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Estudio de la influencia de la
refrigeracin con aire de forma
natural e inducida en el
comportamiento de instalaciones
fotovoltaicas
2014
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UMI 3683327
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789 East Eisenhower Parkway
P.O. Box 1346
Ann Arbor, MI 48106 - 1346
Universidad Politcnica de Cartagena
Departamento de Ingeniera Trmica y de Fluidos
Estudio de la influencia de la
refrigeracin con aire de forma
natural e inducida en el
comportamiento de instalaciones
fotovoltaicas
TESISDOCTORAL
ConMencinEuropea
ESTUDIODELAINFLUENCIADELAREFRIGERACINCONAIREDE
FORMANATURALEINDUCIDAENELCOMPORTAMIENTODE
INSTALACIONESFOTOVOLTAICAS
Defendidael28Noviembrede2014por:
RocioMaznHernndez
Bajolasupervisinde:
Dr.JosRamnGarcaCascales
Dr.FranciscoVeraGarca
MIEMBROSDELTRIBUNAL:
MIEMBROSSUPLENTES
Dr.JosGozlvezMacia UniversidadPolitcnicadeValencia
Dr.BlasZamoraParra UniversidadPolitcnicadeCartagena
Dr.GianfrancoClaudio LoughboroughUniversity
EVALUADORESPARAMENCINEUROPEA
Dr.EnmmanuelKymakis TechnologicalEducationInstituteofCrete
Dr.NievesEspinosaMartnez TechnicalUniversityofDenmark
Dedicado a
mis padres
INDICE
Contenido
Nomenclatura...........................................................................................................................21
Resumen...................................................................................................................................23
Abstract....................................................................................................................................25
Agradecimientos.......................................................................................................................27
CAPITULO1. INTRODUCCIN...............................................................................................29
1.1 ORIGENDELESTUDIO................................................................................................31
1.2 OBJETIVOSDELATESIS..............................................................................................33
1.3 PLANTEAMIENTOGENERALDELATESIS...................................................................35
1.4 EVOLUCINDELAENERGASOLARFOTOVOLTAICA.................................................38
1.4.1 FUNCIONAMIENTOBSICODEUNACLULAFOTOVOLTAICA...........................42
CAPITULO2. ESTADODELARTE...........................................................................................45
2.1 INTRODUCCIN..........................................................................................................45
2.2 MTODOSDEREDUCCINDELATEMPERATURADELOSPANELESFOTOVOLTAICOS
46
2.2.1 AGUACOMOFLUIDOCALOPORTADOR.............................................................47
2.2.2 AIRECOMOFLUIDOCALOPORTADOR:...............................................................57
2.2.3 OTRASTCNICAS:...............................................................................................68
2.3 INTEGRACINDELOSPANELESSOBRECUBIERTAS..................................................69
2.3.1 TECNOLOGASFOTOVOLTAICASSOBRECUBIERTAS..........................................70
2.3.2 APROVECHAMIENTOFOTOVOLTAICOENLACUBIERTADEINVERNADEROS....78
2.4 INFLUENCIA DE LA TEMPERATURA EN EL FUNCIONAMIENTO DE MDULOS
FOTOVOLTAICOS...................................................................................................................83
2.5 INFLUENCIA DE LA CAPACIDAD DE VENTILACIN EN LA TEMPERATURA DE
FUNCIONAMIENTO...............................................................................................................94
2.5.1 CORRELACIONESEXPLICITASPARALATEMPERATURADEFUNCIONAMIENTO95
2.6 CONSIDERACIONESSOBREELESTADODELARTE......................................................97
CAPITULO3. DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDE
SUREFRIGERACINCONAIRE..................................................................................................99
3.1 INSTALACIONESFOTOVOLTAICASENEXPLOTACIN..............................................100
NDICE
3.1.1 PLANTASOLARCORONILII..............................................................................100
3.1.2 PLANTASOLARCORONILIVENINSTALACINAGROENERGTICA..................105
3.1.3 CONCLUSIONES(CONCLUSIONS).....................................................................110
3.2 INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS................112
3.2.1 INSTALACINFOTOVOLTAICAEXPERIMENTALSOBRECUBIERTAMETLICA.112
3.2.2 INSTALACIN FOTOVOLTAICA EXPERIMENTAL SOBRE LA CUBIERTA DE
INVERNADEROS...............................................................................................................147
3.2.3 CONCLUSIONES(CONCLUSIONS).....................................................................163
CAPITULO4. DESCRIPCIN DE LA METODOLOGA LLEVADA A CABO EN EL REGISTRO DE
DATOSEINCERTIDUMBREDELASVARIABLES......................................................................167
4.1 METODOLOGIAENELREGISTRODEDATOS...........................................................168
4.2 ANALISISDEINCERTIDUMBRE.................................................................................172
4.2.1 EVALUACINDELAINCERTIDUMBRETPICA,COMBINADAYEXPANDIDA....172
4.2.2 CLCULODELAINCERTIDUMBREENLASVARIABLESDEESTUDIO................175
4.3 CONCLUSIONES(CONCLUSIONS)............................................................................178
CAPITULO5. DISCUSINDELOSRESULTADOS.................................................................181
5.1 ESTUDIO COMPARATIVO EN EL COMPORTAMIENTO DE PANELES FOTOVOLTAICOS
TRABAJANDO EN UNA PLANTA SOLAR FRENTE A LOS VALORES MEDIDOS EN LA
INSTALACINEXPERIMENTAL............................................................................................184
5.1.1 CONCLUSIONES(CONCLUSIONS).....................................................................189
5.2 COMPORTAMIENTODELPANELFOTOVOLTAICOCOLOCADOSOBREUNACUBIERTA
METLICA...........................................................................................................................191
5.2.1 CONVECCINNATURAL...................................................................................192
5.2.2 CONVECCINFORZADA...................................................................................198
5.2.3 COMPARACINENTRECONVECCINNATURALYFORZADA..........................202
5.2.4 GENERALIZACINDERESULTADOS.................................................................207
5.2.5 CONCLUSIONES(CONCLUSIONS).....................................................................212
5.3 COMPORTAMIENTODELPANELFOTOVOLTAICOCOLOCADOSOBREUNACUBIERTA
DEUNINVERNADERO........................................................................................................220
5.3.1 INFLUENCIA DE LA TEMPERATURA DEL PANEL EN LAS VARIABLES ELCTRICAS
.221
5.3.2 INFLUENCIADELAVELOCIDADDELVIENTO....................................................224
5.3.3 TRANSFERENCIADECALORENELCANALDEAIREDEREFRIGERACIN.........227
5.3.4 CONCLUSIONES(CONCLUSION).......................................................................230
NDICE
CAPITULO6. CONCLUSIONESYTRABAJOSFUTUROS(CONCLUSIONS).............................233
BIBLIOGRAFA.........................................................................................................................237
ANEXO A: PRINCIPIOS DE FUNCIONAMIENTO EN EL APROVECHAMIENTO SOLAR
FOTOVOLTAICO......................................................................................................................245
ANEXO B: CONFIGURACIN DEL CAMPO FOTOVOLTAICO DE LA INSTALACIN SOLAR
CORONILII..............................................................................................................................273
ANEXOC:CARGAELECTRNICAPARAPANELESFOTOVOLTAICOS.......................................275
NDICEDEFIGURAS
NDICE DE FIGURAS
Figura1.1Potenciageneradayproyeccindeenergafotovoltaicaporregiones[1]...........30
Figura1.2PlanteamientodelaTesisDoctoral.........................................................................35
Figura 1.3 Anuncio que los Laboratorios Bell hicieron del primer panel fotovoltaico
desarrolladoporsuscientficosen1953..................................................................................39
Figura1.4Primersatliteconplacassolares,VanguardI........................................................40
Figura1.5Hitosdeinstalacinesfotovoltaicasensatlitesespaciales...................................40
Figura1.6FaroSolar.................................................................................................................41
Figura1.7Componentesinternasdelacorrienteenunaclulafotovoltaica.........................43
Figura1.8Curvacaractersticadeunaclulafotovoltaica.......................................................44
Figura2.1Clulasrefrigeradasmedianteelbombeodeagua[3]...........................................47
Figura2.2Esquemadelsistemadebombeoypulverizacindeagua[3]...............................48
Figura2.3Comparacindelosresultadosmedidos,conysinpulverizaraguaalolargodelda
de:a)Latensindelpanel,b)temperaturadefuncionamiento[3]........................................49
Figura 2.4 Comparacin de los resultados medidos en el panel fotovoltaico con y sin
pulverizaragua:a)Eficienciadelmdulo,b)Eficienciadelsubsistema[3].............................50
Figura2.5Comparacindelaeficienciatotaldelsistemaconysinpulverizacindeagua[3].
..................................................................................................................................................50
Figura2.6CreacindelacapadeaguasobreelmduloPVatravsdelasboquillas[2]......52
Figura2.7EvolucindelastemperaturasdelmduloPVendistintoscasos[2]....................53
Figura2.8EficienciadelmduloPVconysinrefrigeracinconagua[2]...............................53
Figura2.9Diagramadelsistemaderefrigeracin[12]............................................................54
Figura 2.10 Perfil de temperaturas entre ambas superficies para una clula de 3mm de
ancho,paradistintostiempostraslarefrigeracinconaguaa28C[12]...............................54
Figura2.11Influenciadelatemperaturasobrelatensindecircuitoabierto[12]................55
Figura2.12MedidadelatensinyperfildetemperaturadeunmduloPVrefrigeradocon
agua[12]...................................................................................................................................56
Figura2.13Conveccinnaturalenpanelesfotovoltaicos[18]................................................58
Figura2.14Relacinentrelavelocidaddelaireyelespesordelcanaldeaireparadiferentes
ngulosdeinclinacin[18].......................................................................................................59
Figura2.15Variacindelatemperaturaparaunespesorde0,1menfuncindelnmerode
panelesyelngulodeinclinacin[18]....................................................................................59
Figura2.16Variacindelatemperaturaparaunespesorde0.2menfuncindelnmerode
panelesyelngulodeinclinacin[18]....................................................................................60
Figura2.17MdulosPVrefrigeradosporaireensuparteposterior[19]...............................61
Figura2.18Efectodelcaudalsobrelaeficienciaglobal[19]...................................................63
Figura2.19Efectodelalongituddelconductoeficiencia[19]................................................63
Figura2.20Efectodeprofundidadenlasobrelaeficiencia[19].............................................63
Figura 2.21 Esquema de las diferentes configuraciones ensayadas, cristalcristal y cristal
tedlar[20].................................................................................................................................64
INDICEDEFIGURAS
Figura2.22Variacindelaeficienciaelctricaconysinconductopararefrigerar[20]........64
Figura2.23Variacindelaeficienciaytemperaturaconconductopararefrigerar[20].......64
Figura2.24ModelodelaestructuraestudiadaporNynneFrilingetal.[21].........................65
Figura2.25Evolucindelatemperaturadelpanelalolargodeldaadosvelocidades[21].65
Figura2.26Coeficientedeconveccinfrentevelocidaddeviento[21].................................66
Figura2.27ModelodelconductodeairepararefrigerarelmduloPV[22].........................67
Figura2.28Descripcindelossistemasfotovoltaicossobreuntejado[35]..........................71
Figura2.29Procesodeingenieradelaintegracinfotovoltaicaenlacarasurdeunedificio
deChina[36]............................................................................................................................72
Figura2.30Vistaglobaldelaintegracinfotovoltaicasobrelacaraestedelacubiertadeun
edificioenChina[36]...............................................................................................................72
Figura2.31Integracindepaneleslaminadosdepelculafinasobreunacubiertaplana.....73
Figura2.32SistemadefijacindepanelesPVsobrecubiertaplana......................................74
Figura2.33Sistemafotovoltaicobasadoenmdulosquesustituyeneltejadoconvencional
[34]...........................................................................................................................................75
Figura2.34TejadofotovoltaicooriginariodeJapn,ubicadosobrelacubiertainclinada[34].
..................................................................................................................................................76
Figura2.35Mdulofotovoltaicode35Wp,sustituyenteacuatrotejasconvencionales[34].
..................................................................................................................................................77
Figura2.36InvernaderodeNuevaDelhiconmdulosfotovoltaicosintegrados[37]............79
Figura2.37TemperaturaexperimentalytericadelpanelPValolargodeunda[37]........79
Figura2.38Esquemadeubicacindelosmdulossobreelinvernadero[38].......................80
Figura 2.39 Energa fotovoltaica generada frente a los meses de estudio. Orden de
columnas:PV1,PV2,PV3,PV4,PV5[38].................................................................................81
Figura2.40ProyectosdeintegracinfotovoltaicaenlacubiertadeinvernaderosenChina.a)
Vista del interior del invernadero solar en Heihe. b) Vista exterior del proyecto en Peony
GardenenHeze[36]................................................................................................................81
Figura 2.41 Boceto del diseo de una parte (50KW) del nuevo proyecto agrcola con
integracinfotovoltaicaenlacubiertade1MWpubicadoenlaciudaddeWeifang,Shandong
[36]...........................................................................................................................................82
Figura2.42Esquemasimpledelprocesotrmicodeenergaenunmdulofotovoltaico.....83
Figura2.43Relacinentrelatensindecircuitoabiertoconlatemperatura[50]...............86
Figura 2.44 a) Representacin de la curva caracterstica del funcionamiento de una clula
fotovoltaica.b)Modificacindelacurvacaractersticadefuncionamientoconelaumentode
latemperatura.........................................................................................................................87
Figura2.45Influenciadeunaumentodelatemperaturaenlosparmetrosquedefinenal
Factor de llenado. a) Representacin del concepto del factor de llenado en la curva
caracterstica.b)Variacindelosparmetrosdelfactordellenadoconlatemperatura.....88
Figura2.46Dependenciadelatemperaturaenlatensindecircuitoabiertoparadiferentes
mdulosfotovoltaicos[54]......................................................................................................91
Figura2.47Dependenciadelatemperaturaenlapotenciamximaparadiferentesmdulos
fotovoltaicos[54].....................................................................................................................91
NDICEDEFIGURAS
Figura2.48Efectodelatemperaturadefuncionamientodeunpanelfotovoltaicosobresu
eficiencia,comparandolosresultadosmedidosyelmodeloterico[58]..............................93
Figura 2.49 Variacin de la tensin de circuito abierto, intensidad de cortocircuito y
eficienciaconlatemperaturaparaunacluladesilicioenelrangodetemperaturade295
320K[51]...................................................................................................................................93
Figura3.1PlantafotovoltaicaElCoronilII..........................................................................101
Figura 3.2 Estructura soporte de los paneles con 3 y 4 metros de hipotenusa
respectivamente.....................................................................................................................103
Figura 3.3 Radiacin solar medida en el plano de captacin y temperatura ambiente
registradaduranteelmesdeMarzode2009........................................................................104
Figura3.4VariacindelrendimientotericodedecadamodelodepanelPVenfuncindela
temperaturaambiente...........................................................................................................105
Figura3.5InstalacinagroenergticaElCoronilIV.............................................................106
Figura3.6Distribucindelospanelesenlacubiertadelainstalacinagroenergtica........107
Figura3.7Alzadodelaestructuradelainstalacinagropecuaria........................................108
Figura3.8Esquemaunifilardelainstalacin.........................................................................109
Figura3.9Estructurasoportedelpanel.Medidasencm......................................................114
Figura3.10Alzadoyplantadelaestructurabase.Medidasencm.......................................114
Figura 3.11 Fotografas de la estructura soporte y base de la instalacin fotovoltaica
experimental...........................................................................................................................115
Figura3.12Caractersticasdelosmdulosfotovoltaicosutilizadosenlainstalacin..........116
Figura3.13InstalacinfotovoltaicaexperimentalconstituidaporPanelAelizquierdoyPanel
Belderechoenconveccinnatural.......................................................................................117
Figura3.14InstalacinfotovoltaicaexperimentalconstituidaporPanelAelizquierdoyPanel
Belderechoenconveccinforzada.......................................................................................118
Figura 3.15 Representacin de la ubicacin de los sensores de medida en los paneles y
cubiertametlica....................................................................................................................119
Figura3.16Fotografadeltransmisordehumedadrelativaytemperaturaambiente.........121
Figura3.17Curvascaractersticasdealgunosmetales..........................................................122
Figura3.18Esquemadeconstruccindeldielctrico............................................................123
Figura3.19Esquemadelarelacinentrelasvariablesenundielctrico.............................124
Figura3.20Dispositivodeproteccinalaradiacinsolar.....................................................125
Figura3.21Transmisordepresinbaromtrica....................................................................125
Figura3.22EsquemaelctricodelpuentedeWheatstone...................................................126
Figura3.23Esquemadeunsensorpiezoresistivo.................................................................127
Figura3.24Anemmetroultrasnico....................................................................................129
Figura3.25Esquemagrficodelfuncionamientodelanemmetroultrasnico..................129
Figura3.26Piranmetroempleadoparalamedidadelaradiacinglobal...........................131
Figura3.27Esquemadelaconstitucininternadelpiranmetro.........................................132
Figura3.28Bandadesombradelpiranmetroqueregistralaradiacindifusa...................133
Figura3.29Clulafotovoltaicacalibrada...............................................................................134
Figura3.30Principiodefuncionamientodeunaclulafotovoltaica,efectofotovoltaico....135
INDICEDEFIGURAS
Figura3.31SondaflexiblePt100utilizadaparamedirlatemperaturadelacaraposteriorde
losmdulosfotovoltaicos......................................................................................................136
Figura 3.32 Principio de funcionamiento del detector de temperatura por resistencia. a)
Conexinadoshilos.b)Conexinacuatrohilos..................................................................137
Figura3.33SondadetemperaturaPt100paramedirlatemperaturadelaireenelcanal..137
Figura3.34Anemmetrodeplacacalienteparamedirlavelocidaddeaireenelinteriordel
canal.......................................................................................................................................138
Figura 3.35 Carga electrnica para obtener la curva caracterstica de los paneles
fotovoltaicos..........................................................................................................................140
Figura3.36Sistemadeadquisicindedatos,datalogger34980A.......................................141
Figura3.37VentanaprincipaldeBenchlinkDataLogger......................................................142
Figura3.38Crearunanuevaconfiguracin...........................................................................143
Figura3.39Ventanadeconfiguracin...................................................................................143
Figura3.40Ventanaquemuestraloscanalesconectadosypermitesuconfiguracin.......144
Figura3.41Ventanadeconfiguracinlasopcionesparaelregistrodedatos......................145
Figura3.42Ventanaresumenconlosdatosrecogidosyopcionesdeexportacin.............146
Figura3.43Representacingrficadelasvariablesmedidas...............................................146
Figura3.44FotografaareadelainstalacinagroenergticaCoronilIV.............................148
Figura3.45Alzadodelplanoenelqueseaprecialaconfiguracindelinvernaderoypaneles.
................................................................................................................................................149
Figura3.46Invernaderodereferencia,CoronilIVeinstalacinexperimental.....................149
Figura 3.47 Esquema de la estructura con identificacin de los perfiles (izquierda) y
fotografadelaestructuraconstruida(derecha)..................................................................150
Figura3.48Descripcindelosperfilesyelementosdeuninutilizadosenelmontajedela
estructura...............................................................................................................................152
Figura3.49Alzadoyperfildelaestructurametlicaconlasdimensionesenmm..............152
Figura3.50Gruposdepanelesfotovoltaicosyesquemadeconexin.................................154
Figura3.51Fotografasdedosconfiguracionesestudiadas.Izquierda:Primeraconfiguracin
conmenorseccindeairedepasoyconcubiertadeplstico.Derecha:cuartaconfiguracin
concanaldeairedemayorseccinyconaislantesobrelacubierta....................................155
Figura3.52Ubicacindelossensoresutilizadosenlainstalacinexperimental.a)Sensores
emplazadosenelcanaldeaireyadheridosalospaneles.b)Sensoresadheridosalacubierta
deplstico.c)Sondasdetemperaturaenelinteriordelinvernadero..................................156
Figura 3.53 Transmisor de la temperatura ambiente y su ubicacin en la instalacin
experimental..........................................................................................................................158
Figura3.54AnemmetroWindsonicysuubicacinenlainstalacinexperimental............159
Figura3.55Transmisordelatemperaturadelairetantoenelcanalcomoenelinteriordel
invernadero............................................................................................................................160
Figura3.56Curvascaractersticasdealgunosmetales.........................................................161
Figura3.57Aerotermoparacalentarelinteriordelinvernadero.........................................162
Figura3.58DiagramadeconexinentreDINAMITEyPID.................................................163
Figura4.1Fotografadelatarjetautilizadaparaeldisparodelacargaelectrnica.............168
NDICEDEFIGURAS
Figura4.2EjemplodecurvacaractersticaIVobtenidadelospaneles1y2conectadosen
serieenlainstalacinexperimentaldelinvernadero............................................................169
Figura4.3PanelfrontaldeaplicacindesarrolladaenLabview..........................................170
Figura4.4DiagramadebloquesdeunodeloscasosimplementadosenLabView............171
Figura5.1ParmetroselctricoscaractersticosdelospanelesfotovoltaicosET270...........184
Figura5.2Comparativadelosresultadosexperimentalesmedidosenlainstalacin,conlos
proporcionados por el fabricante, en funcin de la radiacin solar. a) Intensidad de
cortocircuitob)Potenciamxima..........................................................................................186
Figura5.3Comparativadelosresultadosexperimentalesmedidosenlainstalacin,conlos
proporcionados por el fabricante, en funcin de la temperatura del panel. a) Tensin de
circuitoabiertob)Factordellenado......................................................................................187
Figura5.4Comparativaenlaeficienciaelctricadelosresultadosexperimentalesmedidos
enlainstalacin,conlosproporcionadosporelfabricante,enfuncindelatemperaturadel
panel.......................................................................................................................................188
Figura5.5RadiacinsolarypotenciaobtenidaenlaplantasolarfotovoltaicaCoronilII,alo
largodecuatrodasdeagosto...............................................................................................188
Figura5.6CorrelacindelrendimientodelospanelesenlaplantafotovoltaicaCoronilIIcon
latemperaturaalcanzadaporelpanel...................................................................................189
Figura 5.7 Configuracin del panel B, representando el canal de aire entre el panel
fotovoltaicoylasuperficiemetlica.......................................................................................192
Figura 5.8 Diferencia de temperatura de cada panel fotovoltaico y la ambiente respecto la
radiacin solar, en conveccin natural para diferentes relaciones de aspecto del canal de
aire..........................................................................................................................................193
Figura 5.9 Rendimiento elctrico del Panel A y Panel B respecto la radiacin solar, en
conveccinnatural,paradiferentesrelacionesdeaspectodelcanaldeaire.......................194
Figura5.10Comparacindelcomportamientoentreambospaneles,panelAypanelBcon
b/L=0.0825.a)Diferenciadetemperaturadepanelylaambienteb)Rendimientoelctricoa
lolargodelda........................................................................................................................195
Figura5.11Influenciadelarelacindeaspectoenconveccinnaturalsobrelatemperatura
delpanel.................................................................................................................................196
Figura5.12Influenciadelarelacindeaspectoenconveccinnaturalsobreelrendimiento
elctricodelpanel..................................................................................................................197
Figura 5.13 Influencia de la relacin de aspecto sobre las variables elctricas a diferentes
condiciones ambientales. a) Alta radiacin solar, con Gpira =970 W/m2 y Tamb =29C. b)
Mediabajaradiacinsolar,conGpira=225W/m2yTamb=23C..........................................198
Figura5.14Influenciadelarelacindeaspectoenlatemperaturayrendimientodelpanelen
funcindelaradiacinsolarparaVv=2m/s.a) Diferenciadetemperaturadelpanelconel
ambiente.b)Rendimientodelpanel,paralasdiferentesrelacionesdeaspecto..................200
Figura5.15Influenciadelarelacindeaspectoenlatemperaturayrendimientodelpanelen
funcindelaradiacinsolarparaVv=4m/s.a) Diferenciadetemperaturadelpanelconel
ambiente.b)Rendimientodelpanel,paralasdiferentesrelacionesdeaspectos................201
INDICEDEFIGURAS
NDICEDEFIGURAS
ANEXOS
FiguraA.1Estructuradeltomoysusnivelesdeenerga.....................................................246
FiguraA.2Modelodebandasdeenerga..............................................................................247
FiguraA.3Modelodebandasdeenergaparaconductores,semiconductoresyaislantes..248
FiguraA.4Cristaldesiliciointrnseco....................................................................................248
FiguraA.5Creacindeunelectrnhuecoenuncristaldesilicio.........................................249
FiguraA.6Movimientodeloselectronesyloshuecosensemiconductores........................249
FiguraA.7Zonadedeplexinenlauninpn........................................................................251
FiguraA.8Circuitoabiertoenlauninpn............................................................................252
FiguraA.9Separacindelosportadoresporelcampodelauninpn................................254
FiguraA.10Clulasolarencircuitoabierto...........................................................................254
FiguraA.11Clulasolarcortocircuitada................................................................................255
FiguraA.12Corrientefotovoltaicagenerada.........................................................................255
FiguraA.12Corrientefotovoltaicagenerada.........................................................................257
FiguraA.14Circulacindecorrienteenlaclula..................................................................257
FiguraA.15Smboloelctricodeunpanelsolar....................................................................257
FiguraA.16CurvaIVdeunaclulafotovoltaica...................................................................258
FiguraA.17Circuitoidealdeunaclulafotovoltaica.............................................................258
FiguraA.18Curvacaractersticadeunaclulafotovoltaica..................................................259
FiguraA.19RepresentacindelPMPenlacurvacaracterstica...........................................260
FiguraA.20Circuitoequivalentedeunaclulafotovoltaica.................................................262
FiguraA.21Elementosdelsistemafotovoltaico....................................................................264
FiguraA.22Panelsolarfotovoltaico......................................................................................264
FiguraA.23Diferentesbaterasparafotovoltaica.................................................................265
Figura A.24 Controlador de carga solar de 30A para un campo de paneles de corriente
mxima25A...........................................................................................................................266
Figura A.25 Inversores DC/AC de baja potencia para un mdulo fotovoltaico y grupos de
inversoresparagrandescentralesfotovoltaicas...................................................................267
A.26Diferentesequiposdeconsumo....................................................................................267
FiguraA.27Esquemadeunainstalacinaisladadelared....................................................269
FiguraA.28Esquemadeunainstalacinconectadaalared.................................................270
FiguraA.29Comparacindelaradiacincaptadaporinstalacionesfijaseinstalacionescon
seguimientoadosejesalolargodeunda...........................................................................271
FiguraB.1Distribucindelosdiferentespanelesfotovoltaicosypotenciapicoporinversor
enelcampofotovoltaicoCoronilII........................................................................................273
FiguraC.1Curvacaractersticaylinealizacin.......................................................................276
FiguraC.2Circuitosimplificado.Fuentedecorriente............................................................276
FiguraC.3.Diagramadebloquesdelsistemacompleto........................................................277
FiguraC.4.Respuestaanteescalnunitario..........................................................................279
FiguraC.5.ControlProporcionalIntegral..............................................................................280
FiguraC.6.RespuestaaescalnunitarioconcontrolI..........................................................281
INDICEDEFIGURAS
FiguraC.7.Resistenciadeecualizacin..................................................................................282
FiguraC.8.Curvadetransconductancia.................................................................................282
FiguraC.9.Puntodetrabajo..................................................................................................283
FiguraC.10.Resistenciatrmica............................................................................................284
FiguraC.11.EleccinntransistoresIRFP140N.....................................................................284
FiguraC.12.EleccinntransistoresIRL540N.......................................................................285
FiguraC.13.Fuentedetensinparaobtenertensionesnegativas.......................................286
FiguraC.14.Diododeproteccin...........................................................................................287
FiguraC.15.Circuitoparalasimulacin.................................................................................288
FiguraC.16.CaractersticaVI................................................................................................288
FiguraC.17.Respuestadinmica...........................................................................................289
FiguraC.18Medidasdeosciloscopio.....................................................................................289
FiguraC.19Curvacaracterstica.............................................................................................289
INDICEDETABLAS
INDICE DE TABLAS
Tabla2.1Datosmedidosdelasvariablesinfluyentesparalasdiferentesconfiguraciones[2].
..................................................................................................................................................51
Tabla2.2Espesordelcanaldeairenecesarioparareducirlatemperaturadelpanel[18]....60
Tabla2.3Resultadosexperimentalesparaconveccinnatural[19].......................................61
Tabla2.4Resultadosexperimentalesparaconveccinforzada,utilizandounventilador[19].
..................................................................................................................................................62
Tabla 2.5 Resultados experimentales para conveccin forzada, utilizando dos ventiladores
[19]............................................................................................................................................62
Tabla2.6ValoresexperimentalesdelasvariableselctricasdedosclulasdeSilicioparael
rangodetemperaturasde295a320K[51]............................................................................87
Tabla 2.7Coeficientes de proporcionalidad de Isc, Voc y Pm con la temperatura para los
mdulosevaluados[54]...........................................................................................................90
Tabla 2.8 Valores experimentale del coeficiente de Ross para diferentes configuraciones
[72]............................................................................................................................................97
Tabla 3.1 Caractersticas elctricas de los diferentes modelos de paneles instalados en la
plantafotovoltaicaElCoronilII...........................................................................................102
Tabla3.2Nmerototaldepanelesypotenciainstaladadecadamodelodepaneles.........102
Tabla3.3Caractersticasdelsensordehumedadrelativaytemperaturaambiente............124
Tabla3.4Caractersticasdeltransmisordepresinbaromtrica..........................................127
Tabla3.5Caractersticasdelanemmetro.............................................................................130
Tabla3.6Caractersticastcnicasdelospiranmetrosyamplificadores..............................133
Tabla3.7Caractersticasdelaclulafotovoltaica.................................................................135
Tabla3.8Especificacionesdelasondadetemperaturadecontacto....................................137
Tabla3.9Especificacionesdelasondadetemperaturadeaireenelconducto...................138
Tabla3.10Especificacionestcnicasdelostransductoresdelavelocidaddelaireenelcanal.
................................................................................................................................................139
Tabla3.11Caractersticasdelacargaelectrnica.................................................................140
Tabla3.12Especificacionesdelatarjetamultiplexora34921A.............................................141
Tabla3.13Propiedadesdelplsticoempleadoenlainstalacinexperimental....................153
Tabla3.14Caractersticasdelsensordetemperaturadelaireenelcanalyenelinteriordel
invernadero............................................................................................................................162
Tabla3.15Caractersticastcnicasdelaerotermo................................................................162
Tabla3.16CaractersticastcnicasdelPIDyDinamite.......................................................163
Tabla4.1Precisinyerroresdelecturayrangodelossensoredemedidadelasvariablesde
entrada...................................................................................................................................176
Tabla 4.2 Resultado de la evaluacin de la Incertidumbre de las variables.*Resultados
calculadosmediantelaleydepropagacindeincertidumbre..............................................177
Tabla5.1Resumendelmodeloderegresin.........................................................................208
Tabla5.2Coeficientesdelmodeloderegresin....................................................................209
NOMENCLATURA
Nomenclatura
A reaosuperficiedelpanelfotovoltaicos
Ac readelcondensador
b espesordelcanaldeaire
b/L relacindeaspecto
C capacidaddelcondensador
Cp calorespecficodelaire
d distanciaentrelasplacasdelcondensador
Ec energaenlabandadeconduccin
Ef energaeneleniveldeFermi
EGO energadelanchodebandaprohibidaa0K
FF factordeforma
g aceleracindelagravedad
Gpira radiacinsolarporunidaddesuperficie
GT potencialuminosarecibidaporlaradiacinsolar
h alturaosaltodebombeodeagua
ID intensidadecorrientedediodo
IL intensidaddecorrientefotogeneradaenunaclulafotovoltaica
Imp intensidaddecorrienteenelpuntodemximacorriente
IS intensidaddecorrientedesaturacindeoscuridad
Isc intensidaddecorrientedecortocircuito
Isc,o intensidaddecortocircuitoa25C
K constantedeBoltzman
k coeficientedeRossEc.2.18
kc factordecoberturaenlaincertidumbreexpandidaEc.4.7
L longituddelcanaldeaire
m factordeidealidadenEc.1.1
me masadelelectrn
flujomsicodeaire
n ndicederefraccin
ne nmerodeelectronesenEc.2.5
Patm presinatmosfrica
potenciapicoopotenciamxima(Puntodemximapotencia)deuna
Pm
clulafotovoltaica
Pm,o potenciamximadeunaclulafotovoltaicaa25C
Pth potenciamximatericadeunaclulafotovoltaica
q cargadelelectrn
Q caudaldeagua
inv calortrasferidodelinteriordelinvernaderoalcanaldeaire
panel calortrasferidodelpanelalcanaldeaire
R resistenciaelctrica
Ro resistenciaelectricaa0C
R2 coeficientederegresin
S readecaptacinderadiacinsolarenelpanelfotovoltaico
Scanal readelaseccintransversaldelcanaldeaire
T temperatura
21
NOMENCLATURA
Tamb temperaturaambiente
Tpanel temperaturadelpanelfotovoltaico
Tpanel,1Tpanel,2
medidadevariossensoresdelatemperaturadelpanelfotovoltaico
Tpanel,3Tpanel,4
medidadevariossensoresdetemperaturadelaireenlaentradaal
Tair,i,1Tair,i,2
canal
Tair,o,1Tair,o medidadevariossensoresdetemperaturadelaireenlasalidaalcanal
u incertidumbretpicadeunamedida
U incertidumbreexpandida
uc incertidumbretpicacombinada
vf velocidaddelvientoenEc.2.19
vw velocidaddelairequecirculabajoelpanel
vair,1vair,2 medidadevariossensoresdelavelocidaddelaireenelcanal
V tensinovoltajeelctrico
Vmp tensinenelpuntodemximacorrientedeunclulafotovoltaica
Voc tensindecircuitoabiertodeunclulafotovoltaica
Voc,o tensindecircuitoabiertodeunclulafotovoltaicaa25C
VT potencialtrmicoenEc.1.1
w coeficientedemontajeenEc.2.21
Haire saltodeentalpiaenelcanaldeaire
T diferenciadetemperaturaentreelpanelyambiente
Smbolosgriegos
constanteenEc.2.7
constanteenEc.2.7
eficienciaorendimiento
densidad
a densidaddelaire
constantedielectricadelmedio
22
RESUMEN
Resumen
Lainvestigacinrealizadatienesuorigenenlanecesidadeintersdespiertoporlaempresa
ApiaXXIencolaborarconelDepartamentodeIngenieraTrmicaydeFluidosdelaEscuela
TcnicaSuperiordeIngenieraIndustrialdelaUniversidadPolitcnicadeCartagena,sobreel
desarrollo e investigacin del comportamiento elctrico de los paneles fotovoltaicos al
alcanzaraltastemperaturas,cuandoseencuentranubicadossobrediferentescubiertas.Este
trabajodetesissecentraencaracterizaryanalizarlainfluencianegativadelatemperatura
enlaproduccinelctricadepanelesfotovoltaicos,yporende,ensurendimiento,alestar
emplazadossobreunacubiertadeacero,comopuedeserunanaveindustrialosobrelade
un invernadero, y adems, ensayar diferentes posibles configuraciones que permitan
refrigerarlospaneles,reduciendosutemperaturaymejorarsurendimiento.
Paraabordaresteproblema,sehanconstruidodosinstalacionesexperimentalesaensayar
sobrelacubiertadelAularioGeneraldelCampusAlfonsoXIIIdelaUniversidadPolitcnicade
Cartagena, donde el Departamento de Ingeniera Trmica y Fluidos tiene algunas
instalacionesdocentesydeinvestigacinrelacionadasconenergasolar.
Laprimerainstalacinenglobadospanelesfotovoltaicosmontadossobreunaestructurafija
al suelo, que permite variar la inclinacin de stos. Uno de los paneles, que se ha
denominadopanelA,seencuentraaislado,sinningunacubiertaensuparteinferior,elcual
utilizaremos como panel de referencia, ya que trabaja en condiciones normales al estar
expuesto a condiciones ambientales y su nica influencia trmica es la temperatura
ambiente.Elotropanel,denominadopanelB,estemplazadoendichaestructurasobreuna
superficie paralela y metlica, la cual influenciar a la temperatura alcanzada por dicho
panel. Entre ambas superficies se ha dejado un espacio que posibilita un flujo de aire que
permite refrigerar en mayor o menor medida el panel por conveccin natural, gracias al
efectochimenea.Sehaestudiadoelcomportamientodelpanelparadiferentesseparaciones
delcanaldeaire,comparndoloconelpaneldereferencia(panelA).Traslatomadedatosy
el anlisis de los resultados, a dicha instalacin se le incorpor un ventilador acoplado al
panel B, mediante el uso de diferentes toberas, que impulsa el aire desde el exterior al
interior del canal entre el panel B y la cubierta metlica, con el fin de analizar para cada
separacindelcanaldeaireydiferentesvelocidadesdelaireimpulsado,elcomportamiento
del panel en conveccin forzada y as compararlo con el panel A de referencia y con los
resultados obtenidos previamente mediante conveccin natural. Por ltimo, se pretende
generalizar todos los resultados (diferentes secciones de aire, velocidades inducidas en
canal, condiciones ambientales), mediante un modelo experimental que establezca
correlaciones que nos permita determinar la temperatura del funcionamiento, potencia y
eficienciadelmduloenfuncindelasvariablesinfluyentes.
23
RESUMEN
temperaturadelpanelylasvariableselctricastalescomopotencia,rendimientoy,adems,
sehacomparadoelcomportamientoelctricodelospanelesdelaplantaconeldenuestra
instalacin,paralasdiferentesconfiguracionesexperimentadas.
Lasegundainstalacinexperimental,esunarplicadelaplantafotovoltaicamontadasobre
lacubiertadelainstalacinagroenergticaCoronilIV,llevadaacaboporlaempresaApiaXXI
enSevilla.Lainstalacinexperimentalreproduceunapartedelainstalacin,formadapor
cuatropanelesfotovoltaicoscolocadossobreelplsticodelinvernadero,existiendouncanal
divergenteentreambassuperficies.Conestainstalacin,sepretendeestudiaryanalizarla
influencia de las altas temperaturas en el interior del invernadero sobre la produccin
elctrica de los paneles, dado la existencia de una transferencia de calor del interior del
invernaderoatravsdelacubierta.Porconsiguiente,sehaensayadodichainstalacin,para
dosseparacionesdiferentesy,posteriormente,secolocunaislantesobreelplstico,para
cada separacin, con el fin de evitar la transferencia del calor del interior a los paneles y
analizar las mejoras elctricas en el comportamiento de los paneles. En la instalacin
experimentalsehacolocado,enelinteriordelinvernadero,uncalefactorquenospermita
testeardichasconfiguracionesadiferentestemperaturas.
Elestudiorealizadosobreambasinstalacioneshaproporcionadounconocimientoprofundo
delfuncionamientodecadaunadeellas,ascomoinformacinvlidaparaunamejorade
futurosdiseosdeinstalacionesfotovoltaicassobrecubiertas.
24
ABSTRACT
Abstract
ThisresearchhasbeencarriedoutduetonecessityandinterestfromthecompanyApiaXXI
incollaborationwiththeDepartmentofThermalandFluidsEngineeringoftheUniversidad
Politcnica de Cartagena, for the development of facilities and research into the electrical
behaviour of photovoltaic panels at high operating temperature when they are placed on
differentroofs.
The aim of this study is to characterise and analyse the negative influence of high panel
temperaturesonelectricalproductionandconsequentlyperformance,whentheyareplaced
onsteelroofsofindustrialbuildingsandalsoongreenhouseroofs.Differentconfigurations
have been tested in order to allow cooling of photovoltaic panels to decrease panel
temperatureandimproveelectricalperformance.
Toinvestigatethisproblemtwoexperimentalfacilitieshavebeenbuilttotestpanelsonthe
roof of the Aulario General of the Campus Alfonso XIII, Universidad Politcnica de
Cartagena. Experimental and research facilities related to solar energy, belonging to the
ThermalandFluidsEngineeringDepartment,arelocatedinthisbuilding.
The first experimental facility includes two photovoltaic panels fixed on a structure which
allowschangesinthephotovoltaicpanelsslope.Onepanel,designatedasPanelA,isfixedto
thestructurewithoutaplateunderneathit.Thispanelworksatnormaloperationconditions
and is used as a referent. It is exposed to ambient conditions and hence, the ambient
temperatureandwindaretheimportantoperationalvariables.
Theotherpanel,PanelB,isplacedonthesamestructureandonaparallelsteelplatewhich
does not allow sufficient cooling and thus increases the panel temperature. Between the
surfaceofthephotovoltaicpanelandsteelplate,thereisanopenairchannelinwhichanair
flowiscreatedbythechimneyeffectthuscoolingthepanelbynaturalconvection.
The slopes of both panels are thesame for the different trials; 30 horizontally and facing
south.TheelectricalbehaviourofPanelBhasbeenstudiedforthreedifferentspacesofthe
airchannelandhasalsobeencomparedwiththebehaviourofthereferencepanelA.
Oncedataforallthreechannelairspaceswerecollected,thefacilitywasmodifiedbyadding
afanconnectedtoPanelBbymeansofnozzle.Thisfaninducesaflowinsidethechannelair
space and allows us to study the effect of forced convection. Three fan induced velocities
have been used for each of the three channel air spaces and results have been compared
with concurrent data from reference Panel A. The final aim is to generalize all results
(different sections of air, induced velocities in channel and ambient conditions), by an
experimental model to establish correlations which allow to determine the temperature,
powerandefficiencyofthemoduledependingontheinfluentialvariables.
25
ABSTRACT
The same model of these photovoltaic panels, with the same operating characteristic, is
installedinaworkingphotovoltaicsolarplantCoronilII,locatedinSevilla,southofSpain.
Therealdataofthisplanthavebeenstudiedthroughoutthewarmestmonths(May,June,
JulyandAugust)andtheelectricalbehaviourhasbeenanalysed.Thisresearchalsoanalyses
these results and the correlations between the photovoltaic panel temperature and the
electrical variables such as electrical power and performance. A comparison with the
photovoltaic panels behaviour in the experimental facility and the solar plant is also
presented.
Thesecondexperimentalfacilityisareplicaofaphotovoltaicplantmountedontheroofofa
greenhouse installation Coronil IV, also built by Apia XXI in Sevilla. Only a part of the
photovoltaicgreenhousehasbeenreplicatedintheexperimentalfacilityandconsistsoffour
photovoltaic panels placed on the plastic roof of the greenhouse. There is an open and
divergentchannelbetweenbothsurfacesthuscreatinganairflowbythechimneyeffect.
Thisresearchaimstostudytheeffectofhightemperatureswithinthegreenhousewhichwill
be transferred by the plastic roof and will thus affect the electrical production of
photovoltaic panels placed there. In order to simulate different temperatures inside the
greenhouse,theexperimentalfacilityincludesaPIDcontrolledelectricheater.
In addition to this, two channel air gap spacings were used and the effect of adding
insulating material to the plastic roof was investigated. This material reduces the heat
transferfrominsidethegreenhousetothephotovoltaicpanelwhilstmaintainingtheopen
air channel. The electrical variables of the panels are analysed for both air gaps with and
withoutinsulatingmaterialtocompareandselectthebestconfiguration.
Thepresentedresearchaboutbothfacilitiesprovidesadeepknowledgeofhowtheyworkas
wellasinformationandresultsforanimprovementinfuturedesignsofbuildingintegrated
photovoltaics.
26
AGRADECIMIENTOS
Agradecimientos
AmisdirectoresdetesisDr.JosRamnGarcaCascalesyDr.FranciscoVeraGarcaporsu
continuacooperacin,ayuda,apoyoycomprensintantoaniveltcnicoyprofesionalcomo
personal.
ADr.AntonioSnchezKaiser,Dr.BlasZamorayDr.JosAntonioVillarejoMaasquejuntoa
misdirectoresdetesishanqueridoformarpartedeesteproyecto,tantoporsuconstante
consejo,colaboracinytiempoempleado,ademsdehaberrepresentadoparamgrandes
modelosaseguir.
AlaempresaApiaXXI,especialmenteaMarcosPantalenPrieto,CesarFernndezGonzlez
y Jos Luis Sobradillo Ageros, en primer lugar por haberme propuesto esta lnea de
investigacin,seguidoporsucooperacineneldiseodelasinstalacionesyporltimo,por
haberparticipadojuntoaldepartamentodeIngenieraTrmicaydeFluidosenloscontratos
queenmarcanesteproyecto.
A los exalumnos Laura Granados y Antonio Fuentes Cano por su colaboracin y haber
dedicadoconmigointensosperiodosdetrabajojuntos.
A todo el personal del departamento de Ingeniera Trmica y de Fluidos con los que he
compartidodocenciaytrmitesadministrativos,entreellosaLoli,porhabermeorientadoy
enseadomuchascosasyporquesinvuestraayudanohubiesesidotanasequibleeldaa
da.
A mis amigos, por haberme apoyado siempre, sacndome una sonrisa cuando ms lo
necesitabayhacermesentirlafyconfianzaquesiemprehabeistenidoenm.
Amispadres,mihermanoDani,mistos,primosyabuelos,porquesiemprehabisestadoa
milado,porvuestroincondicionalyconstanteapoyoentodomomento,especialmenteen
aquellos,notanbuenos,enlosquemehabiscomprendido,animadoyhechosentirqueel
esfuerzorealizadoporaquelloquequieresmerecelapena.
AmimaridoDiego,tantoporcompletarlaotrapartedemividaquenoestrabajo,porhacer
suyosmispropiosproblemasconmuchapacienciaycomprensin,comoporhacermeverla
vidaconoptimismo,porquesintipartedeestetrabajonohubiesesidoposible.
27
28
INTRODUCCIN
CAPITULO1. INTRODUCCIN
Elcrecimientoylaevolucindelapoblacinmundialjuntoasuactividadtraenconsigoque
la demanda energtica aumente da a da pero las fuentes clsicas ya no pueden
satisfacernos en la cuanta necesaria. El consumo del petrleo se incrementa
constantemente, cosa que no puede continuar por mucho tiempo, fundamentalmente
porque las reservas econmicamente explotables se estn agotando. El carbn es el
combustiblefsilmsimportantedelaTierraysusreservassongrandes,peroelproblema
queconllevasuaprovechamientoenergticoesquecontaminaconCO2laatmosfera,porlo
quesuusoeslimitado.
Por ello, se recurre a las fuentes renovables de energa, entre ellas la energa solar
fotovoltaica que como energa limpia no contamina y contribuye a luchar contra el efecto
invernadero. La energa es una necesidad, y por ello se debe de ser consciente de la
situacin energtica, y la necesidad de desarrollar instalaciones fotovoltaicas para poder
seguir manteniendo nuestro estilo de vida sin comprometer la economa, la autonoma
energticaylasostenibilidadmedioambientaldelplaneta.
Enlaactualidad,aunquerepresentantodavanomuyaltosporcentajesrespectoaltotalde
deenergaprimariaanivelmundial,algunasfuentesrenovables,comolaelicaosolaren
susdistintasformas,estncreciendoaunritmoaceleradoenalgunaspartesdelplaneta.La
energasolarfotovoltaicahaidocreciendoaunavelocidadmayoralaesperada,apesarde
lacrisiseconmicaduranteelao2011.Europahalideradoelmercadofotovoltaico,conun
75% de la nueva capacidad conectada en 2011 (durante 2011 se conectaron a la red
29,7GW,deloscuales21,9GWseinstalaronenEuropa)yalrededordel75%delacapacidad
global instalada. Pero los mercados no europeos empiezan a mostrar signos de que esta
tendencia va a cambiar ya que en ellos est el mayor potencial de crecimiento: fuera de
Europaelsectorfotovoltaicoseexpanderpidamente,conmsdeun100%decrecimiento.
En lo que se refiere a la energa solar fotovoltaica, tanto la potencia instalada como
generadahasufridouncrecimientoespectacularenlosltimosaos,concentrndoseensu
mayoraenEuropa,China,JapnyUSA.
29
CAPITULO1.INTRODUCCIN
Figura1.1Potenciageneradayproyeccindeenergafotovoltaicaporregiones[1].
30
1.1ORIGENDELESTUDIO
1.1 ORIGENDELESTUDIO
Esteproyectoestenmarcadoendoscontratosfirmadosentrelosgruposdeinvestigacin
Modelado de Sistemas Trmicos y Energticos y Mecnica de Fluidos e Ingeniera
TrmicadelaUniversidadPolitcnicadeCartagenaylaempresaApiaXXIparaelanlisisde
la influencia de la temperatura en el comportamiento elctrico de paneles fotovoltaicos
colocados sobre cubiertas y el ensayo de diferentes configuraciones que permita su
refrigeracin.
Elproblemaquepresentanlospanelesfotovoltaicosalalcanzaraltastemperaturasselleva
estudiando tiempo pero es cierto que la mayora de los paneles que funcionan en plantas
fotovoltaicasdenuestropas,lopresentanyenmayormedidaaquellosubicadosenelsurde
Espaa. Laempresa Apia XXI nos propuso profundizar enesta lnea de investigacin al ser
consciente de la reduccin en produccin elctrica que sufran los paneles en la planta
fotovoltaica que tienen en Coronil, Sevilla, especialmente durante los meses de verano,
debido a la reduccin del rendimiento a causa de las altas temperaturas. Los paneles
utilizados en esta investigacin son los proporcionados y utilizado por dicha empresa,
policristalinos modelo ET 270W. Adems, este problema se le agravara en los nuevos
proyectosdeApiaXXI,enlosquelospanelessecolocansobrediferentescubiertas.
31
CAPITULO1.INTRODUCCIN
ventilador, para cada seccin de paso de aire. Con los resultados obtenidos para las
diferentes configuraciones podremos concluir cual es lams idnea. Adems, seestablece
unacomparativaenelcomportamientodelpanelenfuncindelasvariablesquerealmente
influyen en la temperatura para poder obtener correlaciones que determinen la
temperatura de funcionamiento, potencia y eficiencia del mdulo bajo diferentes
condicionesambientalesyconstructivas.
EstainstalacintienesuorigenenlanecesidaddeApiaXXIporconocerlaexistenciadeuna
mayoromenorinfluenciadelasaltastemperaturasenelinteriordelosinvernaderossobre
los paneles y en tal caso, poder proponer modificaciones a la configuracin actual tales
como variar el diseo de la estructura soporte de los paneles, aumentando la seccin de
paso de aire, poniendo un aislante sobre el plstico, etc. de cara a la construccin de
prximasinstalacionesagroenergticasprevistas.
32
1.2OBJETIVOSDELATESIS
1.2 OBJETIVOSDELATESIS
Enprimerlugar,conocerlasinstalacionescomercialesenexplotacinquenoshanservidode
prototipotantoparaentenderelfuncionamientodelospaneles,comoparaeldiseodelas
instalaciones fotovoltaicas experimentales. De ellas, elegir los mdulos que mejor se
comportan respecto a su temperatura de funcionamiento, para ser utilizados en los
diferentesensayosexperimentales.Conlosdatosproporcionadosporlaempresa,deunade
lasinstalacionescomerciales,medidosduranteelperiodoMayoAgostode2010,sequiere
estudiar los parmetros caractersticos de los mdulos, comparando los datos
experimentalesmedidosylosproporcionadosporelfabricantebajolasmismascondiciones
ambientales. Con este estudio, se pretende obtener las relaciones de dependencia con la
temperatura de los paneles de la planta fotovoltaica y comparar los resultados con los
obtenidosenlainstalacinexperimentalconstruida.
Se debe disear y construir cada una de las instalaciones experimentales, siendo fiel a la
instalacincomercialdereferenciayelegirtodalainstrumentacinnecesariaparamediry
registrar las variables influyentes en el estudio. Ambas instalaciones pretenden estudiar
diferentesconfiguracionesconstructivas,cuandolospanelesseemplazansobreunacubierta
bien metlica (como sucede en las naves industriales) como de plstico (en los
invernaderos),existiendounespacioentrepanelycubiertaquepermitelarefrigeracindel
panelconaireporconveccinnatural.
33
CAPITULO1.INTRODUCCIN
Lasegundainstalacinexperimentaldeestudio,fielaldiseodeunainstalacincomercial
agroenergtica, se centra en estudiar la respuesta elctrica de los paneles fotovoltaicos
colocados sobre la cubierta de un invernadero, permitiendo su refrigeracin por su cara
posterior mediante conveccin natural. En esta instalacin tambin se ha variado la
separacinentrelosmdulosylacubiertadeplstico,estudiandodosseccionesdeentrada
deairediferentes.Adems,deldiseoinicial,sehaincorporadounmaterialaislantesobreel
plstico para cada seccin de paso de aire. En las diferentes configuraciones, se pretende
estudiar y comparar el comportamiento de los mdulos en esta aplicacin fotovoltaica,
analizandosusvariableselctricas,dependenciaconlatemperaturadefuncionamientoyla
posible influencia del calor en el interior del invernadero, transferido al canal de aire. Con
este estudio se persigue analizar las variables influyentes en cada caso y conocer la
configuracinquepermitaunamayorproduccinelctricadelpanel.
34
1.3PLANTEAMIENTOGENERALDELATESIS
1.3 PLANTEAMIENTOGENERALDELATESIS
Losobjetivosplanteadosenesteestudiosehanllevadoacabosiguiendoelesquemadela
figura 1.2. Aunque el bloque central de trabajo lo constituir el estudio y anlisis del
comportamientoelctricodelospanelesendiferentesaplicacionesfotovoltaicas,elrestode
bloquesdelesquematambinformarnpartedelapresenteinvestigacinporentenderque
lossegundosdansentidoalprimeroyviceversa.
Revisinbibliogrficadesistemasderefrigeracinde
mdulosfotovoltaicossobrecubiertas
Estudiodelaplantasolar Diseoymontajedela1
fotovoltaicaCoronilII instalacinexperimental
Seleccin de la configuracin
Seleccindelpanel
fotovoltaico Registroytratamientodedatos
experimentales
Estudioytratamiento
delosdatosmedidos
Estudioyanlisisexperimentalderesultados
Anlisiscomparativodel
comportamientoelctricode Anlisisexperimentalglobaly
lospanelesfotovoltaicos seleccindeconfiguracin
Revisinbibliogrficadeinstalacionesfotovoltaicassobre
cubiertasdeinvernaderos
Estudiodelainstalacin Diseoymontajedela2
fotovoltaicaagroenergtica instalacinexperimental
CoronilIV
Seleccindelaconfiguracin
Registroytratamientode
Anlisisexperimental datosexperimentales
globalyseleccinde
configuracin Estudioyanlisisexperimentalderesultados
Figura1.2PlanteamientodelaTesisDoctoral.
35
CAPITULO1.INTRODUCCIN
Cmoapartadofinaldeestecaptuloseincluyedeformaresumidalosantecedentesdela
energa fotovoltaica y los principios bsicos de funcionamiento, con el fin de introducir
conceptosyvariablesdeestudioquepresentanencaptulosposteriores.
Enelcaptulo2sepresentalarevisinbibliogrficadelestadodelainvestigacinreferidaal
campo objeto de estudio. En primer lugar se exponen los diferentes mtodos que se han
utilizadoparareducirlatemperaturadelosmdulos,conelfindedeterminarquemtodo
sera viable de estudiar en nuestras aplicaciones, por el inters que en este campo
presentan. En segundo lugar se clasifican los estudios bibliogrficos desarrollados sobre la
integracindelospanelessobrediferentescubiertas,paraconocerelestadodelartetanto
enlatecnologacomodiseoestructuralutilizadosendiferentesaplicacionessimilaresalas
queseestudian.Entercerlugarseincluyenlasecuacionesquedeterminanlainfluenciadela
temperatura en las variables elctricas del panel, establecidas por diversos estudios. En
ltimolugar,sepresentalarevisinbibliogrficadeestudiosllevadosacaboenlosquese
determinan correlaciones de la temperatura del mdulo, considerando las variables
influyentesensucapacidaddeventilacin.
Enelcaptulo5seabordalosestudiosyanlisisdelosresultadosmedidosyobtenidosdelas
diferentes instalaciones descritas en el captulo 3. En primer lugar se expone el estudio
comparativo del funcionamiento de mdulos fotovoltaicos en la planta solar Coronil II
frente a los valores medidos en la instalacin experimental. El estudio demuestra que el
comportamientoelctricodelpanelenunaplantafotovoltaicasepuedepredecirapartirde
36
1.3PLANTEAMIENTOGENERALDELATESIS
37
CAPITULO1.INTRODUCCIN
1.4 EVOLUCINDELAENERGASOLARFOTOVOLTAICA
Laconversindelaenergasolarenenergaelctricaesunfenmenofsiscoconocidocomo
efecto fotovoltaico, descubierto en 1838 por Alexandre Edmond Bequerel, mientras
experimentaba con una pila electroltica. El siguiente paso se dio en 1873 cuando el
ingeniero elctrico ingls Willoughby Smith descubre el efecto fotovoltaico en slidos, en
estecasosobreelSelenio.Pocosaosmstarde,en1877,ElprofesoringlsWilliamGrylls
Adams, junto con su alumno Richard Evans Day, crearon la primera clula fotovoltaica de
selenio, con rendimientos del 1%. Durante 1880, las primeras clulas fotovoltaicas eran
fabricadasconSelenioysolamenteconseguanentreel12%deeficienciadeconversin.
En 1904 Albert Einstein publica su trabajo acerca del efecto fotovoltaico, recibiendo el
premio Noblel en el ao 1923, por sus teoras sobre el efecto fotovoltaico. Este hecho
supuso un avance importantsimo para el desarrollo de sta tecnologa. El mtodo
Czochralskide1918supusounodelosmayoresavances,queposibilitenladcada1940
1950laobtencindemonocristalesdeSilicioconlasuficientepurezaparaeldesarrollode
clulassolares(juntocontransistoresydiodos).
Mstarde,aprincipiosdelosaos50,seimplantalaprcticaelprocesoCzochralskique
permita la obtencin de silicio cristalino puro. Esto a la vez permiti la aparicin de los
semiconductoresyfueenelao1953cuandoGeraldPearsondeBellLaboratories,mientras
experimentabaconlasaplicacionesenlaelectrnicadelsilicio,fabriccasiaccidentalmente
una clula fotovoltaica basada en este material, que resultaba mucho ms eficiente que
cualquiera hecha de selenio, con un rendimiento del 4%, tecnologa que rpidamente
mejoraronhastaun11%.
Apartirdeestedescubrimiento,otrosdoscientficostambindeBell,DarylChaplinyCalvin
Fuller perfeccionaron este invento y produjeron clulas solares de silicio capaces de
proporcionar suficiente energa elctrica como para que pudiesen obtener aplicaciones
prcticas de ellas. De esta manera empezaba la carrera de las placas fotovoltaicas como
proveedorasdeenerga.
38
1.4EVOLUCINDELAENERGASOLARFOTOVOLTAICA
Figura1.3AnuncioquelosLaboratoriosBellhicierondelprimerpanelfotovoltaicodesarrolladoporsus
cientficosen1953.
Lademandadepanelessolaressolovenadelaindustriajuguetera,quelosempleabapara
suministrar potencia a pequeos artefactos como maquetas de aviones y coches, o de la
industriaelectrnica,paraaplicarlosenpequeosaparatoselctricossencilloscomoradios
paralaplaya.Estasituacinlimitabamuchoeldesarrollodeestatecnologayaqueeranmuy
reducidos los ingresos que se generaban hacindose muy difcil destinar cantidades de
dinero importantes a su desarrollo. Por fortuna, se encontr una aplicacin ideal para el
estado del desarrollo de los paneles solares fotovoltaicos en aquel momento; la
alimentacindelequipodelossatlitesespacialesenlaincipientecarreraespacial.Elcosto
no fue un factor limitante ya que los recursos dedicados en la carrera del espacio eran
enormes. Primaba la capacidad de proveer energa elctrica de manera fiable en reas de
muydifcilacceso.Enesolaenergasolarfotovoltaicaresultabamuycompetitiva.
As,en1955,seleasignaalaindustriadeEEUUlaproduccindepanelesfotovoltaicospara
aplicacionesespaciales,loquesignificsindudaunimportantsimoimpulsoquepermitiun
crucial desarrollo tecnolgico del sector. El 17 de Marzo de 1958, finalmente, se lanza el
Vanguard I, el primer satlite alimentado con paneles solares fotovoltaicos. El satlite
llevaba 0,1W en una superficie aproximada de 100 cm2 para alimentar un transmisor de 5
mW.
39
CAPITULO1.INTRODUCCIN
Figura1.4Primersatliteconplacassolares,VanguardI.
Si bien en este satlite los paneles solares eran solo la fuente de energa de respaldo,
acabaron por convertirse en la fuente principal cuando las bateras consideradas como
fuentedealimentoprincipalseagotaronentansolo20das.Elequipoestuvooperativocon
esaconfiguracindurante5aos.
La fiabilidad que haban demostrado los paneles solares fotovoltaicos propici su empleo
sistemtico en gran nmero de misiones espaciales y supuso un enorme impulso para la
industria fotovoltaica (no slo Estados Unidos utiliz esta tecnologa, La Unin Sovitica
tambin emple sistemticamente los paneles solares fotovoltaicos para alimentar sus
satlites). Sin lugar a dudas, la carrera espacial tal como la conocemos no hubiera sido
posible sin la existencia de los paneles solares fotovoltaicos. De igual manera se puede
afirmar que el actual desarrollo de los paneles solares fotovoltaicos y su importante
proyeccindefuturohubieransidomuydifcilessinelimpulsoquelediolacarreraespacial.
Figura1.5Hitosdeinstalacinesfotovoltaicasensatlitesespaciales.
40
1.4EVOLUCINDELAENERGASOLARFOTOVOLTAICA
creacindelFederalPhotovoltaicUtilitzationProgramenEstadosUnidosenconsecuenciaa
lacrisisdelpetrleode19731974.Medianteesteprogramaseinstalaronaproximadamente
unos3100sistemasfotovoltaicoslamayoradeloscualessiguenfuncionandoactualmente.
Figura1.6FaroSolar.
Tal fue el impulso de esta tecnologa, que supuso el hecho de que en el ao 1975 las
aplicacionesterrestreshabanyasuperadoalasespaciales.Tambenenlosaos70delSiglo
XX,surgilaideadepotenciarlasbombasdeextraccindeaguaconpanelessolares.Pocoa
poco,enlassiguientesdcadas,sefueronencontrandonuevasaplicacionesparalaenerga
solarfotovoltaica,loqueconllevacontinuarconeldesarrollodelusodeestatecnologa.
Desde los aos 80, las instalaciones fotovoltaicas estn y han estado continuamente
mejorandosusprestacionesyprocesosdefabricacin,ofreciendoasalconsumidormejores
productos y consolidndose como una alternativa viable. En la dcada de los 90 y en los
primeros aos del Siglo XXI las clulas fotovoltaicas han experimentado un continuo
descensoensucostejuntoconunaligeramejoradesueficiencia.Estosfactoresunidosal
apoyoporpartedealgunosgobiernoshaciaestatecnologa,hanprovocadounespectacular
impulsodelaelectricidadsolarenlosltimosaos.
41
CAPITULO1.INTRODUCCIN
1.4.1 FUNCIONAMIENTOBSICODEUNACLULAFOTOVOLTAICA
Lasclulasfotovoltaicasconsistendeunsemiconductordesilicio,quealincidirfotonesde
laluzdelSolpermitentransmitirsuenergaaloselectronesdevalenciadelsemiconductor
pararomperelenlacequelesmantieneligadosalostomosrespectivos.Porcadaenlace
roto queda un electrn libre circulando dentro del slido. La ausencia de electrn en el
enlaceroto,denominadohueco,tambinpuededesplazarselibrementeporelinteriordel
slido, transfirindose de un tomo a otro debido al desplazamiento del resto de
electrones de los enlaces. El movimiento de los electrones y huecos en direcciones
opuestasgeneraunacorrienteelctricaenelsemiconductor.
Cuandodoscapasdelgadasdematerialestipopytiponseunen,loselectroneslibresdela
capatiponfluirnhacialoshuecosdelacapatipopyllenarnestoshuecos.Alhaceresto
causan una carga positiva en la capa del tipo n porque los electrones negativos dejaron
esta capa, al mismo tiempo en la capa del tipo p se da una carga negativa debido a la
recepcindeelectronesdelacapatipon.Ladiferenciadecargascreaunvoltajeinterno
queimpideamselectronesfluirdelacapadeltiponalacapadeltipop.
Cuando la luz solar cae sobre las capas se crearn ms electrones libres en la capa p y
huecosenlacapan,alterandoportantoelequilibrio.Parareponerelequilibrio,fluiruna
corrienteelctrica,creandounvoltajeenloscontactosexternosdelasdoscapas.Sinose
haceningunaconexinexternaentrelasdoscapas,estevoltajeexternopermanecertal
comoestporquenohayelectronesquepuedanfluirdelacapanalacapap.
Si se ilumina una clula fotovoltaica conectada a una carga externa se producir una
diferencia de potencial en dicha carga y una circulacin de corriente, teniendo lugar los
siguientesfenmenos:
Los fotones incidentes con energa igual o mayor que el ancho de banda prohibida
(energa necesaria para que un electrn pase de una capa a otra) se absorben en el
semiconductor y generan pares electrnhueco, actuando como portadores de
corriente.
42
1.4EVOLUCINDELAENERGASOLARFOTOVOLTAICA
Figura1.7Componentesinternasdelacorrienteenunaclulafotovoltaica.
Elcampoelctricoodiferenciadepotencialproducidaporlauninpneslacausadela
separacin de los portadores antes de que puedan recombinarse de nuevo y por
consiguiente, la causa de circulacin de la corriente por la diferencia de potencial
externaenlacarga.
Lacorrientequecirculaporlacargaeselresultadonetodedoscomponentesinternasde
corriente que se oponen: la corriente fotogenerada (IL), debida a la generacin de
portadores y la corriente de diodo (ID) debida a la recombinacin de portadores que
produceelvoltajeexternonecesarioparaentregarenergaalacargayesdefinidaporla
leydeldiodoideal.Porlotanto,I=IDIL.
1 (1.1)
Donde:
Is:corrientedesaturacindeoscuridad.
V:tensinaplicada.
m:factordeidealidad(varaentre1y2)
=VT:potencialtrmico(paraelsilicioa25Cesiguala25,7mV)
43
CAPITULO1.INTRODUCCIN
Figura1.8Curvacaractersticadeunaclulafotovoltaica.
Tensindecircuitoabierto(Voc):Esladiferenciadepotencialexistentealabrirlaclula,
porloquenocirculacorriente(I=0).Sustituyendoenlaecuacinsetiene:
1 (1.2)
Potencia:Lapotenciaentregadaporlaclulasedefinecomoelproductodlatensiny
laintensidad,porlotanto:
1 (1.3)
Eficiencia:Sedefineelrendimientooeficiencia()deunaclulasolarfotovoltaicacomo
elcocienteentrelapotenciamximaquepuededaralacargaylapotencialuminosa
recibidaporlaclula(GT).
(1.4)
G
Factordeforma(FF):).Estefactorsedefinecomoelcocienteentrelapotenciamxima
que la clula solar fotovoltaica puede dar a la carga y la potencia terica mxima
definidaporelpuntodecortocircuitoycircuitoabierto(Isc,Voc).
(1.5)
Es una medida de la calidad de la unin y de la resistencia serie de la clula. Cuanto
mayoresestefactor,cuantomsprximoa1,lacurvacaractersticaIVconiluminacin
seaproximamsalrectngulodemximapotenciatericay,portanto,laclulaesde
mayorcalidad.
44
2.1INTRODUCCIN
CAPITULO2. ESTADODELARTE
Unaspectoquesehaceindispensableantesdecomenzaradesarrollarunconocimientoes
comprobar si ese conocimiento no ha sido ya obtenido. Por este motivo se presenta a
continuacinunarevisinbibliogrficadelestadodelainvestigacinenelcampoobjetode
estudio.
Los estudios bibliogrficos desarrollados sobre el tema se clasifican en varios bloques por
separado, aunque estn fuertemente relacionados. Por un lado necesitamos conocer el
estadodelainvestigacinactualenlosmtodosderefrigeracindelosmdulosutilizadosy
sufuncionamientorespectolatemperatura.Estonospermitirdeterminarqumtodosson
susceptibles de ser estudiados por el inters que en este campo presentan, para
configuraciones similares a la propia. Adems, nos proporciona lo que se conoce sobre el
efecto de la temperatura sobre diferentes tipos de mdulos, segn su configuracin y
sistema de refrigeracin, con lo que se establecer lo que es preciso estudiar con mayor
profundidadenlossistemasobjetodeestudio.
Por otro lado, y dado que las instalaciones de estudio corresponden a integracin
fotovoltaicasobrecubierta,serprecisoconocerculeselestadodelainvestigacineneste
campo.Seclasificanlosestudiosbibliogrficosdesarrolladosenlaintegracindelospaneles
sobrediferentescubiertas,paraconocerelestadodelartetantoenlatecnologacomoenel
diseoestructuralutilizadoparadiferentesaplicacionessimilaresalasqueseestudian.
Conelfindeestablecerunsistemaderefrigeracinenmdulosfotovoltaicosparareducirsu
temperaturayasmejorarsueficienciaelctrica,sedebeestudiarycomprenderlainfluencia
delatemperaturaenelcomportamientoelctricodelmdulo,medianteelconocimientode
losdiversosestudiosbibliogrficosquelocaracterizan.
2.1 INTRODUCCIN
45
CAPITULO2.ESTADODELARTE
Elreflejodelaradiacinsolar,reduceelrendimientoelctricodelosmdulosentornoal8
15%.Sonnumerosaslasideaspropuestasparareducirlareflexin,perolamayoratienen
inconvenientes; los recubrimientos antireflectantes no son duraderos y la superficie
estructuralescara,seacumulaelpolvoysondifcillesdelimpiar[2].
Conelfindeaumentarlacompetitividaddelaenergafotovoltaicayparalograrunamayor
cuotademercado,elaumentodelaeficienciaylareduccindecostessonlosprincipales
objetivos en el desarrollo de la tecnologa fotovoltaica. Para alcanzar estas estrategias de
mejorasepuedellevaracabo:
1.Aumentarlaeficienciadeclulasymdulos.
2.Usarmdulosdeconcentracin.
3.Utilizarunoodosejesdeseguimientoconjunto.
4.Minimizarlasprdidas,talescomoeldesequilibrioycableadodelmdulo.
5.Reducirlatemperaturamediantelarefrigeracin.
Enestetrabajonoscentraremosenlatcnicaderefrigeracindelospanelesfotovoltaicos,
paraconseguirmantenerunabajatemperaturadefuncionamientoyassubsanarlosefectos
inversosproducidosporlaelevadatemperaturasobrelaeficiencia.
Debidoaquelospanelessolaressufrenunadisminucindelaeficienciaydelrendimiento
elctrico por un aumento de su temperatura de funcionamiento, se han estudiado
diferentesmtodosparapoderevitarloymantenerelsistemaabajatemperatura.Haydos
mtodos a seguir para conseguirlo, la refrigeracin pasiva y la refrigeracin activa. La
refrigeracin pasiva se basa en utilizar slidos de alta conductividad trmica o aadiendo
aletasparadisiparcalorinclusoenloscasosmscomplejosqueseplanteancambiosdefase.
46
2.2MTODOSDEREDUCCINDELATEMPERATURADELOSPANELESFOTOVOLTAICOS
Enlaaplicacindeestainvestigacinenglobaungrannmerodepanelesfotovoltaicos,de
modoquelasolucinmsatractivayconvenienteeslarefrigeracinactiva,queconsisteen
utilizaraguaoairecomofluidocalorportador.
2.2.1 AGUACOMOFLUIDOCALOPORTADOR
En la refrigeracin de los paneles fotovoltaicos mediante lquidos, el ms utilizado es el
agua.Unadelasrazonesdelusodelaguacomofluidotrmico,sedebeaquetieneunbajo
ndice de refraccin (n=1,3), valor intermedio entre el vidrio (n=1,5) y aire (n=1), siendo
tambinelfluidomsabundanteenlaTierrayporlotantoelmenoscostoso.Ademsde
ayudar a mantener limpia la superficie, el agua reduce la reflexin entre el 23,6%,
disminuyendolatemperaturadelaclulayelrendimientoasuvezaumenta.
M.Addolzadehetal.[3],estudiaronelefectodelapulverizacindeaguasobrelospaneles
fotovoltaicos lo que produca una disminucin en la temperatura de la clula y de la
reflexin [4,5]. El propsito de este estudio es investigar la posibilidad de mejorar el
rendimientodeunsistemafotovoltaicodebombeo,estoserealizaporaspersindeagua
sobrelasclulasfotovoltaicasyasinvestigarelefectodelapulverizacindeaguaencima
delasclulasfotovoltaicasydeladisminucinenlatemperaturadelaclulaylareflexin.
Adems, se ha investigado que el rendimiento de sistemas de bombeo fotovoltaicos se
mejoraconladisminucindelatemperaturadelaclulaylareflexindelaclula[3,6].
Figura2.1Clulasrefrigeradasmedianteelbombeodeagua[3].
47
CAPITULO2.ESTADODELARTE
elctrica,paraelloemplearonunmodelodetrescapas,basadoenelfrentedevidrio,EVA
y revestimiento de clulas de silicio antireflectante, lo cual ya haba sido estudiado
previamente[7,8].ElesquemadelainstalacinsemuestraenlaFigura2.2.
Figura2.2Esquemadelsistemadebombeoypulverizacindeagua[3].
Las mediciones se registraron durante los das claros de julio de 2006, en Kerman Irn,
recogindoloscada15minutos.
Losprincipalesparmetrosdelsistemadebombeodeaguaquesevernafectadosporla
pulverizacindeaguasobrelasclulassonlaenergaextradadelaclulayelcaudalde
bombeo.
Encuantoalosresultadosobtenidos,laeficienciadelaclulafotovoltaicadisminuyeal
aumentarlatemperatura.Lasclulasseexpondrnaunadegradacinalargoplazo,sila
temperatura supera un cierto lmite. Gracias al spraying de agua y la adicional
refrigeracinporevaporacin,elvoltajeaumentaylastemperaturasdefuncionamiento
delasclulassereducensignificativamenteencomparacinconunmdulosintenerun
atomizadordeagua,comosepuedeobservarenlaFigura2.3.
48
2.2MTODOSDEREDUCCINDELATEMPERATURADELOSPANELESFOTOVOLTAICOS
Figura2.3Comparacindelosresultadosmedidos,conysinpulverizaraguaalolargodeldade:a)Latensin
delpanel,b)temperaturadefuncionamiento[3].
2.1
(2.2)
(2.3)
(2.4)
Paramostrarelefectodelapulverizacindeaguasobrelasclulasfrentealrendimiento
del sistema, se probaron varias configuraciones de montaje, para el transporte del agua
encima de las clulas, durante ms de dos meses. Esto se hizo con el fin de consumir
menosaguapararociarlasclulasyreducirloscostesdeinstalacin.Estediseoobtuvo
una reduccin efectiva de la temperatura de la clula y de las reflexiones. El agua
prcticamente absorbe el calor generado por el mdulo y reduce la reflexin durante el
da.Conelfindeinvestigarelefectodelapulverizacinsobrelainstalacinfotovoltaicade
bombeodeaguaseensayelsistemaadosalturasdebombeo,10my16m.Elaumento
deenergaelctricaproducidadurantetodoeldafuealrededordel17%a16m.
49
CAPITULO2.ESTADODELARTE
Figura2.4Comparacindelosresultadosmedidosenelpanelfotovoltaicoconysinpulverizaragua:a)
Eficienciadelmdulo,b)Eficienciadelsubsistema[3].
Figura2.5Comparacindelaeficienciatotaldelsistemaconysinpulverizacindeagua[3].
Comoseobservaenlasiguientetabla,elcaudaldelabombaaumentaalpulverizaragua
sobrelasclulas.Elcaudaldeaguapulverizadasobrelasclulasesdealrededorde50L/h
a 16 m mientras que el total acumulado para rociar las clulas durante el da, fue
aproximadamente165L/h.
50
2.2MTODOSDEREDUCCINDELATEMPERATURADELOSPANELESFOTOVOLTAICOS
Tabla2.1Datosmedidosdelasvariablesinfluyentesparalasdiferentesconfiguraciones[3].
51
CAPITULO2.ESTADODELARTE
difcil.Obsrvesequeunpanelconvencionalpesamenosde25kg,paraunapotenciaentre
240y280Wp.
LasmedicionesfueronregistradasduranteundaenRodeJaneiroel21demarzode1999,
ylossensoresdetemperatura(pt100)seinstalaronenlaparteposteriordelosmdulos
dondelatemperaturaesalrededorde1,5Cpordebajoqueenlapartefrontaldelmdulo.
.
Elaguasebombeadesdeundepsitodeaguasituadodebajodelmduloycuyacapacidad
esde53litros,araznde2l/minyatravsdedoceboquillassituadasenlapartesuperior
que generan un flujo de agua que roca la superficie de los paneles, en un espesor de 1
mm.Elconsumodeaguaregistradofuede4,4l/minm2.
Figura2.6CreacindelacapadeaguasobreelmduloPVatravsdelasboquillas[2].
Lastemperaturasdefuncionamientodelasclulassellegaronareducirhasta22C,debido
alflujodeaguaylarefrigeracinporevaporacinadicional,unareduccinsignificativaen
comparacinconlasdeunaconvencionalquesemedanalmismotiempocomosepuede
apreciarenlasgrficassiguientes.
52
2.2MTODOSDEREDUCCINDELATEMPERATURADELOSPANELESFOTOVOLTAICOS
Lasmedicionesdelacorrientedecortocircuitodelmdulo,queescasiindependientedela
temperatura, indicaron que el flujo de agua mejora rendimiento ptico en un 1,5%, una
mejorainferioral3%degananciaquetericamenteseesperaba.Unaexplicacindeesa
discrepanciapuedeserdadaporelespesornohomogneodelosflujosdeaguay/olaluz
absorbida por las propiedades del agua. Hay que sealar, que en este caso el uso de la
bomba no justifica el uso de la pelcula de agua en trminos de ganancias de energa
dentrodeunbalanceenergtico.
Otromtododerefrigeracindelosmdulosempleandoagua,eshacindolapasarporsu
parteposterior,comoestudiEarleWilsonetal.[12],queademslollevacabosineluso
deunabomba,sinoaprovechandounsaltohidrulico.Esdecir,elaguasedesvadeuna
fuenteaguasarriba,comounro,odecualquierposicinelevada,incluyendocaptacinde
agua de lluvia, se canaliza a travs de la parte de atrs de un mdulo PV, el mdulo se
enfrayelaguasedevuelvealro.Lapotencianecesariaparaconducirelaguaatravsdel
sistema viene de la carga hidrulica de la corriente de flujo por gravedad, debido a la
diferenciadealtitud,demodoquenoserequieredeunabomba.
Losobjetivosdeestainvestigacinsondobles.Enprimerlugar,seproponeparaanalizarel
rendimientooperativodelosmdulos"mojados"eneltrminodelimpactodelsistemade
refrigeracin en la tensin de circuito abierto (Voc) y, por correlacin, la eficiencia de
conversin. El segundo objetivo es determinar el rango de caudales para el agua de
enfriamientoquesatisfacelashiptesismatemticas.
53
CAPITULO2.ESTADODELARTE
Figura2.9Diagramadelsistemaderefrigeracin[12].
Figura 2.10 Perfil de temperaturas entre ambas superficies para una clula, para distintos tiempos tras la
refrigeracinconaguaa28C[12].
Lasiguientegrficamuestralosresultadosexperimentalesdeunmdulodeocho clulas
PVconVocde4,5Vqueestnexpuestasaunairradianciasolarconstante(promedio)de
989W/m2(rango:924a1053W/m2)incidentesobrelacarafrontal.Latensinencircuito
abierto y por tanto la eficiencia de un mdulo fotovoltaico es una funcin lineal de la
54
2.2MTODOSDEREDUCCINDELATEMPERATURADELOSPANELESFOTOVOLTAICOS
temperaturadelaclulaconunairradianciaconstante.Lafiguramuestraun11%decada
detensinparaunaumentodetemperatura28C.
Figura2.11Influenciadelatemperaturasobrelatensindecircuitoabierto[12].
PosteriormentesemuestranlosresultadosdelasmismasochoclulasdelmduloPVcon
Voc nominal de 4,5 V y que estn expuestas a la misma radiacin solar incidente de 989
W/m2enlacarafrontal,yenlaposteriorsemantienelatemperaturade28Cconelagua
derefrigeracin,queseiniciacuandolatemperaturadelmdulollega34Cytensinde
4,36V.
La temperatura del mdulo alcanz los 62 C antes de comenzar a refrigerar, a los 25,5
minutos,apartirdeesemomento,seobservaenlaFigura2.12elrpidoenfriamientodel
mdulo despus de la aplicacin de agua de refrigeracin. En un perodo muy corto de
tiempoelmduloalcanzaelestadoestacionario,descendiendolatemperaturadesde62C
a 30 C (difiriendo dos grados de la temperatura del agua de refrigeracin). Tambin
podemosapreciarlarelacininversaentrelatensinylatemperatura.Latensincaede
4,4Va3,9Vcuandolatemperaturapasade34Ca62C.Sinembargo,dentrodeuncorto
perododetiempo,alcomenzararefrigerarconagua(25,5minutos),elmdulodetensin
vaalatensinnominalde4,5Vypermaneceall.Esteresultadoapoyalosresultadosdel
modelomatemticoqueunmdulofotovoltaicopuedemantenersutensinnominalauna
determinadaradiacinsolarylocualinfluirensueficiencia.
55
CAPITULO2.ESTADODELARTE
Figura2.12MedidadelatensinyperfildetemperaturadeunmduloPVrefrigeradoconagua[12].
Cabesealarqueestatcnicaderefrigeracindelsistemaestlimitadaalasregionesque
tengan suministro de agua natural, a pesar de comprobarse que los resultados
experimentales se acercan al modelo matemtico para caudales de 1,0 l/min y ambos
demuestran que el sistema mantiene la temperatura de funcionamiento del mdulo por
encima de 5 grados de la del diseo, 25 C. Este mtodo de refrigeracin supone una
reduccin de 32 C en la temperatura de funcionamiento, ya que un da determinado, la
temperatura del mdulo alcanza los 62 C si no hay refrigeracin. Por lo tanto, dado un
coeficientedeeficienciade0,4%/K,unareduccindetemperaturade32Csetraduceen
unaumentode12,8%paralaeficienciadeconversindelmdulo.
Tambinpodemosencontrarotrosestudiosyanlisisdelcomportamientotrmicodelos
colectoressolares[13,14],ascomovariadastcnicasdeenfriamientoytransferenciade
calorconagua.Chowetal.[15]analizaelcolectordeaguaPV/Tconacristalamientosimple
en condiciones transitorias, usando conductos en la parte posterior del colector,
consiguiendo as un aumento de la eficiencia termoelctrica del 2%. En el trabajo de
Huang et al. [16], se ha estudiado experimentalmente un sistema solar fotovoltaico y
trmico (IPVTS) para calentamiento de agua bajo un modo de operacin natural,
observando que conseguan una eficiencia la cual era mayor que la de un sistema solar
convencionalcalentadordeaguaounsistemafotovoltaicopuro.
Deentretodaslastcnicasparaenfriarlasclulas,segnBrogrenetal.[17],lacirculacin
de agua mediante conductos por la cara posterior de la clula es la ms eficaz. Sin
embargo,comohemosvistoKrauteretal.[2]yM.Addolzadehetal.[3],distribuyenagua
en la parte frontal del panel PV consiguiendo muy buenos resultados, pero este mtodo
correelriesgodequesecreendepsitosdecalsobrelacaradelasclulasy,portanto,
reducirsueficacia.Ademslatcnicadecirculacindeaguamedianteconductostienede
importantesealarquenecesitaelfuncionamientodebombas,enlamayoradeloscasos
56
2.2MTODOSDEREDUCCINDELATEMPERATURADELOSPANELESFOTOVOLTAICOS
y corre el riesgo de aparecer legionela al ser un circuito cerrado de agua sin renovar y a
altastemperaturas.
2.2.2 AIRECOMOFLUIDOCALOPORTADOR:
Debidoalgastoeconmicoextraquesuponelarefrigeracindelosmdulosfotovoltaicos
con agua junto a los inconvenientes que conlleva, a continuacin nos centraremos en
mtodosmsaconsejablescomoeslarefrigeracinmedianteaire,hacindolopasarporsu
caraposteriormedianteconveccinnaturaloforzada.
Graciasalvientoqueseproduceenelambiente,losmdulosquenoestncolocadossobre
ningntejado,cubiertaofachada,noalcanzantemperaturastanextremascomolosques
lo estn, obteniendo ms o menos la eficiencia esperada en condiciones normales de
funcionamiento. Por otro lado, los mdulos fotovoltaicos instalados sobre estructuras
slidas como tejados, cubiertas de naves industriales, etc. sufren un aumento en su
temperatura de funcionamiento, con la consecuencia de que no responden con la
eficiencia esperada, sino que la produccin elctrica es menor, siendo bastante
significativoaaltastemperaturasambientales.
2.2.2.1 Conveccinnatural
La refrigeracin por conveccin natural consiste en la transferencia de calor desde el
panelfotovoltaicoalairequecirculaporsucaraposterior,creandouncanaldepasode
aire entre el panel fotovoltaico y una superficie inferior (cubierta), para ello habr que
dejar un espacio entre ambas superficies. El aire que se encuentra a la temperatura
ambiente,alcircularporelcanalseletransfierecalordelpanelfotovoltaico(elcualsuele
estar a mayor temperatura) incrementndose la temperatura del aire, al calentarse
aumentasuvolumenporloquedisminuyesupropiadensidadyasciende,generandoun
flujo de aire por la parte posterior del mdulo fotovoltaico que ejerce como fluido
caloportador,pudiendoaprovechardichoefectoparalareduccindelatemperaturadel
panelfotovoltaico.
NosiempresevaaconseguirlamismarefrigeracindelpanelPVmedianteconveccin
natural ya que son muchos los factores influyentes en este proceso de transmisin de
calor tales como las condiciones ambientales, inclinacin del panel, caractersticas y
propiedades de la cubierta o superficie inferior del canal de paso de aire, as como la
separacin entre ambas superficies. Su influencia en la capacidad de refrigeracin para
determinarlatemperaturadelmduloseabordaenelapartado2.5deestecaptulo.
Mediante su estudio, Guohui Gan et al. [18], determin el espacio necesario que debe
haberentreelpanelPVyelslidosobreelqueseencuentreyasconseguireldescenso
de la temperatura. Para este trabajo se utilizaron placas fotovoltaicas de dimensiones
1209x537x50mm.
57
CAPITULO2.ESTADODELARTE
Figura2.13Conveccinnaturalenpanelesfotovoltaicos[18].
Para conveccin natural se encontr que la velocidad del aire que pasa por el espacio
libreenlacaraposteriordelpanel,incrementaconelgrosordelhuecoalencontraruna
menorresistenciaasupaso.Ademshayquetenerencuentaqueelespacio(h)mnimo
quetienequehaberentreelmduloyeltejadotomaradistintosvaloressegnseanlas
condicionesdelngulodeinclinacinoelnmerodemdulos.
EstoscasoslosvemosreflejadosenlasFigura2.14,2.15y2.16.Enlaprimeradeellasse
representalavelocidadmediadelaireatravsdelcanalenfuncindesuespesor,elcual
sehavariadoentre0.06ma0.2m.Enellaapreciamosquelavelocidaddelflujodeaire
aumentaconformeesmayorelespesordelcanaldepasodeste,siguiendounamisma
tendencia para todos los ngulos de inclinacin ensayados (roof picth). Las mayores
velocidadesdeairealcanzadashansidoparaunngulode60paratodoslosespesores,
seguidas de las correspondientes a ngulos de 45 y 75. Como se podra esperar, las
menores velocidades del flujo de aire son para pequeas inclinaciones como
consecuenciadehaberunmenorefectochimenea.
58
2.2MTODOSDEREDUCCINDELATEMPERATURADELOSPANELESFOTOVOLTAICOS
Figura2.14Relacinentrelavelocidaddelaireyelespesordelcanaldeaireparadiferentesngulosde
inclinacin[18].
Figura2.15Variacindelatemperaturaparaunespesorde0,1menfuncindelnmerodepanelesyel
ngulodeinclinacin[18].
EnlosgrficosdelasFigura2.15y2.16serepresentalatemperaturamximaquealcanza
elpanelfotovoltaicoenfuncindelnmerodepanelesfotovoltaicosinstaladosdeforma
continua,siendolaprimeradeellaslacorrespondienteaunespesordelcanaldeairede
0,1 m y la segunda de 0,2 m. Podemos apreciar en ellas como un aumento mnimo del
espesor del canal de paso de aire, como son 10 cm, puede hacer disminuir la
temperatura5C(inclinacinde15).Porotrolado,elaumentodelespesordecanalde
paso de aire no impide que la temperatura aumente, o en los mejores casos, se
mantenga,sinuestrainstalacintienemsdeunmduloinstaladodeformacontinua,lo
queaumentalalongituddelcanaldeaire.
59
CAPITULO2.ESTADODELARTE
Figura2.16Variacindelatemperaturaparaunespesorde0.2menfuncindelnmerodepanelesyelngulo
deinclinacin[18].
Lasconclusionesdeesteestudionosmuestranqueelespaciomnimoentreelpanelyla
cubierta, por el que circula el aire, debe ser el mostrado en la Tabla 2.2 en funcin del
nmerodepanelesinstaladosylainclinacindeestos.
Tabla2.2Espesordelcanaldeairenecesarioparareducirlatemperaturadelpanel[18].
2.2.2.2 Conveccinforzada
La refrigeracin por conveccin forzada consiste en obligar al aire recorrer un espacio
definindoleunsentido yunadireccinmediantemediosexternos,comopuedeserun
ventiladorounabomba.
Tiwari et al. [19] llevaron a cabo la evaluacin del rendimiento de los mdulos
fotovoltaicos, integrndoles un conducto de aire por su cara posterior, con lo que se
60
2.2MTODOSDEREDUCCINDELATEMPERATURADELOSPANELESFOTOVOLTAICOS
Figura2.17MdulosPVrefrigeradosporaireensuparteposterior[19].
Losresultadosobtenidosconlasvaloresdelastemperaturasdelospanelesfotovoltaicos
a los largo de un da, se presentan en las siguientes tablas tanto en condiciones de
conveccinnaturalcomoforzadamedianteelusodeunoodosventiladores.
Tabla2.3Resultadosexperimentalesparaconveccinnatural[19].
61
CAPITULO2.ESTADODELARTE
Tabla2.4Resultadosexperimentalesparaconveccinforzada,utilizandounventilador[19].
Tabla2.5Resultadosexperimentalesparaconveccinforzada,utilizandodosventiladores[19].
ConlosresultadosmostradosenlasTablas2.32.5,seobservaquelatemperaturadela
superficie trasera del mdulo est entre 18 C por debajo de la superficie superior en
todosloscasos.Esdesealarlaapreciadacadade5Cenlatemperaturadelasuperficie
trasera del mdulo PV, cuando est refrigerado con un ventilador en comparacin a la
temperaturaquealcanzaenconveccinnatural,debidoalatransferenciadecalordela
superficieposteriordelmdulo,aligualqueseapreciaunamenortemperaturadelairea
lasalida,hastade3Cutilizandodosventiladores,loquedamayorvelocidaddeflujoalo
esperado.
Losresultadosdelcomportamientodelaeficienciaconlavelocidaddelflujo,semuestra
en la Figura 2.18, en la que se muestra el aumento inicial de la eficiencia desde 1 m/s
hastauncaudalde2m/s,apartirdelcualdisminuaconformeaumentalavelocidaddel
flujo, por ello este caudal es el considerado como ptimo para dar los parmetros de
diseoenesteestudio.
62
2.2MTODOSDEREDUCCINDELATEMPERATURADELOSPANELESFOTOVOLTAICOS
Figura2.18Efectodelcaudalsobrelaeficienciaglobal[19].
Figura2.19Efectodelalongituddelconducto Figura2.20Efectodeprofundidadenlasobrela
eficiencia[19]. eficiencia[19]
Swapniletal.[20]investigaronelcomportamientodelaeficienciaelctricadecolectores
hbridos, PV/T refrigerados con aire, estableciendo una expresin analtica de la
eficiencia. Probaron con dos configuraciones diferentes de los mdulos, cristalcristal y
cristalTedlar,Figura2.21,considerandocadatipoconysinconductodeaire.Elconducto
paralacirculacindeaireseinsertadebajodelosmdulosfotovoltaicos,fluyendoelaire
demodoforzadoconlaayudadeunventilador.
63
CAPITULO2.ESTADODELARTE
Figura2.21Esquemadelasdiferentesconfiguracionesensayadas,cristalcristalycristaltedlar[20].
Figura2.22Variacindelaeficienciaelctrica cony Figura2.23 Variacindelaeficienciaytemperatura
sinconductopararefrigerar[20]. conconductopararefrigerar[20].
Nynne Friling et al.[21] llevaron a cabo un modelo matemtico de la transferencia de
calor de mdulos fotovoltaicos integrados en edificios y refrigerados por medio de
ventilacin.Enesteestudiosehalllainfluenciadelasaletasincorporadasenelcanalde
pasodeaire,bajoelpanelfotovoltaicoydelcambiodelavelocidaddelventilador.Enla
Figura2.24semuestralaconfiguracindelaestructuraqueconstadeunorificioabierto
por dos extremos por donde entra el aire por conveccin forzada. Los ensayos se han
64
2.2MTODOSDEREDUCCINDELATEMPERATURADELOSPANELESFOTOVOLTAICOS
realizadoparalosvaloresdevelocidaddeaireforzadode2,49m/s(level10)y3,43m/s
(level13),mantenindolasfijasdurantelas24horasparallevaracabolosensayosalo
largodelda.
Figura2.24ModelodelaestructuraestudiadaporNynneFrilingetal.[21].
EnlaFigura2.25serepresentalaevolucindelosvaloresexperimentalesregistradosde
latemperaturadelpanelfotovoltaicorefrigerado,paraambasvelocidadesanteriormente
mencionada.Enamboscasospodemoscompararlastemperaturasdelpanelrefrigerado
porsucaraposteriorutilizandoonoaletasenelcanaldepasodeaire.
Figura2.25Evolucindelatemperaturadelpanelalolargodeldaadosvelocidades[21].
65
CAPITULO2.ESTADODELARTE
temperaturadelpanelrefrigeradoatravsdeunacanalsinaletasesinferioracuandose
usanaletas.
Figura2.26Coeficientedeconveccinfrentevelocidaddeviento[21].
Enestetrabajoseconcluyquelavelocidaddelaireambienteinfluyeenlatransferencia
decalor.EnlaFigura2.26semuestraclaramentequeelaumentodelavelocidaddeaire
forzado en el canal de aire afecta positivamente y en gran magnitud al aumento del
coeficientedeconveccin.Sinembargosehaobservadoquelapresenciadealetasenel
canaldepasodesfavoreceelobjetivodealcanzarmenorestemperaturasdepanel,dado
quetrabajancomoaislantesparalavelocidadde2,49m/s(level10)yapenasinfluyena
una velocidad de 3,43 m/s (level 13). En conclusin, la transferencia de calor se
incrementacuandolavelocidaddeventilacinforzadaaumenta,sinnecesidaddelusode
atletas.
Estatcnicaderefrigeracindelospanelesfotovoltaicosconairetambinfuellevadaa
caboporSweelemetal.[22],quienpropusoimpulsaraireenlapartetraseradelmdulo
atravsdeunconductodeairevariableenespesoryademsestudiarelefectodeahorro
deenergautilizandoelairecalientealasalidaparacalefaccindeviviendas,sistemasde
agua,aireacondicionado,etc.
Estapropuestapermitequeelcaudaldeairederefrigeracinestecontrolado,ajustando
la anchura del conducto de aire mediante una placa metlica paralela y mvil al panel
dispuestaensuparteposterior.Porconsiguiente,estaplacasepodafijarenunadelas
tresposicionesquesehabanhechomedianteparesderanuraslateralesenlosniveles
de51mm,89mmy127mm.Lacorrientedeaireseconducapormediodeunventilador
66
2.2MTODOSDEREDUCCINDELATEMPERATURADELOSPANELESFOTOVOLTAICOS
elctricoDC(24V)atravsdelconductoderefrigeracin,entrelaplacametlicafijaday
elmduloPV.
Figura2.27ModelodelconductodeairepararefrigerarelmduloPV[22].
Delosresultadosexperimentalesobtenidosenestetrabajo,seapreciaqueelefectode
lasaltastemperaturasdefuncionamientodelmdulo,esunareduccindelatensinde
circuitoabierto,tensinfinaldelacurvaIV,yunmuyligeroaumentodelacorrientea
bajosynulosvoltajes.Adems,sehacenotarunaumentodelapotenciaconelaumento
de la tensin del mdulo PV despus de refrigerarlo. Sweelem et al.[22] concluyen que
estatcnicatieneunefectopococlaroparalospequeossistemasfotovoltaicosystiene
una gran respuesta para un gran sistema PV. Este modo de refrigeracin se hace ms
efectivo si la velocidad del ventilador est controlada as como su funcionamiento y
alimentacin. Alternativamente, seala que la refrigeracin por aire forzado, es muy
eficaz en sistemas de energa solar convencional e incluso para uso domstico,
consiguiendonosloaumentarlapotenciadesalidaylaeficienciadelmdulo,sinoque
ademspermiteutilizarlasalidadeairecalienteparaelaireacondicionadodelacasao
alimentarotrascargastrmicas.
TambinpodemosencontrarcomoKernetal.[23]presentaroneldiseoyelrendimiento
desistemasPV/Tenfriadosporaguayaire,mientrasqueHendiretal.[24]yFlorschuetz
et al.[25] incluyen los sistemas PV/T de modelos en sus obras. Kalogirou et al.[26] ha
llevado a cabo los sistemas hbridos, mediante conveccin forzada consiguiendo
aumentos de la eficiencia del 2,8% hasta 7,7%, con un rendimiento trmico del 49%.
Anlogamente Lee et al.[27] y Chow et al.[28] dan interesantes resultados de la
modelizacindelosmdulosfotovoltaicosrefrigeradosporaire.
67
CAPITULO2.ESTADODELARTE
2.2.3 OTRASTCNICAS:
Conelfindeenfriaralosmdulosfotovoltaicos,evitandoquealcancenaltastemperaturas,
loquesignificaunadisminucindelaeficiencia,sehanestudiadodiferentestcnicasalas
mencionadasanteriormente.
Brogen et al. [17] utilizaron una cadena de mdulos con celdas laminadas con aletas de
cobreyconuntubodeaguasoldadoenlaparteposterior,comomtododeevacuacinde
calor.Elempleodeundifusordecalor,dealuminioy3mmdeespesor,adjuntoalmdulo
fuepropuestoporArakietal.[29].
PorotraparteencontramosqueFarahatetal.[30]utilizaelmtododerefrigeracinpor
evaporacinbasadoenlateoradelostubosdecalor,demodoquediseelmduloPV
con un control de gas de tuberas de calor, con diferentes variaciones en la forma del
evaporador.
Para otra aplicacin totalmente diferente, Infield et al. [31] obtiene un coeficiente de
prdidadecaloryunfactordegananciadeenergatrmicaparalaventilacinverticaldel
mduloPVcondobleacristalamientoenlosmdulosPVdefachadas.Conestaventilacin
se asegura que la eficiencia elctrica del mdulo es mejor debido a la baja temperatura,
pordebajode45C.
OtrosestudiossecentranenlamejoradelaeficienciadelosmdulosPVhaciendousodel
efectoStablerWronski(1977),basndoseenquelasclulasdesilicioamorfohidrogenadas
poseen una mayor eficiencia que el resto aunque tambin se ven algo afectadas
negativamenteporlasaltastemperaturas.EnunltimoestudiodelaUniversidaddeSiria
[32], se demostr que las clulas de silicio polimorfo hidrogenado tienen una mejor
eficiencia y un mejor factor de llenado para un mayor rango de temperaturas en
comparacin a las clulas de silicio amorfo hidrogenado. Estos avances nos plantean
nuevasalternativasquesolventenelproblemaquesuponenlaselevadastemperaturasen
lospanelesfotovoltaicos.
68
2.3INTEGRACINDELOSPANELESSOBRECUBIERTAS
2.3 INTEGRACINDELOSPANELESSOBRECUBIERTAS
Silademandadeenergaelctricademuchospasessecomplementarconlautilizacinde
la energa fotovoltaica, sera necesario integrar sistemas fotovoltaicos en la cubierta del
edificio.EstoesesencialenpasescomoGranBretaayAlemania,dondehayunaenorme
presin sobre el uso del suelo y las superficies de edificios que cuentan con reas
relativamentelibres.
Sin embargo, en muchos de estos programas los mdulos fotovoltaicos estndar se utiliza
comoelementodecubiertaencontradelanocintradicionaldelautilizacindetejaspara
tejados. Los techos tradicionales no son estructuras estticas y uniformes por ello no son
idneos para estos mdulos que requieren unas estructuras precisas para su montaje e
instalacin.Hastalafecha,sonvarioslosintentosenlafabricacindetejasfotovoltaicas.La
tejafotovoltaicaidealseraunaquepodraadaptarsealosactualestejados,incluyendosu
facilidad en la instalacin e integracin y proporcionara el efecto esttico del escalonado
igualqueoofrecenlastejasnormales.
69
CAPITULO2.ESTADODELARTE
2.3.1 TECNOLOGASFOTOVOLTAICASSOBRECUBIERTAS
En cuanto a la exigencia de un usuario final, el sistema fotovoltaico ideal para cubiertas
seraquelquetengaelmismodesgasteypropiedadesestticasquelastejastradicionales,
demodoquedebercumplirlassiguientescaractersticas:
Serfcilmenteincorporadosencualquierdiseodelavivienda,formandolacubierta
requeridaysiendotanduraderoscomotejastradicionales.
La instalacin del sistema fotovoltaico en cubierta deber cumplir con la actual
reglamentacin y normas de construccin y debe llevar el mismo tiempo para su
instalacinqueunacubiertanormal.
El conexionado elctrico debe cumplir con el reglamento correspondiente, sin
complicacionesaadidasencuantoaltipodeconectores,cablesyseguridad.
El sistema fotovoltaico debe ser proporcionado de tal forma que ofrezca un fcil
mantenimiento,seguimientoylasreparacionesnecesarias.
En ausencia de un sistema tan idealizado, hoy en da, las instalaciones fotovoltaicas para
tejadosqueseencuentrandisponiblesenelmercado,estncomprometidasenunaoms
de las caractersticas anteriores. Los nuevos sistemas desarrollados abarcan mdulos PV
adaptados y tejas fotovoltaicas que en muchos casos requieren la reconfiguracin o
reingeniera de la estructura del tejado. Basndonos en el estudio llevado a cabo por
AbuBakretal.[34]algunasdelassolucionesdexitosonlassiguientes.
2.3.1.1 Cubiertasfotovoltaicasinstaladasentejadosinclinados
Para cubiertas inclinadas, existen distintos sistemas de anclaje desarrollados que
permitenonodarelefectoestratificadodelospanelesenlacubierta,paramantenerlos
mdulosfijadosalaestructuradeltecho.
Elsistemadeanclajepuedeestarformadoporperfilesdealuminiofijadosdirectamentea
laestructuradeltejado,recogiendoenellalosmdulosquereemplazarnlastejasola
utilizacin de un sistema de anclaje fijo por debajo de tejas existentes. La mayora de
estos sistemas utilizan tornillos para fijar la estructura la cual se puede ajustar a
diferentespendientes,entre2050conlahorizontal,yalgunastambintienenajustesde
altura,aumentandolaseparacindelospanelesconlacubiertainferior.
70
2.3INTEGRACINDELOSPANELESSOBRECUBIERTAS
Figura2.28Descripcindelossistemasfotovoltaicossobreuntejado[35].
Enestainstalacin,elsistemadeanclajesefijaalasvigasdeltecho,sinpenetrarenel
tejado. Los perfiles dealuminio se fijan a dicho sistema y los mdulos estn sostenidos
por las sujeciones que los fijan a la estructura. El uso de este diseo resulta ser una
instalacinconunrpidomontajesinelusodeunagra.
Eneldiseodeestesistemasedebereformarlaestructuraquepresentaelmarcodelos
panelesfotovoltaicosconelfindeevitarcualquierfugadeaguaentreellosaligualquese
debenaadirdiversoselementosdefijacinycanalesparaevacuarelaguadelluvia.Enla
siguiente figura se puede apreciar el proceso de ingeniera que se llev a cabo para
formar el sistema completo de integracin fotovoltaica en la cara sur del tejado de un
edificio. En ella se incluye la instalacin de la estructura base en la cubierta (Figura
2.29a), instalacin de travesaos (Figura 2.29b), fijacin de canales de evacuacin del
agua(Figura2.29c)ylacolocacindelospanelesfotovoltaicos(Figura2.29d).
71
CAPITULO2.ESTADODELARTE
Figura2.29ProcesodeingenieradelaintegracinfotovoltaicaenlacarasurdeunedificiodeChina[36].
Figura2.30Vistaglobaldelaintegracinfotovoltaicasobrelacaraestedelacubiertadeunedificioen
China[36].
72
2.3INTEGRACINDELOSPANELESSOBRECUBIERTAS
2.3.1.2 Cubiertasfotovoltaicasinstaladasentejadosplanos
Hay muchos ejemplos de la energa fotovoltaica y sistemas de montaje para tejados
planos. Pero podemos destacar los sistemas que integran los paneles fotovoltaicos en
todalacubierta,totalmenteadheridosaunamembranadecubiertaylosquerequieren
unaestructurasoporteparasumontaje.
Para una total integracin de cubiertas planas, sin estructuras soporte, los paneles
fotovoltaicos de capa fina laminada son los ms utilizados por ser flexibles, ligeros yde
pequeo espesor (3/16 pulgadas) adems de adherirse perfectamente a cualquier
materialmetlicoomallasobrelacubierta,unejemplosonlosIBSolarWise.Estesistema
deintegracintambinesutilizadoenlascubiertasinclinadas.Estaopcindeintegracin
fotovoltaica sobre tejados elimina dos puntos dbiles; al estar totalmente adheridos a
unamallaomembranadePVCenlacubiertaevitalasposiblesgoterasyademsposibles
problemas por levantamiento del viento. Adems, hay que resaltar que los materiales
utilizados para dicha integracin son de mejores calidades que los de los tejados
convencionales,ofreciendounbuenmantenimientoyunalargavida(4050aos).Los
costes globales de estos sistemas sobre cubiertas no son muy elevados, son
considerablementemenoresquesiseinstalarauntejadoyunaplantasolarporseparado.
A pesar de ello, si presenta alguna limitacin dado que este sistema de integracin no
permite variar la inclinacin del panel, de modo que es ms adecuado para cubiertas
planasubicadasenzonascercanasalcinturnsolarparaprovecharmejorlashorasdesol
y evitar la presencia denieve en invierno queconllevara la reduccinde la produccin
elctricaascomoposiblesdaos.
Figura2.31Integracindepaneleslaminadosdepelculafinasobreunacubiertaplana.
73
CAPITULO2.ESTADODELARTE
Otra opcin tambin muy utilizada consiste en fijar los mdulos fotovoltaicos a una
estructuraqueasuvez,statienequeestarancladaalacubiertaplanadeltejado.Este
sistemadeincorporacinfotovoltaicasobretejadosplanosesmspropensaalasgoteras,
yaqueexistenespaciosentrelacubiertaylaestructuradeanclajedelpanelenlosqueel
aguaobienvafluyendopocoapocoporeldesageosequedasobrelacubiertahastasu
evaporacin. Existen diferentes sistemas de fijacin de paneles fotovoltaicos sobre
cubiertasplanasabasedeestructurasmetlicas,bloquesdehormigneinclusosistemas
que permiten ajustar su ngulo para maximizar la produccin segn la temporada. Un
aspecto importante hay que tener en cuenta, el peso, que puede presentar ciertos
problemassinonosaseguramosdequeeltechoescapazdesoportarestepesoadicional.
Figura2.32SistemadefijacindepanelesPVsobrecubiertaplana.
Unejemploinnovadordeunsistemadesarrolladoparatejadosplanosdemontajesebasa
en un bloque macizo de hormign para lograr la resistencia a la carga de viento. Estos
sistemasestnlimitadoseneluso,peropuedeproporcionarunasolucinenlautilizacin
deenergafotovoltaicaentejadosplanosdelasunidadesindustriales,fbricas,hospitales
ytalvezlasescuelassiendoecolgico,generandoenergalimpiayrenovable.Laventaja
de este sistema se debe a los bajos costos de la estructura de montaje y facilidad de
instalacin.
2.3.1.3 Tejasfotovoltaicasparatejados
Las primeras tejas fotovoltaicas Europea para la cubierta se desarroll en Suiza,
denominada como Newtec [34]. Cada una contiene 24 clulas monocristalinas con una
potencia nominal de 36 Wp. Las tejas se instalan directamente sobre los travesaos de
madera del tejado inclinado convencional. Cada teja fotovoltaica Newtec reemplaza
74
2.3INTEGRACINDELOSPANELESSOBRECUBIERTAS
cuatrotejasconvencionalesplanascomosemuestraenlaFigura2.33yestnventiladas
porlacorrientedeairenaturalquecirculapordetrsdelacubiertadetejas.
Figura2.33Sistemafotovoltaicobasadoenmdulosquesustituyeneltejadoconvencional[34].
Estossistemasdecubiertafotovoltaicaseencuentranventiladosporconveccinnatural,
graciasalairequecirculapordetrsdeltejadodetejas.Unconjuntodepiezasmetlicas
adicionalessonnecesariasparaintegrarlastejasfotovoltaicasyunirlasentreellas.Tales
sistemasfotovoltaicosnodanelefectoescalonadoquenormalmenteofrecenlostejados
tradicionales.
Unsistemaquefuedesarrolladoatravsdeunprogramajapons,quetuvouninforme
regulardeimpactovisualdemdulosfotovoltaicoshaganadomuchapopularidadenel
pas. Sin embargo, el sistema requiere los perfiles de aluminio para la fijacin de los
mdulos estndar, la perforacin de agujeros para la ventilacin y elementos de
estanqueidadparaevitarquepenetreelaguaentrelosmdulos.
75
CAPITULO2.ESTADODELARTE
Figura2.34TejadofotovoltaicooriginariodeJapn,ubicadosobrelacubiertainclinada[34].
LosdiferentessistemasdesarrolladosypromovidosenJapnconsistenenreemplazarlos
materialesdelostejadosportejasfotovoltaicas,lascualesseinstalandirectamentesobre
la estructura del tejado, aadiendo algunos accesorios de fijacin. Sin embargo, estas
tejas fotovoltaicas requieren ciertas superficies (45 Wp por teja) lo que suponen
reemplazarmltiplosde4tejasplanasporcadaunafotovoltaica.
Lastejasfotovoltaicasdecermicaofrecenunnuevoenfoquealaintegracindeclulas
solares en los tejados inclinados. Tales tejas fueron diseadas para funcionar como un
tejadodepizarra.Haydostipos,elprimerosebasaenmaterialcermicogrisenlaquelas
clulas solares monocristalinas estn laminadas directamente lo que permite una zona
libre para la superposicin de tejas en forma de escamas de pescado. Las tejas
fotovoltaicas se fijan directamente con tornillos en los travesaos de madera de la
estructuradeltecho.Elsegundoesunproductoparatejadoselaboradosobrelaenorme
basedeuntejadodefibradecemento,comnenSuiza.
76
2.3INTEGRACINDELOSPANELESSOBRECUBIERTAS
Figura2.35Mdulofotovoltaicode35Wp,sustituyenteacuatrotejasconvencionales[34].
OtrosistemafotovoltaicoquehasidoampliamentedifundidoenelReinoUnido,consiste
en una pelcula delgada que puede ser enrollada en el techo como una alfombra. El
componente fotovoltaico desarrollado en los EE.UU. consiste en una clula de silicio
amorfodetripleunin.Elsiliciodepelculadelgadasedepositamedianteunprocesode
enrolladosobreunsustratodemetalyseincorporaenunmaterialplsticodeproteccin
(Tefzell), teniendo una eficiencia de 7.8%. Dado que el producto es flexible, permite su
fciladaptacinamuchosmaterialesdetejados.Elsistemaresultantecomocubiertaes
multifuncional,produciendoelectricidadysirviendocomoaislamientodecubiertas.Este
producto ofrece un agradable aspecto manteniendo el efecto de tejados tradicionales,
mediantelacolocacinde12clulassolaresamorfasenunasolapiezadeplsticoconun
readesuperposicindeclulaslibresenlapartesuperior.
Elresumenpresentadoconlasdiferentestecnologasdetejadosfotovoltaicosmuestrael
desarrollodeelementosdecubiertafotovoltaicaenlaltimadcada.Losesfuerzosnose
hanlimitadoalameramejoradelosmtodosdeintegracindelosmdulosestndares,
sinoquesedirigetambinhacialaproduccindeloselementosapropiadosquepodran
sustituirlastejas.Muchosdeestosproductosprovienendelosprogramasnacionalesque
promuevenelusodelatecnologafotovoltaica.
77
CAPITULO2.ESTADODELARTE
2.3.2 APROVECHAMIENTOFOTOVOLTAICOENLACUBIERTADEINVERNADEROS
Unodelos aprovechamientosestructuralesfotovoltaicosquenosinteresayenelquese
centra esta investigacin es el de los invernaderos. Los invernaderos se construyen,
generalmente,enlugaressoleados,sinsombradebidoasunecesidaddeluzsolarparala
fotosntesis de las plantas. Esto nos sugiere que una proporcin de esa luz podra ser
utilizadacomofuentedeenergaelctricamediantelaenergafotovoltaicayalimentaras
losequiposnecesariosparaelmantenimientodeinvernaderos.
Enesaformadeaprovechamientofotovoltaico,losmdulosseinstalansobrelascubiertas
utilizando as el terreno para cultivar y para producir la electricidad que sustituya a la
procedente de combustible fsiles. El problema que se nos plantea es el siguiente: el
invernadero est recubierto por plstico para que dentro del mismo se alcancen
temperaturas altas necesarias para el cultivo, estas elevadas temperaturas en el interior
afectarn a nuestros mdulos fotovoltaicos ubicados en la cubierta, aumentando su
temperaturadefuncionamientoyreduciendolaproduccinelctrica.
Por esta razn, nos centramos en estudiar y caracterizar la influencia de las altas
temperaturasinternasenelfuncionamientodelospaneles,basndonosenunaestructura
real construida en la que existe un espacio libre de paso de aire entre el plstico de la
cubierta y los paneles. Con estos resultados se pretende mejorar la configuracin
estructural cara a la construccin de prximos invernaderos con aprovechamiento
fotovoltaico.
Unodelosestudiosllevadoacabobasadoenlosinvernaderosylaenergafotovoltaicaes
el realizado por el Instituto de Tecnologa de la India en el que combina mdulos
fotovoltaicosydeenergasolartrmica[37].Enesteestudioseutilizauninvernaderoreal
situadoenNuevaDelhi(Figura2.36)encuyointeriorsealcanzantemperaturasde55Cen
veranoyde40Ceninvierno,apesardetenerenelexteriorunastemperaturasde2a10
Cselleganaconseguirunasclidastemperaturasinternasdebidoalefectoinvernadero.
Adems, se utiliza un ventilador en el interior del invernadero para uniformizar la
temperaturainterna.
78
2.3INTEGRACINDELOSPANELESSOBRECUBIERTAS
Figura2.36InvernaderodeNuevaDelhiconmdulosfotovoltaicosintegrados[37].
Existeunaconcordanciaentrelosresultadosexperimentalesylostericosreferentesala
temperatura de los mdulos que vienen representados en la Figura 2.37, en la que se
muestralaevolucindelatemperaturadelpanelalolargodeldadeensayo.Apreciamos
queambastemperaturasdelmdulo,tericayexperimental,siguenunamismatendencia
alolargodelda,perosusvaloresnocoinciden.Asporejemplodesdeprimerahoradela
maanalatemperaturatiendeaascenderhastaalcanzarsumximoalas11delamaana,
conunvalortericode81Cmientrasqueelvalorexperimentalmedidoesde65Cala
mismahora,porloquelosdatosesperadossonalgosuperioresalosexperimentalmente
medidos.
Figura2.37TemperaturaexperimentalytericadelpanelPValolargodeunda[37].
Apartirdelosresultadosexperimentalesmedidosalolargodeunda,sepuedeapreciarla
evolucin de la temperatura del panel fotovoltaico, en su cara posterior, respecto la
temperaturadelairedelinteriordelinvernadero.Deellosseconcluyequelatemperatura
realdelmduloes34Cmayorqueladesucaraposterioryalrededorde1516Cmayor
que la temperatura del aire del invernadero, en las horas de sol. En cuanto a la exerga
79
CAPITULO2.ESTADODELARTE
anualobtenidagraciasalaenergasolartrmicaesde12,8kWh/aoylaobtenidagracias
alafotovoltaicaesde716kWh/ao.Enellugardondesellevacaboelexperimento,la
exergaaportadaporelSolalinvernaderoesde21291kWhporloqueobtenemoscomo
resultadounrendimientoexergticode4%.
Otroestudiointeresantebasadoenlaintegracinfotovoltaicaeninvernaderos,selleva
cabo en Japn [38], en el que se compara las ventajas e inconvenientes de colocar un
mdulo fotovoltaico en el exterior y en el interior de la cubierta de un invernadero al
mismotiempoquesumejororientacineinclinacin.
Figura2.38Esquemadeubicacindelosmdulossobreelinvernadero[38].
Los resultados experimentales obtenidos de cada uno de los paneles a lo largo de siete
meses,vienenrepresentadosenlasiguientefigura.Enella,serepresentamediantepuntos
laradicacinsolardecadamesymedianteundiagramadebarrasserepresentalaenerga
fotovoltaicaobtenidaparacadamesdelaoenelquesehaensayado,correspondindose
cadabarradeizquierdaaderechaencadamescomolaprimeraalmduloPV1,lasegunda
elPV2,laterceraPV3,lacuartaalPV4ylaltimasecorrespondeconelmduloPV5.
80
2.3INTEGRACINDELOSPANELESSOBRECUBIERTAS
Figura2.39Energafotovoltaicageneradafrentealosmesesdeestudio.Ordendecolumnas:PV1,PV2,PV3,
PV4,PV5[38].
Como se puede apreciar, los mdulos de menor inclinacin (PV1, PV3) generan mayor
energaquelosqueseencuentrana28.Adems,losmdulosinstaladosconorientacin
oeste (PV3, PV4) deberan generarms energa que los de orientacin este, cosa que no
reflejanlosresultadosexperimentalesobtenidosyrepresentadosenlaFigura2.39,estose
debe a que la orientacin del invernadero posee una desviacin de 7,03 respecto al eje
norte sur. Entre los mdulos fotovoltaicos instalados en el interior del invernadero, el
mduloPV3eselquemselectricidadgeneraunquesevesuperadoporelmduloPV5,
queanteniendoladesventajadeestarconunainclinacinde20yorientacineste,se
queda lejos del resto de resultados, mejorndolos considerablemente. No obstante, este
mdulo montado sobre la cubierta, presenta la desventaja de ser ms vulnerable que el
restoalestarexpuestoatodotipodecondicionesmeteorolgicas.
a) b)
Figura2.40ProyectosdeintegracinfotovoltaicaenlacubiertadeinvernaderosenChina.a)Vistadelinterior
delinvernaderosolarenHeihe.b)VistaexteriordelproyectoenPeonyGardenenHeze[36].
81
CAPITULO2.ESTADODELARTE
Enelmismotrabajopresentaelmayorproyectodeintegracinfotovoltaicasobrecubierta
en China, con 1MWp instalados. Este novedoso proyecto se encuentra en la ciudad de
Weifang,Shandongyconsisteenunmodernoproyectoagrcolaenergtico,Figura2.41.El
hechodellevarlaacabosedebeaqueenlacitadaciudadlaradiacinanualesde5000
5800 MJ/m2, cantidad muy til para generacin fotovoltaica. Con esta instalacin se
pretende generar 1185,6 kWp (DC) con una eficiencia de 13,27%, convirtindola
posteriormenteencorrientealternayasvertindolaalared,obteniendounasumaanual
de1743000kWhdeelectricidadgenerada.
Figura2.41Bocetodeldiseodeunaparte(50KW)delnuevoproyectoagrcolaconintegracinfotovoltaica
enlacubiertade1MWpubicadoenlaciudaddeWeifang,Shandong[36].
En la figura anterior se muestra una de las partes del nuevo proyecto de integracin
fotovoltaicaenlacubiertadelainstalacinagrcolaenergtica,estaparteengloba50kW
de los 1MWp instalados. Con su puesta en marcha se espera, no slo generar energa
elctrica, sino una mejora en la contribucin medioambiental, reduciendo 1737,8
toneladasdeemisindeCO2,52,3toneladasdeSO2y26,2toneladasdeNOx.
82
2.4INFLUENCIADELATEMPERATURAENELFUNCIONAMIENTODEMDULOS
FOTOVOLTAICOS
Hoy en da, las clulas fotovoltaicas se utilizan en muy variadas aplicaciones, terrestres y
constructivas, es por ello que generalmente se encuentran expuestas a valores de
temperaturasde1070C,segnlareginenlaqueestninstaladas.Enclimasnomuyfros
conbuenaradiacin,lospanelessuelentrabajaraaltastemperaturas.
Figura2.42Esquemasimpledelprocesotrmicodeenergaenunmdulofotovoltaico.
Altosvaloresdetemperaturaenlospanelesfotovoltaicos,setraducenenunefectonegativo
en sus parmetros elctricos, tales como tensin de circuito abierto (Voc), intensidad de
cortocircuito(Isc),factordeforma(FF)yconsecuentementeelrendimiento(),porlotanto
latemperaturajuegaunpapelimportanteenelprocesodeconversindelaradiacinsolar
en energa elctrica. Tanto el rendimiento como la potencia generada dependen de la
temperaturadefuncionamientodelpanel,disminuyendoambasconelaumentodesta.La
eficienciaenlaconversindeenergadesciende0,40,5%porcadagradoqueasciendela
temperatura [40]. Esta es la razn por la que muchos autores han estudiado diferentes
tcnicasquepermitanlarefrigeracindelospaneles[41,42].
Lascondicionesambientales,comosonlatemperatura,radiacinsolaryelviento,tambin
influyenenelcomportamientodelosmdulosfotovoltaicosinstalados.Dentrodeunamplio
margendefuncionamiento,lafotocorrientegeneradaporcadaclulasolaresdirectamente
proporcional a la intensidad de la radiacin incidente. Pero aparte de esta influencia, la
radiacin solar, el viento o la propia temperatura ambiente, afectan al panel fotovoltaico
83
CAPITULO2.ESTADODELARTE
modificando su temperatura y sta a su vez provoca como veremos una alteracin de las
variablesdelosmdulos.
Sehaestudiadoquelaeficienciaenlaconversindelasclulasfotovoltaicas,setraduceen
un descenso de la potencia generada cuando la temperatura de la clula es elevada. Este
fenmeno,segnMaycockyStirewalt[43]esmspronunciadoenclulasdesilicioqueotras
clulas,comoelarseniurodegalio.Adems,lafsicacunticademuestraqueelaumentoen
laconductividaddeunsemiconductoresdirectamenteproporcionalalatemperatura.Enla
bandadeconduccindeunsemiconductor,laconductividad,n,(entendidacomoelnmero
de electrones que circulan por la clula) depende de manera decisiva de la temperatura,
comolodemuestralafrmula.
/
2 (2.5)
2
Donde:
ne=ndeelectrones
me=masadelelectrn(kg)
k=ConstantedeBoltzman,conductividadtrmica.(W/mC)
Ef=EnergaenelniveldeFermi(eV)
Ec=Energaenlabandadeconduccin(eV)
T=Temperatura(K)
Ladependenciadelatemperaturadelpanelconsucomportamientoelctricodifieresegn
el material constituyente de la clula. An as, podemos encontrar un gran nmero de
correlaciones que expresan la dependencia de la eficiencia elctrica de los mdulos
fotovoltaicos,enlasqueenlamayoraseasumeladependencialinearentreambasvariables
84
2.4INFLUENCIADELATEMPERATURAENELFUNCIONAMIENTODEMDULOS
FOTOVOLTAICOS
ydifiriendotansloenlosvaloresnumricosdelosparmetroscorrespondientesaltipode
materialosistemadeestudio[47,48].
A. FOTOCORRIENTEIL
Lacorrientefotogenerada(IL)aumentaligeramenteconlatemperaturadebidoalaumento
delaslongitudesdedifusindelosminoritariosyenpartealestrechamientodelabanda
prohibida,quedesplazaelumbraldeabsorcinhaciafotonesdemenorenerga.Lamejora
delafotocorrienteconlatemperaturaesmsacusadaenlasclulasdeGaAsqueenlasde
Siliciopero,entodosloscasos,lavariacinesmuypequea.
B. CORRIENTEINVERSADESATURACINIS
(2.6)
Siendo , constantesyEGOelvalordelaenergadelanchodebandaprohibidaa0K.
C. TENSINDECIRCUITOABIERTOVOC
Laecuacincorrespondientealvoltajeencircuitoabiertoseobtieneapartirdelaecuacin
caractersticadelaclulafotovoltaica,dadoqueenestascondiciones,circuitoabierto,la
intensidadesnula(I=0).
1 (2.7)
85
CAPITULO2.ESTADODELARTE
(2.8)
Larelacininversaentreambasvariablessepuedeestablecercalculandoelcoeficientede
variacin,calculandosuderivada:
1 (2.9)
Esta expresin indica la disminucin del voltaje en circuito abierto conforme aumenta la
temperatura. En la siguiente figura se muestra claramente la dependencia linear
decreciente, cuya pendiente toma un valor medio de 2,48 mV/C para clulas de silicio,
segnA.Usamietal.[50].
Figura2.43Relacinentrelatensindecircuitoabiertoconlatemperatura[50].
D. CORRIENTEDECORTOCIRCUITOISC
(2.10)
1
(2.11)
86
2.4INFLUENCIADELATEMPERATURAENELFUNCIONAMIENTODEMDULOS
FOTOVOLTAICOS
Tabla2.6ValoresexperimentalesdelasvariableselctricasdedosclulasdeSilicioparaelrangode
temperaturasde295a320K[51].
Figura2.44a)Representacindelacurvacaractersticadelfuncionamientodeunaclulafotovoltaica.b)
Modificacindelacurvacaractersticadefuncionamientoconelaumentodelatemperatura.
E. FACTORDELLENADOOFACTORDEFORMAFF
Elfactordeforma,definidoenelcaptuloanterior,esunamedidadelacalidaddelaunin
y de las resistencias de la clula. A partir de su definicin, relacin entre la potencia
mxima entregada y la mxima terica a entregar, explicaremos su dependencia con la
temperatura.
87
CAPITULO2.ESTADODELARTE
(2.12)
En la Figura 2.45 a) podemos observar como este factor de llenado relaciona el rea
rectangular delimitada por ambos puntos, potencia mxima de funcionamiento y la
mxima terica. Esta variable depende de los parmetros de las clulas, los niveles de
operacindelacorrienteeintensidad,factoresdeidealidadyresistenciascaractersticas
delaclulaencuestin.Porellosesdifcildeducirlasensibilidaddeesteparmetroconla
temperatura.
Ladependenciadelfactordellenadoconlatemperaturavieneenpartedeterminadaporla
formaadoptadaporlacurvacaracterstica,enlaquesemuestranlosvaloresdepotencia.
Un aumento en la temperatura de funcionamiento conlleva una modificacin de los
parmetros que lo definen, disminuyendo considerablemente las tensiones y
producindoseunligeroaumentodelaintensidadcomoseapreciaenlaFigura2.45b).El
factor de llenado sufre una ligera disminucin con la temperatura, aunque no es muy
acusadaparatemperaturasinferioresa200C.
Figura2.45InfluenciadeunaumentodelatemperaturaenlosparmetrosquedefinenalFactordellenado.a)
Representacindelconceptodelfactordellenadoenlacurvacaracterstica.b)Variacindelosparmetrosdel
factordellenadoconlatemperatura.
Elfactordellenadotambinsepuedeexpresarmedianteunaecuacinempricaenfuncin
de la tensin de vaco, variable principalmente influyente considerando que no existen
prdidas de la resistencia parasitaria de la clula. Esta expresin es aplicable para casos
ideales,presentandounaprecisinde1dgitoenelcuartodecimal.
0,7 (2.13)
1
Estaecuacinrigelasiguienterelacinconlatemperatura,obtenindoseunadisminucin
desuvalorconelaumentodelatemperatura.
88
2.4INFLUENCIADELATEMPERATURAENELFUNCIONAMIENTODEMDULOS
FOTOVOLTAICOS
1 1
1 (2.14)
0,0015
6
F. POTENCIAMXIMAPm
Lapotenciamximavienedeterminadaporlosvaloresdetensineintensidadenelpunto
demximapotenciadelacurvacaracterstica,ademssepuededefinircomoelproducto
detresdelasvariablescaractersticaspreviamentedescritas;intensidaddecortocircuito,
tensin de circuito abierto y factor de llenado, tal y como se muestra en la siguiente
ecuacin[47].
(2.15)
Gxashekaetal.[54]demostrarondichaafirmacinestudiandoelefectodelatemperatura
en cinco mdulos fotovoltaicos, dos de ellos de Silicio cristalino (cSi), dos de Silicio
multicristalino (mcSi) y otro edgedefined filmfed growth silicon (EFGSi). Para los
diferentesmdulosestudiaronelefectonegativodelatemperaturasobrelapotenciade
salida de cada uno, el cual queda justificado por la proporcionalidad inversa entre la
temperatura y la tensin de circuito abierto. De acuerdo con Mazer et al. [55], la
disminucindelatensinconlatemperaturaescausadaporelaumentodelacorrientede
saturacin, la cual aumenta con la concentracin de portadores intrnsecos que a su vez
dependeexponencialmentedelatemperatura.
89
CAPITULO2.ESTADODELARTE
Para los diferentes mdulos utilizados, la intensidad de cortocircuito aumenta 0,7 3,1
mA/C, mientras que la tensin de circuito abierto disminuye en el rango de 51,9 78
mV/C obtenindose una prdida de potencia de 196 355,1 mW/C. Los valores de los
coeficientesdedependenciadecadavariableconlatemperaturasepresentanenlaTabla
2.7,siendoelcoeficientedeIsc,eldelaVocydelaPm.
EsevidentequeelcoeficientedelatemperaturaparalatensindecircuitoabiertodecSi
2 es significativamente diferente del resto de los mdulos, siendo un valor menor, tal y
comoseapreciaenlaFigura2.46.Estosedebealabajacalidaddedichomdulo,locuales
indicativodequelasclulasdebajacalidadtienenenpromediovaloresdetensin40mV
inferioresalosdemejoresmdulos.
En otro estudio [56] se demostr que la tensin de circuito abierto de clulas de baja
calidadesmenossensiblealatemperaturaqueladelosmdulosdemejorcalidad.Esto
explicaelhechodequeestemdulotengauncoeficientededependenciainferior.
90
2.4INFLUENCIADELATEMPERATURAENELFUNCIONAMIENTODEMDULOS
FOTOVOLTAICOS
Figura2.46Dependenciadelatemperaturaenlatensindecircuitoabiertoparadiferentesmdulos
fotovoltaicos[54].
Figura2.47Dependenciadelatemperaturaenlapotenciamximaparadiferentesmdulosfotovoltaicos
[54].
Sinembargo,tantoenlaTabla2.7comoenlaFigura2.47observamosqueelcoeficientede
dependenciadelapotenciamximaconlatemperaturaparaestemduloesmayorquelos
del resto. Esto parece ser contradictorio con lo anterior, pero se puede explicar por la
variacinquesufreelfactordellenadoconelaumentodetemperatura,elcualpresenta
unagrandependenciaconlatemperatura(0,15%/C).Estefactorcomosehamencionado
previamenteestdirectamenterelacionadoconlacalidaddelaunin pndeldispositivo
fotovoltaico. Otra observacin interesante es la baja dependencia de la potencia con la
temperatura para los mdulos cSi1 y EFGSi. Esto de atribuye a la propia estructura de
ambosmdulos,teniendoelcSi1uncristalenlaparteposterioryelEFGSidealuminio.
91
CAPITULO2.ESTADODELARTE
G. RENDIMIENTOOEFICIENCIAELCTRICA
Recordandoladefinicindelaeficienciadeunaclulafotovoltaica,comoelcocienteentre
la potencia mxima entregada y la potencia luminosa (radiacin solar,) captada por la
clula,representadaporlasiguienteecuacin:
(2.16)
Resultaevidenteelefectodelatemperaturaenlaeficienciaelctricadadoquelasclulas
fotovoltaicas alcanzan altas temperaturas cuando la irradiacin o potencia luminosa
recibidaestambinelevadayademsestoproduceundescensodelapotenciamxima.
Tanto ambas situaciones (elevada radiacin, disminucin de potencia) o cada una por
separado, conducen a reducir la eficiencia elctrica de la clula. El coeficiente de
proporcionalidadparalaeficienciaesdelordende0,040,06%/C paralasclulasde
Silicio,siendoalgoinferior,0,020,03%/C,paralasdeArseniurodeGalio(GaAs).
92
2.4INFLUENCIADELATEMPERATURAENELFUNCIONAMIENTODEMDULOS
FOTOVOLTAICOS
Figura2.48Efectodelatemperaturadefuncionamientodeunpanelfotovoltaicosobresueficiencia,
comparandolosresultadosmedidosyelmodeloterico[58].
Figura2.49Variacindelatensindecircuitoabierto,intensidaddecortocircuitoyeficienciaconla
temperaturaparaunacluladesilicioenelrangodetemperaturade295320K[51].
93
CAPITULO2.ESTADODELARTE
Enseccionesanterioressehanpresentadoalgunasdelasmuchasintegracionesfotovoltaicas
en edificios u otras instalaciones que se estn llevando a cabo por motivo del panorama
energtico y necesidad de aumentar la eficiencia energtica en edificios. Como se ha
estudiado, el rendimiento de sistemas fotovoltaicos depende estrechamente de la
temperatura de la clula, pero adems est influenciado por otros factores tales como su
aislamiento,degradacin,condicionesambientales.
Otro factor influyente es la separacin entre el mdulo y la cubierta del edificio. Algunos
autores centraron su investigacin sobre esta cuestin. Kedari et al. [60, 61] estudi un
mdulofotovoltaicoconunaseparacinentrelacubiertaylaparteposteriordestede0.14
m.Mediantemedidasexperimentales,estudiaronlosefectosdeltamaodelespaciodeaire
ydelasaberturasdelcanalenelflujodeaireinducido,comprobandoqueparaseparaciones
ampliasenelcanaldeaireseobtenaunmayorflujodeaire.Hirunlabthetal[62]sugirieron
queunrazonableespaciadoenloscolectoressolaresestaracomprendidoentre0.1y0.14
m. Sandberg y Moshfegh [63] obtuvieron expresiones para el flujo de masa, velocidad e
incremento de la temperatura en el espacio de aire detrs de las clulas solares,
considerandoelefectodelageometra(relacindeaspectodelcanal)ylaubicacindeestas
94
2.5INFLUENCIADELACAPACIDADDEVENTILACINENLATEMPERATURADE
FUNCIONAMIENTO
clulas solares. El estudio del efecto de la geometra del canal de aire sobre las
caractersticasdelflujodeaireinducidohansidoinvestigadaspordiversosautores,[64,65],
obteniendomayorventilacinsegnlaseccindelcanaleinclusoelngulodeinclinacin.
Otros autores han presentando procedimientos para determinar la temperatura de
equilibriodelmdulo,considerandolatransferenciadecaloryelflujoconvectivoatravsde
un conducto de refrigeracin en panel fotovoltaico. Por ejemplo, Brinkworth et al. [66]
desarroll un modelo analtico para predecir la refrigeracin por aire de un sistema
fotovoltaicointegradoparaflujolaminarlibreymixtodebidoalviento.
2.5.1 CORRELACIONESEXPLICITASPARALATEMPERATURADEFUNCIONAMIENTO
Enestatesisseestudialainfluenciadevariablesinfluyentesenlaventilacindelcanalde
aire,talescomolaseparacinenelcanalylavelocidadinducidaenste,enlatemperatura
defuncionamientodeunmdulofotovoltaicointegradosobreunacubiertametlica.Con
ello, el fin ltimo es obtener correlaciones que determinen tanto la temperatura, como
rendimiento de los sistemas fotovoltaicos para diferentes configuraciones y condiciones
ambientales.Porelloesnecesariohacerunarevisinbibliogrficadelascorrelacionesque
seconocen.
(2.17)
95
CAPITULO2.ESTADODELARTE
Enestaexpresin,laconstantek(conocidacomoelcoeficientedeRoss)sedefinecomoel
cocienteentreladiferenciadetemperaturaentreelpanelyelambienteylaradiacinsolar
incidente, (TpanelTamb)/Gpira. El principal problema de este modelo se encuentra en la
estimacin del coeficiente de Ross, el cual puede ser medido en un mdulo pero no
fcilmente predicho de antemano. Esta expresin fue propuesta inicialmente para unas
condicionesdeausenciadevientoysistemasfotovoltaicosnointegradosencubiertas.Sin
embargo, teniendo en cuenta que los efectos del viento son importantes y que la
integracin de sistemas fotovoltaicos en edificios ha aumentado, algunos autores [71]
ampliaronlosvaloresdek,diferenciandolosresultadoscualitativamentesegnelnivelde
integracinylaseparacindelcanaldeairebajolacaraposteriordelosmdulos.
LascorrelacionessemiempricasparaelcoeficientedeRosspropuestasporSkoplakietal.
[72]semuestranacontinuacin,lascualesseaplicanamdulosfotovoltaicosemplazados
enestructurasfijas,sinintegracinenedificioyparavelocidadesdevientonulo.
0.32
(2.18)
8.91 2.0
0.25
(2.19)
5.7 3.8
Enlaecuacin2.18,Vfeslavelocidaddelacorrientelibredelviento,enlapartealtadel
sistemaylosuficientementealejadodeste,mientrasqueenlaecuacin2.19Vwdenotala
velocidadlocaldelairequecirculaporlacaraposterioralpanel,quepuedeserestimada
por: Vw=0.67Vf. Estas expresiones presentan un uso limitado a sistemas fotovoltaicos sin
integracinsobreedificios.
Skoplaki et al. [72] ampliaron el uso de esta correlacin (Ec. 2.17), incluyendo un
coeficiente de montaje w, definido como una proporcin del coeficiente de Ross para la
configuracin de montaje del sistema fotovoltaico. Por lo tanto la correlacin de
temperaturadelmdulopropuestaporSkoplakieral.es
0.32
(2.20)
8.91 2.0
96
2.6CONSIDERACIONESSOBREELESTADODELARTE
PVarraymountingtype k(Km2/W)
Freestanding 0.021
Flatroof 0.026
Slopedroof,wellcooled 0.020
Slopedroof,norsowellcooled 0.034
Slopedroof,highlyintegrated,poorlyventilated 0.056
Fazadeintegrated,transparentPVs 0.046
Fazadeintegrated,opaquePVsnarrowgap 0.054
Tabla2.8ValoresexperimentaledelcoeficientedeRossparadiferentesconfiguraciones[72].
Comparando las correlaciones, Ec. 2.17 y 2.20 se obtiene que k= 0.32 w/[8.91+2.0Vf],
expresin que se puede utilizar para determinar la temperatura de funcionamiento del
panel fotovoltaico para diferentes configuraciones y un amplio rango de velocidad de la
corrientelibredeviento.Ahorabien,estaexpresinnoproporcionainformacinsobrela
influencia de la relacin de aspecto y la ventilacin forzada en esta temperatura de
funcionamiento, con lo que se pretende obtener a partir de los valores experimentales
medidos.
2.6 CONSIDERACIONESSOBREELESTADODELARTE
Diversosestudiossobretcnicasderefrigeracindepanelesfotovoltaicosconelpropsito
dereducirsutemperaturaymejorarlaproduccinelctricasehanpresentado.Lastcnicas
de refrigeracin en las que se emplean agua presentan buenos resultados en las
instalaciones experimentales, no obstante se han descartado en este estudio por los
inconvenientesquepresentanenaplicacionesdeintegracinsobrecubiertas:necesidadde
suministrodeagua,sistemadebombeo,aumentodelpesodelaestructurasoporte,gasto
econmicoetc.Sinembargo,losestudiosqueincluyenlarefrigeracinconaire,hacindolo
pasar por la cara posterior del mdulo, resulta ser ms ventajosa y viable en aplicaciones
industriales.
Alavistadelosresultados,losestudiossobreelusodeairecomotcnicaderefrigeracinde
los mdulos estn ampliamente documentados, aunque los relativos a sistemas de
integracin sobre cubierta como una nave industrial o invernadero se reducen a un
restringidorangodeparmetrossignificativosenelcomportamientodelosmdulos.
Lainformacinencontradanoincluyelacontrastacindevaloresexperimentalesconvalores
medidos en una planta solar en explotacin. Adems, a nivel experimental resulta
insuficienteparapodercaracterizartantolaproduccinelctricacomoeficienciaenfuncin
de su temperatura, en paneles integrados sobre diferentes cubiertas en aplicaciones
existentesenlarealidadybajodiferentescondicionesdediseoyambientales.
Enaplicacionesconintegracinfotovoltaicasobrecubiertas,concretamentemetlicasyen
invernaderos,noseconoceconexactitudcmoafectanenlaproduccinelctricaaquellas
97
CAPITULO2.ESTADODELARTE
variablesquepermitenvariarlatemperaturadefuncionamiento,modificandolacapacidad
derefrigeracindelpanelconlacirculacindeaireporsucaraposterior.
Estosmotivosaboganafavordelarealizacindelapresentetesis,traslanecesidaddela
empresa colaboradora por estudiar sus instalaciones existentes y poder mejorar otras
futuras.
98
DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE
CAPITULO3. DESCRIPCINDELASINSTALACIONES
FOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESUREFRIGERACINCON
AIRE
Comosehamencionadoencaptulosanteriores,enestetrabajosehanestudiadodiversas
instalacionesfotovoltaicasfrutodelacolaboracinestablecidaconlaempresaApiaXXIenel
marco de la cual se ha planteado. El objeto de este captulo es describir las instalaciones
fotovoltaicas estudiadas y analizadas, dos de ellas son instalaciones comerciales en
explotacinconstruidasporlapropiaempresa,ylasotrasdossehandiseadoyconstruido
enlaUniversidadPolitcnicadeCartagena.
Elcaptuloestestructuradoendosapartados.Enelprimerosedescribenlasinstalaciones
comerciales que nos han servido de prototipo para el diseo y montaje de las
experimentales.EnprimerlugarlaplantasolarCoronilIIde10MW,constituidapor51412
paneles montados sobre estructura fija, describiendo el campo fotovoltaico, distribucin y
caractersticasdelosmdulosfotovoltaicos,laestructurasoporteyelementoselctricosde
la instalacin. Adems, esta instalacin ha sido utilizada para analizar datos recogidos
durantevariosmeses,conelfindecompararelfuncionamiento(referidoalosparmetros
proporcionados por el fabricante) del mdulo fotovoltaico en la planta fotovoltaica con la
instalacinexperimental,comosepresentaenelapartado5.1.Ensegundolugarsepresenta
laplantasolarCoronilIVde1MW,engloba4464panelesfotovoltaicosmontadossobrela
cubiertadeunainstalacinagroenergtica.Delmismomodo,sehadescritoladistribucin
del campo fotovoltaico, caractersticas de los mdulos, estructura de la instalacin y
principaleselementoselctricosconstituyentes.
Enelsegundoapartadosedescribenlasinstalacionesexperimentalesestudiadas,lascuales
hansidodiseadasyconstruidoenlaUniversidadPolitcnicadeCartagenaparaelestudioy
anlisis del comportamiento elctrico de los paneles fotovoltaicos, no slo para la
configuracin prototipo presentada por la instalacin comercial de referencia, sino para
otras configuraciones, con el propsito de estudiar una posible mejora en el
comportamientoelctricodelosmdulosfotovoltaicosmediantelarefrigeracinconaireen
su cara posterior, aprovechando el efecto chimenea creado por conveccin natural
(Apartados 5.2 y 5.3). La primera instalacin experimental est constituida por mdulos
sobre una cubierta metlica de estructura fija y la segunda sobre la cubierta de
invernaderos. En ambas se detalla el diseo constructivo, con el objeto de describir su
estructura soporte, parmetros elctricos de los paneles, la instrumentacin utilizada en
cadaunadeellasylasdiferentesconfiguracionesestudiadas.
99
CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE
3.1 INSTALACIONESFOTOVOLTAICASENEXPLOTACIN
Esteapartadoestenfocadoenladescripcindelasinstalacionesfotovoltaicasconstruidasy
en funcionamiento, por parte de la empresa Apia XXI. Estas instalaciones dan origen al
estudio y anlisis del presente trabajo de investigacin y por consiguiente, nos sirven de
referenciaalahoradeldiseoymontajedelasinstalacionesexperimentalesdeensayo.
Lasegundainstalacinfotovoltaicaconstade4464panelesfotovoltaicosmontadossobrela
cubierta de una instalacin agroenergtica (invernadero), alcanzando 1 MW de potencia
nominal.Estanuevaaplicacinfotovoltaicaconllevaqueelpanelfotovoltaicoseencuentre
cercanoalacubiertadelinvernadero,permitiendolatransferenciadelcalorinternohaciael
mduloyviceversa.Losmdulosutilizados,sonlosquemejorrespondanelctricamentea
altas temperaturas, en la instalacin anterior, pero an as se vern afectados en esta
configuracin.Unprototipoqueenglobeunaunidadestructuraldetodalainstalacinycon
idnticasmagnitudesymateriales,hasidoconstruidoparaestudiarlainfluenciatrmicaen
suproduccinelctricaascomootrasposiblesconfiguracionesquelamejoren.
3.1.1 PLANTASOLARCORONILII
La planta fotovoltaica Coronil II, alojada sobre estructura fija, alcanza los 10 MW de
potencia nominal, estando formada por 51412 paneles fotovoltaicos con potencias
comprendidas entre los 175 Wp y los 280 Wp. El parque solar fotovoltaico est formado
por6agrupacionesde1600kW.Cadaunadeestasagrupacionescuentacon4inversores
de400kWdepotencianominalyuncentrodetransformacin15/0.4kVcompuestopor
dostransformadoresde1000kVA.Ademsexisteunasptimaagrupacinconuninversor
de400kWyuncentrodetransformacin15/0.4kVconunapotenciade630kVA.
Aspues,laplantacuentacon7centrosdetransformaciny13transformadores.Launin
de los centros de transformacin es en forma de doble anillo, conectados mediante una
lneasoterradademediatensina15kV.Elanillosecierraenceldasdelneadelanueva
subestacinElCoronilparaconectarseconlareddeSevillanaEndesa.
100
3.1INSTALACIONESFOTOVOLTAICASENEXPLOTACIN
Figura3.1PlantafotovoltaicaElCoronilII.
3.1.1.1 CAMPOFOTOVOLTAICO
La energa elctrica producida por los paneles fotovoltaicos en corriente continua es
transformadaencorrientealternaporlosinversores.Lareddebajatensinseuneenel
centrodetransformacindondeserealizalaconversina15kV.
Los mdulos fotovoltaicos estn orientados al Sur, con una inclinacin respecto a la
horizontalde30paraconseguircaptarelmximoderadiacinsolaralolargodetodoel
ao.Todoslospanelesestnmontadossobreunossoportesquetienenunaalturatotal
entre1.7my2.1m,quedandolaparteinferiora30cmdelsuelo.
Sehaninstaladocincomarcasdistintasdemdulosfotovoltaicos,Sharp,Suntech,Yingli,
ET, SolarWord. En total se dispone de seis modelos distinto de paneles, con ocho
potencias. La suma de paneles de la planta fotovoltaica alcanza las 51412 unidades,
estando cada uno de ellos localizado y con su correspondiente flash report. A
continuacin se muestra las principales caractersticas elctricas de cada uno de los
modelosdepanelesinstalados:
101
CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE
Finalmenteindicaracercadelcampofotovoltaico,queladistribucindelnmerototalde
paneles (51410) y la potencia instalada (11420 kWp) segn cada modelo de panel es la
siguiente:
3.1.1.2 ESTRUCTURASOPORTE
Las estructuras soporte son instalaciones modulares de perfiles atornillados de acero
galvanizado,instaladasenelsuelosobreunacimentacin.Laestructuraestconectada
elctricamentealatomadetierrageneraldelaplanta.
Segneltipodepanelutilizado,lasestructuraspresentan4o3metrosdehipotenusa.La
cimentacinsehallevadoacaboconpilotesde30cmdedimetroparalapataposterior
delasestructurasde4metrosdehipotenusa.EnlaFigura3.2semuestranlassecciones
delasestructurasutilizadas.
102
3.1INSTALACIONESFOTOVOLTAICASENEXPLOTACIN
Figura3.2Estructurasoportedelospanelescon3y4metrosdehipotenusarespectivamente
3.1.1.3 INVERSORES
Losinversoresinstaladossontrifsicosde400kW,modeloSiemensSinvertsolar420M,
que disponen de un sistema de control que le permite un funcionamiento
completamente automatizado. Durante los periodos nocturnos el inversor permanece
parado,vigilandolosvaloresdetensindelaredquealimentaaledificioydelgenerador
fotovoltaico. Al amanecer, la tensin del generador fotovoltaico aumenta y pone en
funcionamientoelinversorquecomienzaainyectarenergaalared.
La conexin entre inversores es del modo maestro/esclavo, de forma que si uno de los
inversorestrabajaaunrendimientoinferioral40%,todalaenergarecibidaescedidaa
unodeellos.
3.1.1.4 PROTECCIONES
La instalacin est protegida contra contactos directos, de manera que los elementos
activossoninaccesibles.Conelfindeprotegerlainstalacindecorrientecontinuafrente
asobreintensidades,sehanutilizadoencadasectordelainstalacinelementosdecorte
yproteccin.
103
CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE
3.1.1.5 REDDEMEDIATENSIN
Lalneainternasubterrneademediatensina15kVtieneporobjetolainterconexin
enanillodelossietecentrosdetransformacin.Laseccindetodalalneasubterrnea
esde240mm2ycon2,640mdelongitud,siendoelcabledeltipoHEPRZ1ytrabajandoa
unatensinde15kVyfrecuenciade50Hz.
ElpuntodeconexinconlaSevillanaEndesaparaelaccesode10,000kW,seestablece
enlasceldasdeentradadelladode15kVdelanuevasubestacinelctrica66/15kVEl
Coronil.Lalneatienesuorigenenunaceldadelneadedichasubestacinysecierraen
otraceldadelneadeigualescaractersticas,ubicadaenelmismolugar.
3.1.1.6 REGISTRODELOSDATOSENLAPLANTAFOTOVOLTAICA
La toma de datos de irradiancia se realiza a travs de una clula calibrada en el plano
horizontalytresclulasenplanoinclinadosituadasendiferentesposicionesenlaplanta.
La temperatura ambiente es medida por una sonda de temperatura de aplicacin
meteorolgica y la temperatura del mdulo se mide a travs de seis termopares
instaladosenlaparteposteriordecadaunodelosdiferentestiposdepaneles.
Enlasiguientefigurasemuestralaradiacinsolarmedidaenelplanodecaptacinyla
temperaturaambienterecogidaenelmesdeMarzode2009.
Figura3.3Radiacinsolarmedidaenelplanodecaptacinytemperaturaambienteregistradaduranteelmes
deMarzode2009.
104
3.1INSTALACIONESFOTOVOLTAICASENEXPLOTACIN
Figura3.4VariacindelrendimientotericodedecadamodelodepanelPVenfuncindelatemperatura
ambiente.
Porestarazn,enlaampliacindelaplantaascomofuturasinstalaciones,elmodelode
paneles instalados son los ET 270, con mejor respuesta elctrica a altas temperaturas
ambiente.Porelmismorazonamiento,sonlospanelesquesehanutilizadosyanalizados
enlasinstalacionesexperimentalesmontadas,talycomosedescribirnposteriormente.
Adems, el posterior anlisis de los datos de la planta y de las instalaciones
experimentales, se centra en el comportamiento elctrico de este modelo de mdulos
fotovoltaicos.
3.1.2 PLANTASOLARCORONILIVENINSTALACINAGROENERGTICA
La planta fotovoltaica Coronil IV, montada sobre la cubierta de la instalacin
agroenergticademismonombre,alcanza1MWdepotencianominal,yestformadapor
4464 paneles fotovoltaicos ET de 270 Wp. El parque solar fotovoltaico est formado por
dosagrupacionesde602.64kWpconectadascadaunadeellasaunamquinadeinversor
de 500 kW de potencia nominal. La instalacin cuenta con un Centro de Transformacin
0.4/15kVcompuestopordostransformadoresde630kVA.
La red de evacuacin que se disea tiene por objeto la conexin del Centro de
Transformacindelaplantaconunalneasoterradade15kVsituadaenlalocalidaddeEl
Coronil,medianteunalneaelctricaendoblecircuitotiposubterrneoentubado,conuna
105
CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE
tensinde15kV,niveldeaislamientosegnlista2(MIERAT12),yunafrecuenciade50
Hz.Laseccindetodalalneaesde240mm2,concabledeltipoRHZ1AI18/30kV.
LacanalizacinestformadaporseistubosdePVCde200mm2,demaneraquedostubos
pertenecenalafuturalneadeevacuacindelaplantaCoronilV,mientrasqueotrosdos
tubos restantes se utilizan para el doble circuito de esta instalacin, dejando dos tubos
adicionalesdereserva.
Figura3.5InstalacinagroenergticaElCoronilIV
3.1.2.1 CAMPOFOTOVOLTAICO
La energa elctrica producida por los paneles fotovoltaicos en corriente continua es
transformadaencorrientealternaporlosinversores.Lareddebajatensinseuneenel
centrodetransformacindondeserealizalaconversina15kV.
La estructura que forman las instalaciones agropecuarias est compuesta por mltiples
prticosconcubiertaadosaguasyunpilarinterior,transversalmenteestnunidospor
vigas, sobre las que se apoyan los dinteles. Sobre uno de los faldones se instala un
sistemadecorreas,yseconsiderafijo.Elotrofaldnnofijo,sepuedeabrirporloqueno
cuentaconsistemadecorreas.Laseparacinentreprticosapoyadossobrepilaresesde
6m,entredintelesde2m.
106
3.1INSTALACIONESFOTOVOLTAICASENEXPLOTACIN
Figura3.6Distribucindelospanelesenlacubiertadelainstalacinagroenergtica.
Las uniones se realizan a modo de articulacin. El dintel sobre el que se apoyan los
faldones salva una luz de 3.000 m con un ngulo de 18.43 y se prolonga 1.03 m de
voladizo,deformaquesulongitudtotalesde4.200m.
Eldinteldelladoopuestosalvaunaluzde4.600mytieneunalongitudde4.707m.La
uninalosdospilaresserealizamediantearticulaciones.
Lospilarestienenunalongitudde3y4m.Losmscortosseencuentranempotradosen
labaseyarticuladosenlauninconambosdinteles.Lospilareslargosestnempotrados
ensuuninconlacimentacinyarticuladosenlauninconambosdinteles.
Laestructuratieneunsistemadearriostramientolateralalolargodesuscaraslaterales,
y adems un arriostramiento interior en los casos en que el nmero de prticos
consecutivosseasuperioracinco.
107
CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE
Figura3.7Alzadodelaestructuradelainstalacinagropecuaria.
3.1.2.2 INVERSORES
Lainstalacinpresentaunnicoinversortrifsico,compuestopordosmquinasidnticas
de500kWcadauna.ElmodelodelinversoresSiemensSinvert1000MSTL.
Esta disposicin, supone la divisin de la Planta en dos agrupaciones, una por cada
mquinade500kWdelinversor,quedandoagrupadosenunedificio.Juntoaledificiose
ubicauncentrodetransformacindotadodedostransformadoresde630kVA.
La conexin entre inversores es del modo maestroesclavo, de forma que si uno de los
inversorestrabajaaunrendimientoinferioral40%,todalaenergarecibidaescedidaa
solounodeellos.
3.1.2.3 PROTECCIONES
La instalacin est protegida contra contactos directos, de manera que los elementos
activossoninaccesibles.Conelfindeprotegerlainstalacindecorrientecontinuafrente
108
3.1INSTALACIONESFOTOVOLTAICASENEXPLOTACIN
asobreintensidades,sehanutilizadoelementosdecorteyproteccinencadasectorde
lainstalacin.
Enlapartedealterna,seencuentraninstaladosinterruptoresgeneralesmagnetotrmicos
porcadainversorycuadrodeproteccin.Tambinsehadotadoalsistemadeproteccin
diferencialparalaproteccinfrenteacontactosindirectos.
Figura3.8Esquemaunifilardelainstalacin.
3.1.2.4 REDDEMEDIATENSIN
Lareddiseadatieneporobjetolaconexindelcentrodetransformacindelaplanta
fotovoltaica El Coronil IV con una lnea soterrada de 15 kV situada enla localidadde El
Coronil, mediante una lnea elctrica en doble circuito tipo subterrneo entubado, con
unatensinde15kV,niveldeaislamientosegnlista2(MIERAT12),yunafrecuenciade
50Hz.Laseccindetodalalneaserde240mm2,concabletipoRHZ1AI18/30kV.
La canalizacin estar formada por seis tubos de PVC de 200 mm, de manera que dos
tubospertenezcanalafuturalneadeevacuacindelaplantaElCoronilVmientrasque
otros dos tubos se utilizarn para el doble circuito de la lnea del presente proyecto,
dejandolosdostubosrestantesdereserva.
109
CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE
3.1.3 CONCLUSIONES(CONCLUSIONS)
Se han descrito las instalaciones fotovoltaicas comerciales que nos han servido de
prototipo para el diseo y montaje de las experimentales, construidas en la Universidad
PolitcnicadeCartagena.
Laprimerainstalacinsolarfotovoltaica,denominadaCoronilII,esunaplantade10MW
constituidaporuntotalde51412mdulosfotovoltaicosmontadossobreestructurafija.
Se ha descrito el campo fotovoltaico, distribucin y caractersticas de los paneles que lo
forman,laestructurasoporteyelementoselctricosdelainstalacin.Enestaplantasehan
utilizadomdulosdeseismarcasdiferentes,conuntotaldeochopotenciasdistintas.Con
losdatosproporcionadosdelainstalacin,sehaelegidoelmodelodepanelqueofreceun
mejorcomportamientoelctrico,siendosteelquesehautilizadoennuestrainstalacin
experimental. Los datos recogidos en la planta fotovoltaica, durante los meses de Mayo,
Junio,JulioyAgostode2010,sehanfiltradoparaestudiaryanalizarlasvariableselctricas
de los mdulos fotovoltaicos del mismo modelo y caractersticas a los utilizados en las
instalaciones experimentales, bajo unas condiciones ambientales similares de
funcionamiento, con el fin de comparar el funcionamiento de los mdulos en ambas
instalaciones.
CONCLUSIONS
The commercial photovoltaic systems which have been used as prototype for the design
andbuildoftheexperimentalfacilitywerestudiedandaredescribedinthissection.
Thefirstsolarphotovoltaicsystem,referredtoasCoronilII,isasolarplantwhichreaches
10MWofnominalpowerandismadeupof51412photovoltaicpanelsgroundmounted
on a fixed structure. The study includes the description of the photovoltaic plant,
characteristics and distribution of the photovoltaic modules, and the base structure and
110
3.1INSTALACIONESFOTOVOLTAICASENEXPLOTACIN
the electric elements which take part in the plant. This plant has six different makes of
modules, with a total of eight different levels of power. Using data from the solar plant
from the different panel models, one of them was selected due to it providing better
electricalbehaviorathightemperature.Thisistheonethatwasusedinourexperimental
facilities. The collected measured data in the photovoltaic plant, in the months of May,
June,JulyandAugust2010,werescreenedtostudyandanalyzetheelectricalvariablesof
PV modules. These had the same model and features to those used in experimental
facilities, under similar environmental conditions of operation. This process was done in
ordertocomparetheperformanceofthemodulesatbothfacilities.
Theothercommercialphotovoltaicsystem(CoronilIV)isanagroenergeticorphotovolatic
greenhousewith1MWofnominalpowerandismadeupof4464photovoltaicmodules
whichareplacedontheroofofthegreenhouse.Themodulesarethesamemodelaswhat
was chosen from the other plant. Similarly, the description and distribution of the
photovoltaic system, the design of the structure which supports the panels, and the
electrical elements were added. This photovoltaic application implies the modules were
neartheplasticroofofthegreenhouse,sothehightemperaturesreachedinsideitcould
affectthepanelbehaviorduetotheheattransferbetweeninsideandtheairchannel.For
this reason, an experimental facility had been designed and built in order to study this
influence.Moreover,thespaceoftheairchannelandtheplasticoftheroofweremodified,
resultinginadifferentconfigurationforcomparison,andfinally,thechoosingoftheone
whichprovidedthebestelectricalfunctionalityofthepanels.
111
CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE
3.2 INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS
Laubicacindeambasinstalacionesfotovoltaicasdeensayoeslacubiertadelosaulariosdel
CampusAlfonsoXIIIdelaUniversidadPolitcnicadeCartagena,dondeademsseencuentra
la estacin meteorolgica utilizada en el registro de los datos que nos informan de las
condicionesambientales.
Toda la instrumentacin utilizada para la toma y registro de los datos requeridos para el
anlisisdecadainstalacin,sehadescritoenesteapartado.
3.2.1 INSTALACINFOTOVOLTAICAEXPERIMENTALSOBRECUBIERTAMETLICA
Conelfindeestudiarelcomportamientoelctricodelospanelesfotovoltaicossobreuna
cubierta metlica para diferentes condiciones de refrigeracin con aire por su cara
posterior, se ha diseado una instalacin experimental que consta de dos mdulos de
iguales caractersticas. Ambos se fijarn a una misma estructura soporte, con la misma
inclinacin y bajo las mismas condiciones ambientales, sin embargo slo uno de ellos se
colocarsobreunasuperficiemetlica,creandouncanaldeaireentreambassuperficies.
Con ello, tendremos un panel fijo de referencia, para comparar el comportamiento de
ambosparalasdiferentesconfiguracionesensayadas.
112
3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS
Unavezestudiadaenconveccinnatural,larepercusindelatemperaturadelpanelenla
produccinelctricaalestaremplazadosobreunacubiertadependiendodelaseccinde
paso,seestudiarycompararnlosmismoscasosenconveccinforzada.Unventiladorse
encargardeimpulsarelaireporelcanaldesdelaparteinferiormedianteelacoplamiento
deunatoberametlica,paracadaunadelasseccionesensayadasenconveccinnatural.
Con esta configuracin se pretende comparar la evolucin de las temperaturas y las
variableselctricasentreelpaneldereferencia(aisladoybajolascondicionesambientales)
y el panel sobre la cubierta metlica refrigerado por conveccin forzada para diferentes
secciones de paso de aire. Cada seccin se ha ensayado a tres regmenes de
funcionamientodelventilador,fijandotresvelocidadesforzadasdelaireenelcanalpara
poderestudiarsuinfluenciaenlarespuestaelctricadelpanelfotovoltaico.
Por ltimo, se llevar a cabo un estudio comparativo de todos los resultados obtenidos
para ambas configuraciones, conveccin natural y forzada, analizando la influencia de
variables tales como el espesor del canal de aire y la velocidad forzada sobre la
temperaturayeficienciaelctricadelpanel,comparndoloconelpaneldereferenciapara
as poder elegir la configuracin ms idnea y poder caracterizar su comportamiento
obteniendocorrelacionesexplicitas.
3.2.1.1 DISEOCONSTRUCTIVODELAINSTALACIN
Lainstalacinexperimentaldiseadaconsisteenunaestructurabaseyotrasoportepara
fijar los paneles fotovoltaicos que se pretenden ensayar, para una geometra dada. Los
dos paneles se soportan en una estructura tal y como se presenta en la Figura 3.9. La
estructura soporte consta de unos perfiles L35 de acero galvanizado y dos pletinas
simtricas de 50. En su parte inferior se ubican dos bisagras que permitirn fijar los
soportesaunaestructurabasequesedescribirposteriormente.Estossoportesfijosen
suparteinferior,permitenvariardeinclinacinatravsdeunasbarrastirantesfijadasen
113
CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE
Figura3.9Estructurasoportedelpanel.Medidasencm.
Los paneles fotovoltaicos fijados mediante tornillos a sus soportes, se colocan sobre una
estructura base que los elevar unos 750 mm del suelo, como se aprecia en el siguiente
croquis (Figura 3.10). La base est construida con perfiles de 30x30 mm de acero
galvanizadoyenellasefijarnlosdosmdulosfotovoltaicos.Enelalzadoseaprecianlas
bisagrasquefijanlaestructurasoportedelospanelesaellayenlaplanta,laubicacinde
lostirantesqueatornilladosdarnlainclinacinalospaneles.
Figura3.10Alzadoyplantadelaestructurabase.Medidasencm.
114
3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS
La estructura definida, ha sido diseada con el fin de fijar y soportar los paneles
fotovoltaicos, permitindoles adoptar diferente inclinacin respecto la horizontal y
adicionalmenteconseguirelevarlosdelsuelo,paraevitarcualquierinfluenciatrmicadela
superficieinferior,consiguiendoasqueambosseencuentrenigualmenteventilados(por
elvientoexterior)ybajolasmismascondicionesambientales(Figura3.11).
Figura3.11Fotografasdelaestructurasoporteybasedelainstalacinfotovoltaicaexperimental.
Comosehamencionado,lainstalacinfotovoltaicadeensayoconstadedosmdulos,uno
de ellos lo designaremos como Panel A y otro como Panel B. Ambos paneles de silicio
policristalino, se corresponden al modelo ET P672270, el mismo modelo utilizado en las
instalacionesfotovoltaicasenexplotacin,descritasenelapartadoanterior.Cadamdulo
tieneunasdimensionesde2000x1000x50mm,ysuscaractersticaselctricasseincluyen
enlasiguientefigura.
115
CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE
Figura3.12Caractersticasdelosmdulosfotovoltaicosutilizadosenlainstalacin.
ElPanelAseencuentrasobrelaestructuraquelosostiene,quedandototalmentelibrepor
su cara posterior de cualquier superficie. El comportamiento elctrico de este panel as
comolatemperaturaquealcancesetomadereferencia,comolatemperaturanormalde
funcionamiento de un panel fotovoltaico libre sobre estructura fija, dado que no est
instalado sobre ninguna cubierta y no le puede afectar la temperatura de ningn slido
cercano,nicamenteseverafectadoporlascondicionesambientales.
116
3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS
Figura3.13InstalacinfotovoltaicaexperimentalconstituidaporPanelAelizquierdoyPanelBelderechoen
conveccinnatural.
117
CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE
Figura3.14InstalacinfotovoltaicaexperimentalconstituidaporPanelAelizquierdoyPanelBelderechoen
conveccinforzada.
Paracadaunadelastresseccionesderefrigeracindeaire,sehanrealizadotresensayos
correspondientesatresvelocidadesdiferentesdelventilador.Unreguladordevelocidad,
conectado en serie ente el ventilador y su toma de corriente, nos ha permitido fijar tres
regmenes de funcionamiento del ventilador proporcionando diferentes velocidades del
aire en el canal. Las velocidades fijadas, que se han ensayado son de 3 m/s, 4.5 m/s y 6
m/s.
LatemperaturadeambospanelesesmedidamediantecincosondasdetemperaturaPT100
adhesivasydecuatrohilos,colocadassimtricamenteyencontactoconlacaraposterior
decadamdulo.LascorrespondientealpanelAsedenominancomoA1,A2,A3,A4yA5y
lasdelpanelBcomoB1,B2,B3,B4yB5.Conlascincosondasadheridasacadapanel,se
pretendeconocerladistribucindelatemperaturadelpanel,paraasconocerlamayoro
menoruniformidadtrmicayadems,poderobtenerelvalormedioqueconsideraremos
en el anlisis como el valor experimental de la temperatura de funcionamiento de cada
panel.
118
3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS
en la entrada como en la salida. El caudal de aire se puede calcular mediante los dos
anemmetros (AN1 y AN2) que miden la velocidad del aire a travs del conducto de
seccin contante, tanto en conveccin natural como en forzada. Estos anemmetros se
hancolocadodentrodelcanal,enunaseccinqueseencuentraa1.50mdesdelaentrada
delaireylosuficientementeintroducidosenelcanal(a0.35mdelbordedelpanel)para
evitarlosefectosdelaparedenladistribucindevelocidades.
Por ltimo nos queda citar los sensores que nos informan de la temperatura de la
planchetametlica.Ochosondasdetemperaturaadhesivassimilaresalasutilizadasenlos
paneles,sehanfijadosimtricamenteensucarasuperior,denominadasPC1,PC2,PC3,...,
PC8.
A2 A1 B2 B1 PC2 PC1
X X X X X X
S2 S1
PC7
AN2 AN1 X
A3 B3 PC4 PC3
X X X X
PC8
X
A4 A5 B4 B5 PC6 PC5
X X S4 X X S3 X X
Figura3.15Representacindelaubicacindelossensoresdemedidaenlospanelesycubiertametlica.
Laradiacinsolarsemideconunpiranmetrocolocadosobrelaestructurasoportedelos
paneles,partesuperioralpanelA,conelfindequeseencuentreconlamismainclinacin
que los mdulos (Figura 3.14). Junto a la instalacin experimental, se dispone de una
estacin meteorolgica que nos proporciona los valores de la velocidad y direccin del
viento,temperaturayhumedadambiental,radiacindifusayglobal.Estasvariablessern
igualmenteregistradasparaelposterioranlisis.
Unoselosobjetivosdeestetrabajo,esestudiarelcomportamientoelctricodelospaneles
fotovoltaicos para diferentes configuraciones. Para ello, necesitamos medir las variables
elctricas caractersticas tales como, tensin de circuito abierto (Voc), intensidad de
119
CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE
Todaslasvariablesmedidas,sonregistradasporelsistemadeadquisicindedatosoData
Loggerconectadoalordenador.Seutilizarelsoftwareproporcionadoporelsistemapara
elregistrodetodaslasvariables,creandodosconfiguracionesparaelregistrodelosdatos.
Unadeellasquerecojalasvariablestermodinmicasyotralaselctricasdelospaneles,ya
quelafrecuenciademuestreoesdiferente.
3.2.1.2 DESCRIPCINDELAINSTRUMENTACINUTILIZADA
A continuacin se va a detallar la instrumentacin empleada en la instalacin
experimental,paraellosevaahacerunadiferenciacinentre:
A)Condicionesambientales:aquellosinstrumentosquenospermitenobtenerlosvalores
deradiacinsolaryotrasvariablesmeteorolgicasrepresentativas.
B)Variablesdeoperacin:medicindelosparmetrospropiosespecficosqueposibilitan
lacaracterizacindelainstalacinexperimentaldeestudio.
3.2.1.2.1 INSTRUMENTACINPARALAMEDIDADELASCONDICIONESAMBIENTALES
Humedadrelativa
Temperaturaambiente
Presinbaromtrica
Velocidaddelviento
Direccindelviento
Radiacinglobal
120
3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS
Radiacindifusa
TRANSMISORDEHUMEDADRELATIVAYTEMPERATURAAMBIENTE
Figura3.16Fotografadeltransmisordehumedadrelativaytemperaturaambiente.
MEDIDADELATEMPERATURA
121
CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE
ElRTDesunsensordetemperaturabasadoenelcambioderesistividadquesufren
lasestructurascristalinasdelosmetalesconlatemperatura,sucomportamientoes
aproximadamentelinealparaciertosmetales.
Un RTD se fabrica para tener un valor nominal R0 a una temperatura dada (por
ejemplo1000ohmsa0C).Almedirsuresistenciaaunatemperaturadesconociday
al compararla con R0 (valor que se debe ajustar el resistor de referencia), puede
conocerse la variacin dR. Como la caracterstica R=f(T) tambin es conocida, la
variacinderesistenciadTdesdeelpuntoinicialserconocida.
Figura3.17Curvascaractersticasdealgunosmetales.
Lasprincipalescaractersticasencontradasenelplatinoson:
Estabilidadqumica;resistenciaalaoxidacinycorrosin.
Facilidaddemanofactura.
Disponibilidaddealambredealtapureza.
Buenareproducibilidaddecaractersticaselctricas(permiteelpoderreemplazar
elelementosensorsintenerquerecalibrarelinstrumento).
Valorestpicos:100,500,1000ohms.
Identificacin: Se identifican por el metal del que se componen (segn la tabla
peridica) y la resistencia que presentan a 0C. Ejemplo; Pt100, Ni120, Cu200,
etc.
Precision de los RTD (dada alrededor de los 0C, donde es mayor): Clase A es
0.15CyClaseBes0.30C.
122
3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS
MEDIDADELAHUMEDADRELATIVA
(3.1)
La implementacin de este sensor puede ser de variadas formas, ya sea con placas
cilndricasconcntricasoplacasrectangularesparalelas.Tambinsepuedeemplearun
material higroscpico, para aumentar la concentracin de agua ente las placas. En la
Figura 3.18 Esquema de construccin del dielctricose aprecia un posible esquema de
construccin.
Figura3.18Esquemadeconstruccindeldielctrico
Seutilizaunadelasplacascomounalambreconductor,mientrasquelaotraesuna
malla fina de oro que permite el paso del gas, pero retiene impurezas. Como
dielctrico se utiliza un material higroscpico poroso (cermico) que rodea el
alambre, el cual absorbe el agua de la muestra, aumentando aun ms la constante
dielctrica del condensador, en proporcin a la humedad relativa existente. Las
relacionesentrelasvariablesfsicasquesonconsideradasenestesensorseaprecian
enlasiguientefigura.
123
CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE
Hr C Puente V
Material
Condensador Wheatstonede
Higroscpico
Condesnadores
Figura3.19Esquemadelarelacinentrelasvariablesenundielctrico.
Lasprincipalescaractersticasdelsensordemedidadehumedadrelativaytemperatura
ambiente,vienenrecogidasenlaTabla3.3
Temperatura Humedad
Ambiente Relativa
Modelo EE21FT1A56/T24
Fabricante E+EElektronik
Rango 090%
Tipodesensor Pt1000ClaseA HC1000
0,2a20C 2%hasta90%
Exactitud 0,4a0y 3%hasta
45C 100%
Histresis <2%HR
Temperaturadeoperacin 40a+60C
Dependenciadelatemperatura 0,06%HR/C
Salida 01Vcc 01Vcc
Alimentacin 1035Vcc
Temperaturadeoperacin 35a+70C 5%a100%
Tabla3.3Caractersticasdelsensordehumedadrelativaytemperaturaambiente.
Lanormativarecogequehayquerealizartresmedidasdetemperatura,ladeentraday
salida del colector y la de la temperatura ambiente, para la cual el sensor debe estar
sombreadodelaradiacinsolardirecta.Dadoqueennuestrocasonosconcierne,esto
seconseguirpormediodeunprotectoropantalladeradiacinsolar.
Eltransmisorllevacomoaccesoriounapantallaoprotectorderadiacinsolar,cuyofin
eseldeevitarqueenlatomademedidasdelahumedadrelativaydelatemperatura
afecte la radiacin solar. Actualmente existen dos tipos de apantallamiento, los que
funcionanconventilacinforzadaolosdeventilacinnatural,siendosteltimotipoel
quesedisponeenlainstalacin.
124
3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS
Figura3.20Dispositivodeproteccinalaradiacinsolar.
ElprotectorutilizadoesdelmodeloEE21,recomendadoparalautilizacinalairelibre
pues permite su uso en ambientes muy contaminados, puesto que posee una capa
especialdeproteccinparaelelementodedeteccin.Sudiseoestalquepermitela
ventilacinnaturalyfacilitaelaccesoalsensorparsumontajeydesmontaje.
TRANSMISORDEPRESINBAROMTRICA
Estetransmisor(Figura3.21)consisteenunbarmetroelectrnicoqueutilizaunsensor
piezoresistivocompuestoporunamembranacuyadeflexinnosproporcionaelvalorde
lamedidadelapresinatmosfrica.
Lasealdesalidadeestesensorestcondicionadaparaproveerunvoltajeocorriente
desalidalinealmenteproporcionalalapresinatmosfrica.
Figura3.21Transmisordepresinbaromtrica.
125
CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE
PrincipiodeOperacin
Ennuestrocasosetratadeunamembranadematerialcermicoespecial,sobrelacual
existen cuatro resistencias de medicin dispuestas en un puente de Wheatstone. Esta
membranaessometidaporunladoaunapresindesconocidayporotroestabiertaa
laatmsfera,tomndoseportantolapresinatmosfricacomoreferencia.Estapresin
desconocida provoca la flexin de la membrana y por tanto una variacin de las
resistenciasproporcionalylinealalapresinaplicada.
LaFigura3.22reflejaladisposicinelctricadeunpuentedeWheatstone,siendoRxun
valor desconocido que queremos encontrar, mientras que R1, R2, R3 son valores
conocidos(R2esunvalorvariable).Conestecircuitosebuscaelequilibrio,esdecir,que
el valor de las resistencia R1 y R2 sean igual a Rx y R3 respectivamente. Con esto se
conseguirunestadodeequilibrio(nocirculacorrienteentrelospuntosAyB).
Figura3.22EsquemaelctricodelpuentedeWheatstone.
Enelestadodeequilibriosecumplelaecuacin:
(3.2)
AlamenorvariacindeRxsemodificaelestadodeequilibrioyademsseobtieneuna
salida proporcional a la variacin existente. Esta salida normalmente suele ser
amplificada.
LaFigura3.23muestraunejemplodeunsensorpiezoresistivo.Losmaterialesdelosque
estcompuestopuedenvariarenfuncindelfabricante.
126
3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS
Figura3.23Esquemadeunsensorpiezoresistivo.
Lasprincipalesventajasquepresentaelsensorpiezoresistivoson:
Comodesventaja,podemosdestacarsupequeotamaoqueloconvierteenbastante
susceptible a las fluctuaciones de temperatura (el sensor debe tener compensada la
temperatura).
Presinbaromtrica
Modelo HD9408TBARO
Tipodesensor Piezoresistivo
Fabricante DeltaOHM
Rango 8001100mbar
Exactitud 0,4mbara20
Resolucin Infinita
Salida 05Vcc
Alimentacin 930Vcc
Temperaturadeoperacin 40a+60C
Tabla3.4Caractersticasdeltransmisordepresinbaromtrica.
127
CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE
ANEMMETRO
En los ltimos aos, se han desarrollado anemmetros ultrasnicos. Las ventajas del
sensorelicoultrasnicoson:
Esunsensornicoparamedirlavelocidadydireccindelviento.
Abarcalos360grados.
Notienepartesmviles.
Supuestaenfuncionamientoesposibleavelocidadesdearranquemuybajas,es
decir,condicionesdepocoviento.
La calibracin puede realizarse en el lugar (una simple verificacin de viento
cero).
Es de poco peso y compacto con un montaje estndar. El procesamiento
integrado con salidas digitales o analgicas permite la interfaz directa con los
sistemasactualesdemedicindeviento.
128
3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS
Figura3.24Anemmetroultrasnico.
PrincipiodeOperacin
Este anemmetro mide el tiempo utilizado por un pulso de sonido ultrasnico para
viajardesdeeltransductorNortehastaeltransductorSur,ylocomparaconeltiempo
utilizadoporunpulsoparaviajardesdeeltransductorSuralNorte.Delamismaforma
soncomparadoslostiemposentreelOesteyelEste,ydeltransductorEstealOeste.
Por ejemplo, si un viento del norte sopla, el tiempo utilizado por el pulso para viajar
desdeelNortealSursermsrpidoquedesdeSuraNorte,mientrasquelostiempos
deOesteaEsteydeEsteaOesteserniguales.Entonceslavelocidadyladireccindel
vientosepuedencalcularmediantelasdiferenciasenlostiemposdevueloencadaeje.
Esteclculoesindependientedefactorestalescomolatemperatura.
Figura3.25Esquemagrficodelfuncionamientodelanemmetroultrasnico.
Porconsiguiente,obtendremosladireccinyvelocidaddelvientoapartirdelclculodel
tiempo empleado en recibir un determinado impulso de ultrasonidos en diversas
direcciones.
129
CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE
Lascaractersticastcnicasdelanemmetroultrasnicosemuestranacontinuacin.
Anemmetro
Velocidad Direccin
Modelo Windsonic
Fabricante GillInstrumentsLtd.
Rango 060m/s 0359
Exactitud 2% 3
Resolucin 0.01m/s 1
Salida 05Vcc 05Vcc
Alimentacin 930Vcc
Proteccin IP65
Temperaturadeoperacin 35a+70C 5%a100%
Tabla3.5Caractersticasdelanemmetro.
PIRANMETROS
Enlaestacinmeteorolgicasedisponededospiranmetros;unoparalaobtencinde
laradiacinglobalyotroparalaradiacindifusa.
Estos piranmetros reciben la radiacin solar de toda la bveda celeste de forma que
con ellos se puede medir tanto la radiacin global como la difusa, si bien, para medir
estaltimaesnecesarioinstalarunabandadesombra,quebloqueelaradiacindirecta
recibidadelSol,evitandoconellolavisindeldiscosolarensurecorridodiario.
130
3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS
Figura3.26Piranmetroempleadoparalamedidadelaradiacinglobal.
PrincipiodeOperacin
Cuandoelsoliluminaalpiranmetro,laradiacinabsorbidaproduceunadisipacinde
calor hacia los bordes del disco cermico. La temperatura en el centro del disco es
mayordebidoalaresistenciatrmicadeldisco.Estadiferenciadetemperaturasgenera
una seal elctrica proporcional en origen a la propia irradiacin absorbida y de este
modosepuedecalcularelvalordelaradiacin.
Los piranmetros utilizados constan de dos cpulas, cuya funcin principales filtrar la
radiacininfrarrojaprocedentedelaatmsferaylaradiacindeondacortaprocedente
del sol, evitando que alcance el receptor (Figura 3.27). Est constituido por una
termopila, cuya unin caliente est recubierta de una pintura de alta absortividad. El
cuerpodelinstrumento,constituidoporunapiezacilndricadebronceprotegidaporun
discodeguardapintadoparareducirlaabsorcindeirradiacinsolar,alojaloscircuitos
electrnicos y sirve de sumidero de calor para la unin fra de la termopila. El
instrumentoestdotadodeundesecanteparaevitarlacondensacinenelinteriordel
instrumento y de un nivel de burbuja para facilitar la nivelacin. Mientras que su
respuesta espectral es prcticamente plana en todo intervalo de inters, la mayor
fuentedeincertidumbreessurespuestadireccional.
131
CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE
Figura3.27Esquemadelaconstitucininternadelpiranmetro.
Labandadesombradebedesercolocadaenunlugardondeseasegurelaincidenciadel
sol durante todo el periodo del ao y durante todo el momento del da, esto quiere
decirquenosepodrinstalarlabandadesombraentrerbolesoedificios,tambines
importante no instalarla cerca de tendidos elctricos y es aconsejable vallar la
instalacin.
Lainclinacinesnecesariareajustarla,dependiendodelapocadelaosernecesario
reajustarlocada5o20das.Debidoalageometradeesteaparatodemedida(Figura
3.28), la banda de sombra evita que incida sobre el sensor una parte de la radiacin
difusaprovenientedelcielo,porloqueesnecesarioaplicarunfactordecorreccinalas
medidas. Debido al carcter anistropo de la radiacin difusa, el mximo se registra
prximoalsol,hacequeladeterminacindeestefactordecorreccinseacompleja,y
se realiza mediante combinacin de consideraciones tericas y aproximaciones
empricas. En Espaa este factor de correccin se ajustar a 1.15 y se dejar fijo para
todapocadelao.
132
3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS
Figura3.28Bandadesombradelpiranmetroqueregistralaradiacindifusa.
Piranmetros
Radiacinglobal Radiacindifusa
Ndeserie 35672F3 35681F3
EPPLETLab.Inc.
Fabricante
PiranmetrotermoelctricoPSP
Clase SecondaryStandard
RangoComportamiento
20C+40C
Temperatura
Resistencia 69723C 71423C
Sensibilidad 8.97106V/Wm2 8.80106V/Wm2
AmplificadorAC420
Rangodetemperatura 20+50C
Derivadecero <0.25A/C
Derivaderango <0.01%/C
Tensindelazo 828VDC
Exactitud 0.1%
Ndeserie 09042902 09042901
0mV 4mA 0mV4mA
Calibracin 8.971mV
8.8mV14mA
13.999mA
Tabla3.6Caractersticastcnicasdelospiranmetrosyamplificadores.
133
CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE
CLULAFOTOVOLTAICA
Paralaobtencindelamedidadelaradiacinglobal,seprecisaademsdeunaclula
fotovoltaica monocristalina (Figura 3.29), a nivel comparativo con los piranmetros
espectralesdefinidos.
Un sensor fotovoltaico se compone de una clula solar que produce una corriente
elctricaproporcionalalairradiacinincidente,medianteelefectofotovoltaico.Debido
aquelarespuestaespectraldelasclulasfotovoltaicasnocoincidetotalmenteconel
espectro solar, la medida de una clula fotovoltaica es menos fiable que la de un
piranmetro termoelctrico. El objetivo que se pretende con el uso de la clula
fotovoltaicaeselconseguirsistemasacostebajoparapodercompetirconlossistemas
tradicionales.
Figura3.29Clulafotovoltaicacalibrada.
PrincipiodeOperacin
Comoseexplicenelcaptulo3,laclulafotovoltaicaesundispositivoelectrnico,que
permite convertir la radiacin solar que incide sobre ella directamente en energa
elctrica gracias al efecto fotovoltaico. Cuando la luz, que es un flujo de fotones con
determinadaenerga,incideenelmaterialsemiconductorconelquesefabricalaclula,
cadafotnpuedecedersuenergaaloselectronesdelmaterialdeformaquepueden
moverse libremente, generndose una corriente elctrica. Para poder extraer la
corriente del material de forma que sea til, es necesario generar una pequea
diferenciadepotencial(alrededorde1Voltio)entreloselectrodosdelaclula.Estose
consiguedopandoelmaterialdeformaselectiva,tipop/tipon,talycomosepresenta
enlasiguientefigura.
134
3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS
Figura3.30Principiodefuncionamientodeunaclulafotovoltaica,efectofotovoltaico.
Clulafotovoltaica
Fabricante Isofotn
Tipodesensor Fotovoltiaico
ICC(1000W/m2,25C) 3.26A
K(ICC=KGTOTAL) 3.26103A/(W/m2)
Intensidaddeoperacin 2.5A
Potenciadeoperacin 100mW
Salida 0150mW
Tabla3.7Caractersticasdelaclulafotovoltaica.
3.2.1.2.2 INSTRUMENTACINDELASVARIABLESDEOPERACINDELAINSTALACIN
Aliniciodelapartado3.2.1ademsdedescribirlainstalacinexperimental,sepresenta
lainstrumentacinnecesariaparamediryregistrarlasvariablesdeoperacin.Enesta
seccinsepretendedetallarsuprincipiodefuncionamiento,ascomosuscaractersticas
tcnicas.Losaparatosdemedidayregistroson:
135
CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE
basaenlavariacindelaresistenciadelplatinoconlatemperatura.Sehaescogidoeste
tipo de sonda por estar compuesta por una lmina robusta de goma de silicona
adhesiva, y en cuyo interior, se encuentra el elemento sensor. Consta de 2 metros de
cableaisladoconteflnenmalladeaceroinoxidable.
Figura3.31SondaflexiblePt100utilizadaparamedirlatemperaturadelacaraposteriordelosmdulos
fotovoltaicos
PrincipiodeOperacin
Eldetectordetemperaturaderesistencia(RTD)sebasaenelprincipiosegnelcualla
resistenciadetodoslosmetalesdependedelatemperatura.Laeleccindelplatinoen
los RTD de la mxima calidad permite realizar medidas ms exactas y estables hasta
unatemperaturadeaproximadamente500C.
Una posible desventaja, que afecta al uso de este dispositivo para medir la
temperatura, es la resistencia de los RTD. Al ser tan baja, la resistencia de los hilos
conductores que conectan el sensor puede provocar errores importantes. En la
denominada tcnica de dos hilos (Figura 3.32a), la resistencia se mide en los
terminales del sistema de adquisicin de datos, por lo que la resistencia de los hilos
forma parte de la cantidad desconocida que se pretende medir. Por el contrario, la
medicinacuatrohilos(Figura3.32b)midelaresistenciaenlosterminalesdelsensor,
conlocuallaresistenciadeloshilosquedaeliminadadelamedida.Lacontrapartidaes
que se necesita el doble de cables y el doble de canales de adquisicin de datos.
Tambin es posible medir usando tres hilos, eliminando un cable, opcin que ofrece
unasolucinintermediaperonoestanprecisa.
136
3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS
a) b)
Figura3.32Principiodefuncionamientodeldetectordetemperaturaporresistencia.a)Conexinados
hilos.b)Conexinacuatrohilos.
Lascaractersticasdelassondasdetemperaturadecontactodescritassemuestranenla
siguientetabla.
Temperaturadecontacto
Modelo Pt100FlexibleAdhesivaRobusta
Fabricante TCDirect
Tiposensor Pt100ClaseB(IEC60751)
Configuracin 4hilos
EncapsuladoSensor Flexibledesiliconaconunacara
adhesiva
Cableconexin 2metrosaisladoconteflnen
mallametlicadeaceroinoxidable
Rangodefuncionamiento 50a+150C
Tabla3.8Especificacionesdelasondadetemperaturadecontacto.
TRANSMISORDETEMPERATURADELAIREENELCANAL
Lamedidadelatemperaturadelairequecirculaporelconductocreadoentreelpanel
fotovoltaico y la placa metlica se realiza mediante detectores de temperatura por
resistenciaPt100,degranprecisin,basndoseenelmismoprincipiodeoperacinque
lasanterioresdescritas,enlavariacindelaresistenciadelplatinoconlatemperatura.El
sensorseencuentraenlosprimeros20mmdelavainadeaceroinoxidablede250mmde
longitudydimetrode3mm.
Figura3.33SondadetemperaturaPt100paramedirlatemperaturadelaireenelcanal.
Lascaractersticastcnicasdelassondasutilizadasson:
137
CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE
Temperaturadecontacto
Modelo Pt100Precisin
Fabricante TCDirect
Tiposensor Pt100ClaseA(IEC60751)
Configuracin 4hilos
Encapsuladosensor VainaenaceroinoxidableAISI316,
dimetro3mmcon250mmlongitud
Cableconexin 2metrosaisladoconPFA
Precisin 0.06C
Rangodefuncionamiento 50a+250C
Tabla3.9Especificacionesdelasondadetemperaturadeaireenelconducto.
ANEMOMETROS
Figura3.34Anemmetrodeplacacalienteparamedirlavelocidaddeaireenelinteriordelcanal.
138
3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS
PrincipiodeOperacin
Elfenmenoenquesebasanlosanemmetrosdehilocalienteeselefectorefrigerante
que produce sobre un alambre que tiene una temperatura superior a la del fluido
circundante.Cuandocirculaunacorrientedeaire,seproduceunintercambiodecalor
entre el fluido y la sonda, dependiendo la cantidad de calor intercambiando con la
velocidaddelfluido.Comolaconductividaddelosmetalesdependedesutemperatura,
puede calibrarse el dispositivo para que en funcin de la temperatura de equilibrio
alcanzada y por la variacin de intensidad circulando por el hilo pueda medirse la
velocidaddedichacorrienteincidente.Lacorrientedeaireproduciraunadisminucin
enlatemperaturadelasonda,sinembargosehaceunaretroalimentacindemanera
quelatemperaturanobaje,loqueselograconunincrementoenlapotenciaconquese
alimentaalasonda.Lassondasdehilocalientesefabricandeplatinootungsteno,ode
aleaciones entre ellas, ya que estos materiales tienen la caracterstica de que su
resistenciaesproporcionalalatemperatura.Existeunavariante,lassondasdepelcula
olminacaliente,queconsistenenpelculasdelgadasquesedepositanenunsustrato
cilndrico[73].
Anemmetro
Conveccin Conveccin
Natural Forzada
Modelo EE66C EE65C
Fabricante E+EELECTRONIK
Rango 02m/s 020m/s
(0.06m/s
Exactitud (0.2m/s+3%)
+2%)2%
010Vcc 010Vcc
Salida
420mA 420mA
Alimentacin 24AC/DC20%
Proteccin PolicarbonatoIP65Nema4
Temperaturadeoperacin 30a60C
Tabla3.10Especificacionestcnicasdelostransductoresdelavelocidaddelaireenelcanal.
CARGAELECTRNICAPARAPANELESSOLARES
ParaobtenerlacurvacaractersticaIVdeunpanelsolar,estedeberestarconectadoa
unacargavariablequepermitaabsorberlaenergaquegenereensusdiferentespuntos
de funcionamiento. Con tal fin, el Departamento de Tecnologa Electrnica de la
UniversidadPolitcnicadeCartagenahadiseadounacargaelectrnicaquepodrser
controlada desde un ordenador personal, permitiendo trabajar en dos modos de
funcionamiento,acorrienteconstanteyatensinconstante.
139
CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE
Figura3.35Cargaelectrnicaparaobtenerlacurvacaractersticadelospanelesfotovoltaicos.
Lascaractersticasdeestacargason:
Cargaelectrnica:CurvaIV
Fabricante UPCT
Tensindefuncionamiento 0100V
Corrientedepico 25A
Potenciamxima 300W
Salida 01V
025A
Precisin 0.0050V
0.0054A
Rangodefuncionamiento 20a+150C
Tabla3.11Caractersticasdelacargaelectrnica.
SISTEMADEADQUISICINDEDATOS
El data logger 34980A es una unidad de medida compacta, econmico y una solucin
pararecogerunaaltadensidaddemedidasenaplicacionesdeverificacindediseo,de
pruebas automatizadas y de adquisicin de datos. Una computadora central puede
140
3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS
Figura3.36Sistemadeadquisicindedatos,datalogger34980A.
El Data logger 34980A tiene capacidad para 8 mdulos para darle la flexibilidad que
necesita.Sepuedeelegirentre21mdulosdiferentesparadefinirlaconfiguracinque
se desee segn las necesidades permitiendo as medir la temperatura, intensidad y
voltajeACoDC,resistencia,frecuencia....
Elmdulomultiplexorelegidoparaincorporaralsistemadeadquisicinesel34921A,al
serelnicoquenosofrecelaposibilidaddederecogertodotipodemedidas,voltajey
corrienteAC/DC,frecuencia/periodo,Resistenciasa2y4hilos,termopares,termistores
y RTD a 2 y 4 hilos. Cuenta con 40 canales a configurar a 2 o 4 hilos y 4 canales de
corriente.
Cuyascaractersticasprincipalesvienenrecogidasenlasiguientetabla:
Tarjetamultiplexora34921A
Canales/configuracin 402hilos
204hilos
4corriente
Caractersticasentrada(porcanal)
Mximovoltage 300V
Mximacorriente(DC,ACRMS) 1A
Potencia 60W
VoltHertzlimite 108
Especificacionesgenerales
Velocidadtesteo 100canales/sec
TiempoAbrir/cerrarl 4ms/4ms
Tabla3.12Especificacionesdelatarjetamultiplexora34921A.
141
CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE
DescripcindelSoftwareparalaadquisicindedatos
ElsoftwareAgilentBenchLinkDataLoggerproporcionaunformaconvenienteparael
controldeinstrumentos,recolectaryanalizardatos.Elcontrol,recogidadedatosyla
tomadedecisionesquesiempreharequeridoconocimientosdeprogramacin,ahora
puede hacerse de forma fcil, con el uso de hojas de clculo. El software utiliza un
entornodehojasdeclculofamiliar,laracionalizacindelasnecesidadesdepruebay
medicin.Simplementehayqueidentificarlasmedidasquedeseeadquirir,iniciarel
proceso, y ver los datos mostrados en la pantalla del ordenador. Se pueden utilizar
muchas opciones para analizar y mostrar los datos, histogramas con anlisis
estadsticos,grficosdebarrasydedispersin,resultadosdeloscanalesindividualeso
enconjuntoymuchoms.
Ademsdeestascaractersticasdegranalcance,DataLoggersoftware,presentauna
gran funcionalidad, con caractersticas adicionales que se describen en las siguientes
pginas.
Unavezquesetienenlatarjetamultiplexoraconectadaalainstrumentacin,eldata
logger encendido y conectado al PC, se proceder a la configuracin de cada
instrumento en su canal correspondiente, a la recogida de datos, representacin
grfica mediante el uso del software mencionado. La ventana principal que nos
aparece,presentaesteaspecto:
Figura3.37VentanaprincipaldeBenchlinkDataLogger.
Loprimerodetodo,sedebecrearunaconfiguracin,lacualrecogertodoloquese
programe en los diversos canales permitiendo en veces posteriores acceder a ella y
hacerloscambiosqueseveanoportunos.Paraello,seharclickenConfiguration,que
se encuentra en la barra de men, seleccionando New Configuration a la que le
daremoselnombrequesedesee.
142
3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS
Figura3.38Crearunanuevaconfiguracin.
Una vez creada la configuracin, hay que identificar cada uno de los instrumentos y
aadirlosensucanalcorrespondiente.DentrodelapestaaConfigureInstrument,se
selecciona la opcin Connected Instrument y se pincha en Add Instrument. Nos
aparecer una nueva pantalla, tal y como se muestra en la Figura 3.39. Para poder
buscar nuestra tarjeta, se le dar a Find, en la tabla se mostrar la tarjeta que haya
encontradoenelsistemadeadquisicin,seleccionamosypinchamosenConnect.
Figura3.39Ventanadeconfiguracin.
Una vez conectado se mostraran todos los canales de las tarjetas que se hayan
introducido en el data logger. El siguiente paso es ir configurando la instrumentacin
con cada canal, seleccionando aquellos que se quieran registrar, asignndole un
nombre,lamedidadecadainstrumento,loslmitesdemedida
143
CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE
Figura3.40Ventanaquemuestraloscanalesconectadosypermitesuconfiguracin.
DentrodelapestaadeScanList,sedebenseleccionarloscanalesaconfigurar,ensu
correspondiente cuadradito de la columna Scan. En la siguiente columna, Name, nos
permite introducir el nombre del canal que corresponder con la instrumentacin
conectada. La medida se seleccionar en la columna anexa, eligiendo de entre las
opcionesqueaparecen.
Acontinuacin,sedebepincharlapestaaScanandLogData,(Figura3.41)enlacual
nospermitirelegirloscanalesydatosaregistrar,dondeexportarlos,eltiempoquese
deseaestartesteando,intervalosdetiempoenlatomademedidas.
144
3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS
Figura3.41Ventanadeconfiguracinlasopcionesparaelregistrodedatos.
EnelcuadrodedialogoScanControl,tenemosvariosbotonesquenospermitendecidir
eltiempodeescaneo,elnmerodededatosquesequierenrecoger,loscanalesquese
desean testear. Tan solo hay que escogiendo lo que se desee antes de empezar el
registro.
Seleccionada todas las variables, por ltimo hay que pinchar en el botn Start y se
comienzael escaneo de los canales que se han configurado. En funcin de los valores
que se hayas escogido en el Data Control, el anlisis parar en el tiempo asignado o
continuaraindefinidamentehastaquesepresioneelbotnStop.
Una vez finalizado el escaneo, automticamente aparece una ventana, Scan and Log
Summary,(Figura3.42).Desdeellasepuedemodificarelnombredelregistrodedatos,
propietario,comentariosyademssetienentodaslasopcionesparalaexportacinde
datos. Una vez seleccionado la carpeta y el nombre del registro, se le da a cerrar.
AutomticamenteseguardaunahojaExcellcontodoelregistrodedatos.
145
CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE
Figura3.42Ventanaresumenconlosdatosrecogidosyopcionesdeexportacin.
Por ltimo, se pueden visualiza los datos mediante grficas pinchando el botn Quick
Graph.Estaventanatemuestralosdatostesteadosalolargodeltiempodemuestroy
presenta diversas funciones para cambiar el color, la escala a cada canal, datos de la
leyenda.
Figura3.43Representacingrficadelasvariablesmedidas.
146
3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS
3.2.2 INSTALACINFOTOVOLTAICAEXPERIMENTALSOBRELACUBIERTADE
INVERNADEROS
Eldiseodeestainstalacinexperimentalestinspiradoenlainstalacinagroenergtica
CoronilIVdescritaenunaseccinanterior.Lainstalacindeensayoconsisteenunarplica
de una unidad estructural de la instalacin comercial, constituida por una estructura
metlica destinada a soportar cuatro mdulos fotovoltaicos sobre la cubierta del
invernadero. La instalacin experimental constituida por paneles del mismo fabricante,
idnticascaracterstica,colocadosaidnticainclinacin,ylaestructurasoporteseprocur
quefueralomsfielposiblealaoriginal.
Estainstalacinexperimental,aligualquelainstalacinoriginaldereferencia,disponede
unespaciolibreentrelacubiertadelinvernaderoylospanelesfotovoltaicos,permitiendo
el paso de aire a travs de un canal divergente a travs del cual, se crear un efecto
chimenea mediante conveccin natural. Se ha incorporado en su interior un calefactor,
controlado con un PID, para simular diferentes condiciones de temperaturas internas del
invernadero.
Una vez obtenidos los resultados para estas condiciones, se plantearan diferentes
configuraciones estructurales que persigan una mejora en la produccin elctrica.
Considerando la dependencia de la eficiencia elctrica del panel con su temperatura de
funcionamiento, las configuraciones adoptadas pretenden reducir la temperatura de los
mdulos que a priori parece estar afectada en mayor o menor medida, por el reducido
espacio entre la cubierta de plstico y los paneles, y por la transferencia de calor del
interiordelinvernadero.Porello,sehanadoptadodosseccionesdepasodeaireentrelos
mdulos y el plstico, la que marcaba el diseo de la instalacin original y otra mayor, y
adems,paracadauna,sehaincorporadounmaterialaislantesobreelplsticoevitandola
transferencia de calor a su travs. Esta combinacin, resulta un total de cuatro
configuracionesdiferentes,paradosseccionesdepasodeaire,cadaunaconosinaislante.
147
CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE
3.2.2.1 DISEOCONSTRUCTIVODELAINSTALACIN
Lainstalacinexperimentalconsisteenunaestructurametlicaqueasuvezsoportaa
loscuatropanelesfotovoltaicosquesesitanenlacubiertadedichoinvernadero.Como
semencion,eldiseoseinspirenelutilizadoenlainstalacinagroenergticaCoronil
IV,conelfindemontarunarplicadeunaunidadestructuraldelainstalacinoriginal.La
instalacin experimental constituida por paneles del mismo fabricante, idnticas
caractersticas, colocados a idntica inclinacin, y la estructura soporte se procur que
fueralomsfielposiblealaoriginal.
Figura3.44FotografaareadelainstalacinagroenergticaCoronilIV.
148
3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS
Figura3.45Alzadodelplanoenelqueseaprecialaconfiguracindelinvernaderoypaneles.
Sinembargo,lainstalacinexperimentalrepresentasolamentelaunidadconstructivaen
El Coronil IV, la cual se repite en ambas direcciones para dar forma la instalacin
fotovoltaica.Otroscondicionantes,comolaelevacindelospanelessobreelterreno,las
condicionesexactasdecerramientooelhechodelusoonocomouninvernaderoreal,
difierendeunaaotrainstalacin.Siempre,sehaprocuradoquelacombinacindetodas
las variables reflejen unas condiciones de trabajo tales, que los resultados que se
obtengan sean los ms cercanos posibles a la realidad para que sean de aplicacin las
conclusionesobtenidasdeellos.
Figura3.46Invernaderodereferencia,CoronilIVeinstalacinexperimental.
149
CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE
La estructura metlica consta de dos tipos diferentes de perfiles, los que constituyen la
estructura base, pintados en color verde en la Figura 3.47 y los que sostienen a los
paneles,representadosdecolorrojoenlamisma.Ambosperfiles,aligualqueelrestose
elementos de fijacin, unin y elevacin utilizados en el montaje, han sido
proporcionadosporlaempresaHilti,quienhizolascorrespondientescomprobacionesde
resistenciaaflexinypandeo,paralaestructuradiseada.
Figura3.47Esquemadelaestructuraconidentificacindelosperfiles(izquierda)yfotografadelaestructura
construida(derecha).
MQ41F
Carril simple, utilizado como perfil para la estructura
base,coloreadoencolorverdeenelesquema.
Altura:41.3mm
Espesor:2mm
Peso:2.13kg/m
150
3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS
MQ5272DF
Carrildobleutilizadocomoperfilsoportedelospaneles,
sobrelaestructurabase(representadoencolorrojo).
Altura:124mm
Espesor:2.5/2.75mm
Peso:7.08kg/m
ANGULARDETRESSALIDASMQV33DF
Esteelementopermitelatripleunindelosperfiles1y
4con9,1y2con10,2y3con11ylasbarras3,4con
12.
La unin entre los carriles y estas piezas se estableci
empleando la tornillera adecuada, M10x25F, mostrada
en la figura. Este tipo de tornillera incluye sus
respectivastuercasotuercascarril(MQNHDG).
ESCUADRADE90MQWS/1F
Estasescuadraspermitenlaunindelosperfiles5y10;
5 y 9; 7 y 11; 7 y 12 mediante la misma tornillera
descritaanteriormente.
Altura:198mm
BASEGIRATORIAMQPGF
Consta de dos piezas unidas con bisagras que le
permitenungirodecasi180.Sehanutilizadoparaunir
los perfiles inclinados 6 y 8 con los sus verticales
colindantesenambosextremos;10,11con6y9,12con
8.
Peso:1055g
151
CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE
PINZATERMINALMSPMQEC50
Estas pinzas estn diseadas para la sujecin de los
mdulos fotovoltaicos a las correas MQ41F, de la
estructurasoporte.
Grosormximo:50mm
Figura3.48Descripcindelosperfilesyelementosdeuninutilizadosenelmontajedelaestructura.
Figura3.49Alzadoyperfildelaestructurametlicaconlasdimensionesenmm.
LarazndesuusosedebealacaractersticamsdestacadelPolietileno,elalargamiento
en el punto de rotura es bastante elevado, adems de que su transmisividad a la
radiacinsolaresbuena,aunquedisminuyeconeltiempoalensuciarseyenvejecer.La
vidadelPolietilenosepuedealargarmedianteelusodeaditivosquelimitenlaaccinde
laradiacinultravioleta,resultandoelpolietilenodemayorduracin.ElPolietilenoposee
unabajaopacidadalinfrarrojo,peroigualmentemedianteelusodeaditivosseconsigue
queelmaterialabsorbalaradiacinenesafranjayasfavorecerelefectoinvernadero,es
elllamadoPolietilenotrmico.
152
3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS
El nombre comercial del plstico colocado es INDASOL PLUS, fabricado por ASPLA,
PlsticosEspaolesS.A.,conunespesorde0.2mmyunadensidadde960kg/m3.Enla
siguientetablaserecogensusprincipalescaractersticas.
Tabla3.13Propiedadesdelplsticoempleadoenlainstalacinexperimental.
Lospaneleshansidoconectadosenseriedosados,esdecirelpanel1conel2(grupoA)y
el panel 3 con el 4 (grupo B), tal y como se muestra en la Figura 3.50. La razn de
establecerestaconexinsedebeaseguirlamismaqueenlainstalacindeCoronilIV.Por
tanto,setienendossalidas(doscablespositivosydosnegativos)queseconectanados
153
CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE
cargas electrnicas que nos proporcionarn las curvas caractersticas de cada par de
panelesconectadosenserie.
Figura3.50Gruposdepanelesfotovoltaicosyesquemadeconexin.
Lasdosconfiguracionesrestantespresentanuncanaldepasodeairedemayorseccina
las anteriores, diferencindose entre ellas en que el canal de aire de la configuracin 3
est comprendido entre los paneles fotovoltaicos y la cubierta de plstico y en la
configuracin4entrelosmdulosyelmaterialaislante.Elespesordelcanaldeaireen
ambasconfiguracionesnoesexactamentedelasmismas dimensiones,debidoa quese
harespetadoeldiseo delaestructurainicial,ystenonoshapermitidoestablecerla
misma separacin a la entrada al colocar el aislante. Las dimensiones de ambas
separacionessonde50cmparalaconfiguracin3(cubiertadeplstico)yde40cmenla
configuracin4(cubiertadeaislante).EnlaFigura3.51semuestranlaprimeraycuarta
configuracin.
Adems,sehacolocadouncalefactorenelhuecointeriordelaestructura(invernadero).
EstecalefactorconectadoaunPID(Watlow)yreguladordeintensidadelctrica(Watlow
154
3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS
Figura3.51Fotografasdedosconfiguracionesestudiadas.Izquierda:Primeraconfiguracinconmenor
seccindeairedepasoyconcubiertadeplstico.Derecha:cuartaconfiguracinconcanaldeairedemayor
seccinyconaislantesobrelacubierta.
Enelcanaldeaireentrelospanelesylacubierta,biendeplsticoodeaislante,seubican
cuatrosondasdetemperatura,dosenlaentrada(S3yS4)ydosalasalida(S1yS2)auna
distanciade80cmdelaentradaysalidatalycomosemuestraenlaFigura3.52a.Estos
155
CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE
sensoresnosinformandelatemperaturadelaireenelcanal.Elcaudaldeaireseobtiene
a partir de la velocidad registrada por los 4 anemmetros, colocados dos en la entrada
(AN3 y AN4) y dos en la salida (AN1 y AN2), cercanos a las sondas de temperatura,
alejadosdelaseccindeentradaydeloslateralesdelcanalevitandoperturbacionesen
ladistribucindevelocidades.
LatemperaturadelacubiertadeplsticoesmedidaporPt100adhesivas,similaresalas
utilizadas para medir la temperatura del panel. Se han utilizado un total de 12 sondas,
colocadassimtricamentealasdelospanelesfotovoltaicos(Figura3.52b).Estossensores
se han denominado de forma similar a las de los paneles de modo que las tres sondas
adheridas al plstico bajo el panel 1 son PL1.1, PL1.2 y PL1.3, las simtricas al panel 2
PL2.1,PL2.2,PL2.3yassucesivamente.
Por ltimo, nos queda mencionar los sensores utilizados en el interior del invernadero
para medir la temperatura alcanzada en l. Se han colocado cuatro sondas de
temperatura, similares a las ubicadas en el canal de aire, sobre unos soportes que las
elevandelsueloylasposicionaamediaaltura,permitiendoasmedirlatemperaturadel
interior de forma ms precisa, sin interferir la temperatura del suelo o cubierta. Estos
sensoresdehandenominadocomoSI1,SI2,SI3ySI4(Figura3.52c).
a) b) c)
Figura3.52Ubicacindelossensoresutilizadosenlainstalacinexperimental.a)Sensoresemplazadosen
elcanaldeaireyadheridosalospaneles.b)Sensoresadheridosalacubiertadeplstico.c)Sondasde
temperaturaenelinteriordelinvernadero.
156
3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS
Lasvariableselctricasdelospanelesfotovoltaicossonmedidasdelamismaformaque
semidieronenlainstalacinexperimentalanteriormentedescrita,utilizandolasmismas
cargaselectrnicas.Enestainstalacin,cadacarganosmostrarlacurvacaractersticade
dospanelesfotovoltaicosconectadosenserie.Deellapodremosobtenerlosvaloresde
tensin de circuito abierto (Voc), intensidad de cortocircuito (Isc) y el punto de mxima
potencia(Pm).
Todaslasvariablesmedidassonregistradasporelmismosistemadeadquisicindedatos
conectado al ordenador, para poder tratarlos y analizarlos posteriormente. El
procedimiento llevado a cabo en el registro de las variables ha sido similar a la
metodologautilizadaenlaanteriorinstalacinexperimental.Deestemodo,recogemos
lasvariablestermodinmicasenunficheroindependientealdelasvariableselctricasde
lospaneles,alpresentarunafrecuenciademuestreodistinta.
3.2.2.2 DESCRIPCINDELAINSTRUMENTACINUTILIZADA
A continuacin se va a detallar la instrumentacin empleada en la instalacin
experimentaldescrita,paraellosevaahacerunadiferenciacinentre:
A)Condicionesambientales:aquellosinstrumentosquenospermitenobtenerlosvalores
deradiacinsolaryelrestodevariablesmeteorolgicasrepresentativas.
B)Variablesdeoperacin:medicindelosparmetrospropiosespecficosqueposibilitan
lacaracterizacindelainstalacinexperimentaldeestudio.
3.2.2.2.1 INSTRUMENTACINPARALAMEDIDADELASCONDICIONESAMBIENTALES
Los aparatos de medida utilizados son los mismos que los presentados en la estacin
meteorolgica descrita en el 3.2.1.1 Las condiciones ambientales medidas en esta
instalacinexperimentalson:
Humedadrelativa
Temperaturaambiente
Velocidaddelviento
157
CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE
Direccindelviento
Radiacinglobalydufusa
Estos sensores presentan las mismas caractersticas que los descritos en la instalacin
anterior,incluidasenlastablas;Tabla3.3,Tabla3.4yTabla3.5.Lanicadiferenciaessu
emplazamiento.Lossensoresdehumedadytemperaturaambienteyelanemmetrose
han colocado en las inmediaciones de la instalacin, para recoger los valores de las
medidasdeunamaneramsexactayprecisa.
Enestaseccinnoincluiremosdenuevoelprincipiodefuncionamientodecadauno,as
comosusespecificacionestcnicas,tanslodescribiremossuubicacinyutilizacin.El
sensordetemperaturayhumedadrelativasehacolocadoenunlateraldelfrontaldela
instalacin,juntoalpanel1,talycomosemuestraenlaFigura3.53.Sehautilizadoel
mismo modelo que se dispona en la estacin meteorolgica (EE21) por ser
recomendadoparalautilizacinalairelibre,alposeerunelementodeproteccinypor
su sencillo diseo permitiendo la ventilacin natural y facilitando el acceso al sensor
parasumontajeydesmontaje.
Figura3.53Transmisordelatemperaturaambienteysuubicacinenlainstalacinexperimental.
Lavelocidadydireccindelvientosemideutilizandounanemmetroultrasnico,cuya
principalventajaesqueempleaunsensornicosinpartesmvilesparalaobtencinde
ambas medidas, abarcando los 360 y presenta una puesta en funcionamiento en
condiciones de poco tiempo. Adems es un sensor ligero y compacto con un montaje
estndar.Elanemmetrosehacolocadoenelcentrodelapartesuperiordelacubierta,
juntoalpanel4,elevndolounos40cmdelplanoenelqueestnlospaneles,conelfin
deevitarcualquierperturbacinytenerunosvalorescorrectos(Figura3.54).
158
3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS
Figura3.54AnemmetroWindsonicysuubicacinenlainstalacinexperimental.
Elpiranmetrofijadoenlainstalacinanterior,nosehacambiadodeubicacinpuesto
que ambas se encuentran muy prximas y con la misma orientacin. Lo que si se ha
modificado ha sido su inclinacin, adoptndole la que tienen los paneles sobre el
invernadero(22).
3.2.2.2.2 INSTRUMENTACINDELASVARIABLESDEOPERACINDELAINSTALACIN
Lostransmisoresdetemperaturadecontacto(panelesyplstico),anemmetros,carga
electrnicaysistemadeadquisicindedatossonlossensoresdefinidosenlainstalacin
anterior. Sus especificaciones tcnicas se mostraron en las tablas; Tabla 3.8,Tabla 3.10,
Tabla3.11yTabla3.12.Acontinuacin,sedescribenelrestodesensores:transmisorde
temperaturadeaireenelcanalyenelinteriordelinvernadero,aerotermo,yelsistema
decontrolPIDDinamite.
159
CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE
Figura3.55Transmisordelatemperaturadelairetantoenelcanalcomoenelinteriordelinvernadero.
PrincipiodeOperacin
ElRTDesunsensordetemperaturabasadoenelcambioderesistividadquesufren
lasestructurascristalinasdelosmetalesconlatemperatura,sucomportamientoes
aproximadamentelinealparaciertosmetales.
Un RTD se fabrica para tener un valor nominal R0 a una temperatura dada (por
ejemplo1000ohmsa0C).Almedirsuresistenciaaunatemperaturadesconociday
al compararla con R0 (valor que se debe ajustar el resistor de referencia), puede
conocerse la variacin dR. Como la caracterstica R=f(T) tambin es conocida, la
variacinderesistenciadTdesdeelpuntoinicialserconocida.
160
3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS
Figura3.56Curvascaractersticasdealgunosmetales.
Lasprincipalescaractersticasencontradasenelplatinoson:
Estabilidadqumica;resistenciaalaoxidacinycorrosin.
Facilidaddemanofactura.
Disponibilidaddealambredealtapureza.
Buenareproducibilidaddecaractersticaselctricas(permiteelpoderreemplazar
elelementosensorsintenerquerecalibrarelinstrumento).
Valorestpicos:100,500,1000ohms.
Identificacin: Se identifican por el metal del que se componen (segn la tabla
peridica) y la resistencia que presentan a 0C. Ejemplo; Pt100, Ni120, Cu200,
etc.
Precision de los RTD (dada alrededor de los 0C, donde es mayor): Clase A es
0.15CyClaseBes0.30C.
Temperaturainterior
invernaderoydelaire
Modelo EE16
Fabricante E+EElektronik
Rango 25Ca60C
Tipodesensor Pt1000ClaseA
Exactitud 0,3Ca20C
Temperaturadeoperacin 5Ca50C
161
CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE
Salida 010Vcc
Alimentacin 1035Vcc
Temperaturadeoperacin 35a+70C
Tabla3.14Caractersticasdelsensordetemperaturadelaireenelcanalyenelinteriordelinvernadero.
AEROTERMO
Figura3.57Aerotermoparacalentarelinteriordelinvernadero.
Aerotermo
Modelo EC3N
Fabricante Soler&Palau
Potenciatotal 3033W
Potenciacalefaccin 3000W
Caudalventilador 350m3/h
Velocidadventilador 1300r.p.m.
Proteccionsalpicaduras IP24
Tabla3.15Caractersticastcnicasdelaerotermo.
SISTEMADECONTROL:PIDyDINAMITE
Comosehamencionado,sedisponedeunP.I.D.ydeunreguladordeintensidadconel
fin de fijar una temperatura en el interior del invernadero, superior a la existente. La
temperatura deseada se introduce en el PID, el cual est conectado a una sonda que
midelatemperaturaenelinterior.ElPIDcompararambosvaloresysilaexistenteen
elinteriordelinvernaderoesinferioralafijada,mandarunasealalDINAMITEpara
162
3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS
que acte sobre la corriente de alimentacin del calefactor, de la red, para que por
aproximacionessucesivasseconsigalatemperaturadeseada.Eldiagramadeconexin
semuestraacontinuacin.
Figura3.58DiagramadeconexinentreDINAMITEyPID.
Susprincipalescaractersticasseincluyenacontinuacin.
PID Dinamite
Modelo Serie96 StyleA
Fabricante Watlow
Monofsico,mximo
Alimentacin 18Aa50Ccarga 100240V(CA)
resistiva
Rangode 10C50C 18C65C
funcionamiento 090%HR 090%HR
Tabla3.16CaractersticastcnicasdelPIDyDinamite.
3.2.3 CONCLUSIONES(CONCLUSIONS)
SehandescritolasinstalacionesexperimentalesdiseadasyconstruidasenlaUniversidad
PolitcnicadeCartagena,objetodeestudio.Sedescribesudiseoconstructivotantopara
la configuracin prototipo fiel a la instalacin comercial de referencia, como para otras
configuraciones propuestas, con el propsito de estudiar una posible mejora en el
comportamientoelctricodelosmdulosfotovoltaicos,mediantelarefrigeracinconaire
163
CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE
CONCLUSIONS
The experimental facilities which were designed and built for the study have been
described. The description includes the structural design for the prototype configuration
which is similar to the reference configuration of a commercial facility, as well as other
proposed configurations. This was in order to study a possible improvement in the
electrical performance of photovoltaic modules, by air cooling through their back face
taking advantage of the chimney effect created. Furthermore, the descriptions and
characteristicsofthesensorsandinstrumentationsusedtomeasureandregisterthedata
havebeenincluded.
The first experimental facility consisted of two photovoltaic modules which are mounted
onafixedstructure,withthesameslopeorpitchangleandorientation.Apanelwasplaced
aboveasteelplate,withanairchannelunderneaththepanel.Theothermodule,without
anysurfaceunderneathit,wasconsideredasthereferencepanelworkingunderthesame
environmental conditions to compare both electrical functions. This study describes the
differentanalysedconfigurations,thecollocationofallsensorsandthecharacteristicofthe
instrumentationsused.
164
3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS
The second experimental facility has been designed and built true to the commercial
agroenergeticfacility(CoronilIV)fromwhichthestructuralunitwaschosen:consistedofa
metalstructuretosupportfourphotovoltaicmodulesontheplasticgreenhouseroof.The
designed prototype and the original facility contained a space between the roof and the
photovoltaicmoduleswhichallowedtheaircirculationthroughadivergentchannelbythe
chimney effect created by natural convection. The design of the experimental facility
allowed variation in the inlet air section, whose purpose was to compare the panels
functioningineachcase,aswellastheplasticroofwaschangedbyaninsulationmaterial
for each studied section. The different configurations, the sensors collocation and
characteristichavebeendescribedindetail.
165
166
DESCRIPCINDELAMETODOLOGALLEVADAACABOENELREGISTRODEDATOSE
INCERTIDUMBREDELASVARIABLES
CAPITULO4. DESCRIPCINDELAMETODOLOGALLEVADAA
CABOENELREGISTRODEDATOSEINCERTIDUMBREDELAS
VARIABLES
Una vez presentadas las instalaciones experimentales y las diferentes configuraciones que
sernobjetodeanlisis,sevaadescribirelprocesollevadoacaboenlatomadedatosen
ambasinstalaciones,incluyendoademslasincertidumbresobtenidasdetodaslasvariables
queintervienenenelanlisis.
Las medidas de las variables se han procurado registrar en das soleados y con buenas
condiciones ambientales, escogiendo los meses de mayor radiacin solar y temperatura
ambiente, a fin de poder evaluar la influencia de la temperatura en el comportamiento
elctrico de los paneles. No obstante, los datos de todas las variables recogidas son
previamenteestudiadosparaverificarsilasmedidasdiariassonvlidasparaelanlisisoen
casocontrariorechazarlos.
Con el fin de asegurar de forma cuantitativa la calidad de los valores de las variables
obtenidas, se ha realizado su correspondiente anlisis de incertidumbre. En este captulo
adems se presentan los procedimientos llevados a cabo para calcular tanto las
incertidumbres tpicas de las variables primarias, medidas directamente, como la
incertidumbre tpica combinada de las variables que dependen de las anteriores, y as
obtenersuscorrespondientesestimaciones.
167
4.1 METODOLOGIAENELREGISTRODEDATOS
Elconjuntodetodaslasvariablesdeestudiomedidasencadainstalacinsedescribieronen
elcaptuloanterior,secciones3.2.1.1y3.2.2.1.Eltratamientodelosdatosseharealizadode
forma automtica, utilizando el software de Labview y un cdigo implementado que se
encarga de recoger pares de valores medidos cada 15 minutos, obtener su media y
registrarloscronolgicamenteenunahojadeclculodiariamente.Paramedirlasvariables
elctricasdelpanel,serequieredarunasealdedisparoalacargaelectrnicaparatrazarla
curvacaractersticaeneseinstanteydeellaobtenerlosparmetrosdefuncionamiento.Su
funcionamientoseactivaatravsdeunatarjetadeNationalInstrument.
Figura4.1Fotografadelatarjetautilizadaparaeldisparodelacargaelectrnica.
Elprocesodeadquisicinytratamientodedatos,paracadainstalacin,sehandivididoen
dos grupos. Un primer grupo engloba todas las variables termodinmicas, tales como
temperaturas de panel, del aire en elcanal, velocidades, radiacin solar, etc. yelsegundo
grupocontienelasvariableselctricascaractersticasdelospanelesfotovoltaicos.Elhecho
desepararlasensumedicinyregistrosedebeaquetodaslasvariablesdelprimergrupo
medidas requieren menor frecuencia de muestreo que las del segundo grupo, para
finalmente obtener las variables de estudio necesarias en el anlisis. Como se ha
mencionado,cada15minutos,enelintervalodeunsegundoserecogenparesdevaloresde
cada variable, de los que se obtiene su media que se considera el valor registrado en ese
instante. Para proceder igualmente con las variables elctricas se deben trazar dos curvas
caractersticas en el mismo instante, lo cual resulta imposible hacerlo en la misma
configuracin del sistema de adquisicin, dado que para obtener una curva precisa, se
necesitaregistrarentre25y40paresdepuntos(intensidad,tensin),locualrequiereuna
altafrecuenciademuestreo,paraelmismointervalodetiempoenlamedida,Figura4.2.Por
estarazn,sehandivididoendosgruposlasvariablesenelprocesodeadquisicindelos
datos,implementandoporseparadoelprocedimientodescrito.
168
4.1METODOLOGIAENELREGISTRODEDATOS
Figura4.2EjemplodecurvacaractersticaIVobtenidadelospaneles1y2conectadosenserieenlainstalacin
experimentaldelinvernadero
Ennuestrocasoloutilizamosparallevaracabolaadquisicindedatosduranteunintervalo
de tiempo fijado por el usuario junto con el correspondiente registro de dichos datos.
Posteriormente con un software propio estos datos son procesados, tratados
estadsticamenteyutilizadosaconvenienciaenlosdistintosanlisisyestudiosquesehan
llevadoacabo.
LaaplicacinconstruidaconstadeunPanelFrontalsencillo(Figura4.3)enelqueelusuario
indicaunospocosparmetrosnecesariosparallevaracabolaadquisicindedatos.
Enunaprimeracolumnasedefineelnmerodeensayosquesevanarealizar,eltiempoque
vaahaberentremedidas.
En la segunda columna se fija el tiempo durante el cual los paneles van a estar
cortocircuitados(tpulsado)yeltiempoduranteelcualsevanaestartomandopuntosdela
curvaVIdelospaneles(tfinal(s)).
169
Figura4.3PanelfrontaldeaplicacindesarrolladaenLabview.
Parasuconstruccinseharealizadoundiagramadebloquesbasadoenloquesedenomina
una estructura de casos (Case structure). Esta estructura consta de tres casos que se
ejecutancadavezquepasaeltiempoentremedidasmencionadoanteriormenteyqueel
usuariointrodujoenelpanelcentral.
Cadacasocorrespondeacadaunadelasmedidasrealizadasytrassurealizacinfinalizacon
laescrituradelosdatosenunficheroqueluegoserprocesado.Enlosdosprimeroscasos
serealizanlasmedidasdelasvariablestermodinmicasyeneltercerolasmedidasasociadas
a la caracterizacin de la curva IV de los paneles. Cada uno de estos casos se construye
utilizando los diagramas de bloques sobre los que se desarrolla la programacin en
Labview.
A modo de ejemplo se incluye uno de estos casos en la Figura 4.4. En la zona superior se
observanlossensorescuyosvaloresvanasermedidosconelDataLoggeryquevanaser
registrados. Tal y como se coment arriba, en nuestro caso los sensores monitorizados
tienen salida en tensin, intensidad y en el caso de los sensores de temperatura, son
resistencias. En el cuadro central dentro del caso incluido en la figura aparecen diferentes
componentes enlazados y que directamente tienen que ver con el propio sistema de
adquisicin.Losdatossonregistradosdosvecescadaciertotiempo(queesfijadoatravsde
un temporizador). Finalmente cuando este cuadro central ha realizado las dos tomas de
datos,stossonalmacenadosenunficheroconunnombredadoporelprograma.Parala
definicin de los datos, su formato y el modo en el que se realiza su registro se utiliza el
componenteazuldeladerechadelaFigura4.4llamadoWritetofile.
170
4.1METODOLOGIAENELREGISTRODEDATOS
Figura4.4DiagramadebloquesdeunodeloscasosimplementadosenLabView.
171
4.2 ANALISISDEINCERTIDUMBRE
Elobjetivodeunamedicinesconocerelvalordeunamagnitud.Sinembargo,debidoalas
imperfecciones existentes siempre, tanto en el procedimiento de medida como en el
instrumentoutilizado,nuncaesposibleconocerelvalorexactodelamagnitud,sinoslouna
estimacindelmismo.Porello,todamedidallevaasociadaunaestimacindesuresultadoy
unaincertidumbre,lacualestableceunintervalodeconfianzaalrededordelaestimacinde
lamagnitud.
Sedenominaincertidumbretpicaaladesviacintpicadelaestimacindelresultadodeun
medida,representndoseporu(y).Normalmentelamagnitudbuscadaenunamedidanose
obtiene de forma directa, sino que se deriva a partir de una ecuacin o procedimiento de
medida en el que se miden diversas magnitudes primarias o de entrada. Dicho
procedimiento establece una relacin funcional entre el resultado de la medida Y y las
magnitudesprimariasXidelasiguienteforma:
, ,, (4.1)
Cadaunadelasmagnitudesprimariasrequerirunaestimacinyunaincertidumbretpica
u(xi). Estas incertidumbres tpicas se combinarn entre s para formar la incertidumbre
tpicacombinadadelamagnitudY.Finalmente,apartirdestaseobtendrlaincertidumbre
expandidaUquerepresentaelintervalodeconfianzadentrodelqueseencuentraelvalor
verdaderodelamagnitudconunaciertaprobabilidad.
4.2.1 EVALUACINDELAINCERTIDUMBRETPICA,COMBINADAYEXPANDIDA
Ladeterminacindelvalordeuna magnitudsereduceaunproblemaestadstico,elque
dichovalorrepresentaunavariablealeatoriaconunaciertadistribucin.Cuandoserealiza
unamedidalonicoquesepuedeconoceresunaestimacindelavariableconunacierta
incertidumbre.
172
4.2ANALISISDEINCERTIDUMBRE
nosconcierne,lasmagnitudesprimariassonmagnitudesdeterminadasexperimentalmente
ysumejorestimacineslamediamuestal, .
Comosehamencionado,laincertidumbrenoessinoladesviacintpicadelaestimacin.
Existendosprocedimientosparaevaluarla,eltipoAytipoB.LaevaluacintipoAsebasa
en procedimientos estadsticos, siendo precisa la obtencin de una muestra de la
magnitud.Porelcontrario,laevaluacintipoBsebasaenelconocimientoadquiridoporla
experiencia, informacin de referencias, catlogos, certificados, etc., en resumen,
procedimientosnoestadstico,aunqueloquedeterminarnsiesunvalorestadstico.
LaevaluacintipoA,consideraincertidumbretpicacomoelvalordeladesviacin tpica
experimentaldelamedia,comovariablecuantificadoradelabondaddelaestimacin.De
este modo, para una magnitud de entrada Xi determinada a partir de N observaciones
independientes,Xik,laincertidumbretpicadesuestimacin es
(4.2)
,siendos2lavarianzaexperimentalquevienedadapor:
, (4.3)
1
LaevaluacintipoBenglobadiversasformasdepresentarlaincertidumbretpicadeuna
magnitud,segnlosdatosqueseconozcandeellaencatalogo,manualuotrafuente.En
nuestroanlisissehaobtenidomedianteunadistribucinrectangulardelaestimacinde
la medida., dado que se conocen los lmites superior e inferior para situar el valor de la
magnitud, (a2, a1) dados por la precisin de los equipos de medida. De esta forma, la
probabilidaddequeelvalordela magnitudestsituadoendichointervaloes,a efectos
prcticos,de1,ydequeestfueradelde0.Adems,puedesuponersequelamagnitud
sedistribuyedeformaequiprobabledentrodelcitadointervalo.AsquelaestimacindeXi
es el valor medio del intervalo, es decir y la desviacin asociada a dicha
estimacines:
(4.4)
12 23
173
Silasvariablessonindependientesentres,elcoeficientedecorrelacintienevalornulo,lo
quesignificaqueunavariacindeunadeellas,noentraaningunavariacinprevisibleen
cualquierotra.Entalcaso,laincertidumbretpicacombinadadeY,denotadacomouc(y),es
una desviacin tpica estimada y caracteriza la dispersin de los valores que podran ser
razonadamente atribuidos al mensurado Y. Su valor se obtiene combinando
apropiadamentelasincertidumbrestpicasdelasestimacionesdelasvariablesdeentrada
mediantelasiguienteexpresin:
(4.5)
Cadau(xi)eslaincertidumbretpicaevaluadacomosehadescritopreviamente.
,
(4.6)
2 ,
Lanuevamedidadelaincertidumbre,quesatisfacelaexigenciadeaportarunintervalose
denomina incertidumbre expandida, representada por U, y se obtiene multiplicando la
incertidumbretpicacombinadauc(y)porunfactordecoberturakc:
(4.7)
Resultaunainterpretacinmsclaraenlarepresentacindelresultadodeunamedidaen
la forma Y=y U, lo que se interpreta como una mejor estimacin del valor atribuible al
174
4.2ANALISISDEINCERTIDUMBRE
mensurado, y que puede esperarse que en el intervalo (yU, y+U) est comprendida una
fraccinimportantedeladistribucindevaloresatribuidosalavariableY.
4.2.2 CLCULODELAINCERTIDUMBREENLASVARIABLESDEESTUDIO
Elprocedimiento,llevadoacaboenMaznHernndezetal.[76]yA.S.Kaiseretal.[77],
paraevaluarlaincertidumbredetodaslasvariablesqueintervienenenelanlisisobjetode
estudio, puede resumirse en seis etapas, siendo el mismo para ambas instalaciones
experimentales.
(4.8)
1
,
(4.9)
T
G (4.10)
(4.11)
175
(4.12)
SiendoSlasuperficiedecaptacinderadiacinsolar.
2 Determinar el valor estimado de las magnitudes de entrada a partir del anlisis
estadstico.Contalfin,sucesivasveces,semidieron25valoresconsecutivosdecada
variable en un rango de 2 segundos, con el fin de estar bajo las mismas condiciones
ambientales.Apartirdeesos25valoressecalculelvalorestimadodecadaunade
ellas,siguiendoelprocedimientodescritoen4.2.1.
3 Evaluacindelaincertidumbretpicadecadaunadelasestimacionesobtenidasdelas
variables de entrada, que se han obtenido experimentalmente y registradas. En este
clculo,sehaconsideradolaprecisindelosaparatosdemedida,ascomoloserrores
delecturayrangoquesemuestraenlasiguientetabla.
Sensor *Accuracy
Sensor Characteristics
Accuracy (%reading+%range)
Flexibleand RTD4wires.Measurethe
QualityB
robustPt100 temperatureofpanel. 0.0600C
0.5100C
Probe Range:50C150C
RTD4wire.Measurethe
PrecisionPt QualityA
temperatureofairflow. 0.0600C
100Probe 0.3600C
Range:50C250C
Hotfilm Measuretheairvelocity,
anemometer naturalconvection.Range: 0.0610m/s 0.0050%+0.0005%
s 420mA,02m/s
Hotfilm Measuretheairvelocity,
anemometer forcedconvection.Range:4 0.2100m/s 0.0050%+0.0005%
s 20mA,020m/s
Measuretheglobal
Precision
radiation.Range:420mA,0 1.0900W/m2 0.0050%+0.0005%
pyranometer
1200W/m2
Electronicgovernor.Obtain
5.000mV, V:0.0035%+0.0005%
Variableload thecurveIV.Range:0100V,
5.400mA A:0.0050%+0.0005%
010A
Tabla4.1Precisinyerroresdelecturayrangodelossensoredemedidadelasvariablesdeentrada.
5 Determinarlaincertidumbretpicacombinadadelasvariablesdependientes,apartir
de las incertidumbres tpicas y coeficientes de correlacin de las estimaciones de
entradaaplicandolaleydelapropagacindelavarianza.
176
4.2ANALISISDEINCERTIDUMBRE
177
4.3 CONCLUSIONES(CONCLUSIONS)
Elanlisisdeincertidumbrellevadoacaboenelconjuntodevariablesobjetodeanlisis,
muestralaestimacindelresultadodemedidajuntoalintervalodeconfianzaalrededorde
suestimacin.Paraello,setomaronmuestrasde25valoresconsecutivosdecadavariable
en intervalos cortos de tiempo (2s), para que las condiciones ambientales fuesen las
mismas.
CONCLUSIONS
The methodology which was carried out for the process of data recording and
measurementhasbeendescribed.Inordertodevelopacorrectmethodfordatarecording
and data processing, and to reduce the possible accidental errors, a determinate valid
processwhichcouldbeusedinbothexperimentalfacilitieswascreated.Thesoftwareused
wasLabview,whichisbasedongraphicprogrammingwithacodeimplementation;with
which it was possible to adquire and record the measured data. In this way, the process
wasfullyautomated.
178
4.3CONCLUSIONES(CONCLUSIONS)
The electronic load provides the characteristic curve of the photovoltaic panel and the
electrical variables can be obtained from it instantly, thanks to a shoot signal which was
sent by an electronic card of National Instrument. The other variables were measured
using the acquisition system described previously (the data logger of Agilent). The
measurement process of all variables was made every 15 minutes, recording a pair of
valuesofeachvariabletocalculatetheirmeanandthensavingthemchronologically.The
sampling frequency of the electrical variables was higher than what was used for other
variables, with the purpose of getting a higher number of points which define the
characteristiccurveineachmeasurementmoment.Forthesameinstant,theprogrammed
applicationrecordedtheothervariables.
The data uncertainty analysis was carried out for all measured variables aimed to be
studied,andshownistheestimationofthemeasurementandtheconfidenceintervalof
theestimation.Inordertocalculatetheuncertaintyofthevariablesmeasured,25samples
ofmeasurablevariableswerecollectedthesameday,inshortintervals(2s),to beunder
thesameenvironmentalconditions.
179
180
DISCUSINDELOSRESULTADOS
CAPITULO5. DISCUSINDELOSRESULTADOS
Enestecaptulosepresentaelanlisisdelosresultadosobtenidosdelasdiferentesvariables
medidas en ambas instalaciones fotovoltaicas experimentales, descritas en el apartado 3.2.
Todaslasvariablesdeestudioquesemuestran,sehanobtenidomedianteelprocedimiento
de registro y tratamiento descrito en el captulo anterior. El captulo se ha estructurado en
tres apartados acordes a los estudios realizados con cada instalacin, que se resumen a
continuacin.
181
c) Transferenciadecalorenelcanaldeairederefrigeracin
Estudiodelcomportamientodelpanelsegnlaseccindelcanaldeaire
Estudiodelcomportamientodelpanelsegnelmaterialutilizadoenlacubierta
paracadaseccindeaire
DISCUSINDELOSRESULTADOS
183
CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS
Comoprimerapartadodeestecaptulo,sepresentalacomparacinenelfuncionamientodel
mdulo fotovoltaico, referido a los parmetros proporcionados por el fabricante, entre los
resultadosexperimentalesylosproporcionadosporlaplantafotovoltaicaCoronilII,descrita
en la seccin 3.1.1. El estudio llevado a cabo muestra la influencia de la temperatura de
funcionamiento del panel sobre sus parmetros elctricos, tales como la intensidad de
cortocircuito, la tensin de circuito abierto, el factor de llenado y la eficiencia elctrica. A
partir de los datos proporcionados de la instalacin solar compuesta por ms de 1700
mdulosytrasrealizarunfiltradojustificadodelosdatos recogidosenlosmesesdeMayo,
Junio,JulioyAgosto,seobtienelainfluenciaquetienelatemperaturaenelrendimientodela
instalacincompleta,comparadoconlaobtenidaenlainstalacinexperimental[78].
Laplantasolarfotovoltaicaconstadeseismodelosdiferentesdemdulosfotovoltaicos,taly
comoseexpusoenelcaptulo3.LospanelesquesehananalizadosonlosdelmodeloET270,
elmismoquelosutilizadosenlainstalacinexperimental.Estospanelessehanconectadoa
unmismoinversorenagrupacionesqueforman466.56kWpquesuponen1728paneles.Las
caractersticasyparmetrosproporcionadosporelfabricantesonlasmostradasenlaFigura
3.12yFigura5.1.
Figura5.1ParmetroselctricoscaractersticosdelospanelesfotovoltaicosET270.
Enlainstalacinsehamedidolapotenciaquedacadainversor,laradiacinsolarencadauna
de las agrupaciones, temperatura ambiente y la temperatura de cinco paneles diferentes
colocados en diferentes partes de la agrupacin correspondiente. Estas medidas se toman
simultneamenteenintervalosde5minutosalolargodetodoslosdas.
Paracompararlosparmetroselctricosobtenidosenlainstalacinconlosquesedeberan
obtenersegnlascurvasdelfabricante,tansloesposibletenindolostodosenlasmismas
184
5.1ESTUDIOCOMPARATIVOENELCOMPORTAMIENTODEPANELESFOTOVOLTAICOS
TRABAJANDOENUNAPLANTASOLARFRENTEALOSVALORESMEDIDOSENLAINSTALACIN
EXPERIMENTAL
condicionesambientales,paraellosehanutilizadolosparmetrosofrecidosporelfabricante,
expuestosenlaFigura5.1,siguiendoelmtododescritoporEduardoLorenzoetal.[79]para
elclculodelaRs,obtenindoseunvalorde4.635mconunfactorm=1paraelpanel.
25 25 (5.1)
% ; % ;
, 300 , 300
,
% 0.065 25 ;
(5.2)
,
,
% 0.346 25 ;
(5.3)
,
,
% 0.488 25 ;
(5.4)
,
Acontinuacinsemuestranlacomparativaentrelosresultadosexperimentalesobtenidosen
elbancodeensayosencondicionesrealesdeoperacinconlosresultadosquesederivande
losparmetrosproporcionadosporelfabricanteenesascondiciones. EnlaFigura5.2 seha
representadolasvariablesIsc (Figura5.2a)yPm(Figura5.2b)obtenidasapartirdelacurva
caractersticaIVmedidaenlainstalacinylasdeducidassegnlosparmetrosdelfabricante
enlasmismascondiciones.Esrelevanteladiferenciapositivaenlosdatosexperimentalesen
ambasvariables,achacableaquelatemperaturadefuncionamientorealesmayorquelade
ensayoyloqueconllevaunaintensidaddetrabajomayor.
a)
185
CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS
b)
Figura5.2Comparativadelosresultadosexperimentalesmedidosenlainstalacin,conlosproporcionadospor
elfabricante,enfuncindelaradiacinsolar.a)Intensidaddecortocircuitob)Potenciamxima.
186
5.1ESTUDIOCOMPARATIVOENELCOMPORTAMIENTODEPANELESFOTOVOLTAICOS
TRABAJANDOENUNAPLANTASOLARFRENTEALOSVALORESMEDIDOSENLAINSTALACIN
EXPERIMENTAL
a) 45
40
Vocmeasured
VocCatalogue V oc (Catalogue) = -0.151Tp+ 47.404
35 R2=0.9928
Voc (V)
30
20
20 25 30 35 40 45 50 55 60
Panel Temperature(C)
b) 1
0.95 FF measured
0.9 FF catalogue
0.85
0.8
Fill Factor
0.65
0.5
25 30 35 40 45 50 55 60
Panel Temperature (C)
Figura5.3Comparativadelosresultadosexperimentalesmedidosenlainstalacin,conlosproporcionadospor
elfabricante,enfuncindelatemperaturadelpanel.a)Tensindecircuitoabiertob)Factordellenado.
Finalmente,comparandoelrendimientoelctricodelpanelenfuncindesutemperaturade
funcionamientomedida(Figura5.4),seobservaunabuenacorrelacin.Estosvaloresfueron
obtenidosdelensayodediferentesdasdespejadosperocondiferentetemperaturaambiente
y velocidad de viento, por ello existe una pequea dispersin, pero la correlacin obtenida
presentaunbuenajuste.Adems,podemosdestacarquelosvaloresderendimientomedidos
experimentalmente son mayores a los obtenidos por el fabricante, para las mismas
condiciones.
187
CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS
0.18
Eff measured
0.17 Eff Catalogue
0.16
Eff(measured) = -0.0013Tp + 0.1949
0.15 R = 0.9012
Efficiency (-)
0.14
0.13
0.12
0.09
20 25 30 35 40 45 50 55 60
PVPanelTemperature(C)
Figura5.4Comparativaenlaeficienciaelctricadelosresultadosexperimentalesmedidosenlainstalacin,con
losproporcionadosporelfabricante,enfuncindelatemperaturadelpanel.
ConlosdatosdelmesdeagostodelaplantafotovoltaicaCoronilIIseharealizadounfiltrado
enfuncindelaevolucindelapotenciaytemperaturaalolargodeundaparapoderevitar
los fenmenos de inercia trmica y las sombras debidas a nubes. Este proceso evita la
obtencin de valores errneos y no tiles en el clculo del rendimiento del generador
fotovoltaico.Lasiguientefiguramuestraenlaizquierda,laradiacinsolardecuatrodas,dos
nubladosydosdespejadosyenladerechalapotenciaenlashorascentralesdeldaparacada
unodelosdas.Seapreciaquelaradiacinenlosdas2y10deagostopresentafluctuaciones
enlashorascentralesdelda,debidoalapresenciadenubes,porloquelapotenciaelctrica
obtenidaenesosinstantessevereducidarespectoalresto.Conello,seponedemanifiestola
importanciadeestefiltradoparauncorrectoclculodelrendimiento.
Figura5.5RadiacinsolarypotenciaobtenidaenlaplantasolarfotovoltaicaCoronilII,alolargodecuatrodas
deagosto.
188
5.1ESTUDIOCOMPARATIVOENELCOMPORTAMIENTODEPANELESFOTOVOLTAICOS
TRABAJANDOENUNAPLANTASOLARFRENTEALOSVALORESMEDIDOSENLAINSTALACIN
EXPERIMENTAL
UnavezfiltradoslosdatosdelmesdeAgostodelaplantasolarfotovoltaicaCoronilII,seha
representadoelrendimientoenfuncindelatemperaturamediadelospanelesmedidoscon
elfindeobtenerlacorrelacinentreambasvariablesypodercompararlasconlaobtenidaen
la instalacin experimental (Figura 5.6). Cabe destacar que la correlacin obtenida con los
datos de la planta presenta la misma pendiente que la correlacin obtenida con los datos
experimentales,loquenosindicaquelatasadevariacinoinfluenciadelatemperaturadel
mdulo sobre su rendimiento es similar. Por consiguiente, si se desea conocer el
comportamiento elctrico de una planta fotovoltaica, para diferentes condiciones o
configuraciones,sepuedepredecirapartirdeunprototipoexperimental.Elgradodeajuste
de ambas es elevado, obtenindose una mejor correlacin de los datos provenientes de la
plantadeCoronilIIdebidoaquesedisponedeunnmerodedasmedidosmayor.
0.16
R 2 0.9262
0.14
Efficiency
0.13
0.12
0.11
30 35 40 45 50 55 60
5.1.1 CONCLUSIONES(CONCLUSIONS)
Se han calculado los parmetros de funcionamiento de un panel fotovoltaico en una
instalacinexperimental y se ha comparado con los proporcionados por el fabricante bajo
189
CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS
lasmismascondiciones,obteniendosetendenciassimilares.Ademslacurvaderendimiento
obtenida coincide con la obtenida en un campo solar en explotacin con ms de 1700
paneles.
Se ha establecido un mtodo para filtrar los datos provenientes de una instalacin real
completa para poder obtener la influencia de la temperatura de los paneles sobre el
rendimientodeestos.Lacorrelacinobtenidaparaelrendimientodeunpanelfotovoltaicoy
sutemperaturaenunainstalacinexperimentalessimilaraladeungeneradorfotovoltaico
complejo,funcionandoenunaplantasolarbajocondicionesreales.
Losresultadosconcluyenquesepuedeconocerypredecirelcomportamientoelctricode
una planta fotovoltaica, para diferentes condiciones o configuraciones, a partir de un
prototipoexperimental.
CONCLUSIONS
Thissectionpresentstheresultsofaphotovoltaicpanelmeasurementintheinstrumented
experimentalfacilityandtheextrapolationoftheseresultstoaphotovoltaicgeneratorina
solar plant. The functioning parameters of the photovoltaic panel were calculated in the
experimentalfacilityandcomparedwiththeparametersprovidedbythemanufacturer.The
influence of the operating temperature of the panel on the electrical parameters of the
module was obtained as: shortcircuit current, open circuit voltage, the fill factor and
efficiency. Using available data from a real installation with more than 1700 modules
installed,andwithajustifiedfilteringprocessofcollecteddata,theinfluenceoftemperature
onthesystemperformanceiscomparedwiththeresultsfromexperimentalfacility.
Amethodtofilterthedataofthesolarplantwasmadetostudythetemperatureinfluence
ontheperformanceofthecorrespondingpanelswiththesamemodelandcharacteristics.
The correlation of the module performance and its temperature calculated with the
experimental data is very similar to the corresponding correlation of the commercial solar
system which works with more than 1700 modules and under the same environmental
conditions.
Theresultsconcludedthattheelectricalbehaviourofasolarplantcouldbepredictedand
known, by the measuring an experimental prototype for different configurations or
conditions.
190
5.2COMPORTAMIENTODELPANELFOTOVOLTAICOCOLOCADOSOBREUNACUBIERTA
METLICA
Con el fin de estudiar el comportamiento elctrico de los paneles fotovoltaicos sobre una
cubiertametlica,sehanensayadodiferentesconfiguracionesderefrigeracinconaireporsu
caraposterior,porconveccinnaturalyforzada[77,80].
Posteriormente,serealizaunestudiocomparativodetodoslosresultadosobtenidostantoen
conveccinnaturalcomoforzada,analizandolainfluenciadevariablestalescomoelespesor
delcanaldeaire,lavelocidadinducidaenelcanalsobrelatemperaturayeficienciaelctrica
delpanel,comparndoloconelpaneldereferenciaparaaspoderelegirlaconfiguracinms
idnea.
191
CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS
5.2.1 CONVECCINNATURAL
Siguiendolametodologadescritaenlatomadelosdatosysutratamientoposterior,sehan
registradolasvariablesmedidasdurantevariosdasenelperiodocomprendidoentreel20
052010 y 30082010. Cada da se han medido simultneamente las variables de ambos
paneles,parapodercompararlasbajolasmismascondicionesambientales.Paraelanlisis,
sehanfiltradolosdatosdedaspocosoleadosynubosos,recopilandoaslosvaloresdedas
similaresenradiacinytemperaturaambiente.
LaconfiguracindelpanelB,refrigeradoporsucaraposteriorsedetallaenlaFigura5.7,en
laquelaseparacinentreelpanelylasuperficiemetlica.b,seha variadoconelfinde
cuantificar su influencia en el comportamiento elctrico del panel. En adelante, se har
referenciaalavariableadimensionalquecaracterizalaseparacindelcanaldeaire,relacin
de aspecto, con forme a la bibliografa. La relacin de aspecto (b/L) se define como la
relacinentreelespesordelcanal(b)ysulongitud(L).
PVpanel
Steel
Roof
Airchannel
Figura5.7ConfiguracindelpanelB,representandoelcanaldeaireentreelpanelfotovoltaicoylasuperficie
metlica.
Esta configuracin del panel B se ha medido para tres relaciones de aspecto diferentes,
siendo 0.0525, 0.0675 and 0.0825. Los datos obtenidos muestran que el Panel B, sobre la
cubierta metlica, alcanza mayores temperaturas que el panel A, panel de refencia sin
ningunasuperficieinferior,paralostrescasosexperimentales,estandoambospanelesbajo
lasmismascondicionesambientales.
192
5.2COMPORTAMIENTODELPANELFOTOVOLTAICOCOLOCADOSOBREUNACUBIERTA
METLICA
Figura5.8Diferenciadetemperaturadecadapanelfotovoltaicoylaambienterespectolaradiacinsolar,en
conveccinnaturalparadiferentesrelacionesdeaspectodelcanaldeaire.
El hecho de estar el mdulo fotovoltaico sobre una cubierta metlica, dejando una
separacinentreambassuperficies,reducesurefrigeracinporlacaraposterior,alcanzando
mayorestemperaturasqueunpanelsinningunasuperficieensucaraposterior,siendode
las mismas caractersticas y funcionando bajo las mismas condiciones ambientales y
constructivas. La Figura 5.8 representa el salto de temperatura de cada panel con la
ambiente, respecto la radiacin solar, medidos para diferentes relaciones de aspecto, a lo
largo de diferentes das. Podemos apreciar, que para cada valor de radiacin, se tiene un
par de puntos, correspondientes al salto de temperatura de cada panel con la ambiente,
siendosiempremayorladelpanelsobrelacubiertametlica.
Porlotanto,laproduccinelctricadelpanelByporendesurendimiento,esinferiorala
del Panel A, para cadauna de las relaciones de aspecto, de acuerdo a la proporcionalidad
inversa entre el rendimiento y la temperatura, que se explic en el apartado 2.4. Esto se
muestra en la siguiente grfica, que representa los valores del rendimiento de cada panel
correspondientes a las temperaturas mostradas en la figura anterior, en funcin de la
radiacinsolar.SeapreciacomoelrendimientodelpanelAcuyatemperaturaerainferior,
alcanza valores superiores que el panel B, en mayor o menor rango para los tres casos
experimentalesensayados.
193
CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS
Figura5.9RendimientoelctricodelPanelAyPanelBrespectolaradiacinsolar,enconveccinnatural,para
diferentesrelacionesdeaspectodelcanaldeaire.
Porlotanto,elcomportamientodeunpanelfotovoltaicosobreunacubiertametlica,como
presentanlasnavesindustriales,esafectadoporlaaltatemperaturaalcanzadadebidoala
transferenciadecalordelasuperficiemetlicaalpanelyunmenorefectoderefrigeracin
porconveccinnatural,cuandoelespacioentreambassuperficiesesreducido.
Comoeradeesperar,cuandolaseparacindelcanaldeairedebajodelpanelBesmenor,la
temperatura que alcanza el panel B respecto el panel A, de referencia, es mucho mayor,
siendo hasta 810C superior para altos valores de radiacin solar. Esto se debe a que el
panel B est menos refrigerado por conveccin natural y adems la plancheta metlica
trasfiere calor al aire en el canal de paso, lo que impide una buena refrigeracin y por
consiguienteelrendimientodelpanelBobtenidoenestecasoesmuchopeor.Sinembargo,
para la mayor relacin de aspecto medida, los resultados experimentales muestran que la
mxima diferencia de temperatura entre ambos paneles llega a ser de 56C a medio da,
cuando la radiacin solar es mayor, y el rendimiento del panel B es alrededor de un 0.9%
menorqueelpanelA,comosemuestraenlaFigura5.10.
194
5.2COMPORTAMIENTODELPANELFOTOVOLTAICOCOLOCADOSOBREUNACUBIERTA
METLICA
a)
35
30
20
15
10 Panel A
Panel B
5
0
08:00 10:00 12:00 14:00 16:00
Time (h)
b)
16
Panel A
15
Panel B
14
Efficiency (%)
13
12
11
Time (h)
Figura5.10Comparacindelcomportamientoentreambospaneles,panelAypanelBconb/L=0.0825.a)
Diferenciadetemperaturadepanelylaambienteb)Rendimientoelctricoalolargodelda.
Tras los resultados obtenidos, la colocacin de un panel sobre una cubierta metlica trae
consigo un aumento de la temperatura del panel y una reduccin de su rendimiento. No
obstante, se pretende comparar el comportamiento elctrico del panel para las diferentes
relacionesdeaspectoydeterminarsuinfluenciaenestaaplicacin,conelfindeseleccionar
lamsidneadesdeelpuntodevistaelctrico.
LaFigura5.11representaladiferenciadetemperaturadelpanelylaambienterespectola
radiacinsolarmedidaparalastresrelacionesdeaspectoensayadasexperimentalmentedel
mdulo fotovoltaico colocado sobre la plancheta metlica. En ella se aprecia que hay
pequeas diferencias de los valores de temperatura, siendo mayores a altos valores de
radiacin, a partir de 600W/m2, para los cuales la temperatura del panel con relacin de
195
CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS
aspecto 0.0525, es de 57C superior a la del panel con la mayor relacin de aspecto,
b/L=0.0825. Para los diferentes das medidos, se observa que a medioda, cuando la
radiacin solar es mxima, se aprecian diferencias considerables en la temperatura
alcanzadaporelpanelparalastresconfiguraciones.
35
25
20
15
10
5
0 200 400 600 800 1000 1200
2
Irradiance (W/m )
Figura5.11Influenciadelarelacindeaspectoenconveccinnaturalsobrelatemperaturadelpanel.
196
5.2COMPORTAMIENTODELPANELFOTOVOLTAICOCOLOCADOSOBREUNACUBIERTA
METLICA
15
14
Efficiency (%)
13
11
0 200 400 600 800 1000 1200
2
Irradiance (W/m )
Figura5.12Influenciadelarelacindeaspectoenconveccinnaturalsobreelrendimientoelctricodelpanel.
Enlasfigurasanterioresseobservaqueparavaloresbajosderadiacinsolar(aprimerasy
ltimas horas del da), los valores medidos de temperatura y rendimiento del panel
fotovoltaico son muy similares, sin diferencias algunas. Esto se debe a que la relacin de
aspecto no afecta en el comportamiento elctrico del mdulo, cuando los valores de
radiacinsolarsonbajos.
En el primer caso en el que se muestran los valores medidos para una radiacin de 970
W/m2latensindecircuitoabiertocuandolarelacindeaspectoesmayor,mientrasquela
intensidad de cortocircuito disminuye considerablemente yla potenciaaumenta alrededor
de un 7.5% para la mayor separacin del canal de aire, debido a que el panel est mejor
refrigerado por conveccin natural, alcanzando menor temperatura. Por lo tanto, la
produccin elctrica mejora cuando la separacin entre el panel y la cubierta metlica es
mayor (Figura 5.13a). En el otro caso, para una radiacin baja de 325 W/m2 las variables
elctricasapenassufrenvariacinalgunaconlarelacindeaspecto,loqueexplicaporqueel
rendimientodelpaneltomavaloressimilaresparalastresrelacionesdeaspectoparabajos
valoresderadiacin(Figura5.13b).
197
CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS
a)
220
215
5 Voc (V), 25 Isc (A), Pm (W)
210
205
200
195
V
oc
Isc
190
Pm
185
0.050 0.055 0.060 0.065 0.070 0.075 0.080 0.085
80
70
V
oc
I
60 sc
P
m
Porconsiguiente,paraanalizaryestudiarlainfluenciadelatemperaturadefuncionamiento
del panel en las diferentes configuraciones, se deben comparar los valores medidos para
valoresderadiacinsolaraltos.
5.2.2 CONVECCINFORZADA
Una vez analizada la influencia negativa en la produccin elctrica del panel fotovoltaico,
debida a una insuficiente separacin entre ste y la superficie metlica lo cual permite su
198
5.2COMPORTAMIENTODELPANELFOTOVOLTAICOCOLOCADOSOBREUNACUBIERTA
METLICA
Las medidas experimentales muestran que el panel B refrigerado por su cara posterior
mediante conveccin forzada alcanza temperaturas menores que el panel A de referencia
paratodosloscasosestudiados,comoeradeesperar,yconsecuentementesuproduccin
elctricaesmayorinclusoparalamenorrelacindeaspectoylamenorvelocidadforzada,
por el hecho de que el aire forzado por el ventilador permite una mayor refrigeracin del
mdulofotovoltaico,talycomosemuestranenlasFigura5.14y5.15.
a)
35
Reference Panel A
Forced Convection,Vv =2m/s, b/L=0.0525
30
Forced Convection, Vv =2m/s, b/L=0.0675
Forced Convection, Vv=2m/s, b/L=0.0825
Tpanel -Tambient (C)
25
20
15
10
0
0 200 400 600 800 1000
Irradiance (W/m2)
199
CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS
b)
15.5
15.0
14.5
Efficiency (%)
14.0
13.5
13.0
Reference Panel A
12.5 Forced Convection, Vv =2m/s. b/L=0.0525
Forced Convection, Vv =2m/s. b/L=0.05675
12.0 Forced Convection, Vv=2m/s. b/L=0.0825
11.5
0 200 400 600 800 1000
Irradiance (W/m2)
Figura5.14Influenciadelarelacindeaspectoenlatemperaturayrendimientodelpanelenfuncindela
radiacinsolarparaVv=2m/s.a)Diferenciadetemperaturadelpanelconelambiente.b)Rendimientodel
panel,paralasdiferentesrelacionesdeaspecto
Losresultadosexperimentalesmuestranqueelmdulofotovoltaicoseencuentraamenor
temperatura cuando la separacin del canal de aire es mayor, permitindole una mayor
refrigeracin,paralasrelacionesdeaspectocomprendidasentre0.0525y0.0825.Adems,
se representa el comportamiento del panel de referencia sin canal de aire, Panel A, cuya
temperaturaessuperioraladelPanelBparacualquieradelasrelacionesdeaspectoysu
rendimientoinferior,loquenosindicaquelarefrigeracindelpanelporsucaraposteriora
unavelocidadforzadade2y4m/sconsigueunamayoreficienciaelctrica,alnoalcanzar
tanelevadastemperaturascomolasdelpaneldereferencia.
Paraunavelocidadforzadade2m/s,noexistenapenasdiferenciasenelcomportamiento
del panel para la menor relacin de aspecto (0.0525) y el panel de referencia, siendo los
valoresdetemperaturaquealcanzancomoelrendimientoenamboscasosmuysimilares,
demodoquelamejoraenproduccinelctricaporrefrigeracinparalamnimaseparacin
delcanalesmuypequea(Figura5.14).Sinembargo,paralavelocidadforzadade4m/s,si
existendiferenciassignificativasensucomportamiento,consiguiendoreducirentre35Cla
temperatura del mdulo con la mnima separacin respecto al panel de referencia, lo que
suponeunrendimiento0.5%superior(Figura5.15).
Los resultados obtenidos para los casos correspondientes con b/L =0.0675 y b/L =0.0825
presentanunamejoraconsiderableparaambasvelocidadesforzadas,respectoalpanelde
referencia, teniendo el panel una temperatura considerablemente inferior y consiguiendo
unrendimientoentorno0.50.9%mayorparavaloresderadiacinsuperioralos600W/m2.
200
5.2COMPORTAMIENTODELPANELFOTOVOLTAICOCOLOCADOSOBREUNACUBIERTA
METLICA
Adems, entre ambas separaciones no hay apenas diferencias significativas para ambas
velocidadesforzadas,locualindicaqueelpequeoincrementoenlaseparacindelcanal,
nosuponeunagranmejora.
a)
30
Reference Panel A
Forced Convection, Vv =4 m/s, b/L=0.0525
25
Forced Convection, Vv=4 m/s, b/L=0.0675
Forced Convection, Vv=4 m/s, b/L=0.0825
Tpanel -Tambient (C)
20
15
10
0
0 200 400 600 800 1000
Irradiance (W/m2)
b)
15.5
15.0
14.5
Efficiency (%)
14.0
13.5
13.0
Reference Panel A
Forced Convection, Vv =4 m/s, b/L=0.0525
12.5
Forced Convection, Vv =4 m/s, b/L=0.0675
Forced Convection, Vv =4 m/s, b/L=0.0825
12.0
11.5
0 200 400 600 800 1000
2
Irradiance (W/m )
Figura5.15Influenciadelarelacindeaspectoenlatemperaturayrendimientodelpanelenfuncindela
radiacinsolarparaVv=4m/s.a)Diferenciadetemperaturadelpanelconelambiente.b)Rendimientodel
panel,paralasdiferentesrelacionesdeaspectos
201
CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS
Comparandolosresultadosobtenidosparaambasvelocidadesforzadas,cabedestacarquea
mayorvelocidadinducidaenelcanal,elsaltodetemperaturadelpanelylaambientellegaa
ser57Cinferior,paracadaunadelasrelacionesdeaspecto,debidoaqueelflujodeaire
inducido a travs del canal es mayor, permitiendo una mayor refrigeracin del canal.
Adems,lamejoradelatransferenciadecalorentreelmduloyelaire,conelaumentodel
caudaldeaire,sellegaaconseguirtanto,aumentandolavelocidadforzadaparalamisma
relacin de aspecto, como si incrementamos la seccin de paso de aire para la misma
velocidadforzada.
Los resultados muestran que el panel alcanza la mayores temperaturas en los casos de
menor velocidad inducida y la mnima relacin de aspecto, de hecho en esos casos el
rendimiento obtenido por el panel es menor. No obstante, cuando el panel est bien
refrigerado,paraVv=4m/s,elpeorrendimientoalcanzadoesde12.513%,dependiendode
la relacin de aspecto, mientras que para una menor refrigeracin (Vv =2 m/s), el peor
rendimientoalcanzadoesde1212.5%loqueindicaqueexisteunaumentodelaeficiencia
elctricaamayorvelocidadforzada.
Por consiguiente, la refrigeracin del panel por su cara posterior mediante conveccin
forzada, supone una mejora del rendimiento elctrico, comparado con los resultados
obtenidos en conveccin natural, por el hecho de que la induccin de aire mantiene al
mduloamenorestemperaturasdefuncionamiento.
5.2.3 COMPARACINENTRECONVECCINNATURALYFORZADA
Resumiendo el anlisis de resultados visto hasta el momento, la temperatura de
funcionamientodelpanelaumentacuandosteseencuentrasobreunasuperficieocubierta
metlica, lo que conlleva una disminucin considerable de la produccin elctrica,
especialmente a elevados valores de radiacin solar. Este efecto negativo podra ser
mejoradoproporcionandouncanaldeaireentreambassuperficies,elcualpermitaalpanel
nollegaraaltastemperaturasgraciasaunmayorefectoderefrigeracinsobreelpanelpor
elefectochimeneacreadomedianteconveccinnatural.Adems,losresultadosobtenidos
muestran que un aumento en la separacin del canal de 0.06 m, llega a reducir la
temperaturadelmdulohasta56Cymejoraligeramentesurendimientoelctrico(Figura
5.11 y Figura 5.12). Sin embargo, se alcanza una mayor reduccin en la temperatura del
panel fotovoltaico, aumentando el caudal de aire a travs del canal mediante conveccin
forzada,conloque,amayorvelocidadinducidayseparacindelcanal,latemperaturadel
panel es menor y su eficiencia elctrica mejora considerablemente, comparado con el
comportamientodeunpanelsincanaldeaire(Figura5.14yFigura5.15).
En las figuras 5.14 y 5.15 se mostraba la relacin del salto de temperatura del panel y la
temperaturaambienteconlaradiacinsolarparadiferentesrelacionesdeaspecto,fijando
202
5.2COMPORTAMIENTODELPANELFOTOVOLTAICOCOLOCADOSOBREUNACUBIERTA
METLICA
a)
20
10
0
0 200 400 600 800 1000 1200
2
Irradiance (W/m )
b)
Natural convection, b/L=0.0825,
Forced Convection Vv=2.5 m/s , b/L=0.0825
40
Forced Convection Vv=3.5 m/s , b/L=0.0825
Forced Convection Vv=5.5 m/s , b/L=0.0825
Sploped roof, well cooled
Tpaqnel-Tambient (C)
20
10
0
0 200 400 600 800 1000 1200
2
Irradiance (W/m )
Figura5.16.Diferenciaentretemperaturadepanelyambienteenfuncindelaradiacinsolarparadiferentes
nivelesdevelocidadinducida.a)b/L=0.0675.b)b/L=0.0825
203
CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS
Un aspecto que se debe sealar es el hecho de que para irradiancias bajas, los datos
experimentales aparecen en varios grupos, debido a que los valores que se han medidos
toman valores muy cercanos con lo que se aprecian los efectos transitorios en la
temperatura o incluso que el mdulo no tenga tiempo suficiente para ajustar su
temperaturacuandohayuncambioenelnivelderadiacinsolar.
Apesardeello,losresultadosexperimentalespresentadosenlaFigura5.16paraloscasos
de conveccin naturales muestran una pendiente muy similares a los propuestos en
NordmannyClavadetscher(2003),conunadesviacinmximade5Cenlamayoradelos
casos.Estavariacinpuedeserdebidoalhechodequeladiferenciadelatemperaturano
slo est fuertemente influenciada por la irradiacin sino tambin por la velocidad del
viento.Enconveccinforzadaseobtienenconclusionessimilaresalcompararlosresultados
experimentalesparaunnivelbajodevelocidadinducida(Vf 2.5m/s)conlospropuestosen
Nordmann (2003) para un sistema fotovoltaico de techo inclinado bien refrigerado. Sin
embargo, es de destacar que para mayores valores de velocidad inducida, (Vf 3.5 m/s y
Vf5.5m/s)larefrigeracinobtenidaenesteestudioessuperioralpropuestoen[71].Este
hecho pone de manifiesto la necesidad de llevar a cabo un estudio exhaustivo de la
influenciadelaconveccinforzadainducidaenlatemperaturadelmdulooperativocomo
severenlaseccin6.2.4 [77].Lasdiferenciasentrelosresultadosobtenidosparaambas
relaciones de aspecto presentados no son muy significativas. Algunos autores [65,81])
estudiaronlainfluenciadelarelacindeaspectodelosmdulosfotovoltaicosenloscanales
inclinados y sealaron la importante influencia de este parmetro de la temperatura del
mdulo.Sedeterminunvalorptimoparalarelacindeaspectoalrededorde0,1.
Los resultados obtenidos revelan que para una relacin de aspecto dada, la potencia
elctrica obtenida por un mdulo refrigerado por aire inducido es 35% mayor que por
conveccin natural, y como era de esperar, aumenta cuando la velocidad inducida en el
canalesmayor.Estamejoraenelcomportamientoelctricosedebeaquelastemperaturas
alcanzadas por el panel, respecto del ambiente, disminuye alrededor de 1016C por
refrigeracin inducida. Comparando ambos casos de conveccin forzada, para la mayor
204
5.2COMPORTAMIENTODELPANELFOTOVOLTAICOCOLOCADOSOBREUNACUBIERTA
METLICA
a)
34
32
b/L=0.0525
30 b/L=0.0675
b/L=0.0825
28
Tpanel - Tamb (oC)
26
24 Forced Convection
22 Natural Convection
20
18
16
14
12
0 1 2 3 4 5
Vair (m/s)
b) 215
210
Natural Convection
205
Pm (W)
Forced Convection
200
b/L=0.0525
b/L=0.0675
195 b/L=0.0825
190
0 1 2 3 4 5
Vair (m/s)
Figura5.17Comparacinentreconveccinnaturalyforzadaparalasdiferentesrelacionesdeaspecto,parauna
radiacinde950W/m2yTambientede28C.a)Potenciapico.b)Diferenciadetemperaturadelpanely
ambiente.
Desde otro punto de vista, tanto en conveccin natural y forzada, la produccin elctrica
obtenidaaumentaun22.5%paraunamayorseparacinenelcanaldeaire,refrigerandoal
panelmseficientemente,porloquelatemperaturapanelalcanzadaesde57Cmenor.
205
CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS
Adems,sepuedeapreciarqueelpanelpresentauncomportamientomuysimilarparalas
relaciones de aspecto de 0.0675 y 0.0825, para las que no hay apenas diferencias
significativasenlapotenciaytemperaturadefuncionamiento,porconsiguientelasmayores
disimilitudesenlosresultadossehanobtenidoentrelamenorymayorrelacindeaspecto.
Por este motivo, se han analizado la relacin negativa de la temperatura sobre el
rendimientoelctricoparaestosdoscasos,ambosenconveccinnaturalyforzada(Figura
5.18).
a)
16
Natural Convection
Forced Convection, Vv=2 m/s
15
Forced Convection, Vv =4 m/s
Efficiency (%)
14
13
12
11
0 5 10 15 20 25 30 35
b) 16
Natural Convection
Forced Convection, Vv=2 m/s
15 Forced Convection, Vv =4 m/s
Efficiency (%)
14
13
12
11
0 5 10 15 20 25 30 35
206
5.2COMPORTAMIENTODELPANELFOTOVOLTAICOCOLOCADOSOBREUNACUBIERTA
METLICA
Figura5.18Relacinentreelrendimientodelpanelconlatemperatura.a)Paralamenorrelacindeaspecto
medida(0.0525).b)Palalamayorrelacindeaspectomedida(0.0825).
Los menores valores de eficiencia elctrica medidos corresponden para el mayor salto de
temperatura,siloscomparamosentreambasrelacionesdeaspectoseobservaqueparala
mayorrelacindeaspectoelrendimientomnimoobtenidoesmayor,tantoenconveccin
naturaleinducida,yenestecasosepercibeunamejoraconsiderableenelrendimientodel
panelentrelasdiferentesconfiguraciones(conveccinnaturalyforzada).
5.2.4 GENERALIZACINDERESULTADOS
Alavistadelosresultadospresentados,latemperaturadefuncionamientodelosmdulos
fotovoltaicos integrados en cubiertas est influenciada por la capacidad de ventilacin del
canaldeaire,creadobajoelmdulo.Laventilacinasuvez,dependedediversosfactores
talescomolavelocidaddelviento,laseparacinentreelpanelylacubierta,ylavelocidad
delaireenelcanal.Porello,cabelanecesidaddedesarrollarunmodeloexperimental,enel
queseestudielainfluenciadedichasvariablesenlatemperaturadelmdulo,estableciendo
correlaciones semiempricas que nos permita determinar la temperatura del mdulo para
diferentesconfiguracionesycondicionesambientales.
Previamentesedebeasegurarquetantolarelacindeaspectocomolavelocidadinducida
en el canal de aire son variables influyentes al coeficiente de Ross, mediante un anlisis
estadsticoquenospermitadeterminarsiexistendiferenciassignificativasenladistribucin
de k para diferentes valores de b/L y Vv. En A.S. Kaiser et al. [77] se detalla el estudio
estadsticollevadoacaboconlosdatosexperimentales,enelqueseafirmaunainfluencia
significativa de la relacin de aspecto y la velocidad inducida en la distribucin del
coeficientedeRoss.
207
CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS
Delanlisisdelasdistribucionesdepuntosdedatos(Figura5.19),sepuedededucirquehay
una relacin no lineal entre las variables dependientes e independientes. Se ha detectado
queunmodeloqueseajusteaestadistribucindedatostomalaforma:
1 (5.7)
dondeA,ByCsonlasconstantesdeajustedelmodelo.
0.040
b/L=0.0525 (Experimental data)
b/L=0.0675 (Experimental data)
0.035 b/L=0.0825 (Experimental data)
b/L=0.0525 (Correlation proposed)
b/L=0.0675 (Correlation proposed)
0.030 b/L=0.0825 (Correlation proposed)
b/L=0.11 (Correlation proposed)
k (m K/W)
0.020
0.015
0.010
0 1 2 3 4 5 6
Vv (m/s)
Figura5.19ResultadosexperimentalesycorrelacionespropuestasdelcoeficientedeRoss(k)medidopara
diferentesrelacionesdeaspectoyvelocidadesinducidasenelcanal.Correlacionesexperimentalespropuestas
porSkoplakietal.[72]parasistemasPVnointegradosencubierta(w=1).
Conelfindeaplicarlateoraderegresinlinealalaecuacin.5.7,sehanllevadoacabolas
siguientestrasformacionesparaconvertirestaexpresinenlineal:
(5.8)
siendoY=lnk/ln(1+Vv),X1=1/ln(1+Vv),X2=b/LyA1=lnA.Elmodeloderegresinobtenido
medianteelusodelsoftwareSPSS,seresumeenlaTabla5.1,dondeRrepresentaelvalor
del coeficiente de correlacin mltiple y R2 mide la proporcin de variabilidad total de la
variableindependientequeesexplicadaporelmodelo,tomandounvalorde0,995,loque
significaqueX1yX2representanel99,5%delavariacinenY.
208
5.2COMPORTAMIENTODELPANELFOTOVOLTAICOCOLOCADOSOBREUNACUBIERTA
METLICA
Unstandardized Standardized
Model coefficients Coefficient t Sig.
b Std.error Beta
Constant 0.162 0.008 20.291 0.000
X1 3.092 0.120 0.886 250.52 0.000
X2 6.311 0.121 0.184 52.142 0.000
Tabla5.2Coeficientesdelmodeloderegresin.
LosparmetrosdelmodelorealizadosepresentanenlaTabla5.2,enlaqueseincluyenla
estimacindelosbvaluesysucontribucinindividualdecadavalorpredichodelmodelo.
SustituyndolosenlaEcuacin5.8seobtiene:
Cada uno de estos valores (bvalues) tiene un error estndar asociado el cual indica hasta
qu punto estos valores variaran en diferentes muestras, y estos errores se utilizan para
determinar si el dicho valor difiere significativamente de cero. Esto viene probado con el
valor de significancia ttest asociado a cada bvalue (la columna denominada Sig.), al ser
inferiora0,05entoncescadavalorpredichoesthaciendounacontribucinsignificativaal
modelo.Porconsiguiente,lafuncinexperimentalcalculadamediantelacorrelacindelas
medicionesexperimentalesobtenidasenestetrabajoseescribecomo
. . (5.10)
0.045 1
Los valores predichos de la ecuacin. 5.10 se comparan en la Figura 5.19 con los datos
experimentales de este estudio para diferentes configuraciones, y con la correlacin
propuestaporSkoplakietal.[72](Ec.2.20).Lossmbolospresentadosconformacircular,de
romboycuadradamuestranlosdatosexperimentalesmedidospararelacionesdeaspecto
deb/L=0.0525;b/L=0.675yb/L=0825respectivamente,paraunrangodevelocidadinducida
enelcanaldesde2m/shasta6m/s.Lascurvastrazadasrepresentanlaslneasdetendencia
delacorrelacinpropuestoenestetrabajocomounafuncindelarelacindeaspectoyla
velocidadinducidaenelcanal.
209
CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS
Cabesealarqueparaunarelacindeaspectoconstante,elvalordelavelocidadinducida
dentro del canal afecta fuertemente en la refrigeracin del mdulo. Adems, para cada
velocidad inducida, los valores del coeficiente de Ross aumentan con la disminucin del
espacio de aire en el canal (Figura 5.19). A la vista de los resultados, se deduce que esta
correlacin es vlida para velocidades inducidas en elrango de 26 m / s, y relaciones de
aspectoenelrangode0,05250,0825.
. . (5.11)
0.045 1
60
50
40
10
9 10 11 12 13 14 15 16
Time (h)
Figura5.20Comparacindelosvaloresexperimentalesmedidosylospredichosporelmodeloexperimentalpara
latemperaturadelpanelfotovoltaicointegradosobrecubierta,alolargodeundayparadiferentesvaloresde
velocidadinducidaenelcanal(b/L=0.0825).
La Figura 5.20 muestra una comparacin entre la evolucin de los datos experimentales
medidosparadiferentesnivelesdevelocidadinducida,conlosvalorespredichosobtenidosa
travsdelaecuacin5.11,alolargodeundatpico.Enellaseapreciaquelacorrelacin
210
5.2COMPORTAMIENTODELPANELFOTOVOLTAICOCOLOCADOSOBREUNACUBIERTA
METLICA
Sustituyendolaecuacin.5.11,nospermiteobtenerunaexpresinempricaqueprediceel
rendimientoelctricodeunmdulofotovoltaicoenfuncindelascondicionesambientales
(temperatura ambiente y radiacin solar), y configuraciones de estudio; la relacin de
aspecto como variable geomtrica y velocidad inducida en el canal como parmetro de
ventilacin.
. .
0.15 1 0.006 0.045 1 25 (5.13)
0.16
0.15
Electrical efficiency (panel)
0.14
211
CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS
400
(Vv = 6 m/s, Tamb = 25C, b/L = 0,0825)
(Vv = 3 m/s, Tamb = 25C, b/L = 0,0825)
Electrical power Pm (W)
200
100
0
0 200 400 600 800 1000 1200
Irradiance Gpira (W/m2)
Figura5.22Influenciadelavelocidadinducidadelaireenelcanalsobrelapotenciapicodelpanelfotovoltaicoen
funcindelaradiacinsolar,apartirdelacorrelacinpropuestaparab/L=0.0825yTamb=25C.
SepuedeapreciarenlaFigura5.21,quelastendenciasentrelosvaloresexperimentalesylos
propuestos por la correlacin son muy similares. Del mismo modo, la potencia pico del
mdulo puede ser estimada a partir de la ecuacin 5.12, ya que Pm=panelSGpira,
obtenindoseunbuenajustedelosvalorespredichos,talycomoseestudien[77].Adems
se analiz la influencia de la de la velocidad inducida en la potencia (Figura 5.22),
obtenindose un aumento del 19.13% comparando conveccin natural (Vv=0.5 m/s) y
conveccinforzada(Vv=6m/s).
. .
0.15 1 0.006 0.045 1 25 (5.14)
5.2.5 CONCLUSIONES(CONCLUSIONS)
Sehaanalizadolainfluenciaenlatemperaturadefuncionamientodelasvariableselctricas
dedospanelesfotovoltaicosdelmismomodeloyespecificacionestcnicasyfuncionandoen
las mismas caractersticas constructivas y condiciones ambientales. La diferencia entre
ambos reside en que uno de ellos est colocado sobre una cubierta metlica (panel B),
existiendounespacioentreambassuperficiesquepermitelacirculacindeaireasutravs.
Dicha separacin, caracterizada por la variablerelacin deaspecto (b/L), se ha modificado
con el fin de estudiar su influencia. El otro panel carece de ninguna superficie inferior, ni
canaldeaireysehaconsideradocomopaneldereferencia(panelA).Elestudiorealizado
212
5.2COMPORTAMIENTODELPANELFOTOVOLTAICOCOLOCADOSOBREUNACUBIERTA
METLICA
comparaambospanelesparatresseccionesdecirculacindeaire,tantopararefrigeracin
naturalcomoforzada.
Medianteconveccinnatural,elcomportamientodelpanelfotovoltaicocolocadosobreuna
cubiertametlicadifierealdelpanelsinella.Independientementedelaseccindelcanalde
aire,elpanelBalcanzatemperaturashasta510Cmayoresquelasdelpaneldereferencia,y
surendimientoes11.5%inferior,enmayoromenormedidadependiendodelaradiacin
solarylarelacindeaspectotesteada.Porconsiguiente,lacolocacindeunpanelsobreuna
cubierta metlica modifica tanto la temperatura de funcionamiento como su produccin
elctrica,debidoalatransferenciadecalordelasuperficiemetlicaalcanalyalreducirla
refrigeracinmedianteconveccinnaturalporsucaraposterior.
Cuandolacubiertametlicaestmsprximaalmdulo,larefrigeracindelpanelesms
limitadayladiferenciadesutemperaturaconladelpanelAesmayorquecuandoelpanel
fotovoltaicoseencuentramsseparado.Estoindicaquelaseparacinexistenteinfluyeenla
temperatura y consecuentemente en las variables elctricas. Comparando la diferencia de
temperatura del panel con el ambiente, para las tres relaciones de aspecto, existen
diferencias significativas a partir de radiaciones altas. Para la mayor seccin del canal
ensayada (b/L=0.0825), el salto de temperaturas es de 57C inferior a la medida para la
menor seccin de aire (b/L=0.0525), observndose mayor diferencia trmica a partir de
valores de radiacin solar de 600 W/m2. Esto implica una mayor produccin elctrica,
obteniendo un rendimiento alrededor del 0.50.8% superior al aumentar la relacin de
aspecto, ya que permite una mayor refrigeracin del panel. Adems se obtienen
considerablesdiferenciasenlasvariableselctricas,intensidaddecortocircuito,tensinde
circuito abierto, consiguiendo un aumento de la potencia de un 7.5%. Sin embargo, para
bajosvaloresderadiacinsolarytemperaturaambiente,noexistenapenasvariaciones.
Enconclusin,larefrigeracinporlacaraposteriordeunmdulofotovoltaicoatravsdel
uncanaldeairecreadoentresteyunasuperficiemetlicaesreducida,comparadoconun
panel libre de ninguna superficie inferior, implicando mayores temperaturas de
funcionamientoymenoreficienciaelctrica.Adems,laseparacinexistenteenelcanalde
aire es una variable influyente en la temperatura de funcionamiento del mdulo y sus
variables elctricas, mayormente para altos valores de temperatura ambiente y radiacin
solar.Unaumentode6cmreducelatemperaturadelpanel56Cyaumentasurendimiento
0.61.3%.
Ensegundolugar,sehaestudiadocomoafectalarefrigeracinforzada,atravsdelmismo
canaldeaireenlacaraposteriordelpanelB,ensutemperaturadeoperacinyrendimiento,
comparndolo con el panel de referencia y para las mismas relaciones de aspecto
propuestas en conveccin natural y en cada una se han fijado tres valores de velocidad
forzada(2,3,4m/s).
213
CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS
Los resultados medidos muestran que el mdulo fotovoltaico sobre la cubierta metlica,
alcanza menores temperaturas que el panel de referencia y un mayor rendimiento, al
impulsar aire por el canal, para las tres secciones de paso de aire y regmenes de
funcionamiento del ventilador. Por consiguiente, existe una mejora en el comportamiento
delpanelenestascondicionesrespectoaotrosinrefrigeracininducida.Caberesaltarque
para la menor relacin de aspecto y velocidad inducida, la temperatura y rendimiento del
panelessimilaralosvaloresdelpaneldereferencia,asqueestaconfiguracinnosupone
gran mejora. Sin embargo, para la menor seccin de aire a mayor velocidad, existen
diferencias con el panel de referencia. Las menores temperaturas de panel obtenidas
correspondenparalamayorrelacindeaspectodelcanalymayorvelocidadforzada,yaque
seaumentaelcaudaldeairederefrigeracin,loqueconllevaunaumentodelatrasferencia
decalorexistenteenelcanal.
Lavelocidadforzadadelaireenelcanalinfluyeenlasvariablesdeoperacindelmdulo.Los
diferentes ensayos realizados concluyen que para la mayor velocidadinducida seconsigue
reducir57Clatemperaturadelpanelyaumentarelrendimiento(0.51%)encadaseccin
de aire, respecto el menor valor de velocidad forzada. Sin embargo, apenas existen
diferenciassignificativasenlosresultadosobtenidosparalavelocidadinducidade3m/s.
La refrigeracin del panel B mediante conveccin forzada, supone una mejora del
rendimientoelctrico,comparadoconlosresultadosenconveccinnatural,alaumentarla
transferenciadecalorenelcanaldeaire.Laconfiguracincorrespondientealarelacinde
aspectob/L=0.0675eslamsidnea,obtenindoseunmejorcomportamientoenelpanel.
No obstante, la refrigeracin inducida con el uso de un ventilador, sera una opcin
adecuada si la mejora en la produccin elctrica fuese mayor al consumo elctrico que
supone.Enestetrabajonosehamedidolapotenciaconsumidaporelventiladorparacada
rgimendefuncionamiento,seraunaspectoatenerencuentayvalorarentrabajosfuturos.
Con los resultados obtenidos para las diferentes configuraciones, tanto en conveccin
natural y forzada, se ha realizado un anlisis comparativo, considerando las variables
influyentes en las variables elctricas del mdulo fotovoltaico tales como la relacin de
aspecto y velocidad en el canal de aire. Adems las medidas experimentales se han
comparando con modelos propuestos por otros autores, obtenindose tendencias muy
similaresenconveccinnaturalyforzada.
214
5.2COMPORTAMIENTODELPANELFOTOVOLTAICOCOLOCADOSOBREUNACUBIERTA
METLICA
Comparandolosresultadossegnlavelocidadenelcanal,losresultadosmuestranquepara
una relacin de aspecto dada, la temperatura que alcanza el panel, respecto al ambiente,
disminuye en torno un 1016C mediante refrigeracin inducida frente a la conveccin
natural,siendoladiferenciamayoralaumentarlavelocidadinducida.Estadiferenciaenel
comportamiento se traduce a obtener un aumento del 35% de la potencia elctrica del
panelcuandoelaireesinducidoencontradelaconveccinnatural,aumentandosuvalor
cuando la velocidad forzada es mayor. Las diferencias entre los dos casos de conveccin
forzadasonmenores,aumentandolapotenciaun2.4%yreduciendo7Clatemperaturade
funcionamientoparaelmayorvalordelavelocidadinducidaensayada.
Laseccindelcanaldeairederefrigeracinesotravariablequeintervieneenlaventilacin,
elanlisiscomparativorevelaqueparaunamismavelocidad(bienseaconveccinnaturalo
forzada),laproduccinelctricaaumentaun22.5%paralamayorseparacinenelcanalde
airequepermiteunamayorrefrigeracindeste,siendosutemperaturade57Cmenor.
Sin embargo, entre las relaciones de aspecto 0.0675 y 0.0825 existen menores diferencias
significativas a las obtenidas entre la mayor y menor seccin de aire. Se ha obtenido la
relacin negativa de la temperatura del mdulo en su rendimiento, para las relaciones de
aspectomsdispares,tantoenconveccinnaturalcomoforzada.Paraambassecciones,el
panelalcanzamenorestemperaturasmximasparalamayorvelocidadinducida,resultando
obtener mejor rendimiento que el resto de casos, los cuales llegan a alcanzar mayores
temperaturas mximas de panel, obteniendo menores rendimientos. Las mayores
diferenciasentrelasconfiguracionesseobtienencuandosutemperaturadefuncionamiento
aumenta,ysurendimientodisminuyebruscamente.Podemosconcluirque,lamayorseccin
deaireenelcanalpresentavaloresmnimosdelrendimientomayoresqueparaunaseccin
menor, tanto en conveccin natural e inducida, obtenindose una mejora de la eficiencia
delmduloenamboscasos.Habraqueanalizarelgastoelctricoenconveccininduciday
compararloconlamejoraenlaproduccindelpanelparaconfirmarsuidoneidad.
Conrespectoalainfluenciadelarelacindeaspecto,cuantomayores,msbajossonlos
valoresdekporlotantomenoreslatemperaturadelmdulo.Seconsideraunvalorcrtico
de0.11paralarelacindeaspectolacualpermiteminimizarelsobrecalentamientodelos
mdulosfotovoltaicos,paraloscasosenlosquelaventilacindentrodelcanalseproduce
porconveccinnatural.
215
CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS
CONCLUSIONS
This section is focused on the influence of the operation temperature of two similar
photovoltaicpanelsfromthesamemodelandtechnicalcharacteristics,aswellasoperating
underthesamestructuralcharacteristicsandenvironmentalconditions.Themaindifference
betweenbothmodulesliesinthatoneofthemwasplacedonasteelplate(panelB),existing
aspacebetweenbothsurfaceswhatallowedtheaircirculationthroughit.Thisairspacing,
characterised by the variable aspect ratio (b/L), had been modified in order to study its
influence.Theothermodulelackedanysurfaceorplateunderneathitanditwasconsidered
as a reference panel (panel A). The study carried out compares both panels, for three
sectionsoftheaircoolingchannelbynaturalandforcedconvection.
Firstly,thecomparisonbynaturalconvectionshowedthatthebehaviourofthepanelplaced
on a steel surface differed to the reference panel. Independently of the air spacing of the
channel,panelBreachedtemperatures510ChigherthanpanelAanditsperformancewas
11.5% lower, with the exent of the variation depending on the solar radiation and the
aspect ratio tested. Consequently, the positioning of a photovoltaic panel on a steel roof
modifiedtheoperatingtemperatureanditselectricalproduction,duetotheheattransfer
from the steel plate toward the air channel, and reducing the air cooling by natural
convectionofthemoduleatitsbackface.
In addition, when the air spacing was reduced, the air cooling was more restricted and its
temperaturedifferencewithpanelAisquitehigherthanthecasesinwhichpanelBandsteel
plate were more separated. This fact indicates that the air spacing has influence on the
216
5.2COMPORTAMIENTODELPANELFOTOVOLTAICOCOLOCADOSOBREUNACUBIERTA
METLICA
temperature,andasaconsequence,ontheelectricalvariables.Comparingthetemperature
gap between the panel and ambient, for the three aspect ratios, there were significant
differences at high solar radiations. The case of higher aspect ratio (b/L=0.0825), the
temperaturegapis57Clowerthanthesmallestairsection(b/L=0.0525),showingahigher
thermaldifferencefromradiationvaluesof600W/m2.Therefore,theelectricalproduction
wasbetter,obtaininganefficiencyof0.50.8%higherwiththeincreaseoftheaspectratio
which allowed for a better panel air cooling. Hence, under these conditions the electrical
variables such as the de open circuit voltage, shortcircuit current had many differences
whentheairchannelsectionincreased,experiencinganelectricalpowerincreaseof7.5%.
However, there were minimal differences at lower values of solar radiation and ambient
temperature.
Inconclusion,theaircoolingofaphotovoltaicpanelthroughachannelcreatedunderneath
itwithasteelplateisreducedincomparisontoamodulewithoutanysurfaceunderneath,
implying higher operating temperatures and lower electrical efficiency. Therefore, the air
spacingisaninfluentialvariableonthepaneltemperatureanditselectricalvariablesathigh
valuesofambienttemperatureandsolarradiation.Anincreaseof6cm(intheairspacingof
the channel) reduces the module temperature 56C and improves the performance 0.6
1.3%.
Secondly, the effect of air cooling by forced convection was studied through the same air
channelinitsbackface,ontheoperatingtemperatureandperformance,comparingitwith
thereferencepanel,forthesameaspectratiosproposedinnaturalconvection,andatthree
differentinducedvelocities(2,3,4m/s)foreachone.
The experimental results showed that the photovoltaic module placed on a steel plate
reachedfewertemperaturesthanthereferencepanelandabetterefficiency,whentheair
isinducedinthechannelbyafan,forthedifferentairspacingsectionsandfan operation
regimes. As a result, an improvement of the panel functioning existed, respect to other
panelwhichwasnotcoolingbyinducedair.Itshouldbenotedthatthecasewithsmallest
aspectratioandinducedvelocitypresentedasimilarpaneltemperatureandperformanceto
thevaluesofthereferencepanel,sothisconfigurationdidnotmeanagreatimprovement.
However, there were differences for the smallest air section and higher induced velocity
with panel A. The lowest operating temperatures matched the configuration with the
highest aspect ratio and induced velocity due to the air flow increased and it entailed an
increaseoftheheattransferintheairchannel.
The induced velocity in the channel has influence on electrical operating variables of the
photovoltaic panels. The different experimental tests concluded that a higher induced
velocity reduces 57C the module temperature and increases the efficiency (0.51%) for
eachairchannelsectioncomparedtothelowervalueofinducedvelocity.
217
CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS
As it was concluded in natural convection, the aspect ratio influenced the operating
temperature,aswellasitselectricalvariables.Thisfactalsohappenedtoinduceairthrough
the channel, but similarity was obtained in the values for the two higher aspect ratios
(0.0675 and 0.0825), thus the small increase of the channel separation is not a
breakthrough.
The air cooling by forced convection of panel B, improves the electrical performance
comparedtotheresultsinnaturalconvection,becauseofanincreaseofheattransferinthe
airchannel.Thecorrespondingcasewithaspectratiob/L=0.0675istheidealconfiguration,
obtaining better electrical functioning. Nevertheless, the induced air cooling using a fan
would be a suitable option if the improvement of electricity production by modules was
higher than the electricity consumption in which fan usage was supposed. The consumed
power by the fan has not been measured in this study and this would be an aspect to
considerinfuturestudies.
Acomparativeanalysiswithallresultsforthedifferentconfigurationstestedinnaturaland
forced convection were made, considering the influential variables in the electrical
functioningofthephotovoltaicpanels.Theseincluded:theaspectratioandthevelocityof
the air in the channel. Furthermore, experimental measurements were compared with
models proposed by other authors, resulting very similar trends at natural and forced
convection.
Comparing the experimental data for a given aspect ratio, the results showed that the
temperaturegapbetweenthepanelandtheambiencedecreasesbyaround1016Cwhen
thepanelexperiencesaircoolingbyforcedconvectioninthefaceofnaturalconvection,this
being the greatest difference with an increase of the air velocity. This difference in the
operationofthemodulemeansanincreaseof35%oftheelectricalpowerpanelwhenairis
induced contrary to natural convection, increasing its value at higher forced velocity. The
differences between the two cases of forced convection are less, increasing the power
around2.4%andreducingtheoperatingtemperature7Cforthehighestvalueofinduced
velocitytested.
The air channel section is other variable studied, and thus, for a given air velocity (either
naturalorforcedconvection)thecomparativeanalysisshowsthattheelectricalproduction
increases22.5%forthehighestairspacing,allowingbettercoolingeffect,andanoperating
temperatureof57Clower.However,therewerehardlyanydifferencesbetweenthetwo
higher aspect ratios, the major dissimilarities were obtained between the highest and
smallest airsection. The comparative analysis also includes the negative correlation of the
efficiencyversusthepaneltemperatureforthemostdifferentaspectratios.Thisisbothin
natural and forced convection. For both sections, the module reaches lower maximum
temperatures at the highest induced velocity which results in a better efficiency than the
218
5.2COMPORTAMIENTODELPANELFOTOVOLTAICOCOLOCADOSOBREUNACUBIERTA
METLICA
othercases.Theseothercasesreachhighermaximumtemperaturesandlowerefficiencies.
The significant differences between the configurations were obtained when the operating
temperature increased and performance decreased sharply. In conclusion, the widest
section of air in the channel had higher minimum values of performance than the
configuration with lower section at natural and induced convection, yielding an
improvement of module efficiency in both cases. It would be necessary to analyze the
electrical spending in induced convection and compare it with the improvement of panel
productiontoconfirmitssuitability.
Finally,inordertoglobalisetheresultsatdifferentconfigurations,anexperimentalmodelto
determinetheinfluenceofthechannelaspectratioandtheforcedventilationonthepanel
temperature (and consequently on the electric efficiency of the PV module) in a roof
integrated configuration, for various values of the incident solar radiation, ambient
temperatures, aspect ratios, and forced ventilation conditions is developed. The Ross
coefficient,k,isemployedtocharacterizethebehaviorofeachconfigurationstudied.
Withrespecttotheinfluenceoftheaspectratio,thehigheritis,thelowerthevaluesofk
andthelowerthetemperatureofthemodule.Acriticalchannelaspectratioof0.11canbe
consideredtominimizeoverheatingofPVdevices,forthecasesinwhichventilationwithin
the channel is produced by natural convection. Regarding the influence of the induced
velocity,ifvalueshigherthanthosecorrespondingtothenaturalconvectionventilationcase
areconsidered,lowervaluesoftheaspectratiomaybeusedforobtainingthesamecooling
inthePVmodule(Figura5.19).Foraconstantaspectratio,thevalueoftheinducedvelocity
withinthechannelaffectsstronglythecoolingofthemodule.
Semi empirical correlations for the Ross coefficient, module temperature, electrical
efficiency and power output are proposed with a good agreement with respect to the
experimentalmeasurements.ThesecorrelationsmaypredictthethermalbehaviorofthePV
module in BIPV configurations, for various ambient conditions. Similar evolutions with the
timewereobtainedbetweenthemeasurementsandtheexperimentalcorrelationproposed.
Anincreaseinthepoweroutputover19%fromthenaturalventilationcase(Vv=0.5m/s)to
thecaseofVv=6m/swasalsoobserved.
219
CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS
Losresultadosexperimentalesquesepresentanacontinuacin,hansidorecogidosdurante
losdascorrespondientesalperiodocomprendidoentre10052011y20082013,siguiendo
la metodologa descrita. Una vez tratadas el conjunto de las variables medidas en cada
configuracin,pararealizarunanlisismsadecuado,sehaprocedidoaunfiltradodedatos,
eliminando los correspondientes a das nublados, poco soleados y con menor temperatura
ambiente, con el fin de tener valores de das en similares condiciones ambientales de
temperaturayradiacinsolar.
El estudio y anlisis llevado a cabo ha sido como el presentado por Lorenz Fonfria S. et. Al
[83].Enprimerlugarsemuestralosefectosdelaumentodelatemperaturadelpanelenlos
principales parmetros elctricos del panel, para cada configuracin y unas condiciones
ambientales similares, comparndolos con los valores tericos. A continuacin, se analiza la
220
5.3COMPORTAMIENTODELPANELFOTOVOLTAICOCOLOCADOSOBREUNACUBIERTADEUN
INVERNADERO
El estudio comparativo del comportamiento del panel fotovoltaico sobre la cubierta del
invernadero para las diferentes configuraciones ensayadas se ha llevado a cabo con las
variables elctricas recogidas de los dos paneles inferiores (entrada del canal de aire),
conectadosenserieentres.Porconsiguiente,losvaloresdetemperaturadepanelalosque
se hacen referencia en los resultados expuestos, corresponde al valor medio entre ambos
paneles.
5.3.1 INFLUENCIADELATEMPERATURADELPANELENLASVARIABLESELCTRICAS
Con el fin de estudiar el comportamiento elctrico del panel fotovoltaico cuando est
emplazado sobre la cubierta de un invernadero, se han analizado los coeficientes de
temperatura de las principales variables elctricas de los paneles (tensin de circuito
abierto, intensidad de cortocircuito y rendimiento), mostrando su dependencia con la
temperatura.
221
CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS
a)
b)
222
5.3COMPORTAMIENTODELPANELFOTOVOLTAICOCOLOCADOSOBREUNACUBIERTADEUN
INVERNADERO
c)
Figura5.23Dependenciaconlatemperaturade:a)latensindecircuitoabierto(Voc),b)laintensidadde
cortocircuito(Isc)yc)elrendimiento.
Se observa que la tensin de circuito abierto disminuye con la temperatura del panel de
forma lineal y que su evolucin es similar para las diferentes configuraciones, existiendo
pequeadiferenciaenelvalordelcoeficientedetemperatura.Latensindecircuitoabierto
alcanzadaenlaconfiguracin4,paralasdiferentestemperaturasdelpanel,esmayorque
losvaloresmedidosenlasotras,siendolaVocdelaconfiguracin1lademenorvalor.
Porltimo,elrendimientodelainstalacinaumentaamedidaquelatemperaturamediade
lospanelesesmenorylosmayoresvaloresobtenidoscorrespondenalaconfiguracin4,en
laquelospanelesalcanzanunatemperaturamenoryaquenoexistetransferenciadecalor
entreelinteriordelinvernaderoylospanelesyademsexisteunmayorcaudaldeairede
refrigeracin.
Siguiendolamismametodologaexplicadaenelapartado5.1,descritaporEduardoLorenzo
et al. [64], se ha comparado los parmetros elctricos de las variables medidas en la
instalacinconlosquesedeberandeobtenersegnlacurvadelfabricante,bajolasmismas
condiciones.Lascorrelacionesresultantesson:
223
CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS
Seobservaqueloscoeficientesdetemperatura,queindicanlatasadevariacinrespectola
temperatura, se mantienen similares a los obtenidos experimentalmente, diferencindose
eneltrminoindependiente.
5.3.2 INFLUENCIADELAVELOCIDADDELVIENTO
Sehaestudiadocomoafectalavelocidaddelvientoenlatemperaturadetrabajodelpanel
(Figura 5.24) y en el rendimiento (Figura 5.25), acotando los valores de la temperatura
ambiente entre 2030C y para irradiancias mayores a 300W/m2. Para ello se han
representado las medidas para dos rangos de velocidades de viento, bajas velocidades de
viento (02 m/s) y velocidades mayores (811 m/s). Se han considerado velocidades de
vientoextremasparapodervisualizarmejorlainfluenciadeesteparmetro.
En los resultados obtenidos, se aprecia dispersin en las medidas, debido a que todos los
datosnoseencuentranexactamenteenlasmismascondicionesambientales,locualexiste
influenciadediversasvariables.Acotandomselrangodelosvaloresambientalesmedidos,
unfiltradomspreciso,noseobtenansuficientesvaloresparaobservarunaclarainfluencia
enlavelocidaddelviento,porellofinalmentesecogieronlosrangosmencionados.
224
5.3COMPORTAMIENTODELPANELFOTOVOLTAICOCOLOCADOSOBREUNACUBIERTADEUN
INVERNADERO
Figura5.24Influenciadelavelocidaddelvientoenelsaltodetemperaturadelpanelrespectolaambienteen
funcindelaradiacinsolar,paralasdiferentesconfiguracionesdeestudio.
225
CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS
cuando los valores de velocidadesde viento son bajos, el rendimiento del paneles menor
comparadoconlosdemayorvelocidaddeviento,dadoqueelpanelseencuentraamayor
temperaturacomohemosvistoanteriormente,seacualsealaconfiguracinensayada.
Figura5.25Influenciadelavelocidaddelvientoenelrendimientodelpanelenfuncindelaradiacinsolar,para
lasdiferentesconfiguracionesdeestudio.
226
5.3COMPORTAMIENTODELPANELFOTOVOLTAICOCOLOCADOSOBREUNACUBIERTADEUN
INVERNADERO
Porconsiguientelavelocidaddelvientoesunavariablequeinfluyeconsiderablementeenel
comportamientodelpanel,porestaraznenlaseccinanteriorseanalizladependencia
delasvariableselctricasconlatemperatura,paravaloresbajosdevelocidaddelviento.
5.3.3 TRANSFERENCIADECALORENELCANALDEAIREDEREFRIGERACIN
Los resultado de la Figura 5.24 muestran que la colocacin de un material aislante en la
cubierta del invernadero, implica una mejora en el rendimiento, dado que la temperatura
que alcanza el mdulo es menor que cuando el material de la cubierta es plstico. Esto
induceaqueelmaterialaislanteimpideparcialmentelatransferenciadecalordelinterior
del invernadero al aire que circula por el canal, mientras que su ausencia la permite en
mayormedida,locualinfluyeenlatemperaturayrendimientodelpanel.
Fijandolasmismascondicionestetemperatura,radiacinsolaryvelocidaddevientoqueen
la seccin 5.3.1, se ha representado el salto de temperatura del panel respecto a la
superficie inferior (plstico o aislante), para las cuatro configuraciones de estudio (Figura
5.26). Comparando las configuraciones con el mismo material, se aprecia una mayor
diferencia de temperatura para la mayor seccin de temperatura, como consecuencia de
unamayorrefrigeracindelpanelalaumentarelcaudaldeaire.
Figura5.26Diferenciadetemperaturadelpanelrespectoaladelasuperficiedelacubiertadelinvernaderopara
lascuatroconfiguracionesestudiadas.
Losresultadosobtenidostambinmuestranqueparaunamismatemperaturaalcanzadapor
elpanel,sudiferenciarespectoaladelasuperficieinferioresmayorcuandoelmaterialde
lacubiertaeselaislanteybastanteinferiorcuandoesplstico.Elplsticopermitetransferir
227
CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS
elcaloratravsdelaire,elcualtambinsetransfierealmduloyporellosutemperaturaes
similaraladelasuperficieinferior.Sinembargo,latemperaturadelpaneldifierebastantea
la de la superficie aislante, debido a que la transferencia de calor es menor, como se
estudiaracontinuacin.
(5.18)
Siendo: (5.19)
(5.20)
228
5.3COMPORTAMIENTODELPANELFOTOVOLTAICOCOLOCADOSOBREUNACUBIERTADEUN
INVERNADERO
Configuracin 1 Configuracin 2
8 8
6 6
4 4
2 2
0 0
0 5 10 15 20 25 30 35 0 5 10 15 20 25 30 35
Configuracin 3 Configuracin 4
8 8
Potencia absorbida (kW )
Potencia absobida (kW)
6 6
4 4
2 2
0 0
0 5 10 15 20 25 30 35 0 5 10 15 20 25 30 35
Tpanel-Tamb (C) Tpanel-Tamb(C)
Figura5.27Potenciacalorficaabsorbidaporelcanaldeairecirculanteporelcanalentrelosmdulos
fotovoltaicosylacubiertadelinvernadero,paralasconfiguracionespropuestas.
Cadaconfiguracinpresentaunlmitemximodepotenciareferidaalcalorqueescapazde
absorber el aire que circula por el canal. Como es de esperar, a mayor diferencia de
temperatura del panel, respecto el ambiente, la transferencia de calor al aire aumenta. Los
resultados obtenidos afirman que al colocar un aislante en la cubierta del invernadero, la
transferenciadecaloresmenorsisecomparaconlaconfiguracinquedisponedelplstico
conunaseccinsimilar.Sinembargo,lasmximastemperaturasalcanzadasporelpanelson
similares, lo que indica que el calor se trasfiere al canal de aire sin afectar a la de
funcionamiento del panel. Las configuraciones de mayor seccin, por las que circula mayor
caudal de aire, registran valores superiores de potencia absorbida, siendo el mximo del
ordende8kWparalaconfiguracin3.Estecalorabsorbidocorrespondealtransmitidodesde
losmdulosfotovoltaicosyenmayormedidaporlacubierta,delinteriordelinvernadero.Sin
embargo,enlaconfiguracin4,lamximapotenciaabsorbidaesdelordende46kW,algo
229
CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS
menor que la configuracin 3 debido a que se reduce la transmisin de calor a travs del
aislante,porconsiguientelapotenciaabsorbidaporelaireesmenor.Elaumentodelaseccin
de aire consigue que se trasfiera mayor calor al aire y la refrigeracin del panel ser
considerablementemayor,obteniendounmejorcomportamientoelctrico.
5.3.4 CONCLUSIONES(CONCLUSION)
Se ha estudiado el comportamiento de paneles fotovoltaicos sobre la cubierta de un
invernadero,fielaldiseodeunaplantaagroenergtica,conelpropsitodemodificarloy
comparar diferentes configuraciones. Se han medido cuatro configuraciones, para dos
seccionesdeentradadeaireenelcanalentremdulosylacubierta,yparacadaseccinse
hautilizadodiferentematerialconstituyentedelacubierta,tantoplsticocomoaislanteo
panelsndwich.
Entodosellosseobservaladisminucindelatensindecircuitoabiertoyrendimientocon
el aumento de la temperatura del panel y un ligero aumento de la intensidad de
cortocircuito. Para una temperatura de funcionamiento del panel determinada, el
rendimientodelpanelenlaconfiguracin4(mayorseparacinenelcanalyconcubiertade
aislante),esmayoralresto.
230
5.3COMPORTAMIENTODELPANELFOTOVOLTAICOCOLOCADOSOBREUNACUBIERTADEUN
INVERNADERO
CONCLUSIONS
The analysis includes the correlations of the characteristic parameters of the photovoltaic
panelwiththetemperatureforeachconfigurationandundersimilarconditionsofhighsolar
radiation and ambient temperature, as well as low wind velocity. A good agreement was
obtained in the different experimental cases. These experimental correlations have been
compared with the calculated correlations with the data provided by the manufacturer,
according to the methodology proposed by Eduardo Lorenzo [64]. The temperature
coefficientsoftheexperimentalmeasuredvariables,ineachconfiguration,presentthesame
associationorratevariationwiththetemperaturecomparedthemwithresultobtainedfrom
themanufacturerdata.
Thecorrelationsshowthedecreaseoftheopencircuitvoltageandefficiencyandaslightly
increase of the shortcircuit current when the temperature increases. The performance of
the modules at configuration 4 (higher section and with a panel sandwich in the roof) is
betterthantheothercases,forapaneltemperaturegiven.
231
CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS
A great influence of the wind velocity has been perceived in the experimental results
analysis on the behaviour of the photovoltaic panels. Thus, this influence was studied
comparing the temperature and efficiency of the panel for each configuration, at two
extreme range of value of wind velocity. At the higher wind velocity, the module
temperature decreased 27C, what indicated a better air cooling of the panel. The higher
paneltemperaturesreachedwererecordedintheconfigurationwhichhadplasticroof,and
indicated a thermal influence of the heat inside of the greenhouse. Similarly, there were
differencesintheresultsofthepanelefficiencydependingonthevalueofthewindvelocity.
The worst results were at lower velocity when the temperature was higher, for each
configuration. The best results of the efficiency were obtained in the configuration which
hadahighersectionoftheairchannelandpanelsandwichontheroof.
Finally,theheattransferintheairchannelwasquantifiedforeachconfigurationunderthe
sameenvironmentalcondition,obtainingtheabsorbedpowerfromthephotovoltaicpanel
and the greenhouse interior toward the air channel. The results showed that each
configurationreachedamaximumlimitofabsorbedheatbytheair,whichcorrespondedat
higher temperature difference between panel and ambient. The study concludes that the
insulatingmaterialontheroofreducestheheattransfercomparedwiththeplasticmaterial,
atthesamesectionofthechannel.Moreover,thehighestpaneltemperaturesreachedwere
lowerthanforthecaseswithplasticontheroof.Thisisduetotheinsulatingmaterialnot
allowingtheheattransferthroughtheroof,fromtheinteriorofthegreenhouse.Comparing
theconfigurationwiththesamematerialontheroof,theabsorbedheatishigherwhenthe
airchannelsectionincreases,becauseoftheairflowishigher.
The positioning of an insulating material on the roof and an increase of the air channel
section allows the panel to be better at cooling and consequently obtaining a better
electricalproductionlevel.
232
CONCLUSIONESYTRABAJOSFUTUROS(CONCLUSIONS)
CAPITULO6. CONCLUSIONESYTRABAJOSFUTUROS
(CONCLUSIONS)
Thetwocommercialphotovoltaicsystemswhichhavebeenusedasprototypeforthedesign
and build of the experimental facility were studied and were described. The first solar
photovoltaic system, referred to as Coronil II, is made up of 51 412 photovoltaic panels
groundmountedonafixedstructure.Usingdatafromthesolarplantfromthedifferentpanel
models, one of them was selected due to it providing better electrical behavior at high
temperature. This is the one that was used in our experimental facilities. The collected
measureddatainthephotovoltaicplant,inthemonthsofMay,June,JulyandAugust2010,
were screened to study and analyze the electrical variables of PV modules. These had the
samemodelandfeaturestothoseusedinexperimentalfacilities,undersimilarenvironmental
conditions of operation. The other commercial photovoltaic system (Coronil IV) is an
agroenergetic or photovolatic greenhouse and is made up of 4 464 photovoltaic modules
whichareintegratedontheroofofthegreenhouse.Themodulesarethesamemodelaswhat
waschosenfromtheotherplant.Thisphotovoltaicapplicationimpliesthemoduleswerenear
theplasticroofofthegreenhouse,sothehightemperaturesreachedinsideitcouldaffectthe
panelbehaviorduetotheheattransferbetweeninsideandtheairchannel.Forthisreason,
anexperimentalfacilityhadbeendesignedandbuiltinordertostudythisinfluence.
Theexperimentalfacilitieswhichweredesignedandbuiltforthestudyhavebeendescribed.
Thedescriptionincludesthestructuraldesignfortheprototypeconfigurationwhichissimilar
to the reference configuration of a commercial facility, as well as other proposed
configurations. This was in order to study a possible improvement in the electrical
performanceofphotovoltaicmodules,byaircoolingthroughtheirbackfacetakingadvantage
of the chimney effect created. Furthermore, the descriptions and characteristics of the
sensorsandinstrumentationsusedtomeasureandregisterthedatahavebeenincluded.The
first experimental facility consisted of two photovoltaic modules which are mounted on a
fixedstructure,withthesameslopeorpitchangleandorientation.Apanelwasplacedabove
a steel plate, with an air channel underneath the panel. The other module, without any
surface underneath it, was considered as the reference panel working under the same
ambientconditionstocomparebothelectricalfunctions.Thesecondexperimentalfacilityhas
beendesignedandbuilttruetothecommercialagroenergeticfacility(CoronilIV)fromwhich
the structural unit was chosen; consisted of a metal structure to support four photovoltaic
modules on the plastic greenhouse roof. The designed prototype and the original facility
contained a space between the roof and the photovoltaic modules which allowed the air
circulationthroughadivergentchannelbythechimneyeffectcreatedbynaturalconvection.
The design of the experimental facility allowed variation in the inlet air section, whose
purpose was to compare the panels functioning in each case, as well as the plastic roof
insulationmaterialwaschangedforeachstudiedsection.
233
CAPITULO6CONCLUSIONESYTRABAJOSFUTUROS(CONCLUSIONS)
Themethodologywhichwascarriedoutfortheprocessofdatarecordingandmeasurement
has been described. In order to develop a correct method for data recording and data
processing and to reduce the possible accidental errors, a determinate valid process which
couldbeusedinbothexperimentalfacilitieswascreated.Thedatauncertaintyanalysiswas
carriedoutforallmeasuredvariablesaimedtobestudied,andshownistheestimationofthe
measurement,andtheconfidenceintervaloftheestimation.Theuncertaintiesobtainedare
verylow,whichmeansthatthedatacollectedaresufficientlyreliable.
It was shown the study carried out compares two photovoltaic panels, one of them was
placedonasteelplate(panelB),existingaspacebetweenbothsurfaces,forthreesectionsof
theaircoolingchannelbynaturalandforcedconvectionandothermodulelackedanysurface
orplateunderneathitanditwasconsideredasareferencepanel(panelA).Theexperimental
results concluded that the air cooling of a photovoltaic panel through a channel created
underneathitwithasteelplateisreducedbynaturalconvection,incomparisontoamodule
withoutanysurfaceunderneath,implyinghigheroperatingtemperaturesandlowerelectrical
efficiency.Therefore,theairspacingisaninfluentialvariableonthepaneltemperatureandits
electricalvariablesathighvaluesofambienttemperatureandsolarradiation.Anincreaseof6
cm (in the air spacing of the channel) reduces the moduletemperature 56C and improves
theperformance0.61.3%.
On the other hand, the air cooling by forced convection of panel B, improves the electrical
performance(1%)comparedtotheresultsinnaturalconvection,becauseofadecreaseof
panel temperature (57C) due to an increase of heat transfer in the air channel. The
corresponding case with aspect ratio b/L=0.0675 is the ideal configuration, obtaining better
electrical functioning. Nevertheless, the induced air cooling using a fan would be a suitable
optioniftheimprovementofelectricityproductionbymoduleswashigherthantheelectricity
consumptioninwhichfanusagewassupposed.Theconsumedpowerbythefanhasnotbeen
measuredinthisstudyandthiswouldbeanaspecttoconsiderinfuturestudies.
Thecomparativeanalysiswithallresultsforthedifferentconfigurationstestedinnaturaland
forced convection were made, considering the influential variables in the electrical
functioningofthephotovoltaicpanels;theaspectratioandvelocityoftheairinthechannel.
Theanalysisconcludethatthetemperaturegap(panelambience)decreasesbyaround10
16Candelectricalpowerpanelincreases35%whenthepanelexperiencesaircoolingby
forcedconvectioninthefaceofnaturalconvection,foragivenaspectratio.Thedifferences
234
CONCLUSIONESYTRABAJOSFUTUROS(CONCLUSIONS)
betweenthetwocasesofforcedconvectionareless,increasingthepoweraround2.4%and
reducing the operating temperature 7 C for the highest value of induced velocity tested.
Moreover,ahigheraspectratioallowedbettercoolingeffectwithanoperatingtemperature
of57Clowerandanefficiency22.5%higher,foragivenairvelocityinthechannel.Asitwas
mentioned there were hardly any differences between the two higher aspect ratios.The
widest section of air in the channel had higher minimum values of performance than the
configurationwithlowersectionatnaturalandinducedconvection,yieldinganimprovement
ofmoduleefficiencyinbothcases.Itwouldbenecessarytoanalyzetheelectricalspendingin
inducedconvectionandcompareitwiththeimprovementofpanelproductiontoconfirmits
suitability.
The electrical functionality of the photovoltaic panels placed on roof of a greenhouse was
studiedwiththeaimofcomparingfourconfigurations:twoinletsectionsoftheairchannel
betweenthepanelandtheroof,andusingtwomaterialsintheroofsurfaceforeachsection,
plastic and insulating material (the sandwich panel). A good agreement as obtained in the
correlationsofthecharacteristicparametersofthephotovoltaicpanelwiththetemperature
for each configuration and under similar conditions of high solar radiation and ambient
temperature, as well as low wind velocity. The result shown that the performance of the
modules at configuration 4 (higher section and with a panel sandwich in the roof) is better
than the other cases. A great influence of the wind velocity has been perceived in the
235
CAPITULO6CONCLUSIONESYTRABAJOSFUTUROS(CONCLUSIONS)
experimentalresultsanalysisonthefunctionalityofthephotovoltaicpanels.Theworstresults
were at lower wind velocity when the temperature was higher, for each configuration. The
higherpaneltemperaturesreachedwererecordedintheconfigurationwhichhadplasticroof,
and indicated a thermal influence of the heat inside of the greenhouse. The analysis of the
heat transfer concluded that the insulating material on the roof reduces the heat transfer
compared with the plastic material, at the same section of the channel. Moreover, the
maximumpaneltemperaturesreachedwerelowerthanforthecaseswithplasticontheroof.
Thisisduetotheinsulatingmaterialnotallowingtheheattransferthroughtheroof,fromthe
interior of the greenhouse. The positioning of an insulating material on the roof and an
increaseoftheairchannelsectionallowsthepaneltobebetteratcoolingandconsequently
obtainingabetterelectricalproductionlevel.
TRABAJOSFUTUROS
Comodesarrollosfuturosdelpresentetrabajo,puedenplantarselossiguientes:
236
BIBLIOGRAFA
BIBLIOGRAFA
[1] International Energy Agency, MediumTerm Renewable Energy Market Report 2013,
OECD/IEA,Paris.
[2]KrauterS.,Increasedelectricalyieldviawaterflowoverthefrontofphotovoltaicpanels,
SolarEnergyMaterials&SolarCells,vol.82,pp.131137,2004.
[4] Short T, Oldach R., Solar powered water pumps: the past the present and the future,
JournalofSolarEnergyEngineering,vol.125,pp.7682,2003.
[5] Argaw N., Optimal load matching in photovoltaic water pumps coupled with DC/AC
inverter,InternationalJournalofSolarEnergy,vol.18,pp.4152,1995.
[6]OldachR.,ArgawN.,Evolutionofthesolarpoweredwaterpumps,InternationalJournalof
SolarEnergy,vol.11,pp.2637,1999.
[7]Krauter,HanitschR.,TheinfluenceofthecapsulationontheefficiencyofPVmodules,In
Proceedings of the 1st word renewable energy congress, vol. 1, pp.141144, Reading: UK;
1990September2328.
[8] Krauter S, Hanitsch R, Strauss PH., Simulationprogram for selecting efficiency improving
strategies of PVmodule encapsulations under operating conditions, In Proceedings of
renewableenergysources91,internationalconference,vol.3,pp.4853,Prague:CFSR,1990
July14.
[9] Ronnelid M, Perers B, Karisson B, Krohn P., Cooling of PV modules equipped with low
concentratingCPCreflectors,InProceddingofISESSolarWorldCongress;1999.
[10] Krauter S., Thermal and optical enhanced PVmodules, In proceeding of the 13th
EuropeanPhotovoltaicSolarEnergyConference,pp.23062309,NiceFrance,October2327.
[11] Karauter S., Hanitsch R., Moreira L., New optical and thermal enhanced PV modules
performing 12% better under truemodule rating conditions, In Proceeding of the 25th IEEE
PVSpecialistsConference,pp.13231326,WashingtonDC,USA,1996May1319.
[12] Earle Wilson, Theoretical and operational thermal performance of a wet crystalline
silicon PV module under Jamaican conditions, Renewable Energy, vol.34, pp. 16551660,
2007.
237
BIBLIOGRAFA
[13] Cordero N., Ginige R., Corbett B., Kennedy K., Thermal modelling of TPV systems, In
Proceedings of the eighth intersociety conference on Thermomechanical phenomena in
electronicsystems,pp.605609,2002.
[14] Radziemska E., The effect of temperature on the power drop in crystalline silicon solar
cell,RenewableEnergy,vol.28,pp.112,2003.
[16] Huang B.J, Lin T.H., Hung, F.S. Sun W.C., Performance evaluation of Solar
photovoltaic/thermalsystems,SolarEnergy,vol.70(5),pp.443448,2001.
[17]BrogrenM,KarlissonB.,LowconcentratingwatercooledPVthermalhybridsystemsfor
high latitudes, In Proceeding of Conference record of the twentyninth IEEE photovoltaic
specialistsconference,pp.17331736,2002.
[18] Guohui Gan., Numerical determination of adequate air gaps for buildingintegrated
photovoltaics,SolarEnergy,vol.83(8),pp.12531273,2009.
[19] Arvind Tiwari, M.S. Sodha, Avinash Chandra, J.C. Joshi, Performance evaluation of
photovoltaicthermalsolaraircollectorforcompositeclimateofIndia,SolarEnergyMaterials
&SolarCells,vol.90,pp.175189,2006.
[20]SwapnilDubey,G.S.Sandhu,G.N.Tiwari,Analyticalexpressionforelectricalefficiencyof
PV/Thybridaircollector,AppliedEnergy,vol.86,pp.697705,2009.
[21] Nynne Friling, Maa Jos Jimenez, Hans Bloem, Henrik Madsen, Modelling the heat
dynamics of building integrated and ventilated photovoltaic modules, Energy and Buildings
vol.41(10),pp.10511057,2009.
[22] Sweelem E., Fahmy F., AbdEI Aziz M., Increased efficiency in the conversion of solar
energytoelectricpower,EnergySources,vol.21,pp.367377,1999.
[23]KernJr.,EC,RussellMC.,Combinedphotovoltaicandthermalhybridcollectorsystems,In
Proceedingsofthe13thIEEEphotovoltaicspecialists,pp.11531157,WashingtonUSA,1978.
[25] Florschuetz LW., Extention of the HottelWhillier model to the analysis of combined
photovoltaic/thermalflatplatecollectors,SolEnergy,vol.22,pp.361366,1979.
[26]S.A.Kalogirou,UseofTRYNSYSformodelingandsimulationofahybridPVthermalsolar
systemforCyprus,RenewableEnergy,vol.23,pp.247260,2001.
238
BIBLIOGRAFA
[27]LeeWM,InfieldDG,GottschalgR.ThermalmodellingofbuildingintegratedPVsystems
In:Proceedingsof17thPVsolarenergyconference.Munich,2226October,2001.p.27547.
[28] Chow TT, Hand JW, Strachan PA., Buildingintegrated photovoltaic and thermal
applications in a subtropical hotel building, Applied Thermal Engineering, vol. 23, pp. 2035
2049,2003.
[29]ArakiK,UozumiH,YamaguchiM.,Asimplepassivecoolingstructureanditsheatanalysis
forconcentrator PV module, In Proceeding of conference record of the twentyninth IEEE
photovoltaicspecialistsconference,pp.15681571,2002.
[30] Farahat MA., Improvement the thermal electric performance of a photovoltaic cells by
coolingandconcentrationtechniques,InProceedingof39thInternationaluniversitiespower
engineeringconferenceUPECconferenceproceedings,vol.2,pp.623628,2004.
[31]D.Infield,L.Mei,U.Eicker,ThermalPerformanceestimationofventilatedPVfacades,Sol.
Energy,vol.76(13),pp.9398,2004.
[32]MeierC,HaslerCA.,Proceedingofthe11thEUPhotovoltaicSolarEnergyConferenceand
Exhibition,Montreaux,Switzerland,1216thOctober,1992.
[33]JoachimBenemann,OussamaChehab,EricSchaarGabriel,SolarEnergyMaterials&Solar
Cells,vol.67,pp.345350,2001.
[34] AbuBakr S. Bahaj, Photovoltaic roofing: issues of design and integration into buildings,
Renewableenergy,vol.28,pp.21952204,2003.
[35]http://www.bpsolar.com
[36] Guoguang Yu, Huiquing Xu, Jicai Ding, Hongshan Xu, Xianbi Xiang, Xianbo Liao, Building
integratedsolarpowergenerationonroof,InProceedingofIEEE2010.
[37]SujataNayak,G.N.Tiwari,Energyandexergyanalysisofphotovoltaic/thermalintegrated
withasolargreenhouse,EnergyandBuildingsvol.40(11),pp.20152021,2008.
[38]A.Yano,Electricalenergygeneratedbyphotovoltaicmodulesmountedinsidetheroofor
anorthsouthorientedgreenhouse,BiosystemsEngineering,vol.103(2),pp.228238,2009.
[39]E.Skoplaki,J.A.Palyvos,Operatingtemperatureofphotovoltaicmodules:Asurveyof
pertinentcorrelations,RenewableEnergy,vol.34,pp.2329,2009.
[40]Binkworth,B.J.,Cross,B.M.,Marsahall,R.H.,Yang,H.,Thermalregulationofphotovoltaic
cladding,SolarEnergyvol.61,pp.169178,1997.
[41]J.K.Tonui,Y.Tripanagnostopoulos,PerformanceimprovementofPV/Tsolarcollectors
withnaturalairflowoperation,SolarEnergy,vol.82,pp.112,2008.
239
BIBLIOGRAFA
[42] Krauter S., Arauja, R.G., Schroer, S., Hanitsh, R., Salhi, M.J., Triebel, C., Lemoine, R.,
Combined photovoltaic and solar thermal systems for faade integration and building
insulation,SolarEnergy,vol.67,pp.239248,1999.
[43] Maycock P, Stirewalt E., A guide to the photovoltaic revolution. Pennsylvania: Rodale
Press;1985.
[44]AngristS.,Directenergyconversion.Boston:AllynandBacon;1982.
[45]HuC,WhiteR.,Solarcells:frombasictoadvancesystems.NewYork:McGrawHill;1983.
[46]GraffK,FischerH.,Carrierlifetimeinsiliconanditsimpactonsolarcellcharacteristics,In
ProceedingofSeraphinBO,editor,Topicsinappliedphysicssolarenergy.
[47] Skoplaki, E., Palyvos, J.A., On the temperature dependence of photovoltaic module
electricalperformance;areviewofefficiency,powercorrelation,SolarEnergyvol.83,pp.614
624,2009.
[48]AmydelaBretequeE.,ThermalaspectsofcSiphotovoltaicmoduleenergyrating,Solar
Energy,vol.83,pp.14251433,2009.
[49]GreenM.A.,SolarCells,PrenticeHall,Inc.,Englewoodcliffs,1982.
[50] Akira Usami, Shiro Seki, Yuichi Mita, Hiromu Kobayashi, Hajime Miyashiro, Nobuyuki
Terada,Temperaturedependenceofopencircuitvoltageinsolarcells,SolarEnergyMaterials
&SolarCells,vol.93,pp.8408422009.
[52]Wrfek,P.,PhisicsofSolarCells:Fromprinciplestonewconcepts,Wiley,VCH,2005.
[53]VanDykEE,ScottBJ,MeyerEL,LeitchAWR,Temperaturedependenceofperformanceof
crystallinesiliconmodules,S.Afr.J.Sci.vol.96,pp.198200,2000.
[54]Gxasheka A.R., van dyk E.E., Meyer E.L., Evaluation of performance parameters of PV
modulesdeployedoutdoors,RenewableEnergy,vol.30,pp.611620,2005.
[55] Mazer JA., Solar cells: An introduction to crystalline photovoltaic technology, Kluwer
AcademicPublications,1997,p.108.
[56] Meyer EL, On the reliability, degradation, and failure of photovoltaic modules, PhD
Thesis,UniversityofPortElizabeth,2002,p7374.
240
BIBLIOGRAFA
[57] King D.L., Dudley J.K., Kratochvil J.A., Boyson W.E., Temperature coefficient for PV
modules arrays: measurements methods, difficulties and results, In Proceedings 25th IEEE
photovoltaicspecialistsconference,pp.11831186,1997.
[58] Tomasz Kozak, Witold Maranda, Andrzej Napieralski, Gilbert De Mey, Alexis De Vos,
Influence of Ambient Temperature on the Amount of Electric Energy Producted by Solar
Modules,InproceedingofMIXDES16thInternationalConferenceMixedDesignofintegrated
CircuitsandSystems,pp.351354,2009.
[59] Palyvos J.A., A survey of wind convection coefficient correlations for building envelope
energysystemsmodeling,AppliedThermalEngineering,vol.28,pp.801808,2008.
[60]KhedariJ.,HirunlabhJ.,BunnagT.,Experimentalstudyofaroofsolarcollectortowards
thenaturalventilationofnewhouses,EnergyandBuildings,vol.26,pp.159164,1997.
[61]KhedariJ.,MansirisubW.,ChaimaS.,Pratinthong,N.,Hirunlabh,J.,Fieldmeasurements
ofperformanceofroofsolarcollector,EnergyandBuildings,vol.31,pp.171178,2000.
[62]HirunlabhJ.,WachirapuwadonS.,PratinthongN.,KhedariJ.,Newconfigurationsofaroof
solarcollectormaximizingnaturalventilation,BuildingandEnvironment,vol.36,pp.383391,
2001.
[63]SandbergM.,MoshfeghB.,Buoyancyinducedairflowinphotovoltaicfacades:Effectof
geometryoftheairgapandlocationofsolarcellmodules,BuildingandEnvironmentvol.37,
pp.211218,2002.
[64] Ryan D., Burek S.A.M., Experimental study of the influence of collector height on the
steady state performance of a passive solar air heater, Solar Energy vol. 84, pp. 16761684,
2010.
[65] Gan G., Numerical determination of adequate air gaps for buildingintegrated
photovoltaics,SolarEnergyvol.83,pp.12531273,2009.
[66]BrinkworthB.J.,MarshallR.H.,IbarahimZ.,AvalidatedmodelofnaturallyventilatedPV
cladding,SolarEnergyvol.69,pp.6781,2000.
[67]JieJ.,HuaY.,WeiH.,GangP.,JianpingL.,BinJ.,ModelingofanovelTrombewallwithPV
cells,BuildingandEnvironmentvol.42,pp.15441552,2007.
[68]PanticS.,CandanedoL.,AthienitisA.K.,Modelingofenergyperformanceofahousewith
three configurations of buildingintegrated photovoltaic/thermal systems, Energy and
Buildingsvol.42,pp.17791789,2010.
[69] Khedari J., Ingkawanich S., Waewsak J., Hirunlabh J., A PV system enhanced the
performanceofroofsolarcollector,BuildingandEnvironment,vol.37,pp.13171320,2002.
241
BIBLIOGRAFA
[70] Ross R.G., Interface design considerations for terrestrial solar cell modules, In
Proceedingsofthe12thIEEEPhotovoltaicSpecialistsConference,pp.801806,BatonRouge,
LA,USA,Nov.1518,1976.
[72] Skoplaki E., Boudouvis A.G., Palyvos J.A., A simple correlation for the operating
temperatureofphotovoltaicmodulesofarbitrarymounting,SolarEnergyMaterialsandSolar
Cellsvol.92,pp.13931402,2008.
[74]Evaluacindedatosdemedicin.Guaparalaexpresindelaincertidumbredemedida.
JCGM2008.NIPOEdiciondigital1,Septiembre2008.
[75]TaylorB.N.,KuyattC.E.,GuidelinesforevaluatingandexpressingtheuncertaintyofNIST
measurementresults,NTISTechnicalnote1297,1994..
[77]A.S.Kaiser,B.Zamora,R.Mazn,J.R.Garca,F.Vera,Experimentalstudyofthecoolingby
forcedconvectiononbuildingintegratedphotovoltaicmodules,AppliedEnergy,vol.135,pp.
8897,2014.
[78]VeraGarcaF.,MaznHernndezR.,GarcaCascalesJ.R.,SnchezKaiserA.,ZamoraParra
B., Estudio comparativo de la influencia de la temperatura de paneles fotovoltaicos
trabajandoenunhuertosolarfrenteavaloresobtenidosenbancodeensayos,XVCongreso
IbricoyXIbericoamericanodeEnergaSolar(CIES),2022Junio,Vigo,Espaa,2012.
[79]LorenzoE.,Electricidadsolar,Ingenieradelossistemasfotovoltaicos,PROGENSA.ISBN:
8486505453,1994.
242
BIBLIOGRAFA
[81]BrinkworthB.J.,OptimumdepthforPVcoolingducts,SolarEnergyvol.80,pp.11311134,
2006.
[82]EvansD.L.,FlorschuetzL.W.,Coststudiesonterrestrialphotovoltaicpowersystemswith
sunlightconcentration,SolarEnergy,vol.19,pp.255262,1977.
[83] Lorenz Fonfria S., Mazn Hernndez R., Vera Garca F., GarcaCascales J.R., Snchez
Kaiser A., Zamora Parra B., Estudio de la influencia de la refrigeracin con aire de forma
naturalenelcomportamientodeinstalacionesfotovoltaicasagroenergticasencubiertas,XV
Congreso Ibrico y X Ibericoamericano de Energa Solar (CIES), 2022 Junio, Vigo, Espaa,
2012.
243
244
ANEXOA
Lasclulassolaresestnconstituidaspormaterialessemiconductoresespecialmentetratados
para formar dos capas dopadas distintas, tipo p y tipo n, formando as un campo elctrico,
positivoynegativo.
Parapoderentenderelfuncionamientodelosdispositivosfotovoltaicos,sedebecomprender
el comportamiento de los materiales que los constituyen, los semiconductores. Por ello, a
continuacinseexponenalgunosconceptosfsicosyelctricosbsicos,necesariosparapoder
conocereinterpretarelprincipiodefuncionamientodelaclulasolar.
245
ANEXOA
A.1PRINCIPIOSFSICOSDEFUNCIONAMIENTODEMDULOSFOTOVOLTAICOS
Lafsicaclsicaconsideraquelamateriaestconstituidaportomos.Cadatomoconsisteen
unncleoquecontieneundeterminadonmerodeprotonesyneutrones.Adems,eltomo
estcompuestoporundeterminadonmerodeelectronesquerodeanelncleoenrbitas
especficas las cuales se encuentran agrupadas en lo que llamamos capas. Dichas capas se
presentanennivelesdeenerga:K,L,M,N,O,P,Q,talcomoseilustraenlasiguientefigura:
FiguraA.1Estructuradeltomoysusnivelesdeenerga
Segnlafuerzaenqueloselectronesdevalenciaestnligadosalncleoy,portanto,segnla
facilidad con que se pueden desplazar de un tomo al contiguo, los materiales se pueden
clasificaren3clases:conductores,semiconductoresyaislantes.
Conductores:Losconductorescomosonlosmetales(cobreyaluminio),estnformadospor
tomosenlosqueloselectronesnoestnmuyligadosalncleoyfcilmentesedesplazanal
otro con tal que exista una pequea diferencia de potencial, por tanto, apenas necesitan
energaparaconducir.
Semiconductores:Amuybajastemperaturas,lossemiconductorestienenlapropiedaddeun
aislante; sin embargo, a temperaturas ms altas algunos electrones tienen libertad de
movimiento y los materiales adoptan las propiedades de un conductor, si bien de un
conductorpobre.Noobstante,lossemiconductorestienenalgunascaractersticastilesque
lohacendistintostantodelosaislantescomodelosconductores.
ANEXOA
pues no hay portadores mviles de carga. Por tanto, la energa necesaria para conducir es
muyelevada.
A.1.1COMPORTAMIENTOELCTRICODELOSSEMICONDUCTORES
Paratratardeexplicarcmosecomportanlosmateriales,seutilizaeldenominadomodelo
debandasdeenerga.Loselectronesdentrodeunmaterialsepuedendesplazarnicamente
anivelesdeenergapermitidos.Enlafigurasiguientesemuestradichomodelodebandasde
energa.
FiguraA.2Modelodebandasdeenerga
LaenergaEgsepuededefinircomolaenerganecesariaparaqueunelectrnpasedeuna
bandaaotra.staenergadependedelmaterialysesueleexpresarenelectrnvoltios(1
eV=1,602.1019J).Porejemplo,lossemiconductoresparaconducir,necesitanunaenerga
entre0,8eVy3eV,mientrasquelosaislantesparaconducirnecesitanunaenergamayor
que5eV.
Lasiguientefiguramuestraelmodelodebandasdeenergaparalos3tiposdemateriales
mostrandolaregindondeseaplicaacadaunodeellos.
247
ANEXOA
FiguraA.3Modelodebandasdeenergaparaconductores,semiconductoresyaislantes
Comosepuedeobservarenlafigura,losmaterialesconductores(metales)tienensolapadas
las bandas de conduccin y de valencia, lo que demuestra que prcticamente no necesitan
energaparaconducir,mientrasquelossemiconductoressilarequieren.
Unsemiconductorintrnsecoesuncristalpuroquenoestdopadooloqueeslomismono
contiene impurezas. En un cristal intrnseco (puro), cada tomo se posiciona formando una
especiederetcula,concuatrotomoscercanos.Cadapardetomoscercanosformaloque
sedenominaenlacescovalente.Estosenlacesestnformadosporlos4electronesdelacapa
devalencia.
FiguraA.4Cristaldesiliciointrnseco
Alatemperaturade0K,loselectronesestnenlosmenoresestadosdeenergadisponibles,
conlocuallosenlacesnoserompen.Enestascondicioneselmaterialsecomportacomoun
aislanteelctrico.
248
ANEXOA
Sialsemiconductorintrnsecoseleaplicaunafuentedeenergacomopuedeserluz,calor,
campo elctrico, campo magntico, etc., algunos enlaces covalentes se rompen por
ionizacin trmica, con lo cual se generan electrones libres y huecos en igual nmero. El
hueco es la ausencia de electrn y puede entenderse como un portador de carga positiva
quesemuevelibrementeporelcristal(elvalordelacargadeunhuecoesigualqueladel
electrnperoconsignopositivo).
FiguraA.5Creacindeunelectrnhuecoenuncristaldesilicio
Enlossemiconductoreslaconduccindeelectricidadesdebidatantoloselectronescomoa
los huecos que se mueven en sentido contrario. La Figura A.6 muestra como cuando los
electrones se desplazan a la derecha para llenar un hueco el hueco se desplaza en sentido
contrario,esdecir,alaizquierda.
FiguraA.6Movimientodeloselectronesyloshuecosensemiconductores
249
ANEXOA
Dondeneeslaconcentracindeelectroneslibre,pserefierealaconcentracindehuecosy
nieslaconcentracinintrnsecadeelectronesohuecosqueesconstanteparacadamaterial
aunadeterminadatemperatura:Ej.ni=1,45.1010cm3a300KparaelSilicio.
Elsemiconductorextrnseco,consisteenunsemiconductoralcualseleaadenimpurezas
paraaumentarelnmerodeportadoreslibres.Tambinsesuelehablardesemiconductores
dopados. Los semiconductores con impurezas son materiales en los que predominan
portadoresdeunaclase(huecoselectrones).
Para formar un semiconductor tipo n se aaden impurezas donadoras, ND, con lo cual, se
aumenta el nmero de electrones, de modo que los electrones son los portadores
mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. Las impurezas donadoras son
tomos pertenecientes a la columna 5A de la tabla peridica de los elementos (tomos
pentavalentes),comopuedenserelArsenio,AntimonioyFsforo.
Paraformarunsemiconductortipopseaadenimpurezasaceptadoras,NA,conlocual,se
aumentaelnmerodehuecos,enestecasoloshuecossonlosportadoresmayoritariosylos
electrones son los portadores minoritarios. Las impurezas aceptadoras son tomos
pertenecientesalacolumna3Adelatablaperidicadeloselementos(tomostrivalentes),
comopuedenserelBoro,IndiooGalio.
Alaadirimpurezasdonadorasaunsemiconductorprovocaunadisminucindehuecos.Por
otrolado,alaadirimpurezasaceptadorasaunsemiconductorprovocaunadisminucinde
electronespordebajodelniveldelintrnseco.Sepuededemostrarqueenunsemiconductor
extrnseco o dopado, el producto de la concentracin de huecos y electrones es una
constante independiente de la cantidad de impurezas aceptadoras o donadoras que se
aaden:
A.1.2LAUNINPN
LauninPNconstadeunnicocristaldematerialsemiconductor,queestdopadodeforma
que resulta ser un material de tipo n en un lado y de tipo p en el otro. Se pueden aadir
impurezasalcristalamedidaquevacreciendo,oaadirlasmstarde,yaseapordifusinde
tomosdeimpurezasenelcristal,oporimplantacindeiones.Enlaretculacristalina,es
importante que en la unin de la parte N con la parte P no haya ninguna interrupcin.
Esto solo ser posible si la unin se constituye como un solo cristal. Sin embargo, resulta
250
ANEXOA
instructivoimaginarlaformacindeunauninPNjuntandouncristaldetipopyuncristal
detipon.
Antes de unir las dos mitades de la unin, el lado N tiene una alta concentracin de
electrones libres y una baja concentracin de huecos. En la mitad de tipo p tenemos la
condicininversa.
Debidoalaltogradientedeconcentracindeportadoresdeunmismotipoacadaladodela
unin(enunladosonmayoritariosyenelotrominoritarios),tiendenapasarpordifusin
desdeelladodondesonmayoraalladodondesonminora.
Alocurriresto,dejanenlasproximidadesdelauninunazonadecargasfijas(negativasen
lazonaPypositivasenlaN)producindoseaambosladosdelauninundipoloelctrico
quecreauncampoelctricodirigidodelazonaNalazonaPquetiendeacompensaresta
difusindeportadores,llegndoseasaunasituacindeequilibrio.
1.SeproduceunadifusindehuecosdelareginPalareginNyunadifusinde
electronesdelareginNalareginP.
2.AlhaberdifusinalgunoshuecosquepasandelareginPalareginNyalgunos
electrones que pasan de la zona N a la zona P, se recombinan hasta alcanzar el
equilibrio.
FiguraA.7Zonadedeplexinenlauninpn
251
ANEXOA
potencial sobre dicha regin (de signo contrario) denominado potencial de contacto o
potencialdeunin(Vo).Sumagnitudesdelordende0,3a0,7V,dependiendodeltipode
semiconductor,GermaniooSilicio,respectivamente.
5.Elcampoelctricoimpidequemsportadoresatraviesenlaunin.
6.Existendostiposdecorriente:
Encondicionesdecircuitoabierto,noexistecorrienteexternayportantoID=IS(equilibrio).
Enestasituacin,circuitoabierto,latensinesnula,conlocuallatensinopotencialde
uninsecompensaconlatensindelasunionesmetalsemiconductor(verFiguraA.8).Por
lotanto,secumple,comoesdeesperar,elprincipiodeconservacindeenerga.
FiguraA.8Circuitoabiertoenlauninpn
A.1.3PRINCIPIODEFUNCIONAMIENTODELACLULASOLAR
Como se mencion previamente, las clulas solares estn constituidas por materiales
semiconductores, principalmente silicio, y son elementos que transforman directamente
parte de la energa solar que reciben en energa elctrica. Los electrones de valencia del
materialsemiconductordelaclula,queestnligadosdbilmentealncleodesustomos,
sonarrancadosporlaenergadelosfotonesdelaradiacinsolarqueincidensobreella.A
estefenmenosedenominaefectofotovoltaico.
252
ANEXOA
Comoyasehacomentadoanteriormente,laroturadeenlacesyportanto,laaparicinde
unparelectrnhuecopuedeproducirseporlaabsorcindeunfotndeenergasuficiente
(efectofotovoltaico)oporagitacintrmica.Elprocesocontrario,esdecir,larecombinacin
odesaparicindeunparelectrnhuecopuedeproducirsealencontrarseunelectrnlibrey
unhueco(estoesdifcil,yaquesenecesitacondicionesmuyespecficas)oporlaexistencia
deundefectodelaestructuradelmaterialsemiconductor.
Tantolaenerganecesariaparaqueocurraelprocesodegeneracincomolacedidaenelde
recombinacin, tienen un valor determinado, Eg, denominado ancho de banda prohibida.
As,estosdosfenmenospuedenescribirseconlaecuacinreversiblesiguiente:
(A.1)
Los electrones libres y los huecos creados por la ruptura del par electrnhueco tienden a
difundirse desde las zonas iluminadas, donde se crean, a las zonas oscuras. Para evitar la
recombinacin es necesario crear en el interior del semiconductor un campo elctrico,
mediante una unin PN, que separe fsicamente stos dos tipos de portadores o cargas
libresmviles,apareciendoasunaintensidaddecorrientenetaqueatraviesalaclulasolar
ensentidodeesecampo.
Delosdosposiblesmotivosderecombinacin(antesmencionados),elmsimportanteesla
existenciadedefectosenelcristalquesedenominantrampas.Supngaseunsemiconductor
tipon,enelqueloshuecossonminoritarios,ysupngaseundefectoenelcristalenestado
neutro, como los electrones son muy numerosos, la trampa o defecto rpidamente
capturauno,quedandoionizadanegativamente(quees,porello,elestadodeequilibrio
delatrampaenunsemiconductordeestetipo)alaesperadepodercapturarunhueco,
queesmsdifcilporserstosltimosminoritarios.Cuandoloconsigue,denuevosuestado
esneutroysehaproducidounarecombinacin.Rpidamentecapturaunelectrnyqueda
cargada negativamente otra vez, a la espera de otro hueco para completar otra
recombinacin.
Paragarantizarqueelnmeroderecombinacionesseaelmenorposible,esdecir,paraque
sepuedaaprovecharlamayoradelascargaslibresproducidasporlarupturadelospares
electrnhuecograciasalosfotonesdelaradiacinsolarincidente,elnmerodetrampas
o defectos del cristal ha de ser la menor posible. Esto se consigue utilizando cristales de
siliciopuroosiliciomonocristalino.
Conestosconceptosyasepuedecomprenderelprincipiofsicodelfuncionamientodeuna
clula solar. Cuando la radiacin solar incide sobre la clula, los fotones con energa
suficiente rompen el par electrnhueco dejando stos portadores libres (efecto
fotovoltaico).ElcampoelctricodelauninPNseparastosportadoresparaevitarquese
recombinen,llevandoloselectronesalazonaNyloshuecosalazonaP,apareciendode
253
ANEXOA
esemodounaintensidaddecorrientenetaqueatraviesalaclulasolarenelsentidodeese
campo,delazonaNalazonaP.
Elprocesodelprincipiofsicodelaceldasolarsepuederesumirenlossiguientespasos:
Losfotonesincidentessonabsorbidosysegeneranpareselectrnhueco,tantoenla
reginPdelaunincomoenlareginN.Supondremosquesegeneraunaparejapor
fotn.
FiguraA.9Separacindelosportadoresporelcampodelauninpn
Silaceldaestencircuitoabierto,laacumulacindecargasdesignosdiferentesen
los huecos se dirigen a la regin P y los electrones a la regin N. ste proceso se
puedeobservaracontinuacin.
FiguraA.10Clulasolarencircuitoabierto
SilaceldaestcortocircuitadasegeneraunacorrientedecortocircuitoIsc.Observar
queelsentidodelacorrienteeselmismoqueeldelacorrienteinversadesaturacin
delauninPN(diodo).LaFiguraA.11ilustrastasituacin:
254
ANEXOA
FiguraA.11Clulasolarcortocircuitada
Por tanto, si mediante una carga exterior (R) se cierra el circuito, la corriente fotovoltaica
generada(I)saledelaclulahaciaelcircuitoexteriorporlareginP,atraviesalacargay
entra de nuevo a la clula por la regin N. Esto que se acaba de mencionar se puede
observarenlafigurasiguiente:
FiguraA.12Corrientefotovoltaicagenerada
Podemosconcluirqueladiferenciaentreunaceldasolaryundiodoestenlacirculacinde
lacorriente.Enundiodo,debidoaquefuncionaconunafuentedetensinqueseleaplica
en el circuito que est conectado, cuando est polarizado directamente (se le aplica un
potencial ms positivo a la regin P y un potencial ms negativo a la zona N), entonces la
corrientequeparticipaenelprocesoeslacorrientededifusin,conlocualinternamentela
corrientecirculadelareginPalareginN.
Por otro lado, en la celda solar, debido a la radiacin trmica, acta como un generador,
siendolacorrientedesaturacininversa(Is)lacorrientequeintervieneenelprocesoy,por
tanto,circuladelareginNalareginP.
255
ANEXOA
A.2PRINCIPIOSELCTRICOSDEFUNCIONAMIENTODEMDULOS
FOTOVOLTAICOS
Antes de expresar las variables elctricas que caracterizan a la clula fotovoltaica, as como
sus ecuaciones, se van a explicar unos conceptos elctricos de partida que nos permitir
comprenderelfuncionamientoelctricodeunaclulafotovoltaica,sucurvacaracterstica,las
variablesquelacaracterizan,sucircuitoequivalente...
EnelapartadoanteriorsehavistolauninPNencircuitoabierto(equilibrio)ysinninguna
fuentedeenergaexterioraplicada.SiseaplicaunatensindirectaalauninPN,elcampo
elctricosereduceynosepuedepararelflujodeelectronesyhuecos.Esentoncescuandose
produce una corriente. El flujo de corriente aumenta con la tensin externa aplicada, este
fenmenoesconocidocomolaleydeldiodoideal,quesepuedeexpresarpor:
(A.2)
1
Donde:
Is:corrientedesaturacindeoscuridad.
V:tensinaplicada.
q:cargadeelectrn(1,6x1019C)
K:constantedeBoltzmam:K=1,38x1023J/K
T:temperaturaabsoluta.
=VT:potencialtrmico(paraelsilicioa25Cesiguala25,7mV)
Laexpresindeldiodoparalosdiodosrealeseslaquesigue:
1 (A.3)
256
ANEXOA
FiguraA.13Curvacaractersticadeundiodo
Elcomportamientodeunaclulafotovoltaicasepuedevercomoeldeundiodo,engeneral
desilicio,diseadaparamaximizarlaabsorcindefotonesyminimizarlareflexin.
Cuandoseconectaunaclulafotovoltaicaaunaresistenciadecargayseilumina,circulauna
corrienteI.Enestecaso,sepuedeobservarqueenlaclulalacorrientecirculadectodoa
nodo,esdecir,internamentecirculadelsemiconductortipoNaltipoP(contrarioalsentido
deundiodo).
FiguraA.14Circulacindecorrienteenlaclula
Elsmbolodeunaclulaounpanelsolarfotovoltaicosepuedeencontrarrepresentadodela
siguientemanera:
FiguraA.15Smboloelctricodeunpanelsolar
Lailuminacindeunaclulafotovoltaicaaadeunacorrientefotogeneradaalacurva
caractersticaIVdemodoquesuecuacincaractersticasepuedeexpresarpor:
1 (A.4)
DndeILeslacorrientefotogenerada(generadaporelefectofotovoltaico).
257
ANEXOA
LaincidenciadelaluztieneelefectodemoverlacurvaIVhaciaabajo,enel4cuadrante,tal
comosemuestraenlasiguientefigura:
FiguraA.16CurvaIVdeunaclulafotovoltaica
Elmodeloocircuitoequivalenteidealdeunaclulafotovoltaicaserepresentaporunafuente
de corriente en paralelo con un diodo. La siguiente figura muestra el modelo ideal de una
clulafotovoltaicacuandoseconectaaunaresistenciadecarga:
FiguraA.17Circuitoidealdeunaclulafotovoltaica
1 (A.5)
Portanto,lacurvaIVcaractersticaquedara:
258
ANEXOA
FiguraA.18Curvacaractersticadeunaclulafotovoltaica
A.2.1VARIABLESCARACTERSTICAS
Atendiendoalaecuacincaractersticadeunaclulafotovoltaica,paradiversassituaciones
podemosdefinirunaseriedevariablesquecaracterizansucomportamiento.
a) Corrientedecortocircuito(ISC):Sicortocircuitamoslaclula(R=0),entonceslatensin
es nula, V=0, y por consiguiente la corriente es: ISC=IL. Basta con sustituir V=0 en la
ecuacincaracterstica.ConloqueISCesindirectamenteproporcionalalaluzincidente.
b) Tensindecircuitoabierto(Voc):Siabrimoselcircuito(R=),entoncesI=0ylatensin
delaclulaes:
1 (A.6)
SepuedeobservarqueVOCaumentalogartmicamenteconlairradiacinincidente.
Paratenerunaideadelordendemagnitud,sepuededecirqueunaclulafotovoltaicade
siliciomonocristalinogeneraunvoltajedecircuitoabierto(VOC)entornoalos0,7Vyuna
corrientedecortocircuito(ISC)quedependedelreadelaclula,aproximadamente3A
paraunreade100cm2.
Irradiancia:1000W/m2(1kW/m2)
Distribucinespectraldelaradiacinincidente:AM1.5(masadeaire)
Incidencianormal
Temperaturadelaclula:25C
259
ANEXOA
Dichoparmetrosedefinecomolatemperaturaquealcanzanlasclulassolarescuando
sesometealmduloalassiguientescondicionesdeoperacin:
Irradiancia:800W/m2
Distribucinespectraldelaradiacinincidente:AM1.5(masadeaire)
Incidencianormal
Temperaturaambiente:20C
Velocidaddelviento:1m/s
d) Potencia:Laexpresindelapotenciaentregadaporlaclulasepuedeencontrardela
expresin:
1 (A.7)
Paraunvalordelacorrientefotovoltaica,Impyunvalordelatensin,Vmp,lapotencia
entregadaalacargasermxima(Pm),aesepuntoseledenominaPuntodeMxima
Potencia(PMP).
Pm:mximovalordepotenciaque
puedeentregareldispositivo.
Imp:corrienteamximapotencia.
Vmp:tensinamximapotencia.
FiguraA.19RepresentacindelPMPenlacurvacaracterstica
Con tal de obtener el mayor rendimiento, lo mejor es hacer trabajar a la clula solar
siempreenestevalordepotenciamximamedianteunreguladorelectrnico.
(A.8)
1 1
260
ANEXOA
e) Eficiencia:Sedefineelrendimientooeficiencia()deunaclulasolarfotovoltaicacomo
el cociente entre la potencia mxima que puede dar a la carga y la potencia luminosa
recibidaporlaclula.
(A.9)
SiendoPLlapotencialuminosa(radiacinsolar)recibidaporlaclulafotovoltaica.
f) Factordeformaoderelleno:Otrarelacinimportanteeselfactordeformaoderelleno,
(FF).Estefactorsedefinecomoelcocienteentrelapotenciamximaquelaclulasolar
fotovoltaicapuededaralacargaylapotenciatericamximadefinidaporelpuntode
cortocircuitoycircuitoabierto(Isc,Voc):
(A.10)
Esunamedidadelacalidaddelauninydelaresistenciaseriedelaclula.Cuantomayor
es este factor, cuanto ms prximo a 1, la curva caracterstica IV con iluminacin se
aproxima ms al rectngulo de mxima potencia terica y, por tanto, la clula es de
mayorcalidad.
A.2.2CIRCUITOREALEQUIVALENTE
Vistas todas las caractersticas anteriores, desde el punto de vista elctrico una clula
fotovoltaicapuederepresentarseporuncircuitoequivalente(verfigura3.20).
La resistencia serie, Rs, es debida principalmente a la resistencia del volumen del material
ofrecidaporlaspropiascapassemiconductoras,alasinterconexionesyalaresistenciaentre
loscontactosmetlicosyelsemiconductor.
Laresistenciaparalelo,Rp,esdebidaalanoidealidaddelauninPNyalasimpurezascerca
delauninascomoalasfugasdecorrienteporlasuperficiedelosbordesdelaclulay
261
ANEXOA
posiblescaminosdedifusinalolargodedislocaciones,impurezas,pequeoscortocircuitos
metlicos,etc.Enmuchoscasosdeintersprcticoelefectoderesistenciaparalelonotiene
apenasimportanciaenfuncionamientonormal.
Con la presencia de ambas resistencias, serie y paralelo, desde el punto de elctrico una
clulafotovoltaicapuederepresentarseporuncircuitoequivalentecomoelquesemuestra
enlafigurasiguiente:
FiguraA.20Circuitoequivalentedeunaclulafotovoltaica
TeniendoencuentaRSyRP,segnsiguedelanlisisdenudosdelcircuitoequivalentedela
figuraanterior,laecuacindelaclulaser:
1 (A.11)
262
ANEXOA
A.3PRINCIPIOSDESCRIPTIVOSDELOSDISPOSITIVOSFOTOVOLTAICOS
Unsistemafotovoltaico,comosehacomentadoanteriormente,sebasaenlapropiedadque
tienenciertosmaterialesdeconvertirlaenergaluminosaquerecibenenenergaelctrica.A
laenergaluminosaincidentetotalporunidaddereaseledenominaIrradianciaglobalGy
se mide en vatios por metro cuadrado (W/m). Normalmente, la irradiacin se refiere a un
ciertoperiododetiempo,yassehabla,porejemplo,deirradiacinhoraria,diariaomensual,
comolaenergaluminosaincidenteporunidaddesuperficieenunahora,undaounmes,
respectivamente.
Debidoalanaturalezaaleatoriadelaenergasolar,nosepuededeterminarconexactitudla
radiacin que llegar a la superficie terrestre en el lugar de la instalacin. Hay que
conformarsecontrabajarcondatosestadsticosbasadosenlahistoriasolardellugar,datos
normalmente recogidos en las estaciones meteorolgicas, y tambin en tablas y bases de
datos.Enlamayoradeloscasosnoencontraremosinformacindetalladaytendremosque
asumirvaloresaproximadosparatenerciertaideadelaradiacinenunlugardeterminadoa
priori.
A.3.1DESCRIPCINGENERALDELSISTEMA
Unsistemafotovoltaicoconstadetreselementosprincipales,elpanelocampodepaneles,
el regulador de carga y la batera o acumulador. Los paneles son responsables de generar
energa elctrica, la batera de almacenarla y el regulador de que la batera funcione de
maneraptima.Esimportantetenerencuentaquelospanelesylasbaterasdeunsistema
fotovoltaico trabajan en corriente continua, de modo que si el rango de tensin de
operacin de tus equipos no incluye la tensin de operacin de la batera ser necesario
utilizaralgntipodeconversor.Silosequiposquequieresalimentarutilizanotratensinde
continuadiferentealadelabaterasernecesarioelusodeunconversorysialgunadelos
equipostrabajanencorrientealternaseprecisardeuninversor.
263
ANEXOA
FiguraA.21Elementosdelsistemafotovoltaico
A.3.1.1Elgeneradorfotovoltaicoocampodepaneles
FiguraA.22Panelsolarfotovoltaico
A.3.1.2Labateraoacumulador
264
ANEXOA
Determinarelmargendetensionesdetrabajodelainstalacin.
FiguraA.23Diferentesbaterasparafotovoltaica
Sepuedehacerunaclasificacindelasbaterasenbaseasucapacidaddealmacenamiento
deenerga(medidoenAhalatensinnominal)yasuciclodevida(nmerodevecesen
quelabaterapuedeserdescargadaycargadaafondoantesdequeseagotesuvidatil).
Lacapacidaddealmacenajedeenergadeunabateradependedelavelocidaddedescarga
y se corresponde a un tiempo de descarga de 10 horas. Cuanto mayor es el tiempo de
265
ANEXOA
descarga,mayoreslacantidaddeenergaquelabateraentrega.Untiempodedescarga
tpico en sistemas fotovoltaicos es 100 horas. Por ejemplo, una batera que posee una
capacidad de 80 Ah en 10 hs (capacidad nominal) tendr 100 Ah de capacidad en 100
horas.
Dentrodelasbaterasdeplomocido,lasdenominadasestacionariasdebajocontenido
de antimonio son una buena opcin en sistemas fotovoltaicos. Ellas poseen unos 2500
ciclos de vida cuando la profundidad de descarga es de un 20 % (es decir que la batera
estarconun80%desucarga)yunos1200cicloscuandolaprofundidaddedescargaes
del 50 % (batera con 50 % de su carga). Las bateras estacionarias poseen adems, una
baja autodescarga (3 % mensual aproximadamente contra un 20 % de una batera de
plomocidoconvencional)yunreducidomantenimiento.
A.3.1.3Elreguladordecarga
Apartirdeesteparmetroyelconocimientodeltipodetecnologaqueseusaenlabatera
se controla la entrada y salida de corriente en la misma. Los reguladores actuales
introducen microcontroladores para la correcta gestin de un sistema fotovoltaico. Su
programacinelaboradapermiteuncontrolcapazdeadaptarsealasdistintassituaciones
de forma automtica, permitiendo la modificacin manual de sus parmetros de
funcionamiento para instalaciones especiales. Incluso los hay que memorizan datos que
permiten conocer cul ha sido la evolucin de la instalacin durante un tiempo
determinado. Para ello, consideran los valores de tensin, temperatura, intensidad de
cargaydescarga,ycapacidaddelacumuladorincluyendoelementosque,aunquenosean
imprescindibles, realizan tiles tareas de control o seguridad: ampermetros, voltmetros,
contadoresdeamperioshora,temporizadores,alarmas,etctera.
FiguraA.24Controladordecargasolarde30Aparauncampodepanelesdecorrientemxima25A.
266
ANEXOA
A.3.1.4Elconvertidoroinversor
Laelectricidadqueproporcionaelsistemapanelesacumuladorescontinua,yseextraea
unatensindeterminada,locualnosiemprecoincideconlasexigenciasdelosequiposde
consumo.Unconvertidorcontinuaalterna(lassiglaseninglsDC/AC),permitealimentar
equipos que funcionen con corriente alterna. Si fuese necesario tambin se pueden usar
convertidorescontinuacontinua(eningls,DC/DC)quetransformenlatensincontinuade
lasbaterasentensindealimentacintambincontinuaperodedistintovalor.Alahora
de disear un sistema de comunicaciones que usa energa fotovoltaica es recomendable
quetodaslascargastrabajenalatensinquesuministranlasbaterasevitandoelusode
convertidores.
FiguraA.25InversoresDC/ACdebajapotenciaparaunmdulofotovoltaicoygruposdeinversorespara
grandescentralesfotovoltaicas
A.3.1.5Losequiposdeconsumoocargas
Son los equipos que se conectan al sistema y que consumen la energa generada por el
mismo (equipos de comunicaciones inalmbricas, enrutadores, estaciones de trabajo,
iluminacin,TVs,etctera.).Aunquenoesposiblesaberconcertezaabsolutaculvaaser
el consumo total de dichos equipos en operacin es vital, para un clculo correcto del
sistema, hacer una buena estimacin del mismo. Asimismo, hay que tener cuidado en
elegirequiposeficientes,paranoderrocharenerga.Porejemplo,enescenariosdondesea
necesario dimensionarequipos decomunicaciones por energa solar debemos considerar
equiposbasadosenarquitecturasdebajoconsumo.
FiguraA.26Diferentesequiposdeconsumo
267
ANEXOA
A.3.2DESCRIPCINGENERALDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICAS
Enlaactualidad,sedistinguendosgrandesgruposenlosquelasinstalacionesfotovoltaicas
se dividen segn nuestras necesidades y aplicaciones, las instalaciones aisladas y las que
estn conectadas a la red elctrica. En el primer caso, las posibilidades de aplicacin son
enormes, desde viviendas o equipamientos aislados y/o independientes hasta centrales
elctricasrurales,telecomunicaciones,bombeodeagua,proteccincatdica,sealizaciones,
equiposdesonido,sistemasdeiluminacinetc.
Unainstalacinsolarfotovoltaicapuedesituarsecasiencualquierlugarconbuenaradiacin
solar,requiriendodiferentestamaos.Setratadeunatecnologarenovabledegeneracin
deelectricidadfcilmenteinstalableycuyaproduccinpuededistribuirsedirectamenteen
los puntos de consumo de nuestros pueblos y ciudades, donde y cuando se consume la
mayora de la electricidad del pas. De esta forma, cualquier edificio puede convertirse en
unapequeacentralgeneradoradeelectricidad.
Sinembargo,yvalorandopositivamentelasposibilidadesqueofrecenlossistemasaislados,
sobre todo en zonas rurales apartadas de centros urbanos y por su contribucin a la
solidaridad, se considera que donde la energa solar fotovoltaica puede ofrecer un
diferencial significativo en Europa es en los sistemas conectados a la red, dado que los
nivelesdeelectrificacinsonprximosalniveldesaturacin.
Acontinuacinsepresentandemaneradescriptivacadaunadeellas.
A.3.2.1Instalacionesfotovoltaicasaisladasdelared
Las instalaciones aisladas de la red tienen como objetivo proporcionar energa a zonas
rurales,sealizaciones,bombeodeaguaoalumbradopblico,engeneral.Porestarazn
sesuelenecesitarbaterasoacumuladoresparapoderseguirhaciendousodelaenergaen
las horas de menor produccin, como pueden ser las nubes o las noches. Estas
instalacionessolaressuelenestarfijasperosuposicindebeserestudiadapreviamente.
268
ANEXOA
FiguraA.27Esquemadeunainstalacinaisladadelared
Los paneles deben de estar orientados al sur pero la inclinacin es lo que vara segn el
hemisferio,laposicinexactadondenosencontremosylautilidadquelevayamosadara
laenergaproducida.Porejemplo,sinosencontramosenCartagenacuyalatitudesde37
ylainstalacinesparaunfuncionamientoanual,lainclinacindeberdeserde37,sisu
usofueraeninviernooverano,lainclinacinvariarasumndoleorestndolealalatitud
15gradosrespectivamente.
A.3.2.2Instalacionesfotovoltaicasconectadasalared
Enestasinstalacionesnoesnecesarioelusodebaterasporquelaelectricidadgeneradase
inyectadirectamentealaredelctrica.Elcampodemdulosfotovoltaicosseconectanal
inversor/es que convierten la corriente continua generada en alterna al igual que se
incorporanaparatosdecontrolparaunacorrectainyeccindelaelectricidad(FiguraA.28).
269
ANEXOA
FiguraA.28Esquemadeunainstalacinconectadaalared
Elseguidorsolaraunejegozadeungradodelibertad,demodoquepuedegirarentornoa
uneje.GeneralmenterealizaunseguimientodelSoldeesteaoeste,desdequeamanece
hastaqueanochecealolargodeundaenunplanoparaleloalsuelo.Conestesistemade
seguimiento se aumenta un 27% la produccin anual respecto la generada por una
instalacinsolarfotovoltaicafija,sinseguimientoalguno.Estetipodeseguidoressonms
sencillos lo que conlleva menores costes, ero ofrecen un seguimiento poco preciso
captandomenorenergaquelosdedosejes.
Losseguidoresadosejesgozandedosgradosdelibertadlosquepermitenllevaracaboun
dobleseguimientodelSol,deesteaoesteyademsdenorteasursimultneamente,por
loquelaproduccinelctricaesun5%mayorqueelseguimientoaunejeyalrededorde
un35%mayorrespectoaunainstalacinfotovoltaicassinseguimiento.
270
ANEXOA
FiguraA.29Comparacindelaradiacincaptadaporinstalacionesfijaseinstalacionesconseguimientoados
ejesalolargodeunda
Medianteunseguimientoadosejesseaprovechatotalmentelaradiacinsolaralolargo
delda,dadoquelasinstalacionesfijas(coninclinacindepanelde30)desaprovechan
entre100y400W/m2deradiacinaprimerasyltimashorasdeluzsolarmientrasqueal
medioda(de11a13h)seobservacomoambasinstalacionesrecibenlamismaradiacin,
generandolamismaenergayaqueescuandoambosrecibenlosrayos
perpendicularmenteasussuperficies.
A.3.2.3Instalacionesfotovoltaicassegnlapotenciainstalada
Enuncontextodecontinuocrecimientodelsectordelaenergasolar,sehanmultiplicado
lasinstalacionesfotovoltaicasennuestropas.Esporello queexisteotraclasificacinde
stas atendiendo la potencia instalada conforme establece la Asociacin de la Industria
Fotovoltaica(ASIF).
LapotenciadelasinstalacionesfotovoltaicasedaenWp(vatiospico),quecorrespondea
lapotenciaquedanlosmdulosacondicionesestndardemedida(25Ca1000W/m2).La
potencia en Wp del mdulo corresponde, aproximadamente, a la potencia mxima que
puedegenerar.
Instalacionespequeas(hasta5kW):Sonorientadasaaplicacionesruralesaisladaspor
serunasolucinlimpiaymuchasveceseconmica,oaplicacionesconectadasaredsobre
tejados,azoteasdecasas,hechasporparticularesenzonasdesupropiedadoinfluencia.
Conlageneracinde3kWpsecubriraelconsumopropiodeunacasatipomedioenel
que vivan entre 2 y 3 personas, excluyendo el consumo de calefaccin y aire
acondicionado.
271
ANEXOA
Instalaciones medianas (entre 5 y 100 kWp): Estas instalaciones se utilizan en
electrificaciones rurales centralizadas, o conectadas a red en edificios, normalmente
integrados en la arquitectura de los mismos, instalaciones diseadas por arquitectos
innovadores y realizadas por comunidades de vecinos, empresas constructoras o
corporaciones pblicas y privadas que desean incorporar energa fotovoltaica en sus
edificiosoconstruccionesemblemticascomovaloraadido.Unainstalacinde30kWp
enunedificiosupondracubrirlasnecesidadeselctricasdediezviviendasmedias.
Instalaciones grandes (entre 100 kWp y 1 MWp): Son generalmente instalaciones
conectadas a la red, de superficies extensas, promovidas generalmente por empresas
que,ademsdecontribuiraunageneracinlimpia,deseanunrefuerzodelaimagendela
empresaoentidadpromotora.Unaplantade300kWpcubreelconsumodeunedificio
tipomedio.
Centrales fotovoltaicas (entre 1 y 50 MWp): Son centrales de generacin, promovidas
generalmenteporempresasoconsociosdeempresas,siendogeneralmenteunadeellas
la empresa local de distribucin. Estas empresas desean conseguir cierto rendimiento
econmico y una componente de generacin verde. Una planta de 3 MWp cubre el
consumodeunapoblacinourbanizacindeaproximadamente500vecinos.
272
ANEXOB
FiguraB.1Distribucindelosdiferentespanelesfotovoltaicosypotenciapicoporinversorenelcampo
fotovoltaicoCoronilII.
273
274
ANEXOC
Lascaractersticasdeestacargason:
Tensionesdefuncionamiento: 050V.
Corrientedepico: 25A.
Potenciamxima: 300W.
Paraobtenerlacaractersticacompletadeunpaneldeberfuncionarnosolocomocargasino
tambin como generador, ya que para obtener con seguridad el valor nulo de tensin
(corriente de cortocircuito) se har funcionar al panel como carga, es decir, con tensin
negativaensusextremos.
C2.CaractersticaVI.
Debido a que la caracterstica de un generador fotovoltaico es una funcin decreciente la
tensinenelpaneldisminuirsiemprequeseaumentelacorrienteoviceversa.Graciasaesta
propiedad puede asegurarse que mediante una fuente de corriente se puede obtener
cualquiertensinenbornesdeunsistemafotovoltaico.
Sepuedesimplificarelmodeloparaunpanelfotovoltaicoylinealizarlo,comoseveenlaFig.
C.1,aproximandolacurvacaractersticaaunarectadependientenegativak
275
ANEXOC
I
+
I
IS C V
K
-
Ix
V
I k V
Vx Voc
FiguraC.3Curvacaractersticaylinealizacin.
C.3Cargaelectrnica.
EnelcircuitodelaFig.C.2,dondeIFVeslacorrientequeproporcionaelpanel,latensinen
bornes del condensador puede controlarse mediante la corriente IT. Si esta corriente es
superior a la aportada por la clula (IFV) la tensin en el condensador decrecer y en caso
contrarioaumentar,conloquesehaceelsistemamssensiblealasvariacionesdetensin.
Vi
IC
+
IT I FV -
RS
FiguraC.4Circuitosimplificado.Fuentedecorriente.
dv
ic C (C.3)
dt
I c (s)
V ( s) (C.4)
Cs ec
I T I C I FV (C.5)
Teniendoencuentalaecuacinlinealizadadelacaractersticadelaclulaodeunpanel,Ec.
C.1,lafuncindetransferenciadelsistemapanelfuentecondensadoreslaEc.C.5,
276
ANEXOC
IT
V (s) (C.6)
Cs k
ConlafuentedecorrienteITsepuedevariarlatensinylacorrienteenlaclula.Aumentando
o disminuyendo IT (Fig.C.2 (izq.)) variar la tensin en la clula solar (como ya se ha
mencionado).
La fuente de corriente ha sido implementada, como muestra la Fig. C.2 (dcha.), con un
operacionalytransistoresMOS,dadalafacilidaddeestosparasuconexinenparalelo,para
aspodertrabajarconpotenciaselevadas.
Unodelosproblemasquepresentaelsistemaesqueladinmicadelpanelesdesconocida,
desconocemoselvalordekperosiloslmitesentrelosquevariar,perosepuedeconsiderar
queelconjuntoOperacionalTransistorMOSesmuyrpidopudindoseexpresarlacorriente
atravsdelmismocomo:
Vcontrol
IT (C.7)
R
LaFig.C.3muestraeldiagramadebloquesdelsistema.Latensinenbornesdelaclulano
estreferidaamasaporloquedeberutilizarseunamplificadordiferencial.Enelcircuitoha
sidoimplementadomedianteunamplificadoroperacional,conunaganancia.
Latensin,V,escomparadaconlatensindereferencia,Vref,queeslaquesepretendeque
sigaelsistematotal.ParapodercompararelvalordeVconlatensindereferencia,esta
debersermultiplicadaporlagananciadelamplificadordiferencial.Ladiferenciaentreestos
dosvaloreseselerrorcometido.
Vref + V ctrl IT V
Control 1/R S -(1/K)(1/(1+S *C/K)
1/10
FiguraC.3.Diagramadebloquesdelsistemacompleto.
277
ANEXOC
C.4.CONTROLYESTABILIDAD.
Acontinuacinsevaaestudiarelusodedostiposdecontrol:proporcional(P)yproporcional
integral(PI).
C.4.1.Controlproporcional.
EnelcasodeestecontroleneldiagramadebloquesdelaFig.C.3,elbloquedecontroles
unaconstanteG.EnestecasolafuncindetransferenciavienedadaporlaEc.C.7.
G 1
RK C
1 S
V (S ) K
(C.8)
Vref ( S ) G 1
1
RK C
1 S
K
Este sistema ser estable si todos los polos estn situados en el semiplano negativo. Las
racesdelsistema,Ec.C.8,deberncumplir
G K
1 0 (C.9)
RK C
Por lo que el sistema ser estable para cualquier valor de k, al ser positivas todas las
variables.
Estaesunabuenasolucinparalaestabilidadperoalestaranteunsistemadeprimerorden
detipo0(ningnpoloenelorigen)siemprehabrerroralasalida.
Elerroranteentradaescalnpuedeobtenerseconelteoremadelvalorfinal,Ec.C.9
Rk
e rp (C.10)
R k G
El error vara con k y, como podemos recordar, puede tomar valores dentro de un amplio
rango,conloqueserdifcilcuantificarelerror.EnlaFig.C.4sepuedeverlavariacindela
respuesta ante entrada escaln unitario dependiendo de la pendiente k del punto de
trabajo, si recordamos que la ganancia del lazo es 10 para k = 0 el error es nulo. Este
problemasepuedesolucionarconuncontrolPI.
278
ANEXOC
FiguraC.4.Respuestaanteescalnunitario.
C.4.2.Controlproporcionalintegral.
Este control tiene varias ventajas frente al control proporcional: el error de posicin ser
nuloyelsistemasermsrpidoalintroducirunceroenelsistema.
El bloque de control de la Fig. C.3 es ahora un control PI, Ec. C.10, y la funcin de
transferenciadelsistematotalvienedadaporlaEc.C.11.
s
1
(C.11)
PI ( S ) z
S
S
1
V (S ) 1 z
(C.12)
Vref ( S ) R C RK 1
S2
S 1
z
Lacondicindeestabilidad,polosenelsemiplanonegativo,Ec.C.12,secumpleparatodos
losvaloresdek.
Rk 1
0 (C.13)
wz
C.4.3ImplementacindelcontrolPI.
279
ANEXOC
LaFig.C.5representaelcircuitodelcontroladorproporcionalintegralyunsustractor,siendo
laEc.C.13sufuncindetransferencia.
C1
R2
R1
V R EF -
R3 Vi
V +
R4
C2
FiguraC.5.ControlProporcionalIntegral.
1
R4
Vcontrol V 'c
1 sC 2 R R 1 V 1 R 1 (C.14)
R1 1 1 2
sC1
ref
R1
2
sC1
R3 R 4
sC 2
Sitomamos R1 R3 , R 2 R 4 , C1 C 2 nosqueda,
1 1
Vcontrol R2 V 'c Vref (C.15)
R1 sC1
funcindetransferenciadeunPI.
SisecomparanlaEc.C.14ylaecuacingeneraldeunPI,Ec.C.10,
280
ANEXOC
1
(C.15)
R1C1
1
wz (C.16)
R 2 C1
FiguraC.6.RespuestaaescalnunitarioconcontrolPI
EnlaFig.C.6seharepresentadolarespuestadelsistemaparaunaentradaescalnunidady
se puede ver que ahora el error en rgimen permanente es nulo para cualquier punto de
trabajodelpanel.
C.5.ELECCINDELTRANSISTOR.
Los MOSFETs son ideales para trabajar en paralelo en conmutacin aunque tambin tienen
muybuenascaractersticasparatrabajarensistemaslineales.Peroparaquelostransistores
puestosenparalelotrabajenadecuadamentesedebeestablecerelpuntodetrabajo.
281
ANEXOC
Unasolucineslaseleccindeloscomponentesconlascaractersticasmsparecidasoeluso
deresistenciasdeecualizacinqueestablecernunpuntodetrabajoenelqueladiferencia
enelrepartodecorrientessermenor.
ID
VGG
RS
FiguraC.7.Resistenciadeecualizacin.
Si,porejemplo,trazamoslacurvaVGGIDdeltransistorIRFP140Npodemosverqueparauna
tensinde4.5Vysuponemosuntransistortrabajandoa25Cyotroa175Cunotendruna
corrientede7amperiosyelsegundotransistorunacorrientede8.5amperios,unadiferencia
considerable.Perosinosfijamosenvaloresdetensionesmsbajaselrepartodecorrienteses
peor,inclusopuedellegaradejardeconduciralgunodelostransistores,Fig.C.8.
22
ID
20
18
25C
16
14
175C
12
10
2
4 4.2 4.4 4.6 4.8 5 5.2 5.4 5.6 5.8 6
V GS
FiguraC.8.Curvadetransconductancia.
282
ANEXOC
ID 25
20 25C
15
175C
10
0
V GG
-5
3.5 4 4.5 5 5.5 6
V GS
FiguraC.9.Puntodetrabajo.
SitenemosVGG=4.5Vylapendientedelacurvaes 1 ,conRS=0.2,ahoralacorrientedel
RS
transistorquedisipamenospotencia,elqueesta25C,esde2.5amperios.Paraunamayor
resistencia habr un mejor reparto de corrientes pero tambin habr mayores prdidas. La
primera caracterstica a buscar en el transistor ser la tensin, ya que por corriente no hay
lmitesiseponenvariostransistoresenparalelo.
SeeligieltransistorIRFP140Nconlassiguientescaractersticas:
ID(25C)=42A.
VDSS=100V.
PD=160W.
Delascaractersticasquetienelacargasepuedeverquecumpleconlacorrientemxima
(25A) y la tensin mxima (50V) pero para poder disipar la potencia requerida sern
necesarios2transistores.Elproblemaquepresentaesquetrabajandocomocargaserdifcil
encontrarundisipadorusandosolo2transistores.
C.6.DISIPADOR.
Delastablasdecaractersticasdeltransistor:
Temperaturamximadelaunin,Tjc=175C
Temperaturaambientemxima,Ta=60C
283
ANEXOC
Resistenciaunincarcasa,Rjc=0.95C/W
Resistenciacarcasadisipador,Rcs=0.24C/W
FiguraC.10.Resistenciatrmica
P
T jc ( R jc Rcs ) P R h Ta (C.17)
n
ConestosvaloreslaresistenciatrmicadeldisipadordebeserRh=0.295,valorimposible.
Enlasiguientegrficaseharepresentadolaresistenciatrmicaquedebertenereldisipador
enfuncindelnmerodetransistoresempleadosparapoderelegirelnmeroadecuado.
284
ANEXOC
FiguraC.11.EleccinntransistoresIRFP140N.
Dado el precio del transistor usado y el nmero que hay que emplearse compar con otro
transistor de caractersticas similares y de menor precio, el IRL540N, con las siguientes
caractersticas:
ID(25C)=36A.
VDSS=100V.
PD=140W.
Rjc=1.1
Rcs=0.5
Enprincipiohabrqueusar3transistoresenparaleloparaobtenerlapotenciamximaquese
peda.
FiguraC.12.EleccinntransistoresIRL540N
Si ahora se comprueba con el mismo disipador el nmero de transistores que hay que
empleares10.Alsermayoranelnmerodetransistoresqueseusanladiferenciadeprecio
noesrazonablesisecomparaconelotrotransistorymenosparaunprototipo,aunquesise
deberatenerencuentaparalafabricacinenserie.
C.7.FUENTE
Hayqueconsiderarqueeneltransistorhayunacadadetensinyenlasresistenciashabr
otracadadetensin,porloquelatensinenelcondensadornopuedellegara0voltios.
285
ANEXOC
EstosehasolucionadoconunafuentequerestedichacadadetensincomoseveenlaFig.
C.13:
+
-
5V DC ,30A
Control V ref
FiguraC.13.Fuentedetensinparaobtenertensionesnegativas.
Siseconsideraqueelvalordelaresistenciaesde0.05yquelacorrientemximaenlacarga
sern25Alacadamximaenlaresistenciaserde1.25V.
Delascaractersticasdeltransistorsepuedecomprobarenlacaractersticadesalidaquepara
una tensin VGS=4.5V la cada de tensin VDS mxima que tendremos ser de 1.5V,
considerando una temperatura de la unin de 175C. Con estos valores la mxima cada de
tensinquetendrserde2.75V.SepuedeusarunafuentedePCquetienediferentessalidas
(5V/30A, 12V,3.3V).Estaesunasolucinbaratayconellasepodrnobtenerlasdiferentes
tensionesnecesariasparaelcircuito.
Enelcircuitoseaadiadems,amododeproteccincontraerroresdeconexin,undiodo
entre la fuente de tensin y el panel, Fig. C.14. Se eligi el 43CTQ100, con una cada de
tensinde1V.Teniendoencuentatodaslascadasdetensindeldiodo,deltransistorydela
resistencialamnimatensinquesepodrobteneresVmin=1.25V.
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ANEXOC
+
-
5VDC ,30A
Control Vref
FiguraC.14.Diododeproteccin.
C.8.SIMULACIN.
ElcircuitoquesemuestraenlaFig.C.15estconectadoaunpanelsolardecaractersticaVI
la mostrada en la Fig. C.16. Esta curva ha sido obtenida mediante simulacin con la carga
electrnica.
FiguraC.15.Circuitoparalasimulacin.
La curva caracterstica que se obtiene con este esquema es bastante aproximada a la curva
realdeunpanelfotovoltaico.
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ANEXOC
16A
(28.451m,16.000)
(17.767,85.106m)
0A
4V 8V 12V 16V
FiguraC.16.CaractersticaVI.
EnlaFig.C.17sehanrepresentadolatensindereferenciaconlneacontinuaylatensinen
laclulamultiplicadoporlagananciadeloperacional,,conlneadiscontinua.
1V
0V
FiguraC.17.Respuestadinmica.
C.9.RESULTADOS.
Las siguientes imgenes fueron obtenidas en laboratorio. En la Fig. C.18 se puede ver la
tensin y corriente que se obtuvieron usando como panel fotovoltaico una fuente de
corriente.
288
ANEXOC
FiguraC.18.Medidasdeosciloscopio
EnlaFig.C.19sepuedeverlacurvacaractersticaobtenida
FiguraC.19.Curvacaracterstica.
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