Niveles de energa en estructuras atmicas aisladas

Dentro de la estructura atmica de cada tomo aislado hay niveles especficos de energa
asociados con cada capa y electrn en rbita.
Los niveles de energa asociados con cada capa son diferentes segn el elemento de que
se trate. Sin embargo, en general: Cuanto ms alejado est un electrn del ncleo, mayor
es su estado de energa y cualquier electrn que haya abandonado a su tomo padre
tiene un estado de energa mayor que todo electrn que permanezca en la estructura
atmica.

En la siguiente figura se puede observar que slo puede haber niveles de energa
especficos para los electrones que permanecen en la estructura atmica de un tomo
aislado. El resultado es una serie de brechas entre niveles de energa permitidos donde
no se permiten portadores. Sin embargo, conforme los tomos de un material se acercan
entre s para formar la estructura entrelazada cristalina, interactan entre ellos, lo cual
hace que los electrones de una capa particular de un tomo tengan niveles de energa
ligeramente diferentes de los electrones presentes en la misma rbita de un tomo
adyacente.

El resultado es una expansin de los niveles de energa fijos discretos de los electrones
de valencia a bandas

La figura anterior muestra que hay un nivel de energa mnimo asociado con electrones
que se encuentran en la banda de conduccin y un nivel de energa
mximo de electrones enlazados a la capa de valencia del tomo. Entre E g = 0.67 eV (Ge)
los dos hay una brecha de energa que el electrn en la banda de E g = 1.1 eV (Si)
E g = 1.43 eV (GaAs)
valencia debe salvar para convertirse en portador libre. Esa brecha de
energa es diferente para Ge, Si y GaAS; el Ge tiene la brecha mnima y
el GaAs la mxima.

En suma, esto significa que:

Un electrn en la banda de valencia de silicio debe absorber ms energa que uno en la
banda de valencia de germanio para convertirse en portador libre. Asimismo, un electrn
en la banda de valencia de arseniuro de galio debe absorber ms energa que uno en la
de silicio o germanio para entrar a la banda de conduccin.

Esta diferencia en los requerimientos de las brechas de energa revela la sensibilidad de

cada tipo de semiconductor a los cambios de temperatura. Por ejemplo, al elevarse la
temperatura de una muestra de Ge, el nmero de electrones que pueden absorber
energa trmica y entrar a la banda de conduccin se incrementa con rapidez porque la
brecha de energa es mnima. Sin embargo, el nmero de electrones que entran a la
banda de conduccin en Si o GaAs es mucho menor.
Esta sensibilidad a los cambios de nivel de energa puede tener efectos positivos y
negativos. El diseo de fotodetectores sensibles a la luz y los sistemas de seguridad
sensibles al calor, parecen ser una excelente rea de aplicacin de los dispositivos de Ge.
No obstante, en el caso de redes de transistores, en las que la estabilidad es de alta
prioridad, esta sensibilidad a la temperatura o a la luz puede ser un factor perjudicial.

La brecha de energa tambin revela qu elementos son tiles en la construccin de

dispositivos emisores de luz como diodos emisores de luz (LED) Cuanto ms ancha es la
brecha de energa, mayor es la posibilidad de que la energa se libere en forma de ondas
luminosas visibles o invisibles

Es importante entender las unidades utilizadas para una cantidad en este caso son
electrn volts (eV), que bsicamente es la energa que un electrn adquiere al pasar a
travs de una diferencia de potencial de exactamente un volt.