6.1 Unin P-N Sin Polarizacin.
la madera seca, la porcelana,
INTRODUCCIN.
Dielctrico.
Se denomina dielctrico a un material
con una baja conductividad elctrica, es
decir, un aislante, el cual tiene la
propiedad de formar dipolos elctricos
en su interior bajo la accin de un campo
elctrico. As, todos los materiales
dielctricos son aislantes, pero no todos
los materiales aislantes son dielctricos.
Algunos ejemplos de este tipo de
materiales son el vidrio, la cermica,
la goma, la mica, la cera, el papel,
algunas grasas para uso industrial y
electrnico y la baquelita. En cuanto a
los gases se utilizan como dielctricos
sobre todo el aire, el nitrgeno y
el hexafluoruro de azufre.
Normal mente un dielctrico se vuelve
conductor cuando se sobrepasa el campo de
ruptura del dielctrico. Esta tensin mxima se
denomina rigidez dielctrica.
Es decir, si aumentamos mucho el campo
elctrico que pasa por el dielctrico
convertiremos dicho material en un conductor.
Tenemos que la capacitancia con un dielctrico
llenando todo el interior del
condensador(plano-paralelo) est dado por:
0
=
El semiconductor es un elemento que se
comporta como un conductor o como un
aislante. Dependiendo de diversos factores,
como por ejemplo el campo elctrico o
magntico, la presin, la radiacin que le
incide, o la temperatura del ambiente en el que
se encuentre.
Los elemento qumicos semiconductores de
la tabla peridica se indican en la tabla adjunta.

TIPOS DE SEMICONDUCTORES.
SEMICONDUCTORES INTRINSECOS.
SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS.
o Semiconductor tipo N.
o Semiconductor tipo P.
SEMICONDUCTORES INTRINSECOS.
Es un cristal de silicio o germanio que
forma una estructura tetradrica similar
a la del carbono mediante enlaces
covalentes entre sus tomos, en la
figura representados en el plano por
simplicidad. Cuando el cristal se
encuentra a temperatura ambiente
algunos electrones pueden absorber la
energa necesaria para saltar a la banda
de conduccin dejando el
correspondiente hueco en la banda de
valencia.
Las energas requeridas, a temperatura
ambiente, son de 1,12 eV y 0,67 eV para el
silicio y el germanio respectivamente.
El proceso inverso tambin se produce, de
modo que los electrones pueden caer desde el
estado energtico correspondiente en la banda
de conduccin a un hueco en la banda de
valencia, liberando as energa. Este fenmeno
se conoce como "recombinacin". A una
determinada temperatura, las velocidades de
creacin de pares e-h, y de recombinacin se
igualan, de modo que la concentracin global
de electrones y huecos permanece constante.
Sea "n" la concentracin de electrones carga
negativa y "p" la concentracin de huecos
cargas positiva , se cumple entonces que:
= =
donde es la concentracin intrnseca del
semiconductor, funcin exclusiva de la
temperatura y del elemento en cuestin.
Ejemplos de valores de ni a temperatura
ambiente (27 C):
() = .
() = . . han logrado aadir impurezas de una parte por
Los electrones y los huecos reciben el nombre
de portadores.
En los semiconductores, ambos tipos de
portadores contribuyen al paso de la corriente
elctrica.
Si se somete el cristal a una diferencia de
potencial se producen dos corrientes elctricas.
Por un lado, la debida al movimiento de los
electrones libres de la banda de conduccin, y
por otro, la debida al desplazamiento de los
electrones en la banda de valencia, que
tendern a saltar a los huecos.
SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS.
Si a un semiconductor intrnseco, se le aade
un pequeo porcentaje de impurezas, es decir,
elementos trivalentes o pentavalentes, el
semiconductor se denomina extrnseco, y se
dice que est dopado.
Las impurezas debern formar parte de la
estructura cristalina sustituyendo a
correspondiente tomo de silicio. Hoy
en da se han logrado aadir impurezas de una
parte por cada 10 millones, logrando con ello
una modificacin del material.
Si a un semiconductor intrnseco, se le aade
un pequeo porcentaje de impurezas, es decir,
elementos trivalentes o pentavalentes, el
semiconductor se denomina extrnseco, y se
dice que est dopado.
Las impurezas debern formar parte de la
estructura cristalina sustituyendo al
correspondiente tomo de silicio. Hoy en da se
cada 10 millones, logrando con ello una
modificacin del material
Semiconductor tipo N.
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a
cabo un proceso de dopado aadiendo un
cierto tipo de tomos al semiconductor para
poder aumentar el nmero de portadores de
carga libres (en este caso negativos
o electrones).

Cuando se aade el material dopante, aporta
sus electrones ms dbilmente vinculados a los
tomos del semiconductor. Este tipo de agente
dopante es tambin conocido como material
donante, ya que da algunos de sus electrones.
Semiconductor tipo P.
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a
cabo un proceso de dopado, aadiendo un
cierto tipo de tomos al semiconductor para
poder aumentar el nmero de portadores de
carga libres (en este caso positivos o huecos).
Cuando se aade el material dopante libera los
electrones ms dbilmente vinculados de los
tomos del semiconductor. Este agente
dopante es tambin conocido como material
aceptor y los tomos del semiconductor que
han perdido un electrn son conocidos
como huecos.
El propsito del dopaje tipo P es el de
abundancia de huecos.
Unin P-N sin Polarizacin.
En los temas anteriores se han estudiado las
propiedades de los semiconductores en
equilibrio trmico y fuera del equilibrio. Los
semiconductores intrnsecos tienen un uso muy
limitado, sin embargo, los semiconductores
dopados con impurezas son la base de los
dispositivos que a partir de ahora vamos a
estudiar. Si sobre la superficie de un
semiconductor previamente dopado con
impurezas aceptoras se difunden tomos
dadores se forma una unin de propiedades
muy interesantes llamada unin p-n.
La unin p-n desempea un importante papel
en las aplicaciones de la electrnica moderna,
as como en la construccin y aplicacin de
otros dispositivos semiconductores. Se utiliza
por ejemplo en aplicaciones de rectificacin,
conmutacin, Adems es un dispositivo
fundamental en la construccin de otros
dispositivos semiconductores tales como los
transistores bipolares, tiristores, transistores de
efecto de campo o dispositivos para aplicacin
en microondas o fotnicos.
En esta leccin se van a presentar las
caractersticas ideales estticas y dinmicas de
la unin p-n en base a las ecuaciones obtenidas
en la leccin anterior.
La unin p-n en equilibrio trmico.
Fig. 1.a muestra dos materiales
semiconductores, uno de tipo P y otro de tipo N
separados entre s. En ellos el nivel de Fermi EF
est cerca de la banda de valencia para la
muestra de tipo P y cerca de la banda de
conduccin para el material de tipo N. Por
otra parte, el material de tipo P tiene una
concentracin de huecos mucho mayor que de
electrones y al revs ocurre en el material de
tipo N.
Una unin p-n se forma cuando se unen estas
dos regiones. En la prctica, los procesos de
fabricacin de uniones p-n son los de epitaxia,
difusin e implantacin de iones.
Formacin de la regin espacial de
carga.
Una unin p-n se forma cuando se unen estas
dos regiones. En la prctica, los procesos de
fabricacin de uniones p-n son los de epitaxia,
difusin e implantacin de iones.
Para simplificar vamos a suponer el caso en que
el lmite entre las regiones P y N represente una
En este tipo de unin la transicin entre las
regiones P y N tiene lugar en una distancia
extremadamente pequea. Por lo tanto, hay un
cambio brusco en el dopaje yendo desde P
hasta N. Aunque la unin abrupta no es una
estructura tpica de los dispositivos modernos,
s es, en cambio, una buena aproximacin de la
unin p-n, que pone de manifiesto sus
caractersticas de funcionamiento y de tensin-
corriente. Otro argumento a favor de utilizar
dicha aproximacin es que el comportamiento
fsico interno y las propiedades elctricas de la
unin varan muy poco con el mtodo que se
emplee en su obtencin. El hecho de unir
ambos tipos de material provoca un elevado
gradiente de concentracin de portadores en
las proximidades de la unin. De hecho, lo que
se observa es por un lado, una corriente de
difusin de huecos de la regin P hacia la
regin N y por otro, una corriente de difusin
de electrones de la regin N hacia la P. Pero
adems, la marcha o difusin de estos
portadores de su regin inicial a la otra deja al
descubierto algunos iones fijos en la red
cristalina, iones aceptores negativos N A - enla
regin P e iones dadores positivos en la regin
N, N D + . Dicha zona es llamada zona de
agotamiento o regin espacial de carga y es una
regin en que no existen ni electrones ni
huecos pero contiene tomos dadores
ionizados positivamente a un lado y tomos
aceptores ionizados negativamente al otro
lado. En consecuencia, se forma una zona de
con cargas negativas fijas en la cara P de la
unin y una zona con cargas positivas fijas en la
cara N. La presencia de estas cargas fijas da
lugar a la aparicin de un fuerte campo
elctrico cuyas lneas de campo se dirigen
desde la zona N hacia la zona P, es decir, desde
la zona de carga positiva a la zona de carga
negativa (Fig. 1b). La orientacin, por tanto, de
este campo elctrico es siempre en contra de la
corriente dedifusin del portador de carga
considerado.
Las condiciones despus del contacto se
muestran en Fig. 2
Se ha supuesto que la regin espacial de carga
contiene nicamente tomos de impurezas
ionizados (en realidad existen unas pequeas
concentraciones de portadores mviles -
electrones y huecos despreciables frente a las
concentraciones de impurezas) y que ms all
de esta regin los materiales (P y N) son
neutros. Si consideramos, por ejemplo, el
semiconductor de tipo N, en todo este
semiconductor existen ND impurezas por
unidad de volumen, pero en la zona neutra la
carga de los iones es compensada con la de los
portadores mviles mayoritarios (electrones)
mientras que en la zona prxima a la unin la
carga de los iones dadores cargados
positivamente no es compensada.
Observamos como la zona N de la regin
espacial de carga se extiende desde x = 0 hasta
x = xn, mientras que la zona P se extiende
desde x = 0 hasta x = -xp. La lnea que separa las
dos regiones est en x = 0 y corresponde a la
unin metalrgica de las regiones P y N.
Barrera de potencial y bandas de
energa.
La presencia de cargas en la regin espacial de
carga da lugar a un campo elctrico, el cual
causa una diferencia de potencial en dicha
regin que recibe el nombre de potencial de
contacto, Vbi y es mostrado en Fig. 2.
Este potencial de contacto viene acompaado
por un desnivel de las bandas de energa como
se muestra en Fig. 3.
Este desnivel se explica como sigue: la cada de
tensin entre dos puntos a y b se define como
la energa empleada o adquirida para mover
una carga positiva unidad desde a hasta b.
Si la carga positiva (hueco) est en a (zona P) y
b (zona N) est a una mayor tensin Vbi, se
realiza un trabajo para mover la carga.
Al llegar a b, la carga positiva ha ganado una
energa potencial igual a la energa empleada
que viene dada por (qVbi), donde q es la carga
del electrn.
Si un electrn es llevado desde a hasta b, con b
a una tensin superior Vbi, el electrn (carga
negativa) pierde una energa potencial - qVbi
En consecuencia, un electrn en x xn tiene
menos energa potencial que un electrn en x
x p (zonas neutras). Los niveles energticos de
la zona N son menores que los de
la zona P en una cantidad qVbi.
Si un electrn es llevado desde a hasta b, con b
a una tensin superior Vbi, el electrn (carga
negativa) pierde una energa potencial - qVbi
En consecuencia, un electrn en x xn tiene
menos energa potencial que un electrn en x
x p (zonas neutras). Los niveles energticos de
la zona N son menores que los de la zona P en
una cantidad qVbi.
Recordemos que los electrones residen en la
banda de conduccin y los huecos en la de
valencia y que la energa del electrn aumenta
al moverse hacia arriba en la banda de
conduccin siendo Ec la mnima energa de un
electrn libre (corresponde a la energa de un
electrn en reposo y toda ella es energa
potencial energa cintica cero
aumentando la energa cintica al desplazarse
hacia arriba en la banda de conduccin) ,
mientras que la del hueco aumenta al moverse
hacia abajo en la banda de valencia siendo Ev la
energa de un hueco en reposo (toda ella es
energa potencial energa cintica cero-
aumentando la energa cintica al desplazarse
hacia arriba en la banda de conduccin)
Al potencial de contacto tambin se le conoce
como barrera de potencial.
Corrientes de arrastre y de difusin.
En condiciones de equilibrio trmico, sin
ninguna excitacin externa, la corriente total,
suma de las dos corrientes de arrastre (de
electrones y de huecos) y de las dos corrientes
de difusin ha de ser cero. Una corriente total
que no fuese cero causara una disipacin
energtica, lo cual no es posible ya que no hay
ninguna fuente en el diodo que proporcione
dicha energa. Por otra parte la corriente total
de electrones y la corriente total de huecos son
ambas cero. La corriente neta correspondiente
a cada tipo de portador (electrones o huecos)
ha de ser cero debido al siguiente
razonamiento: como la unin p-n est en
equilibrio trmico, el producto np debe ser
igual a ni2 . Supongamos que la corriente neta
de electrones (diferencia entre las corrientes de
difusin y arrastre) no fuese cero, entonces la
corriente neta de huecos debera ser igual en
magnitud pero sentido contrario a la de los
electrones (pues la corriente total es cero). Esto
implicara que habra una transferencia neta de
electrones y huecos en el mismo sentido
provocando un incremento de las
concentraciones de ambos en una de las
regiones y violando por tanto la condicin de
equilibrio trmico.
Relaciones analticas en equilibrio
trmico.
A partir de ahora se van a establecer las
relaciones analticas para la unin p-n en
equilibrio trmico. Determinaremos
primeramente la electrosttica de la regin
espacial de carga y con posterioridad la
localizacin del nivel de Fermi y una expresin
para el potencial de contacto en la unin.
Electrosttica de la regin espacial de carga. Si
recordamos la definicin de campo elctrico,
este se define como la fuerza ejercida sobre la
unidad de carga positiva. Cuando un campo
elctrico se aplica al semiconductor, dicho
campo realiza una fuerza -q sobre cada
electrn, donde q es el valor de la carga del
electrn. Tambin sabemos que dicha fuerza
ejercida es igual al valor negativo del gradiente
de la energa potencial:
F = -q = - (gradiente de la energa potencial
del electrn) Sabemos que el valor inferior de la
banda de conduccin Ec corresponde a la
energa potencial de un electrn.
Como estamos interesados en el gradiente de
la energa potencial, podemos utilizar cualquier
parte del diagrama de bandas que sea paralelo
a Ec.
Movindonos desde cualquiera de las dos
regiones neutras hacia la unin p-n aparecen
distintas zonas. En una primera zona, la carga
aportada por los iones de las impurezas es
parcialmente compensada con la carga de los
portadores mviles, es una regin estrecha de
poco espesor y recibe el nombre de regin de
transicin.
Ms all de esta regin aparece la regin
espacial de carga. Para uniones p-n tpicas, la
anchura de la regin de transicin es pequea
comparada con la de la regin espacial de
carga, de forma que puede despreciarse dicha
regin de transicin y aproximar la regin
espacial de carga por una distribucin espacial
donde xp y xn representan las anchuras de esta
regin en las zonas P y N respectivamente. En
el caso general de una unin abrupta, en el
semiconductor de tipo N pueden coexistir
ambos tipos de impurezas cumplindose la
relacin ND >> NA e igualmente en el
semiconductor de tipo P se cumplir NA >> ND.
En la prctica vamos a suponer que la
concentracin de impurezas aceptoras NA en el
semiconductor de tipo N es nula al igual que la
concentracin de impurezas dadoras ND en el
de tipo P.