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Vo g mVgs Rs g m Rs
AV
Vi 1 1 g m Rs V gs 1 g m Rs
Empleando rm =1/gm tenemos que la ganancia de voltaje esta dada por:
1
Rs
Vo rm Rs
AV
Vi 1 rm Rs
1 1 Rs
rm
Se observa que la ganancia de voltaje no se invierte y es menor que 1. La ganancia se acerca a
la unidad conforme RS se hace mayor en comparacin con rm. La resistencia de entrada del
amplificador es menor que 1, acercndose a la unidad conforme RS se hace mayor en
comparacin con rm. La resistencia de entrada del amplificador es:
Ri RG
en tanto que la resistencia de salida es el resistor de polarizacin de Source, RS, en paralelo
con la resistencia AC del dispositivo, rm:
R0 Rs || rm
Voltaje Drain 15 V
VD
Voltaje de 699.999 mV
entrada Vin
Voltaje de 468.778 mV
salida Vout
Desfase
1. Con respecto al amplificador Drain Comn conteste las siguientes preguntas:
Son ms fciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten integrar ms
dispositivos en un CI.
Se comportan como resistencias controladas por tensin para valores pequeos de tensin
drenaje-fuente.
La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente para
permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento.
Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.
Los FETs presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de
entrada.
Los FETs presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT.