb. 9).
Farbstoff- und organische Solarzellen versprechen
eine sehr preisgnstige Herstellung photovolta-
ischer Energiekonverter. Nach heutigem Stand
der Kenntnis werden ihre Anwendungen vor
allem im Gebude-Fassadenbereich und in der
Abb.3 zeigt, dass sich Solarzellen mit Wirkungs- Gerteintegration liegen (Abb. 6). In allen hier
graden von 20 % mit industrietauglichen Ver- erwhnten Technologiefeldern sind innovative
fahren auf 50 m dicken Wafern prozessieren Fertigungstechnologien von entscheidender Be-
lassen [2]. Fr eine kostengnstige Massenpro- deutung.
duktion dieser papierdnnen Wafer mssen
aber ber Forschung und Entwicklung noch
Farbstoffe und Abbildung 4
Jahr
III/V- organische Evolution photo-
Bnder-Si mono-Si multi-Si CVD-Si CdTe CIS a-Si Halbleiter Materialien
voltaischer Energie-
konversion
2000
Si = Silicium
CIS = Kupfer-Indium-
Diselenid
CuS/CdS
1954 mono-Si
1
CVD Chemical Vapor Deposition ist eine Herstellungsmethode fr Silicium Dnnschildsolarzellen. 7
2
III / V-Materialien bestehen aus Elementen der III. und V. Hauptgruppe des Periodensystems der Elemente.

FVS Themen 2003
Abbildung 5 Farbstoffsolarzellen (Abb. 6) haben unter

Flexibles Dnnschicht- Umstnden ebenso wie die organischen Solar-
modul auf Kupfer- zellen das Potenzial einer betrchtlichen
Indium-Diselenid Kostensenkung. Vor einer gromastblichen
(CIS)-Basis industriellen Umsetzung sind allerdings noch
umfangreiche Forschungs- und Entwicklungs-
anstrengungen notwendig.
100 %
Abbildung 7 80 %
Darstellung des hohen 60 %
Entwicklungspotenzials 40 %
der Photovoltaik
20 %
anhand der thermo- Flexible Module auf Kupfer-Indium-Diselenid Ts = 5777 K
0% Tc = 300 K
dynamischen (CIS)-Basis wie in Abb.5 dargestellt haben vor- 1 10 100 1000 10000
Wirkungsgradgrenzen aussichtlich berall dort einen Markt, wo es auf optische Konzentration
photovoltaischer geringes Gewicht, Robustheit und Biegsamkeit Fr die thermodynamischen Rechnungen wurde eine Tempe-
Energiekonversion [4] ankommt: in der Raumfahrt, im Freizeitbereich, ratur der Photosphre der Sonne von Ts = 5777 K und eine
Temperatur der Solarzellen von Tc = 300 K angenommen.
in gewlbten Glasflchen. Die Herstellung von = Wirkungsgrad
Solarmodulen direkt auf flexiblen und damit
aufrollbaren Trgerfolien verspricht zudem eine Wie in Abb. 7 dargestellt, hngen die prinzipiell
deutliche Senkung der Fertigungskosten [3]. erreichbaren Wirkungsgrade photovoltaischer
Energiekonversion vom verwendeten physikali-
schen Prinzip der Konverter (Architektur der
Abbildung 6 Solarzellen) und von der Intensitt der solaren
Farbstoffsolarzellen, Bestrahlungsstrke ab. Bei der heute verwende-
ein 30 cm x 30 cm- ten Architektur industrieller Solarzellen liegt
Modul, darunter La- ohne optische Konzentration die prinzipielle
bortestzellen Wirkungsgradgrenze bei etwa 30 %. Die besten
hocheffizienten industriellen Solarzellen zeigen
in der Massenproduktion Wirkungsgrade von
etwa 16 % (grner Punkt). Es wird
erwartet, dass ein Wirkungsgrad von 20 % auf
der Basis von Forschungs- und Entwicklungs-
anstrengungen in der industriellen Produktion
erreicht wird. Mit dem Konzept der Tandem-
solarzelle, bei dem mehrere fr einzelne Spektral-
bereiche des Sonnenlichtes optimierte Solar-
zellen monolithisch bereinander angeordnet
werden, lassen sich die Wirkungsgrade be-
trchtlich steigern bis zur theoretischen Grenze,
die als obere blaue Linie eingezeichnet ist. Bei
einer optischen Konzentration um den Faktor
300 und einer dreifach Tandemzelle lassen sich
heute Zellwirkungsgrade von knapp 37 %
(roter Punkt) erreichen [5].
Die Abbildung demonstriert eindrcklich das
hohe Entwicklungspotenzial der Photovoltaik.
Wirkungsgradsteigerungen mssen allerdings
auch und vor allem in Kostenreduktionen
umgesetzt werden.
8

FVS Themen 2003
Antireflex- und Passivier-

Licht
sierung des Lichtes bewirkt zum einen, dass Abbildung 8
schicht (SiN)
n+ miniaturisierte photovoltaische Elemente Hocheffiziente Solar-
hchsten Wirkungsgrades, wie z. B. Tandem- zellenstruktur:
solarzellen (siehe Bildunterschrift zu Abb. 7) bifaciale photovolta-
p-Siliz verwendet werden knnen. Zum anderen steigt ische Zelle mit Rck-
ium
der Wirkungsgrad photovoltaischer Energie- seitenkontakten [6]
konversion [8]. Photovoltaische Konverter dieses
Basis-Dicke
Typs haben das Potenzial, in greren Kraftwerks-
p-Kontakt (Al) einheiten eingesetzt zu werden. Die gezeigten
Licht n-Kontakt (Al) Konverter mssen dazu in geeigneten Modulen
gekapselt werden. Wegen der hohen optischen
Eine bifaciale Solarzelle wie in Abb. 8 kann Konzentration kann bei diesem Konzept nur die
sowohl Licht, das auf die Vorderseite einfllt, als direkte Sonnenstrahlung in elektrische Energie
auch Licht, das die Rckseite der Zelle erreicht, umgewandelt werden. Die Systeme werden da-
in elektrische Energie umwandeln. Beide elek- her mit hoher Przision der Sonne nachgefhrt.
trischen Kontakte sind auf der Rckseite ange-
bracht, dies ergibt von der Vorderseite gesehen Nach dem Konzept fr eine zuknftige verteilte
optisch einen sehr gleichmigen Eindruck. Stromversorgung wie in Abb. 10 dargestellt
Mit dieser industrienahen Solarzellenstruktur wird die Elektrizittsbereitstellung in Mitteleuropa
werden bei Vorderseitenbeleuchtung Wirkungs- aller Voraussicht nach auf drei wesentlichen
grade nahe 20 % erreicht. Bei gleichzeitiger Be- Sulen ruhen: zentrale und dezentrale Erzeugung
leuchtung von der Rckseite ist eine Steigerung in Mitteleuropa sowie Import solaren Stroms
der Ausgangsleistung um etwa 60 % mglich. aus dem Mittelmeerraum. Der importierte Strom
wird nach heutigem Wissensstand im Wesent- Abbildung 9
Sonne lichen in photovoltaischen und solarthermischen Kombination aus opti-
Kraftwerken erzeugt werden. Das Konzept der schem Konzentrator
optischer verteilten Erzeugung gestattet es, eine Vielzahl (hier Fresnel-Linse)
Konzentrator von Stromquellen, die auf erneuerbaren Quellen und hchsteffizienter
basieren, in Netzstrukturen zu integrieren: Tandemsolarzelle [7]
Solarzelle 30 % Wirkungsgrad
Solarzelleneinheiten, Windenergiekonverter,
Kleinwasserkraftanlagen, Biomassekraftwerke,
geothermische Konverter, etc. Aber auch
Wrmeabfuhr Stromerzeuger, die fossile Brennstoffe oder
Wasserstoff umsetzen, lassen sich vorteilhaft in
Abb. 9 symbolisiert, dass die optische Konzen- einem System verteilter Erzeugung einsetzen:
tration bei heutigen Laborsystemen Werte von Mikroturbinen und Blockheizkraftwerke, wie
bis zu einem Faktor 1000 erreicht. Die Fokus- zum Beispiel Brennstoffzelleneinheiten (BZ).
Abbildung 10
Wrme PV Industrie Windkraft Das Konzept
Strom der verteilten
Speicher
BHKW Stromerzeugung
zentrale
Erzeugung
Transport
Turbine/
Verteilung PV Generator
Biomasse
Import Kraftwerk BZ
9

FVS Themen 2003
Bei den letztgenannten Systemen wird insbeson- Literatur

dere die Nutzung der bei der Stromerzeugung
anfallenden Abwrme Vorort oder im Nahbe- [1] Eckpunktepapier des ForschungsVerbunds
reich stark erleichtert. Sonnenenergie fr ein neues Energie-
forschungsprogramm der Bundesregierung;
Bei Einsatz geeigneter Kommunikationstech- Berlin, Juni 2003
nologien und mageschneiderter Leistungs-
elektronik bietet die verteilte Erzeugung groe [2] G. Willeke und A. Ruber, Erfolge der
Chancen, die Netzqualitt, die Versorgungs- Photovoltaikforschung: Kristalline Silicium-
sicherheit und die effiziente Nutzung von Solarzellen, Themenheft 2003:
Energie zu erhalten, beziehungsweise in be- Photovoltaik Neue Horizonte
trchtlichem Umfang zu steigern. Jahrestagung des ForschungsVerbunds
Sonnenenergie, Berlin 2003
Schlussfolgerung [3] Neue Chalkopyrit (CIS)-Dnnschichtsolar-

zellen flexibel, leicht, effektiv. F. Kessler,
Bei der Lsung der eingangs erwhnten vier R. Scheer und M. Knges, Themenheft 2003
Problemkreise muss Forschung auf dem Feld Photovoltaik Neue Horizonte, Jahres-
der Photovoltaik drei Entwicklungsfenster tagung ForschungsVerbunds Sonnenenergie,
strategisch bercksichtigen: Berlin 2003
Weiterentwicklung der Technologie, die
heute das rasante Marktwachstum trgt [4] R. Sizmann, Solar Radiation Conversion,
Entwicklung von Technologien, die in Solar Power Plants, Springer 1991
am Horizont Profil gewinnen
Erforschung von Energiekonversions- [5] Wirkungsgradrekord Tandem mit optischer
verfahren, die teilweise noch jenseits des Konzentration. Zitat: Photon International,
Horizonts verborgen sind Juli 2003, Seite 17
Der vorliegende Beitrag konzentriert sich aus- [6] R. Hezel, Novel Back Contact Silicon Solar
schlielich auf das mittlere Fenster. Ziel ist es Cells Designed For Very High Efficiencies
zu zeigen, dass die Photovoltaik ein enormes And Low-Cost Mass Production, Proc.
physikalisches, technisches Entwicklungs- 29th IEEE Photov. Spec. Conf. New Orleans,
potenzial besitzt (Abb. 7) und, dass es Techno- 2002, S. 114
logien am greifbar nahen Horizont gibt,
mit denen dieses Potenzial erschlossen werden [7] A. W. Bett, C. Baur, R. Beckert, F. Dimroth,
kann. Alle diese neuen Verfahren der solaren G. Letay, M. Hein, M. Meusel, S. Riesen v.,
Energiekonversion bieten die Chance, die U. Schubert, G. Siefer, O. V. Sulima,
Kosten photovoltaisch erzeugten Stroms auch T. N. D. Tibbits, Development of High-
in Zukunft weiter drastisch zu senken. Efficiency GaInP/GaInAs-GaSb Triple-Junction
Concentrator Solar Cells, Proceedings of
the 17th European Photovoltaic Solar
Energy Conference and Exhibition, Munich,
Germany, 2001, pp. 84 87
[8] P. Wrfel, Physik der Solarzellen,

Spektrum Akademischer Verlag, 1995
10
1_Erfolge_2003_Lay02.qxd 23.02.2004 10:09 Uhr Seite 11
Erfolge der
Photovoltaik-Forschung
Kristalline Silicium-Solarzellen
Dnnschicht-Solarzellen auf der Basis

von amorphem und mikrokristallinem Silicium
Dnnschicht-Solarzellen auf der Basis

PV-Anlagen Bewhrung und Herausforderung
11
Dr. Gerhard Willeke Kristalline Silicium-Solarzellen

FVS Themen 2003
Kristalline Silicium-Solarzellen
Dr. Gerhard Willeke Marktentwicklung Rohrsilicium (EFG)2 der Firma RWE Schott Solar
Fraunhofer ISE1 sind ebenfalls sehr wichtige Forschungserfolge,
gerhard.willeke@ Der weltweite Photovoltaikmarkt hat sich in den die aber mit je etwa 5 % Marktanteil derzeit
ise.fraunhofer.de
letzten 20 Jahren mehr als verhundertfacht eine geringere Rolle im Photovoltaik-Weltmarkt
(Abb. 1), und immer war die kristalline Silicium- spielen. In diesem Beitrag konzentrieren sich die
Dr. Armin Ruber
Technologie marktbeherrschend. Whrend Autoren daher auf die Kerntechnologien der
Projektgesellschaft Solare
anfangs nur monokristalline Si-Wafer eingesetzt waferbasierten Solarzellen aus einkristallinem
Energiesysteme PSE GmbH
wurden, hat das blockgegossene multikristalline und blockgegossenem Silicium.
raeuber@pse.de
Silicium mit einem Marktanteil von 50 % im
Jahre 2002 das einkristalline Silicium (40 % in Die Entwicklung des weltweiten Marktes wurde
2002) berflgelt. Hier hat sich eine Material- in den letzten 10 Jahren durch gezielte Markt-
technologie, die nur auf die Photovoltaik einfhrungsprogramme vor allem in Japan,
abgestimmt ist, allmhlich nach vorne geschoben. Deutschland und den USA voran getrieben
Das amorphe Silicium sowie das Band- bzw. das (Abb. 2) [1]. Die Initialzndung dazu gab das
deutsche Tausend-Dcher-Programm Anfang
Abbildung 1 300 MWp /a der 90er Jahre, welches allerdings keine konse-
Zeit
Stammbaum des quente Fortsetzung erfuhr. Diese Idee einer
Photovoltaik-Welt- 2000 Markteinfhrung wurde Ende 1993 von den
marktes: Marktanteile Japanern mit ihrem Residential Roof Program
der verschiedenen amorphes Si Bnder-Si in grerem Mastab aufgegriffen und konse-
Technologien quent umgesetzt. Bis Ende 2002 wurden dort
ber 140.000 Systeme mit einer Gesamtleistung
mono kristallines Si multi kristallines Si
Abbildung 2 von 650 MW installiert.
1990
Entwicklung der jhrlich Die USA haben 1997 ein Eine-Millionen-Dcher-
installierten PV- Programm angekndigt. Dieses Programm
Systemspitzenleistung ist aber bisher eine Absichtserklrung geblieben,
in den drei fhrenden da das Federal Government fr den Endver-
Nationen [2] und braucher keinerlei Frdermittel bereitstellte.
kumulierte Leistung in 1980 Die in den letzten Jahren beobachtete Markt-
MW pro Land ausweitung in den USA beruht auf ehrgeizigen
Frderprogrammen weniger Bundesstaaten,
MWp
aber auch auf dem Wunsch vieler Brger nach
kumulierte Leistung
einer Notstromversorgung, angestoen durch
200
JPN 650 hohe Strompreise in der Spitzenlastzeit und
1T-Dcher 100T-Dcher EEG D
durch spektakulre Netz-Zusammenbrche.
150
1Mio. Dcher USA
Die deutsche Politik hat spt aber mit einer
100
D 300 doppelten Markteinfhrungsstrategie reagiert:
70T Dcher JPN
Im Jahr 1999 wurde das Hundert-Tausend-
50 USA 200
Dcher-Programm mit zinsgnstigen Krediten
0 aufgelegt. Zusammen mit der ein Jahr spter
1992 1994 1996 1998 2000 2002 eingefhrten Gewhrleistung einer Stromein-
Jahr speisevergtung im Rahmen des Erneuerbare-
1Fraunhofer ISE, Zweigstelle in 45884 Gelsenkirchen, Auf der Reihe 2

12
2 Edge Defined Film-fed Growth

FVS Themen 2003
Energien-Gesetzes (EEG) hat dies zu einer krftig Forschungsmittel

steigenden Nachfrage gefhrt. Bis Ende 2002 und Programm
wurden in Deutschland insgesamt 300 MW an
Photovoltaik-Systemleistung installiert. Trotz Von Anfang an haben besonders die USA, Japan
dieser Anstrengungen hat die japanische Industrie und Deutschland die Photovoltaik-Forschung
aufgrund des konsequenten Ausbaues eines intensiv gefrdert, und dies hat stark zu der
Binnenmarktes den Vorsprung von etwa drei industriellen Vormachtstellung dieser Lnder
Jahren beim Ausbau der industriellen Fertigung beigetragen. Inzwischen bildet Deutschland bei
halten knnen. den ffentlichen Photovoltaik-Forschungsmitteln
Durch die Stimulierung des deutschen Binnen- im Vergleich mit den USA und Japan leider das
marktes haben in den letzten Jahren auch die Schlusslicht (Abb. 4). Die Forschungsfrderung
deutschen Zell- und Modulhersteller ihre hat sich in Deutschland den letzten 10 Jahren
Fertigungskapazitten ausgebaut. Zu den Zell- kontinuierlich verringert, so dass die Schere im
produzenten auf Basis von Silicium-Wafern internationalen Vergleich immer weiter aufgeht.
gehren die Firmen RWE Schott Solar in Alzenau Hlt diese Entwicklung an, wird leichtfertig die
mit 25 MW gefertigten Zellen in 2002, Shell gute technologische Position aufs Spiel gesetzt.
Solar in Gelsenkirchen mit 9 MW, ErSol in Erfurt Denn die deutsche Photovoltaik-Forschung hat
mit 9 MW, Q-Cells in Thalheim bei Bitterfeld sich international einen guten Ruf erworben.
mit ebenfalls 9 MW, Sunways in Konstanz mit
5 MW [2] und Deutsche Cell in Freiberg mit Ein Rckblick auf die deutsche Forschungsland-
1 MW. Die drei grten deutschen Modul- schaft der letzten 20 Jahre ist recht aufschluss-
hersteller in 2002 waren die SolarFabrik (Frei- reich. Eine in diesem Zusammenhang wichtige
burg, 7,2 MW), Solon (Berlin, 6 MW) und Informationsquelle sind die Statusberichte des
Shell Solar (Mnchen, 5 MW) [2], wobei der Bundesministeriums BMFT bzw. BMBF [3]. Hier
Standort in Mnchen mittlerweile geschlossen erkennen wir Mitte der 80er Jahre eine starke
wurde. Insgesamt wurden im Jahr 2002 knapp direkte Frderung der damals beteiligten
40 MW an kristallinen Silicium-Modulen in Industriefirmen wie Wacker, Siemens, AEG
Deutschland gefertigt. Telefunken und Bayer. Wir sehen erste Verbund-
projekte zwischen dem Fraunhofer ISE und Abbildung 3
[MWP] Produktion Installation Industriepartnern wie Siemens Solar (heute in Vergleich der in 2002
Wafer Zellen Module Inverter Systeme Shell Solar aufgegangen) und der Telefunken hergestellten PV-
JPN 245 260 184 electronic (heute in RWE Schott Solar aufge- Systemkomponenten
D 87 60 42 165 83 gangen). Die Universitt Erlangen hat damals und installierten
USA 121 78 44 schon Pionierarbeit geleistet auf dem Gebiet Systeme in Deutsch-
des Technologie-Transfers aus der Universitt in land, Japan und USA [2]
Summe 426 380 311 die Industrie durch die Lizensierung der so-
genannten MIS-Solarzelle (Metal Insulator Abbildung 4
Bei der Fertigung von System-Komponenten Semiconductor) an die Firma NUKEM. Vergleich der Entwick-
und bei der System-Installation steht die Im Wettbewerb mit der Universitt Erlangen hat lung der jhrlichen
deutsche Industrie im internationalen Vergleich ffentlichen Photo-
sehr gut da. Wie Abb. 3 zeigt, ist Deutschland Mio. voltaik-Forschungs-
stark in der Inverter- und Wafer-Produktion. 180 mittel der USA, Japan
Auch auf dem Gebiet des Anlagenbaus haben 160 und Deutschland
sich deutsche Unternehmen eine starke Position 140
erarbeitet und vertreiben weltweit Gerte und 120 kumuliert
Fertigungstechnologie. Aber bei den Solar- 100
USA 1845
modulen ist unsere Auenhandelsbilanz noch 80
deutlich negativ. Im letzten Jahr wurde die 60 JPN 1210
Hlfte der installierten Module importiert. 40

Dies wird sich bei den Ausbauplnen und 20 D 735
-manahmen der deutschen Industrie in den 0
nchsten Jahren aber absehbar ndern. 1975 1979 1983 1987 1991 1995 1999 Jahr 13

FVS Themen 2003
auch die Universitt Konstanz an der MIS-Solar- der Flachglas Solartechnik in Kln untersucht;
zelle geforscht. Diese MIS-Technologie, eine eine Aktivitt, die jetzt von der Deutschen Solar
Alternative zum blicherweise diffundierten in Freiberg erfolgreich weitergefhrt wird.
Emitter, hat sich aber in der industriellen Ferti-
gung bislang nicht durchgesetzt.
Etwa 10 Jahre spter, also Mitte der 90er Jahre, Meilensteine und Stand
hat sich das Bild deutlich gewandelt. Die Firma der Technologieentwicklung
Wacker ist aus der Blockgussentwicklung aus-
gestiegen, die sie Ende der 60er Jahre in einer Die kristalline Silicium-Solarzelle feiert im Jahr
Pionierleistung begonnen hatte [5]. Diese Technik 2003 ihren 50. Geburtstag. Wenn man zurck-
wurde von der Firma Bayer Solar erfolgreich geht in der Geschichte der kristallinen Si-Solar-
weitergefhrt und befindet sich mittlerweile in zelle so erkennt man, dass alle wesentlichen
den Hnden der Deutschen Solar in Freiberg. Technologieschritte wie Oberflchen-Texturierung
und -Passivierung, Siebdruck-Metallisierung und
1953 Erste SZ aus krist. Si, d=1mm, p auf n, Emitter Wrap-Around, = 6 % das so genannte Back Surface Field (BSF), also
1956 10 %-Si-Solarzelle eine starke p+-Dotierung auf der Zellrckseite,
bereits vor 1978 im Labor realisiert wurden,
1958 Erster solarbetriebener Satellit
also in den ersten 25 Jahren der Entwicklungs-
1962 n auf p, Frontfingergrid, = 13% geschichte (Abb.5). Der beste Laborzellenwir-
1968 Back Surface Field BFS kungsgrad aus dieser Periode, mit 17,5 % auf
1968 Blockgussexperimente fr Infrarotoptik
kleinen Flchen, kann heute etwa 30 Jahre
spter nach viel Forschung und Entwicklung
1974 Flachere (0.25 m) Emitter, Zufallspyramidenfronttextur, = 17.5 %
auf groen Flchen in der industriellen Fertigung
1975 Siebdruckkontakte erzielt werden.
1976 Oxid-Oberflchenpassivierung
Auch das Blockgussverfahren zur Herstellung
multikristallinen Siliciums wurde schon Ende der
Abbildung 5 Anfang der 90er Jahre wurde ein groes Ver- 60er Jahre bei der Firma Wacker entwickelt.
Meilensteine der bundprojekt (DIXSI) unter Beteiligung vieler Damals arbeitete man an einem Gieverfahren
Technologieentwicklung Universitten und Forschungsinstitute gestartet fr Silicium zur Herstellung von Bauelementen
der kristallinen Si-Solar- mit dem Ziel, ein besseres Verstndnis des fr die Infrarotoptik [5]. Daraus entstand in den
zelle: die ersten 25 Jahre Einflusses von Defekten in einkristallinem und 80er Jahren das sogenannte SILSO-Verfahren
multikristallinem Silicium auf die Herstellung fr die Photovoltaik. Wacker stellte damals
von Solarzellen zu gewinnen. Dieses Projekt ist 430 x 430 mm2 groe Blcke her und sgte
als sehr erfolgreich einzustufen und wurde von Scheiben, die dann bei der AEG in Wedel zu
den kooperierenden Industriefirmen Bayer, 10 cm x 10 cm groen Solarzellen mit 12 % Wir-
Siemens, Wacker und Freiberger Elektronikwerk- kungsgrad verarbeitet wurden. Am Fraunhofer
stoffe besonders gelobt. Die dabei erarbeiteten ISE wurden jngst solche alten Silicium-Scheiben
neuen Messverfahren zur Sichtbarmachung aus der Schublade gezogen und daraus Zellen
von Verlustmechanismen und eine Verbesserung mit einem Wirkungsgrad von 15 % gefertigt [7].
von Solarzellenprozessen fhrten direkt zu einer Daran erkennt man, welche groen Fortschritte
Ausbeute- und Wirkungsgradsteigerung in der bei der Prozesstechnologie gemacht wurden.
industriellen Fertigung. Heute versteht man viel besser, wie man das
Material behandeln muss, um die grtmgliche
Im Bereich Solarzellen- und Modultechnik wurde Solarzellenleistung herauszuholen.
an der Universitt Konstanz die sogenannte
POWER-Zelle, eine mechanisch texturierte In der zweiten Hlfte der Entwicklung, also in den
semitransparente kristalline Si-Solarzelle ent- letzten 25 Jahren, wurden Fortschritte bei den
wickelt, die inzwischen bei der Firma Sunways ein- und multikristallinen Silicium-Solarmodulen
in Konstanz in Produktion gegangen ist. Auch erzielt, die in den Abb. 6 und 7 verdeutlicht sind:
14 erstes Recycling von Solarmodulen wurde bei Die ersten einkristallinen Siliciumsolarzellen

FVS Themen 2003
kamen aus der Raumfahrt und hatten einen einen Modulwirkungsgrad von knapp 6 % [6].
Durchmesser von 50 mm. Die aus ihnen gefer- Heutige Module mit standardmig
tigten Module hatten einen Modulwirkungs- 125 cm x 125 cm groen Zellen liegen im Bereich
grad von 8 % [5]. Heutige Module haben 10 14 % Modulwirkungsgrad, mit typischer-
125 cm x 125 cm quasiquadratische Zellen mit weise knapp 13 %. Auch bei den multikristallinen
einem Modulwirkungsgrad im Bereich von Solarzellen wurde die Waferdicke im Laufe der
11 bis 15 %, wobei der durchschnittliche Wir- Zeit auf 300 m reduziert, und eine Zellgre
kungsgrad bei 13 14 % liegt. Die Wafer sind in von 150 mm x 150 mm beginnt sich derzeit
dieser Zeit dnner geworden, und zwar von bereits als Industriestandard durchzusetzen.
400 auf ca. 300 m und an einer vollquadrati-
schen Technologie von 150 cm x 150 cm wird
bereits gearbeitet. Das erfordert die Herstellung
von einkristallinen Czochralski3-Kristallen mit Zusammenfassung und Ausblick
einem Durchmesser von 220 mm.
Die kristalline Si-Solarzelle feiert dieses Jahr
Die ersten multikristallinen Silicium-Minimodule ihren 50. Geburtstag. In den ersten 25 Jahren
bei AEG-Telefunken mit 10 cm x 10 cm groen, wurden die Grundlagen fr die heutige Wafer-
damals noch sehr feinkristallinen Zellen hatten technologie und die heutige Zellstruktur gelegt
Abbildung 6
125 mm Einkristalline Silicium-
d=300 m Solarmodule vor
25 Jahren (links) und
modernes Modul, heute (rechts) [5]
Pmax = 160 Wp
50mm m= 12,1%
d=400m
Shell Solar, 2003
Pmax = 8,5 Wp, = 7,9 %

Produktbereich:
Raumfahrtsolarzellen fr die Terrestrik 85 < Pmax [Wp] < 180
AEG-Telefunken, 1978 11% < = 15 %
125 mm
Abbildung 7
d=300 m
Blockguss-Siliciumsolar-
zelle und Module vor 25
Jahren (links) und heute
modernes Modul,
(rechts) [5]
Pmax = 160 Wp
m= 12,7 %
d=400m
Si-Solarzelle BP Solar, 2003
Produktbereich:
Pmax = 6,2 Wp, = 5,7 % 85 < Pmax [Wp] < 180
Experimentalmodul 11% < = 15 %
AEG-Telefunken, 1978
3 Mit Czochralski bezeichnet man ein spezielles Kristallzchtungsverfahren. 15


FVS Themen 2003
und ein aus heutiger Sicht kleiner aber wirt- 5. Literatur

schaftlicher Markt im Weltraum gefunden. In
den folgenden 25 Jahren bis heute wurde der [1] A. Ruber, W. Warmuth und W. Wettling,
Einstieg in die Massenfertigung geschafft und Die PV-Szene heute Markt, Industrie,
ein mehrere hundertmal grerer terrestrischer Technologie, 17. Symposium Photo-
Markt erffnet. Die Zellstruktur ist dabei im voltaische Solarenergie, 13. 15. Mrz 2002,
Wesentlichen gleich geblieben. Die Silicium- Kloster Banz, Staffelstein:
scheiben wurden mit der Zeit geringfgig OTTI Energie-Kolleg, 2002
dnner, dafr aber wesentlich grer und be-
tragen heute oft schon 15 cm x 15 cm. Die [2] Trends in Photovoltaic Applications,
derzeit industriell gefertigten Solarzellen und Report IEA-PVPS T1-12:2003, International
Module sind aufgrund von Material- und ins- Energy Agency, August 2003,
besondere Prozessverbesserungen im Vergleich www.iea-pvps.org
zu 1978 nun wesentlich effizienter, nmlich
um durchschnittlich 5 % absolut bei durch- [3] Statusreport 1987 Photovoltaik, Projekt-
schnittlichen Modulwirkungsgraden von etwa leitung Biologie, kologie, Energie (PBE)
13 % mit Spitzenwerten von 15 %. des Bundesministeriums fr Forschung und
Technologie (BMFT), Kernforschungsanlage
Innerhalb der nchsten 25 Jahre werden wir KFA Jlich
voraussichtlich ein weiteres Marktwachstum um
einem Faktor von 100 1000 sehen, und die [4] Statusreport 1996 Photovoltaik. Projekt-
Photovoltaik wird dann einen signifikanten trger Biologie, Energie, kologie (BEO)
Beitrag zur weltweiten Stromerzeugung leisten. des Bundesministeriums fr Bildung,
Fr diesen berschaubaren Zeitraum wird die Wissenschaft, Forschung und Technologie
kristalline Si-Technologie ihre Vormachtstellung (BMBF)
wohl behalten. Die technologische Entwicklung
wird sich auf die Erhhung des Wirkungsgrads [5] D. Helmreich, The Wacker Ingot Casting
und die Erarbeitung von kostengnstigen Process, Chapter 2 in C.P. Khattak and
Fertigungsverfahren konzentrieren. Die Wafer- K.V. Ravi, Silicon Processing for Photo-
gre wird sicher noch etwas weiterwachsen voltaics II, Elsevier, 1987
auf 20 cm x 20 cm, wobei die Scheiben im dann
folgenden Schritt wesentlich dnner werden, [6] H. Gochermann, W. Pschunder, G. Wahl,
mglicherweise unter 100 m. Die Modul- Experimentalstudie zur Entwicklungs-
wirkungsgrade in der industriellen Massen- definition von terrestrischen Solarzellen-
fertigung werden kontinuierlich weiter steigen, Generatoren, BMFT Forschungsbericht
insbesondere beim einkristallinen Silicium, auf T79-143, Fachinformationszentrum
durchschnittliche 18 % mit Spitzenwerten um Energie, Physik, Mathematik,
20 %. Die Steigerung der Modulwirkungsgrade Kernforschungszentrum Eggenstein,
wird dann allerdings langsam in eine Sttigung Dezember 1979
gehen, wobei die Solarzellen bei gleichbleibenden
Wirkungsgraden wohl immer dnner werden. [7] R. Schindler, persnliche Mitteilung, 2003
Dass dies mglich ist, zeigen bereits heutige
Laborergebnisse.
Eine auf PV abgestimmte Materialherstellung

wird sich mehr und mehr durchsetzen, wobei
schon im nchsten Jahrzehnt eine rohstoff-
mige Entkoppelung von der Mikroelektronik
realisiert werden wird.
16
Dr. Bernd Rech Dnnschichtsolarzellen auf der Basis von amorphem und mikrokristallinem Silicium
FVS Themen 2003
Dnnschichtsolarzellen
auf der Basis von amorphem und
mikrokristallinem Silicium
Einleitung 1. Entwicklung von Dr. Bernd Rech
FZ-Jlich
Solarzellen und Solarmodulen
b.rech@fz-juelich.de
Solarzellen aus amorphem, Wasserstoff-dotiertem aus amorphem Silicium
Silicium (a-Si:H) werden heute erfolgreich Peter Lechner
in vielen Anwendungen zur Stromerzeugung
RWE SCHOTT Solar GmbH
eingesetzt. Die besonderen Vorteile der Silicium- Die elektronenmikroskopische Aufnahme in
Peter.lechner@
Dnnschichttechnologie sind: Abb. 1 zeigt den Querschnitt durch eine a-Si:H- solar.rwesolutions.com
Die verwendeten Materialien sind praktisch Solarzelle. Die Siliciumschichten, in denen das
unbegrenzt verfgbar. Sonnenlicht in elektrischen Strom umgewandelt
Die Solarmodule bestehen aus kologisch wird, sind zwischen einer transparenten Front-
unbedenklichen Bestandteilen. kontaktschicht, dem TCO (Transparent Conduc-
Bei der Herstellung sind nur niedrige Prozess- tive Oxide), und einer Metallschicht eingepackt.
temperaturen erforderlich, was einerseits die Als Substrat dient Glas. Die Funktionsweise von
Verwendung kostengnstiger Substrat- Silicium-Dnnschichtsolarzellen wird im Beitrag
materialien ermglicht (zum Beispiel von Fuhs et al. [2] genauer beschrieben. Eine
Fensterglas) und andererseits den Energie- nachteilige Eigenschaft von Solarzellen aus
verbrauch bei der Herstellung senkt. Daraus a-Si:H ist der sogenannte Staebler-Wronski-
resultieren kurze Energiercklaufzeiten [1]. Effekt. Dieser fhrt dazu, dass der Wirkungsgrad
Die Herstellung mit Plasmadepositions- der Solarzellen im Laufe des Betriebs bis zu
verfahren ermglicht die Beschichtung einem Sttigungswert abnimmt. Dieser stabile
groer Flchen. Daraus ergibt sich das Wirkungsgrad ist die entscheidende Gre fr
Potenzial fr signifikante Kostensenkungen. a-Si:H-Solarzellen und wird fr Solarmodule
Die Dnnschichttechnologie erlaubt eine von den Herstellern spezifiziert. Dabei liegt
integrierte Serienverschaltung der Solarzellen der Anfangswert je nach Bauweise um relativ
zu Solarmodulen und damit auch eine 10 30 % ber dem stabilen Wirkungsgrad.
einfache Anpassung der Modulspannung.
Abbildung 1
RWE SCHOTT Solar und das Forschungszentrum 1m Querschnitt einer
Jlich verfolgen in ihrer bereits seit 1993 Silicium-Dnnschicht-
bestehenden Kooperation zwei zentrale Ziele: solarzelle aufgenommen
Eine konsequente Weiterentwicklung der mit einem Raster-
bestehenden a-Si:H-Technologie und parallel TCO elektronenmikroskop
dazu die Entwicklung einer neuen Generation (Aufnahme: RWTH
von Silicium-Dnnschichtsolarmodulen mit Aachen)
deutlich verbessertem Wirkungsgrad. Im ersten
Teil des Artikels wird die a-Si:H-Solarzellen-
technologie kurz vorgestellt und weitere Silicium
spezifische Vorteile von a-Si:H-Solarmodulen
aufgezeigt. Eindrucksvolle Beispiele sind die
vielfltigen Anwendungen der Module im
Bereich der Gebudeintegration. Dieser Teil
Ag
zeigt aktuelle Forschungsergebnisse zum
mikrokristallinen Silicium (c-Si:H) und zu
Tandemzellen aus a-Si:H und c-Si:H. 17
FVS Themen 2003
Die Entwicklung von a-Si:H-Solarzellen mit D. h. wenn die Temperatur des Solarmodules im
mglichst hohem stabilem Wirkungsgrad ist Betrieb steigt, so nimmt der Wirkungsgrad um
eines der zentralen Themen in der Kooperation 0,1 % pro Grad Temperaturerhhung ab. Dabei
zwischen RWE SCHOTT Solar (RSS) und ist zu beachten, dass Solarmodule unter Stan-
dem Forschungszentrum Jlich. Dabei umfasst dardtestbedingungen (STC) bei 25 C gemessen
die Kooperation, neben dem Transfer von und spezifiziert werden. Die Betriebstemperatur
Forschungsergebnissen aus dem Labor in die in der Anwendung liegt typischerweise im
Produktion, die Zusammenarbeit bei der Bereich 50 C. Fr kristallines Silicium betrgt
Entwicklung von TCO-Schichten (Transparent der Temperaturkoeffizient meist ca. 0,4 % /C
Conductiv Oxid), die Analyse von Problemen in [3], wodurch die relative Abnahme des Wir-
der Produktion sowie die Entwicklung von kungsgrads mit steigender Betriebtemperatur
zuknftigen Dnnschichtsolarmodulen auf der hher ist als bei a-Si:H-Solarzellen ist.
Basis von amorphem und mikrokristallinem
Silicium. Ergebnisse der Zusammenarbeit haben Unabhngige Studien wie zum Beispiel die
bereits zur heutigen a-Si:H/a-Si:H-Stapelzellen- Studie von Jardine [4] besttigen diese Vorteile
technologie von RSS beigetragen. Dabei betrgt der a-Si:H-Technologie (Abb. 2). In einem
der stabile Modulwirkungsgrad derzeit 6 %. mediterranen Klima (z. B. Mallorca) zeigten die
a-Si:H-Solarmodule von RWE SCHOTT Solar
eine im Mittel um 22 % und in England (UK)
kWh/kWp Jhrlicher Energieertrag in Mallorca und in UK eine um 17 % hhere Energieausbeute pro
1800 installierter Modulleistung als kristalline Silicium-
1600
1400 Solarmodule. Dabei wurde die Modulleistung
1200 unter STC-Bedingungen bestimmt.
1000
800
600
400
200
0
2. Solarmodule aus amorphem
Mallorca, Spain
Oxford, UK
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40
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Silicium Anwendungen in
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der Gebudeintegration
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Si
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Ihre besonderen Vorteile zeigt die a-Si:H-Solar-

Abbildung 2 Die a-Si:H-Technologie zeigt einige Besonder- zellentechnologie bei Anwendungen im Bereich
Jhrliche Energieausbeute heiten, die den im Vergleich zur kristallinen der gebudeintegrierten Photovoltaik (BIPV
pro installierter Peak- Silicium-Wafertechnologie niedrigen Wirkungs- building integrated PV). Hier ist das Solarmodul
leistung fr verschiedene grad teilweise kompensieren. Neben der spezifi- ein Baustoff, der integriert in Gebuden ver-
Modultechnologien [4] zierten Modulleistung, die natrlich zunchst schiedene Aufgaben wie Wrmeschutz, Abschat-
das zentrale Kriterium ist, bestimmen der Tem- tung, Blendschutz und Design mit Elektrizitts-
peraturkoeffizient und weitere Abhngigkeiten erzeugung verknpft. Die Anwendung von
die Energieausbeute eines Solarmoduls in der a-Si:H-Solarmodulen in Gebuden ist vielfltig.
Anwendung: Der Temperaturkoeffizient betrgt Dcher, Fassaden, Markisen, Fenster und Tren
fr a-Si:H-Solarmodule nur etwa 0,1 % /C. knnen mit Photovoltaik kombiniert werden.
Die Substratgre fr die Herstellung der
Abbildung 3 Solarmodule ist durch die Depositionsanlagen
Back contact
Semitransparente a-Si/a-Si zur Halbleiterfertigung vorgegeben. Allerdings
TCO
Solarzellenstruktur knnen durch Schneiden und Laminatbildung
(ASITHRU-Design) Module an die spezifischen Gren des
gewnschten Bauelements angepasst werden.
Die Herstellung von Silicium-Dnnschichtsolar-
Glass modulen auf Glas ermglicht zusammen mit
modernen Lasertechniken auch die Realisierung
18 von semitransparenten Solarmodulen. Hierbei
FVS Themen 2003
wird ein kleiner Teil der aktiven Solarzelle Abbildung 4

entfernt. Dieses Abtragen der Schicht kann bei- Sdfassade der RWE
spielsweise senkrecht zu den Linien der inte- SCHOTT Solar Fabrik,
grierten Serienverschaltung erfolgen und ist in SmartSolarFab
Abb. 3 schematisch dargestellt. Dadurch ent-
steht ein durchsichtiges, feines Raster, das die
farbneutrale Sicht durch das Solarmodul er-
mglicht (siehe Abb. 4). Der Transmissionsgrad
kann kundenspezifisch gewhlt werden und
betrgt typischerweise 10 %. Da das transmittier-
te Licht nicht in der Solarzelle genutzt wird, ver-
ringert sich der Wirkungsgrad zwar entsprechend, Abbildung 5
gleichzeitig erfllen die semitransparenten Semitransparentes
Module dafr aber wesentliche zustzliche Glasdach
Funktionen fr ein Licht- und Energiemanage-
ment im Gebude.
So ergeben sich sehr vielfltige und uerst
attraktive Mglichkeiten in der Anwendung und
im Design von opaken und semitransparenten
a-Si-PV-Elementen (ASITHRU) durch die
Kombination neuartiger und konventioneller
Techniken im Bereich der BIPV.
Abbildung 6
Betrachtung der Kosten Stillwell Avenue
Bei herkmmlichen Solarmodulen ist es blich, Terminal (Computer-
den Preis pro Peakwatt (WP) zu betrachten. simulation)
Bei BIPV-Elementen gibt man aber meist die
Kosten bzw. Preise pro Quadratmeter an. Dafr
sprechen die folgenden Argumente:
Die Kosten mssen mit konventionellen

Dach- oder Fassadenelementen verglichen
werden, die in der Regel pro Quadratmeter
kalkuliert sind.
sthetik und Design sind Werte, die individuell ministeriums war eines der ersten gebude-
beurteilt und quantifiziert werden mssen. integrierten PV-Projekte auf Basis der a-Si:H-
Die Energieausbeute setzt sich sowohl aus Technologie. Der erfolgreiche Betrieb seit neun
der erzeugten Elektrizitt als auch aus Jahren ist ein Beispiel fr die hohe Zuverlssig-
dem Gewinn aus thermischen Funktionen keit der a-Si:H-Module. Drei weitere Beispiele
zusammen. verdeutlichen die gestalterischen Mglichkeiten
mit semitransparenten Solarmodulen:
Die Photovoltaik ist in der Gebudeintegration Abb. 5 zeigt ein semitransparentes Glasdach.
ein additiver Wert, der nur mit den entstehenden Das 2,8 kWP-System verkoppelt Energieerzeu-
Mehrkosten verrechnet werden muss. Der gung mit einer Abschattung fr eine Cafeteria.
Spielraum fr Kostensenkungen ist in diesem Die Sdfassade der RWE SCHOTT Solar Fabrik
Bereich noch betrchtlich. in Alzenau (Abb. 4) ist mit einer ASITHRU
Doppelverglasung ausgestattet. Hier verknpft
Im Folgenden werden anhand einiger Beispiele die Fassade elektrische Energieerzeugung,
verschiedene Kombinationen von Funktion, Wrmeisolierung und Abschattung des Gebudes.
Design und sthetik vorgestellt, die mit der
a-Si:H-Technologie weltweit realisiert wurden. Ein 6000 m2 Dnnschicht-PV-Installations-Projekt
Die Solarfassade des bayerischen Umwelt- wird derzeit in der Stadt New York realisiert. 19
FVS Themen 2003
Das Stillwell Avenue Terminal wird mit 210 kWP Gegensatz zu a-Si:H-Solarzellen keine oder nur
die weltgrte gebudeintegrierte Dnnschicht- eine geringe lichtinduzierte Degradation und
solaranlage und bis Ende des Jahres 2004 nutzen auch den langwelligen Spektralbereich
realisiert sein. Die Abb. 6 zeigt eine Computer- des Sonnenlichts. Allerdings sind aufgrund der
simulation des Objekts. Die Solarmodule kleinen Absorptionskoeffizienten fr langwelliges
werden als berkopfverglasung ausgefhrt und Licht ein effektives light trapping und Schicht-
kombinieren transparente Glasbereiche mit dicken von 1 3 m notwendig (bei a-Si:H sind
a-Si:H PV-Komponenten. es nur ca. 0,3 m).
Solche c-Si:H-Solarzellen wurden bereits auf

einer Flche von 30 cm x 30 cm im Forschungs-
3. Eine neue Generation zentrum Jlich hergestellt und als Bottomzellen
von Silicium-Dnnschicht- in a-Si:H/c-Si:H-Tandemsolarzellen eingesetzt.
Der Verlauf des Wirkungsgrads als Funktion der
solarmodulen Beleuchtungsdauer ist in Abb. 7 fr drei
verschiedene Silicium-Dnnschichtsolarzellen
Zentrales Thema in der Photovoltaikforschung dargestellt. Die a-Si:H Zelle zeigt eine deutliche
ist die Verbesserung des Wirkungsgrads als ein Degradation und stabilisiert bei einem
Weg zu Kostensenkung. In den letzten Jahren Wirkungsgrad von ca. 7 % Die mikrokristalline
haben sich Tandemsolarzellen aus amorphem Si:H-Zelle ist stabil und zeigt einen Wirkungs-
und mikrokristallinem Silicium als eine der viel- grad von 8,9 %. Den hchsten Wert liefert die
versprechendsten Konzepte fr die Dnn- Tandemzelle mit einem stabilisierten Wirkungs-
schichtphotovoltaik herausgestellt. Solarzellen grad von 11,2 %.
aus c-Si:H lassen sich wie a-Si:H mit dem
PECVD-Verfahren (Plasma Enhanced Chemical Um die a-Si:H/c-Si:H-Tandemzellentechnologie
Vapor Deposition) abscheiden. Sie zeigen im zur Produktionsreife zu bringen, wurde als erster
Schritt eine komplette Solarmodultechnologie
fr 30 cm x 30 cm am Forschungszentrum Jlich
Abbildung 7 12 aufgebaut, die seit einem Jahr in Betrieb ist. Ziel
Wirkungsgrad in ist die Realisierung von hohen Modulwirkungs-
a-Si:H/c-Si:H
Wirkungsgrad (%)
Abhngigkeit von der graden mit industrierelevanten Fertigungsver-

10 c-Si:H
Beleuchtungsdauer fahren. Neben der Entwicklung von Silicium-
a-Si:H
von verschiedenen schichten steht die Entwicklung von Lichtfallen
Silicium-Dnn- (light trapping) auf Basis von Zinkoxidschichten
schichtsolarzellen 8 (ZnO) im Vordergrund. Das Aufskalieren der
ZnO-Schichten erfolgt dabei mit industrienahen
Sputterverfahren. Die Verschaltung zu Solar-
6 modulen basierte zunchst auf einer Technologie
0 500 1000
von RWE SCHOTT Solar. Durch gemeinsame
Beleuchtungsdauer (h)
Entwicklungsarbeiten sind nun neue Laser-
verfahren zur Strukturierung des ZnO, des
Abbildung 8 c-Si:H und des metallischen Rckkontakts
Zwei a-Si:H/c-Si:H- im Labor etabliert.
Solarmodule vom
FZ-Jlich Funktionstchtige Module mit Abmessungen
von 10 cm x 10 cm und 30 cm x 30 cm werden
inzwischen vollstndig am Institut fr Photo-
voltaik (IPV) ausgehend vom Glassubstrat her-
gestellt (Abb. 8). Die monolithische Serienver-
schaltung erfolgt dabei ausschlielich mit
Laserprozessen. Abb. 9 illustriert das Potenzial
20 der a-Si:H/c-Si:H Tandemtechnologie am IPV
FVS Themen 2003
durch den Vergleich zweier Minimodule mit Dank

einer Substratgre von 10 cm x 10 cm. Die
stabilen Wirkungsgrade (bezogen auf die Apertur- Vielen Dank an die Kolleginnen und Kollegen
flche) betragen 10,2 % fr das a-Si:H/c-Si- in Putzbrunn und Jlich fr ihre Mitarbeit sowie
Modul und 6,5 % fr das a-Si:H/a-Si:H-Modul, dem BMBF und dem BMWA fr die finanzielle
das aus dem industriellen Produkt geschnitten Untersttzung.
wurde.
12
Literatur Abbildung 9
11 Vergleich zweier Mini-
Wirkungsgrad (%)
10 module (10 cm x 10 cm)

a-Si:H/c-Si:H auf text. ZnO [1] G. Hagedorn, Proc. 9th Eur. Sol. Energy
9 a-Si:H/a-Si:H (Industrie-Prozess
auf kommerziellem SnO2 Conf., Freiburg 1989, pp.542-545.
8
[2] W. Fuhs, H. Stiebig, S. Reber, Themenheft
7
2003 Photovoltaik Neue Horizonte, S. 42
6 FVS, Berlin 2003
0 200 400 600 800
Beleuchtungsdauer (h)
[3] K. Emery, J. Burdick, Y. Caiyem, D. Dunlavy,
H. Field, B. Kroposki, T. Moriarty,
Der Vergleich zeigt, dass Modulwirkungsgrade L. Ottoson, S. Rummel, T. Strand,
von 10 % mit der Silicium-Dnnschicht- M.W. Wanlass, Proc. 25th IEEE PVSC,
technologie erreichbar sind. Die Umsetzung Washington, DC (1996), p. 1275
in ein industrielles Produkt erfordert allerdings
noch groe Forschungs- und Entwicklungs- [4] C. N. Jardine, K. Lane, Proc. PV in Europe,
anstrengungen. Dieser Aufgabe stellt sich from PV Technology to Energy Solutions,
unsere Kooperation in gemeinsamen Projekten Rome 2002
mit der Untersttzung von weiteren Partnern
aus Forschung und Industrie.
Zusammenfassung
Solarzellen aus amorphem Silicium (a-Si:H)
werden heute erfolgreich in vielen Anwendungen
zur Stromerzeugung eingesetzt. Besonders
eindrucksvoll verdeutlichen dies Beispiele aus
dem Bereich der gebudeintegrierten Photo-
voltaik. Aktuelle Forschungs- und Entwicklungs-
ergebnisse zeigen ein groes Potenzial fr
weitere Kostensenkungen und Verbesserungen
des Wirkungsgrads.
21
Dr. Michael Powalla Dnnschichtsolarzellen auf der Basis von Verbindungshalbleitern

FVS Themen 2003
Dnnschichtsolarzellen auf der Basis

Dr. Michael Powalla Einleitung nur ausgeschpft werden, wenn es gelingt, die
ZSW Herstellung der Solarmodule groflchig in eine
Powalla@zsw-bw.de Um langfristig eine Kostenreduktion in der Serienproduktion umzusetzen.
Photovoltaik von ca. 5 % pro Jahr zu realisieren
Bernhard Dimmler wie vom EEG gefordert mssen mglichst In den FVS-Forschungseinrichtungen von ZSW,
Wrth Solar alle Reduktionspotenziale ausgeschpft werden. ISFH, HMI und in der Firma Shell Solar werden
bernhard.dimmler@ Ein ganz wichtiger Punkt ist dabei die Reduktion die Basistechnologien, Materialien und
we-online.de
des Materialeinsatzes und die groflchige, modifizierten Prozessanstze entwickelt. Durch
automatisierte Herstellungstechnik, die ins- diese kontinuierliche Forschung und Entwicklung
Karl-Heinz Gro
besondere in Industrielndern essentiell ist. Im konnten in Deutschland Pilotproduktionslinien
Wrth Solar
Gegensatz zur heutigen Standardtechnik, bei fr Module im Quadratmetermastab aufgebaut
Karl-Heinz.Gross@
we-online.de
der Siliciumscheiben mit ca. 10 cm x 10 cm und stabilisiert werden. Damit ist ein wichtiger
Gre und ca. 300 m Dicke eingesetzt werden, Nachweis erbracht: CIS-Solarmodule lassen
Dr. Susanne geht man in der Dnnschichttechnik andere sich auf Glas mit Wirkungsgraden von ber 12 %
Siebentritt Wege. Zum Beispiel in der Architekturglas- auf Flchen bis zu 0,7 m2 herstellen.
HMI technologie beschichtet man heute schon
siebentritt@hmi.de 3 m x 6 m groe Glasscheiben im 45 s-Takt. Da Schon 1975 konnten im Labor auf Flchen
man fr die photovoltaische Stromwandlung kleiner 1 cm2 Wirkungsgrade von ber 12 %
Dr. Rolf Reineke-Koch jedoch hochwertigere Schichten aus Halbleitern demonstriert werden [2]. Die ersten kommer-
ISFH bentigt, konnten solche Taktzeiten hier noch ziell erhltlichen Module kamen von Shell
r.reineke-koch@isfh.de nicht realisiert werden. Die Produktgren sind Solar im Jahr 1998 und von der Firma Wrth
heute im Maximum 60 cm x 120 cm. Andere Solar im Jahr 2000 auf den Markt. In diesen
Volker Probst Beispiele, wie z. B. die Flachdisplaytechnologie Pilotproduktionen von Shell Solar in Mnchen
Shell Solar [1] belegen eindeutig, dass die Kosten mit der und Wrth Solar in Marbach a. N. liegt der
Volker.V.Probst@si.shell.com Gre der produzierten Einheit sinken. Dies will Schwerpunkt auf der Produktionstechnologie.
man auch fr die Photovoltaik erreichen. Inzwischen haben sich CIS-Module in verschie-
denen PV-Anlagen bereits weltweit bewhrt.
Eine Option zur Kostenoptimierung in der Whrend die weltbesten CIS-Solarzellen in USA
Photovoltaik (PV) sind Dnnschichtsolarzellen [3] und Japan [4] auf Flchen kleiner 1 cm2 mit
basierend auf dem Absorbermaterial Wirkungsgraden ber 19 % hergestellt werden,
Cu(In,Ga)Se2. Bei diesem Solarzellentyp besteht ist man in Deutschland fhrend bei der Erwei-
die lichtabsorbierende Schicht aus den Elementen terung der Produktion auf groe Flchen.
Kupfer (Cu), Indium (In), Gallium (Ga) und
Selen (Se). Daher werden diese Solarzellen auch Die Anwendungen reichen von produktinte-
kurz CIS-Solarzellen oder CIGS-Solarzellen grierter Photovoltaik bis zu gebudeintegrierten
genannt. Die gesamte Solarzelle besteht aus Dnnschichtsolarzellen. Die typische Gre
einem Schichtaufbau von ca. 4 m Dicke, bisher installierter Anlagen liegt zwischen
welcher mit Beschichtungsverfahren auf ca. 1 und 50 kWP. Die CIS-Module zeigen stabile
Fensterglas aufgebracht wird. Das heit, eine Ertragsdaten, die mit den Werten von poly-
Schichtdicke von zwei tausendstel Millimetern kristallinen Siliciummodulen vergleichbar sind.
reicht aus, um das Sonnenlicht zu absorbieren.
Das Material ist sowohl bezglich Stchiometrie-
abweichungen als auch Defekten sehr tolerant,
so dass es auf quadratmetergroen Flchen mit
ausreichender Qualitt hergestellt werden kann.
22 Denn das hohe Kostenreduktionspotenzial kann

FVS Themen 2003
CIS-Dnnschichtsolarzellen + Kontaktband Kontaktband

aktive Flche Glas
ZnO: Al 1 m
Fr die Herstellung einer CIS-Solarzelle werden i-ZnO 0.05 m
insgesamt fnf verschiedene Schichten nach- CdS 0.05 m

CIGS 2 m
einander auf einen Glastrger aufgebracht. Mo 0.5 m
Diese Schichten werden mehrfach strukturiert, Glas 2 3 mm
sodass einzelne Zellen elektrisch in Serie P1 P2 P3 P1 P2 P3

verschaltet werden und ein photovoltaischer
Generator mit whlbarer Ausgangsspannung
monolithischer Kontakt
entsteht. Schlielich werden an den zwei
ueren Zellen Kontakte montiert und das auf 60 cm x 90 cm Glasscheiben aufgebracht Abbildung 1
Rohmodul zum Schutz vor Umwelteinflssen und diese Vorluferschicht in einem schnell Prinzipschnittbild eines
mit einem Deckglas versiegelt. Das Endprodukt aufheizenden Ofen kristallisiert. Um unkontrol- CIS-Dnnschichtsolar-
entsteht somit vom Rohglas bis zum fertigen lierbare Diffusion von Natrium aus dem Fenster- modules. Durch die
Solarmodul in einem geschlossenen Fertigungs- glas in die CIS-Schicht zu vermeiden, wird in den Herstellungs-
ablauf. Abb. 1 zeigt einen Schnitt durch ein zustzlich eine Barriereschicht zwischen Glas prozess integrierten
CIGS-Modul. Beispielhaft ist die serielle Ver- und Molybdn aufgebracht. Strukturierungsprozesse
schaltung zweier Einzelzellen, die in der Regel Die bentigte Na-Dotierung kann dann gezielt (P1, P2, P3) wird eine
ca. 6 mm breit sind, schematisch dargestellt. und homogen mit in die Vorluferschichten elektrische Serienver-
Die Gesamtdicke der Schichten betrgt nur eingebracht werden. Das Technologiekonzept schaltung der Einzel-
etwa 4 m. von Shell Solar in Mnchen ist eine Weiter- zellen realisiert, die als
entwicklung der Prozesse von Shell Solar in ca. 6 mm breite Streifen
Sowohl Frontseitenkontakt bestehend aus Camarillo Kalifornien, wo seit 1998 erfolgreich ausgefhrt werden.
Zinkoxid (ZnO) als auch Rckseitenkontakt CIS-Module der Gre 1" x 4" produziert werden.
bestehend aus Molybdn werden mit dem In Tab. 1 sind die aktuellen Spitzenwirkungs-
Kathodenzerstubungsverfahren deponiert. grade von CIS-Solarzellen und Modulen nach
Eine besondere Herausforderung stellt die der Gre sortiert aufgelistet. Die Spitzen-
Herstellung der photoaktiven Halbleiterschicht wirkungsgrade fr Module haben inzwischen
dar. Verschiedene Prozessvarianten werden Werte erreicht, die durchaus mit Werten von
im Folgenden beschrieben: polykristallinem Silicium aus der Produktion
Bei ZSW/Wrth Solar wird die CIS-Halbleiter- vergleichbar sind.
schicht auf einer Flche von 60 cm x 120 cm in Abbildung 2
einem Schritt im in-line oder Durchlauf- CIS-Modul
verfahren mittels Koverdampfung der Elemente (60 cm x 120 cm) aus
abgeschieden (Abb. 2). Das fr die Dotierung der Pilotlinie von Wrth
wichtige Natrium diffundiert whrend der Be- Solar GmbH & Co. KG
schichtung vom natriumhaltigen Glassubstrat in
die CIS-Schicht. Fr die Groflchenbeschich-
tung mussten zunchst thermische Verdampfer-
quellen mit senkrecht zur Bewegungsrichtung
homogenem Abstrahlprofil entwickelt werden.
Derzeit befindet sich die Abscheidung auf
60 cm Breite in der Pilotproduktion, wobei die
Verdampferquellen fr 120 cm Abscheidebreite
beim ZSW bereits erfolgreich getestet werden.
Die technologische Herausforderung besteht
hauptschlich in der Entwicklung der Verdam-
pferquellen und der Stabilisierung des Prozesses.
Bei dem Shell Solar Verfahren werden die

Materialien Cu, In, Ga und Se durch Kathoden-
zerstubung und Verdampfung zunchst einzeln 23

FVS Themen 2003
Tabelle 1 Spitzenwirkungsgrade von CIS-Solarzellen und Modulen

Spitzenwirkungs-
Flche
grade von CIS-
Zelle [cm2] Modul [cm2] Wirkungsgrad [%] Jahr Labor /Firma Bemerkung
Solarzellen und
Modulen 0,5 19,2 2003 NREL (USA) [3] 3-Stufen-Prozess, Labor
0,5 18,6 2003 NREL/AGU (J) [5] beste Cd-freie Laborzelle
16 16,6 2000 SC (S) [6] Laborprozesse
18,9 14,7 1999 Siemens [7] sequentielle Prozessierung
736 12,9 2003 ZSW [8] Ko-Verdampfung, Cd-frei
864 14,2 2003 Showa Shell (J) [9] sequent. Prozess., Cd-frei
3651 12,1 1999 Shell Solar (USA) [10] sequentielle Prozessierung
4938 13,1 2003 Shell Solar [11] sequentielle Prozessierung
6507 12,2 2003 Wrth Solar/ZSW [8] Ko-Verdampfung
Industrielle Produktion von Prozesse durch Vermeiden von typischen Fehlern

CIS-Modulen wie z. B. Glasbruch, Haftungsproblemen der
Schichten auf dem Glastrger. Ganz entscheidend
war die Einfhrung einer ganzheitlichen Prozess-
Fr die Produktion ist es entscheidend, dass die kontrolle und Datenerfassung. Zur Analyse
Ausbeute der Einzelprozesse hoch genug ist, tiefer liegender Effekte werden vom ZSW
um eine Gesamtausbeute von mindestens 85 % produktionsbegleitende Methoden wie Thermo-
zu realisieren. Dies ist in der Fertigung von Shell grafie, Rasterelektronenmikroskopie, lateral
Solar in Camarillo in den Jahren 2002 /2003 aufgelste elektrische, optische und analytische
gelungen. Eine Statistik, die fast 16 000 Module Messungen und Kreuzvergleiche eingesetzt. Zur
der Gre 1" x 4" beinhaltet, zeigt eine Normal- Steigerung der Anlagenkapazitt wurde in 2003
verteilung mit einem mittleren Wirkungsgrad eine neue CIS-Durchlaufbeschichtungsanlage
von 10,9 % 0,9 % [12]. in Betrieb genommen (Abb. 3).
Bei Shell Solar in Mnchen ist es mit dem neu
Abbildung 3 entwickelten Verfahren gelungen, mittlere Wir-
Die neue CIS-Beschich- kungsgrade um 11% fr 30 cm x 30 cm Module
tungsanlage in der (mit ausreichender Statistik) herzustellen. Herz-
Fertigung von Wrth stck ist ein neu entwickelter speziell fr groe
Solar GmbH & Co. KG Flchen optimierter RTP (rapid thermal process)-
Reaktor zur CIGS-Schichtbildung, der mit aus-
reichend hoher und homogener Heizleistung
ausgestattet ist, um die 3 mm dicken Glas-
substrate mit 10 K /s aufzuheizen, ohne diese
zu zerbrechen oder zu verbiegen. Mit dieser
Technologie konnten bei Shell Solar Spitzen-
wirkungsgrade von ber 13 % auf einer Modul-
flche von 60 cm x 90 cm erreicht werden.
Bei Wrth Solar konnte durch einen kontinuier-
lichen Betrieb die Qualitt in 2002 weiter
verbessert werden. So konnte der mittlere
Wirkungsgrad der 60 cm x 120 cm Module von
ca. 9 % (entspricht ca. 58 WP) auf ber 10 %
(entspricht ca. 65 WP) gesteigert werden. Die
Verbesserungen resultierten hauptschlich aus
24 der Stabilisierung und Homogenisierung der

FVS Themen 2003
Whrend auf dieser Anlage die 120 cm x 60 cm trockenen Prozess kann mglicherweise eine
Substrate lngs auf der Breite von 60 cm weitere Prozessvereinfachung erzielt werden.
beschichtet werden, wird am ZSW schon der Whrend man mit einem gepulsten CVD-Ver-
nchste Anlagentyp mit Prozesseinbauten und fahren (chemical vapour deposition) am ZSW
Verdampferquellen entwickelt. In 2003 wurden 12,9 % auf 30 cm x 30 cm erzielt hat, wurden
in der ZSW-Anlage fr 120 cm breite Beschich- am HMI mit MOCVD (metal organic CVD) auf
tungen erste CIS-Schichten hergestellt. Voraus- kleinen Flchen 13,4 % erreicht. Das MOCVD-
gesetzt der Prozess besteht alle Langzeit- und Verfahren hat den Vorteil, dass es relativ schnell
Stabilittstests, bedeutet diese Neuentwicklung (Abscheidezeit ca. 3 min) und gut skalierbar ist.
eine Verdopplung des Durchsatzes und lang-
fristig auch die Mglichkeit grere Einheiten, Ganz neue Wege geht das ISFH gemeinsam mit
z. B. 120 cm x 120 cm, zu fertigen. der CIS Solartechnik GmbH. Durch eine galva-
Obwohl die CIS-Technik damit ihre Machbarkeit nische Abscheidung, die fr eine Metallbandbe-
im Prinzip gezeigt hat, ist eine erhebliche schichtung geeignet ist, sollen die relativ teuren
Kostenreduktion nur durch Produktionseinheiten und entwicklungsaufwndigen Vakuumprozesse
mit Fertigungskapazitten von mehreren MWP ersetzt werden. Gleichzeitig sollen als Substrate
pro Jahr (entspricht mehreren Zigtausend Metallfolien (Kupfer oder Edelstahl) dienen,
Quadratmetern) erreichbar. Um dieses damit die man z. B. fr ein begehbares Metalldach
verbundene hohe Investment zu rechtfertigen, einsetzen knnte. Bisher wurden ein Wirkungs-
sind allerdings noch einige Entwicklungen grad bis zu 9 % (Flche 0,247 cm2) mit einer
sowohl im anlagentechnischen als auch ver- sequenziellen Abscheidung der Vorluferschichten
fahrenstechnischen Bereich ntig. mit hohen Abscheidungsraten (<10 min/pro
Solarzelle) erreicht. Bevor grere Solarzellen her-
gestellt werden knnen, muss die Homogenitt
und die Schichthaftung noch deutlich verbessert
Alternativentwicklungen werden. Falls dies erfolgreich ist, ist die Verschal- Abbildung 4
tung zu Modulen einfach: Die 35 mm breiten Hitze /Feuchte-Messungen
Neben der CIS-Abscheidung selbst sind vor Solarzellenbnder werden mit einem Kontakt- an 30 cm x 30 cm-
allem die Grenzflchen CIS/Puffer/Frontkontakt gitter versehen und mittels einer Schindeltechnik Modulen aus der Pilot-
Gegenstand intensiver Forschung, da sie die mechanisch und elektrisch verbunden. fertigung von Shell Solar
Leistungsfhigkeit und Stabilitt der Solarzelle
entscheidend beeinflussen.
feuchte Hitze
Seit mehreren Jahren werden am HMI Cadmium- 1,10
relativer Wirkungsgrad (%)
freie Puffer fr CIS-Solarzellen entwickelt. Mit 1,05

mittels chemischem Bad abgeschiedenem 1,00
0,95
ZnS wurden Wirkungsgrade bis zu 14,4 % (mit
0,90
ZnSe 14,0 %) auf Shell Solar-Absorbern erzielt, 0,85
was praktisch kein Unterschied zur Standard- 0,80 interne Messungen
Referenz ist (14,6 % mit CdS Puffer), siehe auch 0,75

0,70 TV
[13]. Damit ist nachgewiesen, dass die Vermei- 0,65
dung von auch minimalsten Mengen Cadmium 0,60
kein prinzipielles Problem darstellt. Bei Shell
un n
un h
g
rn
hl mi
hl 0
itz
itz
itz
un
g
pe
tra 2
tra 0
H
H
el
Solar konnten bereits auf 30 cm x 30 cm erste

m
es 6
ps
e
te
ht
ht
ht
tb 30
ka
uc
uc
uc
h
r
Cd-freie Module mit bis zu 11,9 % Wirkungs-

es
Ve
96
fe
fe
fe
tb
h
0h
ch
ch
0
00
grad (Mittelwert 11,7 %) unter Anwendung

50
22
Li
Li
10
eines CBD1-Zn(S,OH)-Puffers hergestellt werden. Der Wirkungsgrad der Module wird nach verschiedenen Schritten gemessen:
Durch den Ersatz des einzigen nasschemischen nach der Verkapselung und anschlieenden Temperung, nach Temperung in
Prozesses in der Herstellungskette durch einen feuchter Hitze, sowie nach einer Bestrahlung mit Licht
1
CBD = chemical bath deposition (chemische Badabscheidung)
25

FVS Themen 2003
CIS-Module im Test ca. 1000 kWh pro installierter kWP Leistung (DC-
und Anlagenbeispiele Wert) bei einer Anlagengre von ca. 1 kWP
nachgewiesen [14]. Freifeldtests an verschiede-
nen Standorten (Helsinki, Widderstall) belegen
Fr die Anwendung ist vor allem die Langzeit- die Stabilitt der Module. Abb. 5 zeigt den
stabilitt wichtig. Einer der wichtigsten stabilen temperaturkorrigierten Wirkungsgrad
beschleunigten Alterungstests in der IEC-Norm (25 C/1000 W/m2) von 60 cm x 120 cm Wrth
61646 ist der Hitze /Feuchte-Test. Nach 1000 Solar-Modulen, der im 10 min-Takt ber eine
Stunden bei 85 C und 85 % relativer Feuchte Periode von einem halben Jahr gemessen wurde.
darf die Leistung der Module nur um maximal
5 % schlechter werden. Diesen Test haben Ein weiteres Beispiel ist die weltweit grte
die 30 cm x 30 cm-Module aus der Shell Solar- CIS-Anlage auf einem Flachdach des Berufs-
Pilotlinie ausgefhrt als Glas /Glas-Laminate bildungszentrums in Marbach am Neckar, siehe
ohne Randversiegelung bestanden, wie sowohl Abb. 6. Hier sind 880 Module mit je 0.7 m2
Shell interne als auch Messungen vom TV Flche installiert. Die gesamte installierte
belegen (Abb. 4). Leistung betrgt 50 kWP und es wird ein jhr-
licher Ertrag von ca. 42 500 kWh erwartet.
Abbildung 5 10
Freifeldtests von
60 cm x 120 cm-
Wirkungsgrad [%]
8
Modulen von Wrth Danksagung
Solar in Helsinki
6 Orte:
(Finnland) und Widder- Die Arbeiten wurden und werden vom
stall (Deutschland); Widderstall, Deutschland Bundesministerium fr Bildung, Wissenschaft,
Die Daten sind 4 Helsinki, Finnland Forschung und Technologie (BMBF), dem
korrigiert zu 25 C Bundesministerium fr Wirtschaft und Arbeit
und 1000 W/m2 (EU 2
(BMWA), dem Wirtschaftsministerium Baden-
Projekt Pythagoras). 27 Mrz 27 Apr 27 Mai 27 Jun 27 Jul 27 Aug 27 Sep Wrttemberg, der Stiftung Energieforschung
Medaten in 2002 Baden-Wrttemberg und der Europischen
Kommission gefrdert.
ZSW-Module der Gre 30 cm x 30 cm haben
schon 1998 den Hitze / Feuchte-Test bestanden.
Aktuell luft die offizielle Zertifizierung von
60 cm x 120 cm Wrth Solar-Modulen und sie
wird voraussichtlich im Oktober 2003 erfolg-
reich erreicht werden. Weltweit konnten ver-
schiedene CIS-Anlagen installiert und dabei
gute Energieertragsdaten gemessen werden.
So wurden z. B. jhrliche Ertragsdaten von
Abbildung 6
CIGS-Anlage auf
dem Dach einer Schule
in Marbach a.N.
mit 50 kWP
26

FVS Themen 2003
Literatur
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[1] A. Bchel, Vortrag im Workshop Materials proc. of 3rd World Conference on Photo-
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Proc. 16th European Photovoltaic Solar
Energy Conf., Glasgow. James & James Ltd: [14] F. H. Karg, D. Kohake, T. Nierhof,
UK, 2000; 2057-2060 B. Khne, S. Grosser, M. Ch. Lux-Steiner,
Proc. 16th European Photovoltaic Solar
[7] F. H. Karg, Solar Energy Materials & Energy Conf., Glasgow. James & James Ltd:
Solar Cells 2001; 66, 645-653 UK, 2000; 391-395
27
Ulrike Jahn Photovoltaik-Anlagen Bewhrung und Herausforderung

FVS Themen 2003
Photovoltaik-Anlagen
Bewhrung und Herausforderung
Ulrike Jahn Die Qualitt und Zuverlssigkeit von photovol- sowie langjhrige Betriebsergebnisse sind
ISFH taischen Anlagen sind strker in den Mittel- aus verschiedenen Messprogrammen von einer
ujahn@easynet.de punkt des Interesses von Betreibern, Herstellern Arbeitsgruppe der Internationalen Energieagentur
und Investoren gerckt, seit es das Erneuerbare- (Task 2 des PVPS-Programms) zusammengetragen
Energien-Gesetz (EEG) gibt. Denn nur gut und ausgewertet worden. Die Ergebnisse der
geplante und fehlerfrei installierte sowie ber Analysen sowie eine PV Performance Database
Jahre strungsfrei arbeitende PV-Anlagen erzielen mit aufbereiteten Daten zum Langzeitverhalten
die gewnschte Solarrendite, die im wesent- von PV-Anlagen findet man unter: www.task2.org.
lichen durch die Stromproduktion der PV-Anlage
bestimmt wird. Aufgrund des langfristigen In diesem Artikel werden die Erfahrungen
Finanzierungsplans muss auch eine langfristige zusammengefasst, ausgewhlte Analysen aus
Qualittssicherung der PV-Anlagen angestrebt dem Datenbestand von PV-Anlagen in Deutsch-
werden. Dies ist jedoch drauen Vorort land vorgestellt sowie Trends in der Anlagen-
schwieriger zu realisieren als die Qualitts- qualitt und Zuverlssigkeit aufgezeigt. Das
sicherung der Komponenten im Labor oder in groe Nutzungspotenzial der PV in Gebuden
der Produktion, weil die PV-Anlagen unter sehr wird aufgezeigt fr bautechnische, energetische
verschiedenen Umgebungsbedingungen und architektonische Aspekte. Abschlieend
installiert sind und arbeiten. werden Finanzierung und Kosten von PV-Anlagen
in den 90er Jahren dem heutigen Stand gegen-
Lernerfahrungen zur Verbesserung der PV- bergestellt.
Anlagen in der Planungs- und Installationsphase
Kenngren fr PV-Anlagen gleich dem nominellen Modulwirkungsgrad

Die wichtigsten Gren zur Beurteilung der wre. Performance Ratio entspricht also dem
Leistungsfhigkeit von PV-Anlagen sind Ertrag, Begriff der Anlagenqualitt und wird als
Wirkungsgrad und Performance Ratio. Diese dimensionslose Gre angegeben.
Parameter sind definiert in den europischen
Richtlinien [2] und dem IEC-Standard 61724 [3]. Damit ist das PR ein weitgehend vom Standort
Der spezifische Energieertrag Yf (engl.: Final (Einstrahlung) unabhngiges Ma fr die Anlagen-
yield) ist die gesamte Energieausbeute innerhalb qualitt. Das PR ist ein geeigneter Indikator fr
eines Zeitraumes bezogen auf die Nennleistung die Summe der Ertragsminderungen die beim PV-
des PV-Generators in kWh pro kWp. Generator (durch Modultemperatur, Reflektion,
Zum Vergleich von netzgekoppelten PV-Anlagen geringe Bestrahlungsstrke) auftreten, fr Wirkungs-
an verschiedenen Standorten wird das Performance gradverluste beim Wechselrichter und fr Verluste
Ratio (PR) als entscheidende Kenngre verwendet. durch Abschattung oder Betriebsunterbrechungen.
Das PR ist definiert als Quotient aus dem realen Frhere Untersuchungen haben gezeigt, dass bei
Energieertrag (Yf) und dem theoretisch mglichen gut funktionierenden netzgekoppelten PV-Anlagen
Energieertrag Yr (engl.: Reference yield), der jhrliche PR-Werte zwischen 0,60 und 0,80 erreicht
erreichbar wre, wenn die gesamte Einstrahlung werden. Unter Bercksichtigung der verbesserten
auf die PV-Generatorflchen entsprechend den Umwandlungswirkungsgrade von neueren
Standardprfbedingungen (engl.: STC) erfolgen Wechselrichtern ergeben sich heute ideale
wrde und der reale Generatornutzungsgrad PR-Jahreswerte von 0,80 bis 0,84.
28

FVS Themen 2003
Anlagenplanung die Solarmodule teilweise abgeschattet

und Anlagenertrag waren oder
zwei PV-Generatorteile auf unterschiedlich
ausgerichteten Dachflchen an einen zentralen
Eine sorgfltige Anlagenplanung ist erforderlich, Wechselrichter angeschlossen waren.
um optimale Betriebsergebnisse zu erzielen. Unter diesen Betriebsbedingungen kann der
Viele PV-Systeme liefern die erwarteten Energie- Wechselrichter nicht optimal funktionieren was
ertrge und gute bis sehr gute Ergebnisse beim aber nicht auf einen geringen Umwandlungs-
langjhrigen Betrieb. Andererseits gibt es auch wirkungsgrad von Gleichstrom zu Wechsel-
PV-Anlagen, die die Ertragserwartungen nicht strom des Wechselrichters zurckzufhren ist.
erfllen. Die Beobachtungen in den vergangenen
zehn Jahren haben gezeigt, dass die dominieren- Aus den Betriebserfahrungen der untersuchten
den Faktoren fr eine reduzierte Energieausbeute PV-Anlagen resultieren die Empfehlungen, die
die relativ geringe Zuverlssigkeit der Wechsel- in der Planungsphase bercksichtigt werden
richter, Stillstandszeiten wegen Reparatur sowie mssen, um bessere Systemenergieertrge zu
Abschattungsprobleme waren. erzielen:
Bereits in der Planungsphase sollten Architekt
Betriebsunterbrechungen sind vor allem durch und PV-Anlagenplaner eng zusammenarbeiten.
Wechselrichter im ersten Betriebsjahr aufgetreten. Bei der Bestimmung der Ertragserwartungen
Nach Beseitigung der Fehlerursachen liefen die mssen die etwaigen Minderungseinflsse
PV-Anlagen fehlerfrei fr etliche Jahre. Nach acht bercksichtigt und dem Anlagenbetreiber
bis zehn Betriebsjahren wurde an einzelnen erklrt werden (Verluste in %) [1]:
Anlagen dann wieder eine erhhte Ausfallrate
durch Wechselrichter festgestellt. Das Auswech- Abbildung 1a und b
seln der alten Wechselrichter verursachte lange Die neue dachinte-
Ausfallzeiten und damit Energieertragsverluste, grierte Photovoltaik-
weil Ersatzteile nach mehr als zehn Jahren oft Anlage (50,4 kWp) auf
nur schwer zu beschaffen waren. Gute Kontakte der Gesamtschule in
zwischen Betreiber, Installateur und Hersteller Sehnde bei Hannover
der Komponenten helfen, die defekten Teile weist Abschattungen
schneller zu ersetzen und damit die Ausfallzeiten durch einen vorstehen-
zu verringern. den Anbau auf (1a).
Der Effekt ist dadurch
Die Auswirkungen von Verschattung des PV- verringert worden,
Generators2 durch Bume oder Gebudeteile dass im Kernbereich
werden in der Regel unterschtzt. In der Pla- der zeitweise hohen
nungsphase lassen sich teilweise Abschattungen Verschattung Modul-
des Solarfeldes durch den Anlagenplaner oder imitationen eingesetzt
Architekten vermeiden oder deutlich verringern. wurden. Zustzlich
Durch geeignete elektrische Verschaltung der wurden die PV-Module
PV-Module (verschattete Module in einen in Randbereichen der
Strang) kann damit der Gesamtanlagenertrag Verschattung in einem
verbessert werden. Strang verschaltet.
In einzelnen Fllen wurde beobachtet, dass die

Die Ergebnisse der PV-Anlage im ersten Betriebsjahr sind den
Wechselrichter zu wenig Strom abgaben, weil Umstnden entsprechend gut:
Energieertrag 2002 = 804 kWh/kWp,
der Wechselrichter nicht richtig an der Performance Ratio = 73,6 Anlagenverfgbarkeit: 100 %
PV-Generator angepasst war, (Fotos: Solar Engineering Decker & Mack GmbH)
2 Der PV-Generator ist das verschaltete Solarmodulfeld zur Stromerzeugung (ohne Wechselrichter).
29

FVS Themen 2003
Angabe der wahren, also gemessenen unterschiedlichen Ausrichtungen des PV-

Nennleistung des PV-Generators (0 5 %) Generators) optimiert werden.
Abweichung von STC3: Bestrahlungsstrke, Eine berhitzung der PV-Module kann
Modultemperatur, Reflektionen (10 14 %) durch ausreichende Hinterlftung vermieden
Verschmutzung der Module durch Schnee, werden. Trotz Vorkehrungen zur Hinterlftung
Ablagerungen (0 2 %) der PV-Module erreichten die gemessenen
Mismatchverluste der Module in einem Modultemperaturen z. B. in der dachintegrier-
Strang (1 3,5 %) ten PV-Anlage in Sehnde (Abb.1b) Maximal-
Gleichstrom-Installationsverluste (1 3 %) werte von 70 C in den Sommermonaten.
Wechselrichternutzungsgrad (5 10 %).
Wie stark unterscheiden sich die Energieertrge
an Standorten mit vergleichbarer Einstrahlung?
Spezifische Energieertrge in Norddeutschland
Abb. 2 zeigt, wie extrem unterschiedlich die
1000
900
Solarertrge ausfallen knnen. Die neuen, ab
1997 gebauten PV-Anlagen liefern eindeutig
800
mehr Energie als die, welche bereits zu Beginn
Energieertrag [kWh/(kWp und Jahr)]
700
der 90er errichtet wurden. Auch streuen hier
600
die Werte weniger, die Ertrge pendeln sich
500 bei den neuen Anlagen bei etwa jhrlich
400 730 kWh pro kWp ein. Bei guter Planung und
300 fehlerfreier Installation sind in Norddeutschland
200
Alte Anlagen heute 800 kWh pro kWp und Jahr durchaus
Neue Anlagen
Mittelwerte alte Anlagen erreichbar in Sddeutschland sind es sogar
100
Mittelwerte neue Anlagen 900 kWh pro kWp.
0
1992 1993 1994 1995 1996 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003
Betriebsjahr
Abbildung 2 Bei optimaler Anlagenkonfiguration werden mit Anlagenqualitt

Jhrliche Energieertrge realistischen Jahresnutzungsgraden von Wechsel- und Zuverlssigkeit
von alten und neuen richtern neuerer Bauart demnach ideale Werte
PV-Anlagen in Nord- von 80 bis 84 % des theoretischen Ertrags (ent-
deutschland: 50 Anla- spricht dem jhrlichen Performance Ratio) erzielt. Wie ist die Entwicklung der Anlagenqualitt
gen aus dem 1000- Der Wechselrichter sollte gut zugnglich ber einen lngeren Zeitraum? In Abb. 3 sind
Dcher-Programm in sein, sodass er gegebenenfalls schnell die jhrlichen PR-Werte ber zehn Betriebsjahre
Niedersachsen, Instal- ausgetauscht werden kann. dargestellt. Die Daten stammen aus dem 1000-
lation 1991 1992, im Die Ertragsminderungen durch Verschattung Dcher-Programm und aus laufenden Messpro-
Vergleich mit 42 neuen durch Bume oder Gebudeteile (Abb.1a) grammen wie z. B. Sonne in der Schule. Die
Anlagen aus Sonne sind weitestgehend zu vermeiden und durch jhrlichen PR-Werte der Anlagen aus den frhen
in der Schule und geeignete Modulverschaltung zu minimieren. 90er Jahren weisen eine erhebliche Streuung
anderen Programmen, Bei der Wahl des Standorts sollte die PV-Anlage von Anlage zu Anlage auf und zeigen ber die
Installationen ab 1997 bestmglich zu Sonne ausgerichtet werden. Jahre eine deutlich abnehmende Tendenz, die
in Norddeutschland Ein Generatorfeld, das in einen gemeinsamen, im wesentlichen auf Wechselrichterausflle
zentralen Wechselrichter einspeist, darf nur zurckzufhren ist. Der durchschnittliche Jah-
eine Orientierung besitzen. Unterschiedlich res-PR sinkt von 0,67 in 1993 auf 0,60 in 2000.
ausgerichtete Generatorflchen bentigen Die PR-Werte der neueren Anlagen ab 1997
mehrere Wechselrichter. streuen dagegen weniger stark und erreichen
Der Nutzungsgrad des Wechselrichters kann durchweg bessere Mittelwerte (0,73 bis 0,76).
durch geeignete Anpassung an den PV- Eine abnehmende Tendenz im Verlauf der Jahre
Generator sowie durch geeignete Betriebs- 1998-2002 ist nicht zu erkennen. Heutige PV-
bedingungen (keine Abschattung, keine Anlagen besitzen nicht nur leistungsfhigere
30 3 STC= Standard test Conditions


FVS Themen 2003
Komponenten (z. B. Wechselrichter) und errei- Anlagenqualitt in Deutschland

chen im einzelnen sehr gute PR-Werte von ber 1
0,80, sie zeigen auch keine Leistungseinbuen 0,9
im Laufe der Betriebsjahre.
0,8
0,7
Performance Ratio [ ]
Die deutlich gestiegenen PR-Durchschnittswerte
0,6
von 0,64 fr die 149 frhen Anlagen auf 0,74
0,5
fr die 62 neueren Anlagen zeigen, dass die
0,4
Anlagenqualitt in Deutschland signifikant
0,3 Altanlagen 1991 1994
gestiegen ist (Abb. 3). Hauptursachen fr diese
Neuanlagen ab 1997
positive Entwicklung sind die verbesserte 0,2
Mittelwert Altanlagen
Wechselrichtereffizienz, die gestiegene Anlagen- 0,1 Mittelwert Neuanlagen
verfgbarkeit (weniger Ausflle, krzere Still- 0

1992 1993 1994 1995 1996 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003
standzeiten) sowie die genauere Angabe der
Nennleistung der PV-Module.
60 %
Wie sind die Trends in der Zuverlssigkeit der
Rel. Hufigkeit der Jahresdatenstze
PV-Anlagen frher und heute? Zum Vergleich

50 %
sind die Daten von 116 PV-Systemen in
82 PV-Anlagen (1983 - 1994)
Deutschland, der Schweiz und in Italien in 40 %
34 PV-Anlagen (1996 - 2001)
bezug auf Performance Ratio und Verfgbarkeit
untersucht worden. Abb. 4 zeigt, dass die neue- 30 %
ren Anlagen aus den Baujahren 1996 2001

20 %
tendenziell zuverlssiger sind als die Anlagen
aus den 80er und frhen 90er Jahren, wobei 10 %
sich der Mittelwert der Anlagenverfgbarkeit
0%
nur geringfgig von 94,6 % auf 95,6 % verbes- < 0.9 0.9 0.91 0.92 0.93 0.94 0.95 0.96 0.97 0.98 > 0.99
0.91 0.92 0.93 0.94 0.95 0.96 0.97 0.98 0.99
sert hat. Im gleichen Zeitraum ist jedoch der
Systemverfgbarkeit [in %]
durchschnittliche PR-Wert der 116 Systeme um
5 % gestiegen. Dies bedeutet, dass der deutliche Abbildung 3 (oben)
PR-Anstieg nur zum Teil auf die verbesserte vielfltiges Nutzungspotenzial, bei dem die Trends in der Anlagen-
Verfgbarkeit zurckgefhrt werden kann und Photovoltaikanlage technische Funktionen in qualitt: jhrliche Werte
andere Erfolgsfaktoren (hhere Wechselrichter- der Gebudehlle bernehmen kann. des Performance Ratio
wirkungsgrade, bessere Modulleistungsangabe, von 149 Altanlagen
weniger Verluste durch Verschattung und Modul- Gebudeabdichtung/Wetterschutz (19911994) im Ver-
temperatur) die Anlagenqualitt bestimmen. PV-Module sind geeignet und getestet fr den gleich zu 62 neueren
Es wurde ferner beobachtet, dass im allgemeinen Einsatz als Auenflchen der Gebudehlle und Anlagen (1997 2002)
die Zuverlssigkeit der PV-Anlagen verbessert schtzen das Gebude vor Witterungseinflssen
wird, wenn die Systeme beim Betrieb vermessen wie Regen, Feuchtigkeit, Schnee und Hagel. Sie Abbildung 4 (unten)
werden. knnen zur Dachdeckung, als Fassadenelement, Trends in der Zuverls-
zur Wandverkleidung, als Brstungselement, sigkeit von 116 PV-Anla-
als Eingangsberdachung oder als Verglasung gen aus Deutschland,
eines Oberlichtes eingesetzt werden und dienen Schweiz und Italien: Der
Nutzung der Photovoltaik in dabei gleichzeitig (multifunktional) zur Strom- Mittelwert der Anlagen-
Gebuden erzeugung. Anwendungsbeispiele sind in Abb. verfgbarkeit bei Altan-
5b und 6 gezeigt. lagen (19831994),
Ein PV-Generator auf dem Dach oder an der betrgt 94,6% im Ver-
Fassade eines Gebudes erzeugt Strom, der ins Wrmeschutz gleich mit 34 neueren
ffentliche Netz eingespeist werden kann oder Durch die Absorption der Sonnenstrahlung in Anlagen (19962001)
direkt einzelnen Verbrauchern zur Verfgung den Solarzellen gelangt weniger Wrme in das mit einem Mittelwert
steht. Neben der elektrischen Stromproduktion Gebude, womit die sommerliche berhitzung von 95,6%.
besitzt die gebudeintegrierte Photovoltaik ein begrenzt werden kann. Semitransluzide Solar- 31

FVS Themen 2003
Abbildung 5a und 5b
Photovoltaik-Anlage
an und auf einer Schule
in Stadelhofen
Photovoltaik-Anlage an einer Schule in Stadelhofen: Die Isolierverglasung mit integrierten Solarzellen wird
An der Auenfassade (Sdwesten) sind geneigte, als Dachdeckung eingesetzt und bernimmt zugleich
feststehende Verschattungslamellen aus PV-Modulen Sonnenschutzfunktion. Zustzlich produzieren die
mit einer Gesamtleistung von 12,8 kWp installiert, Solarzellen mit einer installierten Leistung von 13,7 kWp
die dem Sonnenschutz dienen. Strom fr das Gebude (Fotos: TNC Consulting AG).
module lassen sich mit einem Glas-Glas-Aufbau Zellzwischenrume bestimmen. In der Regel
zu einer transparenten Isolierglaseinheit erwei- werden Sonnenschutzsysteme mit PV-Anlagen
tern und ermglichen einen Wrmeschutz im spezifisch entwickelt und gebaut:
Gebude. Ein Beispiel ist in Abb. 6 dargestellt. Feststehende Sonnenschutzsysteme an
Sdfassaden: Geneigte Verschattungslamellen
Sonnenschutz bieten zustzlich eine optimale Ausnutzung
Externe Sonnenschutzsysteme eignen sich ideal des Sonnenlichtes zur Stromproduktion
fr eine PV-Integration, da sie wie die PV-Module (Abb. 5a).
zur Sonne ausgerichtet sein mssen, um optimal Bewegliche Sonnenschutzlamellen, die eine
zu funktionieren. Den Grad der Abschattung Steuerung der Verschattung zulassen (Abb. 7a).
kann der Gebudeplaner ber die Semitrans-
parenz des PV-Moduls bzw. die Gre der Tageslichtsteuerung
Die Photovoltaik kann zur Steuerung und zum
direkten Betrieb aktiver und passiver Tageslicht-
Abbildung 6 systeme verwendet werden. Damit knnen
Die gebudeintegrierte Blendschutzsystems (Lamellen, Rollos) den
Photovoltaik der Fa. Tageslichteinfall und die Wrmestrahlung je
STMicroelectronics mit nach Sonnenstand steuern und regeln (Abb. 7b).
einer Gesamtleistung
von 33 kWp wurde mit Schallschutz
dem Schweizer Solar- Der mehrschichtige Aufbau konventioneller
preis 2003 ausge- PV-Dachelemente und PV-Fassadenelemente
zeichnet. verfgt bereits ber ein hohes Ma an Schall-
dmmung, das die Umgebung effektiv vor Lrm
schtzt. Die Schalldmpfungseigenschaften
knnen durch zustzliche Glasscheiben und
vergrerte Scheibenabstnde sowie durch die
Die Dachkonstruktion aus PV-Glas-Glas-Laminaten Verwendung von Spezialglsern verbessert
schtzt vor Sonne und Wetter und produziert zustz- werden, wobei die PV-Stromproduktion voll
lich Solarstrom. Die semitransluziden PV-Module lassen erhalten bleibt. Gnstige Einsatzorte fr PV-
nur einen Teil der Sonnenstrahlung in die Innenhallen
und schtzen damit vor sommerlicher berhitzung Schallschutzanlagen sind auch entlang Auto-
32 (Foto: STMicroelectronics nv, Plan-les-Oates). bahnen und Eisenbahntrassen.

FVS Themen 2003
Abbildung 7a (links)
Deutscher Bundesrat
in Berlin mit 21 kWp
Gesamtleistung: Die
beweglichen PV-Ver-
schattungslamellen
werden mittels Schub-
gestnge dem Sonnen-
stand nachgefhrt und
dienen dem Sonnen-
schutz.
Abbildung 7b (rechts)
Mit den beweglichen
Verschattungslamellen
lsst sich das Tages-
Bei einer Integration eines PV-Systems in die wurden in Deutschland beste Marktbedingungen licht im Innenraum
Gebudehlle gilt es, sowohl bautechnische geschaffen. Die spezifischen Kosten der PV- kontrolliert steuern,
und energietechnische als auch gestalterische Anlagen sanken drastisch auf 7,8 Euro pro Watt das durch das Glaspy-
Aspekte gleichwertig zu bercksichtigen, damit im Zeitraum 1999 2001 ermittelt aus 4000 ramidendach in den
ein ganzheitlich gelungenes Projekt entstehen Anlagen im HTDP im gleichen Leistungsbereich Plenarsaal fllt (Fotos:
kann. Die Nutzungsvielfalt von Photovoltaik in (2 bis 4 kWp) [6]. Die Kostenstruktur dieser TNC Consulting AG).
Gebuden ist noch lngst nicht ausgeschpft HTDP-Anlagen lsst erkennen, dass der Solar-
und bedarf der gemeinsamen Weiterentwick- generator mit etwa 70 %, der Wechselrichter
lung durch Architekten, Hersteller und Planer. mit 12 %, die Installation mit 10 % und sonstige
Weitere Beispiele zur Nutzung der gebude- Bauteile mit 8 % an den Gesamtkosten beteiligt
integrierten PV findet man bei I. B. Hagemann waren. hnliches galt auch fr die netzgekop-
in [4] und [5]. pelten Kleinanlagen der 90er Jahre. Bemerkens-
werterweise war der von der KfW in den Jahren
1999 2001 festgestellte Kostendegradations-
effekt von insgesamt 11 % vor allem durch
Anlagekosten Kostenreduktionen bei der Installation ( 30 %),
frher und heute beim Wechselrichter (23 %) und bei den
sonstigen Bauteilen ( 15 %) erzielt worden,
Die Wirtschaftlichkeit des Solarstroms in Deutsch- whrend der PV-Generator den geringsten
land hngt von speziellen konomischen Anteil ( 5 %) hatte.
Rahmenbedingungen ab. In den 90er Jahren Die Gesamtanlagekosten liegen heute (2003)
wurden erste bundesweite Erfahrungen am inzwischen bei 6 bis 6,5 Euro pro Watt fr
Markt im Rahmen des 1000-Dcher-Programms Anlagen im kleinen Leistungsbereich zwischen
(Staatlicher Zuschuss zu den Investitionskosten) 2 und 4 kWp.
gemacht. Die in den Jahren 1991 bis 1995
errichteten Hausdachanlagen wiesen eine enorme Der Finanzierungsplan einer im Jahr 2003 instal-
Streuung der Gesamtkosten auf, die zwischen lierten 3kWP-PV-Anlage im HTDP mit Einspeise-
8 und 16 Euro pro Watt lagen. Der Mittelwert vergtung nach dem EEG ist in Abb. 8 gezeigt.
der Systemkosten inklusive Installation von 2250 Die Rechnung basiert auf Investitionskosten von
netzgekoppelten Anlagen zwischen 1 und 5.500 Euro pro kWp + Mehrwertsteuer, konti-
5 kWp lag bei 12 Euro pro Watt, die frderfhige nuierlichen Betriebskosten von 2 % der Investiti-
Obergrenze bei 13,5 Euro pro Watt. onssumme (380 Euro pro Jahr), einer geschtz-
ten Jahresproduktion von 800 kWh/ kWp sowie
Mit dem Hundert-Tausend-Dcher-Programm auf 20 Jahren Betriebszeit. Unter Inan-
(HTDP) ab 1999, vor allem aber mit dem spruchnahme des zinsgnstigen Kredits des
Erneuerbare-Energien-Gesetz (EEG) ab 2000 HTDP (1,91%) und der fr 2003 gltigen Ein- 33

FVS Themen 2003
Euro Finanzierung einer 3 kWp-Anlage

anlagen erreicht worden. Die Entwicklung im
7500
Systembereich und die Demonstration von PV-
5000 Technologie mssen Hand in Hand gehen und
auch in Zukunft gefrdert werden, um die
2500
Photovoltaik durch steigende Performance der
_
Anlagen und gleichzeitige Kostenreduktionen
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 Jahre
-2500
nher an die Wirtschaftlichkeit heranzufhren.
-5000 Fremdkapitalkosten 2003 Die berwachung der PV-Anlagen auch im

Betriebskosten 2003
-7500 EEG und Steuerersparnis 2003
kleineren Leistungsbereich hat enorm zuge-
Kummuliertes Ergebnis 2003 nommen. Es liegt im Interesse eines jeden
-10000 Kummuliertes Ergebnis 2004 Betreibers, einen optimalen und strungsfreien
Betrieb seiner Anlagen zu erzielen. Mit der
Einfhrung des Erneuerbare-Energien-Gesetzes
(EEG) ist dieses Interesse deutlich gestiegen; der
Abbildung 8 speisevergtung von 45,7 Cents pro kWh ergibt Einsatz des Betreibers und die schnelle Behe-
Finanzierungsplan sich eine positive Bilanz nach 18 Jahren strungs- bung von Betriebsstrungen wird finanziell
einer in 2003 instal- freien Betriebs (siehe Abb. 8). belohnt. Heute existiert bereits eine breite
lierten 3 kWp-PV-Anla- Palette verschiedener Methoden zur Betriebs-
ge gem HTDP und Vergleichsweise wurde die Bilanz fr eine im Jahr berwachung, diverse Systeme zur kontinuier-
EEG im Vergleich zur 2004 installierte PV-Anlage mit den gleichen lichen Messung der Anlagenleistung sind
Finanzierung einer Annahmen gerechnet, allerdings mit Finanzierung kommerziell verfgbar, die dem Betreiber eine
Anlage in 2004 gem nach dem CO2-Minderungsprogramm (Zinssatz geeignete Anlagenkontrolle ermglichen.
CO2-Minderungspro- 4%) und einer erhhten Vergtung von 57,4 Euro Als positiver Nebeneffekt hat sich gezeigt, dass
gramm und EEG-Vor- pro kWh gem EEG-Vorschaltgesetz vom berwachte PV-Anlagen ein erhhtes Engagement
schaltgesetz (Quelle: 22. Dezember 2003. Das kumulierte Ergebnis der beteiligten Fachfirmen und Hersteller zur
Projekttrger Jlich zeigt in Abb. 8 (Kurve mit gelben Vierecken), Folge haben.
GmbH) dass eine PV-Anlageninvestion in 2004 nach 20
Betriebsjahren geringfgig besser abschneiden Die Qualittssicherung der PV-Anlagen aber
wird als eine von 2003. Aus der Rechnung geht kann und darf nicht den Betreibern der Anlagen
deutlich hervor, dass der reale Energieertrag und den Herstellern der Komponenten allein
ber 20 Jahre die wesentliche Gre ist, die berlassen werden. Hier tragen Politik, Wissen-
allerdings die grten Unsicherheiten (Einstrah- schaft und Fachverbnde eine Verantwortung
lungssumme Betriebsausflle) in sich birgt. mit dem Ziel, dass die PV-Solarbranche eine
Umfassende Informationen zur wirtschaftlichen nachhaltige und berzeugende Performance
Beurteilung von PV-Anlagen sowie ein aktuelles zeigt. Die Forschungsinstitute und Prfstellen
Berechnungsprogramm mit verschiedenen verfgen ber ein langjhriges Know-how,
Szenarien sond von solid [7] zusammengestellt das geeignet ist, Konzepte und Manahmen
und entwickelt worden. zur Qualittssicherung von PV-Anlagen zu
entwickeln und einzufhren.
Die deutsche Bundesregierung hat in den

Schlussfolgerungen vergangenen Jahren den Rahmen gesetzt, der
einen erfolgreichen Ausbau der erneuerbaren
In den vergangenen zehn Jahren sind enorme Energien ermglicht. Das EEG in der geplanten
Fortschritte in der PV-Systemtechnik erzielt Fassung ab 2004 zeigt fr PV-Anlagen eine
worden, welche sich nicht zuletzt in der deutlich positive konomische Bilanz in den Modell-
gestiegenen Anlagenqualitt und Zuverlssigkeit rechnungen mit 20 Jahren Betriebszeit. Jetzt gilt
der Komponenten und Systeme ausdrcken. es, dafr Sorge zu tragen, dass sich auch die
Diese Ergebnisse sind vor allem auch durch technische und architektonische Performance
frhere PV-Markteinfhrungsprogramme sowie der Solarstromanlagen positiv entwickelt und
34 die konsequente Frderung von Demonstrations- berzeugend ist.

FVS Themen 2003
Danksagung Literatur
Die Autorin dankt herzlich Wolfgang Nasse und [1] B. Decker, U. Jahn, Performance of
Thomas Nordmann sowie allen Mitarbeitern 170 grid-connected PV plants in Northern
der Arbeitsgruppe Task 2 der Internationalen Germany Analysis of yields and
Energieagentur (IEA) im Photovoltaic Power optimisation potentials, Solar Energy,
Systems (PVPS)-Programme fr ihre Betrge zur Vol. 59, elsevier 1997, pp. 127-133
PV Performance Datenbank und fr das Bild-
material. Das Projekt wurde gefrdert durch [2] Commission of the European Communities,
das Bundesministerium fr Umwelt, Naturschutz Analysis and Presentation of Monitoring
und Reaktorsicherheit (BMU) unter den Projekt- Data, Guidelines for the Assessment of
nummern 0329640 und 0329640B. Photovoltaic Plants, Document B, version 4.3,
Report EUR 16339 EN, March 1997
[3] International Electrotechnical Commission:

Photovoltaic system performance
monitoring Guidelines for measurement,
data exchange and analysis, International
Standard IEC 61724, Geneva, Switzerland,
first edition, April 1998
[4] I. B. Hagemann, Gebudeintegrierte

Photovoltaik. Architektonische Integration
der Photovoltaik in die Gebudehlle.
Kln 2002: Rudolf Mller.
ISFB 3-481-017776-6
[5] I. B. Hagemann, Gebudeintegrierte

Photovoltaik. Innovative Technik fr
das Baugewerbe. In: Tagungsband
18. Symposium Photovoltaische Solar-
energie 12. 14. Mrz 2003. pp. 239-247
[6] K. Oppermann, Frderergebnisse des

100.000-Dcher-Programms Eine
Zwischenbilanz, Perspektiven Erneuerbarer
Energien, Teil 4, KfW Research, August 2002
[7] S. Dietrich, Wirtschaftlichkeit von

Photovoltaikanlagen PVProfit, solid,
Erlangen 2003, Verlag Solare Zukunft,
ISBN 3-933634-09-1
35
Innovative Prozesse
Neue Materialien
Neue Silicium-Solarzellenstrukturen fr
hhere Wirkungsgrade
Dnnschicht-Solarzellen aus Silicium
III-V Halbleiter Konzentratorzellen
Neue Chalkopyrit (CIS)-Dnnschicht-Solarzellen

flexibel, leicht, effektiv
36
2_InnovativeP_2003_Lay02.qxd 22.02.2004 15:52 Uhr Seite 37
Prof. Dr. Rudolf Hezel Neue Silicium-Solarzellenstrukturen fr hhere Wirkungsgrade

FVS Themen 2003
Neue Silicium-Solarzellenstrukturen
fr hhere Wirkungsgrade
Einfhrung flchenproportionalen Kosten einher. Letztere Prof. Dr. Rudolf Hezel
machen mehr als 70 % der Kosten eines PV- ISFH
Um die Kosten des Solarstromes zu senken, wird Systems aus. In Tab. 1 sind Beispiele von Kom- hezel@isfh.de
gegenwrtig der Weg verfolgt, durch Massen- ponenten eines kristallinen Silicium-PV-Systems
fertigung und weitgehende Automatisierung angefhrt, deren Kosten flchenabhngig sind. Stefan Glunz
den Preis der mit ber 85 % Marktanteil domi- Es ist anzumerken, dass allein die Silicium- Fraunhofer ISE
nierenden kristallinen Silicium-Solarzellen zu scheiben 50 % der Modulkosten ausmachen. stefan.glunz@ise.fraunhofer.de
senken. Um die Konkurrenzfhigkeit mit den Mehr Leistung mit weniger Silicium zu erzielen
fossilen Energietrgern zu erreichen, mssen ist daher eine der wichtigen Konsequenzen
auerdem durch innovative Konzepte drastische der Wirkungsgraderhhung.
Erhhungen des Wirkungsgrades erzielt und
kostengnstige Materialien verwendet werden. Gegenwrtig liegt der Laborspitzenwert klein-
Grundbedingung fr eine Massenproduktion flchiger, sehr kompliziert herzustellender
groflchiger Solarzellen ist, dass vergleichs- einkristalliner Silicium-Solarzellen bei knapp
weise einfache, energie- und zeiteffiziente 25 %. Die kommerziellen Solarzellen erreichen
Fabrikationsprozesse zur Anwendung kommen. jedoch nur Wirkungsgrade zwischen 14 und 16 %.
Komplizierte Justiervorgnge, Masken und In jngster Zeit hat das Interesse der Industrie
Photolithographie, wie sie bisher zur Herstellung an hchsteffizienten Silicium-Solarzellen
hchsteffizienter Laborzellen bentigt werden, zugenommen [1]. Von der japanischen Firma
sind dabei ausgeschlossen. Sanyo (HIT-Zelle) und der US Firma Sun
Power wird die Produktion von Solarzellen mit
Der Wirkungsgrad hat erheblichen Einfluss auf Wirkungsgraden um 20 % angekndigt.
die Kosten eines Photovoltaiksystems. Mit
steigendem Wirkungsgrad erhht sich die Aus- Unserer Meinung nach sollten knftige indust-
gangsleistung einer Solarzelle und damit ist rielle Silicium-Solarzellen Wirkungsgrade ber
eine erhebliche Kostensenkung fr den Solar- 20 % erreichen, wobei Fertigungsprozesse zum
strom zu erreichen, wenn der Herstellungs- Einsatz kommen mssen, die mglichst nicht
aufwand nicht unverhltnismig stark zunimmt. kostspieliger sind als die herkmmlichen, um
Durch einen hheren Wirkungsgrad kann die den Kostenvorteil durch die Wirkungsgrad-
gleiche elektrische Leistung mit weniger Solar- erhhung voll nutzen zu knnen.
zellen- bzw. Modulflche erzielt werden. Hiermit
geht also automatisch eine Verringerung aller
Si-Grund- Scheiben- Solarzellen- Modul- Installation Wartung Tabelle 1

material herstellung prozess fertigung Beispiele von Kompo-
Hchstreines Si Kristallziehen Reinigung Zellenver- Transport Reinigung nenten eines PV-Systems
schaltung (kristallines Silicium),
Reinigungs- u. Sgen Schichtabscheidung Laminieren Aufstnderung Reparatur deren Kosten flchen-
Abscheideprozesse abhngig sind. Die
tzen Diffusion Glas, EVA, Tedlar Verdrahtung Kosten von Wechsel-
Chemikalien tzen Rahmen richter, Schaltern,
Metallisierung Anschlussbox Zhlern, Sensoren etc.
Messung Testen sind weitgehend
Verpacken leistungsabhngig.
37

FVS Themen 2003
In diesem Artikel werden innovative Solarzellen- Potenzial fr sehr hohe Wirkungsgrade (> 20 %),
strukturen mit hohem Wirkungsgradpotenzial, eine relativ einfache Prozessierung und Umwelt-
industrieller Umsetzbarkeit und vergleichsweise freundlichkeit bei Herstellung, Betrieb und
niedrigen Kosten vorgestellt. Die Forschungs- Entsorgung aus.
arbeiten erstrecken sich von frontseiten- ber
rckseitenkontaktierte und damit doppelseitig Die Standard-OECO-Solarzelle
(bifacial) nutzbare Zellen bis hin zu neuen Bi- In Abb. 1 ist die Struktur der Standard-OECO-
facialanwendungen, wodurch eine Steigerung Solarzelle schematisch dargestellt. Die charak-
der Ausgangsleistung um ber 60 % durch teristischen Merkmale sind [2]:
zustzliche Nutzung des auf die Rckseite
auffallenden Lichtes erreichbar ist. Weiterhin Eine mechanisch erzeugte Oberflchenstruk-
wird eine neue, fr industrielle hchsteffiziente tur, die es erlaubt, die Vorderseitenkontakte
Solarzellen vorteilhaft einsetzbare Rckseiten- an senkrecht verlaufenden Grabenflanken
konfiguration sowie deren Anwendung fr sehr anzubringen. Dadurch sind die Abschattungs-
dnne Si-Solarzellen vorgestellt. verluste durch die Metallfinger auf ein Mini-
mum begrenzt.
Ein flacher homogener Emitter mit hoher
Quantenausbeute im kurzwelligen Bereich
des Sonnenspektrums, wird durch eine
OECO-Solarzellen einstufige Diffusion erzeugt (kein selektiver
hchste Wirkungsgrade Emitter).
in der Massenfertigung Durch Schrgaufdampfung von Aluminium
im Vakuum und Erzeugung eines ultradnnen
Vom ISFH wird ein neuer Weg zu Spitzen- Tunneloxids maskenlos hergestellte hoch-
wirkungsgraden kristalliner Silicium-Solarzellen wertige MIS-Kontakte
in der Massenfertigung beschritten. Die inno- Optimale Passivierung der Solarzellenober-
vative Technik beruht auf einer maskenfreien flchen durch im Plasma abgeschiedenes
selbstjustierenden Methode der Kontakther- Siliciumnitrid bzw. thermisches Oxid
stellung in Verbindung mit einer strukturierten
Zellenoberflche. Dieses Verfahren beruht unter Der fr Hchsteffizienzsolarzellen relativ einfache
Ausnutzung des Selbstabschattungseffektes auf Herstellungsprozess basiert neben den blichen
der Schrgaufdampfung der Kontaktfinger im Reinigungsvorgngen im Wesentlichen auf den
Vakuum (Obliquely Evaporated COntacts). vier obigen unkompliziert und auch groflchig
Daher wurde fr die auf diese Weise hergestellten durchfhrbaren technologischen Schritten:
Bauelemente die Bezeichnung OECO-Solar- Oberflchenstrukturierung, Phosphordiffusion,
zellen eingefhrt. Sie zeichnen sich durch das Metallisierung durch Schrgbedampfung und
Oberflchenpassivierung.
Abbildung 1 Antireflex- und Passivier- Am ISFH wurden im Rahmen des Aufbaus einer
schicht (SiN)
Die Standard-OECO- Pilotlinie neue kostengnstige und einfach
MIS-n+p-Solarzelle mit n-Kontakt (Al) Licht automatisierbare Produktionsanlagen- und
Tunneloxid
mechanisch erzeugter prozesse einschlielich einer neuartigen Ver-
Oberflchenstruktur n+ bindungstechnik unter Verwendung von leit-
und maskenlos schrg fhigen Klebstoffen entwickelt. Als entscheiden-
aufgedampfter Vorder- der Erfolg ist zu werten, dass es gelang, den
seitenmetallisierung bereits im Labormastab erreichten Wirkungs-
p-Siliz grad von 20 % auf einer Solarzellenflche von
ium
10 cm x 10 cm trotz drastisch gesenkter Prozess-
kosten aufrecht zu erhalten. Fr 4 cm2 groe
p-Kontakt (Al) Zellen wurde ein Wirkungsgrad von 21,1%
Passivierungsschicht (SiNx oder SiO2) erreicht [2].
38

FVS Themen 2003
Die rckseitenkontaktierte bifaciale von Bifacial-Solarzellen und einer weien semi-

OECO-Solarzelle transparenten Reflektorplatte. Abb. 5 zeigt eine
Die wohl eleganteste Anwendung der OECO- Anordnung von schmalen Bifacialmodulen vor
Technik besteht darin, beide Kontaktsysteme einer weien Fassade. In beiden Fllen sind auf
auf einfache Weise auf der Rckseite der Solar- einfache Weise Steigerungen der Ausgangs-
zelle anzubringen (BACK OECO). Es ergeben leistung um mehr als 60 % im Vergleich zur rein
sich folgende Vorteile [1], [3]: keine Abschat- vorderseitigen Nutzung der Zellen mglich. Mit
tung durch das Frontkontaktgitter, Vereinfachung diesen Anordnungen wird daher fr die obige
der Modulfertigung, besseres Erscheinungsbild rckseitenkontaktierte Bifacial-OECO Solarzelle
sowie doppelseitige Lichtempfindlichkeit ohne nach Optimierung eine Ausgangsleistung
Zusatzaufwand. In Abb. 2 ist eine Ausfhrungs- erwartet, die einer gleich groen monofacialen
form der neuen rckseitenkontaktierten OECO- Zelle mit 30 % Wirkungsgrad entspricht.
Solarzelle schematisch dargestellt.
Antireflex- und Passivier- Abbildung 2
Licht schicht (SiN)
Die Hocheffizienzeigenschaften entsprechen, n+ Schematischer Aufbau
abgesehen von der abschattungsfreien Vorder- der rckseitenkontak-
seite, weitgehend denen der Standard-OECO- tierten bifacialen
Solarzelle. Als besonderes Merkmal kommt hin- OECO-Solarzelle
p-Siliz
zu, dass als Option auch das auf die Rckseite ium
auffallende Licht sehr effizient genutzt werden

kann. Was den kostengnstigen Herstellungs-
Basis-Dicke
prozess betrifft, so sind viele Schritte identisch
mit denen der Standard-OECO-Zelle. Es ist p-Kontakt (Al)
jedoch von entscheidender Bedeutung, dass Licht n-Kontakt (Al)
beide Kontaktsysteme mit Hilfe der Schrg-

bedampfungsmethode ohne Masken oder
1. Schrgaufdampfung 2. Schrgaufdampfung
Justierung, automatisch exakt voneinander Abbildung 3
getrennt, auf der Rckseite erzeugt werden. Silizium Silizium
Prinzip der selbstjustie-
Die Vorgehensweise ist in Abb. 3 dargestellt. renden Kontaktherstel-
a lung auf der Rckseite

Schon in sehr kurzer Zeit konnte fr die Vorder- a x sin von BACK-OECO-Solar-
f Me
amp talld
seite ein Wirkungsgrad von 18,3 %, fr die talld amp zellen durch Schrg-
Me f
Kontaktfinger
Rckseite 17,6 % erzielt werden. Aus Simulati- Porses Metall Porses Metall aufdampfung von
onsrechnungen geht hervor, dass Wirkungs- Metall auf beide Seiten
grade um 22 % fr Vorder- und Rckseite mg- der Flanken. Es wird
lich sind, so dass es sich hier um eine hchst- eine exakte Trennung
effiziente symmetrische bifaciale Solarzelle der n- und p-Kontakte
handelt. Sie wird zusammen mit den beiden erreicht.
eingangs genannten Solarzellen von Sanyo
und Sun Power als Kandidat fr den knftigen
industriellen Wirkungsgradbereich ber 20 %
diskutiert [1].
Abbildung 4
Multifunktionale Son-
Neue Anwendungen von nenschutzmarkise mit
Bifacial-Solarzellen doppelseitig lichtauf-
nehmenden Solarzellen
Am ISFH wurden krzlich innovative Anwen- und weier, semitrans-
dungen von Bifacial-Solarzellen entwickelt [4]: parenter Rckwand
In Abb. 4 handelt es sich um eine multifunktionale
Sonnenschutzmarkise mit parallelen Strings 39

FVS Themen 2003
system (Nd-YAG) aufgebaut, mit dem auf einer

10 cm x 10 cm Solarzelle 10000 LFC-Punkte in
ca. 1 Sekunde prozessiert werden knnen. Die
Ablenkung des Laserstrahls erfolgt ber ein sehr
schnelles Spiegelsystem. Der beste bisher mit
der LFC-Methode erreichte Solarzellen-Wirkungs-
grad liegt bei 21,3 %.
Durch den Laserprozess wird unter anderem die

Wirksamkeit der Aluminium-Rckkontakte ver-
bessert, was insbesondere bei niedrigen Dotier-
konzentrationen von groem Vorteil ist [6].
Eine weitere Manahme zur Kostensenkung von
Solarzellen stellt die Verwendung von dnnen
Abbildung 5 Siliciumscheiben dar, um damit teures Halbleiter-
Bifaciale PV-Module
Innovative Solarzellenrckseite material einzusparen. Hierbei ist zur Erzielung
vor weiem Hinter- fr hohe Wirkungsgrade hoher Wirkungsgrade eine gute Rckseitenpas-
grund an der Fassade Laser-Fired Contacts sivierung von besonderer Bedeutung. Allerdings
des ISFH-Gebudes ist es mit der momentan blichen Siebdruck-
Voraussetzung zur Erzielung hoher Solarzellen- technologie nicht mglich, sehr dnne Wafer
wirkungsgrade ist eine sehr gute Passivierung zu prozessieren, da es hierbei zu einer starken
der rckseitigen Oberflche sowie mglichst Verbiegung der Wafer kommt. Mit der am
kleine Kontaktflchen, um die Rekombination Fraunhofer ISE patentierten LFC-Technologie
der lichterzeugten Ladungstrger zu reduzieren. gelang es hingegen, sowohl auf 90 m dickem
Zur Oberflchenpassivierung werden dielektri- industriellen Czochralski-Siliciumsubstrat als
sche Schichten aus Siliciumoxid oder Silicium- auch auf 50 m dickem zonengezogenem
nitrid aufgebracht. Um Kontaktffnungen in Silicium, Solarzellen mit einem Wirkungsgrad
diese Isolatorschichten einzubringen, wird bei von 20 % herzustellen. Diese dnnen Zellen
den bisherigen Labor-Hchsteffizienz-Solar- zeichnen sich durch hhere Biegsamkeit aus und
zellen aufwndige Photolithografietechnik ver- knnen deshalb auch gekrmmten Oberflchen
wendet, die fr eine industrielle Produktion nicht angepat werden.
geeignet ist. Am Fraunhofer ISE wurde das
sogenannte Laser-Fired-Contacts (LFC)-Verfahren
entwickelt. Mit diesem Verfahren kann ohne
ffnung der Passivierungsschicht eine ideale Schlussfolgerung
Rckseite mit nur drei Prozessschritten herge-
stellt werden [5]: Es wurden neuartige Solarzellenstrukturen ent-
1. Passivierung (SiO2, SiN) wickelt, bei denen Hocheffizienzmerkmale mit
2. ganzflchige Metallisierung (Al) einfachen und kostengnstigen Herstellungs-
3. Laserfeuern der Punktkontakte verfahren verknpft sind. Mit diesen schon teil-
weise automatisierten Produktionsanlagen wird
Diese Anordnung ist in Abb. 6 dargestellt. Es gezeigt, dass unter konomisch und kologisch
wurde ein automatisiertes Pilotlinien-Laser- vertretbaren Bedingungen in einem industriellen
Prozess Wirkungsgrade ber 20 % mglich sind.
Abbildung 6 Mit einer neuen Rckseitenkonfiguration wurde
Innovative Solarzellen- selbst fr sehr dnne Silicium-Solarzellen die
rckseite: Laser-Fired Erreichbarkeit dieser hohen Wirkungsgrade
Contacts (LFC) aufgezeigt. Damit drften diese innovativen
Solarzellenstrukturen zu den aussichtsreichen
Kandidaten gehren, die mittelfristig einen
bedeutenden Beitrag zur Kostensenkung des
40 Solarstromes leisten knnen.

FVS Themen 2003
Literatur
[1] J. Bernreuter, Photon 5/2003 und Photon
International 5/2003, Solar Verlag GmbH,
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[2] R. Hezel, Solar Energy Materials and

Solar Cells 74 (2002), S. 25-33
[3] J. W. Mueller, A. Merkle and R. Hezel, Proc.

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Energy Conversion, Osaka, Japan 2003
[4] R. Hezel, Progress in

Photovoltaics 12, 01/2004
[5] E. Schneiderlchner, R. Preu, R. Ldemann

und S. W. Glunz, Progress in Photo-
voltaics 10, 29-34, 2002
[6] S. W. Glunz, A. Grohe, M. Hermle,

E. Schneiderlchner, J. Dicker, R. Preu,
H. Mckel, D. MacDonald and A. Cuevas,
Proceedings of the 3rd World Conference
on Photovoltaic Energy Conversion, Osaka,
Japan, 2003
41
Prof. Dr. Walther Fuhs Dnnschicht-Solarzellen aus Silicium

FVS Themen 2003
Dnnschicht-Solarzellen aus Silicium
Prof. Dr. Walther Fuhs Silicium-Dnnschicht-Solarzellen stellen eine Kristalline Si-Dnnschichttechnologien ver-
HMI besonders attraktive Option fr eine zuknftige sprechen aber hhere Modulwirkungsgrade.
fuhs@hmi.de PV-Technologie dar: Deshalb werden weltweit groe Forschungs-
Silicium (Si) hat grundstzlich das Potenzial anstrengungen zur Entwicklung solcher
Dr. Helmuth Stiebig zu hohen Wirkungsgraden. Solarzellen unternommen. Die verschiedenen
FZJ Si steht praktisch unbegrenzt zur Verfgung. Forschungs- und Entwicklungsanstze unter-
h.stiebig@fz-juelich.de Die beteiligten Materialien und Prozesse sind scheiden sich grob durch ihre Prozess-
nicht-toxisch und kologisch unbedenklich. temperaturen. Im Temperaturbereich unterhalb
Dr. Stefan Reber Si-Technologien sind eingefhrt und als von 300 C lsst sich mikrokristallines Silicium
Fraunhofer ISE zuverlssig bekannt. (c-Si:H) mit den gleichen Abscheideverfahren
stefan.reber@ise.fraunhofer.de Vielfltige Anwendungen von Silicium (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition
bewirken eine breite Kenntnis der Materialien (PECVD) oder Hot Wire Deposition) wie a-Si:H
und Bauelemente. herstellen. Charakteristisch fr die Abscheide-
bedingungen ist der Einbau von Wasserstoff,
Unter den verschiedenen Anstzen fr Dnn- der eine effektive Defektpassivierung bewirkt.
schichtsolarzellen aus Silicium ist die Technologie Dieses kristalline Dnnschichtmaterial hat eine
des hydrogenierten amorphen Silicium a-Si:H sehr komplexe heterogene Struktur. Es besteht
(Abb. 1a) am weitesten fortgeschritten. Module aus nanokristallinen Bereichen, die in Sulen
werden von mehreren Herstellern mit Wirkungs- angeordnet und von ungeordneten Bereichen
graden von 6 8 % gefertigt. Dies ist die einzige umgeben sind (Abb. 1b).
Dnnschichttechnologie, die bislang einen
nennenswerten Anteil am Weltmarkt erlangt hat Als besonders aussichtsreich gelten a-Si:H /c-
(um 8 %). Si:H-Stapelzellen wie sie in Deutschland am
Abbildung 1a und b Forschungszentrums Jlich entwickelt werden.
Netzwerkstruktur Erhht man die Prozesstemperaturen, so ergeben
Sule
(random network) von 50 200 nm
Kristallit sich bei Abscheidung auf Fremdsubstraten fein-
5 30 nm
amorphem Silicium kristalline, sehr heterogene Morphologien, die
(a-Si:H) und (b) Mor- sich wegen der hohen Korngrenzendichten
phologie von mikro- nicht fr Solarzellen eignen (Abb. 2a). Deshalb
kristallinem Silicium werden Technologien verfolgt, bei denen
zunchst eine grob-polykristalline Saatschicht
Abbildung 2a und b hergestellt wird, auf der dann die elektronisch
Morphologie von poly- aktive Absorberschicht epitaktisch abgeschieden
Substrat
kristallinem Silicium bei wird (Abb. 2b).
Abscheidung aus der
Gasphase auf Fremd- Das HMI verfolgt dabei einen Ansatz zu einer
substrat. (b) Saat- polykristallinen Dnnschichtzelle auf Glassub-
schichtkonzept: In straten und arbeitet deshalb mit Temperaturen
einem ersten Schritt T < 600 C. In diesem Temperaturbereich liegt
wird eine gobkristalline das zu lsende Problem in der Realisierung von
polykristallines Si
Si-Schicht hergestellt, epitaktischem Wachstum durch Verwendung
auf der dann die Absor- von Ionen-gesttzten Abscheideverfahren, bei
berschicht epitaktisch Saatschicht
denen die Energie fr das Schichtwachstum
abgeschieden wird. durch Ionenbombardment kontrolliert einge-
Substrat
bracht wird.
42

FVS Themen 2003
Die epitaktische Abscheidung bei hohen Sub- UV - VIS - IR

strattemperaturen T > 1100 C wird mit Glas
1.0
CVD-Verfahren durchgefhrt. Dabei kann ein
epitaktisches Wachstum mit Wachstumsraten TCO
0.8
von bis zu 10 m/min realisiert werden. Das
Quanteneffizienz
Fraunhofer ISE verfolgt hierbei ein Verfahren, a-Si:H 0.6
obere
bei dem zunchst die Saatschicht durch ein Zelle
Zonenschmelzverfahren realisiert wird, auf die c-Si:H 0.4 untere
dann epitaktisch die Schichten bei Temperaturen Zelle
um 1100 C abgeschieden werden. 0.2
0
400 600 800 1000
Wellenlnge (nm)
Dnnschicht-Solarzellen
aus amorphem und Wirkungsgrad. Als Basismaterial der p-i-n oder Abbildung 3
mikrokristallinem Silicium n-i-p Schichtfolgen dienen a-Si:H und c-Si:H- Schema einer Tandem-
Schichten mit einer Bandlcke von etwa 1,8 struktur aus amorphen
Dnnschicht-Solarzellen aus amorphem (a-Si:H) und 1,1 eV. Abb. 3 zeigt die spektrale Empfind- und mikroskristallinen
und mikrokristallinem Silicium (c-Si:H) knnen lichkeit einer solchen amorphen/mikrokristallinen p-i-n-Strukturen
durch PECVD- oder Hot-Wire-CVD-Verfahren Tandemsolarzelle, die auf rauen transparent leit- (a-Si:H/c-Si:H-Tandem)
bei Temperaturen von 100 300 C abgeschie- fhigen Metalloxidschichten (TCO) abgeschieden sowie Quantenaus-
den werden, was die Nutzung billiger Substrate wurde. Das Licht fllt durch das Glassubstrat in beuten der oberen und
(Glas, Stahlfolien, Kunststoff) erlaubt. Ein Nach- die a-Si:H-Zelle (Topzelle) ein, die eine Schicht- unteren Zelle [1].
teil dieser Dnnschichtmethoden ist jedoch die dicke von einigen 100 nm besitzt und den kurz- (Zu beachten: Licht
geringe Qualitt des hergestellten Materials. welligen Teil des Sonnenspektrums absorbiert. fllt durch das Glas-
So liegt die Lebensdauer der Ladungstrger fr Die untere Zelle (Bottomzelle), die das langwel- substrat ein.)
mikrokristallines Silicium mehr als drei Gren- lige Licht absorbiert, hat eine Dicke von einigen
ordungen unterhalb der von kristallinem Silicium. Mikrometern (m). Den Frontseitenkontakt des
Deshalb werden die Solarzellen als p-i-n1 oder Bauelements bilden ebenfalls transparente leit-
n-i-p Schichtenfolgen hergestellt und Teilsolar- fhige Metalloxidschichten (TCOs), die zustz-
zellen mit unterschiedlicher spektraler Empfind- lich in Kombination mit einem Metall auch als
lichkeit zu Tandem- oder Tripelzellen kombiniert hochreflektierender Rckkontakt benutzt wer-
[1]. Der schematische Aufbau einer solchen den. Dieses Solarzellenkonzept fhrte bislang
Tandemstruktur ist in Abb. 3 gezeigt. Dieser fr groe Module zu Wirkungsgraden von
Aufbau hat zwei signifikante Vorteile: 9 10 % (Kaneka Corp.). Fr Laborzellen wurden
Die p- und n-Schichten (typischerweise etwa ca. 12 % erreicht.
10 und 20 nm dick) erzeugen ein elektrisches
Feld, welches sich ber die undotierte Schicht Die extrem dnnen Schichten einer solchen
(i-Schicht) erstreckt und zu einer effizienten a-Si:H/c-Si:H-Zelle wrden bei einfachem
Sammlung der in der i-Schicht absorbierten Lichtdurchgang nur einen sehr geringen Kurz-
Ladungstrger fhrt. schlussstrom ermglichen, da der langwellige
Durch die Verwendung von zwei Absorber- Spektralanteil nur unzureichend absorbiert
materialien mit unterschiedlicher Energielcke wird. Hohe Wirkungsgrade lassen sich deshalb
wird das Sonnenspektrum selektiv genutzt. nur erreichen, wenn eine effektive Lichtein-
kopplung realisiert wird (light trapping). Um
Da in einem solchen Schichtsystem die Therma- die Lichtausbeute zu erhhen, werden daher
lisierungsverluste reduziert werden, haben TCO-Substrate mit rauen Oberflchen verwendet.
Multispektralzellen einen hheren theoretischen Diese rauen Grenzflchen fhren zu einer ver-
1
p-Schichten sind Lcher leitende Siliciumschichten, n-Schichten sind Elektronen leitende Siliciumschichten und i-Schichten sind
elektrisch isolierende Siliciumschichten. 43

FVS Themen 2003
besserten Lichteinkopplung in die Solarzelle als thermische Kristallisation (SPC)

Folge einer effektiven Brechungsindexgradierung Laserkristallisation (LC)
am bergang zwischen der TCO-Schicht und metallinduzierte Kristallisation (MIC)
der p-Schicht. Darber hinaus bewirken TCO-
Substrate eine bessere Lichtstreuung und fhren Sehr gute Resultate wurden bereits mit dem
damit zur Verlngerung des Lichtabsorptions- SPC-Verfahren erreicht. Sanyo Corporation hat
wegs in der Solarzelle. Bei Streuung oberhalb mit einem solchen Prozess im Labor eine poly-
des Winkels der Totalreflexion kann das Licht kristalline Si-Zelle mit einem Wirkungsgrad von
mehrfach in der Solarzelle zwischen Rck- und 9,5 % vorgestellt. Ein Modul mit einem
Frontkontakt hin- und herreflektiert werden. Wirkungsgrad von 8,2 % wurde krzlich von
Am FZ-Jlich wurde ein Prozess entwickelt, der Pacific Solar prsentiert, welches ebenfalls in
durch eine nasschemische Behandlung von einem SPC-Verfahren hergestellt wurde.
Zinkoxid (ZnO)-Schichten ein TCO-Substrat mit
random-texturierter Oberflche und hervor- Die Laserrekristallisation wurde bislang vor allem
ragenden Lichtstreueigenschaften erzeugt. zur Herstellung von Saatschichten verwendet.
Erste Anstze eine komplette Zelle durch Laser-
Schwerpunkte der Forschungsaktivitten liegen kristallisation zu erzeugen, werden am Institut
derzeit in der Erhhung der Depositionsraten, fr Physikalische Hochtechnologie (IPHT) in Jena
Steigerung des Wirkungsgrads durch Realisierung untersucht.
neuer Methoden zum Lichteinfang (Photonen-
management) und der Implementierung neuer Das HMI verfolgt ein Verfahren, bei dem die
Materialien in ein erweitertes Mehrschicht-Kon- elektronisch aktive polykristalline Si-Schicht in
zept. Besondere Bedeutung haben die Fragen einer Dicke von 2 3 m durch epitaktisches
der Entwicklung industriemiger Herstellungs- Wachstum auf einer polykristallinen Saatschicht
prozesse und die bertragung der Solarzellen- erzeugt wird [2]. Bei diesem Ansatz wird die
strukturen auf Module. Saatschicht durch einen MIC-Prozess mit
Aluminium (Al) erzeugt, wobei eine Schichtfolge
Glas/Al/a-Si durch eine Temperung bei
400 500 C in eine Schichtfolge Glas/poly-
Si/Al(Si) umgewandelt wird (Abb. 4). Nach
Kristalline Si-Dnnschicht-
chemischem Ablsen der Al(Si)-Schicht erzeugt
Solarzellen auf Fremdsubstrat man so eine kristalline Siliciumschicht mit einer
(Niedertemperaturpfad) Korngre von 10 20 m und einer Vorzugs-
orientierung mit einer (100) Flchennormalen.
Das zentrale Problem der Entwicklung einer Diese Schicht ist stark p-leitend und kann als
polykristallinen Dnnschichtsolarzelle auf Rckkontakt einer p+pn+ -Zelle verwendet
kostengnstigen Substraten wie Glas ist die werden. Die (100)-Vorzugsorientierung ist eine
Herstellung einer kristallinen Schicht mit wichtige Voraussetzung fr den schwierigsten
groer Korngre. Dies gilt vor allem bei der Prozessschritt nmlich das epitaktische Wachs-
Verwendung von Glas, weil dabei die tum in diesem Niedertemperaturbereich.
Prozesstemperaturen auf Werte unterhalb der Wegen der niedrigen Abscheidetemperaturen
Erweichungstemperatur von etwa 600 C werden dazu Abscheideverfahren bentigt, die
begrenzt sind. Um Wirkungsgrade im Bereich es ermglichen, whrend des Schichtwachstums
von 15 % zu erreichen, muss die kristalline Energie in die wachsende Schichtoberflche
Siliciumschicht Korngren haben, die deutlich einzukoppeln. Dies ist beispielsweise mglich
grer als die Dicke der Absorberschicht in der durch geeigneten Ionenbeschuss whrend der
Zelle (wenige Mikrometer) sind. Groe Kristallit- Abscheidung. Die oberste Emitterschicht einer
gren lassen sich erreichen, indem man solchen Zelle muss ebenfalls in einem Nieder-
zunchst amorphes Silicium abscheidet und temperaturschritt realisiert werden.
dieses dann durch verschiedene Verfahren
rekristallisiert. Folgende Verfahren sind in Der vielversprechenste Weg ist derzeit eine
44 der Entwicklung: Heterostruktur mit a-Si:H. Solche Hetero-

FVS Themen 2003
Abbildung 4a
NT-Emitter
Schema der Methode
epi-Si zur Herstellung einer
a-Si Al-Schicht
polykristallinen Si-
Al-Schicht Saatschicht Saatschicht poly-Si
Dnnschichtzelle auf
Glas-Substrat Glas-Substrat Glas-Substrat Glas-Substrat Glassubstrat
Abbildung 4b
111 Struktur einer durch
Al-induzierten Kristalli-
sation hergestellten
hkl polykristallinen
Si-Saatschicht: REM-
Bild der Oberflche,
Mapping der Ober-
flchenorientierung
REM EBSD 100 110
durch Electron Backs-
cattering Diffraction
(EBSD), Polfigur. Rot
bergnge lassen sich inzwischen in so hervor- technologie knnen mehr oder weniger unver- markiert: Orientierung
ragender Qualitt herstellen, dass der Wirkungs- ndert bernommen werden. Diesen Vorteilen nahe an (100) [2]
grad von Heterostruktur-Solarzellen nicht steht aber auch ein groer Nachteil gegenber:
durch die Qualitt der Grenzflche begrenzt ist. Das kostengnstige Substratmaterial Glas kann
Die Realisierung einer solchen polykristallinen nicht eingesetzt werden, es muss stattdessen
Si-Solarzelle liegt dennoch in der Zukunft. auf andere, hochtemperaturfeste Materialien
Ihre Verwirklichung erfordert langzeitorientierte zurckgegriffen werden, die aber trotzdem die
Forschung z. B. die Entwicklung von Prozessen anspruchsvollen Kostenziele erreichen mssen.
und Abscheideverfahren mit ausreichend hoher
Depositionsrate, eine Beherrschung der Defekt- Zur Verwirklichung des Hochtemperatur-
passivierung und Techniken fr den Lichteinfang. ansatzes werden mehrere Wege beschritten, von
denen zwei hier nher erlutert werden: Beide
nutzen die Idee des Waferquivalents, d. h.
die erzeugten Substrat /Schicht-Kombinationen
sollen genauso wie ein Siliciumwafer zu Solar-
Kristalline Si-Dnnschicht-
zellen prozessiert werden knnen. Abb. 5 zeigt
Solarzellen auf Fremdsubstrat den Schichtaufbau der beiden Wege. Das epi-
(Hochtemperaturpfad) taktische Waferquivalent (links) wird durch
eine epitaktische Abscheidung von Silicium auf
Der sogenannte Hochtemperaturansatz erhlt einem kostengnstigen, kristallinen Si-Substrat
seinen Namen durch die Erweiterung der erzeugt.
Temperaturgrenze bis ber den Schmelzpunkt
von Silicium bei 1400 C hinaus. Dies hat erheb- Fr das rekristallisierte Waferquivalent (rechts)
liche Auswirkungen: Abscheidungen von Silicium wird zunchst auf beliebigen hochtemperatur-
knnen sehr schnell (bis ca. 10 m /min) und festen Substraten eine Saatschicht unter Einbe-
mit hoher Qualitt epitaktisch durchgefhrt ziehung eines zustzlichen Zonenrekristallisati-
werden. Als Ausgangsmaterial kann das kosten- ons-Schritts hergestellt, auf die dann epitaktisch
gnstige Trichlorsilan eingesetzt werden, welches abgeschieden wird. Aufgrund der unterschied-
in ausreichendem Umfang verfgbar ist. Alle lichen Komplexitt der beiden Waferquiva-
Solarzellenprozesse der Wafer-Solarzellen- lent-Konzepte ist ihr jeweiliger Entwicklungs- 45

FVS Themen 2003
Waferquivalent Direktepitaxie Waferquivalent Keramik Kristallqualitt. An dieser technologischen

Fragestellung wird in mehreren Forschungs-
instituten Europas intensiv gearbeitet. Auch die
n- Si-Epi
Entwicklung wichtiger Prozessschritte wie z. B.
n- Si-Epi (1 m)
Abscheidung leitfhiger Zwischenschichten, die
p- Si-Epischicht 19m die strengen Prozessanforderungen erfllen,
p- Si-Epischicht (29 m)
p+ Si-Keimschicht, ZMR (5m) ist Gegenstand intensiver Forschungs- und Ent-
wicklungsarbeit.
SiO2, SiC oder SiNx (1m)
Si-Wafer 500m
(Substrat) Schlielich ist die Anpassung der Solarzellen-
Keramiksubstrat (300m)
Herstellungsprozesse insbesondere beim re-
Rckseitenkontakt kristallisierten Waferquivalent eine bedeutsame
Aufgabe, die die Metallisierung auf unebenen
Schichtoberflchen, oder die effektive Wasser-
Abbildung 5 stand verschieden. Das einfacher aufgebaute stoffpassivierung defektreicher Si-Schichten
Schema der epitaktische Waferquivalent Direktepitaxie umfasst. Durch das Konzept der Waferquiva-
Waferquivalente fhrt inzwischen mit Standard-Siebdrucktech- lente ergibt sich eine reelle Chance, kristalline
Direktepitaxie und nologien zu Solarzellen. Die entsprechenden Si-Dnnschicht-Solarzellen ohne die Notwendig-
Keramik durch Solarzellenparameter entsprechen denen von keit enormer Investitionen graduell in die Solar-
CVD-Abscheidung auf Wafersolarzellen, mit Ausnahme des Kurzschluss- zellenproduktion einzufhren. Whrend das
einen Si-Wafer oder stroms, welcher durch die Anzahl absorbierter epitaktische Waferquivalent in einem Zeitraum
ein Keramiksubstrat. Photonen bestimmt wird. Bei epitaktischen von nur wenigen Jahren die Produktionstauglich-
In beiden Fllen kann Waferquivalenten durchdringen 10 20 % der keit erreichen kann, besitzt das rekristallisierte
die Prozessierung zu einfallenden Photonen die aktive Siliciumschicht Waferquivalent eine etwas lngerfristige
Solarzellen hnlich wie ohne absorbiert zu werden und gehen im Perspektive.
bei der blichen Si- Substrat verloren. Dies verringert den Wirkungs-
Wafertechnologie grad. Trotzdem betragen die Wirkungsgrade je Tab. 1 fasst die Charakteristika der verschiedenen
durchgefhrt werden nach angewandter Technologie zwischen 12 % Anstze fr Dnnschicht-Solarzellen zusammen.
[3]. und 15 % auf Flchen um 25 cm2. Neben den hier dargestellten Anstzen sind in
der Tabelle auch Daten fr Zellen und kleine
Beim rekristallisierten Waferquivalent sind die Module angegeben, die mit Hilfe einer Transfer-
bisherigen Solarzellenflchen im Bereich von technologie hergestellt wurden, die zu einer
1 10 cm2 noch deutlich kleiner. Obwohl die monokristallinen Si-Zelle auf einem Fremdsubstrat
Substratgren durchaus ber 10 cm x 10 cm fhren. Solche Anstze werden am Zentrum fr
gro sein knnen, fhrt der Schichtaufbau zu Angewandte Energietechnik (ZAE) in Erlangen
Schwierigkeiten beim Zellprozess, insbesondere [4] und am Institut fr Physikalische Elektronik
wenn nichtleitfhige Substrate und Zwischen- der TU Stuttgart [5] verfolgt. Diese Verfahren,
schichten verwendet werden. Entsprechend sind beruhen darauf, dass zunchst auf einem Ein-
die erreichten Wirkungsgrade etwas niedriger kristall eine porse Trennschicht gebildet wird,
als beim epitaktischen Waferquivalent. Je nach auf die dann in einem Hochtemperaturschritt
Substrat schwanken diese zwischen 10,7 % epitaktisch mit CVD-Verfahren eine monokris-
(SiSiC-Keramik mit SiO2-/SiNx -Zwischenschicht) talline Si-Schicht mit einer Dicke von 25 50 m
und 13,5% (mc-Si mit SiO2 - Zwischenschicht) [3]. abgeschieden wird. Diese monokristalline
Schicht kann hnlich wie ein Si-Wafer zu einer
Ein wesentlicher Schwerpunkt zuknftiger Solarzelle prozessiert werden, nachdem sie vom
Arbeiten ist die Skalierung der Zellen auf Flchen Einkristall lngs der porsen Si-Schicht getrennt
um 100 200 cm2. Nur dadurch lsst sich die und auf ein anderes Substrat (Glas oder Plastik)
Idee des Waferquivalents auch tatschlich in bertragen (PSI-Prozess) wird. Der Vorteil solcher
produktionsnahen Umgebungen verwirklichen. Techniken liegt in der mehrfachen Wiederver-
Eine Grundvoraussetzung fr die Skalierung ist wendbarkeit des einkristallinen Substrats. Diese
die erfolgreiche Entwicklung von hochproduk- Lift-off-Techniken und die Si-Zellen des Hoch-
46 tiven Abscheideverfahren fr Silicium hoher temperaturpfads befinden sich mit Absorber-

FVS Themen 2003
Technologie Status Herstellung Herausforderung Tabelle 1

a-Si:H L 13,2 % PECVD Flche Charakterisierung der
M 68% Glas, Plastik, Metall Depositionsrate Anstze fr Si-Dnn-
c-Si:H L 9,1% R = 30 nm /min Wirkungsgrad
schicht-Solarzellen.
a-Si:H/c-Si:H L 12 % TS = 100 300 C Tripel Tandem
M 9 10 % D = 1 3 m Photon-Management R Depositionsrate,
pin-Struktur TS Abscheidetemperatur,
polykristallines Silicium L 9,2 % (SPC) ionengesttzte Abscheidung Machbarkeit D Dicke der elektronisch
Niedertemperaturpfad M 8,2 % (SPC) Glas Depositionsverfahren aktiven Schicht der Zelle,
R = 30 100 nm /min fr Epitaxie
L Laborzelle,
TS < 600 C Depositionsrate
D = 2 5 m Defektpassivierung M Industriemodul,
p+pn+ -Struktur Lighttrapping oL und mL ohne bzw.
mit Photolithographie
multikristallines Si L 8 11% [3] CVD-Verfahren HT-Substrate
Hochtemperaturpfad Keramik Zwischenschichten
R bis zu 10 m /min Flchen
TS > 1100 C Durchsatz
D = 20 30 m
pn-bergang
monokristallines Si L 15,4 % (oL) [4] Lift off (PSI Prozess mit Flchen
L 16,6 % (mL) [5] porsem Si) Industrielle Prozesse
D > 25 m, pn-bergang Durchsatz
dicken um 25 50 m nahe an dem Forschungs- [3] T. Kieliba, J. Pohl, A. Eyer, C. Schmiga:

trend zu dnneren Si-Wafern und schlieen Optimization of c-Si Films formed by
damit die Lcke zwischen den Dnnschicht- Zone-Melting Recrystallization for Thin-Film
technologien und den ultradnnen Si-Wafern. Solar Cells, Proceedings of the 3rd World
Conference on Solar Energy Conversion,
Osaka, Japan, 2003
Literatur [4] R. Brendel, K. Feldrapp, R. Horbelt, R. Auer:

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C. Ornaghi, D.Van Gestel, I. Gordon,
K. van Nieuwenhuysen, G. Beaucarne,
J. Portmans, M. Stger-Pollach, J. Bernardi,
P. Schattschneider, O. Van der Biest:
Crystalline Silicon Thin-Film Solar Cells on
Foreign Substrates: The European Project
METEOR, European Photovoltaic Solar
Energy Conference, Paris 2004 (eingereicht)
47
Dr. Frank Dimroth III-V Halbleiter Konzentratorzellen

FVS Themen 2003
III-V Halbleiter Konzentratorzellen
Dr. Frank Dimroth Einleitung und Geschichte stellung uerlich einer herkmmlichen Solar-
Fraunhofer ISE zelle mit nur einem pn-bergang (Abb. 1).
dimroth@ise.fraunhofer.de Zwei Verlustmechanismen begrenzen den Die hchsten Wirkungsgrade solcher Stapel-
Wirkungsgrad von herkmmlichen Solarzellen solarzellen werden heute mit sogenannten
Dr. Andreas Bett mit einem pn-bergang: Die Thermalisierung III-V Halbleitern erreicht. Man verwendet hier-
Fraunhofer ISE (Wrmeerzeugung) heier Ladungstrger, bei die verschiedenen Elemente der III. und
andeas.bett@ise.fraunhofer.de erzeugt durch Photonen mit einer Energie, V. Gruppe des Periodensystems, wie z. B. Galli-
welche grer ist als die Bandlcke, und die um (Ga), Indium (In), Arsen (As), Phosphor (P),
Transmission (Nicht-Absorption) von Photonen Antimon (Sb), Aluminium (Al) fr die Herstellung
mit einer Energie, welche kleiner ist als die von Mischkristallen, deren Absorptionskante
Bandlcke des verwendeten Halbleiters. Diese zwischen 500 6000 nm eingestellt werden
beiden Verlustmechanismen knnen erheblich kann. Die meisten dieser Verbindungen besitzen
reduziert werden, indem man das Sonnen- zudem den Vorteil einer extrem hohen Absorp-
spektrum auf mehrere Solarzellen aus Halbleiter- tion, was zur Folge hat, dass dnne Schichten
schichten mit unterschiedlicher Bandlcken- von nur einigen Mikrometern ausreichen, um
energie aufspaltet. Es gibt verschiedene Verfahren das nutzbare Licht zu absorbieren.
dies zu erreichen. Eine Mglichkeit besteht zum
Beispiel darin, das Sonnenspektrum mit Prismen 1984 wurde erstmals am National Renewable
in mehrere energetische Bereiche aufzuspalten Energy Laboratory (NREL) in Golden, Colorado
und dann auf entsprechend angepasste Solar- eine Materialkombination aus GaInP und
zellen zu leiten. Oder es lassen sich mehrere von- GaAs fr eine monolithische Stapelzelle aus
einander getrennte Solarzellen mit wachsender III-V Halbleitern vorgeschlagen und untersucht.
Bandlckenenergie so bereinander anordnen, Nach Jahren der intensiven Forschung wurden
dass die oberste Zelle den blauen und die 1994 bereits Wirkungsgrade von bis zu 29,5 %
unterste Zelle den roten Anteil des Sonnenlichts (AM1,5 g)1 erzielt [1]. Die erste Kommerzialisie-
absorbiert. Die oben liegenden Solarzellen sind rung des Produkts begann 1996 durch die
dabei fr das rote Licht transparent. Man spricht beiden Firmen Tecstar und Spectrolab in USA,
in diesem Fall von sogenannten Stapel-Solar- welche die beiden ursprnglichen Teilzellen
zellen. Das wohl erfolgreichste Konzept ist das noch durch eine dritte, im infraroten absorbie-
Stapeln von mehreren Solarzellen auf einem rende Germanium (Ge)-Teilzelle ergnzten.
einzigen Substrat (monolithisch), wobei die
Teilzellen in diesem Fall in nur einem einzigen Eines schien jedoch von Anfang an klar: Die hier
Prozess bereinander abgeschieden werden. Die entwickelten Solarzellen wrden fr die terres-
monolithische Stapelzelle gleicht nach der Her- trische Anwendung in Flachmodulen immer zu
Abbildung 1a und b
Weltraum- und Kon-
zentratorsolarzelle aus
III-V Halbleitern, wie
sie am Fraunhofer ISE
entwickelt werden
48
1
AM 1,5g bezeichnet die Luftmasse (air mass), die das Sonnenlicht durchqueren muss, bevor es auf die Solarzellen fllt.
g = global, d.h. es wird ein mittlerer Wert, der fr Deutschland typisch ist, genommen.

FVS Themen 2003
teuer sein. Aus diesem Grund lag die Anwendung wicklungspotenzial ist in diesem, im Vergleich
zunchst in der Versorgung von Satelliten mit zu Silicium noch jungen, photovoltaischen
hohem Leistungsbedarf. Die monolithischen Forschungsbereich gro und es kann mit
Stapelzellen aus GaInP /GaAs /Ge haben hier steigenden Wirkungsgraden bis zu 40 % in den
innerhalb weniger Jahre die Si-Solarzelle weit- nchsten Jahren gerechnet werden.
gehend aus dem Markt verdrngt. Die Spitzen-
wirkungsgrade wurden mit dem wachsenden
Verstndnis des Kristallwachstums und der
Weiterentwicklung der involvierten Technologie Konzentratorentwicklung
stetig verbessert und erreichen heute etwa am Fraunhofer ISE
32 % (AM1,5) [2].
Am Fraunhofer ISE wird seit 1984 die Anwendung
Die Arbeiten in Europa liegen noch hinter diesen von III-V Solarzellen in Konzentratorsystemen
Ergebnissen zurck [3]. Die Kommerzialisierung untersucht. Hierbei wird das Sonnenlicht mit
von dreifach Solarzellen soll erst in 2003 von Hilfe von Fresnel-Linsen um einen Faktor
der Firma RWE Space Solar Power erfolgen. 300 1000 auf einen winzigen Brennfleck
Das Fraunhofer ISE arbeitet hierbei eng mit den fokussiert, in dem sich dann eine nur noch
beteiligten Firmen und Weltraumorganisationen 2 10 mm2 kleine Solarzelle befindet. Der Sinn
zusammen und forscht bereits an einer nchsten
Generation von Stapelzellen mit 5 bzw. 6 pn- Abbildung 2a
bergngen [4]. FLATCONTM Konzen-
trator mit 2-fach
Mit den steigenden Wirkungsgraden und der Stapelsolarzellen
voranschreitenden Kommerzialisierung der
III-V Solarzellen stellt sich erneut die Frage nach
mglichen Synergien mit einer terrestrischen
Anwendung. Dies haben auch die amerikanischen
Firmen erkannt und forschen nun seit einigen
Jahren intensiv an der Anwendung der mono-
lithischen Stapelzellen in konzentrierenden
Systemen. Hierbei mssen die Weltraumsolar-
zellen auf die neuen spektralen Anforderungen Abbildung 2b
angepasst werden. Auch hier beweist die Welt- FLATCONTM Konzen-
raumfirma Spectrolab in USA wieder ihren trator mit Testmodul
technologischen Vorsprung mit einem krzlich
erreichten Zellwirkungsgrad von 36,9 % fr
die derzeit beste dreifach Stapelzelle unter
konzentriertem Licht [5].
Am Fraunhofer ISE wurde bisher zunchst eine

spezielle 2-fach Solarzelle aus den Materialien
GaInP und GaInAs entwickelt (siehe Abb. 1).
Diese Zelle eignet sich besonders fr Anwen-
dungen unter sehr hoher Konzentration von
300 1200 Sonnen und weist in diesem Bereich
europische Spitzenwirkungsgrade von 30 31%
auf [6]. Die nchste Generation von III-V Kon-
zentratorzellen muss jedoch noch hhere Wir-
kungsgrade erzielen. Hierzu wird eine dritte
Germanium-Solarzelle der bisherigen Struktur
hinzugefgt, die gleichzeitig auch ein erheblich
gnstigeres Substratmaterial darstellt. Das Ent- 49

FVS Themen 2003
dieses Vorgehens ist, die teure Halbleiterflche Ziel muss es sein, Systeme zu entwickeln, die
der III-V Stapelzellen durch eine vergleichsweise schon heute auf dem Markt konkurrenzfhig
gnstige Optik zu ersetzen und somit die sind. Dies ist eine groe Herausforderung fr
Anwendung dieser erfolgreichen Weltraumtech- jede Zukunftstechnologie im Bereich der Photo-
nologie auch auf der Erde gewinnbringend zu voltaik, da die Si-Solarzelle auf eine fnfzigjhrige
machen. Der Wirkungsgrad einer Solarzelle Geschichte und ein Marktvolumen von mehreren
steigt logarithmisch mit der Konzentration des Hundert MWp jhrlich installierter Leistung
Sonnenlichts an bis er durch Widerstandsverluste zurckblicken kann. Die Entwicklung im Bereich
begrenzt wird. Dieses physikalische Gesetz der konzentrierenden Photovoltaik steht hin-
erlaubt es sogar, noch hhere Effizienzen unter gegen erst am Anfang und viele der technologi-
dem konzentriertem Sonnenlicht zu erreichen schen Mglichkeiten gilt es in Zukunft erst zu
als gegenwrtig. Um den Brennfleck der Linsen erforschen.
auf der Solarzelle zu halten, mssen Konzen-
tratormodule der Sonne nachgefhrt werden.
Hierzu wird ein sogenannter Tracker verwendet.
Die Stromgestehungskosten eines Konzentrator- Vorteile hochkonzentrierender
systems hngen stark von dessen Konzentrations- Systeme
faktor ab. Bei steigender Konzentration sinkt der
Kostenanteil der Solarzelle, dafr steigen die Der Einsatz von hochkonzentrierenden Photo-
Kosten fr Justage und fr den Tracker aufgrund voltaiksystemen zur Stromerzeugung weist bei
der hheren Anforderungen an die Genauigkeit einer groflchigen Nutzung folgende Vorteile
der Nachfhrung. Weiter spielen Faktoren wie auf:
das thermische Verhalten und die Qualitt der hohes Wirkungsgradpotenzial ermglicht
Linsen eine wesentliche Rolle. Kostenreduktion
Skalierbarkeit bis in den Gigawatt- Bereich
Am Fraunhofer ISE wurde in einer langjhrigen mglich ohne Rohstoffproblem
Zusammenarbeit mit dem Ioffe Institut in kurze energetische Amortisationszeit
St. Petersburg ein Fresnel-Konzentrator mit dem
Namen FLATCONTM (Abb. 2) entwickelt [7]. Wegen einer hheren Komplexitt von hoch-
Dieses Konzentratormodul verwendet mono- konzentrierenden PV-Systemen im Vergleich
lithische zweifach Stapelzellen aus III-V Halbleitern zu konventionellen Flachmodulen eignen sich
zusammen mit Fresnellinsen bei einer geometri- erstere insbesondere fr den Einsatz im Kraft-
schen Konzentration von 500 in einem komplett werksbereich. Ein gewisses Ma an Wartung ist
hermetisch abgeschlossenen System aus Glas. wegen der geregelten Nachfhrung und einer
Ein Tracker mit einer Flche von 30 m2 wird mglichen Verschmutzung der Optik notwendig.
momentan auf einer Testwiese installiert und
mit Modulen mit einer prognostizierten Leistung Die noch junge Technologie birgt ein hohes
von 5 kW bestckt. Im Bereich der Systemtechnik Wirkungsgradpotenzial von hochkonzentrieren-
fr hochkonzentrierende Photovoltaik gibt es den Photovoltaiksystemen. Sowohl auf der
bislang nur wenig Erfahrung und hier liegen Systemseite, als auch auf der Zellseite sind noch
wohl auch die grten Herausforderungen. erhebliche Verbesserungen zu erwarten. Gerade
im Bereich der III-V Verbindungshalbleiter ent-
Die zentrale Frage ist dabei, welche Kosten wickeln sich die technologischen Mglichkeiten
langfristig fr die Optik und Nachfhrung eines und die Qualitt der Materialien berdurch-
solchen Systems zu erwarten sind. Diese Frage schnittlich schnell. Ein wirklicher Durchbruch
ist sicher nicht pauschal zu beantworten, da knnte z. B. dann erfolgen, wenn diese hoch-
die Anforderungen von System zu System sehr effizienten III-V Solarzellenstrukturen auch auf
unterschiedlich sein knnen. Am Fraunhofer ISE Silicium abgeschieden werden knnen. Die
wird momentan eine Studie durchgefhrt, Zell- und Systemwirkungsgrade sind auf jeden
um die zuknftigen Kosten eines FLATCONTM Fall ein sehr wichtiger Faktor fr die Reduktion
Systems mit einer Konzentration von 500 Sonnen der Energiegestehungskosten in hochkonzen-
50 bestckt mit dreifach Solarzellen zu untersuchen. trierenden Photovoltaiksystemen.

FVS Themen 2003
Weiter liee sich die Produktion solcher Systeme Ge Epitaxie

4% 2% Technologie
kurzfristig bis in den GW-Bereich ausdehnen.
Transport 1%
Der Grund hierfr ist die geringe Menge an ver- 7%
arbeiteter Halbleiterflche. Fr eine Fabrik zur Kupfer
Herstellung von 20 MW FLATCONTM Systemen 17 %
pro Jahr wrden 4 5 Anlagen zur Abscheidung
der Halbleiterschichten mit einem Flchen- Stahl fr
Nachfhrung Verkapselung
bedarf von nur etwa 500 m2 ausreichen. Es
40 % 1%
wrden nur etwa 400 kg Germanium (Ge) in
Form von Ge-Wafern bentigt. Der wesentliche
Aufwand fr die Produktion solcher Systeme
liegt demnach im Bau der Nachfhreinheiten Glas
und der Glasmodule mit den darauf geprgten Modul 19 %
Linsen. So mssten in einer 20 MW Fabrik etwa Herstellung Linsen
3% 7%
3500 Tonnen Stahl und 2500 Tonnen Glas
jhrlich verarbeitet werden. Dies sind jedoch Primrenergie Rckgewinnungszeit =
Zahlen, die von der Automobilindustrie um 15 Monatefr FLATCON Module
Grenordnungen bertroffen werden und
auch einem Ausbau der Fabrikation in den GW-
Bereich hinein nicht behindern sollten.
hat eine realistische Chance, sich einen Markt Abbildung 4
Schlielich spricht noch ein weiteres Argument bei Kraftwerksanwendungen sichern zu knnen, Prozentuale Aufteilung
fr die hochkonzentrierende Photovoltaik und wenn zuverlssige Systeme mit konkurrenz- des Primr-Energie-
dies sind die vergleichsweise kurzen projektierten fhigen Stromgestehungskosten verfgbar sind. aufwands auf die
Energie-Rckgewinnungszeiten. Fr das FLAT- Hierzu sind hchste Modul- und Zellwirkungs- verschiedenen
CONTM System wurde fr einen sonnenreichen grade erforderlich. Komponenten eines
Standort im Sden Europas eine energetische hochkonzentrieren
Amortisationszeit von nur 15 Monaten berechnet Im Moment liegt der Wirkungsgrad der besten den FLATCONTM Systems
(Abb. 4). Hierzu wurden Angaben fr den Ener- am Fraunhofer ISE hergestellten Konzentrator-
gieaufwand zur Herstellung der wesentlichen solarzelle mit 2 pn-bergngen bei 31 %, der
Materialien aus [9 11] verwendet. Es wurde des besten Testmoduls bei 24,8 % [8]. Letzteres
ein Transport der Systeme ber 2000 km ange- stellt im internationalen Vergleich einen Spitzen-
nommen. Einige kleinere Verbrauchsmaterialien, wert dar. In USA [5] und Japan wurden krzlich
der Wechselrichter, die Wartung der Anlage, Zellwirkungsgrade von 36 % mit dreifach Zellen
sowie das Recycling der Module wurden in unter konzentriertem Licht gemessen, trotzdem
dieser Rechnung noch nicht bercksichtigt. Eine bersteigen die Modulergebnisse nicht den
detaillierte Beschreibung soll an anderer Stelle vom Fraunhofer ISE erreichten Wert. Dies zeigt
verffentlicht werden. wie wichtig die Entwicklungen im Bereich der
Systemtechnik sind. Hier liegt sicher eine groe
Herausforderung fr die Zukunft.
Zusammenfassung
Hochkonzentrierende Photovoltaiksysteme sind Danksagung
der Versuch, die Erfolge in der Weltraumanwen-
dung auch auf der Erde nutzbar zu machen. Sie
sind die Verbindung aus einem winzigen hoch- Wir danken den Bundesministerien und dem
technologischen Halbleiter-Chip mit einer kosten- Projekttrger Jlich fr die finanzielle Frderung.
gnstigen, przisen Optik und Mechanik.
Der Einsatz hochkonzentrierender Photovoltaik-

systeme in Kombination mit III-V Solarzellen 51

FVS Themen 2003
Literatur [6] F. Dimroth, R. Beckert, M. Meusel,

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52
Dr. Friedrich Kessler Neue Chalkopyrit (CIS)-Dnnschicht-Solarzellen flexibel, leicht, effektiv

FVS Themen 2003
Neue Chalkopyrit (CIS)-Dnnschicht-

Solarzellen flexibel, leicht, effektiv
Einfhrung einen hnlichen Wert EOL (EOL end of life) Dr. Friedrich Kessler
wie er von CIS-Solarzellen unter gleichen ZSW
Flexible Chalkopyrit-Photovoltaikmodule knnen Bedingungen permanent aufrechterhalten wird. friedrich.kessler@zsw-bw.de
die Anwendungsfelder von Dnnschichtsolar-
modulen erheblich erweitern. Whrend im Archi- Die Markteinfhrung von CIS-Solarzellen auf Dr. Roland Scheer
tekturbereich (z. B. Dach, Fassade) die stheti- Glassubstraten steht noch am Anfang. Daher HMI
sche Erscheinung und optimale Integration eine knnte die Entwicklung und Produktion fle- scheer@hmi.de
entscheidende Rolle spielen, kommt es fr xibler, leistungsfhiger Weltraumsolargene-
potenzielle Anwendungen im mobilen Bereich ratoren auf CIS-Basis als Spin-Off-Effekt die Marc Kntges
(Fahrzeuge, Luft- und Raumfahrt, Camping) Etablierung der CIS-Technologie untersttzen. ISFH
eher auf geringes Gewicht und gute Transportier- Der Bedarf an Weltraummodulen erwchst im m.koentges@isfh.de
barkeit an. Der schon seit nahezu 20 Jahren Wesentlichen durch die Anforderungen aus
auf dem Markt befindliche flexible Solarzellentyp dem Telekommunikationsbereich (z. B. UMTS,
(amorphes Silicium) kann die gestellten Anfor- europisches Positioniersystem). Das fr die
derungen aufgrund des relativ geringen Wir- nchsten 10 Jahre abgeschtzte Marktpotenzial
kungsgradniveaus jedoch nur teilweise erfllen, von ca. 100 kW /Jahr [3] fr Europa in diesem
so dass ein Interesse an Alternativen besteht. Bereich ist allerdings relativ klein.
Dnnschichtsolarzellen der Verbindungsklasse der

Chalkopyrite haben die allgemeine chemische
Formel Cu(InGa)Se2. Sie werden abgekrzt als Herausforderungen
CIS-Solarzellen bezeichnet und zeichnen sich
durch ein hohes Wirkungsgradpotenzial aus. Der Die positiven Eigenschaften von Glas wie extrem
maximal erreichte Kleinzellen-Wirkungsgrad glatte Oberflchen, Absorberdotierung mit
von CIS-Dnnschichtsolarzellen liegt derzeit bei Natrium, das aus dem Glas diffundiert, und rela-
19,2 % [1]. Auerdem haben sie auch eine tiv geringe Kosten werden allerdings durch sei-
ausgeprgte Stabilitt gegenber Elektronen- ne Brchigkeit und fehlende Flexibilitt relati-
und Protonenbestrahlung, wie unter anderem viert. Whrend ein typisches Standard
am IPE der Universitt Stuttgart nachgewiesen CIS-Modul, z. B. von Wrth Solar, auf Natrium-
werden konnte [2]. In Kombination mit einem haltigem Glas hergestellt und mit einer starren
geringen Gewicht und Kosten, die deutlich Glasscheibe verkapselt wird, mssen zur Herstel-
unter denjenigen von kristallinem Silicium- oder lung eines flexiblen Moduls sowohl Trger- als
GaAs-Hocheffizienzsolarzellen liegen, werden auch Frontglas durch eine geeignete Folie
CIS-Solarzellen damit auch fr Weltraumanwen- ersetzt werden.
dungen sehr attraktiv. Daher hat sich die
europische Weltraumbehrde ESA nach einer Substratfolie: Der Substratfolie fllt dabei
eingehenden Evaluierungsphase inzwischen fr besondere Bedeutung zu, da sie den gesamten
die CIS-Solartechnologie entschieden. Werden Solarzellenherstellungsprozess durchluft und
alle genannten und potenziell realisierbaren z. B. durch ihre thermische Ausdehnung
Eigenschaften kombiniert, knnen CIS-Module whrend der CIS-Absorberabscheidung und
herkmmliche und deutlich effizientere Welt- durch ihre chemische Aktivitt und Ober-
raummodule verdrngen, da diese whrend der flchenbeschaffenheit die Eigenschaften des
vorgesehenen Lebensdauer im Weltraum eine Schichtverbunds beeinflusst. Schichthaftung,
wesentlich geringere Bestrahlungsresistenz auf- erzielter Wirkungsgrad, die Mglichkeit einer
weisen, d. h. ihr ursprnglicher Wirkungsgrad monolithischen Zellverschaltung knnen damit
BOL (BOL beginning of life) degradiert auf entscheidend vom Substrat bestimmt werden. 53

FVS Themen 2003
Die wichtigsten Eigenschaften von Polymer-

ZnO:Al und Metallfolien sind in nachfolgender Tabelle
zusammengestellt.
i- ZnO
CdS
CIS-Absorber Der Nachteil der geringeren Temperaturstabilitt
Mo
und damit des geringeren Wirkungsgradpoten-
P1 P2 P3 zials von Polyimidfolie im Vergleich zu Metall-
Polyimid folie wird kompensiert durch den Vorteil von
geringem Gewicht (Dichte), geringer Ober-
flchenrauheit und elektrisch isolierender Eigen-
Strukturierungsbereich schaft. Dadurch ist eine monolithisch integrierte
Zellenverschaltung, wie sie auf Glassubstrat
blich ist, auf Polymerfolie leichter zu realisieren
Abbildung 1 Da bei der CIS-Herstellung im Standardprozess als auf Metallfolie. Beide Substrattypen eignen
Strukturierungslinien Temperaturen um 550 C auftreten, ist die sich fr eine Rolle-zu-Rolle Beschichtung, die im
P1, P2 und P3 auf Auswahl von Substratfolien stark eingeschrnkt. Allgemeinen als Voraussetzung fr eine kosten-
Polyimidfolie. Im Gegen- So ist Polyimidfolie die einzige geeignete, gnstige Produktion angesehen wird. Je nach
satz zu Glassubstraten kommerziell erhltliche Polymerfolie, die Tem- Einsatzbereich des fertigen Produkts und dem
wurde auf Folien P3 peraturen bis T 450 C standhlt. Dadurch Ziel der Entwicklung z. B. Effizienz pro Flche,
nicht bis auf das Mo- sinkt der maximal erreichbare Wirkungsgrad ab, Effizienz pro Masse, hohe elektrische Spannung
lybdn durchgezogen. wie z. B. ein Vergleich der maximal erzielten bei kleiner Flche, minimale Kosten pro Watt,
Werte von = 12,8 % auf Polyimid- [4] und kann auf eine monolithische Verschaltung ver-
17,4 % auf Stahlfolie [5] zeigen. Neben zichtet und stattdessen die Solarzellenflche
Polymerfolien kommen insbesondere Metallfoli- vergrert werden (groe Einzeller).
en in Betracht, z. B. aus Edelstahl oder Titan, die
einen guten Kompromiss aus Wirtschaftlichkeit Monolithische Verschaltung: Ein Vorteil von
und physikalisch /chemischer Eignung darstel- Dnnschichtmodulen ist die Mglichkeit, auf
len. Die Auswahl an technologisch einsetzba- einem gemeinsamen, elektrisch isolierenden
ren Metallen oder deren Legierungen ist ver- Substrat einzelne Zellen bereits whrend des
gleichsweise gro. Kostenargumente sprechen Herstellungsprozesses in Serie zu verschalten.
zwar eindeutig fr Aluminiumfolien, aufgrund Fr eine Serienverschaltung sind dabei drei
des im Vergleich zu den Solarzellenschichten Strukturierungsschritte notwendig (siehe Abb. 1
sehr hohen thermischen Ausdehnungskoeffizi- von links nach rechts):
enten von = 23,5 x 106K1 (vgl. Mo-Rck-
kontakt: Nach Abscheidung des Molybdn
= 5,1 x 106K1) und der damit verbundenen (Mo)-Rckkontaktes wird dieser in einzelne,
schlechten Schichthaftungen scheidet Aluminium elektrisch voneinander getrennte Zellen
jedoch als Substrat aus. aufgeteilt (P1).
Tabelle 1
Vergleich von Polymer- und Metallfolien
Vergleich von Polymer-
Eigenschaft Metall Polymer Einfluss auf
und Metallfolien
Temperaturstabilitt > 600 C 450 C Wirkungsgrad
elektr. Leitfhigkeit leitend isolierend monolithische Verschaltung
Oberflchenrauheit rau [m] glatt [nm] Strukturierbarkeit
Dichte Al - Mo Polyimid Modulgewicht
2 ,710,2g /cm3 1,4 g /cm3
Hrte und Zhigkeit hoch gering Foliendicke (Kosten)
54

FVS Themen 2003
Nachdem CIS-Absorber, Puffer-, sowie die zeichnen sich durch sehr przise verlaufende
(i-)ZnO-Schicht1 aufgebracht sind, werden und sanft ansteigende Rnder aus, so dass etwa
die Schichten auf dem Rand der Nachbar- nach einer CIS-Beschichtung des P1-Grabens
zelle bis zum Molybdn durchtrennt (P2). dieser so gut bedeckt wird, dass er auch mit
Am Ende dieses zweiten Strukturierungs- Hilfe eines Lichtmikroskops nicht mehr gesehen
schrittes erfolgt die Abscheidung der elektrisch werden kann (siehe Abb. 2). Die P2-Strukturierung
leitfhigen, transparenten ZnO:Al-Schicht, des CIS-Absorbers lsst sich prinzipiell ebenfalls
die den Frontkontakt der einen Zelle mit dem mittels Laser-Fotolithografie durchfhren; aller-
Rckkontakt der Nachbarzelle verbindet. dings kann der Absorber auch direkt und damit
einfacher durch einen Nd-YAG-Laser aufgetrennt
In einem dritten Strukturierungsschritt (P3) werden, so dass vorrangig diese Methode ein-
muss dann nur noch das leitfhige ZnO:Al gesetzt wird (Abb. 2).
aufgetrennt werden, um die kurzgeschlossenen
Zellen wieder aufzuteilen.
(Bei Glasmodulen erfolgt P1 typischerweise Titan-Substrat

Glas-Substrat P1 (Mo)
mittels Laser, whrend P2 und P3 mit einem
Laser-Fotolithografie
P1
mechanischen Meiel vorgenommen werden). Laser direkt
(verdeckt durch CIS)
(Standard)
Soll die Strukturierung auf weichen Polyimid- P2 P2 (CIS)
mechanisch Laser direkt
Substraten oder empfindlichen, mit einer elek- (Standard)
trischen Isolationsbarriere (z. B. SiO2) versehenen P3 P3 (ZnO)
Laser-Fotolithografie
Metallfolie erfolgen, mssen die Strukturierungs- Laser-Foto-
lithografie
methoden modifiziert oder gnzlich neu ent-
wickelt werden. Whrend die Mo-Auftrennung
auf Polymer-Substrat noch direkt, z. B. mittels Sowohl auf Polyimidfolie, als auch auf elektrisch Abbildung 2
angepasstem Nd-YAG-Laser mit einer Wellenln- isolierter Metallfolie konnten erste ermutigende Strukturierungslinien
ge von 1064 nm erfolgen kann, ist die Methode monolithisch integrierte CIS-Module mit einigen auf einem Glas-Substrat
auf Metallfolie nicht einsetzbar, ohne die darun- Prozent Wirkungsgrad hergestellt werden. Eine (Referenz) und einem
ter liegende elektrische Isolationsschicht zu wesentliche Herausforderung fr die Herstellung Polyimid-Substrat. Die
beschdigen. Ebenso kann die mechanische, auf Metallsubstraten bildet neben der Struktu- Strukturierung P1, P2
selektive Durchtrennung des CIS-Absorbers (P2) rierung die flchenhaft einwandfreie elektrische und P3 auf dem Poly-
oder des ZnO-Fensters (P3) nicht, wie auf Glas, Isolation der rauen Oberflche. Hier wurden imid-Substrat (rechts)
mittels Meiel erfolgen, sondern muss durch mit relativ dnnen (3 m), aber dichten SiOx- wurden neu entwickelt.
ein schonenderes Verfahren ersetzt werden. Schichten, die sowohl den CIS-Abscheideprozess (P1 und P2 auf Glas:
bei 550 C in Selen-Atmosphre, als auch drei Standard; P3 auf
Um auch wellige, raue, empfindliche Substrate Strukturierungsschritte berstehen, entscheidende Glas: Referenz)
strukturieren zu knnen, sollten die verwendeten Fortschritte gemacht (siehe auch Artikel Isolati-
Methoden mglichst berhrungslos und selektiv ons- und Diffusionsbarrieren fr Solarzellen auf
wirken. Am ZSW hat sich die schonend und groen Flchen von D. Hermann et. al in
einfach durchzufhrende laseruntersttzte diesem Heft [6] Seite 96.
Photolithografie etabliert. Bei dieser Methode
wird nach Aufbringen des Fotolacks ein kurz-
welliger Laser (409 nm) als Belichter eingesetzt.
Im Gegensatz zur direkten Laserstrukturierung Realisierungskonzepte
wird der Schichtstapel damit thermisch nicht
belastet. Mit dieser Methode konnte auf isolierten In Deutschland wurde mit der Herstellung
Metallfolien sowohl der Mo-Rckkontakt (P1), flexibler CIS-Module begonnen, die auf unter-
als auch der ZnO-Frontkontakt (P3) erfolgreich schiedlichen Konzepten mit unterschiedlicher
aufgetrennt werden. Die Strukturierungslinien Zielsetzung beruhen:
1
Isolierende Zinkoxidschicht (ZnO) 55

FVS Themen 2003
Abbildung 3 (links)
Hocheffizienter
Einzeller mit Grid
auf Titanfolie (HMI)
Abbildung 4 (rechts)
Kleinmodul mit 10
monolithisch verschal-
teten Zellen auf
Metallfolie (ZSW)
Hocheffizienzsolarzellen: Die hchsten CIS- Ti-Folien hergestellt. Das in Abb. 3 sichtbare

Wirkungsgrade werden durch die stationre metallische Frontgitter dient dabei der besseren
Ko-Verdampfung von Kupfer, Indium und Gallium Stromsammlung der Zelle. Auf einer Testzellen-
in Selenatmosphre in einem 3-Stufen-Prozess Flche von 0,5 cm2 sowie auf einer Grozelle
erreicht. Der Cu(In,Ga)Se2-Halbleiter wird in von 16 cm2 konnten dabei unter AM 1,51-
drei unterschiedlichen Phasen abgeschieden: Beleuchtung folgende elektrische Kenndaten
Nach einer In-Ga-reichen Phase zu Beginn folgt erzielt werden:
eine Cu-reiche und am Ende wieder eine
Tabelle 2 In-Ga-reiche Phase. Zur Erzielung hchster Kenndaten auf Titanfolie
Kenndaten auf Effizienzen ist Folgendes notwendig: Zellflche Voc [mV] jsc [mA/cm2] FF [%]
Titanfolie 0,5 cm2 646 31,5 77,4 15,8
eine genaue Prozesskontrolle bereits 16 cm2 624 27,5 71,2 12,2
whrend des Schichtwachstums notwendig
VOC Leerlaufspannung (Zellspannung ohne Belastung)
(z. B. durch Messung der diffusen Laser-
jSC Kurzschlussstrom
Lichtstreuung an der wachsenden CIS-Ober-
FF Fllfaktor (Verhltnis zwischen maximaler realer Leistung
flche [7]) der Solarzelle und ideal mglicher Leistung, d. h. ohne
innere Widerstnde)
Wirkungsgrad
eine geeignete zerstrungsfreie Fehleranalyse
des fertigen Generators (z.B. durch thermo-
grafische Aufnahmen des fertigen Moduls
unter Stromdurchfluss) Neben hocheffizienten Grozellen (Abb. 3) wurden
auch erste monolithisch integrierte Kleinmodule
eine geeignete temperaturfeste Folie: Titan im ZSW hergestellt. Abb. 4 zeigt ein funktionie-
zeichnet sich dabei durch seine geringe rendes Modul auf einem mit einer SiOx-Barriere
Dichte und chemische Vertrglichkeit zum isolierten Metallsubstrat (7 cm x 8 cm). Nach
Absorber aus, sowie durch seine gnstige Aufbringen der Kontaktbndchen wurde das
thermische Ausdehnung, die nahe bei Bauteil mit einem Klarlack verkapselt. Am ZSW
derjenigen von Glassubstraten und CIS liegt. werden sowohl auf Metall- (Titan, Edelstahl)
als auch auf Polyimidfolien flexible, monolithisch
Am HMI wurden unter den genannten Voraus- verschaltete Module bis 30 cm x 30 cm durch
setzungen CIS-Einzeller-Solarzellen fr eine CIS-Ko-Verdampfung im In-Line-Verfahren
Weltraumanwendungen auf 25 m dnnen (2-Stufen-Prozess) entwickelt.
1
AM 1,5 bezeichnet die Luftmasse (air mass), die das Sonnenlicht durchqueren muss, bevor es auf die Solarzellen fllt.
56

FVS Themen 2003
Abbildung 5
Molybdn
CIS-Solarzellen auf Textilien: Das ISFH Schichtaufbau, beste-
beschftigt sich mit der Abscheidung von CIS- hend aus Textilgewebe,
Solarzellen auf Textilien. Die relativ hohen im Lack und Molybdn
k
CIS-Prozess auftretenden Temperaturen stellen Lac
dabei keinen ernsthaften Hinderungsgrund dar,
da relativ preiswerte und hochtemperaturfeste Filamente
Textilien kommerziell verfgbar sind. Die grte
Herausforderung liegt derzeit noch in der Not-
wendigkeit, die Faserstruktur durch einen 50 m
geeigneten Hochtemperaturlack geringer Rau-
heit zu gltten. Erste Versuche mit einer Vorstufe
aus Polyimid als glttendem berzug wurden
am ISFH erfolgreich durchgefhrt (Abb. 5). - Pol Metall-Grid aus leitfhiger Paste
In Abb. 6 wird anhand eines Modells aufgezeigt,

Leitfhiger
Faden
wie eine mgliche Verschaltung einzelner, sepa-
rierter Solarzellen, z. B. durch Nhen erfolgen Mo
kann. Der leitfhige Faden verbindet dabei den
ZnO-Frontkontakt (minus-Pol) mit dem Mo-
Elektrische
Rckkontakt (plus-Pol) der benachbarten Zelle Trennung
(von oben nach unten in Abb. 6). durch Ritzen
Rolle-zu-Rolle Beschichtung: Am Institut fr + Pol

Solartechnologien in Frankfurt /Oder werden
Chalkopyrit (CIS)-Solarzellen im Rolle-zu-Rolle-
Verfahren erfolgreich auf 1 cm breitem Kupfer-
band galvanisch abgeschieden. Das Cu-Band des US-amerikanischen Instituts NREL (National Abbildung 6
dient dabei gleichzeitig als Rckkontakt. Bei Renewable Energy Laboratory) und der US-Firma Verschaltung von fnf
diesem Low-Cost-Verfahren werden die durch Global Solar Energy (GSE) hingewiesen werden. Zellen mit Grid durch
das Band definierten Zellen nach der Beschich- GSE produziert mit einigen hundert kW pro Jahr einen leitfhigen Faden,
tung auf eine definierte Lnge geschnitten und im Rolle-zu-Rolle-Verfahren CIS-Einzeller auf d. h. durch Nhen
mittels Schindeltechnik zu Modulen von bis zu Stahlfolie. Ebenso existieren Anlagen, in denen
1m x 2,5m Gre verschaltet. Der erreichte CIS-Zellen im Bandverfahren auf Polyimidfolie
Zellwirkungsgrad auf kleiner Flche (4 cm2) liegt hergestellt werden [8].
derzeit bei 9,2 %.
Die Firma Solarion GmbH in Leipzig hat damit

begonnen, CIS von Rolle-zu-Rolle auf 20 cm
breite Polyimidfolie durch Ko-Verdampfung Schlussfolgerung
abzuscheiden. Besondere Spezialitt ist dabei
die ionenstrahluntersttzte Selenverdampfung, CIS-Dnnschichtsolarzellen sind zum bevorzugten
die dazu dienen soll, die Substrattemperatur Kandidaten fr flexible, leichte und effiziente
auf Polyimid-vertrgliche Werte zu senken ohne Module geworden. Kurz- und mittelfristig sollten
dies mit einer Wirkungsgradeinbue bezahlen erstmalig auf greren und fr den Leistungs-
zu mssen. Gelingt dies auf dnner Polyimid- bereich relevanten Flchen Wirkungsgrade von
folie (d = 7,5 m 25 m), so lsst sich damit ein deutlich ber 10 % mglich sein.
besonders hohes Leistungs /Masse-Verhltnis
erzielen, wie es bisher noch mit keiner anderen
Photovoltaiktechnik erreicht werden konnte.
Aufgrund des fortgeschrittenen Entwicklungs-
stands soll an dieser Stelle auf die Aktivitten 57

FVS Themen 2003
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58
3_Analyse_2003_Lay01.qxd 22.02.2004 16:28 Uhr Seite 59
Neue Analyseverfahren
und Technologien
Materialforschung mit neuen analytischen Methoden
Lebenszyklusanalyse und Recyclingkonzepte

fr Solarmodule
Solarmodule mit integriertem Wechselrichter
Multifunktionale Nutzung photovoltaischer Anlagen
59
Dr. Stefan Rein Materialforschung mit neuen analytischen Methoden

FVS Themen 2003
Materialforschung mit neuen

analytischen Methoden
Dr. Stefan Rein Einfhrung Die Beseitigung solcher rekombinationsaktiver
Fraunhofer ISE Defekte setzt ihre eindeutige Identifikation vor-
rein@ise.fraunhofer.de Mehr als 90 % der weltweit gefertigten Solarzel- aus. Die entscheidenden Fragestellungen, auf
len werden aus kristallinem Silicium hergestellt. die eine spektroskopische Methode Antwort
Dr. Klaus Lips Ein wichtiger Ansatzpunkt fr die Reduktion der geben sollte, sind dabei:
HMI Energiegestehungskosten ist eine Steigerung 1. Wie rekombinationsaktiv und damit relevant
lips@hmi.de des Zellwirkungsgrades. Da die Materialqualitt ist ein Defekt?
hierbei eine entscheidende Rolle spielt, ist die 2. Welche elektrischen Parameter zeigt der
Dr. Jan Schmidt Analyse von elektrisch aktiven Defekten, die Defekt (Fingerabdruck)?
ISFH whrend der Waferherstellung oder whrend 3. Welchen strukturellen Ursprung hat der
j.schmidt@isfh.de des Solarzellenprozesses erzeugt werden, von Defekt?
zentraler Bedeutung. Der entscheidende mikros-
kopische Parameter zur Beurteilung der Material- Im Folgenden sollen zwei Analysemethoden
qualitt ist die Ladungstrgerlebensdauer. Diese vorgestellt werden, die in den letzten Jahren
Gre entspricht der mittleren Zeit, in der ein entscheidend weiterentwickelt wurden und
durch Licht erzeugtes Elektron-Loch-Paar nach sich durch ihre besondere Empfindlichkeit fr
Abschalten des Lichts bestehen bleibt, bevor es elektrisch aktive Defekte auszeichnen:
durch Rekombination wieder verschwindet und Die Lebensdauerspektroskopie analysiert die
somit fr die Stromerzeugung verloren ist. Defekte direkt anhand der Ladungstrger-
lebensdauer.
Die Deep-Level Transient Spectroscopy (DLTS) Die elektrisch detektierte magnetische
wird allgemein als eine der empfindlichsten Resonanz (EDMR) analysiert die Defekte
Methoden angesehen, um auch geringe Konzen- anhand ihres charakteristischen Elektronen-
trationen elektrisch aktiver Defekte zu detektieren spins.
und zu analysieren. Doch es gibt auch Defekt-
konzentrationen unterhalb der Nachweisgrenze
von DLTS die die Ladungstrgerlebensdauer
stark beeinflussen knnen. Ein aktuelles Beispiel 1. Lebensdauerspektroskopie
fr einen derart rekombinationsaktiven Defekt
ist ein Defekt, der in industriell eingesetztem Neben der Beurteilung der Materialqualitt
einkristallinem Czochralski1-Silicium eine deutli- erffnen Lebensdauermessungen die Mglich-
che Degradation bewirkt [1]: Obwohl der keit, Defekte direkt zu identifizieren, wenn die
Defekt mit DLTS nicht nachweisbar ist, fllt die Temperatur- und Injektionsabhngigkeit der
Ladungstrgerlebensdauer bei Aktivierung des Ladungstrgerlebensdauer analysiert werden.
Defektes auf 10 % ihres Anfangswertes ab. Das Die beiden Methoden sind unter dem Namen
fhrt in hocheffizienten Solarzellen zu einem temperaturabhngige und injektionsabhngige
Wirkungsgradverlust von bis zu 10 % relativ. Die- Lebensdauerspektroskopie (TDLS und IDLS)
ses Beispiel zeigt einerseits die hohe Empfind- bekannt [2]. Dabei stehen zwei kontaktlose
lichkeit der Ladungstrgerlebensdauer fr elek- Standardverfahren zur Verfgung: Das mikro-
trisch aktive Defekte, andererseits aber auch wellendetektierte Photoleitfhigkeitsabklingen
den starken Einfluss, den Volumendefekte auf (MW-PCD) fr die TDLS und die quasistatische
die Leistung einer Solarzelle haben knnen. Photoleitfhigkeit (QSSPC) fr die IDLS.
1
Czochralski bezeichnet eine Kristallzchtungsmethode
60

FVS Themen 2003
Da die Lebensdauerspektroskopie den Rekombi- eines Defekts mit steigender Temperatur ab-
nationsprozess fr die Analyse von Defekt- nimmt und damit die Lebensdauer unter Nieder-
zentren nutzt, verschafft sie einen Einblick genau injektion ansteigt [2]. Wie Abb. 1 zeigt, erlaubt
in die Defekte, die fr die Photovoltaik relevant die Auswertung der gemessenen Ladungs-
sind. Theoretisch wird die Rekombination ber trgerlebensdauer die direkte Bestimmung der
Strstellen durch die sogenannte Shockley-Read- Energietiefe des Defektes von Et = 0,32 eV.
Hall (SRH)-Theorie beschrieben. Eine detaillierte Sie liefert aber keine Information ber den
Analyse der SRH-Theorie zeigt, dass nur das Symmetriefaktor k und die Bandlckenhlfte
Energieniveau Et und das Verhltnis k = n/p des Defektes. Diese Information kann hufig
der Einfangquerschnitte fr Elektronen und gewonnen werden, indem die gesamte TDLS-
Lcher den charakteristischen Verlauf der Lebens- Kurve modelliert wird (durchgezogene Linie)
dauerkurven beeinflussen. Die sogenannten [3]. Im vorliegenden Fall ergeben sich allerdings
Einfangquerschnitte sind ein Ma fr die Re- zwei gleichwertige Lsungen, da sich die ge-
kombinationsaktivitt eines Defektes, d. h. je messene TDLS-Kurve fr einen Defekt in der
grer diese Defekt-Einfangsquerschnitte sind, oberen und unteren Bandhlfte simulieren lsst,
desto schneller werden die Elektronen und was eine eindeutige Identifikation des Defektes
Lcher von ihnen eingefangen. Das Energie- allein aus der TDLS-Kurve verhindert.
niveau und das k-Verhltnis der Defekte knnen
mittels Lebensdauerspektroskopie bestimmt Die IDLS
werden [2]. Entscheidend fr die Analyse eines Betrachten wir daher die dazugehrende IDLS-
Defekts ist, dass das Energieniveau Et und der Kurve in Abb. 2, die an derselben Probe bei
Symmetriefaktor k vollstndig beschreiben, Raumtemperatur mit der quasistatischen Photo-
wie eine Verunreinigung die Solarzellenleistung leitfhigkeits (QSSPC)-Methode gemessen
beeinflusst, und somit den Satz von Defekt- wurde. Aus der Modellierung der IDLS-Kurven
parametern darstellen, der fr die Solarzellen- kann man die Defektparameter alleine nicht
simulation relevant ist. Darber hinaus ist das
Energieniveau der wichtigste Fingerabdruck
eines Defektes, anhand dessen im allgemeinen
20 C
15 C
C
C
C
0
0
0
0
0
25
50
5
10
eine Identifikation des Defektes mglich ist. Abbildung 1

0
Trotz der hohen Sensitivitt der Lebensdauer- TDLS Data & Fit TDLS-Kurve einer
101
Lebensdauer/ T [s/K]
spektroskopie fr alle rekombinationsaktiven Molybdn-verunreinigtes

gezielt molybdn-
Defekte, ist ihr Auflsungsvermgen sehr be- p-Typ Silizium verunreinigten
grenzt. So erlaubt die Lebensdauerspektroskopie NA = 9.6 x 1014 cm-3 Siliciumprobe: Direkte
nur die Identifikation des rekombinations- linearer Fit Bestimmung der
aktivsten Defekts, whrend die Detektion anderer kompletter SRH-Fit Energietiefe aus dem
102
Defekte meist nicht mglich ist, weil die ent- linearen Anstieg in der
sprechenden Signale im Rauschen untergehen. Et= 0.32 eV
Arrhenius-Darstellung
Dennoch bringt diese Selektivitt den prak-
2 3 4 5
tischen Vorteil mit sich, dass es sich bei der
1000/ T [1/K]
nachgewiesenen Verunreinigung definitiv um
den Defekt handelt, der die Materialqualitt
begrenzt. 30 Abbildung 2
Molybdn-verunreinigtes
p-Typ Silizium IDLS-Kurve der gleichen
20
Die TDLS NA = 9.6 x 1014 cm-3 Siliciumprobe: Die
Lebensdauer [s]
Doch wie lsst sich der vollstndige Finger- kombinierte TDLS-

abdruck des dominanten Defektes mittels IDLS-Analyse erlaubt
10
Lebensdauerspektroskopie bestimmen? Hierzu 9 die Identifikation des
8
ist in Abb. 1 eine typische TDLS-Kurve dargestellt, 7 bekannten Molybdn-
die an einer gezielt molybdnverunreinigten 6 Donatorniveaus bei
5 IDLS Data & Fit
Siliciumprobe kontaktlos mit der MW-PCD- Et-EV = 0,32 eV.
4
Methode gemessen wurde. Die TDLS beruht auf 1012 1013 1014 1015 1016
dem Effekt, dass die Rekombinationsaktivitt Injektionsdichte [cm-3] 61

FVS Themen 2003
eindeutig bestimmen [2, 4]. Diese Mehrdeutig- 2. Elektrisch detektivierte

keit der Analyse kann berwunden werden,
indem ein Satz von IDLS-Kurven, die entweder an magnetische Resonanz
mehreren Proben mit unterschiedlichen Dotier- Spektroskopie EDMR
konzentrationen oder aber an einer Probe bei
unterschiedlichen Temperaturen gemessen wur- Die elektrische Aktivitt eines Defekts lsst sich,
den, einer simultanen SRH-Analyse unterzogen wie oben gezeigt, sehr empfindlich und elegant
wird [2]. Insbesondere die zuletzt genannte mittels der Lebensdauerspektroskopie unter-
Variante ist Gegenstand aktueller Forschung [5]. suchen. Diese Methode erlaubt aber keine direkte
mikroskopische Identifizierung des Defektes.
Die Mehrdeutigkeit der spektroskopischen Dies liefert die Elektronen-Spin-Resonanz (ESR),
Ergebnisse, die aus der isolierten Betrachtung die den Defekt ber seinen magnetischen
der TDLS-Kurve und der IDLS-Kurve resultiert, Fingerabdruck (Paramagnetismus) identifiziert.
lsst sich elegant auch dadurch berwinden, Das Prinzip der ESR macht sich zunutze, dass
dass man die Ergebnisse beider Untersuchungen viele Defekte ein magnetisches Moment, den
kombiniert [3]. Modelliert man die IDLS-Kurve Spin (in der Regel Spin 1/2), besitzen, der in
in Abb. 2 unter Verwendung der aus der TDLS- einem ueren Magnetfeld zwei diskrete, ener-
Messung exakt bestimmten Energietiefe des getisch unterschiedliche Einstellungen annehmen
Defektes von 0,32 eV, so stellt sich heraus, dass kann. Dies lsst sich klassisch mit der parallelen
dies nur fr einen Defekt in der unteren Band- und antiparallelen Ausrichtung eines Stab-
lckenhlfte mglich ist, nicht aber fr einen magneten in einem ueren Magnetfeld ver-
Defekt in der oberen Bandlckenhlfte. Somit gleichen. Die Gre der energetischen Auf-
erlaubt die Kombination von IDLS und TDLS spaltung hngt dabei linear von der Strke des
eine eindeutige Identifikation des relevanten ueren Magnetfeldes ab (Zeeman-Effekt).
Molybdnniveaus in der unteren Bandlcken-
hlfte bei Et EV=0,32 eV. Dieses Ergebnis stimmt Zwischen den Energieniveaus knnen durch
gut mit dem Energieniveau des Molybdn- Einstrahlung eines elektromagnetischen Wechsel-
Donatorniveaus berein, das in der Literatur feldes bergnge resonant angeregt und ver-
mittels DLTS bei Et EV = 0,30 eV lokalisiert messen werden. Im Bild des Stabmagneten
wurde [6]. Somit ist das Donatorniveau als das bedeutet ein ESR-bergang die Drehung des
rekombinationsaktive Niveau einer Molybn- Stabmagneten um 180, im Bild des Elektronen-
verunreinigung identifiziert. spins entspricht dies der Drehung seines
magnetischen Moments (Spin Flip). Aus der
Der ultimative Test fr die Praxistauglichkeit der Intensitt der bergnge lsst sich die Anzahl
Lebensdauerspektroskopie ist die Anwendung der Defekte in der Probe bestimmen. Linien-
auf den eingangs erwhnten rekombinations- form und -lage lsst Rckschlsse auf die mikro-
aktiven Defekt in bordotiertem Czochralski- skopische Struktur der Defekte zu.
Silicium. Wie eingangs erwhnt, konnte dieser
uerst schdliche Defekt mit keiner der Stan- In der Regel wird als Strahlungsquelle eine Mikro-
dardtechniken identifiziert werden. Erst krzlich welle mit einer festen Frequenz von ca. 9,5 GHz
gelang es Rein et al. [4] seine elektrischen Eigen- eingesetzt (X-Band) und deren Absorption als
schaften mittels Lebensdauerspektroskopie zu Funktion des ueren Magnetfelds B0 gemessen.
entschlsseln. Da die Energieaufspaltung in der ESR mit nur
Es kann also festgehalten werden, dass es durch 10 4 eV extrem klein ist, knnen auch gering-
eine Kombination von TDLS und IDLS prinzipiell fgige Energienderungen, die z. B. durch innere
mglich ist, den charakteristischen Fingerab- Magnetfelder hervorgerufen werden (Verun-
druck des dominanten Defektes an einer ein- reinigungen, Kristallfelder etc.) leicht vermessen
zelnen Probe zu bestimmen. Die Konsistenz der werden. Hieraus lassen sich Informationen ber
spektroskopischen Ergebnisse und ihre gute die lokale Umgebung der Defekte gewinnen.
bereinstimmung mit Werten aus der Literatur Ist das Zentrum in eine symmetrische Umgebung
zeigen die Leistungsfhigkeit der Lebensdauer- z. B. eines Kristalls eingebaut, kann sich durch
62 spektroskopie fr die Defektcharakterisierung. Drehen des Kristalls im Magnetfeld die Energie-

FVS Themen 2003
aufspaltung verndern, woraus sich die Einbau- Strom Abbildung 3

konfiguration von Atomen in Kristallen bestim- Ec Energieschema der
men lsst. spinabhngigen
CE Rekombination
Die Nachweisgrenze fr siliciumtypische Defekte zwischen Bandaus-
liegt bei ca. 1012 Spins. Da das Probenvolumen luferzustnden (CE)
bei ESR-Untersuchungen sehr klein ist, reicht fr db und dangling bonds
die Untersuchung von Absorbern in Dnnschicht- (db) in c-Si:H, wie sie
solarzellen diese Nachweisgrenze bei weitem bei tiefen Temperaturen
nicht aus [7]. Die ESR liefert im Gegensatz zur beobachtet werden
DLTS oder zur Lebensdauerspektroskopie in der Ev
Regel keine Information ber die elektronische
Aktivitt der paramagnetischen Defekte. Sie kann
nur identifizieren. die Einfangzeit aus einem Triplettzustand
langsamer ist als aus einem Singulettzustand.
Beide Nachteile verschwinden, wenn der Defekt
indirekt ber den Transport nachgewiesen wird. Durch stimuliertes Flippen des Spins eines am
Diese Methode nennt sich elektrisch detektierte bergang beteiligten Zustands mittels ESR kann
magnetische Resonanz (EDMR) [8] und wird er- der Einfangquerschnitt eines Defekts selektiv
folgreich fr die Untersuchung des Degradations- erhht werden. Dies kann nun als Stromnde-
verhaltens von pin-Solarzellen aus amorphem rung z. B. im Kurzschlussstrom einer Solarzelle
Silicium (a-Si:H) [7] sowie in mikrokristallinem beobachtet werden, wenn sie als Funktion des
Silicium (c-Si:H) [9 11] eingesetzt. Die EDMR Magnetfelds aufgezeichnet wird. Der magneti-
nutzt die Tatsache, dass die bergangswahr- sche Fingerabdruck des Defekts hinterlsst
scheinlichkeiten zwischen paramagnetischen sozusagen seine Spuren im Probenstrom.
Zustnden der Spinauswahlregel unterliegen Ist die Spin-Spin-Wechselwirkung der am ber-
(siehe Abb. 3). Solche bergnge finden z. B. gang beteiligten Ladungstrger gering, beob-
zwischen energetisch flachen Zustnden nahe der achtet man immer zwei EDMR-Resonanzen,
Leitungsbandkante und einem in der Bandlcke da sich beide Spins unabhngig voneinander
liegenden Defekt statt. manipulieren lassen. Ist die Wechselwirkung
hingegen gro, knnen die Partner nicht mehr
Die Wahrscheinlichkeit, dass es zu einem ber- individuell manipuliert werden und das Spin-
gang kommt, hngt vor allem von der Spin- paar verhlt sich nun wie ein Exziton mit Spin
orientierung der in den beiden Zustnden befind- S = 1. Dies wird im EDMR-Spektrum nur noch
lichen Elektronen ab, weshalb man hier von als einzelne Linie beobachtet.
einem Spinpaar spricht. Sind die Spins des Paars Die Dynamik der spinabhngigen bergnge
parallel ausgerichtet (, : Triplettzustand, kann mittels der gepulsten EDMR bestimmt
linkes Paar in Abb. 3), so ist die bergangswahr- werden. Bei dieser erst vor kurzem am HMI ent-
scheinlichkeit niedrig, bei entgegengesetzter wickelten Methode [12 14] werden die Spins
Spinausrichtung (, : Singulettzustand, rechtes durch sehr kurze, intensive Mikrowellenpulse
Paar in Abb. 3) ist sie deutlich grer. Dieser manipuliert und die nachfolgende Stromantwort
Spinauswahlregel liegt ein fundamentales phy- gemessen. Aus diesen Stromtransienten knnen
sikalisches Prinzip zu Grunde: das Pauli-Prinzip. unter bestimmten Voraussetzungen die wesent-
Es besagt, dass sich die Elektronen nach dem lichen Parameter des bergangs wie z. B. der
bergang in mindestens einer Quantenzahl Singulett- oder Tripletteinfangquerschnitt, die
unterscheiden mssen, wenn sie sich im gleichen Kopplungsstrke oder die energetische Tiefe der
Energieniveau befinden. In unserem Fall unter- beteiligten Zustnde bestimmt werden.
scheiden sie sich also im Spin. Die Tatsache, dass
sich der Spin beim bergang nicht einfach Abb. 4 zeigt ein EDMR-Spektrum, welches im
ndern kann dies ist nur durch eine Wechsel- Kurzschlussstrom einer c-Si:H pin-Solarzelle bei
wirkung mit elektromagnetischer Strahlung T = 5 K gemessen wurde [15]. Das Spektrum
der passenden Energie mglich fhrt dazu, dass setzt sich aus zwei Linien bei g = 2,005 und 63

FVS Themen 2003
g = 1,998 zusammen, deren Ursprung aus ESR- Eigenschaften der Zelle bestimmt [15]. Da ein
Untersuchungen bekannt sind [10]. Sie werden hnliches Verhalten auch fr dangling bonds an
nicht abgesttigten Bindungen (dangling-bonds, Si/SiO2-Grenzflchen sowie in a-Si:H beobachtet
db) des Siliciums, die an Korngrenzen lokalisiert wird, glauben wir, dass der hier beobachtete
sind, sowie flachen Bandausluferzustnden (CE) Einfangprozess ber den angeregten Zustand
nahe der Leitungsbandkante zugeordnet. Dass eine fundamentale Eigenschaft von dangling
zwei Linien im EDMR-Spektrum beobachtbar bonds ist [12].
sind, belegt, dass beide Partner nur sehr schwach
miteinander wechselwirken und daher einem Inwieweit die EDMR zur mikroskopischen Auf-
Tunnelbergang zuzuordnen sind (Abb. 3) [10]. klrung Defekten in bordotiertem Czochralski-
Mit zunehmender Temperatur verschwindet der Silicium beitragen kann, die die in der Ein-
Beitrag des CE-Signals und bei Raumtemperatur fhrung beschriebene Degradation verursachen,
wird nur noch eine Linie bei g = 2,005 beobachtet. muss sich noch zeigen. Fr das Verstndnis der
Dies wird zwar in Abb. 4 nicht gezeigt, deutet Rekombination in c-Si:H und a-Si:H hat sich
sich aber durch die hhere Intensitt der db- die EDMR aber als unverzichtbar erwiesen.
Linie an. Diese einzelne Linie in Abb. 4 entsteht
durch den Triplettzustand der angeregten,
negativ geladenen dangling bonds (dbs), wie sie
kurzfristig beim direkten Einfang eines Elektrons Zusammenfassung
aus dem Leitungsband in neutrale dbs entstehen
[9, 12]. Die energetische Tiefe dieses angeregten Mit der Lebensdauerspektroskopie und der
Defekts liegt mindestens 48 meV unterhalb der EDMR-Technik stehen zwei uerst empfindliche
Leitungsbandkante und kann mit anderen spek- Methoden zur Verfgung, die eine Identifikation
troskopischen Methoden nicht nachgewiesen der rekombinationsaktiven und damit fr die
werden, da die angeregten dbs durch die hohe Photovoltaik relevanten Defekte erlauben.
Dichte der Bandausluferzustnde maskiert Beide Methoden sind in der Lage, einen Teil
werden [12, 15]. der eingangs gestellten Fragen zu beantworten.
Abbildung 4 Die Lebensdauerspektroskopie ist fr alle re-

rel. Photostromnderung /10-4
Das EDMR-Spektrum 0,0 kombinationsaktiven Defekte empfindlich und

einer c-Si:H pin-Solar- erlaubt prinzipiell eine vollstndige Charakteri-
zelle (Symbole) zeigt c-Si:H sierung des in einer Probe dominanten Defektes.
die Beteiligung von CE- 0,5 T = 10 K Der bestimmte Satz an elektrischen Defekt-
und db-Zentren an der parametern ermglicht sowohl die Identifikation
Rekombination. des Defektes als auch die Simulation seiner
1,0 g = 1,998 (1): CE
Wirkung auf die Solarzellenleistung. ber den
g = 2,0050 (5): db
strukturellen Ursprung und die chemische Um-
2,04 2,02 2,00 1,98
gebung des Defektes gibt dagegen die EDMR-
g-Wert 2
Technik Aufschluss. Sie ist auch in der Lage,
verschiedene Defekte voneinander zu trennen.
Allerdings ist die Detektion auf jene rekombi-
nationsaktiven Defekte beschrnkt, die auch
Aus der Untersuchung ergibt sich, dass der eine Spinabhngigkeit zeigen. Aufgrund dieser
Singulett- und nicht der Triplettzustand partiellen Komplementaritt beider Methoden,
bestimmend fr die elektrischen Eigenschaften sollte ihr kombinierter Einsatz eine noch exaktere
von Solarzellen ist. EDMR-Untersuchungen am Identifikation der relevanten Verunreinigungen
Dunkelstrom in c-Si:H pin-Solarzellen haben ermglichen.
gezeigt, dass der Rekombinationsprozess in der
Raumladungszone stattfindet und die elektrischen
2
Der g-Wert beschreibt die Spin-Eigenschaften eines Elektrons
64

FVS Themen 2003
Literatur [10] K. Lips, K. Kanschat und W. Fuhs,

Solar Energy Materials & Solar Cells 78,
[1] S. W. Glunz, S. Rein, J. Y. Lee und W. Warta, 513541 (2003)
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[2] S. Rein, T. Rehrl, W. Warta und S. W. Glunz, Proc. 29th IEEE PVSC (New Orleans,
J. Appl. Phys. 91, 20592070 (2002) 2002), 11661169
[3] S. Rein, P. Lichtner, W. Warta und [12] C. Boehme, Dynamics of spin-dependent

S. W. Glunz, Proc. 29th IEEE PVSC (New charge carrier recombination,
Orleans, 2002), 190193 Doktorarbeit, Philipps-Universitt (2003)
[4] S. Rein and S. W. Glunz, [13] C. Boehme und K. Lips,

Appl. Phys. Lett. 82, 105456 (2003) Appl. Phys. Lett. 79, 4363 (2001)
[5] J. Schmidt, [14] C. Boehme und K. Lips, Phys. Rev. B, zur

Appl. Phys. Lett. 82, 217880 (2003) Verffentlichung angenommen (2003)
[6] L. Brnstein, Semiconductors, Springer- [15] K. Lips, C. Boehme und W. Fuhs,

Verlag, Berlin, 1984 Recombination in silicon thin-film solar
cells a study of electrically detected
[7] K. Lips und W. Fuhs, magnetic resonance, in IEE Proc.-Circuits
J. Appl. Phys. 74, 39933999 (1993) Devices Syst., edited by S.O. Kasap und
Harry Colson (2003), in print
[8] D. J. Lepine, Phys. Rev. B 6, 436441 (1972)
[9] K. Lips und C. Boehme, J. Material Science

Materials in Electronics 14, 635639 (2003)
65
Dr. Johann Springer Lebenszyklusanalyse und Recyclingkonzepte fr Solarmodule

FVS Themen 2003
Lebenszyklusanalyse und
Recyclingkonzepte fr Solarmodule
Dr. Johann Springer kobilanz und ganzheitliche Durch ihre systematische und genormte Vor-
ZSW gehensweise [7] liefern kobilanzen von Solar-
Bilanzierung
johann.springer@zsw-bw.de modulen wichtige vergleichende Beitrge zur
Der Lebenszyklusanalyse von Solarmodulen, Objektivierung der Umweltdiskussion im Bereich
Niels Warburg und dabei besonders der Energierckgewinnungs- der Energie und der Berechnung der Energie-
Universitt Stuttgart, zeit wurde schon frh groe Aufmerksamkeit rckgewinnungszeit.
Institut fr Kunststoff- zuteil seitens der ffentlichkeit, der Industrie
prfung und Kunststoff- und der Wissenschaft. Die anfangs mit noch
kunde ungengenden Daten und Methoden herge-
warburg@ stellten Analysen und teilweise unangemessene Ganzheitliche Bilanzierung
ikp2.uni-stuttgart.de
Vergleiche mit herkmmlichen Energiesystemen
fhrten dazu, dass sich falsche Ansichten ber Die Methode der ganzheitlichen Bilanzierung
Katharina Wrsing
die Energieernte von PV-Systemen festsetzten, [8] ist eine Erweiterung der kobilanz, da diese
Fraunhofer-Institut fr
die bis heute nicht vollstndig berichtigt sind. alleine als Entscheidungshilfe bei der Industrie
Chemische Technologie
Doch eine groe Zahl sorgfltig durchgefhrter oft nicht ausreicht. Sie analysiert zustzlich die
woersing@ict.fraunhofer.de
Studien (Tab. 1) zeigt, dass bei industrieller konomischen und technischen Aspekte entlang
Herstellung von Solarmodulen erhebliche Ernte- der Prozesskette und liefert ber ein Bewertungs-
faktoren erzielt werden knnen. schema ein Entscheidungswerkzeug (Abb. 1).
Tabelle 1 Quelle Gegenstand Jahr

Beispiele vorhandener
KFA Jlich kumulierter Energieverbrauch von Solarzellen und PV-Kraftwerken 1998
Studien zur Lebens-
FZ-Jlich umweltrelevante Stoffstrme bei der Herstellung verschiedener Solarzellen 1990
zyklusanalyse von
Schweizer Bundesamt
Solarmodulen fr Energiewirtschaft koinventare fr Energiesysteme, Silicium-Materialien, komplette Anlagen 1994
[1 6, 9, 12 ] FH Aachen, FZ-Jlich Prozesskettenanalyse zum CdTe-Solarmodul 1995
TU Mnchen Lebenszyklusanalyse von Dnnschichtsolarmodulen (CIS und CdTe) 1997
Uni Oldenburg integrierte Betrachtung der Umweltauswirkungen von PV-Technologien 1998
Unis Utrecht und Rom EPBT (Energy Pay Back Time) of PV Energy Systems 1998
ko-Institut Lebenszyklusanalyse von PV und Diesel getriebenen Pumpen 2000
Abbildung 1 kontinuierliche Datenberprfung

Schema der ganzheit-
lichen Bilanzierung
Datenerhebung Datenbeurteilung Entscheidungs-
Sachbilanz Charakterisierung werkzeug
Definition von Ziel und Systemgrenzen
Entscheidung
Kosten-
Entscheidungsvorbereitung
wirtschaftlich wirtschaftliche
strukturen
Firmenziele
spezifische
technische Parameter
technisch kologische
Charakterisierung
technische
umweltlich Wirkungs-
analyse
66

FVS Themen 2003
Energierckgewinnungszeit Energierckgewinnungszeit
Jahre
und Erntefaktor 12 BOS
Rahmen
Der Teilaspekt Energierckgewinnungszeit (EPBT) 10
Module
bzw. Erntefaktor der kobilanz von Photovoltaik-
8
modulen ist in zahlreichen Studien bearbeitet
6
worden [9 12]. Ein Beispiel fr das Ergebnis
einer grndlich recherchierten Berechnung [5] 4
der Energierckgewinnungszeiten von Solar-
2
modulen zeigt Abb. 2. Die Autoren vergleichen
die Dauer von aktuell errechneten Energierck- 0
ns 97 w
ic igh
ns Si 7
ht 07
07
ns 97 w
ic igh
ns Si 7
ht 07
n -19 -low
ic igh
ns Si 7
ht 07
07
07
gewinnungszeiten multikristalliner Silicium-
n mc 99
n mc 99
n mc 99
o
D Si-1 7-lo
ch 20
20
ch 20
ch 20
20
20
i-1 7-l
ch -h
ch -h
ch -h
1
1
97
ns 97
9
9
ht
ht
ht
m -19
m -19
module und Dnnschichtsolarmodule mit einer
9
ic
ic
ic
i-1
i
i
cS
cS
cS
i
cS
cS
c
m
m
m
n
n
Prognose fr das Jahr 2007 und unterscheiden
D
D
D
zwischen netzgebundenen Groanlagen, dach-
Low=optimistische, high=pessimistische Annahmen von kristallinen Silicium-
integrierten Anlagen und Solar-Home-Systemen.
modulen und Dnnschichtsolarmodulen unter Einbeziehung von Rahmen und
Der Anteil von Rahmen und Systemkomponen- Systemkomponenten Berechnungen fr mediterrane Sonneneinstrahlung [12]
ten wird dabei gesondert ausgewiesen. Es zeigt
sich, dass bei Dnnschichtsolarmodulen und
vor allem bei Solar-Home-Systemen der Anteil die von polykristallinen hher als die von mono- Abbildung 2
der Systemkomponenten betrchtlich ist. kristallinen Modulen. Analyse (1997) und
Prognose (2007) der
Aus der Zusammenstellung ergibt sich, dass, Energierckgewinnungs-
unabhngig von der Zelltechnologie, auch unter zeiten
ungnstigen Bedingungen und pessimistischen Recycling von Solarmodulen
Annahmen die Energierckgewinnungszeiten
so niedrig liegen, dass bei blichen 25 Jahren Recycling von Solarmodulen wird motiviert
Einsatzdauer Erntefaktoren von mindestens 5, durch das Umweltbewusstsein der Klientel,
bei optimistischen Annahmen und gnstigen durch gesetzliche Vorgaben (Elektro- und Elek-
Bedingungen Erntefaktoren ber 50 erzielt tronikschrottrichtlinie der EU) und durch die
werden knnen. Dabei liegen tendenziell die Mglichkeit der Rckgewinnung wertvoller
Erntefaktoren von Dnnschichtmodulen hher Solarzellen oder Materialien. Sowohl fr Solar-
als die von kristallinen Siliciummodulen und module mit kristallinem Silicium als auch fr
Tabelle 2
Institution PV-Module /Verfahren Stadium
Verschiedene Anstze
Deutsche Solar AG [13] c-Si / thermische Trennung des Modulverbunds Pilotfertigung
Wiederaufarbeitung der Wafer (Freiberg) zum Recycling von
SOLTECH (Belgien) [14] c-Si / Pyrolyse im Durchlaufofen oder Fliebettreaktor Pilotmaschine Solarmodulen
Waferrckgewinnung
Solar Cells Inc. [15] c-Si / thermische Trennung des Modulverbunds; Labor
Si rohstofflich oder als Wafer
Solar Cells Inc. CdTe / Zerkleinerung, chemische Auflsung und Trennung Pilotstadium
(mobile Anlage)
Antec Solar GmbH [16] CdTe /Zerkleinerung, thermische Behandlung, tzen mit Cl Patent
Showa Shell [17] CIGS /mechanisch-thermische Trennung des Verbunds, Labor
Surebehandlung, Abschaben des CIGS, Lsungsaufarbeitung
Interphases Research [18] CIGS /elektrochemisches werkstoffliches Recycling von CIGS Labor
Drinkard Metalox Inc. CIGS und CdTe /Metallrckgewinnung durch Elektrolyse Pilotfabrik
geplant (1998)
BPSolar [19] c-Si/Auflsung des Modulverbunds mit Sure, Labor
Waferwiederverwendung
Uni Utrecht a-Si /Komplettverwertung fr Flaschenglas Experimentell
Wiederverwertung der Substrate inkl. TCO (1995)
67

FVS Themen 2003
Tabelle 3 Sammeln, transportieren

Solarmodulrecycling bei Pappe,
der Deutschen Solar AG Holz,
Abtrennung von Verpackungsmaterial Kunststoffe, etc.
Thermische Verwertung der Kunststoffe

im Modul
Kupfer,
Trennen der Restfraktionen Aluminium,
Glas,
Stahl
Rckgewonnene Solarzellen
Chemische Aufarbeitung zum Wafer
recyclierte
Qualittsprfung Wafer Solarzellen und
-module
Dnnschichtsolarmodule gibt es weltweit zahl- Solarzellen und Wafer eine Kostendeckung fr

reiche Anstze zum Recycling (Tab. 2) im die Verwertung erreicht werden kann. Bei Dnn-
Laborstadium aber auch bereits im Pilotstadium, schichtsolarmodulen erscheint zunchst nur die
wovon insbesondere die Aktivitt der Deutsche rohstoffliche Wiedergewinnung des gewichts-
Solar AG (Tab. 3) hervorzuheben ist. Eine mig dominierenden Glasanteils (gegebenen-
wichtige Voraussetzung fr effizientes Recycling falls auch Aluminiumrahmen) lohnend.
ist die Schaffung eines Sammelsystems. In der
Anfangsphase wird ein groer Teil des zu be- Im Hinblick auf die Rohstoffsituation sowie
arbeitenden Materials aus Produktionsabfllen mgliche Preisentwicklungen wird aber auch
bestehen, da Solarmodule sehr langlebige Pro- die Rckgewinnung der in geringen Massen-
dukte sind und mit massenhaften Rckstrmen anteilen vorliegenden Materialien der Solar-
von ausgedienten Modulen noch lange nicht module, wie z. B. Indium oder Tellur, attraktiv
zu rechnen ist. Mit dem entsprechenden Zeit- werden. Kostendeckung fr den Recycling-
verzug von 20 bis 30 Jahren wird aber das prozess ist aber wesentlich schwerer zu erzielen
Aufkommen an ausgedienten Modulen der als bei der Wiedergewinnung von Siliciumsolar-
Jahresproduktionskapazitt nahe kommen. Bei zellen, so dass bei den Dnnschichtsolarzellen
weiterhin hohen Wachstumsraten in der PV- voraussichtlich mit hheren Annahmegebhren
Branche rechnet man um 2030 weltweit mit gerechnet werden muss.
200 MWp (oder etwa 300.000 Tonnen) Modul-
schrott. Im Vergleich mit anderen Schrottarten Daraus resultiert, dass eine Rcknahme- und
ist das nicht viel, umso hher sind die Anforde- Recycling-Infrastruktur fr Dnnschichtsolarmo-
rungen an eine effiziente Abfalllogistik. dule nur durch gesetzliche Rahmenbedingungen
oder unter dem Druck des Marktes etabliert
Die Kostensituation des Modulrecyclings wird werden wird. Die technologischen Vorausset-
sehr stark von der Mglichkeit der Rckgewin- zungen fr den Aufbau einer Recyclinganlage
nung auf hohem Wertniveau abhngen. Daher fr Dnnschichtsolarmodule, wie sie schema-
ist stets auch die Mglichkeit der Wiederver- tisch in Tab. 4 gezeigt ist, sind vorhanden.
wendung auf Produktniveau zu prfen. Bei Komponenten aus Altglasrecycling, Material-
Siliciummodulen ist die Wiedergewinnung von trennung und -anreicherung, Aufbereitung
Si-Wafern als Grundlage fr recyclierte Zellen metallbefrachteter Lsungen, Galvanotechnik
ein realistisches Ziel. Dies ist auch im Hinblick und Reinigungstechnik mssen in geeigneter
auf die Energiebilanz der Module vorteilhaft. Weise kombiniert und angepasst werden. Damit
Eine Analyse der Deutsche Solar AG ergab, dass ist technisch eine Trennung aller Komponenten
68 ber eine Rckgewinnung der unbeschdigten bis hin zum reinen Rohstoff mglich. Aus ko-

FVS Themen 2003
nomischen Grnden werden aber Kompromisse

eingegangen werden mssen, z. B. thermische Sammeln
Verwertung von Kunststofffraktionen und Depo- Identifizieren, sortieren

Wiederverwendung
nierung von wertstoffarmen Restfraktionen. mglich?
Rahmen, Elektronik
Demontage
Glasverbund Wiederverwendung mglich?
Einfluss des Recycling auf die

kobilanzergebnisse Brechen und Mahlen thermische Trennung Elektronikschrott
Neben der offensichtlichen Schonung von Auftrennung, Sortierung

Zersetzen/Entfernen des Polymers (Pyrolyse)
Ressourcen durch Recycling gibt es eine Reihe
weiterer Grnde, die Lebenswegphase Re- Metalle, Kunststoffe
cycling /Entsorgung detailliert zu betrachten. chemische Lsung Abtragen

der Schichten der Schichten
Das Problem des Shifting of Burdens, ein (Wasserstrahl, Sand, Eis)
Verschieben von Umweltauswirkungen in andere saubere Glasplatten,
Glasscherben
Phasen des Lebenszyklus, kann auch in der chemisch /physikalische
Lebenszyklusphase Recycling /Entsorgung Trennung
auftreten. Aus diesem Grunde ist es essentiell,

metallhaltige Lsung
kobilanzen zu erstellen. Durch die Rck-
gewinnung von Materialien im Recycling wird Abflle,
Aufbereitung der Lsung,
gegebenenfalls die Produktion entsprechender Abwasser
Konzentration, Ausfllung, Ionenaustausch,
Primrmaterialien reduziert, die in der Regel galvanische Abscheidung
hhere Emissionen und Energieverbruche pro
kg Material erfordern als der Recyclingprozess.
wiedergewonnene Sure metallhaltige Konzentrate Metalle
Es ergibt sich ein Netto-Gewinn der den Solar-
zellen in der Gesamtbetrachtung gutgeschrieben
metallurgische
wird. Dies hat auch einen entsprechenden Weiterverarbeitung
Einfluss auf die Energierckgewinnungszeit.
Durch kobilanzen kann der umweltliche Tabelle 4

Break-Even bestimmt werden, d. h. wie viel bersicht fr ein
Aufwand (im Sinne von Energieverbrauch und Recycling-Konzept
Emissionen) ist gerechtfertigt, um durch das von Dnnschicht-
Recycling eine Netto-Umweltentlastung im Ver- Solarmodulen
gleich zur Primrproduktion zu erreichen. Bis
zu welcher Tiefe lohnt sich die Zerlegung der
Solarzellen und wo ist es umweltlich besser,
den Recyclingprozess abzubrechen bzw. mssten
effektivere Recyclingprozesse eingesetzt werden?
Im von der EU im Rahmen des 5. Forschungs-
rahmenprogramms gefrderten Projekt SENSE
werden entsprechende kobilanzen in Koope-
ration zwischen Herstellern und Forschungs-
instituten erstellt. Zudem werden Recyclingver-
fahren fr Dnnschichtsolarzellen praktisch
entwickelt. Ziel sind also im Sinne der Nachhal-
tigkeit optimierte Solarzellen unter Betrachtung
des gesamten Lebensweges von der Rohstoff-
herstellung bis zum Recycling.
69

FVS Themen 2003
Literatur [11] B. Sorensen, 2nd World Conference and

Exhibition on Photovoltaic Solar Energy
[1] G. Hagedorn, S. Lichtenberger, H. Kuhn: Conversion, Wien, 1998
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Herstellung von Solarzellen und photo- [12] E. A. Alsema, P. Frankl, K. Kato, 2nd World
voltaischen Kraftwerken, Abschlubericht Conference and Exhibition on Photovoltaic
BMFT-Projekt 0328830B, Jlich, 1989 Solar Energy Conversion, Wien, 1998
[2] G. Hagedorn, E. Hellriegel: Umweltrelevante [13] K. Wambach: Recycling of PV modules,

Stoffstrme bei der Herstellung verschiedener 2nd World Conference on Photovoltaic
Solarzellen, Angewandte Systemanalyse Solar Energy Conversion, Wien 1998
Nr. 67, Berichte des Forschungszentrums
Jlich 2636 [14] L. Frisson, K. Lieten, T. Bruton, K. Declerck,
J. Szlufcik, H. de Moor, M. Goris, A. Benali,
[3] R. Frischknecht et al.: koinventare fr O. Aceves: Recent improvements in indus-
Energiesysteme, Schlussbericht des trial PV module recycling, 16th European
BEW/ NEFF-Forschungsprojekts Umwelt Solar Energy Conference, Glasgow, 2000
belastung der End- und Nutzenergie-
bereitstellung, Zrich 1994 [15] J. Bohland, T. Dapkus, K. Kamm, K. Smigielski:
Photovoltaics as hazardous materials; the
[4] T. Reetz: Prozesskettenanalyse zum CdTe- recycling solution, 2nd World Conference
Solarmodul, Interner Bericht KFA-STE-IB-2/93, on Photovoltaic Solar Energy Conversion,
Jlich 1993 Wien 1998
[5] H. Steinberger, Lebenszyklusanalyse von [16] D. Bonnet, Antec Solar GmbH:

Dnnschichtsolarmodulen auf der Basis der Recyclingverfahren fr CdTe/ CdS
Verbindungshalbleiter CdTe und CIS, Dnnschichtsolarzellenmodule,
Dissertation, Mnchen 1997 Europisches Patent EP1187224A1
[6] U. R. Fritsche, V. Lenz, Life-cycle Analysis [17] K. Kushiya, M. Ohshita, M. Tanaka:

of PV and Diesel Pumps for Irrigation Development of recycling and reuse
in Developing Countries, ko-Institut, technologies for large-area CIGS based
Darmstadt 2000 thin-film modules, 3rd World Conference
on Photovoltaic Solar Energy Conversion,
[7] European Committee for Standardization: Osaka, 2003
EN ISO 14041
[18] S. Menezes: Investigation of electrochemical
[8] P. Eyerer, Ganzheitliche Bilanzierung processes for synthesis and removal of
Werkzeug zum Planen und Wirtschaften CIS films, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. vol.
in Kreislufen, Springer-Verlag, 426, 1996, 189
Heidelberg-Berlin, 1996
[19] T. Bruton, R. D. W.Scott, J. P. Nagle,
[9] J. Mller, D. Heinemann, D. Wolters, M. C. M. Man, A. D. Fackerall: Recycling
2nd World Conference and Exhibition on of high energy content, high value
Photovoltaic Solar Energy Conversion, components of silicon PV modules,
Wien, 1998 12th European Photovoltaic Energy
Conference, Amsterdam 1994
[10] K. E. Knapp, T. L. Jester, IEEE Conference
on Photovoltaic Energy Conversion,
Anchorage 2000
70
Michael Viotto Solarmodule mit integriertem Wechselrichter

FVS Themen 2003
Solarmodule mit integriertem

Wechselrichter
Systemtechnik netzparalleler Nachteilig sind das im Vergleich zu greren Michael Viotto
Wechselrichtern ungnstige Preis-Leistungsver- ISET
Photovoltaik-Anlagen
hltnis und der geringere Wirkungsgrad. Die mviotto@iset.uni-kassel.de
Ein leistungsmig sehr groer Anteil der Modulintegration fhrt zu einer hohen Tempe-
Photovoltaik (PV)-Anlagen in Europa arbeitet im raturbelastung der Bauelemente und kann sich Dr. Erwin Lotter
Netzparallelbetrieb. Das dichte Stromnetz und negativ auf die Lebensdauer der Wechselrichter ZSW
der geregelte Zugang zum Netz haben bewirkt, auswirken. Der Aufwand (Bauelemente, Eigen- erwin.lotter@zsw-bw.de
dass sich diese Technologie an der Schwelle zu versorgung) fr Regelung und Betriebsfhrung
einem Massenmarkt befindet. Im Verlauf der sehr ist nahezu unabhngig von der elektrischen Raymund Schffler
dynamischen Entwicklung haben sich unter- Leistung und erhht bei kleinen Systemen die Wrth Solar GmbH
schiedliche Anlagentypen entwickelt (Abb. 1): spezifischen Kosten. Bereits seit einiger Zeit raymund.schaeffler@
we-online.de
wird intensiv an diesen Problemen gearbeitet
Anlagen mit zentralem Wechselrichter (A) und Modulstromrichter sind schon auf dem
markieren den Ursprung dieser Technologie. Hier Markt verfgbar. Der Durchbruch dieser Tech-
werden zunchst die photovoltaischen Module nologie ist aber noch nicht erreicht.
zu Strngen in Reihe geschaltet. Der erzeugte
Strom ergibt sich aus einer Parallelschaltung der
Strnge. Die Leistung des PV-Generators wird
von einem Wechselrichter ins Netz eingespeist.
Diese Technologie kommt bei groen Anlagen,
die ber einen PV-Generator mit sehr homogener
Bestrahlung verfgen, zum Einsatz. Das String-
konzept (B) verwendet einen Wechselrichter pro 300 W 300 W 50 W
bis bis bis
Strang und ermglicht bereits eine flexiblere 700 W 700 W 300 W
Anlagenplanung. Unterschiedlich ausgerichtete
Generatoren knnen ohne Fehlanpassung
betrieben werden. Eine konsequente Fortsetzung
der modularen Struktur des PV-Generators in der
>1,5 kW
Energieaufbereitung stellt der modulintegrierte
Stromrichter dar (C). Die Ausrstung jedes ein-
zelnen Moduls mit einem Kleinwechselrichter Netz Netz Netz Netz
bietet einige Vorteile bei Planung und Betrieb

A B1 B2 C
der Anlage:
energetisch optimierter Betrieb von Einzel- Abbildung 1

modulen (Fassadenanwendung) Netzparallele PV-
einfache und flexible Anlagenplanung Anlagen mit Zentral-
sptere Erweiterungen der Anlage sind mglich Schaltungsarten netzparalleler wechselrichter (A),
Kleinstanlagen zum gnstigen Einstieg in selbstgefhrter Wechselrichter Stringwechselrichter
die PV-Technik (B1, B2) und Modul-
geringere Einbuen bei Teilausfllen Ein breiter Einsatz des Modulstromrichters stromrichter (C)
Diagnosesystem einfach zu implementieren erfordert eine wesentliche Senkung der leistungs-
Standardisiertes Bauelement fr hohe spezifischen Kosten. Ein neues Konzept ist
Stckzahlen erforderlich, da auch die groen Wechsel-
gnstige Auslegung der Leistungselektronik richter stndig weiterentwickelt werden und hier
durch geringere Variabilitt der Eingangs- weiterhin sinkende Kosten erwartet werden. 71
spannung Da die Kosten fr die Leistungselektronik stark

FVS Themen 2003
Wechselrichter mit Wechselrichter mit Transformatorloser Diese Technologie ist erprobt und gilt als sehr
Hochfrequenz-Trafo 50Hz-Trafo Wechselrichter (einphasig)
zuverlssig. Das hohe Gewicht und die Bau-
gre des Netztrafos erschweren aber den Einsatz
UE > 400 V
UE UE als Modulstromrichter.
DC
PWM
AC f = 20 kHz
Eine deutliche Reduktion bei Baugre und
Gewicht lsst sich durch den Einsatz einer
UT leistungselektronischen Schaltung mit Hoch-
DC PWM DC PWM
AC
Zwischenkreis sinusbewertet sinusbewertet
frequenztrafo erzielen. Diese Schaltungen
DC 400 V AC f = 20 kHz AC f = 20 kHz bestehen aus einem Gleichspannungswandler,
UZW der auf einen internen Zwischenkreis von
PWM ca. 400 V speist, und einer nachgeschalteten
DC
sinusbewertet
AC f = 20 kHz Wechselrichterbrcke, die meistens aus preis-
UA UA UA werten IGBT1 besteht. Der Hochfrequenzber-
Netz Netz Netz trager ist deutlich kleiner und leichter als der
Netztrafo. Ein Nachteil dieser Schaltungen ist
der hhere Schaltungsaufwand durch den
Abbildung 2 von der Schaltungsart abhngen, bietet es sich zustzlichen Gleichspannungswandler. Doch
Schaltungsarten netz- an, hier nach Verbesserungsmglichkeiten zu insgesamt ermglicht der Fortschritt auf dem
paralleler Wechselrichter suchen (Abb. 2). Gebiet der leistungselektronischen Bauelemente
heute die Konstruktion von Stromrichtern mit
Aufgrund der niedrigen Modulspannungen wird derartigen Hochfrequenztrafos. Diese Strom-
bisher eine hochsetzende Leistungselektronik richter bertreffen die Gerte mit Netztrafo beim
zur Anpassung an die Netzspannung bentigt. Wirkungsgrad und sie sind auch zu konkurrenz-
Diese Schaltung muss sowohl die niedrigste zu fhigen Kosten produzierbar.
erwartende Betriebsspannung auf ber 350 V
transformieren als auch der Leerlaufspannung Die bei greren PV-Anlagen hufig eingesetz-
des Moduls standhalten. Das Verhltnis zwischen ten trafolosen Gerte bentigen eine Gleich-
diesen beiden Spannungen ist entscheidend spannung von mindestens 400 V und kommen
fr den Wirkungsgrad und die Kosten des Strom- daher nach dem bisherigen Stand der Technik
richters. Eine hufig eingesetzte Schaltungsart fr einen Modulstromrichter nicht in Frage.
fr diesen Spannungsbereich besteht aus einer
von Leistungstransistoren (MOS-FET) gebildeten
einphasigen Wechselrichterbrcke mit einem
nachgeschalteten Netztrafo, der sowohl die Wechselrichter mit
Spannungsanpassung als auch die galvanische Hochspannungsmodul
Trennung von Modul und Netz sicherstellt.
Inzwischen ermglicht der Fortschritt sowohl
Abbildung 3 Hochspannungsmodul in der Dnnschichttechnik als auch in der
Dreiphasiger Modul- Leistungselektronik die Realisierung trafoloser
stromrichter U > 600 V Modulstromrichter. Hier bietet sich eine
Mglichkeit, die leistungsspezifischen Kosten
DC
PWM durch kostengnstige Schaltungsarten deutlich
sinusbewertet
f > 20 kHz zu reduzieren. Die zugrunde liegende Idee ist
AC
die Kombination eines direkt gekoppelten
Wechselrichters mit einem Hochspannungs-
Dnnschichtmodul (Abb. 3).
Ein trafoloser Wechselrichter ist deutlich kleiner,
leichter und preiswerter als ein Gert mit
Netz (dreiphasig) galvanischer Trennung. Abb. 4 zeigt das Einspar-
72 1
IGBT = Isolated Gate Bipolar Transistor

FVS Themen 2003
Abbildung 4 (links)
Wei markierter
Bereich: Einsparung
durch transformatorlo-
se Leistungselektronik
am Beispiel eines
Wechselrichters mit
Hochfrequenztrafo
und einer Nennlei-
stung von 1,5 kW
Abbildung 5 (rechts)
Wei markierter
Bereich: Einsparung des
Eingangskondensators
potenzial durch diese Technologie. Ein trafo- Moduls von ca. 600 V bentigt. Die maximale durch dreiphasige Ein-
loses Gert bentigt nur circa die Hlfte der Flche fr ein Modul mit integriertem Strom- speisung am
Bauelemente. Darber entfallen hier die teuren richter sollte wegen der Handhabbarkeit 2 m2 Beispiel eines Wechsel-
Bauteile wie Transformator, MOS-FET und nicht bersteigen. Eine Reihenschaltung von richters mit einer Nenn-
Drossel des Spannungswandlers. Die weiterhin ca. 1000 Zellen auf einer Flche von maximal leistung von 5,6 kW
bentigten IGBT der Wechselrichterbrcke 2 m2 ist aber wirtschaftlich mit poly- oder
sind dagegen vergleichsweise preiswert. monokristallinen Silicium-Solarzellen nicht durch-
fhrbar. Hier bieten sich Dnnschichttechnologien
Eine weitere Optimierung von Preis und Zu- an, die ber eine Strukturierung des Moduls
verlssigkeit ergibt sich durch eine dreiphasige kleinere Zellen ermglichen. Die Anzahl der in
Netzeinspeisung. In diesem Fall kann der Ein- Reihe zu schaltenden Solarzellen hngt von
gangskondensator, der bei einphasigen Gerten der eingesetzten Art der Dnnschichtsolarzellen
die Leistungswelligkeit bernimmt, deutlich ab (Tab. 1).
kleiner ausgelegt werden oder ganz entfallen
(Abb. 5). Dieses Bauelement hat einen wesent- Material UOC Wirkungs- Quelle Tabelle 1
lichen Anteil am Preis des Wechselrichters und [mV] grad [%] Vergleich einiger
darber hinaus eine begrenzte Lebensdauer Dnnschichtsolarzellen
Cu(In,Ga)Se2 690 19,2 NREL
bei erhhten Betriebstemperaturen. Ein Verzicht Cu(In,Ga)S2 895 10,1 HMI
UOC = Leerlaufspannung
auf diesen Kondensator fhrt also auch zu einer CuGaSe2 894 8,4 IPE
lngeren Lebensdauer des Wechselrichters. Cu(In,Al)Se2 763 7,8 IEC
Direkte Kopplung und dreiphasiger Betrieb CuInS2 742 12,2 IPE
ermglichen in Kombination einen sehr viel a-Si (unstab.) 887 12,7 Univ. Osaka
kleineren, preiswerteren und zuverlssigeren CdTe 845 16,5 NREL
Wechselrichter. Abb. 6 zeigt das gesamte
Optimierungspotenzial beim Einsatz dieser
Technologie. Jede Strukturierung des Moduls reduziert die
aktive Flche und damit den elektrischen Ertrag.
Eine hohe Zellenspannung ist daher anzustreben,
um die aktive Flche mglichst gro werden
Technologie eines zu lassen. Eine Mglichkeit ist die Erhhung des
Hochspannungsmoduls Galliumsgehalts der Solarzelle (Abb. 7). Der mit
steigender Leerlaufspannung sinkende Wirkungs-
Voraussetzung fr den Einsatz dieses im letzten grad begrenzt die Wirksamkeit dieser Manahme.
Kapitel beschriebenen Modulstromrichters ist Hier ist sorgfltig zwischen dem Mehrertrag
die Verfgbarkeit von Solarmodulen mit hohen aufgrund der vergrerten aktiven Flche und
Ausgangsspannungen. Fr eine dreiphasige den Wirkungsgradeinbuen durch die Erhhung
Netzeinspeisung wird eine Spannung des des Galliumgehalts abzuwgen. 73

FVS Themen 2003
Abbildung 6 (links) 15
Wei markierter
Bereich: Einsparung 13
des Eingangskondensa-
Wirkungsgrad (%)
tors durch dreiphasige 11
Einspeisung am
9
Beispiel eines Wechsel-
richters mit einer Nenn-
7
leistung von 5,6 kW
5
Abbildung 7 (rechts) 500 600 700 800 900
Leerlaufspannung (mV)
Vernderung des
Wirkungsgrads von
Cu(In,Ga)Se2-Solar- Eine sehr effiziente Art der Spannungserhhung gehalts und eine neuartige Strukturierung bieten
zellen bei Erhhung ist die Strukturierung des Moduls in zwei die Mglichkeit, Solarmodule mit einer Aus-
der Leerlaufspannung Richtungen (Abb. 8). Bisher wurden Dnnschicht- gangsspannung von 600 V herzustellen. Durch
durch Erhhen des module in Streifen unterteilt. Durch eine Reihen- Kombination dieser Module mit einem opti-
Gallium-Gehalts im schaltung vieler entsprechend schmaler Einzel- mierten direkt gekoppelten Wechselrichter
Absorber zellen lsst sich eine hohe Ausgangsspannung entsteht ein neues Produkt, das gegenber dem
erzeugen. Fr die vorliegende Anwendung heutigen Stand der Technik eine wesentliche
reicht diese Unterteilung in Streifen nicht aus. Verbesserung hinsichtlich Kosten, Wirkungsgrad
Bei einer Modullnge von 600 mm ergibt sich und Zuverlssigkeit bietet.
eine Zellenbreite von unter 1 mm mit einem
erheblichen Verlust an aktiver Flche. Eine weitere
Strukturierung der Streifen wre erforderlich.
Abbildung 8 Die Abstnde sind an die auftretenden hohen Ausblick
Konstruktion eines CIS- Spannungen zwischen den einzelnen Streifen
Hochspannungsmoduls anzupassen. Die geeignete Wahl des Gallium- Die Entwicklung eines kostengnstigen Solar-
moduls mit integriertem Wechselrichter erfordert
intensive Zusammenarbeit unterschiedlicher
Fachgebiete:
CIGS Standard-Design: 74 Zellen x 0,5 V
37 V Modulspannung (im MPP)
Halbleitertechnologie
Erhhter Gallium-Anteil im CIGS-Absorber
0,55 0,6 V Zellspannung Modulfertigung
41 44 V Modulspannung Leistungselektronik
Architektur und Bauingenieurwesen
Normung und Standardisierung
Zellbreite verringert auf ca. 4 mm: 137 Zellen
bis zu 82 V Modulspannung Im Rahmen eines internationalen Forschungs-
vorhabens ist geplant, technische Lsungen zu
diesem Thema zu erarbeiten und die Tragfhig-
keit des Konzepts durch Tests in der Praxis zu
erproben. Ziel ist ein Solarmodul mit integriertem
Stromrichter, das durch die Kombination von
hoher Modulspannung und moderner Schaltungs-
Gekrzte Zellen, in Serienschaltung mehrfach technik eine Halbierung der Kosten fr die Leis-
gefaltet, z. B. 5 Bnder
685 Zellen, bis zu 410 V Modulspannung tungselektronik ermglicht und damit dieser
Technologie den entscheidenden Impuls fr eine
breite Markteinfhrung geben kann.
74

FVS Themen 2003
Literatur
Kleinkauf, W.: Photovoltaic Power Conditio-
ning; 10th EPVSEC, Lisbon, Portugal, 1991
Kleinkauf, W.; Sachau, J.; Hempel, H.:

Developments in inverters for photovoltaic
systems; 11th E.C. Photovoltaic Solar Energy
Conference, Montreux, Switzerland, 1992
M. Viotto, H. Hempel und U. Krengel: Klein-

wechselrichter zum Aufbau von modularen
PV-Anlagen. In: 8. Symposium Photovoltaische
Solarenergie, Staffelstein, 1993
R. Geipel, B. Gru, W. Kleinkauf, U. Krengel,

T. Krieger und M. Viotto: Untersuchungen
zur Entwicklung modulorientierter
Stromrichter fr netzgekoppelte Photovoltaik-
Anlagen. In: 10. Symposium Photovoltaische
Solarenergie, Staffelstein, 1995
Reliability and accelerated life tests of the

AC module mounted OKE4 inverter
H. Oldenkamp, I. J. de Jong, C. W. A. Baltus,
S. A. M. Verhoeven, S. Elstgeest, 25th IEEE
Photovoltaic Specialists Conference,
Washington D. C., 1996
H. Oldenkamp, I. J. de Jong, Next generation

of AC module inverters, 2nd World Conference
and Exhibition on Photovoltaic Solar Energy
Conversion, Vienna, Austria, 6 10 July 1998
75
Dr. Christian Bendel Multifunktionale Nutzung photovoltaischer Anlagen

FVS Themen 2003
Multifunktionale Nutzung
photovoltaischer Anlagen
Dr. Christian Bendel Einfhrung Ansatz vllig neue Nutzungschancen und
ISET Kostenvorteile. Eine zentrale Rolle fr diesen
cbendel@iset.uni-kassel.de Die Nutzung von Photovoltaikanlagen unter- Ansatz spielt der Architekt als beratendes und
schiedlichster Gren und Ausfhrung nimmt koordinierendes Bindeglied zwischen Investor,
Peter Funtan weltweit mit kontinuierlichen Steigerungsraten PV-Modulhersteller, Montagesystemanbieter
ISET zu. Im Bewusstsein der Menschen hat sich und Fachplaner. Seine entscheidungsfrdernde
pfuntan@iste.uni-kassel.de inzwischen verankert, dass man auf Basis des Fachkompetenz fr die Nutzung der umwelt-
photovoltaischen Effekts aus der Sonnenstrah- freundlichen photovoltaischen Fassaden- und
Martin Ries lung elektrischen Strom generieren kann: Dachelemente bereits beim Entwerfen zu
ISET geruschlos, verschleilos und umweltfreundlich. Beginn jeglicher Baumanahmen bietet die
mries@iste.uni-kassel.de Weitere Nutzungsmglichkeiten, d. h. bereits Gewhr eines sinnvollen und wirtschaftlichen
vorhandene physikalische Eigenschaften als Einsatzes.
Prof. Dr. weitere Produktfunktionen in Kombination mit
Heinz Hullmann
anderen Techniken und Effekten anzuwenden,
ISET sind zwar vereinzelt bekannt [2], werden aber
e-mail: hullmann@ nicht als zustzliche Besonderheit, als Wirtschaft- Die multifunktionalen
hwp-hullmann-willkomm.de
lichkeitsargumente vermarktet. Zum Beispiel Eigenschaften der Photovoltaik
wird der Photovoltaikintegration in die Gebude-
hlle heute noch immer mit Skepsis und Vor- Die nachfolgende Beschreibung der Mehrfach-
behalten begegnet. Sie sei angeblich zu teuer, eigenschaften von PV-Fassaden- und Dachelemen-
wrde insbesondere in der vertikalen Anordnung ten [4] gibt einen berblick ber Mglichkeiten
keinen ausreichenden Energieertrag bringen und Machbarkeit. Die Untersuchungsergebnisse
und sei somit unwirtschaftlich. Argumente, beziehen sich vor allem auf kristalline Si-Solar-
die derzeit immer noch bei Investitionsvorent- zellentechnologien, die derzeitig den hchsten
scheidungen zur Anwendung kommen und Marktanteil besitzen und vom Entwicklungs-
oft ohne sachliche Prfung zu Killerkriterien stand am weitesten vorangeschritten sind.
werden. Auerdem wrde bei den heutigen
Stromkosten bzw. Einspeisevergtungen eine
Amortisation nicht bzw. erst unter Berck-
sichtigung heute gltiger Wirtschaftlichkeitsbe-
rechnungen sehr spt zu erwarten sein [1],
[3]. Dies grndet sich auf fatale Desinformationen
und auf Behauptungen, die antiquierte Stand-
punkte erkennen lsst.
Keine andere Fassadenkonstruktion, bzw.
Wetter
-technologie musste sich bisher einer solchen
Argumentation stellen. Wann kann beispielsweise
eine Metallfassade aus Aluminium ihre Material- Zum Witterungsschutz zhlen Regen- und
und Herstellungskosten erwirtschaften oder Winddichtigkeit, Windlastfestigkeit, Klima-
nach wie vielen Jahren rechnet sich eine hoch- wechselresistenz sowie Alterungsbestndigkeit.
wertige Naturwerkstein-Fassade? In internationalen Normen sind die dafr vor-
geschriebenen Testkriterien und Prozeduren
Den Photovoltaikgenerator in Kombination mit beschrieben. Verschiedene Tests gemeinsam mit
anderen Technologien als Baueinheit mit neuen Industriefirmen zeigten bei derzeit marktver-
spezifischen Eigenschaften fr die Gebudehlle fgbaren PV-Fassadenmodulen (kristallines Si
76 zu betrachten, ergibt bei einem gesamtheitlichen mit Harz- bzw. Folieneinbettung) [1]:

FVS Themen 2003
Windwechsellasten bis max. 2400 Pa (Pascal)

und 150.000 Lastwechsel (gesamt) sind ohne
Schaden erreichbar (entspricht ca. 233 km /h).
Klimawechseltests (18 Jahre simuliert)
offenbarten keine signifikanten Alterungs-
erscheinungen.
Die elektrische Isolationsfestigkeit (Isolations-
widerstand), als einer der wichtigsten Parameter
in einer elektrischen Energieerzeugungs-
anlage, blieb im Klimawechseltest weit ber
den geforderten Grenzwerten von 30 MW.
Abschattung
Fr die photovoltaische Dnnschichttechnologie
werden gleichwertige Testergebnisse ange-
strebt. Derzeitige Dnnschichtmodule aus Vor- Die Funktion der Abschattung mit einer PV-
serienproduktion (CdTe, CIS) befinden sich in Fassade oder mit einem PV-Dach kann gezielt
entsprechenden Testphasen. Amorphe Silicium- durch das Design der photovoltaischen Anlage
module (a-Si) in Ein-, Zwei- und Dreischicht- eingestellt werden. blicherweise werden die
strukturen beginnen erfolgreich den Markt zu einzelnen Solarzellen in kristallinen Si-Modulen
erobern, aber auch diese neuen Technologien so angeordnet, dass ber die Packungsdichte
mssen ihre Langzeittauglichkeit noch unter viel oder wenig Abschattung entsteht. Bei Dnn-
Beweis stellen. schichtsolarmodulen werden die Zwischenrume
Die Witterungsfestigkeit photovoltaischer bzw. Muster und Strukturen z. B. mit Laser bereits
Fassaden- und Dachelemente wird schon heute whrend des Herstellungsprozesses geschaffen,
nicht mehr in Frage gestellt. sodass Semitransparenz entsteht.
Abbildung 1
Abschattung mit
PV-Doppelglasscheiben
im Atriumsbereich
HASTRA
Dmmung
Die Wrmedmmung bei PV-Fassaden- und

Dachelementen wird durch den eigentlichen
Sandwich-Aufbau des Moduls selbst, durch die
Luftschicht hinter einer PV-Vorhangfassade
(Geschwindigkeit regulierbar) sowie durch die
Strahlungsabsorption der kristallinen Si- und
Dnnschicht-Solarzellen erreicht. In Kombination
mit blichen Wrmedmmstoffen werden sogar
verbesserte Wrmedmmwerte erzielt, die den
bekannten High-End-Technologien gleichwertig
sind. In Isolierglasausfhrung bernehmen die
photovoltaischen Fassaden- bzw. Dachelemente
die Funktion der thermischen Trennung in der
Gebudehlle. 77

FVS Themen 2003
Die Semitransparenz bei kristallinen Silicium- von bestimmten Solarzellentechnologien genutzt.

Solarzellen (Power-Zellen) erfolgt durch Durch das Ausblenden von infraroten Licht-
mechanische Strukturierung. Abschattung bzw. anteilen, die z. B. bei amorphen Silicium-Solar-
Tageslichtleitung sind in den oben beschrie- zellen nicht an der photovoltaischen Energie-
benen Technologien und Konstruktionen eng wandlung beteiligt sind, kann die langwellige
miteinander verknpft. Mit der Nutzung der Wrmestrahlung reduziert werden. Insbesondere
natrlichen Abschattung durch eine gezielte die architektonisch anspruchvolle Gestaltung
Anordnung von undurchsichtigen kristallinen von Atrien, Shed-Dchern und Warmfassaden
Solarzellen in den photovoltaischen Fassaden- gibt dem Architekten in Verbindung mit den
elementen kann eine erhebliche Kostenreduktion weiteren vorteilhaften Eigenschaften der Photo-
in Atrium-Bereichen erzielt werden. Mit Hilfe voltaik einen wesentlich greren Spielraum.
der Abstnde zwischen den Solarzellen wird der
Anteil des einfallenden Tageslichts eingestellt
und damit auch der Anteil der Wrmestrahlung.
Somit kann das Klima in solchen kritischen
Bereichen gezielt beeinflusst werden.
Schall
Die Schalldmmung durch die Gebudehlle

ist eine durch Vorschriften geregelte Selbst-
verstndlichkeit in der Architektur. Bisher kaum
Heizung beachtet und genutzt wird die Tatsache, dass
PV-Fassaden- bzw. PV-Dachelemente bedingt
Die Nutzung von Photovoltaikelementen in durch den Mehrschichtaufbau bereits ber ein
der Gebudehlle zum Heizen ist relativ neu, Schalldmm-Ma von ca. 25 dB verfgen. Ohne
obwohl der physikalische Effekt der Erwrmung funktionelle Einschrnkungen knnen photovol-
durch Rckstrom bei der Ermittlung von Dun- taische Warmfassaden- bzw. Dachelemente mit
kelkennlinien seit langem bekannt ist. Um den der Mehrscheibenisolierglastechnik kombiniert
Heizungseffekt auch praktisch nutzen zu knnen, werden. Die Mehrscheibenisolierglastechnik mit
muss der Glas-PV-Modul-Verbund aber speziell Edelgasfllung ist Stand der Technik um einen
gestaltet werden: Die Reihenfolge des Aufbaus hheren Schalldmmwert zu ereichen.
verndert sich dahingehend, dass das PV-
Modul zum Innenraum in optimierter Gre
angeordnet ist um Abschattungen und Trans-
missionsverluste zu verringern. Die PV-Module
befinden sich also im Doppelglasaufbau auf
der Raumseite.
Durch die gezielte Auswahl einer speziellen

Solarzellentechnologie (z. B. amorphes Silicium)
Abschirmung
mit speziellen spektralen und optischen Eigen-
schaften (z. B. semitransparent) knnen Funk-
tionen in der Gebudehlle realisiert werden, Die elektromagnetische Schirmdmpfung
die bisher nur mit zustzlichen Heizkrperinstal- von PV-integrierten Gebudehllen (Fassade
lationen mglich waren. Damit sich nun durch und /oder Dach) ergibt sich durch die meist
die vernderte Anordnung des PV-Moduls keine elektrisch leitfhige Unterkonstruktion sowie
zustzliche Erwrmung in den Sommermonaten die flchenhaften elektrischen Netzwerke der
78 einstellt, werden die spektralen Besonderheiten Photovoltaikmodule (Zellenverbund). Diese

FVS Themen 2003
Wirkung, bekannt durch den Effekt des Fara- Hier besteht die Herausforderung fr Planer
dayischen Kfigs, kann genutzt werden zum und Architekten (Abb. 2,3).
Schutz besonders elektrosensibler Bereiche wie
in Krankenhusern, Computerzentralen, Polizei,
Forschungseinrichtungen sowie Flughafen- Abbildung 2
gebuden. Die Nutzung blicher Mobiltelefone PV-Dach und Fassade
in geschirmten Gebuden ist durch spezielle Fabrimex
Umsetzer im Gebude aber problemlos mg-
lich. Trotzdem sollte man in Gebuden Fest-
netztelefone bevorzugen, weil alle mobilen
Telefone (DECT) durch elektromagnetische Wel-
len (gestrahlte Energie) einen zustzlichen
Elektrosmog erzeugen, dessen schdigende
Langzeitwirkung auf lebende Organismen immer
noch nicht ausgeschlossen werden kann [7]. Abbildung 3
Untersuchungen unterschiedlicher PV-Fassaden- Hochhausfassade
elemente bezglich ihres Schirmdmpfungs- Flabeg
verhaltens ergaben in einer Testfassade eine
Dmpfung von 23 dB (mehr als Faktor 100) fr
eine Testfrequenz von 960 MHz.
sthetik
Die sthetik und das Design einer Gebudehlle

werden durch die Einflussnahme des Investors
und durch den Architekten bestimmt. Photovol-
taische Fassaden- bzw. Dachelemente gehren
zu den hochwertigsten Baumaterialien und
-elementen. Sie werden bestimmt durch die
verwendeten Solarzellentechnologien (kristallines
Silicium, amorphes Silicium, Dnnschichtsolar-
zellen), die farbliche und konstruktive Gestaltung
(Antireflexschicht, Solarzellenabstand, Solarzellen-
geometrie, Solarzellenanordnung und deren
Antenne
Oberflchenstruktur und Einbettungsfolien) die
uere Geometrie und das Befestigungssystem
(Standardabmessungen, Sondermae, die Die elektromagnetische Energiewandlung in
Gestaltung mit und ohne Rahmen), bewegliche der Gebudehlle bezieht sich auf ein speziell
Elemente zur Nachfhrung, Abschattung und gestaltetes photovoltaisches Fassaden- bzw.
Lichtlenkung (Lamellen, Markisen) sowie den Dachelement bzw. eine Baugruppe aus diesen
ein- oder mehrschichtigen Aufbau (berkopf- Elementen. Unter dem Fachbegriff solare
bzw. Isolierverglasung). Die Verwendung von Planar-Antenne wurde eine neue Baugruppe
PV-Elementen erfordern eine besondere Kompe- entwickelt und unter dem geschtzten Namen
tenz im Planungs- und Gestaltungsprozess. SOLPLANT bekannt gemacht. 79

FVS Themen 2003
Abbildung 4 (links)
Nachrichtenber-
tragung mit solarer
Planar-Antenne als
PV-Fassadenelement
(Computersimulation
ISET)
Wrme /Klima
Die thermische Energiewandlung in der

Gebudehlle ist eine eingefhrte Technologie,
die lediglich fr das photovoltaische Fassaden-
bzw. Dachelement fachkompetent modifiziert
Hier wird die photovoltaische Stromerzeugung werden muss. Physikalisch gesehen wirken die
und das Senden bzw. Empfangen von hoch- kristallinen Solarzellen bzw. die photovoltaischen
frequenten Signalen (z. B. fr die Kommunikation Dnnschichtzellen auch als Wrmestrahlungs-
ber Handy) in einer Baueinheit ermglicht. absorber. Dies wirkt sich eher nachteilig auf die
Die Nutzung dieser speziellen Anordnung von Effizienz der photovoltaischen Energiewandlung
photovoltaischen Zellen als separates uer- (Stromerzeugung) aus. Diese Verlustwrme ist
lich kaum unterscheidbares Fassadenelement mit dem entsprechenden technischen und phy-
z. B. an einem Hochhaus (Abb. 4), ermglicht sikalischen Know-how nutzbar: durch Hinter-
die Vermeidung bzw. Reduzierung von Funk- lftung einer photovoltaischen Vorhangfassade
schatten bei gleichzeitiger Reduzierung der und damit Khlung der Solarzellen und der
Feldstrke von zentralen Sendestationen. Insbe- Gebudewand bei gleichzeitiger Verbesserung
sondere fr die in Zukunft erforderliche hohe des photovoltaischen Umwandlungsgrades
Qualitt der UMTS-Nachrichtenbertragung oder durch die Nutzung des warmen bewegten
wird eine hhere Verdichtung von Sendeanla- Luftstromes zur Gebudeklimatisierung. Die Ver-
gen erforderlich werden. Die solare Planar- knpfung von photovoltaischer Stromerzeugung
Antenne kann diese Anforderungen in beispiel- und Warmwassergewinnung in einer Baueinheit
hafter Weise miterfllen, bei gleichzeitiger (Hybridkollektor) wird, obwohl in Fachkreisen
Reduzierung der Sendefeldstrke auch als umstritten, als Produkt bereits auf dem Markt
Elektrosmog bekannt. angeboten. In Verbindung mit Niedertempe-
Mit der Einfhrung des terrestrischen digitalen raturanwendungen (z. B. Schwimmbad) erfolgt
Rundfunks und Fernsehens ergeben sich mit hier eine sehr rationelle Energienutzung. Zur
oben beschriebener Lsung weitere neue An- Brauchwassernutzung msste ber eine zustz-
wendungen. Bisherige Antennen lassen sich liche Energiewandlungseinheit (z. B. Wrme
durch modifizierte PV-Module ersetzen, die zur pumpe) das Temperaturniveau angehoben
Stromgenerierung ebenso verwendet werden, werden. Hybridkollektoren auf der Basis von
wie zum Radio- bzw. Fernsehempfang. Photovoltaik und Lufterwrmung werden sehr
erfolgreich bereits industriell genutzt (Abb. 5).
Abbildung 5 Durch die Abkhlung der Solarzellen wird die
Luftkollektoren mit Effizienz der photovoltaischen Energiewandlung
Photovoltaik im so verbessert, dass sich damit zustzlich quasi
Industriebau kostenlos Lfter betreiben lassen. brig bleiben
Grammer-Solar-Bau in der Kostenbilanz ein warmer, bewegter Luft-
strom sowie die Investitionskosten der Be- bzw.
80 Entlftungsanlage.

FVS Themen 2003
bei Modulen, Wechselrichtern, Installations-

und Montagesystemen zu Verbesserungen, die
auf die Gesamtsysteme bertragen werden
konnten. Entwicklungsetappen wie z. B. zentraler
Wechselrichter, Modulwechselrichter, String-
wechselrichter, Multistringwechselrichter kenn-
zeichnen die Evolution der verschiedenen
Anlagenkonzepte.
Auch die Solarzellentechnologien entwickelten

sich, und zwar hinsichtlich der Dnnschicht-
Strom solarzellen und der Effizienzsteigerungen von
Silicium-Wafer-Solarzellen. Die photovoltaische
Komponenten- und Anlagenentwicklung war
Der photovoltaische Energieertrag hngt und ist sehr stark von Bemhungen geprgt, die
neben der Art der Solarzellen (Material- und Effizienz der Energiewandlung zwecks Nutzung
Zellentechnologie) von Rahmenbedingungen im elektrischen Netz mit PV-Wechselrichtern
ab wie Wetter, Alterung und Verschmutzung. (Umwandlung von Gleich- in Wechselstrom) zu
Auch das planerische Know-how und das Design steigern [5]. Am effektivsten kommen heute
der Anlage wie Neigung, Ausrichtung, Aufbau, sogenannte Stringkonzepte zu Einsatz (Abb. 6).
Installation und Komponenten wirken sich auf
den Stromertrag des Gesamtsystems aus und Zunehmend werden neue Hybridkonzepte, d. h.
mssen optimiert werden. Entwicklungskriterien, Kombinationen mit anderen umweltfreundlichen
wie Erhhung der Zuverlssigkeit, Wirkungs- Energiewandlungssystemen wie z. B. Brennstoff-
gradsteigerung sowie Kostenreduktion fhrten zelle, BHKW oder Mikrogasturbinen insbesondere
Abbildung 6
Wechselrichterkonzepte
= =
~ ~ als Spiegel der
Entwicklung photo-
voltaischer Anlagen
ISET
= =
= =
= = = =
~ ~ ~ ~
zentral modulintegriert stringorientiert multistringorientiert

81

FVS Themen 2003
fr den Gebudebereich entwickelt. Hintergrund Innovations- und Weiterentwicklungspotenziale.

ist die zuverlssige Energiebereitstellung von Architekten und Fachplaner bestimmen mit ihrer
dezentralen netzgekoppelten Energieerzeugungs- Fachkompetenz und ihrer Einstellung zu Inno-
anlagen (DEA), die im Falle eines schwachen vationen in der Architektur wesentlich die Wirt-
Netzauslufers den Netzanschlusspunkt sttzen schaftlichkeit und Akzeptanz der Photovoltaik [8].
und im Falle einer Netzabschaltung sogar zu
einer Inselversorgung bergehen knnen. Sie Kostenreduktionspotenziale werden bei system-
sind bereits als USV-Anlagen (unterbrechungs- technischen Komponenten wie z. B. bei Wechsel-
freie Stromversorgung) bekannt. Um solche richtern gesehen, die sich bis zum Jahre 2005
neuen Energieversorgungskonzepte aber um 50 % verbilligen knnen [5]. Auch die
wirtschaftlich zu betreiben, sind noch umfang- Modulindustrie prognostiziert nennenswerte
reiche Entwicklungsarbeiten erforderlich, denn Kostenreduktionen [6], die sich dann letztlich
die DEA im Niederspannungsnetz bentigen auf das gesamte photovoltaische System aus-
bidirektionale Kommunikations- und Energie- wirken werden.
transfer-Managementeinrichtungen, um die
wichtigen Voraussetzungen wie Beobachtbar-
keit und Steuerbarkeit berhaupt erst zu
ermglichen.
Zusammenfassung
Die Photovoltaik ist eine auerordentlich umwelt-
freundliche Energiewandlungstechnologie, weil
die PV-Anlagen weder Schadstoffe noch Strah-
lung emittieren. Sie funktionieren geruschlos
und ohne Verschlei, wobei sie die hochwertigste
Energieform elektrische Energie erzeugen.
Die saisonale Verfgbarkeit (tglich, jahreszeit-
und/wetterabhngig, jhrlich) sowie die relativ
niedrige Energiedichte (Flchenbedarf) sind
nachteilige Kriterien gegenber Windenergie
und Wasserkraft, oder fossilen Energietrgern.
Dafr steht die solare Energie praktisch unbe-
grenzt zur Verfgung (4 Mrd. Jahre), fossile
Energietrger hingegen nur noch fr 50 120
Jahre.
Gemeinsam mit Energieeinsparungen im Ge-

bude, der forcierten Einfhrung von energie-
optimierten Anlagen sowie einem neuen Ver-
braucherverhalten weil Energie kostbar ist
wird die photovoltaische Energiewandlung im
tglichen Umfeld an Bedeutung gewinnen [9],
[10]. Die Investitionskosten der Photovoltaik-
integration in die Gebudehlle werden durch
die ganzheitliche und konsequente Nutzung
der vorteilhaften physikalischen Eigenschaften
von Photovoltaik-Elementen bestimmt. Eine mit
diesen Vorteilen in die Gebudehlle integrierte
82 Photovoltaik bietet derzeitig eines der grten

FVS Themen 2003
Literatur [7] H. Bartsch et al., Langzeit- Exposition mit

einem GSM- hnlichen Signal (Mobilfunk),
[1] C. Bendel et al., Abschlussbericht NEWS-letter, Forschungsgemeinschaft
Entwicklung und Erprobung eines Funk e.V., April 2002
photovoltaischen Fassadenelementes,
ISET/ Kassel, 1996 [8] F. Hasheider, Architektonische und
technische Aspekte bei der Integration
[2] F. Sick, T. Erge (Hrsg.), Photovoltaics von Photovoltaik in die Gebudehlle,
in Buildings, Verlag James and James, Praktikumsbericht, ISET, 2002
London, 1996
[9] H.- J. Gabler et al., Photovoltaik am
[3] C. Bendel et al., Multifunktionale Fassaden Gebude Stromversorgung mit Photo-
im Vergleich, 14. Symposium Photovol- voltaik?, Jahrestagung des Forschungs-
taische Solarenergie, Staffelstein,1999 Verbunds Sonnenenergie (FVS),
Potsdam, Sept. 2002
[4] H. Hullmann (Hrsg.), Photovoltaik in
Gebuden Handbuch fr Architekten und [10] I. B. Hagemann, Gebudeintegrierte
Ingenieure, Fraunhofer IRB Verlag, 2000 Photovoltaik (GIPV). Innovative Technik
fr das Baugewerbe, 18. Symposium
[5] M. Meinhardt et al., Kostenreduktion Photovoltaische Solarenergie, Staffelstein,
durch neue PV- Systemtechnik, Mrz 2003
SMA Regelsysteme GmbH,
5. Kasseler Symposium, Kassel, 2000
[6] T. Weller, Photovoltaik im Wettbewerb

der verteilten Energieerzeugung,
16. Symposium Photovoltaische Solarenergie,
Staffelstein, 2001
83
Neue Konzepte zur

Leistungssteigerung
Photonenmanagement Optische Strukturen
Chalkopyrit-Dnnfilmsolarzellen mit hoher Bandlcke
Die Grenzflche in Chalkopyrit-Solarzellen

Ein neuer Ansatz
Isolations- und Diffusionsbarrieren fr Solarzellen

auf groen Flchen
84
4_Konzepte_2003_Lay01.qxd 22.02.2004 16:54 Uhr Seite 85
Dr. Reinhard Carius Photonen-Management Optische Strukturen

FVS Themen 2003
Photonen-Management
Optische Strukturen
Einleitung sondern dazu beitragen, die Verluste in anderen Dr. Reinhard Carius
Bereichen der Solarzellen zu minimieren. FZ- Jlich
Eine bessere Ausnutzung des solaren Spektrums r.carius@fz-juelich.de
ist ein Schlssel fr hhere Wirkungsgrade von Diese Anforderungen und auch die im Folgen-
Solarzellen. Um dies zu erreichen, muss man mit den beschriebenen Lsungsanstze sind teilweise Dr. Thomas Dittrich
Hilfe optischer Strukturen Photonen unterschied- schon bekannt. Sie konnten aber oft aus techni- HMI
licher Energie sammeln und effizient einsetzen. schen oder finanziellen Grnden nicht realisiert dittrich@hmi.de
Neben der Reduzierung der Reflexion spielen werden. Hier soll an Hand von Beispielen aufge-
die Erhhung der Absorption durch Lichtfallen zeigt werden, dass es notwendig und zielfhrend
und die richtige Verteilung der Photonen in ist, mit neuen Erkenntnissen, neuen Materialien
die Absorberschichten beispielsweise bei Dnn- und neuen Techniken alte und neue Ideen um-
schicht- und Stapelsolarzellen eine zentrale zusetzen und weiter zu entwickeln und so die
Rolle. Vergleichbare Anforderungen gelten auch Effizienz der Photovoltaik zu steigern und ihre
fr Hochleistungs- und Multispektral-Solarzellen. Kosten zu reduzieren.
Photonen-Management Optik in Solarzellen

Das auf die Erde einfallende Sonnenlicht setzt Die Leistungsbilanz einer handelsblichen Solar-
sich aus Photonen (Lichtquanten) sehr unter- zelle aus kristallinem Silicium (Abb. 1) zeigt, in
schiedlicher Energie oder Wellenlnge welchen Bereichen die Optik und damit das
zusammen. Eine bessere Ausnutzung dieses Photonen-Management von Bedeutung ist.
solaren Spektrums ist ein Schlssel fr hhere Wichtige Verluste in der Solarzelle sind:
Wirkungsgrade von Solarzellen. Unter Photonen- Die Reflexion betrgt bei einer reinen
Management verstehen wir die effiziente Siliciumoberflche fr den relevanten
Nutzung der Photonen fr die Photovoltaik Spektralbereich zwischen 30 % und 40 %.
mit Hilfe optischer Strukturen: Durch Antireflexionschichten wird sie
a) Durch vollstndige Sammlung sollen alle auf weniger als 5 % reduziert.
fr eine Ladungstrgererzeugung nutzbaren Durch Transmission gehen bei einem
Photonen in die Solarzelle gelangen. 300 Mikrometer dicken Siliciumwafer ca.
b) Durch Einsatz der Photonen am richtigen
Ort mittels Fokussierung und geeigneter Reflexion & Transmission
Abbildung 1
Lichtfallen sollen sie in die Bereiche der Zellen Leistungsbilanz einer
gelenkt werden, in denen sie am effizientesten Solarzelle aus kristalli-
genutzt werde knnen. Ein Beispiel dafr nem Silicium mit etwa
Thermalisierung
sind Multispektralzellen wie z. B. Tandem- 15 % Wirkungsgrad.
und Tripelzellen. Dort werden Photonen mit Die Flchen geben
hoher Energie in den Zellen, die eine hohe die entsprechenden
eVOC < Eg
offene Klemmenspannung liefern, absorbiert prozentualen Anteile
und die Photonen mit geringerer Energie in Fllfaktor, Lebensdauer, Kontakte wieder.
den darunter liegenden Solarzellen [1, 2].
c) Durch Reduzierung der Verluste in den
Wirkungsgrad
verwendeten optischen Strukturen. Sie sollen
selbst keine nutzbaren Photonen absorbieren,
85

FVS Themen 2003
33 % der Photonen verloren. Durch geeignete 25-fachen Verlngerung des effektiven Licht-
Rckseitenverspiegelung und Lichtfallen lsst weges fhren.
sich dies auf weniger als 26 % verringern. Mit einer Reduzierung der Reflexion auf
Diese 26 % der Photonen machen allerdings nahezu 0 % wird eine Quantenausbeute von
nur knapp 20 % der Strahlungsleistung des fast 100 % ber einen sehr weiten Spektral-
Solarspektrums aus, da es sich um Photonen bereich erreicht.
Abbildung 2 mit niedriger Energie handelt.
100
Externe Quantenausbeute / %
Externe Quantenaus- Als Thermalisierung (Erwrmung) bezeichnet
beute einer typischen man den Verlust der berschussenergie der 80
kommerziell erhltlichen Ladungstrger durch ihre optische Anregung
Solarzelle (durchge- mit Energien grer als die Bandlcke des 60
zogene blaue Linie) im Halbleiters. Fr ein spezifisches Halbleiter- 40

Vergleich zur besten material kann die Optik dies nicht beeinflussen.
Solarzelle aus kristalli- Wie spter nher erlutert wird, knnen die 20
nem Silicium (Kreise) Thermalisierungsverluste jedoch durch die

0
Verwendung von Multispektralzellen stark 200 400 600 800 1000 1200
Wellenlnge / nm
reduziert werden [3]. Dabei spielt die richtige
Verteilung der Photonen in die verschiedenen Das Photonen-Management in Form einer
Bereiche der Zelle durch eine angepasste effektiven Lichteinkopplung und -verteilung
Optik eine wesentliche Rolle. fhrt hier zu einer Kurzschlussstromdichte von
Die erreichbare offene Klemmenspannung 42,2 mA/cm2, d.h. etwa 80 % der auf die Solar-
Voc und damit die nutzbare potenzielle Energie zelle einfallenden Photonen werden genutzt.
der Ladungstrger, e Voc, ist aus physikalischen Im Vergleich dazu liefert eine kommerzielle Solar-
Grnden immer niedriger als die Bandlcke zelle etwa 32 mA/cm2.
des Halbleiters Eg. Die Differenz wird jedoch
mit zunehmender Anzahl der erzeugten
Ladungstrger pro Volumen (Ladungstrger-
dichte) immer kleiner. Durch den Einsatz Dnnschicht-Solarzellen
von Optik in Form von Konzentratoren und
Lichtfallen kann man die Ladungstrger- Fr effiziente Dnnschicht-Solarzellen ist das
dichte erhhen und damit diese Verluste Photonen-Management von essentieller Bedeu-
reduzieren. tung. Einerseits mssen dort die Schichtdicken
aus Kostengrnden, oder auch wegen der
elektronischen Eigenschaften der Materialien
sehr dnn sein. Andererseits muss ein mglichst
Kristalline Silicium-Solarzelle groer Teil des nutzbaren Sonnenlichts ab-
sorbiert werden, um einen hohen Photostrom
In Abb. 2 sind die Quanteneffizienzen einer zu erzeugen. Im Folgenden wird der Einsatz des
typischen kommerziellen Solarzelle aus kristallinem Photonen-Managements in Dnnschichtsolar-
Silicium und die einer so genannten Weltrekord- zellen aus amorphem und mikrokristallinem
zelle [4] mit einem Wirkungsgrad von 24,7 % Silicium erlutert. Viele der Problemlsungen
zum Vergleich gezeigt. Die Weltrekordzelle sind direkt auf andere Dnnschicht-Solarzellen,
hat eine deutlich hhere Quanteneffizienz in z. B. aus Chalkopyriten, CdTe, oder kristallinem
einem sehr weiten Spektralbereich und dies Silicium bertragbar.
aus folgenden Grnden:
Ein Teil der Verbesserung bei kurzen Wellen- Die Aufgabenstellung ist: Mit einer minimalen
lngen ist auf die Verringerung der Absorption Schichtdicke soll der grte Teil des Sonnenlichts
der n-Schicht und geeignete Kontaktstrukturen in der aktiven Schicht der Solarzelle absorbiert
zurckzufhren. und damit ein mglichst groer Photostrom
Die starke Erhhung im Bereich von erzeugt werden. In Abb. 3 ist der Aufbau einer
1000 nm 1200 nm wurde durch optimierte hochentwickelten Tandemzelle aus zwei p-i-n
86 Lichtfallen erreicht, die zu einer bis zu Solarzellen gezeigt. Auf einem Trger aus Glas

FVS Themen 2003
mit einer porsen Antireflexschicht ist zunchst porses Abbildung 3

eine transparente, elektrisch leitfhige Schicht texturiertes Glas Aufbau einer hochent-
(TCO) aus Zinkoxid (ZnO) aufgebracht. Dieses wickelten Tandemzelle
ZnO ist ein polykristallines Material und wird TCO aus zwei p-i-n Solar-
durch einen chemischen Prozess texturiert (auf- zellen mit Antireflex-
geraut). Auf dieser Schicht sind zwei Solarzellen p-i-n beschichtung, Licht-
mit einer p-i-n Schichtfolge bereinander abge- selektiver Reflektor falle und selektivem
schieden. Darauf folgt eine weitere TCO-Schicht Reflektor
und eine Schicht aus Silber, beide zusammen p-i-n
bilden den Rckseitenreflektor. Rckseiten-Reflektor
Bei einfachen Dnnschicht-Solarzellen muss die

eine aktive Absorberschicht einen mglichst Oberflche, wie sie in Abb. 3 gezeigt ist, fhrt
groen Anteil des einfallenden Lichts absorbieren, in Verbindung mit einem optimierten Reflektor
das zur Erzeugung von Elektron-Loch-Paaren zu einer weiteren Verlngerung des Lichtweges.
fhrt. Bei Absorbern aus Halbleitermaterial mit Durch diese Manahmen (Lichtfalleneffekt
einer sogenannten direkten Bandlcke (z. B. oder light-trapping genannt) wird das Licht
GaAs, Cu(In,Ga)(S,Se)2) ist typischerweise eine viel strker absorbiert als es durch die Schicht-
Schichtdicke von etwa 1 Mikrometer ausreichend dicke zu erwarten ist.
um mehr als 80 % der Photonen mit der Energie
der Bandlckenenergie (oder hher) zu absor- Bereits 1974 wurde diese Technik mit struktu-
bieren. Bei Material mit indirekter Bandlcke riertem Rckseitenreflektor fr dnne Solarzellen
(z. B. Silicium) sind dafr mehr als 100 Mikrometer aus kristallinem Silicium beschrieben und an
Schichtdicke notwendig. Amorphe Halbleiter- einer 1 Mikrometer dicken Solarzelle eine 10-fache
materialien, wie amorphes Silicium (a-Si:H) oder Verlngerung des Lichtweges mittels eines Rck-
amorphe Silicium-Germanium Legierungen seitenreflektors aus transparentem Kunststoff
haben bei Energien oberhalb der Bandlcke ein mit aluminiumbeschichteten Rillen demonstriert
hnliches Absorptionsverhalten wie direkte [5]. Der Effekt der internen Reflexion an inhomo-
Halbleiter, d. h. auch hier reichen Schichtdicken genen und texturierten Schichten wurde erst
in der Grenordnung von 1 Mikrometer fr spter mittels statistischer Optik beschrieben
eine hohe Absorption aus. Allerdings gibt es [6]. Erste Anwendungen bei Dnnschicht-
hier zwei Aspekte, die bercksichtigt werden solarzellen aus amorphem Silicium wurden
mssen: bereits in der Literatur beschrieben [7].
Die elektronischen Eigenschaften dieser
Materialien begrenzen die maximale Schicht- Aus theoretischen berlegungen erhlt man eine
dicke auf etwa 100 200 nm. Erhhung der Volumenabsorption im Bereich
Der Absorptionsverlauf ermglicht die schwacher Absorption gem 4 n2, wobei n der
Erzeugung beweglicher Ladungstrger auch Brechungsindex bei der entsprechenden Wellen-
mittels Photonen mit etwas niedrigeren lnge ist. Wrde man eine Siliciumschicht
Energien als der Bandabstand, die dann zum zwischen Luftschichten betten, ergbe sich eine
Photostrom der Solarzelle beitragen. Erhhung der Volumenabsorbtion um den
Faktor 50. Fr die gleiche Schicht eingebettet in
Auch aus Kosten- und Materialeinsparungs- typische Passivierungsschichten SiO2 oder Si3N4
grnden sind kleine Schichtdicken fr alle bzw. auf Glas betrgt die Absorptionserhhung
genannten Materialklassen uerst wnschens- noch etwa den Faktor 16 20. Bei der Berechnung
wert. Um bei gegebener Schichtdicke die wurde allerdings vorausgesetzt, dass das Licht
Absorption zu erhhen, muss man den Weg an den Grenzflchen zu den Nachbarmedien
des Lichts in der Absorberschicht verlngern. total reflektiert wird. Bei Schichtdicken (d)
Die einfachste Mglichkeit ist der Einsatz eines deutlich grer als die effektive Lichtwellenlnge
Rckseitenreflektors, der bei fast hundert- (d >> /n) ist diese Annahme gerechtfertigt,
prozentiger Reflexion den effektiven Weg des bei Schichtdicken mit d /n ist sie bisher nicht
Lichts etwa verdoppelt. Eine Strukturierung der nachgewiesen. Die physikalische Beschreibung 87

FVS Themen 2003
und das Verstndnis des light-trappings ist bei Bei Stapelsolarzellen (Tandem-, Tripelzellen,
d /n bisher noch unzureichend. Bei den usw.) sind auer einem mglichst guten Licht-
heute typischen Schichtdicken fr Stapelzellen einfang weitere Randbedingungen zu erfllen.
aus amorphem Silicium und seinen Legierungen Da die bereinanderliegenden Zellen dort im
mit d 80 200 nm und n = 3,4 befindet man Allgemeinen im elektrischen Kontakt, d. h. seri-
sich fr den relevanten Wellenlngenbereich von ell verschaltet sind, muss in allen Teilzellen der
etwa 800 nm genau in diesem kritischen Schicht- gleiche Photostrom erzeugt werden, um eine
dickenbereich und die Optierung erfolgt durch Begrenzung der Stromausbeute durch eine Teil-
trial and error (Versuch und Irrtum). zelle zu verhindern. Dies lsst sich grundstzlich
10 durch eine Anpassung der Absorberschicht-
100 dicken in den Teilzellen erreichen. Fr eine opti-
9
male Nutzung des Sonnenspektrums ist es aber
Externe Quantenausbeute [%]
Gewinn = QE oL bzw. QE mL
8
80 erforderlich, mit einer gegebenen Photonen-
7 energie die grtmgliche Zellenspannung zu
60 6 erzeugen, d. h. eine Absorberschicht soll nach
5 Mglichkeit alle verfgbaren Photonen ab-
mit Lichtfalle
sorbieren, die zu einer Erzeugung von Elek-
40 ohne 4
tron-Loch-Paaren ausreichen. Nur die Photo-
3
nen, die dafr nicht ausreichen, sollen die
20 2 Schicht durchdringen und in den tieferliegenden
1 Zellen Photostrom erzeugen. Um dies in einer
0 0 Stapelzelle zu erreichen, mssen transparente,
200 400 600 800 1000 1200 selektiv reflektierende Schichten eingefgt wer-
Wellenlnge [nm] den, die nur die gewnschten Photonen effizient
reflektieren, alle anderen aber hindurchlassen.
Abbildung 4 Wie gut Lichtfallen in Dnnschichtsolarzellen Zustzlich mssen diese Eigenschaften unab-
Externe Quantenaus- bereits funktionieren, ist in Abb. 4 gezeigt. Dort hngig vom Einfallswinkel des Lichts sein und
beute von zwei ist die externe spektrale Quantenausbeute fr die Wellenlnge, bzw. Photonenenergie der
1 Mikrometer dnnen eine Dnnschichtsolarzelle aus mikrokristallinem Reflexion muss sich an die verschiedenen Mate-
Solarzellen aus mikro- Silicium mit und ohne Lichtfalle im Vergleich zu rialien anpassen lassen. Darber hinaus mssen
kristallinem Silicium der Weltrekordzelle aus Abb. 2 dargestellt. Die diese Schichten den Strom gut leiten und
mit () und ohne ( ) Lichtfalle wird hier durch das texturierte ZnO mit den Herstellungsprozessen der Solarzellen
Lichtfalle im Vergleich mit einem guten Rckseitenreflektor realisiert kompatibel sein.
der 300 Mikrometer (ein Rckseitenreflektor aus Chrom mit einer
dicken optimierten sehr schlechten Reflexion dient hier als Referenz). Schichten, die zumindest einen Teil dieser
Solarzelle (Weltre- Der Gewinn an Quantenausbeute durch die Anforderungen erfllen, sind bereits verfgbar
kordsolarzelle) (o). Lichtfalleneffekte, d. h. das Verhltnis von Aus- und werden auf groen Flchen hergestellt.
Der Gewinn (rechte beute mit Lichtfallen (mL) zur Ausbeute ohne Beispielsweise werden selektiv reflektierende
Achse) an Quanten- Lichtfallen (oL) ist ebenfalls gezeigt (rechte Achse). Schichten aus TiO2 und SiO2 fr verschiedenste
ausbeute durch Licht- Er steigt deutlich zu greren Wellenlngen, d. h. Anwendungen wie Kaltlichtspiegel in Halogen-
fallen ist durch die in Richtung schwacher Absorption, und betrgt lampen oder Farbtrennfilter eingesetzt und sind
grne Kurve darge- hier bis zu einem Faktor 9. Man erkennt aber grundstzlich mit der Silicium-Dnnschicht-
stellt. auch, dass die bisher erreichte externe Quanten- technologie kompatibel. Um die anderen erfor-
ausbeute selbst im Bereich starker Absorption derlichen Eigenschaften fr die hier skizzierten
erheblich geringer ist, als die der Rekordzelle. Anwendungen z. B. die hinreichende elektrische
Dies zeigt sich auch bei der Kurzschlussstrom- Leitfhigkeit und eine winkelunabhngige
dichte von etwa 22 mA/cm2 fr diese 1 Mikro- Reflexion zu erreichen, sind allerdings noch
meter dicke mikrokristalline Solarzelle. Damit ist erhebliche Forschungs- und Entwicklungs-
klar, dass trotz der eindrucksvollen Ergebnisse arbeiten erforderlich. Ob sich mit der zur Zeit
der texturierten Schichten bezglich des Licht- genutzten Technologie einfacher planarer
einfangs Verbesserungen durch Forschung und Schichtenfolgen die gewnschten Eigenschaften
88 Entwicklung weiter erforderlich sind. berhaupt realisieren lassen, ist unklar; auch

FVS Themen 2003
die bereits bisher genutzten Effekte und Ver- Abbildung 5

fahren, wie Anti-Reflexbeschichtung und Licht- Idealisierter Verlauf des
fallen weiter verbessert und neue Methoden Lichts unterschiedlicher
entwickelt werden. Die Komplexitt der Anfor- Wellenlnge in einer
derungen an die Schichten und Materialien Dnnschicht-Dreifach-
d /n
erfordern teilweise neue Anstze mit nano- Stapelzelle
strukturierten Systemen. Hier sind Forschung
und Entwicklung in Zusammenarbeit mit
welchen Einfluss die Textur auf die selektive anderen Fachgebieten, insbesondere der Material-
Reflexion hat, ist noch unbekannt. forschung und Photonik, unverzichtbar.
Zur Lsung der hier aufgezeigten Probleme
knnen Anstze aus dem sehr aktuellen
Forschungsgebiet der photonischen Kristalle
dienen. Als Beispiele seien hier Kolloid-Kristalle Danksagung
aus SiO2-Kgelchen mit 300 nm Durchmesser
genannt, dessen selektive Transmission sich mit Arbeiten zum Photonenmanagement werden
dem Grad der Ordung verndert, oder selektive teilweise im Rahmen des Vernetzungsprojekts
Reflektoren mit kugelfrmiger Richtcharakteristik Photonen Management und Bandstruktur-
oder Bragg-Reflektoren zur effizienten Einkopp- design fr effizientere Solarzellen; Frderkenn-
lung von Licht in Wellenleiterstrukturen. Neue zeichen 01SF0120 gefrdert. Wir danken unseren
Strukturierungsverfahren auf der Nanometer- Kollegen im FZ-Jlich und im HMI Berlin, sowie
skala, wie z. B. das Mikrokontaktprinting und unseren Partnern im Vernetzungsprojekt fr ihre
selbstorganisierte Strukturen haben das Poten- Untersttzung.
zial, kostengnstig auf groe Flchen anwend-
bar zu sein und damit neue Wege fr das Photo-
nen-Management zu erffnen.
Literatur
Sowohl bei der Berechnung der optischen Eigen-
schaften von Strukturen auf der Nanometer- [1] B. Rech und P. Lechner, dieser Band, S. 17
Skala, als auch bei der Realisierung solcher
Systeme ist eine Zusammenarbeit der Forschung [2] W. Fuhs, dieser Band, S. 42
fr Solarzellen mit der Forschung fr photonische
Bauelemente, wie sie z. B. im Vernetzungspro- [3] J. Zhao, A. Wang and M. A. Green,
jekt Photonen-Management und Band- 24.7 % Efficient PERL Silicon Solar Cells
struktur-Design fr effizientere Solarzellen and Other High Efficiency Solar Cell and
stattfindet, unverzichtbar. Module Research at the University of New
South Wales, ISES Solar World Congress,
Jerusalem, Israel, July 4 9, 1999
Zusammenfassung [4] P. Wrfel, Physik der Solarzellen, Spektrum

Akademischer Verlag, Heidelberg, 2000
Der effektive Einsatz der Photonen des solaren
Spektrums durch ein Photonen-Management ist [5] D. Redfield, Applied Physics Letters,
eine wesentliche Voraussetzung fr bessere Vol. 25 (1974) p. 647 ff.
Wirkungsgrade von Solarzellen. Dies gilt insbe-
sondere fr Dnnschichtsolarzellen, die das [6] E. Yablonovic, J. Opt. Soc. Am.,
Potenzial haben, durch geringen Materialeinsatz, Vol. 72 (1982) p. 899 ff.
niedrige Prozesstemperaturen, die Verwendung
von preiswerten Materialien und integrierte [7] E. Yablonovic, G. D. Cody,
Serienverschaltung auf groen Flchen einen IEEE Transactions on Electron Devices,
steigenden Beitrag zur Energieversorgung mit Vol. ED-29, No. 2 (1982) p. 300 ff.
erneuerbaren Energien zu leisten. Dazu mssen 89
Dr. Roland Scheer Chalkopyrit-Dnnschicht-Solarzellen mit hoher Bandlcke

FVS Themen 2003
Chalkopyrit-Dnnschicht-Solarzellen
mit hoher Bandlcke
Dr. Roland Scheer Einfhrung weiteren Erhhung des Wirkungsgrades geforscht,
HMI denn das Potenzial der Chalkopyritsolarzellen
Scheer@hmi.de Solare Wirkungsgrade von polykristallinen Chal- ist bei weitem noch nicht ausgeschpft. Wie
kopyritsolarzellen bertreffen inzwischen jene schon in der Vergangenheit richten sich die
Dr. Susanne Siebentritt von Dnnschichtsilicium und CdTe und nhern Anstrengungen insbesondere auf die Verbesse-
HMI sich der Marke von 20 % unter Standardbedin- rung der Absorberschicht in der Solarzelle,
siebentritt@hmi.de gungen im Labormastab [1]. Auch Chalkopy- also auf die Chalkopyritschicht.
rit-Module aus verschiedenen Pilotfertigungen Die Gruppe der Chalkopyrite ist gekennzeichnet
weisen den hchsten Wirkungsgrad im Bereich durch einen Kristallaufbau aus drei unter-
der neuen photovoltaischen Dnnschichttech- schiedlichen Atomsorten A, B und C. Man
nologien auf und sind heute bereits am Markt schreibt sie als AIBIIICVI2, wobei die hochgestellten
erhltlich. Sie haben sich in der Praxis als stabil Ziffern die Einordnung der Atome in verschiedene
erwiesen und sind mit einem hohen Kostenre- Gruppen des Periodensystems anzeigen.
duktionspotenzial verbunden. Die hohen Wir- Bekannte Vertreter sind CuInS2, CuInSe2, CuGaSe2
kungsgrade werden mit Cu(In,Ga)Se2-Solarzellen oder CuAlSe2. Ihnen allen ist die tetragonale
mit einer Bandlcke von 1,15 eV erzielt. Die Band- Kristallstruktur gemeinsam und die Verwendung
lcke ist eine fundamentale Eigenschaft jedes des Elementes Cu fr die Atomsorte AI. Die Abb.1
Halbleiters, die die Absorptionskante angibt. zeigt Gitterkonstanten und Energiebandlcken
Bandlcken zwischen 1 und 2 eV liegen im Be- von verschiedenen Chalkopyrit-Kristallen.
reich des Maximums des Sonnenspektrums und Man erkennt, dass die Energiebandlcken einen
sind grundstzlich fr Solarzellen geeignet. Bereich von ca. 1 eV bis zu 3,5 eV berstreichen.
Hhere Bandlcken als 1,15 eV weisen verschie- Durch die Mischbarkeit dieser ternren Chalko-
dene Legierungen aus dem System CuBC2 mit pyrite ist es mglich, Energiebandlcke und
B=Al,Ga,In und C=S,Se auf. Diese hheren Band- Gitterkonstante in einem weiten Bereich einzu-
lcken versprechen bedeutende Vorteile fr die stellen. In Abhngikeit von ihren Energieband-
solare Energieumwandlung: Ein hherer theore- lcken werden die Materialien in einer Solarzelle
tischer Wirkungsgrad unter Standardbedingun- unterschiedlich angewendet (Tab. 1).
gen, ein hherer Wirkungsgrad in der Praxis
und die Realisierung eines rein auf Chalkopyrit- Der Wirkungsgrad einer Solarzelle mit einem
halbleitern basierenden Tandemkonzeptes. pn-bergang hngt von der Energiebandlcke
des Absorbers ab. Diese Abhngigkeit zeigt
Abb. 2 mit modellierten und tatschlich erreichten
Wirkungsgraden von Einzelsolarzellen. Hierbei
Stand der Forschung wurden zwei verschiedene Modelle fr die Wir-
kungsgradberechnung zugrunde gelegt:
In Deutschland, sowie in Japan und den USA, Das Modell der Rekombination in der Raum-
wird gegenwrtig intensiv nach Wegen zur ladungszone (durchgezogene Linie in Abb. 2)
Tabelle 1 Eg [eV] Einteilung Verwendung in der Chalkopyrit-Solarzelle

1,05 1,2 Chalkopyrithalbleiter (CH) mit Absorber in einer Zelle mit einem pn-bergang
niedriger Bandlcke oder Basisabsorber in einer Tandemsolarzelle
mit zwei pn-bergngen
1,2 1,5 CH mit hoher Bandlcke Absorber in einer Zelle mit einem pn-bergang
1,5 1,8 CH mit hoher Bandlcke Topabsorber in einer Tandemsolarzelle mit
zwei pn-bergngen
2,8 3,5 CH mit sehr hoher Bandlcke potenziell geeignet als Fenstermaterial
90

FVS Themen 2003
CuAIS2 30 Abbildung 1 (links)

3.5
Bandlcken und
25 Gitterparameter von
Wirkungsgrad [%]
3.0 CuAISe2
Bandlcke [eV]
Cu-Chalkopyriten
2.5 20
Cu(In,Ga)Se2
CuGaS2
2.0 Abbildung 2 (rechts)
15 Cu(In,Al)Se2
CuInS2
1.5 CuGaSe2 CuInSe2
Cu(In,Ga)Se2
Vergleich modellierter
CuInS2 Cu(In,Ga)S2
10 Cu(In,Al)Se2
Wirkungsgrade und
1.0
CuInSe2 CuGaSe2 experimentell im Labor
5.3 5.4 5.5 5.6 5.7 5.8 erzielter Wirkungsgrade
Gitterparameter [] 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
von Chalkopyrit-Solar-
Bandlcke [eV]
zellen mit verschiedenen
Die Punkte geben die Positionen der reinen ternren gestrichelte Kurve: Annahme von Rekombination im
Chalkopyrite an. Durch Mischung der reinen Verbindungen neutralen Bereich; durchgezogene Kurve: Annahme von Bandlcken
lassen sich Bandlcken und Gitterparameter innerhalb des Rekombination in der Raumladungszone des Absorbers.
hinterlegten Feldes einstellen.
geht von der Funktion gegenwrtiger Defektdichten verbunden mit der Verwirk-
Chalkopyritsolarzellen aus. Aufgrund einer lichung des Prinzips der Rekombination in
hohen Dichte von Strstellen erreichen die der neutralen Zone des Absorbers. Sicherlich
Ladungstrger nicht den neutralen Bereich ist dieses Potenzial nur durch langfristige
der Schicht, sondern rekombinieren in der Forschung auszuschpfen. Wir halten hier
Raumladungszone. jedoch fest, dass Energiebandlcken zwischen
1,2 und 1,5 eV theoretisch ideal sind fr
Knnte die Strstellendichte erheblich hohe Wirkungsgrade von Dnnschichtzellen
reduziert werden, wrden die Ladungstrger mit einem pn-bergang.
hnlich wie in Si-Solarzellen im neutralen
Bereich des Absorbers rekombinieren. Diese Um das Licht noch wirkungsvoller in elektrische
Annahme zugrunde gelegt, erhlt man Energie umzuwandeln, hat man in anderen
einen anderen Verlauf des Wirkungsgrades Materialsystemen bereits das Konzept der Multi-
als Funktion der Bandlcke (gestrichelte spektralzellen angewandt. Eine bertragung
Linie in Abb. 2). auf die Chalkopyrite zeigt Abb. 3. Eine obere
Man erkennt in der Abb. 2, dass hhere Wir- Topsolarzelle sammelt hier den blauen Anteil
kungsgrade erlangt werden knnen, auch wenn des Sonnenlichts und lsst gengend rotes
die Rekombination im neutralen Bereich erfolgt. Licht zur Basiszelle hindurch, sodass diese den
Fragt man jedoch nach der optimalen Bandlcke, gleichen Strom generieren kann wie die Top-
so weisen beide theoretischen Kurven ein flaches zelle. Rechnungen ergaben, dass fr die Funktion
Maximum bei einem Wert von ca. 1,35 eV auf. der Topzelle eine Energiebandlcke von 1,5 eV
Das Maximum der durchgezogenen Kurve (Re- bis 1,8 eV besonders geeignet ist [2].
kombination in der Raumladungszone) ist etwas Ein vielversprechender Kandidat fr die Top-
zu einer hheren Bandlcke verschoben und Solarzelle ist der Chalkopyrithalbleiter CuGaSe2
der maximale Wirkungsgrad fllt zu niedrigen mit Eg=1,67 eV. Er knnte zusammen mit
Bandlcken hin deutlicher ab. einer CuInSe2-Basiszelle bis zu 28 % des Lichtes
Damit ist zweierlei gezeigt: umwandeln, selbst unter der Voraussetzung
Theoretisch liee sich mit bereits heute von Raumladungszonenrekombination, also
erreichten minimalen Defektdichten in den dem bereits heute zugnglichen Transportpro-
Chalkopyritschichten ein Wirkungsgrad zess (siehe oben). Es sei jedoch angemerkt,
oberhalb von 20 % in einer Einzelzellenan- dass zwei Drittel der Leistung in einer solchen
ordnung erzielen. Vorteilhaft dafr ist eine Multispektralzelle von der Topzelle generiert
Bandlcke der Absorberschicht oberhalb werden mssen. Fr einen Spitzenwirkungsgrad
von ca. 1,2 eV [2]. einer Multispektralzelle verlangt dies von der
Ein erheblich weitergehendes Wirkungsgrad- Topzelle, also der Chalkopyritzelle mit hoher
potenzial steckt in einer Reduzierung der Bandlcke, einen Wirkungsgrad von 16 %. 91

FVS Themen 2003
lcke von 1,15 eV im Widerspruch zu den

theoretischen Erwartungen ab.
Welcher Parameter von Chalkopyritsolarzellen

mit hoher Bandlcke in der Zukunft zuerst zu
AR-Schicht verbessern ist, vermittelt die Abb. 4. Dort ist die
n+-ZnO Leerlaufspannung Voc von Solarzellen mit einem
m
n-ZnSe 2
pn-bergang als Funktion des Bandabstandes
p-CuGaSe2 aktive Schicht der Absorberschicht einem theoretischen Verlauf
fr blaues Licht
p+-Cu
gegenbergestellt (wieder wurde die Theorie
xGaySe2
m der Raumladungszonen-Rekombination zugrunde
n+-ZnO 2
n-ZnSe gelegt). Man erkennt, dass mit zunehmender
p-CuInSe2 aktive Schicht
Bandlcke die Differenz zwischen theoretischer
fr rotes Licht und experimenteller Leerlaufspannung zunimmt:
Metall Die von den Solarzellen abgegebene Spannung
ist nicht ausreichend. Als Ursache hierfr werden
Glas
gegenwrtig drei physikalische Ursachen diskutiert:
eine erhhte Rekombination an der
Grenzflche zum Fenstermaterial aufgrund
Abbildung 3 ungnstiger Bandanpassung
Schematischer Aufbau Eine bersicht ber die bislang erzielten Labor- eine zu geringe Ausdehnung der
einer Multispektralzelle wirkungsgrade von Chalkopyritsolarzellen mit Raumladungszone aufgrund ungnstiger
auf der Basis von Chal- einem pn-bergang vermittelt die Abb. 2. Man Dotierung sowie
kopyrithalbleitern. Der erkennt den maximal erzielten Wirkungsgrad eine verminderte Kristallqualitt der Absorber-
blaue Spektralanteil von 19,2 % bei einer Bandlcke von 1,15 eV, er- schichten mit hherer Bandlcke [3].
des Sonnenlichtes zielt mit dem Absorbermaterial Cu(In1-xGax)Se2 An der Beseitigung und dem weiteren Verstnd-
wird in der Topzelle und einem Wert x von 0,25. Dieser Wirkungs- nis dieser Ursachen wird international intensiv
genutzt, whrend der grad liegt nahe dem theoretischen Limit unter geforscht.
rote Spektralanteil die Voraussetzung der Raumladungszonenrekom- Den Fortgang der Entwicklung von Chalkopyrit-
Basiszelle erreichen bination. Verschiedene gemischte Chalkopyrit- solarzellen mit hoher Bandlcke kann man
kann. halbleiter mit hherer Bandlcke wurden beurteilen, wenn man sich den Wirkungsgrad
bereits getestet, so die quaternren Materialien von z. B. CuGaSe2-Solarzellen (Bandlcke
Cu(In1-xAlx)Se2, Cu(In1-xGax)Se2 mit x > 0,3 und Eg =1.67 eV) anschaut. In der Abb. 5 sind die
CuInS2. Leider bleiben die Wirkungsgrade der- Maximalwerte von Wirkungsgrad und Produkt
artiger Teststrukturen derzeit noch hinter den Voc Fllfaktor ber die Entwicklungszeit
Erwartungen zurck und sinken ab einer Band- aufgetragen. Die ersten Forschungsergebnisse
wurden in der Mitte der 70er Jahre berichtet,
damals lag der Wirkungsgrad bei 2 %. Fast
30 Jahre Forschung haben sich ausgezahlt: Der
1.0
Abbildung 4 Wirkungsgrad ist auf nahe 10 % gestiegen.
Leerlaufspannung Voc [V]
Theoretische (durchge- CuGaSe2 Dieser Anstieg ist in der Tat einer Erhhung von
0.9
Cu(In,Ga)S2
zogene Linie) und Voc und Fllfaktor zuzuschreiben [4].
experimentell erzielte 0.8
CuInS2
Cu(In,Ga)Se2
Leerlaufspannungen Cu(In,Ga)Se2
Cu(In,Al)Se2 In den 90er Jahren wurde am HMI in Zusammen-
0.7
(rote Messpunkte) von arbeit mit dem IPE, Universitt Stuttgart, ein
Chalkopyritsolarzellen 0.6 Cu(In,Al)Se2 Chalkopyrithalbleiter mit hoher Bandlcke ent-
mit unterschiedlichen wickelt, der sich aufgrund seines einfachen Her-
0.5
CuInSe2
Bandlcken stellungsprozesses besonders fr die Fabrikation
von Einfachzellen (mit einem pn-bergang)
1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
Bandlcke [eV]
anbietet: CuInS2 hat ein Wirkungsgradpotenzial
von ber 20 % und konnte bereits mit nahe
Fr die theoretische Berechnung wurde das Modell der
92 Raumladungszonenrekombination gewhlt. 13 % hergestellt werden [5]. Diesen neuen Solar-

FVS Themen 2003
12 noch erhebliche Anstrengungen einfordern Abbildung 5

werden. Verlauf von Wirkungs-
Wirkungsgrad [%]
10
grad sowie dem Produkt
aus Leerlaufspannung
8
und Fllfaktor (FF) fr
6 Ausblick CuGaSe2-Solarzellen.
Literaturwerte sind als
4 Am HMI sowie am IPE, Universitt Stuttgart, wird Funktion des Publikati-
intensiv an der Entwicklung von Chalkopyrit- onsjahres aufgetragen.
8 solarzellen mit hoher Bandlcke gearbeitet. Dabei
liegen die Schwerpunkte auf der Vertiefung
Voc x FF [mV]
6 des Verstndnisses dieser Materialien und der

Verbesserung der Grenzflcheneigenschaften.
4 Auch die Kristallqualitt soll insbesondere durch
die Erprobung neuer Herstellungsmethoden
2
verbessert werden. Durch das Beschreiten neuer
Herstellungswege und die geduldige Optimierung
1970 1980 1990 2000 2010
bewhrter Methoden ist ein weiterer Anstieg
Jahr
der Wirkungsgrade langfristig zu erreichen.
zellentyp in eine industrielle Fertigung zu

berfhren hat sich die Firma SULFURCELL, die Literatur
sich in 2003 aus dem HMI ausgegrndet hat,
zur Aufgabe gemacht. [1] K. Ramanathan, M. A. Contreras,
C. L. Perkins, S. Asher, F. S. Hasoon,
In einer Studie des Fraunhofer ISE wurde der J. Keane, D. Young, M. Romero,
mittlere Jahreswirkungsgrad von CuInS2-Solar- W. Metzger, R. Noufi, J. Ward, and
zellen aufgrund von experimentellen Daten A. Duda, Progress in Photovoltaics 11,
zum Schwachlichtverhalten und Temperatur- 225-230 (2003)
koeffizienten ermittelt. Es zeigte sich, dass der
CuInS2-Halbleiter mit seiner hohen Bandlcke [2] T. Coutts, S. Ward, D. Young, K. Emery,
einem Chalkopyriten mit niedriger Bandlcke T. Gessert, and R. Noufi, Progress in
in der Praxis kaum nachsteht, auch wenn die Photovoltaics 11, 359-375 (2003)
Standardwirkungsgrade fr niedrige Bandlcken
noch durchaus hher sind. [3] S. Siebentritt, Thin Solid Films 403-404,
1 8 (2002)
Auch erste experimentell realisierte Multispek-
tralzellen liegen inzwischen vor. Die monolithische [4] V. Nadenau, U. Rau, A. Jasenek, and
Stapelung zweier Chalkopyritsolarzellen erfordert H. W. Schock, Journal of Applied Physics 87,
hohe Wirkungsgrade der Einzelzellen, Teiltrans- 584-593 (2000)
parenz der Topzelle, Stabilitt der Basiszelle gegen
die thermische Belastung beim Aufbau der Top- [5] J. Klaer, I. Luck, A. Boden, R. Klenk,
zelle sowie die Realisierung von geeigneten I. G. Perez, and R. Scheer, Thin Solid Films
Kontaktschichten zur Verbindung der beiden 431-432, 534-537 (2003)
Zellen. Zur Konzeptberprfung ist man daher
am HMI zunchst den Weg ber eine mechanisch [6] S. Nishiwaki, S. Siebentritt, P. Walk,
gestapelte Multispektralzelle gegangen. Hiermit and M. C. Lux-Steiner, Progress in Photo-
konnte bereits ein Wirkungsgrad von 7,4 % bei voltaics 11, 243-248 (2003)
einer Gesamtspannung von fast 1,2 V erzielt
werden [6]. Es muss gesagt werden, dass die
Probleme bei der Realisierung dieses Konzeptes 93
Dr. Reiner Klenk Die Grenzflche in Chalkopyrit-Solarzellen Ein neuer Ansatz

FVS Themen 2003
Die Grenzflche in Chalkopyrit-

Solarzellen Ein neuer Ansatz
HMI: Einleitung und soll aber das bewhrte Prparationsverfahren,
Dr. Reiner Klenk d. h. die Kathodenzerstubung mit nur einer
klenk@hmi.de
Aufgabenstellung
Sputterkathode, mglichst beibehalten werden.
Thilo Glatzel
Ein typisches Photovoltaikmodul auf Chalko-
glatzel@hmi.de pyritbasis besteht aus fnf nacheinander aufge-
brachten Schichten auf ein Glassubstrat: Ergebnisse
Alexander Grimm
Metallischer Rckkontakt (Molybdn)
grimm@hmi.de Absorber (Cu(In,Ga)(Se,S)2) Ergebnisse der strukturellen und optischen
Pufferschicht (CdS) Charakterisierung zeigen, dass es gelungen ist,
C.-H. Fischer
Fensterschicht 1 (ZnO) die Verbindung (Zn,Mg)O in der gewnschten
fischer@hmi.de Fensterschicht 2 (ZnO:Al oder ZnO:Ga) Weise einphasig herzustellen. Die signifikante
Dazu kommen je nach Technologie noch Barriere- Erhhung der Bandlcke (Abb. 1) sollte zu einer
Michael Kirsch
schicht(en) und eine Natriumquelle. guten Anpassung der Leitungsbnder an der
kirsch@hmi.de Die Optimierung der Produktionskosten und Grenzflche fhren.
der Produktionsausbeute verlangt nach einer
Dr. Iver Lauermann
mglichst geringen Anzahl von Prozessen: Das setzt voraus, dass die Erhhung des Band-
iver.lauermann@hmi.de Besonders attraktiv wre es, die Pufferschicht zu abstands mit steigendem Magnesiumgehalt
eliminieren, da diese den Umgang mit Kadmium- tatschlich zu einer Anhebung der energetischen
Jrg Reichardt
haltigen Rohstoffen und Abfllen erfordert. Da Lage des Leitungsbandes fhrt. Indirekt kann
reichard@hmi.de diese in der Regel die einzige nachemisch dies durch die Messung der sogenannten Aus-
abgeschiedene Schicht ist, verhindert dieser trittsarbeit festgestellt werden. Am HMI wurde
Heike Steigert
Prparationsschritt eine vollstndig trockene, fr solche Messungen die Kelvinmikroskopie
steigert@hmi.de in-line Herstellung. Durch die Elimination der im Ultra-Hochvakuum mit hoher Ortsauflsung
Pufferschicht definiert die Fensterschicht 1 entwickelt [1]. Nach Messungen an einer
den pn-bergang (Hetero-Grenzflche). Fr die ZnO /(Zn,Mg)O /ZnO:Ga-Teststruktur auf einem
Shell Solar GmbH: einwandfreie Funktion der Solarzelle sind an GaP-Kristall verringert sich die Austrittsarbeit
Thomas P. Niesen diese Grenzflche bezglich der Leitungsband- bei einem Magnesiumgehalt von 15 % um ca.
thomas.niesen@shell.com anpassung und Flchenladung bestimmte For- 90 meV, was darauf schlieen lsst, dass zu-
derungen zu stellen. Theoretische berlegungen mindest ein Teil der Bandlckenaufweitung zur
Sven Visbeck
lassen vermuten, dass mit dem bergang von gewnschten Verschiebung des Leitungsbandes
sven.visbeck@shell.com reinem ZnO zu der Verbindung (Zn,Mg)O als fhrt (Abb. 2).
Material der Fensterschicht 1 die Anpassung an
den Absorber soweit verbessert werden kann, Ein Test am HMI im Labormastab mit klein-
dass die Pufferschicht berflssig wird. Dabei flchigen Solarzellen (0,5cm2) aus der Pilotlinie
von Shell Solar ergab ohne Pufferschicht Wir-
kungsgrade im Bereich von 6 % unter simulierter
Tabelle 1 Fenster ULL (mV) FF (%) jsc (mA/cm2) (%) AM1,5 Beleuchtung. Durch den Austausch des
Kenndaten von CdS/ZnO/ZnO:Ga 561 73 32,0 13,2 Targetmaterials der Sputterkathode von Zinkoxid
Cu(In,Ga)(Se,S)2- ZnO/ZnO:Ga 389 57 28,0 6,4 durch Zinkmagnesiumoxid konnte dieser Wert
Fenster-Solarzellen (Zn,Mg)O/ZnO:Ga 543 69 33,2 12,5 verdoppelt werden und liegt damit im Bereich
ULL Leerlaufspannung ist Solarzellenspannung ohne Belastung. der Referenzen mit CdS-Puffer (Tab.1). Die Sta-
FF Der Fllfaktor gibt das Verhltnis zwischen maximaler realer
Leistung der Solarzelle und der idealen mglichen Leistung an,
bilitt bei beschleunigter Alterung in feuchter
d. h. ohne innere Widerstnde. Hitze war im Wesentlichen unverndert. Mehrere
jSC Kurzschlussstrom
Wirkungsgrad in wchentlichem Abstand ber den Zeitraum
94 von zwei Monaten durchgefhrte Experimente
Dr. Reiner Klenk Die Grenzflche in Chalkopyrit-Solarzellen Ein neuer Ansatz

FVS Themen 2003
i-ZnO Zn0.85MG0.15O ZnO:Ga Abbildung 1 (links)

4
1.6 Austrittsarbeit
z(nm)
ZnO Zn0.85Mg0.15O Zn0.70Mg0.30O

0.8 (unterer Bildteil) einer
(h)2 (1011 eV2 cm-2)

Absorbtionskoeffizient
0.0 ZnO/(Zn,Mg)O/-ZnO:Ga-
Austrittsarbeit
4.16 90 meV Schichtfolge in Abhngig-
2 keit vom Magnesium-
4.12
(eV)
30 mV gehalt. Die Topographie

4.08
der Probe ist im oberen
x 1/3 x 1/30
Bildteil dargestellt.
4.04 0
0 200 400 600 800 3,2 3,6 4,0 4,4 Abbildung 2 (rechts)
Bandabstand (nm) (eV)
h
Bestimmung des opti-
schen Bandabstands
aus dem gemessenen
Zusammenfassung Absorptionskoeffizient.
zeigten eine gute Reproduzierbarkeit der Zelle Der Bandabstand steigt
ohne Pufferschicht. Auf der Grundlage dieser Zur Herstellung einer Chalkopyrit-Solarzelle mit zunehmendem
erfolgreichen Experimente wurde auch in der wird neben Rckkontakt und Absorberschicht Magnesiumgehalt.
Pilotanlage von Shell Solar eine modifizierte ein Fenster bentigt, das beim derzeitigen Ent-
Sputterkathode eingesetzt. Versuche mit mono- wicklungsstand aus drei Schichten besteht. Es
lithisch integrierten Modulteststrukturen wurde gezeigt, wie die zweite dieser Schichten,
(10 cm x 10 cm) verliefen ebenfalls erfolgreich; unter Beibehaltung der bewhrten und kosten-
der bergang zu greren Flchen ist in gnstigen Prparation durch Kathodenzerstu-
Vorbereitung. bung, so modifiziert werden kann, dass sie die
Funktion der ersten (Pufferschicht) mit ber-
nimmt. Diese Entwicklung ermglicht mit
Diskussion Absorbern aus der Pilotlinie von Shell Solar eine
komplett trockene, Kadmium-freie Herstellung
Es hat sich gezeigt, dass der Wirkungsgrad der der Solarzelle. Zuknftige Arbeiten sollen zur
Solarzelle ohne Pufferschicht wesentlich strker Verfeinerung der theoretischen Modelle und zur
von der Zusammensetzung und dem Zustand Anwendbarkeit der Technologie auf Absorber
der Absorberoberflche abhngt als derjenige aus anderer Herstellung, insbesondere auf
des Standardaufbaus mit nasschemisch abge- Absorber mit hohem Bandabstand, beitragen.
schiedener Pufferschicht. Insbesondere waren
auch Versuche mit Chalkopyritabsorbern aus
anderer Produktion weniger erfolgreich. Die
eingangs erwhnten einfachen theoretischen Literatur
Modelle knnen dies nur teilweise erklren.
Zur weiteren Klrung wurden Oberflchen und [1] Ch. Sommerhalter, Th. W. Matthes,
Grenzflchen auch mit Photoelektronen-Spektros- Th. Glatzel, A. Jger-Waldau,
kopie im Rahmen des CISSY-Projekts an der Appl. Phys. Lett. 75 (1999) 286
Universitt Wrzburg [2] und am BESSY Syn-
chrotron vermessen. Die Auswertung dieser [2] C. Heske, E. Umbach, Experimentelle
Messungen ist noch nicht abgeschlossen. Physik II, Universitt Wrzburg
95
Dr. Dirk Hermann Isolations- und Diffusionsbarrieren fr Solarzellen auf groen Flchen
FVS Themen 2003
Isolations- und Diffusionsbarrieren

fr Solarzellen auf groen Flchen
Dr. Dirk Herrmann Einleitung Auch in der Mikroelektronik kommen Diffusions-
ZSW barrieren zum Einsatz. So sind die hochleitfhigen
dirk.hermann@zsw-bw.de Diffusionsbarrieren dienen dazu, die Bewegungen Kupfermetallisierungen der Bauelemente nur
von Atomen und Moleklen zwischen angren- einsetzbar bei Verwendung hochtemperatur-
Andreas Schulz zenden Materialien zu unterbinden. Sie kommen stabiler, ultradnner und leitfhiger Diffusions-
Institut fr Plasmaforschung dort zum Einsatz, wo Diffusionsprozesse zu Ver- barrieren, welche die Eindiffusion des sehr
Universitt Stuttgart unreinigungen bzw. unerwnschten chemischen mobilen Kupfers in Silicium bzw. die dielektrischen
schulz@ipf.uni-stuttgart.de Reaktionen fhren wrden. Mit elektrischen Schichten unterbinden. Standardmig werden
Isolationsbarrieren wird der elektrische Kontakt hierzu Tantal-haltige Materialien Barrieren mit
Nico Niegisch zweier angrenzender Materialien vermieden. Dicken kleiner 30 nm eingesetzt, whrend der
Institut fr Damit ist es mglich, Bauelemente galvanisch Trend zu noch dnneren Barrieren geht [2].
Neue Materialien GmbH zu trennen, um sie in definierter Weise ver- So hat Infineon im Mai 2003 gezeigt, dass sogar
niegisch@inm-gmbh.de schalten zu knnen. mit 2 nm dicken Barrieren die Kupferdiffusion
Beispiele fr Diffusionsbarrieren liefert die vermieden werden kann [3].
Dr. Christian Wenzel Displaytechnik: Die heute bereits in Autoradios
Institut fr Halbleiter- und Mobiltelefonen eingesetzten organischen Auch elektrische Isolationsbarrieren finden
und Mikrosystemtechnik, Leuchtdioden (OLEDs) weisen starke Degrada- eine weite Verbreitung in der Mikroelektronik:
TU Dresden tionen unter Feuchteeinwirkung auf. Will man So basieren MOS-Bauelemente (z. B. MOSFET:
wenzel@ihm.et.tu-dresden.de auf die starre Glasverkapselung verzichten, be- Metall-Oxid-Halbleiter Feldeffekttransistor) auf
ntigt man flexible Verkapselungen, die in ihren der Verwendung des elektrisch isolierenden
Feuchtediffusionsraten an die Werte von Glas Eigenoxids des Siliciumsubstrats als Gate- und
heranreichen (flexibles Glas). Eine solche Ver- Feldoxid (bis 100 nm dick). Feldoxide trennen
kapselung, die aus einer Abfolge organischer hierbei die einzelnen Bauelemente elektrisch
und anorganischer Schichten besteht, wird voneinander, Gateoxide stellen als Dielektrika
z. B. von der Firma Vitex Systems unter dem das eigentliche Herzstck der MOS-Bauelemente
Handelsnamen Barix angeboten. Mit der- dar [4]. Das in diesen Technikbereichen vor-
artigen Verkapselungen ist es heute mglich, handene Know-how kann sehr gut auch fr die
Feuchtediffusionsraten zu erreichen, die etwa drei Entwicklung von Diffusions- und Isolations-
Grenordnungen unter denen der standard- barrieren fr Solarzellen genutzt werden.
mig verwendeten anorganisch beschichteten
Polymerfolien liegen [1].
Abbildung 1 Barrieren fr Solarzellen

Barrieren fr Solarzellen
Abb. 1 zeigt, welche Barrierearten bei Solarzellen
Verkapselung zum Einsatz kommen. Im Wesentlichen handelt
Transparente Deckschicht es sich um Diffusionsbarrieren fr die frontseitige
Verkapselung und um rckseitige Diffusions-
Diffusionsbarriere
und Isolationsbarrieren.
CIGS-, Si-Solarzelle
Solarzelle / Barriere / Unterlage Frontseitige Diffusionsbarrieren bentigt man

Ausgleichsschicht sowohl fr flexible Solarzellen als auch bei
Na-Dotierschicht Verzicht auf die Glasverkapselung (zur Gewichts-
Diffusionsbarriere
ersparnis). Sie mssen demzufolge die Eindiffusion
Elektrische Barriere
von Feuchtigkeit und Sauerstoff whrend des
96 Substrat Betriebes der Solarzellen unterbinden. Zustzlich
FVS Themen 2003
sollten sie eine hohe Transparenz, eine gute Tantal-basierte Barrieren mit
UV-Stabilitt und eine groe mechanische PVD-Verfahren hergestellt
Stabilitt (z. B. gegen Verkratzen) ausweisen. Tantalbasierte Barrieren (z. B. TaSiO) werden
mit Hilfe der Kathodenzerstubung (Sputtern)
Rckseitige Diffusionsbarrieren werden ebenfalls abgeschieden. Hierbei handelt es sich um ein
fr flexible Solarzellen auf Metall- bzw. Polymer- Verfahren der physikalischen Abscheidung aus
folien bentigt. Daneben kommen sie auch der Gasphase (PVD), bei dem Material von
bei alternativen Herstellungsverfahren konven- dem Target durch Ionenbeschuss abgetragen
tioneller Solarzellen zum Einsatz. Ihre Aufgabe wird und sich als Schicht auf dem Substrat
besteht darin, Verunreinigungen des Absorbers niederschlgt. Die so prparierten Schichten
whrend des Herstellungsprozesses zu vermeiden. sind einige hundert Nanometer dick.
Demnach mssen sie eine Temperaturstabilitt
von bis zu 1000 C und eine groe Stabilitt in SiOx-Barriere mit CVD-Verfahren hergestellt
aggressiven Medien (z. B. Fluorwasserstoffsure, SiOx-Barrieren werden mit Hilfe der Mikrowellen-
Selen) aufweisen. Plasma-untersttzten chemischen Abscheidung
aus der Gasphase (MWPECVD) deponiert.
Rckseitige elektrische Isolationsbarrieren Hierzu wird eine organische Vorlufersubstanz
werden verwendet, wenn eine monolithische (Hexamethyldisiloxan) unter Plasmaeinwirkung
Verschaltung von Solarzellen zu einem Modul zerlegt und auf dem Substrat mit anderen
auf (leitfhigen) Metallfolien realisiert werden Reaktionspartnern (z. B. Sauerstoff) chemisch
soll. Neben einer fehlerfreien Isolation auf der zu SiOX umgesetzt. Die abgeschiedenen
gesamten Modulflche mssen sie die gleichen Schichten sind einige Mikrometer dick.
Stabilittskriterien wie die rckseitigen Diffusions-
barrieren erfllen. SiOx:Na-Barriere mit Sol / Gel-Verfahren
hergestellt
SiOx:Na-Barrieren werden nach der Sol/ Gel-
Methode in einem Dip-Coating-Verfahren ab-
Barrierearten und geschieden. Hierbei handelt es sich um eine
ihre Herstellung Methode der nasschemischen Abscheidung aus
der Flssigphase. Ein Organosilan-Sol wird dabei
Grundstzlich steht eine Vielzahl von Barriere- katalytisch hydrolysiert und anschlieend auf
typen fr die beschriebenen Anwendungen zur dem Substrat thermisch in SiOx umgesetzt. Die
Verfgung. Da die nchste Generation von eingesetzten Schichten sind auch hier einige
Solarzellen leicht und flexibel sein soll, mssen Mikrometer dick.
auch die verwendeten Barrieren diese Anforde-
rungen erfllen. Daneben ist klar, dass Solar- Die folgenden Beispiele fr Barriereanwendungen
zellen in groen Flche bentigt werden. Somit in Solarzellen stammen alle aus dem Bereich
muss fr die Barrieren eine groflchige Ab- der Cu(In,Ga)Se2-(CIS)-Dnnschichttechnik.
scheidung mglich sein und sie mssen auch auf Analoge Anwendungsbeispiele lassen sich aber
den groen Flchen die gestellten Qualitts- auch fr alle anderen Dnnschichtsolarzellen-
anforderungen erfllen. Aus diesen Forderungen typen (z. B. a-Si, CdTe) finden.
ergibt sich, dass keine klassischen Dickschichten
(z. B. Emaille, Lack), sondern Dnnschichtbar-
rieren verwendet werden mssen. Im Folgen-
den werden drei Barrieretypen vorgestellt, die
reprsentativ fr die eingesetzten Dnnschicht-
techniken sind.
97
FVS Themen 2003
Frontseitige Diffusions- sehr dnne TaSiO-Schicht als Diffusionsbarriere

barrieren fr Solarzellen auch ber die hohe Stufe an der Strukturierungs-
linie ohne Unterbrechung zu deponieren.
Die oben vorgestellten Barrieren wurden auf
ihre Eignung als frontseitige Verkapselungen Die Wirksamkeit solcher Diffusionsbarrieren kann
fr CIS-Solarmodule getestet. man mit Hilfe eines beschleunigten Alterungs-
tests in einer Klimakammer berprfen. Hierzu
Abb. 2 zeigt eine rasterelektronenmikroskopische werden die beschichteten Solarmodule bis
Aufnahme einer ca. 3,5 m dicken SiOx-Barriere zu 1000 Stunden bei 85 C und 85 % relativer
(CVD-Verfahren) auf einer CIS-Solarzelle an der Feuchte gelagert. In regelmigen zeitlichen
Kante einer Strukturierungslinie. Die SiOx- Abstnden werden durch elektrische Messung
Schicht folgt dabei sehr gut der vorgegebenen der Kenndaten die Degradationen ermittelt.
Kontur der Unterlage: Whrend sie auf dem
rauen Bereich der CIS-Solarzelle rau aufwchst Unverkapselte CIS-Module der Gre
(rechts in Abb. 2), offenbart sie auf dem glatten 10 cm x 10 cm ohne Diffusionsbarriere sind in
Molybdn eine ebenfalls glatte Oberflche diesem Alterungstest nach 1000 Stunden nicht
(linker Bereich in Abb. 2). mehr elektrisch aktiv. Verwendet man hingegen
eine einfache Diffusionsbarriere (z. B. SiOx-
Abbildung 2 Barriere aus Abb. 2), so zeigen die Module nach
SiOx-Barriere 1000 Stunden noch eine Resteffizienz von
(CVD-Verfahren) auf ca. 30 % (bezogen auf den Ausgangswirkungs-
CIS-Solarzelle grad). Wird die in Abb. 3 dargestellte Kombina-
(REM1-Aufnahme an tionsbarriere (SiOx:Na und TaSiO) eingesetzt,
Strukturierungslinie) ergeben sich sogar Resteffizienzen von etwa 55 %
SiOx (CVD) nach 1000 Stunden. Da ein Groteil der Modul-
CIGS degradation auf Randeffekte zurckzufhren
Mo sind, kann fr groe Module, bei denen der
Acc.V Spot Magn Det WD 2m Rand bezogen auf die Gesamtflche geringer
2.00 kV 3.0 18046x TLD 5.2 248129_P3
ist, eine weitgehende Stabilitt ber 1000 Stunden
im Alterungstest bei Verwendung solcher
Abbildung 3 Kombinationsbarrieren erwartet werden.
SiOx:Na-Barriere TaSiO
(Sol/Gel-Verfahren)
und TaSiO-Barriere
(mit PVD-Verfahren Rckseitige Diffusionsbarrieren
hergestellt) auf CIS- fr Solarzellen
Solarzelle (REM-Auf- SiOx (Sol/Gel)
nahme an Strukturie- Insbesondere die SiOx-Barrieren (mit CVD-
CIGS
rungslinie) Verfahren hergestellt) sind gut als rckseitige
Acc.V Spot Det WD 2m Diffusionsbarrieren fr Solarzellen geeignet.
1.00 kV 3.0 TLD 2.9 292750 SiOx
Dies zeigen SIMS (Sekundrionenmassenspektro-
metrie) Messungen an CIS-Solarzellen auf
Abb. 3 zeigt eine rasterelektronenmikroskopische Metallfolien: Die Verunreinigungen im Absorber
Aufnahme einer ca. 4 m dicken SiOx:Na-Barriere reduzieren sich beim Einsatz dieser Barrieren
(Sol/Gel-Verfahren) zusammen mit einer darber- stark. Whrend in CIS-Zellen auf Stahlfolien
liegenden ca. 300 nm dicken Tantalsiliciumoxid- ohne Barriere das SIMS-Signal fr Eisen im CIS
(TaSiO)-Barriere (im PVD-Verfahren hergestellt). eine sehr hohe Intensitt hat (105 cps), reduziert
Die SiOx:Na-Barriere weist einen sehr guten sich diese Intensitt im CIS-Absorber bei Ver-
Glttungseffekt auf. Dadurch ist es mglich, die wendung einer etwa 3 m dicken SiOx-Barriere
1
REM Rasterlelektronenmikroskopie
98
FVS Themen 2003
CIS-Solarzelle VOC [mV] JSC [mA/cm2] FF [%] [%] Tabelle 1

auf Glas (Referenz) 689 27,5 77 14,7 Elektrische Kenndaten
auf Metallfolie ohne Barriere 406 21,4 35 3,1 fr CIS-Solarzellen
auf Metallfolie mit SiOx:Na-Barriere 581 25,3 69 10,2 (0,5 cm2 Flche) mit
auf Metallfolie mit SiOx-Barriere 656 26,9 74 13,1 verschiedenen Barrieren,
und SiOx:Na-Barriere Messung unter AM 1,51
ULL Die Leerlaufspannung ist die Solarzellenspannung ohne Belastung. FF Der Fllfaktor gibt das Verhltnis zwischen maximaler realer
(100 mW/cm2)-Beleuch-
jSC Kurzschlussstrom Leistung der Solarzelle und der idealen mglichen Leistung an, d. h. tung, CIS-Beschichtung
Wirkungsgrad ohne innere Widerstnde.
mittels In-line Kover-
dampfung, keine Antire-
auf dem Stahlsubstrat um etwa drei Gren- die einen Stromfluss erlaubt, wird nun durch flexschicht
ordnungen (auf 102 cps). Sie liegt damit bereits die Bildung von H2-Blschen sichtbar. Die Ent-
im Rauschuntergrund der sehr empfindlichen wicklung von H2-Blschen ist in Abb. 5 deutlich
SIMS-Messung. Die Eindiffusion von Eisenatomen zu erkennen fr den Fall eines Metallsubstrates
aus dem Trgersubstrat in die CIS-Halbleiter- ohne Barriere. Mit Hilfe einer Markierung ist es
schicht wird durch eine Barriere also wirksam mglich, die so gefundenen Fehlstellen auch im
unterbunden. Rasterelektronenmikroskop wiederzufinden.
Den Effekt von Diffusionsbarrieren kann man
Tab.1 entnehmen: Whrend der CIS-Herstellungs- Goldelektrode
prozess auf Glas mit einem Wirkungsgrad von Abbildung 4
etwa 14,7 % resultiert, zeigt eine identisch her- Mikroskop Isolationstest mittels
gestellte Zelle auf Metallfolie ohne Barriere nur 0,01 molare Elektrolyse

Na+ Cl
Wirkungsgrade von ca. 3 %. Durch die Verwen- -Lsung Isolation
dung einer SiOx:Na-Barriere (mit Sol/Gel-Ver-
Substrat mit
fahren hergestellt) wird dieser Wert bereits auf Isolationsschicht
etwa 10 % verbessert. Die Kombination von
Rckkontakt
SiOx:Na- und SiOx-Barriere erbringt eine Effizienz
von ber 13 %, was fast dem Referenzwert auf
Glas entspricht.
Abbildung 5
H2-Blschenbildung
bei Stromfluss (Metall-
Elektrische Isolationsbarriere substrat ohne Barriere)
fr Solarzellen
Mchte man die dargestellten Barrieren auch als
elektrische Isolationsbarrieren einsetzen, um
eine monolithische Verschaltung von Solarzellen
auf Metallfolien zum Modul zu realisieren,
bentigt man Analyseverfahren zur Beurteilung
der Isolationsfhigkeit der verschiedenen Barrie-
ren. Eine Mglichkeit hierfr stellt ein Isolations- Abbildung 6
test dar, der das Prinzip der Elektrolyse ausnutzt. CIS-Solarmodul
(20 cm x 30 cm),
Gem Abb. 4 wird hierfr die zu untersuchende monolithisch verschaltet
Isolationsschicht auf dem Substrat in ein Licht-
mikroskop eingebracht und ber eine Elektrolyt-
lsung und eine Goldelektrode elektrisch kon-
taktiert. Eine Fehlstelle in der Isolationsbarriere,
1
99
FVS Themen 2003
Literatur
Analysen fr SiOx-Barrieren (mit CVD-Verfahren
hergestellt) auf verschiedenen Metallsubstraten [1] P. E. Burrows et al.: Plastic Organic Light
ergaben, dass Kratzer bzw. Walzspuren oder Emitting Displays, MRS Spring Meeting,
eingebettete Partikel auf den Substraten die April 2002
Hauptursache fr Fehlstellen in der Isolations-
barriere sind. Diese knnen durch entsprechende [2] C. Wenzel, H.- J. Engelmann: Moderne
Vorbehandlungen der Substrate beseitigt werden. Barrieresysteme fr die Kupfermetallisierung
Daneben treten einige Fehlstellen auf Grund hchstintegrierter Halbleiterbauelemente,
fehlerhaften Schichtwachstums auf, deren Vakuum in Forschung und Praxis (2001)
Ursache noch nicht vllig geklrt werden konnte. Nr. 1, 20-28
Es gelang aber durch eine Vergrerung der
SiOx-Schichtdicke auf bis zu 3 m auch solche [3] Infineon Technologies Demonstrates
Fehlstellen restlos zu beseitigen. Abb. 6 zeigt Shrinking of Barrier Films into Nanotech-
ein erstes monolithisch verschaltetes CIS-Solar- nology Geometries: Milestone to Fulfill
modul auf Metallfolie mit einer SiOx-Barriere. Metallization Requirements for Chip
Dieses Modul ist derzeit das weltbeste mono- Manufacturing into Next Decade,
lithisch verschaltete groe CIS-Solarmodul. Die www.infineon.com/news/, Mai 2003
elektrischen Kennlinien lassen erkennen, dass
nur sehr wenige Kurzschlsse auf der Flche vor- [4] S. M. Sze: Physics of Semiconductor
liegen. Der Wirkungsgrad ist zwar noch gering Devices, John Wiley & Sons, New York, 1981
( =1,9 %), durch Weiterentwicklung der Struk-
turierungsverfahren und damit Verringerung
der hohen seriellen Widerstnde werden jedoch
deutliche Verbesserungen erwartet.
100
5_Ansaetze_2003_Lay01.qxd 22.02.2004 17:11 Uhr Seite 101
Neue Forschungsanstze
Neue Solarzellenkonzepte
Optische Hochkonversion und Nanotechnologie
Organische und Polymersolarzellen
101
Prof. Dr. Peter Wrfel Neue Solarzellenkonzepte

FVS Themen 2003
Neue Solarzellenkonzepte
Prof. Dr. Peter Wrfel Einleitung darum, Prozesse und Strukturen zu finden, die
Universitt Karlsruhe zumindest theoretisch einen so groen Wirkungs-
peter.wuerfel@ Der beste Wirkungsgrad, mit dem Solarzellen grad zulassen. Da dieses Ziel mit einer her-
phys.uni-karlsruhe.de
nicht-konzentrierte Sonnenstrahlung umgewan- kmmlichen Solarzelle auch theoretisch nicht
delt haben, betrgt 25 %. Dies gilt sowohl fr erreichbar ist, ist es ntig, sich den Umwand-
Zellen aus Silicium als auch fr Zellen aus Gallium- lungsprozess der Lichtstrahlung in elektrische
arsenid. Das sind drei Viertel vom maximalen Energie frei von engen Vorstellungen thermo-
Wirkungsgrad von 33 % [1], der mit diesen Zel- dynamisch schrittweise klar zu machen.
len theoretisch mglich ist. Diese Zellen haben
damit einen hnlichen Grad technischer Reife
erreicht wie moderne Kraftwerke. Wesentliche
Steigerungen des Wirkungsgrades sind mit Solarzellen sind
diesen Zellen nicht mehr zu erwarten. Wrmekraftmaschinen
Die fr die heutigen Solarzellen geltende theo- Alle Wrmekraftmaschinen funktionieren, indem
retische Grenze wird allerdings in keiner Weise sie Energie in Form von Wrme bei hoher
dem Energiepotenzial der Sonnenstrahlung Temperatur aufnehmen. Nach dem 2. Haupt-
gerecht. Das Sonnenspektrum auerhalb der satz der Thermodynamik ist es nicht mglich,
Erdatmosphre entspricht recht gut dem die aufgenommene Energie zu 100 % in elektri-
Spektrum eines schwarzen Strahlers von etwa sche Energie umzuwandeln. Vielmehr muss ein
6000 K. Diese hohe Strahlungstemperatur, die Teil wieder als Wrme abgegeben werden und
bei maximaler Konzentration (Fokussierung) geht der Umwandlung in elektrische Energie
theoretisch auch auf der Erde erreicht wird, zeigt verloren. Dieser Verlust ist umso kleiner, je hher
das groe Potenzial der Sonnenenergie an. die Temperatur der aufgenommenen Wrme
Aus thermodynamischen berlegungen folgt, und je niedriger die Temperatur der abgegebenen
dass unabhngig von der speziellen Methode Wrme ist. Der wichtigste Schritt in einer kon-
der Energieumwandlung Wirkungsgrade fr die ventionellen Wrmekraftmaschine ist deshalb
Erzeugung elektrischer Energie bis zu 86 % bei die Abkhlung eines Arbeitsgases von der hohen
maximaler Fokussierung mglich sind. Bei den Eingangstemperatur auf eine niedrige Wrme-
neuen Solarzellenkonzepten geht es daher abgabetemperatur, wozu man bei thermischen
Kraftwerken die Khltrme braucht.
Abbildung 1 e In einer Solarzelle besteht das Arbeitsgas aus

Konversion von Sonnen- Elektronen und Lchern, die durch Absorption
wrme in chemische von Photonen erzeugt werden. Jedes Photon
Energie von Elektronen c dne /de erzeugt genau ein Elektron und ein Loch.
und Lchern Unmittelbar nach ihrer Erzeugung (10 14 s)
v dnh /de spiegelt ihre breite Energieverteilung, wie in
Abb. 1 durch den langen grnen Pfeil dargestellt,
das breite Spektrum der absorbierten Photonen
und damit deren hohe Temperatur wider. Durch
1014s 1012s unelastische Ste mit den Atomen werden die
Elektronen und Lcher, durch Absorption von Photonen o
Elektronen und Lcher innerhalb von 10 12 s auf
mit breiter Energieverteilung im Leitungsband (e > C) bzw. die Temperatur der Atome, Umgebungstempe-
im Valenzband (e < V) erzeugt, werden in 10 12 s abgekhlt
und verlieren einen groen Teil ihrer Wrmeenergie.
ratur, abgekhlt. Die Energieverteilung der
102 Dabei entsteht jedoch chemische Energie (FC FV) pro Elektron- Elektronen und Lcher ist jetzt viel schmaler. Bei
Loch-Paar.

FVS Themen 2003
dieser Abkhlung, die aus thermodynamischer e n-typ Absorber p-typ

Sicht notwendig ist, geht ein groer Teil der mit x
den Photonen absorbierten Energie verloren.
0
Dieser mit der Abkhlung verbundene Energie-
e
verlust ist der Hauptgrund fr die theoretische e,C
Begrenzung des Wirkungsgrads auf 33 %. e,A e,B
Interessanterweise ist aber durch die Abkhlung C

F,links
chemische Energie entstanden und zwar pro F,C F,v
Elektron-Loch-Paar soviel wie die Differenz der F,rechts
Fermi-Energien FC und FV angibt (Abb. 1), die
nach der Abkhlung die Besetzung des Leitungs-
bands (oberhalb C) mit Elektronen bzw. des
V
Valenzbands (unterhalb eV) mit Lchern fest
legen. Die Erzeugung chemischer Energie Elektronen und Lcher werden im Absorber durch Photonen von der Sonne erzeugt.
geschieht durch Abkhlung der Elektronen und Elektronen knnen nur nach links ber einen n-Leiter als Elektronen-Membran heraus-
flieen, nicht aber nach rechts, wo sie von einem p-Leiter als Lcher-Membran zurck
Lcher in jedem Halbleiter und bentigt keine gehalten werden. Genauso knnen Lcher nur nach rechts heraus flieen. Elektronen und
spezielle Struktur. Chemische Energie ist frei Lcher liefern bei vernachlssigbarem Transportwiderstand in den ueren Stromkreis
elektrische Energie U = FC FV.
von Entropie und also so wertvoll wie elektrische
Energie. Ihre Umwandlung in elektrische Energie
ist thermodynamisch nicht begrenzt und sollte klein sein. Er ist in Abb. 2 gar nicht zu sehen.
zu 100 % mglich sein. Das Gleiche gilt fr den Gradienten von FV als Abbildung 2
Antrieb fr Lcher auf dem Weg durch die Energieschema der
Lcher-Membran. Im Idealfall sind die Antriebe Halbleiterbnder in
verschwindend klein und die Differenz der einer theoretischen
Elektrische Energie entsteht Fermi-Energien zwischen den Kontakten rechts Solarzelle
erst durch Membranen und links ist gleich der durch die Belichtung
erzeugten Aufspaltung der Fermi-Energien im
Elektrische Energie wird mit einem Ladungs- Absorber. Fr die Spannung U gilt:
strom transportiert. In einer Solarzelle mssen eU=F, rechts F, links
dazu die Elektronen zu einem Kontakt flieen Daher wird in der Anordnung der Abb. 2 die
und die Lcher zum anderen Kontakt. Diese chemische Energie pro Elektron-Loch-Paar, die
Vorzugsbewegung wird ermglicht durch semi- Aufspaltung der Fermi-Energien im Absorber
permeable Membranen, die zu dem einen Kon- (FC FV), vllig verlustfrei in elektrische Energie
takt nur Elektronen passieren lassen und zum eU transformiert.
anderen Kontakt nur Lcher. Als Elektronen- Es ist nun klar, dass der Wirkungsgrad von Solar-
Membran eignen sich n-Leiter, die eine groe zellen im Wesentlichen von Thermalisierungs-
Leitfhigkeit fr Elektronen haben und eine verlusten der Elektronen und Lcher bei der
kleine fr Lcher. Entsprechend sind p-Leiter Umwandlung von Sonnenwrme in chemische
Lcher-Membranen, d. h. sie haben eine groe Energie begrenzt wird.
Leitfhigkeit fr Lcher und eine kleine fr Elek-
tronen. In Abb. 2 haben diese Membranen
zustzlich noch einen greren Bandabstand als
der Absorber, sodass die Energie-Barrieren im Solarzellenkonzepte fr
Valenzband vom Absorber zur Elektronen-Membran maximale Wirkungsgrade
bzw. im Leitungsband zur Lcher-Membran die
Selektivitt der Membranen noch verstrkt [2]. Das Ziel aller neuen Strukturen ist die Ein-
schrnkung der Thermalisierungsverluste durch
Wegen der groen Leitfhigkeit fr die Elektro- Einengung des den Elektronen und Lchern
nen auf dem Weg durch die Elektronen-Membran fr die Thermalisierung zur Verfgung stehenden
kann der Antrieb der Gradient der Fermi- Energiebereichs [2, 3]. Einige Beispiele sollen
Energie FC fr die Elektronenbewegung sehr das zeigen. 103

FVS Themen 2003
Thermophotovoltaische Photonen mit Energien zwischen dem eigenen

Konversion Bandabstand und dem der davor stehenden
Zelle. Fr diese Anordnung werden bei Ausschluss
Abb. 3 zeigt eine Anordnung, in der die Sonnen- nicht-strahlender bergnge fr maximale
strahlung nicht direkt auf die Solarzelle fllt, Konzentration der Sonnenstrahlung theoretische
sondern von einem Zwischenabsorber absorbiert Wirkungsgrade von bis zu 86 % vorher gesagt.
wird. Erst die vom Zwischenabsorber emittierte
Strahlung fllt durch einen Filter auf die Solar-
zelle, der nur Photonen mit Energien in einem
schmalen Energiebereich knapp oberhalb des Strstellenbergnge
Bandabstands der Solarzelle durchlsst. Alle
anderen Photonen, die entweder gar nicht ab- Wenn Photonen geringer Energie Elektronen
sorbiert wrden oder groe Thermalisierungs- vom Valenzband in ein Strstellenniveau oder
verluste verursachen wrden, reflektiert der ein Band innerhalb der verbotenen Zone
Filter zurck zum Zwischenabsorber. Da diese des Solarzellenabsorbers anregen knnen und
Photonen nicht verloren sind, sondern helfen von dort mit etwas mehr Energie auch ins
die hohe Temperatur TA des Zwischenabsorbers Leitungsband, dann werden zustzlich Elektron-
aufrecht zu halten, werden theoretisch bei Loch-Paare erzeugt mit Photonen, die sonst
Ausschluss aller nicht-strahlenden bergnge ungenutzt blieben. Durch diese zustzliche
(Rekombinationsverluste) zwischen Valenz- Einfhrung der Strstellenbergnge wird das
und Leitungsband der Solarzelle sehr groe einfallende Sonnenspektrum in drei weniger
Wirkungsgrade von bis zu 85 % bei maximaler breite Energiebereiche aufgeteilt:
Konzentration erreicht [4]. fr bergnge in die Strstelle
aus der Strstelle
Abbildung 3 Absorber Filter Solarzelle
fr Band-Band-bergnge
In einer thermophoto-
voltaischen Anordnung Die dadurch erreichte Verminderung der Ther-
heizt Sonnenstrahlung malisierungsverluste schlgt sich in greren
einen Absorber auf die Wirkungsgraden nieder, die bei maximaler Kon-
TS
Temperatur TA. Ein zentration und optimaler Aufteilung des Spek-
Filter lsst von der vom trums auf 63 % [5] ansteigen knnen. Fr Str-
Absorber emittierten stellenbergnge ist allerdings die Annahme,
Strahlung nur die Pho- TA To
dass sie nur strahlend sind, wenig berechtigt.
tonen passieren, die Sie sind im Gegenteil dafr bekannt, dass sie
geringe Thermalisie- mit nicht-strahlenden bergngen die Rekom-
rungsverluste in der binationswahrscheinlichkeit auch der durch
Solarzelle verursachen. Das thermophotovoltaische Prinzip hat einen Band-Band-bergnge erzeugten Elektronen
weiteren Vorteil: Der Zwischenabsorber muss und Lcher stark erhhen. Wenn die nicht-
nicht mit der Sonne geheizt werden, er kann strahlenden bergnge nicht ausgeschlossen
auch mit Gas oder anderen Brennstoffen erhitzt werden knnen, wird der Wirkungsgrad einer
werden: Eine lautlose Konkurrenz zu Diesel- Solarzelle durch die Einfhrung von Strstellen
generatoren ist denkbar. eher verschlechtert als verbessert.
Tandemzellen Up- und down-conversion

von Photonen
Ein nahezu monochromatischer Betrieb von
Solarzellen ohne Thermalisierungsverluste wird Das Prinzip ist hnlich wie bei den Strstellen-
auch erreicht, wenn viele Solarzellen mit bergngen. In einem hinter der Solarzelle
abnehmendem Bandabstand hintereinander angebrachten up-converter werden Photonen
104 platziert werden. Jede Zelle absorbiert dann nur niedriger Energie, die in der Solarzelle nicht

FVS Themen 2003
Solarzelle up-converter Heie Elektronen und Lcher Abbildung 4

Photonen niedriger
Die Thermalisierungsverluste knnte man am Energie, die von der
einfachsten dann vermeiden, wenn man die Solarzelle nicht absor-
Spiegel
noch heien Elektronen und Lcher so schnell biert werden, erzeugen
aus dem Absorber heraus flieen lsst, dass ihnen in einem up-converter
zur Thermalisierung keine Zeit bleibt. Allerdings in einem Zwei-Stufen-
muss die Thermalisierung dann woanders Absorptionsprozess
passieren, denn wir hatten am Anfang gezeigt, Elektron-Loch-Paare,
dass sie die Grundvoraussetzung jeder Wrme- die bei strahlender
kraftmaschine ist. Die Thermalisierung msste Rekombination
dann in Membranen passieren, die jetzt nicht Photonen emittieren,
absorbiert werden, in zwei Stufen absorbiert. nur den selektiven Transport von Elektronen zur die von der Solarzelle
Dabei erzeugen sie Elektronen und Lcher einen Seite und von Lchern zur anderen Seite absorbiert werden.
groer Energie, die bei strahlender Rekombina- zulassen, sondern zustzlich den Austausch von
tion Photonen emittieren, die von der Solarzelle Elektronen und Lchern jeweils nur in einem
zustzlich absorbiert werden. Damit der Zwei- engen Energiebereich ermglichen, wie in Abb. 5
Stufen-Anregungsprozess nicht wieder in einen angedeutet.
Zwei-Stufen-Rekombinationsprozess mndet,
muss hnlich wie bei Lasern ein viertes Niveau e Abbildung 5
etwas unterhalb des hchsten vorhanden sein, Heie Elektronen und
0 X
in das die Anregung relaxiert und aus dem Lcher flieen vor ihrer
heraus ein bergang in das Zwischenniveau Thermalisierung ber
quantenmechanisch verboten ist. Mit diesen C FC energieselektive
Vorkehrungen wird fr dieses System bei maxi- Membranen aus dem
maler Konzentration ein theoretischer Wirkungs- F,Absorber Absorber. Elektrische
grad von 63 % und fr nicht-konzentriertes Licht Energie eU = FC FV
V
von 47 % erreicht [6]. Anders aber als bei Solar- FV entsteht bei der
zellen mit Strstellenbergngen werden die in Thermalisierung in
Band-Band-bergngen nicht absorbierbaren den Membranen.
Photonen hier auerhalb der Solarzelle absorbiert.
T0 TA T0
Elektron-Loch-Paare in der Solarzelle erleiden
keine erhhte Rekombination durch nicht-
strahlende bergnge. Es knnen Solarzellen
verwendet werden, die jetzt schon existieren. Whrend Ste mit den Gitteratomen vermieden
werden mssen, sollen sie unter den Elektronen
Auch die Anforderungen an den up-converter und Lchern stattfinden. Nur dadurch werden
sind geringer als an eine Zelle mit Strstellen- Elektronen und Lcher in den Energiebereich
bergngen. Da der up-converter nicht an der nachgeliefert, aus dem sie durch die Membranen
Trennung der Elektron-Loch-Paare beteiligt ist, heraus flieen. Die theoretischen Wirkungsgrade
knnen seine Transporteigenschaften beliebig sind unter diesen Voraussetzungen identisch
schlecht sein. Er muss vor allem auf gute mit denen fr die thermophotovoltaische Energie-
Lumineszenzeigenschaften optimiert werden. konversion und erreichen 85 % [8]. Whrend
dort Thermalisationsverluste durch monochro-
In Umkehrung der up-conversion ist auch eine matische Photonen vermieden werden, die allein
down-conversion denkbar [7]. Dabei werden vom Filter durchgelassen werden, sind es hier
Photonen, deren Energie mehr als doppelt so die monoenergetischen Elektronen und Lcher,
gro ist wie der Bandabstand der Solarzelle, auf die die Membranen den Ladungstrger-
nach Absorption im down-converter mit Hilfe transport begrenzen.
eines Zwei-Stufen-Rekombinationsprozesses in
zwei von der Solarzelle noch absorbierbare
Photonen umgewandelt. 105

FVS Themen 2003
Zusammenfassung
Von den hier besprochenen Methoden Wirkungs-
grade zu erzielen, die ber die herkmmlicher
Solarzellen wesentlich hinaus gehen, haben nur
die Tandemzellen halten knnen, was die Theorie
verspricht. Alle anderen Prozesse sind hochgradig
spekulativ. Die mglichen Verbesserungen sind
aber so gro, dass es sich lohnt, diese Prozesse
auch experimentell grndlich zu untersuchen.
Literatur
[1] W. Shockley, H. J. Queisser,

J. Appl. Phys. 32 (1961) 510
[2] P. Wrfel, Physik der Solarzellen, Spektrum

Akademischer Verlag, Heidelberg 2000
[3] M. A. Green, Third Generation

Photovoltaics, Springer Verlag 2003
[4] N. P. Harder, P. Wrfel, Semiconductor

Science and Technology, 18 (2003) S151
[5] A. Luque, A. Marti,

Phys. Rev. Lett. 78 (1997) 5014
[6] T. Trupke, M. A. Green, P. Wrfel,

J. Appl. Phys., 92 (2002) 1668
[7] T. Trupke, M.A. Green, P. Wrfel,

J. Appl. Phys., 92 (2002) 4117
[8] P. Wrfel, Solar Energy Materials

and Solar Cells 46 (1997) 43
106
Prof. Dr. Martha Lux-Steiner Optische Hochkonversion und Nanotechnologie

FVS Themen 2003
Optische Hochkonversion
und Nanotechnologie
Einfhrung Zustnde vorhanden sein mssen, wird das Prof. Dr. Martha
Lux-Steiner
Zwischenband auch als metallic intermediate
Ziel der Photovoltaik-Forschung ist einerseits band bezeichnet. Der Vorteil des Konzeptes HMI
die Wirkungsgrade von Solarzellen zu erhhen der MIB-Solarzelle besteht in der Erhhung des lux-steiner@hmi.de
und andererseits wettbewerbsfhige Techno- Photostromes, wobei die Photospannung

Dr. Thomas Dittrich
logien zu entwickeln, um die Kosten zur Her- jedoch unbeeinflusst bleibt, da das Zwischen-
stellung von Solarzellen weiter zu reduzieren. band elektrisch nicht kontaktiert wird. HMI
Die optische Hochkonversion und Nanotechno- dittrich@hmi.de
logie stehen in direktem Zusammenhang mit Hoch- direkte

konversion Anregung
diesen beiden Wegen. Dieser Beitrag stellt die n-Kontakt Leitungsband
Konzepte der MIB-Solarzelle (metallic intermedia-
te band) und der Nanokomposit-Solarzelle vor. h3 h3
metallic interband Abbildung 1

Optische Hoch-
h3 konversion in der
1. MIB-Solarzelle Valenzband p-Kontakt MIB-Solarzelle
Wirkungsgrad und Prinzip der MIB-Solarzelle

Luque und Mart zeigten 1997 [1], dass der theo-
retische Wirkungsgrad einer Solarzelle drastisch
erhht werden kann durch den Einbau eines Realisierungsmglichkeiten von
zustzlichen elektronischen Bandes (metallic MIB-Solarzellen
intermediate band MIB, oder Zwischenband) Es gibt zwei prinzipielle Anstze, anhand derer
zwischen Leitungs- und Valenzband eines Halb- versucht wird, den Effekt der Hochkonversion
leiters. Der theoretisch erreichbare Wirkungs- mittels Zwischenbnder zu demonstrieren bzw.
grad fr MIB Solarzellen betrgt 63,2 % mit MIB-Solarzellen zu realisieren. Der erste Ansatz
einem Zwischenband [1] und 80 % mit drei verfolgt die Entstehung von Zwischenbndern
Zwischenbndern [2]. Zum Vergleich, Shockley aufgrund von Quantumsize-Effekten (Abb. 2).
und Queisser berechneten 1961 den theoretisch Der zweite Ansatz zielt auf die Synthetisierung
erreichbaren Wirkungsgrad fr konventionelle kompakter Materialien mit Zwischenbndern.
pn-Solarzellen von 40,7 % [3].
Erster Ansatz
Beim Konzept der MIB-Solarzelle [1] tragen nun An der University of Glasgow wurde eine Er-
auch solche Photonen zur Konversion von Son- hhung des Photostromes erreicht durch die
nenlicht in elektrische Energie bei, deren Energie Ausnutzung von Minibndern in sogenannten
kleiner ist als die Bandlcke des Halbleiters. Die Quantumwell1-Strukturen [4]. Diese Strukturen
Absorption solcher Photonen erfolgt durch basieren auf III-V-Halbleitern und knnen z. B.
Anregung von Elektronen aus dem Valenzband mit Molekularstrahl-Epitaxie hergestellt werden
in Zustnde eines Zwischenbandes und von oder durch die Herstellung von Quantumdots,
Elektronen aus dem Zwischenband in das Lei- die z. B. in dotiertem InxGayAs eingebettet sind.
tungsband. Dies wird optische Hochkonversion Bei einer dreidimensionalen Anordnung dieser
genannt (Abb. 1). Da fr eine effiziente Nutzung Quantumdots (Heterostrukturen vom Typ II)
dieser Zwischenbnder dort freie als auch besetzte bilden die sich berlappenden Wellenfunktionen
1
Paket von sehr dnnen bereinander liegenden Schichten
107

FVS Themen 2003
von gefllten und leeren Elektronenzustnden sorption mit der Generation von Elektron-Loch-
ein Zwischenband [5]. Paaren sowie Elektronen- und Lcherleitung.
Auerdem kommen sekundre Funktionen wie
Als technologische Herstellungsalternative fr Photon-Management hinzu. Die Grundidee fr
Quantumdots werden am HMI in hochporsen den Einsatz von Nanokompositen in der Photo-
Halbleitern mit groem Bandabstand (z. B. TiO2) voltaik ist die drastische Verkrzung des Weges
dnnste Schichten mit Hilfe der chemischen von berschussladungstrgern im Generations-
Badabscheidung aufgetragen. Eine optische gebiet (also im Absorber). Auf diese Art und
Hochkonversion mit diesen Strukturen wurde Weise soll der Einsatz von Halbleitern hchster
anhand photokatalytischer Reaktionen nach- Reinheit, die fr entsprechend hohe Diffusions-
gewiesen [6]. lngen in derzeitigen Solarzellen notwendig
sind, umgangen werden. Das wrde, im Zu-
Zweiter Ansatz sammenhang mit preiswerten und hochskalier-
Bezglich der Synthetisierung neuer Materialien, baren Nanotechnologien, wesentlich zur Kosten-
die schon bedingt durch ihre chemische Zu- reduzierung von Solarstrom beitragen. Auch
sammensetzung Zwischenbnder enthalten, organische Solarzellen gehren zu den Nano-
gibt es theoretische Arbeiten zu Mischkristall- komposit-Solarzellen. Sie lassen sich besonders
verbindungen wie GaxAsyTi [7] und GaxPyTi [8]. preiswert und auf flexiblen Substraten herstellen.
Die Bandstrukturberechnungen zeigten, dass
in diesen Verbindungen unter bestimmten Stellvertretend fr preiswerte und hochskalier-
Voraussetzungen Zwischenbnder auftreten. bare Technologien seien hier das Siebdruck-
Bislang sind jedoch keine experimentellen verfahren von Pasten mit TiO2-Nanopartikeln,
Arbeiten an diesen GaxAsyTi - und GaxPyTi - die Sol-Gel-Methode und das ILGAR (ion layer
Systemen bekannt. gas reaction)-Verfahren [9] genannt. Beim Sol-
Gel-Verfahren werden z. B. Titanoxide mitein-
n Dotierung fr
ander vernetzt und in einem Ausbrennschritt
Abbildung 2 Abstand: Zwischenbnder entstehen je nach Reaktionsbedingung TiO2 -
Quantum dots:
100 A
Mglichkeit der Schichten unterschiedlicher Morphologie (von
Realisierung von MIB- kompakt bis nanopors). Das ILGAR-Verfahren
Solarzellen mit wurde am HMI entwickelt und ermglicht die
Quantumdot-Strukturen Rck-
Vorder- Abscheidung von Halbleitermaterialien in Poren
kontakt
kontakt
(mit freundlicher p n eines anderen Materials.
Genehmigung von
A. Luque) Anforderungen an Nanokomposit-Solarzellen
Barrieren-Material Neben der starken Lichtabsorption muss in
Durchmesser:
einer Nanokomposit-Solarzelle der ungestrte
80 A Ladungstransport gewhrleistet sein. Dazu
bedarf es zum einen der Existenz getrennter
Perkolationspfade1 fr Elektronen und Lcher
2. Nanokomposit-Solarzellen Glas
Abbildung 3
Das eta-Konzept Nanokomposite und Nanotechnologien Vorderkontakt
In einem Nanokomposit durchdringen sich

Materialien mit unterschiedlichen Eigenschaften
transparent
im Bereich weniger Nanometer. Nanokomposit- n-type
Rckkontakt
Solarzellen bestehen aus Materialien, die nach
Absorber
ihren spezifischen Funktionen ausgewhlt wurden.
transparent
Primre spezifische Funktionen sind Lichtab- p-type
1
Perkolationspfade sind nicht unterbrochene Leitungswege mit leitenden und nicht leitenden Materialphasen.
108

FVS Themen 2003
und zum anderen der Unterdrckung von

Rekombinationsprozessen im Bereich der groen
internen Grenzflche. Beide Bedingungen sind
in der farbstoffsensibilisierten Solarzelle [10], die Schichtwachstum
durch Wiederholung
man auch als eine Nanokomposit-Solarzelle
bezeichnen kann, recht gut realisiert. Durch das
nanoporse Netzwerk miteinander versinterter Temperschritte
Adsorptionsschritte
TiO2-Nanopartikel wird der ungestrte Trans- Adsorption von InCl3 bzw. Schwefeln der Schichten
CuCl in der Gasphase z. B. in H2S-Atmosphre
port injizierter Elektronen erreicht. Jodionen
fhren zur Neutralisierung positiv geladener
Farbstoffmolekle [10].
Bisherige Wirkungsgrade und Perspektiven Abbildung 4
Feststoff-Nanokomposit-Solarzellen Obwohl die Entwicklung von Nanokomposit Prinzip der ALD
und das eta-Konzept (Feststoff)-Solarzellen erst vor wenigen Jahren (atomic layer deposition)
Aus Stabilittsgrnden mchte man von organi- einsetzte, werden bereits Wirkungsgrade im
schen Kompositbestandteilen auf anorganische Bereich einiger Prozent erzielt. Abb. 5 zeigt Bei-
Feststoffsysteme, die grere Temperaturschwan- spiele fr die Entwicklung des Wirkungsgrades
kungen unbeschadet berstehen knnen, ber- in Nanokomposit-Solarzellen im Vergleich mit
gehen. Im Konzept der eta (extremely thin absor- Silicium-Solarzellen. So erreicht man bei anor-
ber)-Solarzelle [11] wird eine nur ca. 10 nm ganischen Nanokomposit-Solarzellen inzwischen
dnne Absorberschicht auf hochporses TiO2 1,8 % (por-TiO2 /CdTe) [13] bzw. ca. 4 % (por-
aufgetragen (Abb. 3). Das TiO2 dient als selektiver TiO2 /CuInS2) [14], bei organischen Solarzellen
Elektronenleiter. Als transparenter Lcherleiter 3 4 % [17] und bei farbstoffsensibilisierten Fest-
kommen Kupferverbindungen wie z. B. Kupfer- stoff-Solarzellen 2,5% (por-TiO2 /N3 /CuSCN) [12].
jodid in Frage [12]. Als anorganisches Absorber-
material scheinen hochabsorbierende Sulfide Die limitierenden Faktoren von Nanokomposit-
(z. B. CuInS2, PbS), Selenide (z. B. CuInSe2) oder Solarzellen wurden bislang kaum untersucht.
Telluride (z. B. CdTe) besonders gut geeignet. Die por-TiO2 /CuInS2-Zelle bietet jedoch ein
gutes Modellsystem zur Untersuchung solch
Bei ersten Experimenten mit eta-Solarzellen grundlegender Eigenschaften von Nanokom-
wurden CdTe-Absorber elektrochemisch auf posit-Solarzellen. Fr die weitere Entwicklung von
porses TiO2 abgeschieden [13]. Dabei wurde Nanokomposit-Solarzellen spielt besonders die
eigens zur Abscheidung von CuInS2 in Nanopo- Konditionierung der riesigen internen Grenz-
ren die ALD (atomic layer deposition) ent- flche eine beraus wichtige Rolle. Voraussetzung
wickelt [14]. Beim ALD-Verfahren knnen dafr ist die Entwicklung von Materialien und
Poren praktisch vollstndig mit einem Halblei- die Beherrschung von Herstellungsmethoden
termaterial aufgefllt werden. Das Prinzip wird spezieller Schichtsysteme. So konnte z. B. die
schematisch in Abb. 4 gezeigt. Mit dieser por-TiO2 /CuInS2-Zelle erst realisiert werden,
Methode wurde unlngst eine 3D Nanokompo- nachdem ein spezielles System aus Al2O3 /In2S3
sit-Solarzelle realisiert, bei der porses TiO2 als Pufferschichten entwickelt wurde [14].
Elektronenleiter und CuInS2 als Absorber und
Lcherleiter eingesetzt wird [15]. 100 100 Abbildung 5
theoretisch erreichbarer Wirkungsgrad Bisher erreichte
(MIB - Konzepte)
Fr technologische Anwendungen ist es wichtig, Wirkungsgrade fr
dass die Abscheideraten fr das Aufbringen c-Si Nanokomposit-Solar-
Efficiency (%)
von Halbleitern in Poren nur eine untergeordnete CuInS2 zellen im Vergleich zu

10 Grtzel 10
Rolle spielen, da die Schichtdicke nur wenige Silicium-Solarzellen
TiO2 / CuInS2
10 nm betrgt. Besondere Bedeutung hat in por TiO2 / CuInS2
diesem Zusammenhang die weitere Entwicklung por-TiO2 / N3 / CuSCN
por-TiO2 / CdTe
der ALD- und das ILGAR-Verfahren. organic
1 1
1950 1960 1970 1980
Jahr
1990 2000 109

FVS Themen 2003
Danksagung band formation in photovoltaic materials.

Appl. Phys. Lett. 82 (2003) 151
Die Autoren bedanken sich herzlich bei
A. Luque, A. Goossens, C. Stanley and J. Wienke [9] z. B. Ch.-H. Fischer, H. Muffler,
fr anregende Diskussionen und bei der EU M. Lux-Steiner, Verfahren zur Herstellung
fr die Frderung der Projekte ENK6-CT2000- dnner, schwer lslicher Beschichtungen,
00310 und HPRN-CT-2000-00141. Europisches Patent 1169492
[10] B. ORegan and M. Graetzel, Nature

353 (1991) 737. U. Bach, D. Lupo,
Literatur P. Comte, J.E. Moser, F. Weissortel,
J. Salbeck, H. Spreitzer, M. Graetzel,
[1] A. Luque, A. Mart, Increasing efficiency Nature 395 (1998) 583
of ideal solar cells by photon induced
transitions at intermediate levels, [11] C. Rost, K. Ernst, S. Siebentritt, R. Knen-
Phys. Rev. Lett. 78 (1997) 5014 kamp, M.C. Lux-Steiner, 2nd World
Conference and Exhibition on Photovoltaic
[2] R. W. Peng, M. Mazzer, K. W. J. Barnham, Solar Energy Conversion, Vienna, July 1998
Efficiency enhancement of ideal photovoltaic
solar cells by photonic excitations in multi- [12] B. ORegan, F. Lenzmann, R. Muis,
intermediate band structures, J. Wienke, Solid state dye-sensitized solar
Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 770 cell fabricated with pressure-treated P25-
TiO2 and CuSCN: Analysis of pore filling
[3] W. Shockley, H. J. Queisser, Detailed and IV characteristics, Chem. Materials 14
balance limit of efficiency of p-n junction (2002) 5023
solar cells, J. Appl. Phys. 32 (1961) 510
[13] K. Ernst, Dissertation A, Die eta-Solarzelle:
[4] A. Luque, A. Mart, P. Wahnn, L. Cuadra, Ein neues Konzept mit extrem dnnem
C. Tablero, C. Stanley, A. McKee, D. Zhou, Absorber auf der Basis einer strukturierten
R. Knenkamp, R. Bayn, A. Belaidi, J. Alonso, TiO2 /CdTe Grenzflche, Freie Universitt
J. Ruiz, J. Fernndez, P. Palacios, N. Lpez Berlin 2001
Progress towards the practical implementation
of the Intermediate Band Solar Cell, 29th IEEE [14] M. Nanu, L. Reijnen, B. Meester,
PVSC, New Orleans, pp.1190-1193, (2002) A. Goossens, J. Schoonman, CuInS2-TiO2
hetero-junctions solar cells obtained by
[5] L. Cuadra, A. Mart. A. Luque, Type II atomic layer deposition, Thin Solid Films
broken band heterostructure quantum dot 431-432 (2003) 492
to obtain a material for the intermediate
band solar cell, Physica E14 (2002) 162 [15] A. Goossens, Nanocomposites of n- and
p-type semiconductors: towards a new
[6] R. Bayn, A. Belaidi and R. Knenkamp. generation 3D solar cell, presentation at
A first approach to a two-photon excitation the eta-project meeting, 6. 9.9.2003,
system using microporous TiO2 sensitized Hahn-Meitner-Institute Berlin
with In(OH)xSy., ICTMC13, Paris, Oct. 2002
[16] z. B. C. Winder, M.A. Loi, N.S. Sariciftci,
[7] P. Wahnn, C. Tablero, Ab-initio electronic P. Denk, F. Padinger, J.C. Hummelen,
structure calculations for metallic intermediate R. A. J. Janssen, A. Gouloumis, P. Vazquez,
band formation in photovoltaic materials, T. Torres, Towards Increasing the photon
Phys. Rev. B 65 (2002) 165115 harvesting in bulk heterojunction polymer
solar cells, Proceeding for SPIE 2002,
[8] C. Tablero and P. Wahnn, Ab-initio analysis Vol 4801 (2003), 22-33, und Referenzen
110 of electronic density for metallic intermediate darin
Dr. Markus Scharber Organische und Polymersolarzellen

FVS Themen 2003
Organische und Polymersolarzellen
Einleitung Die potenziellen Vorteile von organischen bzw. Dr. Markus Scharber
Polymersolarzellen gegenber herkmmlichen Konarka Austria,
Photoeffekte und Photoleitung in organischen Siliciumsolarzellen liegen klar auf der Hand: Altenbergerstrasse 69,
Materialien sind schon lange bekannt und werden A-4040 Linz, sterreich
in der Photographie und Xerographie technisch geringe Herstellungskosten aufgrund billiger Markus.scharber@jku.at
genutzt. Erste Untersuchungen des photovoltai- Produktionstechnologien und geringem
schen Effekts in organischen Photoleitern in den Materialaufwand Dr. Andreas Hinsch
sechziger Jahren waren aufgrund der schnellen Herstellung flexibler und leichter Solarzellen Fraunhofer ISE
Erfolge klassischer anorganischer Solarzellen hohe Umweltvertrglichkeit (Kunststoffe auf andreas.hinsch@
ise.fraunhofer.de
entmutigend, sodass intensive Anstrengungen Kohlenstoffbasis)
zur Entwicklung organischer Solarzellen aus- farbige Solarzellen fr Architektur und
Dr. Konstantinos
blieben. Design Fostiropoulos
HMI
In den letzten 20 Jahren wurden immer wieder
fostiropoulos@hmi.de
kleine, meist universitre Einzelprojekte zum
Thema organische Solarzellen durchgefhrt, die Arbeitsprinzip, Aufbau und
aber nicht zu zusammenhngenden Entwick- Herstellung
lungsbemhungen gefhrt haben [1].
An der Polymersolarzelle wird erst seit ca. 10 Das Arbeitsprinzip sowohl der organischen als
Jahren intensiver geforscht [2]. Ihre Entwicklung auch der Polymersolarzelle beruht auf dem
ist eng an die Entdeckung halbleitender Polymere lichtinduzierten Elektronentransfer in einem so
(konjugierte Polymere) und deren Anwendung genannten Donor-Akzeptor-System (Abb. 1).
in Polymerleuchtdioden gekoppelt. Da der Elektronentransfer (Ladungsseparierung)
Die Menge der realisierten und denkbaren or- in den verwendeten Systemen ungefhr 1000
ganischen Halbleiter fr Solarzellen ist sehr gro, mal schneller ist als alle anderen konkurrierenden
da jede nderung des Moleklbaus eines be- strahlenden und nicht strahlenden Relaxations-
kannten organischen Molekls zu einem neuen
Material fhrt. Bei den bekannten Materialien Abbildung 1
handelt es sich im Wesentlichen um Farbstoffe Schematische Darstel-
oder um halbleitende, konjugierte Polymere. lung des lichtinduzierten
Ladungstransfers in
Obwohl anorganische Halbleiter (Silicium, amor- einem Donor-Akzeptor-
phes Silicium, Galliumarsenid, Sulfide) im Fokus System:
der Forschung und Entwicklung der Photovoltaik Zn-Phthalocyanin-
stehen, bieten sowohl die Photosensitivitt als h Molekl (Donor) rot,
auch die photovoltaischen Effekte von konjugier- Fullerene-Molekl
ten Polymeren und organischen Moleklen (Akzeptor) blau
Alternativen an. Die Notwendigkeit kostengn- e-
stige erneuerbare Energiequellen zu entwickeln,
frdert die Forschung und Entwicklung von
neuen Lsungsanstzen fr die Produktion von
effizienten photovoltaischen Zellen.
111

FVS Themen 2003
Abbildung 2a und b
Typische Zellenstruktur Kathode Kathode
organischer und Poly-
mersolarzellen Akzeptor
Donor/
Akzeptor
Donor
Anode Anode
a) Die besten organischen Solarzellen werden z. Z. als Donor- b) Bei den Polymer-Solarzellen hat sich das Donor-Akzeptor-
Akzeptor-Zweischichtsystem hergestellt. Die Schichten werden Mischsystem durchgesetzt. Die Mischung wird durch
im Vakuum auf einer transparenten Elektrode thermisch auf- Aufschleudern oder einen Druckprozess aus einer Lsung
gedampft. aufgebracht.
prozesse, ist die Quanteneffizienz fr diese In Polymersolarzellen kommen konjugierte Poly-

optisch induzierte Ladungserzeugung nahezu mere (Polyphenylene, Polyvinylphenylene, Poly-
100 Prozent [3]. Die einzige Voraussetzung thiophene oder Polyaniline) als Donor, in einigen
fr diese auergewhnlich hohen Quanten- Fllen aber auch als Akzeptor zum Einsatz [1, 4].
effizienzen ist die rumliche Nhe der Donor- Oft werden auch C60-Derivate als Elektronen-
und Akzeptormolekle. Akzeptor eingesetzt. Der Aufbau der Polymer-
solarzelle ist hnlich der organischen Solarzelle.
Die photoaktiven Schichten in organischen und Die photoaktive Schicht der Polymersolarzelle
Polymersolarzellen bestehen normalerweise aus besteht jedoch jetzt aus einer statistischen
einem Elektronen-Donor- und einem Elektronen- Donor-Akzeptor-Mischung (Abb. 2b). Dadurch
Akzeptor-Material. Fr organische Solarzellen steht nun das gesamte Volumen der Schicht zur
werden hufig Farbstoffe aus der Gruppe der Ladungstrgergenerierung zu Verfgung.
Phthalocyanine (Abb. 1) als Donoren und das Andererseits wird die selektive Kontaktierung
Fulleren C60 (Abb. 1) oder verschiedene Perylen- der aktiven Komponenten erschwert.
derivate als Akzeptoren verwendet [1]. Fr die
besten bis heute hergestellten organischen Solar- Die Herstellung der aktiven Schicht einer Poly-
zellen wurden zwei Schichten bestehend aus mersolarzelle ist sehr einfach. Zuerst werden die
reinem Donor- bzw. reinem Akzeptor-Material Donor- und Akzeptor-Materialien in einem
zwischen einer transparenten Anode und einer Lsungsmittel aufgelst und danach durch Auf-
Kathode angeordnet (Abb. 2a) [1]. Diese Anord- tropfen, Aufschleudern oder auch Aufdrucken
nung erlaubt eine einfache selektive Kontak- auf einem passenden Substrat deponiert. Nach
tierung der aktiven Komponenten. Durch sorg- dem Verdampfen des Lsungsmittels entsteht
sames Aufbringen der photoaktiven Materialien ein dnner homogener Film von ca. 100 nm
knnen geordnete molekulare Schichten mit Dicke. Durch die Einfachheit des Prozesses kann
hohen Ladungstrgermobilitten erzeugt werden. man mit sehr geringen Herstellungskosten
Der Nachteil der Zweischichtstruktur ist die rechnen. Auerdem knnte die Anwendung von
Limitierung der Ladungstrgergenerierung bereits bekannten Drucktechnologien eine gro-
auf einen dnnen Bereich an der Grenzflche technische Umsetzung erleichtern.
zwischen Donor- und Akzeptorschicht.
Die aktiven Schichten organischer Solarzellen

werden hufig durch Abscheidung der ver- Effizienz und Stabilitt
schiedenen Materialien aus der Gasphase im
Hochvakuum (< 102 Pa) erzeugt. Diese Methode Die Effizienzen der organischen und Polymer-
erlaubt eine przise Kontrolle der Herstellungs- solarzellen gemessen bei Sonneneinstrahlung
parameter. Gleichzeitig erhlt man sehr saubere (AM 1,5)1 sind im Vergleich zu anorganischen
112 und defektfreie Proben. Solarzellen eher bescheiden. Ein typischer Wert
1

FVS Themen 2003
a) VOC= 530 mV, jSC= 9,8 mA /cm2

FF = 0.49, = 2.5%, 100 mW/cm2 AM 1.5
b) VOC = 560 mV, jSC= 6.95 mA /cm2 Abbildung 3a und b
FF = 0.64, = 3.1%, 80 mW/cm2 AM 1.5
Typische Strom-
spannungskennlinien
3
30 einer organischen
Solarzelle (links) und
20
0 einer Polymersolarzelle
Strom [mA /cm2]
Strom [mA /cm2]

(rechts)
10 -3
0
-6
-10
-0.2 0.0 0.2 0.4 0.6 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
Spannung (V) Spannung (V)
Strom-Spannungskennlinien gemessen im Dunkeln (blau) und unter Beleuchtung (rot) einer organischen Solarzelle (links) und
einer Polymersolarzelle (rechts). Die aktive Schicht der organischen Solarzelle besteht aus 30 nm Zn-Phthalocyanin und 30 nm
C60. Die aktive Schicht (Schichtdicke ~ 100 nm) der Polymersolarzellen besteht aus einer Mischung auf Poly-3-Hexylthiophen und
[6,6]-Phenyl C61 Buttersuremethylester.
fr kleinflchige Laborzellen ist ca. 3 % sowohl Schlussfolgerungen

fr organische als auch fr Polymersolarzellen.
In Abb. 3 sind typische Strom-Spannungskenn- Trotz der bemerkenswerten Fortschritte bei der
linien einer am HMI hergestellten organischen Entwicklung der organischen Solarzellen und
Solarzelle und einer von Konarka Austria herge- der Polymersolarzellen sind beide Materialkon-
stellten Polymersolarzelle gezeigt. Die Haupt- zepte noch nicht fr die groflchige Marktein-
faktoren fr die niedrige Effizienz sind die kleine fhrung bereit. Neben der fehlenden Langzeit-
Klemmenspannung, die geringe Leitfhigkeit daten und der unbekannten Produktionskosten
der photoaktiven Schicht und die nichtideale erschwert die geringe Effizienz von ca. 3 % eine
Anpassung der Absorption der aktiven Schicht konkrete Produktentwicklung. Derzeit ergeben
an das Sonnenspektrum. sich nur Anwendungen in Nischenmrkten mit
schwer abschtzbaren wirtschaftlichen Rahmen-
Die Stabilitt der hier diskutierten Solarzellen bedingungen.
ist noch nicht ausreichend untersucht worden. Voraussetzungen fr eine erfolgreiche Produkt-
Fr Polymersolarzellen wurden aber schon erste entwicklung sind:
Stabilittsversuche erfolgreich durchgefhrt.
So wurde die thermische Stabilitt ber 1000 Kostengnstige Produktion mit einer etab-
Stunden bei 55 C und 85 C nachgewiesen. lierten Dnnfilmtechnologie (z. B. Drucken)
Auerdem konnten Polymersolarzellen fr mehr Effizienzen 5 10 %
als 1000 Stunden bei 85 C und 60 mW/cm2 Ausreichende Lebenszeit der Solarzelle
Weilichtbeleuchtung mit weniger als 20 % Effi- ( Produktlebenszyklus)
zienzverlust (relativ zum Startwert) betrieben
werden [5]. Prinzipiell sollten hnliche Stabilitts- Jeder dieser Punkte ist derzeit Gegenstand
werte auch fr organische Solarzellen mglich intensiver Forschungen an verschiedenen
sein. Die heute hergestellten organischen Solar- Universitten, Forschungseinrichtungen wie
zellen sind aber noch sehr instabil, was manchmal dem HMI aber auch kleinen Start-up Firmen
eine vollstndige Charakterisierung der Zellen (Konarka Austria). Es besteht die berechtigte
ohne Degradationseinfluss nicht erlaubt [6]. Hoffnung, dass in einiger Zeit organische Solar-
zellen und /oder Polymersolarzellen, zumindest
in einigen Marktsegmenten, eine wirkliche
Konkurrenz zu den derzeit verwendeten PV-
Technologien darstellen werden. 113

FVS Themen 2003
Literatur
[1] J. Simon, J. J. Andre, Molecular
Semiconductors, Springer Verlag 1985;
G. A. Chamberlain, Solar Cells 8, 47, 1983;
C. W. Tang, Appl. Phys. Lett. 48, 183, 1986;
P. Peumans, A. Yakimov, S. R. Forrest, Appl.
Phys. Lett. 93, 3693, 2003
[2] G. Yu, C. Hummelen, F. Wudl and

A. J. Heeger, Science 270, 1789, 1995;
C. J. Brabec, N. S. Sariciftci, J. C. Hummelen,
Adv. Funct. Mat. 11, 15, 2001
[3] N. S. Sariciftci, L. Smilowitz, A. J. Heeger

and F. Wudl, Science 258, 1474, 1992
[4] M. Granstrom, K. Petritsch, A. C. Arias,

A. Lux, M. R. Andersson, R. H. Friend,
Nature 395, 257 1998
[5] Diese Stabilittstests wurden sowohl von

der Firma Konarka Austria als auch von
Siemens Erlangen (Materials & Manufactu-
ring, Innovative Electronics) durchgefhrt.
[6] P. Peumans, S. R. Forrest,

Appl. Phys. Lett. 80, 338, 2002
114
FVS Themen 2003
Bildnachweise
Titel Papierdnne und flexible S. 33 Abb. 7a, b PV-Anlage mit Tageslicht-

kristalline Silicium-Wafersolarzellen steuerung am Deutschen Bundesrat.
Fraunhofer ISE Fotos TNC Consulting AG
S. 2 Parlamentarische Staatssekretrin S. 34 Abb.8 Finanzierungsplan

Margareta Wolf BMU Projekttrger Jlich GmbH
S. 15 Abb. 6 Einkristalline Silicium- S. 49 Abb. 2a, b Konzentratoren von

Solarmodule AEG-Telefunken, FLATCONTM
Shell Solar
S. 77 Abb. 1 Abschattung mit PV-Doppel-
Abb. 7 Blockguss-Siliciumsolarzelle und glasscheiben HASTRA
Module AEG-Telefunken, BP Solar
S. 79 Abb. 2 PV-Dach und Fassade
S. 17 Abb. 1 Silicium-Dnnschichtsolarzelle Fabrimex
RWTH Aachen
Abb.3 Hochhausfassade Flabeg
S. 18 Abb. 3 Semitransparente Solarzellen-
struktur ASITHRU-Design S. 80 Abb. 5 Luftkollektoren mit PV
Grammer-Solar-Bau
S. 19 Abb. 4 Sdfassade der RWE SCHOTT
Solar Fabrik, SmartSolarFab S.108 Abb. 2 MIB-Solarzelle A. Luque
Abb. 6 Stillwell avenue terminal

Kiss + Cathcart Architects
S. 23 Abb. 2 CIS-Modul
Wrth Solar GmbH & Co. KG
S. 24 Abb. 3 CIS-Beschichtungsanlage
S. 26 Abb. 6 CIGS-Anlage auf dem

Dach einer Schule
S. 29 Abb. 1a, b PV-Anlage auf der

Gesamtschule Sehnde. Fotos Solar
Engineering Decker & Mack GmbH
S. 32 Abb. 5a, b PV-Anlage auf einer

Schule in Stadelhofen.
Fotos TNC Consulting AG
Abb. 6 Gebudeintegrierte PV
STMicroelectronics nv, Plan-les-Oates 117
FVS Themen 2003
Standorte der Mitgliedsinstitute
Gelsenkirchen
Fraunhofer ISE
Berlin
HMI
Jlich
FZJ
Potsdam
GFZ
Hameln/Emmerthal
ISFH
Kln
DLR
Freiburg Hanau
ISET Kassel
Fraunhofer ISE
ISET
Stuttgart
ZSW DLR Ulm
ZSW
Almera
PSA
ForschungsVerbund Sonnenenergie Geschftsstelle c/o Hahn-Meitner-Institut Kekulstrae 5 12489 Berlin

118 Telefon: (030) 8062-1338 Telefax: (030) 80 62-1333 E-Mail: fvs@hmi.de www.FV-Sonnenenergie.de
FVS Themen 2003
Mitgliedsinstitute und Ansprechpartner

DLR Deutsches Zentrum HMI Hahn-Meitner-Institut Berlin GmbH
fr Luft- und Raumfahrt e.V. Glienicker Strae 100 14109 Berlin
Linder Hhe 51147 Kln-Porz Thomas Robertson
Bernhard Milow Telefon (030) 80 62-2034
Telefon (0 22 03) 601-36 55 E-Mail: info@hmi.de
E-Mail: bernhard.milow@dlr.de www.hmi.de
www.dlr.de
Institutsteil Adlershof Abt. Photovoltaik
Standort Stuttgart Kekulstrae 5 12489 Berlin
Pfaffenwaldring 3840 70569 Stuttgart Dr. Klaus Lips
Friedrich Alber Telefon (030) 80 62-1353
Telefon (0711) 68 62-480 E-Mail: lips@hmi.de
E-Mail: friedrich.alber@dlr.de www.hmi.de/bereiche/SE/SE1
www.dlr.de/TT
ISFH Institut fr Solarenergieforschung GmbH

PSA Plataforma Solar de Almera Hameln/Emmerthal
Apartado 39 E-04200 Tabernas (Almera) Am Ohrberg 1 31860 Emmerthal
Dr. Christoph Richter Dr. Roland Goslich
Telefon (00 34) 950-38 79 48 Telefon (0 51 51) 9 99-302
E-Mail: christoph.richter@psa.es E-Mail: info@isfh.de
www.psa.es www.isfh.de
FZJ Forschungszentrum Jlich GmbH ISET Institut fr Solare Energie-

52425 Jlich versorgungstechnik Verein an der Universitt
Mechthild Hexamer Gesamthochschule Kassel e.V.
Telefon (0 24 61) 61-46 61 Knigstor 59 34119 Kassel
E-Mail: fzj@fz-juelich.de Uwe Krengel
www.fz-juelich.de Telefon (05 61) 72 94-319
E-Mail: ukrengel@iset.uni-kassel.de
www.iset.uni-kassel.de
Fraunhofer ISE
Fraunhofer-Institut fr Solare Energiesysteme Standort Hanau
Heidenhofstr. 2 79100 Freiburg Rodenbacher Chaussee 6 63457 Hanau
Karin Schneider Telefon (0 61 81) 58-27 01
Telefon (07 61) 45 88-51 47 E-Mail: hanau@iset.uni-kassel.de
E-Mail: karin.schneider@ise.fraunhofer.de
www.ise.fraunhofer.de
ZSW Zentrum fr Sonnenenergie- und
Wasserstoff-Forschung Baden-Wrttemberg
Standort Gelsenkirchen Gemeinntzige Stiftung
Auf der Reihe 2 45884 Gelsenkirchen Hebrhlstrae 21C 70565 Stuttgart
Telefon (02 09) 155 39-11 Karl-Heinz Frietsch
Telefon (07 11) 78 70-206
E-Mail: info@zsw-bw.de
GFZ GeoForschungsZentrum Potsdam www.zsw.de
Stiftung des ffentlichen Rechts
Telegrafenberg 14473 Potsdam Standort Ulm
Franz Ossing Helmholtzstrae 8 89081 Ulm
Telefon (0331) 288-1040 Telefon (07 31) 95 30-0
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www.gfz-potsdam.de
119
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Themen 2003 Photovoltaik Neue Horizonte
Herausgeber: Die FVS-Jahrestagung 2003

wurde untersttzt von:
Dr. Gerd Stadermann
ForschungsVerbund Sonnenenergie Bundesministerium fr Umwelt, Naturschutz
Kekulstrae 5 und Reaktorsicherheit (BMU)
12489 Berlin
Solon AG fr Solartechnik
Telefon (030) 80 62 1338 RWE Schott Solar
Fax (030) 80 62 1333 Solar World
E-Mail fvs@hmi.de Q-Cells Aktiengesellschaft
www.FV-Sonnenenergie.de
Redaktion: Die Forschungen und Entwicklungen

im ForschungsVerbund Sonnenenergie
Dr. Gerd Stadermann
werden gefrdert vom:
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Bundesministerium fr Umwelt,
Naturschutz und Reaktorsicherheit (BMU)
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Prenzlauer Allee 193 und Arbeit (BMWA)
10405 Berlin
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und Forschung (BMBF)
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10245 Berlin
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