Cap.

1- Estudo dos Componentes Empregados em Eletrnica de Potncia 12

) Caractersticas Dinmicas dos Tiristores

Entrada em conduo ( Circuito Fig. 1.18, Formas de onda Fig. 1.19)
) Instante to o interruptor S fechado.
iG
R 2

+
1
E S rG T vT Curva 1 - Disparo Lento (rG maior)

iG - Curva 2 - Disparo Rpido (rG menor)

VG
t

(a) (b)
Fig. 1.18 - (a)Circuito para estudo disparo do tiristor, (b)Formas de corrente de gate.
vG

iG
IG

10% IG t

vT
90% E

10% E t
td tr
ton

Fig. 1.19 - Formas de onda relativas ao disparo do tiristor.

) Onde: ton - tempo de fechamento;
td - tempo de retardo (Maior parcela);
tr - tempo de descida da tenso nodo-ctodo.
t on = t d + t r (1.11)

) td depende da: (a) Amplitude da corrente de gatilho;

(b) Velocidade de crescimento da corrente de gatilho.

) tr independe da corrente de gate.

) ton superior a 1s e inferior a 5s.

Eletrnica Industrial-Eletrnica de Potncia

Cap. 1- Estudo dos Componentes Empregados em Eletrnica de Potncia 13

Bloqueio do Tiristor( Circuito Fig. 1.20, Formas de onda Fig. 1.21)

) Tiristor T encontra-se conduzindo;

) Instante to o interruptor S fechado.

R S

l
E1 E2
iT
VT T

Fig. 1.20 - Circuito para o estudo do tiristor durante bloqueio.

E1
tinv
iT
tq

VT
t
t0 t1
Qrr

IRM
E2
E2 +V

Fig. 1.21 - Formas de onda relativas ao bloqueio do tiristor.

) Instante t1 o interruptor S novamente aberto;
) Tiristor encontra-se bloqueado e retm a tenso E1;
) tq=Tempo mnimo de aplicao de tenso inversa (Dado Fabricante).
(Para Tiristor readquirir capacidade de bloqueio, aps a corrente ter-se anulado, o
Tempo de aplicao de tenso inversa deve ser tq )
) Quanto menor tq melhor o Tiristor: Tiristores rpidos 10s < tq < 200s

(Operao em freqncias maiores, menores perdas na comutao e circuitos de

comando de menor custo)
) Comutao Forada tq um dado fundamental.
OBS: TIRISTOR NO PODE SER COMANDADO PARA O BLOQUEIO PELO
GATE GTOs (Gate Turn-off Thyristors)
Eletrnica Industrial-Eletrnica de Potncia
Cap. 1- Estudo dos Componentes Empregados em Eletrnica de Potncia 19

1.3 - CLCULO TRMICO

) O Problema
Corrente em circulao produz calor (em Conduo e nas Comutaes);
Calor deve ser transferido para o ambiente (Uso de dissipadores)

) Objetivo: Temperatura Juno TJmxima (Dado fabricante)

(Potncia mxima processada - Diodo ou Tiristor Limitada pela TJ )
) Clculo trmico fundamental (Segurana e Vida mdia - MTBF)

) Clculo Trmico - Regime Permanente (Circuito Trmico Eq. Fig. 1.22)

Rjc Rcd Rda
Tj componente Tc Td dissipador Ta
P
Fig. 1.22 - Circuito trmico equivalente de um diodo ou tiristor.
Onde:Tj - temperatura da juno (oC); Tc - temperatura da cpsula (oC);
Td - temperatura do dissipador (oC); Ta - temperatura ambiente (oC);
P - Potncia trmica, circula no componente e transferida ao ambiente (W);
Rjc - resistncia trmica juno-cpsula (oC/W);
Rcd - resistncia trmica cpsula-dissipador (oC/W);
Rda - resistncia trmica dissipador-ambiente (oC/W),
Rja - resistncia trmica juno-ambiente (oC/W).

R ja = R jc + R cd + R da (1.12)

) Clculo Trmico (Regime Permanente)

Tj Ta = R ja P (1.13)

) Analogia Circuito eltrico (Fig. 1.23)

R
V1 V2
I
Fig. 1.23 - Circuito eltrico anlogo.
Procedimento:
a) P - Calculada com dados do componente e da corrente que por ele
circula;

b) Tj - Fornecida pelo fabricante do componente;

Eletrnica Industrial-Eletrnica de Potncia
Cap. 1- Estudo dos Componentes Empregados em Eletrnica de Potncia 20

c) Ta - Valor adotado pelo projetista;

d) Com a expresso (1.14) determina-se a resistncia trmica total,
Tj Ta
R ja = (1.14)
P
e) com (1.15) determina-se a resistncia trmica do dissipador.
R da = R ja R jc R cd (1.15)
) Resistncias trmicas Rjc e Rcd (dados fabricante do diodo ou tiristor).
) Catlogo de dissipadores: Rda(comercial) Rda(calculado) &
) Transitrio Trmico- Conceito de Impedncia Trmica
Seja um Diodo onde: Para t < to (No h circulao de corrente) TJ = Ta ;
) Em to comea a dissipar uma potncia constante P;
) Capacidade trmica diodo impede crescimento abrupto da temperatura;
Crescimento exponencial (Figura 1.24), onde: P = Potncia Instantnea.
P

Tj
T
Ta
to t
Fig. 1.24 - Transitrio trmico em um componente.
) Diferena de temperatura instantnea - Equao (1.16).
T = Z t P (1.16)
Onde: Zt = Impedncia trmica (Varivel com o tempo).
) Impedncia trmica anloga impedncia eltrica.
) Circuito trmico equivalente incluindo a capacidade trmica (Figura 1.25)
Tj
P P1 P2

P C R

Ta
Fig. 1.25 - Circuito trmico transitrio.
) P = P1 + P2 (1.17)
1
) R P2 = P1 dt = Tj Ta = T (1.18)
C
dP2 P1
) R = (1.19)
dt C
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Cap. 1- Estudo dos Componentes Empregados em Eletrnica de Potncia 21

dP2 P2 P
Logo: +
R = (1.20)
dt C C
dP2 P2 P
+ = (1.21)
dt RC RC
) Resolvendo-se (1.21) obtm-se a Equao (1.22).
T t

= R 1 e RC = Z t (1.22)
P

) Valor de Zt fornecido pelo fabricante do componente.

) Conceito de impedncia trmica muito importante para correntes impulsivas
(grande intensidade e curta durao).
1.4 - CURVAS PARA CLCULO TRMICO DE DIODOS E TIRISTORES
a) Diodos

(a) (b)
Fig. 1.26 - (a)Potncia dissipada PFmed em funo da corrente direta mdia Imed, para
corrente contnua pura (cont.), para meia-onda senoidal (sin.180) e para ondas
retangulares (rec.60) e (rec.120); (b)Temperatura da cpsula Tc em funo da
temperatura ambiente Ta para diferentes resistncias trmicas Rthca.

Fig. 1.27 - Impedncia trmica transitria Z(th)t para corrente contnua pura, em
funo do tempo t. A impedncia trmica para correntes impulsivas Z(th)p, obtida pela
soma dos valores dados pela tabela Z(th)z com aqueles dados pela curva Z(th)t.
Eletrnica Industrial-Eletrnica de Potncia
Cap. 1- Estudo dos Componentes Empregados em Eletrnica de Potncia 22

b) Tiristores

(a) (b)
Fig. 1.28 - (a)Potncia dissipada PTmed em funo da corrente mdia ITmed, para
diferentes ngulos de conduo, para correntes senoidais; (b)Potncia dissipada PTmed
em funo da temperatura ambiente Ta, para diferentes resistncias trmicas totais
juno-ambiente, Rthja.

Fig. 1.29 - Potncia dissipada PTmed em funo da corrente mdia ITmed, para diferentes
ngulos de conduo, para correntes retangulares.

Fig. 1.30 - Resistncia trmica entre juno e a cpsula, Rthjc, em funo do ngulo de
conduo para correntes senoidais e retangulares. Para corrente contnua pura, deve
ser tomada Rthjc cont.

Eletrnica Industrial-Eletrnica de Potncia

Cap. 1- Estudo dos Componentes Empregados em Eletrnica de Potncia 23

Fig. 1.31 - Impedncia trmica em funo do tempo.

) Tempos grandes: Impedncia trmica Resistncia trmica em Regime
Permanente;
) Tempos pequenos: Impedncia Independe Dissipador empregado e das
condies de Ventilao.

) Relao de Dissipadores Semikron (R thja = R thjc + R thca )

Resistncia Trmica Rthca (Incluindo

a Resistncia de contato cpsula-
DIODOS DISSIPADORES Massa dissipador)
Aproximada Conveco Ventilao
Natural Forada 6m/s
SKN12, SKR12 K9 - M4 50g 10,5oC/W -
SKN20, SKR20 K9 M6 50g 9,5oC/W -
SKN26, SKR26 K5 - M6 100g 5,7oC/W -
SKNa20 K3 - M6 200g 3,8oC/W -
K1,1 - M6 700g 2,2oC/W -
SKN45, SKR45 K5 - M8 100g 5,0oC/W -
SKN70, SKR70 K3 - M8 200g 3,0oC/W -
K1,1 - M8 700g 1,3oC/W 0,60oC/W
P1/120 - M8 1300g 0,85oC/W 0,40oC/W
o
SKN100, SKR100 K3 - M12 200g 3,1 C/W -
SKN130, SKR130 K1,1 - M12 700g 1,2oC/W 0,40oC/W
P1/120 - M12 1300g 0,65oC/W 0,27oC/W
O
K0,55 - M12 2000g 0,65 C/W 0,25oC/W
o
SKN240, SKR240 K1,1 - M16x1,5 700g 1,1 C/W 0,35oC/W
o
K0,55 - M16x1,5 2000g 0,55 C/W 0,17oC/W
o
P1/120 - M16x1,5 1300g 0,58 C/W 0,21oC/W
O
P1/120 - M16x1,5 2200g 0,40 C/W 0,17OC/W
O
P4/200 - M16x1,5 4000g 0,29 C/W -
SKN320, SKR320 K0,55 - M24x1,5 2000g 0,55oC/W 0,17oC/W
K0,1 F 2150g - 0,11oC/W
K0,05 W 900g - 0,065oC/W*
o
P1/200 - M24x1,5 2200g 0,40 C/W 0,16OC/W
O
P4/200 - M24x1,5 4000g 0,29 C/W -
P4/300 - M24x1,5 6000g 0,25OC/W -
(*) - Refrigerao por gua.
(**) - O formato e as dimenses (Catlogo Fabricante)

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Cap. 1- Estudo dos Componentes Empregados em Eletrnica de Potncia 24

1.5 - EXEMPLO DE CLCULOS TRMICOS

a) Retificador de Meia Onda a Diodo (Fig. 1.32)
D
v ( t ) = 2 220 sen ( t )
f = 60 Hz
v ( t ) R
R = 10
D = SKN20/04
Fig. 1.32 - Retificador de meia onda a diodo.
) Calcular Rda para manter Tj < Tjmxima
Dados: Rjc = 2oC/W (Rthjc); Rcd = 1oC/W (Rthch); Tj = 180oC (Tvj)
V(TO) = 0,85V; rT = 11m, Ta = 50oC (Ta = temperatura ambiente)
) Corrente no diodo (Fig. 1.34)
2 Vo

t
0 2 3

Fig. 1.34 - Corrente no diodo.

0,45 Vo 0,45 220 0,707 Vo 0,707 220
I Dmed = = = 9,9 A ; I Def = = = 15,55 A
R 10 R 10
) Potncia mdia dissipada (Equacionamento)
P = V( TO ) I Dmed + rT I Def 2 P = 0,85 9,9 + 11 10 3 (15,55 ) 2 = 11,07W
) bacos (P=Potncia mdia)
Imed Fig. 1.26a - (onda 180o) P 11W
) Clculo Rda
T T 130
T = P ( R jc + R cd + R da ) R da = P R jc R cd = P 2 1 = 11 3
R da 8,8 o C / W R da + R cd = 8,8 + 1 = 9,8 o C / W
) bacos (Rda)
Ta = 50oC e P 11W Fig. 1.26b Rca 10oC/W Rda 10 - 1 = 9oC/W.
) Dissipador Especificado: K5-M6 Rca = 5,7 oC/W.
) Confirmao: Tj < Tjmxima

Rjc = 2,0 oC/W Rcd = 1,0 oC/W Rda = 4,7 oC/W

Tj Tc Td Ta = 50o C
P=11W
Tj = P R ja + Ta = 11 ( 2 + 5,7) + 50 Tj = 134,7o C c/ K9-M6 ; Tj=176,5oC
Tc = P ( R cd + R da ) + Ta = 11 5,7 + 50 TC = 112,7o C
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Cap. 1- Estudo dos Componentes Empregados em Eletrnica de Potncia 25

b) Retificador Monofsico a Tiristor (Fig. 1.33)

T
v ( t ) = 2 220 sen ( t )
v ( t ) f = 60 Hz
R
R = 8 ; =60
T = SKT16
Fig. 1.33 - Retificador monofsico a Tiristor.
Dados: Rjc = 0,94oC/W (obtida na Figura 1.30)
Rcd = 0,5oC/W
Tj = 130oC
= 120o
Seja Ta = 50oC (valor adotado)
0, 225 Vo 0, 225 220
ITmed =
R
(1 + cos ) =
10
( 1 + 0,5 ) ITmed = 9, 28 A

) bacos (P=Potncia mdia)

ITmed Fig. 1.28a - ( = 120o) P 17,5W
) Clculo Rda
Ta = 50oC e P = 17,5W Fig. 1.28b R ja = 4,5 o C / W
R da = R ja R jc R cd = 4,5 0,94 0,5 R da = 3,06 o C / W
) Catlogo Fabricante Escolhe-se o Dissipador (K3 Limite!!!)
(K1,1 elevado volume e peso; Usar Ventilao ou Tiristor maior Capacidade)

c) Impedncia Transitria
) Seja Diodo SKN20 (com dissipador K5) submetido ao regime da Fig. 1.34.
Determinar Mximo valor de I tal que TJ 180oC.
iF I

Tj 1s 180 oC

30 oC
Fig. 1.34 - Corrente impulsiva - SKN20+K5 ( V( TO ) = 0,85V e rT = 11m )
) t = 1s (tempo grande, considerando-se CC) Fig. 1.27 Z(th)t 1,5oC/W.
Tj Ta 180 30
Z ( th ) t P = Tj Ta P= = = 100 W
Z ( th ) t 1,5
P = V( TO ) I + rT I 2 I 64 A
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Cap. 1- Estudo dos Componentes Empregados em Eletrnica de Potncia 26

d) Temperatura Mdia Instantnea de Juno

) Seja Tiristor SKT16 submetido ao regime da Fig. 1.35 (Dissipador K5)
Determinar TJ (mdia) e TJ (mxima).
o
I=20A =180
f=50Hz

t
Fig. 1.35 - Corrente atravs do Tiristor SKT16+K5 ( V( TO ) = 1,0V e rT = 20m )

) P = VT ( TO ) I + rT I 2 P = 1 20 + 0,020 202 = 28W (Potncia Instantnea)

T 1 1
) t = = = = 10ms
2 2 f 2 50
P ( 1 10) + 0,02 ( 14 ,14 ) 2 28
Pmed = = = = 14 W
2 2 2
) Dissipador K5 :

R thja = 0,95 + 5,5 = 6,45 o C / W (Rthjc; =180o e Onda Retangular)

) Adotando-se: Ta = 30oC

Tj = 6,45 14 + 30 = 120,3 o C (Temperatura Mdia)

) t = 10ms Fig. 1.31 Z ( th )t = 0,15 o C / W e Z ( th )z = 0,15 o C / W

(Considerou-se: Zp=Zt+Zz)
Assim,

Tj = P . Z ( th )p = 28 0,30 = 8,4 o C
Portanto:

124,5 oC
Tj
120,3 oC

116,1o C
t
10ms 20ms

) TJ (mxima) = 124,5oC ; TJ (mnima) = 116,1oC TJ (mdia) = 120,3oC

) Para f = 50Hz Constantes de tempo trmicas so baixas.

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