Sie sind auf Seite 1von 59

Espacio Acadmico.

- Facultad de Ingeniera

Tipo de material.- Presentacin de diapositivas

Ttulo del material.-Semiconductores Orgnicos

Programa educativo al que se vincula.- Plan de


estudios
de Ingeniera en Electrnica

Unidad de Aprendizaje.- Fsica de


Semiconductores
INGENIERA EN ELECTRNICA

Alumnos del cuarto semestre de la Licenciatura de


Ingeniera en Electrnica

Horas tericas 3 Prctica 1 Crditos 7

Periodos Primavera y Otoo


(semestre escolar A y B)
El presente material sirve como apoyo a
la unida de aprendizaje de Fsica de
Semiconductores, Unidad III.

Objetivo:
Que el alumno aprenda el mecanismo
de conduccin de semiconductores
orgnicos
Introduccin

Unidad 1. Estructura de la materia

Tema 1.1. Estructura del tomo


Tema 1.2. Estructura electrnica del tomo
Tema 1.3. Tabla peridica y Enlazamiento atmico

Unidad 2. Estados de agregacin

Tema 2.1. Materiales cristalinos y amorfos


Tema 2.2. Celdas unitarias y redes de Bravais
Tema 2.3. Notaciones cristalinas (ndices de Miller)
Tema 2.4. Anlisis cristalogrfico con rayos X
Tema 2.5. Red reciproca
Unidad 3. Teora electrnica de los metales y
semiconductores.

Tema 3.1. Teora del electrn libre de los metales.


Tema 3.2. Teora cuntica de los metales.
Tema 3.3. Teora de Bandas en los slidos, zonas de Brillouin
Tema 3.4. Semiconductores intrnsecos y extrnsecos.
Tema 3.5. Semiconductores orgnicos
Tema 3.6. Teora de bandas en los semiconductores
orgnicos.

Unidad 4. Materiales electrnicos.


Tema 4.1. Ley de Ohm y conductividad elctrica.
Tema 4.2. Dispositivos semiconductores
Tema 4.3. Aislantes y sus propiedades dielctricas.
Tema 4.4. Superconductividad.
Unidad 5. Aplicaciones de los semiconductores
Tema 5.1. Dispositivos semiconductores: el diodo
Tema 5.2. El transistor de unin bipolar
Tema 5.3. El transistor de efecto decampo
Tema 5.4. Manufactura y fabricacin de dispositivos
semiconductores.
Tema 5.5. Semiconductores orgnicos
Tema 5.6. Diodo orgnico emisor de luz (OLED)
Tema 5.7. Manufactura y fabricacin de dispositivos
semiconductores orgnicos
Tema 5.8. Polmeros conductores.
Tema 5.9. Supercapacitores
Tema 5.10. Perspectivas de la Ingeniera molecular en la
rama de los semiconductores
Unidad 6. Materiales Fotnicos.
Tema6.1. Espectro electromagntico.
Tema 6.2. Reflexin, absorcin y transmisin
Tema 6.3. Fibras pticas.
Que el egresado mediante el conocimiento
sobre los materiales conductores,
semiconductores y aislantes; sea capaz de
intervenir y decidir en:

La seleccin de un dispositivo electrnico


orgnico que integre un circuito electrnico.

Trabajar en equipos multidisciplinarios.

Expresar de manera clara y concisa sus ideas e


interpretacin de los fundamentos de la fsica de
semiconductores para analizar las propiedades
de los dispositivos semiconductores orgnicos.
Se requieren conocimientos bsicos de las siguientes disciplinas:
Fsica moderna, cristalografa, teora de enlaces . Por lo que se
recomienda solicitar al alumno un trabajo por escrito para
presentar una revisin de estos temas.
Asi mismo el profesor dar una introduccin a estos temas,
antes de abordar el tema de semiconductores orgnicos

Se retomarn los Conceptos de semiconductores de Ge y Si y


los conceptos que debe maneja el alumno:
Semiconductor intrnseco y extrnseco
Concepto de dopado
Teora electrnica de los metales y semiconductores.

Se presentar este material de solo visin para el tema 5.5 del


programa educativo.
El presente material debe complementarse con trabajos de los
alumnos y tareas de ejercicios.
En el rea de investigacin cientfica se trabaja
actualmente en el desarrollo y aplicacin de
nuevas tecnologas en semiconductores, con la
utilizacin de materiales inorgnicos y
orgnicos.

Se busca su potencialidad en conductividad,


compactacin y alta desempeo para
aplicaciones en diferentes reas del
conocimiento.
Es un Compuesto
orgnico: cristal o un
polmero
(macromolcula) .
Conduccin de un
Semiconductor de Si o
Ge se da por la
conduccin por e - y
huecos ypor la teora de
bandas.
El semiconductor
Orgnico por
reacciones de oxidacin
reduccin (Redox)en
oposicin a los
semiconductores de Si
En los semiconductores inorgnicos la
conductividad depende de la cantidad
de dopaje.
La conductividad, y la conjugacin, van
aumentando con la oxidacin y de esta manera
se obtienen valores en un intervalo entre 10-8 hasta
103S/cm.

Con esta variacin, se logran cambios


significativos en el material en sus propiedades
elctricas, mecnicas, pticas, qumicas, trmicas,
etc. En el lmite inferior de 10-8S/cm el material se
comporta como semiconductor, y en el lmite
superior se comportan como conductor.
Durante aos un plstico siempre ha
sido utilizado como un material aislante.

Cmo es que, se dice que puede


conducir electricidad?.....

Que sucede en la estructura


molecular??
La Academia de Ciencias sueca otorg el premio
Nobel de Qumica del ao 2000 a los
investigadores A. Heeger, A. McDiarmid y H.
Shirakawa por su contribucin al descubrimiento y
desarrollo de polmeros orgnicos conductores.

Estos investigadores han contribuido al diseo y


sntesis de una familia de polmeros conductores
de la electricidad, por los cuales es posible
aumentar su conductividad en varios rdenes de
magnitud, lo que abre la puerta al desarrollo de
nuevos dispositivos tecnolgicos.
Semiconductores Orgnicos
Semiconductores Inorgnicos
Semiconductores Inorgnicos

El nivel de Energa es de un solo tomo y la Banda de


Energa es de un grupo de tomos.
La brecha de energa Banda de conduccin y de
valencia
entre la banda de
valencia y la banda
de conduccin es
relativamente
pequea para que
los electrones
salten la brecha y
entren a la banda de
conduccin
La teora que explica de manera ms
razonable la estructura electrnica de un
material es la teora de bandas.

La mecnica cuntica estipula que el


electrn de un tomo solo puede tener
niveles cuantizados de energa. Cuando los
tomos estn cercanos, los niveles de
energa se describen por la banda de
valencia y de conduccin
Un semiconductor
orgnico es un
compuesto orgnico
bajo la forma de un
cristal o un polmero.

Propiedades:
Mecanismo de
Conduccin: por
electrones y huecos, y
la presencia de una
banda prohibida.
Estos materiales han dado lugar a la
electrnica orgnica, o electrnica de los
plsticos. Por orgnica se entienden las
molculas que se basan en el carbono
Que caractersticas lo definen como conductor?

Un compuesto orgnico no puede ser semiconductor mediante una


estructura cristalina de tipo atmico como la del Si o el Ge.

Para que un compuesto orgnico se comporte como un


semiconductor: debe optar por la conjugacin, una estructura de
enlaces simples y dobles que se alternan (ver figura2 ), pero a
diferencia de los aislante orgnicos, esta conjugacin debe darse a lo
largo de toda una molcula, o en su gran mayora, con lo cual el
material ya no ser regido por las caractersticas del enlace , sino
por las del enlace .
Con el fin de suministrar los espacios vacos en la
banda de valencia o los portadores en la banda
de conduccin y de que el material conduzca
mayoritariamente por huecos o electrones, estos
materiales necesitan ser dopados de forma
anloga a los semiconductores inorgnicos.
La diferencia entre el dopaje de los materiales orgnicos e inorgnicos, es que
en los inorgnicos, algunos tomos del cristal son reemplazados por tomos
dopantes, mientras que en los materiales orgnicos los tomos dopantes se
insertan de forma adicional sin reemplazar a los tomos en la cadena principal
de la molcula.

En los semiconductores orgnicos, en que los orbitales electrnicos de cada


tomo tienden a solaparse y dan lugar a la formacin de bandas de energa.
Los semiconductores orgnicos pueden ser
dopados de dos formas:

Dopaje N, Producen electrones en exceso.


Dopaje P , huecos .

Gracias al dopaje, un material se comporta


como semiconductor, y un compuesto orgnico
conjugado puede convertirse en conductor
mediante altos niveles de dopaje
Fenmeno de Conduccin

En los semiconductores orgnicos los electrones se


encuentran en estados energticos o niveles de
energa localizados, a diferencia de los
conductores y semiconductores tradicionales en
donde los electrones estn deslocalizados por
todo el material.
En los materiales orgnicos, estos estados
localizados son: los estados de las molculas
individuales en los cristales moleculares, los
estados de las cadenas polimricas individuales
o los estados de los segmentos de estas cadenas
donde la conjugacin es interrumpida por
defectos estructurales o qumicos. Los estados
localizados actan como pozos de potencial.

La transferencia de carga entre sitios se da


mediante saltos cunticos o hopping en donde
los portadores de carga mediante efecto tnel
asistido por fonones (vibraciones de la estructura
del material) pasan de un sitio a otro, bajo ciertas
condiciones.
La ecuacin de onda de Schrdinger, predice
que una partcula subatmica dentro de un pozo
de potencial o fuera de ste, siempre y cuando la
barrera de potencial sea finita, tiene una
probabilidad (aunque muy pequea) de
encontrarse por fuera o de entrar a dicho pozo,
atravesando sus paredes, como si hiciera un
tnel(efecto tnel).

Pozo de potencial o sitio.


Los electrones, se encuentran deslocalizados
dentro de los sistemas de las molculas
individuales de los cristales moleculares o de las
cadenas polimricas.

Estos electrones al ser estimulados por un campo


elctrico se mueven dentro de estos sitios de
extremo a extremo y al encontrarse con una
barrera energtica rebotan y forman ondas
estacionarias que tienen cierto nivel de energa.
Los electrones u ondas estacionarias tienen la
posibilidad de atravesar la barrera de potencial
entre las molculas o polmeros, siempre y
cuando los electrones de un sitio origen estn en
un nivel de energa igual a uno de los niveles de
energa permitido en el sitio al que va a
trasladarse, de lo contrario el hopping no se lleva
a cabo.

La energa de los fonones es trasmitida a los


electrones que de esta forma alcanzan la
energa suficiente para trasladarse por efecto
tnel.
En la figura 4, en la parte A, observamos al lado izquierdo
un electrn en una molcula o sitio con una energa
inferior a la energa de uno de los niveles de energa
discretos de otra molcula o sitio, inhabilitando su traslado
por efecto tnel. En la parte B, al aplicarle un campo
elctrico al material los niveles de energa al igual que en
los semiconductores inorgnicos se inclinan y la diferencia
de energa entre los dos sitios disminuye pero aun no
coinciden. En la parte C, el electrn absorbe la energa de
un fonn e iguala la energa de la molcula vecina,
situacin sta que le permite trasladarse por hopping.

Hopping asistido por fonones.


La conductividad est asegurada por los
portadores de carga: los electrones (electrones ) y
los huecos (electrones no pareados).

En general, los slidos orgnicos son aislantes. Sin


embargo, en los cristales formados por molculas
orgnicas que contienen uniones conjugadas , o
incluso los polmeros que contengan uniones
conjugadas , los electrones pueden moverse
libremente en los recubrimientos de nubes de
electrones , lo que permite la conduccin de
electricidad.
Se clasifican en dos grandes grupos, dependiendo de su
peso molecular, que son:

Molculas de bajo peso molecular : molculas


conjugadas, de un tamao menor a 20 monomeros, las
cuales se conocen como oligomeros
Molculas de alto peso molecular:, molculas
conjugadas de ms de 20 monomeros, las cuales se
conocen como polmeros.

Ambos se diferencian entre si por su tamao y


propiedades fsicas, pero en cuanto a las propiedades
elctricas su comportamiento es muy similar.
Principales semiconductores de bajo peso molecular.

Estructura energtica de una pequea molcula orgnica.


Figura 6. Principales polmeros semiconductores.

Figura 7. Estructura energtica de un polmero conjugado.


La conduccin elctrica de los
metales se basa en el
movimiento de electrones en la
banda de conduccin. Esta se
debe a que tienen una banda
de valencia llena y una banda
de conduccin parcialmente
llena permitiendo con facilidad
el salto de los electrones entre
niveles llenos y vacos en la
banda. La conductividad de los
PC depende de la tcnica de
sntesis, el agente dopante y las
caractersticas del medio en que
se polimeriza (tipo de sustrato,
temperatura, medio de la
disolucin, luminosidad, etc.)
El dopado de un polmero conductor, involucra la
introduccin de una gran cantidad de un donador o un
aceptor, llegando a ser aproximadamente de hasta un
33% de su peso, con el resultado de un material
diferente al material sin dopar. El nivel del dopado
puede ser reversiblemente controlado para obtener
conductividades entre un estado aislante (no dopado)
a uno altamente conductor (totalmente dopado).

El dopado involucra ms que estados de oxidacin


y reduccin, remueve electrones y produce una
carga positiva en el polmero y es denominado
dopado p. Similarmente la reduccin desde el
estado neutro produce carga negativa en la
cadena polimrica y se le denomina dopado n.
Para explicar los
fenmenos electrnicos
en los polmeros
conductores se utilizan
conceptos tales como
son los solitones,
polarones (radical-
catin), bipolarones
(dicatin), que ha sido
propuestos por los fsicos
dedicados a estudiar la
teora de fsica de
estado slido.
Al remover un electrn de la cadena del polipirrol
resulta la formacin de un radical catin y
conjugacin, con movimientos de electrones
entre varias unidades manomricas. En fsica del
estado slido un radical catin que est
parcialmente deslocalizado sobre un segmento
del polmero es denominado un polarn, que
tiene un spin de .

El radical y el catin son acoplados uno al otro


por resonancia de la carga y del radical. La
presencia de un polarn induce la creacin de
una unin tipo quinoidea seguida de una unin
aromtica.
La distorsin de la red tiene un consumo
energtico el cul limita la formacin de anillos
tipo quinonas, que puedan ligar los radicales y
cationes. En el caso del polipirrol se ha establecido
que esta distorsin se da cada cuatro anillos de
pirrol.

En el estado de no-dopado la brecha entre la


banda de valencia (VB) y la banda de
conduccin (CB) es de 3.2eV. La presencia de un
polarn crea, entre las dos bandas dos nuevos
estados electrnicos: uno enlazante, el otro
antienlazante, ambos desocupados (puesto que e
le ah arrebatado el electrn).
El nivel de un polarn es aproximadamente 0.5eV
(considerada desde los lmites de la VB). La
energa de unin del bipolarn es 0.12Ev
(diferencia entre la energa de ionizacin de
0.49eV menos la energa + de 0.37 eV
necesitada para cambiar su geometra).

La geometra de relajacin en el bipolarn y esta


es mayormente de forma quinoidea comparada
al polarn 116, tal que el nivel electrnico vaco en
la banda, del bipolarn es aproximadamente
0.75eV desde las terminales de las bandas.
La energa de unin del bipolarn es de 0.69eV,
significando que un bipolarn esta favorecido sobre
dos polarones (esta evolucin esta soportada por la
resonancia del spin de un electrn medida sobre un
polipirrol dopado-oxidado.

En dopados pequeos, la seal de resonancia del


spin del electrn crece, de acuerdo al hecho de
que se forma un polarn con spin . En estados de
dopado intermedios la seal de resonancia del spin
del electrn se satura y luego decrece, siendo
consistente con la recombinacin de polarones
para formar bipolarones.
A altos dopados, realizando muestreo de ciclados
electroqumicos, no se observa seal de resonancia del
spin del electrn aunque el sistema es altamente
conductor, indicando que el acarreo de cargas tiene un
menor spin.

Con un proceso de dopado continuo, la sobreposicin


de las bandas CB y VB entre los estados de los
bipolarones forma dos bandas continuas de bipolarn
aproximadamente de 0.4eV en la brecha. La brecha
entre las bandas se incrementa de 3.2eV en el estado
neutro a 3.6eV en el estado de alto dopado. Esto se
debe a que los bipolarones formados estn en la brecha
entre las terminales de la banda de valencia y
conduccin.
Para un polmero altamente dopado, es esperado
que las bandas superiores e inferiores de los
bipolarones se fusionen con la banda de
conduccin y de valencia respectivamente para
producir bandas parcialmente llenas y alcanzar
una conductividad similar a los metales

Evolucin de la estructura de las bandas del polipirrol de nivel de


dopado

a) bajo nivel de dopado, formacin del


polarn.

b) nivel medio de dopado


formacin del bipolarn.

c) alto nivel de dopado, formacin de


bandas de bipolarn 124,125.
En el dopado de ICPs, las formas de conductividad
electrnica tpicamente aportan cargas (polarones
o bipolarones) a lo largo de la cadena polimrica y
estas cargas son balanceadas por la incorporacin
de aniones.

Los aniones pueden ser muy variados e incluyen


grupos qumicos como el Cl-, HSO4-, ClO4-, NO3-,
polielectrlitos como el poliestireno sulfonado, al
igual que amino-cidos y biopolmeros, incluidas las
protenas y el ADN.

La adicin de los dopantes es una herramienta


poderosa para cambiar las propiedades del ICPs
resultante, dando una gran variedad de materiales
polimricos aplicables a diferentes usos.
Se ha encontrado que
la conductividad en los
polmeros conductores
est relacionada con
el proceso de dopado.

En la tabla se dan los


valores de
conductividad mxima
de diferentes polmeros
con diferentes
materiales dopantes.
Los semiconductores orgnicos poseen
caractersticas similares a los semiconductores
tradicionales de Ge y Si.
La siguiente tabla muestra sus correspondencias.
Ligeros: de fcil portabilidad
Flexibilidad: menos frgiles que los
semiconductores inorgnicos que se depositan
sobre sustratos rgidos y planos.
La facilidad de fabricacin y ensamblaje: los
semiconductores son en general fcil y
econmicos de fabricar en el laboratorio. La
ingeniera qumica puede desarrollar molculas
que se autoensamblen. Estos mtodos de
fabricacin contrastan con el proceso de
fabricacin ms difcil y costoso de las
tecnologas inorgnicas; calentar a temperaturas
muy altas, por ejemplo.
Flexibilidad mecnica de los enlaces
moleculares en compuestos orgnicos y
polmeros, es posible fabricar estructuras
ordenadas y/o cristales en forma de pelcula
delgada sobre sustratos flexibles. Se abre la
posibilidad de fabricar paneles solares portables,
que puedan enrollarse y transportarse a diversos
sitios.
En algunos compuestos orgnicos y polmeros
cambian su conductividad elctrica en varios
rdenes de magnitud despus de que se les
aplica un campo elctrico o una diferencia
de potencial que supera cierto valor umbral
de voltaje. Se puede usar en la fabricacin de
memorias.
Tiempo de vida: La vida til de los dispositivos
orgnicos es inferior a los tradicionales LCD.
Esto es debido a la decoloracin de las
molculas orgnicas que emiten luz de color.

Desechables: La industria de semiconductores


orgnicos considera, debido a su bajo costo y
facilidad de fabricacin, la posibilidad de
fabricar dispositivos electrnicos desechables.
Hay dudas acerca del aspecto ecolgico de
esta fabricacin.
Son utilizados en el mbito de la optoelectrnica para el
desarrollo de:

Diodos orgnicos emisores de luz (OLED) con los que


se pueden fabricar dispositivos que compitan con los
LCD de hoy da.
Energa solar
Transistores de efecto de campo o FET (Field Effect
Transistor)
Ventanas inteligentes que se oscurecen cuando hay
demasiado sol. Que ya utilizan esta tecnologa para
hacer lentes que se oscurece cuando se sale al exterior.

Fabricacin de celdas solares.

Papel electrnico (e-papel).

Construccin de memorias basadas en materiales


orgnicos (organic memories).

Aplicacin en la obtencin de fuentes de energa


alternativa como las celdas de combustible (fuel cells).
J.P. Mckelvey,ed. Fsica del Estado Solido y
Semiconductores, Ed. Limusa noriega editores. 1993.

Robert M Rose, Lawrence a Shepard, John Wulff;


Propiedades Electrnicas ( tomo IV) Ed. Limusa.
1985.

Charles Kittel, Introduccin a la Fsica del estado


slido, Ed. Wiley. 1985.

A. Beiser, Conceptos de Fsica Moderna Ed. Mc.


Graw Hill. 1988.

Eisberg, Resnick, Fsica Cuntica , Ed. Limusa


noriega editores. 2008.

Donal R. Askeland, Ciencia e Ingeniera de los


Materiales Ed. Thomson, 4 edicion. 2008.
W. Smith, J. Hashemid, Fundamentos de la Ciencia e
Ingeniera de los Materiales Mc Graw Hill. 2008.

Raymond A Serway, Clement J Moses, Curt Moyer


Fsica Moderna, Ed. Thomson.

M. Alan G, Synthetic metals: a novel rule for organic


polymers, Synth. Met. 125, 11-22, 2002.

L. Stryer, J.M. Berg, J.L. Tymoczko, Biochemestry 4 th


ed. W. H. Freeman & Company; 1995.

L. Valero, J. Arias-Padilla, J. Cauich-Rodriguez, M.


Smit, T.F. Otero, Sensing and tactile artificial muscles
from reactive materials, Sensors 10, 1-39, 2010.
T.F. Otero, J. Rodriguez en Intrinsically conducting
polymers: An emerging technology., Aldissi, M., Ed.;
Kluwer, Dordrecht (The Nederlands), 1993, 179-190.

M.S. Freund, B. DeoreSelf-Doped Conducting Polymers,


John Wiley & Sons, Chichester, 2007.

T.F. Otero, I. Boyano, Comparative study of conducting


polymers by the ESCR model, Journal of Physical
Chemistry B 107, 6730-6738, 2003.

C. Masalles, S. Borros, C. Vinas, F. Teixidor, Are low-


coordinating anions of interest as doping agents in
organic conducting polymers?, Advanced Materials 12,
1199-1202, 2000.
M. SkolkaEncyclopedy of Polymer Science and
Engineering, Wiley, 1988.

J.L. Bredas, G.B. Street, Polarons, Bipolarons, and


Solitons in Conducting Polymers, Acc. Chem. Res.
18, 309-315, 1985.

J.L. Bredas, J.C. Scott, K. Yakushi, G.B. Street,


Polarons and Bipolarons in Polypyrrole - Evolution of
the Band-Structure and Optical-Spectrum Upon
Doping, Physical Review B 30, 1023-1025, 1984.