1. Para qu valores de concentracin de portadores n0, p0 es mnima la conductividad de
un semiconductor? Cul es el valor del contenido neto de impurezas ( ND NA ) que esto implica?
2.- Un semiconductor con un gap de energa Eg = 1 eV y masas efectivas de electrones y
huecos iguales mn = mp = m0 (m0 masa del electrn libre) est impurificado con una concentracin p = 1018 cm-3 . El nivel de energa de aceptores se localiza 0.2 eV arriba del borde superior de la banda de valencia.
a) Muestre que s el material fuera intrnseco su conductividad sera despreciable a
temperatura ambiente. b) Calcule la conductividad del material a temperatura ambiente (300 K), si la movilidad de huecos p = 100 cm2/Vs a 300 K. c) Grafique el logaritmo de la concentracin de huecos, ln (p) como funcin del inverso de la temperatura 1/T para el rango de temperaturas de 100 a 1000 K.
3. Explique cmo y porqu cambia la brecha de energa Eg en el silicio y en el germanio