Retificação - Unidade 3 PDF

ELETRNICA
Prof. Me. Simon Carmo Patrcio

simonc@fasa.edu.br
Plano de aula
UNIDADE 3
RETIFICAO
3.1. Diodo semicondutor
3.2. Diodo ideal e aproximaes
3.3. Diodo e Retificao
3.3.1. Circuitos retificadores - meia onda.
3.3.2. Circuitos retificadores - Retificao de onda completa
com derivao central.
configurao em ponte.
.
Prof. Me. Simon Carmo Patrcio 2
Plano de aula
UNIDADE 3
RETIFICAO
.
UNIDADE 3: RETIFICAO
A unio de um semicondutor P com um N pode ser
realizada de modo a constituir um cristal nico. Esse cristal
denominado juno PN, diodo de juno, ou diodo.
Como j vimos anteriormente, no semicondutor N os
eltrons so os portadores majoritrios de carga e as
lacunas as portadoras minoritrias. No semicondutor P, as
lacunas so as portadoras majoritrias de carga e os
eltrons os portadores minoritrios.
No momento em que a juno desses semicondutores
feita, inicia-se um processo de difuso de cargas, isto , o
deslocamento de cargas de regies de elevada
concentrao para regies de baixa concentrao.
Vejamos como esse processo se desenvolve por meio da figura a
seguir, que representa uma juno PN no polarizada.
Camada de
depleo
P N Lacuna
- + Eltron
- + + on positivo
- + - on negativo
O semicondutor N apresenta um grande nmero de eltrons e o

semicondutor P, um grande nmero de lacunas. Logo, ao formar a
juno PN, ocorre a difuso dos eltrons livres do lado N para o P. No
lado N, a ausncia dos eltrons cria uma regio de ons positivos
(ctions) prxima juno. No lado P, quando os eltrons ocupam as
lacunas que tambm se encontram prximas da juno (recombinao
eltron-lacuna), eles criam ons negativos (nions).
A regio em torno da juno passa a ter, assim,
caractersticas muito especiais: por um lado, ela fica livre de
portadores de carga (eltrons e lacunas), por isso
denominada camada de depleo. Por outro lado, os ons
positivos e negativos formam uma barreira potencial.
Durante o processo de difuso, conforme os ons vo sendo
formados, a barreira de potencial cresce. Com isso, o fluxo
de eltrons de N para P diminui, pois os eltrons
provenientes do lado N precisam ultrapassar a barreira
negativa do lado P para continuar a recombinao.
Obviamente, o processo de difuso cessa quando ocorre
um equilbrio de cargas na juno.

A barreira de potencial produzida na juno no final do
processo de difuso corresponde a uma diferena de
potencial (ddp) cujo valor depende do material
semicondutor e da temperatura ambiente.
temperatura ambiente, a barreira de potencial vale
aproximadamente 0,6V para o semicondutor silcio e
aproximadamente 0,3V para o de germnio.
No diodo, o terminal do lado P onde

formam os nions denominado P N
anodo (A) e o terminal do lado N
onde se formam os ctions A K
denominado catodo (K).
Diodo Reversamente Polarizado.
A polarizao reversa do diodo (A) (K)

consiste em ligar o polo positivo da P N
fonte de tenso externa no lado N
v
(catodo) e o polo negativo no lado - +
P (anodo), conforme a figura.
A aplicao da tenso reversa provoca um alargamento da
camada de depleo e consequentemente aumento da
barreira de potencial. Quanto maior a tenso externa,
mais alarga a camada de depleo, portanto maior o valor
da barreira de potencial. Obviamente, h um limite para a
tenso reversa externa para que no haja a ruptura da
juno. Prof. Me. Simon Carmo Patrcio 8
Fisicamente, ocorre que a tenso reversa
externa atua de forma a impedir a
circulao de portadores majoritrios de (A) (K)
P N
carga atravs da juno. Surge uma
pequena corrente de portadores I
minoritrios que vai do polo positivo ao v
negativo da fonte externa, como mostra a - +
figura.
Essa corrente denominada corrente reversa. Seu valor aumenta com

a ampliao da tenso externa at um limite mximo, cujo nome
corrente de saturao reversa.
Mesmo esse valor mximo muito baixo, da ordem de microampres,
de modo que, na maioria das aplicaes, a corrente reversa pode ser
desprezada.
O diodo polarizado reversamente comporta-se como uma resistncia
muito elevada, da ordem de centenas de megaohm, ou seja,
equivalente a um circuito aberto.
Fisicamente, podemos entender o fenmeno ocorrido na regio de
depleo durante a polarizao reversa como uma atrao entres os
portadores positivos da fonte e os negativos do semicondutor do tipo
N. O mesmo ocorre com o outro lado, entre os portadores negativos
da fonte e os positivos do semicondutor do tipo P. Sendo assim,
observa-se um alargamento na regio de depleo e
consequentemente o aumento na resistncia passagem de eltrons.
Como a regio de depleo se alarga, nenhum eltron (ideal) ou muito
poucos (real) iro saltar a regio de depleo do lado N para o lado
P. Sendo assim, obtm-se uma resistncia muito elevada passagem
de corrente em polarizao reversa.
Camada de depleo
P N
- +++ - + -- - +
- - +++ - + - -- + +
- + - + - +
- + + + + + +
- - - - v-
- + 10
Diodo Diretamente Polarizado.
A polarizao direta do diodo consiste em ligar o polo
positivo da fonte de tenso externa no lado P (anodo) e
o polo negativo no lado N (catodo), conforme a figura.
Neste caso, a tenso externa ajuda

(A) (K)
os eltrons livres do lado N a P N
vencer a barreira de potencial, de R I
v
modo que a resistncia da juno
+ -
cai para apenas alguns ohms.

Assim, h facilidade para a circulao de corrente
formada pelos portadores majoritrios e seu valor pode
ser mais ou menos intenso em funo apenas da
resistncia limitadora R em srie com o diodo (na figura
anterior). Essa corrente denominada corrente direta.
O diodo polarizado diretamente comporta-se como
uma resistncia muito baixa, ou seja, equivalente a
um curto-circuito.

Fisicamente, podemos entender o fenmeno ocorrido na regio de depleo
durante a polarizao direta como uma repulso entres os portadores
positivos da fonte e os positivos do semicondutor do tipo P. O mesmo ocorre
com o outro lado, entre os portadores negativos da fonte e os negativos do
semicondutor do tipo N. Sendo assim, observa-se um estreitamento na regio
de depleo e consequentemente a diminuio na resistncia passagem de
eltrons. Como a regio de depleo se estreita, alguns eltrons iro saltar
a regio de depleo do lado N para o lado P, uma vez que as cargas opostas
se atraem. Sendo assim, obtm-se um movimento ordenado de eltrons
(corrente) no sentido do semicondutor P para o semicondutor N (Conduo).
Sabe-se que o sentido convencional da corrente eltrica oposto ao sentido
da movimentao dos eltrons.
Camada de depleo
P N - - -
P N
+ - + --
- - - - + - + --
-
++
++ - - - ++ -
++ - + - -- - ++ - + -
++ ++ - + - - -- I - ++
- + - -
+ - -
+ + + + +v - - - - - - - - - -v
+ - + -
Prof. Me. Simon Carmo Patrcio I (sentido convencional)
13
Curva Caracterstica do Diodo.
A figura abaixo representa a curva caracterstica de um diodo de
silcio nas polarizaes direta e reversa.
No primeiro quadrante, em que a corrente e a tenso so positivas,
vemos a curva do diodo na polarizao direta.
Enquanto a tenso sobre o diodo menor do que a barreira de
potencial (0,7V), a corrente praticamente nula. A partir de 0,7V a
corrente cresce muito, como se o diodo estivesse em curto.
I

Polarizao
direta
Corrente
P N de fuga
(A) (K)
0,7V V
Polarizao
reversa 14
A corrente direta mxima IFmx dos diodos pode ser obtida dos manuais
de seus fabricantes (data sheet) ou via internet.
Se o diodo fosse de germnio, o aspecto da curva caracterstica seria
o mesmo, com exceo da barreira de potencial que seria de
aproximadamente 0,3V.
No terceiro quadrante, em que a corrente e a tenso so negativas,
vemos a curva do diodo na polarizao reversa.
A corrente reversa (corrente de fuga) muito pequena e cresce muito
pouco com o aumento da tenso reversa. No entanto, h um valor de
tenso denominado tenso de ruptura ()*+ ) que faz com que o
diodo inicie um processo de conduo reversa, tendo como resultado
a sua ruptura.
A tenso de ruptura dos diodos tambm pode ser obtida nos manuais
de seus fabricantes.

A curva caracterstica do diodo pode ser fornecida pelo
fabricante ou exboada a partir do conhecimento da natureza do
seu material (silcio ou germnio) e das suas expecificaes IFmx
e VRmx.
Exemplo: Esboce a curva caracterstica do diodo 1N4004,

sabendo que ele de silcio e que suas principais especificaes,
obtidas em um manual, so:
I
IFmx= 1A 1A
VRmx= -400V
-400
0,7V V
A tenso de conduo vale aproximadamente 0,7V, pois o diodo

de silcio. A corrente IFmx corresponde corrente direta
mxima e vale 1A e VRmx a tenso reversa mxima e vale 400V.
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.
O diodo exerce um papel vital em sistemas eletrnicos e possui
caractersticas bastante semelhantes s de uma simples chave.
O termo ideal se refere a qualquer dispositivo ou sistema que
tem caractersticas ideais, perfeitas em todos os sentidos. Ele
tambm fornece uma base para comparaes, indicando
melhorias que ainda podem ser feitas.
O diodo ideal um dispositivo de dois terminais e sua funo
bsica conduzir corrente no sentido definido pela seta no
smbolo e agir como um circuito aberto para qualquer tentativa
de estabelecer corrente no sentido oposto.
As caractersticas de um diodo ideal so as de uma chave que
teria a capacidade de conduzir corrente em um nico sentido.

A curva caracterstica do diodo ideal est ilustrada na figura abaixo.
Para a polarizao direta, deve-se observar o primeiro quadrante e
para a polarizao reversa o terceiro quadrante. Observa-se que por se
tratar de um diodo ideal, ele passa a conduzir para qualquer nvel de
tenso aplicada em polarizao direta. Da mesma maneira, percebe-se
que ele no conduz em polarizao reversa, independente do nvel de
tenso.
I
Polarizao
direta
I
0 V
I
Polarizao
reversa
Um dos parmetros importantes do diodo a resistncia no
ponto ou regio de operao. Se considerarmos a regio de
conduo definida pelo sentido de . e polaridade . na figura
(primeiro quadrante), determinaremos o valor da resistncia
direta 0 , que, conforme a lei de Ohm, :
0 0
0 = =
0 2,3 ( )
= 0 ( )
Onde 0 a tenso direta no diodo e 0 a corrente direta
atravs do diodo.
O diodo ideal se comporta, portanto, como um curto-circuito
na regio de conduo.
I
Considerando-se a regio de potencial negativo aplicado
(terceiro quadrante) da figura:
)
0 =
)
5 ( )
=
0
= ( )
Onde ) a tenso reversa no diodo e 0 a corrente reversa do
diodo.
O diodo ideal se comporta, portanto, como um circuito aberto
na regio de no-conduo.
I
Perguntas:
1. At que ponto a resistncia direta, que a
resistncia no estado ligado, de um diodo real
equivalente ao valor desejado de 0?
2. A resistncia de polarizao reversa grande o

suficiente para permitir uma aproximao de
circuito aberto?

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.
Estado do diodo, ligado ou desligado:
Polarizao; Desconsiderar as quedas de tenso nos diodos, ou seja,
Tenso. considerar uma tenso de 0,5V em cada diodo.
0,5V

Exemplos:
1) Determine VD, VR e ID nos circuitos com diodo em srie a
seguir.
+VD -
a) ID
IR=ID
+ Si +
E 10V R 1k VR
- -
b) + VD -
ID IR=ID
+ Si + Circuito aberto no tem corrente,
E 10V R 1k VR mas tem ddp (corrente igual a 0 e
- ddp mxima).
-

Anlise por reta de carga
O objetivo analisar a regio de operao de um diodo em um
determinado circuito.
1) Considerando do circuito anterior da letra a, empregando a
curva caracterstica do diodo de silcio, determine VDg, Idg e
VR .
+VD - ID(mA)
ID IR=ID
+ Si +
E 10V R 1k VR
- -
0 VD(V)
b) Curva caracterstica do diodo
a) Circuito em srie com diodo de silcio. de silcio.
E VD VR = 0 ; E = VD + VR ; E = VD + ID.R
Observa-se que as duas variveis da equao acima (VD e ID) so
as mesmas que as dos eixos coordenados da curva caracterstica
do diodo. Prof. Me. Simon Carmo Patrcio 26
+VD -
ID(mA)
ID IR=ID
+ Si +
E 10V R 1k VR
- -
0 VD(V)
E = VD + ID.R
Ento, as intersees da reta de carga com a curva
caracterstica do diodo pode ser encontrada, considerando
que em qualquer ponto do eixo horizontal ID=0A e para
qualquer ponto do eixo vertical VD=0V. Atribuindo VD=0V, a
equao anterior fica:

E = VD + ID.R = 0V + ID.R ; Logo = S
T

Logo, se atribuirmos ID=0A na equao e solucionarmos para
encontrar o valor de VD no eixo horizontal, Atribuindo VD=0V, a
equao anterior fica:
E = VD + ID.R = VD + (0A).R ; Logo = | T
Uma linha reta traada entre os dois pontos definir a reta de
carga, como mostra a figura abaixo. Mudando o valor de R (a
carga), mudar a inclinao da reta de carga e o ponto de
interseo entre as a curva e a reta.
ID
Curva caracterstica (diodo)

IDQ Ponto Q
Reta de carga (circuito)
0 VDQ E VD
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UNIDADE 3
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A tenso fornecida pela concessionria de energia eltrica
alternada ao passo que os dispositivos eletrnicos operam com tenso
contnua. Ento necessrio retific-la e isto feito atravs dos
circuitos retificadores que convertem corrente alternada em corrente
contnua.
Quando um diodo empregado no processo de retificao, o
diodo denominado retificador. Sua potncia e seu valor mximo de
corrente so normalmente muito maiores do que os dos diodos
empregados em outras aplicaes, como computadores e sistemas de
comunicao.
Temos os retificadores monofsicos para uso em aparelhos
eletrnicos de um modo geral e os retificadores polifsicos para uso
em circuitos industriais de alta potncia.
Destacaremos neste curso os trs tipos de retificadores
monofsicos que so:
I Retificador de meia onda.
II Retificador de onda completa utilizando transformador com
derivao central.
III Retificador de onda completa em ponte. 30
I. Retificador de meia onda.
O diodo tem a caracterstica de conduzir corrente somente num
sentido, caracterstica unidirecional, o mesmo utilizado para
retificar.
O diodo ideal com polarizao direta comporta como uma chave
fechada e com polarizao reversa comporta como uma chave
aberta.
O diodo tem resistncia direta muito baixa e resistncia reversa
muito alta. Vt
Vt + + + +
R R
Vi Vo Vi Vo=Vi
Vp 0 t
- - - -
Vt
0 t
+ + + +
R R Vo=0V
Vi Vo Vi Vo=0V
0 31 t
Z = * sin -
- - -
A -
B -
Funcionamento do circuito:
Para o ponto A positivo em relao a B-, o diodo est
polarizado diretamente e conduz.
A corrente circula de A at B passando pelo diodo e RL.
Para o ponto A negativo em relao a B, o diodo est
polarizado inversamente e no conduz. Tem-se corrente em
RL somente nos semiciclos positivos de entrada.
Os semiciclos positivos passam para a sada e os semiciclos
negativos ficam no diodo.
A frequncia de ondulao na sada igual freqncia de
entrada. O retificador de meia onda tem baixa eficincia.
Valor mdio da tenso CC
Observa-se que a mdia de uma funo seno ser sempre igual a
zero, logo a mdia da tenso representada pela senoide
VCC=0V.
Ainda considerando o diodo ideal, aps retificar o sinal, observa-
se que o valor mdio da tenso (VCC) ser diferente de zero,
`
valendo: __ = a . Vt
b
Vp
=
0 t
p = 2rs
Vt
= = ,
Vp
= ,
0 t
T 33
Agora, considerando um diodo real, sabe-se que ele estar em
estado ligado apenas se for diretamente polarizado e se a
tenso aplicada for maior ou igual a tenso de conduo do
diodo (silcio VD=0,7V). Neste caso, considerando um diodo de
silcio, para valores de tenso menores que 0,7V, o diodo ainda
atua como circuito aberto e a tenso de sada Vo=0V. Quando em
conduo, a tenso no diodo ser sempre igual a VD=0,7V e a
tenso de sada ser:
t = u .
Para situaes em que Vm >> VD, a equao a seguir pode ser
utilizada para encontrar o valor mdio da tenso com alto grau
de preciso:
p .
__ = = 0,318 p .

Ou __ = 0,318 1,415rs .
Exerccio 1:
1. Desenhe uma fonte senoidal com tenso de pico de 20V e
resolva as seguintes alternativas:
a) Considerando um retificador de meia onda, desenhe a forma
de onda na sada do retificador.
b) Calcule o valor mdio da tenso contnua para o diodo ideal
e para o diodo de silcio.
c) Compare os resultados em termos de aproximaes e
conclua se possvel utilizar as expresses desenvolvidas
para o diodo ideal quando utilizado o diodo real.

Expresses para a corrente para o retificador de meia onda
As expresses a seguir so vlidas tanto para o diodo ideal quanto para o
diodo real, visto que esto em funo da tenso mdia (VCC) que depende do
tipo de diodo.
VCC o valor mdio da tenso contnua em RL.

VP o valor de pico da tenso.
Vef o valor eficaz ou rms da tenso alternada de entrada.
__
z = . = z
z
IL o valor mdio da corrente em RL e ID o valor mdio da corrente no
diodo.
p
p =
z
sendo IP o valor de pico da corrente.
A tenso eficaz na entrada :
p
rs =
2 36
PIV = - VP sendo PIV o pico inverso de tenso no diodo.
Nota: O diodo deve suportar uma tenso inversa maior do que
PIV e uma corrente direta maior que ID.
As especificaes para o diodo 1N4007 so IF = 1A e VR max =
1000V Este diodo suporta uma corrente direta de 1A e uma
tenso reversa de 1000V.
Exemplo: Para o diodo ideal, sendo a o valor eficaz da tenso Vef

= 18V, RL = 470 , determine: VCC; IL; ID; IP e PIV.
à
VCC = _______
8,1V __ = __ = 0,45|0
{
`}}
IL = _______
17,2mA z =
)~
ID = ______
17,2mA . = z
à à
IP = ______
54mA p = rs =
)~
-25,4V
PIV = ______ ` = p 37
Invertendo o diodo.
A tenso de sada ser negativa. O diodo conduz os semiciclos
negativos. Os semiciclos positivos ficam no diodo.

Exerccio:
Utilizando o software Pspice, projete e simule um retificador de
meia onda com uma fonte senoidal com a sada observada na
figura abaixo. Observar e analisar o sinal de sada do retificador,
considerando um resistor de carga de 2K. Considere um diodo
de Silcio.
Sensibilidade vertical = 0,5 V/div.

Sensibilidade horizontal = 250 s/div
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.
Obs: Como os resultados obtidos pelas analises utilizando diodo
ideal e diodo real so bastantes prximos, todas as anlises
tericas a seguir sero realizadas considerando diodos ideais.

Funcionamento do circuito.
Este circuito tambm denominado de retificador de onda completa
convencional.
H uma defasagem de 180 entre as tenses de sada do transformador,
VA e VB.
As tenses VA e VB so medidas em relao ao ponto C (0V ). Quando A
positivo, B negativo, a corrente sai de A passa por D1 e RL e chega ao
ponto C.
Quando A negativo, B positivo, a corrente sai de B passa por D2 e RL e
chega ao ponto C.
Para qualquer polaridade de A ou de B a corrente IL circula num nico
sentido em RL e por isto, a corrente em RL contnua. Temos somente os
semiciclos positivos na sada.
A freqncia de ondulao na sada o dobro da freqncia de entrada. 42
Formas de onda considerando um diodo ideal.
p
2
p
p
2

2(p . )
__ =


VP o valor de pico da tenso p = rs 2
Vef o valor eficaz da tenso de entrada.
__ z
z = . =
z 2
IL o valor mdio da corrente em RL e ID o valor mdio da corrente nos diodos.

p
p =
z
onde IP o valor de pico da corrente.
`
Tenso eficaz de sada =Tenso eficaz de entrada = rs = a

O PIV nos diodos o pico negativo da tenso VAB. ` = p
Exemplo: Em um circuito retificador de onda completa com
derivao central, utilizando diodos ideais e uma tenso pico de
VP = 12,73V, RL = 470, determine: VCC; IL; ID; IP e PIV.
8,1V à
VCC = _______ __ = __ = 0,9rs
{
17,23mA `}}
IL = _______ z =
)~
8,6mA
ID = ______ . = ~

27mA à à
IP = ______ p = rs =
)~
-12,7V
PIV = ______ ` = p = rs 2

Invertendo os dois diodos.
A tenso de sada ser negativa. Os diodos D1 e D2 conduzem os
semiciclos negativos de A e de B para a sada.

Exerccio:
onda completa com derivao central, utilizando uma fonte
senoidal com a sada observada na figura abaixo. Observar e
analisar o sinal de sada do retificador, considerando um resistor
de carga de 1K.
Sensibilidade vertical = 60 V/div.

Sensibilidade horizontal = 4,167 ms/div
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.
3.3.3. Circuitos retificadores - Retificao de onda completa configurao
em ponte.
Funcionamento do circuito.
O retificador em ponte dispensa o uso do transformador com tomada central. Com isto,
pode-se ter um retificador de onda completa ligado diretamente rede eltrica.
Quando A positivo em relao a B, a corrente sai de A passa por D1, RL, D3 e chega ao
ponto B.
Quando A negativo em relao a B, a corrente sai de B passa por D2, RL, D4 e chega
ao ponto A..
Conduzem somente dois diodos de cada vez.
Quando o ponto A positivo D1 e D3 conduzem.
Quando o ponto A negativo D2 e D4 conduzem.
Para qualquer polaridade de A ou de B a corrente IL circula num nico sentido em RL e
por isto, a corrente em RL contnua. Temos somente os semiciclos positivos na sada.
A freqncia de ondulao na sada o dobro da freqncia de entrada
Formas de onda considerando um diodo ideal.

2(p 2. )
__ =

VP o valor de pico da tenso p = rs 2
Vef o valor eficaz da tenso de entrada.
__ z
z = . =
z 2
IL o valor mdio da corrente em RL e ID o valor mdio da corrente nos

diodos.
p
p =
z
onde IP o valor de pico da corrente.
`
Tenso eficaz de sada =Tenso eficaz de entrada = rs = a

O PIV nos diodos o pico negativo da tenso VAB. ` = p 51
Exemplo: Em um circuito retificador de onda completa em
ponte, utilizando diodos ideais e uma fonte de tenso com valor
eficaz de Vef = 30V, RL = 820, determine: VCC; IL; ID; IP e PIV.
à
VCC = _______
27V __ = __ = 0,9rs
{
`}}
IL = _______
33mA z =
)~

ID = ______
16,5mA . = ~

à à à
IP = ______
51,7mA p = rs = __ =
)~ {
PIV = ______
-42,4V ` = 2 = rs 2

Invertendo os quatro diodos.
A tenso de sada ser negativa. Quando A positivo em relao
a B, a corrente sai de A passa por D4, RL, D2 e chega ao ponto B.
Quando A negativo em relao a B, a corrente sai de B passa
por D3, RL, D1 e chega ao ponto A.. Quando o ponto A for
positivo D2 e D4 conduziro. Quando o ponto A for negativo D1
e D3 conduziro.

Exerccio:
onda completa com configurao em ponte, utilizando uma
fonte senoidal com a sada observada na figura abaixo. Observar
e analisar o sinal de sada do retificador, considerando um
resistor de carga de 1K.
Sensibilidade vertical = 45 V/div.

Sensibilidade horizontal = 3,33 ms/div
Exerccio:
Simule no Pspice as questes 30 e 31 da pgina 91 (livro
dispositivos eletrnicos e teoria de circuitos 8 do Boylestad) e
analise a forma de onda nos ns do circuito.

Exerccio:
1. Tendo um diodo (LED) com VD =1,5V e IDmax = 30mA e uma
fonte de 12Vcc , calcule o valor do resistor R e a potncia que
o resistor deve suportar para ser colocado em srie com o
LED.
Resp: R> 350 e P : 0,32 W,
Figura Diodo polarizado diretamente e com

limitador de corrente.

BIBLIOGRAFIA BSICA:
1. BOYLESTAD, Roberto L; NASHELSKY, Louis. Dispositivos Eletrnicos e
Teoria de Circuito. Rio de Janeiro: Prentice-Hall do Brasil.
2. MALVINO, Albert Poul. Eletrnica, So Paulo: Mc Graw- Hill.
3. SEDRA, Adel S; SMITH, Kenneth. Microeletnica. So Paulo: Macron
Books.
BIBLIOGRAFIA COMPLEMENTAR:
4. CRUZ, Eduardo Alves. Eletrnica aplicada, Erica, So Paulo, 2001.
5. REZENDE, Sergio M., Materiais e dispositivos eletrnicos, So Paulo:
Livraria da Fsica.
6. BOYLESTAD, Robet L. (Autor), Introduo anlise de circuitos, So
Paulo: Pretince Hall PTR
7. FOWLER, R. Fundamentos de Eletricidade Corrente Alternada e
Instrumentos de Medio. Porto Alegre: Srie Tekn Bookman, 2013.
Vol. II
8. SCHULER, C. Eletrnica II. 7.ed. Porto Alegre: Srie Tekn Bookman,
2013.
9. MALVINO, A. Eletrnica. 7.ed. Porto Alegre: Srie Tekn Bookman, 2012.
10. MALVINO, A. Eletrnica Vol. II. 7.ed. Porto Alegre: Bookman, 2008.

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O semicondutor N apresenta um grande nmero de eltrons e o

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No diodo, o terminal do lado P onde

A polarizao reversa do diodo (A) (K)

Essa corrente denominada corrente reversa. Seu valor aumenta com

Neste caso, a tenso externa ajuda

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Exemplo: Esboce a curva caracterstica do diodo 1N4004,

A tenso de conduo vale aproximadamente 0,7V, pois o diodo

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2. A resistncia de polarizao reversa grande o

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Reta de carga (circuito)

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VCC o valor mdio da tenso contnua em RL.

Exemplo: Para o diodo ideal, sendo a o valor eficaz da tenso Vef

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Sensibilidade vertical = 0,5 V/div.

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VCC o valor mdio da tenso contnua em RL.

IL o valor mdio da corrente em RL e ID o valor mdio da corrente nos diodos.

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Sensibilidade vertical = 60 V/div.

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IL o valor mdio da corrente em RL e ID o valor mdio da corrente nos

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Sensibilidade vertical = 45 V/div.

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Resp: R> 350 e P : 0,32 W,

Figura Diodo polarizado diretamente e com

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