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Universidad Politcnica de Cartagena

Departamento de Ingeniera Trmica y de Fluidos


Estudio de la influencia de la
refrigeracin con aire de forma
natural e inducida en el
comportamiento de instalaciones
fotovoltaicas

Rocio Mazn Hernndez

2014

UMI Number: 3683327

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UMI 3683327
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Universidad Politcnica de Cartagena
Departamento de Ingeniera Trmica y de Fluidos

Estudio de la influencia de la
refrigeracin con aire de forma
natural e inducida en el
comportamiento de instalaciones
fotovoltaicas

Rocio Mazn Hernndez


Directores
Jos Ramn Garcia Cascales
Francisco Vera Garca
2014

TESISDOCTORAL
ConMencinEuropea

ESTUDIODELAINFLUENCIADELAREFRIGERACINCONAIREDE
FORMANATURALEINDUCIDAENELCOMPORTAMIENTODE
INSTALACIONESFOTOVOLTAICAS

Defendidael28Noviembrede2014por:
RocioMaznHernndez

Bajolasupervisinde:
Dr.JosRamnGarcaCascales
Dr.FranciscoVeraGarca

MIEMBROSDELTRIBUNAL:

PRESIDENTE: Dr.MarianoAlarcnGarca UniversidaddeMurcia

SECRETARIO: Dr.AntonioSnchezKiser UniversidadPolitcnicadeCartagena

VOCAL: Dr.RafaGarcaValverde DanishTechnicalUniversity

MIEMBROSSUPLENTES

Dr.JosGozlvezMacia UniversidadPolitcnicadeValencia

Dr.BlasZamoraParra UniversidadPolitcnicadeCartagena

Dr.GianfrancoClaudio LoughboroughUniversity

EVALUADORESPARAMENCINEUROPEA

Dr.EnmmanuelKymakis TechnologicalEducationInstituteofCrete

Dr.NievesEspinosaMartnez TechnicalUniversityofDenmark

Dedicado a
mis padres

INDICE

Contenido
Nomenclatura...........................................................................................................................21
Resumen...................................................................................................................................23
Abstract....................................................................................................................................25
Agradecimientos.......................................................................................................................27
CAPITULO1. INTRODUCCIN...............................................................................................29
1.1 ORIGENDELESTUDIO................................................................................................31
1.2 OBJETIVOSDELATESIS..............................................................................................33
1.3 PLANTEAMIENTOGENERALDELATESIS...................................................................35
1.4 EVOLUCINDELAENERGASOLARFOTOVOLTAICA.................................................38
1.4.1 FUNCIONAMIENTOBSICODEUNACLULAFOTOVOLTAICA...........................42
CAPITULO2. ESTADODELARTE...........................................................................................45
2.1 INTRODUCCIN..........................................................................................................45
2.2 MTODOSDEREDUCCINDELATEMPERATURADELOSPANELESFOTOVOLTAICOS
46
2.2.1 AGUACOMOFLUIDOCALOPORTADOR.............................................................47
2.2.2 AIRECOMOFLUIDOCALOPORTADOR:...............................................................57
2.2.3 OTRASTCNICAS:...............................................................................................68
2.3 INTEGRACINDELOSPANELESSOBRECUBIERTAS..................................................69
2.3.1 TECNOLOGASFOTOVOLTAICASSOBRECUBIERTAS..........................................70
2.3.2 APROVECHAMIENTOFOTOVOLTAICOENLACUBIERTADEINVERNADEROS....78
2.4 INFLUENCIA DE LA TEMPERATURA EN EL FUNCIONAMIENTO DE MDULOS
FOTOVOLTAICOS...................................................................................................................83
2.5 INFLUENCIA DE LA CAPACIDAD DE VENTILACIN EN LA TEMPERATURA DE
FUNCIONAMIENTO...............................................................................................................94
2.5.1 CORRELACIONESEXPLICITASPARALATEMPERATURADEFUNCIONAMIENTO95
2.6 CONSIDERACIONESSOBREELESTADODELARTE......................................................97
CAPITULO3. DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDE
SUREFRIGERACINCONAIRE..................................................................................................99
3.1 INSTALACIONESFOTOVOLTAICASENEXPLOTACIN..............................................100

NDICE

3.1.1 PLANTASOLARCORONILII..............................................................................100
3.1.2 PLANTASOLARCORONILIVENINSTALACINAGROENERGTICA..................105
3.1.3 CONCLUSIONES(CONCLUSIONS).....................................................................110
3.2 INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS................112
3.2.1 INSTALACINFOTOVOLTAICAEXPERIMENTALSOBRECUBIERTAMETLICA.112
3.2.2 INSTALACIN FOTOVOLTAICA EXPERIMENTAL SOBRE LA CUBIERTA DE
INVERNADEROS...............................................................................................................147
3.2.3 CONCLUSIONES(CONCLUSIONS).....................................................................163
CAPITULO4. DESCRIPCIN DE LA METODOLOGA LLEVADA A CABO EN EL REGISTRO DE
DATOSEINCERTIDUMBREDELASVARIABLES......................................................................167
4.1 METODOLOGIAENELREGISTRODEDATOS...........................................................168
4.2 ANALISISDEINCERTIDUMBRE.................................................................................172
4.2.1 EVALUACINDELAINCERTIDUMBRETPICA,COMBINADAYEXPANDIDA....172
4.2.2 CLCULODELAINCERTIDUMBREENLASVARIABLESDEESTUDIO................175
4.3 CONCLUSIONES(CONCLUSIONS)............................................................................178
CAPITULO5. DISCUSINDELOSRESULTADOS.................................................................181
5.1 ESTUDIO COMPARATIVO EN EL COMPORTAMIENTO DE PANELES FOTOVOLTAICOS
TRABAJANDO EN UNA PLANTA SOLAR FRENTE A LOS VALORES MEDIDOS EN LA
INSTALACINEXPERIMENTAL............................................................................................184
5.1.1 CONCLUSIONES(CONCLUSIONS).....................................................................189
5.2 COMPORTAMIENTODELPANELFOTOVOLTAICOCOLOCADOSOBREUNACUBIERTA
METLICA...........................................................................................................................191
5.2.1 CONVECCINNATURAL...................................................................................192
5.2.2 CONVECCINFORZADA...................................................................................198
5.2.3 COMPARACINENTRECONVECCINNATURALYFORZADA..........................202
5.2.4 GENERALIZACINDERESULTADOS.................................................................207
5.2.5 CONCLUSIONES(CONCLUSIONS).....................................................................212
5.3 COMPORTAMIENTODELPANELFOTOVOLTAICOCOLOCADOSOBREUNACUBIERTA
DEUNINVERNADERO........................................................................................................220
5.3.1 INFLUENCIA DE LA TEMPERATURA DEL PANEL EN LAS VARIABLES ELCTRICAS
.221
5.3.2 INFLUENCIADELAVELOCIDADDELVIENTO....................................................224
5.3.3 TRANSFERENCIADECALORENELCANALDEAIREDEREFRIGERACIN.........227
5.3.4 CONCLUSIONES(CONCLUSION).......................................................................230

NDICE

CAPITULO6. CONCLUSIONESYTRABAJOSFUTUROS(CONCLUSIONS).............................233
BIBLIOGRAFA.........................................................................................................................237
ANEXO A: PRINCIPIOS DE FUNCIONAMIENTO EN EL APROVECHAMIENTO SOLAR
FOTOVOLTAICO......................................................................................................................245
ANEXO B: CONFIGURACIN DEL CAMPO FOTOVOLTAICO DE LA INSTALACIN SOLAR
CORONILII..............................................................................................................................273
ANEXOC:CARGAELECTRNICAPARAPANELESFOTOVOLTAICOS.......................................275

NDICEDEFIGURAS

NDICE DE FIGURAS
Figura1.1Potenciageneradayproyeccindeenergafotovoltaicaporregiones[1]...........30
Figura1.2PlanteamientodelaTesisDoctoral.........................................................................35
Figura 1.3 Anuncio que los Laboratorios Bell hicieron del primer panel fotovoltaico
desarrolladoporsuscientficosen1953..................................................................................39
Figura1.4Primersatliteconplacassolares,VanguardI........................................................40
Figura1.5Hitosdeinstalacinesfotovoltaicasensatlitesespaciales...................................40
Figura1.6FaroSolar.................................................................................................................41
Figura1.7Componentesinternasdelacorrienteenunaclulafotovoltaica.........................43
Figura1.8Curvacaractersticadeunaclulafotovoltaica.......................................................44
Figura2.1Clulasrefrigeradasmedianteelbombeodeagua[3]...........................................47
Figura2.2Esquemadelsistemadebombeoypulverizacindeagua[3]...............................48
Figura2.3Comparacindelosresultadosmedidos,conysinpulverizaraguaalolargodelda
de:a)Latensindelpanel,b)temperaturadefuncionamiento[3]........................................49
Figura 2.4 Comparacin de los resultados medidos en el panel fotovoltaico con y sin
pulverizaragua:a)Eficienciadelmdulo,b)Eficienciadelsubsistema[3].............................50
Figura2.5Comparacindelaeficienciatotaldelsistemaconysinpulverizacindeagua[3].
..................................................................................................................................................50
Figura2.6CreacindelacapadeaguasobreelmduloPVatravsdelasboquillas[2]......52
Figura2.7EvolucindelastemperaturasdelmduloPVendistintoscasos[2]....................53
Figura2.8EficienciadelmduloPVconysinrefrigeracinconagua[2]...............................53
Figura2.9Diagramadelsistemaderefrigeracin[12]............................................................54
Figura 2.10 Perfil de temperaturas entre ambas superficies para una clula de 3mm de
ancho,paradistintostiempostraslarefrigeracinconaguaa28C[12]...............................54
Figura2.11Influenciadelatemperaturasobrelatensindecircuitoabierto[12]................55
Figura2.12MedidadelatensinyperfildetemperaturadeunmduloPVrefrigeradocon
agua[12]...................................................................................................................................56
Figura2.13Conveccinnaturalenpanelesfotovoltaicos[18]................................................58
Figura2.14Relacinentrelavelocidaddelaireyelespesordelcanaldeaireparadiferentes
ngulosdeinclinacin[18].......................................................................................................59
Figura2.15Variacindelatemperaturaparaunespesorde0,1menfuncindelnmerode
panelesyelngulodeinclinacin[18]....................................................................................59
Figura2.16Variacindelatemperaturaparaunespesorde0.2menfuncindelnmerode
panelesyelngulodeinclinacin[18]....................................................................................60
Figura2.17MdulosPVrefrigeradosporaireensuparteposterior[19]...............................61
Figura2.18Efectodelcaudalsobrelaeficienciaglobal[19]...................................................63
Figura2.19Efectodelalongituddelconductoeficiencia[19]................................................63
Figura2.20Efectodeprofundidadenlasobrelaeficiencia[19].............................................63
Figura 2.21 Esquema de las diferentes configuraciones ensayadas, cristalcristal y cristal
tedlar[20].................................................................................................................................64

INDICEDEFIGURAS

Figura2.22Variacindelaeficienciaelctricaconysinconductopararefrigerar[20]........64
Figura2.23Variacindelaeficienciaytemperaturaconconductopararefrigerar[20].......64
Figura2.24ModelodelaestructuraestudiadaporNynneFrilingetal.[21].........................65
Figura2.25Evolucindelatemperaturadelpanelalolargodeldaadosvelocidades[21].65
Figura2.26Coeficientedeconveccinfrentevelocidaddeviento[21].................................66
Figura2.27ModelodelconductodeairepararefrigerarelmduloPV[22].........................67
Figura2.28Descripcindelossistemasfotovoltaicossobreuntejado[35]..........................71
Figura2.29Procesodeingenieradelaintegracinfotovoltaicaenlacarasurdeunedificio
deChina[36]............................................................................................................................72
Figura2.30Vistaglobaldelaintegracinfotovoltaicasobrelacaraestedelacubiertadeun
edificioenChina[36]...............................................................................................................72
Figura2.31Integracindepaneleslaminadosdepelculafinasobreunacubiertaplana.....73
Figura2.32SistemadefijacindepanelesPVsobrecubiertaplana......................................74
Figura2.33Sistemafotovoltaicobasadoenmdulosquesustituyeneltejadoconvencional
[34]...........................................................................................................................................75
Figura2.34TejadofotovoltaicooriginariodeJapn,ubicadosobrelacubiertainclinada[34].
..................................................................................................................................................76
Figura2.35Mdulofotovoltaicode35Wp,sustituyenteacuatrotejasconvencionales[34].
..................................................................................................................................................77
Figura2.36InvernaderodeNuevaDelhiconmdulosfotovoltaicosintegrados[37]............79
Figura2.37TemperaturaexperimentalytericadelpanelPValolargodeunda[37]........79
Figura2.38Esquemadeubicacindelosmdulossobreelinvernadero[38].......................80
Figura 2.39 Energa fotovoltaica generada frente a los meses de estudio. Orden de
columnas:PV1,PV2,PV3,PV4,PV5[38].................................................................................81
Figura2.40ProyectosdeintegracinfotovoltaicaenlacubiertadeinvernaderosenChina.a)
Vista del interior del invernadero solar en Heihe. b) Vista exterior del proyecto en Peony
GardenenHeze[36]................................................................................................................81
Figura 2.41 Boceto del diseo de una parte (50KW) del nuevo proyecto agrcola con
integracinfotovoltaicaenlacubiertade1MWpubicadoenlaciudaddeWeifang,Shandong
[36]...........................................................................................................................................82
Figura2.42Esquemasimpledelprocesotrmicodeenergaenunmdulofotovoltaico.....83
Figura2.43Relacinentrelatensindecircuitoabiertoconlatemperatura[50]...............86
Figura 2.44 a) Representacin de la curva caracterstica del funcionamiento de una clula
fotovoltaica.b)Modificacindelacurvacaractersticadefuncionamientoconelaumentode
latemperatura.........................................................................................................................87
Figura2.45Influenciadeunaumentodelatemperaturaenlosparmetrosquedefinenal
Factor de llenado. a) Representacin del concepto del factor de llenado en la curva
caracterstica.b)Variacindelosparmetrosdelfactordellenadoconlatemperatura.....88
Figura2.46Dependenciadelatemperaturaenlatensindecircuitoabiertoparadiferentes
mdulosfotovoltaicos[54]......................................................................................................91
Figura2.47Dependenciadelatemperaturaenlapotenciamximaparadiferentesmdulos
fotovoltaicos[54].....................................................................................................................91

NDICEDEFIGURAS

Figura2.48Efectodelatemperaturadefuncionamientodeunpanelfotovoltaicosobresu
eficiencia,comparandolosresultadosmedidosyelmodeloterico[58]..............................93
Figura 2.49 Variacin de la tensin de circuito abierto, intensidad de cortocircuito y
eficienciaconlatemperaturaparaunacluladesilicioenelrangodetemperaturade295
320K[51]...................................................................................................................................93
Figura3.1PlantafotovoltaicaElCoronilII..........................................................................101
Figura 3.2 Estructura soporte de los paneles con 3 y 4 metros de hipotenusa
respectivamente.....................................................................................................................103
Figura 3.3 Radiacin solar medida en el plano de captacin y temperatura ambiente
registradaduranteelmesdeMarzode2009........................................................................104
Figura3.4VariacindelrendimientotericodedecadamodelodepanelPVenfuncindela
temperaturaambiente...........................................................................................................105
Figura3.5InstalacinagroenergticaElCoronilIV.............................................................106
Figura3.6Distribucindelospanelesenlacubiertadelainstalacinagroenergtica........107
Figura3.7Alzadodelaestructuradelainstalacinagropecuaria........................................108
Figura3.8Esquemaunifilardelainstalacin.........................................................................109
Figura3.9Estructurasoportedelpanel.Medidasencm......................................................114
Figura3.10Alzadoyplantadelaestructurabase.Medidasencm.......................................114
Figura 3.11 Fotografas de la estructura soporte y base de la instalacin fotovoltaica
experimental...........................................................................................................................115
Figura3.12Caractersticasdelosmdulosfotovoltaicosutilizadosenlainstalacin..........116
Figura3.13InstalacinfotovoltaicaexperimentalconstituidaporPanelAelizquierdoyPanel
Belderechoenconveccinnatural.......................................................................................117
Figura3.14InstalacinfotovoltaicaexperimentalconstituidaporPanelAelizquierdoyPanel
Belderechoenconveccinforzada.......................................................................................118
Figura 3.15 Representacin de la ubicacin de los sensores de medida en los paneles y
cubiertametlica....................................................................................................................119
Figura3.16Fotografadeltransmisordehumedadrelativaytemperaturaambiente.........121
Figura3.17Curvascaractersticasdealgunosmetales..........................................................122
Figura3.18Esquemadeconstruccindeldielctrico............................................................123
Figura3.19Esquemadelarelacinentrelasvariablesenundielctrico.............................124
Figura3.20Dispositivodeproteccinalaradiacinsolar.....................................................125
Figura3.21Transmisordepresinbaromtrica....................................................................125
Figura3.22EsquemaelctricodelpuentedeWheatstone...................................................126
Figura3.23Esquemadeunsensorpiezoresistivo.................................................................127
Figura3.24Anemmetroultrasnico....................................................................................129
Figura3.25Esquemagrficodelfuncionamientodelanemmetroultrasnico..................129
Figura3.26Piranmetroempleadoparalamedidadelaradiacinglobal...........................131
Figura3.27Esquemadelaconstitucininternadelpiranmetro.........................................132
Figura3.28Bandadesombradelpiranmetroqueregistralaradiacindifusa...................133
Figura3.29Clulafotovoltaicacalibrada...............................................................................134
Figura3.30Principiodefuncionamientodeunaclulafotovoltaica,efectofotovoltaico....135

INDICEDEFIGURAS

Figura3.31SondaflexiblePt100utilizadaparamedirlatemperaturadelacaraposteriorde
losmdulosfotovoltaicos......................................................................................................136
Figura 3.32 Principio de funcionamiento del detector de temperatura por resistencia. a)
Conexinadoshilos.b)Conexinacuatrohilos..................................................................137
Figura3.33SondadetemperaturaPt100paramedirlatemperaturadelaireenelcanal..137
Figura3.34Anemmetrodeplacacalienteparamedirlavelocidaddeaireenelinteriordel
canal.......................................................................................................................................138
Figura 3.35 Carga electrnica para obtener la curva caracterstica de los paneles
fotovoltaicos..........................................................................................................................140
Figura3.36Sistemadeadquisicindedatos,datalogger34980A.......................................141
Figura3.37VentanaprincipaldeBenchlinkDataLogger......................................................142
Figura3.38Crearunanuevaconfiguracin...........................................................................143
Figura3.39Ventanadeconfiguracin...................................................................................143
Figura3.40Ventanaquemuestraloscanalesconectadosypermitesuconfiguracin.......144
Figura3.41Ventanadeconfiguracinlasopcionesparaelregistrodedatos......................145
Figura3.42Ventanaresumenconlosdatosrecogidosyopcionesdeexportacin.............146
Figura3.43Representacingrficadelasvariablesmedidas...............................................146
Figura3.44FotografaareadelainstalacinagroenergticaCoronilIV.............................148
Figura3.45Alzadodelplanoenelqueseaprecialaconfiguracindelinvernaderoypaneles.
................................................................................................................................................149
Figura3.46Invernaderodereferencia,CoronilIVeinstalacinexperimental.....................149
Figura 3.47 Esquema de la estructura con identificacin de los perfiles (izquierda) y
fotografadelaestructuraconstruida(derecha)..................................................................150
Figura3.48Descripcindelosperfilesyelementosdeuninutilizadosenelmontajedela
estructura...............................................................................................................................152
Figura3.49Alzadoyperfildelaestructurametlicaconlasdimensionesenmm..............152
Figura3.50Gruposdepanelesfotovoltaicosyesquemadeconexin.................................154
Figura3.51Fotografasdedosconfiguracionesestudiadas.Izquierda:Primeraconfiguracin
conmenorseccindeairedepasoyconcubiertadeplstico.Derecha:cuartaconfiguracin
concanaldeairedemayorseccinyconaislantesobrelacubierta....................................155
Figura3.52Ubicacindelossensoresutilizadosenlainstalacinexperimental.a)Sensores
emplazadosenelcanaldeaireyadheridosalospaneles.b)Sensoresadheridosalacubierta
deplstico.c)Sondasdetemperaturaenelinteriordelinvernadero..................................156
Figura 3.53 Transmisor de la temperatura ambiente y su ubicacin en la instalacin
experimental..........................................................................................................................158
Figura3.54AnemmetroWindsonicysuubicacinenlainstalacinexperimental............159
Figura3.55Transmisordelatemperaturadelairetantoenelcanalcomoenelinteriordel
invernadero............................................................................................................................160
Figura3.56Curvascaractersticasdealgunosmetales.........................................................161
Figura3.57Aerotermoparacalentarelinteriordelinvernadero.........................................162
Figura3.58DiagramadeconexinentreDINAMITEyPID.................................................163
Figura4.1Fotografadelatarjetautilizadaparaeldisparodelacargaelectrnica.............168

NDICEDEFIGURAS

Figura4.2EjemplodecurvacaractersticaIVobtenidadelospaneles1y2conectadosen
serieenlainstalacinexperimentaldelinvernadero............................................................169
Figura4.3PanelfrontaldeaplicacindesarrolladaenLabview..........................................170
Figura4.4DiagramadebloquesdeunodeloscasosimplementadosenLabView............171
Figura5.1ParmetroselctricoscaractersticosdelospanelesfotovoltaicosET270...........184
Figura5.2Comparativadelosresultadosexperimentalesmedidosenlainstalacin,conlos
proporcionados por el fabricante, en funcin de la radiacin solar. a) Intensidad de
cortocircuitob)Potenciamxima..........................................................................................186
Figura5.3Comparativadelosresultadosexperimentalesmedidosenlainstalacin,conlos
proporcionados por el fabricante, en funcin de la temperatura del panel. a) Tensin de
circuitoabiertob)Factordellenado......................................................................................187
Figura5.4Comparativaenlaeficienciaelctricadelosresultadosexperimentalesmedidos
enlainstalacin,conlosproporcionadosporelfabricante,enfuncindelatemperaturadel
panel.......................................................................................................................................188
Figura5.5RadiacinsolarypotenciaobtenidaenlaplantasolarfotovoltaicaCoronilII,alo
largodecuatrodasdeagosto...............................................................................................188
Figura5.6CorrelacindelrendimientodelospanelesenlaplantafotovoltaicaCoronilIIcon
latemperaturaalcanzadaporelpanel...................................................................................189
Figura 5.7 Configuracin del panel B, representando el canal de aire entre el panel
fotovoltaicoylasuperficiemetlica.......................................................................................192
Figura 5.8 Diferencia de temperatura de cada panel fotovoltaico y la ambiente respecto la
radiacin solar, en conveccin natural para diferentes relaciones de aspecto del canal de
aire..........................................................................................................................................193
Figura 5.9 Rendimiento elctrico del Panel A y Panel B respecto la radiacin solar, en
conveccinnatural,paradiferentesrelacionesdeaspectodelcanaldeaire.......................194
Figura5.10Comparacindelcomportamientoentreambospaneles,panelAypanelBcon
b/L=0.0825.a)Diferenciadetemperaturadepanelylaambienteb)Rendimientoelctricoa
lolargodelda........................................................................................................................195
Figura5.11Influenciadelarelacindeaspectoenconveccinnaturalsobrelatemperatura
delpanel.................................................................................................................................196
Figura5.12Influenciadelarelacindeaspectoenconveccinnaturalsobreelrendimiento
elctricodelpanel..................................................................................................................197
Figura 5.13 Influencia de la relacin de aspecto sobre las variables elctricas a diferentes
condiciones ambientales. a) Alta radiacin solar, con Gpira =970 W/m2 y Tamb =29C. b)
Mediabajaradiacinsolar,conGpira=225W/m2yTamb=23C..........................................198
Figura5.14Influenciadelarelacindeaspectoenlatemperaturayrendimientodelpanelen
funcindelaradiacinsolarparaVv=2m/s.a) Diferenciadetemperaturadelpanelconel
ambiente.b)Rendimientodelpanel,paralasdiferentesrelacionesdeaspecto..................200
Figura5.15Influenciadelarelacindeaspectoenlatemperaturayrendimientodelpanelen
funcindelaradiacinsolarparaVv=4m/s.a) Diferenciadetemperaturadelpanelconel
ambiente.b)Rendimientodelpanel,paralasdiferentesrelacionesdeaspectos................201

INDICEDEFIGURAS

Figura 5.16. Diferencia entre temperatura de panel y ambiente en funcin de la radiacin


solarparadiferentesnivelesdevelocidadinducida.a)b/L=0.0675.b)b/L=0.0825.............203
Figura 5.17 Comparacin entre conveccin natural y forzada para las diferentes relaciones
de aspecto, para una radiacin de 950 W/m2 y Tambiente de 28C. a) Potencia pico. b)
Diferenciadetemperaturadelpanelyambiente.................................................................205
Figura 5.18 Relacin entre el rendimiento del panel con la temperatura. a) Para la menor
relacindeaspectomedida(0.0525).b)Palalamayorrelacindeaspectomedida(0.0825).
................................................................................................................................................207
Figura5.19ResultadosexperimentalesycorrelacionespropuestasdelcoeficientedeRoss(k)
medido para diferentes relaciones de aspecto y velocidades inducidas en el canal.
Correlaciones experimentales propuestas por Skoplaki et al. [72] para sistemas PV no
integradosencubierta(w=1).................................................................................................208
Figura 5.20 Comparacin de los valores experimentales medidos y los predichos por el
modeloexperimentalparalatemperaturadelpanelfotovoltaicointegradosobrecubierta,a
lolargodeundayparadiferentesvaloresdevelocidadinducidaenelcanal(b/L=0.0825).
................................................................................................................................................210
Figura 5.21 Comparacin entre los datos experimentales de la eficiencia elctrica con la
correlacin propuesta para diferentes valores de velocidad inducida, b/L=0.0675 y
Tamb=25C...............................................................................................................................211
Figura5.22Influenciadelavelocidadinducidadelaireenelcanalsobrelapotenciapicodel
panelfotovoltaicoenfuncindelaradiacinsolar,apartirdelacorrelacinpropuestapara
b/L=0.0825yTamb=25C.........................................................................................................212
Figura5.23Dependenciaconlatemperaturade:a)latensindecircuitoabierto(Voc),b)la
intensidaddecortocircuito(Isc)yc)elrendimiento.............................................................223
Figura 5.24 Influencia de la velocidad del viento en el salto de temperatura del panel
respectolaambienteenfuncindelaradiacinsolar,paralasdiferentesconfiguracionesde
estudio...................................................................................................................................225
Figura5.25Influenciadelavelocidaddelvientoenelrendimientodelpanelenfuncindela
radiacinsolar,paralasdiferentesconfiguracionesdeestudio...........................................226
Figura5.26Diferenciadetemperaturadelpanelrespectoaladelasuperficiedelacubierta
delinvernaderoparalascuatroconfiguracionesestudiadas................................................227
Figura5.27Potenciacalorficaabsorbidaporelcanaldeairecirculanteporelcanalentrelos
mdulosfotovoltaicosylacubiertadelinvernadero,paralasconfiguracionespropuestas.229

NDICEDEFIGURAS

ANEXOS
FiguraA.1Estructuradeltomoysusnivelesdeenerga.....................................................246
FiguraA.2Modelodebandasdeenerga..............................................................................247
FiguraA.3Modelodebandasdeenergaparaconductores,semiconductoresyaislantes..248
FiguraA.4Cristaldesiliciointrnseco....................................................................................248
FiguraA.5Creacindeunelectrnhuecoenuncristaldesilicio.........................................249
FiguraA.6Movimientodeloselectronesyloshuecosensemiconductores........................249
FiguraA.7Zonadedeplexinenlauninpn........................................................................251
FiguraA.8Circuitoabiertoenlauninpn............................................................................252
FiguraA.9Separacindelosportadoresporelcampodelauninpn................................254
FiguraA.10Clulasolarencircuitoabierto...........................................................................254
FiguraA.11Clulasolarcortocircuitada................................................................................255
FiguraA.12Corrientefotovoltaicagenerada.........................................................................255
FiguraA.12Corrientefotovoltaicagenerada.........................................................................257
FiguraA.14Circulacindecorrienteenlaclula..................................................................257
FiguraA.15Smboloelctricodeunpanelsolar....................................................................257
FiguraA.16CurvaIVdeunaclulafotovoltaica...................................................................258
FiguraA.17Circuitoidealdeunaclulafotovoltaica.............................................................258
FiguraA.18Curvacaractersticadeunaclulafotovoltaica..................................................259
FiguraA.19RepresentacindelPMPenlacurvacaracterstica...........................................260
FiguraA.20Circuitoequivalentedeunaclulafotovoltaica.................................................262
FiguraA.21Elementosdelsistemafotovoltaico....................................................................264
FiguraA.22Panelsolarfotovoltaico......................................................................................264
FiguraA.23Diferentesbaterasparafotovoltaica.................................................................265
Figura A.24 Controlador de carga solar de 30A para un campo de paneles de corriente
mxima25A...........................................................................................................................266
Figura A.25 Inversores DC/AC de baja potencia para un mdulo fotovoltaico y grupos de
inversoresparagrandescentralesfotovoltaicas...................................................................267
A.26Diferentesequiposdeconsumo....................................................................................267
FiguraA.27Esquemadeunainstalacinaisladadelared....................................................269
FiguraA.28Esquemadeunainstalacinconectadaalared.................................................270
FiguraA.29Comparacindelaradiacincaptadaporinstalacionesfijaseinstalacionescon
seguimientoadosejesalolargodeunda...........................................................................271
FiguraB.1Distribucindelosdiferentespanelesfotovoltaicosypotenciapicoporinversor
enelcampofotovoltaicoCoronilII........................................................................................273
FiguraC.1Curvacaractersticaylinealizacin.......................................................................276
FiguraC.2Circuitosimplificado.Fuentedecorriente............................................................276
FiguraC.3.Diagramadebloquesdelsistemacompleto........................................................277
FiguraC.4.Respuestaanteescalnunitario..........................................................................279
FiguraC.5.ControlProporcionalIntegral..............................................................................280
FiguraC.6.RespuestaaescalnunitarioconcontrolI..........................................................281

INDICEDEFIGURAS

FiguraC.7.Resistenciadeecualizacin..................................................................................282
FiguraC.8.Curvadetransconductancia.................................................................................282
FiguraC.9.Puntodetrabajo..................................................................................................283
FiguraC.10.Resistenciatrmica............................................................................................284
FiguraC.11.EleccinntransistoresIRFP140N.....................................................................284
FiguraC.12.EleccinntransistoresIRL540N.......................................................................285
FiguraC.13.Fuentedetensinparaobtenertensionesnegativas.......................................286
FiguraC.14.Diododeproteccin...........................................................................................287
FiguraC.15.Circuitoparalasimulacin.................................................................................288
FiguraC.16.CaractersticaVI................................................................................................288
FiguraC.17.Respuestadinmica...........................................................................................289
FiguraC.18Medidasdeosciloscopio.....................................................................................289
FiguraC.19Curvacaracterstica.............................................................................................289

INDICEDETABLAS

INDICE DE TABLAS
Tabla2.1Datosmedidosdelasvariablesinfluyentesparalasdiferentesconfiguraciones[2].
..................................................................................................................................................51
Tabla2.2Espesordelcanaldeairenecesarioparareducirlatemperaturadelpanel[18]....60
Tabla2.3Resultadosexperimentalesparaconveccinnatural[19].......................................61
Tabla2.4Resultadosexperimentalesparaconveccinforzada,utilizandounventilador[19].
..................................................................................................................................................62
Tabla 2.5 Resultados experimentales para conveccin forzada, utilizando dos ventiladores
[19]............................................................................................................................................62
Tabla2.6ValoresexperimentalesdelasvariableselctricasdedosclulasdeSilicioparael
rangodetemperaturasde295a320K[51]............................................................................87
Tabla 2.7Coeficientes de proporcionalidad de Isc, Voc y Pm con la temperatura para los
mdulosevaluados[54]...........................................................................................................90
Tabla 2.8 Valores experimentale del coeficiente de Ross para diferentes configuraciones
[72]............................................................................................................................................97
Tabla 3.1 Caractersticas elctricas de los diferentes modelos de paneles instalados en la
plantafotovoltaicaElCoronilII...........................................................................................102
Tabla3.2Nmerototaldepanelesypotenciainstaladadecadamodelodepaneles.........102
Tabla3.3Caractersticasdelsensordehumedadrelativaytemperaturaambiente............124
Tabla3.4Caractersticasdeltransmisordepresinbaromtrica..........................................127
Tabla3.5Caractersticasdelanemmetro.............................................................................130
Tabla3.6Caractersticastcnicasdelospiranmetrosyamplificadores..............................133
Tabla3.7Caractersticasdelaclulafotovoltaica.................................................................135
Tabla3.8Especificacionesdelasondadetemperaturadecontacto....................................137
Tabla3.9Especificacionesdelasondadetemperaturadeaireenelconducto...................138
Tabla3.10Especificacionestcnicasdelostransductoresdelavelocidaddelaireenelcanal.
................................................................................................................................................139
Tabla3.11Caractersticasdelacargaelectrnica.................................................................140
Tabla3.12Especificacionesdelatarjetamultiplexora34921A.............................................141
Tabla3.13Propiedadesdelplsticoempleadoenlainstalacinexperimental....................153
Tabla3.14Caractersticasdelsensordetemperaturadelaireenelcanalyenelinteriordel
invernadero............................................................................................................................162
Tabla3.15Caractersticastcnicasdelaerotermo................................................................162
Tabla3.16CaractersticastcnicasdelPIDyDinamite.......................................................163
Tabla4.1Precisinyerroresdelecturayrangodelossensoredemedidadelasvariablesde
entrada...................................................................................................................................176
Tabla 4.2 Resultado de la evaluacin de la Incertidumbre de las variables.*Resultados
calculadosmediantelaleydepropagacindeincertidumbre..............................................177
Tabla5.1Resumendelmodeloderegresin.........................................................................208
Tabla5.2Coeficientesdelmodeloderegresin....................................................................209

NOMENCLATURA

Nomenclatura
A reaosuperficiedelpanelfotovoltaicos
Ac readelcondensador
b espesordelcanaldeaire
b/L relacindeaspecto
C capacidaddelcondensador
Cp calorespecficodelaire
d distanciaentrelasplacasdelcondensador
Ec energaenlabandadeconduccin
Ef energaeneleniveldeFermi
EGO energadelanchodebandaprohibidaa0K
FF factordeforma
g aceleracindelagravedad
Gpira radiacinsolarporunidaddesuperficie
GT potencialuminosarecibidaporlaradiacinsolar
h alturaosaltodebombeodeagua
ID intensidadecorrientedediodo
IL intensidaddecorrientefotogeneradaenunaclulafotovoltaica
Imp intensidaddecorrienteenelpuntodemximacorriente
IS intensidaddecorrientedesaturacindeoscuridad
Isc intensidaddecorrientedecortocircuito
Isc,o intensidaddecortocircuitoa25C
K constantedeBoltzman
k coeficientedeRossEc.2.18
kc factordecoberturaenlaincertidumbreexpandidaEc.4.7
L longituddelcanaldeaire
m factordeidealidadenEc.1.1
me masadelelectrn
flujomsicodeaire
n ndicederefraccin
ne nmerodeelectronesenEc.2.5
Patm presinatmosfrica
potenciapicoopotenciamxima(Puntodemximapotencia)deuna
Pm
clulafotovoltaica
Pm,o potenciamximadeunaclulafotovoltaicaa25C
Pth potenciamximatericadeunaclulafotovoltaica
q cargadelelectrn
Q caudaldeagua
inv calortrasferidodelinteriordelinvernaderoalcanaldeaire
panel calortrasferidodelpanelalcanaldeaire
R resistenciaelctrica
Ro resistenciaelectricaa0C
R2 coeficientederegresin
S readecaptacinderadiacinsolarenelpanelfotovoltaico
Scanal readelaseccintransversaldelcanaldeaire
T temperatura

21

NOMENCLATURA

Tamb temperaturaambiente
Tpanel temperaturadelpanelfotovoltaico
Tpanel,1Tpanel,2
medidadevariossensoresdelatemperaturadelpanelfotovoltaico
Tpanel,3Tpanel,4
medidadevariossensoresdetemperaturadelaireenlaentradaal
Tair,i,1Tair,i,2
canal
Tair,o,1Tair,o medidadevariossensoresdetemperaturadelaireenlasalidaalcanal
u incertidumbretpicadeunamedida
U incertidumbreexpandida
uc incertidumbretpicacombinada
vf velocidaddelvientoenEc.2.19
vw velocidaddelairequecirculabajoelpanel
vair,1vair,2 medidadevariossensoresdelavelocidaddelaireenelcanal
V tensinovoltajeelctrico
Vmp tensinenelpuntodemximacorrientedeunclulafotovoltaica
Voc tensindecircuitoabiertodeunclulafotovoltaica
Voc,o tensindecircuitoabiertodeunclulafotovoltaicaa25C
VT potencialtrmicoenEc.1.1
w coeficientedemontajeenEc.2.21
Haire saltodeentalpiaenelcanaldeaire
T diferenciadetemperaturaentreelpanelyambiente

Smbolosgriegos
constanteenEc.2.7
constanteenEc.2.7
eficienciaorendimiento
densidad
a densidaddelaire
constantedielectricadelmedio

22
RESUMEN

Resumen

Lainvestigacinrealizadatienesuorigenenlanecesidadeintersdespiertoporlaempresa
ApiaXXIencolaborarconelDepartamentodeIngenieraTrmicaydeFluidosdelaEscuela
TcnicaSuperiordeIngenieraIndustrialdelaUniversidadPolitcnicadeCartagena,sobreel
desarrollo e investigacin del comportamiento elctrico de los paneles fotovoltaicos al
alcanzaraltastemperaturas,cuandoseencuentranubicadossobrediferentescubiertas.Este
trabajodetesissecentraencaracterizaryanalizarlainfluencianegativadelatemperatura
enlaproduccinelctricadepanelesfotovoltaicos,yporende,ensurendimiento,alestar
emplazadossobreunacubiertadeacero,comopuedeserunanaveindustrialosobrelade
un invernadero, y adems, ensayar diferentes posibles configuraciones que permitan
refrigerarlospaneles,reduciendosutemperaturaymejorarsurendimiento.

Paraabordaresteproblema,sehanconstruidodosinstalacionesexperimentalesaensayar
sobrelacubiertadelAularioGeneraldelCampusAlfonsoXIIIdelaUniversidadPolitcnicade
Cartagena, donde el Departamento de Ingeniera Trmica y Fluidos tiene algunas
instalacionesdocentesydeinvestigacinrelacionadasconenergasolar.

Laprimerainstalacinenglobadospanelesfotovoltaicosmontadossobreunaestructurafija
al suelo, que permite variar la inclinacin de stos. Uno de los paneles, que se ha
denominadopanelA,seencuentraaislado,sinningunacubiertaensuparteinferior,elcual
utilizaremos como panel de referencia, ya que trabaja en condiciones normales al estar
expuesto a condiciones ambientales y su nica influencia trmica es la temperatura
ambiente.Elotropanel,denominadopanelB,estemplazadoendichaestructurasobreuna
superficie paralela y metlica, la cual influenciar a la temperatura alcanzada por dicho
panel. Entre ambas superficies se ha dejado un espacio que posibilita un flujo de aire que
permite refrigerar en mayor o menor medida el panel por conveccin natural, gracias al
efectochimenea.Sehaestudiadoelcomportamientodelpanelparadiferentesseparaciones
delcanaldeaire,comparndoloconelpaneldereferencia(panelA).Traslatomadedatosy
el anlisis de los resultados, a dicha instalacin se le incorpor un ventilador acoplado al
panel B, mediante el uso de diferentes toberas, que impulsa el aire desde el exterior al
interior del canal entre el panel B y la cubierta metlica, con el fin de analizar para cada
separacindelcanaldeaireydiferentesvelocidadesdelaireimpulsado,elcomportamiento
del panel en conveccin forzada y as compararlo con el panel A de referencia y con los
resultados obtenidos previamente mediante conveccin natural. Por ltimo, se pretende
generalizar todos los resultados (diferentes secciones de aire, velocidades inducidas en
canal, condiciones ambientales), mediante un modelo experimental que establezca
correlaciones que nos permita determinar la temperatura del funcionamiento, potencia y
eficienciadelmduloenfuncindelasvariablesinfluyentes.

23

RESUMEN

Adicionalmente, se ha analizado el comportamiento elctrico de paneles similares (mismo


modeloycaractersticas),instaladosenunaplantafotovoltaicaenfuncionamiento,CoronilII
ubicadaenSevilla.Sehananalizadolosdatosrealesdeestaplanta,correspondientesalos
cuatromesesmscalurososdelao:mayo,junio,julioyagosto,paraloscualessealcanzan
las mayores temperaturas. Con dichos datos se han obtenido correlaciones entre la

temperaturadelpanelylasvariableselctricastalescomopotencia,rendimientoy,adems,
sehacomparadoelcomportamientoelctricodelospanelesdelaplantaconeldenuestra
instalacin,paralasdiferentesconfiguracionesexperimentadas.

Lasegundainstalacinexperimental,esunarplicadelaplantafotovoltaicamontadasobre
lacubiertadelainstalacinagroenergticaCoronilIV,llevadaacaboporlaempresaApiaXXI
enSevilla.Lainstalacinexperimentalreproduceunapartedelainstalacin,formadapor
cuatropanelesfotovoltaicoscolocadossobreelplsticodelinvernadero,existiendouncanal
divergenteentreambassuperficies.Conestainstalacin,sepretendeestudiaryanalizarla
influencia de las altas temperaturas en el interior del invernadero sobre la produccin
elctrica de los paneles, dado la existencia de una transferencia de calor del interior del
invernaderoatravsdelacubierta.Porconsiguiente,sehaensayadodichainstalacin,para
dosseparacionesdiferentesy,posteriormente,secolocunaislantesobreelplstico,para
cada separacin, con el fin de evitar la transferencia del calor del interior a los paneles y
analizar las mejoras elctricas en el comportamiento de los paneles. En la instalacin
experimentalsehacolocado,enelinteriordelinvernadero,uncalefactorquenospermita
testeardichasconfiguracionesadiferentestemperaturas.

Elestudiorealizadosobreambasinstalacioneshaproporcionadounconocimientoprofundo
delfuncionamientodecadaunadeellas,ascomoinformacinvlidaparaunamejorade
futurosdiseosdeinstalacionesfotovoltaicassobrecubiertas.

24

ABSTRACT

Abstract
ThisresearchhasbeencarriedoutduetonecessityandinterestfromthecompanyApiaXXI
incollaborationwiththeDepartmentofThermalandFluidsEngineeringoftheUniversidad
Politcnica de Cartagena, for the development of facilities and research into the electrical
behaviour of photovoltaic panels at high operating temperature when they are placed on
differentroofs.

The aim of this study is to characterise and analyse the negative influence of high panel
temperaturesonelectricalproductionandconsequentlyperformance,whentheyareplaced
onsteelroofsofindustrialbuildingsandalsoongreenhouseroofs.Differentconfigurations
have been tested in order to allow cooling of photovoltaic panels to decrease panel
temperatureandimproveelectricalperformance.

Toinvestigatethisproblemtwoexperimentalfacilitieshavebeenbuilttotestpanelsonthe
roof of the Aulario General of the Campus Alfonso XIII, Universidad Politcnica de
Cartagena. Experimental and research facilities related to solar energy, belonging to the
ThermalandFluidsEngineeringDepartment,arelocatedinthisbuilding.

The first experimental facility includes two photovoltaic panels fixed on a structure which
allowschangesinthephotovoltaicpanelsslope.Onepanel,designatedasPanelA,isfixedto
thestructurewithoutaplateunderneathit.Thispanelworksatnormaloperationconditions
and is used as a referent. It is exposed to ambient conditions and hence, the ambient
temperatureandwindaretheimportantoperationalvariables.

Theotherpanel,PanelB,isplacedonthesamestructureandonaparallelsteelplatewhich
does not allow sufficient cooling and thus increases the panel temperature. Between the
surfaceofthephotovoltaicpanelandsteelplate,thereisanopenairchannelinwhichanair
flowiscreatedbythechimneyeffectthuscoolingthepanelbynaturalconvection.

The slopes of both panels are thesame for the different trials; 30 horizontally and facing
south.TheelectricalbehaviourofPanelBhasbeenstudiedforthreedifferentspacesofthe
airchannelandhasalsobeencomparedwiththebehaviourofthereferencepanelA.

Oncedataforallthreechannelairspaceswerecollected,thefacilitywasmodifiedbyadding
afanconnectedtoPanelBbymeansofnozzle.Thisfaninducesaflowinsidethechannelair
space and allows us to study the effect of forced convection. Three fan induced velocities
have been used for each of the three channel air spaces and results have been compared
with concurrent data from reference Panel A. The final aim is to generalize all results
(different sections of air, induced velocities in channel and ambient conditions), by an
experimental model to establish correlations which allow to determine the temperature,
powerandefficiencyofthemoduledependingontheinfluentialvariables.

25

ABSTRACT

The same model of these photovoltaic panels, with the same operating characteristic, is
installedinaworkingphotovoltaicsolarplantCoronilII,locatedinSevilla,southofSpain.
Therealdataofthisplanthavebeenstudiedthroughoutthewarmestmonths(May,June,

JulyandAugust)andtheelectricalbehaviourhasbeenanalysed.Thisresearchalsoanalyses
these results and the correlations between the photovoltaic panel temperature and the
electrical variables such as electrical power and performance. A comparison with the
photovoltaic panels behaviour in the experimental facility and the solar plant is also
presented.

Thesecondexperimentalfacilityisareplicaofaphotovoltaicplantmountedontheroofofa
greenhouse installation Coronil IV, also built by Apia XXI in Sevilla. Only a part of the
photovoltaicgreenhousehasbeenreplicatedintheexperimentalfacilityandconsistsoffour
photovoltaic panels placed on the plastic roof of the greenhouse. There is an open and
divergentchannelbetweenbothsurfacesthuscreatinganairflowbythechimneyeffect.

Thisresearchaimstostudytheeffectofhightemperatureswithinthegreenhousewhichwill
be transferred by the plastic roof and will thus affect the electrical production of
photovoltaic panels placed there. In order to simulate different temperatures inside the
greenhouse,theexperimentalfacilityincludesaPIDcontrolledelectricheater.

In addition to this, two channel air gap spacings were used and the effect of adding
insulating material to the plastic roof was investigated. This material reduces the heat
transferfrominsidethegreenhousetothephotovoltaicpanelwhilstmaintainingtheopen
air channel. The electrical variables of the panels are analysed for both air gaps with and
withoutinsulatingmaterialtocompareandselectthebestconfiguration.

Thepresentedresearchaboutbothfacilitiesprovidesadeepknowledgeofhowtheyworkas
wellasinformationandresultsforanimprovementinfuturedesignsofbuildingintegrated
photovoltaics.

26

AGRADECIMIENTOS

Agradecimientos

AmisdirectoresdetesisDr.JosRamnGarcaCascalesyDr.FranciscoVeraGarcaporsu
continuacooperacin,ayuda,apoyoycomprensintantoaniveltcnicoyprofesionalcomo
personal.

ADr.AntonioSnchezKaiser,Dr.BlasZamorayDr.JosAntonioVillarejoMaasquejuntoa
misdirectoresdetesishanqueridoformarpartedeesteproyecto,tantoporsuconstante
consejo,colaboracinytiempoempleado,ademsdehaberrepresentadoparamgrandes
modelosaseguir.

AlaempresaApiaXXI,especialmenteaMarcosPantalenPrieto,CesarFernndezGonzlez
y Jos Luis Sobradillo Ageros, en primer lugar por haberme propuesto esta lnea de
investigacin,seguidoporsucooperacineneldiseodelasinstalacionesyporltimo,por
haberparticipadojuntoaldepartamentodeIngenieraTrmicaydeFluidosenloscontratos
queenmarcanesteproyecto.

A mis compaeros y amigos Ramn y Alejandro, por vuestra continua predisposicin y


dedicacin, por estar siempre ah de forma desinteresada y por los buenos momentos de
trabajocompartidos.

A los exalumnos Laura Granados y Antonio Fuentes Cano por su colaboracin y haber
dedicadoconmigointensosperiodosdetrabajojuntos.

A todo el personal del departamento de Ingeniera Trmica y de Fluidos con los que he
compartidodocenciaytrmitesadministrativos,entreellosaLoli,porhabermeorientadoy
enseadomuchascosasyporquesinvuestraayudanohubiesesidotanasequibleeldaa
da.

A mis amigos, por haberme apoyado siempre, sacndome una sonrisa cuando ms lo
necesitabayhacermesentirlafyconfianzaquesiemprehabeistenidoenm.

Amispadres,mihermanoDani,mistos,primosyabuelos,porquesiemprehabisestadoa
milado,porvuestroincondicionalyconstanteapoyoentodomomento,especialmenteen
aquellos,notanbuenos,enlosquemehabiscomprendido,animadoyhechosentirqueel
esfuerzorealizadoporaquelloquequieresmerecelapena.

AmimaridoDiego,tantoporcompletarlaotrapartedemividaquenoestrabajo,porhacer
suyosmispropiosproblemasconmuchapacienciaycomprensin,comoporhacermeverla
vidaconoptimismo,porquesintipartedeestetrabajonohubiesesidoposible.

27

28

INTRODUCCIN

CAPITULO1. INTRODUCCIN
Elcrecimientoylaevolucindelapoblacinmundialjuntoasuactividadtraenconsigoque
la demanda energtica aumente da a da pero las fuentes clsicas ya no pueden
satisfacernos en la cuanta necesaria. El consumo del petrleo se incrementa
constantemente, cosa que no puede continuar por mucho tiempo, fundamentalmente
porque las reservas econmicamente explotables se estn agotando. El carbn es el
combustiblefsilmsimportantedelaTierraysusreservassongrandes,peroelproblema
queconllevasuaprovechamientoenergticoesquecontaminaconCO2laatmosfera,porlo
quesuusoeslimitado.

Por ello, se recurre a las fuentes renovables de energa, entre ellas la energa solar
fotovoltaica que como energa limpia no contamina y contribuye a luchar contra el efecto
invernadero. La energa es una necesidad, y por ello se debe de ser consciente de la
situacin energtica, y la necesidad de desarrollar instalaciones fotovoltaicas para poder
seguir manteniendo nuestro estilo de vida sin comprometer la economa, la autonoma
energticaylasostenibilidadmedioambientaldelplaneta.

Enlaactualidad,aunquerepresentantodavanomuyaltosporcentajesrespectoaltotalde
deenergaprimariaanivelmundial,algunasfuentesrenovables,comolaelicaosolaren
susdistintasformas,estncreciendoaunritmoaceleradoenalgunaspartesdelplaneta.La
energasolarfotovoltaicahaidocreciendoaunavelocidadmayoralaesperada,apesarde
lacrisiseconmicaduranteelao2011.Europahalideradoelmercadofotovoltaico,conun
75% de la nueva capacidad conectada en 2011 (durante 2011 se conectaron a la red
29,7GW,deloscuales21,9GWseinstalaronenEuropa)yalrededordel75%delacapacidad
global instalada. Pero los mercados no europeos empiezan a mostrar signos de que esta
tendencia va a cambiar ya que en ellos est el mayor potencial de crecimiento: fuera de
Europaelsectorfotovoltaicoseexpanderpidamente,conmsdeun100%decrecimiento.
En lo que se refiere a la energa solar fotovoltaica, tanto la potencia instalada como
generadahasufridouncrecimientoespectacularenlosltimosaos,concentrndoseensu
mayoraenEuropa,China,JapnyUSA.

29

CAPITULO1.INTRODUCCIN


Figura1.1Potenciageneradayproyeccindeenergafotovoltaicaporregiones[1].

Ese crecimiento ha llevado consigo un desarrollo tecnolgico que est consiguiendo


progresivamente aumentar las aplicaciones, reducir los costes de produccin y mejorar la
eficienciadelasclulas.Partiendodeestasituacinyalavistadelosresultadospresentados
por diversos estudios, parece seguro que la energa solar fotovoltaica seguir en los
prximos aos ampliando progresivamente su cuota de participacin en la produccin de
energa. Con esta investigacin se pretende colaborar en el desarrollo de aquellas
instalacionesquesiganadelanteconelaprovechamientodelaenergasolarfotovoltaicay
queseanplanteadascomoinversinensalud,sostenibilidadyresponsabilidad.


30

1.1ORIGENDELESTUDIO

1.1 ORIGENDELESTUDIO

Esteproyectoestenmarcadoendoscontratosfirmadosentrelosgruposdeinvestigacin
Modelado de Sistemas Trmicos y Energticos y Mecnica de Fluidos e Ingeniera
TrmicadelaUniversidadPolitcnicadeCartagenaylaempresaApiaXXIparaelanlisisde
la influencia de la temperatura en el comportamiento elctrico de paneles fotovoltaicos
colocados sobre cubiertas y el ensayo de diferentes configuraciones que permita su
refrigeracin.

Como se ha mencionado anteriormente, el punto de partida de este trabajo es estudiar y


analizar el comportamiento elctrico de un panel fotovoltaico cuando alcanza altas
temperaturas,alestarcolocadosobreunacubiertaycaracterizarlainfluencianegativadesu
temperatura. Con ello se pretende estudiar diferentes configuraciones analizando los
parmetroselctricoseidentificandoaquellaqueconsigaunareduccindelatemperatura
de funcionamiento de los paneles fotovoltaicos colocados sobre cubierta, lo que conlleva
unamejoradelaeficiencia.

Elproblemaquepresentanlospanelesfotovoltaicosalalcanzaraltastemperaturasselleva
estudiando tiempo pero es cierto que la mayora de los paneles que funcionan en plantas
fotovoltaicasdenuestropas,lopresentanyenmayormedidaaquellosubicadosenelsurde
Espaa. Laempresa Apia XXI nos propuso profundizar enesta lnea de investigacin al ser
consciente de la reduccin en produccin elctrica que sufran los paneles en la planta
fotovoltaica que tienen en Coronil, Sevilla, especialmente durante los meses de verano,
debido a la reduccin del rendimiento a causa de las altas temperaturas. Los paneles
utilizados en esta investigacin son los proporcionados y utilizado por dicha empresa,
policristalinos modelo ET 270W. Adems, este problema se le agravara en los nuevos
proyectosdeApiaXXI,enlosquelospanelessecolocansobrediferentescubiertas.

La primera instalacin experimental de estudio consiste en estudiar y analizar el


comportamientoelctricodeunpanelcolocadosobreunacubiertadeacero,comparndolo
con el de un panel aislado, trabajando en las mismas condiciones ambientales. Se han
estudiadodiferentestcnicashastaahorautilizadaspararefrigerarlospaneles,conelfinde
reducir su temperatura y mejorar su produccin elctrica. Una vez conocidas, la que se
presentaenesteestudioeslarefrigeracindelospanelesfotovoltaicosconairecomofluido
caloportador,queconsisteenelaprovechamientodeunefectochimeneaporconveccin
naturalyconveccinforzadaatravsdeunaconduccindeaireporsusuperficieposterior
es decir, entre el panel fotovoltaico y la cubierta sobre la que se encuentra colocado. En
amboscasos,conveccinnaturalyforzada,sehamodificadoelespesordelcanaldeairecon
el fin de conocer la existencia o no, de una influencia entre la separacin del panel y la
cubierta con la temperatura de funcionamiento del panel. Adems, los ensayos de
conveccin forzada se han llevado a cabo para diferentes velocidades forzadas por el

31

CAPITULO1.INTRODUCCIN

ventilador, para cada seccin de paso de aire. Con los resultados obtenidos para las
diferentes configuraciones podremos concluir cual es lams idnea. Adems, seestablece
unacomparativaenelcomportamientodelpanelenfuncindelasvariablesquerealmente
influyen en la temperatura para poder obtener correlaciones que determinen la
temperatura de funcionamiento, potencia y eficiencia del mdulo bajo diferentes
condicionesambientalesyconstructivas.

La otra instalacin experimental es una rplica de una instalacin real y se centra en el


estudioyanlisisdelmismoproblema,diferencindoseenquelospanelesenestecasose
encuentran ubicados sobre la cubierta de un invernadero, institucionalmente denominado
comoinstalacinagroenergticacuyacubiertaesadosaguasylospanelesseencuentrana
una.Ensuinteriorsecultivandiferentesplantasornamentalesyvariedadesdesetasenuna
zona aislada y refrigerada, todos ellos son cultivos que no necesitan mucha luz. Con el
prototipo experimental construido se pretende estudiar la influencia de las altas
temperaturas en el interior del invernadero sobre los paneles colocados a una pequea
separacindelacubiertadeplstico,existiendouncanaldivergenteporelquecirculaelaire
exterior.Porconsiguiente,enelinteriordelainstalacinexperimentalsehadispuestodeun
calefactor industrial conectado a un PID que nos permite establecer y mantener la
temperaturaquesedeseeconelfindecaracterizarelcomportamientodelospanelesaaltas
temperaturasenelinterior.

EstainstalacintienesuorigenenlanecesidaddeApiaXXIporconocerlaexistenciadeuna
mayoromenorinfluenciadelasaltastemperaturasenelinteriordelosinvernaderossobre
los paneles y en tal caso, poder proponer modificaciones a la configuracin actual tales
como variar el diseo de la estructura soporte de los paneles, aumentando la seccin de
paso de aire, poniendo un aislante sobre el plstico, etc. de cara a la construccin de
prximasinstalacionesagroenergticasprevistas.


32

1.2OBJETIVOSDELATESIS

1.2 OBJETIVOSDELATESIS

El objetivo principal de este trabajo de tesis doctoral es estudiar la influencia de la


temperatura en el comportamiento elctrico de mdulos fotovoltaicos colocados sobre la
cubiertadediferentesinstalaciones,ascomolaposiblemejoraenlaproduccinelctrica,
mediante la refrigeracin por conveccin natural e inducida, a travs de un canal de aire
entresucaraposteriorylacubiertasobrelaqueestnubicados.

Del objetivo primordial se derivan una serie de subobjetivos especficos (detallados a


continuacin)quepasanporeldiseo,construccindevariasinstalacionesexperimentales
para el registro de medidas y anlisis experimental, adems de estudiar las medidas de
instalaciones en explotacin con la intencin y fin ltimo de poder asistir en el diseo de
instalacionesfotovoltaicasmontadassobrecubiertas.

Enprimerlugar,conocerlasinstalacionescomercialesenexplotacinquenoshanservidode
prototipotantoparaentenderelfuncionamientodelospaneles,comoparaeldiseodelas
instalaciones fotovoltaicas experimentales. De ellas, elegir los mdulos que mejor se
comportan respecto a su temperatura de funcionamiento, para ser utilizados en los
diferentesensayosexperimentales.Conlosdatosproporcionadosporlaempresa,deunade
lasinstalacionescomerciales,medidosduranteelperiodoMayoAgostode2010,sequiere
estudiar los parmetros caractersticos de los mdulos, comparando los datos
experimentalesmedidosylosproporcionadosporelfabricantebajolasmismascondiciones
ambientales. Con este estudio, se pretende obtener las relaciones de dependencia con la
temperatura de los paneles de la planta fotovoltaica y comparar los resultados con los
obtenidosenlainstalacinexperimentalconstruida.

Se debe disear y construir cada una de las instalaciones experimentales, siendo fiel a la
instalacincomercialdereferenciayelegirtodalainstrumentacinnecesariaparamediry
registrar las variables influyentes en el estudio. Ambas instalaciones pretenden estudiar
diferentesconfiguracionesconstructivas,cuandolospanelesseemplazansobreunacubierta
bien metlica (como sucede en las naves industriales) como de plstico (en los
invernaderos),existiendounespacioentrepanelycubiertaquepermitelarefrigeracindel
panelconaireporconveccinnatural.

La instalacin experimental fotovoltaica sobre cubierta metlica engloba dos casos de


estudio,unomedianterefrigeracinporconveccinnaturalyotroporconveccinforzada.
En cada caso resultan diferentes configuraciones de ensayo. En conveccin natural se
planteatresdiferentesconfiguraciones,diferencindoseenlaseparacinexistenteentreel
panel fotovoltaico y la cubierta metlica. En refrigeracin inducida adems de ensayar las
tresseccionesdelcanaldeaireplanteadasenconveccinnatural,paracadaseccinsehan
fijado diferentes valores de la velocidad inducida por un ventilador. Con todas ellas, el
propsito es estudiar el comportamiento elctrico del panel al estar integrado en una

33

CAPITULO1.INTRODUCCIN

cubierta, analizar sus parmetros elctricos caractersticos, conocer la influencia de las


diferentesvariableseneldiseoynosloconcluirlaconfiguracinmsidneasinotambin
poder globalizar los datos experimentales, estableciendo una correlacin que nos permita
conocer la temperatura de funcionamiento del mdulo, su rendimiento y potencia en
funcindelasvariablesinfluyentesenlarefrigeracinydiferentescondicionesambientales.

Lasegundainstalacinexperimentaldeestudio,fielaldiseodeunainstalacincomercial
agroenergtica, se centra en estudiar la respuesta elctrica de los paneles fotovoltaicos
colocados sobre la cubierta de un invernadero, permitiendo su refrigeracin por su cara
posterior mediante conveccin natural. En esta instalacin tambin se ha variado la
separacinentrelosmdulosylacubiertadeplstico,estudiandodosseccionesdeentrada
deairediferentes.Adems,deldiseoinicial,sehaincorporadounmaterialaislantesobreel
plstico para cada seccin de paso de aire. En las diferentes configuraciones, se pretende
estudiar y comparar el comportamiento de los mdulos en esta aplicacin fotovoltaica,
analizandosusvariableselctricas,dependenciaconlatemperaturadefuncionamientoyla
posible influencia del calor en el interior del invernadero, transferido al canal de aire. Con
este estudio se persigue analizar las variables influyentes en cada caso y conocer la
configuracinquepermitaunamayorproduccinelctricadelpanel.


34

1.3PLANTEAMIENTOGENERALDELATESIS

1.3 PLANTEAMIENTOGENERALDELATESIS

Losobjetivosplanteadosenesteestudiosehanllevadoacabosiguiendoelesquemadela
figura 1.2. Aunque el bloque central de trabajo lo constituir el estudio y anlisis del
comportamientoelctricodelospanelesendiferentesaplicacionesfotovoltaicas,elrestode
bloquesdelesquematambinformarnpartedelapresenteinvestigacinporentenderque
lossegundosdansentidoalprimeroyviceversa.

Revisinbibliogrficadesistemasderefrigeracinde
mdulosfotovoltaicossobrecubiertas

Estudiodelaplantasolar Diseoymontajedela1
fotovoltaicaCoronilII instalacinexperimental

Seleccin de la configuracin
Seleccindelpanel
fotovoltaico Registroytratamientodedatos
experimentales

Estudioytratamiento
delosdatosmedidos
Estudioyanlisisexperimentalderesultados

Anlisiscomparativodel
comportamientoelctricode Anlisisexperimentalglobaly
lospanelesfotovoltaicos seleccindeconfiguracin

Revisinbibliogrficadeinstalacionesfotovoltaicassobre
cubiertasdeinvernaderos

Estudiodelainstalacin Diseoymontajedela2
fotovoltaicaagroenergtica instalacinexperimental
CoronilIV

Seleccindelaconfiguracin

Registroytratamientode
Anlisisexperimental datosexperimentales
globalyseleccinde
configuracin Estudioyanlisisexperimentalderesultados
Figura1.2PlanteamientodelaTesisDoctoral.

35

CAPITULO1.INTRODUCCIN

Este planteamiento general se desarrolla en los captulos que se describen brevemente a


continuacin.

Cmoapartadofinaldeestecaptuloseincluyedeformaresumidalosantecedentesdela
energa fotovoltaica y los principios bsicos de funcionamiento, con el fin de introducir
conceptosyvariablesdeestudioquepresentanencaptulosposteriores.

Enelcaptulo2sepresentalarevisinbibliogrficadelestadodelainvestigacinreferidaal
campo objeto de estudio. En primer lugar se exponen los diferentes mtodos que se han
utilizadoparareducirlatemperaturadelosmdulos,conelfindedeterminarquemtodo
sera viable de estudiar en nuestras aplicaciones, por el inters que en este campo
presentan. En segundo lugar se clasifican los estudios bibliogrficos desarrollados sobre la
integracindelospanelessobrediferentescubiertas,paraconocerelestadodelartetanto
enlatecnologacomodiseoestructuralutilizadosendiferentesaplicacionessimilaresalas
queseestudian.Entercerlugarseincluyenlasecuacionesquedeterminanlainfluenciadela
temperatura en las variables elctricas del panel, establecidas por diversos estudios. En
ltimolugar,sepresentalarevisinbibliogrficadeestudiosllevadosacaboenlosquese
determinan correlaciones de la temperatura del mdulo, considerando las variables
influyentesensucapacidaddeventilacin.

En el captulo 3 se expone la descripcin de las instalaciones fotovoltaicas estudiadas. El


primerapartadopresentalasinstalacionescomercialesenexplotacinquenoshanservido
de prototipo para el diseo y montaje de las experimentales, una planta fotovoltaica con
panelessobreestructurafijayunainstalacinagroenergticaconmdulossobrelacubierta
delinvernaderoquelaconstituye.Enelsegundoapartadosedescribelasdosinstalaciones
experimentalesdiseadasyconstruidasenlaUniversidadPolitcnicadeCartagenaparael
estudio y anlisis del comportamiento elctrico de los paneles fotovoltaicos y una posible
mejora en el comportamiento elctrico de los mdulos fotovoltaicos mediante la
refrigeracin con aire en su cara posterior. En cada una de ellas se detalla su diseo
constructivo, las configuraciones y variables de estudio, colocacin de los sensores de
medidaydescripcindelainstrumentacinutilizadaenelregistroytratamientodedatos.

El captulo 4 incluye la descripcin del proceso llevado a cabo en la medida y registro de


datos de ambas instalaciones experimentales y su automatizacin. Adems se presenta el
estudio de las incertidumbres cometidas en la medida con estos equipos para poder
establecerelgradodevalidezdelasmismas.

Enelcaptulo5seabordalosestudiosyanlisisdelosresultadosmedidosyobtenidosdelas
diferentes instalaciones descritas en el captulo 3. En primer lugar se expone el estudio
comparativo del funcionamiento de mdulos fotovoltaicos en la planta solar Coronil II
frente a los valores medidos en la instalacin experimental. El estudio demuestra que el
comportamientoelctricodelpanelenunaplantafotovoltaicasepuedepredecirapartirde

36

1.3PLANTEAMIENTOGENERALDELATESIS

un prototipo experimental, para diferentes condiciones o configuraciones. En un segundo


apartado,seincluyenlosresultadosobtenidosparalasdiferentesconfiguracionesdeensayo
delaprimerainstalacinexperimental,conelpropsitodeestudiarelfuncionamientodeun
panelfotovoltaicoalestarsobreunacubiertametlica,existiendounespacioentreambas
superficies que permite la circulacin de aire por conveccin natural e inducida.
Primeramente se compara el comportamiento elctrico del mdulo para diferentes
secciones del canal de aire en conveccin natural respecto a un panel de referencia, sin
ningncanalnisuperficieensucaraposterior,trabajandoambosenlasmismascondiciones.
Posteriormente, se estudia el funcionamiento del mdulo para las mismas secciones de
entrada en conveccin forzada, impulsando aire en el canal mediante un ventilador. Para
cada seccin de estudian diferentes valores de velocidades inducidas para analizar su
influencia.Porltimo,secomparanlosresultadosobtenidosenconveccinnaturalyforzada
analizandolasvariablesinfluyentesenlacapacidadderefrigeracin,talescomolaseccin
deairedecanalylavelocidaddelaireasutravs.Conello,finalmentesepretendenoslo
seleccionar la configuracin ms idnea sino tambin establecer una correlacin de la
temperatura del mdulo para las diferentes configuraciones que permita generalizar los
resultados para las diferentes configuraciones de estudio. El tercer apartado contiene los
resultados obtenidos de la segunda instalacin experimental, en la que los paneles
fotovoltaicosestncolocadosenlacubiertadeuninvernadero,existiendotambinuncanal
de aire. En esta instalacin se pretende estudiar el comportamiento de los paneles para
diferentes configuraciones, diferencindose tanto en la seccin de entrada de aire en el
canal como en el material constituyente de la cubierta. Se analiza el efecto de la
temperatura en las variables caractersticas para cada configuracin as como la influencia
dediferentesvariables,talescomolavelocidaddelvientoylatransferenciadecalorenel
canal de aire de refrigeracin. El estudio compara las configuraciones ensayadas bajo las
mismas condiciones lo que permite conocer la configuracin en la que el panel alcanza
menortemperaturadefuncionamientoyunamayorproduccinelctrica.

El captulo 6 es una recopilacin de las conclusiones ms importantes obtenidas en los


captulos anteriores, y en el que se apuntan las diferentes lneas de continuacin de la
presentetesis.

37

CAPITULO1.INTRODUCCIN

1.4 EVOLUCINDELAENERGASOLARFOTOVOLTAICA

Laconversindelaenergasolarenenergaelctricaesunfenmenofsiscoconocidocomo
efecto fotovoltaico, descubierto en 1838 por Alexandre Edmond Bequerel, mientras
experimentaba con una pila electroltica. El siguiente paso se dio en 1873 cuando el
ingeniero elctrico ingls Willoughby Smith descubre el efecto fotovoltaico en slidos, en
estecasosobreelSelenio.Pocosaosmstarde,en1877,ElprofesoringlsWilliamGrylls
Adams, junto con su alumno Richard Evans Day, crearon la primera clula fotovoltaica de
selenio, con rendimientos del 1%. Durante 1880, las primeras clulas fotovoltaicas eran
fabricadasconSelenioysolamenteconseguanentreel12%deeficienciadeconversin.

En 1904 Albert Einstein publica su trabajo acerca del efecto fotovoltaico, recibiendo el
premio Noblel en el ao 1923, por sus teoras sobre el efecto fotovoltaico. Este hecho
supuso un avance importantsimo para el desarrollo de sta tecnologa. El mtodo
Czochralskide1918supusounodelosmayoresavances,queposibilitenladcada1940
1950laobtencindemonocristalesdeSilicioconlasuficientepurezaparaeldesarrollode
clulassolares(juntocontransistoresydiodos).

Mstarde,aprincipiosdelosaos50,seimplantalaprcticaelprocesoCzochralskique
permita la obtencin de silicio cristalino puro. Esto a la vez permiti la aparicin de los
semiconductoresyfueenelao1953cuandoGeraldPearsondeBellLaboratories,mientras
experimentabaconlasaplicacionesenlaelectrnicadelsilicio,fabriccasiaccidentalmente
una clula fotovoltaica basada en este material, que resultaba mucho ms eficiente que
cualquiera hecha de selenio, con un rendimiento del 4%, tecnologa que rpidamente
mejoraronhastaun11%.

Apartirdeestedescubrimiento,otrosdoscientficostambindeBell,DarylChaplinyCalvin
Fuller perfeccionaron este invento y produjeron clulas solares de silicio capaces de
proporcionar suficiente energa elctrica como para que pudiesen obtener aplicaciones
prcticas de ellas. De esta manera empezaba la carrera de las placas fotovoltaicas como
proveedorasdeenerga.


38

1.4EVOLUCINDELAENERGASOLARFOTOVOLTAICA


Figura1.3AnuncioquelosLaboratoriosBellhicierondelprimerpanelfotovoltaicodesarrolladoporsus
cientficosen1953.

Lademandadepanelessolaressolovenadelaindustriajuguetera,quelosempleabapara
suministrar potencia a pequeos artefactos como maquetas de aviones y coches, o de la
industriaelectrnica,paraaplicarlosenpequeosaparatoselctricossencilloscomoradios
paralaplaya.Estasituacinlimitabamuchoeldesarrollodeestatecnologayaqueeranmuy
reducidos los ingresos que se generaban hacindose muy difcil destinar cantidades de
dinero importantes a su desarrollo. Por fortuna, se encontr una aplicacin ideal para el
estado del desarrollo de los paneles solares fotovoltaicos en aquel momento; la
alimentacindelequipodelossatlitesespacialesenlaincipientecarreraespacial.Elcosto
no fue un factor limitante ya que los recursos dedicados en la carrera del espacio eran
enormes. Primaba la capacidad de proveer energa elctrica de manera fiable en reas de
muydifcilacceso.Enesolaenergasolarfotovoltaicaresultabamuycompetitiva.

As,en1955,seleasignaalaindustriadeEEUUlaproduccindepanelesfotovoltaicospara
aplicacionesespaciales,loquesignificsindudaunimportantsimoimpulsoquepermitiun
crucial desarrollo tecnolgico del sector. El 17 de Marzo de 1958, finalmente, se lanza el
Vanguard I, el primer satlite alimentado con paneles solares fotovoltaicos. El satlite
llevaba 0,1W en una superficie aproximada de 100 cm2 para alimentar un transmisor de 5
mW.

39

CAPITULO1.INTRODUCCIN


Figura1.4Primersatliteconplacassolares,VanguardI.

Si bien en este satlite los paneles solares eran solo la fuente de energa de respaldo,
acabaron por convertirse en la fuente principal cuando las bateras consideradas como
fuentedealimentoprincipalseagotaronentansolo20das.Elequipoestuvooperativocon
esaconfiguracindurante5aos.

La fiabilidad que haban demostrado los paneles solares fotovoltaicos propici su empleo
sistemtico en gran nmero de misiones espaciales y supuso un enorme impulso para la
industria fotovoltaica (no slo Estados Unidos utiliz esta tecnologa, La Unin Sovitica
tambin emple sistemticamente los paneles solares fotovoltaicos para alimentar sus
satlites). Sin lugar a dudas, la carrera espacial tal como la conocemos no hubiera sido
posible sin la existencia de los paneles solares fotovoltaicos. De igual manera se puede
afirmar que el actual desarrollo de los paneles solares fotovoltaicos y su importante
proyeccindefuturohubieransidomuydifcilessinelimpulsoquelediolacarreraespacial.


Figura1.5Hitosdeinstalacinesfotovoltaicasensatlitesespaciales.

En la dcada de los 60 se empez a considerar la opcin de la energa solar como una


alternativaalosproblemasquesurgieronaconsecuenciadelabastecimientoyaumentodel
precio del petrleo. As se empezaron a implantar colectores solares planos (paracalentar
agua) y a aumentar la produccin de paneles fotovoltaicos. Otro hecho importante fue la


40

1.4EVOLUCINDELAENERGASOLARFOTOVOLTAICA

creacindelFederalPhotovoltaicUtilitzationProgramenEstadosUnidosenconsecuenciaa
lacrisisdelpetrleode19731974.Medianteesteprogramaseinstalaronaproximadamente
unos3100sistemasfotovoltaicoslamayoradeloscualessiguenfuncionandoactualmente.

Las aplicaciones prcticas de la energa solar fotovoltaica empezaron entonces a


multiplicarse: electricidad para la proteccin contra la corrosin de oleoductos y
gaseoductos, iluminacin de boyas marinas y faros, repetidores de sistemas de
telecomunicaciones,sistemasdeiluminacinenlneasfrreas.Paratodasestasfinalidades,
la instalacin de paneles solares resultaba mucho ms rentable econmicamente y ms
eficienteensulabor.


Figura1.6FaroSolar.

Tal fue el impulso de esta tecnologa, que supuso el hecho de que en el ao 1975 las
aplicacionesterrestreshabanyasuperadoalasespaciales.Tambenenlosaos70delSiglo
XX,surgilaideadepotenciarlasbombasdeextraccindeaguaconpanelessolares.Pocoa
poco,enlassiguientesdcadas,sefueronencontrandonuevasaplicacionesparalaenerga
solarfotovoltaica,loqueconllevacontinuarconeldesarrollodelusodeestatecnologa.

Desde los aos 80, las instalaciones fotovoltaicas estn y han estado continuamente
mejorandosusprestacionesyprocesosdefabricacin,ofreciendoasalconsumidormejores
productos y consolidndose como una alternativa viable. En la dcada de los 90 y en los
primeros aos del Siglo XXI las clulas fotovoltaicas han experimentado un continuo
descensoensucostejuntoconunaligeramejoradesueficiencia.Estosfactoresunidosal
apoyoporpartedealgunosgobiernoshaciaestatecnologa,hanprovocadounespectacular
impulsodelaelectricidadsolarenlosltimosaos.

Siempre en la vanguardia tecnolgica, la historia de la energa solar fotovoltaica est


marcada por un desarrollo lento pero constante. Descubierto el efecto fotovoltaico como
fenmenodedifcilaplicacinprctica,pocoapocolosavancestcnicosfueronpermitiendo
aprovecharlomseficientementehastalograrqueseconvirtieraenunafuentedeenerga
prcticayfiable.AiniciosdelSigloXXIlaenergasolarfotovoltaicasepresentacomounade
lasopcionesconmsfuturoparaliderarlarevolucinenergticaqueseaproxima.

41

CAPITULO1.INTRODUCCIN

1.4.1 FUNCIONAMIENTOBSICODEUNACLULAFOTOVOLTAICA
Lasclulasfotovoltaicasconsistendeunsemiconductordesilicio,quealincidirfotonesde
laluzdelSolpermitentransmitirsuenergaaloselectronesdevalenciadelsemiconductor
pararomperelenlacequelesmantieneligadosalostomosrespectivos.Porcadaenlace
roto queda un electrn libre circulando dentro del slido. La ausencia de electrn en el
enlaceroto,denominadohueco,tambinpuededesplazarselibrementeporelinteriordel
slido, transfirindose de un tomo a otro debido al desplazamiento del resto de
electrones de los enlaces. El movimiento de los electrones y huecos en direcciones
opuestasgeneraunacorrienteelctricaenelsemiconductor.

La clula fotovoltaica consiste en dos capas muy delgadas de semiconductores. La capa


superioresunsemiconductordeltiponylacapainferioresunsemiconductordeltipop.
Un semiconductor del tipo n (tipo negativo) es un semiconductor con un exceso de
electroneslibres,loqueselograimpurificandoelcristaldesiliciocontomosquetienen
electroneslibres.Unsemiconductordeltipop(tipopositivo)estimpurificadocontomos
quetienenunaescasezdetomoslibres,quetambinpuedencatalogarsecontomoscon
huecos.

Cuandodoscapasdelgadasdematerialestipopytiponseunen,loselectroneslibresdela
capatiponfluirnhacialoshuecosdelacapatipopyllenarnestoshuecos.Alhaceresto
causan una carga positiva en la capa del tipo n porque los electrones negativos dejaron
esta capa, al mismo tiempo en la capa del tipo p se da una carga negativa debido a la
recepcindeelectronesdelacapatipon.Ladiferenciadecargascreaunvoltajeinterno
queimpideamselectronesfluirdelacapadeltiponalacapadeltipop.

Cuando la luz solar cae sobre las capas se crearn ms electrones libres en la capa p y
huecosenlacapan,alterandoportantoelequilibrio.Parareponerelequilibrio,fluiruna
corrienteelctrica,creandounvoltajeenloscontactosexternosdelasdoscapas.Sinose
haceningunaconexinexternaentrelasdoscapas,estevoltajeexternopermanecertal
comoestporquenohayelectronesquepuedanfluirdelacapanalacapap.

Si se ilumina una clula fotovoltaica conectada a una carga externa se producir una
diferencia de potencial en dicha carga y una circulacin de corriente, teniendo lugar los
siguientesfenmenos:

Los fotones incidentes con energa igual o mayor que el ancho de banda prohibida
(energa necesaria para que un electrn pase de una capa a otra) se absorben en el
semiconductor y generan pares electrnhueco, actuando como portadores de
corriente.


42

1.4EVOLUCINDELAENERGASOLARFOTOVOLTAICA


Figura1.7Componentesinternasdelacorrienteenunaclulafotovoltaica.

Elcampoelctricoodiferenciadepotencialproducidaporlauninpneslacausadela
separacin de los portadores antes de que puedan recombinarse de nuevo y por
consiguiente, la causa de circulacin de la corriente por la diferencia de potencial
externaenlacarga.

La diferencia de potencial en la unin pn produce fenmenos de inyeccin y


recombinacin de pares electrnhueco, que en la clula actan como prdidas de
recombinacin.

Lacorrientequecirculaporlacargaeselresultadonetodedoscomponentesinternasde
corriente que se oponen: la corriente fotogenerada (IL), debida a la generacin de
portadores y la corriente de diodo (ID) debida a la recombinacin de portadores que
produceelvoltajeexternonecesarioparaentregarenergaalacargayesdefinidaporla
leydeldiodoideal.Porlotanto,I=IDIL.

En el Anexo A, se explican con ms detalle los principios fsicos, elctricos y descriptivos


que definen los sistemas fotovoltaicos. A continuacin se definen las variables que
caracterizanelcomportamientoelctricodeunaclulafotovoltaica(objetodeestudio),a
partirdelacurvacaractersticaIVdefinidapor:

1 (1.1)

Donde:

Is:corrientedesaturacindeoscuridad.
V:tensinaplicada.
m:factordeidealidad(varaentre1y2)
=VT:potencialtrmico(paraelsilicioa25Cesiguala25,7mV)

43

CAPITULO1.INTRODUCCIN

Figura1.8Curvacaractersticadeunaclulafotovoltaica.

Corriente de Cortocircuito (Isc): Es la corriente resultante de cortocircuitar la clula


fotovoltaica(V=0),delaecuacinsededucequeISC=IL.

Tensindecircuitoabierto(Voc):Esladiferenciadepotencialexistentealabrirlaclula,
porloquenocirculacorriente(I=0).Sustituyendoenlaecuacinsetiene:

1 (1.2)

Potencia:Lapotenciaentregadaporlaclulasedefinecomoelproductodlatensiny
laintensidad,porlotanto:

1 (1.3)

El punto en el que se hacen trabajar los sistemas fotovoltaicos se denomina Punto de


MximaPotencia(PMP)opotenciapico,correspondienteaunvalordecorriente(Imp)y
detensin(Vmp)alhacer 0.

Eficiencia:Sedefineelrendimientooeficiencia()deunaclulasolarfotovoltaicacomo
elcocienteentrelapotenciamximaquepuededaralacargaylapotencialuminosa
recibidaporlaclula(GT).

(1.4)

G
Factordeforma(FF):).Estefactorsedefinecomoelcocienteentrelapotenciamxima
que la clula solar fotovoltaica puede dar a la carga y la potencia terica mxima
definidaporelpuntodecortocircuitoycircuitoabierto(Isc,Voc).

(1.5)


Es una medida de la calidad de la unin y de la resistencia serie de la clula. Cuanto
mayoresestefactor,cuantomsprximoa1,lacurvacaractersticaIVconiluminacin
seaproximamsalrectngulodemximapotenciatericay,portanto,laclulaesde
mayorcalidad.



44

2.1INTRODUCCIN

CAPITULO2. ESTADODELARTE
Unaspectoquesehaceindispensableantesdecomenzaradesarrollarunconocimientoes
comprobar si ese conocimiento no ha sido ya obtenido. Por este motivo se presenta a
continuacinunarevisinbibliogrficadelestadodelainvestigacinenelcampoobjetode
estudio.

Los estudios bibliogrficos desarrollados sobre el tema se clasifican en varios bloques por
separado, aunque estn fuertemente relacionados. Por un lado necesitamos conocer el
estadodelainvestigacinactualenlosmtodosderefrigeracindelosmdulosutilizadosy
sufuncionamientorespectolatemperatura.Estonospermitirdeterminarqumtodosson
susceptibles de ser estudiados por el inters que en este campo presentan, para
configuraciones similares a la propia. Adems, nos proporciona lo que se conoce sobre el
efecto de la temperatura sobre diferentes tipos de mdulos, segn su configuracin y
sistema de refrigeracin, con lo que se establecer lo que es preciso estudiar con mayor
profundidadenlossistemasobjetodeestudio.

Por otro lado, y dado que las instalaciones de estudio corresponden a integracin
fotovoltaicasobrecubierta,serprecisoconocerculeselestadodelainvestigacineneste
campo.Seclasificanlosestudiosbibliogrficosdesarrolladosenlaintegracindelospaneles
sobrediferentescubiertas,paraconocerelestadodelartetantoenlatecnologacomoenel
diseoestructuralutilizadoparadiferentesaplicacionessimilaresalasqueseestudian.

Conelfindeestablecerunsistemaderefrigeracinenmdulosfotovoltaicosparareducirsu
temperaturayasmejorarsueficienciaelctrica,sedebeestudiarycomprenderlainfluencia
delatemperaturaenelcomportamientoelctricodelmdulo,medianteelconocimientode
losdiversosestudiosbibliogrficosquelocaracterizan.

Por ltimo, se incluye el estado de la investigacin de las variables influyentes en la


capacidad de refrigeracin con aire en sistemas de integracin fotovoltaica y en
consecuenciaenlatemperaturadelmdulo,conelpropsitodeconocerlascorrelaciones
estudiadas que nos permitan comparar nuestras medidas experimentales adems de
establecerunmodeloexperimentalquedeterminenoslolatemperatura,sinotambinsu
rendimientoenfuncindedichasvariables.

2.1 INTRODUCCIN

Las clulas fotovoltaicas permiten la transformacin directa de energa solar en energa


elctricaconunaeficienciamximaentornoal912%(policristalino),dependiendodeltipo
declulassolares.Msdel80%delaradiacinsolarquellegaalaclulafotovoltaica(PV)no
seconvierteenelectricidad,biensereflejaosetransformaenenergatrmica.

45

CAPITULO2.ESTADODELARTE

Elreflejodelaradiacinsolar,reduceelrendimientoelctricodelosmdulosentornoal8
15%.Sonnumerosaslasideaspropuestasparareducirlareflexin,perolamayoratienen
inconvenientes; los recubrimientos antireflectantes no son duraderos y la superficie
estructuralescara,seacumulaelpolvoysondifcillesdelimpiar[2].

El calor generado, conduce a un aumento de la temperatura de las clulas y en


consecuencia,undescensodelaeficienciaenlaconversindelaelectricidad.Estosedebea
que mientras la corriente de cortocircuito (Isc) aumenta ligeramente con el aumento de la
temperatura, la tensin de circuito abierto (Voc) disminuye significativamente con el
aumentodelatemperatura,resultandounareduccindelapotenciaelctricayportanto
delrendimientoentornoal0,40,5%/Cparaclulasdesiliciomonoypolicristalino.

La produccin de electricidad en los paneles fotovoltaicos es la principal prioridad y dado


que dicha transformacin depende de su temperatura de funcionamiento, es necesario
reducir dicha temperatura, manteniendo al sistema a no elevada temperatura. Para la
refrigeracindelospanelesfotovoltaicossehanestudiadodiversastcnicasutilizandocomo
fluidotrasportadordelaenergatrmica,elaireoelagua.

Conelfindeaumentarlacompetitividaddelaenergafotovoltaicayparalograrunamayor
cuotademercado,elaumentodelaeficienciaylareduccindecostessonlosprincipales
objetivos en el desarrollo de la tecnologa fotovoltaica. Para alcanzar estas estrategias de
mejorasepuedellevaracabo:

1.Aumentarlaeficienciadeclulasymdulos.
2.Usarmdulosdeconcentracin.
3.Utilizarunoodosejesdeseguimientoconjunto.
4.Minimizarlasprdidas,talescomoeldesequilibrioycableadodelmdulo.
5.Reducirlatemperaturamediantelarefrigeracin.

Enestetrabajonoscentraremosenlatcnicaderefrigeracindelospanelesfotovoltaicos,
paraconseguirmantenerunabajatemperaturadefuncionamientoyassubsanarlosefectos
inversosproducidosporlaelevadatemperaturasobrelaeficiencia.

2.2 MTODOS DE REDUCCIN DE LA TEMPERATURA DE LOS PANELES


FOTOVOLTAICOS

Debidoaquelospanelessolaressufrenunadisminucindelaeficienciaydelrendimiento
elctrico por un aumento de su temperatura de funcionamiento, se han estudiado
diferentesmtodosparapoderevitarloymantenerelsistemaabajatemperatura.Haydos
mtodos a seguir para conseguirlo, la refrigeracin pasiva y la refrigeracin activa. La
refrigeracin pasiva se basa en utilizar slidos de alta conductividad trmica o aadiendo
aletasparadisiparcalorinclusoenloscasosmscomplejosqueseplanteancambiosdefase.

46

2.2MTODOSDEREDUCCINDELATEMPERATURADELOSPANELESFOTOVOLTAICOS

Enlaaplicacindeestainvestigacinenglobaungrannmerodepanelesfotovoltaicos,de
modoquelasolucinmsatractivayconvenienteeslarefrigeracinactiva,queconsisteen
utilizaraguaoairecomofluidocalorportador.

A continuacin se describen diferentes tcnicas desarrolladas, centrndonos en la


refrigeracin de los paneles pulverizando agua y la refrigeracin con aire, prestando
atencinaalgunostrabajosligadosconestasmetodologas.

2.2.1 AGUACOMOFLUIDOCALOPORTADOR
En la refrigeracin de los paneles fotovoltaicos mediante lquidos, el ms utilizado es el
agua.Unadelasrazonesdelusodelaguacomofluidotrmico,sedebeaquetieneunbajo
ndice de refraccin (n=1,3), valor intermedio entre el vidrio (n=1,5) y aire (n=1), siendo
tambinelfluidomsabundanteenlaTierrayporlotantoelmenoscostoso.Ademsde
ayudar a mantener limpia la superficie, el agua reduce la reflexin entre el 23,6%,
disminuyendolatemperaturadelaclulayelrendimientoasuvezaumenta.

M.Addolzadehetal.[3],estudiaronelefectodelapulverizacindeaguasobrelospaneles
fotovoltaicos lo que produca una disminucin en la temperatura de la clula y de la
reflexin [4,5]. El propsito de este estudio es investigar la posibilidad de mejorar el
rendimientodeunsistemafotovoltaicodebombeo,estoserealizaporaspersindeagua
sobrelasclulasfotovoltaicasyasinvestigarelefectodelapulverizacindeaguaencima
delasclulasfotovoltaicasydeladisminucinenlatemperaturadelaclulaylareflexin.
Adems, se ha investigado que el rendimiento de sistemas de bombeo fotovoltaicos se
mejoraconladisminucindelatemperaturadelaclulaylareflexindelaclula[3,6].


Figura2.1Clulasrefrigeradasmedianteelbombeodeagua[3].

El agua necesaria para pulverizar las clulas se bombea desde un depsito y


posteriormentesetransmitealasclulasporuntuboenlapartesuperiordelasclulas,a
travs de pequeos agujeros. Se observ que el agua produjo un aumento del
rendimiento en torno al 3% tanto para la transmitancia ptica como la generacin

47

CAPITULO2.ESTADODELARTE

elctrica,paraelloemplearonunmodelodetrescapas,basadoenelfrentedevidrio,EVA
y revestimiento de clulas de silicio antireflectante, lo cual ya haba sido estudiado
previamente[7,8].ElesquemadelainstalacinsemuestraenlaFigura2.2.


Figura2.2Esquemadelsistemadebombeoypulverizacindeagua[3].

Las mediciones se registraron durante los das claros de julio de 2006, en Kerman Irn,
recogindoloscada15minutos.

Losprincipalesparmetrosdelsistemadebombeodeaguaquesevernafectadosporla
pulverizacindeaguasobrelasclulassonlaenergaextradadelaclulayelcaudalde
bombeo.

Encuantoalosresultadosobtenidos,laeficienciadelaclulafotovoltaicadisminuyeal
aumentarlatemperatura.Lasclulasseexpondrnaunadegradacinalargoplazo,sila
temperatura supera un cierto lmite. Gracias al spraying de agua y la adicional
refrigeracinporevaporacin,elvoltajeaumentaylastemperaturasdefuncionamiento
delasclulassereducensignificativamenteencomparacinconunmdulosintenerun
atomizadordeagua,comosepuedeobservarenlaFigura2.3.


48

2.2MTODOSDEREDUCCINDELATEMPERATURADELOSPANELESFOTOVOLTAICOS

Figura2.3Comparacindelosresultadosmedidos,conysinpulverizaraguaalolargodeldade:a)Latensin
delpanel,b)temperaturadefuncionamiento[3].

El clculo de la eficiencia total del sistema fotovoltaico de bombeo, se llev a cabo


mediantelassiguientesfrmulas:

2.1

(2.2)

(2.3)

(2.4)

Paramostrarelefectodelapulverizacindeaguasobrelasclulasfrentealrendimiento
del sistema, se probaron varias configuraciones de montaje, para el transporte del agua
encima de las clulas, durante ms de dos meses. Esto se hizo con el fin de consumir
menosaguapararociarlasclulasyreducirloscostesdeinstalacin.Estediseoobtuvo
una reduccin efectiva de la temperatura de la clula y de las reflexiones. El agua
prcticamente absorbe el calor generado por el mdulo y reduce la reflexin durante el
da.Conelfindeinvestigarelefectodelapulverizacinsobrelainstalacinfotovoltaicade
bombeodeaguaseensayelsistemaadosalturasdebombeo,10my16m.Elaumento
deenergaelctricaproducidadurantetodoeldafuealrededordel17%a16m.

49

CAPITULO2.ESTADODELARTE

En las siguientes grficas se recogen los resultados experimentados para la altura de


bombeo de 16 m, como ya hemos comentado la eficiencia no slo del panel sino del
sistemaglobalsufreunaumentoconsiderable.

Figura2.4Comparacindelosresultadosmedidosenelpanelfotovoltaicoconysinpulverizaragua:a)
Eficienciadelmdulo,b)Eficienciadelsubsistema[3].

Figura2.5Comparacindelaeficienciatotaldelsistemaconysinpulverizacindeagua[3].

Comoseobservaenlasiguientetabla,elcaudaldelabombaaumentaalpulverizaragua
sobrelasclulas.Elcaudaldeaguapulverizadasobrelasclulasesdealrededorde50L/h
a 16 m mientras que el total acumulado para rociar las clulas durante el da, fue
aproximadamente165L/h.


50

2.2MTODOSDEREDUCCINDELATEMPERATURADELOSPANELESFOTOVOLTAICOS


Tabla2.1Datosmedidosdelasvariablesinfluyentesparalasdiferentesconfiguraciones[3].

Como se puede apreciar, el aumento de caudal es ms significativo a mayores alturas.


Esta variacin se debe principalmente al criterio de diseo en el que el rendimiento del
sistemaestcercadeaumentarcuandosealcanzalamximavelocidaddelabomba.Esta
velocidad corresponde a cierto valor de la entrada. La eficiencia de las clulas PV se ve
disminuidaporquenoseutilizalabombaparasumayorpotencia.Sinembargo,mayores
alturas, consumen ms agua para pulverizar las clulas. No obstante, el aumento de la
eficienciadelsistemaysubsistemasiguesiendoelevadoypuedencompensarlaprdidade
aguaparalapulverizacindelasclulas.

La caracterstica importante de este sistema de pulverizacin de agua dulce sobre las


clulasaunatemperaturacercanaalatemperaturaambiente,ascomoelaguapurificada
quepasasobrelasclulas,ofreceunsistemadelimpiezadelacelda.Lapulverizacinde
agua sobre las clulas fotovoltaicas puede ser til en la mayora de las aplicaciones
fotovoltaicas de bombeo de agua que alcanzan altas temperaturas de las clulas,
encontrndose en climas clidos. Estos sistemas pueden proporcionar el agua necesaria
para rociar las clulas a travs de la bomba. Adems, los resultados experimentales
tomadosenclimaclido,muestranelnmerodeclulasnecesariasparaelsuministrode
losclientes,sereducirnporloqueconsecuentemente,loscostesdeinstalacinsevern
disminuidos.

El aumento de la masa trmica de los mdulos fotovoltaicos, vinculados a pequeos


tanques de agua es un mtodo muy utilizado por Ronnelid et al.[9] y Krauter et al.[2]
consiguiendo la refrigeracin a travs de un flujo de agua en la parte delantera de los
paneles fotovoltaicos. Sin embargo se encontr que esta tcnica aumenta el peso del
mdulo en el orden de 200 kg/mdulo. Krauter et al. [2] mont el mdulo PV con un
tanque lleno de agua y debido a la alta capacidad trmica del agua, la temperatura de
operacinsepodamantenerennivelesbajosdurantelamayorpartedelda.Aselagua
absorbeprcticamenteelcalorgeneradoporelmduloyademslaevaporacindeagua
debe disminuir an ms las temperaturas, por lo tanto, aumentar el rendimiento
elctrico.Estediseosemejordediferentesprototiposdeaosanteriores[10,11]yseha
traducidoenunaumentodelrendimientodelaenergaelctrica,12%.Elinconvenientees
elenormepesode200kg/mduloquehacequeelmontajeentechosconvencionalessea

51

CAPITULO2.ESTADODELARTE

difcil.Obsrvesequeunpanelconvencionalpesamenosde25kg,paraunapotenciaentre
240y280Wp.

El enfriamiento mediante la utilizacin de una pelcula de agua fluyendo sobre la cara


frontaldelmdulodeberapermitirtericamenteoperaratemperaturasmsbajasqueel
dispositivo descrito anteriormente. Debido a la rpida circulacin del agua slo puede
haber un aumento mnimo en la temperatura del agua. Adems, la evaporacin de agua
debe disminuir an ms las temperaturas, por lo tanto, aumentar los rendimientos
elctricos.

LasmedicionesfueronregistradasduranteundaenRodeJaneiroel21demarzode1999,
ylossensoresdetemperatura(pt100)seinstalaronenlaparteposteriordelosmdulos
dondelatemperaturaesalrededorde1,5Cpordebajoqueenlapartefrontaldelmdulo.
.

Elaguasebombeadesdeundepsitodeaguasituadodebajodelmduloycuyacapacidad
esde53litros,araznde2l/minyatravsdedoceboquillassituadasenlapartesuperior
que generan un flujo de agua que roca la superficie de los paneles, en un espesor de 1
mm.Elconsumodeaguaregistradofuede4,4l/minm2.


Figura2.6CreacindelacapadeaguasobreelmduloPVatravsdelasboquillas[2].

Lastemperaturasdefuncionamientodelasclulassellegaronareducirhasta22C,debido
alflujodeaguaylarefrigeracinporevaporacinadicional,unareduccinsignificativaen
comparacinconlasdeunaconvencionalquesemedanalmismotiempocomosepuede
apreciarenlasgrficassiguientes.


52

2.2MTODOSDEREDUCCINDELATEMPERATURADELOSPANELESFOTOVOLTAICOS

Figura2.7Evolucindelastemperaturas delmdulo Figura2.8 EficienciadelmduloPVconysin


PVendistintoscasos[2]. refrigeracinconagua[2].

Lasmedicionesdelacorrientedecortocircuitodelmdulo,queescasiindependientedela
temperatura, indicaron que el flujo de agua mejora rendimiento ptico en un 1,5%, una
mejorainferioral3%degananciaquetericamenteseesperaba.Unaexplicacindeesa
discrepanciapuedeserdadaporelespesornohomogneodelosflujosdeaguay/olaluz
absorbida por las propiedades del agua. Hay que sealar, que en este caso el uso de la
bomba no justifica el uso de la pelcula de agua en trminos de ganancias de energa
dentrodeunbalanceenergtico.

Otromtododerefrigeracindelosmdulosempleandoagua,eshacindolapasarporsu
parteposterior,comoestudiEarleWilsonetal.[12],queademslollevacabosineluso
deunabomba,sinoaprovechandounsaltohidrulico.Esdecir,elaguasedesvadeuna
fuenteaguasarriba,comounro,odecualquierposicinelevada,incluyendocaptacinde
agua de lluvia, se canaliza a travs de la parte de atrs de un mdulo PV, el mdulo se
enfrayelaguasedevuelvealro.Lapotencianecesariaparaconducirelaguaatravsdel
sistema viene de la carga hidrulica de la corriente de flujo por gravedad, debido a la
diferenciadealtitud,demodoquenoserequieredeunabomba.

Losobjetivosdeestainvestigacinsondobles.Enprimerlugar,seproponeparaanalizarel
rendimientooperativodelosmdulos"mojados"eneltrminodelimpactodelsistemade
refrigeracin en la tensin de circuito abierto (Voc) y, por correlacin, la eficiencia de
conversin. El segundo objetivo es determinar el rango de caudales para el agua de
enfriamientoquesatisfacelashiptesismatemticas.

53

CAPITULO2.ESTADODELARTE


Figura2.9Diagramadelsistemaderefrigeracin[12].

As mismo en su estudio se logra obtener un modelo matemtico que se ajusta a los


resultadosexperimentales,obteniendounareduccindelatemperaturadesdelos60Ca
28C,loquesuponeunaumentodel12,8%delaeficienciasinreduccindelatensinen
circuitoabierto,Voc.Ademslareduccinde32Cenlatemperaturadefuncionamientode
la clula se compara con los 22 C obtenidos por Krauter et al. [2], que haca circular el
aguaporlapartefrontaldelmdulo.Enlagrficasemuestranlosresultadosdelmodelo
matemticoconunairradianciasolarde1000W/m2incidenteenlacarafrontalylaparte
deatrsmantieneelaguaderefrigeracinlatemperaturade28C.


Figura 2.10 Perfil de temperaturas entre ambas superficies para una clula, para distintos tiempos tras la
refrigeracinconaguaa28C[12].

Lasiguientegrficamuestralosresultadosexperimentalesdeunmdulodeocho clulas
PVconVocde4,5Vqueestnexpuestasaunairradianciasolarconstante(promedio)de
989W/m2(rango:924a1053W/m2)incidentesobrelacarafrontal.Latensinencircuito
abierto y por tanto la eficiencia de un mdulo fotovoltaico es una funcin lineal de la


54

2.2MTODOSDEREDUCCINDELATEMPERATURADELOSPANELESFOTOVOLTAICOS

temperaturadelaclulaconunairradianciaconstante.Lafiguramuestraun11%decada
detensinparaunaumentodetemperatura28C.


Figura2.11Influenciadelatemperaturasobrelatensindecircuitoabierto[12].

PosteriormentesemuestranlosresultadosdelasmismasochoclulasdelmduloPVcon
Voc nominal de 4,5 V y que estn expuestas a la misma radiacin solar incidente de 989
W/m2enlacarafrontal,yenlaposteriorsemantienelatemperaturade28Cconelagua
derefrigeracin,queseiniciacuandolatemperaturadelmdulollega34Cytensinde
4,36V.

La temperatura del mdulo alcanz los 62 C antes de comenzar a refrigerar, a los 25,5
minutos,apartirdeesemomento,seobservaenlaFigura2.12elrpidoenfriamientodel
mdulo despus de la aplicacin de agua de refrigeracin. En un perodo muy corto de
tiempoelmduloalcanzaelestadoestacionario,descendiendolatemperaturadesde62C
a 30 C (difiriendo dos grados de la temperatura del agua de refrigeracin). Tambin
podemosapreciarlarelacininversaentrelatensinylatemperatura.Latensincaede
4,4Va3,9Vcuandolatemperaturapasade34Ca62C.Sinembargo,dentrodeuncorto
perododetiempo,alcomenzararefrigerarconagua(25,5minutos),elmdulodetensin
vaalatensinnominalde4,5Vypermaneceall.Esteresultadoapoyalosresultadosdel
modelomatemticoqueunmdulofotovoltaicopuedemantenersutensinnominalauna
determinadaradiacinsolarylocualinfluirensueficiencia.

55

CAPITULO2.ESTADODELARTE


Figura2.12MedidadelatensinyperfildetemperaturadeunmduloPVrefrigeradoconagua[12].

Cabesealarqueestatcnicaderefrigeracindelsistemaestlimitadaalasregionesque
tengan suministro de agua natural, a pesar de comprobarse que los resultados
experimentales se acercan al modelo matemtico para caudales de 1,0 l/min y ambos
demuestran que el sistema mantiene la temperatura de funcionamiento del mdulo por
encima de 5 grados de la del diseo, 25 C. Este mtodo de refrigeracin supone una
reduccin de 32 C en la temperatura de funcionamiento, ya que un da determinado, la
temperatura del mdulo alcanza los 62 C si no hay refrigeracin. Por lo tanto, dado un
coeficientedeeficienciade0,4%/K,unareduccindetemperaturade32Csetraduceen
unaumentode12,8%paralaeficienciadeconversindelmdulo.

Tambinpodemosencontrarotrosestudiosyanlisisdelcomportamientotrmicodelos
colectoressolares[13,14],ascomovariadastcnicasdeenfriamientoytransferenciade
calorconagua.Chowetal.[15]analizaelcolectordeaguaPV/Tconacristalamientosimple
en condiciones transitorias, usando conductos en la parte posterior del colector,
consiguiendo as un aumento de la eficiencia termoelctrica del 2%. En el trabajo de
Huang et al. [16], se ha estudiado experimentalmente un sistema solar fotovoltaico y
trmico (IPVTS) para calentamiento de agua bajo un modo de operacin natural,
observando que conseguan una eficiencia la cual era mayor que la de un sistema solar
convencionalcalentadordeaguaounsistemafotovoltaicopuro.

Deentretodaslastcnicasparaenfriarlasclulas,segnBrogrenetal.[17],lacirculacin
de agua mediante conductos por la cara posterior de la clula es la ms eficaz. Sin
embargo,comohemosvistoKrauteretal.[2]yM.Addolzadehetal.[3],distribuyenagua
en la parte frontal del panel PV consiguiendo muy buenos resultados, pero este mtodo
correelriesgodequesecreendepsitosdecalsobrelacaradelasclulasy,portanto,
reducirsueficacia.Ademslatcnicadecirculacindeaguamedianteconductostienede
importantesealarquenecesitaelfuncionamientodebombas,enlamayoradeloscasos


56

2.2MTODOSDEREDUCCINDELATEMPERATURADELOSPANELESFOTOVOLTAICOS

y corre el riesgo de aparecer legionela al ser un circuito cerrado de agua sin renovar y a
altastemperaturas.

2.2.2 AIRECOMOFLUIDOCALOPORTADOR:
Debidoalgastoeconmicoextraquesuponelarefrigeracindelosmdulosfotovoltaicos
con agua junto a los inconvenientes que conlleva, a continuacin nos centraremos en
mtodosmsaconsejablescomoeslarefrigeracinmedianteaire,hacindolopasarporsu
caraposteriormedianteconveccinnaturaloforzada.

Graciasalvientoqueseproduceenelambiente,losmdulosquenoestncolocadossobre
ningntejado,cubiertaofachada,noalcanzantemperaturastanextremascomolosques
lo estn, obteniendo ms o menos la eficiencia esperada en condiciones normales de
funcionamiento. Por otro lado, los mdulos fotovoltaicos instalados sobre estructuras
slidas como tejados, cubiertas de naves industriales, etc. sufren un aumento en su
temperatura de funcionamiento, con la consecuencia de que no responden con la
eficiencia esperada, sino que la produccin elctrica es menor, siendo bastante
significativoaaltastemperaturasambientales.

2.2.2.1 Conveccinnatural
La refrigeracin por conveccin natural consiste en la transferencia de calor desde el
panelfotovoltaicoalairequecirculaporsucaraposterior,creandouncanaldepasode
aire entre el panel fotovoltaico y una superficie inferior (cubierta), para ello habr que
dejar un espacio entre ambas superficies. El aire que se encuentra a la temperatura
ambiente,alcircularporelcanalseletransfierecalordelpanelfotovoltaico(elcualsuele
estar a mayor temperatura) incrementndose la temperatura del aire, al calentarse
aumentasuvolumenporloquedisminuyesupropiadensidadyasciende,generandoun
flujo de aire por la parte posterior del mdulo fotovoltaico que ejerce como fluido
caloportador,pudiendoaprovechardichoefectoparalareduccindelatemperaturadel
panelfotovoltaico.

NosiempresevaaconseguirlamismarefrigeracindelpanelPVmedianteconveccin
natural ya que son muchos los factores influyentes en este proceso de transmisin de
calor tales como las condiciones ambientales, inclinacin del panel, caractersticas y
propiedades de la cubierta o superficie inferior del canal de paso de aire, as como la
separacin entre ambas superficies. Su influencia en la capacidad de refrigeracin para
determinarlatemperaturadelmduloseabordaenelapartado2.5deestecaptulo.

Mediante su estudio, Guohui Gan et al. [18], determin el espacio necesario que debe
haberentreelpanelPVyelslidosobreelqueseencuentreyasconseguireldescenso
de la temperatura. Para este trabajo se utilizaron placas fotovoltaicas de dimensiones
1209x537x50mm.

57

CAPITULO2.ESTADODELARTE

Figura2.13Conveccinnaturalenpanelesfotovoltaicos[18].

Para conveccin natural se encontr que la velocidad del aire que pasa por el espacio
libreenlacaraposteriordelpanel,incrementaconelgrosordelhuecoalencontraruna
menorresistenciaasupaso.Ademshayquetenerencuentaqueelespacio(h)mnimo
quetienequehaberentreelmduloyeltejadotomaradistintosvaloressegnseanlas
condicionesdelngulodeinclinacinoelnmerodemdulos.

EstoscasoslosvemosreflejadosenlasFigura2.14,2.15y2.16.Enlaprimeradeellasse
representalavelocidadmediadelaireatravsdelcanalenfuncindesuespesor,elcual
sehavariadoentre0.06ma0.2m.Enellaapreciamosquelavelocidaddelflujodeaire
aumentaconformeesmayorelespesordelcanaldepasodeste,siguiendounamisma
tendencia para todos los ngulos de inclinacin ensayados (roof picth). Las mayores
velocidadesdeairealcanzadashansidoparaunngulode60paratodoslosespesores,
seguidas de las correspondientes a ngulos de 45 y 75. Como se podra esperar, las
menores velocidades del flujo de aire son para pequeas inclinaciones como
consecuenciadehaberunmenorefectochimenea.


58

2.2MTODOSDEREDUCCINDELATEMPERATURADELOSPANELESFOTOVOLTAICOS


Figura2.14Relacinentrelavelocidaddelaireyelespesordelcanaldeaireparadiferentesngulosde
inclinacin[18].


Figura2.15Variacindelatemperaturaparaunespesorde0,1menfuncindelnmerodepanelesyel
ngulodeinclinacin[18].

EnlosgrficosdelasFigura2.15y2.16serepresentalatemperaturamximaquealcanza
elpanelfotovoltaicoenfuncindelnmerodepanelesfotovoltaicosinstaladosdeforma
continua,siendolaprimeradeellaslacorrespondienteaunespesordelcanaldeairede
0,1 m y la segunda de 0,2 m. Podemos apreciar en ellas como un aumento mnimo del
espesor del canal de paso de aire, como son 10 cm, puede hacer disminuir la
temperatura5C(inclinacinde15).Porotrolado,elaumentodelespesordecanalde
paso de aire no impide que la temperatura aumente, o en los mejores casos, se
mantenga,sinuestrainstalacintienemsdeunmduloinstaladodeformacontinua,lo
queaumentalalongituddelcanaldeaire.

59

CAPITULO2.ESTADODELARTE


Figura2.16Variacindelatemperaturaparaunespesorde0.2menfuncindelnmerodepanelesyelngulo
deinclinacin[18].

Lasconclusionesdeesteestudionosmuestranqueelespaciomnimoentreelpanelyla
cubierta, por el que circula el aire, debe ser el mostrado en la Tabla 2.2 en funcin del
nmerodepanelesinstaladosylainclinacindeestos.


Tabla2.2Espesordelcanaldeairenecesarioparareducirlatemperaturadelpanel[18].

Podemos observar que conforme se aumenta el nmero de mdulos instalados, el


espacionecesarioparasurefrigeracinesalgomenoryqueparangulosdeinclinacin
entre60y90elespesoreselmismoindependientedelnmerodemdulosdadoque
nosehanencontradocambiossignificativosentemperaturayvelocidaddelaire.

2.2.2.2 Conveccinforzada
La refrigeracin por conveccin forzada consiste en obligar al aire recorrer un espacio
definindoleunsentido yunadireccinmediantemediosexternos,comopuedeserun
ventiladorounabomba.

Tiwari et al. [19] llevaron a cabo la evaluacin del rendimiento de los mdulos
fotovoltaicos, integrndoles un conducto de aire por su cara posterior, con lo que se


60

2.2MTODOSDEREDUCCINDELATEMPERATURADELOSPANELESFOTOVOLTAICOS

obtena una mayor eficiencia enlageneracinde energaelctrica. Su estudio consista


en el uso de aire hacindole que fluyera por debajo del panel a travs de un conducto
tanto por conveccin natural como forzada mediante el funcionamiento de uno o dos
ventiladores.Comocabadeesperar,latemperaturadelasuperficietraseradelmdulo
esmenorrespectoalassuperficiesuperiorentodosloscasos,aligualqueseapreciaba
unacadadelatemperaturadelasuperficieposterioralmdulocuandosehacafluiraire
con un ventilador, siendo esta cada mayor, en comparacin con la conveccin natural,
debidoalaevacuacindecalordelasuperficieposteriordelmdulo.


Figura2.17MdulosPVrefrigeradosporaireensuparteposterior[19].

Adems se apreciaba una temperatura inferior en el aire de salida usando dos


ventiladores,loquedaunamayorvelocidaddeflujoaloesperado.

Losresultadosobtenidosconlasvaloresdelastemperaturasdelospanelesfotovoltaicos
a los largo de un da, se presentan en las siguientes tablas tanto en condiciones de
conveccinnaturalcomoforzadamedianteelusodeunoodosventiladores.

Tabla2.3Resultadosexperimentalesparaconveccinnatural[19].

61

CAPITULO2.ESTADODELARTE


Tabla2.4Resultadosexperimentalesparaconveccinforzada,utilizandounventilador[19].

Tabla2.5Resultadosexperimentalesparaconveccinforzada,utilizandodosventiladores[19].

ConlosresultadosmostradosenlasTablas2.32.5,seobservaquelatemperaturadela
superficie trasera del mdulo est entre 18 C por debajo de la superficie superior en
todosloscasos.Esdesealarlaapreciadacadade5Cenlatemperaturadelasuperficie
trasera del mdulo PV, cuando est refrigerado con un ventilador en comparacin a la
temperaturaquealcanzaenconveccinnatural,debidoalatransferenciadecalordela
superficieposteriordelmdulo,aligualqueseapreciaunamenortemperaturadelairea
lasalida,hastade3Cutilizandodosventiladores,loquedamayorvelocidaddeflujoalo
esperado.

Losresultadosdelcomportamientodelaeficienciaconlavelocidaddelflujo,semuestra
en la Figura 2.18, en la que se muestra el aumento inicial de la eficiencia desde 1 m/s
hastauncaudalde2m/s,apartirdelcualdisminuaconformeaumentalavelocidaddel
flujo, por ello este caudal es el considerado como ptimo para dar los parmetros de
diseoenesteestudio.


62

2.2MTODOSDEREDUCCINDELATEMPERATURADELOSPANELESFOTOVOLTAICOS


Figura2.18Efectodelcaudalsobrelaeficienciaglobal[19].

En cuanto a la longitud del conducto, se obtuvo que a partir de 3 metros, la eficiencia


apenassufrevariacinalguna,sinembargo,comocabaesperar,laeficienciaaumentaba
considerablementeconelespaciodeseparacindeaireenelconducto,comosemuestra
enlassiguientesgrficas,Figura2.19y2.20.

Figura2.19Efectodelalongituddelconducto Figura2.20Efectodeprofundidadenlasobrela
eficiencia[19]. eficiencia[19]

Swapniletal.[20]investigaronelcomportamientodelaeficienciaelctricadecolectores
hbridos, PV/T refrigerados con aire, estableciendo una expresin analtica de la
eficiencia. Probaron con dos configuraciones diferentes de los mdulos, cristalcristal y
cristalTedlar,Figura2.21,considerandocadatipoconysinconductodeaire.Elconducto
paralacirculacindeaireseinsertadebajodelosmdulosfotovoltaicos,fluyendoelaire
demodoforzadoconlaayudadeunventilador.

63

CAPITULO2.ESTADODELARTE

Figura2.21Esquemadelasdiferentesconfiguracionesensayadas,cristalcristalycristaltedlar[20].

Los resultados experimentales y tericos coincidieron en que la eficiencia aumentaba


cercadel0,66%enlospanelesrefrigeradosconaire,ascomoquelaconfiguracincristal
cristaleslamsapropiadadadoquepresentabamejorrendimientofrentealadecristal
tedlar.Estosedebeaquelaradiacinquellegaalazonaenvasadadecristalcristal,es
tambin transmitida a travs de latapa decristal (vidrio),mientras que enel otro caso
todalaradiacinesabsorbidaporlatapadetedlaryelcalorsetransmitealaconduccin,
la temperatura del mdulo es mayor en este caso y en consecuencia la eficiencia es
menor.


Figura2.22Variacindelaeficienciaelctrica cony Figura2.23 Variacindelaeficienciaytemperatura
sinconductopararefrigerar[20]. conconductopararefrigerar[20].


Nynne Friling et al.[21] llevaron a cabo un modelo matemtico de la transferencia de
calor de mdulos fotovoltaicos integrados en edificios y refrigerados por medio de
ventilacin.Enesteestudiosehalllainfluenciadelasaletasincorporadasenelcanalde
pasodeaire,bajoelpanelfotovoltaicoydelcambiodelavelocidaddelventilador.Enla
Figura2.24semuestralaconfiguracindelaestructuraqueconstadeunorificioabierto
por dos extremos por donde entra el aire por conveccin forzada. Los ensayos se han

64

2.2MTODOSDEREDUCCINDELATEMPERATURADELOSPANELESFOTOVOLTAICOS

realizadoparalosvaloresdevelocidaddeaireforzadode2,49m/s(level10)y3,43m/s
(level13),mantenindolasfijasdurantelas24horasparallevaracabolosensayosalo
largodelda.


Figura2.24ModelodelaestructuraestudiadaporNynneFrilingetal.[21].

EnlaFigura2.25serepresentalaevolucindelosvaloresexperimentalesregistradosde
latemperaturadelpanelfotovoltaicorefrigerado,paraambasvelocidadesanteriormente
mencionada.Enamboscasospodemoscompararlastemperaturasdelpanelrefrigerado
porsucaraposteriorutilizandoonoaletasenelcanaldepasodeaire.

Figura2.25Evolucindelatemperaturadelpanelalolargodeldaadosvelocidades[21].

Podemos observar que el hecho de poner aletas en el canal de aire no influye en la


temperatura del panel fotovoltaico, una vez que se crea un flujo de aire por su cara
posterior mediante conveccin forzada, las temperaturas alcanzadas para ambas
configuracionessonmuysimilares.Adems,paraunamayorvelocidaddeaireforzado,la

65

CAPITULO2.ESTADODELARTE

temperaturadelpanelrefrigeradoatravsdeunacanalsinaletasesinferioracuandose
usanaletas.


Figura2.26Coeficientedeconveccinfrentevelocidaddeviento[21].

Enestetrabajoseconcluyquelavelocidaddelaireambienteinfluyeenlatransferencia
decalor.EnlaFigura2.26semuestraclaramentequeelaumentodelavelocidaddeaire
forzado en el canal de aire afecta positivamente y en gran magnitud al aumento del
coeficientedeconveccin.Sinembargosehaobservadoquelapresenciadealetasenel
canaldepasodesfavoreceelobjetivodealcanzarmenorestemperaturasdepanel,dado
quetrabajancomoaislantesparalavelocidadde2,49m/s(level10)yapenasinfluyena
una velocidad de 3,43 m/s (level 13). En conclusin, la transferencia de calor se
incrementacuandolavelocidaddeventilacinforzadaaumenta,sinnecesidaddelusode
atletas.

Estatcnicaderefrigeracindelospanelesfotovoltaicosconairetambinfuellevadaa
caboporSweelemetal.[22],quienpropusoimpulsaraireenlapartetraseradelmdulo
atravsdeunconductodeairevariableenespesoryademsestudiarelefectodeahorro
deenergautilizandoelairecalientealasalidaparacalefaccindeviviendas,sistemasde
agua,aireacondicionado,etc.

Estapropuestapermitequeelcaudaldeairederefrigeracinestecontrolado,ajustando
la anchura del conducto de aire mediante una placa metlica paralela y mvil al panel
dispuestaensuparteposterior.Porconsiguiente,estaplacasepodafijarenunadelas
tresposicionesquesehabanhechomedianteparesderanuraslateralesenlosniveles
de51mm,89mmy127mm.Lacorrientedeaireseconducapormediodeunventilador


66

2.2MTODOSDEREDUCCINDELATEMPERATURADELOSPANELESFOTOVOLTAICOS

elctricoDC(24V)atravsdelconductoderefrigeracin,entrelaplacametlicafijaday
elmduloPV.


Figura2.27ModelodelconductodeairepararefrigerarelmduloPV[22].

Delosresultadosexperimentalesobtenidosenestetrabajo,seapreciaqueelefectode
lasaltastemperaturasdefuncionamientodelmdulo,esunareduccindelatensinde
circuitoabierto,tensinfinaldelacurvaIV,yunmuyligeroaumentodelacorrientea
bajosynulosvoltajes.Adems,sehacenotarunaumentodelapotenciaconelaumento
de la tensin del mdulo PV despus de refrigerarlo. Sweelem et al.[22] concluyen que
estatcnicatieneunefectopococlaroparalospequeossistemasfotovoltaicosystiene
una gran respuesta para un gran sistema PV. Este modo de refrigeracin se hace ms
efectivo si la velocidad del ventilador est controlada as como su funcionamiento y
alimentacin. Alternativamente, seala que la refrigeracin por aire forzado, es muy
eficaz en sistemas de energa solar convencional e incluso para uso domstico,
consiguiendonosloaumentarlapotenciadesalidaylaeficienciadelmdulo,sinoque
ademspermiteutilizarlasalidadeairecalienteparaelaireacondicionadodelacasao
alimentarotrascargastrmicas.

TambinpodemosencontrarcomoKernetal.[23]presentaroneldiseoyelrendimiento
desistemasPV/Tenfriadosporaguayaire,mientrasqueHendiretal.[24]yFlorschuetz
et al.[25] incluyen los sistemas PV/T de modelos en sus obras. Kalogirou et al.[26] ha
llevado a cabo los sistemas hbridos, mediante conveccin forzada consiguiendo
aumentos de la eficiencia del 2,8% hasta 7,7%, con un rendimiento trmico del 49%.
Anlogamente Lee et al.[27] y Chow et al.[28] dan interesantes resultados de la
modelizacindelosmdulosfotovoltaicosrefrigeradosporaire.

67

CAPITULO2.ESTADODELARTE

2.2.3 OTRASTCNICAS:
Conelfindeenfriaralosmdulosfotovoltaicos,evitandoquealcancenaltastemperaturas,
loquesignificaunadisminucindelaeficiencia,sehanestudiadodiferentestcnicasalas
mencionadasanteriormente.

Brogen et al. [17] utilizaron una cadena de mdulos con celdas laminadas con aletas de
cobreyconuntubodeaguasoldadoenlaparteposterior,comomtododeevacuacinde
calor.Elempleodeundifusordecalor,dealuminioy3mmdeespesor,adjuntoalmdulo
fuepropuestoporArakietal.[29].

PorotraparteencontramosqueFarahatetal.[30]utilizaelmtododerefrigeracinpor
evaporacinbasadoenlateoradelostubosdecalor,demodoquediseelmduloPV
con un control de gas de tuberas de calor, con diferentes variaciones en la forma del
evaporador.

Para otra aplicacin totalmente diferente, Infield et al. [31] obtiene un coeficiente de
prdidadecaloryunfactordegananciadeenergatrmicaparalaventilacinverticaldel
mduloPVcondobleacristalamientoenlosmdulosPVdefachadas.Conestaventilacin
se asegura que la eficiencia elctrica del mdulo es mejor debido a la baja temperatura,
pordebajode45C.

OtrosestudiossecentranenlamejoradelaeficienciadelosmdulosPVhaciendousodel
efectoStablerWronski(1977),basndoseenquelasclulasdesilicioamorfohidrogenadas
poseen una mayor eficiencia que el resto aunque tambin se ven algo afectadas
negativamenteporlasaltastemperaturas.EnunltimoestudiodelaUniversidaddeSiria
[32], se demostr que las clulas de silicio polimorfo hidrogenado tienen una mejor
eficiencia y un mejor factor de llenado para un mayor rango de temperaturas en
comparacin a las clulas de silicio amorfo hidrogenado. Estos avances nos plantean
nuevasalternativasquesolventenelproblemaquesuponenlaselevadastemperaturasen
lospanelesfotovoltaicos.


68

2.3INTEGRACINDELOSPANELESSOBRECUBIERTAS

2.3 INTEGRACINDELOSPANELESSOBRECUBIERTAS

Desde que se construy la primera instalacin con integracin fotovoltaica en 1991, la


integracin fotovoltaica en edificios (BIPV) se ha convertido en uno de los segmentos de
mercadoconmayorcrecimientoenlaindustriafotovoltaica[33].

En la ltima dcada, el desarrollo de elementos para cubiertas fotovoltaicas ha sido


excepcional.Estosesfuerzosnoselimitanalameramejoradelosmtodosdeintegracin
delosmdulosfotovoltaicosestndar,sinoquesedirigetambinhacialaproduccindelos
elementosfotovoltaicosapropiadosquepodransustituirlastejas.Sehademostradoquelas
estrategiasactualesparalaverdaderaintegracindeelementosfotovoltaicoscomotejaso
cubiertas utilizando la estructura del edificio con pendiente son limitados. Sin embargo,
existen importantes actividades en curso en lo que se refiere a la investigacin y el
desarrollodediferentessistemasdeintegracindecubiertasfotovoltaicas.

Silademandadeenergaelctricademuchospasessecomplementarconlautilizacinde
la energa fotovoltaica, sera necesario integrar sistemas fotovoltaicos en la cubierta del
edificio.EstoesesencialenpasescomoGranBretaayAlemania,dondehayunaenorme
presin sobre el uso del suelo y las superficies de edificios que cuentan con reas
relativamentelibres.

La integracin de la energa fotovoltaica tanto en los techos domstico como comerciales,


ofreceelmayormercadopotencialparalaenergafotovoltaica.Enlosltimoscincoaosla
produccin de clulas solares ha aumentado rpidamente en todo el mundo seguido de
diferentesprogramasnacionalesylaaplicacindelaconstruccindesistemasfotovoltaicos
integrados. El desarrollo de las tecnologas en techos fotovoltaicos ha recibido mucha
atencinylaintroduccindeunsubsidioparaelcostodelsistemayproduccindeenerga,
especialmente en Japn y Alemania se ha favorecido la demanda de azoteas con sistemas
fotovoltaicos.

Sin embargo, en muchos de estos programas los mdulos fotovoltaicos estndar se utiliza
comoelementodecubiertaencontradelanocintradicionaldelautilizacindetejaspara
tejados. Los techos tradicionales no son estructuras estticas y uniformes por ello no son
idneos para estos mdulos que requieren unas estructuras precisas para su montaje e
instalacin.Hastalafecha,sonvarioslosintentosenlafabricacindetejasfotovoltaicas.La
tejafotovoltaicaidealseraunaquepodraadaptarsealosactualestejados,incluyendosu
facilidad en la instalacin e integracin y proporcionara el efecto esttico del escalonado
igualqueoofrecenlastejasnormales.

A continuacin se presenta una revisin de algunas de las tecnologas existentes para


cubiertasfotovoltaicasconespecialnfasisenlosqueseencuentranenelReinoUnido[34].

69

CAPITULO2.ESTADODELARTE

2.3.1 TECNOLOGASFOTOVOLTAICASSOBRECUBIERTAS
En cuanto a la exigencia de un usuario final, el sistema fotovoltaico ideal para cubiertas
seraquelquetengaelmismodesgasteypropiedadesestticasquelastejastradicionales,
demodoquedebercumplirlassiguientescaractersticas:

Serfcilmenteincorporadosencualquierdiseodelavivienda,formandolacubierta
requeridaysiendotanduraderoscomotejastradicionales.
La instalacin del sistema fotovoltaico en cubierta deber cumplir con la actual
reglamentacin y normas de construccin y debe llevar el mismo tiempo para su
instalacinqueunacubiertanormal.
El conexionado elctrico debe cumplir con el reglamento correspondiente, sin
complicacionesaadidasencuantoaltipodeconectores,cablesyseguridad.
El sistema fotovoltaico debe ser proporcionado de tal forma que ofrezca un fcil
mantenimiento,seguimientoylasreparacionesnecesarias.

En ausencia de un sistema tan idealizado, hoy en da, las instalaciones fotovoltaicas para
tejadosqueseencuentrandisponiblesenelmercado,estncomprometidasenunaoms
de las caractersticas anteriores. Los nuevos sistemas desarrollados abarcan mdulos PV
adaptados y tejas fotovoltaicas que en muchos casos requieren la reconfiguracin o
reingeniera de la estructura del tejado. Basndonos en el estudio llevado a cabo por
AbuBakretal.[34]algunasdelassolucionesdexitosonlassiguientes.

2.3.1.1 Cubiertasfotovoltaicasinstaladasentejadosinclinados
Para cubiertas inclinadas, existen distintos sistemas de anclaje desarrollados que
permitenonodarelefectoestratificadodelospanelesenlacubierta,paramantenerlos
mdulosfijadosalaestructuradeltecho.

Elsistemadeanclajepuedeestarformadoporperfilesdealuminiofijadosdirectamentea
laestructuradeltejado,recogiendoenellalosmdulosquereemplazarnlastejasola
utilizacin de un sistema de anclaje fijo por debajo de tejas existentes. La mayora de
estos sistemas utilizan tornillos para fijar la estructura la cual se puede ajustar a
diferentespendientes,entre2050conlahorizontal,yalgunastambintienenajustesde
altura,aumentandolaseparacindelospanelesconlacubiertainferior.

Un sistema de readaptacin comercializado por BP Solar representa la mayora de los


sistemasinstaladosenelReinoUnido[35],estediseosemuestraenlasiguientefigura.


70

2.3INTEGRACINDELOSPANELESSOBRECUBIERTAS

Figura2.28Descripcindelossistemasfotovoltaicossobreuntejado[35].

Enestainstalacin,elsistemadeanclajesefijaalasvigasdeltecho,sinpenetrarenel
tejado. Los perfiles dealuminio se fijan a dicho sistema y los mdulos estn sostenidos
por las sujeciones que los fijan a la estructura. El uso de este diseo resulta ser una
instalacinconunrpidomontajesinelusodeunagra.

Mltiples proyectos de integracin fotovoltaica sobre diferentes tipos de cubiertas han


sido desarrollados y aplicados en varias ciudades de China (Shandong, Shanxi y
Heilongjiang). Para tejados inclinados de viviendas, Guoguang et al. [36] presentan una
tecnologa como alternativa que reemplaza la construccin de tejados tradicionales y
habindosedemostradoserunatecnologasencilla,nomuycostosayefectiva.

Eneldiseodeestesistemasedebereformarlaestructuraquepresentaelmarcodelos
panelesfotovoltaicosconelfindeevitarcualquierfugadeaguaentreellosaligualquese
debenaadirdiversoselementosdefijacinycanalesparaevacuarelaguadelluvia.Enla
siguiente figura se puede apreciar el proceso de ingeniera que se llev a cabo para
formar el sistema completo de integracin fotovoltaica en la cara sur del tejado de un
edificio. En ella se incluye la instalacin de la estructura base en la cubierta (Figura
2.29a), instalacin de travesaos (Figura 2.29b), fijacin de canales de evacuacin del
agua(Figura2.29c)ylacolocacindelospanelesfotovoltaicos(Figura2.29d).

71

CAPITULO2.ESTADODELARTE


Figura2.29ProcesodeingenieradelaintegracinfotovoltaicaenlacarasurdeunedificiodeChina[36].

Esta nueva tecnologa instalada en China es un sistema de integracin sencillo, con un


coste no muy elevado y presentando una buena esttica arquitectnica. Este proyecto
fue promovido por un plan subvencionado por Ministerios de Finanzas, de Ciencia y
TecnologajuntoalaOficinaNacionaldeEnergadeChina,paraacelerareldesarrollode
las empresas de generacin de electricidad fotovoltaica y la comercializacin de esta
tecnologa.Elaspectofinalquepresentalaintegracindeestatecnologasobreeltejado
semuestraenlafigura2.30.


Figura2.30Vistaglobaldelaintegracinfotovoltaicasobrelacaraestedelacubiertadeunedificioen
China[36].


72

2.3INTEGRACINDELOSPANELESSOBRECUBIERTAS

2.3.1.2 Cubiertasfotovoltaicasinstaladasentejadosplanos
Hay muchos ejemplos de la energa fotovoltaica y sistemas de montaje para tejados
planos. Pero podemos destacar los sistemas que integran los paneles fotovoltaicos en
todalacubierta,totalmenteadheridosaunamembranadecubiertaylosquerequieren
unaestructurasoporteparasumontaje.

Para una total integracin de cubiertas planas, sin estructuras soporte, los paneles
fotovoltaicos de capa fina laminada son los ms utilizados por ser flexibles, ligeros yde
pequeo espesor (3/16 pulgadas) adems de adherirse perfectamente a cualquier
materialmetlicoomallasobrelacubierta,unejemplosonlosIBSolarWise.Estesistema
deintegracintambinesutilizadoenlascubiertasinclinadas.Estaopcindeintegracin
fotovoltaica sobre tejados elimina dos puntos dbiles; al estar totalmente adheridos a
unamallaomembranadePVCenlacubiertaevitalasposiblesgoterasyademsposibles
problemas por levantamiento del viento. Adems, hay que resaltar que los materiales
utilizados para dicha integracin son de mejores calidades que los de los tejados
convencionales,ofreciendounbuenmantenimientoyunalargavida(4050aos).Los
costes globales de estos sistemas sobre cubiertas no son muy elevados, son
considerablementemenoresquesiseinstalarauntejadoyunaplantasolarporseparado.
A pesar de ello, si presenta alguna limitacin dado que este sistema de integracin no
permite variar la inclinacin del panel, de modo que es ms adecuado para cubiertas
planasubicadasenzonascercanasalcinturnsolarparaprovecharmejorlashorasdesol
y evitar la presencia denieve en invierno queconllevara la reduccinde la produccin
elctricaascomoposiblesdaos.


Figura2.31Integracindepaneleslaminadosdepelculafinasobreunacubiertaplana.

73

CAPITULO2.ESTADODELARTE

Otra opcin tambin muy utilizada consiste en fijar los mdulos fotovoltaicos a una
estructuraqueasuvez,statienequeestarancladaalacubiertaplanadeltejado.Este
sistemadeincorporacinfotovoltaicasobretejadosplanosesmspropensaalasgoteras,
yaqueexistenespaciosentrelacubiertaylaestructuradeanclajedelpanelenlosqueel
aguaobienvafluyendopocoapocoporeldesageosequedasobrelacubiertahastasu
evaporacin. Existen diferentes sistemas de fijacin de paneles fotovoltaicos sobre
cubiertasplanasabasedeestructurasmetlicas,bloquesdehormigneinclusosistemas
que permiten ajustar su ngulo para maximizar la produccin segn la temporada. Un
aspecto importante hay que tener en cuenta, el peso, que puede presentar ciertos
problemassinonosaseguramosdequeeltechoescapazdesoportarestepesoadicional.


Figura2.32SistemadefijacindepanelesPVsobrecubiertaplana.

Unejemploinnovadordeunsistemadesarrolladoparatejadosplanosdemontajesebasa
en un bloque macizo de hormign para lograr la resistencia a la carga de viento. Estos
sistemasestnlimitadoseneluso,peropuedeproporcionarunasolucinenlautilizacin
deenergafotovoltaicaentejadosplanosdelasunidadesindustriales,fbricas,hospitales
ytalvezlasescuelassiendoecolgico,generandoenergalimpiayrenovable.Laventaja
de este sistema se debe a los bajos costos de la estructura de montaje y facilidad de
instalacin.

2.3.1.3 Tejasfotovoltaicasparatejados
Las primeras tejas fotovoltaicas Europea para la cubierta se desarroll en Suiza,
denominada como Newtec [34]. Cada una contiene 24 clulas monocristalinas con una
potencia nominal de 36 Wp. Las tejas se instalan directamente sobre los travesaos de
madera del tejado inclinado convencional. Cada teja fotovoltaica Newtec reemplaza


74

2.3INTEGRACINDELOSPANELESSOBRECUBIERTAS

cuatrotejasconvencionalesplanascomosemuestraenlaFigura2.33yestnventiladas
porlacorrientedeairenaturalquecirculapordetrsdelacubiertadetejas.


Figura2.33Sistemafotovoltaicobasadoenmdulosquesustituyeneltejadoconvencional[34].

Estossistemasdecubiertafotovoltaicaseencuentranventiladosporconveccinnatural,
graciasalairequecirculapordetrsdeltejadodetejas.Unconjuntodepiezasmetlicas
adicionalessonnecesariasparaintegrarlastejasfotovoltaicasyunirlasentreellas.Tales
sistemasfotovoltaicosnodanelefectoescalonadoquenormalmenteofrecenlostejados
tradicionales.

Unsistemaquefuedesarrolladoatravsdeunprogramajapons,quetuvouninforme
regulardeimpactovisualdemdulosfotovoltaicoshaganadomuchapopularidadenel
pas. Sin embargo, el sistema requiere los perfiles de aluminio para la fijacin de los
mdulos estndar, la perforacin de agujeros para la ventilacin y elementos de
estanqueidadparaevitarquepenetreelaguaentrelosmdulos.

El tamao de cada mdulo fotovoltaico especial es la mitad de una unidad de medida


tatamiarchitectural en Japn. El sistema estructural se ha diseado con una
superposicin para formar una superficie impermeable con unos 10 cm de espacio de
ventilacinentreelmarcodelmduloylaestructuradeltejado.Aunqueelsistemanose
integra sobre las tejas normales, este techo fotovoltaico logra un aspecto agradable a
pesardelcomplicadoprocesodeinstalacin(Figura2.34).

75

CAPITULO2.ESTADODELARTE


Figura2.34TejadofotovoltaicooriginariodeJapn,ubicadosobrelacubiertainclinada[34].

LosdiferentessistemasdesarrolladosypromovidosenJapnconsistenenreemplazarlos
materialesdelostejadosportejasfotovoltaicas,lascualesseinstalandirectamentesobre
la estructura del tejado, aadiendo algunos accesorios de fijacin. Sin embargo, estas
tejas fotovoltaicas requieren ciertas superficies (45 Wp por teja) lo que suponen
reemplazarmltiplosde4tejasplanasporcadaunafotovoltaica.

Lastejasfotovoltaicasdecermicaofrecenunnuevoenfoquealaintegracindeclulas
solares en los tejados inclinados. Tales tejas fueron diseadas para funcionar como un
tejadodepizarra.Haydostipos,elprimerosebasaenmaterialcermicogrisenlaquelas
clulas solares monocristalinas estn laminadas directamente lo que permite una zona
libre para la superposicin de tejas en forma de escamas de pescado. Las tejas
fotovoltaicas se fijan directamente con tornillos en los travesaos de madera de la
estructuradeltecho.Elsegundoesunproductoparatejadoselaboradosobrelaenorme
basedeuntejadodefibradecemento,comnenSuiza.

Un desarrollo reciente en Europa se basa en la utilizacin de mdulos de gran tamao


para reemplazar mltiples tejas. En dicho sistema de integracin un elemento
fotovoltaico se compone de una lmina de vidriovidrio colocado en una bandeja de
plstico como apoyo, sujeto al techo por las fijaciones de acero inoxidable. Este ltimo
incluye las barras de refuerzo con los soportes de gancho en la base inferior de las
bandejas.Elmdulocon35Wpdepotencianominalsustituyeacuatrotejas,sefijaenlas
bandejas y est integrado de forma homognea en la estructura tradicional del techo,
comosemuestraenlaFigura2.35.


76

2.3INTEGRACINDELOSPANELESSOBRECUBIERTAS


Figura2.35Mdulofotovoltaicode35Wp,sustituyenteacuatrotejasconvencionales[34].

OtrosistemafotovoltaicoquehasidoampliamentedifundidoenelReinoUnido,consiste
en una pelcula delgada que puede ser enrollada en el techo como una alfombra. El
componente fotovoltaico desarrollado en los EE.UU. consiste en una clula de silicio
amorfodetripleunin.Elsiliciodepelculadelgadasedepositamedianteunprocesode
enrolladosobreunsustratodemetalyseincorporaenunmaterialplsticodeproteccin
(Tefzell), teniendo una eficiencia de 7.8%. Dado que el producto es flexible, permite su
fciladaptacinamuchosmaterialesdetejados.Elsistemaresultantecomocubiertaes
multifuncional,produciendoelectricidadysirviendocomoaislamientodecubiertas.Este
producto ofrece un agradable aspecto manteniendo el efecto de tejados tradicionales,
mediantelacolocacinde12clulassolaresamorfasenunasolapiezadeplsticoconun
readesuperposicindeclulaslibresenlapartesuperior.

Elresumenpresentadoconlasdiferentestecnologasdetejadosfotovoltaicosmuestrael
desarrollodeelementosdecubiertafotovoltaicaenlaltimadcada.Losesfuerzosnose
hanlimitadoalameramejoradelosmtodosdeintegracindelosmdulosestndares,
sinoquesedirigetambinhacialaproduccindeloselementosapropiadosquepodran
sustituirlastejas.Muchosdeestosproductosprovienendelosprogramasnacionalesque
promuevenelusodelatecnologafotovoltaica.

En resumen, se han presentado los desarrollos y estudios actuales para la verdadera


integracin de elementos fotovoltaicos sobre la cubierta de edificios. Sin embargo,
existenimportantesactividadesencursodelainvestigacinyeldesarrollodesistemasde
ymaterialesquesustituyanlastejastradicionales.

77

CAPITULO2.ESTADODELARTE

2.3.2 APROVECHAMIENTOFOTOVOLTAICOENLACUBIERTADEINVERNADEROS
Unodelos aprovechamientosestructuralesfotovoltaicosquenosinteresayenelquese
centra esta investigacin es el de los invernaderos. Los invernaderos se construyen,
generalmente,enlugaressoleados,sinsombradebidoasunecesidaddeluzsolarparala
fotosntesis de las plantas. Esto nos sugiere que una proporcin de esa luz podra ser
utilizadacomofuentedeenergaelctricamediantelaenergafotovoltaicayalimentaras
losequiposnecesariosparaelmantenimientodeinvernaderos.

Enesaformadeaprovechamientofotovoltaico,losmdulosseinstalansobrelascubiertas
utilizando as el terreno para cultivar y para producir la electricidad que sustituya a la
procedente de combustible fsiles. El problema que se nos plantea es el siguiente: el
invernadero est recubierto por plstico para que dentro del mismo se alcancen
temperaturas altas necesarias para el cultivo, estas elevadas temperaturas en el interior
afectarn a nuestros mdulos fotovoltaicos ubicados en la cubierta, aumentando su
temperaturadefuncionamientoyreduciendolaproduccinelctrica.

Por esta razn, nos centramos en estudiar y caracterizar la influencia de las altas
temperaturasinternasenelfuncionamientodelospaneles,basndonosenunaestructura
real construida en la que existe un espacio libre de paso de aire entre el plstico de la
cubierta y los paneles. Con estos resultados se pretende mejorar la configuracin
estructural cara a la construccin de prximos invernaderos con aprovechamiento
fotovoltaico.

Unodelosestudiosllevadoacabobasadoenlosinvernaderosylaenergafotovoltaicaes
el realizado por el Instituto de Tecnologa de la India en el que combina mdulos
fotovoltaicosydeenergasolartrmica[37].Enesteestudioseutilizauninvernaderoreal
situadoenNuevaDelhi(Figura2.36)encuyointeriorsealcanzantemperaturasde55Cen
veranoyde40Ceninvierno,apesardetenerenelexteriorunastemperaturasde2a10
Cselleganaconseguirunasclidastemperaturasinternasdebidoalefectoinvernadero.
Adems, se utiliza un ventilador en el interior del invernadero para uniformizar la
temperaturainterna.


78

2.3INTEGRACINDELOSPANELESSOBRECUBIERTAS

Figura2.36InvernaderodeNuevaDelhiconmdulosfotovoltaicosintegrados[37].

Existeunaconcordanciaentrelosresultadosexperimentalesylostericosreferentesala
temperatura de los mdulos que vienen representados en la Figura 2.37, en la que se
muestralaevolucindelatemperaturadelpanelalolargodeldadeensayo.Apreciamos
queambastemperaturasdelmdulo,tericayexperimental,siguenunamismatendencia
alolargodelda,perosusvaloresnocoinciden.Asporejemplodesdeprimerahoradela
maanalatemperaturatiendeaascenderhastaalcanzarsumximoalas11delamaana,
conunvalortericode81Cmientrasqueelvalorexperimentalmedidoesde65Cala
mismahora,porloquelosdatosesperadossonalgosuperioresalosexperimentalmente
medidos.

Figura2.37TemperaturaexperimentalytericadelpanelPValolargodeunda[37].

Apartirdelosresultadosexperimentalesmedidosalolargodeunda,sepuedeapreciarla
evolucin de la temperatura del panel fotovoltaico, en su cara posterior, respecto la
temperaturadelairedelinteriordelinvernadero.Deellosseconcluyequelatemperatura
realdelmduloes34Cmayorqueladesucaraposterioryalrededorde1516Cmayor
que la temperatura del aire del invernadero, en las horas de sol. En cuanto a la exerga

79

CAPITULO2.ESTADODELARTE

anualobtenidagraciasalaenergasolartrmicaesde12,8kWh/aoylaobtenidagracias
alafotovoltaicaesde716kWh/ao.Enellugardondesellevacaboelexperimento,la
exergaaportadaporelSolalinvernaderoesde21291kWhporloqueobtenemoscomo
resultadounrendimientoexergticode4%.

Otroestudiointeresantebasadoenlaintegracinfotovoltaicaeninvernaderos,selleva
cabo en Japn [38], en el que se compara las ventajas e inconvenientes de colocar un
mdulo fotovoltaico en el exterior y en el interior de la cubierta de un invernadero al
mismotiempoquesumejororientacineinclinacin.

Figura2.38Esquemadeubicacindelosmdulossobreelinvernadero[38].

El invernadero de este estudio, cuyo esquema est representado en la Figura 2.38, se


encuentraubicadodeformaquelapartedelanteraestorientadaalnorte,yporlotanto,
lapartetraseraalsur.Comovemosenlafiguraanterior,losmdulosPV1hastaPV4estn
instaladosenelinteriordelacubiertayPV5enelexterior.PV1,PV2yPV5seencuentran
en la cara este del invernadero, teniendo el primero una inclinacin de 20 y los dos
ltimosde28.EnlacaraoesteseubicanlosmdulosPV3yPV4,coninclinacionesde20
y28respectivamente.

Los resultados experimentales obtenidos de cada uno de los paneles a lo largo de siete
meses,vienenrepresentadosenlasiguientefigura.Enella,serepresentamediantepuntos
laradicacinsolardecadamesymedianteundiagramadebarrasserepresentalaenerga
fotovoltaicaobtenidaparacadamesdelaoenelquesehaensayado,correspondindose
cadabarradeizquierdaaderechaencadamescomolaprimeraalmduloPV1,lasegunda
elPV2,laterceraPV3,lacuartaalPV4ylaltimasecorrespondeconelmduloPV5.


80

2.3INTEGRACINDELOSPANELESSOBRECUBIERTAS


Figura2.39Energafotovoltaicageneradafrentealosmesesdeestudio.Ordendecolumnas:PV1,PV2,PV3,
PV4,PV5[38].

Como se puede apreciar, los mdulos de menor inclinacin (PV1, PV3) generan mayor
energaquelosqueseencuentrana28.Adems,losmdulosinstaladosconorientacin
oeste (PV3, PV4) deberan generarms energa que los de orientacin este, cosa que no
reflejanlosresultadosexperimentalesobtenidosyrepresentadosenlaFigura2.39,estose
debe a que la orientacin del invernadero posee una desviacin de 7,03 respecto al eje
norte sur. Entre los mdulos fotovoltaicos instalados en el interior del invernadero, el
mduloPV3eselquemselectricidadgeneraunquesevesuperadoporelmduloPV5,
queanteniendoladesventajadeestarconunainclinacinde20yorientacineste,se
queda lejos del resto de resultados, mejorndolos considerablemente. No obstante, este
mdulo montado sobre la cubierta, presenta la desventaja de ser ms vulnerable que el
restoalestarexpuestoatodotipodecondicionesmeteorolgicas.

Guoguang et al. [36] presentan diferentes proyectos de integracin fotovoltaica en


diferentes instalaciones como una nueva alternativa a las cubiertas tradicionales. Dos
invernaderos solares de 20 kV se han construido en las ciudades chinas de Heihe en
HeilongjiangyenHezeenShandong.

a) b)

Figura2.40ProyectosdeintegracinfotovoltaicaenlacubiertadeinvernaderosenChina.a)Vistadelinterior
delinvernaderosolarenHeihe.b)VistaexteriordelproyectoenPeonyGardenenHeze[36].

81

CAPITULO2.ESTADODELARTE

En ambas instalaciones, parte de laluz natural se transmite al interior gracias al especial


diseodelacubiertaenlaquesedejanespaciosentrecadaclula,comoseapreciaenla
Figura2.40a.

Enelmismotrabajopresentaelmayorproyectodeintegracinfotovoltaicasobrecubierta
en China, con 1MWp instalados. Este novedoso proyecto se encuentra en la ciudad de
Weifang,Shandongyconsisteenunmodernoproyectoagrcolaenergtico,Figura2.41.El
hechodellevarlaacabosedebeaqueenlacitadaciudadlaradiacinanualesde5000
5800 MJ/m2, cantidad muy til para generacin fotovoltaica. Con esta instalacin se
pretende generar 1185,6 kWp (DC) con una eficiencia de 13,27%, convirtindola
posteriormenteencorrientealternayasvertindolaalared,obteniendounasumaanual
de1743000kWhdeelectricidadgenerada.


Figura2.41Bocetodeldiseodeunaparte(50KW)delnuevoproyectoagrcolaconintegracinfotovoltaica
enlacubiertade1MWpubicadoenlaciudaddeWeifang,Shandong[36].

En la figura anterior se muestra una de las partes del nuevo proyecto de integracin
fotovoltaicaenlacubiertadelainstalacinagrcolaenergtica,estaparteengloba50kW
de los 1MWp instalados. Con su puesta en marcha se espera, no slo generar energa
elctrica, sino una mejora en la contribucin medioambiental, reduciendo 1737,8
toneladasdeemisindeCO2,52,3toneladasdeSO2y26,2toneladasdeNOx.


82

2.4INFLUENCIADELATEMPERATURAENELFUNCIONAMIENTODEMDULOS
FOTOVOLTAICOS

2.4 INFLUENCIA DE LA TEMPERATURA EN EL FUNCIONAMIENTO DE


MDULOSFOTOVOLTAICOS

Actualmente una clula fotovoltaica comercial no convierte ms del 1520% de la energa


solar incidente en energa elctrica, valores que dependen del tipo de clula. El resto de
energa es tanto reflectada como absorbida en forma de calor, por consiguiente, si no se
dispone de ningn medio eficaz de disipacin de la energa absorbida, la acumulacin de
calorocasionaunaumentosubstancialdelatemperaturadefuncionamientodelaclula.En
la siguiente figura se muestra un esquema del intercambio de calor existente entre el
mdulofotovoltaicoyelambiente[39].

Hoy en da, las clulas fotovoltaicas se utilizan en muy variadas aplicaciones, terrestres y
constructivas, es por ello que generalmente se encuentran expuestas a valores de
temperaturasde1070C,segnlareginenlaqueestninstaladas.Enclimasnomuyfros
conbuenaradiacin,lospanelessuelentrabajaraaltastemperaturas.

Figura2.42Esquemasimpledelprocesotrmicodeenergaenunmdulofotovoltaico.

Altosvaloresdetemperaturaenlospanelesfotovoltaicos,setraducenenunefectonegativo
en sus parmetros elctricos, tales como tensin de circuito abierto (Voc), intensidad de
cortocircuito(Isc),factordeforma(FF)yconsecuentementeelrendimiento(),porlotanto
latemperaturajuegaunpapelimportanteenelprocesodeconversindelaradiacinsolar
en energa elctrica. Tanto el rendimiento como la potencia generada dependen de la
temperaturadefuncionamientodelpanel,disminuyendoambasconelaumentodesta.La
eficienciaenlaconversindeenergadesciende0,40,5%porcadagradoqueasciendela
temperatura [40]. Esta es la razn por la que muchos autores han estudiado diferentes
tcnicasquepermitanlarefrigeracindelospaneles[41,42].

Lascondicionesambientales,comosonlatemperatura,radiacinsolaryelviento,tambin
influyenenelcomportamientodelosmdulosfotovoltaicosinstalados.Dentrodeunamplio
margendefuncionamiento,lafotocorrientegeneradaporcadaclulasolaresdirectamente
proporcional a la intensidad de la radiacin incidente. Pero aparte de esta influencia, la
radiacin solar, el viento o la propia temperatura ambiente, afectan al panel fotovoltaico

83

CAPITULO2.ESTADODELARTE

modificando su temperatura y sta a su vez provoca como veremos una alteracin de las
variablesdelosmdulos.

La temperatura de funcionamiento de las clulas solares es funcin de la temperatura


ambiente, conductividad del material, caractersticas elctricas del mdulo (Io, ISC, Voc, FF,
Pm),laintensidaddelaradiacinsolarincidenteenelmdulo,ydeotrasvariablesquese
vernenelsiguienteapartado.

Sehaestudiadoquelaeficienciaenlaconversindelasclulasfotovoltaicas,setraduceen
un descenso de la potencia generada cuando la temperatura de la clula es elevada. Este
fenmeno,segnMaycockyStirewalt[43]esmspronunciadoenclulasdesilicioqueotras
clulas,comoelarseniurodegalio.Adems,lafsicacunticademuestraqueelaumentoen
laconductividaddeunsemiconductoresdirectamenteproporcionalalatemperatura.Enla
bandadeconduccindeunsemiconductor,laconductividad,n,(entendidacomoelnmero
de electrones que circulan por la clula) depende de manera decisiva de la temperatura,
comolodemuestralafrmula.
/
2 (2.5)
2

Donde:
ne=ndeelectrones
me=masadelelectrn(kg)
k=ConstantedeBoltzman,conductividadtrmica.(W/mC)
Ef=EnergaenelniveldeFermi(eV)
Ec=Energaenlabandadeconduccin(eV)
T=Temperatura(K)

Este hecho parece sugerir que la conductividad de clulas PV como funcin de la


temperatura sera limitada solamente por la alta temperatura que puede sostener, y por
implicacintambinloeslapotenciadesalida.PeroMaycockyStirewalt[43]muestranque
lapotencia(eficiencia)delasclulasFVnoslodependedelaconductividadelctrica,yque
en ciertas condiciones de insolacin, es inversamente proporcional a la temperatura. Esta
relacin inversa de la potencia de salida (eficiencia de conversin) con la temperatura se
debe principalmente a la dependencia de la tensin de circuito abierto, Voc, con la
temperatura,deacuerdoconAngristetal.[4446].

Ladependenciadelatemperaturadelpanelconsucomportamientoelctricodifieresegn
el material constituyente de la clula. An as, podemos encontrar un gran nmero de
correlaciones que expresan la dependencia de la eficiencia elctrica de los mdulos
fotovoltaicos,enlasqueenlamayoraseasumeladependencialinearentreambasvariables


84

2.4INFLUENCIADELATEMPERATURAENELFUNCIONAMIENTODEMDULOS
FOTOVOLTAICOS

ydifiriendotansloenlosvaloresnumricosdelosparmetroscorrespondientesaltipode
materialosistemadeestudio[47,48].

La principal dependencia de la temperatura de los mdulos es con tres de las variables


caractersticas que definen su comportamiento elctrico [49]. Estas son; la intensidad de
cortocircuito (ISC), que tiene la misma dependencia que la corriente fotogenerada (IL), la
tensindecircuitoabierto(Voc)quesedefinesegnelvalordelacorrientedesaturacin(Io)
yelfactordeidealidaddeldiodo(m)yelfactordellenado(FF)queasuvezesfuncindela
tensindevaco,intensidaddecortocircuitoypotenciamxima.

A continuacin se muestra la relacin de la temperatura con diferentes caractersticas o


parmetros elctricos del mdulo fotovoltaico, para lo que debemos recordar la ecuacin
caractersticadelaclulafotovoltaica(Ec.1.1).

A. FOTOCORRIENTEIL

Lacorrientefotogenerada(IL)aumentaligeramenteconlatemperaturadebidoalaumento
delaslongitudesdedifusindelosminoritariosyenpartealestrechamientodelabanda
prohibida,quedesplazaelumbraldeabsorcinhaciafotonesdemenorenerga.Lamejora
delafotocorrienteconlatemperaturaesmsacusadaenlasclulasdeGaAsqueenlasde
Siliciopero,entodosloscasos,lavariacinesmuypequea.

B. CORRIENTEINVERSADESATURACINIS

La corriente de saturacin inversa es, como se mencion en apartados anteriores, la


corriente de fuga que se produce en la polarizacin inversa de la unin pn y cuya
dependenciaconlatemperaturavienedadaporlasiguienteecuacin:

(2.6)

Siendo , constantesyEGOelvalordelaenergadelanchodebandaprohibidaa0K.

C. TENSINDECIRCUITOABIERTOVOC

Laecuacincorrespondientealvoltajeencircuitoabiertoseobtieneapartirdelaecuacin
caractersticadelaclulafotovoltaica,dadoqueenestascondiciones,circuitoabierto,la
intensidadesnula(I=0).

1 (2.7)

85

CAPITULO2.ESTADODELARTE

Desarrollando los trminos dependientes de la temperatura, se obtiene la siguiente


ecuacin que muestra la considerable reduccin de la tensin de circuito abierto con un
aumentodelatemperatura.

(2.8)

Larelacininversaentreambasvariablessepuedeestablecercalculandoelcoeficientede
variacin,calculandosuderivada:

1 (2.9)


Esta expresin indica la disminucin del voltaje en circuito abierto conforme aumenta la
temperatura. En la siguiente figura se muestra claramente la dependencia linear
decreciente, cuya pendiente toma un valor medio de 2,48 mV/C para clulas de silicio,
segnA.Usamietal.[50].


Figura2.43Relacinentrelatensindecircuitoabiertoconlatemperatura[50].

D. CORRIENTEDECORTOCIRCUITOISC

La corriente de cortocircuito es la correspondiente cuando la tensin es nula, por lo que


sustituyendoenlaecuacincaracterstica,

(2.10)
1

(2.11)


86

2.4INFLUENCIADELATEMPERATURAENELFUNCIONAMIENTODEMDULOS
FOTOVOLTAICOS

Como se mencion, la corriente fotogenerada aumenta ligeramente con la temperatura,


que suele ser atribuido por el aumento de la absorcin de la luz ocasionado por el
estrechamiento de la banda prohibida. Por consiguiente, concluimos afirmando que la
corrientedecortocircuitoaumentaligeramenteconlatemperatura.Segnvariosestudios
[50,51]concluyenquelatasadecrecimientoesdelordende0,0006mA/C.Enlasiguiente
tablasemuestraslosvaloresexperimentalesrecogidosparadosclulasdesilicio,bajolas
mismascondicionesdeoperacinparaunrangodetemperaturadefuncionamientoentre
295a320K.

Tabla2.6ValoresexperimentalesdelasvariableselctricasdedosclulasdeSilicioparaelrangode
temperaturasde295a320K[51].

Por lo tanto, un aumento en la temperaturade funcionamiento de la clula fotovoltaica,


conllevaunadisminucinde0,5%/Cenlatensindecircuitoabiertoyunligeroaumento
del +0,05%/C en la intensidad de cortocircuito, lo cual modifica la forma de la curva
caracterstica,talycomosemuestraacontinuacin.

Figura2.44a)Representacindelacurvacaractersticadelfuncionamientodeunaclulafotovoltaica.b)
Modificacindelacurvacaractersticadefuncionamientoconelaumentodelatemperatura.

E. FACTORDELLENADOOFACTORDEFORMAFF

Elfactordeforma,definidoenelcaptuloanterior,esunamedidadelacalidaddelaunin
y de las resistencias de la clula. A partir de su definicin, relacin entre la potencia
mxima entregada y la mxima terica a entregar, explicaremos su dependencia con la
temperatura.

87

CAPITULO2.ESTADODELARTE

(2.12)

En la Figura 2.45 a) podemos observar como este factor de llenado relaciona el rea
rectangular delimitada por ambos puntos, potencia mxima de funcionamiento y la
mxima terica. Esta variable depende de los parmetros de las clulas, los niveles de
operacindelacorrienteeintensidad,factoresdeidealidadyresistenciascaractersticas
delaclulaencuestin.Porellosesdifcildeducirlasensibilidaddeesteparmetroconla
temperatura.

Ladependenciadelfactordellenadoconlatemperaturavieneenpartedeterminadaporla
formaadoptadaporlacurvacaracterstica,enlaquesemuestranlosvaloresdepotencia.
Un aumento en la temperatura de funcionamiento conlleva una modificacin de los
parmetros que lo definen, disminuyendo considerablemente las tensiones y
producindoseunligeroaumentodelaintensidadcomoseapreciaenlaFigura2.45b).El
factor de llenado sufre una ligera disminucin con la temperatura, aunque no es muy
acusadaparatemperaturasinferioresa200C.


Figura2.45InfluenciadeunaumentodelatemperaturaenlosparmetrosquedefinenalFactordellenado.a)
Representacindelconceptodelfactordellenadoenlacurvacaracterstica.b)Variacindelosparmetrosdel
factordellenadoconlatemperatura.

Elfactordellenadotambinsepuedeexpresarmedianteunaecuacinempricaenfuncin
de la tensin de vaco, variable principalmente influyente considerando que no existen
prdidas de la resistencia parasitaria de la clula. Esta expresin es aplicable para casos
ideales,presentandounaprecisinde1dgitoenelcuartodecimal.

0,7 (2.13)

1

Estaecuacinrigelasiguienterelacinconlatemperatura,obtenindoseunadisminucin
desuvalorconelaumentodelatemperatura.

88

2.4INFLUENCIADELATEMPERATURAENELFUNCIONAMIENTODEMDULOS
FOTOVOLTAICOS

1 1
1 (2.14)
0,0015
6

En general, para buenas clulas fotovoltaicas (con valores del FF prximos a 1 en


condiciones estndar), a elevados valores de temperatura el factor de llenado disminuye
ligeramentemientrasqueatemperaturasmsbajasnopresentagrandependencia[52].

F. POTENCIAMXIMAPm

Lapotenciamximavienedeterminadaporlosvaloresdetensineintensidadenelpunto
demximapotenciadelacurvacaracterstica,ademssepuededefinircomoelproducto
detresdelasvariablescaractersticaspreviamentedescritas;intensidaddecortocircuito,
tensin de circuito abierto y factor de llenado, tal y como se muestra en la siguiente
ecuacin[47].

(2.15)

A partir deesta ecuacin y con lo descrito anteriormente, se deduce la proporcionalidad


inversa existente entre la potencia y la temperatura de funcionamiento del panel
fotovoltaico. Dado que un aumento de la temperatura conlleva una disminucin de la
tensin de circuito abierto (2,48 mV/C) y del factor de llenado (0,0015 C1) junto a un
ligeroaumentodelaintensidaddecortocircuito(0,0006mA/C),lapotenciamximacomo
productodeellas,disminuyeconlatemperatura.

Diferentes estudios han demostrado la importancia del efecto de la temperatura de


funcionamiento de los paneles fotovoltaicos, dando a lugar una prdida del 7% en la
potencia cuando alcanzan temperaturas del orden de los 40C [53]. Esta prdida de
potenciasedebeprincipalmentealadisminucindelatensindecircuitoabiertoconel
aumentodelatemperatura,apesardequeexistaunpequeoaumentodelaintensidad
decortocircuitoelcualresultainsignificantecomparadoalareduccindelatensin.

Gxashekaetal.[54]demostrarondichaafirmacinestudiandoelefectodelatemperatura
en cinco mdulos fotovoltaicos, dos de ellos de Silicio cristalino (cSi), dos de Silicio
multicristalino (mcSi) y otro edgedefined filmfed growth silicon (EFGSi). Para los
diferentesmdulosestudiaronelefectonegativodelatemperaturasobrelapotenciade
salida de cada uno, el cual queda justificado por la proporcionalidad inversa entre la
temperatura y la tensin de circuito abierto. De acuerdo con Mazer et al. [55], la
disminucindelatensinconlatemperaturaescausadaporelaumentodelacorrientede
saturacin, la cual aumenta con la concentracin de portadores intrnsecos que a su vez
dependeexponencialmentedelatemperatura.

89

CAPITULO2.ESTADODELARTE

Para los diferentes mdulos utilizados, la intensidad de cortocircuito aumenta 0,7 3,1
mA/C, mientras que la tensin de circuito abierto disminuye en el rango de 51,9 78
mV/C obtenindose una prdida de potencia de 196 355,1 mW/C. Los valores de los
coeficientesdedependenciadecadavariableconlatemperaturasepresentanenlaTabla
2.7,siendoelcoeficientedeIsc,eldelaVocydelaPm.

Module (mA/C) (mV/C) (mW/C)


cSi1 0,7 78,0 221,0
cSi2 2,1 51,9 355,1
mcSi1 2,7 72,6 344,72
mcSi2 3,0 75,4 339,6
EFGSi 3,1 76,9 196,0
Tabla2.7CoeficientesdeproporcionalidaddeIsc,VocyPmconlatemperaturaparalosmdulosevaluados
[54]

En las siguientes figuras se muestran el efecto de la temperatura sobre ambas variables,


tensin de circuito abierto (Voc) y potencia mxima (Pm). Se observa como ambas
disminuyen considerablemente para elevadas temperaturas y que el efecto de la
temperatura sobre la corriente de cortocircuito (Isc) es pequeo comparado con el de la
tensin.

EsevidentequeelcoeficientedelatemperaturaparalatensindecircuitoabiertodecSi
2 es significativamente diferente del resto de los mdulos, siendo un valor menor, tal y
comoseapreciaenlaFigura2.46.Estosedebealabajacalidaddedichomdulo,locuales
indicativodequelasclulasdebajacalidadtienenenpromediovaloresdetensin40mV
inferioresalosdemejoresmdulos.

En otro estudio [56] se demostr que la tensin de circuito abierto de clulas de baja
calidadesmenossensiblealatemperaturaqueladelosmdulosdemejorcalidad.Esto
explicaelhechodequeestemdulotengauncoeficientededependenciainferior.


90

2.4INFLUENCIADELATEMPERATURAENELFUNCIONAMIENTODEMDULOS
FOTOVOLTAICOS


Figura2.46Dependenciadelatemperaturaenlatensindecircuitoabiertoparadiferentesmdulos
fotovoltaicos[54].


Figura2.47Dependenciadelatemperaturaenlapotenciamximaparadiferentesmdulosfotovoltaicos
[54].

Sinembargo,tantoenlaTabla2.7comoenlaFigura2.47observamosqueelcoeficientede
dependenciadelapotenciamximaconlatemperaturaparaestemduloesmayorquelos
del resto. Esto parece ser contradictorio con lo anterior, pero se puede explicar por la
variacinquesufreelfactordellenadoconelaumentodetemperatura,elcualpresenta
unagrandependenciaconlatemperatura(0,15%/C).Estefactorcomosehamencionado
previamenteestdirectamenterelacionadoconlacalidaddelaunin pndeldispositivo
fotovoltaico. Otra observacin interesante es la baja dependencia de la potencia con la
temperatura para los mdulos cSi1 y EFGSi. Esto de atribuye a la propia estructura de
ambosmdulos,teniendoelcSi1uncristalenlaparteposterioryelEFGSidealuminio.
91

CAPITULO2.ESTADODELARTE

Obviamente la estructura y el material utilizado para la encapsulacin del mdulo tiene


una influencia sobre cmo la temperatura se distribuye entre las diferentes capas del
mdulo,ayudandoas enlareduccindelcoeficientedeproporcionalidaddelapotencia
mximaconlatemperatura.Podemosencontrarvaloresdecoeficientesmuysimilaresalos
mostradosenlaTabla2.7enKingetal.[57].

G. RENDIMIENTOOEFICIENCIAELCTRICA

Recordandoladefinicindelaeficienciadeunaclulafotovoltaica,comoelcocienteentre
la potencia mxima entregada y la potencia luminosa (radiacin solar,) captada por la
clula,representadaporlasiguienteecuacin:

(2.16)

Resultaevidenteelefectodelatemperaturaenlaeficienciaelctricadadoquelasclulas
fotovoltaicas alcanzan altas temperaturas cuando la irradiacin o potencia luminosa
recibidaestambinelevadayademsestoproduceundescensodelapotenciamxima.
Tanto ambas situaciones (elevada radiacin, disminucin de potencia) o cada una por
separado, conducen a reducir la eficiencia elctrica de la clula. El coeficiente de
proporcionalidadparalaeficienciaesdelordende0,040,06%/C paralasclulasde
Silicio,siendoalgoinferior,0,020,03%/C,paralasdeArseniurodeGalio(GaAs).

La dependencia de la temperatura en el rendimiento de mdulos fotovoltaicos es un


problemamuyestudiadoyanalizado.Tomaszetal.[58]establecendiferentesecuaciones
tericas que permiten determinar la temperatura, eficiencia y energa producida por el
panelapartirdevariablescaractersticasdelaclulaylasvariablesambientales,adems
decontratarlascorrelacionestericasconvaloresexperimentalesmedidos.Elrendimiento
terico considerado es una funcin lineal con la temperatura a partir de dos puntos,
1=10%paraT1=20Cy2=6%paraT2=80C.Sepuedeobservarcomolosvaloresmedidos
delrendimientodelpanel,soninferioresalostericos,presentandounacadabruscapara
temperaturassuperioresalos44C,anaspodemosconsiderarunadependenciams o
menoslineal.


92

2.4INFLUENCIADELATEMPERATURAENELFUNCIONAMIENTODEMDULOS
FOTOVOLTAICOS


Figura2.48Efectodelatemperaturadefuncionamientodeunpanelfotovoltaicosobresueficiencia,
comparandolosresultadosmedidosyelmodeloterico[58].

Resumiendo, la temperatura de funcionamiento de las clulas fotovoltaicas afecta


negativamente en la produccin elctrica debido a su dependencia con las variables
caractersticas de funcionamiento de los mdulos fotovoltaicos. En la siguiente figura se
muestra conjuntamente lo anteriormente descrito para una clula de silicio, un pequeo
aumentodelaintensidaddecortocircuitoalaumentarlatemperatura,unbruscodescenso
del rendimiento ocasionado principalmente por la prdida de la potencia a elevadas
temperaturas que es debido a la considerable disminucin de la tensin de vaco con el
aumentodelatemperaturatalycomopresentanPriyankaSinghetal.[51].


Figura2.49Variacindelatensindecircuitoabierto,intensidaddecortocircuitoyeficienciaconla
temperaturaparaunacluladesilicioenelrangodetemperaturade295320K[51].

Tal y como se pretenda, en este apartado se muestra como la temperatura es un


parmetroimportanteenelfuncionamientodelaclulafotovoltaica,puesinfluyeensus
variablescaractersticasyesunfactorimportanteatenerencuenta.

93

CAPITULO2.ESTADODELARTE

Este es el motivo de la realizacin de este estudio e investigacin, cuyo fin es estudiar y


analizar el efecto de la temperatura en el funcionamiento de la clula, para as poder
disear una configuracin que permita refrigerar los mdulos que se encuentran
emplazados sobre diferentes cubiertas, reduciendo su temperatura y por consiguiente
mejorandosueficiencia.

2.5 INFLUENCIA DE LA CAPACIDAD DE VENTILACIN EN LA TEMPERATURA


DEFUNCIONAMIENTO

Enseccionesanterioressehanpresentadoalgunasdelasmuchasintegracionesfotovoltaicas
en edificios u otras instalaciones que se estn llevando a cabo por motivo del panorama
energtico y necesidad de aumentar la eficiencia energtica en edificios. Como se ha
estudiado, el rendimiento de sistemas fotovoltaicos depende estrechamente de la
temperatura de la clula, pero adems est influenciado por otros factores tales como su
aislamiento,degradacin,condicionesambientales.

Los sistemas fotovoltaicos integrados en alguna construccin pueden sufrir un


sobrecalentamiento,llegandoaalcanzarmayorestemperaturasdefuncionamientodebidoa
la ausencia de refrigeracin por efecto del viento exterior comparado con sistemas fijos
aislados.Uneficazmtodo,aunquealgocostoso,pararegularlatemperaturadelospaneles
fotovoltaicos integrados en cubiertas consiste en proporcionar un canal de aire abierto
debajodelpanel.Enestossistemas,latemperaturadelmduloestmuyinfluenciadaporla
capacidad de ventilacin, la cul puede ser modificada por diferentes factores. Estudios
como Paylos et el.[59] muestran que la influencia del viento en la refrigeracin de los
paneles fotovoltaicos integrados en cubiertas forma un papel significativo en el balance
energtico de estos sistemas. Sin embargo, an siendo un factor relevante en la
refrigeracindelosmdulos,noesposibledecontrolarconelfindereducirlatemperatura
defuncionamientoymejorarlaeficienciadelmdulofotovoltaico.

Otro factor influyente es la separacin entre el mdulo y la cubierta del edificio. Algunos
autores centraron su investigacin sobre esta cuestin. Kedari et al. [60, 61] estudi un
mdulofotovoltaicoconunaseparacinentrelacubiertaylaparteposteriordestede0.14
m.Mediantemedidasexperimentales,estudiaronlosefectosdeltamaodelespaciodeaire
ydelasaberturasdelcanalenelflujodeaireinducido,comprobandoqueparaseparaciones
ampliasenelcanaldeaireseobtenaunmayorflujodeaire.Hirunlabthetal[62]sugirieron
queunrazonableespaciadoenloscolectoressolaresestaracomprendidoentre0.1y0.14
m. Sandberg y Moshfegh [63] obtuvieron expresiones para el flujo de masa, velocidad e
incremento de la temperatura en el espacio de aire detrs de las clulas solares,
considerandoelefectodelageometra(relacindeaspectodelcanal)ylaubicacindeestas


94

2.5INFLUENCIADELACAPACIDADDEVENTILACINENLATEMPERATURADE
FUNCIONAMIENTO

clulas solares. El estudio del efecto de la geometra del canal de aire sobre las
caractersticasdelflujodeaireinducidohansidoinvestigadaspordiversosautores,[64,65],
obteniendomayorventilacinsegnlaseccindelcanaleinclusoelngulodeinclinacin.
Otros autores han presentando procedimientos para determinar la temperatura de
equilibriodelmdulo,considerandolatransferenciadecaloryelflujoconvectivoatravsde
un conducto de refrigeracin en panel fotovoltaico. Por ejemplo, Brinkworth et al. [66]
desarroll un modelo analtico para predecir la refrigeracin por aire de un sistema
fotovoltaicointegradoparaflujolaminarlibreymixtodebidoalviento.

Diversos estudios se han realizado para caracterizar la refrigeracin en el mdulo


fotovoltaico debido tanto a los efectos del viento y separacin en el canal de aire. No
obstante, otra posibilidad que permite variar la temperatura del mdulo fotovoltaico
integrado en edificios consiste en inducir un flujo de aire forzado que pueda ser dirigido.
Esteflujodeairepodraserelutilizadoparalaventilacindeledificio,sinunconsumode
energa elevado, hacindolo pasar a travs del canal de aire integrado bajo el mdulo
fotovoltaico,contribuyendoaunareduccindesutemperatura,elaumentodesueficiencia
yademslareduccindelconsumodeenergaeneledificio,alprecalentarelaireentrante.
Este enfoque ha sido abordado por diversos estudios [67, 68, 69], en los que se centran
principalmenteenelcalentamientodelaireentrante.

2.5.1 CORRELACIONESEXPLICITASPARALATEMPERATURADEFUNCIONAMIENTO
Enestatesisseestudialainfluenciadevariablesinfluyentesenlaventilacindelcanalde
aire,talescomolaseparacinenelcanalylavelocidadinducidaenste,enlatemperatura
defuncionamientodeunmdulofotovoltaicointegradosobreunacubiertametlica.Con
ello, el fin ltimo es obtener correlaciones que determinen tanto la temperatura, como
rendimiento de los sistemas fotovoltaicos para diferentes configuraciones y condiciones
ambientales.Porelloesnecesariohacerunarevisinbibliogrficadelascorrelacionesque
seconocen.

Varios autores han estudiado diversas formas para determinar la temperatura de


funcionamiento en un mdulo fotovoltaico. Existen dos formas que permiten describir el
comportamiento del mdulo; implcita o explcita. La temperatura de funcionamiento se
puedecorrelacionarconvariablesqueellasmismasdependendeestatemperatura,donde
es necesario llevar a cabo un procedimiento de iteracin para el clculo pertinente (la
formaimplcita),omedianteunacorrelacinquepuederesolversedirectamente(deforma
explcita).Unadelasexpresionesexplcitasmsempleada[70]relacionalatemperatura
defuncionamiento(Tpanel)conlatemperaturaambiente(Tamb)yradiacinsolarincidenteo
irradiancia,Gpira:

(2.17)

95

CAPITULO2.ESTADODELARTE

Enestaexpresin,laconstantek(conocidacomoelcoeficientedeRoss)sedefinecomoel
cocienteentreladiferenciadetemperaturaentreelpanelyelambienteylaradiacinsolar
incidente, (TpanelTamb)/Gpira. El principal problema de este modelo se encuentra en la
estimacin del coeficiente de Ross, el cual puede ser medido en un mdulo pero no
fcilmente predicho de antemano. Esta expresin fue propuesta inicialmente para unas
condicionesdeausenciadevientoysistemasfotovoltaicosnointegradosencubiertas.Sin
embargo, teniendo en cuenta que los efectos del viento son importantes y que la
integracin de sistemas fotovoltaicos en edificios ha aumentado, algunos autores [71]
ampliaronlosvaloresdek,diferenciandolosresultadoscualitativamentesegnelnivelde
integracinylaseparacindelcanaldeairebajolacaraposteriordelosmdulos.

LascorrelacionessemiempricasparaelcoeficientedeRosspropuestasporSkoplakietal.
[72]semuestranacontinuacin,lascualesseaplicanamdulosfotovoltaicosemplazados
enestructurasfijas,sinintegracinenedificioyparavelocidadesdevientonulo.

0.32
(2.18)
8.91 2.0
0.25
(2.19)
5.7 3.8

Enlaecuacin2.18,Vfeslavelocidaddelacorrientelibredelviento,enlapartealtadel
sistemaylosuficientementealejadodeste,mientrasqueenlaecuacin2.19Vwdenotala
velocidadlocaldelairequecirculaporlacaraposterioralpanel,quepuedeserestimada
por: Vw=0.67Vf. Estas expresiones presentan un uso limitado a sistemas fotovoltaicos sin
integracinsobreedificios.

Skoplaki et al. [72] ampliaron el uso de esta correlacin (Ec. 2.17), incluyendo un
coeficiente de montaje w, definido como una proporcin del coeficiente de Ross para la
configuracin de montaje del sistema fotovoltaico. Por lo tanto la correlacin de
temperaturadelmdulopropuestaporSkoplakieral.es

0.32
(2.20)
8.91 2.0

vlida para cualquier configuracin de montaje y velocidades de viento (Vf ) mayores a


cero.


96

2.6CONSIDERACIONESSOBREELESTADODELARTE

PVarraymountingtype k(Km2/W)
Freestanding 0.021
Flatroof 0.026
Slopedroof,wellcooled 0.020
Slopedroof,norsowellcooled 0.034
Slopedroof,highlyintegrated,poorlyventilated 0.056
Fazadeintegrated,transparentPVs 0.046

Fazadeintegrated,opaquePVsnarrowgap 0.054
Tabla2.8ValoresexperimentaledelcoeficientedeRossparadiferentesconfiguraciones[72].

Comparando las correlaciones, Ec. 2.17 y 2.20 se obtiene que k= 0.32 w/[8.91+2.0Vf],
expresin que se puede utilizar para determinar la temperatura de funcionamiento del
panel fotovoltaico para diferentes configuraciones y un amplio rango de velocidad de la
corrientelibredeviento.Ahorabien,estaexpresinnoproporcionainformacinsobrela
influencia de la relacin de aspecto y la ventilacin forzada en esta temperatura de
funcionamiento, con lo que se pretende obtener a partir de los valores experimentales
medidos.

2.6 CONSIDERACIONESSOBREELESTADODELARTE

Diversosestudiossobretcnicasderefrigeracindepanelesfotovoltaicosconelpropsito
dereducirsutemperaturaymejorarlaproduccinelctricasehanpresentado.Lastcnicas
de refrigeracin en las que se emplean agua presentan buenos resultados en las
instalaciones experimentales, no obstante se han descartado en este estudio por los
inconvenientesquepresentanenaplicacionesdeintegracinsobrecubiertas:necesidadde
suministrodeagua,sistemadebombeo,aumentodelpesodelaestructurasoporte,gasto
econmicoetc.Sinembargo,losestudiosqueincluyenlarefrigeracinconaire,hacindolo
pasar por la cara posterior del mdulo, resulta ser ms ventajosa y viable en aplicaciones
industriales.

Alavistadelosresultados,losestudiossobreelusodeairecomotcnicaderefrigeracinde
los mdulos estn ampliamente documentados, aunque los relativos a sistemas de
integracin sobre cubierta como una nave industrial o invernadero se reducen a un
restringidorangodeparmetrossignificativosenelcomportamientodelosmdulos.

Lainformacinencontradanoincluyelacontrastacindevaloresexperimentalesconvalores
medidos en una planta solar en explotacin. Adems, a nivel experimental resulta
insuficienteparapodercaracterizartantolaproduccinelctricacomoeficienciaenfuncin
de su temperatura, en paneles integrados sobre diferentes cubiertas en aplicaciones
existentesenlarealidadybajodiferentescondicionesdediseoyambientales.

Enaplicacionesconintegracinfotovoltaicasobrecubiertas,concretamentemetlicasyen
invernaderos,noseconoceconexactitudcmoafectanenlaproduccinelctricaaquellas

97

CAPITULO2.ESTADODELARTE

variablesquepermitenvariarlatemperaturadefuncionamiento,modificandolacapacidad
derefrigeracindelpanelconlacirculacindeaireporsucaraposterior.

Estosmotivosaboganafavordelarealizacindelapresentetesis,traslanecesidaddela
empresa colaboradora por estudiar sus instalaciones existentes y poder mejorar otras
futuras.


98

DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE

CAPITULO3. DESCRIPCINDELASINSTALACIONES
FOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESUREFRIGERACINCON
AIRE
Comosehamencionadoencaptulosanteriores,enestetrabajosehanestudiadodiversas
instalacionesfotovoltaicasfrutodelacolaboracinestablecidaconlaempresaApiaXXIenel
marco de la cual se ha planteado. El objeto de este captulo es describir las instalaciones
fotovoltaicas estudiadas y analizadas, dos de ellas son instalaciones comerciales en
explotacinconstruidasporlapropiaempresa,ylasotrasdossehandiseadoyconstruido
enlaUniversidadPolitcnicadeCartagena.

Elcaptuloestestructuradoendosapartados.Enelprimerosedescribenlasinstalaciones
comerciales que nos han servido de prototipo para el diseo y montaje de las
experimentales.EnprimerlugarlaplantasolarCoronilIIde10MW,constituidapor51412
paneles montados sobre estructura fija, describiendo el campo fotovoltaico, distribucin y
caractersticasdelosmdulosfotovoltaicos,laestructurasoporteyelementoselctricosde
la instalacin. Adems, esta instalacin ha sido utilizada para analizar datos recogidos
durantevariosmeses,conelfindecompararelfuncionamiento(referidoalosparmetros
proporcionados por el fabricante) del mdulo fotovoltaico en la planta fotovoltaica con la
instalacinexperimental,comosepresentaenelapartado5.1.Ensegundolugarsepresenta
laplantasolarCoronilIVde1MW,engloba4464panelesfotovoltaicosmontadossobrela
cubiertadeunainstalacinagroenergtica.Delmismomodo,sehadescritoladistribucin
del campo fotovoltaico, caractersticas de los mdulos, estructura de la instalacin y
principaleselementoselctricosconstituyentes.

Enelsegundoapartadosedescribenlasinstalacionesexperimentalesestudiadas,lascuales
hansidodiseadasyconstruidoenlaUniversidadPolitcnicadeCartagenaparaelestudioy
anlisis del comportamiento elctrico de los paneles fotovoltaicos, no slo para la
configuracin prototipo presentada por la instalacin comercial de referencia, sino para
otras configuraciones, con el propsito de estudiar una posible mejora en el
comportamientoelctricodelosmdulosfotovoltaicosmediantelarefrigeracinconaireen
su cara posterior, aprovechando el efecto chimenea creado por conveccin natural
(Apartados 5.2 y 5.3). La primera instalacin experimental est constituida por mdulos
sobre una cubierta metlica de estructura fija y la segunda sobre la cubierta de
invernaderos. En ambas se detalla el diseo constructivo, con el objeto de describir su
estructura soporte, parmetros elctricos de los paneles, la instrumentacin utilizada en
cadaunadeellasylasdiferentesconfiguracionesestudiadas.

99

CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE

3.1 INSTALACIONESFOTOVOLTAICASENEXPLOTACIN

Esteapartadoestenfocadoenladescripcindelasinstalacionesfotovoltaicasconstruidasy
en funcionamiento, por parte de la empresa Apia XXI. Estas instalaciones dan origen al
estudio y anlisis del presente trabajo de investigacin y por consiguiente, nos sirven de
referenciaalahoradeldiseoymontajedelasinstalacionesexperimentalesdeensayo.

La primera instalacin fotovoltaica descrita consiste en un huerto solar de 10 MW,


constituida por 51412 paneles fotovoltaicos ubicados sobre estructura fija. Todos los
mdulosnopresentanlasmismascaractersticaselctricas,nipresentanlamismarespuesta
elctricadadoquesehanutilizadoseismarcasdemodelos,conuntotaldeochopotencias
diferentes. Con los resultados obtenidos de esta planta solar, elegiremos el tipo de panel
que ofrezca una mejor respuesta elctrica, sirvindonos de ensayo en nuestra instalacin
experimental. Adems, se pretende hacer un estudio comparativo con los resultados
experimentalesylosobtenidosenlaplantaparaestemodelodepanel.

Lasegundainstalacinfotovoltaicaconstade4464panelesfotovoltaicosmontadossobrela
cubierta de una instalacin agroenergtica (invernadero), alcanzando 1 MW de potencia
nominal.Estanuevaaplicacinfotovoltaicaconllevaqueelpanelfotovoltaicoseencuentre
cercanoalacubiertadelinvernadero,permitiendolatransferenciadelcalorinternohaciael
mduloyviceversa.Losmdulosutilizados,sonlosquemejorrespondanelctricamentea
altas temperaturas, en la instalacin anterior, pero an as se vern afectados en esta
configuracin.Unprototipoqueenglobeunaunidadestructuraldetodalainstalacinycon
idnticasmagnitudesymateriales,hasidoconstruidoparaestudiarlainfluenciatrmicaen
suproduccinelctricaascomootrasposiblesconfiguracionesquelamejoren.

3.1.1 PLANTASOLARCORONILII
La planta fotovoltaica Coronil II, alojada sobre estructura fija, alcanza los 10 MW de
potencia nominal, estando formada por 51412 paneles fotovoltaicos con potencias
comprendidas entre los 175 Wp y los 280 Wp. El parque solar fotovoltaico est formado
por6agrupacionesde1600kW.Cadaunadeestasagrupacionescuentacon4inversores
de400kWdepotencianominalyuncentrodetransformacin15/0.4kVcompuestopor
dostransformadoresde1000kVA.Ademsexisteunasptimaagrupacinconuninversor
de400kWyuncentrodetransformacin15/0.4kVconunapotenciade630kVA.

Aspues,laplantacuentacon7centrosdetransformaciny13transformadores.Launin
de los centros de transformacin es en forma de doble anillo, conectados mediante una
lneasoterradademediatensina15kV.Elanillosecierraenceldasdelneadelanueva
subestacinElCoronilparaconectarseconlareddeSevillanaEndesa.


100

3.1INSTALACIONESFOTOVOLTAICASENEXPLOTACIN

Figura3.1PlantafotovoltaicaElCoronilII.

3.1.1.1 CAMPOFOTOVOLTAICO
La energa elctrica producida por los paneles fotovoltaicos en corriente continua es
transformadaencorrientealternaporlosinversores.Lareddebajatensinseuneenel
centrodetransformacindondeserealizalaconversina15kV.

Los mdulos fotovoltaicos estn orientados al Sur, con una inclinacin respecto a la
horizontalde30paraconseguircaptarelmximoderadiacinsolaralolargodetodoel
ao.Todoslospanelesestnmontadossobreunossoportesquetienenunaalturatotal
entre1.7my2.1m,quedandolaparteinferiora30cmdelsuelo.

Debido a que el terreno donde se van a implantar las estructuras es de pendiente


variable, las filas de paneles se sitan a una distancia entre s diferente en funcin de
dicha pendiente. Esta separacin queda justificada de manera que se garantiza un
mnimode4horasdesolentornoalmediodadelsolsticiodeinvierno.

Sehaninstaladocincomarcasdistintasdemdulosfotovoltaicos,Sharp,Suntech,Yingli,
ET, SolarWord. En total se dispone de seis modelos distinto de paneles, con ocho
potencias. La suma de paneles de la planta fotovoltaica alcanza las 51412 unidades,
estando cada uno de ellos localizado y con su correspondiente flash report. A
continuacin se muestra las principales caractersticas elctricas de cada uno de los
modelosdepanelesinstalados:

101

CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE

MARCA MODELO Potencia(Wp) Voc(V) Isc(A) Vmp(V) Imp(A)


NT175E1 175 44.4 5.40 35.4 4.95
Sharp
UN180 180 30 8.37 23.7 7.6
SolarWorld SW210 210 36.4 7.8 29 7.2
STP260 260 44 8.09 34.8 7.47
Suntech STP270 270 44.5 8.2 35 7.71
STP280 280 44.8 8.33 35.2 7.95
ET ETP672270 270 43.63 8.10 36.4 7.42
Yingli YL220 220 36.6 8.10 30 7.4
Tabla3.1Caractersticaselctricasdelosdiferentesmodelosdepanelesinstaladosenlaplantafotovoltaica
ElCoronilII

Finalmenteindicaracercadelcampofotovoltaico,queladistribucindelnmerototalde
paneles (51410) y la potencia instalada (11420 kWp) segn cada modelo de panel es la
siguiente:

MARCA MODELO Nmero Potenciainstalada


paneles (kWp)
NT175E1 9000 1557
Sharp
UN180 7944 1431
SolarWorld SW210 4708 987.9
STP260 3132 814
Suntech STP270 5794 1566.6
STP280 1872 524.5
ET ETP672270 7344 1985
Yingli YL220 11616 2557
Tabla3.2Nmerototaldepanelesypotenciainstaladadecadamodelodepaneles

La configuracin del campo fotovoltaico con los diferentes modelos de paneles y su


potenciapicoconcadainversorycentrodetransformacinseincluyeenelAnexoB.

3.1.1.2 ESTRUCTURASOPORTE
Las estructuras soporte son instalaciones modulares de perfiles atornillados de acero
galvanizado,instaladasenelsuelosobreunacimentacin.Laestructuraestconectada
elctricamentealatomadetierrageneraldelaplanta.

Segneltipodepanelutilizado,lasestructuraspresentan4o3metrosdehipotenusa.La
cimentacinsehallevadoacaboconpilotesde30cmdedimetroparalapataposterior
delasestructurasde4metrosdehipotenusa.EnlaFigura3.2semuestranlassecciones
delasestructurasutilizadas.


102

3.1INSTALACIONESFOTOVOLTAICASENEXPLOTACIN


Figura3.2Estructurasoportedelospanelescon3y4metrosdehipotenusarespectivamente

3.1.1.3 INVERSORES
Losinversoresinstaladossontrifsicosde400kW,modeloSiemensSinvertsolar420M,
que disponen de un sistema de control que le permite un funcionamiento
completamente automatizado. Durante los periodos nocturnos el inversor permanece
parado,vigilandolosvaloresdetensindelaredquealimentaaledificioydelgenerador
fotovoltaico. Al amanecer, la tensin del generador fotovoltaico aumenta y pone en
funcionamientoelinversorquecomienzaainyectarenergaalared.

La ventilacin de los edificios de inversores es un aspecto relevanteen su rendimiento,


por eso lleva incorporado un sistema de refrigeracin por conveccin natural y forzada
contermostatoselectrnicosproporcionalquecontrolalavelocidaddelosventiladores.

La conexin entre inversores es del modo maestro/esclavo, de forma que si uno de los
inversorestrabajaaunrendimientoinferioral40%,todalaenergarecibidaescedidaa
unodeellos.

3.1.1.4 PROTECCIONES
La instalacin est protegida contra contactos directos, de manera que los elementos
activossoninaccesibles.Conelfindeprotegerlainstalacindecorrientecontinuafrente
asobreintensidades,sehanutilizadoencadasectordelainstalacinelementosdecorte
yproteccin.

En la parte de alterna, se han instalado interruptores generales magnetotrmicos por


cada inversor y cuadro de proteccin. Tambin se ha dotado al sistema de proteccin
diferencialparalaproteccinfrenteacontactosindirectos.

103

CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE

3.1.1.5 REDDEMEDIATENSIN
Lalneainternasubterrneademediatensina15kVtieneporobjetolainterconexin
enanillodelossietecentrosdetransformacin.Laseccindetodalalneasubterrnea
esde240mm2ycon2,640mdelongitud,siendoelcabledeltipoHEPRZ1ytrabajandoa
unatensinde15kVyfrecuenciade50Hz.

ElpuntodeconexinconlaSevillanaEndesaparaelaccesode10,000kW,seestablece
enlasceldasdeentradadelladode15kVdelanuevasubestacinelctrica66/15kVEl
Coronil.Lalneatienesuorigenenunaceldadelneadedichasubestacinysecierraen
otraceldadelneadeigualescaractersticas,ubicadaenelmismolugar.

3.1.1.6 REGISTRODELOSDATOSENLAPLANTAFOTOVOLTAICA
La toma de datos de irradiancia se realiza a travs de una clula calibrada en el plano
horizontalytresclulasenplanoinclinadosituadasendiferentesposicionesenlaplanta.
La temperatura ambiente es medida por una sonda de temperatura de aplicacin
meteorolgica y la temperatura del mdulo se mide a travs de seis termopares
instaladosenlaparteposteriordecadaunodelosdiferentestiposdepaneles.

Enlasiguientefigurasemuestralaradiacinsolarmedidaenelplanodecaptacinyla
temperaturaambienterecogidaenelmesdeMarzode2009.

Figura3.3Radiacinsolarmedidaenelplanodecaptacinytemperaturaambienteregistradaduranteelmes
deMarzode2009.

Como se describi previamente, la instalacin solar fotovoltaica est constituida por


diferentesmodelosdepanelesfotovoltaicos,condiferentescaractersticaselctricas,por
consiguientelaproduccinelctricayrendimientodecadaunodifiere,bajolasmismas
condicionesambientaleslaFigura3.4representalavariacindelrendimientotericode
cadatipodepanelinstaladoenlaplantaenfuncindelatemperaturaambiente.


104

3.1INSTALACIONESFOTOVOLTAICASENEXPLOTACIN


Figura3.4VariacindelrendimientotericodedecadamodelodepanelPVenfuncindelatemperatura
ambiente.

Se puede apreciar que el rendimiento de los diferentes tipos de mdulos fotovoltaicos


disminuyeconlatemperatura,talycomoseestudienelcaptuloanterior,perolatasa
de disminucin no es la misma para cada uno, dado que presentan caractersticas
elctricas diferentes. Los paneles fotovoltaicos ET 270 son los que responden con un
mejorrendimientotericoparaaltastemperaturas,seguidosdelosYingli220,Suntech
270,SolarWorld210yporltimolosSharp.

Porestarazn,enlaampliacindelaplantaascomofuturasinstalaciones,elmodelode
paneles instalados son los ET 270, con mejor respuesta elctrica a altas temperaturas
ambiente.Porelmismorazonamiento,sonlospanelesquesehanutilizadosyanalizados
enlasinstalacionesexperimentalesmontadas,talycomosedescribirnposteriormente.
Adems, el posterior anlisis de los datos de la planta y de las instalaciones
experimentales, se centra en el comportamiento elctrico de este modelo de mdulos
fotovoltaicos.

3.1.2 PLANTASOLARCORONILIVENINSTALACINAGROENERGTICA
La planta fotovoltaica Coronil IV, montada sobre la cubierta de la instalacin
agroenergticademismonombre,alcanza1MWdepotencianominal,yestformadapor
4464 paneles fotovoltaicos ET de 270 Wp. El parque solar fotovoltaico est formado por
dosagrupacionesde602.64kWpconectadascadaunadeellasaunamquinadeinversor
de 500 kW de potencia nominal. La instalacin cuenta con un Centro de Transformacin
0.4/15kVcompuestopordostransformadoresde630kVA.

La red de evacuacin que se disea tiene por objeto la conexin del Centro de
Transformacindelaplantaconunalneasoterradade15kVsituadaenlalocalidaddeEl
Coronil,medianteunalneaelctricaendoblecircuitotiposubterrneoentubado,conuna

105

CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE

tensinde15kV,niveldeaislamientosegnlista2(MIERAT12),yunafrecuenciade50
Hz.Laseccindetodalalneaesde240mm2,concabledeltipoRHZ1AI18/30kV.

LacanalizacinestformadaporseistubosdePVCde200mm2,demaneraquedostubos
pertenecenalafuturalneadeevacuacindelaplantaCoronilV,mientrasqueotrosdos
tubos restantes se utilizan para el doble circuito de esta instalacin, dejando dos tubos
adicionalesdereserva.


Figura3.5InstalacinagroenergticaElCoronilIV

3.1.2.1 CAMPOFOTOVOLTAICO
La energa elctrica producida por los paneles fotovoltaicos en corriente continua es
transformadaencorrientealternaporlosinversores.Lareddebajatensinseuneenel
centrodetransformacindondeserealizalaconversina15kV.

La estructura que forman las instalaciones agropecuarias est compuesta por mltiples
prticosconcubiertaadosaguasyunpilarinterior,transversalmenteestnunidospor
vigas, sobre las que se apoyan los dinteles. Sobre uno de los faldones se instala un
sistemadecorreas,yseconsiderafijo.Elotrofaldnnofijo,sepuedeabrirporloqueno
cuentaconsistemadecorreas.Laseparacinentreprticosapoyadossobrepilaresesde
6m,entredintelesde2m.


106

3.1INSTALACIONESFOTOVOLTAICASENEXPLOTACIN


Figura3.6Distribucindelospanelesenlacubiertadelainstalacinagroenergtica.

Las uniones se realizan a modo de articulacin. El dintel sobre el que se apoyan los
faldones salva una luz de 3.000 m con un ngulo de 18.43 y se prolonga 1.03 m de
voladizo,deformaquesulongitudtotalesde4.200m.

Eldinteldelladoopuestosalvaunaluzde4.600mytieneunalongitudde4.707m.La
uninalosdospilaresserealizamediantearticulaciones.

Lospilarestienenunalongitudde3y4m.Losmscortosseencuentranempotradosen
labaseyarticuladosenlauninconambosdinteles.Lospilareslargosestnempotrados
ensuuninconlacimentacinyarticuladosenlauninconambosdinteles.

El sistema de correas consta de 8 correas en el faldn fijo, disponiendo de juntas de


dilatacincada30metrosconelfindeasegurarladiscontinuidaddelascorreas.

Laestructuratieneunsistemadearriostramientolateralalolargodesuscaraslaterales,
y adems un arriostramiento interior en los casos en que el nmero de prticos
consecutivosseasuperioracinco.

107

CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE


Figura3.7Alzadodelaestructuradelainstalacinagropecuaria.

Los paneles fotovoltaicos instalados en la cubierta de la instalacin se corresponden al


modeloET270Wp,cuyascaractersticassehandescritoenelapartadoanterior.

3.1.2.2 INVERSORES
Lainstalacinpresentaunnicoinversortrifsico,compuestopordosmquinasidnticas
de500kWcadauna.ElmodelodelinversoresSiemensSinvert1000MSTL.

Esta disposicin, supone la divisin de la Planta en dos agrupaciones, una por cada
mquinade500kWdelinversor,quedandoagrupadosenunedificio.Juntoaledificiose
ubicauncentrodetransformacindotadodedostransformadoresde630kVA.

La conexin entre inversores es del modo maestroesclavo, de forma que si uno de los
inversorestrabajaaunrendimientoinferioral40%,todalaenergarecibidaescedidaa
solounodeellos.

3.1.2.3 PROTECCIONES
La instalacin est protegida contra contactos directos, de manera que los elementos
activossoninaccesibles.Conelfindeprotegerlainstalacindecorrientecontinuafrente


108

3.1INSTALACIONESFOTOVOLTAICASENEXPLOTACIN

asobreintensidades,sehanutilizadoelementosdecorteyproteccinencadasectorde
lainstalacin.

Enlapartedealterna,seencuentraninstaladosinterruptoresgeneralesmagnetotrmicos
porcadainversorycuadrodeproteccin.Tambinsehadotadoalsistemadeproteccin
diferencialparalaproteccinfrenteacontactosindirectos.


Figura3.8Esquemaunifilardelainstalacin.

3.1.2.4 REDDEMEDIATENSIN
Lareddiseadatieneporobjetolaconexindelcentrodetransformacindelaplanta
fotovoltaica El Coronil IV con una lnea soterrada de 15 kV situada enla localidadde El
Coronil, mediante una lnea elctrica en doble circuito tipo subterrneo entubado, con
unatensinde15kV,niveldeaislamientosegnlista2(MIERAT12),yunafrecuenciade
50Hz.Laseccindetodalalneaserde240mm2,concabletipoRHZ1AI18/30kV.

La canalizacin estar formada por seis tubos de PVC de 200 mm, de manera que dos
tubospertenezcanalafuturalneadeevacuacindelaplantaElCoronilVmientrasque
otros dos tubos se utilizarn para el doble circuito de la lnea del presente proyecto,
dejandolosdostubosrestantesdereserva.

109

CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE

3.1.3 CONCLUSIONES(CONCLUSIONS)
Se han descrito las instalaciones fotovoltaicas comerciales que nos han servido de
prototipo para el diseo y montaje de las experimentales, construidas en la Universidad
PolitcnicadeCartagena.

Laprimerainstalacinsolarfotovoltaica,denominadaCoronilII,esunaplantade10MW
constituidaporuntotalde51412mdulosfotovoltaicosmontadossobreestructurafija.
Se ha descrito el campo fotovoltaico, distribucin y caractersticas de los paneles que lo
forman,laestructurasoporteyelementoselctricosdelainstalacin.Enestaplantasehan
utilizadomdulosdeseismarcasdiferentes,conuntotaldeochopotenciasdistintas.Con
losdatosproporcionadosdelainstalacin,sehaelegidoelmodelodepanelqueofreceun
mejorcomportamientoelctrico,siendosteelquesehautilizadoennuestrainstalacin
experimental. Los datos recogidos en la planta fotovoltaica, durante los meses de Mayo,
Junio,JulioyAgostode2010,sehanfiltradoparaestudiaryanalizarlasvariableselctricas
de los mdulos fotovoltaicos del mismo modelo y caractersticas a los utilizados en las
instalaciones experimentales, bajo unas condiciones ambientales similares de
funcionamiento, con el fin de comparar el funcionamiento de los mdulos en ambas
instalaciones.

La segunda instalacin fotovoltaica descrita (Coronil IV), corresponde a una planta


agroenergticade1MWdepotencianominal,conuntotalde4464panelesfotovoltaicos
montados sobre la cubierta del invernadero o instalacin agroenergtica. Los mdulos
fotovoltaicos se corresponden al mismo modelo elegido en la instalacin anterior. Del
mismo modo se ha descrito la distribucin del campo fotovoltaico, caractersticas de los
mdulos,estructuradelainstalacinysusprincipaleselementoselctricos.Estaaplicacin
fotovoltaicaimplicaqueelmduloseencuentrecercanoalacubiertadelinvernadero,lo
que cuestiona si las altas temperaturas del interior del invernadero afectan al modulo,
debidoalatransferenciadecalor.Porestemotivo,unprototipoqueenglobaunaunidad
estructural de toda la instalacin, con las mismas caractersticas y materiales, ha sido
diseado y construido con el fin de estudio. Adems se ha modificado la configuracin
original,modificandolaseparacinenelcanalbajolosmdulosyelmaterialdelacubierta
paracompararelcomportamientodelospanelesfotovoltaicos.

CONCLUSIONS

The commercial photovoltaic systems which have been used as prototype for the design
andbuildoftheexperimentalfacilitywerestudiedandaredescribedinthissection.

Thefirstsolarphotovoltaicsystem,referredtoasCoronilII,isasolarplantwhichreaches
10MWofnominalpowerandismadeupof51412photovoltaicpanelsgroundmounted
on a fixed structure. The study includes the description of the photovoltaic plant,
characteristics and distribution of the photovoltaic modules, and the base structure and

110

3.1INSTALACIONESFOTOVOLTAICASENEXPLOTACIN

the electric elements which take part in the plant. This plant has six different makes of
modules, with a total of eight different levels of power. Using data from the solar plant
from the different panel models, one of them was selected due to it providing better
electricalbehaviorathightemperature.Thisistheonethatwasusedinourexperimental
facilities. The collected measured data in the photovoltaic plant, in the months of May,
June,JulyandAugust2010,werescreenedtostudyandanalyzetheelectricalvariablesof
PV modules. These had the same model and features to those used in experimental
facilities, under similar environmental conditions of operation. This process was done in
ordertocomparetheperformanceofthemodulesatbothfacilities.

Theothercommercialphotovoltaicsystem(CoronilIV)isanagroenergeticorphotovolatic
greenhousewith1MWofnominalpowerandismadeupof4464photovoltaicmodules
whichareplacedontheroofofthegreenhouse.Themodulesarethesamemodelaswhat
was chosen from the other plant. Similarly, the description and distribution of the
photovoltaic system, the design of the structure which supports the panels, and the
electrical elements were added. This photovoltaic application implies the modules were
neartheplasticroofofthegreenhouse,sothehightemperaturesreachedinsideitcould
affectthepanelbehaviorduetotheheattransferbetweeninsideandtheairchannel.For
this reason, an experimental facility had been designed and built in order to study this
influence.Moreover,thespaceoftheairchannelandtheplasticoftheroofweremodified,
resultinginadifferentconfigurationforcomparison,andfinally,thechoosingoftheone
whichprovidedthebestelectricalfunctionalityofthepanels.

111

CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE

3.2 INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS

Este apartado est dedicado a la descripcin de las instalaciones fotovoltaicas


experimentales, diseadas para el estudio y anlisis del comportamiento elctrico de los
paneles fotovoltaicos. Se presentan las diferentes configuraciones ensayadas para cada
instalacin, planteadas con el fin de estudiar la posible mejora en el comportamiento
elctrico de los mdulos fotovoltaicos mediante la refrigeracin con aire en su cara
posterior,aprovechandoelefectochimeneaporconveccinnaturalyforzada.

Laubicacindeambasinstalacionesfotovoltaicasdeensayoeslacubiertadelosaulariosdel
CampusAlfonsoXIIIdelaUniversidadPolitcnicadeCartagena,dondeademsseencuentra
la estacin meteorolgica utilizada en el registro de los datos que nos informan de las
condicionesambientales.

La instalacin fotovoltaica sobre cubierta metlica engloba dos configuraciones, una


medianterefrigeracinporconveccinnaturalyotraporconveccinforzada.Cadaunade
ellas engloba diferentes casos, diferencindose en la separacin existente entre el panel
fotovoltaicoylacubiertametlica.Contodasellas,sepretendeestudiarelcomportamiento
elctrico del panel en cada caso, comparando las configuraciones para determinar la ms
idnea y desarrollar un modelo experimental que nos determine la temperatura de
funcionamientoysurendimientoenfuncindelasvariablesinfluyentes.

Sin embargo, la instalacin sobre la cubierta de invernadero ha sido diseada para la


refrigeracin por conveccin natural. Esta configuracin se ha estudiado tambin para
diferentesseccionesdepasodeaire,variandolaseparacinexistenteentrelosmdulosyel
plstico.Adems,sehaincorporadounmaterialaislantesobreelplstico,paracadaseccin
depasoparapoderanalizarlaconfiguracinmsadecuada.

Toda la instrumentacin utilizada para la toma y registro de los datos requeridos para el
anlisisdecadainstalacin,sehadescritoenesteapartado.

3.2.1 INSTALACINFOTOVOLTAICAEXPERIMENTALSOBRECUBIERTAMETLICA
Conelfindeestudiarelcomportamientoelctricodelospanelesfotovoltaicossobreuna
cubierta metlica para diferentes condiciones de refrigeracin con aire por su cara
posterior, se ha diseado una instalacin experimental que consta de dos mdulos de
iguales caractersticas. Ambos se fijarn a una misma estructura soporte, con la misma
inclinacin y bajo las mismas condiciones ambientales, sin embargo slo uno de ellos se
colocarsobreunasuperficiemetlica,creandouncanaldeaireentreambassuperficies.
Con ello, tendremos un panel fijo de referencia, para comparar el comportamiento de
ambosparalasdiferentesconfiguracionesensayadas.


112

3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS

La tcnica de refrigeracin estudiada consiste en la utilizacin de aire como fluido


caloportador, circulando por el conducto creado entre la cara posterior del panel y la
cubiertametlicaaprovechandoelefectochimeneacreadoporconveccinnaturalyen
conveccinforzadaporunventilador.

El estudio de esta instalacin en conveccin natural se centrar en analizar el


comportamiento de las variables elctricas entre ambos mdulos fotovoltaicos, el de
referencia y el panel sobre la cubierta metlica y la mayor o menor influencia de la
temperaturadefuncionamientodelpanelencadacaso.Adems,seanalizarnlasvariables
elctricasytemperaturasparadiferentesseccionesdepasodeaire,conelfindeconocerla
configuracin que permita una mayor refrigeracin y por ende una mejora en el
rendimiento.

Unavezestudiadaenconveccinnatural,larepercusindelatemperaturadelpanelenla
produccinelctricaalestaremplazadosobreunacubiertadependiendodelaseccinde
paso,seestudiarycompararnlosmismoscasosenconveccinforzada.Unventiladorse
encargardeimpulsarelaireporelcanaldesdelaparteinferiormedianteelacoplamiento
deunatoberametlica,paracadaunadelasseccionesensayadasenconveccinnatural.
Con esta configuracin se pretende comparar la evolucin de las temperaturas y las
variableselctricasentreelpaneldereferencia(aisladoybajolascondicionesambientales)
y el panel sobre la cubierta metlica refrigerado por conveccin forzada para diferentes
secciones de paso de aire. Cada seccin se ha ensayado a tres regmenes de
funcionamientodelventilador,fijandotresvelocidadesforzadasdelaireenelcanalpara
poderestudiarsuinfluenciaenlarespuestaelctricadelpanelfotovoltaico.

Por ltimo, se llevar a cabo un estudio comparativo de todos los resultados obtenidos
para ambas configuraciones, conveccin natural y forzada, analizando la influencia de
variables tales como el espesor del canal de aire y la velocidad forzada sobre la
temperaturayeficienciaelctricadelpanel,comparndoloconelpaneldereferenciapara
as poder elegir la configuracin ms idnea y poder caracterizar su comportamiento
obteniendocorrelacionesexplicitas.

3.2.1.1 DISEOCONSTRUCTIVODELAINSTALACIN
Lainstalacinexperimentaldiseadaconsisteenunaestructurabaseyotrasoportepara
fijar los paneles fotovoltaicos que se pretenden ensayar, para una geometra dada. Los
dos paneles se soportan en una estructura tal y como se presenta en la Figura 3.9. La
estructura soporte consta de unos perfiles L35 de acero galvanizado y dos pletinas
simtricas de 50. En su parte inferior se ubican dos bisagras que permitirn fijar los
soportesaunaestructurabasequesedescribirposteriormente.Estossoportesfijosen
suparteinferior,permitenvariardeinclinacinatravsdeunasbarrastirantesfijadasen

113

CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE

su lateral, atornillndolas en distintas posiciones a la estructura base, consiguiendo


adoptarlainclinacindeseada.


Figura3.9Estructurasoportedelpanel.Medidasencm.

Los paneles fotovoltaicos fijados mediante tornillos a sus soportes, se colocan sobre una
estructura base que los elevar unos 750 mm del suelo, como se aprecia en el siguiente
croquis (Figura 3.10). La base est construida con perfiles de 30x30 mm de acero
galvanizadoyenellasefijarnlosdosmdulosfotovoltaicos.Enelalzadoseaprecianlas
bisagrasquefijanlaestructurasoportedelospanelesaellayenlaplanta,laubicacinde
lostirantesqueatornilladosdarnlainclinacinalospaneles.


Figura3.10Alzadoyplantadelaestructurabase.Medidasencm.



114

3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS

La estructura definida, ha sido diseada con el fin de fijar y soportar los paneles
fotovoltaicos, permitindoles adoptar diferente inclinacin respecto la horizontal y
adicionalmenteconseguirelevarlosdelsuelo,paraevitarcualquierinfluenciatrmicadela
superficieinferior,consiguiendoasqueambosseencuentrenigualmenteventilados(por
elvientoexterior)ybajolasmismascondicionesambientales(Figura3.11).


Figura3.11Fotografasdelaestructurasoporteybasedelainstalacinfotovoltaicaexperimental.

Comosehamencionado,lainstalacinfotovoltaicadeensayoconstadedosmdulos,uno
de ellos lo designaremos como Panel A y otro como Panel B. Ambos paneles de silicio
policristalino, se corresponden al modelo ET P672270, el mismo modelo utilizado en las
instalacionesfotovoltaicasenexplotacin,descritasenelapartadoanterior.Cadamdulo
tieneunasdimensionesde2000x1000x50mm,ysuscaractersticaselctricasseincluyen
enlasiguientefigura.

115

CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE


Figura3.12Caractersticasdelosmdulosfotovoltaicosutilizadosenlainstalacin.

ElPanelAseencuentrasobrelaestructuraquelosostiene,quedandototalmentelibrepor
su cara posterior de cualquier superficie. El comportamiento elctrico de este panel as
comolatemperaturaquealcancesetomadereferencia,comolatemperaturanormalde
funcionamiento de un panel fotovoltaico libre sobre estructura fija, dado que no est
instalado sobre ninguna cubierta y no le puede afectar la temperatura de ningn slido
cercano,nicamenteseverafectadoporlascondicionesambientales.

En cambio, el mdulo fotovoltaico designado como Panel B, ubicado tambin sobre la


estructurasoportepresentaunaplanchetametlicaenlaparteposteriordelmdulo,de
pequeo espesor que simula la cubierta de cualquier vivienda o nave industrial. Esta
plancheta se calentar conforme aumente la temperatura ambiente y la del mdulo
fotovoltaico, por lo que existir un intercambio de calor entre sta y el mdulo, lo cual
originar un aumento de la temperatura de funcionamiento del panel fotovoltaico.
Estudiaremos el efecto de esta temperatura en el mdulo, en su rendimiento elctrico y
potencia generada, y tambin analizaremos su comportamiento elctrico utilizando
diferentes mtodos de refrigeracin mediante conveccin natural y conveccin forzada,
creando un canal de aire entre el panel y la plancheta metlica. Para ambas
configuraciones, conveccin natural y forzada, cuatro secciones de paso de aire se han
estudiado, aumentando la separacin entre ambas superficies. La seccin 1 es para una
separacinde7.5cmentremduloyplanchametlica,laseccin2de10.5cm,laseccin
3de13.5cmyporltimolaseccin4de16.5cm.


116

3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS


Figura3.13InstalacinfotovoltaicaexperimentalconstituidaporPanelAelizquierdoyPanelBelderechoen
conveccinnatural.

En la primera configuracin ensayada, conveccin natural, estudiaremos el


comportamiento elctrico de ambos paneles, variando la seccin de paso de aire bajo el
panel B. Con los resultados obtenidos, se estudiarn las variables elctricas de ambos
paneles y as poder estudiar la influencia trmica, al estar colocado sobre una cubierta
metlica(panelB),comparndoloconelpanelAyadems,elegirlaseccindelcanalde
airequepermitaunamayorrefrigeracindelpanelyconello,mejorrendimiento.

Para ensayar la segunda configuracin, conveccin forzada, utilizaremos los mismos


sensoresdemedidaqueenconveccinnatural,peroademsseprecisadeunventiladorde
aspiracin(TD4000deSoler&Palau)paraforzarelmovimientodelaireenelcanal,entre
elmduloylaplanchetametlica.ElventiladorsesitaenlaparteinferiordelpanelBque
medianteunatoberametlicaharemoselacoplamiento,intentandoqueelflujosealoms
uniformementeposible(Figura3.14).Porellosehandiseadotrestoberasdiferentes,para
elperfectoajustealastresseccionesdepasoensayadas,quecorrespondenalaseccin2
(10.5 cm de separacin), la seccin 3 (13.5 cm) y seccin 4 (16.5 cm) estudiadas en
conveccinnatural.ElpanelA,noserefrigeraporconveccinforzada,quedandosiempre
fijoalaestructurasinningunasuperficieinferior,considerndolocomodereferencia.

117

CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE


Figura3.14InstalacinfotovoltaicaexperimentalconstituidaporPanelAelizquierdoyPanelBelderechoen
conveccinforzada.

Paracadaunadelastresseccionesderefrigeracindeaire,sehanrealizadotresensayos
correspondientesatresvelocidadesdiferentesdelventilador.Unreguladordevelocidad,
conectado en serie ente el ventilador y su toma de corriente, nos ha permitido fijar tres
regmenes de funcionamiento del ventilador proporcionando diferentes velocidades del
aire en el canal. Las velocidades fijadas, que se han ensayado son de 3 m/s, 4.5 m/s y 6
m/s.

La instalacin experimental ha sido instrumentada con diferentes sensores y aparatos de


adquisicin y registro de los datos necesarios para el anlisis, cuyas especificaciones
tcnicassedetallarnmsadelante.Acontinuacin,sedescribirnlossensoresutilizados
ascomosuubicacinenlainstalacinysufinalidad.

LatemperaturadeambospanelesesmedidamediantecincosondasdetemperaturaPT100
adhesivasydecuatrohilos,colocadassimtricamenteyencontactoconlacaraposterior
decadamdulo.LascorrespondientealpanelAsedenominancomoA1,A2,A3,A4yA5y
lasdelpanelBcomoB1,B2,B3,B4yB5.Conlascincosondasadheridasacadapanel,se
pretendeconocerladistribucindelatemperaturadelpanel,paraasconocerlamayoro
menoruniformidadtrmicayadems,poderobtenerelvalormedioqueconsideraremos
en el anlisis como el valor experimental de la temperatura de funcionamiento de cada
panel.

En el canal de aire entre el panel B y la plancha metlica se ubican cuatro sondas de


temperatura, dos en la entrada (S3 y S4) y otras dos en la salida (S1 y S2), colocadas
simtricamente.Estassondasnosinformarandelatemperaturadelaireenelcanal,tanto


118

3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS

en la entrada como en la salida. El caudal de aire se puede calcular mediante los dos
anemmetros (AN1 y AN2) que miden la velocidad del aire a travs del conducto de
seccin contante, tanto en conveccin natural como en forzada. Estos anemmetros se
hancolocadodentrodelcanal,enunaseccinqueseencuentraa1.50mdesdelaentrada
delaireylosuficientementeintroducidosenelcanal(a0.35mdelbordedelpanel)para
evitarlosefectosdelaparedenladistribucindevelocidades.

Por ltimo nos queda citar los sensores que nos informan de la temperatura de la
planchetametlica.Ochosondasdetemperaturaadhesivassimilaresalasutilizadasenlos
paneles,sehanfijadosimtricamenteensucarasuperior,denominadasPC1,PC2,PC3,...,
PC8.

En la siguiente figura se muestra la ubicacin de todos los sensores mencionados,


encargados de medir las variables termodinmicas correspondientes a los paneles y el
canaldeairecreadobajoelpanelB.

PanelA PanelB Planchametlica

A2 A1 B2 B1 PC2 PC1
X X X X X X
S2 S1
PC7
AN2 AN1 X
A3 B3 PC4 PC3
X X X X
PC8
X
A4 A5 B4 B5 PC6 PC5
X X S4 X X S3 X X

Figura3.15Representacindelaubicacindelossensoresdemedidaenlospanelesycubiertametlica.

Laradiacinsolarsemideconunpiranmetrocolocadosobrelaestructurasoportedelos
paneles,partesuperioralpanelA,conelfindequeseencuentreconlamismainclinacin
que los mdulos (Figura 3.14). Junto a la instalacin experimental, se dispone de una
estacin meteorolgica que nos proporciona los valores de la velocidad y direccin del
viento,temperaturayhumedadambiental,radiacindifusayglobal.Estasvariablessern
igualmenteregistradasparaelposterioranlisis.

Unoselosobjetivosdeestetrabajo,esestudiarelcomportamientoelctricodelospaneles
fotovoltaicos para diferentes configuraciones. Para ello, necesitamos medir las variables
elctricas caractersticas tales como, tensin de circuito abierto (Voc), intensidad de

119

CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE

cortocircuito (Isc), punto de mxima potencia (Pm) y sus correspondientes valores de


tensin e intensidad (Vmp, Imp). Personal docente e investigador del Departamento de
TecnologaElectrnicadiseyfabricunacargaoreguladorelectrnicodiseadoparatal
fin.Estacargarecibelaenergageneradaporelpanelencadainstante.Lacargapermite
variarlaresistenciainterna,paraobtenerlosparesdevaloresdetensineintensidadque
definenlacurvacaractersticadecadapanel.Pulsandounossegundoelbotndisparo,se
creaelcortocircuitoparaobtenerlaIsc ,laresistenciavaaumentandoconsiderablemente
hastaquesellegaalcircuitoabiertoVoc.Conunafrecuenciaaltademuestreo,seobtienen
los pares de puntos que definen la curva caracterstica, de entre los cuales podremos
identificarelpuntodemximapotenciaPm.

Todaslasvariablesmedidas,sonregistradasporelsistemadeadquisicindedatosoData
Loggerconectadoalordenador.Seutilizarelsoftwareproporcionadoporelsistemapara
elregistrodetodaslasvariables,creandodosconfiguracionesparaelregistrodelosdatos.
Unadeellasquerecojalasvariablestermodinmicasyotralaselctricasdelospaneles,ya
quelafrecuenciademuestreoesdiferente.

3.2.1.2 DESCRIPCINDELAINSTRUMENTACINUTILIZADA
A continuacin se va a detallar la instrumentacin empleada en la instalacin
experimental,paraellosevaahacerunadiferenciacinentre:

A)Condicionesambientales:aquellosinstrumentosquenospermitenobtenerlosvalores
deradiacinsolaryotrasvariablesmeteorolgicasrepresentativas.

B)Variablesdeoperacin:medicindelosparmetrospropiosespecficosqueposibilitan
lacaracterizacindelainstalacinexperimentaldeestudio.

El emplazamiento de la instalacin experimental as como de los dispositivos para la


medicindelascondicionesambientaleseselmismo,enlaazoteadelAularioGeneraldel
CampusuniversitarioAlfonsoXIIIdelaUniversidadPolitcnicadeCartagena.

3.2.1.2.1 INSTRUMENTACINPARALAMEDIDADELASCONDICIONESAMBIENTALES

La estacin meteorolgica utilizada consta de una serie de aparatos de medida de las


siguientescondicionesambientales,necesariasparaelanlisis:

Humedadrelativa
Temperaturaambiente
Presinbaromtrica
Velocidaddelviento
Direccindelviento
Radiacinglobal


120

3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS

Radiacindifusa

En esta seccin describiremos cada uno de ellos, incluyendo sus principales


caractersticas.

TRANSMISORDEHUMEDADRELATIVAYTEMPERATURAAMBIENTE

Este transmisor (Figura 3.16) nos proporciona conjuntamente las medidas de


temperatura ambiente y humedad relativa. La medida de la temperatura se realiza
medianteunsensordetemperaturaPt1000,quesebasaenlavariacindelaresistencia
del platino con la temperatura. La humedad relativa se mide mediante un dispositivo
capacitivo HC1000 de estado slido, que cambia sus caractersticas elctrica
respondiendo a variaciones de humedad, de tal manera que al absorber la humedad
disminuye la capacidad. Estos cambios son detectados, linealizados y amplificados por
uncircuitoelectrnicosituadoenlasondaque,adems,compensalahumedadrelativa
conlatemperatura.


Figura3.16Fotografadeltransmisordehumedadrelativaytemperaturaambiente.

En resumen, la temperatura hace variar la resistencia de una sonda de platino,


mientrasquelahumedadrelativavaralaspropiedadesdielctricasdelmaterial.
PrincipiodeOperacin

Este aparato de medida, como se ha mencionado previamente, comprende dos


sensores,temperaturaambienteyhumedadrelativa,porconsiguientelosprincipios
defuncionamientodecadaunosondiferentes.

MEDIDADELATEMPERATURA

Para obtener el dato de la temperatura los transmisores llevan incorporados un


detectordetemperaturaporresistencia(RTD)deplatino(PRTD),laPt1000claseA,
DDINEN60571.

121

CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE

ElRTDesunsensordetemperaturabasadoenelcambioderesistividadquesufren
lasestructurascristalinasdelosmetalesconlatemperatura,sucomportamientoes
aproximadamentelinealparaciertosmetales.

Un RTD se fabrica para tener un valor nominal R0 a una temperatura dada (por
ejemplo1000ohmsa0C).Almedirsuresistenciaaunatemperaturadesconociday
al compararla con R0 (valor que se debe ajustar el resistor de referencia), puede
conocerse la variacin dR. Como la caracterstica R=f(T) tambin es conocida, la
variacinderesistenciadTdesdeelpuntoinicialserconocida.


Figura3.17Curvascaractersticasdealgunosmetales.

El platino es el ms popular de stos, debido a su caracterstica muy cercana a la


linealidadenunrangoampliodetemperaturas,establealargoplazo.Elcostedelas
PRTDssevieronreducidosalimplementarseenpelculadelgada.

Lasprincipalescaractersticasencontradasenelplatinoson:

Estabilidadqumica;resistenciaalaoxidacinycorrosin.
Facilidaddemanofactura.
Disponibilidaddealambredealtapureza.
Buenareproducibilidaddecaractersticaselctricas(permiteelpoderreemplazar
elelementosensorsintenerquerecalibrarelinstrumento).
Valorestpicos:100,500,1000ohms.
Identificacin: Se identifican por el metal del que se componen (segn la tabla
peridica) y la resistencia que presentan a 0C. Ejemplo; Pt100, Ni120, Cu200,
etc.
Precision de los RTD (dada alrededor de los 0C, donde es mayor): Clase A es
0.15CyClaseBes0.30C.


122

3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS

MEDIDADELAHUMEDADRELATIVA

Para la medida de la humedad relativa se utiliza un sensor capacitivo. Los sensores


capacitivos son quizs los ms difundidos en la industria y meteorologa, pues son de
fcilproduccin,bajocosteyaltafidelidad.Elprincipioenelcualsebasaestetipode
sensor,esenelcambioquesufrelacapacidaddeuncondensadoralvariarlaconstante
dielctrica del mismo. Si se utiliza la mezcla gaseosa como dielctrico entre las placas
delcondensador,elvalordeesteestardeterminadopor:

(3.1)

Por lo que el valor de C del condensador va a variar dependiendo de la cantidad de


molculasdeaguaqueestnpresentesentrelasplacas.Enconsecuenciabastamedir,o
convertir el cambio de capacitancia, a otro tipo de variable elctrica ms fcil de
manejar,loanteriorsepuedelograrconunpuentedeWheatstonedecondensadores,o
un circuito resonante, o tambin utilizar el condensador como componente de un
osciladorestablequevarasufrecuenciadeacuerdoalcambiodeC.

La implementacin de este sensor puede ser de variadas formas, ya sea con placas
cilndricasconcntricasoplacasrectangularesparalelas.Tambinsepuedeemplearun
material higroscpico, para aumentar la concentracin de agua ente las placas. En la
Figura 3.18 Esquema de construccin del dielctricose aprecia un posible esquema de
construccin.


Figura3.18Esquemadeconstruccindeldielctrico

Seutilizaunadelasplacascomounalambreconductor,mientrasquelaotraesuna
malla fina de oro que permite el paso del gas, pero retiene impurezas. Como
dielctrico se utiliza un material higroscpico poroso (cermico) que rodea el
alambre, el cual absorbe el agua de la muestra, aumentando aun ms la constante
dielctrica del condensador, en proporcin a la humedad relativa existente. Las
relacionesentrelasvariablesfsicasquesonconsideradasenestesensorseaprecian
enlasiguientefigura.
123

CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE

Hr C Puente V
Material
Condensador Wheatstonede
Higroscpico
Condesnadores

Figura3.19Esquemadelarelacinentrelasvariablesenundielctrico.

Lasprincipalescaractersticasdelsensordemedidadehumedadrelativaytemperatura
ambiente,vienenrecogidasenlaTabla3.3

Temperatura Humedad
Ambiente Relativa
Modelo EE21FT1A56/T24
Fabricante E+EElektronik
Rango 090%
Tipodesensor Pt1000ClaseA HC1000
0,2a20C 2%hasta90%
Exactitud 0,4a0y 3%hasta
45C 100%
Histresis <2%HR
Temperaturadeoperacin 40a+60C
Dependenciadelatemperatura 0,06%HR/C
Salida 01Vcc 01Vcc
Alimentacin 1035Vcc
Temperaturadeoperacin 35a+70C 5%a100%
Tabla3.3Caractersticasdelsensordehumedadrelativaytemperaturaambiente.

Lanormativarecogequehayquerealizartresmedidasdetemperatura,ladeentraday
salida del colector y la de la temperatura ambiente, para la cual el sensor debe estar
sombreadodelaradiacinsolardirecta.Dadoqueennuestrocasonosconcierne,esto
seconseguirpormediodeunprotectoropantalladeradiacinsolar.

Eltransmisorllevacomoaccesoriounapantallaoprotectorderadiacinsolar,cuyofin
eseldeevitarqueenlatomademedidasdelahumedadrelativaydelatemperatura
afecte la radiacin solar. Actualmente existen dos tipos de apantallamiento, los que
funcionanconventilacinforzadaolosdeventilacinnatural,siendosteltimotipoel
quesedisponeenlainstalacin.

Este dispositivo de apantallamiento mltiple protege al sensor de temperatura de la


radiacindirectaydifusa,yaque,sistaincidiesedirectamentesobrel,seregistraran
medidasmuysuperioresalareal.SuefectosobreelsensordehumedadRelativaesel
de evitar la condensacin o la lluvia, eliminando el efecto de histresis que se
producira.


124

3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS


Figura3.20Dispositivodeproteccinalaradiacinsolar.

ElprotectorutilizadoesdelmodeloEE21,recomendadoparalautilizacinalairelibre
pues permite su uso en ambientes muy contaminados, puesto que posee una capa
especialdeproteccinparaelelementodedeteccin.Sudiseoestalquepermitela
ventilacinnaturalyfacilitaelaccesoalsensorparsumontajeydesmontaje.

TRANSMISORDEPRESINBAROMTRICA

Estetransmisor(Figura3.21)consisteenunbarmetroelectrnicoqueutilizaunsensor
piezoresistivocompuestoporunamembranacuyadeflexinnosproporcionaelvalorde
lamedidadelapresinatmosfrica.

Lasealdesalidadeestesensorestcondicionadaparaproveerunvoltajeocorriente
desalidalinealmenteproporcionalalapresinatmosfrica.


Figura3.21Transmisordepresinbaromtrica.

125

CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE

PrincipiodeOperacin

Su funcionamiento se basa en un sensor piezoresistivo, generalmenteest compuesto


por un chip de silicio grabado sobre una membrana (lamina de constante elstica
conocida).

Ennuestrocasosetratadeunamembranadematerialcermicoespecial,sobrelacual
existen cuatro resistencias de medicin dispuestas en un puente de Wheatstone. Esta
membranaessometidaporunladoaunapresindesconocidayporotroestabiertaa
laatmsfera,tomndoseportantolapresinatmosfricacomoreferencia.Estapresin
desconocida provoca la flexin de la membrana y por tanto una variacin de las
resistenciasproporcionalylinealalapresinaplicada.

LaFigura3.22reflejaladisposicinelctricadeunpuentedeWheatstone,siendoRxun
valor desconocido que queremos encontrar, mientras que R1, R2, R3 son valores
conocidos(R2esunvalorvariable).Conestecircuitosebuscaelequilibrio,esdecir,que
el valor de las resistencia R1 y R2 sean igual a Rx y R3 respectivamente. Con esto se
conseguirunestadodeequilibrio(nocirculacorrienteentrelospuntosAyB).


Figura3.22EsquemaelctricodelpuentedeWheatstone.


Enelestadodeequilibriosecumplelaecuacin:


(3.2)

AlamenorvariacindeRxsemodificaelestadodeequilibrioyademsseobtieneuna
salida proporcional a la variacin existente. Esta salida normalmente suele ser
amplificada.

LaFigura3.23muestraunejemplodeunsensorpiezoresistivo.Losmaterialesdelosque
estcompuestopuedenvariarenfuncindelfabricante.


126

3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS


Figura3.23Esquemadeunsensorpiezoresistivo.

Lasprincipalesventajasquepresentaelsensorpiezoresistivoson:

Linealidad: valor de la desviacin mxima de la curva caracterstica de la lnea


idealentreelpuntoceroyelpuntofinal.
Elevadaexactitud
Excelentecomportamientohistresis:entrminostcnicos,histresissignificala
diferencia de la seal de salida de presin de camino hacia el rango final de
medicinyretorno
Enlamedicindepresin,debidoalahistresis,elmanmetropuedevisualizar
unvalordiferenteenelmismopuntodelcaminodesubida(haciaelvalorfinal
delrangodemedicin)queenelretorno(haciaelpuntocero).

Comodesventaja,podemosdestacarsupequeotamaoqueloconvierteenbastante
susceptible a las fluctuaciones de temperatura (el sensor debe tener compensada la
temperatura).

Las especificaciones dadas por el fabricante que lo caracterizan se recogen en la


siguientetabla.

Presinbaromtrica
Modelo HD9408TBARO
Tipodesensor Piezoresistivo
Fabricante DeltaOHM
Rango 8001100mbar
Exactitud 0,4mbara20
Resolucin Infinita
Salida 05Vcc
Alimentacin 930Vcc
Temperaturadeoperacin 40a+60C
Tabla3.4Caractersticasdeltransmisordepresinbaromtrica.

127

CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE

ANEMMETRO

Para obtener las medidas de velocidad y direccin del viento se ha utilizado un


anemmetroultrasnico(Figura3.24),cuyaprincipalventajaesqueempleaunsensor
nicosinpartesmvilesparalaobtencindeestasmedidas.

Normalmente la velocidad y direccin del viento se mide por sensores separados. La


direccindelvientosehadeterminadoporveletasdurantemuchossiglos,actualmente
se utilizan como sensores meteorolgicos pequeas veletas para impulsar el contacto
deslizante de un potencimetro circular que proporciona una resistencia variable, o
seal elctrica proporcional a la direccin del viento en grados a partir del norte,
conocidacomolabandamuertadelsensor.

En los ltimos aos, se han desarrollado anemmetros ultrasnicos. Las ventajas del
sensorelicoultrasnicoson:

Esunsensornicoparamedirlavelocidadydireccindelviento.
Abarcalos360grados.
Notienepartesmviles.
Supuestaenfuncionamientoesposibleavelocidadesdearranquemuybajas,es
decir,condicionesdepocoviento.
La calibracin puede realizarse en el lugar (una simple verificacin de viento
cero).
Es de poco peso y compacto con un montaje estndar. El procesamiento
integrado con salidas digitales o analgicas permite la interfaz directa con los
sistemasactualesdemedicindeviento.


128

3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS


Figura3.24Anemmetroultrasnico.

PrincipiodeOperacin

Este anemmetro mide el tiempo utilizado por un pulso de sonido ultrasnico para
viajardesdeeltransductorNortehastaeltransductorSur,ylocomparaconeltiempo
utilizadoporunpulsoparaviajardesdeeltransductorSuralNorte.Delamismaforma
soncomparadoslostiemposentreelOesteyelEste,ydeltransductorEstealOeste.

Por ejemplo, si un viento del norte sopla, el tiempo utilizado por el pulso para viajar
desdeelNortealSursermsrpidoquedesdeSuraNorte,mientrasquelostiempos
deOesteaEsteydeEsteaOesteserniguales.Entonceslavelocidadyladireccindel
vientosepuedencalcularmediantelasdiferenciasenlostiemposdevueloencadaeje.
Esteclculoesindependientedefactorestalescomolatemperatura.


Figura3.25Esquemagrficodelfuncionamientodelanemmetroultrasnico.

Porconsiguiente,obtendremosladireccinyvelocidaddelvientoapartirdelclculodel
tiempo empleado en recibir un determinado impulso de ultrasonidos en diversas
direcciones.

129

CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE

Lascaractersticastcnicasdelanemmetroultrasnicosemuestranacontinuacin.

Anemmetro
Velocidad Direccin
Modelo Windsonic
Fabricante GillInstrumentsLtd.
Rango 060m/s 0359
Exactitud 2% 3
Resolucin 0.01m/s 1
Salida 05Vcc 05Vcc
Alimentacin 930Vcc
Proteccin IP65
Temperaturadeoperacin 35a+70C 5%a100%
Tabla3.5Caractersticasdelanemmetro.

PIRANMETROS

Enlaestacinmeteorolgicasedisponededospiranmetros;unoparalaobtencinde
laradiacinglobalyotroparalaradiacindifusa.

Estos piranmetros reciben la radiacin solar de toda la bveda celeste de forma que
con ellos se puede medir tanto la radiacin global como la difusa, si bien, para medir
estaltimaesnecesarioinstalarunabandadesombra,quebloqueelaradiacindirecta
recibidadelSol,evitandoconellolavisindeldiscosolarensurecorridodiario.

Estn basados en elefecto termoelctrico, que consiste en la conversin directa de la


diferenciadetemperaturaavoltajeelctrico.

Ser necesaria la utilizacin de amplificadores. En nuestra instalacin hemos colocado


dosconlosqueconseguimosamplificarelvoltajedesalidadelossensoresderadiacin
alniveladecuadoparalaadquisicinytransmisindedatos.


130

3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS


Figura3.26Piranmetroempleadoparalamedidadelaradiacinglobal.

PrincipiodeOperacin

Estos piranmetros se basan en el efecto termoelctrico, por el cual se genera


electricidad a partir de la diferencia de temperatura entre diversas zonas del aparato,
gracias a termopilas que tienen la capacidad de resistir el choque y las vibraciones
mecnicas.

Cuandoelsoliluminaalpiranmetro,laradiacinabsorbidaproduceunadisipacinde
calor hacia los bordes del disco cermico. La temperatura en el centro del disco es
mayordebidoalaresistenciatrmicadeldisco.Estadiferenciadetemperaturasgenera
una seal elctrica proporcional en origen a la propia irradiacin absorbida y de este
modosepuedecalcularelvalordelaradiacin.

Los piranmetros utilizados constan de dos cpulas, cuya funcin principales filtrar la
radiacininfrarrojaprocedentedelaatmsferaylaradiacindeondacortaprocedente
del sol, evitando que alcance el receptor (Figura 3.27). Est constituido por una
termopila, cuya unin caliente est recubierta de una pintura de alta absortividad. El
cuerpodelinstrumento,constituidoporunapiezacilndricadebronceprotegidaporun
discodeguardapintadoparareducirlaabsorcindeirradiacinsolar,alojaloscircuitos
electrnicos y sirve de sumidero de calor para la unin fra de la termopila. El
instrumentoestdotadodeundesecanteparaevitarlacondensacinenelinteriordel
instrumento y de un nivel de burbuja para facilitar la nivelacin. Mientras que su
respuesta espectral es prcticamente plana en todo intervalo de inters, la mayor
fuentedeincertidumbreessurespuestadireccional.

131

CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE

Figura3.27Esquemadelaconstitucininternadelpiranmetro.

Como se mencion previamente, la medida de la radiacin difusa, o radiacin solar


procedentedeladispersindelosrayossolaresporlosconstituyentesatmosfricos,se
realiza con piranmetros, a los que se acopla un elemento denominado banda de
sombra,cuyafuncinesevitarquelaradiacindirectaalcanceelreceptor.

Labandadesombradebedesercolocadaenunlugardondeseasegurelaincidenciadel
sol durante todo el periodo del ao y durante todo el momento del da, esto quiere
decirquenosepodrinstalarlabandadesombraentrerbolesoedificios,tambines
importante no instalarla cerca de tendidos elctricos y es aconsejable vallar la
instalacin.

Lainclinacinesnecesariareajustarla,dependiendodelapocadelaosernecesario
reajustarlocada5o20das.Debidoalageometradeesteaparatodemedida(Figura
3.28), la banda de sombra evita que incida sobre el sensor una parte de la radiacin
difusaprovenientedelcielo,porloqueesnecesarioaplicarunfactordecorreccinalas
medidas. Debido al carcter anistropo de la radiacin difusa, el mximo se registra
prximoalsol,hacequeladeterminacindeestefactordecorreccinseacompleja,y
se realiza mediante combinacin de consideraciones tericas y aproximaciones
empricas. En Espaa este factor de correccin se ajustar a 1.15 y se dejar fijo para
todapocadelao.


132

3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS


Figura3.28Bandadesombradelpiranmetroqueregistralaradiacindifusa.

Las especificaciones tcnicas de ambos piranmetros as como sus amplificaciones


utilizadosserecogenenlaTabla3.6.

Piranmetros
Radiacinglobal Radiacindifusa
Ndeserie 35672F3 35681F3
EPPLETLab.Inc.
Fabricante
PiranmetrotermoelctricoPSP
Clase SecondaryStandard
RangoComportamiento
20C+40C
Temperatura
Resistencia 69723C 71423C
Sensibilidad 8.97106V/Wm2 8.80106V/Wm2

AmplificadorAC420

Rangodetemperatura 20+50C
Derivadecero <0.25A/C
Derivaderango <0.01%/C
Tensindelazo 828VDC
Exactitud 0.1%
Ndeserie 09042902 09042901
0mV 4mA 0mV4mA
Calibracin 8.971mV
8.8mV14mA
13.999mA
Tabla3.6Caractersticastcnicasdelospiranmetrosyamplificadores.

133

CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE

CLULAFOTOVOLTAICA

Paralaobtencindelamedidadelaradiacinglobal,seprecisaademsdeunaclula
fotovoltaica monocristalina (Figura 3.29), a nivel comparativo con los piranmetros
espectralesdefinidos.

Un sensor fotovoltaico se compone de una clula solar que produce una corriente
elctricaproporcionalalairradiacinincidente,medianteelefectofotovoltaico.Debido
aquelarespuestaespectraldelasclulasfotovoltaicasnocoincidetotalmenteconel
espectro solar, la medida de una clula fotovoltaica es menos fiable que la de un
piranmetro termoelctrico. El objetivo que se pretende con el uso de la clula
fotovoltaicaeselconseguirsistemasacostebajoparapodercompetirconlossistemas
tradicionales.

Figura3.29Clulafotovoltaicacalibrada.

PrincipiodeOperacin

Comoseexplicenelcaptulo3,laclulafotovoltaicaesundispositivoelectrnico,que
permite convertir la radiacin solar que incide sobre ella directamente en energa
elctrica gracias al efecto fotovoltaico. Cuando la luz, que es un flujo de fotones con
determinadaenerga,incideenelmaterialsemiconductorconelquesefabricalaclula,
cadafotnpuedecedersuenergaaloselectronesdelmaterialdeformaquepueden
moverse libremente, generndose una corriente elctrica. Para poder extraer la
corriente del material de forma que sea til, es necesario generar una pequea
diferenciadepotencial(alrededorde1Voltio)entreloselectrodosdelaclula.Estose
consiguedopandoelmaterialdeformaselectiva,tipop/tipon,talycomosepresenta
enlasiguientefigura.


134

3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS


Figura3.30Principiodefuncionamientodeunaclulafotovoltaica,efectofotovoltaico.

Las caractersticas de la clula fotovoltaica utilizada en la estacin meteorolgica se


muestranacontinuacin.

Clulafotovoltaica
Fabricante Isofotn
Tipodesensor Fotovoltiaico
ICC(1000W/m2,25C) 3.26A
K(ICC=KGTOTAL) 3.26103A/(W/m2)
Intensidaddeoperacin 2.5A
Potenciadeoperacin 100mW
Salida 0150mW
Tabla3.7Caractersticasdelaclulafotovoltaica.

3.2.1.2.2 INSTRUMENTACINDELASVARIABLESDEOPERACINDELAINSTALACIN

Aliniciodelapartado3.2.1ademsdedescribirlainstalacinexperimental,sepresenta
lainstrumentacinnecesariaparamediryregistrarlasvariablesdeoperacin.Enesta
seccinsepretendedetallarsuprincipiodefuncionamiento,ascomosuscaractersticas
tcnicas.Losaparatosdemedidayregistroson:

Transmisor de temperatura de contacto (paneles fotovoltaicos y cubierta


metlica)
Transmisordetemperaturadelaireenelcanal
Anemmetros
Cargaelectrnica
Adquisicindedatos

TRANSMISORDETEMPERATURADECONTACTO

La medida de la temperatura de la cara posterior del panel fotovoltaico y de la placa


metlicaserealizamedianteunasondadetemperaturaflexibleadhesivaPt100,quese

135

CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE

basaenlavariacindelaresistenciadelplatinoconlatemperatura.Sehaescogidoeste
tipo de sonda por estar compuesta por una lmina robusta de goma de silicona
adhesiva, y en cuyo interior, se encuentra el elemento sensor. Consta de 2 metros de
cableaisladoconteflnenmalladeaceroinoxidable.


Figura3.31SondaflexiblePt100utilizadaparamedirlatemperaturadelacaraposteriordelosmdulos
fotovoltaicos

PrincipiodeOperacin

Eldetectordetemperaturaderesistencia(RTD)sebasaenelprincipiosegnelcualla
resistenciadetodoslosmetalesdependedelatemperatura.Laeleccindelplatinoen
los RTD de la mxima calidad permite realizar medidas ms exactas y estables hasta
unatemperaturadeaproximadamente500C.

Una posible desventaja, que afecta al uso de este dispositivo para medir la
temperatura, es la resistencia de los RTD. Al ser tan baja, la resistencia de los hilos
conductores que conectan el sensor puede provocar errores importantes. En la
denominada tcnica de dos hilos (Figura 3.32a), la resistencia se mide en los
terminales del sistema de adquisicin de datos, por lo que la resistencia de los hilos
forma parte de la cantidad desconocida que se pretende medir. Por el contrario, la
medicinacuatrohilos(Figura3.32b)midelaresistenciaenlosterminalesdelsensor,
conlocuallaresistenciadeloshilosquedaeliminadadelamedida.Lacontrapartidaes
que se necesita el doble de cables y el doble de canales de adquisicin de datos.
Tambin es posible medir usando tres hilos, eliminando un cable, opcin que ofrece
unasolucinintermediaperonoestanprecisa.


136

3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS

a) b)

Figura3.32Principiodefuncionamientodeldetectordetemperaturaporresistencia.a)Conexinados
hilos.b)Conexinacuatrohilos.

Lascaractersticasdelassondasdetemperaturadecontactodescritassemuestranenla
siguientetabla.

Temperaturadecontacto
Modelo Pt100FlexibleAdhesivaRobusta
Fabricante TCDirect
Tiposensor Pt100ClaseB(IEC60751)
Configuracin 4hilos
EncapsuladoSensor Flexibledesiliconaconunacara
adhesiva
Cableconexin 2metrosaisladoconteflnen
mallametlicadeaceroinoxidable
Rangodefuncionamiento 50a+150C
Tabla3.8Especificacionesdelasondadetemperaturadecontacto.

TRANSMISORDETEMPERATURADELAIREENELCANAL
Lamedidadelatemperaturadelairequecirculaporelconductocreadoentreelpanel
fotovoltaico y la placa metlica se realiza mediante detectores de temperatura por
resistenciaPt100,degranprecisin,basndoseenelmismoprincipiodeoperacinque
lasanterioresdescritas,enlavariacindelaresistenciadelplatinoconlatemperatura.El
sensorseencuentraenlosprimeros20mmdelavainadeaceroinoxidablede250mmde
longitudydimetrode3mm.


Figura3.33SondadetemperaturaPt100paramedirlatemperaturadelaireenelcanal.

Lascaractersticastcnicasdelassondasutilizadasson:

137

CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE

Temperaturadecontacto
Modelo Pt100Precisin
Fabricante TCDirect
Tiposensor Pt100ClaseA(IEC60751)
Configuracin 4hilos
Encapsuladosensor VainaenaceroinoxidableAISI316,
dimetro3mmcon250mmlongitud
Cableconexin 2metrosaisladoconPFA
Precisin 0.06C
Rangodefuncionamiento 50a+250C
Tabla3.9Especificacionesdelasondadetemperaturadeaireenelconducto.

ANEMOMETROS

La velocidad en el interior del canal se mide mediante transmisores de velocidad


trmicos,depelculacaliente.Estesensormideladisipacindecalordesdeunconductor
metlico de dimetro muy pequeo, cuando es expuesto al viento. El conductor se
integraenuncircuitoelctricoporelcualcirculacorriente.Sisemantieneconstantela
temperaturadelconductor,lacorrienteelctricaesunafuncinconocidadelavelocidad
delviento.Losanemmetrosdehilocalienteseutilizancuandoserequiereunaaltatasa
demuestreodelavelocidaddelviento.


Figura3.34Anemmetrodeplacacalienteparamedirlavelocidaddeaireenelinteriordelcanal.

Con el fin de de ser lo ms precisos en la medicin, se han utilizado dos tipos de


anemmetros de pelcula caliente, difiriendo en el rango de medida. En conveccin
natural,lasvelocidadesdelflujodeairenosonmuyelevadas,elrangodelanemmetro
utilizado es de 02 m/s, mientras que en conveccin forzada se variar el rgimen de
funcionamiento del ventilador, obteniendo mayores velocidades. En esta configuracin
losanemmetrosutilizadospresentanunrangomayor,020m/s.Susespecificacionesse
recogenenlaTabla3.10.



138

3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS

PrincipiodeOperacin

Elfenmenoenquesebasanlosanemmetrosdehilocalienteeselefectorefrigerante
que produce sobre un alambre que tiene una temperatura superior a la del fluido
circundante.Cuandocirculaunacorrientedeaire,seproduceunintercambiodecalor
entre el fluido y la sonda, dependiendo la cantidad de calor intercambiando con la
velocidaddelfluido.Comolaconductividaddelosmetalesdependedesutemperatura,
puede calibrarse el dispositivo para que en funcin de la temperatura de equilibrio
alcanzada y por la variacin de intensidad circulando por el hilo pueda medirse la
velocidaddedichacorrienteincidente.Lacorrientedeaireproduciraunadisminucin
enlatemperaturadelasonda,sinembargosehaceunaretroalimentacindemanera
quelatemperaturanobaje,loqueselograconunincrementoenlapotenciaconquese
alimentaalasonda.Lassondasdehilocalientesefabricandeplatinootungsteno,ode
aleaciones entre ellas, ya que estos materiales tienen la caracterstica de que su
resistenciaesproporcionalalatemperatura.Existeunavariante,lassondasdepelcula
olminacaliente,queconsistenenpelculasdelgadasquesedepositanenunsustrato
cilndrico[73].

Anemmetro
Conveccin Conveccin
Natural Forzada
Modelo EE66C EE65C
Fabricante E+EELECTRONIK
Rango 02m/s 020m/s
(0.06m/s
Exactitud (0.2m/s+3%)
+2%)2%
010Vcc 010Vcc
Salida
420mA 420mA
Alimentacin 24AC/DC20%
Proteccin PolicarbonatoIP65Nema4
Temperaturadeoperacin 30a60C
Tabla3.10Especificacionestcnicasdelostransductoresdelavelocidaddelaireenelcanal.

CARGAELECTRNICAPARAPANELESSOLARES

ParaobtenerlacurvacaractersticaIVdeunpanelsolar,estedeberestarconectadoa
unacargavariablequepermitaabsorberlaenergaquegenereensusdiferentespuntos
de funcionamiento. Con tal fin, el Departamento de Tecnologa Electrnica de la
UniversidadPolitcnicadeCartagenahadiseadounacargaelectrnicaquepodrser
controlada desde un ordenador personal, permitiendo trabajar en dos modos de
funcionamiento,acorrienteconstanteyatensinconstante.

139

CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE


Figura3.35Cargaelectrnicaparaobtenerlacurvacaractersticadelospanelesfotovoltaicos.

Para obtener finalmente la curva caracterstica completa de un mdulo fotovoltaico


deber funcionar no solo como carga sino tambin como generador, ya que para
obtener con seguridad el valor nulo de tensin (corriente de cortocircuito) se har
funcionaralpanelcomocarga,esdecir,contensinnegativaensusextremos.

Lascaractersticasdeestacargason:

Cargaelectrnica:CurvaIV
Fabricante UPCT
Tensindefuncionamiento 0100V
Corrientedepico 25A
Potenciamxima 300W
Salida 01V
025A
Precisin 0.0050V
0.0054A
Rangodefuncionamiento 20a+150C
Tabla3.11Caractersticasdelacargaelectrnica.

El principio de operacin de la carga para las diferentes respuestas del panel


fotovoltaico,ascomoloselementosincorporadosparatalfinseincluyeenelAnexoC.

SISTEMADEADQUISICINDEDATOS

El sistema de adquisicin de datos utilizado es Data logger 34980A, y la tarjeta


multiplexora 34921A de Agilent, ambos nos proporcionan un software muy til y
sencilloparalatomayrecogidadedatos,crearunabasededatosyrepresentacinde
ellos. El programa al que nos referimos es el Agilent BenchLink Data Logger, que de
formaresumidasevaaexplicarsumanejo.

El data logger 34980A es una unidad de medida compacta, econmico y una solucin
pararecogerunaaltadensidaddemedidasenaplicacionesdeverificacindediseo,de
pruebas automatizadas y de adquisicin de datos. Una computadora central puede


140

3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS

acomodar hasta 560 mediciones de 2 hilos o 1024 canales multiplexor. El 34980A


tambinincluyeUSB,EthernetyGPIBcomointerfacesestndarparalaPC,esfcilmente
ampliable y reconfigurable y ofrece una amplia funcionalidad que se ajuste a su
presupuestosinsacrificarlaprecisin.


Figura3.36Sistemadeadquisicindedatos,datalogger34980A.

El Data logger 34980A tiene capacidad para 8 mdulos para darle la flexibilidad que
necesita.Sepuedeelegirentre21mdulosdiferentesparadefinirlaconfiguracinque
se desee segn las necesidades permitiendo as medir la temperatura, intensidad y
voltajeACoDC,resistencia,frecuencia....

Elmdulomultiplexorelegidoparaincorporaralsistemadeadquisicinesel34921A,al
serelnicoquenosofrecelaposibilidaddederecogertodotipodemedidas,voltajey
corrienteAC/DC,frecuencia/periodo,Resistenciasa2y4hilos,termopares,termistores
y RTD a 2 y 4 hilos. Cuenta con 40 canales a configurar a 2 o 4 hilos y 4 canales de
corriente.

Cuyascaractersticasprincipalesvienenrecogidasenlasiguientetabla:

Tarjetamultiplexora34921A
Canales/configuracin 402hilos
204hilos
4corriente
Caractersticasentrada(porcanal)
Mximovoltage 300V
Mximacorriente(DC,ACRMS) 1A
Potencia 60W
VoltHertzlimite 108
Especificacionesgenerales
Velocidadtesteo 100canales/sec
TiempoAbrir/cerrarl 4ms/4ms
Tabla3.12Especificacionesdelatarjetamultiplexora34921A.

141

CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE

DescripcindelSoftwareparalaadquisicindedatos

ElsoftwareAgilentBenchLinkDataLoggerproporcionaunformaconvenienteparael
controldeinstrumentos,recolectaryanalizardatos.Elcontrol,recogidadedatosyla
tomadedecisionesquesiempreharequeridoconocimientosdeprogramacin,ahora
puede hacerse de forma fcil, con el uso de hojas de clculo. El software utiliza un
entornodehojasdeclculofamiliar,laracionalizacindelasnecesidadesdepruebay
medicin.Simplementehayqueidentificarlasmedidasquedeseeadquirir,iniciarel
proceso, y ver los datos mostrados en la pantalla del ordenador. Se pueden utilizar
muchas opciones para analizar y mostrar los datos, histogramas con anlisis
estadsticos,grficosdebarrasydedispersin,resultadosdeloscanalesindividualeso
enconjuntoymuchoms.

Ademsdeestascaractersticasdegranalcance,DataLoggersoftware,presentauna
gran funcionalidad, con caractersticas adicionales que se describen en las siguientes
pginas.

Unavezquesetienenlatarjetamultiplexoraconectadaalainstrumentacin,eldata
logger encendido y conectado al PC, se proceder a la configuracin de cada
instrumento en su canal correspondiente, a la recogida de datos, representacin
grfica mediante el uso del software mencionado. La ventana principal que nos
aparece,presentaesteaspecto:


Figura3.37VentanaprincipaldeBenchlinkDataLogger.

Loprimerodetodo,sedebecrearunaconfiguracin,lacualrecogertodoloquese
programe en los diversos canales permitiendo en veces posteriores acceder a ella y
hacerloscambiosqueseveanoportunos.Paraello,seharclickenConfiguration,que
se encuentra en la barra de men, seleccionando New Configuration a la que le
daremoselnombrequesedesee.


142

3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS


Figura3.38Crearunanuevaconfiguracin.

Una vez creada la configuracin, hay que identificar cada uno de los instrumentos y
aadirlosensucanalcorrespondiente.DentrodelapestaaConfigureInstrument,se
selecciona la opcin Connected Instrument y se pincha en Add Instrument. Nos
aparecer una nueva pantalla, tal y como se muestra en la Figura 3.39. Para poder
buscar nuestra tarjeta, se le dar a Find, en la tabla se mostrar la tarjeta que haya
encontradoenelsistemadeadquisicin,seleccionamosypinchamosenConnect.


Figura3.39Ventanadeconfiguracin.

Una vez conectado se mostraran todos los canales de las tarjetas que se hayan
introducido en el data logger. El siguiente paso es ir configurando la instrumentacin
con cada canal, seleccionando aquellos que se quieran registrar, asignndole un
nombre,lamedidadecadainstrumento,loslmitesdemedida

143

CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE


Figura3.40Ventanaquemuestraloscanalesconectadosypermitesuconfiguracin.

DentrodelapestaadeScanList,sedebenseleccionarloscanalesaconfigurar,ensu
correspondiente cuadradito de la columna Scan. En la siguiente columna, Name, nos
permite introducir el nombre del canal que corresponder con la instrumentacin
conectada. La medida se seleccionar en la columna anexa, eligiendo de entre las
opcionesqueaparecen.

En las columnas restantes, measurement y scaling se puede modificar el rango de


medida, as como poder hacer un cambio de unidades o de medida en funcin de los
datossequieranrecoger,yaquelasealquellegaalsistemapuedenserAmperiosylo
que se quiera recoger son W/m2. Para ello se deber hacer el ajuste mediante la
ecuacinlinealadecuadaparacadainstrumentacin.

Acontinuacin,sedebepincharlapestaaScanandLogData,(Figura3.41)enlacual
nospermitirelegirloscanalesydatosaregistrar,dondeexportarlos,eltiempoquese
deseaestartesteando,intervalosdetiempoenlatomademedidas.


144

3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS


Figura3.41Ventanadeconfiguracinlasopcionesparaelregistrodedatos.

EnelcuadrodedialogoScanControl,tenemosvariosbotonesquenospermitendecidir
eltiempodeescaneo,elnmerodededatosquesequierenrecoger,loscanalesquese
desean testear. Tan solo hay que escogiendo lo que se desee antes de empezar el
registro.

Seleccionada todas las variables, por ltimo hay que pinchar en el botn Start y se
comienzael escaneo de los canales que se han configurado. En funcin de los valores
que se hayas escogido en el Data Control, el anlisis parar en el tiempo asignado o
continuaraindefinidamentehastaquesepresioneelbotnStop.

Una vez finalizado el escaneo, automticamente aparece una ventana, Scan and Log
Summary,(Figura3.42).Desdeellasepuedemodificarelnombredelregistrodedatos,
propietario,comentariosyademssetienentodaslasopcionesparalaexportacinde
datos. Una vez seleccionado la carpeta y el nombre del registro, se le da a cerrar.
AutomticamenteseguardaunahojaExcellcontodoelregistrodedatos.

145

CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE


Figura3.42Ventanaresumenconlosdatosrecogidosyopcionesdeexportacin.

Por ltimo, se pueden visualiza los datos mediante grficas pinchando el botn Quick
Graph.Estaventanatemuestralosdatostesteadosalolargodeltiempodemuestroy
presenta diversas funciones para cambiar el color, la escala a cada canal, datos de la
leyenda.


Figura3.43Representacingrficadelasvariablesmedidas.


146

3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS

3.2.2 INSTALACINFOTOVOLTAICAEXPERIMENTALSOBRELACUBIERTADE
INVERNADEROS
Eldiseodeestainstalacinexperimentalestinspiradoenlainstalacinagroenergtica
CoronilIVdescritaenunaseccinanterior.Lainstalacindeensayoconsisteenunarplica
de una unidad estructural de la instalacin comercial, constituida por una estructura
metlica destinada a soportar cuatro mdulos fotovoltaicos sobre la cubierta del
invernadero. La instalacin experimental constituida por paneles del mismo fabricante,
idnticascaracterstica,colocadosaidnticainclinacin,ylaestructurasoporteseprocur
quefueralomsfielposiblealaoriginal.

Estainstalacinexperimental,aligualquelainstalacinoriginaldereferencia,disponede
unespaciolibreentrelacubiertadelinvernaderoylospanelesfotovoltaicos,permitiendo
el paso de aire a travs de un canal divergente a travs del cual, se crear un efecto
chimenea mediante conveccin natural. Se ha incorporado en su interior un calefactor,
controlado con un PID, para simular diferentes condiciones de temperaturas internas del
invernadero.

El objetivo planteado es estudiar el comportamiento elctrico de los mdulos sobre la


cubierta de un invernadero, existiendo un canal de aire entre ambas superficies. Esta
instalacin difiere de la anteriormente descrita (en conveccin natural), no slo a nivel
estructural,sinoquelacubiertasobrelaqueestnemplazadoslospanelesesdeplstico.
Adems,elinteriordelinvernaderopresentaunascondicionesdeelevadastemperaturas,
mayores en su parte superior, cubierta. El estudio de esta instalacin se centra,
anlogamente a la otra instalacin experimental, en analizar las variables elctricas y su
dependencia con la temperatura. Tambin se pretende estudiar la posible influencia del
calor dentro del invernadero en el comportamiento elctrico de los mdulos, para dicha
configuracin.

Una vez obtenidos los resultados para estas condiciones, se plantearan diferentes
configuraciones estructurales que persigan una mejora en la produccin elctrica.
Considerando la dependencia de la eficiencia elctrica del panel con su temperatura de
funcionamiento, las configuraciones adoptadas pretenden reducir la temperatura de los
mdulos que a priori parece estar afectada en mayor o menor medida, por el reducido
espacio entre la cubierta de plstico y los paneles, y por la transferencia de calor del
interiordelinvernadero.Porello,sehanadoptadodosseccionesdepasodeaireentrelos
mdulos y el plstico, la que marcaba el diseo de la instalacin original y otra mayor, y
adems,paracadauna,sehaincorporadounmaterialaislantesobreelplsticoevitandola
transferencia de calor a su travs. Esta combinacin, resulta un total de cuatro
configuracionesdiferentes,paradosseccionesdepasodeaire,cadaunaconosinaislante.

147

CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE

Finalmente, se estudiarn los resultados obtenidos de las cuatro configuraciones,


analizandoelcomportamientoelctricodelospanelesparacadaunadeellas,lasvariables
influyentesenlyllevaracabounestudiocomparativodetodasellas,paraasconcluirla
configuracinmsidnea.

3.2.2.1 DISEOCONSTRUCTIVODELAINSTALACIN
Lainstalacinexperimentalconsisteenunaestructurametlicaqueasuvezsoportaa
loscuatropanelesfotovoltaicosquesesitanenlacubiertadedichoinvernadero.Como
semencion,eldiseoseinspirenelutilizadoenlainstalacinagroenergticaCoronil
IV,conelfindemontarunarplicadeunaunidadestructuraldelainstalacinoriginal.La
instalacin experimental constituida por paneles del mismo fabricante, idnticas
caractersticas, colocados a idntica inclinacin, y la estructura soporte se procur que
fueralomsfielposiblealaoriginal.


Figura3.44FotografaareadelainstalacinagroenergticaCoronilIV.


148

3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS


Figura3.45Alzadodelplanoenelqueseaprecialaconfiguracindelinvernaderoypaneles.

Sinembargo,lainstalacinexperimentalrepresentasolamentelaunidadconstructivaen
El Coronil IV, la cual se repite en ambas direcciones para dar forma la instalacin
fotovoltaica.Otroscondicionantes,comolaelevacindelospanelessobreelterreno,las
condicionesexactasdecerramientooelhechodelusoonocomouninvernaderoreal,
difierendeunaaotrainstalacin.Siempre,sehaprocuradoquelacombinacindetodas
las variables reflejen unas condiciones de trabajo tales, que los resultados que se
obtengan sean los ms cercanos posibles a la realidad para que sean de aplicacin las
conclusionesobtenidasdeellos.

Figura3.46Invernaderodereferencia,CoronilIVeinstalacinexperimental.

Ambas instalaciones presentan un espacio libre entre el invernadero y los paneles


fotovoltaicos,creadoconelfindepermitirlacirculacindeaireasutravsreduciendoen
algunamedidalatransferenciadecalordeinternodelinvernaderoalosmdulos(Figura
3.46). Este espacio libre da a lugar a un canal divergente, con el inconveniente que la
seccindeentrada,parteinferior,esbastantemenorquealadesalida,locuallimitar
lasposibilidadesderefrigeracinporconveccinnaturaldelospanelesfotovoltaicos.

149

CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE

Los resultados que se obtengan dela configuracin inicialplanteadacomo rplica de la


instalacinoriginal,nosservirnparaproponerdiferentesconfiguracionesquepersiganla
mejorsolucindecompromisoentrelaobtencindeunmayorrendimientoelctricoyel
costedesuadopcin.

La estructura metlica consta de dos tipos diferentes de perfiles, los que constituyen la
estructura base, pintados en color verde en la Figura 3.47 y los que sostienen a los
paneles,representadosdecolorrojoenlamisma.Ambosperfiles,aligualqueelrestose
elementos de fijacin, unin y elevacin utilizados en el montaje, han sido
proporcionadosporlaempresaHilti,quienhizolascorrespondientescomprobacionesde
resistenciaaflexinypandeo,paralaestructuradiseada.

Figura3.47Esquemadelaestructuraconidentificacindelosperfiles(izquierda)yfotografadelaestructura
construida(derecha).

En el esquema de la estructura (Figura 3.47) se ha incluido una numeracin


correspondienteacadaunadelasbarrasquelaforman,conelfindepoderdescribircon
mayorrigorloselementosdeuninutilizadosencadacaso.Acontinuacin,sedescribe
deformaresumidaloselementosconstructivosutilizados.


MQ41F
Carril simple, utilizado como perfil para la estructura
base,coloreadoencolorverdeenelesquema.

Altura:41.3mm
Espesor:2mm
Peso:2.13kg/m


150

3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS


MQ5272DF
Carrildobleutilizadocomoperfilsoportedelospaneles,
sobrelaestructurabase(representadoencolorrojo).

Altura:124mm
Espesor:2.5/2.75mm
Peso:7.08kg/m


ANGULARDETRESSALIDASMQV33DF

Esteelementopermitelatripleunindelosperfiles1y
4con9,1y2con10,2y3con11ylasbarras3,4con
12.
La unin entre los carriles y estas piezas se estableci
empleando la tornillera adecuada, M10x25F, mostrada
en la figura. Este tipo de tornillera incluye sus
respectivastuercasotuercascarril(MQNHDG).



ESCUADRADE90MQWS/1F

Estasescuadraspermitenlaunindelosperfiles5y10;
5 y 9; 7 y 11; 7 y 12 mediante la misma tornillera
descritaanteriormente.

Altura:198mm



BASEGIRATORIAMQPGF

Consta de dos piezas unidas con bisagras que le
permitenungirodecasi180.Sehanutilizadoparaunir
los perfiles inclinados 6 y 8 con los sus verticales
colindantesenambosextremos;10,11con6y9,12con
8.

Peso:1055g

151

CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE


PINZATERMINALMSPMQEC50

Estas pinzas estn diseadas para la sujecin de los
mdulos fotovoltaicos a las correas MQ41F, de la
estructurasoporte.

Grosormximo:50mm


Figura3.48Descripcindelosperfilesyelementosdeuninutilizadosenelmontajedelaestructura.

Las dimensiones de la estructura que constituye la instalacin experimental vienen


reflejadasenlasiguientefigura.


Figura3.49Alzadoyperfildelaestructurametlicaconlasdimensionesenmm.

El plstico empleado en el invernadero de la instalacin experimental es el mismo al


utilizadoenlainstalacinagroenergticaCoronilIV,Polietilenodebajadensidad(PEBD).

LarazndesuusosedebealacaractersticamsdestacadelPolietileno,elalargamiento
en el punto de rotura es bastante elevado, adems de que su transmisividad a la
radiacinsolaresbuena,aunquedisminuyeconeltiempoalensuciarseyenvejecer.La
vidadelPolietilenosepuedealargarmedianteelusodeaditivosquelimitenlaaccinde
laradiacinultravioleta,resultandoelpolietilenodemayorduracin.ElPolietilenoposee
unabajaopacidadalinfrarrojo,peroigualmentemedianteelusodeaditivosseconsigue
queelmaterialabsorbalaradiacinenesafranjayasfavorecerelefectoinvernadero,es
elllamadoPolietilenotrmico.


152

3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS

El nombre comercial del plstico colocado es INDASOL PLUS, fabricado por ASPLA,
PlsticosEspaolesS.A.,conunespesorde0.2mmyunadensidadde960kg/m3.Enla
siguientetablaserecogensusprincipalescaractersticas.


Tabla3.13Propiedadesdelplsticoempleadoenlainstalacinexperimental.

Como se mencion previamente, la estructura descrita soporta cuatro mdulos


fotovoltaicos, orientados al Sur con una inclinacin de 22 (Figura 3.49) y para
identificarlos han sido numerados del 1 al 4 desde la parte inferior a la superior. Estos
mdulos son del mismo fabricante y modelo que los utilizados en la instalacin
agroenergticaCoronilIV,mismosquelostambinempleadosenlaanteriorinstalacin
experimental,cuyasespecificacionessemostraronenlaFigura3.12.

Lospaneleshansidoconectadosenseriedosados,esdecirelpanel1conel2(grupoA)y
el panel 3 con el 4 (grupo B), tal y como se muestra en la Figura 3.50. La razn de
establecerestaconexinsedebeaseguirlamismaqueenlainstalacindeCoronilIV.Por
tanto,setienendossalidas(doscablespositivosydosnegativos)queseconectanados

153

CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE

cargas electrnicas que nos proporcionarn las curvas caractersticas de cada par de
panelesconectadosenserie.


Figura3.50Gruposdepanelesfotovoltaicosyesquemadeconexin.

El diseo de esta instalacin experimental se realiz para estudiar el comportamiento


elctrico de los paneles sobre su cubierta para la configuracin descrita, adems de
analizar si la separacin existente entre el plstico de la cubierta y los paneles es
suficiente para evitar la influencia del calor interno del invernadero en la respuesta
elctrica de los mdulos. Con tal fin, se plantearon diferentes configuraciones que nos
permitirncompararyseleccionarlaconfiguracinmsidneaparafuturasinstalaciones.

La primera configuracin (denominada Configuracin 1) se corresponde con la descrita


hasta ahora, siendo fiel al diseo de la instalacin de Coronil IV y considerada de
referencia,conunaseparacinentrepanelesyplsticode15cmenlaentradayde29cm
a la salida. La segunda configuracin estudiada (Configuracin 2), se diferencia de la
anterior en que se ha colocado un material aislante de poliuretano inyectado o panel
sndwich,de10cmdegrosor,estableciendounabarreraalpasodelcalordelinteriordel
invernadero.Laseparacinentrelosmdulosyelmaterialaislantesersimilar.

Lasdosconfiguracionesrestantespresentanuncanaldepasodeairedemayorseccina
las anteriores, diferencindose entre ellas en que el canal de aire de la configuracin 3
est comprendido entre los paneles fotovoltaicos y la cubierta de plstico y en la
configuracin4entrelosmdulosyelmaterialaislante.Elespesordelcanaldeaireen
ambasconfiguracionesnoesexactamentedelasmismas dimensiones,debidoa quese
harespetadoeldiseo delaestructurainicial,ystenonoshapermitidoestablecerla
misma separacin a la entrada al colocar el aislante. Las dimensiones de ambas
separacionessonde50cmparalaconfiguracin3(cubiertadeplstico)yde40cmenla
configuracin4(cubiertadeaislante).EnlaFigura3.51semuestranlaprimeraycuarta
configuracin.

Adems,sehacolocadouncalefactorenelhuecointeriordelaestructura(invernadero).
EstecalefactorconectadoaunPID(Watlow)yreguladordeintensidadelctrica(Watlow


154

3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS

DINAMITE) nos permite simular diferentes condiciones de temperatura interior,


pudiendoaumentarlatemperaturayposteriormenteanalizarsiinfluyeenlaproduccin
elctricadelospaneles.

En resumen, se ha estudiado la influencia de la transferencia de calor del interior del


invernadero sobre el comportamiento elctrico de los paneles, recogiendo datos en
funcionamientonormal,considerandodosseparacionesenelcanaldeaire,cadaunade
ellasconstituidasconunacubiertadeplsticoycolocandounaislantesobreesta.

Figura3.51Fotografasdedosconfiguracionesestudiadas.Izquierda:Primeraconfiguracinconmenor
seccindeairedepasoyconcubiertadeplstico.Derecha:cuartaconfiguracinconcanaldeairedemayor
seccinyconaislantesobrelacubierta.

Para el estudio y anlisis de las configuraciones descritas, se han instalado diferentes


sensoresyaparatosderegistrodemedida.Enlapresenteseccinsepretendenombrarla
instrumentacinutilizadaascomosuubicacinyfinalidad.

La temperatura de cada panel fotovoltaico es medida mediante tres sondas de


temperatura Pt100, adheridas simtricamente a la cara posterior del panel. Las
correspondientesalpanel1sehandenominado;P1.1,P1.2yP1.3,lasdelpanel2como;
P2.1,P2.2,P2.3yasconcadamduloFigura3.52a.Entotalsedisponendedocesondas
de temperatura, que nos permitir conocer la distribucin de temperaturas en los
paneles, a lo largo de la cubiertay los posibles puntos calientes en los que se alcancen
mayorestemperaturas.

Enelcanaldeaireentrelospanelesylacubierta,biendeplsticoodeaislante,seubican
cuatrosondasdetemperatura,dosenlaentrada(S3yS4)ydosalasalida(S1yS2)auna
distanciade80cmdelaentradaysalidatalycomosemuestraenlaFigura3.52a.Estos

155

CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE

sensoresnosinformandelatemperaturadelaireenelcanal.Elcaudaldeaireseobtiene
a partir de la velocidad registrada por los 4 anemmetros, colocados dos en la entrada
(AN3 y AN4) y dos en la salida (AN1 y AN2), cercanos a las sondas de temperatura,
alejadosdelaseccindeentradaydeloslateralesdelcanalevitandoperturbacionesen
ladistribucindevelocidades.

LatemperaturadelacubiertadeplsticoesmedidaporPt100adhesivas,similaresalas
utilizadas para medir la temperatura del panel. Se han utilizado un total de 12 sondas,
colocadassimtricamentealasdelospanelesfotovoltaicos(Figura3.52b).Estossensores
se han denominado de forma similar a las de los paneles de modo que las tres sondas
adheridas al plstico bajo el panel 1 son PL1.1, PL1.2 y PL1.3, las simtricas al panel 2
PL2.1,PL2.2,PL2.3yassucesivamente.

Por ltimo, nos queda mencionar los sensores utilizados en el interior del invernadero
para medir la temperatura alcanzada en l. Se han colocado cuatro sondas de
temperatura, similares a las ubicadas en el canal de aire, sobre unos soportes que las
elevandelsueloylasposicionaamediaaltura,permitiendoasmedirlatemperaturadel
interior de forma ms precisa, sin interferir la temperatura del suelo o cubierta. Estos
sensoresdehandenominadocomoSI1,SI2,SI3ySI4(Figura3.52c).

a) b) c)

Figura3.52Ubicacindelossensoresutilizadosenlainstalacinexperimental.a)Sensoresemplazadosen
elcanaldeaireyadheridosalospaneles.b)Sensoresadheridosalacubiertadeplstico.c)Sondasde
temperaturaenelinteriordelinvernadero.

En el interior del invernadero se dispone tambin de un aerotermo controlado con un


PID y Dinamite que utilizaremos para simular distintas temperaturas en el interior del
invernadero,paraevaluarlatrasferenciadecaloralospanelesyporendelainfluenciaen
surespuestaelctrica.


156

3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS

Las condiciones ambientales, radiacin solar, temperatura ambiente, velocidad y


direccindelvientosonmedidasconlamismaestacinmeteorolgicautilizadaenlaotra
instalacinexperimental.Paraelregistrodedatosdeestainstalacin,sehamodificadola
inclinacin del piranmetro, hacindola coincidir con la que disponen los paneles
fotovoltaicos(22respectolahorizontal).

Lasvariableselctricasdelospanelesfotovoltaicossonmedidasdelamismaformaque
semidieronenlainstalacinexperimentalanteriormentedescrita,utilizandolasmismas
cargaselectrnicas.Enestainstalacin,cadacarganosmostrarlacurvacaractersticade
dospanelesfotovoltaicosconectadosenserie.Deellapodremosobtenerlosvaloresde
tensin de circuito abierto (Voc), intensidad de cortocircuito (Isc) y el punto de mxima
potencia(Pm).

Todaslasvariablesmedidassonregistradasporelmismosistemadeadquisicindedatos
conectado al ordenador, para poder tratarlos y analizarlos posteriormente. El
procedimiento llevado a cabo en el registro de las variables ha sido similar a la
metodologautilizadaenlaanteriorinstalacinexperimental.Deestemodo,recogemos
lasvariablestermodinmicasenunficheroindependientealdelasvariableselctricasde
lospaneles,alpresentarunafrecuenciademuestreodistinta.

3.2.2.2 DESCRIPCINDELAINSTRUMENTACINUTILIZADA
A continuacin se va a detallar la instrumentacin empleada en la instalacin
experimentaldescrita,paraellosevaahacerunadiferenciacinentre:

A)Condicionesambientales:aquellosinstrumentosquenospermitenobtenerlosvalores
deradiacinsolaryelrestodevariablesmeteorolgicasrepresentativas.

B)Variablesdeoperacin:medicindelosparmetrospropiosespecficosqueposibilitan
lacaracterizacindelainstalacinexperimentaldeestudio.

El emplazamiento de la instalacin experimental as como de los dispositivos para la


medicindelascondicionesambientaleseselmismo,enlaazoteadelAularioGeneraldel
CampusuniversitarioAlfonsoXIIIdelaUniversidadPolitcnicadeCartagena.

3.2.2.2.1 INSTRUMENTACINPARALAMEDIDADELASCONDICIONESAMBIENTALES

Los aparatos de medida utilizados son los mismos que los presentados en la estacin
meteorolgica descrita en el 3.2.1.1 Las condiciones ambientales medidas en esta
instalacinexperimentalson:

Humedadrelativa
Temperaturaambiente
Velocidaddelviento

157

CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE

Direccindelviento
Radiacinglobalydufusa

Estos sensores presentan las mismas caractersticas que los descritos en la instalacin
anterior,incluidasenlastablas;Tabla3.3,Tabla3.4yTabla3.5.Lanicadiferenciaessu
emplazamiento.Lossensoresdehumedadytemperaturaambienteyelanemmetrose
han colocado en las inmediaciones de la instalacin, para recoger los valores de las
medidasdeunamaneramsexactayprecisa.

Enestaseccinnoincluiremosdenuevoelprincipiodefuncionamientodecadauno,as
comosusespecificacionestcnicas,tanslodescribiremossuubicacinyutilizacin.El
sensordetemperaturayhumedadrelativasehacolocadoenunlateraldelfrontaldela
instalacin,juntoalpanel1,talycomosemuestraenlaFigura3.53.Sehautilizadoel
mismo modelo que se dispona en la estacin meteorolgica (EE21) por ser
recomendadoparalautilizacinalairelibre,alposeerunelementodeproteccinypor
su sencillo diseo permitiendo la ventilacin natural y facilitando el acceso al sensor
parasumontajeydesmontaje.


Figura3.53Transmisordelatemperaturaambienteysuubicacinenlainstalacinexperimental.

Lavelocidadydireccindelvientosemideutilizandounanemmetroultrasnico,cuya
principalventajaesqueempleaunsensornicosinpartesmvilesparalaobtencinde
ambas medidas, abarcando los 360 y presenta una puesta en funcionamiento en
condiciones de poco tiempo. Adems es un sensor ligero y compacto con un montaje
estndar.Elanemmetrosehacolocadoenelcentrodelapartesuperiordelacubierta,
juntoalpanel4,elevndolounos40cmdelplanoenelqueestnlospaneles,conelfin
deevitarcualquierperturbacinytenerunosvalorescorrectos(Figura3.54).


158

3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS


Figura3.54AnemmetroWindsonicysuubicacinenlainstalacinexperimental.

Elpiranmetrofijadoenlainstalacinanterior,nosehacambiadodeubicacinpuesto
que ambas se encuentran muy prximas y con la misma orientacin. Lo que si se ha
modificado ha sido su inclinacin, adoptndole la que tienen los paneles sobre el
invernadero(22).

3.2.2.2.2 INSTRUMENTACINDELASVARIABLESDEOPERACINDELAINSTALACIN

Los sensores utilizados para medir las variables de operacin de la instalacin se


presentaronpreviamente,indicandosufinalidadyubicacin,siendo:

Transmisor de temperatura de contacto (paneles fotovoltaicos y cubierta de


plstico)
Transmisordetemperaturadelaireenelcanalydelinteriordelinvernadero
Anemmetros
Aerotermo
ControladorPIDyDinamite
Cargaelectrnica
Adquisicindedatos

En esta seccin se pretende detallar el funcionamiento de cada uno, as como sus


especificacionestcnicas.Dadoquealgunosdeestossensoressecorrespondenalmismo
modelo, fabricante y por ende mismas caractersticas tcnicas que los utilizados en la
instalacinexperimentalanterior,noslimitaremosadefiniryespecificartanslolosque
nosehayanincluidohastaahora.

Lostransmisoresdetemperaturadecontacto(panelesyplstico),anemmetros,carga
electrnicaysistemadeadquisicindedatossonlossensoresdefinidosenlainstalacin
anterior. Sus especificaciones tcnicas se mostraron en las tablas; Tabla 3.8,Tabla 3.10,
Tabla3.11yTabla3.12.Acontinuacin,sedescribenelrestodesensores:transmisorde
temperaturadeaireenelcanalyenelinteriordelinvernadero,aerotermo,yelsistema
decontrolPIDDinamite.

159

CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE

TRANSMISOR DE TEMPERATURA DEL AIRE EN EL CANAL Y EN EL INTERIOR DEL


INVERNADERO

Este transmisor nos proporciona las medidas de temperatura en el ambiente que le


rodea(Figura3.55).Sehautilizadoelmismomodeloparaobtenerlatemperaturaenel
interiordelinvernaderoyladelairequecirculaentrelospanelesylacubierta,tantoala
entradacomoalasalida.Lamedidadelatemperaturaserealizamedianteunsensorde
temperatura Pt1000, que se basa en la variacin de la resistencia del platino con la
temperatura.


Figura3.55Transmisordelatemperaturadelairetantoenelcanalcomoenelinteriordelinvernadero.

PrincipiodeOperacin

Para obtener el dato de la temperatura los transmisores llevan incorporados un


detectordetemperaturaporresistencia(RTD)deplatino(PRTD),laPt1000claseA,
DDINEN60571.

ElRTDesunsensordetemperaturabasadoenelcambioderesistividadquesufren
lasestructurascristalinasdelosmetalesconlatemperatura,sucomportamientoes
aproximadamentelinealparaciertosmetales.

Un RTD se fabrica para tener un valor nominal R0 a una temperatura dada (por
ejemplo1000ohmsa0C).Almedirsuresistenciaaunatemperaturadesconociday
al compararla con R0 (valor que se debe ajustar el resistor de referencia), puede
conocerse la variacin dR. Como la caracterstica R=f(T) tambin es conocida, la
variacinderesistenciadTdesdeelpuntoinicialserconocida.


160

3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS


Figura3.56Curvascaractersticasdealgunosmetales.

El platino es el ms popular de stos, debido a su caracterstica muy cercana a la


linealidadenunrangoampliodetemperaturas,establealargoplazo.Elcostedelas
PRTDssevieronreducidosalimplementarseenpelculadelgada.

Lasprincipalescaractersticasencontradasenelplatinoson:

Estabilidadqumica;resistenciaalaoxidacinycorrosin.
Facilidaddemanofactura.
Disponibilidaddealambredealtapureza.
Buenareproducibilidaddecaractersticaselctricas(permiteelpoderreemplazar
elelementosensorsintenerquerecalibrarelinstrumento).
Valorestpicos:100,500,1000ohms.
Identificacin: Se identifican por el metal del que se componen (segn la tabla
peridica) y la resistencia que presentan a 0C. Ejemplo; Pt100, Ni120, Cu200,
etc.
Precision de los RTD (dada alrededor de los 0C, donde es mayor): Clase A es
0.15CyClaseBes0.30C.

Las principales caractersticas del sensor de temperatura, vienen recogidas en la


siguientetabla.

Temperaturainterior
invernaderoydelaire
Modelo EE16
Fabricante E+EElektronik
Rango 25Ca60C
Tipodesensor Pt1000ClaseA
Exactitud 0,3Ca20C
Temperaturadeoperacin 5Ca50C
161

CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE

Salida 010Vcc
Alimentacin 1035Vcc
Temperaturadeoperacin 35a+70C
Tabla3.14Caractersticasdelsensordetemperaturadelaireenelcanalyenelinteriordelinvernadero.

AEROTERMO

El aerotermo utilizado nos permite aumentar la temperatura del interior del


invernadero, a travs de un sistema de control PID para poder simular diferentes
condicionesdetrabajo.


Figura3.57Aerotermoparacalentarelinteriordelinvernadero.

El aerotermo elctrico est dotado de un ventilador axial, que permite unificar la


temperatura del aire. El ventilador estar siempre en funcionamiento y la resistencia
elctrica funcionar cuando el PID Dinamite detecten una temperatura inferior a la
fijada,demaneracontinuahastaquesealcance.

Aerotermo
Modelo EC3N
Fabricante Soler&Palau
Potenciatotal 3033W
Potenciacalefaccin 3000W
Caudalventilador 350m3/h
Velocidadventilador 1300r.p.m.
Proteccionsalpicaduras IP24
Tabla3.15Caractersticastcnicasdelaerotermo.

SISTEMADECONTROL:PIDyDINAMITE

Comosehamencionado,sedisponedeunP.I.D.ydeunreguladordeintensidadconel
fin de fijar una temperatura en el interior del invernadero, superior a la existente. La
temperatura deseada se introduce en el PID, el cual est conectado a una sonda que
midelatemperaturaenelinterior.ElPIDcompararambosvaloresysilaexistenteen
elinteriordelinvernaderoesinferioralafijada,mandarunasealalDINAMITEpara

162

3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS

que acte sobre la corriente de alimentacin del calefactor, de la red, para que por
aproximacionessucesivasseconsigalatemperaturadeseada.Eldiagramadeconexin
semuestraacontinuacin.


Figura3.58DiagramadeconexinentreDINAMITEyPID.

Susprincipalescaractersticasseincluyenacontinuacin.

PID Dinamite
Modelo Serie96 StyleA
Fabricante Watlow
Monofsico,mximo
Alimentacin 18Aa50Ccarga 100240V(CA)
resistiva
Rangode 10C50C 18C65C
funcionamiento 090%HR 090%HR
Tabla3.16CaractersticastcnicasdelPIDyDinamite.

3.2.3 CONCLUSIONES(CONCLUSIONS)
SehandescritolasinstalacionesexperimentalesdiseadasyconstruidasenlaUniversidad
PolitcnicadeCartagena,objetodeestudio.Sedescribesudiseoconstructivotantopara
la configuracin prototipo fiel a la instalacin comercial de referencia, como para otras
configuraciones propuestas, con el propsito de estudiar una posible mejora en el
comportamientoelctricodelosmdulosfotovoltaicos,mediantelarefrigeracinconaire

163

CAPITULO3DESCRIPCINDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICASPARAELANLISISDESU
REFRIGERACINCONAIRE

por su cara posterior aprovechando el efecto chimenea creado. Adems se incluye la


descripcin y caractersticas de la instrumentacin utilizada en la medicin y registro de
datos.

La primera instalacin experimental consta de dos mdulos fijados a una estructura


soporte, con igual inclinacin y orientacin. Uno de los paneles presenta una superficie
metlicabajosucaraposterior,existiendounespacioentreellasqueconstituyeelcanalde
aire de refrigeracin. El otro panel, sin ninguna superficie inferior se considera de
referencia, para comparar el comportamiento de ambos. Se ha descrito las diferentes
configuraciones estudiadas, la ubicacin de todos los sensores de medida y las
caractersticasdelainstrumentacinutilizadaenlamedidayregistrodedatos.

La segunda instalacin experimental, ha sido diseada y construida fiel a la instalacin


agroenergtica,CoronilIV,delaquesehaelegidounaunidadestructural,constituidapor
una estructura metlica destinada a soportar cuatro mdulos fotovoltaicos sobre la
cubiertadeplsticodelinvernadero.Estainstalacin,replicadelacomercialdereferencia,
disponedeunespaciolibreentrelacubiertaylosmdulos,permitiendolacirculacinde
aireatravsdeuncanaldivergente,porelefectochimeneacreadoporconveccinnatural.
Eldiseodeestainstalacinhapermitidomodificarlaseccindeentradadeaire,locual
nospermitecompararelfuncionamientodelospaneles,aligualquesehamodificadola
cubiertadeplsticoporunmaterialaislante,paracadaseccindeestudio.Lasdiferentes
configuraciones de estudio, el emplazamiento de los sensores utilizados y sus
caractersticassehandetallado.

CONCLUSIONS

The experimental facilities which were designed and built for the study have been
described. The description includes the structural design for the prototype configuration
which is similar to the reference configuration of a commercial facility, as well as other
proposed configurations. This was in order to study a possible improvement in the
electrical performance of photovoltaic modules, by air cooling through their back face
taking advantage of the chimney effect created. Furthermore, the descriptions and
characteristicsofthesensorsandinstrumentationsusedtomeasureandregisterthedata
havebeenincluded.

The first experimental facility consisted of two photovoltaic modules which are mounted
onafixedstructure,withthesameslopeorpitchangleandorientation.Apanelwasplaced
aboveasteelplate,withanairchannelunderneaththepanel.Theothermodule,without
anysurfaceunderneathit,wasconsideredasthereferencepanelworkingunderthesame
environmental conditions to compare both electrical functions. This study describes the
differentanalysedconfigurations,thecollocationofallsensorsandthecharacteristicofthe
instrumentationsused.


164

3.2INSTALACIONESFOTOVOLTAICASEXPERIMENTALESDESARROLLADAS

The second experimental facility has been designed and built true to the commercial
agroenergeticfacility(CoronilIV)fromwhichthestructuralunitwaschosen:consistedofa
metalstructuretosupportfourphotovoltaicmodulesontheplasticgreenhouseroof.The
designed prototype and the original facility contained a space between the roof and the
photovoltaicmoduleswhichallowedtheaircirculationthroughadivergentchannelbythe
chimney effect created by natural convection. The design of the experimental facility
allowed variation in the inlet air section, whose purpose was to compare the panels
functioningineachcase,aswellastheplasticroofwaschangedbyaninsulationmaterial
for each studied section. The different configurations, the sensors collocation and
characteristichavebeendescribedindetail.

165


166

DESCRIPCINDELAMETODOLOGALLEVADAACABOENELREGISTRODEDATOSE
INCERTIDUMBREDELASVARIABLES

CAPITULO4. DESCRIPCINDELAMETODOLOGALLEVADAA
CABOENELREGISTRODEDATOSEINCERTIDUMBREDELAS
VARIABLES
Una vez presentadas las instalaciones experimentales y las diferentes configuraciones que
sernobjetodeanlisis,sevaadescribirelprocesollevadoacaboenlatomadedatosen
ambasinstalaciones,incluyendoademslasincertidumbresobtenidasdetodaslasvariables
queintervienenenelanlisis.

El procedimiento llevado a cabo en el registro y tratamiento de datos de cada instalacin


experimental es muy similar, diferencindose en el nmero de variables medidas y la
frecuencia de muestreo en los ensayos, segn el estudio a realizar. El proceso se ha
automatizadomedianteelusodelsoftwaredeLabviewjuntoalaimplementacindeun
cdigo encargado de registrar los valores de las variables a medir, cada 15 minutos. Las
variableselctricasdelpanelsonmedidasporlacargaelectrnicaqueseactivarmediante
lasealdedisparogeneradaporunatarjetadeNationalInstrument.

Las medidas de las variables se han procurado registrar en das soleados y con buenas
condiciones ambientales, escogiendo los meses de mayor radiacin solar y temperatura
ambiente, a fin de poder evaluar la influencia de la temperatura en el comportamiento
elctrico de los paneles. No obstante, los datos de todas las variables recogidas son
previamenteestudiadosparaverificarsilasmedidasdiariassonvlidasparaelanlisisoen
casocontrariorechazarlos.

Con el fin de asegurar de forma cuantitativa la calidad de los valores de las variables
obtenidas, se ha realizado su correspondiente anlisis de incertidumbre. En este captulo
adems se presentan los procedimientos llevados a cabo para calcular tanto las
incertidumbres tpicas de las variables primarias, medidas directamente, como la
incertidumbre tpica combinada de las variables que dependen de las anteriores, y as
obtenersuscorrespondientesestimaciones.

167

4.1 METODOLOGIAENELREGISTRODEDATOS

Elconjuntodetodaslasvariablesdeestudiomedidasencadainstalacinsedescribieronen
elcaptuloanterior,secciones3.2.1.1y3.2.2.1.Eltratamientodelosdatosseharealizadode
forma automtica, utilizando el software de Labview y un cdigo implementado que se
encarga de recoger pares de valores medidos cada 15 minutos, obtener su media y
registrarloscronolgicamenteenunahojadeclculodiariamente.Paramedirlasvariables
elctricasdelpanel,serequieredarunasealdedisparoalacargaelectrnicaparatrazarla
curvacaractersticaeneseinstanteydeellaobtenerlosparmetrosdefuncionamiento.Su
funcionamientoseactivaatravsdeunatarjetadeNationalInstrument.


Figura4.1Fotografadelatarjetautilizadaparaeldisparodelacargaelectrnica.

Elprocesodeadquisicinytratamientodedatos,paracadainstalacin,sehandivididoen
dos grupos. Un primer grupo engloba todas las variables termodinmicas, tales como
temperaturas de panel, del aire en elcanal, velocidades, radiacin solar, etc. yelsegundo
grupocontienelasvariableselctricascaractersticasdelospanelesfotovoltaicos.Elhecho
desepararlasensumedicinyregistrosedebeaquetodaslasvariablesdelprimergrupo
medidas requieren menor frecuencia de muestreo que las del segundo grupo, para
finalmente obtener las variables de estudio necesarias en el anlisis. Como se ha
mencionado,cada15minutos,enelintervalodeunsegundoserecogenparesdevaloresde
cada variable, de los que se obtiene su media que se considera el valor registrado en ese
instante. Para proceder igualmente con las variables elctricas se deben trazar dos curvas
caractersticas en el mismo instante, lo cual resulta imposible hacerlo en la misma
configuracin del sistema de adquisicin, dado que para obtener una curva precisa, se
necesitaregistrarentre25y40paresdepuntos(intensidad,tensin),locualrequiereuna
altafrecuenciademuestreo,paraelmismointervalodetiempoenlamedida,Figura4.2.Por
estarazn,sehandivididoendosgruposlasvariablesenelprocesodeadquisicindelos
datos,implementandoporseparadoelprocedimientodescrito.


168

4.1METODOLOGIAENELREGISTRODEDATOS


Figura4.2EjemplodecurvacaractersticaIVobtenidadelospaneles1y2conectadosenserieenlainstalacin
experimentaldelinvernadero

Labview es un entorno de desarrollo de National Instruments basado en programacin


grfica.Entreloscamposdeutilizacindestacanlaadquisicindedatosyelprocesadode
seales,elcontroldeinstrumentos,laautomatizacindesistemasdepruebasyvalidacin,
lossistemasembebidosparamonitoreoycontrolylaenseanza.

Ennuestrocasoloutilizamosparallevaracabolaadquisicindedatosduranteunintervalo
de tiempo fijado por el usuario junto con el correspondiente registro de dichos datos.
Posteriormente con un software propio estos datos son procesados, tratados
estadsticamenteyutilizadosaconvenienciaenlosdistintosanlisisyestudiosquesehan
llevadoacabo.

LaaplicacinconstruidaconstadeunPanelFrontalsencillo(Figura4.3)enelqueelusuario
indicaunospocosparmetrosnecesariosparallevaracabolaadquisicindedatos.

Enunaprimeracolumnasedefineelnmerodeensayosquesevanarealizar,eltiempoque
vaahaberentremedidas.

En la segunda columna se fija el tiempo durante el cual los paneles van a estar
cortocircuitados(tpulsado)yeltiempoduranteelcualsevanaestartomandopuntosdela
curvaVIdelospaneles(tfinal(s)).

A ttulo informativo y para comprobacin del usuario, en la tercera columna se incluye el


tamaodelasmedidasrealizadasencadacaso.

169


Figura4.3PanelfrontaldeaplicacindesarrolladaenLabview.

Parasuconstruccinseharealizadoundiagramadebloquesbasadoenloquesedenomina
una estructura de casos (Case structure). Esta estructura consta de tres casos que se
ejecutancadavezquepasaeltiempoentremedidasmencionadoanteriormenteyqueel
usuariointrodujoenelpanelcentral.

Cadacasocorrespondeacadaunadelasmedidasrealizadasytrassurealizacinfinalizacon
laescrituradelosdatosenunficheroqueluegoserprocesado.Enlosdosprimeroscasos
serealizanlasmedidasdelasvariablestermodinmicasyeneltercerolasmedidasasociadas
a la caracterizacin de la curva IV de los paneles. Cada uno de estos casos se construye
utilizando los diagramas de bloques sobre los que se desarrolla la programacin en
Labview.

A modo de ejemplo se incluye uno de estos casos en la Figura 4.4. En la zona superior se
observanlossensorescuyosvaloresvanasermedidosconelDataLoggeryquevanaser
registrados. Tal y como se coment arriba, en nuestro caso los sensores monitorizados
tienen salida en tensin, intensidad y en el caso de los sensores de temperatura, son
resistencias. En el cuadro central dentro del caso incluido en la figura aparecen diferentes
componentes enlazados y que directamente tienen que ver con el propio sistema de
adquisicin.Losdatossonregistradosdosvecescadaciertotiempo(queesfijadoatravsde
un temporizador). Finalmente cuando este cuadro central ha realizado las dos tomas de
datos,stossonalmacenadosenunficheroconunnombredadoporelprograma.Parala
definicin de los datos, su formato y el modo en el que se realiza su registro se utiliza el
componenteazuldeladerechadelaFigura4.4llamadoWritetofile.

170

4.1METODOLOGIAENELREGISTRODEDATOS


Figura4.4DiagramadebloquesdeunodeloscasosimplementadosenLabView.

Una vez registrados los datos diariamente, se proceder a su tratamiento en hojas de


clculosquenospermitatenerelconjuntodetodaslasvariablesobjetodeestudio,tantolas
medidascomolasqueseobtienenapartirdestas.Sehancreadovariashojasdeclculo
modelo para cada configuracin, obteniendo los clculos necesarios para obtener las
variables deseadas o valores medios al introducir los nuevos datos medidos, con el fin de
agilizareltratamientodedatosdiario.Adems,lashojasdeclculoproporcionangrficasde
control, que nos permite detectar algn error en la medida, valores anmalos, conocer la
evolucin de la radiacin solar etc., sirviendo como instrumento imprescindible para el
posterioranlisis.

171

4.2 ANALISISDEINCERTIDUMBRE

Elobjetivodeunamedicinesconocerelvalordeunamagnitud.Sinembargo,debidoalas
imperfecciones existentes siempre, tanto en el procedimiento de medida como en el
instrumentoutilizado,nuncaesposibleconocerelvalorexactodelamagnitud,sinoslouna
estimacindelmismo.Porello,todamedidallevaasociadaunaestimacindesuresultadoy
unaincertidumbre,lacualestableceunintervalodeconfianzaalrededordelaestimacinde
lamagnitud.

Sedenominaincertidumbretpicaaladesviacintpicadelaestimacindelresultadodeun
medida,representndoseporu(y).Normalmentelamagnitudbuscadaenunamedidanose
obtiene de forma directa, sino que se deriva a partir de una ecuacin o procedimiento de
medida en el que se miden diversas magnitudes primarias o de entrada. Dicho
procedimiento establece una relacin funcional entre el resultado de la medida Y y las
magnitudesprimariasXidelasiguienteforma:

, ,, (4.1)

Cadaunadelasmagnitudesprimariasrequerirunaestimacinyunaincertidumbretpica
u(xi). Estas incertidumbres tpicas se combinarn entre s para formar la incertidumbre
tpicacombinadadelamagnitudY.Finalmente,apartirdestaseobtendrlaincertidumbre
expandidaUquerepresentaelintervalodeconfianzadentrodelqueseencuentraelvalor
verdaderodelamagnitudconunaciertaprobabilidad.

A continuacin se mostrar de forma resumida los procedimientos llevados a cabo para


calcularcadaunadeestasincertidumbres,ascomoparadeterminarlasestimacionesdelas
magnitudesprimariasydelresultadodelamedida,siguiendolametodologapropuestapor
laGuaBIPM/ISO[74].

4.2.1 EVALUACINDELAINCERTIDUMBRETPICA,COMBINADAYEXPANDIDA
Ladeterminacindelvalordeuna magnitudsereduceaunproblemaestadstico,elque
dichovalorrepresentaunavariablealeatoriaconunaciertadistribucin.Cuandoserealiza
unamedidalonicoquesepuedeconoceresunaestimacindelavariableconunacierta
incertidumbre.

Las denominadas magnitudes primarias pueden ser magnitudes que se obtienen


experimentalmente a travs de una serie de medidas, coeficientes o valores dados por
fabricantes, catlogos, tablas... o correcciones debidas a la precisin de los equipos de
medida, incertidumbre en el conocimiento de coeficientes. Todas ellas requieren
determinartantosuestimacinxicomosuincertidumbretpicau(xi).Enelestudioque


172

4.2ANALISISDEINCERTIDUMBRE

nosconcierne,lasmagnitudesprimariassonmagnitudesdeterminadasexperimentalmente
ysumejorestimacineslamediamuestal, .

Comosehamencionado,laincertidumbrenoessinoladesviacintpicadelaestimacin.
Existendosprocedimientosparaevaluarla,eltipoAytipoB.LaevaluacintipoAsebasa
en procedimientos estadsticos, siendo precisa la obtencin de una muestra de la
magnitud.Porelcontrario,laevaluacintipoBsebasaenelconocimientoadquiridoporla
experiencia, informacin de referencias, catlogos, certificados, etc., en resumen,
procedimientosnoestadstico,aunqueloquedeterminarnsiesunvalorestadstico.

LaevaluacintipoA,consideraincertidumbretpicacomoelvalordeladesviacin tpica
experimentaldelamedia,comovariablecuantificadoradelabondaddelaestimacin.De
este modo, para una magnitud de entrada Xi determinada a partir de N observaciones
independientes,Xik,laincertidumbretpicadesuestimacin es

(4.2)

,siendos2lavarianzaexperimentalquevienedadapor:

, (4.3)

1

LaevaluacintipoBenglobadiversasformasdepresentarlaincertidumbretpicadeuna
magnitud,segnlosdatosqueseconozcandeellaencatalogo,manualuotrafuente.En
nuestroanlisissehaobtenidomedianteunadistribucinrectangulardelaestimacinde
la medida., dado que se conocen los lmites superior e inferior para situar el valor de la
magnitud, (a2, a1) dados por la precisin de los equipos de medida. De esta forma, la
probabilidaddequeelvalordela magnitudestsituadoendichointervaloes,a efectos
prcticos,de1,ydequeestfueradelde0.Adems,puedesuponersequelamagnitud
sedistribuyedeformaequiprobabledentrodelcitadointervalo.AsquelaestimacindeXi
es el valor medio del intervalo, es decir y la desviacin asociada a dicha
estimacines:

(4.4)

12 23

La obtencin de la incertidumbre tpica combinada de una variable que es funcin de


variables primarias, Y=f(X1, X2, ..., Xm), medidas experimentalmente depende de si la
variables de entrada son independientes o estn correlacionadas entre s. El grado de
correlacinvienecaracterizadoporelcoeficientedecorrelacinestimado,1r(xi,xj) 1.

173

Silasvariablessonindependientesentres,elcoeficientedecorrelacintienevalornulo,lo
quesignificaqueunavariacindeunadeellas,noentraaningunavariacinprevisibleen
cualquierotra.Entalcaso,laincertidumbretpicacombinadadeY,denotadacomouc(y),es
una desviacin tpica estimada y caracteriza la dispersin de los valores que podran ser
razonadamente atribuidos al mensurado Y. Su valor se obtiene combinando
apropiadamentelasincertidumbrestpicasdelasestimacionesdelasvariablesdeentrada
mediantelasiguienteexpresin:

(4.5)

Cadau(xi)eslaincertidumbretpicaevaluadacomosehadescritopreviamente.

Cuando alguna de las variables de entrada estn significativamente correlacionadas, es


necesario tener en cuenta dicha correlacin para evaluar la incertidumbre tpica
combinada, mediante el coeficiente de correlacin r(xi,xj). La expresin conveniente para
obtenerlavarianzacombinadaes:

,
(4.6)
2 ,

Ambas expresiones estn basadas en un desarrollo en serie de Taylor de primer orden,


expresandoloqueseconocecomoLeydepropagacindelaincertidumbre[75].

Aunque la incertidumbre tpica combinada puede ser utilizada universalmente para


expresarlaincertidumbredeunresultadodemedida,esconvenientedarunamedidadela
incertidumbre que defina, alrededor del resultado de medida, un intervalo en el interior
delcualpuedaesperarseencontrargranpartedeladistribucindevaloresquepodraser
razonadamenteatribuidosalmensurado.

Lanuevamedidadelaincertidumbre,quesatisfacelaexigenciadeaportarunintervalose
denomina incertidumbre expandida, representada por U, y se obtiene multiplicando la
incertidumbretpicacombinadauc(y)porunfactordecoberturakc:

(4.7)

Resultaunainterpretacinmsclaraenlarepresentacindelresultadodeunamedidaen
la forma Y=y U, lo que se interpreta como una mejor estimacin del valor atribuible al


174

4.2ANALISISDEINCERTIDUMBRE

mensurado, y que puede esperarse que en el intervalo (yU, y+U) est comprendida una
fraccinimportantedeladistribucindevaloresatribuidosalavariableY.

La idea de la incertidumbre expandida radica en los intervalos de confianza, aunque


estadsticamente no es correcto hablar as, pues en el caso de la incertidumbre pueden
intervenir varias variables con diferentes distribuciones cada una de ellas (bsicamente
normales y rectangulares). Si no existiese este problema, se podra identificar
unvocamente el factor de cobertura con un cierto nivel de confianza. Para simplificar el
problema, el factor de cobertura se suele tomar entre 2 y 3, asumiendo que el 2 se
identificaaproximadamenteconunniveldeconfianzadel95%yelde3conunodel99%.

4.2.2 CLCULODELAINCERTIDUMBREENLASVARIABLESDEESTUDIO
Elprocedimiento,llevadoacaboenMaznHernndezetal.[76]yA.S.Kaiseretal.[77],
paraevaluarlaincertidumbredetodaslasvariablesqueintervienenenelanlisisobjetode
estudio, puede resumirse en seis etapas, siendo el mismo para ambas instalaciones
experimentales.

1 Identificar las variables primarias o de entrada que se miden y registran


experimentalmenteylasvariablesqueseobtienenmedianteunafuncinmatemtica,
dependiente de las primarias. Una vez identificadas, expresar matemticamente la
relacinexistenteentreellas.
En ambas instalaciones, las variables de entrada son temperaturas de panel,
temperatura y velocidad del aire en el canal, radiacin por unidad de superficie,
tensineintensidadenelpuntodemximapotencia,talycomosemencionenlos
apartados 3.2.1.1 y 3.2.2.1. Sin embargo, las variables radiacin solar, temperatura
mediadelpanel,constantedeRoss(k),potenciayrendimientoelctricodelpanelse
obtienenapartirdelassiguientesrelaciones:

(4.8)

1
,
(4.9)


T

G (4.10)


(4.11)

175

(4.12)



SiendoSlasuperficiedecaptacinderadiacinsolar.
2 Determinar el valor estimado de las magnitudes de entrada a partir del anlisis
estadstico.Contalfin,sucesivasveces,semidieron25valoresconsecutivosdecada
variable en un rango de 2 segundos, con el fin de estar bajo las mismas condiciones
ambientales.Apartirdeesos25valoressecalculelvalorestimadodecadaunade
ellas,siguiendoelprocedimientodescritoen4.2.1.

3 Evaluacindelaincertidumbretpicadecadaunadelasestimacionesobtenidasdelas
variables de entrada, que se han obtenido experimentalmente y registradas. En este
clculo,sehaconsideradolaprecisindelosaparatosdemedida,ascomoloserrores
delecturayrangoquesemuestraenlasiguientetabla.

Sensor *Accuracy
Sensor Characteristics
Accuracy (%reading+%range)
Flexibleand RTD4wires.Measurethe
QualityB
robustPt100 temperatureofpanel. 0.0600C
0.5100C
Probe Range:50C150C
RTD4wire.Measurethe
PrecisionPt QualityA
temperatureofairflow. 0.0600C
100Probe 0.3600C
Range:50C250C
Hotfilm Measuretheairvelocity,
anemometer naturalconvection.Range: 0.0610m/s 0.0050%+0.0005%
s 420mA,02m/s
Hotfilm Measuretheairvelocity,
anemometer forcedconvection.Range:4 0.2100m/s 0.0050%+0.0005%
s 20mA,020m/s
Measuretheglobal
Precision
radiation.Range:420mA,0 1.0900W/m2 0.0050%+0.0005%
pyranometer
1200W/m2
Electronicgovernor.Obtain
5.000mV, V:0.0035%+0.0005%
Variableload thecurveIV.Range:0100V,
5.400mA A:0.0050%+0.0005%
010A
Tabla4.1Precisinyerroresdelecturayrangodelossensoredemedidadelasvariablesdeentrada.

4 Evaluar las covarianzas o coeficientes de correlacin asociadas a las estimaciones de


entrada que estn correlacionadas con las variables dependientes, con el fin de
obtenerlaestimacindelaradiacinglobal,temperaturamedia,coeficientedeRoss,
potenciayrendimiento,apartirdelasmagnitudesdeentradadelasquedependen.

5 Determinarlaincertidumbretpicacombinadadelasvariablesdependientes,apartir
de las incertidumbres tpicas y coeficientes de correlacin de las estimaciones de
entradaaplicandolaleydelapropagacindelavarianza.


176

4.2ANALISISDEINCERTIDUMBRE

Los resultados obtenidos se muestran en la Tabla 4.2, denotando con subndices


numeraleselnmerodelossensoresyconlasletrasi,oreferidasalaentradaysalida
delcanaldeairerespectivamente.

Variable Media Incertidumbre


Tpanel,1 40.0389C 0.6522C
Tpanel,2 37.2556C 0.8083C
Tpanel,3 35.3573C 0.8431C
Tpanel,4 33.8190C 0.5784C
Tpanel,5 33.8397C 0.6541C
Tair,i,1 29.8217C 0.8504C
Tair,i,2 29.2886C 0.9243C
Tair,o,1 30.1329C 1.0847C
Tair,o,2 31.1338C 1.1246C
Tamb 18.2977 0.9801C
vair,1 3.6492m/s 0.5280m/s
vair,2 3.4423m/s 0.5420m/s
Gpira 457.8771W/m2 6.7962W/m2
Spanel 1.7521m2 0.0004m2
Voc 26.9491V 0.3202V
Isc 7.7788A 0.1534A
Vmp 20.8423V 0.4253V
Imp 5.4683A 0.1798A
GT* 802.2W 11.9870W
Tpanel* 36.06 0.3195C
T* 17.76C 1.0309C
k* 0.02214Cm2/W 0.0013Cm2/W
Pm* 114.2479W 4.4091W
* 0.1421 0.0058
Tabla4.2ResultadodelaevaluacindelaIncertidumbredelasvariables.*Resultadoscalculadosmediantela
leydepropagacindeincertidumbre.

177

4.3 CONCLUSIONES(CONCLUSIONS)

Con el fin de realizar un correcto mtodo en el registro y tratamiento de las medidas,


reduciendolosposibleserroresaccidentalesoaleatorios,sehadiseadoundeterminado
procedimiento vlido en la medicin de ambas instalaciones experimentales. Se ha
utilizadoelsoftwareLabview,basadoenprogramacingrfica,juntoalaimplementacin
de un cdigo, para llevar a cabo la adquisicin de las variables medidas adems de su
correspondienteregistro.Deestaforma,elprocesoquedatotalmenteautomatizado.

La carga electrnica proporciona la curva caracterstica del panel fotovoltaico, para as


obtenersusvariableselctricasenuninstante,medianteunasealdedisparoenviadapor
unatarjetadeNationalInstrument.Elrestodevariablessonmedidasatravsdelsistema
de adquisicin descrito. La medicin de todas las variables se realizar cada 15 minutos,
obteniendo un par de valores de cada una, de los que se obtendr su valor medio y se
registrarandeformaconsecutiva.Sehautilizadounamayorfrecuenciademuestreopara
lasvariableselctricas,conelfindeobtenerelmayornmerodepuntosquedefinanelpar
decurvascaractersticasdeformaprecisayobtenersusvariableselctricaseneltiempode
medida.Enesemismoinstante,laaplicacindesarrolladayprogramadaregistraelrestode
variables.

Elanlisisdeincertidumbrellevadoacaboenelconjuntodevariablesobjetodeanlisis,
muestralaestimacindelresultadodemedidajuntoalintervalodeconfianzaalrededorde
suestimacin.Paraello,setomaronmuestrasde25valoresconsecutivosdecadavariable
en intervalos cortos de tiempo (2s), para que las condiciones ambientales fuesen las
mismas.

Para obtener la incertidumbre tpica de las variables medidas experimentalmente se ha


consideradolaprecisinyerroresdelossensoresutilizados.Sinembargo,laestimacinde
las variables obtenidas a partir de stas requiere el clculo de la incertidumbre tpica
combinada.Lasincertidumbresobtenidasmuestranlaexactitudyprecisindelasvariables
objetodeestudio.Losvaloresobtenidosmuestranquelosdatosmedidosycalculadosson
fiables.

CONCLUSIONS

The methodology which was carried out for the process of data recording and
measurementhasbeendescribed.Inordertodevelopacorrectmethodfordatarecording
and data processing, and to reduce the possible accidental errors, a determinate valid
processwhichcouldbeusedinbothexperimentalfacilitieswascreated.Thesoftwareused
wasLabview,whichisbasedongraphicprogrammingwithacodeimplementation;with
which it was possible to adquire and record the measured data. In this way, the process
wasfullyautomated.

178

4.3CONCLUSIONES(CONCLUSIONS)

The electronic load provides the characteristic curve of the photovoltaic panel and the
electrical variables can be obtained from it instantly, thanks to a shoot signal which was
sent by an electronic card of National Instrument. The other variables were measured
using the acquisition system described previously (the data logger of Agilent). The
measurement process of all variables was made every 15 minutes, recording a pair of
valuesofeachvariabletocalculatetheirmeanandthensavingthemchronologically.The
sampling frequency of the electrical variables was higher than what was used for other
variables, with the purpose of getting a higher number of points which define the
characteristiccurveineachmeasurementmoment.Forthesameinstant,theprogrammed
applicationrecordedtheothervariables.

The data uncertainty analysis was carried out for all measured variables aimed to be
studied,andshownistheestimationofthemeasurementandtheconfidenceintervalof
theestimation.Inordertocalculatetheuncertaintyofthevariablesmeasured,25samples
ofmeasurablevariableswerecollectedthesameday,inshortintervals(2s),to beunder
thesameenvironmentalconditions.

To calculate the standard uncertainty of the experimental measured variables, it was


necessarytoconsidertheprecisionanderrorsofthesensorsandmeasuringequipments
used.However,theestimationofthevariableswhichwerecalculatedfromthemeasured
ones required a calculation process to obtain the combined standard uncertainty. The
resultsoftheuncertaintiesshowtheaccuracyandprecisionofthevariablesstudied.The
uncertainties obtained are very low, which means that the data collected are sufficiently
reliable.

179

180

DISCUSINDELOSRESULTADOS

CAPITULO5. DISCUSINDELOSRESULTADOS
Enestecaptulosepresentaelanlisisdelosresultadosobtenidosdelasdiferentesvariables
medidas en ambas instalaciones fotovoltaicas experimentales, descritas en el apartado 3.2.
Todaslasvariablesdeestudioquesemuestran,sehanobtenidomedianteelprocedimiento
de registro y tratamiento descrito en el captulo anterior. El captulo se ha estructurado en
tres apartados acordes a los estudios realizados con cada instalacin, que se resumen a
continuacin.

I. ESTUDIO COMPARATIVO EN EL COMPORTAMIENTO DE PANELES FOTOVOLTAICOS


TRABAJANDOENUNAPLANTASOLARFRENTEALOSVALORESMEDIDOSENLAINSTALACIN
EXPERIMENTAL
a) Estudiodelosparmetrosdelpanelenlaplantasolar
Comparacinconlosvaloresdeproporcionadosporfabricante
Relacindedependenciaconlatemperaturadefuncionamiento
b) Comparativadelosvaloresdelaplantasolareinstalacinexperimental
II. COMPORTAMIENTODELPANELFOTOVOLTAICOCOLOCADOSOBREUNACUBIERTAMETLICA
a) Estudioenconveccinnatural
Comparacinentreelpaneldereferenciaysobrecubiertametlica
Comportamientodelpanelalvariarlaseccindepasodeaire
b) Estudioenconveccinforzada
Comparacinentreelpaneldereferenciaysobrecubiertametlica
Comportamientodelpanelalvariarlaseccindepasodeaire
Comportamientodelpanelalvariarlavelocidadinducidaparacadaseccin
c) Comparacinentreconveccinnaturalyforzada
VariablesinfluyentesentemperaturadefuncionamientoyPotenciapico
Relacindelrendimientosegnlatemperatura
d) Generalizacinderesultados
Anlisisdevariablesinfluyentes:seccinyvelocidaddelcanaldeaire
EstudiocoeficientedeRoss
Correlacionespropuestasgeneralizadorasderesultados
III. COMPORTAMIENTO DEL PANEL FOTOVOLTAICO COLOCADO SOBRE UNA CUBIERTA DE
INVERNADERO
a) Influenciadelatemperaturadelpanelenlasvariableselctricas
Estudiodelcomportamientodelpanelsegnlaseccindelcanaldeaire
Estudiodelcomportamientodelpanelsegnelmaterialutilizadoenlacubierta
paracadaseccindeaire
b) Influenciadelavelocidaddelviento
Estudiodelcomportamientodelpanelsegnlaseccindelcanaldeaire
Estudiodelcomportamientodelpanelsegnelmaterialutilizadoenlacubierta
paracadaseccindeaire

181

c) Transferenciadecalorenelcanaldeairederefrigeracin
Estudiodelcomportamientodelpanelsegnlaseccindelcanaldeaire
Estudiodelcomportamientodelpanelsegnelmaterialutilizadoenlacubierta
paracadaseccindeaire

El primer apartado consiste en un estudio comparativo del comportamiento de los paneles


fotovoltaicos trabajando en una planta solar fotovoltaica, Coronil II, frente a los valores
medidos en la instalacin experimental. Se han estudiado los parmetros caractersticos del
panel,tensindecircuitoabierto,intensidaddecortocircuito,factordellenadoyeficiencia.
Los valores experimentales de estas variables se han comparado con los valores
proporcionados por el fabricante bajo las mismas condiciones. Adems se obtienen las
relacionesdedependenciaconlatemperaturadecadaparmetro,obteniendounbuenajuste
en las correlaciones. Por ltimo se comparan los resultados experimentales con los de la
plantafotovoltaica,concretamentelacorrelacindelaeficienciaelctrica,locualmuestraun
comportamientosimilarenambos casos.Deestemodo,larespuestadelospanelesenuna
planta solar fotovoltaica, se puede predecir a partir de un prototipo experimental, para
diferentescondicionesoconfiguraciones.

El segundo apartado engloba los estudios realizados correspondientes a los resultados


medidosdelaprimerainstalacinexperimentaldescrita,yascaracterizarelcomportamiento
elctricodelmdulofotovoltaicosobreunacubiertametlica,elcualesrefrigeradoconaire,
medianteconveccinnaturalyforzada,atravsdelcanalcreadoentresucaraposterioryla
superficiemetlica,considerandotresseccionesdepasodeaire.Enprimerlugarseanalizan
los resultados obtenidos en conveccin natural, comparando el comportamiento de un
mduloconsideradodereferencia(alestarfijoalaestructurasinningunasuperficieinferior)
ydelqueseencuentrasobrelacubiertametlica,paralosdiferentesespesoresenelcanal.Se
analizan las temperaturas de funcionamiento alcanzadas de cada panel en las tres
configuraciones planteadas, as como su influencia sobre el rendimiento. Tras el estudio en
conveccin natural, se propone estudiar la respuesta trmica y elctrica del panel
refrigerndolo por conveccin forzada, mediante un ventilador de impulsin desde la parte
inferior. Posteriormente se muestran los resultados obtenidos en estas condiciones de
refrigeracin,paralasmismasseccionesdeaireestudiadasanteriormenteycadaunadeellas
a diferentes velocidades forzadas. A continuacin, se realiza un estudio comparativo de los
resultados medidos en las diferentes configuraciones, tanto en conveccin natural como en
forzada,paralasmismascondicionesambientalesenlasqueexistemayorinfluenciatrmica.
Seanalizaycomparalainfluenciasobrelatemperaturaypotenciaelctricadelpanel,dela
seccionesdeaireenconveccinnaturalyforzadajuntoalavelocidadinducidaparacadauna
de ellas. Por ltimo, se analiza las variables influyentes en la refrigeracin del panel para
diferentes condiciones ambientales (temperatura ambiente y radiacin solar) sobre el
coeficiente de Ross, con la finalidad de obtener una correlacin emprica que nos permita
determinarlatemperaturadelmduloparalasdiferentesconfiguracionesestudiadas.

182

DISCUSINDELOSRESULTADOS

En el ltimo apartado se estudia el comportamiento de los mdulos fotovoltaicos que se


encuentranubicadossobrelacubiertadeuninvernadero,existiendounespacioentreambas
superficies, diseo constructivo basado en la instalacin agroenergtica Coronil IV. En esta
instalacintambinsehamodificadolaseccindeaireenlaentradaysehaincorporadoun
materialaislantesobrelacubiertadeplstico,paralasdosseccionesestudiadas,loquenos
ha permitido comparar cuatro configuraciones de refrigeracin con aire por conveccin
natural.Elanlisiscomparativodelasconfiguracionesenglobaelefectodelatemperaturadel
mdulo sobre los principales parmetros elctricos, tales como tensin de circuito abierto,
intensidaddecortocircuitoyeficiencia.Seobservalamismadependenciaencadauna,pero
una mejora para la mayor seccin de paso de aire y siendo la cubierta de aislante. En el
anlisisseobservunaconsiderableinfluenciadelavelocidaddelvientosobrelatemperatura
yeficienciaelctrica,locualsepresentaparacadaunadelasconfiguraciones.Porltimose
expone el anlisis de transferencia de calor en el canal de aire, proveniente de los paneles
fotovoltaicosylacubiertadelinvernadero.Sehaobtenidolapotenciacalorficaabsorbidaen
cada configuracin, lo que nos muestra la configuracin que permite que el panel alcance
menorestemperaturasyconlocual,mejoresuproduccinelctrica.

183

CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS

5.1 ESTUDIO COMPARATIVO EN EL COMPORTAMIENTO DE PANELES


FOTOVOLTAICOS TRABAJANDO EN UNA PLANTA SOLAR FRENTE A LOS
VALORESMEDIDOSENLAINSTALACINEXPERIMENTAL

Comoprimerapartadodeestecaptulo,sepresentalacomparacinenelfuncionamientodel
mdulo fotovoltaico, referido a los parmetros proporcionados por el fabricante, entre los
resultadosexperimentalesylosproporcionadosporlaplantafotovoltaicaCoronilII,descrita
en la seccin 3.1.1. El estudio llevado a cabo muestra la influencia de la temperatura de
funcionamiento del panel sobre sus parmetros elctricos, tales como la intensidad de
cortocircuito, la tensin de circuito abierto, el factor de llenado y la eficiencia elctrica. A
partir de los datos proporcionados de la instalacin solar compuesta por ms de 1700
mdulosytrasrealizarunfiltradojustificadodelosdatos recogidosenlosmesesdeMayo,
Junio,JulioyAgosto,seobtienelainfluenciaquetienelatemperaturaenelrendimientodela
instalacincompleta,comparadoconlaobtenidaenlainstalacinexperimental[78].

Laplantasolarfotovoltaicaconstadeseismodelosdiferentesdemdulosfotovoltaicos,taly
comoseexpusoenelcaptulo3.LospanelesquesehananalizadosonlosdelmodeloET270,
elmismoquelosutilizadosenlainstalacinexperimental.Estospanelessehanconectadoa
unmismoinversorenagrupacionesqueforman466.56kWpquesuponen1728paneles.Las
caractersticasyparmetrosproporcionadosporelfabricantesonlasmostradasenlaFigura
3.12yFigura5.1.

Figura5.1ParmetroselctricoscaractersticosdelospanelesfotovoltaicosET270.

Enlainstalacinsehamedidolapotenciaquedacadainversor,laradiacinsolarencadauna
de las agrupaciones, temperatura ambiente y la temperatura de cinco paneles diferentes
colocados en diferentes partes de la agrupacin correspondiente. Estas medidas se toman
simultneamenteenintervalosde5minutosalolargodetodoslosdas.

Paracompararlosparmetroselctricosobtenidosenlainstalacinconlosquesedeberan
obtenersegnlascurvasdelfabricante,tansloesposibletenindolostodosenlasmismas


184

5.1ESTUDIOCOMPARATIVOENELCOMPORTAMIENTODEPANELESFOTOVOLTAICOS
TRABAJANDOENUNAPLANTASOLARFRENTEALOSVALORESMEDIDOSENLAINSTALACIN
EXPERIMENTAL

condicionesambientales,paraellosehanutilizadolosparmetrosofrecidosporelfabricante,
expuestosenlaFigura5.1,siguiendoelmtododescritoporEduardoLorenzoetal.[79]para
elclculodelaRs,obtenindoseunvalorde4.635mconunfactorm=1paraelpanel.

25 25 (5.1)
% ; % ;
, 300 , 300

,
% 0.065 25 ;
(5.2)
,

,
% 0.346 25 ;
(5.3)
,

,
% 0.488 25 ;
(5.4)
,

Acontinuacinsemuestranlacomparativaentrelosresultadosexperimentalesobtenidosen
elbancodeensayosencondicionesrealesdeoperacinconlosresultadosquesederivande
losparmetrosproporcionadosporelfabricanteenesascondiciones. EnlaFigura5.2 seha
representadolasvariablesIsc (Figura5.2a)yPm(Figura5.2b)obtenidasapartirdelacurva
caractersticaIVmedidaenlainstalacinylasdeducidassegnlosparmetrosdelfabricante
enlasmismascondiciones.Esrelevanteladiferenciapositivaenlosdatosexperimentalesen
ambasvariables,achacableaquelatemperaturadefuncionamientorealesmayorquelade
ensayoyloqueconllevaunaintensidaddetrabajomayor.

a)

185

CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS

b)


Figura5.2Comparativadelosresultadosexperimentalesmedidosenlainstalacin,conlosproporcionadospor
elfabricante,enfuncindelaradiacinsolar.a)Intensidaddecortocircuitob)Potenciamxima.

En funcin de los valores experimentales de temperatura del panel se ha obtenido la


comparacin entre los datos medidos y proporcionados por el fabricante, de la tensin de
circuitoabiertoyelFactordeLlenado(Figura5.3).Seobservaquelosvaloresenamboscasos
son diferentes, existiendo una reduccin en la tensin de circuito abierto de los valores
medidos de casi 8 V, respecto los obtenidos del catlogo, pero la pendiente o tasa de
variacin respecto la temperatura se mantiene similar. En cuanto al Factor de Llenado se
obtieneunvalormediosimilarparaamboscasos,peroteniendomayorpendientelosvalores
experimentalesmedidos,locualindicalainfluenciadelatemperatura.


186

5.1ESTUDIOCOMPARATIVOENELCOMPORTAMIENTODEPANELESFOTOVOLTAICOS
TRABAJANDOENUNAPLANTASOLARFRENTEALOSVALORESMEDIDOSENLAINSTALACIN
EXPERIMENTAL

a) 45

40
Vocmeasured
VocCatalogue V oc (Catalogue) = -0.151Tp+ 47.404
35 R2=0.9928
Voc (V)

30

V oc (measured) = -0.2143Tp + 39.375


25
R = 0.7813

20
20 25 30 35 40 45 50 55 60
Panel Temperature(C)

b) 1

0.95 FF measured

0.9 FF catalogue

0.85

0.8
Fill Factor

FF(catalogue)= -0.0016Tp+ 0.7667


0.75
R = 0.9998
0.7

0.65

0.6 FF(measured) = -0.004Tp + 0.8488


R = 0.7633
0.55

0.5
25 30 35 40 45 50 55 60
Panel Temperature (C)

Figura5.3Comparativadelosresultadosexperimentalesmedidosenlainstalacin,conlosproporcionadospor
elfabricante,enfuncindelatemperaturadelpanel.a)Tensindecircuitoabiertob)Factordellenado.

Finalmente,comparandoelrendimientoelctricodelpanelenfuncindesutemperaturade
funcionamientomedida(Figura5.4),seobservaunabuenacorrelacin.Estosvaloresfueron
obtenidosdelensayodediferentesdasdespejadosperocondiferentetemperaturaambiente
y velocidad de viento, por ello existe una pequea dispersin, pero la correlacin obtenida
presentaunbuenajuste.Adems,podemosdestacarquelosvaloresderendimientomedidos
experimentalmente son mayores a los obtenidos por el fabricante, para las mismas
condiciones.

187

CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS

0.18
Eff measured
0.17 Eff Catalogue

0.16
Eff(measured) = -0.0013Tp + 0.1949
0.15 R = 0.9012
Efficiency (-)

0.14

0.13

0.12

0.11 Eff(Catalogue)= -0.0006Tp + 0.1441


R = 0.9997
0.1

0.09
20 25 30 35 40 45 50 55 60
PVPanelTemperature(C)

Figura5.4Comparativaenlaeficienciaelctricadelosresultadosexperimentalesmedidosenlainstalacin,con
losproporcionadosporelfabricante,enfuncindelatemperaturadelpanel.

ConlosdatosdelmesdeagostodelaplantafotovoltaicaCoronilIIseharealizadounfiltrado
enfuncindelaevolucindelapotenciaytemperaturaalolargodeundaparapoderevitar
los fenmenos de inercia trmica y las sombras debidas a nubes. Este proceso evita la
obtencin de valores errneos y no tiles en el clculo del rendimiento del generador
fotovoltaico.Lasiguientefiguramuestraenlaizquierda,laradiacinsolardecuatrodas,dos
nubladosydosdespejadosyenladerechalapotenciaenlashorascentralesdeldaparacada
unodelosdas.Seapreciaquelaradiacinenlosdas2y10deagostopresentafluctuaciones
enlashorascentralesdelda,debidoalapresenciadenubes,porloquelapotenciaelctrica
obtenidaenesosinstantessevereducidarespectoalresto.Conello,seponedemanifiestola
importanciadeestefiltradoparauncorrectoclculodelrendimiento.


Figura5.5RadiacinsolarypotenciaobtenidaenlaplantasolarfotovoltaicaCoronilII,alolargodecuatrodas
deagosto.


188

5.1ESTUDIOCOMPARATIVOENELCOMPORTAMIENTODEPANELESFOTOVOLTAICOS
TRABAJANDOENUNAPLANTASOLARFRENTEALOSVALORESMEDIDOSENLAINSTALACIN
EXPERIMENTAL

UnavezfiltradoslosdatosdelmesdeAgostodelaplantasolarfotovoltaicaCoronilII,seha
representadoelrendimientoenfuncindelatemperaturamediadelospanelesmedidoscon
elfindeobtenerlacorrelacinentreambasvariablesypodercompararlasconlaobtenidaen
la instalacin experimental (Figura 5.6). Cabe destacar que la correlacin obtenida con los
datos de la planta presenta la misma pendiente que la correlacin obtenida con los datos
experimentales,loquenosindicaquelatasadevariacinoinfluenciadelatemperaturadel
mdulo sobre su rendimiento es similar. Por consiguiente, si se desea conocer el
comportamiento elctrico de una planta fotovoltaica, para diferentes condiciones o
configuraciones,sepuedepredecirapartirdeunprototipoexperimental.Elgradodeajuste
de ambas es elevado, obtenindose una mejor correlacin de los datos provenientes de la
plantadeCoronilIIdebidoaquesedisponedeunnmerodedasmedidosmayor.

0.0013 0.1949 0.9012 (5.5)

0.0013 0.1893 0.9262 (5.6)


0.16

0.15 Eff 0.013 Tp 0.1893


PVplant

R 2 0.9262
0.14
Efficiency

0.13

0.12

0.11
30 35 40 45 50 55 60

Panel temperature (C)


Figura5.6CorrelacindelrendimientodelospanelesenlaplantafotovoltaicaCoronilIIconlatemperatura
alcanzadaporelpanel.

5.1.1 CONCLUSIONES(CONCLUSIONS)
Se han calculado los parmetros de funcionamiento de un panel fotovoltaico en una
instalacinexperimental y se ha comparado con los proporcionados por el fabricante bajo
189

CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS

lasmismascondiciones,obteniendosetendenciassimilares.Ademslacurvaderendimiento
obtenida coincide con la obtenida en un campo solar en explotacin con ms de 1700
paneles.

Se ha establecido un mtodo para filtrar los datos provenientes de una instalacin real
completa para poder obtener la influencia de la temperatura de los paneles sobre el
rendimientodeestos.Lacorrelacinobtenidaparaelrendimientodeunpanelfotovoltaicoy
sutemperaturaenunainstalacinexperimentalessimilaraladeungeneradorfotovoltaico
complejo,funcionandoenunaplantasolarbajocondicionesreales.

Losresultadosconcluyenquesepuedeconocerypredecirelcomportamientoelctricode
una planta fotovoltaica, para diferentes condiciones o configuraciones, a partir de un
prototipoexperimental.

CONCLUSIONS

Thissectionpresentstheresultsofaphotovoltaicpanelmeasurementintheinstrumented
experimentalfacilityandtheextrapolationoftheseresultstoaphotovoltaicgeneratorina
solar plant. The functioning parameters of the photovoltaic panel were calculated in the
experimentalfacilityandcomparedwiththeparametersprovidedbythemanufacturer.The
influence of the operating temperature of the panel on the electrical parameters of the
module was obtained as: shortcircuit current, open circuit voltage, the fill factor and
efficiency. Using available data from a real installation with more than 1700 modules
installed,andwithajustifiedfilteringprocessofcollecteddata,theinfluenceoftemperature
onthesystemperformanceiscomparedwiththeresultsfromexperimentalfacility.

Amethodtofilterthedataofthesolarplantwasmadetostudythetemperatureinfluence
ontheperformanceofthecorrespondingpanelswiththesamemodelandcharacteristics.
The correlation of the module performance and its temperature calculated with the
experimental data is very similar to the corresponding correlation of the commercial solar
system which works with more than 1700 modules and under the same environmental
conditions.

Theresultsconcludedthattheelectricalbehaviourofasolarplantcouldbepredictedand
known, by the measuring an experimental prototype for different configurations or
conditions.


190

5.2COMPORTAMIENTODELPANELFOTOVOLTAICOCOLOCADOSOBREUNACUBIERTA
METLICA

5.2 COMPORTAMIENTO DEL PANEL FOTOVOLTAICO COLOCADO SOBRE UNA


CUBIERTAMETLICA

Con el fin de estudiar el comportamiento elctrico de los paneles fotovoltaicos sobre una
cubiertametlica,sehanensayadodiferentesconfiguracionesderefrigeracinconaireporsu
caraposterior,porconveccinnaturalyforzada[77,80].

El estudio de esta instalacin en conveccin natural consiste en analizar el comportamiento


de las variables elctricas en ambos mdulos fotovoltaicos, el de referencia (panel A) y el
panelsobrelacubiertametlica(panelB)ylamayoromenorinfluenciadelatemperaturade
funcionamiento del panel en cada caso. Adems, se analizarn las variables elctricas y
temperaturasparadiferentesseccionesdepasodeaire,conelfindeconocerlaconfiguracin
quepermitaunamayorrefrigeracinyporendeunamejoraenelrendimiento.

Una vez estudiada en conveccin natural, la repercusin de la temperatura del panel en la


produccin elctrica al estar emplazado sobre una cubierta, dependiendo de la seccin de
paso,esestudiadaycomparadaconlosmismoscasosenconveccinforzada.Unventiladorse
encargardeimpulsarelaireporelcanaldesdelaparteinferiormedianteelacoplamientode
una tobera metlica, para cada una de las secciones ensayadas en conveccin natural. Con
esta configuracin se pretende comparar la evolucin de las temperaturas y las variables
elctricasentreelpaneldereferencia(aisladoybajolascondicionesambientales)yelpanel
sobre la cubierta metlica refrigerado por conveccin forzada para diferentes secciones de
pasodeaire.Cadaseccinsehaensayadoatresregmenesdefuncionamientodelventilador,
fijandotresvelocidadesforzadasdelaireenelcanalparapoderestudiarsuinfluenciaenla
respuestaelctricadelpanelfotovoltaico.

Posteriormente,serealizaunestudiocomparativodetodoslosresultadosobtenidostantoen
conveccinnaturalcomoforzada,analizandolainfluenciadevariablestalescomoelespesor
delcanaldeaire,lavelocidadinducidaenelcanalsobrelatemperaturayeficienciaelctrica
delpanel,comparndoloconelpaneldereferenciaparaaspoderelegirlaconfiguracinms
idnea.

Como ltimo punto, se pretende generalizar el comportamiento de un mdulo fotovoltaico


integrado sobre la cubierta con un canal de aire por su cara posterior que permita su
refrigeracin, bien por conveccin natural o forzada, para diferentes secciones del canal y
bajo diferentes condiciones ambientales. Con tal fin, tras identificar las variables realmente
influyentes,seestablecencorrelacionesexplicitasquenospermitadeterminarlatemperatura
del panel, su potencia y rendimiento. Finalmente, comprobaremos la bondad del ajuste y
compararemosconcorrelacionesdadasporotrosautores.

191

CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS

5.2.1 CONVECCINNATURAL
Siguiendolametodologadescritaenlatomadelosdatosysutratamientoposterior,sehan
registradolasvariablesmedidasdurantevariosdasenelperiodocomprendidoentreel20
052010 y 30082010. Cada da se han medido simultneamente las variables de ambos
paneles,parapodercompararlasbajolasmismascondicionesambientales.Paraelanlisis,
sehanfiltradolosdatosdedaspocosoleadosynubosos,recopilandoaslosvaloresdedas
similaresenradiacinytemperaturaambiente.

LaconfiguracindelpanelB,refrigeradoporsucaraposteriorsedetallaenlaFigura5.7,en
laquelaseparacinentreelpanelylasuperficiemetlica.b,seha variadoconelfinde
cuantificar su influencia en el comportamiento elctrico del panel. En adelante, se har
referenciaalavariableadimensionalquecaracterizalaseparacindelcanaldeaire,relacin
de aspecto, con forme a la bibliografa. La relacin de aspecto (b/L) se define como la
relacinentreelespesordelcanal(b)ysulongitud(L).

PVpanel

Steel
Roof
Airchannel

Figura5.7ConfiguracindelpanelB,representandoelcanaldeaireentreelpanelfotovoltaicoylasuperficie
metlica.

Esta configuracin del panel B se ha medido para tres relaciones de aspecto diferentes,
siendo 0.0525, 0.0675 and 0.0825. Los datos obtenidos muestran que el Panel B, sobre la
cubierta metlica, alcanza mayores temperaturas que el panel A, panel de refencia sin
ningunasuperficieinferior,paralostrescasosexperimentales,estandoambospanelesbajo
lasmismascondicionesambientales.


192

5.2COMPORTAMIENTODELPANELFOTOVOLTAICOCOLOCADOSOBREUNACUBIERTA
METLICA


Figura5.8Diferenciadetemperaturadecadapanelfotovoltaicoylaambienterespectolaradiacinsolar,en
conveccinnaturalparadiferentesrelacionesdeaspectodelcanaldeaire.

El hecho de estar el mdulo fotovoltaico sobre una cubierta metlica, dejando una
separacinentreambassuperficies,reducesurefrigeracinporlacaraposterior,alcanzando
mayorestemperaturasqueunpanelsinningunasuperficieensucaraposterior,siendode
las mismas caractersticas y funcionando bajo las mismas condiciones ambientales y
constructivas. La Figura 5.8 representa el salto de temperatura de cada panel con la
ambiente, respecto la radiacin solar, medidos para diferentes relaciones de aspecto, a lo
largo de diferentes das. Podemos apreciar, que para cada valor de radiacin, se tiene un
par de puntos, correspondientes al salto de temperatura de cada panel con la ambiente,
siendosiempremayorladelpanelsobrelacubiertametlica.

Porlotanto,laproduccinelctricadelpanelByporendesurendimiento,esinferiorala
del Panel A, para cadauna de las relaciones de aspecto, de acuerdo a la proporcionalidad
inversa entre el rendimiento y la temperatura, que se explic en el apartado 2.4. Esto se
muestra en la siguiente grfica, que representa los valores del rendimiento de cada panel
correspondientes a las temperaturas mostradas en la figura anterior, en funcin de la
radiacinsolar.SeapreciacomoelrendimientodelpanelAcuyatemperaturaerainferior,
alcanza valores superiores que el panel B, en mayor o menor rango para los tres casos
experimentalesensayados.

193

CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS


Figura5.9RendimientoelctricodelPanelAyPanelBrespectolaradiacinsolar,enconveccinnatural,para
diferentesrelacionesdeaspectodelcanaldeaire.

Porlotanto,elcomportamientodeunpanelfotovoltaicosobreunacubiertametlica,como
presentanlasnavesindustriales,esafectadoporlaaltatemperaturaalcanzadadebidoala
transferenciadecalordelasuperficiemetlicaalpanelyunmenorefectoderefrigeracin
porconveccinnatural,cuandoelespacioentreambassuperficiesesreducido.

Comoeradeesperar,cuandolaseparacindelcanaldeairedebajodelpanelBesmenor,la
temperatura que alcanza el panel B respecto el panel A, de referencia, es mucho mayor,
siendo hasta 810C superior para altos valores de radiacin solar. Esto se debe a que el
panel B est menos refrigerado por conveccin natural y adems la plancheta metlica
trasfiere calor al aire en el canal de paso, lo que impide una buena refrigeracin y por
consiguienteelrendimientodelpanelBobtenidoenestecasoesmuchopeor.Sinembargo,
para la mayor relacin de aspecto medida, los resultados experimentales muestran que la
mxima diferencia de temperatura entre ambos paneles llega a ser de 56C a medio da,
cuando la radiacin solar es mayor, y el rendimiento del panel B es alrededor de un 0.9%
menorqueelpanelA,comosemuestraenlaFigura5.10.


194

5.2COMPORTAMIENTODELPANELFOTOVOLTAICOCOLOCADOSOBREUNACUBIERTA
METLICA

a)
35

30

Tpanel - Tamb (oC) 25

20

15

10 Panel A
Panel B
5

0
08:00 10:00 12:00 14:00 16:00

Time (h)
b)
16

Panel A
15
Panel B

14
Efficiency (%)

13

12

11

08:00 10:00 12:00 14:00 16:00

Time (h)
Figura5.10Comparacindelcomportamientoentreambospaneles,panelAypanelBconb/L=0.0825.a)
Diferenciadetemperaturadepanelylaambienteb)Rendimientoelctricoalolargodelda.

Tras los resultados obtenidos, la colocacin de un panel sobre una cubierta metlica trae
consigo un aumento de la temperatura del panel y una reduccin de su rendimiento. No
obstante, se pretende comparar el comportamiento elctrico del panel para las diferentes
relacionesdeaspectoydeterminarsuinfluenciaenestaaplicacin,conelfindeseleccionar
lamsidneadesdeelpuntodevistaelctrico.

LaFigura5.11representaladiferenciadetemperaturadelpanelylaambienterespectola
radiacinsolarmedidaparalastresrelacionesdeaspectoensayadasexperimentalmentedel
mdulo fotovoltaico colocado sobre la plancheta metlica. En ella se aprecia que hay
pequeas diferencias de los valores de temperatura, siendo mayores a altos valores de
radiacin, a partir de 600W/m2, para los cuales la temperatura del panel con relacin de

195

CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS

aspecto 0.0525, es de 57C superior a la del panel con la mayor relacin de aspecto,
b/L=0.0825. Para los diferentes das medidos, se observa que a medioda, cuando la
radiacin solar es mxima, se aprecian diferencias considerables en la temperatura
alcanzadaporelpanelparalastresconfiguraciones.

35

Natural Convection b/L=0.0525


30 Natural Convection b/L=0.0675
Natural Convection b/L=0.0825
Tpanel -Tambient (C)

25

20

15

10

5
0 200 400 600 800 1000 1200
2
Irradiance (W/m )
Figura5.11Influenciadelarelacindeaspectoenconveccinnaturalsobrelatemperaturadelpanel.

Por consiguiente, aumentando la relacin de aspecto se consigue una mejor refrigeracin


delpanelporsucaraposterior,loquesetraduceenunareduccindesutemperaturaentre
57C la temperatura del panel, para las mismas condiciones de radiacin solar,
obtenindose una mejora del rendimiento del 0.5% tal y como se muestra en la siguiente
figura. Para la mayor relacin de aspecto, el rendimiento elctrico obtenido es mayor que
paraelrestodelasrelacionesdeaspectodebidoaquelatemperaturaalcanzadaesmenor,
cuandolaradiacinsolaressuperioralos600W/m2.


196

5.2COMPORTAMIENTODELPANELFOTOVOLTAICOCOLOCADOSOBREUNACUBIERTA
METLICA

15

14
Efficiency (%)

13

Natural Convection b/L=0.0525


Natural Convection b/L=0.0675
12 Natural Convection b/L=0.0825

11
0 200 400 600 800 1000 1200
2
Irradiance (W/m )
Figura5.12Influenciadelarelacindeaspectoenconveccinnaturalsobreelrendimientoelctricodelpanel.

Enlasfigurasanterioresseobservaqueparavaloresbajosderadiacinsolar(aprimerasy
ltimas horas del da), los valores medidos de temperatura y rendimiento del panel
fotovoltaico son muy similares, sin diferencias algunas. Esto se debe a que la relacin de
aspecto no afecta en el comportamiento elctrico del mdulo, cuando los valores de
radiacinsolarsonbajos.

Este hecho se explica tambin en la Figura 5.13, mostrando la influencia de la relacin de


aspectoenlasvariableselctricasdelpanel,talescomolatensindecircuitoabierto(Voc),
intensidaddecortocircuito(Isc)ylapotenciamxima(Pm)endossituacionesdiferentes,para
bajosyaltosvaloresderadiacinsolar.

En el primer caso en el que se muestran los valores medidos para una radiacin de 970
W/m2latensindecircuitoabiertocuandolarelacindeaspectoesmayor,mientrasquela
intensidad de cortocircuito disminuye considerablemente yla potenciaaumenta alrededor
de un 7.5% para la mayor separacin del canal de aire, debido a que el panel est mejor
refrigerado por conveccin natural, alcanzando menor temperatura. Por lo tanto, la
produccin elctrica mejora cuando la separacin entre el panel y la cubierta metlica es
mayor (Figura 5.13a). En el otro caso, para una radiacin baja de 325 W/m2 las variables
elctricasapenassufrenvariacinalgunaconlarelacindeaspecto,loqueexplicaporqueel
rendimientodelpaneltomavaloressimilaresparalastresrelacionesdeaspectoparabajos
valoresderadiacin(Figura5.13b).


197

CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS

a)
220

215
5 Voc (V), 25 Isc (A), Pm (W)

210

205

200

195
V
oc
Isc
190
Pm

185
0.050 0.055 0.060 0.065 0.070 0.075 0.080 0.085

Aspect ratio (b/L)


b) 90
2 Voc (V), 25 Isc (A), Pm (W)

80

70

V
oc
I
60 sc
P
m

0.050 0.055 0.060 0.065 0.070 0.075 0.080 0.085

Aspect ratio (b/L)


Figura5.13Influenciadelarelacindeaspectosobrelasvariableselctricasadiferentescondiciones
ambientales.a)Altaradiacinsolar,conGpira=970W/m2yTamb=29C.b)Mediabajaradiacinsolar,con
Gpira=225W/m2yTamb=23C.

Porconsiguiente,paraanalizaryestudiarlainfluenciadelatemperaturadefuncionamiento
del panel en las diferentes configuraciones, se deben comparar los valores medidos para
valoresderadiacinsolaraltos.

5.2.2 CONVECCINFORZADA
Una vez analizada la influencia negativa en la produccin elctrica del panel fotovoltaico,
debida a una insuficiente separacin entre ste y la superficie metlica lo cual permite su


198

5.2COMPORTAMIENTODELPANELFOTOVOLTAICOCOLOCADOSOBREUNACUBIERTA
METLICA

refrigeracin por conveccin natural, se ha analizado el comportamiento del panel en


conveccinforzadamedianteelusodeunventilador,paralasmismasrelacionesdeaspecto
previamente estudiadas. Las configuraciones en conveccin forzada se han medido y
estudiado adems, para tres regmenes de funcionamiento del ventilador, fijando tres
valoresdevelocidadforzadaatravsdelcanaldeairesiendode2,3y4m/s(valoresmedios
medidosenelcanal)ycadaunahasidomedidayestudiadaparacadaseccindepasode
aire bajo el mdulo fotovoltaico. En los resultados mostrados a continuacin, slo se han
incluido los correspondientes a dos velocidades testeadas, la de menor y mayor valor, al
mostrardiferenciasmssignificantesentreellasenlosresultadosobtenidos.

Las medidas experimentales muestran que el panel B refrigerado por su cara posterior
mediante conveccin forzada alcanza temperaturas menores que el panel A de referencia
paratodosloscasosestudiados,comoeradeesperar,yconsecuentementesuproduccin
elctricaesmayorinclusoparalamenorrelacindeaspectoylamenorvelocidadforzada,
por el hecho de que el aire forzado por el ventilador permite una mayor refrigeracin del
mdulofotovoltaico,talycomosemuestranenlasFigura5.14y5.15.

a)

35
Reference Panel A
Forced Convection,Vv =2m/s, b/L=0.0525
30
Forced Convection, Vv =2m/s, b/L=0.0675
Forced Convection, Vv=2m/s, b/L=0.0825
Tpanel -Tambient (C)

25

20

15

10

0
0 200 400 600 800 1000

Irradiance (W/m2)

199

CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS

b)
15.5

15.0

14.5
Efficiency (%)

14.0

13.5

13.0
Reference Panel A
12.5 Forced Convection, Vv =2m/s. b/L=0.0525
Forced Convection, Vv =2m/s. b/L=0.05675
12.0 Forced Convection, Vv=2m/s. b/L=0.0825

11.5
0 200 400 600 800 1000

Irradiance (W/m2)
Figura5.14Influenciadelarelacindeaspectoenlatemperaturayrendimientodelpanelenfuncindela
radiacinsolarparaVv=2m/s.a)Diferenciadetemperaturadelpanelconelambiente.b)Rendimientodel
panel,paralasdiferentesrelacionesdeaspecto

Losresultadosexperimentalesmuestranqueelmdulofotovoltaicoseencuentraamenor
temperatura cuando la separacin del canal de aire es mayor, permitindole una mayor
refrigeracin,paralasrelacionesdeaspectocomprendidasentre0.0525y0.0825.Adems,
se representa el comportamiento del panel de referencia sin canal de aire, Panel A, cuya
temperaturaessuperioraladelPanelBparacualquieradelasrelacionesdeaspectoysu
rendimientoinferior,loquenosindicaquelarefrigeracindelpanelporsucaraposteriora
unavelocidadforzadade2y4m/sconsigueunamayoreficienciaelctrica,alnoalcanzar
tanelevadastemperaturascomolasdelpaneldereferencia.

Paraunavelocidadforzadade2m/s,noexistenapenasdiferenciasenelcomportamiento
del panel para la menor relacin de aspecto (0.0525) y el panel de referencia, siendo los
valoresdetemperaturaquealcanzancomoelrendimientoenamboscasosmuysimilares,
demodoquelamejoraenproduccinelctricaporrefrigeracinparalamnimaseparacin
delcanalesmuypequea(Figura5.14).Sinembargo,paralavelocidadforzadade4m/s,si
existendiferenciassignificativasensucomportamiento,consiguiendoreducirentre35Cla
temperatura del mdulo con la mnima separacin respecto al panel de referencia, lo que
suponeunrendimiento0.5%superior(Figura5.15).

Los resultados obtenidos para los casos correspondientes con b/L =0.0675 y b/L =0.0825
presentanunamejoraconsiderableparaambasvelocidadesforzadas,respectoalpanelde
referencia, teniendo el panel una temperatura considerablemente inferior y consiguiendo
unrendimientoentorno0.50.9%mayorparavaloresderadiacinsuperioralos600W/m2.


200

5.2COMPORTAMIENTODELPANELFOTOVOLTAICOCOLOCADOSOBREUNACUBIERTA
METLICA

Adems, entre ambas separaciones no hay apenas diferencias significativas para ambas
velocidadesforzadas,locualindicaqueelpequeoincrementoenlaseparacindelcanal,
nosuponeunagranmejora.

a)

30

Reference Panel A
Forced Convection, Vv =4 m/s, b/L=0.0525
25
Forced Convection, Vv=4 m/s, b/L=0.0675
Forced Convection, Vv=4 m/s, b/L=0.0825
Tpanel -Tambient (C)

20

15

10

0
0 200 400 600 800 1000

Irradiance (W/m2)
b)
15.5

15.0

14.5
Efficiency (%)

14.0

13.5

13.0
Reference Panel A
Forced Convection, Vv =4 m/s, b/L=0.0525
12.5
Forced Convection, Vv =4 m/s, b/L=0.0675
Forced Convection, Vv =4 m/s, b/L=0.0825
12.0

11.5
0 200 400 600 800 1000
2
Irradiance (W/m )
Figura5.15Influenciadelarelacindeaspectoenlatemperaturayrendimientodelpanelenfuncindela
radiacinsolarparaVv=4m/s.a)Diferenciadetemperaturadelpanelconelambiente.b)Rendimientodel
panel,paralasdiferentesrelacionesdeaspectos

201

CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS

Comparandolosresultadosobtenidosparaambasvelocidadesforzadas,cabedestacarquea
mayorvelocidadinducidaenelcanal,elsaltodetemperaturadelpanelylaambientellegaa
ser57Cinferior,paracadaunadelasrelacionesdeaspecto,debidoaqueelflujodeaire
inducido a travs del canal es mayor, permitiendo una mayor refrigeracin del canal.
Adems,lamejoradelatransferenciadecalorentreelmduloyelaire,conelaumentodel
caudaldeaire,sellegaaconseguirtanto,aumentandolavelocidadforzadaparalamisma
relacin de aspecto, como si incrementamos la seccin de paso de aire para la misma
velocidadforzada.

Los resultados muestran que el panel alcanza la mayores temperaturas en los casos de
menor velocidad inducida y la mnima relacin de aspecto, de hecho en esos casos el
rendimiento obtenido por el panel es menor. No obstante, cuando el panel est bien
refrigerado,paraVv=4m/s,elpeorrendimientoalcanzadoesde12.513%,dependiendode
la relacin de aspecto, mientras que para una menor refrigeracin (Vv =2 m/s), el peor
rendimientoalcanzadoesde1212.5%loqueindicaqueexisteunaumentodelaeficiencia
elctricaamayorvelocidadforzada.

Por consiguiente, la refrigeracin del panel por su cara posterior mediante conveccin
forzada, supone una mejora del rendimiento elctrico, comparado con los resultados
obtenidos en conveccin natural, por el hecho de que la induccin de aire mantiene al
mduloamenorestemperaturasdefuncionamiento.

5.2.3 COMPARACINENTRECONVECCINNATURALYFORZADA
Resumiendo el anlisis de resultados visto hasta el momento, la temperatura de
funcionamientodelpanelaumentacuandosteseencuentrasobreunasuperficieocubierta
metlica, lo que conlleva una disminucin considerable de la produccin elctrica,
especialmente a elevados valores de radiacin solar. Este efecto negativo podra ser
mejoradoproporcionandouncanaldeaireentreambassuperficies,elcualpermitaalpanel
nollegaraaltastemperaturasgraciasaunmayorefectoderefrigeracinsobreelpanelpor
elefectochimeneacreadomedianteconveccinnatural.Adems,losresultadosobtenidos
muestran que un aumento en la separacin del canal de 0.06 m, llega a reducir la
temperaturadelmdulohasta56Cymejoraligeramentesurendimientoelctrico(Figura
5.11 y Figura 5.12). Sin embargo, se alcanza una mayor reduccin en la temperatura del
panel fotovoltaico, aumentando el caudal de aire a travs del canal mediante conveccin
forzada,conloque,amayorvelocidadinducidayseparacindelcanal,latemperaturadel
panel es menor y su eficiencia elctrica mejora considerablemente, comparado con el
comportamientodeunpanelsincanaldeaire(Figura5.14yFigura5.15).

En las figuras 5.14 y 5.15 se mostraba la relacin del salto de temperatura del panel y la
temperaturaambienteconlaradiacinsolarparadiferentesrelacionesdeaspecto,fijando

202

5.2COMPORTAMIENTODELPANELFOTOVOLTAICOCOLOCADOSOBREUNACUBIERTA
METLICA

la velocidad inducida en el canal de aire. Del mismo modo, se ha representado la misma


relacinparadiferentesvaloresdevelocidadinducidafijandolarelacindeaspecto,conel
objetodepodercompararlaconlaspropuestasporNordmannyClavadetscher[71],tanto
para conveccin natural como forzada, observndose un buen ajuste de los datos (Figura
5.16).

a)

Natural convection, b/L=0.0675


40 Forced Convection Vv=2.5 m/s , b/L=0.0675
Forced Convection Vv=3.5 m/s , b/L=0.0675
Forced Convection Vv =5.5 m/s , b/L=0.0675
Sploped roof, well cooled
Tpanel-Tambient (C)

30 (Nordmann and Clavadetscher, 2003)


Sploped roof, not so well cooled
(Nordmann and Clavadetscher, 2003)

20

10

0
0 200 400 600 800 1000 1200
2
Irradiance (W/m )
b)
Natural convection, b/L=0.0825,
Forced Convection Vv=2.5 m/s , b/L=0.0825
40
Forced Convection Vv=3.5 m/s , b/L=0.0825
Forced Convection Vv=5.5 m/s , b/L=0.0825
Sploped roof, well cooled
Tpaqnel-Tambient (C)

30 (Nordmann and Clavadetscher, 2003)


Sploped roof, not so well cooled
(Nordmann and Clavadetscher, 2003)

20

10

0
0 200 400 600 800 1000 1200
2
Irradiance (W/m )
Figura5.16.Diferenciaentretemperaturadepanelyambienteenfuncindelaradiacinsolarparadiferentes
nivelesdevelocidadinducida.a)b/L=0.0675.b)b/L=0.0825

203

CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS

Un aspecto que se debe sealar es el hecho de que para irradiancias bajas, los datos
experimentales aparecen en varios grupos, debido a que los valores que se han medidos
toman valores muy cercanos con lo que se aprecian los efectos transitorios en la
temperatura o incluso que el mdulo no tenga tiempo suficiente para ajustar su
temperaturacuandohayuncambioenelnivelderadiacinsolar.

Apesardeello,losresultadosexperimentalespresentadosenlaFigura5.16paraloscasos
de conveccin naturales muestran una pendiente muy similares a los propuestos en
NordmannyClavadetscher(2003),conunadesviacinmximade5Cenlamayoradelos
casos.Estavariacinpuedeserdebidoalhechodequeladiferenciadelatemperaturano
slo est fuertemente influenciada por la irradiacin sino tambin por la velocidad del
viento.Enconveccinforzadaseobtienenconclusionessimilaresalcompararlosresultados
experimentalesparaunnivelbajodevelocidadinducida(Vf 2.5m/s)conlospropuestosen
Nordmann (2003) para un sistema fotovoltaico de techo inclinado bien refrigerado. Sin
embargo, es de destacar que para mayores valores de velocidad inducida, (Vf 3.5 m/s y
Vf5.5m/s)larefrigeracinobtenidaenesteestudioessuperioralpropuestoen[71].Este
hecho pone de manifiesto la necesidad de llevar a cabo un estudio exhaustivo de la
influenciadelaconveccinforzadainducidaenlatemperaturadelmdulooperativocomo
severenlaseccin6.2.4 [77].Lasdiferenciasentrelosresultadosobtenidosparaambas
relaciones de aspecto presentados no son muy significativas. Algunos autores [65,81])
estudiaronlainfluenciadelarelacindeaspectodelosmdulosfotovoltaicosenloscanales
inclinados y sealaron la importante influencia de este parmetro de la temperatura del
mdulo.Sedeterminunvalorptimoparalarelacindeaspectoalrededorde0,1.

A continuacin se pretende comparar las diferentes configuraciones estudiadas, tanto en


conveccin natural como en forzada. En los resultados mostrados previamente, se ha
observado que el comportamiento elctrico del panel empeora a elevados valores de
radiacin solar, cuando el panel se calienta y la temperatura tiene una influencia
significante.Porlotanto,lacomparacinderesultadosllevadaacabo,sehahechoconlos
datos correspondientes a dichas condiciones, radiacin solar aproximada a 950 W/m2 y
temperatura ambiente de 28C. En la Figura 5.17, se muestra la temperatura del panel
respectoalaambienteylapotenciaelctricaenfuncindelavelocidaddelaireenelcanal,
paralasdiferentesseccionesdepasodeaireexperimentadas.

Los resultados obtenidos revelan que para una relacin de aspecto dada, la potencia
elctrica obtenida por un mdulo refrigerado por aire inducido es 35% mayor que por
conveccin natural, y como era de esperar, aumenta cuando la velocidad inducida en el
canalesmayor.Estamejoraenelcomportamientoelctricosedebeaquelastemperaturas
alcanzadas por el panel, respecto del ambiente, disminuye alrededor de 1016C por
refrigeracin inducida. Comparando ambos casos de conveccin forzada, para la mayor


204

5.2COMPORTAMIENTODELPANELFOTOVOLTAICOCOLOCADOSOBREUNACUBIERTA
METLICA

velocidad inducida, el aumento en la potencia es de 2.4%, siendo su temperatura 7C


inferior.

a)
34

32
b/L=0.0525
30 b/L=0.0675
b/L=0.0825
28
Tpanel - Tamb (oC)

26

24 Forced Convection

22 Natural Convection

20

18

16

14

12
0 1 2 3 4 5
Vair (m/s)

b) 215

210
Natural Convection

205
Pm (W)

Forced Convection

200

b/L=0.0525
b/L=0.0675
195 b/L=0.0825

190
0 1 2 3 4 5
Vair (m/s)

Figura5.17Comparacinentreconveccinnaturalyforzadaparalasdiferentesrelacionesdeaspecto,parauna
radiacinde950W/m2yTambientede28C.a)Potenciapico.b)Diferenciadetemperaturadelpanely
ambiente.

Desde otro punto de vista, tanto en conveccin natural y forzada, la produccin elctrica
obtenidaaumentaun22.5%paraunamayorseparacinenelcanaldeaire,refrigerandoal
panelmseficientemente,porloquelatemperaturapanelalcanzadaesde57Cmenor.

205

CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS

Adems,sepuedeapreciarqueelpanelpresentauncomportamientomuysimilarparalas
relaciones de aspecto de 0.0675 y 0.0825, para las que no hay apenas diferencias
significativasenlapotenciaytemperaturadefuncionamiento,porconsiguientelasmayores
disimilitudesenlosresultadossehanobtenidoentrelamenorymayorrelacindeaspecto.
Por este motivo, se han analizado la relacin negativa de la temperatura sobre el
rendimientoelctricoparaestosdoscasos,ambosenconveccinnaturalyforzada(Figura
5.18).

a)
16

Natural Convection
Forced Convection, Vv=2 m/s
15
Forced Convection, Vv =4 m/s
Efficiency (%)

14

13

12

11
0 5 10 15 20 25 30 35

Tpanel - Tamb (oC)


b) 16
Natural Convection
Forced Convection, Vv=2 m/s
15 Forced Convection, Vv =4 m/s
Efficiency (%)

14

13

12

11
0 5 10 15 20 25 30 35

Tpanel - Tamb (oC)


206

5.2COMPORTAMIENTODELPANELFOTOVOLTAICOCOLOCADOSOBREUNACUBIERTA
METLICA

Figura5.18Relacinentreelrendimientodelpanelconlatemperatura.a)Paralamenorrelacindeaspecto
medida(0.0525).b)Palalamayorrelacindeaspectomedida(0.0825).

Los resultados experimentales reflejan la dependencia negativa entre la temperatura y el


rendimientoelctricodeunpanelfotovoltaicoparalasdiferentesconfiguraciones.Mientras
queladiferenciadetemperaturaentreelpanelyelambientenoesmuyalta,seapreciamuy
pequeas diferencias en los valores del rendimiento entre las diferentes configuraciones,
perocuandoelpanelalcanzaelevadastemperaturaselrendimientodisminuyebruscamente
y se pueden apreciar diferencias en los valores dependiendo de la configuracin y de la
relacindeaspecto.

Los menores valores de eficiencia elctrica medidos corresponden para el mayor salto de
temperatura,siloscomparamosentreambasrelacionesdeaspectoseobservaqueparala
mayorrelacindeaspectoelrendimientomnimoobtenidoesmayor,tantoenconveccin
naturaleinducida,yenestecasosepercibeunamejoraconsiderableenelrendimientodel
panelentrelasdiferentesconfiguraciones(conveccinnaturalyforzada).

5.2.4 GENERALIZACINDERESULTADOS
Alavistadelosresultadospresentados,latemperaturadefuncionamientodelosmdulos
fotovoltaicos integrados en cubiertas est influenciada por la capacidad de ventilacin del
canaldeaire,creadobajoelmdulo.Laventilacinasuvez,dependedediversosfactores
talescomolavelocidaddelviento,laseparacinentreelpanelylacubierta,ylavelocidad
delaireenelcanal.Porello,cabelanecesidaddedesarrollarunmodeloexperimental,enel
queseestudielainfluenciadedichasvariablesenlatemperaturadelmdulo,estableciendo
correlaciones semiempricas que nos permita determinar la temperatura del mdulo para
diferentesconfiguracionesycondicionesambientales.

Previamentesedebeasegurarquetantolarelacindeaspectocomolavelocidadinducida
en el canal de aire son variables influyentes al coeficiente de Ross, mediante un anlisis
estadsticoquenospermitadeterminarsiexistendiferenciassignificativasenladistribucin
de k para diferentes valores de b/L y Vv. En A.S. Kaiser et al. [77] se detalla el estudio
estadsticollevadoacaboconlosdatosexperimentales,enelqueseafirmaunainfluencia
significativa de la relacin de aspecto y la velocidad inducida en la distribucin del
coeficientedeRoss.

De acuerdo a los estudios bibliogrficos presentados en el apartado 2.5, a partir de los


resultadosexperimentalesmedidosseobtendrunacorrelacinparaelparmetrodeRoss
en funcin de las variables influyentes. Una vez obtenida dicha correlacin, utilizando la
ecuacin 2.18 se tiene la expresin que nos permitir obtener la temperatura de
funcionamientodelpanel,bajodiferentescondicionesambientalesyconstructivas.

207

CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS

Delanlisisdelasdistribucionesdepuntosdedatos(Figura5.19),sepuedededucirquehay
una relacin no lineal entre las variables dependientes e independientes. Se ha detectado
queunmodeloqueseajusteaestadistribucindedatostomalaforma:

1 (5.7)

dondeA,ByCsonlasconstantesdeajustedelmodelo.

0.040
b/L=0.0525 (Experimental data)
b/L=0.0675 (Experimental data)
0.035 b/L=0.0825 (Experimental data)
b/L=0.0525 (Correlation proposed)
b/L=0.0675 (Correlation proposed)
0.030 b/L=0.0825 (Correlation proposed)
b/L=0.11 (Correlation proposed)
k (m K/W)

Skoplaki et al., 2008 (=1)


0.025
2

0.020

0.015

0.010

0 1 2 3 4 5 6
Vv (m/s)
Figura5.19ResultadosexperimentalesycorrelacionespropuestasdelcoeficientedeRoss(k)medidopara
diferentesrelacionesdeaspectoyvelocidadesinducidasenelcanal.Correlacionesexperimentalespropuestas
porSkoplakietal.[72]parasistemasPVnointegradosencubierta(w=1).

Conelfindeaplicarlateoraderegresinlinealalaecuacin.5.7,sehanllevadoacabolas
siguientestrasformacionesparaconvertirestaexpresinenlineal:

(5.8)

siendoY=lnk/ln(1+Vv),X1=1/ln(1+Vv),X2=b/LyA1=lnA.Elmodeloderegresinobtenido
medianteelusodelsoftwareSPSS,seresumeenlaTabla5.1,dondeRrepresentaelvalor
del coeficiente de correlacin mltiple y R2 mide la proporcin de variabilidad total de la
variableindependientequeesexplicadaporelmodelo,tomandounvalorde0,995,loque
significaqueX1yX2representanel99,5%delavariacinenY.

R R2 AdjustedR2 FChange Sig.FChange



0.997 0.995 0.995 55.678 0.000
Tabla5.1Resumendelmodeloderegresin


208

5.2COMPORTAMIENTODELPANELFOTOVOLTAICOCOLOCADOSOBREUNACUBIERTA
METLICA

Unstandardized Standardized
Model coefficients Coefficient t Sig.
b Std.error Beta
Constant 0.162 0.008 20.291 0.000
X1 3.092 0.120 0.886 250.52 0.000

X2 6.311 0.121 0.184 52.142 0.000
Tabla5.2Coeficientesdelmodeloderegresin.

LosparmetrosdelmodelorealizadosepresentanenlaTabla5.2,enlaqueseincluyenla
estimacindelosbvaluesysucontribucinindividualdecadavalorpredichodelmodelo.
SustituyndolosenlaEcuacin5.8seobtiene:

3.092 6.311 0.162 (5.9)

Cada uno de estos valores (bvalues) tiene un error estndar asociado el cual indica hasta
qu punto estos valores variaran en diferentes muestras, y estos errores se utilizan para
determinar si el dicho valor difiere significativamente de cero. Esto viene probado con el
valor de significancia ttest asociado a cada bvalue (la columna denominada Sig.), al ser
inferiora0,05entoncescadavalorpredichoesthaciendounacontribucinsignificativaal
modelo.Porconsiguiente,lafuncinexperimentalcalculadamediantelacorrelacindelas
medicionesexperimentalesobtenidasenestetrabajoseescribecomo

. . (5.10)
0.045 1

Los valores predichos de la ecuacin. 5.10 se comparan en la Figura 5.19 con los datos
experimentales de este estudio para diferentes configuraciones, y con la correlacin
propuestaporSkoplakietal.[72](Ec.2.20).Lossmbolospresentadosconformacircular,de
romboycuadradamuestranlosdatosexperimentalesmedidospararelacionesdeaspecto
deb/L=0.0525;b/L=0.675yb/L=0825respectivamente,paraunrangodevelocidadinducida
enelcanaldesde2m/shasta6m/s.Lascurvastrazadasrepresentanlaslneasdetendencia
delacorrelacinpropuestoenestetrabajocomounafuncindelarelacindeaspectoyla
velocidadinducidaenelcanal.

Como se muestra en la Figura 5.19, la correlacin propuesta pone en manifiesto que el


mdulo fotovoltaico integrado en el canal se comporta de la misma manera como un
mdulo independiente (sin integracin), para valores de b/L mayores que 0.11. Los
resultados obtenidos por Skoplaki et al. [72] (representados en la figura por la lnea
continua)sonmuysimilares.EstamismatendenciatambinseproponeporGan[65]para
unaconfiguracindeintegracinfotovoltaicarefrigeradaporconveccinnatural,enlaque
seproponeunaseparacincrticaenelcanaldeairebajoelpanelcrticode0,11mcomoel
espacio de aire mnimo que se requiere para minimizar el sobrecalentamiento de los
dispositivosfotovoltaicos,paraunalongituddelmdulode1.209m(estocorrespondeauna
relacindeaspectode0.09).

209

CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS

Cabesealarqueparaunarelacindeaspectoconstante,elvalordelavelocidadinducida
dentro del canal afecta fuertemente en la refrigeracin del mdulo. Adems, para cada
velocidad inducida, los valores del coeficiente de Ross aumentan con la disminucin del
espacio de aire en el canal (Figura 5.19). A la vista de los resultados, se deduce que esta
correlacin es vlida para velocidades inducidas en elrango de 26 m / s, y relaciones de
aspectoenelrangode0,05250,0825.

A partir de la ecuacin 5.10, se propone la siguiente expresin para determinar la


temperatura de funcionamiento de un panel fotovoltaico integrado en una cubierta, en
funcindelatemperaturaambiente,radiacin,velocidadinducidaylarelacindeaspecto.

. . (5.11)
0.045 1

A partir de la correlacin obtenida, podemos obtener los valores predichos de la


temperaturadelmduloparalasdiferentescondicionesambientalesygeomtricasmedidas
en la instalacin y as establecer la bondad del ajuste comparndolos con la temperatura
medidabajosdichascondiciones,talycomoseincluyeen[77].
Operating panel temperature Tpanel (C)

60

50

40

Experimental data (b/L=0.0825, Level 3 for Vv)


30 Correlation (b/L=0.0825, Vv=5.5m/s))
Experimental data (b/L=0.0825, Level 2 for Vv)
Correlation (b/L=0.0825, Vv=3.5 m/s)
Experimental data (b/L=0.0825, Level 1 for Vv)
20 Correlation (b/L=0.0825, Vv=2.5)
Exp. data (b/L=0.0825, natural convection)
Correlation (b/L=0.0825, natural convection)

10
9 10 11 12 13 14 15 16
Time (h)

Figura5.20Comparacindelosvaloresexperimentalesmedidosylospredichosporelmodeloexperimentalpara
latemperaturadelpanelfotovoltaicointegradosobrecubierta,alolargodeundayparadiferentesvaloresde
velocidadinducidaenelcanal(b/L=0.0825).

La Figura 5.20 muestra una comparacin entre la evolucin de los datos experimentales
medidosparadiferentesnivelesdevelocidadinducida,conlosvalorespredichosobtenidosa
travsdelaecuacin5.11,alolargodeundatpico.Enellaseapreciaquelacorrelacin


210

5.2COMPORTAMIENTODELPANELFOTOVOLTAICOCOLOCADOSOBREUNACUBIERTA
METLICA

propuesta sigue la misma tendencia que los datos experimentales, obtenindose en la


mayoradeloscasosunasdiferencias(enpromedio)inferioresal5%.

A partir de la correlacin de la temperatura del panel, se puede estimar la eficiencia


elctrica,asumiendolaexpresinlinealconlatemperaturapropuestaporEvansetal.[82]
quejuntolasmedidasexperimentalessededucelasiguienteexpresin:

0.15 1 0.006 25 (5.12)

Sustituyendolaecuacin.5.11,nospermiteobtenerunaexpresinempricaqueprediceel
rendimientoelctricodeunmdulofotovoltaicoenfuncindelascondicionesambientales
(temperatura ambiente y radiacin solar), y configuraciones de estudio; la relacin de
aspecto como variable geomtrica y velocidad inducida en el canal como parmetro de
ventilacin.

. .
0.15 1 0.006 0.045 1 25 (5.13)

0.16

0.15
Electrical efficiency (panel)

0.14

0.13 Experimental data, natural convection


Experimental data, Vv ~ 2,5 m/s
0.12 Experimental data, Vv ~ 5,5 m/s
Ec. (5.13) (Vv = 1 m/s, Tamb = 25 C, b/L = 0,0675)
0.11 Ec. (5.13) (Vv = 2,5 m/s, Ta mb= 25 C, b/L = 0,0675)
Ec. (5.13)(Vv = 5,5 m/s, Ta mb= 25 C, b/L = 0,0675)
0.10
200 400 600 800 1000
Irradiance Gpira (W/m2)

Figura5.21Comparacinentrelosdatosexperimentalesdelaeficienciaelctricaconlacorrelacinpropuesta
paradiferentesvaloresdevelocidadinducida,b/L=0.0675yTamb=25C[77].

211

CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS

400
(Vv = 6 m/s, Tamb = 25C, b/L = 0,0825)
(Vv = 3 m/s, Tamb = 25C, b/L = 0,0825)
Electrical power Pm (W)

300 (Vv = 1 m/s, Tamb = 25C, b/L = 0,0825)

200

100

0
0 200 400 600 800 1000 1200
Irradiance Gpira (W/m2)

Figura5.22Influenciadelavelocidadinducidadelaireenelcanalsobrelapotenciapicodelpanelfotovoltaicoen
funcindelaradiacinsolar,apartirdelacorrelacinpropuestaparab/L=0.0825yTamb=25C.

SepuedeapreciarenlaFigura5.21,quelastendenciasentrelosvaloresexperimentalesylos
propuestos por la correlacin son muy similares. Del mismo modo, la potencia pico del
mdulo puede ser estimada a partir de la ecuacin 5.12, ya que Pm=panelSGpira,
obtenindoseunbuenajustedelosvalorespredichos,talycomoseestudien[77].Adems
se analiz la influencia de la de la velocidad inducida en la potencia (Figura 5.22),
obtenindose un aumento del 19.13% comparando conveccin natural (Vv=0.5 m/s) y
conveccinforzada(Vv=6m/s).

. .
0.15 1 0.006 0.045 1 25 (5.14)

5.2.5 CONCLUSIONES(CONCLUSIONS)
Sehaanalizadolainfluenciaenlatemperaturadefuncionamientodelasvariableselctricas
dedospanelesfotovoltaicosdelmismomodeloyespecificacionestcnicasyfuncionandoen
las mismas caractersticas constructivas y condiciones ambientales. La diferencia entre
ambos reside en que uno de ellos est colocado sobre una cubierta metlica (panel B),
existiendounespacioentreambassuperficiesquepermitelacirculacindeaireasutravs.
Dicha separacin, caracterizada por la variablerelacin deaspecto (b/L), se ha modificado
con el fin de estudiar su influencia. El otro panel carece de ninguna superficie inferior, ni
canaldeaireysehaconsideradocomopaneldereferencia(panelA).Elestudiorealizado

212

5.2COMPORTAMIENTODELPANELFOTOVOLTAICOCOLOCADOSOBREUNACUBIERTA
METLICA

comparaambospanelesparatresseccionesdecirculacindeaire,tantopararefrigeracin
naturalcomoforzada.

Medianteconveccinnatural,elcomportamientodelpanelfotovoltaicocolocadosobreuna
cubiertametlicadifierealdelpanelsinella.Independientementedelaseccindelcanalde
aire,elpanelBalcanzatemperaturashasta510Cmayoresquelasdelpaneldereferencia,y
surendimientoes11.5%inferior,enmayoromenormedidadependiendodelaradiacin
solarylarelacindeaspectotesteada.Porconsiguiente,lacolocacindeunpanelsobreuna
cubierta metlica modifica tanto la temperatura de funcionamiento como su produccin
elctrica,debidoalatransferenciadecalordelasuperficiemetlicaalcanalyalreducirla
refrigeracinmedianteconveccinnaturalporsucaraposterior.

Cuandolacubiertametlicaestmsprximaalmdulo,larefrigeracindelpanelesms
limitadayladiferenciadesutemperaturaconladelpanelAesmayorquecuandoelpanel
fotovoltaicoseencuentramsseparado.Estoindicaquelaseparacinexistenteinfluyeenla
temperatura y consecuentemente en las variables elctricas. Comparando la diferencia de
temperatura del panel con el ambiente, para las tres relaciones de aspecto, existen
diferencias significativas a partir de radiaciones altas. Para la mayor seccin del canal
ensayada (b/L=0.0825), el salto de temperaturas es de 57C inferior a la medida para la
menor seccin de aire (b/L=0.0525), observndose mayor diferencia trmica a partir de
valores de radiacin solar de 600 W/m2. Esto implica una mayor produccin elctrica,
obteniendo un rendimiento alrededor del 0.50.8% superior al aumentar la relacin de
aspecto, ya que permite una mayor refrigeracin del panel. Adems se obtienen
considerablesdiferenciasenlasvariableselctricas,intensidaddecortocircuito,tensinde
circuito abierto, consiguiendo un aumento de la potencia de un 7.5%. Sin embargo, para
bajosvaloresderadiacinsolarytemperaturaambiente,noexistenapenasvariaciones.

Enconclusin,larefrigeracinporlacaraposteriordeunmdulofotovoltaicoatravsdel
uncanaldeairecreadoentresteyunasuperficiemetlicaesreducida,comparadoconun
panel libre de ninguna superficie inferior, implicando mayores temperaturas de
funcionamientoymenoreficienciaelctrica.Adems,laseparacinexistenteenelcanalde
aire es una variable influyente en la temperatura de funcionamiento del mdulo y sus
variables elctricas, mayormente para altos valores de temperatura ambiente y radiacin
solar.Unaumentode6cmreducelatemperaturadelpanel56Cyaumentasurendimiento
0.61.3%.

Ensegundolugar,sehaestudiadocomoafectalarefrigeracinforzada,atravsdelmismo
canaldeaireenlacaraposteriordelpanelB,ensutemperaturadeoperacinyrendimiento,
comparndolo con el panel de referencia y para las mismas relaciones de aspecto
propuestas en conveccin natural y en cada una se han fijado tres valores de velocidad
forzada(2,3,4m/s).

213

CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS

Los resultados medidos muestran que el mdulo fotovoltaico sobre la cubierta metlica,
alcanza menores temperaturas que el panel de referencia y un mayor rendimiento, al
impulsar aire por el canal, para las tres secciones de paso de aire y regmenes de
funcionamiento del ventilador. Por consiguiente, existe una mejora en el comportamiento
delpanelenestascondicionesrespectoaotrosinrefrigeracininducida.Caberesaltarque
para la menor relacin de aspecto y velocidad inducida, la temperatura y rendimiento del
panelessimilaralosvaloresdelpaneldereferencia,asqueestaconfiguracinnosupone
gran mejora. Sin embargo, para la menor seccin de aire a mayor velocidad, existen
diferencias con el panel de referencia. Las menores temperaturas de panel obtenidas
correspondenparalamayorrelacindeaspectodelcanalymayorvelocidadforzada,yaque
seaumentaelcaudaldeairederefrigeracin,loqueconllevaunaumentodelatrasferencia
decalorexistenteenelcanal.

Lavelocidadforzadadelaireenelcanalinfluyeenlasvariablesdeoperacindelmdulo.Los
diferentes ensayos realizados concluyen que para la mayor velocidadinducida seconsigue
reducir57Clatemperaturadelpanelyaumentarelrendimiento(0.51%)encadaseccin
de aire, respecto el menor valor de velocidad forzada. Sin embargo, apenas existen
diferenciassignificativasenlosresultadosobtenidosparalavelocidadinducidade3m/s.

Como se concluy en conveccin natural, la relacin de aspecto influye en la temperatura


del panel, as como en sus variables elctricas. Esto tambin sucede al inducir aire en el
canal, pero se han obtenido bastante similitud en los valores correspondientes a las dos
relacionesdeaspectodemayorvalor(0.0675y0.0825),enambasvelocidadesforzadas,por
consiguienteelpequeoincrementodelaseparacindelcanalnosuponeungranavance.

La refrigeracin del panel B mediante conveccin forzada, supone una mejora del
rendimientoelctrico,comparadoconlosresultadosenconveccinnatural,alaumentarla
transferenciadecalorenelcanaldeaire.Laconfiguracincorrespondientealarelacinde
aspectob/L=0.0675eslamsidnea,obtenindoseunmejorcomportamientoenelpanel.
No obstante, la refrigeracin inducida con el uso de un ventilador, sera una opcin
adecuada si la mejora en la produccin elctrica fuese mayor al consumo elctrico que
supone.Enestetrabajonosehamedidolapotenciaconsumidaporelventiladorparacada
rgimendefuncionamiento,seraunaspectoatenerencuentayvalorarentrabajosfuturos.

Con los resultados obtenidos para las diferentes configuraciones, tanto en conveccin
natural y forzada, se ha realizado un anlisis comparativo, considerando las variables
influyentes en las variables elctricas del mdulo fotovoltaico tales como la relacin de
aspecto y velocidad en el canal de aire. Adems las medidas experimentales se han
comparando con modelos propuestos por otros autores, obtenindose tendencias muy
similaresenconveccinnaturalyforzada.


214

5.2COMPORTAMIENTODELPANELFOTOVOLTAICOCOLOCADOSOBREUNACUBIERTA
METLICA

Comparandolosresultadossegnlavelocidadenelcanal,losresultadosmuestranquepara
una relacin de aspecto dada, la temperatura que alcanza el panel, respecto al ambiente,
disminuye en torno un 1016C mediante refrigeracin inducida frente a la conveccin
natural,siendoladiferenciamayoralaumentarlavelocidadinducida.Estadiferenciaenel
comportamiento se traduce a obtener un aumento del 35% de la potencia elctrica del
panelcuandoelaireesinducidoencontradelaconveccinnatural,aumentandosuvalor
cuando la velocidad forzada es mayor. Las diferencias entre los dos casos de conveccin
forzadasonmenores,aumentandolapotenciaun2.4%yreduciendo7Clatemperaturade
funcionamientoparaelmayorvalordelavelocidadinducidaensayada.

Laseccindelcanaldeairederefrigeracinesotravariablequeintervieneenlaventilacin,
elanlisiscomparativorevelaqueparaunamismavelocidad(bienseaconveccinnaturalo
forzada),laproduccinelctricaaumentaun22.5%paralamayorseparacinenelcanalde
airequepermiteunamayorrefrigeracindeste,siendosutemperaturade57Cmenor.
Sin embargo, entre las relaciones de aspecto 0.0675 y 0.0825 existen menores diferencias
significativas a las obtenidas entre la mayor y menor seccin de aire. Se ha obtenido la
relacin negativa de la temperatura del mdulo en su rendimiento, para las relaciones de
aspectomsdispares,tantoenconveccinnaturalcomoforzada.Paraambassecciones,el
panelalcanzamenorestemperaturasmximasparalamayorvelocidadinducida,resultando
obtener mejor rendimiento que el resto de casos, los cuales llegan a alcanzar mayores
temperaturas mximas de panel, obteniendo menores rendimientos. Las mayores
diferenciasentrelasconfiguracionesseobtienencuandosutemperaturadefuncionamiento
aumenta,ysurendimientodisminuyebruscamente.Podemosconcluirque,lamayorseccin
deaireenelcanalpresentavaloresmnimosdelrendimientomayoresqueparaunaseccin
menor, tanto en conveccin natural e inducida, obtenindose una mejora de la eficiencia
delmduloenamboscasos.Habraqueanalizarelgastoelctricoenconveccininduciday
compararloconlamejoraenlaproduccindelpanelparaconfirmarsuidoneidad.

Finalmente, para globalizar los resultados para las diferentes configuraciones, se ha


desarrolladounmodeloexperimentalparadeterminarlainfluenciadelarelacindeaspecto
y de la ventilacin inducida bajo el panel en su temperatura de funcionamiento (y por
consiguienteenlaeficienciaelctricadelmduloPV)alestarintegradosobreunacubierta,
para varios valores de la radiacin solar incidente, temperatura ambiente, relaciones de
aspecto, y condiciones de velocidad inducida. Se utiliza el coeficiente de Ross, k, para
caracterizarelcomportamientodecadaconfiguracinestudiada.

Conrespectoalainfluenciadelarelacindeaspecto,cuantomayores,msbajossonlos
valoresdekporlotantomenoreslatemperaturadelmdulo.Seconsideraunvalorcrtico
de0.11paralarelacindeaspectolacualpermiteminimizarelsobrecalentamientodelos
mdulosfotovoltaicos,paraloscasosenlosquelaventilacindentrodelcanalseproduce
porconveccinnatural.

215

CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS

En cuanto a la influencia de la velocidad inducida, se aprecia que podemos obtener una


misma refrigeracin del mdulo fotovoltaico (mismo valor de k); tanto para los casos de
mayoresvelocidadesinducidasymenorrelacindeaspecto,comoparaconveccinnaturaly
mayorrelacindeaspecto(Figura5.19).Considerandounarelacindeaspectoconstante,el
valor de la velocidad inducida dentro del canal afecta fuertemente la refrigeracin del
mdulo.

Tras un anlisis estadstico caracterizando las variables influyentes, se han propuesto


correlacionessemiempricasparaelcoeficientedeRossyasobtenerlascorrespondientesa
latemperaturadelmdulo,eficienciaelctricaypotencia,obtenindoseunbuenajustecon
las medidas experimentales. Estas correlaciones nos permiten predecirel comportamiento
trmico del mdulo PV para diferentes configuraciones de integracin fotovoltaica sobre
cubiertas y para diversas condiciones ambientales. Adems se obtuvo un aumento del
19.13% en la potencia al variar la velocidad inducida del canal desde Vv=0.5 (ventilacin
natural)aVv=6m/s(ventilacinforzada).

CONCLUSIONS

This section is focused on the influence of the operation temperature of two similar
photovoltaicpanelsfromthesamemodelandtechnicalcharacteristics,aswellasoperating
underthesamestructuralcharacteristicsandenvironmentalconditions.Themaindifference
betweenbothmodulesliesinthatoneofthemwasplacedonasteelplate(panelB),existing
aspacebetweenbothsurfaceswhatallowedtheaircirculationthroughit.Thisairspacing,
characterised by the variable aspect ratio (b/L), had been modified in order to study its
influence.Theothermodulelackedanysurfaceorplateunderneathitanditwasconsidered
as a reference panel (panel A). The study carried out compares both panels, for three
sectionsoftheaircoolingchannelbynaturalandforcedconvection.

Firstly,thecomparisonbynaturalconvectionshowedthatthebehaviourofthepanelplaced
on a steel surface differed to the reference panel. Independently of the air spacing of the
channel,panelBreachedtemperatures510ChigherthanpanelAanditsperformancewas
11.5% lower, with the exent of the variation depending on the solar radiation and the
aspect ratio tested. Consequently, the positioning of a photovoltaic panel on a steel roof
modifiedtheoperatingtemperatureanditselectricalproduction,duetotheheattransfer
from the steel plate toward the air channel, and reducing the air cooling by natural
convectionofthemoduleatitsbackface.

In addition, when the air spacing was reduced, the air cooling was more restricted and its
temperaturedifferencewithpanelAisquitehigherthanthecasesinwhichpanelBandsteel
plate were more separated. This fact indicates that the air spacing has influence on the


216

5.2COMPORTAMIENTODELPANELFOTOVOLTAICOCOLOCADOSOBREUNACUBIERTA
METLICA

temperature,andasaconsequence,ontheelectricalvariables.Comparingthetemperature
gap between the panel and ambient, for the three aspect ratios, there were significant
differences at high solar radiations. The case of higher aspect ratio (b/L=0.0825), the
temperaturegapis57Clowerthanthesmallestairsection(b/L=0.0525),showingahigher
thermaldifferencefromradiationvaluesof600W/m2.Therefore,theelectricalproduction
wasbetter,obtaininganefficiencyof0.50.8%higherwiththeincreaseoftheaspectratio
which allowed for a better panel air cooling. Hence, under these conditions the electrical
variables such as the de open circuit voltage, shortcircuit current had many differences
whentheairchannelsectionincreased,experiencinganelectricalpowerincreaseof7.5%.
However, there were minimal differences at lower values of solar radiation and ambient
temperature.

Inconclusion,theaircoolingofaphotovoltaicpanelthroughachannelcreatedunderneath
itwithasteelplateisreducedincomparisontoamodulewithoutanysurfaceunderneath,
implying higher operating temperatures and lower electrical efficiency. Therefore, the air
spacingisaninfluentialvariableonthepaneltemperatureanditselectricalvariablesathigh
valuesofambienttemperatureandsolarradiation.Anincreaseof6cm(intheairspacingof
the channel) reduces the module temperature 56C and improves the performance 0.6
1.3%.

Secondly, the effect of air cooling by forced convection was studied through the same air
channelinitsbackface,ontheoperatingtemperatureandperformance,comparingitwith
thereferencepanel,forthesameaspectratiosproposedinnaturalconvection,andatthree
differentinducedvelocities(2,3,4m/s)foreachone.

The experimental results showed that the photovoltaic module placed on a steel plate
reachedfewertemperaturesthanthereferencepanelandabetterefficiency,whentheair
isinducedinthechannelbyafan,forthedifferentairspacingsectionsandfan operation
regimes. As a result, an improvement of the panel functioning existed, respect to other
panelwhichwasnotcoolingbyinducedair.Itshouldbenotedthatthecasewithsmallest
aspectratioandinducedvelocitypresentedasimilarpaneltemperatureandperformanceto
thevaluesofthereferencepanel,sothisconfigurationdidnotmeanagreatimprovement.
However, there were differences for the smallest air section and higher induced velocity
with panel A. The lowest operating temperatures matched the configuration with the
highest aspect ratio and induced velocity due to the air flow increased and it entailed an
increaseoftheheattransferintheairchannel.

The induced velocity in the channel has influence on electrical operating variables of the
photovoltaic panels. The different experimental tests concluded that a higher induced
velocity reduces 57C the module temperature and increases the efficiency (0.51%) for
eachairchannelsectioncomparedtothelowervalueofinducedvelocity.

217

CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS

As it was concluded in natural convection, the aspect ratio influenced the operating
temperature,aswellasitselectricalvariables.Thisfactalsohappenedtoinduceairthrough
the channel, but similarity was obtained in the values for the two higher aspect ratios
(0.0675 and 0.0825), thus the small increase of the channel separation is not a
breakthrough.

The air cooling by forced convection of panel B, improves the electrical performance
comparedtotheresultsinnaturalconvection,becauseofanincreaseofheattransferinthe
airchannel.Thecorrespondingcasewithaspectratiob/L=0.0675istheidealconfiguration,
obtaining better electrical functioning. Nevertheless, the induced air cooling using a fan
would be a suitable option if the improvement of electricity production by modules was
higher than the electricity consumption in which fan usage was supposed. The consumed
power by the fan has not been measured in this study and this would be an aspect to
considerinfuturestudies.

Acomparativeanalysiswithallresultsforthedifferentconfigurationstestedinnaturaland
forced convection were made, considering the influential variables in the electrical
functioningofthephotovoltaicpanels.Theseincluded:theaspectratioandthevelocityof
the air in the channel. Furthermore, experimental measurements were compared with
models proposed by other authors, resulting very similar trends at natural and forced
convection.

Comparing the experimental data for a given aspect ratio, the results showed that the
temperaturegapbetweenthepanelandtheambiencedecreasesbyaround1016Cwhen
thepanelexperiencesaircoolingbyforcedconvectioninthefaceofnaturalconvection,this
being the greatest difference with an increase of the air velocity. This difference in the
operationofthemodulemeansanincreaseof35%oftheelectricalpowerpanelwhenairis
induced contrary to natural convection, increasing its value at higher forced velocity. The
differences between the two cases of forced convection are less, increasing the power
around2.4%andreducingtheoperatingtemperature7Cforthehighestvalueofinduced
velocitytested.

The air channel section is other variable studied, and thus, for a given air velocity (either
naturalorforcedconvection)thecomparativeanalysisshowsthattheelectricalproduction
increases22.5%forthehighestairspacing,allowingbettercoolingeffect,andanoperating
temperatureof57Clower.However,therewerehardlyanydifferencesbetweenthetwo
higher aspect ratios, the major dissimilarities were obtained between the highest and
smallest airsection. The comparative analysis also includes the negative correlation of the
efficiencyversusthepaneltemperatureforthemostdifferentaspectratios.Thisisbothin
natural and forced convection. For both sections, the module reaches lower maximum
temperatures at the highest induced velocity which results in a better efficiency than the


218

5.2COMPORTAMIENTODELPANELFOTOVOLTAICOCOLOCADOSOBREUNACUBIERTA
METLICA

othercases.Theseothercasesreachhighermaximumtemperaturesandlowerefficiencies.
The significant differences between the configurations were obtained when the operating
temperature increased and performance decreased sharply. In conclusion, the widest
section of air in the channel had higher minimum values of performance than the
configuration with lower section at natural and induced convection, yielding an
improvement of module efficiency in both cases. It would be necessary to analyze the
electrical spending in induced convection and compare it with the improvement of panel
productiontoconfirmitssuitability.

Finally,inordertoglobalisetheresultsatdifferentconfigurations,anexperimentalmodelto
determinetheinfluenceofthechannelaspectratioandtheforcedventilationonthepanel
temperature (and consequently on the electric efficiency of the PV module) in a roof
integrated configuration, for various values of the incident solar radiation, ambient
temperatures, aspect ratios, and forced ventilation conditions is developed. The Ross
coefficient,k,isemployedtocharacterizethebehaviorofeachconfigurationstudied.

Withrespecttotheinfluenceoftheaspectratio,thehigheritis,thelowerthevaluesofk
andthelowerthetemperatureofthemodule.Acriticalchannelaspectratioof0.11canbe
consideredtominimizeoverheatingofPVdevices,forthecasesinwhichventilationwithin
the channel is produced by natural convection. Regarding the influence of the induced
velocity,ifvalueshigherthanthosecorrespondingtothenaturalconvectionventilationcase
areconsidered,lowervaluesoftheaspectratiomaybeusedforobtainingthesamecooling
inthePVmodule(Figura5.19).Foraconstantaspectratio,thevalueoftheinducedvelocity
withinthechannelaffectsstronglythecoolingofthemodule.

Semi empirical correlations for the Ross coefficient, module temperature, electrical
efficiency and power output are proposed with a good agreement with respect to the
experimentalmeasurements.ThesecorrelationsmaypredictthethermalbehaviorofthePV
module in BIPV configurations, for various ambient conditions. Similar evolutions with the
timewereobtainedbetweenthemeasurementsandtheexperimentalcorrelationproposed.
Anincreaseinthepoweroutputover19%fromthenaturalventilationcase(Vv=0.5m/s)to
thecaseofVv=6m/swasalsoobserved.

219

CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS

5.3 COMPORTAMIENTO DEL PANEL FOTOVOLTAICO COLOCADO SOBRE UNA


CUBIERTADEUNINVERNADERO

En este apartado se analiza el comportamiento elctrico de los mdulos fotovoltaicos


emplazados en la cubierta de un invernadero. Los resultados que se presentan se han
obtenidodelainstalacinexperimentalconstruida,cuyodiseoestbasadoenlainstalacin
agroenrgeticaCoronilIV.Contalfin,elinvernaderoexperimentalsehadiseadodeforma
que pueda modificarse el espacio existente entre la parte posterior de los paneles y la
cubierta del invernadero, lo que nos ha permitido ensayar cuatro configuraciones de
refrigeracinconairemedianteconveccinnatural,talycomosedescribienla3.2.2.

Las configuraciones estudiadas se diferencian entre s en uno de los siguientes aspectos, o


bienenlaseparacinexistenteentrelosmdulosylacubiertadelinvernaderoenlaentrada
del aire oen el tipo de material utilizado en la cubierta del invernadero. De estemodo dos
configuraciones presentan una pequea seccin de entrada de aire similar, diferencindose
en el material constituyente de la cubierta del invernadero, plstico o material aislante. Las
otras dos configuraciones estudiadas se diferencian entre s en el material de la cubierta y
presentanunamayorseccindeentradadeaire.Enelestudiorealizado,sehandesignadode
lasiguientemanera;

Configuracin 1: Para la menor separacin entre los paneles y la cubierta del


invernadero,siendode15cm,conlacubiertadelinvernaderodeplstico.
Configuracin 2: Con una separacin similar a la anterior (18cm), colocando un
materialaislantede10cmdeespesor,enlacubiertadelinvernadero.
Configuracin3:Laseccindeentradadeairesehaaumentado,siendolaseparacin
entremduloycubiertadeplsticode50cm.
Configuracin 4: La cubierta del invernadero es de material aislante y la separacin
entrestaylospanelesesde45cm.

Losresultadosexperimentalesquesepresentanacontinuacin,hansidorecogidosdurante
losdascorrespondientesalperiodocomprendidoentre10052011y20082013,siguiendo
la metodologa descrita. Una vez tratadas el conjunto de las variables medidas en cada
configuracin,pararealizarunanlisismsadecuado,sehaprocedidoaunfiltradodedatos,
eliminando los correspondientes a das nublados, poco soleados y con menor temperatura
ambiente, con el fin de tener valores de das en similares condiciones ambientales de
temperaturayradiacinsolar.

El estudio y anlisis llevado a cabo ha sido como el presentado por Lorenz Fonfria S. et. Al
[83].Enprimerlugarsemuestralosefectosdelaumentodelatemperaturadelpanelenlos
principales parmetros elctricos del panel, para cada configuracin y unas condiciones
ambientales similares, comparndolos con los valores tericos. A continuacin, se analiza la


220

5.3COMPORTAMIENTODELPANELFOTOVOLTAICOCOLOCADOSOBREUNACUBIERTADEUN
INVERNADERO

influencia de la velocidad del viento tanto en la temperatura del panel como en su


rendimiento elctrico. Por ltimo se incluyeel anlisis de la transferencia decalorentrelos
panelesfotovoltaicosylacubiertaconelfluidocaloportador(aire),comparandolapotencia
calorficaabsorbidaporelaireparacadaconfiguracin.

El estudio comparativo del comportamiento del panel fotovoltaico sobre la cubierta del
invernadero para las diferentes configuraciones ensayadas se ha llevado a cabo con las
variables elctricas recogidas de los dos paneles inferiores (entrada del canal de aire),
conectadosenserieentres.Porconsiguiente,losvaloresdetemperaturadepanelalosque
se hacen referencia en los resultados expuestos, corresponde al valor medio entre ambos
paneles.

5.3.1 INFLUENCIADELATEMPERATURADELPANELENLASVARIABLESELCTRICAS
Con el fin de estudiar el comportamiento elctrico del panel fotovoltaico cuando est
emplazado sobre la cubierta de un invernadero, se han analizado los coeficientes de
temperatura de las principales variables elctricas de los paneles (tensin de circuito
abierto, intensidad de cortocircuito y rendimiento), mostrando su dependencia con la
temperatura.

Como se mencion en el apartado anterior, la temperatura que alcanza el panel depende


fuertementedelasvariablesambientales,temperaturayradiacinsolar,perotambinseve
afectada de la velocidad del aire como se ver ms adelante. Por consiguiente, para
compararloscoeficientesdetemperaturaparalasdiferentesconfiguraciones,sehanfiltrado
los datos para unas condiciones similares, siendo: radiacin solar 850900W/m2,
temperaturaambiente2030Cyvelocidaddelviento03m/s.Entodosloscasos,losdatos
presentanunbuenajuste.

221

CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS

a)


b)


222

5.3COMPORTAMIENTODELPANELFOTOVOLTAICOCOLOCADOSOBREUNACUBIERTADEUN
INVERNADERO

c)

Figura5.23Dependenciaconlatemperaturade:a)latensindecircuitoabierto(Voc),b)laintensidadde
cortocircuito(Isc)yc)elrendimiento.

Se observa que la tensin de circuito abierto disminuye con la temperatura del panel de
forma lineal y que su evolucin es similar para las diferentes configuraciones, existiendo
pequeadiferenciaenelvalordelcoeficientedetemperatura.Latensindecircuitoabierto
alcanzadaenlaconfiguracin4,paralasdiferentestemperaturasdelpanel,esmayorque
losvaloresmedidosenlasotras,siendolaVocdelaconfiguracin1lademenorvalor.

La intensidad de cortocircuito aumenta ligeramente con la temperatura, en las cuatro


configuracionespresentauncoeficientedetemperatura(pendiente)muypequeo,yaque
enesascondicionesapenashayvariacin.Aligualquelatensin,existendiferenciasenlos
valoresmedidosentrelasconfiguraciones.Cuandolaseccindeentradadeaireesmenory
lacubiertaesdeplstico(Conf.1),laintensidaddecortocircuitoesmayor,mientrasquepara
unamayorseccinyusandoaislante(Conf.4)laintensidadalcanzadaesmenor.

Porltimo,elrendimientodelainstalacinaumentaamedidaquelatemperaturamediade
lospanelesesmenorylosmayoresvaloresobtenidoscorrespondenalaconfiguracin4,en
laquelospanelesalcanzanunatemperaturamenoryaquenoexistetransferenciadecalor
entreelinteriordelinvernaderoylospanelesyademsexisteunmayorcaudaldeairede
refrigeracin.

Siguiendolamismametodologaexplicadaenelapartado5.1,descritaporEduardoLorenzo
et al. [64], se ha comparado los parmetros elctricos de las variables medidas en la
instalacinconlosquesedeberandeobtenersegnlacurvadelfabricante,bajolasmismas
condiciones.Lascorrelacionesresultantesson:

223

CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS

0.30191 95.808 (5.15)



0.003135 6.92618 (5.16)



% 0.0072 16.9352 (5.17)



Seobservaqueloscoeficientesdetemperatura,queindicanlatasadevariacinrespectola
temperatura, se mantienen similares a los obtenidos experimentalmente, diferencindose
eneltrminoindependiente.

5.3.2 INFLUENCIADELAVELOCIDADDELVIENTO
Sehaestudiadocomoafectalavelocidaddelvientoenlatemperaturadetrabajodelpanel
(Figura 5.24) y en el rendimiento (Figura 5.25), acotando los valores de la temperatura
ambiente entre 2030C y para irradiancias mayores a 300W/m2. Para ello se han
representado las medidas para dos rangos de velocidades de viento, bajas velocidades de
viento (02 m/s) y velocidades mayores (811 m/s). Se han considerado velocidades de
vientoextremasparapodervisualizarmejorlainfluenciadeesteparmetro.

En los resultados obtenidos, se aprecia dispersin en las medidas, debido a que todos los
datosnoseencuentranexactamenteenlasmismascondicionesambientales,locualexiste
influenciadediversasvariables.Acotandomselrangodelosvaloresambientalesmedidos,
unfiltradomspreciso,noseobtenansuficientesvaloresparaobservarunaclarainfluencia
enlavelocidaddelviento,porellofinalmentesecogieronlosrangosmencionados.

Independientemente de la configuracin, se observa que para mayores velocidades de


viento, el salto de temperaturas es menor (27C), para un valor de radiacin solar dado.
Dadoquelatemperaturaambienteestacotada(2030C),estosignificaquelatemperatura
mediadelpaneldisminuye,esdecir,lospanelesserefrigeranenmayormedidacuandola
velocidaddelvientoesmayor.


224

5.3COMPORTAMIENTODELPANELFOTOVOLTAICOCOLOCADOSOBREUNACUBIERTADEUN
INVERNADERO

Figura5.24Influenciadelavelocidaddelvientoenelsaltodetemperaturadelpanelrespectolaambienteen
funcindelaradiacinsolar,paralasdiferentesconfiguracionesdeestudio.

Comparando las configuraciones con similar seccin de entrada de aire, no se aprecian


grandesdiferenciasencuantoalastemperaturas.Sinembargo,seobservaquelosvalores
mximos de temperatura alcanzados se obtienen para las configuraciones 1 y 3, es decir,
cuando la cubierta del invernadero es de plstico, mientras que al estar el aislante
(configuracin 2 y 4), el mayor valor del salto de temperatura del panel respecto la
temperatura ambiente, es menor. Esto se debe a la influencia trmica del interior del
invernadero,quealestarelplsticopermiteunamayortransferenciadecaloralaireenel
canal.

Consecuentemente, el rendimiento de los paneles tambin est influenciado por la


velocidaddelvientocomosemuestraacontinuacin.Paraunvalorderadiacinsolardado,

225

CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS

cuando los valores de velocidadesde viento son bajos, el rendimiento del paneles menor
comparadoconlosdemayorvelocidaddeviento,dadoqueelpanelseencuentraamayor
temperaturacomohemosvistoanteriormente,seacualsealaconfiguracinensayada.

Figura5.25Influenciadelavelocidaddelvientoenelrendimientodelpanelenfuncindelaradiacinsolar,para
lasdiferentesconfiguracionesdeestudio.

Comparando el comportamiento elctrico del panel segn su configuracin, los resultados


muestran que los mayores valores de eficiencia se obtienen para las configuraciones en las
queseutilizaelmaterialaislante(configuraciones2y4),siendolaconfiguracin4,conmayor
seccindeentrada,laqueregistralosvaloresmximos.Lospanelesenlasconfiguraciones1y
3, que se encuentran a mayor temperatura, presentan menores valores de su eficiencia
elctrica,inexistiendoapenasdiferenciaentreellas.


226

5.3COMPORTAMIENTODELPANELFOTOVOLTAICOCOLOCADOSOBREUNACUBIERTADEUN
INVERNADERO

Porconsiguientelavelocidaddelvientoesunavariablequeinfluyeconsiderablementeenel
comportamientodelpanel,porestaraznenlaseccinanteriorseanalizladependencia
delasvariableselctricasconlatemperatura,paravaloresbajosdevelocidaddelviento.

5.3.3 TRANSFERENCIADECALORENELCANALDEAIREDEREFRIGERACIN
Los resultado de la Figura 5.24 muestran que la colocacin de un material aislante en la
cubierta del invernadero, implica una mejora en el rendimiento, dado que la temperatura
que alcanza el mdulo es menor que cuando el material de la cubierta es plstico. Esto
induceaqueelmaterialaislanteimpideparcialmentelatransferenciadecalordelinterior
del invernadero al aire que circula por el canal, mientras que su ausencia la permite en
mayormedida,locualinfluyeenlatemperaturayrendimientodelpanel.

Fijandolasmismascondicionestetemperatura,radiacinsolaryvelocidaddevientoqueen
la seccin 5.3.1, se ha representado el salto de temperatura del panel respecto a la
superficie inferior (plstico o aislante), para las cuatro configuraciones de estudio (Figura
5.26). Comparando las configuraciones con el mismo material, se aprecia una mayor
diferencia de temperatura para la mayor seccin de temperatura, como consecuencia de
unamayorrefrigeracindelpanelalaumentarelcaudaldeaire.


Figura5.26Diferenciadetemperaturadelpanelrespectoaladelasuperficiedelacubiertadelinvernaderopara
lascuatroconfiguracionesestudiadas.

Losresultadosobtenidostambinmuestranqueparaunamismatemperaturaalcanzadapor
elpanel,sudiferenciarespectoaladelasuperficieinferioresmayorcuandoelmaterialde
lacubiertaeselaislanteybastanteinferiorcuandoesplstico.Elplsticopermitetransferir

227

CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS

elcaloratravsdelaire,elcualtambinsetransfierealmduloyporellosutemperaturaes
similaraladelasuperficieinferior.Sinembargo,latemperaturadelpaneldifierebastantea
la de la superficie aislante, debido a que la transferencia de calor es menor, como se
estudiaracontinuacin.

El propsito de esta seccin es caracterizar el comportamiento del aire en el canal,


estudiando la transferencia de calor existente, para las diferentes configuraciones. El
problemadetransmisindecalorquetienelugarenelcanaldeaire,existenteentrelacara
posteriordelosmdulosfotovoltaicosylacubiertadelinvernadero,bienseadeplsticoo
aislante, ser principalmente convectivo. Si se aplica un volumen de control a la zona de
estudioenelcanal,lapotenciacalorficaabsorbidaporelairecirculantetendrlaexpresin:

(5.18)

Siendo: (5.19)

(5.20)

Donde: Cpaire=1.012kJ/kgC, Rg(aire)=287m2/s2K, Patm=101325Pa. Se tienen los valores


experimentales de la velocidad del aire en el canal (Vv) y el salto de temperaturas ente la
entrada y la salida del mismo. La superficie de la seccin transversal del canal (Scanal) es
diferente para cada configuracin propuesta, tomado los valores: 0.3 m2 para la
configuracin1,1.103.m2paralaconfiguracin2,1.103.m2paralaconfiguracin3y0.762.
m2paralaconfiguracin4.Losvaloresobtenidosdelapotenciacalorficaabsorbidaporel
canalsehanrepresentadoenlaFigura5.27.


228

5.3COMPORTAMIENTODELPANELFOTOVOLTAICOCOLOCADOSOBREUNACUBIERTADEUN
INVERNADERO

Configuracin 1 Configuracin 2

8 8

Potencia absorbida (kW )


Potencia absobida (kW )

6 6

4 4

2 2

0 0
0 5 10 15 20 25 30 35 0 5 10 15 20 25 30 35

Tpanel -Tamb (C) Tpanel-Tamb (C)


Configuracin 3 Configuracin 4

8 8
Potencia absorbida (kW )
Potencia absobida (kW)

6 6

4 4

2 2

0 0
0 5 10 15 20 25 30 35 0 5 10 15 20 25 30 35
Tpanel-Tamb (C) Tpanel-Tamb(C)

Figura5.27Potenciacalorficaabsorbidaporelcanaldeairecirculanteporelcanalentrelosmdulos
fotovoltaicosylacubiertadelinvernadero,paralasconfiguracionespropuestas.

Cadaconfiguracinpresentaunlmitemximodepotenciareferidaalcalorqueescapazde
absorber el aire que circula por el canal. Como es de esperar, a mayor diferencia de
temperatura del panel, respecto el ambiente, la transferencia de calor al aire aumenta. Los
resultados obtenidos afirman que al colocar un aislante en la cubierta del invernadero, la
transferenciadecaloresmenorsisecomparaconlaconfiguracinquedisponedelplstico
conunaseccinsimilar.Sinembargo,lasmximastemperaturasalcanzadasporelpanelson
similares, lo que indica que el calor se trasfiere al canal de aire sin afectar a la de
funcionamiento del panel. Las configuraciones de mayor seccin, por las que circula mayor
caudal de aire, registran valores superiores de potencia absorbida, siendo el mximo del
ordende8kWparalaconfiguracin3.Estecalorabsorbidocorrespondealtransmitidodesde
losmdulosfotovoltaicosyenmayormedidaporlacubierta,delinteriordelinvernadero.Sin
embargo,enlaconfiguracin4,lamximapotenciaabsorbidaesdelordende46kW,algo

229

CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS

menor que la configuracin 3 debido a que se reduce la transmisin de calor a travs del
aislante,porconsiguientelapotenciaabsorbidaporelaireesmenor.Elaumentodelaseccin
de aire consigue que se trasfiera mayor calor al aire y la refrigeracin del panel ser
considerablementemayor,obteniendounmejorcomportamientoelctrico.

5.3.4 CONCLUSIONES(CONCLUSION)
Se ha estudiado el comportamiento de paneles fotovoltaicos sobre la cubierta de un
invernadero,fielaldiseodeunaplantaagroenergtica,conelpropsitodemodificarloy
comparar diferentes configuraciones. Se han medido cuatro configuraciones, para dos
seccionesdeentradadeaireenelcanalentremdulosylacubierta,yparacadaseccinse
hautilizadodiferentematerialconstituyentedelacubierta,tantoplsticocomoaislanteo
panelsndwich.

Se han obtenido las correlaciones correspondientes de los parmetros caractersticos del


panel fotovoltaico con la temperatura, para cada configuracin y en unas condiciones
similaresdeelevadaradiacinytemperaturaambienteybajavelocidaddelviento.Sehan
obtenidounbuenajusteenlosdiferentescasosexperimentales.Sehancomparadoconlas
correlaciones obtenidas a partir de los valores del fabricante, siguiendo la metodologa
propuestaporEduardoLorenzoetal.[64].Loscoeficientesdetemperaturasdelasvariables
medidasexperimentalmenteencadaconfiguracin,comparadosconlosobtenidosconlos
datosdelfabricante,presentanlamismainfluenciaotasadevariacinconlatemperatura,y
sehanobtenidovaloressimilares.

Entodosellosseobservaladisminucindelatensindecircuitoabiertoyrendimientocon
el aumento de la temperatura del panel y un ligero aumento de la intensidad de
cortocircuito. Para una temperatura de funcionamiento del panel determinada, el
rendimientodelpanelenlaconfiguracin4(mayorseparacinenelcanalyconcubiertade
aislante),esmayoralresto.

En el anlisis de los resultados experimentales se ha percibido una gran influencia de la


velocidad del viento, en el comportamiento de los paneles fotovoltaicos. Se ha estudiado
dicha influencia en la temperatura de funcionamiento del panel y en el rendimiento para
cada configuracin, considerando dos rangos de valores extremos de velocidad de viento.
Para mayores velocidades de viento, la temperatura del mdulo se reduce 27C lo que
indicaunamayorrefrigeracindelpanel.Enlasconfiguracionesconcubiertadeplstico,se
obtienenmayorestemperaturasdepanel,loquemuestraunainfluenciatrmicadelinterior
del invernadero. Del mismo modo, el rendimiento presenta diferencias significativas en
funcin de la velocidad viento, en cada configuracin, obtenindose menores valores para
bajas velocidades de viento, en las que se alcanzaba mayores temperaturas. Adems los


230

5.3COMPORTAMIENTODELPANELFOTOVOLTAICOCOLOCADOSOBREUNACUBIERTADEUN
INVERNADERO

resultados muestran que los mayores valores de rendimiento se obtienen para la


configuracinquepresentamayorseccindeentradayconmaterialaislanteenlacubierta.

Por ltimo se ha cuantificado la transferencia de calor en el canal de aire, en cada


configuracindeensayo,obteniendolapotenciaabsorbidadesdeelpanelyelinteriordel
invernadero.Cadaconfiguracinalcanzaunlmitemximodecalorabsorbidoporelaireen
el canal, que se corresponde a mayores saltos de temperatura de panel respecto el
ambiente. Los resultados concluyen que la colocacin de un aislante en la cubierta del
invernadero,paraunaseccinsimilar,latrasferenciadecaloresmenorcomparndolaconla
obtenidacuandoestelplstico.Adems,lasmximastemperaturasalcanzadasporelpanel
sonmenores.Estosedebeaquelamayortransmisindecalorseproducedesdeelmdulo
fotovoltaico, ya que el aislante impide el paso de calor en el interior del invernadero.
Adems,considerandoelmismomaterialenlacubierta,cuandolaseccindelcanaldeaire
esmayorseaumentaelcaudaldeaire,porconsiguienteelcalorabsorbidoesmayor.

La colocacin de un material aislante y el aumento de la seccin de paso permiten una


mayorrefrigeracindelpanel,consiguiendounmejorcomportamientoelctrico.

CONCLUSIONS

The electrical functionality of the photovoltaic panels placed on roof of a greenhouse is


similar to the design of a photovoltaic greenhouse system that was studied, with the
purposeofmodifyingandcomparingdifferentconfigurations.Fourdifferentconfigurations
weremeasuredfortwoinletsectionsoftheairchannelbetweenthepanelandtheroof,and
usingtwomaterialsintheroofsurfaceforeachsection,plasticandinsulatingmaterial(the
sandwichpanel).

The analysis includes the correlations of the characteristic parameters of the photovoltaic
panelwiththetemperatureforeachconfigurationandundersimilarconditionsofhighsolar
radiation and ambient temperature, as well as low wind velocity. A good agreement was
obtained in the different experimental cases. These experimental correlations have been
compared with the calculated correlations with the data provided by the manufacturer,
according to the methodology proposed by Eduardo Lorenzo [64]. The temperature
coefficientsoftheexperimentalmeasuredvariables,ineachconfiguration,presentthesame
associationorratevariationwiththetemperaturecomparedthemwithresultobtainedfrom
themanufacturerdata.

Thecorrelationsshowthedecreaseoftheopencircuitvoltageandefficiencyandaslightly
increase of the shortcircuit current when the temperature increases. The performance of
the modules at configuration 4 (higher section and with a panel sandwich in the roof) is
betterthantheothercases,forapaneltemperaturegiven.

231

CAPITULO5DISCUSINDELOSRESULTADOS

A great influence of the wind velocity has been perceived in the experimental results
analysis on the behaviour of the photovoltaic panels. Thus, this influence was studied
comparing the temperature and efficiency of the panel for each configuration, at two
extreme range of value of wind velocity. At the higher wind velocity, the module
temperature decreased 27C, what indicated a better air cooling of the panel. The higher
paneltemperaturesreachedwererecordedintheconfigurationwhichhadplasticroof,and
indicated a thermal influence of the heat inside of the greenhouse. Similarly, there were
differencesintheresultsofthepanelefficiencydependingonthevalueofthewindvelocity.
The worst results were at lower velocity when the temperature was higher, for each
configuration. The best results of the efficiency were obtained in the configuration which
hadahighersectionoftheairchannelandpanelsandwichontheroof.

Finally,theheattransferintheairchannelwasquantifiedforeachconfigurationunderthe
sameenvironmentalcondition,obtainingtheabsorbedpowerfromthephotovoltaicpanel
and the greenhouse interior toward the air channel. The results showed that each
configurationreachedamaximumlimitofabsorbedheatbytheair,whichcorrespondedat
higher temperature difference between panel and ambient. The study concludes that the
insulatingmaterialontheroofreducestheheattransfercomparedwiththeplasticmaterial,
atthesamesectionofthechannel.Moreover,thehighestpaneltemperaturesreachedwere
lowerthanforthecaseswithplasticontheroof.Thisisduetotheinsulatingmaterialnot
allowingtheheattransferthroughtheroof,fromtheinteriorofthegreenhouse.Comparing
theconfigurationwiththesamematerialontheroof,theabsorbedheatishigherwhenthe
airchannelsectionincreases,becauseoftheairflowishigher.

The positioning of an insulating material on the roof and an increase of the air channel
section allows the panel to be better at cooling and consequently obtaining a better
electricalproductionlevel.


232

CONCLUSIONESYTRABAJOSFUTUROS(CONCLUSIONS)

CAPITULO6. CONCLUSIONESYTRABAJOSFUTUROS
(CONCLUSIONS)
Thetwocommercialphotovoltaicsystemswhichhavebeenusedasprototypeforthedesign
and build of the experimental facility were studied and were described. The first solar
photovoltaic system, referred to as Coronil II, is made up of 51 412 photovoltaic panels
groundmountedonafixedstructure.Usingdatafromthesolarplantfromthedifferentpanel
models, one of them was selected due to it providing better electrical behavior at high
temperature. This is the one that was used in our experimental facilities. The collected
measureddatainthephotovoltaicplant,inthemonthsofMay,June,JulyandAugust2010,
were screened to study and analyze the electrical variables of PV modules. These had the
samemodelandfeaturestothoseusedinexperimentalfacilities,undersimilarenvironmental
conditions of operation. The other commercial photovoltaic system (Coronil IV) is an
agroenergetic or photovolatic greenhouse and is made up of 4 464 photovoltaic modules
whichareintegratedontheroofofthegreenhouse.Themodulesarethesamemodelaswhat
waschosenfromtheotherplant.Thisphotovoltaicapplicationimpliesthemoduleswerenear
theplasticroofofthegreenhouse,sothehightemperaturesreachedinsideitcouldaffectthe
panelbehaviorduetotheheattransferbetweeninsideandtheairchannel.Forthisreason,
anexperimentalfacilityhadbeendesignedandbuiltinordertostudythisinfluence.

Theexperimentalfacilitieswhichweredesignedandbuiltforthestudyhavebeendescribed.
Thedescriptionincludesthestructuraldesignfortheprototypeconfigurationwhichissimilar
to the reference configuration of a commercial facility, as well as other proposed
configurations. This was in order to study a possible improvement in the electrical
performanceofphotovoltaicmodules,byaircoolingthroughtheirbackfacetakingadvantage
of the chimney effect created. Furthermore, the descriptions and characteristics of the
sensorsandinstrumentationsusedtomeasureandregisterthedatahavebeenincluded.The
first experimental facility consisted of two photovoltaic modules which are mounted on a
fixedstructure,withthesameslopeorpitchangleandorientation.Apanelwasplacedabove
a steel plate, with an air channel underneath the panel. The other module, without any
surface underneath it, was considered as the reference panel working under the same
ambientconditionstocomparebothelectricalfunctions.Thesecondexperimentalfacilityhas
beendesignedandbuilttruetothecommercialagroenergeticfacility(CoronilIV)fromwhich
the structural unit was chosen; consisted of a metal structure to support four photovoltaic
modules on the plastic greenhouse roof. The designed prototype and the original facility
contained a space between the roof and the photovoltaic modules which allowed the air
circulationthroughadivergentchannelbythechimneyeffectcreatedbynaturalconvection.
The design of the experimental facility allowed variation in the inlet air section, whose
purpose was to compare the panels functioning in each case, as well as the plastic roof
insulationmaterialwaschangedforeachstudiedsection.

233

CAPITULO6CONCLUSIONESYTRABAJOSFUTUROS(CONCLUSIONS)

Themethodologywhichwascarriedoutfortheprocessofdatarecordingandmeasurement
has been described. In order to develop a correct method for data recording and data
processing and to reduce the possible accidental errors, a determinate valid process which
couldbeusedinbothexperimentalfacilitieswascreated.Thedatauncertaintyanalysiswas
carriedoutforallmeasuredvariablesaimedtobestudied,andshownistheestimationofthe
measurement,andtheconfidenceintervaloftheestimation.Theuncertaintiesobtainedare
verylow,whichmeansthatthedatacollectedaresufficientlyreliable.

The results of a photovoltaic panel measurement in the instrumented experimental facility


and the extrapolation of these results to a photovoltaic generator in a solar plant were
presented. The results concluded that the electrical functionality of a solar plant could be
predictedandknownbythemeasuringanexperimentalprototypefordifferentconfigurations
orconditions.

It was shown the study carried out compares two photovoltaic panels, one of them was
placedonasteelplate(panelB),existingaspacebetweenbothsurfaces,forthreesectionsof
theaircoolingchannelbynaturalandforcedconvectionandothermodulelackedanysurface
orplateunderneathitanditwasconsideredasareferencepanel(panelA).Theexperimental
results concluded that the air cooling of a photovoltaic panel through a channel created
underneathitwithasteelplateisreducedbynaturalconvection,incomparisontoamodule
withoutanysurfaceunderneath,implyinghigheroperatingtemperaturesandlowerelectrical
efficiency.Therefore,theairspacingisaninfluentialvariableonthepaneltemperatureandits
electricalvariablesathighvaluesofambienttemperatureandsolarradiation.Anincreaseof6
cm (in the air spacing of the channel) reduces the moduletemperature 56C and improves
theperformance0.61.3%.

On the other hand, the air cooling by forced convection of panel B, improves the electrical
performance(1%)comparedtotheresultsinnaturalconvection,becauseofadecreaseof
panel temperature (57C) due to an increase of heat transfer in the air channel. The
corresponding case with aspect ratio b/L=0.0675 is the ideal configuration, obtaining better
electrical functioning. Nevertheless, the induced air cooling using a fan would be a suitable
optioniftheimprovementofelectricityproductionbymoduleswashigherthantheelectricity
consumptioninwhichfanusagewassupposed.Theconsumedpowerbythefanhasnotbeen
measuredinthisstudyandthiswouldbeanaspecttoconsiderinfuturestudies.

Thecomparativeanalysiswithallresultsforthedifferentconfigurationstestedinnaturaland
forced convection were made, considering the influential variables in the electrical
functioningofthephotovoltaicpanels;theaspectratioandvelocityoftheairinthechannel.
Theanalysisconcludethatthetemperaturegap(panelambience)decreasesbyaround10
16Candelectricalpowerpanelincreases35%whenthepanelexperiencesaircoolingby
forcedconvectioninthefaceofnaturalconvection,foragivenaspectratio.Thedifferences


234

CONCLUSIONESYTRABAJOSFUTUROS(CONCLUSIONS)

betweenthetwocasesofforcedconvectionareless,increasingthepoweraround2.4%and
reducing the operating temperature 7 C for the highest value of induced velocity tested.
Moreover,ahigheraspectratioallowedbettercoolingeffectwithanoperatingtemperature
of57Clowerandanefficiency22.5%higher,foragivenairvelocityinthechannel.Asitwas
mentioned there were hardly any differences between the two higher aspect ratios.The
widest section of air in the channel had higher minimum values of performance than the
configurationwithlowersectionatnaturalandinducedconvection,yieldinganimprovement
ofmoduleefficiencyinbothcases.Itwouldbenecessarytoanalyzetheelectricalspendingin
inducedconvectionandcompareitwiththeimprovementofpanelproductiontoconfirmits
suitability.

In order to globalise the results at different configurations, an experimental model to


determinetheinfluenceofthechannelaspectratioandtheforcedventilationonthepanel
temperature (and consequently on the electric efficiency of the PV module) in a roof
integrated configuration, for various values of the incident solar radiation, ambient
temperatures, aspect ratios, and forced ventilation conditions is developed (employing the
Rosscoefficient,k,tocharacterizethebehaviorofeachconfigurationstudied).Withrespect
totheinfluenceoftheaspectratio,thehigheritis,thelowerthevaluesofkandthelowerthe
temperature of the module. A critical channel aspect ratio of 0.11 can be considered to
minimize overheating of PV devices, for the cases in whichventilation within the channel is
produced by natural convection. Regarding the influence of the induced velocity, if values
higher than those corresponding to the natural convection ventilation case are considered,
lowervaluesoftheaspectratiomaybeusedforobtainingthesamecoolinginthePVmodule.
For a constant aspect ratio, the value of the induced velocity within the channel affects
strongly the cooling of the module. Semi empirical correlations for the Ross coefficient,
module temperature, electrical efficiency and power output are proposed with a good
agreementwith respect to the experimental measurements. These correlations may predict
thethermalbehaviorofthePVmoduleinBIPVconfigurations,forvariousambientconditions.
Similar evolutions with the time were obtained between the measurements and the
experimental correlation proposed. An increase in the power output over 19% from the
naturalventilationcase(Vv=0.5m/s)tothecaseofVv=6m/swasalsoobserved.

The electrical functionality of the photovoltaic panels placed on roof of a greenhouse was
studiedwiththeaimofcomparingfourconfigurations:twoinletsectionsoftheairchannel
betweenthepanelandtheroof,andusingtwomaterialsintheroofsurfaceforeachsection,
plastic and insulating material (the sandwich panel). A good agreement as obtained in the
correlationsofthecharacteristicparametersofthephotovoltaicpanelwiththetemperature
for each configuration and under similar conditions of high solar radiation and ambient
temperature, as well as low wind velocity. The result shown that the performance of the
modules at configuration 4 (higher section and with a panel sandwich in the roof) is better
than the other cases. A great influence of the wind velocity has been perceived in the

235

CAPITULO6CONCLUSIONESYTRABAJOSFUTUROS(CONCLUSIONS)

experimentalresultsanalysisonthefunctionalityofthephotovoltaicpanels.Theworstresults
were at lower wind velocity when the temperature was higher, for each configuration. The
higherpaneltemperaturesreachedwererecordedintheconfigurationwhichhadplasticroof,
and indicated a thermal influence of the heat inside of the greenhouse. The analysis of the
heat transfer concluded that the insulating material on the roof reduces the heat transfer
compared with the plastic material, at the same section of the channel. Moreover, the
maximumpaneltemperaturesreachedwerelowerthanforthecaseswithplasticontheroof.
Thisisduetotheinsulatingmaterialnotallowingtheheattransferthroughtheroof,fromthe
interior of the greenhouse. The positioning of an insulating material on the roof and an
increaseoftheairchannelsectionallowsthepaneltobebetteratcoolingandconsequently
obtainingabetterelectricalproductionlevel.

TRABAJOSFUTUROS
Comodesarrollosfuturosdelpresentetrabajo,puedenplantarselossiguientes:

Anlisis del factor de Ross de paneles integrados sobre la cubierta de invernaderos


considerando las variables influyentes en su refrigeracin para establecer un modelo
experimental.
Estudiarlaposibilidaddeglobalizarlosresultadosexperimentalesenunacorrelacinque
nospermitadeterminarlatemperaturadefuncionamientodeunpanelintegradosobre
cualquiercubierta.
Extrapolar los resultados obtenidos a otras configuraciones de integracin fotovoltaica
sobreotrascubiertas.


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Congreso Ibrico y X Ibericoamericano de Energa Solar (CIES), 2022 Junio, Vigo, Espaa,
2012.

243

244

ANEXOA

ANEXO A: PRINCIPIOS DE FUNCIONAMIENTO EN EL


APROVECHAMIENTO SOLAR FOTOVOLTAICO
La energa solar fotovoltaica se basa en la captacin de la energa radiante del Sol y en su
transformacinenenergaelctricamedianteclulassolaresygraciasalefectofotovoltaico.
Laluzsolarestcompuestaporfotonesdedistintaenerga,correspondientesalasdistintas
longitudes de onda del espectro solar. Por consiguiente, cuando un fotn incide sobre las
clulas fotovoltaicas puede ser absorbido, reflejado o pasar a su travs. Para que un fotn
genereelectricidaddebeserabsorbidoporlaclula,siestoocurre,laenergadedichofotn
es transmitida a un electrn de un tomo de la clula, el cual la usara para escapar de su
posicinnormalyformarpartedeunacorrienteenuncircuitoelctrico.

Lasclulassolaresestnconstituidaspormaterialessemiconductoresespecialmentetratados
para formar dos capas dopadas distintas, tipo p y tipo n, formando as un campo elctrico,
positivoynegativo.

Parapoderentenderelfuncionamientodelosdispositivosfotovoltaicos,sedebecomprender
el comportamiento de los materiales que los constituyen, los semiconductores. Por ello, a
continuacinseexponenalgunosconceptosfsicosyelctricosbsicos,necesariosparapoder
conocereinterpretarelprincipiodefuncionamientodelaclulasolar.

245

ANEXOA

A.1PRINCIPIOSFSICOSDEFUNCIONAMIENTODEMDULOSFOTOVOLTAICOS
Lafsicaclsicaconsideraquelamateriaestconstituidaportomos.Cadatomoconsisteen
unncleoquecontieneundeterminadonmerodeprotonesyneutrones.Adems,eltomo
estcompuestoporundeterminadonmerodeelectronesquerodeanelncleoenrbitas
especficas las cuales se encuentran agrupadas en lo que llamamos capas. Dichas capas se
presentanennivelesdeenerga:K,L,M,N,O,P,Q,talcomoseilustraenlasiguientefigura:


FiguraA.1Estructuradeltomoysusnivelesdeenerga

La capa ms interna es la de menor energa y contiene dos orbitales. La siguiente capa, de


mayorenerga,contiene8orbitales.Laltimacapa(tambindenominadacapadevalencia),
cuando se presenta completa, puede llegar a tener un total de 8 electrones, que reciben la
denominacin de electrones de valencia. Los electrones de valencia son los nicos en
condicionesdeparticiparenfenmenosqumicosyelctricos.

Segnlafuerzaenqueloselectronesdevalenciaestnligadosalncleoy,portanto,segnla
facilidad con que se pueden desplazar de un tomo al contiguo, los materiales se pueden
clasificaren3clases:conductores,semiconductoresyaislantes.

Conductores:Losconductorescomosonlosmetales(cobreyaluminio),estnformadospor
tomosenlosqueloselectronesnoestnmuyligadosalncleoyfcilmentesedesplazanal
otro con tal que exista una pequea diferencia de potencial, por tanto, apenas necesitan
energaparaconducir.

Semiconductores:Amuybajastemperaturas,lossemiconductorestienenlapropiedaddeun
aislante; sin embargo, a temperaturas ms altas algunos electrones tienen libertad de
movimiento y los materiales adoptan las propiedades de un conductor, si bien de un
conductorpobre.Noobstante,lossemiconductorestienenalgunascaractersticastilesque
lohacendistintostantodelosaislantescomodelosconductores.

Aislantes: En los materiales aislantes, como el polietileno y el vidrio, los electrones de


valenciaestnligadosconfirmezaalosncleosdelostomosymuypocospuedenliberarse
paraconducirelectricidad.Laaplicacindeuncampoelctriconocausaunflujodecorriente

246

ANEXOA

pues no hay portadores mviles de carga. Por tanto, la energa necesaria para conducir es
muyelevada.

A.1.1COMPORTAMIENTOELCTRICODELOSSEMICONDUCTORES

Paratratardeexplicarcmosecomportanlosmateriales,seutilizaeldenominadomodelo
debandasdeenerga.Loselectronesdentrodeunmaterialsepuedendesplazarnicamente
anivelesdeenergapermitidos.Enlafigurasiguientesemuestradichomodelodebandasde
energa.

FiguraA.2Modelodebandasdeenerga

El ancho de la banda prohibida o gap de energa (Eg) es la diferencia entre la energa de


conduccin(Ec)ylaenergadevalencia(Ev),comoseindicaenlasiguienteecuacin:

LaenergaEgsepuededefinircomolaenerganecesariaparaqueunelectrnpasedeuna
bandaaotra.staenergadependedelmaterialysesueleexpresarenelectrnvoltios(1
eV=1,602.1019J).Porejemplo,lossemiconductoresparaconducir,necesitanunaenerga
entre0,8eVy3eV,mientrasquelosaislantesparaconducirnecesitanunaenergamayor
que5eV.

Lasiguientefiguramuestraelmodelodebandasdeenergaparalos3tiposdemateriales
mostrandolaregindondeseaplicaacadaunodeellos.

247

ANEXOA

FiguraA.3Modelodebandasdeenergaparaconductores,semiconductoresyaislantes

Comosepuedeobservarenlafigura,losmaterialesconductores(metales)tienensolapadas
las bandas de conduccin y de valencia, lo que demuestra que prcticamente no necesitan
energaparaconducir,mientrasquelossemiconductoressilarequieren.

Los semiconductores se pueden presentar de dos maneras, como elementos simples, es el


casodeloselementosdelacolumna4Adelatablaperidica,comopuedenserelSilicio(Si)y
elGermanio(Ge)ytambinsepresentancomocompuestosqumicoscomplejos,talcomoel
ArseniurodeGalio,FosfurodeIndio,TelurodeCadmio,SulfurodeCadmio.

Unsemiconductorintrnsecoesuncristalpuroquenoestdopadooloqueeslomismono
contiene impurezas. En un cristal intrnseco (puro), cada tomo se posiciona formando una
especiederetcula,concuatrotomoscercanos.Cadapardetomoscercanosformaloque
sedenominaenlacescovalente.Estosenlacesestnformadosporlos4electronesdelacapa
devalencia.

FiguraA.4Cristaldesiliciointrnseco

Alatemperaturade0K,loselectronesestnenlosmenoresestadosdeenergadisponibles,
conlocuallosenlacesnoserompen.Enestascondicioneselmaterialsecomportacomoun
aislanteelctrico.


248

ANEXOA

Sialsemiconductorintrnsecoseleaplicaunafuentedeenergacomopuedeserluz,calor,
campo elctrico, campo magntico, etc., algunos enlaces covalentes se rompen por
ionizacin trmica, con lo cual se generan electrones libres y huecos en igual nmero. El
hueco es la ausencia de electrn y puede entenderse como un portador de carga positiva
quesemuevelibrementeporelcristal(elvalordelacargadeunhuecoesigualqueladel
electrnperoconsignopositivo).

Para la generacin de electrones libres, el Silicio necesita una energa de 1,1 eV y el


Germanio 0,8 eV. Cuando el cristal puro se somete a una fuente de energa, se puede
romperunenlace,creandounhuecoyunelectrnlibrequepuedenmoverseconlibertad
por todo el cristal. Incluso a temperatura ambiente (aproximadamente 300 K), algunos
electrones alcanzan la suficiente energa trmica como para liberarse de sus enlaces. La
siguientefiguramuestrauncristaldesiliciodondeseliberaunelectrnysecreaunhueco.

FiguraA.5Creacindeunelectrnhuecoenuncristaldesilicio

Enlossemiconductoreslaconduccindeelectricidadesdebidatantoloselectronescomoa
los huecos que se mueven en sentido contrario. La Figura A.6 muestra como cuando los
electrones se desplazan a la derecha para llenar un hueco el hueco se desplaza en sentido
contrario,esdecir,alaizquierda.


FiguraA.6Movimientodeloselectronesyloshuecosensemiconductores

En un semiconductor intrnseco, existe un nmero igual de huecos y electrones libres que


puedenmoverseconfacilidadporelcristal.As,podemosdecirqueenunmaterialpuro:

249

ANEXOA

Dondeneeslaconcentracindeelectroneslibre,pserefierealaconcentracindehuecosy
nieslaconcentracinintrnsecadeelectronesohuecosqueesconstanteparacadamaterial
aunadeterminadatemperatura:Ej.ni=1,45.1010cm3a300KparaelSilicio.

Elsemiconductorextrnseco,consisteenunsemiconductoralcualseleaadenimpurezas
paraaumentarelnmerodeportadoreslibres.Tambinsesuelehablardesemiconductores
dopados. Los semiconductores con impurezas son materiales en los que predominan
portadoresdeunaclase(huecoselectrones).

Por lo tanto, existen dos tipos de impurezas, donadoras en semiconductores tipo n e


impurezasaceptadorasensemiconductorestipop.

Para formar un semiconductor tipo n se aaden impurezas donadoras, ND, con lo cual, se
aumenta el nmero de electrones, de modo que los electrones son los portadores
mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. Las impurezas donadoras son
tomos pertenecientes a la columna 5A de la tabla peridica de los elementos (tomos
pentavalentes),comopuedenserelArsenio,AntimonioyFsforo.

Paraformarunsemiconductortipopseaadenimpurezasaceptadoras,NA,conlocual,se
aumentaelnmerodehuecos,enestecasoloshuecossonlosportadoresmayoritariosylos
electrones son los portadores minoritarios. Las impurezas aceptadoras son tomos
pertenecientesalacolumna3Adelatablaperidicadeloselementos(tomostrivalentes),
comopuedenserelBoro,IndiooGalio.

Alaadirimpurezasdonadorasaunsemiconductorprovocaunadisminucindehuecos.Por
otrolado,alaadirimpurezasaceptadorasaunsemiconductorprovocaunadisminucinde
electronespordebajodelniveldelintrnseco.Sepuededemostrarqueenunsemiconductor
extrnseco o dopado, el producto de la concentracin de huecos y electrones es una
constante independiente de la cantidad de impurezas aceptadoras o donadoras que se
aaden:

Como ya se ha mencionado, ni es la concentracin de electrones o huecos en el


semiconductorintrnseco.

A.1.2LAUNINPN

LauninPNconstadeunnicocristaldematerialsemiconductor,queestdopadodeforma
que resulta ser un material de tipo n en un lado y de tipo p en el otro. Se pueden aadir
impurezasalcristalamedidaquevacreciendo,oaadirlasmstarde,yaseapordifusinde
tomosdeimpurezasenelcristal,oporimplantacindeiones.Enlaretculacristalina,es
importante que en la unin de la parte N con la parte P no haya ninguna interrupcin.
Esto solo ser posible si la unin se constituye como un solo cristal. Sin embargo, resulta


250

ANEXOA

instructivoimaginarlaformacindeunauninPNjuntandouncristaldetipopyuncristal
detipon.

Antes de unir las dos mitades de la unin, el lado N tiene una alta concentracin de
electrones libres y una baja concentracin de huecos. En la mitad de tipo p tenemos la
condicininversa.

Debidoalaltogradientedeconcentracindeportadoresdeunmismotipoacadaladodela
unin(enunladosonmayoritariosyenelotrominoritarios),tiendenapasarpordifusin
desdeelladodondesonmayoraalladodondesonminora.

Alocurriresto,dejanenlasproximidadesdelauninunazonadecargasfijas(negativasen
lazonaPypositivasenlaN)producindoseaambosladosdelauninundipoloelctrico
quecreauncampoelctricodirigidodelazonaNalazonaPquetiendeacompensaresta
difusindeportadores,llegndoseasaunasituacindeequilibrio.

As cuando tenemos un semiconductor tipo p en contacto con un semiconductor tipo n,


podemos resumir lo que se ha expuesto anteriormente con los pasos que se describen a
seguir:

1.SeproduceunadifusindehuecosdelareginPalareginNyunadifusinde
electronesdelareginNalareginP.

2.AlhaberdifusinalgunoshuecosquepasandelareginPalareginNyalgunos
electrones que pasan de la zona N a la zona P, se recombinan hasta alcanzar el
equilibrio.

3. Tal como se muestra en la Figura A.7, despus del proceso de difusin y


recombinacin,seproduceenlauninunazonadedeplexin(tambinllamadazonade
carga espacial zona de vaciamiento) formada por las cargas estticas (iones) de la
estructuracristalina.


FiguraA.7Zonadedeplexinenlauninpn

4. En esa zona de deplexin que se ha formado se crea un campo elctrico E (de la


reginNalareginP(odelosiones+alosiones)conlocualseproduceunacadade

251

ANEXOA

potencial sobre dicha regin (de signo contrario) denominado potencial de contacto o
potencialdeunin(Vo).Sumagnitudesdelordende0,3a0,7V,dependiendodeltipode
semiconductor,GermaniooSilicio,respectivamente.

5.Elcampoelctricoimpidequemsportadoresatraviesenlaunin.

6.Existendostiposdecorriente:

Corriente de difusin (ID) debida a los portadores mayoritarios. Electrones de la


regin N pasan a la regin P y los huecos de la regin P a la regin N. Cuanto
mayoreselpotencialdeunin,menoreslacorrientededifusinID.

Corriente de arrastre, deriva o saturacin inversa (IS) debida a los portadores
minoritarios.Algunoshuecos(generadostrmicamente)enlareginNsemueven
por difusin hacia la unin. All experimentan el campo elctrico que los arrastra
hacialareginP.Anlogamente,algunoselectrones(generadostrmicamente)en
la regin P se mueven por difusin hacia la unin. All experimentan el campo
elctrico (E) que los arrastra hacia la regin N. Ambos procesos (los huecos de la
regin N a la regin P y los electrones de la regin P a la regin N) forman la
corrientedesaturacininversaIS,lacualdependebsicamentedelatemperaturay
delpotencialdelaunin.

Encondicionesdecircuitoabierto,noexistecorrienteexternayportantoID=IS(equilibrio).
Enestasituacin,circuitoabierto,latensinesnula,conlocuallatensinopotencialde
uninsecompensaconlatensindelasunionesmetalsemiconductor(verFiguraA.8).Por
lotanto,secumple,comoesdeesperar,elprincipiodeconservacindeenerga.

FiguraA.8Circuitoabiertoenlauninpn

A.1.3PRINCIPIODEFUNCIONAMIENTODELACLULASOLAR

Como se mencion previamente, las clulas solares estn constituidas por materiales
semiconductores, principalmente silicio, y son elementos que transforman directamente
parte de la energa solar que reciben en energa elctrica. Los electrones de valencia del
materialsemiconductordelaclula,queestnligadosdbilmentealncleodesustomos,
sonarrancadosporlaenergadelosfotonesdelaradiacinsolarqueincidensobreella.A
estefenmenosedenominaefectofotovoltaico.


252

ANEXOA

Comoyasehacomentadoanteriormente,laroturadeenlacesyportanto,laaparicinde
unparelectrnhuecopuedeproducirseporlaabsorcindeunfotndeenergasuficiente
(efectofotovoltaico)oporagitacintrmica.Elprocesocontrario,esdecir,larecombinacin
odesaparicindeunparelectrnhuecopuedeproducirsealencontrarseunelectrnlibrey
unhueco(estoesdifcil,yaquesenecesitacondicionesmuyespecficas)oporlaexistencia
deundefectodelaestructuradelmaterialsemiconductor.

Tantolaenerganecesariaparaqueocurraelprocesodegeneracincomolacedidaenelde
recombinacin, tienen un valor determinado, Eg, denominado ancho de banda prohibida.
As,estosdosfenmenospuedenescribirseconlaecuacinreversiblesiguiente:

(A.1)

Los electrones libres y los huecos creados por la ruptura del par electrnhueco tienden a
difundirse desde las zonas iluminadas, donde se crean, a las zonas oscuras. Para evitar la
recombinacin es necesario crear en el interior del semiconductor un campo elctrico,
mediante una unin PN, que separe fsicamente stos dos tipos de portadores o cargas
libresmviles,apareciendoasunaintensidaddecorrientenetaqueatraviesalaclulasolar
ensentidodeesecampo.

Delosdosposiblesmotivosderecombinacin(antesmencionados),elmsimportanteesla
existenciadedefectosenelcristalquesedenominantrampas.Supngaseunsemiconductor
tipon,enelqueloshuecossonminoritarios,ysupngaseundefectoenelcristalenestado
neutro, como los electrones son muy numerosos, la trampa o defecto rpidamente
capturauno,quedandoionizadanegativamente(quees,porello,elestadodeequilibrio
delatrampaenunsemiconductordeestetipo)alaesperadepodercapturarunhueco,
queesmsdifcilporserstosltimosminoritarios.Cuandoloconsigue,denuevosuestado
esneutroysehaproducidounarecombinacin.Rpidamentecapturaunelectrnyqueda
cargada negativamente otra vez, a la espera de otro hueco para completar otra
recombinacin.

Paragarantizarqueelnmeroderecombinacionesseaelmenorposible,esdecir,paraque
sepuedaaprovecharlamayoradelascargaslibresproducidasporlarupturadelospares
electrnhuecograciasalosfotonesdelaradiacinsolarincidente,elnmerodetrampas
o defectos del cristal ha de ser la menor posible. Esto se consigue utilizando cristales de
siliciopuroosiliciomonocristalino.

Conestosconceptosyasepuedecomprenderelprincipiofsicodelfuncionamientodeuna
clula solar. Cuando la radiacin solar incide sobre la clula, los fotones con energa
suficiente rompen el par electrnhueco dejando stos portadores libres (efecto
fotovoltaico).ElcampoelctricodelauninPNseparastosportadoresparaevitarquese
recombinen,llevandoloselectronesalazonaNyloshuecosalazonaP,apareciendode

253

ANEXOA

esemodounaintensidaddecorrientenetaqueatraviesalaclulasolarenelsentidodeese
campo,delazonaNalazonaP.

Elprocesodelprincipiofsicodelaceldasolarsepuederesumirenlossiguientespasos:

Losfotonesincidentessonabsorbidosysegeneranpareselectrnhueco,tantoenla
reginPdelaunincomoenlareginN.Supondremosquesegeneraunaparejapor
fotn.

Los electrones y huecos generados a una distancia inferior a Lp o Ln (longitud de


difusindelhuecoyelectrn)delazonadevaciamiento,lleganaellapordifusin.En
la zona de vaciamiento tambin se generan pares electrnhueco debido a la
radiacinqueincide.

En la zona de vaciamiento, cada miembro de la pareja es separado por el campo


elctricopresente:loshuecossedirigenalareginPyloselectronesalareginN.
steprocesosepuedeobservaracontinuacin.

FiguraA.9Separacindelosportadoresporelcampodelauninpn

Silaceldaestencircuitoabierto,laacumulacindecargasdesignosdiferentesen
los huecos se dirigen a la regin P y los electrones a la regin N. ste proceso se
puedeobservaracontinuacin.

FiguraA.10Clulasolarencircuitoabierto

SilaceldaestcortocircuitadasegeneraunacorrientedecortocircuitoIsc.Observar
queelsentidodelacorrienteeselmismoqueeldelacorrienteinversadesaturacin
delauninPN(diodo).LaFiguraA.11ilustrastasituacin:


254

ANEXOA

FiguraA.11Clulasolarcortocircuitada

Por tanto, si mediante una carga exterior (R) se cierra el circuito, la corriente fotovoltaica
generada(I)saledelaclulahaciaelcircuitoexteriorporlareginP,atraviesalacargay
entra de nuevo a la clula por la regin N. Esto que se acaba de mencionar se puede
observarenlafigurasiguiente:

FiguraA.12Corrientefotovoltaicagenerada

Podemosconcluirqueladiferenciaentreunaceldasolaryundiodoestenlacirculacinde
lacorriente.Enundiodo,debidoaquefuncionaconunafuentedetensinqueseleaplica
en el circuito que est conectado, cuando est polarizado directamente (se le aplica un
potencial ms positivo a la regin P y un potencial ms negativo a la zona N), entonces la
corrientequeparticipaenelprocesoeslacorrientededifusin,conlocualinternamentela
corrientecirculadelareginPalareginN.

Por otro lado, en la celda solar, debido a la radiacin trmica, acta como un generador,
siendolacorrientedesaturacininversa(Is)lacorrientequeintervieneenelprocesoy,por
tanto,circuladelareginNalareginP.

255

ANEXOA

A.2PRINCIPIOSELCTRICOSDEFUNCIONAMIENTODEMDULOS
FOTOVOLTAICOS
Antes de expresar las variables elctricas que caracterizan a la clula fotovoltaica, as como
sus ecuaciones, se van a explicar unos conceptos elctricos de partida que nos permitir
comprenderelfuncionamientoelctricodeunaclulafotovoltaica,sucurvacaracterstica,las
variablesquelacaracterizan,sucircuitoequivalente...

EnelapartadoanteriorsehavistolauninPNencircuitoabierto(equilibrio)ysinninguna
fuentedeenergaexterioraplicada.SiseaplicaunatensindirectaalauninPN,elcampo
elctricosereduceynosepuedepararelflujodeelectronesyhuecos.Esentoncescuandose
produce una corriente. El flujo de corriente aumenta con la tensin externa aplicada, este
fenmenoesconocidocomolaleydeldiodoideal,quesepuedeexpresarpor:

(A.2)
1

Donde:

Is:corrientedesaturacindeoscuridad.
V:tensinaplicada.
q:cargadeelectrn(1,6x1019C)
K:constantedeBoltzmam:K=1,38x1023J/K
T:temperaturaabsoluta.
=VT:potencialtrmico(paraelsilicioa25Cesiguala25,7mV)

Laexpresindeldiodoparalosdiodosrealeseslaquesigue:

1 (A.3)

Donde m es el factor de idealidad que vara entre 1 y 2, dependiendo del material y la


estructura fsica del diodo. Si graficamos la expresin del diodo se obtiene la curva
caractersticaIVquesigue:


256

ANEXOA

FiguraA.13Curvacaractersticadeundiodo

Elcomportamientodeunaclulafotovoltaicasepuedevercomoeldeundiodo,engeneral
desilicio,diseadaparamaximizarlaabsorcindefotonesyminimizarlareflexin.

Cuandoseconectaunaclulafotovoltaicaaunaresistenciadecargayseilumina,circulauna
corrienteI.Enestecaso,sepuedeobservarqueenlaclulalacorrientecirculadectodoa
nodo,esdecir,internamentecirculadelsemiconductortipoNaltipoP(contrarioalsentido
deundiodo).

FiguraA.14Circulacindecorrienteenlaclula

Elsmbolodeunaclulaounpanelsolarfotovoltaicosepuedeencontrarrepresentadodela
siguientemanera:

FiguraA.15Smboloelctricodeunpanelsolar

Lailuminacindeunaclulafotovoltaicaaadeunacorrientefotogeneradaalacurva
caractersticaIVdemodoquesuecuacincaractersticasepuedeexpresarpor:

1 (A.4)

DndeILeslacorrientefotogenerada(generadaporelefectofotovoltaico).

257

ANEXOA

LaincidenciadelaluztieneelefectodemoverlacurvaIVhaciaabajo,enel4cuadrante,tal
comosemuestraenlasiguientefigura:

FiguraA.16CurvaIVdeunaclulafotovoltaica

Elmodeloocircuitoequivalenteidealdeunaclulafotovoltaicaserepresentaporunafuente
de corriente en paralelo con un diodo. La siguiente figura muestra el modelo ideal de una
clulafotovoltaicacuandoseconectaaunaresistenciadecarga:

FiguraA.17Circuitoidealdeunaclulafotovoltaica

No obstante, por acuerdo, la curva caracterstica IV suele representarse en el primer


cuadrantemediantelasiguienteecuacincaracterstica:

1 (A.5)

Portanto,lacurvaIVcaractersticaquedara:


258

ANEXOA


FiguraA.18Curvacaractersticadeunaclulafotovoltaica

A.2.1VARIABLESCARACTERSTICAS

Atendiendoalaecuacincaractersticadeunaclulafotovoltaica,paradiversassituaciones
podemosdefinirunaseriedevariablesquecaracterizansucomportamiento.

a) Corrientedecortocircuito(ISC):Sicortocircuitamoslaclula(R=0),entonceslatensin
es nula, V=0, y por consiguiente la corriente es: ISC=IL. Basta con sustituir V=0 en la
ecuacincaracterstica.ConloqueISCesindirectamenteproporcionalalaluzincidente.

b) Tensindecircuitoabierto(Voc):Siabrimoselcircuito(R=),entoncesI=0ylatensin
delaclulaes:

1 (A.6)

SepuedeobservarqueVOCaumentalogartmicamenteconlairradiacinincidente.

Paratenerunaideadelordendemagnitud,sepuededecirqueunaclulafotovoltaicade
siliciomonocristalinogeneraunvoltajedecircuitoabierto(VOC)entornoalos0,7Vyuna
corrientedecortocircuito(ISC)quedependedelreadelaclula,aproximadamente3A
paraunreade100cm2.

Ambos parmetros se obtienen en unas condiciones estndar de medida de uso universal


segnlanormaEN61215.Establecidascomosigueyqueelfabricantedebeespecificar:

Irradiancia:1000W/m2(1kW/m2)
Distribucinespectraldelaradiacinincidente:AM1.5(masadeaire)
Incidencianormal
Temperaturadelaclula:25C

c) Temperatura de Operacin Nominal de la Clula: Otro parmetro que debera ser


suministradoeslaTONCoTemperaturadeOperacinNominaldelaClula.

259

ANEXOA

Dichoparmetrosedefinecomolatemperaturaquealcanzanlasclulassolarescuando
sesometealmduloalassiguientescondicionesdeoperacin:

Irradiancia:800W/m2
Distribucinespectraldelaradiacinincidente:AM1.5(masadeaire)
Incidencianormal
Temperaturaambiente:20C
Velocidaddelviento:1m/s

d) Potencia:Laexpresindelapotenciaentregadaporlaclulasepuedeencontrardela
expresin:

1 (A.7)

Paraunvalordelacorrientefotovoltaica,Impyunvalordelatensin,Vmp,lapotencia
entregadaalacargasermxima(Pm),aesepuntoseledenominaPuntodeMxima
Potencia(PMP).

Pm:mximovalordepotenciaque
puedeentregareldispositivo.


Imp:corrienteamximapotencia.


Vmp:tensinamximapotencia.


FiguraA.19RepresentacindelPMPenlacurvacaracterstica

Con tal de obtener el mayor rendimiento, lo mejor es hacer trabajar a la clula solar
siempreenestevalordepotenciamximamedianteunreguladorelectrnico.

El valor de la tensin de la clula para la potencia mxima, Vmp se encuentra haciendo


0.Portantoderivandolaecuacindelapotenciarespectoalatensinseobtiene:

(A.8)
1 1


260

ANEXOA

Y esta ecuacin implcita permite encontrar la tensin en el punto de mxima potencia


Vmp.Sustituyendoluegostevalordetensinenlaecuacindelacorrienteobtenemosla
corrienteenelpuntodemximapotenciaImp.

e) Eficiencia:Sedefineelrendimientooeficiencia()deunaclulasolarfotovoltaicacomo
el cociente entre la potencia mxima que puede dar a la carga y la potencia luminosa
recibidaporlaclula.

(A.9)


SiendoPLlapotencialuminosa(radiacinsolar)recibidaporlaclulafotovoltaica.

f) Factordeformaoderelleno:Otrarelacinimportanteeselfactordeformaoderelleno,
(FF).Estefactorsedefinecomoelcocienteentrelapotenciamximaquelaclulasolar
fotovoltaicapuededaralacargaylapotenciatericamximadefinidaporelpuntode
cortocircuitoycircuitoabierto(Isc,Voc):

(A.10)


Esunamedidadelacalidaddelauninydelaresistenciaseriedelaclula.Cuantomayor
es este factor, cuanto ms prximo a 1, la curva caracterstica IV con iluminacin se
aproxima ms al rectngulo de mxima potencia terica y, por tanto, la clula es de
mayorcalidad.

A.2.2CIRCUITOREALEQUIVALENTE

Vistas todas las caractersticas anteriores, desde el punto de vista elctrico una clula
fotovoltaicapuederepresentarseporuncircuitoequivalente(verfigura3.20).

La clula fotovoltaica al recibir la radiacin solar se comporta como un generador de


corriente, corriente fotovoltaica, con un diodo en paralelo para detraer la corriente de la
oscuridad.Sinembargo,enunaclulasolarrealexistenotrosefectos,noconsideradoshasta
ahora,queafectanalcomportamientoexternodelamismayserepresentanmediantedos
resistenciasque representan las prdidas intrnsecasal diseo y al comportamiento de los
materialesdelaclula

La resistencia serie, Rs, es debida principalmente a la resistencia del volumen del material
ofrecidaporlaspropiascapassemiconductoras,alasinterconexionesyalaresistenciaentre
loscontactosmetlicosyelsemiconductor.

Laresistenciaparalelo,Rp,esdebidaalanoidealidaddelauninPNyalasimpurezascerca
delauninascomoalasfugasdecorrienteporlasuperficiedelosbordesdelaclulay

261

ANEXOA

posiblescaminosdedifusinalolargodedislocaciones,impurezas,pequeoscortocircuitos
metlicos,etc.Enmuchoscasosdeintersprcticoelefectoderesistenciaparalelonotiene
apenasimportanciaenfuncionamientonormal.

Con la presencia de ambas resistencias, serie y paralelo, desde el punto de elctrico una
clulafotovoltaicapuederepresentarseporuncircuitoequivalentecomoelquesemuestra
enlafigurasiguiente:


FiguraA.20Circuitoequivalentedeunaclulafotovoltaica

TeniendoencuentaRSyRP,segnsiguedelanlisisdenudosdelcircuitoequivalentedela
figuraanterior,laecuacindelaclulaser:



1 (A.11)


262

ANEXOA

A.3PRINCIPIOSDESCRIPTIVOSDELOSDISPOSITIVOSFOTOVOLTAICOS
Unsistemafotovoltaico,comosehacomentadoanteriormente,sebasaenlapropiedadque
tienenciertosmaterialesdeconvertirlaenergaluminosaquerecibenenenergaelctrica.A
laenergaluminosaincidentetotalporunidaddereaseledenominaIrradianciaglobalGy
se mide en vatios por metro cuadrado (W/m). Normalmente, la irradiacin se refiere a un
ciertoperiododetiempo,yassehabla,porejemplo,deirradiacinhoraria,diariaomensual,
comolaenergaluminosaincidenteporunidaddesuperficieenunahora,undaounmes,
respectivamente.

Debidoalanaturalezaaleatoriadelaenergasolar,nosepuededeterminarconexactitudla
radiacin que llegar a la superficie terrestre en el lugar de la instalacin. Hay que
conformarsecontrabajarcondatosestadsticosbasadosenlahistoriasolardellugar,datos
normalmente recogidos en las estaciones meteorolgicas, y tambin en tablas y bases de
datos.Enlamayoradeloscasosnoencontraremosinformacindetalladaytendremosque
asumirvaloresaproximadosparatenerciertaideadelaradiacinenunlugardeterminadoa
priori.

A.3.1DESCRIPCINGENERALDELSISTEMA

Unsistemafotovoltaicoconstadetreselementosprincipales,elpanelocampodepaneles,
el regulador de carga y la batera o acumulador. Los paneles son responsables de generar
energa elctrica, la batera de almacenarla y el regulador de que la batera funcione de
maneraptima.Esimportantetenerencuentaquelospanelesylasbaterasdeunsistema
fotovoltaico trabajan en corriente continua, de modo que si el rango de tensin de
operacin de tus equipos no incluye la tensin de operacin de la batera ser necesario
utilizaralgntipodeconversor.Silosequiposquequieresalimentarutilizanotratensinde
continuadiferentealadelabaterasernecesarioelusodeunconversorysialgunadelos
equipostrabajanencorrientealternaseprecisardeuninversor.

263

ANEXOA


FiguraA.21Elementosdelsistemafotovoltaico

A.3.1.1Elgeneradorfotovoltaicoocampodepaneles

Es el elemento captador de energa, que recoge la radiacin solar y la transforma en


energa elctrica. Est formado por un conjunto de paneles o mdulos fotovoltaicos
conectados en serie y/o paralelo, que deben proporcionar la energa necesaria para el
consumo. La corriente que da un campo de paneles vara proporcionalmente a la
irradiacinsolarylapotenciadestos.Comolairradiacinsolarvaraeneltiempodebido
a las condiciones climatolgicas, la hora del da, etctera, debemos contar con un
acumuladordeenergaparadisponerdeenergadurantecualquierinstante.

FiguraA.22Panelsolarfotovoltaico

A.3.1.2Labateraoacumulador

La batera se encarga de almacenar la energa producida por los paneles que no se


consume inmediatamente, para disponer de ella en periodos de baja o nula irradiacin
solar.Otraimportantefuncindelasbaterasesladeproveerunaintensidaddecorriente
superioralaqueeldispositivofotovoltaicopuedeentregar.Taleselcasodeunmotor,que


264

ANEXOA

en el momento del arranque puede demandar una corriente de 4 a 6 veces su corriente


nominalduranteunospocossegundos.

Normalmente el banco de bateras y los mdulos fotovoltaicos trabajan conjuntamente


para alimentar las cargas. Durante la noche toda la energa demandada por la carga la
proveeelbancodebateras.Enhorastempranasdelamaanalosmduloscomienzana
generar, pero si la corriente que entregan es menor que la que la carga exige, la batera
debercontribuirenelaporte.Apartirdeunadeterminadahoradelamaanalaenerga
generada por los mdulos fotovoltaicos superada la energa promedio demandada. Los
mdulosnosoloatendernlademandasinoqueadems,todoexcesosealmacenaraenla
batera que empezara a cargarse y a recuperarse de su descarga de la noche anterior.
Finalmente durante la tarde, la corriente generada decrece y cualquier diferencia con la
demandalaentregaalabatera.Enlanoche,lageneracinesnulaytodoelconsumolo
afrontalabatera.

Las bateras que usualmente se utilizan en esta aplicacin son de plomocido de


electrolito lquido. Dentro de sta categora (plomocido), las de plomo antimonio,
plomoselenioyplomocalciosonlasmscomunes.Losacumuladoreselectroqumicos
comolasbaterasdeplomocidotambincumplendosimportantesmisiones:

Suministrar una potencia instantnea superior a la que el campo de paneles puede


generar, necesaria para la puesta en marcha de algunos elementos (por ejemplo, el
motordelfrigorfico).

Determinarelmargendetensionesdetrabajodelainstalacin.

FiguraA.23Diferentesbaterasparafotovoltaica

Sepuedehacerunaclasificacindelasbaterasenbaseasucapacidaddealmacenamiento
deenerga(medidoenAhalatensinnominal)yasuciclodevida(nmerodevecesen
quelabaterapuedeserdescargadaycargadaafondoantesdequeseagotesuvidatil).

Lacapacidaddealmacenajedeenergadeunabateradependedelavelocidaddedescarga
y se corresponde a un tiempo de descarga de 10 horas. Cuanto mayor es el tiempo de

265

ANEXOA

descarga,mayoreslacantidaddeenergaquelabateraentrega.Untiempodedescarga
tpico en sistemas fotovoltaicos es 100 horas. Por ejemplo, una batera que posee una
capacidad de 80 Ah en 10 hs (capacidad nominal) tendr 100 Ah de capacidad en 100
horas.

Dentrodelasbaterasdeplomocido,lasdenominadasestacionariasdebajocontenido
de antimonio son una buena opcin en sistemas fotovoltaicos. Ellas poseen unos 2500
ciclos de vida cuando la profundidad de descarga es de un 20 % (es decir que la batera
estarconun80%desucarga)yunos1200cicloscuandolaprofundidaddedescargaes
del 50 % (batera con 50 % de su carga). Las bateras estacionarias poseen adems, una
baja autodescarga (3 % mensual aproximadamente contra un 20 % de una batera de
plomocidoconvencional)yunreducidomantenimiento.

A.3.1.3Elreguladordecarga

El regulador asegura que la batera funcione en condiciones apropiadas, evitando la


sobrecargaysobredescargadelamisma,ambosfenmenosmuyperjudicialesparalavida
delabatera.Elprocedimientoqueutilizaparaelloesdeterminarelestadodecargadela
bateraapartirdelatensinalaquestaseencuentra.

Apartirdeesteparmetroyelconocimientodeltipodetecnologaqueseusaenlabatera
se controla la entrada y salida de corriente en la misma. Los reguladores actuales
introducen microcontroladores para la correcta gestin de un sistema fotovoltaico. Su
programacinelaboradapermiteuncontrolcapazdeadaptarsealasdistintassituaciones
de forma automtica, permitiendo la modificacin manual de sus parmetros de
funcionamiento para instalaciones especiales. Incluso los hay que memorizan datos que
permiten conocer cul ha sido la evolucin de la instalacin durante un tiempo
determinado. Para ello, consideran los valores de tensin, temperatura, intensidad de
cargaydescarga,ycapacidaddelacumuladorincluyendoelementosque,aunquenosean
imprescindibles, realizan tiles tareas de control o seguridad: ampermetros, voltmetros,
contadoresdeamperioshora,temporizadores,alarmas,etctera.

FiguraA.24Controladordecargasolarde30Aparauncampodepanelesdecorrientemxima25A.


266

ANEXOA

A.3.1.4Elconvertidoroinversor

Laelectricidadqueproporcionaelsistemapanelesacumuladorescontinua,yseextraea
unatensindeterminada,locualnosiemprecoincideconlasexigenciasdelosequiposde
consumo.Unconvertidorcontinuaalterna(lassiglaseninglsDC/AC),permitealimentar
equipos que funcionen con corriente alterna. Si fuese necesario tambin se pueden usar
convertidorescontinuacontinua(eningls,DC/DC)quetransformenlatensincontinuade
lasbaterasentensindealimentacintambincontinuaperodedistintovalor.Alahora
de disear un sistema de comunicaciones que usa energa fotovoltaica es recomendable
quetodaslascargastrabajenalatensinquesuministranlasbaterasevitandoelusode
convertidores.


FiguraA.25InversoresDC/ACdebajapotenciaparaunmdulofotovoltaicoygruposdeinversorespara
grandescentralesfotovoltaicas

A.3.1.5Losequiposdeconsumoocargas

Son los equipos que se conectan al sistema y que consumen la energa generada por el
mismo (equipos de comunicaciones inalmbricas, enrutadores, estaciones de trabajo,
iluminacin,TVs,etctera.).Aunquenoesposiblesaberconcertezaabsolutaculvaaser
el consumo total de dichos equipos en operacin es vital, para un clculo correcto del
sistema, hacer una buena estimacin del mismo. Asimismo, hay que tener cuidado en
elegirequiposeficientes,paranoderrocharenerga.Porejemplo,enescenariosdondesea
necesario dimensionarequipos decomunicaciones por energa solar debemos considerar
equiposbasadosenarquitecturasdebajoconsumo.

FiguraA.26Diferentesequiposdeconsumo

267

ANEXOA

A.3.2DESCRIPCINGENERALDELASINSTALACIONESFOTOVOLTAICAS

Enlaactualidad,sedistinguendosgrandesgruposenlosquelasinstalacionesfotovoltaicas
se dividen segn nuestras necesidades y aplicaciones, las instalaciones aisladas y las que
estn conectadas a la red elctrica. En el primer caso, las posibilidades de aplicacin son
enormes, desde viviendas o equipamientos aislados y/o independientes hasta centrales
elctricasrurales,telecomunicaciones,bombeodeagua,proteccincatdica,sealizaciones,
equiposdesonido,sistemasdeiluminacinetc.

Unainstalacinsolarfotovoltaicapuedesituarsecasiencualquierlugarconbuenaradiacin
solar,requiriendodiferentestamaos.Setratadeunatecnologarenovabledegeneracin
deelectricidadfcilmenteinstalableycuyaproduccinpuededistribuirsedirectamenteen
los puntos de consumo de nuestros pueblos y ciudades, donde y cuando se consume la
mayora de la electricidad del pas. De esta forma, cualquier edificio puede convertirse en
unapequeacentralgeneradoradeelectricidad.

Sinembargo,yvalorandopositivamentelasposibilidadesqueofrecenlossistemasaislados,
sobre todo en zonas rurales apartadas de centros urbanos y por su contribucin a la
solidaridad, se considera que donde la energa solar fotovoltaica puede ofrecer un
diferencial significativo en Europa es en los sistemas conectados a la red, dado que los
nivelesdeelectrificacinsonprximosalniveldesaturacin.

Acontinuacinsepresentandemaneradescriptivacadaunadeellas.

A.3.2.1Instalacionesfotovoltaicasaisladasdelared

Las instalaciones aisladas de la red tienen como objetivo proporcionar energa a zonas
rurales,sealizaciones,bombeodeaguaoalumbradopblico,engeneral.Porestarazn
sesuelenecesitarbaterasoacumuladoresparapoderseguirhaciendousodelaenergaen
las horas de menor produccin, como pueden ser las nubes o las noches. Estas
instalacionessolaressuelenestarfijasperosuposicindebeserestudiadapreviamente.

En la siguiente figura se representa un esquema genrico de la instalacin. Podemos ver


queelmdulofotovoltaicoestdirectamenteconectadoalreguladordelacarga,elcual
desva la electricidad a donde es preciso, o al consumo que funciona con corriente
continua,oalabaterasiestdescargada.Delabaterasaldrlaelectricidaddemandada
por el consumo de corriente alterna, pero antes pasar por el inversor para convertir la
corrientecontinuaencorrientealterna.


268

ANEXOA


FiguraA.27Esquemadeunainstalacinaisladadelared

Los paneles deben de estar orientados al sur pero la inclinacin es lo que vara segn el
hemisferio,laposicinexactadondenosencontremosylautilidadquelevayamosadara
laenergaproducida.Porejemplo,sinosencontramosenCartagenacuyalatitudesde37
ylainstalacinesparaunfuncionamientoanual,lainclinacindeberdeserde37,sisu
usofueraeninviernooverano,lainclinacinvariarasumndoleorestndolealalatitud
15gradosrespectivamente.

A.3.2.2Instalacionesfotovoltaicasconectadasalared

Estas instalaciones se usan para generar electricidad y abastecer a la poblacin, suele


tratarse de campos o centrales fotovoltaicas. Generalmente se ubican varios mdulos
sobreunaestructuraquepuedeserfijaomvilquepermitaunmayoraprovechamientode
laradiacinsolaralolargodelda.

Enestasinstalacionesnoesnecesarioelusodebaterasporquelaelectricidadgeneradase
inyectadirectamentealaredelctrica.Elcampodemdulosfotovoltaicosseconectanal
inversor/es que convierten la corriente continua generada en alterna al igual que se
incorporanaparatosdecontrolparaunacorrectainyeccindelaelectricidad(FiguraA.28).

269

ANEXOA

FiguraA.28Esquemadeunainstalacinconectadaalared

En las instalaciones fotovoltaicas conectadas a la red, los paneles fotovoltaicos suelen


emplazarsesobreestructurasmviles,seguidoressolares,conelfindeobtenerunamayor
generacin de energa elctrica gracias a su sistema de seguimiento con el que se
aprovechaalmximolaluzsolaralolargodelda.

Un seguidor solar es un dispositivo mecnico capaz de orientar los paneles solares de


forma que stos permanezcan aproximadamente perpendiculares a los rayos solares,
siguiendo al sol desde el este en la alborada hasta el oeste en la puesta. Podemos
encontrarseguidoressolaresaunoodosejes.

Elseguidorsolaraunejegozadeungradodelibertad,demodoquepuedegirarentornoa
uneje.GeneralmenterealizaunseguimientodelSoldeesteaoeste,desdequeamanece
hastaqueanochecealolargodeundaenunplanoparaleloalsuelo.Conestesistemade
seguimiento se aumenta un 27% la produccin anual respecto la generada por una
instalacinsolarfotovoltaicafija,sinseguimientoalguno.Estetipodeseguidoressonms
sencillos lo que conlleva menores costes, ero ofrecen un seguimiento poco preciso
captandomenorenergaquelosdedosejes.

Losseguidoresadosejesgozandedosgradosdelibertadlosquepermitenllevaracaboun
dobleseguimientodelSol,deesteaoesteyademsdenorteasursimultneamente,por
loquelaproduccinelctricaesun5%mayorqueelseguimientoaunejeyalrededorde
un35%mayorrespectoaunainstalacinfotovoltaicassinseguimiento.

En la siguiente figura se muestra una comparacin de la energa capaz de recibir los


panelesfotovoltaicoseninstalacionesdeseguimientoadosejeseinstalacionesfijas.


270

ANEXOA


FiguraA.29Comparacindelaradiacincaptadaporinstalacionesfijaseinstalacionesconseguimientoados
ejesalolargodeunda

Medianteunseguimientoadosejesseaprovechatotalmentelaradiacinsolaralolargo
delda,dadoquelasinstalacionesfijas(coninclinacindepanelde30)desaprovechan
entre100y400W/m2deradiacinaprimerasyltimashorasdeluzsolarmientrasqueal
medioda(de11a13h)seobservacomoambasinstalacionesrecibenlamismaradiacin,
generandolamismaenergayaqueescuandoambosrecibenlosrayos
perpendicularmenteasussuperficies.

A.3.2.3Instalacionesfotovoltaicassegnlapotenciainstalada

Enuncontextodecontinuocrecimientodelsectordelaenergasolar,sehanmultiplicado
lasinstalacionesfotovoltaicasennuestropas.Esporello queexisteotraclasificacinde
stas atendiendo la potencia instalada conforme establece la Asociacin de la Industria
Fotovoltaica(ASIF).

LapotenciadelasinstalacionesfotovoltaicasedaenWp(vatiospico),quecorrespondea
lapotenciaquedanlosmdulosacondicionesestndardemedida(25Ca1000W/m2).La
potencia en Wp del mdulo corresponde, aproximadamente, a la potencia mxima que
puedegenerar.

Existen tres rangos de potencia representativos de los distintos tipos de instalaciones de


generacinfotovoltaica,ademsdunacuartatipologa,correspondientealascentrales.

Instalacionespequeas(hasta5kW):Sonorientadasaaplicacionesruralesaisladaspor
serunasolucinlimpiaymuchasveceseconmica,oaplicacionesconectadasaredsobre
tejados,azoteasdecasas,hechasporparticularesenzonasdesupropiedadoinfluencia.
Conlageneracinde3kWpsecubriraelconsumopropiodeunacasatipomedioenel
que vivan entre 2 y 3 personas, excluyendo el consumo de calefaccin y aire
acondicionado.

271

ANEXOA


Instalaciones medianas (entre 5 y 100 kWp): Estas instalaciones se utilizan en
electrificaciones rurales centralizadas, o conectadas a red en edificios, normalmente
integrados en la arquitectura de los mismos, instalaciones diseadas por arquitectos
innovadores y realizadas por comunidades de vecinos, empresas constructoras o
corporaciones pblicas y privadas que desean incorporar energa fotovoltaica en sus
edificiosoconstruccionesemblemticascomovaloraadido.Unainstalacinde30kWp
enunedificiosupondracubrirlasnecesidadeselctricasdediezviviendasmedias.

Instalaciones grandes (entre 100 kWp y 1 MWp): Son generalmente instalaciones
conectadas a la red, de superficies extensas, promovidas generalmente por empresas
que,ademsdecontribuiraunageneracinlimpia,deseanunrefuerzodelaimagendela
empresaoentidadpromotora.Unaplantade300kWpcubreelconsumodeunedificio
tipomedio.

Centrales fotovoltaicas (entre 1 y 50 MWp): Son centrales de generacin, promovidas
generalmenteporempresasoconsociosdeempresas,siendogeneralmenteunadeellas
la empresa local de distribucin. Estas empresas desean conseguir cierto rendimiento
econmico y una componente de generacin verde. Una planta de 3 MWp cubre el
consumodeunapoblacinourbanizacindeaproximadamente500vecinos.


272

ANEXOB

ANEXO B: CONFIGURACIN DEL CAMPO FOTOVOLTAICO DE


LA INSTALACIN SOLAR CORONIL II
Laconfiguracindelcampofotovoltaicoconlosdistintosmodelosdepanelesinstaladosyla
potenciapicoporinversorsepresentanacontinuacin.

FiguraB.1Distribucindelosdiferentespanelesfotovoltaicosypotenciapicoporinversorenelcampo
fotovoltaicoCoronilII.

273

274

ANEXOC

ANEXO C: CARGA ELECTRNICA PARA PANELES


FOTOVOLTAICOS
C1.INTRODUCCIN.
ParaobtenerlacaractersticaVIdeunpanelsolar,estedeberestarconectadoaunacarga
variable que permita absorber la energa que genere en sus diferentes puntos de
funcionamiento. Se ha diseado una carga electrnica que podr ser controlada desde un
ordenador personal. La carga diseada tendr dos posibles modos de funcionamiento: a
corrienteconstanteyatensinconstante.

Lascaractersticasdeestacargason:

Tensionesdefuncionamiento: 050V.
Corrientedepico: 25A.
Potenciamxima: 300W.

Paraobtenerlacaractersticacompletadeunpaneldeberfuncionarnosolocomocargasino
tambin como generador, ya que para obtener con seguridad el valor nulo de tensin
(corriente de cortocircuito) se har funcionar al panel como carga, es decir, con tensin
negativaensusextremos.

C2.CaractersticaVI.
Debido a que la caracterstica de un generador fotovoltaico es una funcin decreciente la
tensinenelpaneldisminuirsiemprequeseaumentelacorrienteoviceversa.Graciasaesta
propiedad puede asegurarse que mediante una fuente de corriente se puede obtener
cualquiertensinenbornesdeunsistemafotovoltaico.

Sepuedesimplificarelmodeloparaunpanelfotovoltaicoylinealizarlo,comoseveenlaFig.
C.1,aproximandolacurvacaractersticaaunarectadependientenegativak

I (s) kV (s) (C.2)

275

ANEXOC

I
+
I
IS C V
K
-
Ix
V

I k V
Vx Voc

FiguraC.3Curvacaractersticaylinealizacin.

C.3Cargaelectrnica.
EnelcircuitodelaFig.C.2,dondeIFVeslacorrientequeproporcionaelpanel,latensinen
bornes del condensador puede controlarse mediante la corriente IT. Si esta corriente es
superior a la aportada por la clula (IFV) la tensin en el condensador decrecer y en caso
contrarioaumentar,conloquesehaceelsistemamssensiblealasvariacionesdetensin.

Vi
IC
+

IT I FV -
RS

FiguraC.4Circuitosimplificado.Fuentedecorriente.

dv
ic C (C.3)
dt

I c (s)
V ( s) (C.4)
Cs ec

I T I C I FV (C.5)

Teniendoencuentalaecuacinlinealizadadelacaractersticadelaclulaodeunpanel,Ec.
C.1,lafuncindetransferenciadelsistemapanelfuentecondensadoreslaEc.C.5,


276

ANEXOC

IT
V (s) (C.6)
Cs k

ConlafuentedecorrienteITsepuedevariarlatensinylacorrienteenlaclula.Aumentando
o disminuyendo IT (Fig.C.2 (izq.)) variar la tensin en la clula solar (como ya se ha
mencionado).

La fuente de corriente ha sido implementada, como muestra la Fig. C.2 (dcha.), con un
operacionalytransistoresMOS,dadalafacilidaddeestosparasuconexinenparalelo,para
aspodertrabajarconpotenciaselevadas.

Unodelosproblemasquepresentaelsistemaesqueladinmicadelpanelesdesconocida,
desconocemoselvalordekperosiloslmitesentrelosquevariar,perosepuedeconsiderar
queelconjuntoOperacionalTransistorMOSesmuyrpidopudindoseexpresarlacorriente
atravsdelmismocomo:

Vcontrol
IT (C.7)
R

LaFig.C.3muestraeldiagramadebloquesdelsistema.Latensinenbornesdelaclulano
estreferidaamasaporloquedeberutilizarseunamplificadordiferencial.Enelcircuitoha
sidoimplementadomedianteunamplificadoroperacional,conunaganancia.

Latensin,V,escomparadaconlatensindereferencia,Vref,queeslaquesepretendeque
sigaelsistematotal.ParapodercompararelvalordeVconlatensindereferencia,esta
debersermultiplicadaporlagananciadelamplificadordiferencial.Ladiferenciaentreestos
dosvaloreseselerrorcometido.

Vref + V ctrl IT V
Control 1/R S -(1/K)(1/(1+S *C/K)

1/10

FiguraC.3.Diagramadebloquesdelsistemacompleto.

277

ANEXOC

C.4.CONTROLYESTABILIDAD.

El sistema es sencillo de controlar ya que es un sistema de primer orden, pero tiene un


problema:kesvariableenfuncindelpuntodetrabajo.

Acontinuacinsevaaestudiarelusodedostiposdecontrol:proporcional(P)yproporcional
integral(PI).

C.4.1.Controlproporcional.
EnelcasodeestecontroleneldiagramadebloquesdelaFig.C.3,elbloquedecontroles
unaconstanteG.EnestecasolafuncindetransferenciavienedadaporlaEc.C.7.

G 1
RK C
1 S
V (S ) K
(C.8)
Vref ( S ) G 1
1
RK C
1 S
K
Este sistema ser estable si todos los polos estn situados en el semiplano negativo. Las
racesdelsistema,Ec.C.8,deberncumplir

G K
1 0 (C.9)
RK C
Por lo que el sistema ser estable para cualquier valor de k, al ser positivas todas las
variables.

Estaesunabuenasolucinparalaestabilidadperoalestaranteunsistemadeprimerorden
detipo0(ningnpoloenelorigen)siemprehabrerroralasalida.

Elerroranteentradaescalnpuedeobtenerseconelteoremadelvalorfinal,Ec.C.9

Rk
e rp (C.10)
R k G

El error vara con k y, como podemos recordar, puede tomar valores dentro de un amplio
rango,conloqueserdifcilcuantificarelerror.EnlaFig.C.4sepuedeverlavariacindela
respuesta ante entrada escaln unitario dependiendo de la pendiente k del punto de
trabajo, si recordamos que la ganancia del lazo es 10 para k = 0 el error es nulo. Este
problemasepuedesolucionarconuncontrolPI.


278

ANEXOC

FiguraC.4.Respuestaanteescalnunitario.

C.4.2.Controlproporcionalintegral.

Este control tiene varias ventajas frente al control proporcional: el error de posicin ser
nuloyelsistemasermsrpidoalintroducirunceroenelsistema.

El bloque de control de la Fig. C.3 es ahora un control PI, Ec. C.10, y la funcin de
transferenciadelsistematotalvienedadaporlaEc.C.11.

s
1
(C.11)
PI ( S ) z
S

S
1
V (S ) 1 z
(C.12)
Vref ( S ) R C RK 1
S2
S 1
z

Lacondicindeestabilidad,polosenelsemiplanonegativo,Ec.C.12,secumpleparatodos
losvaloresdek.

Rk 1
0 (C.13)
wz

C.4.3ImplementacindelcontrolPI.

279

ANEXOC

LaFig.C.5representaelcircuitodelcontroladorproporcionalintegralyunsustractor,siendo
laEc.C.13sufuncindetransferencia.

C1
R2

R1

V R EF -
R3 Vi
V +

R4

C2

FiguraC.5.ControlProporcionalIntegral.

1
R4
Vcontrol V 'c
1 sC 2 R R 1 V 1 R 1 (C.14)
R1 1 1 2
sC1
ref
R1
2
sC1
R3 R 4
sC 2

Sitomamos R1 R3 , R 2 R 4 , C1 C 2 nosqueda,

1 1
Vcontrol R2 V 'c Vref (C.15)
R1 sC1

funcindetransferenciadeunPI.

SisecomparanlaEc.C.14ylaecuacingeneraldeunPI,Ec.C.10,


280

ANEXOC

1
(C.15)
R1C1

1
wz (C.16)
R 2 C1

TomandoR1=4.7k,R2=100kyC1=0.1nFsetendrenestecaso =2106y z=105rad/segyel


sistemaserestable.

FiguraC.6.RespuestaaescalnunitarioconcontrolPI

EnlaFig.C.6seharepresentadolarespuestadelsistemaparaunaentradaescalnunidady
se puede ver que ahora el error en rgimen permanente es nulo para cualquier punto de
trabajodelpanel.

C.5.ELECCINDELTRANSISTOR.
Los MOSFETs son ideales para trabajar en paralelo en conmutacin aunque tambin tienen
muybuenascaractersticasparatrabajarensistemaslineales.Peroparaquelostransistores
puestosenparalelotrabajenadecuadamentesedebeestablecerelpuntodetrabajo.

El reparto de corriente entre los transistores conectados en paralelo es desigual. Otra


variable importante a tener en cuenta es la temperatura de la unin, ya que si no hay un
reparto equitativo de corrientes, por las diferencias entre curvas caractersticas, uno de los
transistoresdisiparmspotenciaysecalentarmsqueelresto,aumentandosugananciay
lacorrientehastaproducirselarotura.

281

ANEXOC

Unasolucineslaseleccindeloscomponentesconlascaractersticasmsparecidasoeluso
deresistenciasdeecualizacinqueestablecernunpuntodetrabajoenelqueladiferencia
enelrepartodecorrientessermenor.

ID
VGG

RS

FiguraC.7.Resistenciadeecualizacin.

Si,porejemplo,trazamoslacurvaVGGIDdeltransistorIRFP140Npodemosverqueparauna
tensinde4.5Vysuponemosuntransistortrabajandoa25Cyotroa175Cunotendruna
corrientede7amperiosyelsegundotransistorunacorrientede8.5amperios,unadiferencia
considerable.Perosinosfijamosenvaloresdetensionesmsbajaselrepartodecorrienteses
peor,inclusopuedellegaradejardeconduciralgunodelostransistores,Fig.C.8.

22
ID
20

18
25C
16

14
175C
12

10

2
4 4.2 4.4 4.6 4.8 5 5.2 5.4 5.6 5.8 6
V GS

FiguraC.8.Curvadetransconductancia.

Si se emplea una resistencia de ecualizacin variar el punto de trabajo de manera que la


tensin ser VGS = VGG IDRS, con lo que se desplazar el punto de trabajo y se consigue
disminuirladiferenciaentrecorrientes.


282

ANEXOC

ID 25

20 25C

15
175C

10

0
V GG

-5
3.5 4 4.5 5 5.5 6
V GS

FiguraC.9.Puntodetrabajo.

SitenemosVGG=4.5Vylapendientedelacurvaes 1 ,conRS=0.2,ahoralacorrientedel
RS
transistorquedisipamenospotencia,elqueesta25C,esde2.5amperios.Paraunamayor
resistencia habr un mejor reparto de corrientes pero tambin habr mayores prdidas. La
primera caracterstica a buscar en el transistor ser la tensin, ya que por corriente no hay
lmitesiseponenvariostransistoresenparalelo.

SeeligieltransistorIRFP140Nconlassiguientescaractersticas:

ID(25C)=42A.
VDSS=100V.
PD=160W.

Delascaractersticasquetienelacargasepuedeverquecumpleconlacorrientemxima
(25A) y la tensin mxima (50V) pero para poder disipar la potencia requerida sern
necesarios2transistores.Elproblemaquepresentaesquetrabajandocomocargaserdifcil
encontrarundisipadorusandosolo2transistores.

C.6.DISIPADOR.
Delastablasdecaractersticasdeltransistor:

Temperaturamximadelaunin,Tjc=175C
Temperaturaambientemxima,Ta=60C

283

ANEXOC

Resistenciaunincarcasa,Rjc=0.95C/W
Resistenciacarcasadisipador,Rcs=0.24C/W

IRFP140N Tjc Rjc Rcs

IRFP140N Tjc Rjc Rcs Rh Ta

IRFP140N Tjc Rjc Rcs

FiguraC.10.Resistenciatrmica

Se han tomado valores extremos de la temperatura ambiente ya que el equipo estar


instaladoalaintemperie.Paralatemperaturadelauninsetomarunvalordetrabajode
150Cparatenerunmargendeseguridad(dondelapotenciaserlamximaalaquetrabaja
lacarga,300W).

P
T jc ( R jc Rcs ) P R h Ta (C.17)
n

ConestosvaloreslaresistenciatrmicadeldisipadordebeserRh=0.295,valorimposible.

Enlasiguientegrficaseharepresentadolaresistenciatrmicaquedebertenereldisipador
enfuncindelnmerodetransistoresempleadosparapoderelegirelnmeroadecuado.


284

ANEXOC

FiguraC.11.EleccinntransistoresIRFP140N.

Si se usan 7 transistores la resistencia trmica es aproximadamente de 0.15 por lo que se


eligieldisipadorP3/180conRh=0.145paraunsoloelementoyventilacinforzada.Entablas
deldisipadorsernecesariounflujodeairede60m3/h.

Dado el precio del transistor usado y el nmero que hay que emplearse compar con otro
transistor de caractersticas similares y de menor precio, el IRL540N, con las siguientes
caractersticas:

ID(25C)=36A.
VDSS=100V.
PD=140W.
Rjc=1.1
Rcs=0.5
Enprincipiohabrqueusar3transistoresenparaleloparaobtenerlapotenciamximaquese
peda.

FiguraC.12.EleccinntransistoresIRL540N

Si ahora se comprueba con el mismo disipador el nmero de transistores que hay que
empleares10.Alsermayoranelnmerodetransistoresqueseusanladiferenciadeprecio
noesrazonablesisecomparaconelotrotransistorymenosparaunprototipo,aunquesise
deberatenerencuentaparalafabricacinenserie.

C.7.FUENTE

Hayqueconsiderarqueeneltransistorhayunacadadetensinyenlasresistenciashabr
otracadadetensin,porloquelatensinenelcondensadornopuedellegara0voltios.

285

ANEXOC

EstosehasolucionadoconunafuentequerestedichacadadetensincomoseveenlaFig.
C.13:

+
-
5V DC ,30A

Control V ref

FiguraC.13.Fuentedetensinparaobtenertensionesnegativas.

Siseconsideraqueelvalordelaresistenciaesde0.05yquelacorrientemximaenlacarga
sern25Alacadamximaenlaresistenciaserde1.25V.

Delascaractersticasdeltransistorsepuedecomprobarenlacaractersticadesalidaquepara
una tensin VGS=4.5V la cada de tensin VDS mxima que tendremos ser de 1.5V,
considerando una temperatura de la unin de 175C. Con estos valores la mxima cada de
tensinquetendrserde2.75V.SepuedeusarunafuentedePCquetienediferentessalidas
(5V/30A, 12V,3.3V).Estaesunasolucinbaratayconellasepodrnobtenerlasdiferentes
tensionesnecesariasparaelcircuito.

Enelcircuitoseaadiadems,amododeproteccincontraerroresdeconexin,undiodo
entre la fuente de tensin y el panel, Fig. C.14. Se eligi el 43CTQ100, con una cada de
tensinde1V.Teniendoencuentatodaslascadasdetensindeldiodo,deltransistorydela
resistencialamnimatensinquesepodrobteneresVmin=1.25V.


286

ANEXOC

+
-
5VDC ,30A

Control Vref

FiguraC.14.Diododeproteccin.

C.8.SIMULACIN.
ElcircuitoquesemuestraenlaFig.C.15estconectadoaunpanelsolardecaractersticaVI
la mostrada en la Fig. C.16. Esta curva ha sido obtenida mediante simulacin con la carga
electrnica.

FiguraC.15.Circuitoparalasimulacin.

La curva caracterstica que se obtiene con este esquema es bastante aproximada a la curva
realdeunpanelfotovoltaico.

287

ANEXOC

16A

(28.451m,16.000)

(17.767,85.106m)

0A

4V 8V 12V 16V

FiguraC.16.CaractersticaVI.

EnlaFig.C.17sehanrepresentadolatensindereferenciaconlneacontinuaylatensinen
laclulamultiplicadoporlagananciadeloperacional,,conlneadiscontinua.

1V

0V

10ms 11ms 12ms

FiguraC.17.Respuestadinmica.

C.9.RESULTADOS.
Las siguientes imgenes fueron obtenidas en laboratorio. En la Fig. C.18 se puede ver la
tensin y corriente que se obtuvieron usando como panel fotovoltaico una fuente de
corriente.


288

ANEXOC


FiguraC.18.Medidasdeosciloscopio

EnlaFig.C.19sepuedeverlacurvacaractersticaobtenida


FiguraC.19.Curvacaracterstica.

289

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