INSTITUTO POLITECNICO

NACIONAL
ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERA
MECNICA Y ELCTRICA
UNIDAD ZACATENCO

INGENIERIA EN COMUNICACIONES Y ELECTRONICA

Materia:
Microprocesadores

Trabajo:
Practica #1.

Nombre:
Snchez Gonzlez Ivn
Villalobos vila Gerardo Omar

Grupo:
6CM5

Fecha: 31 de Agosto de 2017

Indice
Objetivo de la Practica
Comprender el funcionamiento y operacin de una memoria ROM.
Grabar y leer una memoria 2816.

Introduccin Teorica
La memoria es el dispositivo que retiene, memoriza o almacena datos informticos
durante algn perodo de tiempo.La memoria proporciona una de las principales
funciones de la computacin moderna: el almacenamiento de informacin y
conocimiento. Es uno de los componentes fundamentales de la computadora, que
interconectada a la unidad central de procesamiento (CPU, por las siglas en ingls
de Central Processing Unit) y los dispositivos de entrada/salida, implementan lo
fundamental del modelo de computadora.
En los microcontroladores la memoria no es abundante. Tpicamente la memoria
de programas no exceder de 16 K-localizaciones de memoria no voltil (flash o
eprom) para contener los programas.
- La memoria RAM est destinada al almacenamiento de informacin
temporal que ser utilizada por el procesador para realizar clculos u otro
tipo de operaciones lgicas. En el espacio de direcciones de memoria RAM
se ubican adems los registros de trabajo del procesador y los de
configuracin y trabajo de los distintos perifricos del microcontrolador. Es
por ello que en la mayora de los casos, aunque se tenga un espacio de
direcciones de un tamao determinado, la cantidad de memoria RAM de
que dispone el programador para almacenar sus datos es menor que la que
puede direccionar el procesador. El tipo de memoria utilizada en las
memorias RAM de los microcontroladores es SRAM, lo que evita tener que
implementar sistemas de refrescamiento como en el caso de las
computadoras personales, que utilizan gran cantidad de memoria,
tpicamente alguna tecnologa DRAM. A pesar de que la memoria SRAM es
ms costosa que la DRAM, es el tipo adecuado para los microcontroladores
porque stos poseen pequeas cantidades de memoria RAM. En el caso de
la memoria de programas se utilizan diferentes tecnologas, y el uso de una
u otra depende de las caractersticas de la aplicacin a desarrollar, a
continuacin se describen las cinco tecnologas existentes, que mayor
utilizacin tienen o han tenido:

- Memoria ROM. La memoria de solo lectura, conocida tambin como ROM

(acrnimo en ingls de read-only memory), es un medio de almacenamiento
utilizado en ordenadores y dispositivos electrnicos, que permite solo la
 lectura de la informacin y no su escritura, independientemente de la
presencia o no de una fuente de energa. Los datos almacenados en la
ROM no se pueden modificar, o al menos no de manera rpida o fcil. Se
utiliza principalmente para contener el firmware (programa que est
estrechamente ligado a hardware especfico, y es poco probable que
requiera actualizaciones frecuentes) u otro contenido vital para el
funcionamiento del dispositivo, como los programas que ponen en marcha
el ordenador y realizan los diagnsticos.

- Memoria PROM (Programable Read-Only Memory) tambin conocida como

OTP (One Time Programable). Este tipo de memoria, tambin es conocida
como PROM o simplemente ROM. Los microcontroladores con memoria
OTP se pueden programar una sola vez, con algn tipo de programador. Se
utilizan en sistemas donde el programa no requiera futuras actualizaciones
y para series relativamente pequeas, donde la variante de mscara sea
muy costosa, tambin para sistemas que requieren socializacin de datos,
almacenados como constantes en la memoria de programas.

- Memoria EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory). Los

microcontroladores con este tipo de memoria son muy fciles de identificar
porque su encapsulado es de cermica y llevan encima una ventanita de
vidrio desde la cual puede verse la oblea de silicio del microcontrolador. Se
fabrican as porque la memoria EPROM es reprogramable, pero antes debe
borrase, y para ello hay que exponerla a una fuente de luz ultravioleta, el
proceso de grabacin es similar al empleado para las memorias OTP. Al
aparecer tecnologas menos costosas y ms flexibles, como las memorias
EEPROM y FLASH, este tipo de memoria han cado en desuso, se
utilizaban en sistemas que requieren actualizaciones del programa y para
los procesos de desarrollo y puesta a punto.

- EEPROM (Electrical Erasable Programmable Read Only Memory). Fueron

el sustituto natural de las memorias EPROM, la diferencia fundamental es
que pueden ser borradas elctricamente, por lo que la ventanilla de cristal
de cuarzo y los encapsulados cermicos no son necesarios. Al disminuir los
costos de los encapsulados, los microcontroladores con este tipo de
memoria se hicieron ms baratos y cmodos para trabajar que sus
equivalentes con memoria EPROM. Otra caracterstica destacable de este
tipo de microcontrolador es que fue en ellos donde comenzaron a utilizarse
los sistemas de programacin en el sistema que evitan tener que sacar el
microcontrolador de la tarjeta que lo aloja para hacer actualizaciones al
programa.
Las memoria 2816 es de tipo ROM (Memoria de Solo Lectura), no volatiles y que
puede ser borrada y programada electricamente, contiene 2048 localidades de
memoria de 8 bits ( 1 byte) cada una es decir es una memoria de 2k x 8 que
opera con una sola fuente de alimentacion de 5 volts positivo.
Esta memora 28c16 se puede programar de dos modos: una de 5 volts positivo y
otro de alto voltaje. El primer modo se inicia con un pulso de escritura con un
flanco de bajada es decir de alto a bajo de duracion de 200 ns. La memora 28c16
borra automaticamente el byte seleccionado antes de escribir el nuevo dato, el
tiempo total de borrado y escritura es de 10 ms. Para leer la memoria su tiempo de
acceso es de 250 ns. A continuacion se muestra una imagen de la disposicion de
los pines de la memoria eeprom 28c16.

Los pines A0 a A10 indican el bus de direcciones, el cual dependiendo la

combinacion seleccionada se accede a los datos por medio de los pines I/O.
Los pines I/O0 a I/O7 son los pines por medio del cual se accede a la informacion
previamente seleccionada con (A0-A10) por el cual se ingresan los datos a
guardar cuando la memoria se pone en modo escritura.
CE negado : Por medio de este pin se habilita o deshabilita la memoria, para
habilitar la memoria se pone este pin a tierra para deshabilitar la memoria es decir
para que ni este a modo escritura ni lectura se pone a 5 volts positivos.
OE negado: Por medio de este pin se configura la memoria para que trabaje de
modo lectura escritura. Cuando este pin se pone a tierra la memoria esta en
modo escritura y cuando este pin esta a 5 volts positivo esta en modo lectura.
WE negado: Por medio de este pin la memoria se configura para tener el voltaje
necesario para escribir los datos o leerlos. Cuando el pin se pone a tierra la
memoria tiene el voltaje necesario para escribir en ella y cuando esta a 5 volts
positivos tiene el voltaje necesario para realizar la lectura.
Vcc y Gnd : Por medio de estos pines se alimenta la memoria Vcc a 5 volts y Gnd
a tierra.
Operacion Modo Lectura
Para leer un dato (1byte) de la memoria 28c16 se hace por medio de los pines
I/O0 a I/O7 pero primero se debe de direccionar alguna de las 2048 localidades
disponibles de la memoria por medio de los pines A0 a A10 despues se aplica un
voltaje de 5 volts positivo s W/E negado, para CE negado se pone a tierra, OE
negado tambien se pone a tierra. Si algunos de estos pines se encontraran en 5
volts positivo las salidas estarian en alta impedancia por lo que no se podrian leer
datos.
Operacion Modo Escritura.
Para este modo ocuparemos la programacion a 5 volts. Para poder escribir en la
memoria es decir para guardar informacion en ella lo primero que tenemos que
hacer es: direccionar alguna de las 2048 localidades disponibles en la memoria
despues poner a tierra el pin W/E negado 200 ns, mientras que OE negado debe
estar en 5 volts positivo y CE negado debe estar conectado a tierra cuando esto
ocurre el dato es almacenado en la localidad direccionada por medio del flanco de
bajada pero antes la arquitectura de la propia memoria borra automaticamente el
dato almacenado anteriormente y procedera a escribir el nuevo dato. Todos los
datos pueden ser borrados y escritos en 10 ms, mientras que los pines I/O
permanecen en alta impedancia durante el tiempo en que dura el proceso de
escritura.

Diseos y Diagramas
Conclusiones
En este laboratorio pudimos ver como se hace la lectura y escritura manual en la
memoria EEROM 2816 y para eto utilizamos interruptores y circuitosindicadores
que ya vienen montado en el microtrainer 8085.
Se pudo sacar la conclusin de que esta memoria es no volatil ya que cuando
desconectamos la fuente de alimentacin y la volvimos a conectar la informacin
no se perdi y segua almacenada.
Un dato es ledo de la memoria EEPROM 2816 mediante la aplicacin de un nivel
alto en Vpp, (voltaje de programacin conectada a Vcc), un nivel bajo en /C/E y un
nivel bajo en /O/E, con estas condiciones se obtiene informacin de terminales E/S
estarn en estado de alta impedancia siempre y cuando /O/E o /C/E estn en un
nivel alto, o tambin que los 2 estn en nivel alto.

Referencias Bibliograficas
Electronica Digital, Cecilio Blanco Viejo, Universidad de Oviedo.
Electronica Digital, Roger L. Tokheim, Editorial Revert, 2002.