PAR DE REALIMENTACIN

La conexin del par de realimentacin es un circuito de dos transistores

que opera como el circuito Darlington. Observe que el par utiliza un transistor
PNP que controla un transistor NPN, los dos dispositivos actan con eficacia
como un transistor PNP. Como con la conexin Darlington, el par de
realimentacin proporciona una ganancia de corriente muy alta (el producto de
las ganancias de corriente de los transistores).

El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en espaol transistor de efecto de

campo de juntura o unin) es un tipo de dispositivo electrnico de tres
terminales que puede ser usado como interruptor electrnicamente controlado,
amplificador o resistencia controlada por voltaje. Posee tres terminales,
comnmente llamados drenaje (D), puerta o compuerta (G) y fuente (S).

A diferencia del transistor de unin bipolar el JFET, al ser un dispositivo

controlado por un voltaje de entrada, no necesita de corriente de polarizacin.
La carga elctrica fluye a travs de un canal semiconductor (de tipo N o P) que
se halla entre el drenaje y la fuente. Aplicando una tensin elctrica inversa al
terminal de puerta, el canal se "estrecha" de modo que ofrece resistencia al
paso de la corriente elctrica. Un JFET conduce entre los terminales D y S
cuando la tensin entre los terminales G y S (VGS) es igual a cero (regin de
saturacin), pero cuando esta tensin aumenta en mdulo y con la polaridad
adecuada, la resistencia entre los terminales D y S crece, entrando as en
la regin hmica, hasta determinado lmite cuando deja de conducir y entra en
corte. La grfica de la tensin entre los terminales D y S (V DS) en el eje
horizontal contra la corriente del terminal D (ID o corriente de drenaje) es una
curva caracterstica y propia de cada JFET.

Un JFET tiene una gran impedancia de entrada (que se halla frecuentemente

en el orden de1010 ohmios), lo cual significa que tiene un efecto despreciable
respecto a los componentes o circuitos externos conectados a su terminal de
puerta.

Esquema interno de un transistor JFET

de canal P

Principio de Efecto de
funcionamiento campo

Invencin William
Shockley, 1951

Smbolo electrnico
 Terminales Puerta (G),
Drenaje (D) y
Fuente (S).

Polarizacin y curvas caractersticas

Polarizacin de un transistor JFET

Curvas caractersticas de un JFET canal n

Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor bipolar. La

terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de
fuente (Vdd) y la compuerta se polariza negativamente con respecto a la fuente
(-Vgg).

A mayor voltaje -Vgg, ms angosto es el canal y ms difcil para la corriente

pasar del terminal drenador (drain) al terminal fuente o source. La tensin -Vgg
para la que el canal queda cerrado se llama pinch-off y es diferente para cada
JFET.

El transistor de juntura bipolar es un dispositivo operado por corriente y

requieren que halla cambios en la corriente de base para producir cambios en
la corriente de colector. El JFET es controlado por tensin y los cambios en
tensin de la compuerta a fuente modifican la regin de rarefaccin (deplexin)
y causan que vare el ancho del canal.

Al hacer un barrido en corriente directa, se obtienen las curvas caractersticas

del transistor JFET. Las curvas caractersticas tpicas para estos transistores se
encuentran en la imagen, ntese que se distinguen tres zonas importantes: la
zona hmica, la zona de corte y la zona de saturacin.

Existen otros tipos de curvas, como las de temperatura, capacitancia, etc.

Todas ellas normalmente las especifica el fabricante de cada transistor.
Algunos programas de simulacin (como SPICE) permiten hacen barridos de
CD bsicos para obtener las curvas, en base a los modelos contenidos en sus
bibliotecas de componentes.

El transistor JFET, al igual que los BJT, se pueden polarizar de diversas

maneras (ms adelante se ver) para dar lugar a configuraciones de
amplificadores de seal, sin embargo no son las nicas aplicaciones, por
ejemplificar algunas otras se tienen la configuracin para formar osciladores,
interruptores controlados, resistores controlados, etc.

Aplicaciones

Como se mencion con anterioridad, las aplicaciones con este tipo de

transistores es muy variada, aqu se mostrarn slo dos aplicaciones bsicas, a
saber, la construccin de osciladores para generacin de formas de onda
cuadradas a determinadas frecuencias, y el anlisis y diseo de las
configuraciones fundamentales de amplificadores con JFET's.

Osciladores y radios

Amplificadores

TRANSISTOR FET

Los transistores ms conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP),

llamados as porque la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de
portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son
de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones pero tienen ciertos
inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante
baja.

Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que

pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador
de cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo.

2) Explicacin de la combinacin de portadores.

Puesto que hay una tensin positiva entre el drenador y el surtidor, los
electrones fluirn desde el surtidor al drenador (o viceversa segn la
configuracin del mismo), aunque hay que notar que tambin fluye una
corriente despreciable entre el surtidor (o drenador) y la puerta, ya que el diodo
formado por la unin canal puerta, esta polarizado inversamente.

En el caso de un diodo polarizado en sentido inverso, donde

inicialmente los huecos fluyen hacia la terminal negativa de la batera y los
electrones del material N, fluyen hacia el terminal positivo de la misma.

Lo anteriormente dicho se puede aplicar al transistor FET, en donde,

cuando se aumenta VDS aumenta una regin con empobrecimiento de cargas
libres

Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de

encapsulado, as como el esquema de identificacin de los terminales.
Tambin tendremos que conocer una serie de valores mximos de tensiones,
corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no destruir el
dispositivo. El parmetro de la potencia disipada por el transistor es
especialmente crtico con la temperatura, de modo que esta potencia decrece a
medida que aumenta el valor de la temperatura, siendo a veces necesaria la
instalacin de un radiador o aleta refrigeradora. Todos estos valores crticos los
proporcionan los fabricantes en las hojas de caractersticas de los distintos
dispositivos.

3) Explicacin de sus elementos o terminales.

Un transistor de efecto campo (FET) tpico est formado por una barrita de
material p n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del
otro tipo de material que forma con el canal una unin p-n.
En los extremos del canal se hacen sendas conexiones hmicas llamadas
respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), ms una conexin
llamada puerta (g-gate) en el collar.

La figura muestra el croquis de un FET con canal N

Smbolos grficos para un FET de canal N

Smbolos grficos para un FET de canal P

Fundamento de transistores de efecto de campo:

Los transistores son tres zonas semiconductoras juntas dopadas

alternativamente con purezas donadoras o aceptadoras de electrones.
Su estructura y representacin se muestran en la tabla.

Modelo de transistor
FET canal n

Modelo de transistor
FET canal p

Las uniones Puerta-Drenador y la Surtidor-Puerta estn polarizadas en inversa

de tal forma que no existe otra corriente que la inversa de saturacin de la
unin PN.
La zona n (en el FET canal n) es pequea y la amplitud de la zona de deplexin
afecta a la longitud efectiva del canal. La longitud de la zona de deplexin y
depende de la tensin inversa (tensin de puerta).

Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET):

ZONA HMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta como

una resistencia variable dependiente del valor de VGS. Un parmetro
 que aporta el fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para
VDS=0 (rds on), y distintos valores de VGS.
ZONA DE SATURACIN: En esta zona es donde el transistor amplifica
y se comporta como una fuente de corriente gobernada por VGS

3. ZONA DE CORTE: La intensidad de drenador es nula (ID=0).

A diferencia del transistor BJT, los terminales drenador y surtidor del FET
pueden intercambiar sus papeles sin que se altere apreciablemente la
caracterstica V-I (se trata de un dispositivo simtrico).

La operacin de un FET de CANAL P es complementaria a la de

un FET de CANAL N, lo que sigmifica que todos los voltajes y
corrientes son de sentido contrario.

Entre las principales aplicaciones de este dispositivo podemos destacar:

APLICACIN PRINCIPAL VENTAJA USOS

Aislador o separador Impedancia de entrada Uso general, equipo de medida,
(buffer) alta y de salida baja receptores
 Sintonizadores de FM, equipo
Amplificador de RF Bajo ruido
para comunicaciones
Baja distorsin de Receptores de FM y TV,equipos
Mezclador
intermodulacin para comunicaciones
Amplificador con Facilidad para controlar Receptores, generadores de
CAG ganancia seales
Amplificador Baja capacidad de Instrumentos de medicin,
cascodo entrada equipos de prueba
Amplificadores de cc, sistemas
Troceador Ausencia de deriva
de control de direccin
Amplificadores operacionales,
Resistor variable por
Se controla por voltaje rganos electrnicos, controlas
voltaje
de tono
Amplificador de baja Capacidad pequea de Audfonos para sordera,
frecuencia acoplamiento transductores inductivos
Mnima variacin de Generadores de frecuencia
Oscilador
frecuencia patrn, receptores
Integracin en gran escala,
Circuito MOS digital Pequeo tamao
computadores, memorias

Siempre nos va a interesar estar en la regin de saturacin, para que la nica

variable que me controle la cantidad de corriente que pase por el drenador sea
la tensin de puerta.

Ecuacin de Shockley:

ID=IDSS(1-
VGS/Vp)2

Donde:

Vp es la tensin de puerta que produce el corte en el transistor FET.

 IDSS es la corriente mxima de drenador que circula por el transistor, al
aumentar VDS, cuando la polarizacin de la puerta es VSG= 0 vol

Parametros Del Fet

La corriente de sumidero Id es funcin tanto de la tensin de sumidero Vds

como de la puerta Vgs. Como la unin est polarizada inversamente,
suponemos que la corriente de puerta es nula, con lo que podemos escribir:
Ig = 0 e Id = (Vds, Vgs)

En la zona de estriccin (saturacin) en que las caractersticas son casi rectas

(en el grfico, son horizontales, pero en realidad tienen una pendiente positiva)
podemos escribir la respuesta del transistor para pequeos incrementos de Vds
y Vgs en esta forma

El parmetro rd se llama resistencia diferencial del sumidero del FET, y es la

inversa de la pendiente de la curva. Que como en el grfico, dicha pendiente es
cero (en la realidad, como he dicho antes existe algo de pendiente), entonces
la rd es infinita (muy grande).

El parmetro gm se le denomina conductancia mutua o transconductancia, y es

igual a la separacin vertical entre las caractersticas que corresponden a
diferencias de valor de Vgs de 1 voltio.