Sie sind auf Seite 1von 6

-Formelsammlung Grundlagen der Elektrotechnik 1 WS 2001/2002-

Stromstrke I, i und Stromdichte S (J): R


Parallelschaltung von n gleich groen Widerstnden: Rges =
I=
Q
i (t ) =
dq
Q = I t
Q = i(t )dt S=
I
[S ] = A n
t dt A mm Zweipolquellen:
W12 Innenwiderstand: U ab = U q I Ri
Spannung U und Potential : U12 = 1 + 2 U12 =
Q a) Leerlauf: I = 0 U ab = U q
Leistung P und Energie W: Uq
1
T
U b) Kurzschluss: Rv = 0 U ab = 0 I k =
P =U I P=
u (t ) i (t )dt p (t ) = u (t ) i (t ) P = I R P= Ri
T 0 R
c) Belastung: U ab = U q I Ri
t2
Pzu n n
=
Pab + Pverlust
W = P t =U I t
W12 = u (t ) i (t )dt
t1
Schaltungen: a) Summenreihenschaltung: U qges = U
1
qk Riges = R
1
ik

b) Gegenreihenschaltung: U qges = U q1 + U q 2 Riges = Ri1 + Ri 2


Ohmsches Gesetz (Ohmscher Widerstand R, elektr. Leitwert G)
Ri
c) Parallelschaltung: Riges =
U = I R
1
I =U =U G [G ] = 1 = 1S (1 Siemens) n
R Spannungsteiler:
.l R A l A R1 U1 R1 R1
R= = = 1 R= G= a) Leerlauf: U1 = U = =
A l A l R1 + R2 U R R1 + R2
Temperaturabhngigkeit von Widerstnden: R1Rv
R R R b) Belastung mir Rv: Rges = R2 + Re = R2 +
R1 1 1 R 2 R1 + Rv
m= const. = = a K[m] = = = K mit[ ] = 1C 2 =
a K R 2 2 + R1 ( + 1 )
R1 Rv
m R 1 ( R Ra ) 1
a = = = K[ ] = R = Ra [1 + a ( a )] Uv R
= e =
Re
=
R1 + Rv
=
R1 RV
Ra Ra Ra ( a ) K U R ges R 2 + Re R1 Rv R1 Rv + R 2 ( R1 + Rv )
R2 +
[
R = Ra 1 + a ( a ) + ( a ) K[ ] =
2
] 1
K2 c) Strme:
R1 + Rv

Kirchhoffsche Stze: U U
n ) Leerlauf: R v I = I 2 = I 1 = =
R R1 + R 2
Knotenpunktsatz: I zu = I ab I k =0
R1
1 U U Rv
n ) Belastung mit Rv: I = = = I2 I1 = I Iv = I
Rges R2 + Re R1 + Rv R1 + Rv
Maschensatz: U k =0
1 U
Reihenschaltung von Widerstnden: ) Kurzschluss: R v = 0 I k = I 2 = I v =
R2
n
Uk R R1 U ges
Rges =
1

Rk = k
U ges Rges
U1 =
Rges Die Wheatsonbrcke:
Parallelschaltung von Widerstnden:
n n
1 1 R1 R2
Rges
=
1 Rk
Gges = G k R12 =
R1 + R2 R1 R2 R R2
1 = R1 = R3 2 bzw. Rx = Rn
R3 R4 R4 R4
I1 R2 G1 I1 R2 I ges R2
= = = I1 = Widerstandsbestimmung durch Strom- und Spannungsmessung:
I2 R1 G2 I ges R1 + R2 R1 + R2 Spannungsrichtige Schaltung Stromrichtige Schaltung
I2 R1 I ges R1
= I2 =
I ges R1 + R2 R1 + R2

1
-Formelsammlung Grundlagen der Elektrotechnik 1 WS 2001/2002-

c) Teilstrme vorzeichenrichtig (!) berlagern


d) Gesamtstrom = Summe aller (vorzeichenrichtiger(!)) Teilstrme

Gemessene Spannung: U = U R Gemessene Spannung: U = U R + U A Maschenstromverfahren:


a) Stromquellen beseitigen (bis zum KNP auftrennen)
Gemessener Strom: I = I R + IV Gemessener Strom: I = I R b) Zweigstrme eintragen (Richtung beliebig)
U UR U U UR + U A c) Aufzeichnen des Graphen und eintragen eines vollstndigen Baumes (Zweige ohne Bauteile
R = = < R =R R = = = R + RA > R mssen auf dem Baum lieben)
I I R + IV IR I IR
d) Eintragen der Maschenstrme I1 bis Im zweckmigerweise in Richtung des Zweigstromes im
U RV unabhngigen Zweig
oder R = = R
I R + RV e) Aufstellen der m Maschengleichungen (m=n-(p-1)) fr die Maschenstrme. Die positive
Kleiner Messfehler, wenn R<<Rv Kleiner Messfehler, wenn R>>Rv Zhlrichtung wird dabei durch den jeweiligen Maschenstrom bestimmt. Das Vorzeichen der
Bei Messung kleiner Wid. Bei Messung groer Wid. Kopplungswid. ist somit negativ, wenn die Maschenstrme entgegengesetzte Zhlrichtung
haben. Das Vorzeichen der Quellspannung ist negativ, wenn die Richtung der Quellspg.
Leistungsanpassung: entgegen der Zhlrichtung des Maschenstromes der Masche ist. Die ueren Belastungen gehen
ber den Baum.
Uq IK U
Rv = Ri Pv max = = = 50%
2 2 4 Ri Bsp.: M
{1 : ( R1 + R2 + ...) I1 R3 I 2 R3 I a U q1 = 0
Maschengleichung
1442443 { { {
Gesamtwid .derMaschen Kopplungswid . uereBelastung Quellspg .

Ersatzzweipolquellen: f) Durch Auflsen der m Maschengleichungen ergeben sich die Maschenstrme


Widerstnde, die in Reihe mit einer Stromquelle sind knnen berbrckt werde. g) Die Zweigstrme ergeben sich durch die berlagerung der Maschenstrme
Widerstnde, parallel mit einer Spannungsquelle knnen aufgetrennt werde.
Knotenpotentialverfahren:
U ik = i k = I ik Rik U q

I ik = (i k U q ) Gik

R1 U a) Das Potential eines willkrlichen KNP wird Null gesetzt.


Uq = U Ik = b) Es werden p-1 KNP-Stze angewendet (z.B.: P1 : I a + I 1 I 4 = 0 )
R + R2 R2
Netzwerkberechnung mit Hilfe der Kirchhoffschen Stze: c) Ersetzen der Zweigstrme durch die Potentiale, Quellspg. u. Leitwerte (z.B.:
1.) Smtliche Stromquellen in uere Einspeisungen umwandeln (Bis zum KNP auftrennen) I1 = ( 2 1 + U q1 ) G1
2.) Zhlpfeile eintragen (Richtung beliebig) d) Einsetzen der Gleichungen in b) (z.B.: I a + ( 2 1 + U q1 )G1 ( 1 0 + U q 4 )G 4 = 0 )
3.) Umlaufsinn der Maschen eintragen
4.) Aufstellen der Maschengleichungen mittels Elementarmaschen e) Auflsen des GS nach n in Matrizenschreibweise:
5.) So viele Knotenpunktsgleichungen aufstellen, wie zur Berechnung der unbekannten Strme G1 + G3 G3 1 I b + U q1 G1
notwendig sind o =
G3
14 G + G3 2
{ I d I c + U q 2 G2
1
6.) Gleichungen ordnen, Einheiten beseitigen 44242443 44424443
Leitwertmatrix MatrixDerKnotenpotentiale KNPbelastungsstrmeUndQuellspg .

Netzumwandlung:
Widerstandsdreieck in Widerstandsstern Elektrostatisches Feld
R12 R31 R23 R12 R31 R23 1 Q1Q2
R1 = ; R2 = ; R3 = Coloumsches Gesetz: F = [F ] = [N ] (F ist die Feldkraft auf eine punktfrmige Ladung Q)
R12 + R23 + R31 R12 + R23 + R31 R12 + R23 + R31 4 0 r
Widerstandsstern in Widersandsdreieck Ws
R R + R2 R3 + R3 R1 R R + R2 R3 + R3 R1 R R + R2 R3 + R3 R1 AVs V
R12 = 1 2
R3
; R23 = 1 2
R1
; R23 = 1 2
R2
Elektrische Feldstrke: E =
F
[E ] = N
= m = = F = QE
Q As As As m
berlagerungsmethode:
a) Bis auf eine Quelle alle Spannungs- und Stromquellen kurzschlieen bzw. berbrcken (Ri Die Richtung der elektr. Feldstrke ist gleich der Richtung der Kraft auf eine ruhende pos. Ladung.
bleibt erhalten!)
b) Rges und Teilstrme I ( I , I ,...) berechnen Spannung und Potential: Wird eine Ladung Q um den Weg s im elektrostat. Feld verschoben, so ergibt sich:

2
-Formelsammlung Grundlagen der Elektrotechnik 1 WS 2001/2002-

E U Q 1 Q
a) bei = 0 : cos = 1 W = Q E s W = Q U U= bzw. E = E= ~ mit der Linienladungsdichte = gilt auch E =
s s 2rl r l 2r
b) beliebig, E = konst. .: U = E s cos Berechnung des Pot. eines Pkt. im Abstand r von einer Punktladung Q gegen einen Pkt:
r r
2
Q dr Q 1 1
c) beliebig, E beliebig: U12 = E cos( )ds P =
r0
E dr =
4 r
r0
=
4

r r0



1
d) = 90 , E beliebig: cos = 0 W = 0 Potential in der Nhe von 2 Punktladungen:
Q
Ermittlung der elektrischen Feldstrke aus der Potentialverteilung: E = = 1 2 (Potentiale der 1 / 2 = 1 / 2 berlagern ergibt p = 1 + 2 (algebraische Addition)
n 4r1 / 2
quipotentiallinien); n (Normalenabstand der quipotentiallinien) Berechnung des Potentials eines Pkt im Abstand r von einer Linienladung gegen einen Bezugspkt. im
P Abstand r0:
Potential und Spannung:
p = 0 E ds = 0 U 0 P
P = 0
r
ln Fr die Spg. gilt U 12 = 1 2 =
r2
ln
P0
2 r0 2 r1
2 2
Schichtdielektrikum:

1

1



1

U 12 = E ds = E ds + E ds = E ds E ds = 1 2 Spannungsangabe
2
Schichtung parallel zur Feldrichtung: E = konst.
ist nur zwischen zwei Punkten mglich, Potentialangabe ist fr einen Punkt mglich, jedoch ist ein U = E1 d = E 2 d = E3 d E1 = E 2 = E3

D = E

Bezugspunkt ntig a = E ds (Potentialdes Punktes a, wobei = 0 im .
a
D1 = 1 E D2 = 2 E D3 = 3 E
D1 1 D1 1
Erforderlicher Arbeitsaufwand bei der Verschiebung einer Ladung von a nach b und zurck: W = E ds = 0 =
D2 2
=
D3 3
As D1 D2 D3
Verschiebungsdichte: D = E mit = 0 r 0 = 8,85 10 12 (Influenz- bzw. Dielektrizittskonst.) Uq = E d = d = d = d Q = Q1 + Q2 + Q3 = D1 A1 + D2 A2 + D3 A3 = C ges U q
Vm 0 r1 0 r 2 0 r 3
Berechnung elektrostatischer Felder:
Kugelsymmetrisches Feld: Schichtung senkrecht zur Feldrichtung: D = konst.
e1 = e 2 = e3 = e Bei konst. Querschnitten folgt:
Q 1 e Q

e = Q = D dA = D dA = D 4r E= ~
4r r A
= = e1 = e 2 = e3 = D = D1 = D2 = D3
A A A A
Q 1 D D D E1 2 r 2
D= ~ mit D = E folgt: E1 = E2 = E3 = = =
4r r 1 2 3 E 2 2 r1
Berechnung der elektr. Feldstrke in einem beliebigen Raumpunkt die durch 2 Punktladungen bewirkt wird:
Dd d d
U q = E1 d1 + E 2 d 2 + E3 d 3 = 1 + 2 + 3 Q = D A = C ges U q
Q1 Q2 0 r1 r 2 r 3
E1 = E2 =
4r1 4r2 Gegeben: Gesamtspannung Gesucht: Feldstrken in den einzelnen Schichten
Anwendung des berlagerungsprinzips: E = E1 + E 2 Geom. Add. U
E1 = E 2 = E1 r1 E3 = E1 r1
r1 r r2 r3
n d1 + d2 + d3
Bei mehreren Punkladungen gilt: E = E
1
k r2 r3

Zylindersymmetrisches Feld: Annahme: l >> r


Gegeben: Max. zul. Feldstrken der einzelnen Schichten Gesucht: Max. zul. Gesamtspannung

e = Q = D dA =
123 123
D dA + D dA , da l>>r, drfen Stirnflchen vernachlssigt werden
D d d d
Stirnflchen Mantelflchen U max = zul 1 + 2 + 3

0 r1 r 2 r 3
Q 1

Q = DdA = D dA = D 2rl D= ~
2rl r Kapazitt:

3
-Formelsammlung Grundlagen der Elektrotechnik 1 WS 2001/2002-

Da die Kapazitt unabhngig von der Ladung und der Spannung ist, betrgt die Ersatzkapazitt
C=
Q
=
DdA = E dA As
Einheit [C ] = 1

= 1F (Farad) C C
C e = 1 2 Damit ist die an den Klemmen Entnehmbahre Ladung: Qe = C e U
U
E ds E ds V C1 + C 2
A Nach der Entnahme ist die Spannung zwischen den Klemmen 0, die Teilkapazitten C1 / C 2 weien jedoch
Plattenkondensator: U = E d Q = D A C=
d noch Restladungen auf: (Die Summe der Restspg. muss dabei 0 sein!)
Q 2l Q Q
Zylinderkondensator: Voraussetzung: l>>ra C = = Q1 = Q1 Qe Q2 = Q2 Qe U 1 = 1 U 2 = 2
U r C1 C2
ln a
ri Die Reihenschaltung wird mit Q1 Q2 wird an eine Netzspg. U N angebracht. Welche Ladung wird dabei
Kugelkondensator: Q1 / 2
Q 4 4ra ri dem Netz entnommen? mit U 1/ 2 =
C= = = Sonderfall: ra >> ri : C = 4ri C1 / 2
U 1 1 ra ri
Q Netz = C e U = C e (U N U ) dann ist Q1/ 2 = Q1 / 2 + Q Netz
ri ra
Kapazitt einer Kugel im freien Raum ( ri = Kugelradius) Parallel zur Reihenschaltung mit Q1 Q2 wird ein Kondensator C 3 geschaltet, der zuvor an der Spannung

Doppelleitung: U 3 geladen wurde. Welche res. Spannung stellt sich dabei an der Parallelschaltung ein?
Q Qres Qe + Q3
Allgemein.: E Zyl = U res = =
2lr C res C e + C 3
Q ar Q l Energie im elektrostatischen Feld:
U 21
berlagerung: U 12 = U 12 = ln C= =
l r U 12 ar Fr die el. Arbeit gilt, wenn U und I konst.: W = U I t = Q U
ln
r Laden eines Kondensators (Strom und Spg. sind dabei zeitabhngig):
Kapazitt einer Einfachleitung gegen eine leitende Oberflche: dWe = uidt = udq Q = CU (im stationren Zustand) dq = Cdu (im instationren Fall)
Vorraussetzung: h>>r t =t1
1 Q
Anwendung des Spiegelprinzips
2l
We =
2
CU =
2C
We = u (t ) i (t )dt
t =0
c c (Energienderung im Zeitintervall 0 t t1
C=
2h dWe 1
ln Energiedichte im elektrostatischen Feld: = ED
r dV 2
Schaltungen von Kondensatoren: Kraftwirkung zwischen den geladenen Kondensatorplatten:
Parallelschaltung: 1 dC 1 A
F = U Fe = F = U
Q1 / 2 = C1 / 2 U Q ges = Q1 + Q2 = U (C1 + C 2 ) = U C ges 2 ds 2 d
n
Qk C
C ges = C k = k
Q ges C ges
Ausgleichsvorgang beim Kondensator (Spg., Strom u. Ladung sind zeitlich vernderlich):
1 du 1
Reihenschaltung: ic = C c
dt
uc =
C
idt + U 0
Wenn C1 und C 2 zu Beginn des Ladevorgangs ungeladen sind, ist nach dem Laden: 1
a) Laden eines Kondensators mit konstantem Strom u c = I t + U 0
Q1 = Q2 = Q U = U1 + U 2 C
1 n
1 U1 C2 U 1 C ges b) Laden eines Kondensators ber einen Widerstand
C ges
=
1
Ck
=
U 2 C1 U
=
C1 du
U q = c + u c mit R C = (Zeitkonstante)
dt
C1 C 2
Sonderfall: nur zwei Kondensatoren in Reihe C ges = t

C1 + C 2 u c (t 0) = U q 1 e (Spannung am Kondensator)

C
Sonderfall: n-gleiche Kondensatoren in Reihe C ges = t t
n 1 Uq
ic (t 0) = C e Uq = e (Strom beim Kondensator)
Reihenshaltung von Kondensatoren mit versch. Ladungen ( Q1 Q2 ) R
Stationres Strmungsfeld in Leitern:

4
-Formelsammlung Grundlagen der Elektrotechnik 1 WS 2001/2002-

2
Zusammenhang zwischen der magn. Feldstrke und der magn. Flussdichte: B = H wobei = 0 r

U 12 = E ds = 1 2 I = S dA S dA = 0 (KNP-Satz) Vs
1
0 = 1,256 10 6 (Permeabilitt des Vakuums) r (Permeabilittszahl (Stoffeinfluss))
U I Am
fr das Homogenfeld gilt: E = und S =
d A Stoffunterteilung: a) diamagnetische Stoffe r < 1 (z.B. Cu, Ag, H2O)
Zusammenhang zwischen der el. Feldstrke und der Stromdichte (S): b) paramagnetische Stoffe r > 1 (z.B. Al, Luft) B = 0 H (da r 1 )
U UA I U l
I= = = S = E mit R = c) ferromagnetische Stoffe r >> 1 r = f ( H ) (siehe Hystereseschleife)
R l A l A
Ermittlung des Leitwertes aus der Kapazitt der Elektrodenanordnung: Koerzitivfeldstrke klein magn. Weich ; Remanenz klein magn. Hart
IN
Kapazitt C =
Q
=

E dA
Leitwert G =
I
=

E dA Durchflutung, Durchflutungsgesetz: =
l
=
Rm
= I N (Durchflutung, magn. Erregung)
U

E ds U

E ds A

C
= G= C l m A 1
G Rm = (magn. Widerstand) [Rm ] = 1 =1 = a) = I b) = I I = 0
A Vs m Vs H
A A A
Bsp.: a) Plattenkondensator: C = G= = Am
d d d
c) = I 1 + I 2 I 3 + I 4
2l 2l
b) Isolationswert eines Einleiterkabels: C = G= A
R
ln
R
ln m =
1
= [ m ] = 1 Vs = 1H (magn. Leitwert)
r r Rm l A
R Reihenschaltung von magn. Widerstnden: = Rm1 + Rm 2 = V1 + V2 (vgl. el. Stromkreis I R = U )
ln n n
1 r
R Isol . = = Durchflutungsgesetz: = V = H dl = H lk
G 2l 1
k
1
k

I S I I
Kugelerder: S= E= = Berechnung von magn. Feldern: (Vorraussetzung: r = konst. = 1 ) H= e I r Auerhalb Leiter
4r 4r 2r
U 1 I
bergangswiderstand R = = Mit e I :Einheitsvektor der pos. Stromrichtung; r : Vektor des Abstands H= e I r Innerhalb
I 4r0 2R
I S I a) Magnetfeld eines stromdurchflossenen Einzelleiters
Halbkugelerder: S= E= =
2r 2r Ha =
I
~
1
H a max =
I
Ba = 0 H a
R2 R2 2r r 2R
I dr I 1 1
U 12 = Edr = 2 r = 2 R 1

R2


Hi = I
r
~r H i max =
I
Bi = 0 H i
R1 R1
2R 2R
b) Magnetfeld zweier paralleler mit entgegengesetzter Stromrichtung durchflossener Leiter
Magnetisches Feld
I 1 1
I
IN +
Magnetische Feldstrke H : H = [H ] = 1 A wobei N Windungszahl und l Leiterlnge
H1/ 2 =
2r1 / 2
H = H1 + H 2 = r r
2
1 2
l m
c) Magnetfeld zweier paralleler mit gleicher Stromrichtung durchflossener Leiter
Magnetische Spannung V : Im Homogenfeld gilt V = H l [V ] = [1A]
I 1 1
I
Magnetischer Fluss und magn. Flussdichte (Induktion) B : H1/ 2 = H = H1 + H 2 =
2r1 / 2 r r
2
Der magn. Fluss wird dargestellt durch die Gesamtheit der magn. Feldlinien. Er beschr. einen Zustand 1 2

[ ] = [1Vs = 1Wb] (Weber) d) Magnetfeld ber den Querschnitt eines Koaxialkabels


Die Flchendichte des magn. Flusses bezeichnet man als magn. Flussdichte (Induktion) r I I R r
r ri : H 1 = I ri r Ri : H 2 = Ri r R : H 3 = a r Ra : H 4 = 0
2ri 2r 2r Ra Ri

Allg. gilt: = B dA = B cos dA B= [B] = 1 Vs = 1T (Tesla) e) Magn. Fluss in einem konzentrischen Ring um einen stromdurchflossenen Leiter
A A
A m

5
-Formelsammlung Grundlagen der Elektrotechnik 1 WS 2001/2002-

0 l R d d

= BdA =
A
2
I ln a
(magn. Fluss im Ring)

Ri
c) Ruhende Leiterschleife im zeitl. vernderl. Magnetfeld: u i = N
dt
=
dt
= u q

f) Magn. Fluss zwischen den beiden Leitern einer stromdurchfl. Doppelleitung der Lnge l d) Erzeugung einer Wechselspannung: u i = 21 4
a 4
N4
r2 B sin(t )
43
ui
l a r0 l a r0
1 / 2 = 0 I ln
ges = 2 1 / 2 = 0 I ln
e) Unipolarmaschine: u i = B n R 2
2 r0 r0
Induktivitt:
Magnetische Kreise mit Eisen
N N
a) Geschlossener Eisenkreis: H Fe =

M.K. B Fe Fe = AFe BFe VFe = H Fe l Fe
L= = = [L] = 1 Vs = 1H (Henry)
I I Rm A
l Fe
d di l
b) Eisenkreis mit Luftspalt: = I N = VFe + V L = H Fe l Fe + H L ( =Luftspalt) ui = N = = u l Rm =
dt dt A
Aufgabenstellungen: a)
{ AFe {
B Fe M .K . H Fe l Fe VFe
14=2N4
3I
{ { N A 0 l ar 1
Ringspule: L = Doppelleitung: L ges = La + 2 Li = ln +
b) BL 0 H L VL lm r 4
{ AL { { { 14=2N4
3I
Gegeninduktivitt und Streuung:
n m m N1 N 2 di1 / 2
Verzweigte magn. Kreise: KNP-Satz: k =0 Maschensatz: { = V = H
1
k
1
i
1
i li Gegeninduktivitt: M 12 = M 21 = M =
Rm12
Selbsinduktionsspg.: u i1 / 2 = L1 / 2
dt
I N
Analogien: di1 / 2
Gegeninduktionsspg.: u i12 / 21 = M Gesamtfluss: 1 , 2
Durchflutung Quellspannung U q dt
Streufluss: 1 , 2 1 = 12 + 1 2 = 21 + 2
Magn. Fluss Strom I
Magn. Wid. Rm El. Wid. R + 2 + 1 2
Streufaktor: 1 / 2 = 1/ 2 = 1 1 + 2
1/ 2 (1 + 1 )(1 + 2 )
Magn. Spg. Vk = H k l k El. Spg. U k = E k l k
N1 / 2 1 / 2
Krfte im mag. Feld: Streuinduktivitten: L 1 / 2 = = 1 / 2 L1 / 2
a) Kraft auf einen stromdurchflossenen Leiter im mag. Feld: F = B I l sin =2
F4
1 B
I l43 ( ) I1 / 2
12 21 M
Streufaktor: = 1 k m2
3 Finger Re gelDer Re chtenHand
Kopplungsfaktor: k m = =
Q ne Al 1 2 L1 L2
b) Kraft auf im Magnetfeld bewegte Ladungen: F = B I l sin mit I = = (n = Dichte der
t t
Ladungstrger (cm) ; e = Elementarladung; A = Leiterquerschnitt; l= Leitungslnge im Magnetfeld) a 2 b3 a 3 b 2

l Elektronen im E- und B-Feld: F = e E + v B a b = a 3 b1 a1b3
= v (Geschw. der Ladungstrger) F = n e A l v B sin F = Q v B sin a b a b
t 144 42444 3
Lorentzkraft 1 2 2 1

( )
F = Q v B
0 l
c) Kraft zwischen parallelen stromdurchflossenen Leitern: F1 = F2 = F = I 1 I 2 Richtung:
2a
F = I (l B)
Induktionsgesetz:
a) Bewegung eines Leiters im ruhenden Magnetfeld: Ei = v B Ei = v B sin
b


U i = (v B)dl = vBl sin = U q
a
Spg. zwischen den Leitereneden

I B
b) Hallspannung: U H = RH RH = (Hallkonstante)
d

Das könnte Ihnen auch gefallen