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Prctica #1: Diodo semiconductor.

Ana Gabriela Fajardo Zacaras, Dayra Denisse Esparza Rodriguez, Javier Almanza Batres.
Ingeniera Biomdica.
Departamento: Sistemas Electrnicos.
Universidad Autnoma de Aguascalientes.
Direccin: Av Mahatma Gahndi No 6601, El Gigante, 20340 Aguascalientes, Ags.
Gaby._.fz@hotmail.com, dayradenisseesparza@gmail.com, batres_196@hotmail.com.

Resumen- En esta prctica se tratar de demostrar las alejndolos de la mencionada unin. Una unin PN no
propiedades bsicas de los diodos, tratando de vencer su barrera conectada a un circuito exterior queda bloqueada y en
de potencial, comprobar los valores descritos en su hoja de
equilibrio electrnico a temperatura constante. A esta unin se
descripcin y hacer pruebas con polarizacin en directa y en
inversa. le conoce como diodos semiconductores.

I. INTRODUCCIN
Los semiconductores son elementos que tienen una
II. OBJETIVOS
conductividad elctrica inferior a la de un conductor metlico
pero superior a la de un buen aislante. El semiconductor ms 1. Conocer los parmetros elctricos y/o especficos ms
utilizado es el silicio, que es el elemento ms abundante en la importantes para diodos.
naturaleza, despus del oxgeno. Otros semiconductores son 2. Comprender las diferentes aplicaciones de circuitos con
el germanio y el selenio. diodos

Semiconductores P y N
En la prctica, para mejorar la conductividad elctrica de los
semiconductores, se utilizan impurezas aadidas III. CONTENIDO Y DESARROLLO
voluntariamente. Esta operacin se denomina dopado.
TABLA 1
Cuando un elemento con cinco electrones de valencia entra en LISTA DE MATERIALES.
la red cristalina del silicio, se completan los cuatro electrones
de valencia que se precisan para llegar al equilibrio y queda MATERIALES
libre un quinto electrn que le hace mucho mejor conductor. Cantidad Concepto Descripcin Precio Tota
unitario l
De un semiconductor dopado con impurezas pentavalentes se
2 4N4001 Diodo de Silicio
dice que es de tipo N. 4N4007 Diodo de Germanio
2
2 Resistenci Resistencia de $1.125 $2.2
En cambio, si se introduce una impureza trivalente en la red a de 100 carbn de100 k 5
cristalina del silicio, se forman tres enlaces covalentes con k
tres tomos de silicio vecinos, quedando un cuarto tomo de 2 Resistenci Resistencia de $1.125 $2.2
a de 10 k carbn de10 k 5
silicio con un electrn sin enlazar, provocando un hueco en la
2 Resistenci Resistencia de $1.125 $2.2
red cristalina. De un semiconductor dopado con impurezas a de 1 k carbn de1k 5
trivalentes se dice que es de tipo P. 2 Resistenci Resistencia de $1.125 $2.2
a de 100 carbn de100 5
Unin PN 1 Fuente Instrumento que Lab N/A
Cuando a un material semiconductor se le introducen DC suministra voltaje o
regulada corriente
impurezas de tipo P por un lado e impurezas tipo N por otro, 1 Multmetr Instrumento de Lab N/A
se forma una unin PN . Los electrones libres de la regin N o medicin
ms prximos a la regin P se difunden en sta,
producindose la recombinacin con los huecos ms
prximos de dicha regin. En la regin N se crean iones
positivos y en la regin P se crean iones negativos. Por el TABLA2
CADA DE TENSIN, RESISTENCIA Y CONTINUIDAD
hecho de formar parte de una red cristalina, los iones
mencionados estn interaccionados entre s y, por tanto, no Mediciones Silicio Silicio Germanio Germanio
son libres para recombinarse. Por todo lo anterior, resulta una (Directo) (Inverso) (Directo) (Inverso)
carga espacial positiva en la regin N y otra negativa en la Cada de 0.537v 0v 0.336 v 0v
regin P, ambas junto a la unin. Esta distribucin de cargas tensin
en la unin establece una barrera de potencial que repele Resistividad 4.618 k 0 1.58 k 0
Continuidad 575 0 337.4 0
los huecos de la regin P y los electrones de la regin N
POLARIZACIN INVERSA POLARIZACIN DIRECTA

Fig. 1 Terminales del diodo de silicio

Fig. 4 Circuito con polarizacin directa del diodo

TABLA 5
VALORES OBTENIDOS EN EL DIODO DE SILICIO CON BASE AL
CIRCUITO DE LA FIG. 4.

DIODO DE SILICIO
Fig. 2 Tipo de polarizacin que puede estar sometido un diodo
VD ID (mA) VR VS (v) RB
(v) (v)
0.1 0 0 0.11 0.90909091

0.2 0 0 0.202 0.99009901


0.3 0 0 0.302 0.99337748

0.4 0.0097 0.00 0.412 0.97087379


9
0.5 0.1376 0.13 0.644 0.77639752
9
Fig.3 Circuito a realizar con polarizacin inversa 0.6 1.15 1.13 1.738 0.3452244
5
0.7 9.98 9.83 10.539 0.06641996
7
TABLA 3
VALORES OBTENIDOS EN EL DIODO DE SILICIO CON BASE AL 0.75 30.22 29.5 30.08 0.02493351
CIRCUITO DE LA FIG. 3.

DIODO DE SILICIO
TABLA 6
Vs (V) ID (mA) VD (V) VR (mV)
VALORES OBTENIDOS EN EL DIODO DE GERMANIO CON BASE
-0.1 0 0.1 0.007 AL CIRCUITO DE LA FIG. 4.
-0.5 0 0.5 0.009
-1.0 0 1.007 0.1 DIODO DE GERMANIO
-2.0 0 2.001 0.012 VD (V) ID (mA) VR (V) VS (V)
-3.0 0 3.004 0.08 0.1 0.0261 0.0273 0.128
-5.0 0 5.001 0.07
0.2 0.21 0.2061 0.468
-10.0 0 10.008 0.007
0.3 0.6 0.15895 0.891
-15.0 0 15.003 0.007
0.35 0.86 0.8533 1.204

TABLA 4
VALORES OBTENIDOS EN EL DIODO DE GERMANIO CON BASE TABLA 7
AL CIRCUITO DE LA FIG. 3. VALORES OBTENDIOS MEDIANTE EL CAMBIO DE LA
RESISTENCIA CON UN VOLTAJE FIJO DE 24 V EN EL DIODO
DIODO DE GERMANIO
Vs (V) ID (mA) VD (V) VR (V) DIODO DE SILICIO
0.1 1 A 97.886 mV 0.735 mV
RL () ID (mA) VD(V) VR (V)
0.5 1.2 A 0.497 V 1.115 mV 100 k 0.096 0.49 9.51
1.0 1.7 A 0.996 V 1.47 mV 10 k 0.955 0.59 9.41
2.0 2.2 A 1.996 V 1.975 mV 1 k 10.1 0.695 9.307
3.0 2.8 A 2.995 V 2.533 mV 100 94.05 0.78 9.18
5.0 3.8 A 4.995 V 3.628 mV
10.0 8 A 9.992 V 7.686 mV
15.0 15.8 A 14.985 V 15.26 mV
DIODOS EN PARALELO

GRFICA 1.

SE MUESTRA LA INTENSIDAD QUE ATRAVIESA EL DIODO DE


SILICIO (ID) A DIRENTES TEMPERATURAS CON BASE A LA
ECUACION DE SHOCKLEY

Fig.5 Circuito con diodos en paralelo


COMPARADA CON LA CORRIENTE DE SATURACIN (IS).

TABLA 8
MEDICIONES RESULTANTES BASADAS EN EL CIERCUITO DE LA
FIG .5

Vs (V) ID (mA) VN (V) VR (V)


0.4 0.879 0.309 0.08942
0.8 2.965 0.493 0.305
12 108.47 0.796 11.198

PRUEBAS DESTRUCTIVAS
En las dos pruebas destructivas la corriente y el voltaje tienen un aumento
de gran magnitud se puede mostrar como el diodo se calienta hasta el punto
de quedar casi inservible.

TABLA 9
VALORES OBTENIDOS EN UN CIRTUITO EN SERIE DE UNA
RESISTENCIA DE 100 OHMS Y UN DIODO CON POLARIZACION
DIRECTA, CON UN VOLTAJE FIJO DE 10 V.

ACTIVIDAD ANEXO
DIODO VD (v) ID (A) RB IV. OBSERVACIONES
SI 0.793 0.09108 8.706631533
GE 3.88 0.059 65.76271186 -Al realizar la prueba destructiva pudimos darnos cuenta de
que los diodos que calentaron llegando a un punto donde
prcticamente quedaron inservibles.
-En el diodo de silicio y germanio el ctodo est donde se
encuentra la lnea gris.
-Podemos identificar de manera prctica la forma de conectar
en polarizacin directa un diodo por medio de la continuidad,
medida que se obtiene con el multmetro.
-En la actividad anexo se deca que tericamente Rb deba ser
aproximadamente 0.23 ohm .
- La barrera de potencial de los diodos en manera prctica se
rompe antes del 0.7 en el de Si y 0.3 en el de Ge, esto se
puede comprobar debido a que existen un flujo de corriente.

V. CONCLISIONES
CONCLUSINES INDIVIDUALES

1. Se pudo comprobar que los diodos son semiconductores


dependiendo de las condiciones que estn expuestos.
Adems que puede existir o no cada de tensin, segn
la polarizacin que someta y as comprobar la determinar
si las terminales son nodos o ctodos.
Dayra Denisse Esparza
2. Se puede concluir que efectivamente el diodo de silicio y
germanio tienen un voltaje de polarizacin de .7 y .3
respectivamente que al ser rebasado comienzan a generar
una corriente.
Ana Gabriela Fajardo Zacarias

3. Se comprendi en su totalidad la aplicacin de los diodos


en circuitos elctricos donde tambin se usan resistores,
as como tambin se comprob que son correctas las
especificaciones y lo visto en teora sobre los diodos, sus
conceptos bsicos y su funcionamiento a nivel atmico.
Javier Almanza Batres

CONCLUSIN GENERAL
Pudimos observar de mejor manera el funcionamiento de los
diodos, y su forma de uso, llegando a la conclusin de que un
diodo de silicio es ms prctico debido a sus condiciones, son
ms duraderos y baratos. Tambin pudimos observar que
efectivamente se cumple con lo que la barrera de potencial
nos indica, ya que al ser sobrepasada esta barrera se comienza
a formar un flujo de corriente. Se pudieron encontrar algunas
variaciones en las mediciones con los resultados tericos
pero esto debido a varias condiciones incontrolables como el
clima etc.

BIBLIOGRAFAS
[1] http://www.etitudela.com/Electrotecnia/downloads/introduccion.pdf
[2] Electrnica, Teora de Circuitos. Robert Boylestad, Louis Nashelsky. 8
edicin, Editorial Pearson Prentice Hall Hispanoamericana Mxico
2003
[3] Malvino, Albert Paul, David J. Bates. Principios de Electrnica.
Sptima Edicin, Editorial McGraw-Hill. Ao 2007