Transistores C.C.

PROBLEMAS DE ELECTRNICA
ANALGICA
(Transistores C.C.)

Escuela Politcnica Superior

Profesor. Daro Garca Rodrguez

1
Transistores C.C.

1.2.- En el circuito de la figura si = 0.98 y VBE = 0.7 Voltios, calcular el valor de

la resistencia R1, para una corriente de emisor 2 mA

R1 2k IC+I1

IC
I1
IB
Q1 12V

I2
0.2k
IE
25k

En este circuito tenemos que poner las ecuaciones necesarias para poder resolver
V VB
el valor de R1 que nos viene dado por R1 = C luego nuestro nico objetivo es
I1
calcular VC , VB y I1 .

I C = I E = 0.982 = 1.96mA

I B = I E I C = 2 1.96 = 0.04mA

VB 1.1
V B = V BE + I E R E = 0.7 + 20.2 = 1.1Voltios I2 = = = 0.044mA
25 25

I 1 = I B + I 2 = 0.04 + 0.044 = 0.084mA

VC = VCC ( I C + I 1 )2 = 12 (1.96 + 0.084)2 = 7.912Voltios

Luego ya tenemos todos los datos necesarios para calcular la Resistencia R1

VC VB 7.912 1.1
R1 = = = 81.1K
I1 0.084

Aqu hemos calculado todo los valores del circuito, Intensidades, y tensiones en
todos los puntos. Lo nico que nos falta es VCE = VC-VE=7.912-20.2=7.512 Voltios

Y efectivamente el transistor est en la zona activa por tener VCE> 0.2 Voltios y ser
un transistor NPN.

2
Transistores C.C.

2.2.- En el circuito de la Fig.1 los transistores Q1 y Q2 trabajan en la regin activa

con VBE1 = VBE2 = 0.7 Voltios, 1 = 100 , 2 = 50 . Pueden despreciarse las corrientes
inversa de saturacin.
a) Calcular todas las intensidades del circuito.
b) Calcular las tensiones en los diferentes puntos.

82k Ic2
IB2
1k 1k IC1
Q2 Q2
100k 24V 108,9K 24V
Q1 Q1
10k
2.61V IE2=IB1
0.1k IE1
0.1K

0 0

Fig.1 Fig.2

Lo primero que hay que hacer es reducir el circuito a una forma mas simple, para
ello se ha calculado el thevening mirado de la base B2 haca la izquierda.

2410 1082
V BB 2 = = 2.61Voltios RB 2 = + 100 = 108.9 K
82 + 10 10 + 82

Apartir de aqu analizaremos el circuito de la Fig.2.

Podemos escribir, en la malla de los emisores de los transistores:

V BB 2 = I B 2 R B 2 + V BE 2 + V BE1 + I E1 R E1 ; 2.61 = I B 2 108.9 + V BE 2 + V BE1 + I E1 0.1

I E1 = ( 1 + 1)I B1 = ( 1 + 1)I E 2 = ( 1 + 1)( 2 + 1)I B 2 = 51101I B 2 Sustituyendo

esta ecuacin en la anterior y despejado IB2 tenemos:

2.61 V BE 2 V BE1 2.61 0.7 0.7

I B2 = = = 0.0019mA
108.9 + 511010.1 624

I C 2 = 2 I B 2 = 500.0019 = 0.095mA I B1 = I E 2 = ( 2 + 1)I B 2 = 510.0019 = 0.097 mA

I C1 = 1 I B1 = 1000.097 = 9.7mA I E1 = ( 1 + 1)I B1 = 1010.097 = 9.8mA

VC1 = VCC I C RC1 = 24 9.71 = 14.4Voltios

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Transistores C.C.

V E1 = I E1 R E1 = 9.80.1 = 0.98Voltios

VCE1 = VC1 V E1 = 14.4 0.98 = 13.52Voltios

VC 2 = 24Voltios
V E 2 = V BE1 + V E1 = 0.7 + 0.96 = 1.66Voltios

VCE 2 = VC 2 VE 2 = 24 1.66 = 22.34Voltios

V B 2 = VBE 2 + V E 2 = 0.7 + 1.66 = 2.36Voltios

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Transistores C.C.

3.2.- El circuito de la figura con un transistor PNP tiene un =100,

VBE=-0.7V . Calcular todas las intensidades y tensiones en los diferentes puntos.

R2 30k RC 5k RC
5k
30/4k IC
RB
VCC
Q1 VCC Q1
20Vdc
20Vdc IB
IE
R1 10k RE VBB 5V
2k RE
2k

0 0

Lo primero que hay que hacer es el thevenin, desde la base del transistor
hacia la izquierda, quedando el circuito de la figura de la derecha:

VCC R1 2010 R2 R1 3010 30

V BB = = = 5V R BB = = = K.
R1 + R2 10 + 30 R1 + R2 10 + 30 4

A partir de aqu analizaremos el circuito de la parte derecha.

En la malla base emisor podemos escribir:

V BB = I B R B + I E R E V BE = I B R B + ( + 1)I B V BE despejando IB se tiene:

V BB + VBE 5 0.7 4.34 8.6

IB = = = = = 0.021mA
R B + ( + 1)R E
+ (100 + 1)2
30 838 419
4
1008.6 860
I C = I B = = = 2.05mA
419 4.19

1018.6
I E = ( + 1)I B = = 2.07 mA
419

Ahora calcularemos las diferentes tensiones con respecto a masa:

VC = I C RC VCC = 2.055 20 = 9.75V .

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Transistores C.C.

V E = I E RE = 2.072 = 4.14V .

VCE = VC V E = 9.75 (4.14) = 5.61V Por ser esta cada de tensin negativa
el transistor esta en la zona activa por ser un PNP.

V B = VBE + VE = 0.7 4.14 = 4.84V

A continuacin calcularemos la intensidad que circular por las resistencias R1 y R2

con sentido haca arriba.

0 V B 4.84
Para la resistencia R1 I1 = = = 0.48mA.
R1 10

Para la resistencia R2 I2 =I1+I2 = 0.48 +0.02 =0.50 mA.

VB (VCC ) 4.84 (20)

Tambin podra calcularse: I 2 = = = 0.5mA
R2 30

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Transistores C.C.

4.2.- En el circuito de la fig. el transistor tiene una = 60 . Expresar los valores

posibles de VBB para que el transistor se encuentre:
a) Zona de corte
b) Zona activa.
c) Zona de saturacin.
d) Si VBB= 5 Voltios y manteniendo el valor de RC = 1 K. entre que valores
puede variar RB para que el transistor se encuentre en la zona de activa?
e) Si VBB= 5 Voltios y manteniendo el valor de RB= 50 K. entre que valores
puede variar RC para que el transistor se encuentre en la zona de saturacin?

(VBE activa=0.7 Voltios, VCEsatuacin=0.2 Voltios, VBE saturacin=0.8 Voltios, y Corriente

inversa de saturacin despreciable.)

1 Vo

IB
a) Tal como esta polarizado el transistor, es de
IC
Q1
una forma correcta, s las fuentes empleadas
RC=1k son positivas. Suponemos a la vez que el
RB=50
k 10V VCC transistor va a conducir cuando entre base
VBB V emisor haya una cada de tensin igual o
superior a 0,7 Voltios aunque en realidad
necesite una cada de tensin
aproximadamente de 0,5 Voltios.

Luego para que el transistor este en corte necesita slo VBB< 0.7 Voltios
Ya que el diodo de emisor y colector estn polarizado inversamente.

b) y c) Aqu vamos a ver para que tensin VBB estar en saturacin, luego entre el valor
de corte y saturacin estar la zona activa.

VCC VCEsat 10 0.2 VBB V BEsat VBB 0.8

I Csat = = = 9.8mA I Bsat = =
RC 1 RB 50

Si I Csat I Bsat el dispositivo est en saturacin en caso contrario en la zona

activa.

V BB 0.8 9.850
Luego tenemos 9.8 60 V BB + 0.8 = 8.97voltios
50 60

Entonces para 0.7 VBB 8.97Voltios el transistor estar en zona activa.

V BB 8.97voltios el transistor estar en saturacin.

7
Transistores C.C.

d) En este caso la zona de corte no vara, solo varan las zonas de saturacin y
activa. Calcularemos la zona de saturacin para saber la zona activa.

I Csat I Bsat zona de saturacin

VCC VCEsat 10 0.2 V BB VBEsat 5 0.8

I Csat = = = 9.8mA I Bsat = =
RC 1 RB RB

5 0.8 4.2 4.2

9.8 = 60 RB 60 = 25.71K .
RB RB 9.8

Luego cuando RB sea mayor que 27,71 K el transistor va a estar en la zona activa.

e) En este caso la zona de corte no vara solo varan las zonas de saturacin y
activa. Calcularemos la zona de saturacin..

I Csat I Bsat zona de saturacin

VCC VCEsat 10 0.2 9.8 VBB VBEsat 5 0.8

I Csat = = = ; I Bsat = = = 0.084mA
RC RC RC RB 50

9.8 9.8
0.08460 ; RC = 1.94k con estos valores estar en zona
RC 5.04
de saturacin.

Luego cuando RC 1.94 K el transistor estar en la zona activa.

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Transistores C.C.

5.2.- En el circuito de la Fig.1 Q1 y Q2 se encuentra en la zona Activa, siendo

F1 = F 2 = 100 , V BE1 = V BE 2 = 0.7voltios .
Calcular las tensiones en los diferentes puntos e intensidades.

2K 2K IC1
2K
IB1
Q1
Q2 Q1
V4 3K
5V Q2
5V 1.2K
3K 1k IC2
3K 1k
IE1=IE2
3V

V2
5V
5V

0 0

Fig.1 Fig.2

El transistor Q1 es un NPN y el Q2 un PNP y ambos aparentemente bien polarizado.

Lo primero que tengo que hacer es realizar el thevening mirado desde la base de Q1
hacia la izquierda, teniendo el circuito de la Fig.2.

53 23
V BB1 = = 3Voltios R B1 = = 1.2 K
2+3 2+3
En la malla B1 ,E1,E2 y B2 , se puede escribir:

V BB1 = I B1 R B1 + V BE1 + I E1 R E1 + VEB 2 I E1 = ( F + 1)I B1 sustituyendo esta

ecuacin en la anterior y despejando IB1 se obtiene:

V BB1 V BE1 V EB 2 3 0.7 0.7 1.6

I B1 = ; I B1 = = = 0.0053mA
R B1 + ( F 2 + 1)R E1 1,2 + 1013 304.2

I C1 = F I C1 = 1000.0053 = 0.53mA

I E1 = I E 2 = ( F 1 + 1)I B1 = 1010.0053 = 0.54mA

F2 100 I E2 0.54
IC2 = I E 2 = 0.54 = 0.53mA I B2 = = = 0.0053mA
F2 +1 101 F 2 + 1 101

Ya tenemos calculadas todas las intensidades, ahora calcularemos las tensiones en

los diferentes puntos.

VC 2 = VCC 2 + I C 2 RC 2 = 5 + 0.531 = 4.47Voltios V E 2 = V EB 2 = 0.7Voltios

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Transistores C.C.

VCE 2 = VC 2 V E 2 = 4.47 0.7 = 5.15Voltios En zona activa, por ser un PNP y dar
negativo la tensin entre colector y emisor.

V E1 = I E1 RE1 + V E 2 = 0.543 + 0.7 = 2.32Voltios

VC1 = VCC1 I C1 RC1 = 5 0.532 = 3.94Voltios

VCE1 = VC1 V E1 = 3.94 2.32 = 1.62Voltios En zona activa, por ser un NPN y
dar positiva la tensin entre colector y emisor.

V B1 = V BE1 + VE1 = 0.7 + 2.32 = 3.02Voltios

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Transistores C.C.

6.2- En el circuito de la figura Calcular:

a) La salida VCE cuando la entrada es de 0.2 Voltios.
b) Lo mismo apartado anterior cuando la entrada es de 10 Voltios.
F = 20 VDcond.=0.7 Voltios V = 0.5voltios.
(VBE activa=0.7 Voltios, VCEsatuacin=0.2 Voltios, VBE saturacin=0.8 Voltios, y Corriente
inversa de saturacin despreciable.).

IC
I1 6k
6k
IB
D1
Q1 10V
P
Vi D2 D3 I2
2k

0
a) Si la entrada Vi = 0.2 Voltios conducir el diodo D1, por existir una Tensin entre
nodo y ctodo, a travs de la resistencia de 6 k, de (10-0.2)Voltios, lo que hace a la vez
que la tensin en el punto P sea 0.2 + 0.7 = 0.9 Voltios insuficiente tensin para que D2, D3
y El transistor pueda conducir ya que necesitara como mnimo 0.5 +0.5 +0.7 =1.7 voltios,
al no conducir el transistor, la salida VCE = VCC = 10 voltios.

b) Si la entrada es de 10 Voltios el diodo que no conduce es D1, y los otros

dispositivos s. Vamos a suponer que Q1, est en saturacin Entonces VCE =0.2 Voltios:

VP =VD2 +VD1 + VBEsat = 0.7 + 0.7 + 0.8 = 2.2 Voltios

VCC V P 10 2.2 7.8 V BEsat 0.8

I1 = = = mA I2 = = = 0.4mA
6 6 6 2 2

7.8 7.8 2.4 5.4

I B = I1 I 2 = 0.4 = = mA
6 6 6

VCC VCEsat 10 0.2 9.8

I Csat = = = mA
RC 6 6
Condicin para que est en la zona de saturacin:

9.8 5.4
I Csat I B 20
6 6

lo cumple luego Q1 est en saturacin y VCE= 0.2 Voltios

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Transistores C.C.

7.2.- a)Esbozar la caracterstica de transferencia VCE en funcin de Vi del circuito

de la figura,( suprimiendo el diodo zener) , indicando las diferentes zonas del transistor. El
transistor tiene una = 100 y la corriente inversa de saturacin despreciable.
b) Igual que en el apartado a) con el diodo zener, suponiendo que este es ideal,
cuya tensin zener es igual a 4 Voltios.
(VBE activa=0.7 Voltios, VCEsatuacin=0.2 Voltios, VBE saturacin=0.8 Voltios,)

R3
5k
360k
Q1 B 36k B
R1 360k D1
R4
15k V2
R5 10V
40K
V1 40k Vi
V3 0.1Vi
10V

0
0
0
Fig.1 Fig.2

3.75k
5k

C C 36k VCE
5V 15k

10V
3.75V

10V
1Vi 5V
0
0

Fig.3 Fig.4

Lo primero que tenemos que hacer en este circuito es, tanto en la entrada como en la
salida, reducirlo a su thevening correspondiente.

Vi 40 36040
En la entrada tenemos la Fig.2 V BB = = 0.1Vi RB = = 36 K
360 + 40 360 + 40

1015 105 155

En la salida Fig.3 VCC = = 5Voltios RC = = 3.75k
15 + 5 15 + 5

Luego el circuito queda reducido a la Fig.4, donde podemos escribir:

Zona de corte del transistor VBB< 0.7 Voltios 0.1 Vi<0.7 Vi< 7 voltios

Y entonces VCE = 5 Voltios

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Transistores C.C.

V BB V BEact 0.1Vi 0.8

Zona de Saturacin I B I Csat IB = = mA
RB 36

VCC VCEsat 5 0.2

I Csat = = mA
RC 3.75

0.1Vi 0.8 5 0.2 4.836

100 0.1Vi + 0.8 Vi 12.6Voltios
36 3.75 1003.75

Luego la zona activa estar comprendida entre 7 y 12.6 Voltios y en esa zona
se cumple:

VBB VBE 0.1Vi 0.7 0.1Vi 0.7

IB = = I C = I B = 100
RB 36 36

10Vi 70 37.5Vi + 442.5

VCE = VCC I C RC = 5 3.75 =
36 36

Conclusin:
Vi < 7 Voltios transistor en corte VCE = VCC = 5 Voltios

37.5Vi + 442.5
7 < Vi < 12.6 Voltios transistor en activa VCE =
36

Vi > 12.6 Voltios Transistor en saturacin VCE = 0.2 Voltios

Su representacin grfica en la Fig. 5

c) Si le colocamos el diodo zener ente el colector y emisor del transistor, como se

ve en la figura 1, este empieza a actuar cuando la tensin entre sus terminales es
superior a 4 Voltios que entonces su cada de tensin se mantiene a esos 4
Voltios.
Vamos a calcular el valor de Vi cuando cumple estas condiciones, ocurre en la zona
activa:

442.5 436
37.5Vi + 442.5 Vi = = 7.96Voltios
VCE = = 4Voltios 37.5
36

13
Transistores C.C.

Su representacin grfica Fig.6

VCE
5
Voltios

3
37.5
pend =
36

1
0.2V
0
1 3 7 12 Vi Voltios

Fig.5

VCE

Voltios
4

3
37.5
pend =
36

1
0.2V
0
1 3 7 12 Vi Voltios

Fig.6

14
Transistores C.C.

8.2.- Los transistores de la Fig son idnticos con F = 100 y corriente inversa de
saturacin despreciable.
a) Hallar Vo cuando la entrada vara entre 0 y 12 Voltios
b) Hallar Vo cuando la entrada vara entre 12 y 0 Voltios
c) Representar grficamente los resultados de los apartados anteriores.

2k 1k a) Para que pueda conducir un transistor

Vo necesita 0.7 Voltios, entre la base y el emisor,
8k caso del NPN y si le introducimos inicialmente
Q1 Q2

Vi
20k 12V 0 Voltios el transistor Q1 no conduce y queda el
circuito de la Fig. 2 que es un transistor con
resistencia en emisor. Lo primero que tenemos
2k que hacer es el thevening correspondiente,
mirado desde base de Q2 hacia la izquierda.
0 Su thevening nos viene expresado por:

1220 (2 + 8)20 20
V BB 2 = = 8Voltios RB 2 = = K
2 + 8 + 20 2 + 8 + 20 3

2k 1k
Vo
20/3K IC2
8k Q2 1k
Q2
20k 12V
8V IB2
2K 12V

2k
0

Fig.2 Fig.3

El circuito equivalente es el de la Fig.3 que podemos decir que el transistor est en

la zona activa o saturacin, por la forma de su polarizacin.

V BB 2 V BE 2 8 07 7.33
I B2 = = = = 0.035mA
R B 2 + ( F + 1)R E 2 20 626
+ (100 + 1)2
3

I C 2 = F I B 2 = 1000.035 = 3.50mA I E 2 = ( F + 1)I B 2 = 1010.035 = 3.53mA

Vo = VC 2 = VCC 2 I C 2 RC 2 = 12 3.501 = 8.5Voltios V E 2 = I E 2 R E 2 = 3.532 = 7.06Voltios

15
Transistores C.C.

VCE 2 = VC 2 V E 2 = 8.5 7.06 = 1.44Voltios

Por ser positiva VCE y mayor que 0.2 Voltios el dispositivo esta en la zona activa, y
ser un NPN. La salida vale Vo = 8.5 Voltios

Para que Q1 empiece a conducir necesita una tensin:

V1 (V BE1 + V E 2 ) = 0.7 + 7.06 = 7.76Voltios

y entonces Q2 estar en corte (se demostrar en el apartado posterior) y la salida Vo= 12

Voltios.

b) Si la entrada V1 es de 12 Voltios Q2 estar en corte (lo demostraremos

posteriormente) y veremos como estar Q1, y nos quedara el circuito de la fig.4. Siendo
Vo=12 Voltios

2k 1k
Vo
8k IC1
Q1 Q2 Q1 RC1
20k 12V 56/30K
Vi
Vi IE1
2k 11.2V VCC1

2k

Fig.4 Fig.5

Si miramos el circuito thevening de la Fig 4 desde el colector a masa obtenemos el circuito

de la Fig. 5.

1228 282 56
VCC1 = = 11.2Voltios RC1 = = = 1.87 K
28 + 2 28 + 2 30

En el circuito de la Fig. 5 si la entrada vale 12 Voltios el dispositivo

seguramente estar en saturacin y entonces VCE= 0.2 Voltios con lo que nos quiere decir
que VE y VC tienen aproximadamente la misma tensin, luego el transistor Q2 estar en
V 20
corte ya que. V B 2 = C1 < VE ( Por la rama de las resistencias de 20 y 8 K. circulan la
28
misma intensidad de ah el reparto, directamente proporcional, de las tensiones en ambas
resistencias).

16
Transistores C.C.

Vi VBEact 12 0.7
I B1 = = = 0.056mA
R E ( F + 1) 2(100 + 1)

VCC1 VCEsat 11.2 0.2 1130

I Csat = = = 2.84mA
RE + RC1 56 56 + 60
+2
30
S I B I Csat 0.056100 2.84 el transistor est en saturacin. En este
caso lo cumple.

S la entrada la vamos disminuyendo el transistor pasar a la zona activa y si

seguimos disminuyendo aun ms llegar un instante en que se corte, ya que VBE2
hace igual a 0.7 Voltios por lo que Q2 empieza a conducir y el Q1 pasa a corte.
Vamos a calcular ese punto.

V E1 = Vi VBE1 = Vi 0.7Voltios
Vi 0.7 56
VC1 = VCC1 I C1 RC1 = VCC1 I B1 RC1 = 11.2 100 Voltios
2(100 + 1) 30

VC1 20 20 100(Vi 0.7) 56

VB 2 = = {11.2 } Luego la condicin para que
20 + 8 28 202 30
Q2 empiece a conducir es:

20 100(Vi 0.7) 56
V B 2 V E 0.7Voltios {11.2 } (Vi 0.7) 0.7voltios
28 202 30

100(Vi 0.7) 28 30 28 30 202

{(Vi 11.2) } (Vi 0.7) {(Vi 11.2) }
202 20 56 20 56 100

6.76
Vi = 3.85Voltios
1.76

Luego a partir de una cantidad inferior a ese valor el transistor Q1 se corta y Q2 conduce.

Conclusin: a) Cuando Vi empieza en 0 Voltios Q1 en corte y Q2 en la zona activa cuya

salida es igual a 8,5 Voltios.
Cuando Vi 7,76voltios Q2 se corta y Q1 primero pasa a la zona activa y despus
a la zona de saturacin, y su salida es 12 Voltios.

b) Cuando Vi empieza en12 Voltios Q1 en saturacin y Q2 en corte, cuya salida es

igual a 12 Voltios.

17
Transistores C.C.

Cuando Vi 3.85Voltios Q2 se pone en zona activa y Q1 se corta, y su salida es 8,5

Voltios.

Con estas conclusiones llegamos que los dos transistores no pueden conducir a la
vez, como habamos supuestos en los dos apartados anteriores.
Su representacin grfica la ponemos en la figura de la pgina siguiente.

vo
Voltios
12

6 Histerisis

2 6 8 12 vi Voltios

18
Transistores C.C.

9.2.- En el circuito de la figura de la izquierda, explicar(sin llegar a resultados

numricos) como se obtendra las diferentes zonas de funcionamiento del MOS, teniendo
de parmetros los siguiente valores: k=1.25 mA/V2 y Vt = 1,5 Voltios.

3k ID
ID
3k 200/3k
D 12V
100k
12V
G VDD
2/3 VGG S
VGG 200k
5V VSS
5V

0
0

Lo primero que tengo que decir que el MOS es de canal n, aunque hayamos puesto
una figura del dispositivo diferente a las empleadas, por regla general en clase.
En segundo lugar calculamos el thvenin mirado desde Puerta hacia la izquierda
obteniendo el circuito de la derecha.

VGG 200 2VGG 200100 200

VG = = Voltios RG = = K
200 + 100 3 200 + 100 3

aunque el valor de RG no lo necesitamos ya que la intensidad que circula por la puerta es

nulo.
Las ecuaciones del circuito necesarias son:

2
VGS = VGG + 5 V DS = I D R D + V DD + VSS = I D 3 + 12 + 5 = I D 3 + 17
3

2
VGD = VGG 12 + I D 3 VD = I D 3 + 12
3

Estudiemos ahora las diferentes zonas del MOS.

a) Zona de corte
VGS Vt
2
VGG + 5 1.5Voltios
3

4.5 15
VGG = 5.25Voltios ID= 0 mA VD = 12 Voltios
2

b) Zona Ohmica VGS Vt VGD Vt

I D = k {2(VGS Vt )V DS VDS
2
}

19
Transistores C.C.

2
I D = 1.25{2( VGG + 5 1,5)( I D 3 + 17) ( I D 3 + 17) 2 }
3
2
De la segunda condicin. VGD 1,5 VGG 12 + 3I D 1.5Voltios en esta tima
3
ecuacin se sustituira el valor de ID de la ecuacin anterior y se calculara El valor de VGG
sera menor que un cierto valor, luego el valor de VGG estara comprendido entre este
valor y -5,25 Voltios.

c) Zona Activa o de saturacin

VGS Vt VGD Vt I D = k (VGS Vt ) 2

2 2
VGG + 5 1.5Voltios , VGG 5.25 ( VGG 12 + I D 3) 1.5Voltios
3 3

2
I D = k (VGS Vt ) 2 = 1.25( VGG + 5 1.5) 2 , sustituyendo en esta ltima ecuacin, la
3
ecuacin anterior, obtenemos un valor de VGG valor , luego a partir de dicho valor es
dispositivo estar en la zona activa.

Nota: la resolucin de estas ecuaciones no son complicadas pero s largas de resolver, ya

que para el calculo de ID, nos sale una ecuacin de segundo grado con dos soluciones,
siendo solo una la correcta, y despues sustituirla en la ecuacin de VGD que es funcin de
ID .

20
Transistores C.C.

10.2.- En el circuito de la figura calcular el punto de trabajo, sabiendo que trabaja

en la zona activa y sus parametros son: k = 0.025 mA/V2 y Vt = -2 Voltios.
51K

D ID

G,S 9V

3V

En primer lugar por ser Vt menor que cero es un MOS de deplexin. La puerta y el
sumidero estn unida, luego VGS=0 Voltios y este es mayor que Vt, luego est en la zona
activa o ohmica.
Si suponemos segn el enunciado que se encuentra en la zona activa.

I D = k (VGS Vt ) 2 = 0.025(0 (2)) 2 = 0.1mA

V D = V DD I D R D = 9 0.151 = 3.9Voltios VG =VS = -3Voltios

VGD = VG VD = 3 3.9 = 6.9 < Vt luego est en la zona activa

VDS =VD -VS = 3.9-(-3) = 6.9 Voltios

Su punto de trabajo es: ID = 0.1 mA , y VDS =6.9 Voltios

21
Transistores C.C.

11.2- En el circuito de la figura los MOS de la parte superior (M1 y M2) son de
enriquecimiento y sus parmetros iguales son: k = 0.2510-4 A/V2 y Vt = 3 Voltios, el otro
MOS (M3) es de deplexin cuyos parmetros son: k=0.05 mA/V2 y Vt = -2 Voltios.
Calcular los puntos de funcionamiento, suponiendo que estn en la zona activa y
comprobar la suposicin.
Calcular tambin la potencia que disipa cada MOS.

ID1 ID2

M1 M2 10V

0 0 0
ID3
10V
M3

Observando la figura, M1 y M2 estn funcionando en el mismo punto Q, por ser el

circuito simtrico y tener iguales caractersticas.
Se cumple las siguientes ecuaciones en el circuito:

I D1 = I D 2 = I D I D1 + I D 2 = I D 3 = 2I D V DS1 = VDS 2

V DS1 + V DS 3 = 10 + 10 = 20Voltios .

Suponemos que los tres dispositivos estn en la zona activa donde conocemos
VGS3 =0 Voltios, pudiendo calcular el valor de ID3.

I D 3 = k (VGS Vt ) 2 = 0.05{0 (2)}2 = 0.2mA I D 3 0.2

= ID =
= 0.1mA
2 2
Sabiendo el valor de ID podemos calcular el valor de VGS1 = VGS2 de la ecuacin

I D = k (VGS1 Vt1 ) 2 = 0.025(VGS1 3) 2 = 0.1mA

0.12
VGS 1 3 = =2 VGS 1 = 2 + 3 = 5Voltios
0.05

VGS 1 = VG1 VS1 VS 1 = VGS1 + VG1 = 5 + 0 = 5Voltios , ya conocemos las

22
Transistores C.C.

tensiones en todos los puntos, luego conocemos todas las diferencias de tensiones.

Voy a probar que estn en la zona activa todos los MOS.

En M1 y en M2. VGS1=VG1-VS1 = 0 -(-5) = 5 > Vt1 = 3 Voltios

VGD1 = VG1 -VD1 = 0 - 10 = -10 < Vt1 = 3Voltios luego cumple las
condiciones de la zona activa.

En el M3 VGS3 = 0 > Vt3 = -2 Voltios y

VGD3 =VG3 -VD3 = -10-(-5)= -5 <Vt3 = - 2V Luego est en zona Activa.

VDS1= VD1 -VS1 = 10 -(-5) = 15 Voltios VDS3 =VD3 - VS3 = -5 -(-10) = 5 Voltios

El punto de funcionamiento de M1 y M2 es (VDS=15 Voltios, ID=0.1mA)

El punto de funcionamiento de M3 es (VDS = 5 Voltios, ID = 0.2mA)

M1 y M2 disipan la misma potencia ya que circulan por ello la misma intensidad y

tienen la misma tensin entre drenador y sumidero y esta es:

P1 = P2 = ID VDS1 = 0.1 15 = 1.5 mW.

En M3 Tenemos P3 = ID3 VDS3 = 0.2 5 = 1 mW.

23
Transistores C.C.

12.2- En El circuito de la figura calcular el punto de funcionamiento de los MOS,

siendo sus parmetros k2 = 2 mA/V2 , Vt2 = 2 Voltios, k1 = 4.5 mA/V2 y Vt1 = 1 Voltios,
para los diferentes valores de la entrada VGG.
.
D2

G2
M2
S2 S

ID
D1
G1 D 9V

M1
VGG
V1
S1

En el Circuito de la figura cumple:

VDS1 + VDS2 = 9 Voltios ID1 = ID2 = ID

VGD2 = 0 < Vt2 = 2 Voltios luego solo puede estar en activa o corte.

Cuando VGS1 = VGG < Vt1 = 1 Voltios el dispositivo estar en corte lo mismo que
M2.
ID= 0mA

Cuando se inicia la zona hmica es lo que vamos a calcular:

VGG > Vt1 = 1 Voltios el dispositivo entra en la zona activa u hmica , en la zona activa se
cumple:

I D = k (VGS Vt ) 2 , I D1 = I D 2 , 2(VGS 2 2) 2 = 4.5(VGG 1) 2 extrayendo la raz cuadrada

a ambos miembros nos queda (se ha multiplicado por dos ambos miembros de la ecuacin y
despus se ha calculado la raz cuadrada): 2(VGS 2 2) = 3(VGG 1)
y VGS2 = (9 -VD1) de esta dos ecuaciones obtenemos:

17 3VGG
VD1 = ahora podemos saber para que valores de VGG est en la zona activa.
2

17 3VGG
En activa VGD1 < Vt VGD1 = VG1 V D1 VGG <1
2
luego VGG < 3.8 Voltios

Cuando 1<VGG<3.8 Voltios los dispositivos est en la zona activa.

17 3VGG
Y sus puntos de funcionamientos son: V DS1 = , I D = 4.5(VGG 1) 2
2

24
Transistores C.C.

17 3VGG
V DS 2 = 9 , I D = 4.5(VGG 1) 2
2

Cuando VGG > 3.8 Voltios M1 en saturacin y M2 en la zona 0hmica.

Cumplindose:

4
I D = k{(VGS Vt )V DS V DS
2
} = 4.5{2(VGG 1)V DS1 V DS
2
1 } = 2(V DS 2 2) =
2
(9 V DS1 2) 2
2

1 V DS 1 (38 + 18VGG ) + 196 = 0

2
de esta ecuacin obtendramos 13VDS

Donde se calcula VDS1, y con ello todos los dems valores. Hagamos un ejemplo concreto

por ejemplo VGG = 5 Voltios.

1 V DS 1 (38 + 18VGG ) + 196 = 0 1 128V Ds1 + 196 = 0

2 2
13VDS 13V DS

128 128 2 413196

V DS1 = = 7,95 Voltios y 1,90 Voltios ambos valores no son
213
correctos slo uno de ellos.

Como VGD1 > Vt1 (VG1 -VD1) > Vt1 (5 - VD1)> 1 VD1 < 4 luego el valor que

cumple solo es el de VDS1 = 1,90 Voltios. Y VDS2 = 9 - VDS1 = 9 - 1.9 = 7.1 Voltios

I D = k (VGS Vt ) 2 = k (V DS 2 Vt 2 ) 2 = 2(7.1 2) 2 = 52.02mA luego el punto de

funcionamiento son:

M1 (VDS1 ,ID1) (1,90 Voltios, 52.02mA) y M2 (VDS2 ,ID2) (7.1 Voltios,

52.02mA)

25
Transistores C.C.

13.2.- El transistor unipolar de la figura posee las siguientes caractersticas Vt=

3Voltios y k=2mA/V2. Se desea que en corriente continua el sumidero tome un valor de
VDD/2 con una corriente de drenador de 2 mA. a) Encuentre los valores de tensin de
puerta a masa y la resistencia Rs de sumidero s VDD= 12V.
a) Suponiendo que Rs = 5 K determine que margen de valores tiene que tener la
tensin de puerta a masa para que el dispositivo se encuentre en la zona ohmica.
D
G ID

M1
S
Vss VDD
Rs

0
Las ecuaciones que podemos expresar en el circuito son las siguientes:

V DD = VDS + VS ; VGS = VSS VS = VSS I D RS ; I D = k (VGS Vt ) 2

Esta ltima para zona activa:

Segn los datos del problema podemos escribir:

V DD 12 VS 6
Vs = = = 6Voltios RS = = = 3 K
2 2 ID 2

I D = k (VSS VS Vt ) 2 = 2mA = 2mA / V 2 (VSS 6V 3V ) 2

2
despejando VSS obtenemos: = VSS 9 luego VSS=10 Voltios.
2

b) Para que se encuentre en la zona ohmica tiene que cumplirse que:

VGS > Vt VGD > Vt y en nuestro caso VGS es siempre mayor que VGD

Ya que: VGD = VSS VDD y VGS = VSS VS y siempre cumple que VDD>VS

Luego nuestro problema queda resuelto con tal que cumpla que VGD > Vt

26
Transistores C.C.

VGD = (VSS - VDD) > Vt VSS > (Vt + VDD ) = 3 + 12 = 15 Voltios.

Luego cuando VSS> 15 V El dispositivo estar en saturacin.

27
Transistores C.C.

14.2.- En el circuito de la figura las resistencias R1, R2 y RD, tienen un valor de 1K y

su alimentacin VDD = 10V. a) Calcular el punto de trabajo del NMOs si k=5 mA/V2 y Vt =
4,5 Voltios.
b)Se desea calcular el valor de Vt y k realizando las siguientes medidas: 1) variando la
tensin VDD desde cero Voltios empieza a conducir con un valor de 6 Voltios. 2) Y con un
valor de 10 Voltios se obtiene una tensin de drenador a sumidero de 5 Voltios.

I1+ID Sabemos que por la puerta no circula intensidad.

D

R1 ID RD
Las ecuaciones que podemos expresar en el
I1 circuito son las siguientes:
G M1
R2 VDD VDD = (ID + I1)RD + VDS
S

VDS = I1(R1 + R2) VGS = I1R2

a) Para que el transistor est en la zona

ohmica o activa necesita que se cumpla:

VGS > Vt siendo las tres resistencias iguales se cumple que VGS = VDS/2,

Siendo Vt = 4,5 Voltios, se necesita una tensin como mnimo de VDS de

9 Voltios lo cual es imposible ya que por la resistencia de RD debe circular una

intensidad de I1 + ID.(y el valor de I1min=9V/2K=4.5 mA. que la tensin a travs
de la resistencia RD es de 4,5 V lo cual es imposible, ya que la mxima es de
1V).
Si repartimos la tensin de 10 Voltios entre las tres resistencia iguales resulta que a
cada una le corresponde una tensin de 3,33 Voltios, es decir:

VGS = 3,33 Voltios El dispositivo en corte

VDS = 6,66 Voltios y la intensidad ID = 0 mA.

b) El dispositivo empieza a conducir cuando Vt = VGS lgicamente en la zona

ohmica.

V DD 6
VGS = = = 2Voltios = Vt
3 3
Cuando VDD = 10 Voltios vamos a suponer que se encuentra en la zona de
saturacin y apliquemos las formulas y despus comprobemos lo anterior mente supuesto.
V 5
VGS = DS = = 2,5Voltios > Vt luego en saturacin o ohmica
2 2

VDD V DS 10 5 VDS 5
I D + I1 = = = 5mA I1 = = = 2,5mA
RD 1 R1 + R2 1 + 1

28
Transistores C.C.

luego I D = 5 I 1 = 5 2,5 = 2,5mA

Ahora VGD = I 1 R1 = 2,51 = 2,5Voltios < Vt = 2,5Voltios luego el dispositivo se

encuentra en la zona de saturacin o activa.

Vamos a calcular el valor de k del dispositivo:

I D = k (VGS Vt ) 2 en zona de saturacin

ID 2,5 2,5
k= = = = 10mA / V 2
(VGS Vt ) 2
(2,5 2) 2
0,25

Las caracterstica del dispositivo son: Vt = 2Voltios y k = 10 mA/V2.

29
Transistores C.C.

15.2- El Transistor FET de la figura tiene un valor de = 2.5mA / V 2 y Vp= 2

Voltios
Calcular el punto de funcionamiento.

2k RD
D
G
ID
S
RS 9V
0.39K
0

El FET es de canal P, luego la polarizacin realizada es la correcta.

Si est en la zona activa tiene que cumplir:
VGS < Vp VGD > Vp I D = (VGS V p ) 2

En el circuito tenemos: VGS= IDRS= ID 0.39

I D = (VGS V p ) 2 = 2.5(VGS 2) 2
Tenemos dos ecuaciones con dos incognitas:

VGS
= 2.5(VGS 2) 2 0.975VGS2 4.9VGS + 3.9 = 0
0.39

4.9 24.01 15.21

VGS = = 4.04Voltios y 0.99Voltios
1.95
ambas soluciones no son correctas slo una de ellas. Y en este caso es 0.99 por ser inferior
a Vp=2 Voltios.

VGS 0.99
ID = = = 2.54mA
0.39 0.39

VS = -IDRS = -2.540.39=VSG = -VGS = -0.99 Voltios VGS =0.99 Voltios

VD= -VDD + IDRD = -9 + 2.542= -3.92 Voltios

VGD =VG -VD = 0 - (-3.92) = 3.92 Voltios que es mayor que VP = 2 Voltios luego est en la
zona activa.

Su punto de funcionamiento es: VDS = VD -VS = -3.92 - (-0.99) = -2.93 Voltios y su

intensidad ID = 2.54 mA.

30
Transistores C.C.

16.2.- En el circuito de la figura los FET tiene unos parmetros iguales de VP = -3

Voltios, =0.222 mA/V2 . Indicar en que estado se encuentran los FET , calculando sus
puntos de funcionamiento.

G 2

6 .5 V J2
V GG2 S2
R
ID
0 10V
1k
G 1
D1 V DD
J1

2 ,2 M S1

En el circuito de los dos FET de canal N, podemos poner las siguientes ecuaciones:

ID1 = ID2 = ID VDD = VDS2 + ID R + VDS1 10 = VDS2 + ID 1 + VDS1

En J1 se cumple VGS1 = 0 > VP = -3, luego se encuentra en la zona activa u ohmica.

Supongamos que se encuentra en la zona Activa. (Ecuacin de la zona activa).

ID =( VGS1 -(-VP))2 = 0.222(0+3)2 = 2 mA.

Cumpliendo la misma ecuacin en J2, si lo suponemos tambin que est en la zona

activa, por tener iguales parmetros, entonces llegamos que VGS1 = VGS2.

VGS2 = VGG2 - VS2 ; VS2 = VG2 - VGS2 = 6.5 - 0 = 6.5 Voltios.

La cada de tensin a travs de la resistencia es: VR = ID R = 2 1 = 2 Voltios.

Con todos estos datos tenemos, las diferentes tensiones en los diferentes puntos del
circuito.
VD2 = 10 Voltios VS2 = 6.5 Voltios VD1= VS2 - VR = 6.5 - 2 = 4.5 Voltios.

Comprobemos que estn en la zona activa ambos, tiene que cumplirse que:

VGS > VP esta condicin se cumple y que VGD < VP.

VGD2 = VG2 - VD2 = 6.5 - 10 = -3.5 Voltios luego cumple

VGD1 = VG1 - VD1 = 0 - 4.5 = -4.5 Voltios luego cumple, se encuentran ambos en zona
activa.

Sus puntos de funcionamiento son: J1 (3,5Voltios, 2 mA) y J2 (4.5 Voltios, 2 mA).

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