OPTOELECTRNICA,

FOTNICA Y SENSORES
SANTIAGO SILVESTRE
 Ttulo: Optoelectrnica, fotnica y sensores
Autor: Santiago Silvestre
Publicado por: esk vysok uen technick v Praze
Fakulta elektrotechnick
Direccin de contacto: Technick 2, Praha 6, Czech Republic
Nmero de telfono: +420 224352084
Print: (only electronic form)
Nmero de pginas: 40
Edicin: Versin de prueba

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Electrical and Information Engineering
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El presente proyecto ha sido financiado con el apoyo

de la Comisin Europea.
Esta publicacin (comunicacin) es responsabilidad
exclusiva de su autor. La Comisin no es responsable
del uso que pueda hacerse de la informacin aqu
difundida.
 NOTAS EXPLICATIVAS

E=mc 2 Definicin

Interesante

i Nota

Ejemplo

Resumen

Ventajas

Desventajas
 ANOTACIN

Este es un curso de introduccin a la optoelectrnica. En los primeros captulos se introducen

los conceptos bsicos sobre la transmisin de la luz. Seguidamente, los mecanismos fsicos
relacionados con dispositivos optoelectrnicos se describen en el captulo cuatro. Los
principales dispositivos optoelectrnicos se presentan en el captulo cinco. Por ltimo, los
captulos 6 y 7 describen los principios de comunicaciones basadas en fibra ptica y las
principales aplicaciones de la optoelectrnica.

OBJETIVOS

Al final del estudio de este curso el alumno ser capaz de entender los conceptos bsicos de la
optoelectrnica, las cuestiones importantes relacionadas con la transmisin de luz e identificar
los principales dispositivos y aplicaciones optoelectrnicos.

LITERATURA

[1] Novikov, M. A. in Ahead of the Time Ch. 1, 731 (N. I. Lobachevsky State Univ. of
Nizhniy Novgorod Publishing, 2006).

[2] Hecht, Eugene (2002). Optics. Addison-Wesley. ISBN 0-321-18878-0.

[3] Clifford R. Pollock. Fundamentals of Optoelectronics. Irwin, 1995. ISBN 0256101043,

9780256101041

[4] French, A.P., Taylor, E.F. (1978). An Introduction to Quantum Physics, Van Nostrand
Reinhold, London, ISBN 0-442-30770-5.

[5] Kasap S.O. Optoelectroncis and Photonics, principles and practices. Pearson 2013.ISBN
978-0-273-77417-4

[6] DeWerd, L. A.; Moran, P. R. (1978). "Solid-state electrophotography with Al2O3".

Medical Physics 5 (1): 2326.

[7] Buck, John .A. Fundamentals of Optical Fibers, second edition. John Wiley sand Sons,
2004. ISBN 0-471-22191-0.
Indice
1 Introduccin a la Optoelectrnica: Historia y fundamentos............................................ 6
2 Espectro ptico. Refraccin, reflexin, atenuacin y dispersin ..................................... 7
2.1 Introduccin................................................................................................................ 8
2.2 Espectro ptico ........................................................................................................ 10
2.3 Refraccin, reflexin, atenuacin y dispersin ........................................................ 11
3 Transmisin de luz, fuentes y detectores.......................................................................... 14
3.1 Introduccin.............................................................................................................. 15
3.2 Fuentes y detectores de luz ....................................................................................... 16
4 Mecanismos Fsicos: Absorcin, fotoconductividad, emisin de fotones ...................... 18
4.1 Absorcin de Luz ..................................................................................................... 19
4.2 Fotoconductividad y efecto fotoelctrico ................................................................. 21
5 Dispositivos optoelectrnicos y Sensores .......................................................................... 23
5.1 Introduccin.............................................................................................................. 24
5.2 LEDs ......................................................................................................................... 26
5.3 LDs, diodos lser ...................................................................................................... 28
5.4 PDs, fotodiodos ........................................................................................................ 30
5.5 Clulas solares .......................................................................................................... 31
5.6 Amplificadores pticos............................................................................................. 32
6 Fibra ptica: Principios de funcionalmiento y clasificacon; modos de propagacin.
Cristales fotnicos .................................................................................................................. 34
6.1 Fibra ptica ............................................................................................................... 35
7 Aplicaciones: Comunicaciones pticas, biofotnica, sensores pticos, iluminacin y
energa ..................................................................................................................................... 39
7.1 Aplicaciones optoelectrnicas .................................................................................. 40
 1 Introduccin a la Optoelectrnica:
Historia y fundamentos
Este captulo describe algunos aspectos destacados importantes en la historia de la
optoelectrnica y tambin incluye una breve lista de algunas aplicaciones
importantes relacionadas con este campo de la fsica.

E=m c 2
La Optoelectrnica es una parte de la fotnica relacionada con el estudio y
aplicacin de dispositivos electrnicos que interactan con la luz, sistemas en los
que los electrones y los fotones coexisten. Los dispositivos optoelectrnicos operan
como transductores elctrico- pticos o pticos-elctricos.

Algunos aspectos destacados de la historia de la optoelectrnica son los siguientes:

Primera observacin de electroluminiscencia de cristales de SiC en el ao 1907

por el capitn Henry Joseph Round (Inglaterra).

Algunas dcadas ms tarde, en 1927, Oleg Vladimirovich Losev (Rusia

imperial) observ la emisin de luz a partir de xido de zinc y diodos
rectificadores de cristal de carburo de silicio utilizado en receptores de radio
cuando eran atravesados por una corriente elctrica [1].

En 1961 Ali Javan (Bell Labs) invent el primer lser de gas de nen o helio.
Un ao ms tarde, Robert Hall invent el lser de inyeccin de semiconductores.

Nick Holonyak (USA) invent el primer LED (light emission diode) visible en
1962.

Primera transmisin utilizando fibras de vidrio inventada por Corning glass e

instalada por AT&T en 1983, desde New York a Washington, D. C., a 45
megabits por segundo.
Hoy en da la Optoelectrnica se ha convertido en una nueva tecnologa emergente.
El mercado de la optoelectrnica est creciendo cada ao en todo el mundo, con un
crecimiento del 30% anual desde 1992.
La Optoelectrnica permite generar, transportar y manipular datos a muy alta
velocidad. Las principales aplicaciones de la optoelectrnica se centran en el campo
de las comunicaciones, incluyendo comunicaciones de fibra ptica y sistemas lser.
Sin embargo, las aplicaciones de la optoelectrnica se extienden a nuestra vida
cotidiana, incluyendo los campos de la informtica, la comunicacin, el
entretenimiento, los sistemas de informacin ptica, la educacin, el comercio
electrnico, la vigilancia del medio ambiente, la salud y el transporte.
Los dispositivos optoelectrnicos tambin son importantes en aplicaciones de
defensa que incluyen el tratamiento de imgenes de infrarrojos, radar, sensores de
aviacin y armas guiadas pticamente.

6
 2 Espectro ptico. Refraccin, reflexin,
atenuacin y dispersin
En este captulo se presentan algunas ecuaciones bsicas en la introduccin para
comprender conceptos importantes relacionados con la optoelectrnica. Despus de
eso, algunos mecanismos importantes de transmisin de la luz como la refraccin,
la reflexin, la atenuacin y la dispersin se introducen tambin en este captulo.
Se define tambin un concepto importante: TIR (reflexin interna total), utilizado
en las comunicaciones pticas.

7
 2.1 Introduccin
La luz, como onda electromagntica, se caracteriza por una combinacin de
variacin temporal de E (campo elctrico) y H (campo magntico) propagndose
a travs del espacio de acuerdo a las ecuaciones de Maxwell introducidas por James
Clerk Maxwell a finales del siglo XIX.
La luz puede ser caracterizada a partir de magnitudes espectrales como la
frecuencia, ,

= , donde es la frecuencia angular o pulsacin
2

o la longitud de onda, ,
c
= , siendo c la velocidad de la luz en el vaco

E=m c 2
c es una constante fsica universal y su valor exacto es de 299 792 458 m/s.
Normalmente se usa un valor aproximado de c= 3 108 m/s.

En cualquier otro medio distinto del vaco, la velocidad de fase de luz, v (la
velocidad a la que los picos o la fase de la onda se mueve), depende del ndice de
refraccin, n, del medio del siguiente modo [2] :
c
v= , donde n puede definirse mediante la siguiente ecuacin:
n

n= r r , siendo r y r la permitividad elctrica relativa y la permitividad

magntica del medio respectivamente [3]. El ndice de refraccin es una funcin de
la longitud de onda.
Las relaciones entre electricidad, magnetismo y la velocidad de la luz en un medio
se encuentran definidas en la ecuacin siguiente:

c
v=
r r

E=mc2
Dualidad onda-partcula: Cada partcula elemental o entidad cuntica exhibe las
propiedades de las partculas y tambin de las ondas. La radiacin electromagntica
se propaga siguiendo las ecuaciones de ondas lineales, pero slo puede ser emitida
o absorbida como elementos discretos: Fotones, que se comportan
simultneamente como ondas y partculas.

8
La energa de un fotn, E, es proporcional a su frecuencia ,, y puede calcularse
mediante la relacin de PlanckEinstein, tambin conocida como ecuacin de
Planck [4] :
c
E = h = h

donde h es la constante de Planck, h = 6.621034 Js o 4.13561015 eVs.
La constante: hc = 1.24 eVm.

El valor de la permitividad relativa de la slica (dixido de silicio: SiO2) es r = 3.9,

y su permitividad magntica relativa r = 0.53. Calcular el ndice de refraccin de
la slica.
SOLUCIN

El ndice de refraccin del SiO2 es: n = r r = 1.4377

9
2.2 Espectro ptico
El espectro ptico es una pequea parte del espectro electromagntico. Los ojos
humanos pueden detectar luces de longitud de onda en el rango de 450 nm a 650
nm. Esta parte del espectro electromagntico se llama espectro ptico o de la luz
visible. La Figura 1 muestra el espectro electromagntico y los colores asociados al
espectro ptico.

Fig. 1. Espectro ptico.

10
 2.3 Refraccin, reflexin, atenuacin y
dispersin
Cuando la luz llega al plano frontera entre dos medios de comunicacin, aparece
una luz transmitida en el medio 2 y una luz reflejada en el medio 1. La luz
transmitida es la luz refractada. Los ngulos asociados a las direcciones de la luz
transmitida, refractada y reflejada se muestran en la figura 2.
El ngulo de incidencia, 1, es igual al ngulo de reflexin 3.

E=mc2
La Refraccin es el cambio de direccin de la luz cuando pasa a un material de
ndice de refraccin diferente, n.

Fig. 2. Angulos de reflexin y refraccin.

La ley de Snell nos da la relacin entre los senos de los ngulos de reflexin y
refraccin y de los ndices de refraccin de los medios:
sin( 1) n2
=
sin( 2) n1

Para ngulos superiores al ngulo crtico se observa TIR (reflexin interna total)
[5]. El ngulo crtico, 1c , se da para 2 = 90.

n2
1c = arcsin
n1

11
En su lugar, toda la luz se ver reflejada de nuevo en el primer medio, un proceso
conocido como TIR. Este principio se aplica mediante guas de onda tradicionales
como fibras pticas y se muestra en la figura 3.

Fig. 3. Efecto TIR.

La luz de diferentes frecuencias se propaga a velocidades diferentes a travs del

medio. Por otra parte, el ndice de refraccin depende de la longitud de onda.
Debido a estos efectos aparecen algunos efectos de dispersin en el medio.

Fig. 4. Efecto de dispersin.

La atenuacin es la prdida de potencia ptica. La atenuacin aparece a causa

principalmente de la absorcin y la dispersin que dan lugar a una prdida de
energa en la direccin de propagacin. La atenuacin especfica: Prdida de
potencia en dB por unidad de longitud, depende de la longitud de onda de la

12
radiacin que viaja a lo largo del medio. El coeficiente de atenuacin, , viene dado
por la siguiente ecuacin

10 P ( L)
= log
L P(0)

donde P(0) es la potencia inicial o incidente, P(L) es la potencia a una distancia L

del punto inicial.

Considerar un rayo de luz viajando a travs de un medio con un ndice de refraccin

n1 = 1.44 que incide en un segundo medio con un ndice de refraccin n2 = 1.4. La
longitud de onda de la luz es de 1.1 m.
Calcular el ngulo incidente que provoca el efecto TIR.
SOLUCIN
sin(1) n 2
Ley de Snell: =
sin( 2) n1

El ngulo crtico, 1c , aparece para 2 = 90 , entonces

n2 1.4
1c = arcsin = arcsin = 76.5
n1 1.44

13
 3 Transmisin de luz, fuentes y detectores
En este captulo, se presentan las principales fuentes de luz y detectores utilizados
en sistemas de comunicaciones pticas. Las comunicaciones pticas ofrecen
ventajas importantes respecto a las comunicaciones convencionales soportadas por
cables de cobre. Algunas de estas ventajas se introducen en este captulo.

14
3.1 Introduccin
Los sistemas de comunicaciones pticas transmiten informacin a travs de la luz.
En comparacin con el cobre utilizado en comunicaciones elctricas, las fibras
pticas tienen un costo menor, pesan menos, tienen menos atenuacin y dispersin
y proporcionan un mayor ancho de banda. La fibra ptica puede soportar ultra-altas
velocidades de datos ( terabits por segundo ) y puede ser utilizada para transmitir la
luz, y por lo tanto la informacin, a travs de largas distancias. Por otra parte, no
presenta problemas asociados a EMC (Compatibilidad electromagntica) es
inmune a las interferencias y la probabilidad de aparicin de fuego provocado por
el paso de corriente elctrica en el canal se elimina.
La Figura 5 muestra el diagrama de bloques tpico de un sistema de comunicacin
ptica. La seal elctrica (informacin) controla la fuente de la luz; la luz emitida
por la fuente est acoplada al canal de transmisin: Fibra ptica, gua de ondas o
espacio libre. La luz se transmite a travs del canal de transmisin hasta el detector
de luz que se acopla con el canal. El detector de luz transforma la luz en seales
elctricas y se recibe la informacin.

Fig. 5. Diagrama de bloques de un Sistema ptico de comunicaciones.

15
 3.2 Fuentes y detectores de luz

E=m c 2
LED : Light-emitting diode/ Diodo emisor de luz

Las fuentes de luz se utilizan para generar seales de entrada a los sistemas de
comunicaciones pticas. Los sistemas de comunicaciones pticas a menudo utilizan
fuentes pticas basadas en semiconductores como LEDs (light emitting diodes) y
diodos lser LDs (laser diodes).

E=m c 2
LASER : Light Amplification by Stimulated Emission and Radiation /
Amplificacin de luz por emisin y radiacin estimulada.

Estos tipos de dispositivos pticos semiconductores ofrecen una alta eficiencia y

fiabilidad. Por otra parte, permiten una cuidadosa seleccin de la gama de longitud
de onda y reas emisoras compatibles con las dimensiones bsicas de fibra ptica.
La siguiente tabla resume las caractersticas y estructuras de los principales LEDs
y LDs usados en sistemas pticos de comunicacin a travs de fibras pticas.

Fuentes pticas
basadas en Caractersticas Estructuras
semiconductores
utilizado en las
comunicaciones pticas,
debe tener una alta Planar, domo, led de
LEDs luminosidad (intensidad emisin lateral o led de
de la luz), tiempo de emisin superficial.
respuesta rpido y alta
QE (eficiencia cuntica).
utilizado en las
comunicaciones pticas
deben tener luz Emisin espontnea.
LDs
coherente, ancho de haz Emisin estimulada.
estrecho y alta potencia
de salida.

Al final de los sistemas de comunicacin pticos, los sensores pticos (detectores

de luz) se utilizan con el fin de recuperar la informacin transmitida y convertirla
de nuevo en una seal elctrica mediante el efecto fotoelctrico. El papel de un
fotodetector es recuperar los datos transmitidos a travs del sistema de
comunicacin de fibra ptica.

E=mc2
Los Fotodetectores son dispositivos optoelectrnicos que convierten la radiacin
incidente (luz) en una seal elctrica, como el voltaje o la corriente.

Los detectores de luz o fotodetectores se basan usualmente en PDs (photodiodes/

fotodiodos), detectores de fotoconductividad y fototransistores. Los detectores de

16
 fotoconductividad tienen la estructura ms simple de esta familia de detectores de
luz y pueden obtenerse uniendo dos electrodos metlicos a un material
semiconductor. La conductividad del semiconductor aumenta cuando algunos
fotones incidentes son absorbidos en el semiconductor. Como resultado, un
aumento de la corriente externa aparece cuando se aplica una polarizacin de
tensin a los electrodos. Las clulas solares son un tipo especfico de fotodetectores
utilizados en los sistemas de generacin de energa solar fotovoltaica, no en los
sistemas de comunicacin.

E=m c 2
Un fotodiodo es un diodo semiconductor que funciona como fotodetector. Es una
estructura p unin PN o p-i-n. Cuando un fotn de energa suficiente incide en el
diodo, se excita un electrn creando as un electrn mvil y un hueco con carga
positiva.

E=m c 2
Los fototransistores son BJTs (bipolar junction transistors) que operan como
fotodetectores y ofrecen tambin una ganancia en corriente elctrica. Estos
dispositivos semiconductores son sensores de luz formados a partir de un transistor
convencional con una cubierta transparente.

Detectores pticos
Caractersticas Ejemplos de estructuras
Semiconductores
Diodos pn or p-i-n.
APDs (Fotodiodos de
Fotodiodos Basados en uniones pn.
avalancha).Fotodiodos
de heterounin.
Uniones formadas por
un semiconductor tipo n
Uniones Schottky Contactos Schottky.
en contacto con un
metal.
cSi ( Silicio cristalino)
Convierten la luz aSi:H (silicio amorfo).
Clulas solares inciente en energa HiT (heterojunction
elctrica. intrinsic layer thin film
solar cell ). GaAs
Transistores sensibles a
la luz, amplifican la
npn BJTs
Fototransistores corriente elctrica que
pnp BJTs
aparece por variaciones
de la luz incidente.
LDR (light-dependent
resistor). PbS ( lead
Varian su conductividad
Detectores sulfide) IR ( infrared
debido a la absorcin de
fotoconductivos detector/ detector de
la luz incidente.
infrarrojos). Lead
selenide (PbSe).

17
 4 Mecanismos Fsicos: Absorcin,
fotoconductividad, emisin de fotones
Los principales mecanismos fsicos relacionados con los efectos de la conversin
de energa en materiales semiconductores se introducen en este captulo.

18
 4.1 Absorcin de Luz
Cuando la luz se propaga a travs de un material hay una conversin de una parte
de la energa de los fotones a otras formas de energa (por ejemplo calor). Esta
energa perdida es absorbida por el material. Los electrones de los tomos se pueden
mover a los estados de mayor energa y pasar de la VB (banda de valencia) a la CB
(banda de conduccin) por la absorcin de la energa de los fotones. Este
mecanismo crea pares e - h + (electrn-hueco).

E=mc2
El proceso ms importante de la absorcin de la luz en un semiconductor es la
creacin de esos pares e - h +. Cada fotn absorbido causa una transicin desde la
banda de valencia a la banda de conduccin. Un fotn es absorbido por un
semiconductor si la energa del fotn es mayor que la banda prohibida del material.

La banda prohibida o gap, Eg, generalmente se refiere a la diferencia de energa, en

eV (electrn-voltios) entre la parte superior de la VB y el fondo de la CB en
aislantes y semiconductores. La afinidad electrnica de un semiconductor, , es la
anchura de la CB en eV. La energa de Fermi, EF, indica los ms altos estados de
energa ocupados a 0 K. Los estados de energa por encima de EF estn vacos hasta
el nivel de vaco.
Eg = Ec Ev
donde Ec y Ev son los niveles de energa correspondientes a la parte superior de la
VB y a la parte inferior de la CB. La Fig. 6 muestra el mecanismo de absorcin y
el diagrama de bandas de energa.

Fig. 6. Mecanismo de absorcin y diagrama de bandas de energa.

19
 Propiedades tpicas de algunos semiconductores a T = 300 K

Semiconductor Eg (eV) (eV)

Silicio : Si 1.11 4.05
Arseniuro de Galio
1.42 4.07
:GaAs
Germanio: Ge 0.66 4.13
Fosfuro de Indio : InP 1.35 4.5
Fosfuro de Galio : GaP 2.26 3.8

Para cada longitud de onda, , del haz incidente de la luz, Io, que pasa a travs del
material, la intensidad del haz de luz, I, es atenuada por la dispersin y los
mecanismos de absorcin. La ley de Lambert define la transmisin y la absorcin
de la siguiente forma:
I = IoeL
donde es el coeficiente de absorcin; (m-1) que es funcin de .

20
 4.2 Fotoconductividad y efecto fotoelctrico

E=m c 2
La fotoconductividad es un fenmeno optoelectrnico en el que un material se
vuelve ms conductor de la electricidad debido a la absorcin de la radiacin
electromagntica tal como la luz.

E=m c 2
Efecto fotoelctrico: Muchos metales emiten electrones cuando la luz incide sobre
ellos. En el proceso de fotoemisin, si un electrn dentro de algn material absorbe
la energa de un fotn y adquiere ms energa que la funcin de trabajo del material,
se emite.

Einstein fue galardonado con el Premio Nobel en 1921 por sus investigaciones
sobre el efecto fotoelctrico. La energa necesaria para arrancar un electrn del
material se llama funcin de trabajo del metal, .

E=m c 2
Emisin de un fotn: Cuando un electrn cae a un nivel de energa inferior y se
encuentra con un hueco, se libera energa en forma de un fotn. La longitud de onda
de la luz depende de la banda prohibida del material semiconductor. La luz se emite
en mltiplos de una determinada unidad de energa mnima. El valor de esa unidad
es la energa del fotn.

Fig. 7. Emisin de un fotn.

21
 c
La energa del fotn es: E = h = h , siendo c la velocidad de la luz en el vaco.

Calcular el rango de longitudes de onda que no son absorbidas por el Germanio:
Ge, considerando que el gap del Ge = 0.66 eV.
SOLUCIN
La absorcin de luz en un semiconductor crea pares e - h + cuando la energa de los
fotones incidentes es mayor que la banda prohibida del material, por ejemplo. En el
caso del Ge, el valor mnimo de la energa de los fotones para ser absorbidos ser
c
la siguiente: E = h > Eg(Ge) = 0.66 eV . Por tanto, fotones con longitud de onda:

c
<h no sern absorbidos por el semiconductor.
Eg(Ge)

Considerando hc = 1.24 eVm. La longitud de onda mnima de los fotones que

generan pares e-h+ en el Ge es: < 1878 nm.

Todos los efectos fsicos que se describen en este captulo tienen aplicacin
especfica en tecnologas optoelectrnicas, as como en otras ciencias fsicas
relacionadas.

22
 5 Dispositivos optoelectrnicos y Sensores
Este captulo describe los principales dispositivos optoelectrnicos y sensores que
forman parte de la mayora de las aplicaciones de la fotnica. Algunos conceptos
bsicos sobre fsica de semiconductores tambin se introducen con el fin de
entender las caractersticas internas y el comportamiento de estos dispositivos,
principalmente la conversin directa entre electrones y fotones.

23
 5.1 Introduccin
Los dispositivos optoelectrnicos y sensores de luz se fabrican mediante el uso de
materiales semiconductores.

E=m c 2
Un material semiconductor tiene un valor de conductividad elctrica que se
encuentra entre la de un conductor, tal como cobre, y un aislante, como el vidrio.

La conductividad elctrica de un material semiconductor aumenta al aumentar la

temperatura, que es un comportamiento opuesto al de un metal. Hoy en da, el Si
(silicio) es el semiconductor ms utilizado en aplicaciones electrnicas. Los
semiconductores intrnsecos o semiconductores de tipo i son semiconductores puros
sin ningn tipo de especie dopantes o impureza presente en el material (no dopado).
El nmero de portadores de carga, los electrones y huecos, por lo tanto, est
determinado por las propiedades del material en s. En un semiconductor intrnseco
el nmero de electrones excitados y el nmero de huecos son iguales:
n = p = ni (portadores cm-3), el valor de ni depende del gap del semiconductor, Eg,
y vara con la temperatura del siguiente modo:
Eg

2 kBT
ni = AT 3/ 2 e

donde T es la temperatura en K, kB la constante de Boltzmann : kB = 8.62105 eV/K

y A es una constante.
Los dispositivos semiconductores pueden mostrar una gama de propiedades tiles,
tales como el paso de corriente ms fcilmente en una direccin que en otra,
mostrando resistencia variable, y sensibilidad a la luz o el calor. La introduccin de
impurezas especficas en estructuras puras cristalinas semiconductoras i- (
intrnsecas) permite obtener semiconductores extrnsecos: Semiconductores en el
que la concentracin de un tipo de portador, electrones o huecos, es mucho mayor
que la del otro tipo. Cuando la concentracin de electrones es mucho mayor que la
concentracin de huecos el semiconductor se llama de tipo n. Por contrario, si la
densidad de huecos es mucho mayor que la de los electrones, el semiconductor es
un semiconductor de tipo p.
Algunos sensores y dispositivos descritos en este captulo se basan en uniones p-
n.

E=mc2
Una unin p-n es un lmite o interfaz entre dos tipos de material semiconductor, de
tipo p y de tipo n, en el interior de un nico cristal semiconductor. Los diodos son
dispositivos semiconductores formados por un material semiconductor con una
unin p-n conectado a dos terminales elctricos.

24
Fig. 8. Smbolo electrnico del diodo.

25
 5.2 LEDs

E=m c 2
LEDs (Light-emitting diodes/diodos emisores de luz) son diodos semiconductores
que emiten luz incoherente de espectro reducido cuando la unin pn est polarizada.

Fig. 9. LED.

La CB (banda de conduccin), normalmente vaca, de los semiconductores est

poblada por los electrones inyectados en ella por la corriente hacia a travs de la
unin. Como vimos en el captulo 4, cuando un electrn se encuentra con un hueco
(se recombina), cae a un nivel de energa ms bajo, y libera energa en forma de un
fotn. Esta emisin de fotones es el mecanismo por el cual la luz es emitida desde
los LEDs. Cuando el electrn puede someterse a la transicin a un nivel de energa
inferior por s mismo, el proceso de emisin de fotones se llama emisin
espontnea.
La luz se genera cuando los electrones se recombinan con los huecos y la longitud
de onda de la luz depende de la banda prohibida del material semiconductor. La
siguiente tabla muestra los colores asociados a las longitudes de onda de la luz
emitida por los LEDs fabricados por diferentes materiales semiconductores.
Los leds fabricados con semiconductores que presentan un gap directo emiten ms
luz que los fabricados a partir de semiconductores de gap indirecto.

26
 Materiales semiconductores y colores de LED

Semiconductor Color Brillo

GaAs; GaAlAs Infrarrojo General (normal)
GaAs; AlGaAs; GaP Rojo General (normal)
GaN Azul General (normal)
GaP Verde General (normal)
GaAlAs; GaAsP;
Rojo High (super & ultra)
InGaAlP;
GaN Azul High (super & ultra)
GaP ; InGaN Verde High (super & ultra)
InGaAlP; GaAsP Amarillo High (super & ultra)

Los LEDs se aplican en muchos campos, tales como pantallas, iluminacin de

estado slido, control remoto y sistemas de comunicacin ptica. Los LEDs son
comnmente utilizados tambin en la iluminacin general como muchas lmparas
LED integradas y luminarias LED. Diferentes paquetes de LED se pueden
encontrar en el mercado en funcin de las aplicaciones. Algunos tipos de lentes se
incluyen normalmente en el envasado de LEDs para controlar el ngulo de salida
de la luz. Esta es una de las caractersticas que normalmente dan los fabricantes en
los datasheets, as como la intensidad de luz (mcd), flux (lm), longitud de onda
dominante (nm) y el color. Valores especficos (umbrales tpicos) de parmetros
elctricos como Vf (forward voltage), If (forward current) tambin son
suministrados por los fabricantes.

La eficiencia energtica de un LED, , se caracteriza en base a la relacin de

potencia elctrica a la entrada respecto a la potencia de luz a la salidao ms
tcnicamente: Flux emitidos (lumens) dividido de la potencia de alimentacin (W).
Los LEDs comerciales presentan eficiencias entre el 5070 %.

Fig. 10. LEDs Infrarrojos.

27
 5.3 LDs, diodos lser

E=m c 2
Lser: La amplificacin de luz por emisin estimulada. La energa de un fotn
entrante, E = h , estimula el proceso de emisin mediante la induccin de un
electrn para pasar a un nivel de energa inferior. Este proceso permite obtener la
amplificacin de fotones: Un fotn entrante resulta en dos fotones salientes que
tienen la misma direccin, longitud de onda y fase.

Los LEDs presentados en el captulo anterior se basan en el mecanismo de emisin

espontnea, mientras que los LDs (diodos laser) se basan en el principio de emisin
estimulada.
A fin de lograr una amplificacin de la luz por emisin estimulada, la probabilidad
de una emisin de fotones debe ser superior a la de la absorcin para el rango
espectral de que se trate. Cuando la emisin estimulada es dominante, la luz es
amplificada, y se produce efecto lser. La emisin estimulada es el mecanismo
dominante cuando la probabilidad de encontrar un electrn en CB es mayor que la
probabilidad de encontrar un electrn en la VB. Esto sucede en presencia de una
inversin de poblacin. La inversin de poblacin se consigue cuando la diferencia
entre la energa de Fermi de los electrones, EFN, y la energa de Fermi de huecos,
EFN, es mayor que la banda prohibida, Eg. Con el fin de separar estos niveles de
energa de Fermi es necesario bombear energa en forma de corriente elctrica en
el semiconductor. Entonces, mediante el bombeo lser, cuando se inyecta una
corriente umbral, el semiconductor se desplaza a un estado de inversin de
poblacin.
Las cavidades pticas, como las FP (Fabry-Perot) o espejos dielctricos DBRs
(distributed Bragg reflectors), contienen un lser entre dos superficies reflectoras
y se usan como resonadores pticos. En rgimen estacionario, hay oscilaciones
estacionarias EM (electromagnetic) en la cavidad ptica. Estas oscilaciones se
reflejan en las superficies de la cavidad ptica. La cavidad ptica presenta ejes
perpendiculares al flujo de corriente. En cada reflexin, la onda se transmite
parcialmente a travs de las caras reflectoras. La oscilacin lser comienza cuando
la cantidad de amplificacin se hace igual a la cantidad total perdida a travs de los
lados del resonador, a lo largo de propagacin en el medio y por medio de la
absorcin por el cristal.
Hay dos tipos principales de LDs: Edge Emitting y LDs de superficie emisora. Los
Edge emitting LDs tienen emisiones de mayor anchura y astigmtica, mientras que
los LDs de superficie emisora presentan un haz ms estrecho de emisin. Las
VCSELs (vertical cavity surface emitting lasers) son lseres con una regin activa
muy corta que presenta el eje de la cavidad ptica a lo largo de la direccin del flujo
de corriente.
En estos lseres, la emisin de luz ocurre en una direccin perpendicular a la regin
activa. Las VCSELs permiten comunicaciones de datos hasta 10 Gbps.

28
E=mc2
Un EOM (electro-optic modulator) es un dispositivo que se puede utilizar para
controlar la potencia, la fase o la polarizacin de un rayo lser por medio de una
seal de control elctrica.

Los LDs son el tipo ms comn de lser y se usan en un amplio rango de

aplicaciones. Estos dispositivos son de pequeo tamao, relativo bajo coste y larga
vida, lo que los hace una buena eleccin para mltiples aplicaciones, que incluyen
: Comunicaciones pticas, lectores de cdigos de barras, punteros lser, lectores y
grabadores de discos CD/DVD/Blu-ray, escneres lser e impresoras o fuentes de
luz direccional.

29
 5.4 PDs, fotodiodos

E=m c 2
Un fotodiodo es un dispositivo semiconductor que convierte la luz en corriente
elctrica. La corriente se genera cuando los fotones son absorbidos en el fotodiodo.
Se basa en una unin p-n o p-i-n. Cuando un fotn de energa suficiente golpea el
diodo, se excita un electrn creando as un electrn mvil y un agujero de electrones
con carga positiva.

Fig. 11. Fotodiodo.

30
 5.5 Clulas solares

E=m c 2
Una clula solar es un dispositivo PV (photovoltaic/ fotovoltaico) que convierte la
luz que recibe en energa elctrica.

Las clulas solares basadas en semiconductores pueden ser uniones p-n

individuales, heterouniones o mltiples uniones.
Los principales semiconductores utilizados en la fabricacin de clulas solares son
Si y GaAs.
La eficiencia de la clula solar se da como la relacin entre la mxima energa
elctrica a la salida respecto a la potencia total de la luz incidente.
Vm Im
=
GA

donde Vm e Im son las coordenadas del MPP (maximum power point/ punto de
mxima potencia) a la salida del dispositivo, G es la irradiancia (W/m2) y A es el
rea activa del dispositivo.
Las clulas solares basadas en Si cristalino han alcanzado eficiencias de hasta el
25% y las clulas solares multiunin que trabajan bajo luz concentrada presentan
eficiencias actuales de hasta un 43,5%.
La eficiencia de la clula solar, as como los principales parmetros del dispositivo
son dados por los fabricantes en condiciones STC (standard conditions of work):
espectro AM1.5, G = 1000 W/m2 y T = 25 C.
Las clulas solares estn conectadas en serie para formar cadenas en mdulos
fotovoltaicos. Un mdulo fotovoltaico consiste en una o ms cadenas de clulas
conectadas en paralelo.

31
 5.6 Amplificadores pticos

Con el fin de transmitir seales a largas distancias (> 100 km) es necesario
compensar las prdidas de atenuacin dentro de la fibra ptica (canal de transmisin
ptico). Este es el objetivo de los amplificadores pticos.
Las prdidas tpicas en la fibra ptica de 1,5 micras estn en el intervalo de
0,2 dB / km. Es posible convertir la seal ptica en seal elctrica y el uso de
amplificadores electrnicos convencionales para compensar las prdidas de
transmisin y luego convertir de nuevo la seal a ptica. Sin embargo, estas
conversiones de seal requieren elementos electrnicos de velocidad costosos.

E=m c 2
Un amplificador ptico amplifica una seal ptica directamente, sin la necesidad
de convertirla antes en una seal elctrica.

Fig. 12. Esquema de amplificador ptico.

Las principales caractersticas de los amplificadores pticos son: Ganancia (dB), el

rango de frecuencias de funcionamiento o BW (bandwidth/ ancho de banda),
saturacin de ganancia: Mxima potencia de salida, y nivel de ruido de salida. La
ganancia se define en la siguiente ecuacin

Po
G= , donde Po y Pi son las potencias de salida y entrada respectivamente.
Pi
Hay tres tipos principales de amplificadores pticos: Los EDFAs (erbium-doped
fibre amplifiers), los SOAs (semiconductor optical amplifiers), y los
amplificadores de fibra Raman. En los EDFAs el medio de amplificacin es un
cristal de fibra ptica dopado con iones de erbio que son bombeados pticamente a
un estado de inversin de poblacin con una entrada ptica separada. Los SOAs se
bombean con corriente elctrica y el medio de ganancia est formado por

32
semiconductores intrnsecos. Estos amplificadores pticos son muy usados en redes
locales debido a su relativo bajo coste y suficiente ganancia para distancias cortas.
En los amplificadores Raman, la amplificacin se basa en SRS estimulado
(dispersin estimulada Raman). La dispersin Raman es un proceso en el que la
luz es dispersada por las molculas de una longitud de onda inferior a una longitud
de onda mayor.

Algunos tipos de
Caractersticas Desventajas
amplificadores pticos
Similares a las cavidades
lser (lseres
SOAs Elevada figura de ruido
semiconductoes).
400 2000 nm y niveles de cross-talk.
Gran BW y buena
ganancia
Amplificacin
Rare earth doped fibre principalmente a travs
Relativo gran tamao
amplifiers del proceso de emisin
Efectos de Cross-talk y
erbium EDFA estimulada.
saturacin de ganancia.
1500 nm La ganancia depende
Emisin espontnea de
Praseodymium PDFA tanto de la frecuencia
ruido
1300 nm como de la intensidad
del haz local
Las seales de bombeo y
amplificada son de
Amplificadores Raman y No requieren inversion
longitud de onda
Brillouin de poblacin.
distinta.
Alto coste

33
 6 Fibra ptica: Principios de
funcionalmiento y clasificacon; modos de
propagacin. Cristales fotnicos
La fibra ptica es hoy en da el canal de comunicacin ms utilizado en las
comunicaciones pticas. Las principales caractersticas de las fibras pticas se
introducen en este captulo para comprender sus caractersticas y ventajas respecto
a los canales de comunicacin ms convencionales utilizados en comunicaciones
de datos en aplicaciones que van desde las grandes infraestructuras de red troncal
de telecomunicaciones para sistemas Ethernet, la distribucin de banda ancha y las
redes de datos de alta calidad.

34
 6.1 Fibra ptica

E=m c 2
La fibra ptica es una fibra flexible, transparente hecha de vidrio (slice) o de
plstico, ligeramente ms grueso que un cabello humano. Las fibras pticas se
utilizan ms a menudo como un medio para transmitir la luz y son de amplio uso
en las telecomunicaciones.

Las fibras pticas se utilizan como canales pticos de comunicacin debido a su

alto BW, velocidades de datos de Gbps, y su capacidad de transmisin. Miles de
canales se pueden multiplexar en una fibra. Por otra parte, las fibras pticas tienen
muy baja atenuacin, alrededor de 0,2 dB / km, y relativo bajo coste. Todas estas
caractersticas resultan de gran inters para las comunicaciones a travs de grandes
distancias.
El centro de cristal fino de la fibra en el que viaja la luz se llama el ncleo. El
material ptico exterior que rodea el ncleo que refleja la luz de nuevo en el ncleo
se llama el revestimiento. Un revestimiento exterior o chaqueta protege la superficie
ptica.

Fig. 13. Fibra ptica.

Una fibra ptica tiene una regin central, principal o core, de mayor ndice de
refraccin n1 que el de la regin del revestimiento circundante, que tiene un ndice
de refraccin n2. Si la luz incide en la interfaz en cualquier ngulo mayor que el

35
ngulo crtico, 1c definido en la seccin 2.3, no va a pasar a travs del segundo
medio y se refleja de nuevo en el ncleo debido al proceso de TIR.

Una fibra ptica tiene un ncleo de puro Si con ndices de refraccin: n = 5.57 para
longitudes de onda de 0.4 m y n = 3.78 para longitudes de onda de 0.7 m.
Calcular los tiempos necesarios para luces de ambas longitudes de onda para viajar
a lo largo de 2 km que la fibra ptica.
SOLUCIN
La velocidad de la luz de diferentes longitudes de onda en el ncleo ser diferente
debido a los diferentes valores del ndice de refraccin en las longitudes de onda
c
dadas. Este valor est dado por: v = .
n

Primero debemos calcular las velocidades en cada una de las longitudes de onda:
c 3 108 ms 1
v1 ( = 0.4 m) = = = 5.39 107 ms 1
n (0.4 m) 5.57

c 3 108
v2 ( = 0.7 m) = = ms 1 = 7.94 10 7 ms 1
n(0.7 m) 3.78

Entonces podemos calcular el tiempo necesario para viajar 2 km, como sigue:
x 2000
t1 = = s = 37.1 s
v 5.39 107

x 2000
t2 = = s = 25.2 s
v 7.94 107

Las fibras multimodo son fibras que pueden llevar ms de un modo de una longitud
de onda de luz especfica. Algunas fibras tienen un ncleo de muy pequeo
dimetro y soportan un solo modo, las fibras monomodo, donde la luz viaja como
una lnea recta en el centro del ncleo. Para obtener una onda que se propaga a lo
largo de una gua es necesario tener una interferencia constructiva. Todos los rayos
interfieren entre s. Slo se permiten ciertos ngulos. Cada ngulo permitido
representa un modo de propagacin.
El ngulo mximo de aceptacin de la fibra define un cono para la luz entrante en
la fibra que se propagar en distintos modos de propagacin. La mitad del ngulo
definido por dicho cono es el ngulo de aceptacin, max, determinado slo por los
ndices de refraccin. La NA ( apertura numrica) de la fibra viene definida por la
ecuacin siguiente:

NA = n sin( max) = n12 n22

donde n es el ndice de refraccin del medio en que la luz viaja antes de entrar en
la fibra ptica.

36
 Fig. 14. Modos de propagacin y ngulo de aceptacin.

E=m c 2
El nmero de modos de propagacin, M, depende de los parmetros de la fibra
del modo siguiente:

V2
M= , siendo V el nmero V o frecuencia normalizada, definido por la ecuacin
2
siguiente:

2 a
V= n12 n2 2 , donde 2a es el espesor del core.

cuando V < 2.495 hay un solo modo de propagacin en la fibra, el modo
fundamental (fibra de modo nico o monomodal). Para valores de V > 2.495 la fibra
es multimodo.

Las prdidas de transmisin principales en la fibra estn relacionadas con

mecanismos de absorcin y dispersin. La dispersin de Rayleigh debida a
irregularidades microscpicas en la fibra es una fuente intrnseca de prdidas. La
absorcin se debe a la presencia de impurezas en el material de la fibra. En fibras
pticas fabricadas a partir de slice (SiO2) hay tres picos principales de atenuacin
debidos a la absorcin causadas por iones OH- en longitudes de onda de 1.050 nm,
1.250 nm y 1.380 nm.
Una segunda fuente de prdidas o atenuacin es la flexin de la fibra. Parte de la
radiacin se pierde en la regin en la que la fibra est doblada. La cantidad de
prdidas depende de la curvatura de la flexin. Si el radio de curvatura de la flexin
es similar al dimetro de la fibra incluyendo el revestimiento, D, estamos en
presencia de micro flexiones, mientras que la flexin con un radio de curvatura
mayor que D es llamado un macro curvaturas. Tpicamente, la macroflexin se
produce cuando la fibra se dobla durante la instalacin de un enlace de fibra ptica,
como al pasar la fibra alrededor de una esquina, mientras que los efectos de micro
flexin se deben a defectos de fabricacin que pueden resultar en variaciones en la
geometra de la fibra sobre pequeas distancias.

37
 Tipos de fibras pticas Caractersticas
Prdidas alrededor de 102 dB/km
Plsticas
Muy flexibles, baratas, ligeras.
Materiales : Chalcogenide, fluoroaluminate
Otras fibras cristalinas Usada en comunicaciones de longitudes de onda
largas.
Puede ser extremadamente puro y luego dopado
para obtener la concentracin deseada de
Slica (SiO2)
portadores.
Bajas prdidas y dispersion a = 1.55 m

Podemos acoplar dos fibras si son de tipos compatibles. Las fibras deben estar
alineadas con precisin entre s, con NA compatibles, y los extremos de la fibra
deben ser unidos adecuadamente.
Compacin entre fibras pticas y cables coaxiales o bifilares.

Ventajas Inconvenientes
No les afectan las interferencias
Alto coste inicial de instalacin
electromagnticas
Menor atenuacin que en coaxiales o
Sistemas de comunicacin punto a
cables bifilares. Pueden usarse
punto
emisores de menor potencia
La unin de fibras y los empalmes no
No son necesarias protecciones de
son fciles. Es difcil aadir nodos
masa o de sobretensin
adicionales
Alta seguridad de la seal. No hay
efectos de radiacin que puedan Ms frgiles que un cable coaxial
detectarse por antenas
Gran ancho de banda Ms caras de reparar y mantener

E=m c 2
Los Cristales fotnicos son estructuras peridicas artificiales de mltiples
dimensiones con un perodo del orden de longitudes de onda pticas. Estos
materiales estn estructurados para tener una modulacin peridica del ndice de
refraccin.

Es posible fabricar fibras pticas mediante el uso de cristales fotnicos. En estas

fibras, tanto el ncleo como el revestimiento utilizan el mismo material, por lo
general slice. Una de las regiones de la fibra, el ncleo o el revestimiento, presenta
agujeros de aire, mientras que la otra regin es totalmente slida. La presencia de
los agujeros de aire en una regin, por ejemplo en el revestimiento, da como
resultado un ndice de refraccin efectivo que es menor que la regin del ncleo
slido.
Por otra parte, es posible suprimir la emisin espontnea mediante el uso de
cristales fotnicos.

38
 7 Aplicaciones: Comunicaciones pticas,
biofotnica, sensores pticos, iluminacin
y energa
En este captulo se muestra una lista de las principales aplicaciones de la
optoelectnica. Sin embargo, nuevas aplicaciones aparecen en el mercado cada
ao. Como resultado, el mercado optoelectrnico est creciendo cada ao un 30%
desde 1992.

39
 7.1 Aplicaciones optoelectrnicas
Las principales aplicaciones de la optoelectrnica se detallan en la siguiente tabla.
Aplicacin
Comunicaciones de fibra
ptica
Telecomunicaciones
Redes de Computadores
TV por cable
Productos electrnicos de
consumo
LDs, Diodos Lser
Iluminacin, leds.
Clulas solares
Aplicaciones de la optoelectrnica.
Caractersticas
La fibra ptica se utiliza como un canal de transmisin de
informacin, debido a sus caractersticas intrnsecas: Bajo
coste y poco peso, baja atenuacin y dispersin, y gran ancho
de banda.
Otros dispositivos optoelectrnicos como LD, fotodetectores,
sensores, amplificadores pticos, moduladores pticos y
demoduladores, multiplexores y demultiplexores forman parte
de los sistemas de comunicacin ptica.
La transmisin ptica de datos tambin se utiliza en equipos
de control y automatizacin industrial
Un gran conjunto de productos electrnicos de consumo en el
mercado incluyen dispositivos optoelectrnicos como
fotodetectores, leds, sensores CCD, fotodiodos,
fototransistores, etc.
Computadoras, impresoras y proyectores
Lectores de CD , DVD, BluRay
Imgenes trmicas
Cmaras y Displays
Telfonos inteligentes
Chips de memoria
Principales aplicaciones de LDs en el campo de las
telecomunicaciones a travs de fibras pticas como emisores
de luz. Sin embargo, otras aplicaciones de LDs son:
Cortadoras industriales, medicina (ciruga).
Lectores y grabadores de CD, DVD, BluRay
Almacenamiento ptico de datos.
Defensa : Radar, armas guiadas por lser
Los leds se usan en aplicaciones de iluminacin diversas
como :
Residenciales. Edificios
Seales de trfico, iluminacin de calles.
Exteriores: Indicadores en aeropuertos.
Relojes digitales. Indicadores electrnicos.
Sistemas fotovoltaicos (PV)
Aplicaciones de baja potencia: Calculadoras de bolsillo,
relojes, iluminacin.
Sistemas fotovoltaicos autnomos.
Sistemas fotovoltaicos conectados a la red.
Aplicaciones aerospaciales.
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