Ondulador Monofasico

Realizacin de un Ondulador Monofsico de Tipo
Fotovoltaico.
TITULACIN: Ingeniera en Automtica y Electrnica Industrial
AUTOR: David Hernando Ureta5

DIRECTORES: ngel Cid Pastor 5
Lus Martnez Salamero
FECHA: Abril / 2008 5
A mis padres, Atanasio y M del Carmen.
A todos aquellos que con su apoyo han hecho posible este proyecto.
i
Realizacin de un Ondulador Monofsico de Tipo Fotovoltaico. NDICE
NDICE
ndice de contenidos
1 INTRODUCCIN. .............................................................................................................................. 1
1.1 OBJETIVOS. ..................................................................................................................................... 1
1.2 ENERGA SOLAR FOTOVOLTAICA..................................................................................................... 1
1.3 CARACTERSTICAS DEL MDULO FOTOVOLTAICO. .......................................................................... 3
1.3.1 Silicio monocristalino................................................................................................................ 4
1.3.2 Silicio policristalino. ................................................................................................................. 4
1.3.3 Silicio amorfo. ........................................................................................................................... 4
1.4 CARACTERSTICAS ELCTRICAS DE LOS MDULOS FOTOVOLTAICOS............................................... 4
1.5 MODELO DEL MDULO FOTOVOLTAICO. ......................................................................................... 6
1.6 ACOPLAMIENTO DE LOS MDULOS FOTOVOLTAICOS A UNA CARGA. ............................................... 9
1.6.1 Conexin directa al mdulo fotovoltaico................................................................................... 9
1.6.2 Etapa de adaptacin entre mdulo fotovoltaico y carga......................................................... 11
1.7 CONVERSIN DE LA ENERGA SOLAR FOTOVOLTAICA A CORRIENTE ALTERNA. ............................. 12
1.7.1 Inversor de onda cuadrada...................................................................................................... 12
1.7.2 Inversor con modulacin de anchura de pulso (PWM). .......................................................... 13
1.7.3 Inversor multinivel................................................................................................................... 14
2 ESTRUCTURA PROPUESTA......................................................................................................... 15
2.1 RESISTOR LIBRE DE PRDIDAS BASADO EN EL CONVERTIDOR BOOST............................................. 17
2.1.1 Simulacin del LFR Boost. ...................................................................................................... 19
2.2 SEGUIMIENTO DEL PUNTO DE MXIMA POTENCIA (MPPT)............................................................ 23
2.2.1 Simulacin del MPPT.............................................................................................................. 24
2.3 GIRADOR DE POTENCIA TIPO G...................................................................................................... 26
2.3.1 Simulacin del girador tipo G. ................................................................................................ 28
2.4 REFERENCIA PARA GIRADOR ......................................................................................................... 30
2.4.1 Simulacin de la referencia para girador. .............................................................................. 30
2.5 PUENTE EN H ................................................................................................................................ 32
2.5.1 Simulacin del puente en H. .................................................................................................... 33
2.6 TRANSFORMADOR ......................................................................................................................... 35
2.6.1 Simulacin del transformador. ................................................................................................ 35
2.7 ONDULADOR CON DOS MDULOS FOTOVOLTAICOS ....................................................................... 36
2.7.1 Simulacin del ondulador con dos mdulos fotovoltaicos....................................................... 38
3 DIMENSIONADO Y SELECCIN DE COMPONENTES. ...................................................... 43
3.1 MDULOS FOTOVOLTAICOS .......................................................................................................... 43
3.2 LFR BOOST ................................................................................................................................... 44
3.2.1 Componentes pasivos: L y C.................................................................................................... 44
3.2.2 Comparador con histresis...................................................................................................... 46
3.2.3 Proteccin de sobretensin...................................................................................................... 47
3.2.4 Disipador de calor................................................................................................................... 48
3.3 GIRADOR TIPO G. .......................................................................................................................... 50
3.3.1 Componentes pasivos: L y C.................................................................................................... 50
3.3.2 Comparador con histresis...................................................................................................... 51
3.3.4 Driver para el MOSFET.......................................................................................................... 52
3.4 PUENTE EN H ................................................................................................................................ 54
3.4.1 MOSFETs. ............................................................................................................................... 54
3.5 TRANSFORMADOR ......................................................................................................................... 56
3.6 FUENTE DE ALIMENTACIN ........................................................................................................... 56
4 PROTOTIPO EXPERIMENTAL DEL ONDULADOR. ............................................................ 59
4.1 ESQUEMA CIRCUITAL DEL ONDULADOR. ....................................................................................... 59
ii
4.1.1 LFR Boost................................................................................................................................ 60

4.1.2 Girador tipo G. ........................................................................................................................ 61
4.1.3 Puente en H ............................................................................................................................. 62
4.1.4 MPPT....................................................................................................................................... 63
4.1.5 Referencia girador................................................................................................................... 64
4.1.6 Fuente de alimentacin. .......................................................................................................... 65
4.2 LAYOUT ........................................................................................................................................ 66
4.2.1 LFR.......................................................................................................................................... 67
4.2.2 Girador .................................................................................................................................... 68
4.2.3 Puente en H ............................................................................................................................. 70
4.2.4 MPPT....................................................................................................................................... 70
4.2.5 Referencia girador................................................................................................................... 71
4.2.6 Fuente de alimentacin ........................................................................................................... 72
4.3 MONTAJE DEL PROTOTIPO DEL ONDULADOR ................................................................................. 73
5 MEDIDAS DE LABORATORIO .................................................................................................... 76
5.1 FUNCIONAMIENTO DEL ONDULADOR ALIMENTANDO UNA CARGA RESISTIVA................................ 76
5.2 FUNCIONAMIENTO DEL ONDULADOR BAJO PERTURBACIONES. ...................................................... 80
5.3 FUNCIONAMIENTO DE ETAPAS LFR-GIRADOR EN PARALELO........................................................ 82
6 CONCLUSIONES Y TRABAJO FUTURO................................................................................... 85
7 REFERENCIAS BIBLIOGRFICAS............................................................................................. 88
8 ANEXOS. ............................................................................................................................................ 90
8.1 ANEXO 1. CDIGO C DEL PROGRAMA PARA LA MPPT. ................................................................. 90
8.2 ANEXO 2. PRESUPUESTO DE MATERIALES. .................................................................................... 94
8.2.1 Listado de materiales ondulador. ............................................................................................ 94
8.2.2 Aplicacin de precios. ............................................................................................................. 97
8.2.3 Precio prototipo ondulador. .................................................................................................. 100
8.3 ANEXO 3. DISEO DE UN GIRADOR TIPO G BASADO EN BIF. ....................................................... 101
ndice de tablas.
Tabla 1.1. Comparativa de mdulos fotovoltaicos de diferentes fabricantes en el mismo rango de potencia.. 5
Tabla 1.2. Comparativa de rendimientos segn el punto de trabajo............................................................... 10
Tabla 2.1. Resistencia de entrada para el LFR. .............................................................................................. 20
Tabla 2.2. Valor de g emulado por el girador................................................................................................. 30
Tabla 3.1. Consumo elctrico del LFR y MPPT.............................................................................................. 57
Tabla 3.2. Consumo elctrico del girador y la referencia............................................................................... 57
Tabla 3.3. Consumo elctrico del puente en H................................................................................................ 57
Tabla 3.4. Consumo elctrico del ondulador. ................................................................................................. 58
Tabla 5.1. Asignacin canales osciloscopio.................................................................................................... 76
Tabla 5.3. Rendimiento aproximado del ondulador. ....................................................................................... 79
Tabla 8.1. Listado materiales girador tipo G.................................................................................................. 94
Tabla 8.2. Listado materiales LFR Boost........................................................................................................ 95
Tabla 8.3. Listado materiales puente en H...................................................................................................... 95
Tabla 8.4. Listado materiales fuente de alimentacin..................................................................................... 96
Tabla 8.5. Listado materiales MPPT............................................................................................................... 96
Tabla 8.6. Listado materiales referencia girador. .......................................................................................... 97
Tabla 8.7. Aplicacin de precios girador tipo G............................................................................................. 98
Tabla 8.8. Aplicacin de precios LFR Boost................................................................................................... 98
Tabla 8.9. Aplicacin de precios puente H...................................................................................................... 99
Tabla 8.10. Aplicacin de precios fuente de alimentacin.............................................................................. 99
iii
Tabla 8.11. Aplicacin de precios MPPT...................................................................................................... 100

Tabla 8.12. Aplicacin de precios referencia girador................................................................................... 100
Tabla 8.13. Precio material prototipo ondulador. ........................................................................................ 100
ndice de figuras.
Figura 1.1. Evolucin produccin mundial de mdulos fotovoltaicos 1975-2007. (Earth Policy Institute) ...... 1
Figura 1.2. Evolucin coste medio mundial del mdulo fotovoltaico por vatio producido. 1975-2007.
(Earth Policy Institute).................................................................................................................. 2
Figura 1.3. Representacin esquemtica del efecto fotoelctrico en una clula solar. ..................................... 3
Figura 1.4. Relacin tensin-corriente para diferentes niveles de radiacin en el SP75/12. (Shell Solar)....... 5
Figura 1.5. Relacin tensin-corriente para diferentes temperaturas en el SP75/12. (Shell Solar). ................. 6
Figura 1.6. Modelo mdulo fotovoltaico............................................................................................................ 6
Figura 1.7. Circuito equivalente mdulo fotovoltaico. ...................................................................................... 7
Figura 1.8. Circuito equivalente mdulo fotovoltaico. ...................................................................................... 7
Figura 1.9. Relacin tensin-corriente de circuito equivalente al mdulo fotovoltaico. ................................... 8
Figura 1.10. Potencia de salida del circuito equivalente al mdulo fotovoltaico para 1000 W/m2 y 25 C. ..... 8
Figura 1.11. Conexin elctrica directa de un mdulo con una carga. ............................................................. 9
Figura 1.12. Punto de trabajo del mdulo fotovoltaico en funcin de la radiacin y la carga. ........................ 9
Figura 1.13. Cargador de batera. ..................................................................................................................... 9
Figura 1.14. Potencia de salida del circuito equivalente al mdulo fotovoltaico para 1000 W/m2 y 25 C. ... 10
Figura 1.15. Conexin a travs de etapa adaptadora...................................................................................... 11
Figura 1.16. Representacin de un convertidor DC/DC.................................................................................. 11
Figura 1.17. Implementacin de la etapa adaptadora con una conversor DC/DC controlado por MPPT. .... 12
Figura 1.18. Representacin de un convertidor DC/AC. ................................................................................. 12
Figura 1.19. Onda cuadrada junto a armnicos. ............................................................................................. 13
Figura 1.20. Tensin en la salida de un ondulador PWM................................................................................ 13
Figura 1.21. Tensin en la salida de un ondulador multinivel [9]................................................................... 14
Figura 2.1. Diagrama de bloques de sistema ondulador. ................................................................................ 15
Figura 2.2. Diagrama de bloques de sistema ondulador propuesto. [7] ......................................................... 16
Figura 2.3. Diagrama de bloques de sistema ondulador de n ramas............................................................... 17
Figura 2.4. Diagrama de bloques de un convertidor conmutado con caractersticas de LFR. [4] ................. 18
Figura 2.5. Esquema convertidor boost. [4] .................................................................................................... 18
Figura 2.6. Esquema simulado en PSIM del LFR boost. ................................................................................. 19
Figura 2.7. Esquema simulado en PSIM para comprobar el LFR boost. ........................................................ 19
Figura 2.8. Respuesta del LFR boost para una perturbacin de 10 V en la entrada....................................... 20
Figura 2.9. Esquema simulado en PSIM para comprobar el seguimiento de la consigna R por el LFR
boost............................................................................................................................................ 21
Figura 2.10. Respuesta del LFR boost para referencia R variable.................................................................. 21
Figura 2.11. Respuesta del LFR boost para referencia R variable.................................................................. 22
Figura 2.12. Esquema simulado en PSIM para comprobar la respuesta para perturbaciones en el valor
de la resistencia conectada en la salida del LFR boost. ............................................................. 22
Figura 2.13. Respuesta para perturbaciones en el valor de la resistencia conectada en la salida del LFR
boost............................................................................................................................................ 23
Figura 2.14. Diagrama de bloques del sistema MPPT. [3] ............................................................................. 23
Figura 2.15. Esquema simulado en PSIM del MPPT....................................................................................... 24
Figura 2.16. Esquema simulado en PSIM para comprobar el MPPT.............................................................. 24
Figura 2.17. Esquema utilizado para simular el mdulo fotovoltaico. ............................................................ 24
Figura 2.18. Respuesta del LFR con MPPT..................................................................................................... 25
Figura 2.19. Detalle de la respuesta del LFR con MPPT. ............................................................................... 26
Figura 2.20. Representacin del girador tipo G. ............................................................................................. 26
Figura 2.21. Diagrama de bloques de un convertidor conmutado con caracterstica de girador G. [1] ........ 27
Figura 2.22. Esquema convertidor buck con filtro de entrada. [1].................................................................. 27
Figura 2.23. Esquema del girador tipo G. ....................................................................................................... 28
Figura 2.24. Esquema simulado en PSIM para comprobarla respuesta del girador tipo G a
perturbaciones de tensin de entrada y a perturbaciones en la carga de salida........................ 29
Figura 2.25. Respuesta del girador tipo G....................................................................................................... 29
Figura 2.26. Diagrama de bloques del rectificador de puente completo. ........................................................ 30
iv
Figura 2.27. Esquema del rectificador de puente completo de precisin. ....................................................... 31

Figura 2.28. Esquema simulado en PSIM del girador tipo G con referencia senoidal rectificada positiva.... 31
Figura 2.29. Respuesta del girador con la referencia...................................................................................... 32
Figura 2.30. Esquema del puente en H. ........................................................................................................... 32
Figura 2.31. Funcionamiento del puente en H................................................................................................. 33
Figura 2.32. Esquema del puente en H. ........................................................................................................... 33
Figura 2.33. Esquema simulado en PSIM del girador tipo G con puente en H. .............................................. 34
Figura 2.34. Respuesta del puente en H conectado al girador tipo G. ............................................................ 34
Figura 2.35. Funcionamiento del transformador ideal.................................................................................... 35
Figura 2.36. Esquema simulado en PSIM del girador tipo G conectado a red con transformador................. 35
Figura 2.37. Respuesta del sistema conectado a red. ...................................................................................... 36
Figura 2.38. Esquema simulado en PSIM para comprobar el ondulador completo. ....................................... 37
Figura 2.39. Esquema de la nueva referencia para girador. ........................................................................... 37
Figura 2.40. Esquema del nuevo girador tipo G.............................................................................................. 38
Figura 2.41. Circuito equivalente mdulo fotovoltaico. .................................................................................. 38
Figura 2.42. Detalle corrientes ondulador y red. ............................................................................................ 39
Figura 2.43. Respuesta del ondulador con perturbaciones en los paneles por temperatura y radiacin........ 39
Figura 2.44. Detalle de la respuesta del ondulador con perturbaciones en los paneles por temperatura y
radiacin..................................................................................................................................... 40
Figura 2.45. Esquema de modelado para el mdulo fotovoltaico con perturbacin noche-da. ..................... 40
Figura 2.46. Respuesta del ondulador con respuesta noche-da en los paneles. ............................................. 41
Figura 2.47. Detalle de la respuesta del ondulador con respuesta noche-da en los paneles. ........................ 42
Figura 3.1. Configuracin mdulos fotovoltaicos n 1..................................................................................... 43
Figura 3.2. Configuracin mdulos fotovoltaicos n 2..................................................................................... 43
Figura 3.3. Esquema del comparador con histresis. ...................................................................................... 46
Figura 3.4. Respuesta del comparador con histresis...................................................................................... 46
Figura 3.5. Esquema de la proteccin de sobretensin. .................................................................................. 47
Figura 3.6. Potencia disipada en funcin de la intensidad en directa para el diodo MBR1045...................... 49
Figura 3.7. Condensador y diodo de bootstrap usados por el driver del MOSFET en lado alto..................... 53
Figura 3.8. Encapsulado y diagrama del IRLIZ44N. ....................................................................................... 55
Figura 3.9. Transformador toroidal y esquema de conexiones........................................................................ 56
Figura 4.1. Diagrama secuencia de fases de construccin prototipo. ............................................................. 59
Figura 4.2. Esquema circuital del LFR basado en el convertidor boost.......................................................... 60
Figura 4.3. Esquema circuital del girador tipo G basado en el convertidor BIF. ........................................... 61
Figura 4.4. Esquema circuital del puente en H................................................................................................ 62
Figura 4.5. Esquema circuital del MPPT......................................................................................................... 63
Figura 4.6. Esquema circuital de la referencia para girador y puente en H. .................................................. 64
Figura 4.7. Esquema circuital de la fuente de alimentacin............................................................................ 65
Figura 4.8. Distribucin de los diferentes circuitos del ondulador. ................................................................ 66
Figura 4.9. Layout de componentes para el LFR. ............................................................................................ 67
Figura 4.10. Top layout para el LFR. .............................................................................................................. 67
Figura 4.11. Bottom layout para el LFR. ......................................................................................................... 68
Figura 4.12. Layout de componentes para el girador...................................................................................... 68
Figura 4.13. Top layout para el girador. ......................................................................................................... 69
Figura 4.14. Bottom layout para el girador. .................................................................................................... 69
Figura 4.15. Layout de componentes para el puente en H............................................................................... 70
Figura 4.16. Bottom layout para el puente en H. ............................................................................................. 70
Figura 4.17. Layout de componentes para el MPPT........................................................................................ 70
Figura 4.18. Top layout para el MPPT. ........................................................................................................... 71
Figura 4.19. Bottom layout para el MPPT....................................................................................................... 71
Figura 4.20. Layout de componentes para la referencia del girador............................................................... 71
Figura 4.21. Top layout para la referencia del girador................................................................................... 71
Figura 4.22. Bottom layout para la referencia del girador.............................................................................. 72
Figura 4.23. Layout de componentes para la fuente de alimentacin.............................................................. 72
Figura 4.24. Top layout para la fuente de alimentacin. ................................................................................. 72
Figura 4.25. Bottom layout para la fuente de alimentacin............................................................................. 72
Figura 4.26. Montaje del LFR.......................................................................................................................... 73
Figura 4.27. Montaje del MPPT. ..................................................................................................................... 73
Figura 4.28. Montaje del girador tipo G.......................................................................................................... 74
Figura 4.29. Montaje de la referencia para el girador. ................................................................................... 74
v
Figura 4.30. Montaje del puente en H.............................................................................................................. 75

Figura 4.31. Ondulador completo con conexiones elctricas entre los diferentes mdulos. ........................... 75
Figura 5.1. Ondulador completo con conexiones elctricas entre los diferentes mdulos. ............................. 76
Figura 5.2. Funcionando el girador tipo G con un convertidor BIF. Vin_LFR_1 = 30 V, Iin_LFR_1 =
5,2 A, Rout,= 3 .......................................................................................................................... 77
Figura 5.3. Funcionando el girador con un convertidor buck.Vin_LFR_1 = 30 V, Iin_LFR_1 = 5,2 A,
Rout,= 3 .................................................................................................................................... 77
Figura 5.4. Funcionamiento del ondulador con carga constante, Rout,= 3 , para Vin_LFR_1 = 30 V,
Iin_LFR_1 = 5,2 A...................................................................................................................... 77
Figura 5.5. Funcionamiento del ondulador con carga constante, Rout,= 3 , para Vin_LFR_1 = 25 V,
Iin_LFR_1 = 4,2 A...................................................................................................................... 77
Figura 5.6. Funcionamiento del ondulador con carga constante, Rout,= 3 , para Vin_LFR = 20 V,
Iin_LFR = 3,2 A.......................................................................................................................... 78
Figura 5.7. Funcionamiento del ondulador con carga constante, Rout,= 3 , para Vin_LFR = 15V,
Iin_LFR = 2,2 A.......................................................................................................................... 78
Figura 5.8. Funcionamiento del ondulador con carga constante, Rout,= 3, para Vin_LFR = 30V,
Iin_LFR =5,2A............................................................................................................................ 78
Figura 5.9. Funcionamiento del ondulador con carga constante, Rout,= 10 , para Vin_LFR = 30 V,
Iin_LFR =5,2 A. La carga es demasiado grande y el girador no puede seguir la consigna. ..... 79
Figura 5.10. Funcionamiento del ondulador con carga variable, Rout,= 5 2,5 , Vin_LFR = 30 V,
Iin_LFR =5,2 A........................................................................................................................... 80
Figura 5.11. Funcionamiento del ondulador con carga variable, Rout,= 5 2,5 , Vin_LFR = 24,8 V,
Iin_LFR = 4 A............................................................................................................................. 80
Figura 5.12. Funcionamiento del ondulador con carga variable, Rout,= 5 2,5 , Vin_LFR = 14,5 V,
Iin_LFR =2 A.............................................................................................................................. 80
Figura 5.13. Funcionamiento del ondulador con tensin de entrada variable Vin_LFR = 15 V -30 V,
Rout,=3 ..................................................................................................................................... 81
Figura 5.14 Funcionamiento del ondulador con tensin de entrada variable Vin_LFR = 15 V -30 V,
Rout,=3 ..................................................................................................................................... 81
Figura 5.15. Funcionamiento de dos etapas LFR-Girador en paralelo con Rout,=3 , Vin_LFR_1 = 30 V,
Iin_LFR_1 =5,2 A, Vin_LFR_2 = 0 V, Iin_LFR_2 =0 A............................................................ 82
Figura 5.16. Funcionamiento de dos etapas LFR-Girador en paralelo con Rout, = 3 , Vin_LFR_1 = 0 V,
Iin_LFR_1 =0 A, Vin_LFR_2 = 22 V, Iin_LFR_2 =2,1 A.......................................................... 82
Figura 5.17. Funcionamiento de dos etapas LFR-Girador en paralelo con Rout,=3 , Vin_LFR_1 = 14,5
V, Iin_LFR_1 =2 A, Vin_LFR_2 = 14,5 V, Iin_LFR_2 =2 A. .................................................... 82
Figura 5.18. Funcionamiento del ondulador conectado a red con Vin_LFR_1 = 30 V, Iin_LFR_1 =5,2 A,
Vin_LFR_2 = 0 V, Iin_LFR_2 =0 A. .......................................................................................... 83
Figura 5.19. Funcionamiento del ondulador conectado a red con Vin_LFR_1 = 0 V, Iin_LFR_1 =0 A,
Vin_LFR_2 = 22 V, Iin_LFR_2 =2,1 A. ..................................................................................... 83
Figura 5.20. Funcionamiento del ondulador conectado a red con Vin_LFR_1 = 14,5 V, Iin_LFR_1 =2 A,
Vin_LFR_2 = 14,5 V, Iin_LFR_2 =2 A. ..................................................................................... 84
Figura 6.1. Diferentes encapsulados through hole y SMD. ............................................................................. 85
Figura 6.2. Conexin directa a red sin transformador. ................................................................................... 86
Figura 6.3. Estructura del ondulador autnomo.............................................................................................. 86
Figura 6.4. Ondulador trifsico. ...................................................................................................................... 87
Figura 8.1. Topologa de un BIF.................................................................................................................... 101
Figura 8.2. Representacin genrica de la funcin (A4.9)............................................................................. 102
Figura 8.3. Regin de estabilidad en funcin de RdCd. .................................................................................. 103
Figura 8.4. Algoritmo de diseo para Rd y Cd en un giradorRegin de estabilidad en funcin de RdCd...... 104
vi
Realizacin de un Ondulador Monofsico de Tipo Fotovoltaico. CAPTULO I
1 Introduccin.
1.1 Objetivos.
Los objetivos de este proyecto final de carrera son simular, construir y ensayar un
prototipo de ondulador monofsico de tipo fotovoltaico. El modelo final deber trabajar
conectado a la red elctrica, con una potencia de salida mxima alrededor de los 250W y
conseguir el mximo rendimiento de los paneles fotovoltaicos. Tomaremos como punto de
partida que la conformacin del ondulador sea totalmente modular. Es decir, no se disear
un ondulador en su totalidad sino que se partir de mdulos independientes que se
adaptarn para que al unirlos se obtenga un ondulador con las caractersticas buscadas. El
ondulador resultante deber permitir la conexin en paralelo de diferentes etapas de
potencia para poder ampliar la potencia entregada de manera modular y aprovechando la
circuitera comn. Adems, en la medida de lo posible el ondulador deber permitir la
utilizacin de diversas fuentes de energa y obtener el mejor rendimiento posible en la
conversin energtica.
1.2 Energa solar fotovoltaica.
La energa solar es una energa garantizada para 6.000 millones de aos y slo en
Espaa sobre cada metro cuadrado de su suelo inciden al ao unos 1.500 kilovatios-hora de
energa. Entre otros, por estos motivos en los ltimos aos se ha experimentado un notable
crecimiento en la utilizacin de la energa fotovoltaica, con ello se abre un nuevo mbito
para el desarrollo de tecnologas especficas en este campo, en las que la electrnica es
bsica para la optimizacin y aprovechamiento de los recursos energticos disponibles.
Produccin Mundial de Mdulos Fotovoltaicos
4000
3500
3000
2500
Megavatios
2000
1500
1000
500
0
75
77
79
81
83
85
87
89
91
93
95
97
99
01
03
05
07
19
19
19
19
19
19
19
19
19
19
19
19
19
20
20
20
20
Ao
Figura 1.1. Evolucin produccin mundial de mdulos fotovoltaicos

1975-2007. (Earth Policy Institute)
1
En cuanto a la energa solar fotovoltaica el crecimiento ha sido espectacular (figura

1.1), doblando la produccin de mdulos producidos cada dos aos, incrementndose una
media del 48% cada ao desde 2002. A finales del ao 2007, de acuerdo con los datos
preliminares se puede hablar de una produccin mundial acumulada de 12.400 megavatios.
Este espectacular crecimiento se debe a diversos factores, entre ellos las polticas de
subvencin por parte de los estados, en el caso de Espaa, el R.D. 661/2007, establece un
precio de 0,44 /kWh para instalaciones de menos de 100 kWp (kW de pico) durante los
primeros 25 aos y de 0.35 /kWp a partir de entonces. Otro factor es la reduccin del
coste de los mdulos fotovoltaicos que hace de las instalaciones solares fotovoltaicas una
inversin ms rentable.
Coste Medido Mundial de Mdulo Fotovoltaico por Vatio Producido
120
100
Coste(2007 Dolar U.S.) por Vatio
80
60
40
20
0
03
05
99
01
93
95
97
89
91
81
83
85
87
75
77
79
20
20
19
20
19
19
19
19
19
19
19
19
19
19
19
19
Ao
Figura 1.2. Evolucin coste medio mundial del mdulo fotovoltaico por
vatio producido. 1975-2007. (Earth Policy Institute)
En el campo de aplicacin de la energa solar fotovoltaica, existen dos bloques

bsicos, las instalaciones fotovoltaicas de conexin a red y las instalaciones fotovoltaicas
autnomas. Por un lado, los sistemas solares fotovoltaicos de conexin a red que no son
ms que centrales fotovoltaicas de produccin de energa elctrica conectadas a la red
general. Este sistema ha revolucionado el campo de aplicacin de la energa solar
fotovoltaica, ya que bajo planes estratgicos de mbito mundial se ha promovido la
proliferacin de minicentrales fotovoltaicas que ocupan bsicamente espacios urbanos
infrautilizados con buen nivel de radiacin, acercando as la generacin de energa limpia a
los puntos de consumo.
Por otro lado, histricamente los sistemas solares fotovoltaicos han sido utilizados
como sistemas energticos para aplicaciones remotas, aisladas de la red de suministro. En
la actualidad la principal aplicacin de los sistemas fotovoltaicos autnomos se ha centrado
en el mbito rural, especialmente para cubrir la demanda energtica de viviendas o
poblaciones aisladas.
2
Este tipo de aplicacin, contrariamente a lo que pudiera parecer, esta en plena

expansin, especialmente en zonas donde el dficit de electrificacin todava es importante
como es el caso de las zonas rurales de Espaa, pas donde en la actualidad las
instalaciones solares fotovoltaicas autnomas, superan en nmero y potencia a las de
conexin a la red.
Otra aplicacin futura podra estar en la tecnologa del hidrgeno, utilizando la

energa solar para obtener hidrgeno con el que alimentar las pilas de combustible,
actualmente en desarrollo.
1.3 Caractersticas del mdulo fotovoltaico.
La conversin fotovoltaica se basa en el efecto fotoelctrico, es decir, en la conversin

de la energa lumnica proveniente del sol en energa elctrica. Para llevar a cabo esta
conversin se utilizan unos dispositivos denominados clulas solares, constituidos por
materiales semiconductores en los que artificialmente se ha creado un campo elctrico
constante (mediante una unin p-n).
Cuando sobre un semiconductor incide una radiacin luminosa con energa suficiente
para romper los enlaces de los electrones de valencia y generar pares electrn-hueco, la
existencia de una unin p-n separa dichos pares, afluyendo electrones a la zona n y huecos
a la zona p, creando, en resumen, una corriente elctrica que atraviesa la unin desde la
zona n a la p, y que puede ser entregada a un circuito exterior (saliendo por la zona p y
entrando por la n). De esta manera, cuando se expone una clula solar a la luz del sol se
hace posible la circulacin de electrones y la aparicin de corriente elctrica entre las dos
caras de la clula.
Figura 1.3. Representacin esquemtica del efecto fotoelctrico en

una clula solar.
Las clulas solares se componen esencialmente de silicio y otros aditivos. En funcin

del tipo de aditivos o dopantes se aadan y la estructura final que tome el silicio se podrn
distinguir entre tres tipos de clulas.
3
1.3.1 Silicio monocristalino.
El material de silicio caracterizado por una disposicin ordenada y peridica de tomo,

de forma que slo tiene una orientacin cristalina, es decir, todos los tomos estn
dispuestos simtricamente. sc-Si (single crystal). Presentan un color azulado oscuro y con
un cierto brillo metlico. Alcanzan rendimientos de hasta el 17%.
1.3.2 Silicio policristalino.
El silicio depositado sobre otro sustrato, como una capa de 10-30 micrmetros y
tamao de grano entre 1 micrmetro y 1 mm. Las direcciones de alineacin van cambiando
cada cierto tiempo durante el proceso de deposicin. Alcanzan rendimientos de hasta el
12%.
1.3.3 Silicio amorfo.
El silicio amorfo es un compuesto hidrogenado de silicio, no cristalino. No existe

estructura cristalina ordenada, y el silicio se ha depositado sobre un soporte transparente en
forma de una capa fina. Presentan un color marrn y gris oscuro. Las clulas de silicio
amorfo (no cristalino) parecen tener unas perspectivas de futuro muy esperanzadoras. Esta
tecnologa permite disponer de clulas de muy delgado espesor y fabricacin ms simple y
barata, aunque con eficiencia del 6-8%. Su principal campo de aplicacin en la actualidad
se encuentra en la alimentacin de relojes, calculadoras, etc. Son muy adecuadas para
confeccin de mdulos semitransparentes empleados en algunas instalaciones integradas
en edificios
Tambin se utilizan semiconductores compuestos (GaAs, CdTe, InP, etc.). Dado que
diferentes materiales responden a diferentes longitudes de onda, una esta manera se puede
aumentar la eficiencia al utilizar varias capas de materiales diferentes.
1.4 Caractersticas elctricas de los mdulos fotovoltaicos.
Las caractersticas elctricas principales que se tienen en cuenta a la hora de elegir un

mdulo fotovoltaico son las siguientes:
Corriente de cortocircuito I SC
Tensin de circuito abierto VOC
Potencia mxima en punto de mxima potencia PMAX
Intensidad mxima en punto de mxima potencia I MAX
Tensin mxima en punto de mxima potencia VMAX
Estas caractersticas marcarn el comportamiento del panel en circuito abierto,

cortocircuito y trabajando a mxima potencia. Existen otros parmetros como la influencia
de la temperatura sobre el mdulo fotovoltaico o la mxima tensin de aislamiento.
4
Aunque existe una gran variedad de mdulos fotovoltaicos en el mercado slo vamos a
estudiar un pequeo grupo de ellos. En este proyecto se utilizarn mdulos de 12 V con
una potencia de 85 W y por este motivo nos centraremos en esta gama de paneles para
profundizar ms sobre sus caractersticas.
A continuacin, tenemos una tabla comparativa de diferentes modelos de paneles con

una potencia entorno de los 85 W y 12 V donde se muestran las caractersticas elctricas y
mecnicas ms destacadas.
Fabricante Kyocerasolar Ikarus Suntech BP Solar Isofotn Astro-Power

Modelo KC85T IK85 STP085-12/B BP585S IS-75/12 APX-90
PMAX (Wp) 87 85 85 85 75 90
IMAX (A) 5,02 5,10 4,82 4,72 4,34 5,20
VMAX(V) 17,4 16,7 17,6 18 17,3 17,3
ISC(A) 5,34 5,38 5 5 4,67 5,8
VOC(V) 21,7 21 21,6 22,1 21,6 21,9
Alto(mm) 1007 1445 1196 1209 1224 1633
Ancho(mm) 652 580 534 537 545 660
Prof.(mm) 36 34 35 36 39,5 35
Tabla 1.1. Comparativa de mdulos fotovoltaicos de diferentes

fabricantes en el mismo rango de potencia.
Observando, de forma general, para una potencia de 85 W tendremos que la tensin y

la intensidad de trabajo en el punto de mxima potencia tomarn un valor de 5 A y la
tensin 17 V respectivamente. Estos valores se tendrn en cuenta a la hora de modelar el
mdulo fotovoltaico y para disear el ondulador.
Figura 1.4. Relacin tensin-corriente para diferentes niveles de

radiacin en el SP75/12. (Shell Solar)
5
Adems de los valores mximos que toma el mdulo tambin se deber tener en
cuenta el comportamiento dinmico de los mdulos fotovoltaicos. En las figuras 1.4 y 1.5
podemos observar la relacin tensin-corriente en funcin de la radiacin y de la
temperatura. Estas caractersticas variarn de un mdulo ha otro pero el comportamiento
bsico es el mismo para todos lo mdulos.
Figura 1.5. Relacin tensin-corriente para diferentes temperaturas en el

SP75/12. (Shell Solar).
1.5 Modelo del mdulo fotovoltaico.
Para poder realizar simulaciones donde intervengan mdulos fotovoltaicos se deber

encontrar un modelo que represente de la manera ms precisa el comportamiento de los
mdulos. El esquema elctrico que representa el mdulo fotovoltaico es el siguiente:
Figura 1.6. Modelo mdulo fotovoltaico.
Idc representa la corriente de cortocircuito de la clula, Rs la resistencia de los

contactos y conexiones, Rp representa la resistencia a las corrientes de fuga. El diodo
representa la unin PN de la clula, cuya expresin general describe la ecuacin 1.1, donde
Isat = corriente de saturacin, Id = corriente en al unin, Vd = tensin en la unin, Vt=KT/e.
6
Vd
I d = I sat e t 1
kV
(1.1)

Para conseguir un modelo con las caractersticas tensin-corriente vistas anteriormente
se utilizar el circuito de la figura siguiente:
Figura 1.7. Circuito equivalente mdulo fotovoltaico.
Para el elemento no lineal, se ha utilizado una funcin i = f(v) segn la ecuacin 1.2.
[ ]
I d = 110 e (V ) 1 (1.2)
Para aadir el efecto que puede causar un cambio de temperatura o un cambio en el

nivel de irradiacin que incide en el mdulo se han aadido dos perturbaciones al esquema
anterior.
Irradiacin
Temperatura
Existen caractersticas como el comportamiento dinmico en alta frecuencia de la

unin PN que no se tiene en cuenta en el modelo. Aunque el modelo no sea del todo
perfecto para poder comprobar el funcionamiento del ondulador ya nos servir. Para
comprobar la validez del modelo propuesto se realizara una simulacin.
En la figura 1.9 tenemos los resultados de la simulacin, los diferentes trazados

corresponden a las situaciones siguientes:
Lnea de puntos: Irradiacin = 1000 W/m2, temperatura = 25 C.

Lnea con crculos: Irradiacin = 650 W/m2, temperatura = 25 C.
Lnea con cuadrados: Irradiacin = 1000 W/m2, temperatura = 65 C.
Como podemos ver el comportamiento del mdulo fotovoltaico bajo las diferentes
perturbaciones de radiacin y temperatura, coincide con las curvas vistas para los paneles
comerciales. Por lo tanto, damos por vlido el modelo para los mdulos que utilizaremos
en este proyecto.
7
1000
Intensidad (A)
650
65 25
Tensin (V)
Figura 1.9. Relacin tensin-corriente de circuito equivalente al mdulo

fotovoltaico.
Tensin (V)
Figura 1.10. Potencia de salida del circuito equivalente al mdulo

fotovoltaico para 1000 W/m2 y 25 C.
8
1.6 Acoplamiento de los mdulos fotovoltaicos a una carga.
Como hemos visto la caracterstica tensin intensidad de los mdulos fotovoltaicos

vara considerablemente con las condiciones del entorno. Parmetros como la radiacin
solar, la temperatura e incluso la carga conectada al mdulo harn variar su punto de
trabajo. Por tanto, conseguir que el panel trabaje en su punto de trabajo ptimo no ser
tarea fcil.
1.6.1 Conexin directa al mdulo fotovoltaico.
En la siguiente figura se muestra el caso ms sencillo de conexin entre un mdulo

fotovoltaico y una carga resistiva o una batera.
Ipv
Panel Carga
FV Vpv
Figura 1.11. Conexin elctrica Figura 1.12. Punto de trabajo del mdulo fotovoltaico
directa de un mdulo con una carga. en funcin de la radiacin y la carga.
Como se puede ver segn el valor de la resistencia de carga se trabajar a un nivel u

otro de potencia que adems variar con el nivel de radiacin solar. Slo los puntos
marcados con una estrella son las zonas donde el panel fotovoltaico entrega la mxima
potencia. En el caso de que el mdulo fotovoltaico trabaje sobre una batera, esta ltima
marca el valor de la tensin de trabajo del mdulo. El punto donde corta con la
caracterstica del panel, representados con crculos, tampoco ser el punto de mxima
potencia que podra entregar el panel, adems segn el nivel de carga de la batera variar
la tensin en sus bornes lo cual modificar el punto de trabajo del mdulo fotovoltaico.
Si ponemos un ejemplo prctico de la conexin de un mdulo fotovoltaico con una

batera, se ver claramente como influye la tensin de la batera con el punto de trabajo del
panel fotovoltaico. Supongamos el panel modelado en el apartado anterior trabajando con
una radiacin de 1000W/m2 a 25C conectado a travs de un diodo a una batera 12V.
Ipv
Panel
FV Vpv Vbat
Figura 1.13. Cargador de batera.
9
En un primer momento la batera esta descargada y tiene en bornes una tensin de

11 V, cuando la batera esta a punto de conseguir su mxima carga la tensin en sus bornes
es de 14 V. Estos dos estados expuestos para la batera se traducen en dos puntos diferentes
de trabajo para el panel, punto 1 y punto 2 respectivamente.
Punto de mxima potencia
Punto 2
Punto 1
Tensin (V)
Figura 1.14. Potencia de salida del circuito equivalente al mdulo

fotovoltaico para 1000 W/m2 y 25 C.
El rendimiento que obtendramos por el cargador de batera fotovoltaico planteado se

puede expresar de la siguiente manera:
Vbat I bat Pbat

= 100 = 100 (1.3)
V pv _ MPP I pv _ MPP Ppv _ MPP
donde,
Vbat y I bat son la tensin y la intensidad de carga de la batera.
V pv _ MPP y I pv _ MPP son la tensin y la intensidad del mdulo fotovoltaico en
el punto de mxima potencia.
Si calculamos el rendimiento que tenemos en el cargador de batera para los dos

puntos de trabajo, omitiendo las perdidas del diodo, obtenemos lo siguiente:
Punto de trabajo Tensin(V) Potencia(W) Rendimiento (%)

Punto 1 11 55,48 63,8
Punto 2 14 69,91 80,4
Punto de mxima potencia 18 86,95 100
Tabla 1.2. Comparativa de rendimientos segn el punto de trabajo.
10
1.6.2 Etapa de adaptacin entre mdulo fotovoltaico y carga.
Para conseguir optimizar la transferencia de potencia entre mdulo fotovoltaico y la

carga conectada se deber implementar un circuito que permita trabaja a ambos en
condiciones ptimas. Es decir, el mdulo fotovoltaico deber trabajar en un punto de
trabajo que le permita producir la mxima potencia.
En la siguiente figura vemos un esquema en el que se coloca una etapa adaptadora

entre el mdulo y la carga.
Ipv Ic
Panel Etapa Carga

FV Vpv Vc
Adaptadora
Figura 1.15. Conexin a travs de etapa adaptadora.
Las tensiones e intensidades que aparecen podrn ser diferentes las unas de las otras
siempre y cuando se cumpla la condicin:
Ppv _ MAX = Ppv = Pc (1.4)
Es decir, la potencia en la entrada y la salida de la etapa adaptadora ha de ser la misma

y a su vez tendrn que ser iguales que la potencia mxima que puede entregar el mdulo
fotovoltaico. La solucin ms apropiada para conseguir esta etapa adaptadora ser un
convertidor DC/DC que adaptar su impedancia de entrada para conseguir que el panel
trabaje en su punto de mxima potencia.
Por convertidor DC/DC se entiende un circuito que electrnico de potencia que

convertir una tensin continua en otro nivel de tensin continua. El circuito utilizado
habitualmente para implementar este convertidor ser el convertidor conmutado. El
convertidor conmutado se forma a partir de elementos almacenadores de energa, bobinas y
condensadores, ms interruptores electrnicos. En funcin de la combinacin que hagamos
de los elementos bsicos obtendremos diferentes topologas de convertidor conmutado.
Cada topologa tendr unas propiedades diferentes que marcarn las caractersticas de cada
convertidor.
I1 I2
+ +
V1 V2
- -
Consigna
Figura 1.16. Representacin de un convertidor DC/DC.
11
El convertidor DC/DC recibir la consigna de trabajo desde un control basado en el

seguimiento del punto de mxima potencia (MPPT). ste observar el funcionamiento del
mdulo fotovoltaico constantemente adaptando la consigna dada al conversor DC/DC en
funcin de la potencia mxima que pueda generar el mdulo.
Ipv Ic
Panel Conversor Carga

FV Vpv Vc
DC/DC
Control
MPPT
Figura 1.17. Implementacin de la etapa adaptadora con una conversor

DC/DC controlado por MPPT.
1.7 Conversin de la energa solar fotovoltaica a corriente alterna.
Aunque existen aplicaciones que funcionan con corriente continua y pueden ser
alimentadas directamente de los paneles fotovoltaicos, no es lo habitual. Normalmente,
deberemos convertir la corriente continua procedente de los mdulos a corriente alterna
que es ms comn para el uso en las cargas elctricas. Particularmente, en este proyecto la
conversin a corriente alterna es obligada puesto que se trata de incorporar la energa de
los mdulos fotovoltaicos a la red elctrica. De la conversin de corriente continua a
corriente alterna se encarga el ondulador o inversor. Adems, del tipo de ondulador,
autnomo o de conexin a red, otros factores importantes de los onduladores sern: el tipo
de onda que generan, potencia, tensin, frecuencia y distorsin de la seal de salida al igual
que tambin ser importante el rendimiento conseguido por la unidad. A continuacin, se
describen brevemente los onduladores ms conocidos.
I1 I2
+ Conversor
+
V1 DC/AC V2
- -
Figura 1.18. Representacin de un convertidor DC/AC.
1.7.1 Inversor de onda cuadrada.
Este tipo de inversores son los ms sencillos y nicamente regulan la tensin, e

invierten peridicamente el sentido de la corriente sobre la carga. Son los ms econmicos,
pero tambin lo menos eficientes, ya que producen gran cantidad de armnicos, que
producen elevada distorsin armnica e interferencias electromagnticas.
12
Este tipo de convertidores est actualmente en desuso y slo es adecuado para cargas
de pequea potencia, aunque ciertos dispositivos electrnicos no admiten este tipo de
forma de onda para su funcionamiento.
Figura 1.19. Onda cuadrada junto a armnicos.
1.7.2 Inversor con modulacin de anchura de pulso (PWM).
Este tipo de inversores es un poco ms sofisticado que el anterior. La anchura de los

pulsos de salida se va modificando a lo largo del ciclo para acercarse a la forma de onda
sinusoidal. La onda de salida tampoco es una sinusoidal pura, pero el contenido de
armnicos es mucho menor que en los de onda cuadrada y tienen un rendimiento bastante
elevado. Este tipo de onduladores son los ms extendidos actualmente.
Figura 1.20. Tensin en la salida de un ondulador PWM.
13
1.7.3 Inversor multinivel.
Los inversores multinivel son inversores de ltima tecnologa que pueden generar
corrientes o incluso voltajes sinusoidales con mucho menor contenido armnico que los
inversores convencionales. Si el nmero de niveles es lo suficientemente alto, se puede
obtener un voltaje y corriente casi perfecto. La tecnologa multinivel permite generar
seales de corriente y voltaje de mejor calidad que las obtenidas con tcnicas de
modulacin por ancho de pulso aunque son mucho ms complejos.
A medida que el coste de estos convertidores se acerque a los de onda modulada en

anchura de pulso se espera que su uso se popularice. En la siguiente figura se puede
observar como segn vamos aumentando el nmero de niveles se consigue una seal
senoidal ms perfecta.
Figura 1.21. Tensin en la salida de un ondulador multinivel [9].
14
Realizacin de un Ondulador Monofsico de Tipo Fotovoltaico. CAPTULO II
2 Estructura Propuesta.
El objetivo de este proyecto es construir un ondulador monofsico de tipo fotovoltaico
para realizar la conexin a red de diversos mdulos fotovoltaicos. Tomaremos para su
diseo los siguientes criterios: construccin modular del ondulador, aprovechamiento
mximo de los mdulos fotovoltaicos, posibilidad de la conexin en cascada de las etapas
de potencia y realizacin de la conversin energtica con el mayor rendimiento posible.
Todas estas caractersticas se plasmarn en un ondulador cuyo funcionamiento se puede
dividir en tres etapas.
En la figura 2.1 se muestra la estructura del ondulador monofsico de tipo fotovoltaico

conectado a red y se identifican las 3 etapas.
V1 V2 IAC
I1 t t
I1 IAC
Panel + Conversor + Conversor Red

V1 V2 Elctrica
FV DC/DC DC/AC
- -
MPPT
ETAPA 1 ETAPA 2 ETAPA 3
Figura 2.1. Diagrama de bloques de sistema ondulador.
En la primera etapa se buscar el punto de trabajo de mxima potencia del mdulo

fotovoltaico, es decir, se adaptar la impedancia de entrada del ondulador para que el
mdulo fotovoltaico trabaje en el punto ptimo. En la segunda etapa se crear una
corriente senoidal que estar sincronizada con la seal de red con un convertidor DC/AC.
Posteriormente en la ltima etapa, la corriente senoidal ser inyectada a la red mediante un
transformador que dotar al sistema de aislamiento y adaptacin de tensiones.
El conversor DC/DC de la entrada se comportar como un de resistor libre de prdidas

en ingles Lost Free Resistor (LFR) el cual emular en sus terminales de entrada una
resistencia de valor variable. Este elemento recibir la consigna de la resistencia que debe
emular del circuito de control seguidor de punto de mxima potencia en ingls Maximum
Power Point Track (MPPT). El MPPT variar la consigna de resistencia en funcin de las
lecturas de tensin e intensidad entregadas por el mdulo fotovoltaico, buscando que la
potencia extrada del mdulo fotovoltaico sea siempre la mxima.
El convertidor DC/AC se encarga de convertir la corriente continua en corriente

alterna. Para realizar esta conversin se usa un convertidor DC/DC basado en un girador de
potencia tipo G que crear un corriente senoidal rectificada. Esta corriente se convertir en
15
una corriente alterna mediante un puente H que ir invirtiendo peridicamente los

semiperiodos de la seal alterna.
En la siguiente figura se muestra la configuracin del ondulador en el caso de dos

fuentes independientes de energa. Cada fuente alimenta una etapa LFR-girador
independiente que se conectan en paralelo. La conexin en paralelo es posible gracias a la
utilizacin de giradores de tipo G que ofrecen en su salida una corriente controlada. Por
tanto, al tener una fuente de corriente sern fcilmente paralelizables sumando el aporte de
corriente de cada girador.
V11 V21 IG1 IAC
I11 t t t
I11 IG1 IAC
+ + Red
Panel LFR Girador Puente
V11 V21 Elctrica
FV - - H
1
MPPT
Rectificador
V12 V22 IG2
I12 t t
I12 IG2
Panel + +
LFR Girador
V12 V22
FV - -
2
MPPT
Figura 2.2. Diagrama de bloques de sistema ondulador propuesto. [7]
El caso propuesto para el desarrollo del prototipo de este proyecto slo supone dos
fuentes de energa, pero el ondulador podr soportar tantas etapas de potencia conectadas
en paralelo como se deseen, con la nica limitacin en la potencia mxima que puedan
admitir el puente en H y el transformador. En la figura 2.3 se muestra el diagrama de
bloques del ondulador alimentado con n mdulos fotovoltaicos que alimentan n etapas
LFR-girador que se conectan en paralelo a un mismo puente H y transformador.
16
Panel Red
LFR Girador Puente
Elctrica
FV H
1
MPPT
Rectificador
I2
I3
In-1
In
Panel LFR Girador

FV
n
MPPT
Figura 2.3. Diagrama de bloques de sistema ondulador de n ramas.
2.1 Resistor libre de prdidas basado en el convertidor boost.
El primer mdulo que encontramos en la entrada del ondulador es un conversor

DC/DC. Concretamente, es un resistor libre de prdidas o en ingls Lost Free Resistor
(LFR) basado en un convertidor conmutador de tipo elevador o boost. El LFR es un
bipuerto que, como el transformador o el girador de corriente continua, pertenece a la clase
de circuito denominador POPI ( power output = power input). La impedancia de entrada en
DC de un LFR es una resistencia. Esta caracterstica tiene numerosas aplicaciones y en
nuestro caso una muy interesante, podemos adaptar la impedancia de entrada del
convertidor de forma que el punto de trabajo del mdulo fotovoltaico sea el punto de
mxima potencia.
Las ecuaciones por las que se rige en rgimen estacionario el LFR son las siguientes:
V1= rI1 (2.1) V1I1 = V2I2 (2.2)
En las ecuaciones anteriores, I 1 e I 2 son los valores medios de las corriente de

entrada y de salida respectivamente. De manera similar, V1 y V2 representan los
correspondientes valores medios de tensin en la entrada y en la salida. En la figura 2.4 se
muestra el diagrama de bloques del LFR controlado por un lazo de control en modo
deslizamiento. La superficie de este lazo es la siguiente:
17
S(x)=V1 - rI1 (2.3)
Se observa que en rgimen estacionario S(x) = 0 y se cumplir V1= rI1 y puesto que el
convertidor es una estructura de tipo POPI la ecuacin 2.2 tambin se cumplir.
Figura 2.4. Diagrama de bloques de un convertidor conmutado con

caractersticas de LFR. [4]
En la figura 2.4 se muestra el diagrama de bloques de LFR y en la figura 2.5 el

esquema del convertidor boost que sustituye al convertidor genrico recuadrado en lnea de
puntos de la figura 2.4.
Figura 2.5. Esquema convertidor boost. [4]
El anlisis del convertidor boost controlado por deslizamiento nos muestra que el
sistema es estable y tiene la siguiente ecuacin caracterstica. [4]
2
s + =0 (2.4)
RC
18
2.1.1 Simulacin del LFR Boost.
En el siguiente esquema tenemos la configuracin del LFR implementado con un

convertidor boost. El control del interruptor ser en modo deslizante o sliding y se
constituir por un comparador con histresis. Adems se incorporar un sistema de
proteccin contra sobretensiones en la salida del LFR formado por un zener, un transistor y
una resistor. Este sistema de proteccin ser de vital importancia para evitar que la tensin
en la salida del LFR sobrepase la tensin mxima de funcionamiento del diodo, el
MOSFET o del condensador C2 evitando, de esta manera, que se destruyan. El
condensador conectado en la salida del LFR servir para estabilizar la tensin de salida, su
valor elevado permitir al LFR desacoplar mejor la fuente de alimentacin de la carga
conectada en sus terminales de salida.
Convertidor Boost
Filtro de entrada
Proteccin
sobretensiones
Multiplicador
analgico
Comparador con
histresis
Figura 2.6. Esquema simulado en PSIM del LFR boost.
Para comprobar el correcto funcionamiento del LFR se simular su comportamiento

conectando su entrada a una fuente de tensin variable y su salida a un resistor de 10 . La
resistencia que emular en sus terminales de entrada ser fija y de valor 4 . Los
parmetros de la simulacin son los siguientes: Vin = 20 V, C1 = 20 F, L1 = 170 H, C2 =
20 mF, R = 4 , Rout = 10 . El circuito empleado para la simulacin del LFR es el
siguiente:
Figura 2.7. Esquema simulado en PSIM para comprobar el LFR boost.
19
En la siguiente grfica tenemos la tensin e intensidad en la salida del LFR y de la

fuente de alimentacin respectivamente, en la tabla 2.1 se pueden ver los valores
numricos para cada situacin.
V_LF
I_LFR_Out
Vin
Iin
Figura 2.8. Respuesta del LFR boost para una perturbacin de 10 V en

la entrada.
Intervalo Tensin Intensidad Resistencia

Tiempo(s) entrada (V) entrada (A) entrada LFR ()
0,00 - 0,20 20,0 5,0 4
0,20 - 0,25 10,0 2,5 4
0,30 - 0,35 20,0 5,0 4
0,35 0,80 20,0 5,0 4
Tabla 2.1. Resistencia de entrada para el LFR.
La resistencia que emula el LFR son los 4 esperados y vemos como se adapta
perfectamente a las perturbaciones de la tensin de entrada.
Seguidamente realizaremos otra simulacin en la que la tensin de entrada ser fija

pero la consigna de resistencia ha emular por el LFR ser variable en el tiempo. Los
parmetros de la simulacin son los siguientes: Vin = 20 V, C1 = 20 F, L1 = 170 H, C2 =
20 mF, Rout = 10 . En la siguiente figura se muestra el circuito empleado en la
simulacin.
20
Figura 2.9. Esquema simulado en PSIM para comprobar el seguimiento

de la consigna R por el LFR boost.
En los resultados obtenidos se puede ver como la resistencia vista desde los terminales
de entrada en el LFR sigue perfectamente a la referencia.
V_LFR_Out
I_LFR_Out
Vin
Iin
Figura 2.10. Respuesta del LFR boost para referencia R variable.
La tensin salida del LFR est tan amortiguada debido al condensador C2 que por su
gran capacidad suaviza la evolucin de la tensin de salida en el LFR. Por lo que respecta a
la intensidad de salida describe la forma de una funcin del tipo f (t ) = k / t , respuesta que
era de esperar al utilizar como consigna R del LFR una seal con forma de rampa.
En la siguiente figura se mostrar el valor calculado de la impedancia de entrada y de

salida del LFR adems del valor introducido como consigna R al LFR. Como se puede ver
la impedancia de entrada del LFR coincide con la consiga R dada en cada momento.
21
V_LFR_Out/I_LFR_Out
Vin/Iin
Figura 2.11. Respuesta del LFR boost para referencia R variable.
A continuacin, verificaremos el funcionamiento del LFR con una perturbacin en el

valor de la resistencia de salida. Inicialmente el resistor conectado en la salida valdr 10
y al cabo de 250 ms pasar a valer 5. Los parmetros de la simulacin son los siguientes:
Vin = 20 V, C1 = 20 F, L1 = 170 H, C2 = 20 mF, R = 4 .
Figura 2.12. Esquema simulado en PSIM para comprobar la respuesta

para perturbaciones en el valor de la resistencia conectada en la salida
del LFR boost.
Como se puede ver en la figura siguiente el funcionamiento del sistema sigue siendo
correcto, manteniendo en todo momento el valor de la resistencia en los terminales de
entrada.
22
Vin
Iin
V_LFR_Out
Rout
I_LFR_Out
Figura 2.13. Respuesta para perturbaciones en el valor de la resistencia

conectada en la salida del LFR boost.
2.2 Seguimiento del punto de mxima potencia (MPPT)
Como hemos visto el LFR se encarga de adaptar la impedancia de entrada del

ondulador. En el caso anterior, la consigna dada al LFR era fija pero como se vio en las
caractersticas de los mdulos fotovoltaicos, no se obtendr la mxima potencia con una
resistencia fija. Segn las caractersticas de temperatura y sobretodo de irradiacin solar la
impedancia en DC vista por el mdulo fotovoltaico se deber ajustar, por lo tanto, la
consigna del LFR deber variar consecuentemente.
El mdulo encargado de variar la consigna del LFR ser el MPPT el cual monitorizar
constantemente la potencia que entrega el mdulo fotovoltaico y buscar el punto de
mxima potencia. Bsicamente el MPPT observar la derivada de la potencia que entrega
el mdulo fotovoltaico y variar la consigna dada con el siguiente criterio: si la derivada de
la potencia (g) crece se mantiene el signo del incremento de la consigna () y si la derivada
decrece se invierte el signo del incremento de la consigna. En la siguiente figura tenemos
un diagrama de bloques del MPPT.
Figura 2.14. Diagrama de bloques del sistema MPPT. [3]
23
2.2.1 Simulacin del MPPT.
El esquema para el MPPT de la figura 2.15 implementa el algoritmo de control para la

bsqueda del extremo visto anteriormente. De izquierda a derecha tenemos en primer lugar
el multiplicador analgico que encuentra la potencia que entrega el mdulo fotovoltaico
multiplicando la tensin por la intensidad. Seguidamente, el valor de la potencia se filtra
con un filtro paso bajo para eliminar el ruido de alta frecuencia y se deriva. La derivada va
a un comparador con histresis el cual ataca al flip-flop con retardo. Finalmente, la salida
del flip-flop va al integrador que calcula la consigna para el LFR la cual se adapta en
ganancia y se le aade un pequeo offset.
Comparador con histresis
Retardo flip-flop
Multiplicador Integrador
analgico
Ajuste offset
Filtro de entrada y
derivador
Figura 2.15. Esquema simulado en PSIM del MPPT.
Utilizando el siguiente circuito se comprobar el funcionamiento del LFR,

sustituiremos la referencia fija para el LFR por el MPPT explicado.
Figura 2.16. Esquema simulado en PSIM para comprobar el MPPT.
El modelo utilizado para simular el mdulo fotovoltaico ser el explicado

anteriormente, a continuacin tenemos su esquema.
Figura 2.17. Esquema utilizado para simular el mdulo fotovoltaico.
24
I_PV_out*V_PV_out
Figura 2.18. Respuesta del LFR con MPPT.
En la figura anterior tenemos los resultados de la simulacin del MPPT actuando sobre
el LFR. Se puede observar que el mdulo fotovoltaico trabaja en un punto de operacin
que oscila entorno al punto de mxima potencia y, a pesar de las perturbaciones, el sistema
se estabiliza de manera que el mdulo fotovoltaico siempre trabaja en su zona ptima. La
potencia entregada no es constante y tiene un rizado debido al propio sistema de control.
Como hemos visto una vez que el MPPT encuentra el punto de mxima potencia no deja
una consigna fija sino que se mantiene oscilando entorno de este punto. En la segunda
grfica tenemos el valor de la referencia que enviamos al LFR el cual se usa para modificar
el valor de resistencia emulada en sus terminales de entrada.
A continuacin, haremos una ampliacin en la escala del tiempo para poder ver con
ms detalle la evolucin de la tensin, intensidad y potencia que entrega el mdulo
fotovoltaico junto con la consigna que da el MPPT. Para poder observar las magnitudes se
ha cambiado la escala de la potencia y la tensin del mdulo fotovoltaico de manera que
todas las magnitudes queden unas cerca de las otras.
25
I_PV_out*V_PV_out
V_PV_out
I_PV_out
Figura 2.19. Detalle de la respuesta del LFR con MPPT.
2.3 Girador de potencia tipo G
Un girador de potencia de tipo G se define como un convertidor conmutado que

satisface las ecuaciones 2.5 y 2.6 y con la caracterstica que la corriente de entrada y la
corriente de salida no son pulsantes. El girador de potencia de tipo G con la corriente de
salida controlada se comporta como una fuente de corriente en el puerto de salida.
I 1 = g V2 (2.5) I 2 = g V1 (2.6)
I1 I2
+ +
V1 V2
- -
Figura 2.20. Representacin del girador tipo G.
Dentro del ondulador el girador cumplir la funcin de crear una corriente senoidal
rectificada. Observando sus caractersticas la funcin dentro del ondular la podr cumplir
sin ningn problema, variando el factor g ser posible variar la forma de la seal de salida.
Adems gracias a si caracterstica de fuente de corriente en su salida nos permitir la
conexin en paralelo de mltiples giradores.
26
Figura 2.21. Diagrama de bloques de un convertidor conmutado con

caracterstica de girador G. [1]
En la figura 2.21 vemos como el convertidor DC/DC es controlado mediante un

control por deslizamiento o sliding cuya superficie cumple con las caractersticas de un
girador tipo G.
S ( x) = i2 gv1 (2.7)
El convertidor conmutado DC/DC usado para implementar el girador ser un

convertidor reductor o buck con filtro de entrada en ingls buck with input filter (BIF).
El esquema del convertidor BIF se muestra a continuacin.
Figura 2.22. Esquema convertidor buck con filtro de entrada. [1]
El anlisis del girador de tipo G basado en el convertidor BIF controlado por

deslizamiento nos muestra que el sistema es estable y tiene la siguiente ecuacin
caracterstica. [1]
1
s + P( s) = 0
RC 2
(4.8)

donde
1 1 g2R 2 1 g2R 1
P ( s) = s 3 + + s + s + (4.9)
Rd C d Rd C1 C1 L1C1 Rd C d C1 L1C1 Rd C d
27
En el apndice 4, el criterio de Routh se aplicado al polinomio P(S) extrayndose las

siguientes condiciones de estabilidad.
C1 + C d
Rd C d < (4.10)
g 2R
Rd C d > g 2 RL1 (4.11)
g 2 RRd C d + g 2 RL1 (C1 + C d ) < ( g 4 R 2 L1 + C d ) Rd C d
2 2
(4.12)
En el apndice 4 se muestra un procedimiento de clculo para poder determinar el

valor de los componentes del convertidor BIF para garantizar su estabilidad y su correcta
respuesta.
2.3.1 Simulacin del girador tipo G.
La implementacin del girador G se realizar con un convertidor de tipo buck con

filtro de entrada (BIF). El control del convertidor, al igual que el LFR se realizar en modo
deslizante y se implementar con un comparador con histresis. Para verificar su
funcionamiento se realizar la simulacin en PSIM del siguiente girador.
Convertidor BIF
Multiplicador
analgico
Comparador con
histresis
Figura 2.23. Esquema del girador tipo G.
Para comprobar la estabilidad del girador se simular su funcionamiento sometindolo

a perturbaciones en la tensin de entrada y de la carga conectada en la salida. El valor de g
ser 0,25 de manera que la intensidad de salida valdr un cuarto de la tensin de entrada.
Los parmetros de la simulacin son los siguientes: Vin = 30 V, L1 = 12 H, Ra = 1,2 , La
= 22 H, C1 = 12 F, Rd = 2,2 , Cd = 100 F, L2 = 150 H, C2 = 0,1 nF.
28
Figura 2.24. Esquema simulado en PSIM para comprobarla respuesta

del girador tipo G a perturbaciones de tensin de entrada y a
perturbaciones en la carga de salida.
La respuesta obtenida mediante simulacin se muestra en la figura 2.25. Se puede

observar como la intensidad es aproximadamente 30 V 0,25 y se mantiene en este valor
sea cual sea la carga conectada al girador puesto que acta como una fuente de corriente
controlada. En el caso de la perturbacin de tensin en la entrada, la tensin baja a 20 V de
manera que la intensidad de salida tambin se modifica proporcionalmente.
Vin
V_Gir_Out
I_Gir_Out
Figura 2.25. Respuesta del girador tipo G.
En la siguiente tabla tenemos los valores numricos para cada situacin. Se observa
que la relacin entre tensin de entrada e intensidad de salida varia ligeramente respecto de
la esperada g = 0,25, pero la diferencia es constante.
29
Intervalo Tensin Entrada Intensidad Salida Valor de g

Tiempo(s) Girador(V) Girador (A) (S)
0,00 0,20 30,00 6,83 0,23
0,20 0,25 20,00 4,57 0,23
0,40 0,80 30,00 6,86 0,23
Tabla 2.2. Valor de g emulado por el girador.
2.4 Referencia para girador
Adjunto al girador tendremos un circuito que se encargar de generar la referencia que

corresponde a la conductancia g del girador, de esta forma la corriente de salida del girador
reproducir la corriente senoidal rectificada. Dado que la corriente producida se deber
inyectar a la red elctrica la seal de referencia tendr que ser una fiel reproduccin de la
tensin de red. Es decir, tendremos que rectificar la tensin de red obteniendo como
resultado una seal que mantenga la fase, y la forma.
El circuito utilizado para esta misin es un rectificador de puente completo de

precisin. Se trata de un circuito formado por dos etapas, en la primera se amplifica y
separa de manera independiente el semiperiodo positivo del semiperiodo negativo. En la
segunda etapa tenemos un sumador-restador, el cual suma el resultado del semiperiodo
positivo del anterior circuito y se resta el resultado del semiperiodo negativo. De esta
manera, el semiperiodo positivo queda igual y el semiperiodo negativo al estar restado
tambin se convierte en positivo.
V
V
V t
t
t
Figura 2.26. Diagrama de bloques del rectificador de puente completo.
2.4.1 Simulacin de la referencia para girador.
El esquema utilizado para implementar el rectificado de onda completa de precisin es

el siguiente:
30
Figura 2.27. Esquema del rectificador de puente completo de precisin.
Para comprobar el funcionamiento de la referencia junto con el girador se simula el

siguiente circuito. Los parmetros de la simulacin son los siguientes: Vin = 40 V, L1 = 12
H, Ra = 1,2 , La = 22 H, C1 = 12 F, Rd = 2,2 , Cd = 100 F, L2 = 150 H, C2 = 0,1
nF.
Figura 2.28. Esquema simulado en PSIM del girador tipo G con

referencia senoidal rectificada positiva.
Los resultados obtenidos en la simulacin son los esperados, en la primera grfica

tenemos la tensin e intensidad de salida del girador. Como era de esperar la intensidad
toma la forma que marca la referencia y mantiene el mismo valor eficaz puesto que la
tensin de entrada es constante. Por lo que ser refiere la tensin, debido a la perturbacin
que tenemos en la carga al ser la intensidad constante tendr que reducirse.
31
V_Gir_Out
I_Gir_Out
Vref
Vac
Figura 2.29. Respuesta del girador con la referencia.
2.5 Puente en H
El puente en H se encarga de convertir la corriente procedente del girador de forma

senoidal rectificada en senoidal. Para ello se invierten semiperiodos alternos cada 0,01s
dando lugar a una seal senoidal de frecuencia 50 Hz. El funcionamiento del puente en H
se basa en un inversor en puente completo el cual es la base de bastantes inversores de
onda cuadrada.
Figura 2.30. Esquema del puente en H.
32
Se puede observar en las figura 2.31 como al cerrar S1 y S2 o S3 y S4

alternativamente se consigue invertir el sentido de la corriente que va a la carga conectada
en la salida del puente en H.
Figura 2.31. Funcionamiento del puente en H.
2.5.1 Simulacin del puente en H.
En la siguiente figura vemos el esquema utilizado para la simulacin del puente en H.
Figura 2.32. Esquema del puente en H.
El circuito simulado es el mismo que el utilizado para comprobar el girador

incorporando el puente en H. La seal que se enva al puente en H procede de un
comparador con cero de la seal senoidal de red. Cuando la seal de red es positiva se
enva un uno al puente H y cuando la seal es negativa enva un cero. De esta manera se
consigue activar un lado u otro del puente.
33
Figura 2.33. Esquema simulado en PSIM del girador tipo G con puente
en H.
En la siguiente imagen tenemos los resultados de la simulacin del girador con el

puente H. Como era de esperar la seal conserva las caractersticas vistas anteriormente
pero esta vez con forma de senoide.
V_HB_Out
I_HB_Out
Figura 2.34. Respuesta del puente en H conectado al girador tipo G.
34
2.6 Transformador
El ltimo bloque constitutivo del ondulador es un transformador monofsico con un

primario y un secundario. Su funcin es adaptar la tensin de trabajo del ondulador a la
tensin de la red elctrica y aislar elctricamente los dos sistemas. Concretamente, elevar
la tensin de salida del puente en H, hecho que permitir al ondulador trabajar en el rango
de la muy baja tensin con las ventajas que esto comporta en la manipulacin y diseo del
ondulador.
NP
VP = VS (2.13)
NS
NP
IS = I P (2.14)
NS
NP
N= (2.15)
NS
Figura 2.35. Funcionamiento del
transformador ideal.
El valor de N est alrededor de 1/13 de manera que el valor mximo de tensin en la

salida del puente en H rondar los 25 V.
2.6.1 Simulacin del transformador.
La siguiente figura muestra el esquema con que se ha simulado la conexin a red

mediante transformador del girador.
Figura 2.36. Esquema simulado en PSIM del girador tipo G conectado a

red con transformador.
A continuacin, tenemos los resultados de la simulacin para el girador conectado a

red a travs de un transformador.
35
V_Red
V_HB_Out
I_HB_Out
I_Red
I_Ond
Figura 2.37. Respuesta del sistema conectado a red.
En la primera grfica se muestran las tensiones de red y en la salida del puente en H.

En la segunda grfica se pueden ver las intensidades correspondientes a la salida del puente
H antes ( I(S3.I_HB_Out) ) y despus del transformador ( I_Ond ) y la intensidad que
suministra la red. Se constata como todas las seales permanecen inalteradas a lo largo de
la simulacin a excepcin de la corriente suministrada por la red. Esto sucede al aparecer la
perturbacin en la carga del sistema que obliga a entregar ms corriente para mantener la
tensin, en girador seguir entregando la misma corriente puesto que su referencia no se ve
modificada por esta perturbacin.
2.7 Ondulador con dos mdulos fotovoltaicos
Hemos visto el funcionamiento del LFR y del girador por separado. Para verificar el
funcionamiento de todos los elementos interconectados del ondulador ms la conexin en
cascada de dos giradores se realizar la simulacin del siguiente circuito. Cada girador ir
conectado a un mdulo fotovoltaico de caractersticas diferentes, el primero trabajar a
12 V 5 A y el segundo trabaja a 24 V 5 A. Ambos mdulos se basan en el mdulo
simulado anteriormente presentado perturbaciones para cambio de temperatura y radiacin.
36
Figura 2.38. Esquema simulado en PSIM para comprobar el ondulador

completo.
Para simplificar la vista del circuito final se ha aadido dentro de la referencia para el
girador el comparador que generaba la referencia para el puente H. Tambin se ha aadido
a la ganancia del amplificador de instrumentacin la ganancia asociada a los giradores, de
esta manera el esquema para la referencia del girador queda de la siguiente manera.
Figura 2.39. Esquema de la nueva referencia para girador.
El girador tambin ha sufrido una pequea modificacin debido a un problema de

tensin baja. Cuando la tensin en la entrada no es suficientemente grande como para
llegar al mnimo necesario para satisfacer el nivel de salida, la corriente de salida no poda
seguir la referencia. Por este motivo se ha aadido una proteccin al control del girador de
manera que si la tensin no llega a un valor mnimo no genera seal en la salida.
37
Figura 2.40. Esquema del nuevo girador tipo G.
2.7.1 Simulacin del ondulador con dos mdulos fotovoltaicos.
Los resultados obtenidos tras la simulacin del ondulador son los mostrados en la
figura 2.42 que contiene 4 grficas. La primera grfica corresponde a la potencia entregada
por los mdulos fotovoltaicos, como era de esperar el segundo mdulo entrega el doble de
potencia que el primero. Vemos que los dos estn sometidos a las mismas perturbaciones y
gracias los MPPTs se mantienen en la zona de trabajo ptimas. En la figura 2.41 se
recuerda el circuito equivalente utilizado para la simulacin del mdulo fotovoltaico
resaltando las perturbaciones de irradiacin y temperatura.
Irradiacin
Temperatura
La segunda y tercera grfica muestra las tensiones de salida de los LFRs y las
intensidades de salida de los giradores respectivamente. Vemos como segn aumenta la
tensin de entrada del girador tambin lo hace la intensidad de salida del girador. Por lo
que se refiere a la cuarta grfica tenemos la intensidad que aporta el ondulador y la red a la
carga. Segn aumenta la intensidad del ondulador que corresponde a la suma de los
giradores la intensidad aportada por la red disminuye. En el siguiente detalle de la figura
2.38 se muestran las intensidades referentes al ondulador y a la red.
38
Figura 2.42. Detalle corrientes ondulador y red.
S8.I_PV_Out*S8.V_PV_out
S9.V_LFR_Out
S4.V_LFR_Out
S10.I_Gir_Out
S2.I_Gir_Out
I_Ond
I_Red
Figura 2.43. Respuesta del ondulador con perturbaciones en los paneles

por temperatura y radiacin.
En la siguiente figura se muestra una ampliacin de la anterior grfica donde se

aprecia con ms detalle la forma de onda en la salida del ondulador.
39
S9.V_LFR_Out
S4.V_LFR_Out
S10.I_Gir_Out
S2.I_Gir_Out
I_Ond
I_Red
Figura 2.44. Detalle de la respuesta del ondulador con perturbaciones en

los paneles por temperatura y radiacin.
Para conseguir una simulacin ms dinmica se intentar simular el efecto de la noche

y el da. Para ello se modificar el modelo de los mdulos fotovoltaicos de manera que la
potencia entrega variar a lo largo del tiempo, empezando desde cero y evolucionando
hasta su valor mximo (amanecer), posteriormente volver a decrecer hasta cero
(anochecer). El esquema utilizado para simular el mdulo fotovoltaico es el siguiente:
Figura 2.45. Esquema de modelado para el mdulo fotovoltaico con

perturbacin noche-da.
Los resultados obtenidos en esta simulacin son los que tenemos a continuacin.
40
S3.V_LFR_Out
S7.V_LFR_Out
S8.I_Gir_Out
S2.I_Gir_Out
I_Red
I_Ond
Figura 2.46. Respuesta del ondulador con respuesta noche-da en los

paneles.
En la primera grfica tenemos la potencia que entregan los paneles fotovoltaicos

donde se puede observar que el MPPT tiene problemas para conseguir la mxima potencia.
Esta situacin es debida a la particular forma de onda que tiene la potencia en este caso y a
la rpida evolucin de la seal, es previsible que en un caso real donde las variaciones sean
ms lentas el seguimiento del punto de mxima potencia sea ms preciso. En la segunda
grfica tenemos la tensin de salida en el LFR, dado que los condensadores estn
descargados la tensin parte de cero y crece segn los mdulos solares aportan energa. Por
lo que respecta al girador como era de esperar, hasta que la tensin de entrada no alcanza
los 24 V no deja circular corriente en su salida. Una vez la tensin llega a 24 V siguiendo
la referencia de senoidal rectificada genera corriente que crece y decrece en amplitud en
funcin de la tensin de salida del LFR. Finalmente, en la ltima grfica se puede ver la
intensidad que aporta la red y el ondulador a la carga del sistema simulado. Inicialmente,
toda la intensidad la aporta la rede elctrica y una vez que los mdulos fotovoltaicos
producen energa la corriente del ondulador va incrementando su valor de manera que la
red suministra menos potencia a la carga. Cuando llega la noche y los mdulos dejan de
producir corriente de nuevo la intensidad aportada por el ondulador a la red decrece hasta
hacerse cero y la red elctrica toma el relevo para alimentar la carga.
41
S3.V_LFR_Out
S7.V_LFR_Out
S8.I_Gir_Out
S2.I_Gir_Out
I_Ond
I_Red
Figura 2.47. Detalle de la respuesta del ondulador con respuesta noche-

da en los paneles.
42
Realizacin de un Ondulador Monofsico de Tipo Fotovoltaico. CAPTULO III
3 Dimensionado y seleccin de componentes.

En el siguiente apartado se procede a detallar los clculos de los componentes
principales de cada mdulo del ondulador fotovoltaico y la seleccin de la solucin
comercial ms adecuada en cada situacin.
3.1 Mdulos fotovoltaicos
El punto de partida para el dimensionado del ondulador son los mdulos fotovoltaicos
que tendr conectados en la entrada. Los mdulos disponibles en el laboratorio son de 85W
y 12 V de manera que para cumplir lo objetivos del proyecto se propone la siguiente
configuracin.
CASO 1. Panel 1:
Tensin mxima: 20 V.
Intensidad mxima: 5 A.
Potencia mxima: 85 W.
Figura 3.1. Configuracin mdulos

fotovoltaicos n 1.
CASO 2. Paneles 2 y 3 (en serie):

Tensin mxima: 40 V.
Intensidad mxima: 5 A.
Potencia mxima: 170 W.
Figura 3.2. Configuracin mdulos

fotovoltaicos n 2.
Cada mdulo de potencia se compondr de un LFR boost con su MPPT asociado y de

un girador. La referencia del girador ser comn para todos los giradores y al igual que el
puente en H solo habr uno en cada ondulador.
Por tanto, con la configuracin expuesta haremos trabajar al ondulador con una
potencia mxima de 255 W y podremos verificar la conexin en cascada de dos mdulos
de potencia alimentados con fuentes de diferentes caractersticas. Para simplificar el diseo
del ondulador se buscar una solucin nica para los mdulos de potencia que mediante
pequeos ajustes se puedan conectar mdulos fotovoltaicos de diferentes caractersticas.
43
3.2 LFR Boost
3.2.1 Componentes pasivos: L y C.
Calcularemos los componentes pasivos del boost tanto en el caso 1 como en el 2. A

continuacin, se muestran los clculos agrupados para cada caso:
CASO 1. Panel 1:
Margen de tensin de entrada: 10 V a 24 V

Potencia mxima entregada a la carga: 85 W
Frecuencia de conmutacin mxima: 400 kHz
Rizado mximo de la corriente en la bobina: 1 %
Tensin nominal a la salida del convertidor: 40 V
Tensin mnima a la salida permitida: 36 V
Tiempo de hold up : 20 ms
El primer paso es calcular el valor de la resistencia de carga para la potencia dada de

85 W. Se obtendr a partir de la potencia de salida y de la tensin nominal de salida:
2 2
V V 40 2
Pout = Out RL = Out RL = RL = 18,82 (3.1)
RL Pout 85
A continuacin, calcularemos el inductor del boost, para ello necesitamos el rizado

de corriente mximo permitido y el ciclo de trabajo para la condicin ms desfavorable.
Esta situacin aparece cuando la tensin de entrada est en su valor mnimo. El primer
paso es calcular el valor del rizado de la corriente en la bobina.
P
I L = 0,01I L I L = 0,01 Out I L = 0,085 A (3.2)
VIn (min)
A continuacin, calculamos el ciclo de trabajo.
VIN (min) 10
D = 1 D = 1 D = 0,722 (3.3)
VOUT (min) 36
Finalmente, podemos calcular el inductor.
VIN (min) D 100,722

L= L= L = 212,35 H (3.4)
I L f s 0,085200000
El clculo del condensador de filtrado se basa en el tiempo de hold-up. Este marca el

tiempo que tras un fallo en la alimentacin del circuito la tensin de salida se mantiene
dentro de unos mrgenes aceptable de tensin.
44
1 VOUT (max) VOUT (min)

2 2
POut = C C = 11,184 mF (3.5)

2 t HU
CASO 2. Panel 2 y 3:
Para este caso repetiremos los clculos realizados en caso anterior pero ahora la
alimentacin del boost proceder de dos paneles conectados en paralelo. Las caractersticas
que deber cumplir el convertidor son las siguientes:

Potencia mxima entregada a la carga 170 W
Rizado mximo de la corriente en la bobina: 2 %.
Tensin nominal a la salida del convertidor: 40 V
Tensin mnima a la salida permitida: 36 V
Tiempo de hold up: 20 ms.
Clculo de resistencia de salida.

2
VOut
Pout = R = 9,412 (3.6)
RL
Clculo del rizado de intensidad y ciclo de trabajo para calcular la bobina del
convertidor.
P
I L = 0.02I L I L = 0.02 Out I L = 0,17 A (3.7)
VIn (min)
VIN (min)
D = 1 D = 0,444 (3.8)
VOUT (min)
VIN (min) D
L= L = 261,43 H (3.9)
I L f s
Clculo del condensador de salida.

2 2
POut = C C = 11,184 mF (3.10)

2 t HU
Como se puede observar los componentes calculados para el LFR tanto en el caso 1
como en el caso 2 son bastante similares. De esta manera, se decide disear un nico LFR
boost con una L = 220 H que es un valor bastante comercial y un C = 20 mF. El
condensador se ha sobredimensionado ligeramente ya que el valor calculado es el mnimo
terico y puesto que la tensin de salida del LFR es la tensin de entrada para el girador se
desea que est lo ms estabilizada posible.
45
3.2.2 Comparador con histresis.
El sistema de control del LFR se basa en el modo deslizante que se implemente en el

circuito con un comparador con histresis o concretamente, un disparador de Schmitt. La
estructura del comparador es la siguiente:
Figura 3.3. Esquema del comparador con Figura 3.4. Respuesta del comparador con
histresis. histresis.
Si suponemos Vr igual a cero la relacin entre la entrada y la salida es la que se

muestra en la figura 3.4. VOH y VOL son el valor alto y bajo que toma el comparador y VTL
y VTH son los valores umbral o de disparo que debe alcanzar la seal de entrada para que
cambie de estado. La relacin que existe entre estos valores se expresa mediante las
siguientes ecuaciones.
R1
VTH = VOH (3.11)
R1 + R2
R1
VTL = VOL (3.12)
R1 + R2
De esta manera, fijando los valores de R1 y R2 podremos ajustar el margen de

diferencia entre una seal y otra para que se produzca un cambio de estado. Para el caso
del LFR tenemos los siguientes valores: VOH = 5 V , VOL = 0 V , VTH = 0,1 V y VTL = 0 V .
Fijaremos el valor de R1 a 10 k de manera que R2 ser:
R1 VOH
R2 = R1 R2 = 490 k (3.13)
VTH
En la simulacin se eligi un resistor de 100 k puesto que el valor alto de la salida,

VOH , es igual a 1 V.
46
3.2.3 Proteccin de sobretensin.
Un inconveniente que tiene el LFR es que si por algn motivo la carga se

desconectase el boost seguir elevando tensin de salida indefinidamente. En la prctica
esta situacin no sucede pero si puede darse el caso que la tensin de salida se eleve por
encima de las tensiones mximas de los componentes. En este caso existe un riesgo
potencial de que algn componente se destruya, por este motivo se colocar un dispositivo
que pare el boost cuando se llega una tensin mxima segura. El esquema de la
proteccin de sobretensin es el siguiente:
Figura 3.5. Esquema de la proteccin de sobretensin.
El diodo zener seleccionado es el BZX85-C43 con una tensin zener entre 40 46 V

y una intensidad mxima de zener de 26 mA. En el peor de los casos el diodo conducir a
los 46 V con lo que quedan 4 V para alcanzar la tensin mxima de trabajo de los
condensadores de salida. Una vez que se supera la tensin de zener el diodo conduce
libremente en inversa y el resistor Rz se deber dimensionar correctamente para que no se
supere la mxima corriente del diodo.
VLFR 50V
Rz = RZ = RZ = 1923 (3.14)
Iz 26mA
Este es el valor mnimo para que el diodo funcione correctamente pero para evitar
sobre calentamiento y prdida de potencia se colocara un resistor 10 veces ms grande. El
valor comercial elegido para el resistor Rz ser de 22 k.
Finalmente, deberemos calcular el resistor Rb para limitar la corriente de base en el

transistor. El transistor elegido es el BC109 que en saturacin la VEB mxima es de 0,9 V y
la intensidad de base deseada es de 1 mA.
VRZ VEB 1V 0.9V

Rb = Rb = RZ = 100 (3.15)
IB 1mA
47
3.2.4 Disipador de calor.
El clculo del disipador de calor se har para el LFR que trabaja en el caso 2, 2
paneles en paralelo, ya que son las condiciones ms exigentes y en las que se va a disipar
ms potencia.
Para hacer el clculo del disipador necesario en el LFR Boost haremos una analoga
entre los circuitos elctricos y los circuitos de flujo de calor. Definiremos la ley de Ohm
para un circuito de flujo de calor que quedar expresada de la siguiente manera:
T j Ta = PRth _ t (3.16)
Donde,
Tj: Temperatura mxima de la unin del elemento semiconductor.
Ta: temperatura ambiente.
P: potencia consumida por el componente.
Rth_t: resistencia trmica total entre la unin y el aire ambiente.
En esta ecuacin habr unos valores que prefijamos:
T j = 100 C , mxima admitida por el dispositivo 175 C.

Ta = 25 C
En el siguiente paso se calculara la potencia que consumir el componente, en

nuestro caso un transistor MOSFET y un diodo Schotty.
MOSFET IRLIZ44N
En el interruptor MOSFET tendremos dos tipos de prdidas: perdidas por

conmutacin y prdidas por conduccin. Puesto que la capacidad de puerta del MOSFET
utilizado y los tiempos de transicin entre estados es pequeo, negligiremos las prdidas de
conmutacin en frente de las prdidas por conduccin que sern las mayoritarias. Por lo
tanto, la potencia que consume el MOSFET debido a las prdidas por conduccin se
expresa de la siguiente manera:
P = R I 2 D (3.17)
donde
R es la resistencia drenador surtidor del MOSFET.
I es la intensidad que circula a travs del drenador surtidor.
D es el ciclo de trabajo.
La resistencia que tendr el dispositivo es de 0,035 en el peor de los casos y la

intensidad eficaz que circular es de:
170 W
I= I rms = 5 A (3.18)
34 Vrms
48
Por lo tanto la potencia consumida por el MOSFET son:
P = 0,0355 2 0,444 P = 0,389 W (3.19)
Diodo Schotty MBR 1045
Para saber la potencia que disipa el diodo tendremos que mirar la hoja de
caractersticas que nos da el fabricante, donde tenemos lo siguiente.
Figura 3.6. Potencia disipada en funcin de la intensidad en directa para

el diodo MBR1045.
La corriente eficaz que circula por el diodo es de 5 A con un ciclo de trabajo de (1-D)
por lo que son 2.8 A. Por lo tanto, segn la grfica anterior la potencia que disipa el diodo
en el LFR Boost es de:
P =1 W (3.20)
Volviendo a la ecuacin planteada inicialmente:
T j Ta = PRth _ t (3.21)
T j Ta = P( Rth _ j c + Rth _ c amb ) (3.22)
Despejamos la resistencia trmica y sustituimos los valores conocidos. Para Rth _ j c

elegimos el peor caso que es para el MOSFET.
T j Ta
Rth _ c amb = Rth _ j c (3.23)
P
49
75 C
Rth _ c amb = 3,3 C/W (3.24)
1,389 W
Rth _ c amb = 50,70 C/W (3.25)
Por lo tanto la resistencia trmica que deber tener el disipador es de 50,70 C/W .
3.3 Girador tipo G.
3.3.1 Componentes pasivos: L y C.
Calcularemos los componentes pasivos del buck tanto en el caso 1 como en el 2. A

continuacin, se muestran los clculos agrupados para cada caso:
CASO 1. Panel 1:

Potencia mxima entregada a la carga: 85 W
Rizado mximo de la corriente en la bobina: 5 %
Tensin mxima en la salida del convertidor: 27 V
Tensin mnima en la salida del convertidor: 0 V
Tiempo de hold up : 2,5 s
CASO 2. Panel 2 y 3:
Es igual que el anterior pero con una potencia de salida de 170 W.
Se puede observar en las especificaciones del girador que la tensin de salida oscila
entre 0 y 27 V. Esto implica que el convertidor buck no va ha trabajar en una zona estable
sino que ir variando constantemente el punto de trabajo. Para tener un punto de referencia
cogeremos la situacin en que la tensin de salida es 27 V. A partir de este valor de
inductancia se harn ajustes mediante el sistema de prueba y error para conseguir el
comportamiento deseado.
Clculo del rizado de intensidad y ciclo de trabajo para calcular la bobina del
convertidor.
I L = 0,05I L I L = 0,05(VIN VOUT ) I L = 0,45 A (3.26)
VOUT (min)
D= D = 0,692 (3.27)
VIN (min)
50
(VIn (max) VOut )VOut

L= L = 123,91 H (3.28)
VIn (max) f I Out
Clculo del condensador de salida.

2 2
POut = C C = 15,88 F (3.29)

2 t HU
3.3.2 Comparador con histresis.
Para hacer el clculo del comparador con histresis se procede igual que en el caso
del LFR. Particularizando, para el caso del girador tenemos los siguientes valores:
VOH = 5 V , VOL = 0 V , VTH = 0,05 V y VTL = 0 V . Fijaremos el valor de R1 a 10 k de
manera que R2 ser:
R V
R2 = 1 OH R1 R2 = 990 k (3.30)
VTH
De igual manera, que en el caso del LFR calcularemos el disipador necesario para el
girador. Utilizaremos la misma expresin que en caso anterior. A continuacin, se procede
al clculo de las potencias disipadas por el transistor MOSFET y los diodos Schotty.
MOSFET IRLIZ44N
La potencia que consume el MOSFET se expresa de la siguiente manera:
P = R I 2 D (3.31)
donde
R es la resistencia drenador surtidor del MOSFET.
I es la intensidad que circula a travs del drenador surtidor.
D es el ciclo de trabajo.
La resistencia que tendr el dispositivo es de 0,035 en el peor de los casos y la

intensidad eficaz que circular es de:
170 W
I= I rms = 9,5 A (3.32)
18 Vrms
Por lo tanto la potencia consumida por el MOSFET son:
P = 0.0359,5 2 0,692 P = 2,19 W (3.33)
51
Diodos Schotty MBR 1045
Mirando la hoja de caractersticas del diodo cuando circulan 10 A multiplicado

por(1-D), que son 3,08 A, la potencia que disipa el diodo es:
P = 1,5 W (3.34)
El segundo diodo esta sometido al paso de 6,3 A eficaces, mirando en la tabla del
fabricante vemos que disipar 2,7 W. Por lo tanto la potencia total disipada por los dos
diodos es de:
P = 4,2 W (3.35)
Finalmente, calculamos el valor de la resistencia trmica total entre la unin y el

ambiente.
75 C
Rth _ c amb = 3,3 C/W (3.36)
6,39 W
Rth _ c amb = 8,43 C/W (3.37)
3.3.4 Driver para el MOSFET.
Dadas las caractersticas especiales del girador, el transistor MOSFET deber realizar
conmutaciones a alta frecuencia que interesarn, obviamente, que sean lo ms rpidas
posibles. Adems la configuracin del convertidor buck hace que el MOSFET se encuentre
en una conexin flotante lo que dificulta el trabajo del driver de potencia para el transistor.
El driver seleccionado para controlar el MOSFET del girador ser un driver de tipo
bootstrap que mediante una bomba de carga eleva la tensin para alimentar la puerta del
MOSFET tomando como referencia la tensin de la fuente. El modelo comercial utilizado
es el IR2125 y tendr dos componentes crticos que sern necesarios calcular: condensador
y diodo de bootstrap.
52
Figura 3.7. Condensador y diodo de bootstrap usados por el driver del

MOSFET en lado alto.
Clculo del condensador de bootstrap.
La siguiente ecuacin detalla la mnima carga que debe ser suministrada por el
condensador de bootstrap`.
I qbs (max) I Cbs ( leak )

Qbs = 2Qg + + Qls + (3.38)
f f
Donde,
Qg = Carga de la puerta del MOSFET.

I cbs (leak ) = Corriente de fuga del condensador de bootstrap.
I qbs (max) = Mxima corriente para la circuitera del lado alto driver.
Qls = diferencia de nivel de carga necesario por ciclo = 5 nC (500 V/600 V
ICs) o 20 nC(1200V ICs)
f = frecuencia de trabajo.
La funcin del condensador ser suministrar suficiente carga para que se mantenga el
voltaje estable. Si esto no se cumple la tensin Vbs tendr mucho rizado y si cae por debajo
de la tensin de undervoltage el driver se bloquear. Por lo tanto el condensador Cbs deber
ser como mnimo el doble del valor anterior. El condensador mnimo se calcular con la
siguiente ecuacin.
I qbs (max) I Cbs ( leak )

22Qg + + Qls +
C f f
(3.39)
VCC V f LLS VMin
Donde,
V f = Cada de tensin en conduccin directa del diodo.

VMIN = Tensin mnima entre Vb y Vs.
VLS = Cada de tensin en la carga del MOSFET.
Si sustituimos los valores en la ecuacin tenemos lo siguiente:
10 15
2 248 + +5+
300
C
300
(3.40)
15 1,25 1 7,7
202,05
C C 40 nF (3.41)
5,5
53
El valor obtenido es el mnimo absoluto imprescindible para que funcione el

controlador. Debido a la naturaleza del circuito de bootstrap, un valor muy bajo para el
condensador Cbs podra traducirse en un dao para el circuito. Por este motivo y para
reducir aun ms el valor de rizado de la tensin Vbs el valor del condensador obtenido en la
ecuacin anterior se multiplicar por un factor de 15.
C bs = 0,6 F (3.42)
Para conseguir un resultado ptimo y conseguir un buen desacoplo optaremos por

colocar un condensador cermico de 1 F con bajo ESR.
Clculo del diodo de bootstrap
El diodo de bootstrap ( Dbs ) deber ser capaz de bloquear la mxima tensin vista en
el lado alto del dispositivo cuando el MOSFET es activado. Tiene que ser un diodo de
recuperacin rpida para minimizar la cantidad de carga que devuelve el condensador de
bootstrap a la alimentacin, tambin deber tener un corriente de fuga inversa lo ms
pequea posible para el condensador no se descargue con el tiempo. Por ltimo, la
intensidad que debe soportar es el producto de la carga calculada en la ecuacin 3.38 y la
frecuencia de trabajo.
I F = Qbs f = 0,04 A (3.43)
Por lo tanto las caractersticas que deber tener el diodo son:
VRRM = 20 V
t rr (max) = 100 ns
3.4 Puente en H
3.4.1 MOSFETs.
El componente principal del puente en H son los interruptores que se encargar de

invertir peridicamente la seal a la entrada del puente. Concretamente, se compone de 4
MOSFETs que se activan de dos en dos cada vez. Las caractersticas elctricas del puente
en H son las siguientes:
Tensin eficaz de entrada: ..........25 V.

Tensin mxima: ........................36 V.
Intensidad eficaz de entrada: ......10,2 A.
Intensidad mxima: .....................15 A.
Frecuencia de conmutacin: ........10 ms.
54
Los transistores elegidos debern soportar estas condiciones de trabajo con la menor
disipacin de potencia y el menor coste posible. Adems ser interesante que permita un
control sencillo y una instalacin sobre disipador cmoda.
El transistor elegido para conformar el puente en H es el IRLIZ44N. Soporta una

tensin mxima de drenador-surtidor de 55 V, con una resistencia drenador-surtidor de
0,035 y una intensidad mxima de drenador de 30 A. Todas las caractersticas son
suficientes para permitir el correcto funcionamiento del puente en H y adems permite el
control de puerta con nivel lgico de tensin y se ofrece con encapsulado TO-220 fullpak
que permite instalarse sin necesidad de aislantes.
Figura 3.8. Encapsulado y diagrama del IRLIZ44N.
De igual manera que en los casos anteriores calcularemos el disipador necesario para
los transistores del puente en H. Utilizaremos la misma expresin que en caso anterior.
A continuacin, se procede al clculo de las potencias disipadas por el transistor
MOSFET.
MOSFET IRLIZ44N
La potencia que consume un MOSFET en el peor de los casos ese de:
P = 0,03510,2 2 0,5 P = 1,82 W (3.44)
Dado que el puente en H tiene 4 interruptores MOSFET la potencia total a disipar es:
P = 7,28 W (3.45)
Finalmente, calculamos el valor de la resistencia trmica total entre la unin y el

ambiente.
75 C
Rth _ c amb = 3,3 C/W (3.46)
7,28 W
Rth _ c amb = 7,00 C/W (3.47)
55
3.5 Transformador
La ltima etapa del ondulador es el transformador, el cual se encargar de adaptar la

tensin del ondulador a la de red y dotar al circuito de aislamiento elctrico. El
transformador deber tener un alto rendimiento a la vez de ser econmico. Las
caractersticas que debe tener el transformador son las siguientes:
Potencia de salida: ......................255 W

Tensin de salida eficaz: .............230 V
Frecuencia de trabajo: .................50 Hz
Tensin de entrada eficaz: ..........18 V
Intensidad eficaz de entrada: ......12,6 A
El transformador elegido ser de tipo toroidal de estructura abierta. Dispondr de un

primario y dos secundarios los cuales se podrn conectar en serie o en paralelo para sumar
tensiones o intensidades respectivamente.
Figura 3.9. Transformador toroidal y esquema de conexiones.
3.6 Fuente de alimentacin
La fuente de alimentacin se encarga de suministrar la energa necesaria para que los

circuitos que componen el ondulador: LFR, MPPT, girador, referencia y puente H
funcionen correctamente. La fuente de alimentacin se tendr que alimentar de la corriente
continua que suministran los mdulos fotovoltaicos y tendr que ofrecer unas tensiones de
salida estabilizadas que puedan cubrir las necesidades de los circuitos mencionados.
Adems, se procurar que el rendimiento de la fuente sea lo ms elevado posible y permita
a su vez que el rendimiento del ondulador sea el mejor posible.
Las tensiones de salida que deber suministrar la fuente de alimentacin son: +12 V,
+5 V y -5 V. A continuacin, se detallan en forma de tabla los consumos mximos de las
cargas asociadas a cada tensin.
56
Consumo LFR y MPPT

Intensidad mxima consumida (mA)
Carga
+5 V -5 V +12 V
Driver TC4420 3 - -
Amplificador INA195 15 - -
Comparador LM311 7,5 7,5 -
Multiplicador AD835 25 25 -
MOSFET IRLI44N 26 - -
Microcontrolador PIC 15 - -
AO OPA277 5 5 -
Otros 2 2 -
TOTAL consumo : 98,5 39,5 0
Tabla 3.1. Consumo elctrico del LFR y MPPT.
Consumo girador y referencia

Carga
+5 V -5 V +12 V
Driver IR2125 - - 2
Amplificador INA195 15 - -
Multiplicador AD835 25 25 -
MOSFET IRLI44N - - 26
AO OPA4277 7 7 -
Otros 2 2 -
Tabla 3.2. Consumo elctrico del girador y la referencia.
Consumo puente en H
Carga
+5 V -5 V +12 V
Drivers IR2101 2 - -
Drivers IR2102 2 - -
MOSFETs IRLI44N 0.1 - -
Tabla 3.3. Consumo elctrico del puente en H.
Si sumamos los consumos para cada tensin tenemos los siguientes resultados.
57
Consumo ondulador
Mdulo
+5 V -5 V +12 V
LFR y MPPT 98,5 39,5 0
Girador y referencia 56,5 41,5 28
Consumo puente en H 11,6 7,5 0

Potencia (W): 0,83 0,44 0,34
Tabla 3.4. Consumo elctrico del ondulador.
58
Realizacin de un Ondulador Monofsico de Tipo Fotovoltaico. CAPTULO IV
4 Prototipo experimental del ondulador.

Hasta ahora se ha hecho el anlisis terico del sistema, en el siguiente apartado
tenemos el desarrollo de los equipos circuitos necesarios para implementar el prototipo del
ondulador monofsico experimental. En la siguiente figura tenemos el diagrama de
secuencia seguido para el diseo y posterior construccin del ondulador monofsico de
tipo fotovoltaico.
ESTUDIO PREVIO
SIMULACIN
SELECCIN DE ESQUEMAS
COMPONENTES ELCTRICOS
DISEO CIRCUITOS
IMPRESOS
MONTAJE
COMPONENTES
MONTAJE
DISIPADORES
CONEXIONES
ELCTRICAS
PUESTA EN
MARCHA
Figura 4.1. Diagrama secuencia de fases de construccin prototipo.
4.1 Esquema circuital del ondulador.
Seguidamente, se muestran los esquemas electrnicos para cada mdulo

desarrollados con OrCAD Capture.
59
CAPTULO IV
U6
4
1 VIN-
+VCC_LFR ISens_PIC OUT
J17
C83 + C82 2
1 0.1uF GND
10uF
2 GND_LFR +VCC_LFR 5
3 V+ 3
C80 + C81 C6 VIN+
0.1uF 10uF 0.1uF
+- 5V 0V -VCC_LFR INA195
GND_LFR GND_LFR
Figura 4.2. Esquema circuital del LFR basado en el convertidor boost.

J13 D7 J14
F1 R11 L1
1 1
2 2
6A RV1 D8 + C10 + C85 C9 shunt-10m 220uH MBR1045 + C13 + C14 + C60 C11 C12 C15 C16 C17 C18
S14K40 MUR840 10uF 10uF 0.1uF R22 R12 10mF 10mF 120uF 3uF 3uF 3uF 3uF 3uF 0.1uF
LFR_IN 3k5 3k5 LFR_OUT
VSens_PIC V_LFR
GND_LFRP GND_LFRP
J15 R30 R13 C34
1k 1k 0.1uF
R37
20k
Realizacin de un Ondulador Monofsico de Tipo Fotovoltaico.
GND_LFRP GND_LFR
GND_LFR
ISens_PIC U7 R14 D9
C90 2 6 M5 BZX85C43
J34 15pF I/P O/P 7
1 O/P R15 10 D10 IRLIZ44N
+VCC_LFR VDD
1 8 100k BZX79C15
GND_LFR VDD
2 VSens_PIC C19 5
3 C33 0.1uF 4 GND
4 0.1uF GND
60
GND_LFRP
TC4420
GND_LFR R75
Signal_MPPT R GND_LFR
C89 R76
15pF 100
100
GND_LFR
BC109 R17 C86
HL Q1 22k 0.1uF
ISens_PIC
GND_LFR
R58
R GND_LFR GND_LFR
20k
C84 R56 500k
15pF
R109
R55 +VCC_LFR
GND_LFR
20k 56k
4.1.1 LFR Boost
C87 +VCC_LFR C63 HL

15pF U18 0.1uF
R72 GND_LFR
8
5
8 5
GND_LFR X1 W R57
GND_LFR 7 C67 V_LFR 2 + U20
X2 R108 0.1uF 7 +VCC_LFR
7
8
-VCC_LFR 1 10k 3 -
Y1 GND_GIR
2 GND_LFR 3 + R74 LM311 1k
Y2 10k 6 C61
4
1
6
R73 GND_LFR 4 2 - 0.1uF
Z R110
100k U16 1k
+VCC_LFR 6 OPA277
GND_LFR
4
1
3 +VS C62
-VS 10k 0.1uF
-VCC_LFR
R66
GND_LFR GND_LFR
AD835
20k C65 C64 C111
C88 0.1uF 0.1uF -VCC_LFR 0.1uF -VCC_LFR
0.1uF
GND_LFR
GND_LFR GND_LFR
GND_LFR
CAPTULO IV
+VCC_GIR U12
J23 4
C77 + C43 1 VIN-
1 0.1uF OUT
10uF
2 GND_GIR R54 2
3 GND
ISens
C78 + C48 20k +VCC_GIR 5
+- 5V 0V 0.1uF C68 V+ 3
10uF VIN+
15pF C36
-VCC_GIR
J33 0.1uF
INA195
GND_GIR GND_GIR GND_GIR
1 +15_GIR
2 R28
C76 + C75
+15V 0.1uF 10uF
1.2 M6
GND_GIR
Figura 4.3. Esquema circuital del girador tipo G basado en el

J20 IRLIZ44N D13 J22
L3 L4 R31 L5 F2
1 1
2 2
R35 12uH 22uH R27 D14 shunt-10m 150uH MBR1045 6A
GIR_IN C79 39k + C39 C37 C41 C40 2.2 MBR1045 + C42 C35 GIR_OUT
0.1uF 10uF 1uF 1uF 0.1uF D12 10uF 0.1uF
GND_GIRP
R36 R34 + C38 BZX79C15
GND_GIRP GND_GIRP GND_GIRP GND_GIRP
1k VSens 100uF
J29 20k C69 R26

GND_GIRP GND_GIRP
0.1uF 10
R25
GND_GIRP GND_GIR GND_GIR
+15_GIR
convertidor BIF.
J24 D16 100k J31
R65
1 G
2 C44 U3
MUR160
61
C71 0.1uF
G_Ref 10 15pF 1 8 C45
GND_GIR VCC VB 1uF
GND_GIR GND_GIR
2 7
IN HO
3 6
+VCC_GIR ERR CS
R63 4 5
1k COM VS
R59
5.6k VSens IR2125
GND_GIR
R60 R61 C70
1k 20k 0.1uF R67 +15_GIR
4.1.2 Girador tipo G.
R68
560k 500k
GND_GIR
R106 56k C73
R69 1uF R77
U13 +VCC_GIR R51
+VCC_GIR 100 J35
GND_GIR
8 5 BC109 330k R19 10k C91 1
7 X1 W C50 Q2 1k 2
X2 0.1uF
-VCC_GIR C58
G R105
1 0.1uF 0.1uF Shut_Down
Y1
7
8
GND_GIR 2
Y2 GND_GIR R64 GND_GIR GND_GIR GND_GIR GND_GIR
8
5
R71 GND_GIR 3 +
R38
39k 4 10k 6 2 + U14
Z 2 - 7
+VCC_GIR R107 +VCC_GIR
6 U15 10k 3 -
3 +VS OPA277 LM311 1k C74
-VCC_GIR
4
1
R53 -VS
ISens 0.1uF
4
1
6
10k
20k C72 C47 C46 AD835 GND_GIR
0.1uF 0.1uF 0.1uF
C66 C49
R70 -VCC_GIR 0.1uF 0.1uF
GND_GIR GND_GIR GND_GIR GND_GIR
39k
GND_GIR GND_GIR
-VCC_GIR
+VCC_GIR
CAPTULO IV
J1
1
2
D1
Figura 4.4. Esquema circuital del puente en H.

H_Bridge_IN R2 R3
GND_HBP
1H M1 M2
2H
IRLIZ44N IRLIZ44N
MUR160 R4 10 D2 D3 10 R5
J2 100k BZX79C15 BZX79C15 100k
U1
1
AC1
2 AC2 VCC_HB 1 8
VCC VB
2 7 C2
HIN HO 1H
AC_OUT C1 0.1uF
0.1uF 3 6 J6
LIN VS AC1
C3 AC2
AC1
4 5 0.1uF
COM LO 1L
J3 GND_HB GND_HB IR2301
62
1 Side__R
2 Side__L
D4
R7 R8
V_Conm 2L M3 M4
1L
IRLIZ44N IRLIZ44N
MUR160 R9 10 D5 D6 10 R10
J4 100k BZX79C15 BZX79C15 100k
VCC_HB U2
1
2 VCC_HB 1 8
C110 + C57 VCC VB
0.1uF 10uF 2 7 C5
HIN HO 2H GND_HBP
+12V C4 0.1uF
0.1uF 3 6 J7
LIN VS AC2
GND_HB
4 5
COM LO 2L
4.1.3 Puente en H
J8
GND_HB GND_HB IR2301
GND_HBP GND_HB
CAPTULO IV
R93
Tension_Panel
100 D15 C26
BZX85C5V1 0.1uF
J37
R94 GND_MPPT GND_MPPT
1
Itensidad_Panel C28
2
3 Control_LFR
4 100 D20 C27 U5
C52 BZX85C5V1 0.1uF
0.1uF 1 18 15pF
GND_MPPT AN0 RB3
Signal_MPPT Y1 GND_MPPT
GND_MPPT GND_MPPT
2 17 20MHz
GND_MPPT AN1 RB2
3 16
+VCC_MPPT RA4/T0CLK OSC1 C29
SW2
4 15
Figura 4.5. Esquema circuital del MPPT.

MCLR OSC2
R21 5 14 +VCC_MPPT
1k GND VDD 15pF
+VCC_MPPT Selector
J32 6 13 C30
C107 + C106 RA2 PGD 0.1uF
GND_MPPT
1 0.1uF 10uF 7 12
RA7 PGC GND_MPPT
2 GND_MPPT SW1
3 RESET Control_GIR 8 11
C104 + C105 RB0 RB5
0.1uF 10uF Alpha 9 10
+- 5V 0V RB1 RB4
-VCC_MPPT
PIC18F1220
63
GND_MPPT
J21
R78
Control_GIR 1 4
J36
+VCC_MPPT 2 5
1 C108 100 3 6
2 15pF
Shut_Down ICD_CON
GND_MPPT GND_MPPT
+VCC_MPPT
R18 C32
0.1uF
7
8
GND_MPPT
3 +
4.1.4 MPPT.
Alpha
6 Control_LFR
500k C31 2 -
1uF U11
OPA277
4
1
GND_MPPT
C51
-VCC_MPPT 0.1uF
GND_MPPT
CAPTULO IV
C98
+VCC_REF
J26
C95 + C94 15pF
1 0.1uF 10uF R86
2
R80
3
C92 + C93 100k
Figura 4.6. Esquema circuital de la referencia para girador y puente en H.

GND_REF
0.1uF 10uF
+- 5V 0V R87 R88 -VCC_REF
-VCC_REF 1k
1k 1k R83
-VCC_REF
11
2
1
J25 OPA4277/SO
G_Ref U22C
11 D18 D17 100k 9 -
R82 OPA4277/SO
1 1N4148 1N4148 8 G_Ref
2 C102 6 - U22B 10 +
R84
15pF 7
2
5 +
4
G_Ref 1k
R81 100k R85
GND_REF
4
560 100k
+VCC_REF
+VCC_REF
Side_R GND_REF GND_REF
J27
C100
1 15pF C99
2 GND_REF
64
C101
V_Conm 15pF 15pF
Side_L R91
+VCC_REF
1M
C96 +VCC_REF
4.1.5 Referencia girador.
R45 0.1uF
J28 1k
4
GND_REF R92
4
1 C103 3 +
D19
2 15pF 1 12 +
R46 R44 2 - 14 1 2
2.2k U22A 13 -
Vin_AC OPA4277/SO 1k U22D R89 Side_R
11
R79 20k R90 OPA4277/SO 1N4148 1k
11
10 1k +VCC_REF
GND_REF
-VCC_REF C97 -VCC_REF
GND_REF GND_REF
0.1uF C59
GND_REF 0.1uF
GND_REF
Vcc
GND_REF
5
U23
2 4 Side_L
A Y
1
n.c.
74HC1GU04
GND
3
GND_REF
CAPTULO IV
L6
D22
J39
1 SB160A 100uH
VIn_FA
2 +VCC_FA
1
C113 + C116
0.1uF 10uF D21 U24 + C54
GND_FA 47uF
Panel 1N4148
GND_FA 1 16 GND_FA
SGND SGND D23
GND_FA
2
2 15
C117 VBST SW_L
GND_FA
0.1uF 3 14 GND_FA SB120A
SW_H PWRGND
4 13
Figura 4.7. Esquema circuital de la fuente de alimentacin.

VIn_FA VIN VOUT
1
J40 C53 GND_FA 5 12 D24
1uF C122 330pF BURST_EN VBIAS
1N4148
1 +12_FA 6 11
GND_FA VC SHDN
2
2
C115 1nF C121 R99 68k 7 10
0.1uF VFB SS C119
+12 0 V 8 9 C120 0.1uF
100k R96 SGND SGNG 0.1uF
GND_FA
GND_FA
GND_FA LT3433 GND_FA
GND_FA GND_FA
R97
500k
65
+VCC_FA L7
J38 D26
C112
1 0.1uF
220uH
4.1.6 Fuente de alimentacin.
2 GND_FA SB160A
3 +12_FA
1
C109
0.1uF D25 U25 + C56
GND_FA 47uF
+5 0 -5 V -VCC_FA 1N4148
GND_FA 1 16 GND_FA
SGND SGND D27
GND_FA
2
2 15
C123 VBST SW_L
0.1uF 3 14 GND_FA SB120A
SW_H PWRGND
VIn_FA 4 13
VIN VOUT
1
C55 GND_FA 5 12 D28
1uF C126 330pF BURST_EN VBIAS
1N4148
6 11
GND_FA VC SHDN
R102 68k
2
1nF C124 7 10
VFB SS C127
8 9 C128 0.1uF
20k R104 SGND SGNG 0.1uF
GND_FA
GND_FA
GND_FA LT3433 GND_FA
GND_FA
U9 R100
1 8 +VCC_FA
2 FC(SD) V+ 7 500k
C22 + C23 3 CAP+ OSC 6
GND LV GND_FA
1uF 47uF 4 5
CAP- OUT -VCC_FA
C25
+ C24 0.1uF
GND_FA 47uF
LM2662
GND_FA GND_FA
4.2 Layout
En el siguiente apartado se muestran los layouts de pistas y de componentes de los

circuitos impresos realizados para montar el prototipo del ondulador. Los circuitos se han
diseado intentando minimizar el espacio requerido y que su construccin sea posible
utilizando la tecnologa disponible en el laboratorio. En nuestro caso, la tecnologa
disponible nos permite crear circuitos impresos a doble cara mediante el procedimiento de
revelado y ataque. El mnimo grosor de pista permitido es de 0,4 mm y su espesor es de
35 m con acabado estaado.
Para el diseo de los circuitos impresos se han tenido en cuenta la facilidad de montaje
de los componentes y, aunque no fuera propsito de este proyecto, la conservacin dentro
de lo posible de la compatibilidad electromagntica de los prototipos creados. Los circuitos
construidos han mantenido la independencia de los mdulos creados en el diseo del
proyecto permitiendo su fcil intercambio o correccin independiente sin necesidad de
reconstruir todo el ondulador. Aunque el diseo de los mdulos se ha hecho de manera
global los conectores se han colocando de manera que se reduzca la mximo posible el
cableado externo. En la siguiente imagen se muestra el planteamiento para la distribucin
de los diferentes circuitos impresos que componen el ondulador.
PUENTE H
LFR GIRADOR
MPPT POWER REFEREN
Figura 4.8. Distribucin de los diferentes circuitos del ondulador.
Las lneas de puntos y las de rayas corresponden a la alimentacin de los mdulos, las
lneas de trazo continuo indican las zonas de transmisin de potencia. En trazo y punto
estn las lneas de envo de referencias al LFR, girador y puente en H. Finalmente, en trazo
y dos puntos estn las lneas de adquisicin de datos por parte del MPPT y la referencia
para el girador-puente.
66
4.2.1 LFR
Figura 4.9. Layout de componentes para el LFR.
Figura 4.10. Top layout para el LFR.
67
Figura 4.11. Bottom layout para el LFR.
4.2.2 Girador
Figura 4.12. Layout de componentes para el girador.
68
Figura 4.13. Top layout para el girador.
Figura 4.14. Bottom layout para el girador.
69
4.2.3 Puente en H
Figura 4.15. Layout de componentes para el puente en H.
Figura 4.16. Bottom layout para el puente en H.
4.2.4 MPPT
Figura 4.17. Layout de componentes para el MPPT.
70
Figura 4.18. Top layout para el MPPT.
Figura 4.19. Bottom layout para el MPPT.
4.2.5 Referencia girador
Figura 4.20. Layout de componentes para la referencia del girador.
Figura 4.21. Top layout para la referencia del girador.
71
Figura 4.22. Bottom layout para la referencia del girador.
4.2.6 Fuente de alimentacin
Figura 4.23. Layout de componentes para la fuente de alimentacin.
Figura 4.24. Top layout para la fuente de alimentacin.
Figura 4.25. Bottom layout para la fuente de alimentacin.
72
4.3 Montaje del prototipo del ondulador
Un vez realizados los circuitos impresos ya se podr proceder al montaje de los

componentes de cada mdulo del ondulador. Con todos los componentes soldados sobre el
circuito impreso se procede a la instalacin del disipador. Una vez montados todos los
elementos se procedi a realizar las conexiones elctricas entre los diferentes mdulos y a
verificar el funcionamiento del ondulador
A continuacin, se muestran los diferentes mdulos y el ondulador completamente

ensamblados.
Figura 4.26. Montaje del LFR.
Figura 4.27. Montaje del MPPT.
73
Figura 4.28. Montaje del girador tipo G.
Figura 4.29. Montaje de la referencia para el girador.
74
Figura 4.30. Montaje del puente en H.
En la siguiente imagen tenemos todos los mdulos que conforman el ondulador. En

la parte superior tenemos el primer conjunto LFR+MPPT y girador, en la parte inferior esta
en paralelo al primero el segundo conjunto. Ambos confluyen en el puente en H en la parte
superior derecha de la imagen. Por debajo del puente en H est la referencia para los
giradores y por ultimo en la esquina inferior derecha esta el transformador.
Figura 4.31. Ondulador completo con conexiones elctricas entre los diferentes mdulos.
75
Realizacin de un Ondulador Monofsico de Tipo Fotovoltaico. CAPTULO V
5 Medidas de laboratorio.
En el siguiente apartado se verificar el funcionamiento del prototipo construido.
Para ello realizaremos medidas de las principales variables del ondulador trabajando bajo
diferentes situaciones. Las medidas se tomarn con el osciloscopio de cuatro canales en
color Tektronix TDS754C.
5.1 Funcionamiento del ondulador alimentando una carga resistiva.
Las primeras medidas se realizarn con el ondulador conectado a un resistor, en la

siguiente figura se muestra la configuracin que tendr el ondulador y las variables que se
monitorizarn.
Figura 5.1. Ondulador completo con conexiones elctricas entre los diferentes mdulos.
Con un resistor de salida, Rout, en el puente H de 3 y con una resistencia R1 fija se

mostrar el comportamiento del ondulador con una sola etapa LFR-Girador para diferentes
tensiones e intensidades de entrada para el LFR. La asignacin de los canales del
osciloscopio es la siguiente:
Canal Seal
1 Gref
2 Iin_LFR_1
3 Iin_Gir_1
4 Iout_HB
Tabla 5.1. Asignacin canales osciloscopio.
76
G_Ref G_Ref
Iin_LFR_1 Iin_LFR_1
Iin_Gir_1 Iin_Gir_1
Iout_HB Iout_HB
Figura 5.2. Funcionando el girador tipo G Figura 5.3. Funcionando el girador con un
con un convertidor BIF. Vin_LFR_1 = 30 V, convertidor buck.Vin_LFR_1 = 30 V,
Iin_LFR_1 = 5,2 A, Rout,= 3 . Iin_LFR_1 = 5,2 A, Rout,= 3 .
Como se puede ver en las figuras 5.2 y 5.3 la intensidad de entrada del girador tiene
formas completamente diferentes. Esta es la diferencia de utilizar un convertidor BIF o un
buck para implementar el girador. Como ya se vio anteriormente el filtro de entrada
adems de eliminar la naturaleza pulsante de la corriente de entrada en el convertidor buck,
nos permita estabilizar el funcionamiento del buck. Los resultados con el filtro de entrada
son visiblemente mejores reduciendo la distorsin de la corriente de salida en el girador.
Puesto que la variable 1, referencia del girador, no vara con el tiempo y en la figura
5.2 se constata que el girador sigue la referencia, en las siguientes medias de har la
asignacin de los canales del osciloscopio que se muestra a continuacin:
Canal Seal
1 Vin_Gir_1
2 Iin_LFR_1
3 Iin_Gir_1
4 Iout_HB
Vin_Gir_1 Vin_Gir_1
Iin_LFR_1 Iin_LFR_1
Iin_Gir_1 Iin_Gir_1
Iout_HB Iout_HB
Figura 5.4. Funcionamiento del ondulador Figura 5.5. Funcionamiento del ondulador
con carga constante, Rout,= 3 , para con carga constante, Rout,= 3 , para
Vin_LFR_1 = 30 V, Iin_LFR_1 = 5,2 A. Vin_LFR_1 = 25 V, Iin_LFR_1 = 4,2 A.
77
Vin_Gir_1 Vin_Gir_1
Iin_LFR_1 Iin_LFR_1
Iin_Gir_1 Iin_Gir_1
Iout_HB Iout_HB
con carga constante, Rout,= 3 , para con carga constante, Rout,= 3 , para
Vin_LFR = 20 V, Iin_LFR = 3,2 A. Vin_LFR = 15V, Iin_LFR = 2,2 A.
En el conjunto de grficas anterior se puede observar como para una carga resistiva
fija Rout, en el puente H de 3 el ondulador funciona correctamente, siguiendo la consigna
dada por el rectificador de precisin y manteniendo una corriente senoidal en su salida.
Puesto que la potencia disponible en la entrada del ondulador se va reduciendo la potencia
que entrega el ondulador tambin se reduce progresivamente disminuyendo la intensidad
que el ondulador enva a la carga.
Aunque con la carga resistiva esta grfica no aporta mucha informacin se ha

cambiado la variable del canal 1 por Vout_HB y se visualiza lo siguiente.
Vout_Hb
Iin_LFR_1
Iin_Gir_1
Iout_HB
Figura 5.8. Funcionamiento del ondulador con carga constante, Rout,=

3, para Vin_LFR = 30V, Iin_LFR =5,2A.
El equilibrio establecido entre la potencia de entrada y de salida del ondulador se

podr mantener siempre que el LFR no llegu a su mxima tensin de salida de 46 V y que
el girador trabaje con una tensin de salida inferior a la tensin de entrada. En el caso de la
carga resistiva la primera condicin se podr cumplir ajustando el valor g y la segunda
78
condicin se cumplir siempre que la carga conectada al ondulador sea lo suficientemente

pequea de manera que se evite que la salida del girador se sature.
Para observar este efecto de saturacin de la salida del girador aumentamos la

resistencia conectada en la salida del ondulador a 10 . De esta manera toda la potencia
que absorbe el LFR no puede ser absorbida por el girador que satura su salida, al mismo
tiempo la tensin de salida del LFR lleva a su mximo permitido y ha de reducir la
potencia que absorbe de la fuente. Esta situacin no se dar cuando el ondulador trabaje
conectado a red pero es interesante observarla para hacernos una idea de cmo funciona el
conjunto LFR-girador.
Vin_Gir_1
Iin_LFR_1
Iin_Gir_1
Iout_HB
Figura 5.9. Funcionamiento del ondulador con carga constante, Rout,=

10 , para Vin_LFR = 30 V, Iin_LFR =5,2 A. La carga es demasiado
grande y el girador no puede seguir la consigna.
A continuacin, se calcular el rendimiento obtenido por el LFR y el girador del

ondulador. Las expresiones utilizadas son:
VLFR _ OUT I LFR _ OUT PLFR _ OUT

LFR = 100 = 100 (5.1)
VLFR _ IN I LFR _ IN PLFR _ IN
VGIR _ OUT I LFR _ OUT PGIR _ OUT

GIR = 100 = 100 (5.2)
VGIR _ IN I LFR _ IN PGIR _ IN
Los resultados obtenidos despus de realizar medidas experimentales sobre el

prototipo son los siguientes.
Potencia entrada Potencia salida Rendimiento Potencia salida Rendimiento

LFR (W) LFR (W) LFR (%) girador(W) GIR (%)
156,6 135,6 86,6 104,4 77,0
106,0 90,0 84,9 69,4 77,1
64,0 54,4 85,0 42,0 77,2
33,0 29,1 88,2 20,6 70,8
Tabla 5.3. Rendimiento aproximado del ondulador.
79
5.2 Funcionamiento del ondulador bajo perturbaciones.
Hasta ahora hemos visto el funcionamiento del ondulador en rgimen estacionario.

Para verificar su funcionamiento dinmico se introducirn perturbaciones en la potencia de
entrada y en la carga conectada en la salida.
Las perturbaciones en la carga consistirn en cambiar la carga del ondulador de 2,5

a 5 para ver el comportamiento del girador. La medidas ser realizarn para diferentes
potencias de entrada.
Canal Seal
1 Control carga
2 Vin_Gir_1
3 Vout_HB
4 Iout_HB
Como era de esperar la corriente en la salida del girador se mantiene estable y el

girador vara la tensin de salida para adaptarse a la nueva carga conectada.
Control Carga Control Carga
Vin_Gir_1 Vin_Gir_1
Vout_HB Vout_HB
Iout_HB Iout_HB
con carga variable, Rout,= 5 2,5 , con carga variable, Rout,= 5 2,5 ,
Vin_LFR = 30 V, Iin_LFR =5,2 A. Vin_LFR = 24,8 V, Iin_LFR = 4 A.
Control Carga
Vin_Gir_1
Vout_HB
Iout_HB
Figura 5.12. Funcionamiento del ondulador con carga variable, Rout,= 5

2,5 , Vin_LFR = 14,5 V, Iin_LFR =2 A.
80
Si se observa con detalle la intensidad de salida del ondulador presenta una pequea
oscilacin despus de cada cambio en el valor de la carga. Esta oscilacin es debida a la
oscilacin que aparece en la tensin de entrada al girador que en consecuencia, dado que la
intensidad de salida en el girador ser I = gV, al variar V variar I. Cada vez que varan las
condiciones de trabajo del ondulador se establece un nuevo punto de equilibrio y aparecer
un transitorio en la intensidad de salida que durar hasta que la tensin del condensador
conectado en la salida del LFR lleve a rgimen estacionario.
En la siguientes grficas tenemos la respuesta del ondulador variando la tensin en la

entrada del LFR. La configuracin de las entradas del osciloscopio es la siguiente:
Canal Seal
1 Vin_Gir_1
2 Vin_LFR_1
3 Iin_LFR_1
4 Iout_HB
Para poder observar la respuesta con ms detalle se han hecho dos medidas de la
respuesta para la misma perturbacin pero con diferentes tiempos de duracin de captura,
en la primera 2 segundos y en la segunda 1.
Vin_Gir_1 Vin_Gir_1
Vin_LFR_1
Vin_LFR_1
Iin_LFR_1
Iin_LFR_1 Iout_HB
Iout_HB
Figura 5.13. Funcionamiento del ondulador Figura 5.14 Funcionamiento del ondulador
con tensin de entrada variable Vin_LFR = con tensin de entrada variable Vin_LFR =
15 V -30 V, Rout,=3 . 15 V -30 V, Rout,=3 .
Como se puede observar, la respuesta en la salida del ondulador est muy

amortiguada debido a la gran capacidad que tiene el LFR en su salida y que permiten
estabilizar la tensin. Por este motivo, cuando se desconecta la fuente de alimentacin el
ondulador sigue transfiriendo potencia a la carga procedente de los mencionados
condensadores. Por otro lado, aunque inicialmente la tensin de entrada al girador es ms
grande que cero no se inicial el proceso de ondulacin debido a que la tensin no llega al
mnimo permitido para ondular.
81
5.3 Funcionamiento de etapas LFR-Girador en paralelo.
Una vez comprobado el funcionamiento de un ondulador con una sola etapa LFR-
Girador comprobaremos el funcionamiento de las dos etapas conectadas en paralelo
trabajando sobre una resistencia de 3 y posteriormente sobre el transformador para hacer
la conexin a red. Primeramente, veremos la respuesta de los onduladores alimentando una
carga resistiva con la siguiente asignacin de las entradas del osciloscopio.
Canal Seal
1 Gref
2 Iout_Gir_1
3 Iout_Gir_2
4 Iout_HB
Gref Gref
Iout_Gir_1 Iout_Gir_1
Iout_HB Iout_HB
Figura 5.15. Funcionamiento de dos etapas Figura 5.16. Funcionamiento de dos etapas
LFR-Girador en paralelo con Rout,=3 , LFR-Girador en paralelo con Rout, = 3 ,
Vin_LFR_1 = 30 V, Iin_LFR_1 =5,2 A, Vin_LFR_1 = 0 V, Iin_LFR_1 =0 A,
Vin_LFR_2 = 0 V, Iin_LFR_2 =0 A. Vin_LFR_2 = 22 V, Iin_LFR_2 =2,1 A.
Gref
Iout_Gir_1
Iout_Gir_2
Iout_HB
Figura 5.17. Funcionamiento de dos etapas LFR-Girador en paralelo

con Rout,=3 , Vin_LFR_1 = 14,5 V, Iin_LFR_1 =2 A, Vin_LFR_2 =
14,5 V, Iin_LFR_2 =2 A.
82
En la figura 5.15 se muestra el funcionamiento del ondulador cuando aporta

intensidad slo la etapa LFR-girador 1. En la siguiente figura se muestra el funcionamiento
cuando est activa la etapa nmero dos. Por ltimo, en la figura 5.17 se ve el
funcionamiento del ondulador con las dos etapas aportando intensidad. Como era de
esperar las intensidades aportadas por cada uno de los giradores se unen sumndose para
dar una intensidad de salida mayor.
Otro aspecto a destacar en la figura 5.16 es el hecho que la corriente de salida del
girador est distorsionada. Este efecto se debe a que la etapa LFR-girador nmero dos
pertenece a la primera versin de placas realizadas. En la segunda versin de placas se
introdujo una mejora en el trazado de las pistas con la que se consigui reducir el ruido
generado por el convertidor conmutado a la vez que el control estaba menos expuesto al
ruido. Esta mejora repercute en la calidad de la seal que puede generar por lo que se
diferencia respecto la etapa nmero 2 que tiene una peor corriente de salida.
Seguidamente se comprueba el funcionamiento del sistema trabajando sobre el

transformador, es decir, inyectando corriente en la red elctrica. Cambiaremos la seal
asignada a la entrada uno del osciloscopio para poder ver la tensin en la salida del puente
en H.
Canal Seal
1 Vout_HB
2 Iout_Gir_1
3 Iout_Gir_2
4 Iout_HB
Vout_HB Vout_HB
Iout_HB Iout_HB
conectado a red con Vin_LFR_1 = 30 V, conectado a red con Vin_LFR_1 = 0 V,
Iin_LFR_1 =5,2 A, Vin_LFR_2 = 0 V, Iin_LFR_1 =0 A, Vin_LFR_2 = 22 V,
Iin_LFR_2 =0 A. Iin_LFR_2 =2,1 A.
83
Vout_HB
Iout_Gir_1
Iout_Gir_2
Iout_HB
Figura 5.20. Funcionamiento del ondulador conectado a red con

Vin_LFR_1 = 14,5 V, Iin_LFR_1 =2 A, Vin_LFR_2 = 14,5 V, Iin_LFR_2
=2 A.
Los resultados obtenidos son anlogos a los conseguidos en la anterior medicin, por
lo que se considera que la conexin a red ha sido conseguida satisfactoriamente.
84
Realizacin de un Ondulador Monofsico de Tipo Fotovoltaico. CAPTULO VI
6 Conclusiones y trabajo futuro.

En este proyecto se ha podido desarrollar con xito un ondulador monofsico de tipo
fotovoltaico para conexin a red elctrica. Los objetivos marcados inicialmente de
potencia, modularidad, optimizacin de la energa entregada por los mdulos fotovoltaicos
y paralelizacin de etapas de potencia han sido alcanzados satisfactoriamente. Se ha
validado el correcto funcionamiento de los giradores tipo G controlados por deslizamiento
para la generacin de una corriente senoidal rectificada y la interaccin con el convertidor
boost implementado una resistencia libre de prdidas tambin ha sido lograda.
Como punto de mejora o trabajo futuro en el prototipo desarrollado destacara en

primer lugar la reduccin de interferencias electromagnticas. Aunque durante el
desarrollo del prototipo se tuvieron en cuenta criterios bsicos de interferencias
electromagnticas aun es posible mejorar sustancialmente el comportamiento del equipo.
Debido a la naturaleza de los circuitos utilizados, bsicamente convertidores conmutados,
la presencia de ruido altera el correcto funcionamiento del control que es susceptible a
errores por el acoplamiento de ruido externo. Otro aspecto mejorable del prototipo es el
rendimiento conseguido durante la transformacin energtica. Debido a la constitucin del
ondulador la energa ha de pasar por 3 conversiones primero en el LFR, a continuacin, en
el girador y finalmente en el transformador. Por un lado, se puede intentar minimizar las
prdidas en los propios circuitos utilizando tecnologa SMD que permitira reducir el
tamao de los circuitos. Tambin se podra plantear la opcin de usar IGBTs y reducir
ligeramente la frecuencia de trabajo del sistema para reducir las perdidas en los elementos
de conmutacin.
Figura 6.1. Diferentes encapsulados through hole y SMD.
Otra opcin para reducir las perdidas sera eliminar una de las etapas de conversin.
La nica que puede ser eliminada sin alterar la funcionalidad del ondulador es el
transformador. Esta opcin implicara hacer trabajar al LFR y al girador con tensiones ms
elevadas para alcanzar la tensin red y se perdera el aislamiento galvnico entre la red y el
ondulador. La estructura de este ondulador sera la mostrada en la figura 6.2.
85
V V I I
I t t t
Panel Red
LFR Girador Puente
Elctrica
FV H
MPPT
Rectificador
Figura 6.2. Conexin directa a red sin transformador.
Aunque el equipo desarrollado no es ms que un prototipo sera interesante

incorporar un sistema de supervisin externo que controlara y monitorizara el ondulador.
Este sistema podra observar situaciones anmalas como sobretensin, tensin baja,
sobretemperatura, sobreintesidad, fallo de sincronismo y proteger al ondulador.
En la figura 6.3 se muestra otra opcin de trabajo futuro que consistira en la

reutilizacin del ondulador construido para otras aplicaciones. Partiendo de la misma
estructura propuesta, variando el control de girador y aadiendo un generador de seal
senoidal interno se podra conseguir un ondulador fotovoltaico autnomo. Este permitira
alimentar cargas elctricas a partir de bateras y paneles solares. Del mismo modo,
cambiando la consiga del girador se podra conseguir fcilmente un corrector de reactiva
permitiendo trabajar al ondulador como si de un carga capacitiva se tratase, adelantando la
corriente respecto de la tensin.
V V I I
I t t t
Panel LFR Girador Puente

FV H
MPPT
Lazo control
Figura 6.3. Estructura del ondulador autnomo.
Gracias a su modularidad y posibilidad de conexin en cascada el desarrollo de un

ondulador de mayor potencia slo requerira la conexin de diferentes onduladores de poca
potencia que seran relativamente fciles de manejar pero que en la prctica podrn
desarrollar una gran potencia al sumar el esfuerzo conjunto. Este hecho tambin plantea
posibilidades a la hora de regular la potencia entregada por el ondulador de una manera
ms sencilla y eficiente. Por otro lado, si se conectan onduladores que inyectan corriente
86
desfasadas 120 se puede construir un ondulador trifsico modular como se muestra en la

figura 6.4.
V V I
I t t
Girador
Panel LFR +
FV Puente H
a
MPPT
V V I
I t t
Girador Red
Panel LFR +
FV Elctrica
Puente H
b
MPPT
V V I
I t t
Girador
Panel LFR +
FV Puente H
c
MPPT
Figura 6.4. Ondulador trifsico.
Personalmente, este proyecto me ha resultado muy interesante puesto que he podido

trabajar en un mbito en plena expansin como es el de las energas renovables y la
electrnica de potencia. Aunque en el proyecto se ha desarrollado un prototipo que queda
lejos de una sistema comercial creo que se marca una posible va para el desarrollo de
nuevos onduladores basados en el concepto de giradores de potencia tipo G.
87
Realizacin de un Ondulador Monofsico de Tipo Fotovoltaico. CAPTULO VII
7 Referencias Bibliogrficas.
[1] . Cid Pastor. 2005. Energy Processing by Means of Power Gyrators. Tesis
Doctoral, UPC.
[2] A. Cid-Pastor, L. Martnez-Salamero, U. Ribes y A. El Aroudi. 2007. Anlisis y

diseo de un resistor libre de prdidas basado en un convertidor elevador
controlado en modo deslizante. Artculo IEEE, URV.
[3] R. Leyva-Grasa, C. Alonso, I. Queinnec, A. Cid-Pastor, D. Lagrange, L. Martnez-

Salamero. 2005. MPPT of Photovoltaic Systems using Extremum-Seeking Control.
Artculo IEEE, URV.
[4] rsula Ribes Mallada. 2007. Sntesis de Resistores Libres de Prdidas. PFC, URV.
[5] S. Singer. 1990. Realization of loss-free resistive elements. IEEE Transactions on

Circuits and Systems.
[6] Jos Francisco Cugat Curto. 2003. Ondulador Monofsico Para Aplicaciones
Fotovoltaicas: Anlisis y Simulacin. PFC, URV.
[7] ngel Cid Pastor, Corinne Alonso, Jose F. Cugat-Curto, Bruno Estibals, Luis
Martinez-Salamero. Design of Feedback Laws for DC-TO-AC conversion in
Photovoltaic Systems. Artculo IEE, URV.
[8] Alain Bilbao Learreta. 2006. Ralisation de Commandes MPPT Numriques. PFC,
URV LAAS-CNRS
[9] Alberto Andrs Bretn. 2003. Diseo y construccin de un inversor trifsico

multinivel de cuatro etapas para compensacin armnica y de reactivos. PFC,
PUCCH.
[10] Daniel W. Hart. 2001. Electrnica de Potencia. Pearson Educacin. ISBN: 84-
205-3179-0
[11] George Clayton and Steve Winder. 2003. Operational Amplifier 5th ed. Newnes.
ISBN 07506 5914 9
[12] Mark I. Montrose. 2000. Printed Circuit Board Design Techniques for EMC
Compliance 2nd ed. IEE Press. ISBN 0-7803-5376-5
[13] Jonathan Adams. Bootstrap Component Selection For Control ICs. Design Tips
International Rectifier.
[14] Diversas pginas web y hojas de caractersticas de componentes:

http://www.earth-policy.org/
http://en.wikipedia.org/
88
Realizacin de un Ondulador Monofsico de Tipo Fotovoltaico. CAPTULO VII
http://energiasolarfotovoltaica.blogspot.com/
http://espana.fotovoltaikshop.de/
http://es.rs-online.com/
http://www.irf.com/
http://www.farnell.com/
http://www.amidata.es/
http://www.analog.com/
http://www.isofoton.es/
89
Realizacin de un Ondulador Monofsico de Tipo Fotovoltaico. ANEXOS
8 Anexos.
8.1 Anexo 1. Cdigo C del programa para la MPPT.

//Programa en C para control del MPPT digital para PIC18F1220.
//Version original PFC MPPT Digital de A.Bilbao.
//Adaptado para PFC Ondulador Monofsico por D. Hernando.
#include <p18f1220.h>
#pragma config WDT = OFF
//Variables globales
unsigned char derivada_pot,tension_baja,intensidad_baja;
unsigned short int i,H,m;
unsigned short int tension_alta,tension_convertida,tension_alta_total;
unsigned short int intensidad_alta,intensidad_convertida;
unsigned short int intensidad_alta_total,tension_panel;
unsigned long int potencia,potencia_old,potencia_total;
/* Funcion de interrupcion del Timer 0: El timer0 genera una interrupcin al

desbordarse. La variable H se pone 1. Paramos el timer0 para que vuelva a
empezar con el valor deseado introducido por software (en nuestro caso sera de
20ms) .*/
void traiteIT (void);
#pragma code it=0x08
void saut_sur_spIT (void)
{
_asm
goto traiteIT
_endasm
}
#pragma code
#pragma interrupt traiteIT
void traiteIT (void)
{
if (INTCONbits.TMR0IF)
{
INTCONbits.TMR0IF=0; // Flag de interrupcion del timer 0
H=1; // Indica que el timer ha finalizado
TMR0H=0x37; // Cargamos el valor al timer 0.
TMR0L=0x10; // Conseguimos un retardo de 20ms.
T0CONbits.TMR0ON=0;// Reinicializacion del timer 0
}
}
/*Funcion de inicializacion: Configuramos todos los registros del PIC para el

buen funcionamiento del sistema */
void configurar_registros (void)
{
i=0; m=0; H=1; potencia=0;
potencia_old=0;
ADRESH=0x00; // Poner a 0 el registro de conversion mas alto
ADRESL=0x00; // Poner a 0 el registro de conversion mas bajo
//TIMER 0
INTCONbits.TMR0IE=1; // Permitimos la int. por desbordamiento del timer0
INTCONbits.GIEH=1; // Permitimos todas las interrupciones enmascaradas
INTCONbits.TMR0IF=0; //Desactivamos el flag del timer0
INTCON2=0x00; //Todas las int. seran en el flanco de bajada
INTCON3=0x00; //Deshabilitamos las interrupciones externas
PIR1=0x00; //Deshabilitamos los flags de los timer 1 y2
90
PIE1=0x00; /*deshabilitamos la interrupcion de conversion y no permitimos

la interrupcin de los timers 1 y 2*/
IPR1=0x00; /*Configuramos la prioridad de las interrupciones como baja
(conversor, comparador, timer1 y 2*/
PIR2=0x00; //Deshabilitamos el flag del timer3
PIE2=0x00; //No permitimos la interrupcion del timer3
IPR2=0x00; /* Configuramos la prioridad de las interrupciones como baja
(fallo en el oscilador, memoria EEPROM, detector nivel bajo, timer3)*/
RCON=0x00; //Deshabilitamos la prioridad de nivel en las interrupciones
T0CON=0x00; //Configuramos el timer 0 con un valor de 20ms.
//Conversion analogico-digital
ADCON1=0x7C; // Config. de los pines AN0 y AN1 como entradas analogicas
ADCON2=0x92; // Resultado justificado a izquierda
//Perifericos
PORTA=0x00;
TRISA=0x03; //AN0 y AN1 configuradas como entradas
PORTB=0x00;
TRISB=0x00; //Puerto B configurado como salida
}
/*Funcion de conversion de intensidad: Convertimos la intensidad del panel al

valor de referencia del PIC (5V) .*/
unsigned short int intensidad (void)

{
intensidad_alta=0; intensidad_alta_total=0;
intensidad_baja=0;
for (i=0;i<1;i++) { }
ADCON0=0x05;
for (i=0;i<10;i++){ }
ADCON0=0x07; /* Corriente de conversion: conversion en el canal 1, empieza

la conversion */
while (ADCON0!=0x05) { }
intensidad_alta=ADRESH; /* Se guardan los 8 bits altos de la conversin

en el registro ADRESH */
intensidad_alta_total=intensidad_alta<<8; /* Realizamos un desplazamiento
para capturar posteriormente los dos bits de menor peso de la conversion ya
que utilizamos una conversion sobre 10 bits*/
intensidad_baja=ADRESL;
//Se guardan los 2 bits de menor peso en el regsitro ADRESL
intensidad_convertida=intensidad_alta_total+intensidad_baja;
//Capturamos los 10 bits de la conversin (intensidad convertida)
return (intensidad_convertida); }
/*Funcion de conversion de tension: Convertimos la tension del panel al

valor de tension de referencia del PIC18F1220 (5V) para poder trabajar.*/
unsigned short int tension (void)
{
tension_alta=0; tension_alta_total=0;
tension_baja=0;
for (i=0;i<1;i++) { }//Esperamos un poco antes de empezar la conversion
ADCON0=0x01;
for (i=0;i<10;i++) { } //Tiempo de adquisicion correcta de la seal
91
ADCON0=0x03; /* Tension de conversion: conversion en el canal 0, empieza la

conversion*/
while (ADCON0!=0x01) { } // Esperamos hasta finalizar conversion
tension_alta=ADRESH; /*Guardamos los valores de la tension

convertida en los registros de conversion del PIC*/
tension_alta_total=tension_alta<<8;
tension_baja=ADRESL;
tension_convertida=tension_alta_total+tension_baja; //Tension convert.
return (tension_convertida);
}
//Funcion calculo de potencia

unsigned long int calculo_potencia (void)
{
unsigned long int x,y;
x=tension(); // Conversion tension.

y=intensidad(); // Conversion corriente.
potencia_total= x * y; // Calculo de la potencia: producto de V*I.
return (potencia_total);
}
/*Funcion calculo de potencia media: Calculamos la potencia media de la seal

para posteriormente hacer un mejor clculo de la derivada de potencia, para
aislar los ruidos de las seales analgicas y obtener una mejor resolucion de
la grafica de potencia.*/
unsigned long int potencia_media (void)
{
unsigned long potencia_media_total ,muestreos_P,c_potencia;
potencia_media_total=0;
muestreos_P=0;
c_potencia=0;
for (m=0;m<40;m++) //Muestreamos 40 puntos de la grafica de potencia

{
c_potencia=calculo_potencia();
/*Para hacer el muestreo vamos capturando los valores, los vamos
sumando y posteriormente los dividimos por 2*/
muestreos_P=muestreos_P+c_potencia;
potencia_media_total=muestreos_P>>1;
}
return (potencia_media_total);
}
/*Funcion de clculo de derivada: Calculamos la derivada de potencia para

detectar las variaciones de la potencia. Si nos acercamos o nos alejamos del
punto maximo de potencia.*/
unsigned char derivada_potencia (void)
{
unsigned char derivada;
potencia = potencia_media(); //Capturamos un valor de potencia
if (potencia>(potencia_old+300)) //Se coloca un poco de histersis.

{
derivada=1; //Si es mayor, la derivada es positiva
PORTBbits.RB0=1; //Visualizamos el valor de la variable derivada
potencia_old = potencia; //El valor anterior pasa a ser el actual.
}
else if (potencia< (potencia_old-300))
92
{
derivada=0;
PORTBbits.RB0=0; //Visualizamos el valor de la variable derivada
potencia_old = potencia; //El valor anterior pasa a ser el actual.
}
return (derivada);
}
// ********* PROGRAMA PRINCIPAL ********* //
void main ()
{
configurar_registros();
tension_panel=tension ();
if (tension_panel<0x2B9)
{
PORTBbits .RB1=1; //alpha
} else
{
PORTBbits . RB1=0;
}
while(1)
{
derivada_pot = derivada_potencia();//Capturamos el valor de la derivada
if ((derivada_pot==1)&&(PORTBbits.RB1==1))
{
PORTBbits.RB1=1;
}
else if ((derivada_pot==0)&&(PORTBbits.RB1==1))
{
if (H==0)
{
PORTBbits.RB1=1;
}
else
{
PORTBbits.RB1=0; H=0;
T0CONbits.TMR0ON=1;
}
}
else if ((derivada_pot==1)&& (PORTBbits .RB1==0))
{
PORTBbits.RB1=0;
}
else if ((derivada_pot==0)&&(PORTBbits.RB1==0))
{
if (H==0)
{
PORTBbits.RB1=0;
}
else
{
PORTBbits.RB1=1;
H=0;
T0CONbits.TMR0ON=1;
}
}
else
{
}
}
}
93
8.2 Anexo 2. Presupuesto de materiales.
En el siguiente anexo se detalla el presupuesto de materiales necesarios para realizar

el prototipo del ondulador propuesto en este proyecto. En el primer apartado tenemos el
listado de materiales y en el segundo apartado la aplicacin de precios.
8.2.1 Listado de materiales ondulador.
Cdigo Denominacin Concepto Uds.

C35, C36, C40, C44,
C46, C47, C49, C50,
211-549 C69, C70, C72, C74, Condens. cermico radial Z5U,100 nF 50 Vdc 17
C76, C77, C78, C79,
C91
211-5558 C37, C41, C45, C73 Condens. cermico radial Z5U,1,0 uF 50 Vdc 4
315-0855 C38 Condens. electro Al radial FC,120 uF 50 V 1
C39, C42, C43, C48,
228-6947 Condens. electro. Al radial M,10 uF 63 V 5
C75
211-4864 C68, C71 Condens. cermico radial C0G,15 pF 100 V 2
544-4483 D12 Diodo Zener 15 V, BZX79C15 500 mW 1
545-2872 D13, D14 Diodo de barrera Schottky, MBR1045 10 A 45 V 2
348-6479 D16 Diodo rectificador, MUR160 1A 600 V 1
417-098 F2 Portafusibles PCB perfil bajo, 5x20 mm, 6,3 A 1
J20, J22, J24, J33,
361-7667 Terminal PCB con tornillo 2 vas, 5 mm 1
J35
361-7673 J23 Terminal PCB con tornillo 3 vas, 5 mm 1
334-9229 L3, L4 Inductor supresor almacenaje/interf., 22 H 5 A 2
1190604 L5 Ncleo Ferrita, 36X23X15 N30 150 H 1
543-0541 M6 Transistor MOSFET IRLIZ44NPBF 1
293-549 Q2 Transistor NPN, BC109 0,1 A, 5 V 1
R19, R36, R38, R60,
148-506 Resistor pelcula de carbn 0,25 W 1 k 5
R63
148-972 R25 Resistor pelcula de carbn 0,25 W 100 k 1
144-015 R26, R65 Resistor pelcula de carbn 0,25 W 10 2
150-638 R27 Resistor pelcula de carbn 0,5 W 2,2 1
150-571 R28 Resistor pelcula de carbn 0,5 W 1,2 1
366-8592 R31 Resistor sensor al aire libre, R010 1W 1
522-0142 R34, R53, R54, R61 Pot. multiv., estrecho de ajuste sup.,10 mm,500 mW, 20k 4
148-871 R35, R70, R71 Resistor pelcula de carbn 0,25W 39k 3
522-0237 R51 Pot. multiv., estrecho de ajuste sup.,10 mm,500 mW, 500 k 1
148-736 R59, R64, R77 Resistor pelcula de carbn 0,25 W 10 k 3
164-160 R68 Resistor pelcula de carbn 0,25 W 100 1
1023254 U3 IC - MOSFET Driver HI Side IR2125PBF 1
545-7631 U12 IC - INA195AI Current Shunt Monitor 100 V/V 1
523-0105 U13 IC - Analogue multiplier, AD835AN DIP8, 150 MHz 1
533-8186 U14 IC -Comparador, LM311N 200 ns DIP8 1
Tabla 8.1. Listado materiales girador tipo G.
94

C6, C9, C18, C19,
C33, C34, C61, C62,
211-549 Condens. cermico radial Z5U,100 nF 50 Vdc 15
C63, C64, C65, C80,
C83, C86, C88
228-6947 C10, C81, C82, C85 Condens. electro. Al radial M,10 uF 63 V 4
C11, C12, C15, C16,
211-5542 Condens. cermico radial Z5U,3,3 uF 50 Vdc 5
C17
339-6887 C13, C14 Condens. electro. Al TSUP,10000 uF 50 V 2
315-0855 C60 Condens. electro Al radial FC,120 uF 50 V 1
211-4864 C84, C87, C89, C90 Condens. cermico radial C0G,15 pF 100 V 4
545-2872 D7 Diodo de barrera Schottky, MBR1045 10 A, 45 V 1
545-2917 D8 Diodo rectificador, MUR840 8 A, 400 V 1
812-617 D9 Diodo Zener 43 V, BZX85 1,3 W 1
544-4483 D10 Diodo Zener 15V, BZX79C15 500 mW 1
417-098 F1 Portafusibles PCB perfil bajo, 5x20 mm, 6,3 A 1
361-7667 J13, J14 Terminal PCB con tornillo 2 vas, 5 mm 1
228-595 L1 Inductor radial alta corriente,220 uH, 5,5 A 1
543-0541 M5 Transistor MOSFET IRLIZ44NPBF 1
293-549 Q1 Transistor NPN,BC109 0,1 A, 5 V 1
289-6831 RV1 Varistor de xido metlico S14K40 40 Vrms 1
366-8592 R11 Resistor sensor al aire libre, R010 1 W 1
148-635 R12, R22 Resistor pelcula de carbn 0,25 W 3,5 k 2
148-506 R13, R30, R57, R74 Resistor pelcula de carbn 0,25 W 1 k 4
144-015 R14 Resistor pelcula de carbn 0,25 W 10 1
148-972 R15, R73 Resistor pelcula de carbn 0,25 W 100 k 2
522-0142 R37, R55, R58, R66 Pot. multiv., estrecho de ajuste sup.,10 mm,500 mW, 20 k 4
164-160 R75, R76 Resistor pelcula de carbn 0,25 W 100 2
545-7631 U6 IC - INA195AI Current Shunt Monitor 100 V/V 1
1292284 U7 IC - MOSFET Driver LO side 6 A, TC4420EPA 1
523-0105 U18 IC - Analogue multiplier, AD835AN DIP8 150 MHz 1
533-8186 U20 IC -Comparador, LM311N 200 ns DIP8 1
Tabla 8.2. Listado materiales LFR Boost.

C1, C2, C3, C4, C5,
C110
228-6947 C57 Condens. electro. Al radial M,10 uF 63 V 1
348-6479 D1, D4 Diodo rectificador, MUR160 1A 600 Vrrm 2
544-4483 D2, D3, D5, D6 Diodo Zener 15 V, BZX79C15 500 mW 4
361-7667 J1, J2, J3, J4 Terminal PCB con tornillo 2 vas, 5 mm 1
543-0541 M1, M2, M3, M4 Transistor MOSFET IRLIZ44NPBF 4
144-015 R2, R3, R7, R8 Resistor pelcula de carbn 0,25 W 10 4
148-972 R4, R5, R9, R10 Resistor pelcula de carbn 0,25 W 100 k 4
1023254 U1, U2 IC - MOSFET Driver HI & LO Side IR2301PBF 2
Tabla 8.3. Listado materiales puente en H.
95

211-5558 C22, C53, C55 Condens. cermico radial Z5U,1.0uF 50 Vdc 3
228-6644 C23, C24, C54, C56 Condens. electro. Al radial M,47uF 16 V 4
C25, C109, C112,
C113, C115, C117,
C119, C120, C123,
C127, C128
228-6947 C116 Condens. electro. Al radial M,10 uF 63 V 1
538-1168 C121, C124 Condens. cermico radial X7R,1 nF 100 V 2
405-7690 C122, C126 Condens. cermico de lenteja,330pF 500 V 2
544-3480 D21, D24, D25, D28 Diodo pequea seal,1N4148 0,2 A 100 V,20pc 4
1336539 D22, D26 Diodo de barrera Schottky, SB160 1A 60V 2
1336539 D23, D27 Diodo de barrera Schottky, SB160 1A 60V 2
361-7667 J39, J40 Terminal PCB con tornillo 2 vas, 5 mm 1
540-8639 L6 Inductor radial 100UH 0,82 A 1
540-868 L7 Inductor radial 220UH 0,58 A 1
522-0237 R97, R100 Pot. multiv., estrecho de ajuste sup.,10 mm,500 mW, 500 k 2
148-938 R99, R102 Resistor pelcula de carbn 0,25 W 68 k 2
533-3951 U9 IC - Charge pump DC-DC converter, LM2662M SO8 1
1273809 U24, U25 IC - DC/DC UP/DOWN converter LT3433 2
Tabla 8.4. Listado materiales fuente de alimentacin.

C26, C27, C30, C32,
211-549 C51, C52, C104, Condens. cermico radial Z5U,100 nF 50 Vdc 8
C107
211-4864 C28, C29, C108 Condens. cermico radial C0G,15 pF 100 V 3
211-5558 C31 Condens. cermico radial Z5U,1.0 uF 50 Vdc 1
228-6947 C105, C106 Condens. electro. Al radial M,10 uF 63 V 2
812-392 D15, D20 Diodo Zener 5.1 V,BZX85 1.3 W 2
240-0929 J21 Conector hembra en a/r para PCB 6/6 vas 1
148-506 R21 Resistor pelcula de carbn 0,25 W 1k 1
164-160 R78, R93, R94 Resistor pelcula de carbn 0,25 W 100 3
378-6296 SW1 Interruptor tctil,6x3,5x4,3mm 320gf 1
251-8682 SW2 Puente conex. 2vas,paso/alt 2,54/5,97 mm 1
467-1937 U5 IC - Microcontroller, PIC18F1220-I/P 40 MHz 1
307-1667 U11 IC - Amp operacional precisin, OPA277PA DIP8 1
226-1853 Y1 Cristal, 20 MHz HC49 1
Tabla 8.5. Listado materiales MPPT.
96

C59, C92, C95, C96,
C97
228-6947 C93, C94 Condens. electro. Al radial M,10 uF 63 V 2
C98, C99, C100,
211-4864 Condens. cermico radial C0G,15pF 100 V 6
C101, C102, C103
544-3480 D17, D18, D19 Diodo pequea seal,1N4148, 0,2 A, 100 V 3
361-7667 J25, J27, J28 Terminal PCB con tornillo 2 vas, 5 mm 1
R45, R80, R82, R87,
148-506 Resistor pelcula de carbn 0,25W 1 k 8
R88, R89, R90, R92
148-584 R46 Resistor pelcula de carbn 0,25W 2,2 k 1
144-015 R79 Resistor pelcula de carbn 0,25W 10 1
144-217 R81 Resistor pelcula de carbn 0,25W 560 1
148-972 R83, R84, R85, R86 Resistor pelcula de carbn 0,25W 100 k 4
149-228 R91 Resistor pelcula de carbn 0,25W 1 M 1
1097452 U22 IC - AO cudruple alta precisin, OPA4277 1
1085252 U23 IC - SM 74HC1GU04 puerta lgica inversora 1
Tabla 8.6. Listado materiales referencia girador.
8.2.2 Aplicacin de precios.
Cdigo Concepto Uds. Precio Subtotal

211-549 Condens. cermico radial Z5U,100 nF 50 Vdc 17 0,12 2,04
211-5558 Condens. cermico radial Z5U,1,0 uF 50 Vdc 4 0,45 1,80
315-0855 Condens. electro Al radial FC,120 uF 50 V 1 0,39 0,39
228-6947 Condens. electro. Al radial M,10 uF 63 V 5 0,07 0,35
211-4864 Condens. cermico radial C0G,15 pF 100 V 2 0,17 0,34
544-4483 Diodo Zener 15 V, BZX79C15 500 mW 1 0,15 0,15
545-2872 Diodo de barrera Schottky, MBR1045 10 A 45 V 2 1,30 2,60
348-6479 Diodo rectificador, MUR160 1A 600 V 1 0,22 0,22
417-098 Portafusibles PCB perfil bajo, 5x20 mm, 6,3 A 1 0,79 0,79
361-7667 Terminal PCB con tornillo 2 vas, 5 mm 1 0,46 0,46
334-9229 Inductor supresor almacenaje/interf., 22 H 5 A 2 2,22 4,44
1190604 Ncleo Ferrita, 36X23X15 N30 150 H 1 6,31 6,31
543-0541 Transistor MOSFET IRLIZ44NPBF 1 2,41 2,41
293-549 Transistor NPN, BC109 0,1 A, 5 V 1 0,48 0,48
148-506 Resistor pelcula de carbn 0,25 W 1 k 5 0,05 0,25
144-015 Resistor pelcula de carbn 0,25 W 10 2 0,05 0,10
150-638 Resistor pelcula de carbn 0,5 W 2,2 1 0,05 0,05
150-571 Resistor pelcula de carbn 0,5 W 1,2 1 0,05 0,05
366-8592 Resistor sensor al aire libre, R010 1W 1 1,09 1,09
522-0142 Pot. multiv., estrecho de ajuste sup.,10 mm,500 mW, 20k 4 1,83 7,32
148-871 Resistor pelcula de carbn 0,25W 39k 3 0,05 0,15
522-0237 Pot. multiv., estrecho de ajuste sup.,10 mm,500 mW, 500 k 1 1,83 1,83
97

1023254 IC - MOSFET Driver HI Side IR2125PBF 1 12,66 12,66
545-7631 IC - INA195AI Current Shunt Monitor 100 V/V 1 1,62 1,62
523-0105 IC - Analogue multiplier, AD835AN DIP8, 150 MHz 1 27,01 27,01
533-8186 IC -Comparador, LM311N 200 ns DIP8 1 0,41 0,41
TOTAL: 76,34
Tabla 8.7. Aplicacin de precios girador tipo G.

211-5542 Condens. cermico radial Z5U,3,3 uF 50 Vdc 5 1,37 6,85
339-6887 Condens. electro. Al TSUP,10000 uF 50 V 2 5,34 10,68
315-0855 Condens. electro Al radial FC,120 uF 50 V 1 0,39 0,39
545-2872 Diodo de barrera Schottky, MBR1045 10 A, 45 V 1 1,30 1,30
545-2917 Diodo rectificador, MUR840 8 A, 400 V 1 0,80 0,80
812-617 Diodo Zener 43 V, BZX85 1,3 W 1 0,20 0,20
544-4483 Diodo Zener 15V, BZX79C15 500 mW 1 0,15 0,15
417-098 Portafusibles PCB perfil bajo, 5x20 mm, 6,3 A 1 0,79 0,79
228-595 Inductor radial alta corriente,220 uH, 5,5 A 1 5,49 5,49
293-549 Transistor NPN,BC109 0,1 A, 5 V 1 0,48 0,48
289-6831 Varistor de xido metlico S14K40 40 Vrms 1 0,46 0,46
366-8592 Resistor sensor al aire libre, R010 1 W 1 1,09 1,09
148-635 Resistor pelcula de carbn 0,25 W 3,5 k 2 0,05 0,10
545-7631 IC - INA195AI Current Shunt Monitor 100 V/V 1 1,62 1,62
1292284 IC - MOSFET Driver LO side 6 A, TC4420EPA 1 1,19 1,19
523-0105 IC - Analogue multiplier, AD835AN DIP8 150 MHz 1 27,01 27,01
533-8186 IC -Comparador, LM311N 200 ns DIP8 1 0,41 0,41
TOTAL: 75,01
Tabla 8.8. Aplicacin de precios LFR Boost.
98

348-6479 Diodo rectificador, MUR160 1A 600 Vrrm 2 0,22 0,44
544-4483 Diodo Zener 15 V, BZX79C15 500 mW 4 0,15 0,60
1023254 IC - MOSFET Driver HI & LO Side IR2301PBF 2 2,35 4,70
TOTAL: 17,03
Tabla 8.9. Aplicacin de precios puente H.

211-5558 Condens. cermico radial Z5U,1.0uF 50 Vdc 3 0,45 1,35
228-6644 Condens. electro. Al radial M,47uF 16 V 4 0,07 0,28
538-1168 Condens. cermico radial X7R,1 nF 100 V 2 0,10 0,20
405-7690 Condens. cermico de lenteja,330pF 500 V 2 0,11 0,22
544-3480 Diodo pequea seal,1N4148 0,2 A 100 V,20pc 4 0,07 0,28
1336539 Diodo de barrera Schottky, SB160 1A 60V 2 0,35 0,71
1336539 Diodo de barrera Schottky, SB160 1A 60V 2 0,35 0,71
540-8639 Inductor radial 100UH 0,82 A 1 0,73 0,73
540-868 Inductor radial 220UH 0,58 A 1 0,73 0,73
533-3951 IC - Charge pump DC-DC converter, LM2662M SO8 1 3,25 3,25
1273809 IC - DC/DC UP/DOWN converter LT3433 2 6,85 13,70
TOTAL: 28,53
Tabla 8.10. Aplicacin de precios fuente de alimentacin.

211-5558 Condens. cermico radial Z5U,1.0 uF 50 Vdc 1 0,45 0,45
812-392 Diodo Zener 5.1 V,BZX85 1.3 W 2 0,20 0,40
240-0929 Conector hembra en a/r para PCB 6/6 vas 1 1,48 1,48
99

148-506 Resistor pelcula de carbn 0,25 W 1k 1 0,05 0,05
378-6296 Interruptor tctil,6x3,5x4,3mm 320gf 1 0,28 0,28
251-8682 Puente conex. 2vas,paso/alt 2,54/5,97 mm 1 0,31 0,31
467-1937 IC - Microcontroller, PIC18F1220-I/P 40 MHz 1 5,97 5,97
307-1667 IC - Amp operacional precisin, OPA277PA DIP8 1 1,97 1,97
226-1853 Cristal, 20 MHz HC49 1 0,59 0,59
TOTAL: 16,22
Tabla 8.11. Aplicacin de precios MPPT.

211-4864 Condens. cermico radial C0G,15pF 100 V 6 0,17 1,02
544-3480 Diodo pequea seal,1N4148, 0,2 A, 100 V 3 0,07 0,21
148-506 Resistor pelcula de carbn 0,25W 1 k 8 0,05 0,40
148-584 Resistor pelcula de carbn 0,25W 2,2 k 1 0,05 0,05
144-015 Resistor pelcula de carbn 0,25W 10 1 0,05 0,05
144-217 Resistor pelcula de carbn 0,25W 560 1 0,05 0,05
148-972 Resistor pelcula de carbn 0,25W 100 k 4 0,05 0,20
149-228 Resistor pelcula de carbn 0,25W 1 M 1 0,05 0,05
1097452 IC - AO cudruple alta precisin, OPA4277 1 6,74 6,74
1085252 IC - SM 74HC1GU04 puerta lgica inversora 1 0,19 0,19
TOTAL: 12,66
Tabla 8.12. Aplicacin de precios referencia girador.
8.2.3 Precio prototipo ondulador.
Concepto Uds. Precio Subtotal

LFR Boost 2 75,01 150,02
MPPT 2 16,22 32,44
Girador tipo G 2 76,34 152,68
Referencia girador 1 12,66 12,66
Puente en H 1 17,03 17,03
Fuente de alimentacin 1 28,53 28,53
Transformador 1 33,22 33,22
Disipadores 3 5,82 17,46
Tornillera 1 0,52 0,52
Cableado 1 1,02 1,02
TOTAL: 445,58
Tabla 8.13. Precio material prototipo ondulador.
100
8.3 Anexo 3. Diseo de un girador tipo G basado en BIF.
En el siguiente anexo se presenta el diseo de un girador tipo G basado en un

convertidor BIF, la figura muestra los componentes del BIF.
Figura 8.1. Topologa de un BIF.
La expresin de la ecuacin caracterstica de un girador tipo G basado en un

convertidor BIF viene dada por:
1
s + P( s) = 0
RC 2
(A4.1)

donde,
1 1 g2R 2 1 g2R 1
3

P( s) = s + +

s + s + (A4.2)
Rd C d Rd C1 C1 L1C1 Rd C d C1 L1C1 Rd C d
Si P(s) se escribe como P ( s ) = s 3 + ms 2 + ns + p , el polinomio no deber tener sus

races en el semiplano derecho, con las siguientes condiciones dadas por el criterio de
Routh se cumplir.
m>0
n>0
p>0
mn-p>0 (A4.3)
Aplicando las condiciones de (A4.3) al polinomio (A4.2) tenemos
C1 + C d
Rd C d < (A4.4)
g 2R
Rd C d > g 2 RL1 (A4.5)
1
>0 (A4.6)
L1C1 Rd C d
g 2 RRd C d + g 2 RL1 (C1 + C d ) < ( g 4 R 2 L1 + C d ) Rd C d
2 2
(A4.7)
101
Se puede observar que (A4.6) se cumple siempre. (A4.4) y (A4.5) establecen el

margen de valor de Rd C d para un sistema estable. Por otro lado, la expresin (A4.7) se
puede expresar de la siguiente forma
y = ax 2 + bx + c < 0 (A4.8)
donde, x = Rd C d y a > 0, b < 0 y c > 0.
Por lo tanto (A4.8) puede expresarse como
( )
y = g 2 Rx 2 + g 4 R 2 L1 + C d x + g 2 RL1 (C1 + C d ) < 0 (A4.9)
La ecuacin (A4.8) se representa en la figura 8.2 donde X1 y X2 estn dados por
b b 2 4ac b + b 2 4ac
x1 = x2 = (A4.10)
2a 2a
Y
b
x1 < < x2 (A4.11)
2a
Que nos lleva a
g 2 RL1 C
x1 < + 2d < x2 (A4.12)
2 2g R
g RL C
min( Rd C d ) < 2 1 + 2d < max( Rd C d ) (A4.13)
2 2g R
Tambin podemos escribir

C1 + C d
Rd C d < (A4.14)
g 2 RL1
Rd C d > g 2 RL1 (A4.15)
Figura 8.2. Representacin genrica de la funcin (A4.9)
102
Los lmites mostrados en (A4.12)-(A4.15) se resumen en la siguiente figura.
Figura 8.3. Regin de estabilidad en funcin de RdCd.
b 2 4ac
Adems, el trmino es igual a
2a
b 2 4ac
=
(g 4
R 2 L1 + C d )
2
4 g 2 R 2 L1 (C1 + C d )
=
2a 2g 2 R
g 8 R 4 L1 + C d + 4 g 2 R 2 L1C1 2 g 2 R 2 L1C d
2 2
= (A4.16)
2g 2 R
La expresin (A4.16) puede ser simplificada asumiendo
C d = 4 g 2 R 2 L1C1 2 g 2 R 2 L1C d
2
(A4.17)
Con lo que tenemos lo siguiente
C d = g 4 R 2 L1 + g 8 R 4 L1 + 4 g 2 R 2 L1C1 Cd > 0
2
(A4.18)
Tomando C d obtenido en (A4.17) obtenemos los siguientes valores para X1 y X2.
Cd
x1 = (A4.19)
2g 2 R
Cd
x2 = g 2 RL1 + (A4.20)
2g 2 R
De (A4.19) y (A4.20) se obtiene que
min( Rd C d ) < x1 y x2 < max( Rd C d ) (A4.21)
El anlisis previo se resume en un algoritmo de diseo representado en el siguiente

diagrama de flujo.
103
Seleccionar L1, C1, L2,

C2, R y g de las
especificaciones del
girador
Cd = g 4 R 2 L1 + g 8 R 4 L1 + 4 g 2 R 2 L1C1
2
Cd Cd
x1 = x2 = g 2 RL1 +
2g 2R 2g 2 R
Elegir Rd para que

x1 < Rd C d < x2
Buen
transitorio?
Fin del diseo
Figura 8.4. Algoritmo de diseo para Rd y Cd en un giradorRegin de

estabilidad en funcin de RdCd.
104

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Realizacin de un Ondulador Monofsico de Tipo

TITULACIN: Ingeniera en Automtica y Electrnica Industrial

AUTOR: David Hernando Ureta5

4.1.1 LFR Boost................................................................................................................................ 60

Tabla 8.11. Aplicacin de precios MPPT...................................................................................................... 100

Figura 2.27. Esquema del rectificador de puente completo de precisin. ....................................................... 31

Figura 4.30. Montaje del puente en H.............................................................................................................. 75

1.2 Energa solar fotovoltaica.

Produccin Mundial de Mdulos Fotovoltaicos

Figura 1.1. Evolucin produccin mundial de mdulos fotovoltaicos

En cuanto a la energa solar fotovoltaica el crecimiento ha sido espectacular (figura

Coste Medido Mundial de Mdulo Fotovoltaico por Vatio Producido

En el campo de aplicacin de la energa solar fotovoltaica, existen dos bloques

Este tipo de aplicacin, contrariamente a lo que pudiera parecer, esta en plena

Otra aplicacin futura podra estar en la tecnologa del hidrgeno, utilizando la

1.3 Caractersticas del mdulo fotovoltaico.

La conversin fotovoltaica se basa en el efecto fotoelctrico, es decir, en la conversin

Figura 1.3. Representacin esquemtica del efecto fotoelctrico en

Las clulas solares se componen esencialmente de silicio y otros aditivos. En funcin

1.3.1 Silicio monocristalino.

El material de silicio caracterizado por una disposicin ordenada y peridica de tomo,

1.3.2 Silicio policristalino.

1.3.3 Silicio amorfo.

El silicio amorfo es un compuesto hidrogenado de silicio, no cristalino. No existe

1.4 Caractersticas elctricas de los mdulos fotovoltaicos.

Las caractersticas elctricas principales que se tienen en cuenta a la hora de elegir un

Estas caractersticas marcarn el comportamiento del panel en circuito abierto,

A continuacin, tenemos una tabla comparativa de diferentes modelos de paneles con

Fabricante Kyocerasolar Ikarus Suntech BP Solar Isofotn Astro-Power

Tabla 1.1. Comparativa de mdulos fotovoltaicos de diferentes

Observando, de forma general, para una potencia de 85 W tendremos que la tensin y

Figura 1.4. Relacin tensin-corriente para diferentes niveles de

Figura 1.5. Relacin tensin-corriente para diferentes temperaturas en el

1.5 Modelo del mdulo fotovoltaico.

Para poder realizar simulaciones donde intervengan mdulos fotovoltaicos se deber

Figura 1.6. Modelo mdulo fotovoltaico.

Idc representa la corriente de cortocircuito de la clula, Rs la resistencia de los

Figura 1.7. Circuito equivalente mdulo fotovoltaico.

Para aadir el efecto que puede causar un cambio de temperatura o un cambio en el

Figura 1.8. Circuito equivalente mdulo fotovoltaico.

Existen caractersticas como el comportamiento dinmico en alta frecuencia de la

En la figura 1.9 tenemos los resultados de la simulacin, los diferentes trazados

Lnea de puntos: Irradiacin = 1000 W/m2, temperatura = 25 C.

Figura 1.9. Relacin tensin-corriente de circuito equivalente al mdulo

Figura 1.10. Potencia de salida del circuito equivalente al mdulo

1.6 Acoplamiento de los mdulos fotovoltaicos a una carga.

Como hemos visto la caracterstica tensin intensidad de los mdulos fotovoltaicos

1.6.1 Conexin directa al mdulo fotovoltaico.

En la siguiente figura se muestra el caso ms sencillo de conexin entre un mdulo

Como se puede ver segn el valor de la resistencia de carga se trabajar a un nivel u

Si ponemos un ejemplo prctico de la conexin de un mdulo fotovoltaico con una

Figura 1.13. Cargador de batera.

En un primer momento la batera esta descargada y tiene en bornes una tensin de

Punto de mxima potencia

Figura 1.14. Potencia de salida del circuito equivalente al mdulo

El rendimiento que obtendramos por el cargador de batera fotovoltaico planteado se

Vbat I bat Pbat

Si calculamos el rendimiento que tenemos en el cargador de batera para los dos

Punto de trabajo Tensin(V) Potencia(W) Rendimiento (%)

Tabla 1.2. Comparativa de rendimientos segn el punto de trabajo.

1.6.2 Etapa de adaptacin entre mdulo fotovoltaico y carga.

Para conseguir optimizar la transferencia de potencia entre mdulo fotovoltaico y la

En la siguiente figura vemos un esquema en el que se coloca una etapa adaptadora