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ESTRUCTURA ELECTRONICA DE LOS MATERIALES

Dr. Jos G. Murillo

1. Para qu valores de concentracin de portadores n0, p0 es mnima la conductividad de


un semiconductor? Cul es el valor del contenido neto de impurezas ( ND NA ) que
esto implica?

2.- Un semiconductor con un gap de energa Eg = 1 eV y masas efectivas de electrones y


huecos iguales mn = mp = m0 (m0 masa del electrn libre) est impurificado con una
concentracin p = 1018 cm-3 . El nivel de energa de aceptores se localiza 0.2 eV arriba
del borde superior de la banda de valencia.

a) Muestre que s el material fuera intrnseco su conductividad sera despreciable a


temperatura ambiente.
b) Calcule la conductividad del material a temperatura ambiente (300 K), si la
movilidad de huecos p = 100 cm2/Vs a 300 K.
c) Grafique el logaritmo de la concentracin de huecos, ln (p) como funcin del inverso
de la temperatura 1/T para el rango de temperaturas de 100 a 1000 K.

3. Explique cmo y porqu cambia la brecha de energa Eg en el silicio y en el germanio


cuando se incrementa la temperatura.

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