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5 I/U-Kennlinie
5.1 Einführung

5.1.1 Die elektrische Leitfähigkeit

Die elektrische Leitfähigkeit γ ist eine der wichtigsten Größen in der Elektrotechnik. Sie ist
die physikalische Größe mit der stärksten Änderung durch äußere Einflüsse. Man denke dabei
an die neuen Hochtemperatursupraleiter (HTC), die bei Zimmertemperatur gute Isolatoren mit
einem spezifischen elektrischen Widerstand von ρ ∼ 1015 Ω m darstellen und bei Temperatu-
ren unter −190 ◦ C spezifische Widerstandswerte von ρ ∼ 10−23 Ω m zeigen. Ähnliche Effekte
findet man auch bei der Widerstandsänderung von in Sperr- oder Flussrichtung gepolten Di-
oden. Für den spezifischen Widerstand ρ (Rho: [ρ] = Ω m) und die elektrische Leitfähigkeit γ
(Gamma: [γ] = S/m) gilt
1
ρ= . (5.1)
γ

Im Allgemeinen sind die Ladungsträger Elektronen. In Halbleitermaterialien treten zusätzlich


die Löcher (Defektelektronen) als Ladungsträger auf. Bei elektrochemischen Vorgängen (z. B.
Gas-Sensorik oder Elektrolyse) sind neben den Elektronen auch die Ionen Ladungsträger; wo-
bei im letzten Fall mit dem Stromfluss ein Materialtransport einhergeht.
Nach dem Bohrschen Atommodell befinden sich die zu einem Atom gehörenden Elektronen
auf Orbitalen, welche jeweils ein entsprechendes Energieniveau repräsentieren. Diese ener-
getischen Zustände werden durch die Hauptquantenzahl n, die Bahndrehimpulsquantenzahl l,
sowie die magnetische Quantenzahl m beschrieben. Nach dem Pauliprinzip ergibt sich hieraus
eine feste Anzahl von Elektronen, die in diesen Zuständen anzutreffen sind – wegen der zwei
möglichen Spinorientierungen zwei je Zustand. Betrachtet man nun mehrere Atome in einem
Kristall, so kann man das Orbitalmodell in ein Bändermodell überführen. Hierbei entspre-
chen die einzelnen Bänder den Orbitalen repräsentiert durch die Hauptquantenzahl n. Durch
Überlagerung der Feinstrukturen (Nebenquantenzahlen) der vielen Atome entsteht ein kontinu-
ierlicher Energiebereich (Band). Zwischen den Bändern bleiben wie beim Orbitalmodell Be-
reiche bestehen, in denen sich die Elektronen nicht dauerhaft aufhalten können; hier existieren
keine stabilen Zustände. Man spricht von Bereichen sehr geringer Aufenthaltswahrscheinlich-
keit (Energielücke, verbotenes Band). Das oberste vollbesetzte Band wird als Valenzband, das
darüber liegende teilweise besetzte oder leere Band als Leitungsband bezeichnet.
Ausgehend vom Bändermodell der Elektronen kann man wie aus Abbildung 5.1 ersichtlich die
für die Elektronen relevanten Materialien grob in drei Arten klassifizieren. Über eine mögliche
5.1 Einführung 48

Metall Halbleiter Isolator Leitungsband

Elektronenenergie E
EL Eg
EF
EV
Valenzband

a b c

Abbildung 5.1: Bändermodell

Besetzung eines Zustandes lassen sich nur Wahrscheinlichkeitsaussagen machen. Die Fermi-
energie EF ist daher definiert als die Energie, bei der die Besetzungswahrscheinlichkeit der
energetischen Zustände mit Elektronen genau 1/2 ist.
Zur elektrischen Leitfähigkeit können nur Elektronen beitragen, die sich in Bändern, die nicht
voll besetzt sind, aufhalten. Durch die Bewegung aufgrund eines elektrischen Feldes muss das
Elektron Energie aufnehmen, was es nur kann, wenn in dem Band, in dem es sich befindet,
ein energetisch höher liegender Zustand unbesetzt ist. Hieraus wird klar, dass z. B. ein Metall,
bei dem die Fermienergie in einem Band liegt, ein guter Leiter ist. Hingegen ist der Halblei-
ter ein schlechter Leiter, weil bei ihm die Fermienergie in einer „verbotenen Zone“ liegt. Hier
muss erst eine Energie größer der Energielücke EG vorhanden sein, um das Elektron in das
Leitungsband zu heben. Die Fermifunktion ist stark von der Materialtemperatur abhängig, d. h.
bei höherer Temperatur haben einige Elektronen so viel thermische Energie, dass sie die Ener-
gielücke überspringen können (Generation). Bei einem guten Isolator ist diese Lücke so breit,
dass dieses bei „normaler“ Temperatur nicht passiert. Von Isolatoren wird gesprochen, wenn
EG einen Wert von > 3 eV aufweist.
Die Fermienergie EF ist eine materialspezifische Größe und lässt sich bei Halbleitern bzw. Iso-
latoren durch den Einbau fremder Atome in den Kristallverband (Dotierung) in ihrer relativen
Lage zu den Bändern verändern. So kann man z. B. durch hohe Dotierung einen Halbleiter in
quasi metallische Leitung überführen (d. h. EF liegt sehr nahe am Leitungsband). Im Bänder-
modell zeigt sich die Dotierung durch energetische Zustände innerhalb der Bandlücke in der
Nähe der Bandkanten.
Wichtig in Bezug auf die Leitfähigkeit eines Materials ist die Aussage, dass die Anzahl der
freien Ladungsträger mit steigender Energie (Temperatur, Strahlung, . . . ) zunimmt. Eine wei-
tere bestimmende materialspezifische Größe ist ihre Beweglichkeit. Die Beweglichkeit der La-
dungsträger nimmt generell mit steigender Temperatur ab, d. h. sie wird durch die Bewegung
5.1 Einführung 49

der Atomkerne um ihre Ruhelage gestört – man spricht von einer Abnahme der sogenann-
ten mittleren freien Weglänge, die ein Elektron ungestört zurücklegen kann, ohne mit anderen
Elektronen oder Atomrümpfen zusammenzustoßen. Die Beweglichkeit ist damit ebenfalls eine
Funktion des perfekten Kristallaufbaus (Punktfehler, Versetzungen, Korngrenzen, . . . ) und eine
Funktion der Ladungsträgergeschwindigkeit.
Die soeben beschriebenen Mechanismen regeln die Anzahl der freien Ladungsträger. Beispiels-
weise wird die elektrische Leitfähigkeit von Halbleitern bestimmt durch die Anzahl der freien
Ladungsträger pro Volumen und deren Beweglichkeit:

γ = e · (n · µn + p · µp ) (5.2)

mit e = Elementarladung, n, p = Anzahl der Elektronen bzw. Löcher pro Volumen und
µn , µp = Beweglichkeit der Elektronen bzw. Löcher. Da die Anzahl n und die Beweglichkeit µ
der Ladungsträger von der Temperatur abhängen, ist die Leitfähigkeit ebenfalls in komplizierter
Weise in bestimmten Temperaturbereichen von dieser abhängig.

5.1.2 Der p-n-Übergang

Bei einer Diode (p-n-Übergang) werden zwei unterschiedlich dotierte Halbleiter zusammen-
gefügt. An der Grenze zwischen p- und n-leitendem Gebiet des Kristalls erfolgt eine Diffusion
von Löchern in die n-Schicht und von Elektronen in die p-Schicht. Durch die Ladungstrennung
(Raumladungszone) entsteht ein elektrisches Potenzial VD , welches einen Strom in umgekehrter
Richtung hervorruft. Das Gleichgewicht stellt sich ein, wenn der Diffusionsstrom gleich dem
entgegengerichteten Feldstrom ist. Das ist dann der Fall, wenn die Fermienergien auf gleicher
energetischer Höhe liegen. Abbildung 5.2 stellt diesen Sachverhalt im Bänderschema dar.

E p n
p
E -e VD
E p-Halbleiter n-Halbleiter L

EL EL
EF EVp
p n
EF
EV
p-Feldstrom
p-Diffusionsstrom
n-Diffusionsstrom
n-Feldstrom

Abbildung 5.2: Bänderschema des p-n-Übergangs

Wird das Potenzial VD durch eine äußere Spannung zusätzlich noch vergrößert, so kann nur ein
sehr kleiner, durch eine thermische Generation von Ladungsträgern in der Raumladungszone
5.1 Einführung 50

verursachter Strom fließen. Wird VD verkleinert, so ergibt die hierdurch geförderte Diffusion
einen größeren Strom. Bei der Zenerdiode wird ein anderer Effekt zur Leitfähigkeits- bzw.
Stromsteuerung ausgenutzt. Hierbei handelt es sich um sehr hochdotierte p- und n-Halbleiter,
bei denen der Übergang im Bänderschema wie in Abbildung 5.3 aussieht:

E p E
n
E Lp -e (VD+ |U|) n-Zone

EF n
p EL
EV Sperrrichtung
EF EL
p n p-Zone
n EV
EV
0 x
0 x

Abbildung 5.3: Bänderschema der Zenerdiode

Durch das Anlegen einer Spannung in Sperrrichtung liegen Leitungsband und Valenzband auf
dem gleichen energetischen Niveau und sind nur durch einen räumlich sehr schmalen Bereich,
in dem sie keine Zustände besetzen dürfen, getrennt. Dieser schmale Bereich kann quanten-
mechanisch von den Elektronen des Valenzbandes im p-Gebiet „durchtunnelt“ werden. Dieses
führt zu einem sehr großen Strom, der fast spannungsunabhängig ist. Dieser Durchbruch wird
Zenerdurchbruch genannt und darf nicht verwechselt werden mit dem Durchbruch einer nor-
malen Diode bei hoher Sperrspannung, der dort zur Zerstörung der Diode führt.
Wird eine Diode von der Durchlassrichtung in die Sperrrichtung umgepolt, so muss die Raum-
ladungszone erneut aufgebaut werden, welches eine kurze Zeit beansprucht. In dieser Zeit ist
die Sperrfähigkeit der Diode nicht vorhanden. Diese Sperrträgheit ist bei Leistungshalbleitern
(p-n-Diode, Thyristor) von entscheidender Bedeutung im Wechselstromverhalten.

5.1.3 Beispiele: Photowiderstand, Photodiode, Lumineszenzdiode


5.1.3.1 Der Photowiderstand

Werden in einem Halbleiter Photonen (Licht) absorbiert, so können diese, sobald die Photon-
energie größer als der Bandabstand ist, Elektronen aus dem Valenzband in das Leitungsband
heben (Innerer Photoeffekt). Sowohl die angehobenen Elektronen als auch die dadurch entstan-
denen Löcher tragen bei einer angelegten Spannung zum elektrischen Strom bei. Somit entsteht
eine Abhängigkeit der elektrischen Leitfähigkeit von der Intensität und der Energie des Lichtes.
5.2 Vorbereitungen 51

5.1.3.2 Die Lumineszenzdiode

Die Lumineszenzdiode (LED) ist ein geeigneter p-n-Übergang in Flusspolung, bei dem die
Lichtemission auf einer zeitlichen Umkehrung des „inneren Photoeffektes“ beruht. Die in ei-
nem Halbleiter in der Minderheit vorhandenen Ladungsträger (Minoritätsträger) – also Löcher
im n-Halbleiter und Elektronen im p-Halbleiter – rekombinieren nach einer charakteristischen
Zeit τ unter Abgabe von Energie in Form von Licht und / oder Wärme. Bei einem stromdurch-
flossenen p-n-Übergang werden die Majoritätsladungsträger der einen Seite beim Übertritt zu
Minoritätsladungsträgern der anderen Seite und rekombinieren nach obigem Gesetz (Minori-
tätsladungsträgerinjektion). Wählt man das geeignete Material aus (direkter Bandübergang) und
sorgt für eine gute Lichtabstrahlung, so erhält man eine Lumineszenzdiode (Leuchtdiode).

5.1.3.3 Die Photodiode

Die Photodiode ist eine Halbleiterdiode mit einem lichtdurchlässigen Durchgriff (Fenster) auf
die Sperrschicht (p-n-Übergang) der Diode. Bei Lichteinfall werden Ladungsträger (Elektronen-
Loch-Paare) erzeugt, die den ursprünglichen Sperrstrom erhöhen. Der zusätzlich durch Licht er-
zeugte Strom wird als Photostrom Iph bezeichnet. Die frequenzbestimmende Zeit ist hier nicht
durch die Lebensdauer wie bei dem Photowiderstand, sondern durch die Laufzeit in der Raum-
ladungszone gegeben und kann sehr klein sein. Somit ist die Photodiode zur Messung von
höherfrequenten Lichtschwankungen geeignet.

5.2 Vorbereitungen

5.2.1 Allgemein

Bereiten Sie sich mit Hilfe der Einleitung, den Vorlesungsunterlagen und mit weiteren Quel-
len (Bibliothek, Internet) ausführlich vor. Sollten Fragen offen bleiben, wenden Sie sich bitte
rechtzeitig an einen Betreuer oder Herrn Schneider, R. −1325, WA 73.

5.2.2 Fragen zur Vorbereitung

Beantworten Sie bitte zur Vorbereitung dieses Versuches schriftlich folgende Fragen:

1. Warum nimmt die Leitfähigkeit von Metallen mit steigender Temperatur ab?

2. Wie verhält sich die Leitfähigkeit von Halbleitern bei sehr tiefen, normalen (Raumtem-
peratur) und weiter steigenden Temperaturen?
5.3 Versuchsdurchführung 52

3. Was versteht man unter "Dotieren"?

4. Wie wirkt sich das Dotieren auf die elektrischen Eigenschaften von Halbleitern aus?

5. Was unterscheidet eine Zenerdiode von einer normalen Diode?

6. Kann eine Photodiode auch in Flussrichtung betrieben werden?

7. Was passiert, wenn auf eine Photodiode ohne äußere Spannung Licht eingestrahlt wird?

5.3 Versuchsdurchführung

5.3.1 Strom- / Spannungskennlinie einer Glühlampe

Die Stromspannungskennlinie eines „Ohmschen“ Widerstandes ist eine Gerade:


1
I = f (U ) = G · U mit dem Leitwert G = . (5.3)
R

Kann sich die Temperatur frei mit der Belastung einstellen, so ändert sich der Widerstand mit
der Temperatur ϑ (Theta):

Rϑ = R20 (1 + α20 · ∆ϑ) mit ∆ϑ = ϑ − 20 ◦ C. (5.4)

Achtung: α wird in der Regel mit der Einheit 1/K angegeben (K = Kelvin). Der Tempera-
turkoeffizient α kann positiv (α > 0) bei Metallen und negativ (α < 0) bei Halbleitern oder
auch nahezu Null z. B. bei Konstantan und Manganin sein. Die Kennlinien mit besonderen Lei-
tungsmechanismen z. B. von Halbleitern, Elektronenröhren oder Gasentladungsstrecken sind
im Allgemeinen nichtlinear.

5.3.1.1 Versuchsaufbau

Bauen Sie die Schaltung gemäß Abbildung 5.4 auf. Als Spannungsquelle dient das Labornetz-
teil (Einzelgerät).

A
I

U0 U0 V
IL

Abbildung 5.4: Strom-/Spannungsmessung an einer Glühlampe


5.3 Versuchsdurchführung 53

5.3.1.2 Aufgabe

Bestimmen Sie mit Hilfe des Multimeters (Widerstandsmessbereich) den Kaltwiderstand R20
der Glühlampe.
R20 =
Nehmen Sie die Kennlinie I = f (U ) für U/ [V] = {1; 2, 5; 5; 7, 5; 10; 14; 15} auf. Dazu messen
Sie jeweils den Strom I in Abhängigkeit von der eingestellten Spannung U und tragen die Werte
in die Tabelle 5.1 ein.

Tabelle 5.1: Strom-/Spannungskennlinie einer Glühlampe


U/ V 1 2,5 5
I/ mA

Skizzieren Sie die Funktion I = f (U ):

Bestimmen Sie nun den Temperaturkoeffizient α unter der Annahme, dass die Wendel der Glüh-
lampe bei einer Spannung von U = 15 V eine Temperatur von ϑ = 2000 ◦ C aufweist.
Die Formel zur Berechnung von α lautet:
5.3 Versuchsdurchführung 54

Daraus folgt: α =
Ist der Strom durch den Spannungsmesser (angenommen: Ri = 1 MΩ) zu berücksichtigen?

5.3.2 Aufnahme einer Diodenkennlinie


5.3.2.1 Versuchsaufbau

Bauen Sie die Schaltung gemäß Abbildung 5.5 auf. Als Spannungsquelle dient das Labornetz-
teil (Einzelgerät). Die Strommessung ist mit dem empfindlichsten zur Verfügung stehenden
Amperemeter durchzuführen

A
R = 100 W ID

U0 V UD

Abbildung 5.5: Strom-/Spannungsmessung an einer Diode

5.3.2.2 Aufgabe

Nehmen Sie die Diodenkennlinie ID = f (UD ) mit ca. 10 Messpunkten für UD = {0V . . . 1V }
auf und tragen Sie die Werte in Tabelle 5.2 ein.
Achtung: Im Knickpunkt muss sehr sorgfältig gemessen werden. Warum?

Der Strom durch die Diode wurde mit einer Stromfehlerschaltung gemessen. Wie lautet die
Formel zur Korrektur des Stroms?
5.3 Versuchsdurchführung 55

Tabelle 5.2: Strom-/Spannungskennlinie einer Diode


UD / mV ID / mA Ikorr / mA UD / mV ID / mA Ikorr / mA

Ikorr =
Korrigieren Sie den größten bei der Messung aufgetretenen Stromwert aus Tabelle 5.2. Wie
groß ist der relative Fehler?
∆I =
Beurteilen Sie den soeben errechneten Fehler!

Machen Sie Ihr weiteres Vorgehen bei der Berechnung der korrigierten Stromwerte in Tabelle
5.2 von Ihrer Beurteilung abhängig.
Skizzieren Sie die Kennlinie und kennzeichnen Sie die Schwell– bzw. Durchlassspannung (Schnitt-
punkt der Tangente an der Kennlinie für I >> 0 mit der Spannungs-Achse).
5.3 Versuchsdurchführung 56

Wie groß ist die Schwellspannung?


Ud =
Die Diodenkennlinie lässt sich näherungsweise durch eine Exponentialfunktion beschreiben.
 UD

ID = IS · e m·UT
−1 (5.5)

Hierbei ist ID bzw. UD der Diodenstrom bzw. die Diodenspannung und IS der von der Tem-
peratur abhängige Strom in Sperrrichtung (Sperrstrom) — er verdoppelt sich etwa bei einer
Temperaturerhöhung von 10K. Mit m bezeichnet man einen Korrekturfaktor der im Bereich
1, 1 < m < 2 liegt. Die Temperaturspannung UT ergibt sich aus kT /e0 wobei k die Bolzmann-
Konstante (1, 38 · 10−23 Ws/K), T die Sperrschichttemperatur und e0 die Elementarladung
(1, 6 · 10−19 As) ist.
Schätzen Sie den theoretischen Sperrstrom IS nach folgender Vorgehensweise ab:
Stellen Sie U0 > 0 und damit UD so ein, dass ID auf der empfindlichsten Stufe des Strom-
messgerätes gerade noch einen ablesbaren Ausschlag hervorruft. Tragen Sie dieses Wertepaar
zusätzlich in die Tabelle 5.2 ein. Aus der Gleichung 5.5 folgt mit dem Ansatz m · UT = 36 mV
der theoretische Sperrstrom.
IS =
Der reale Sperrstrom einer Diode ist durch mehrere in Gleichung 5.5 unberücksichtigte Effekte
um einige Größenordnungen größer, daher beschreibt Gleichung 5.5 die Diodenkennlinie nur
in Durchlassrichtung mit hinreichender Genauigkeit.
5.3 Versuchsdurchführung 57

5.3.3 Diode im Wechselstromkreis

Gegeben ist wieder der Aufbau aus Abbildung 5.5. Schließen Sie an Stelle der Gleichspan-
nungsversorgung einen Funktionsgenerator mit einer Rechteckspannung von USS = 1 V und
einer Frequenz von f = 10 kHz an. Geben Sie den Spannungsabfall UD auf einen Kanal des
Oszilloskops.
Was ist bezüglich der Massepunkte von Funktionsgenerator und Oszilloskop zu beachten?

Versuchen Sie, die angezeigte Zeitfunktion zu interpretieren! Skizzieren Sie eine Periode der
Zeitfunktion und erhöhen Sie anschließend die Rechteckspannung auf USS = 5 V. Skizzieren
Sie auch diese Zeitfunktion.

U (t) für USS = 1 V U (t) für USS = 5 V

Amplitude: V/DIV Amplitude: V/DIV

Zeitbasis: ms/DIV Zeitbasis: ms/DIV

Wie unterscheiden sich die beiden Zeitfunktionen? Wo sperrt die Diode, wo lässt sie durch?
(Begründung!)
5.3 Versuchsdurchführung 58

Bestimmen Sie nun die Speicherzeit tS und die Ausschaltzeit tf . Die Speicherzeit ist diejenige
Zeit, die zwischen dem Polaritätswechsel der Quellspannung U0 und dem Ändern der Pola-
rität der an der Diode abfallenden Spannung UD vergeht. Die Ausschaltzeit ist die Zeit vom
Polaritätswechsel der Diodenspannung UD , bis zu dem Zeitpunkt an dem UD 90% seiner Maxi-
malspannung erreicht hat. Dehnen Sie zur besseren Darstellung die Zeitachse um den Faktor 10
(Taster X-MAG. x10) und stellen Sie den interessierenden Bereich möglichst bildschirmfüllend
dar. Skizzieren Sie das Oszilloskopbild.

Amplitude: V/DIV

Zeitbasis: ms/DIV

tS =
tf =
Aus der Summe von tS und tf ergibt sich die Erholzeit (Recovery Time) trec :
trec = tS + tf =
Wie verhält sich die Speicherzeit mit größer werdendem ID ? Variieren Sie hierzu die Amplitude
des Funktionsgenerators bis USSmax = 7 V.

Wie sieht die Gleichrichtwirkung fur Signale mit einer Frequenz von f ≥ 1/tS aus? Erhöhen
Sie hierzu die Frequenz am Funktionsgenerator bei USS = 5 V.
5.3 Versuchsdurchführung 59

5.3.4 Messung an einer Zenerdiode


5.3.4.1 Versuchsaufbau

Bauen Sie die Schaltung nach Abbildung 5.5 mit einer Zenerdiode auf. Schalten Sie die Zener-
diode in Durchlassrichtung. Nehmen Sie die Diodenkennlinie ID = f (UD ) in Durchlass- und
in Sperrrichtung auf und stellen Sie den Verlauf graphisch dar. Achtung: Der maximale Di-
odenstrom von IDmax = 70 mA darf nicht überschritten werden! Messen Sie auch hier die
Knickpunkte mit großer Sorgfalt aus. Zum Umschalten zwischen Durchlass- und Sperrrichtung
polen Sie bitte die Eingangsspannung U0 am Labornetzteil um. Bestimmen Sie anschließend
die Schwell- und Zenerspannung.

Tabelle 5.3: Strom-/Spannungskennlinie einer Zenerdiode


UD / mV ID / mA Bemerkung UD / mV ID / mA Bemerkung
5.3 Versuchsdurchführung 60

Ud =
Uz =

5.3.5 Messung an einer Photodiode


5.3.5.1 Versuchsaufbau

Bauen Sie die Schaltung zur Strom-/Spannungsmessungen an einer Photodiode nach Abbbil-
dung 5.6 auf.

A
R = 1 kW IFD

U0 V UD V UL

Abbildung 5.6: Strom-/Spannungsmessung an einer Photodiode

5.3.5.2 Aufgabe: Aufnahme der Kennlinie einer Photodiode

Nehmen Sie die Durchlass- und Sperrkennlinie der Photodiode ID = f (UD ) bei verschiedenen
Beleuchtungsstärken auf. Beginnen Sie mit einer Lampenspannung von UL = 15 V. Nehmen
5.3 Versuchsdurchführung 61

Sie im Intervall [UD = 0 V, UD (ID = 0 mA)] mindestens sechs Wertepaare auf — vergessen
Sie nicht die Werte für ID (UD = 0 V) und UD (ID = 0 mA). Der Bereich ID > 0 mA ist bei
dieser Messung nicht relevant.
Variieren Sie die Eingangsspannung U0 so, dass sich eine maximale Diodenspannung von
|UD | = 1 V nicht überschritten wird. Für negative Werte von U0 polen Sie das Labornetzteil
um!
Wiederholen Sie die Messung mit einer Lampenspannung von UL = 0 V. Achtung: Messen Sie
den Knickbereich der Kennlinie (Durchlassrichtung) sehr genau aus!

Tabelle 5.4: Strom-/Spannungskennlinie einer Photodiode


UL = 15 V UL = 0 V UL = 15 V UL = 0 V
UD / mV ID / mA ID / mA UD / mV ID / mA ID / mA

Skizzieren Sie die Kennlinien in einem Diagramm (4-Quadranten-Darstellung). Wählen Sie die
Achseneinteilungen so, dass ein deutlicher Unterschied zwischen den beiden Beleuchtungsstär-
ken im 3. und 4. Quadranten zu erkennen ist (ca. 3cm Abstand). Hierbei können höhere Werte
der Durchlasskennlinie wegfallen.
5.3 Versuchsdurchführung 62
5.3 Versuchsdurchführung 63

Bestimmen Sie den Photostrom IF . Der Photodiodenstrom errechnet sich nach der Formel:

 U 
D
ID = IS · e m·UT − 1 − IF (5.6)

An welchem Punkt der Kennlinie können Sie den Photostrom IF direkt ablesen?

IF =
Berechnen Sie für die Messpunkte im Bereich des Generatorbetriebs der Photodiode die mögli-
che Leistungsabgabe, und zeichnen Sie Leistungskennlinie in das Kennlinienfeld der Photodi-
ode ein.

Tabelle 5.5: Leistungskennlinie einer Photodiode im Generatorbetrieb


UD / mV ID / mA PD / mW

Ein Lastwiderstand soll an der Photodiode (im Generatorbetrieb) betrieben werden. Konstruie-
ren Sie die zugehörige Widerstandsgerade, bei der im Widerstand die maximal mögliche Leis-
tung umgesetzt wird und zeichnen Sie diese in das Kennlinienfeld ein.
Wie groß muss der Lastwiderstand gewählt werden?
RL =
64

Literatur
[1] C LAUSERT, H. ; W IESEMANN, G. : Grundgebiete der Elektrotechnik 1. 8. Auflage. Mün-
chen, Wien : Oldenbourg, 2003

[2] S CHRÜFER, E. : Elektrische Messtechnik – Messung elektrischer und nichtelektrischer


Größen. 9., aktualisierte Auflage. München : Hanser Verlag, 2007

[3] S TÖCKER, H. (Hrsg.): Taschenbuch der Physik. 3. Auflage. Thun, Frankfurt am Main :
Verlag Harri Deutsch, 1998

[4] T IETZE, U. ; S CHENK, C. : Halbleiter-Schaltungstechnik. 12. Auflage. Berlin : Springer,


2002