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DE TAPACHULA
PROGRAMA EDUCATIVO
ING. ELECTROMECANICA
ASIGNATURA
ELECTRONICA DE POTENCIA
DOCENTE
ING. CAROLINA ANTONIO VELAZQUEZ
TRABAJO
UNIDAD 2
TRANSISTORES
ESTUDIANTES
KEVIN ANDRES PAEZ SALINAS
N CONTROL
14510568
INTRODUCCION .................................................................................................... 4
OBJETIVOS ............................................................................................................ 5
OBJETIVOS GENERALES .................................................................................. 5
OBJETIVOS ESPECIFICOS................................................................................ 5
TRANSISTORES .................................................................................................... 6
Rectificador controlado de silicio (SCR) ................................................................ 14
Parmetros del SCR. ......................................................................................... 16
Funcionamiento bsico del SCR........................................................................ 16
Operacin controlada del rectificador controlado de silicio ................................ 17
Aplicaciones del SCR ........................................................................................ 18
UJT (El transistor de Unijuntura) ........................................................................... 20
Aplicaciones del UJT ......................................................................................... 23
Triac ...................................................................................................................... 25
Funcionamiento del Triac................................................................................... 25
Aplicaciones Comunes ...................................................................................... 27
Parmetros Caractersticos ............................................................................... 28
Diac ....................................................................................................................... 30
Aplicaciones....................................................................................................... 31
CONCLUSION ...................................................................................................... 33
REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS ...................................................................... 34
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INDICE DE FIGURAS
Figura 1 Transistor - El tamao de un transistor guarda relacin con la potencia
que es capaz de manejar. ....................................................................................... 6
Figura 2 Tabla de Para metros ................................................................................ 8
Figura 3 Diagrama PV ........................................................................................... 10
Figura 4 Diagrama de Tiempos ............................................................................. 11
Figura 5 Ecuacin de Relaciones de Tiempo ........................................................ 11
Figura 6 parmetros a medir ................................................................................. 12
Figura 7 Regiones de Paralizacin ........................................................................ 13
Figura 8 Smbolo del tiristor................................................................................... 14
Figura 9 Tiristor. .................................................................................................... 15
Figura 10 SCR....................................................................................................... 15
Figura 11 Circuito Equivalente SCR ...................................................................... 16
Figura 12 Arreglos de SCR ................................................................................... 18
Figura 13 El transistor de Unijuntura ..................................................................... 20
Figura 14 Circuito Equivalente de UJT .................................................................. 21
Figura 15 Curva Caracterstica de un UJT ............................................................ 22
Figura 16 Generados de pulsos en diente de sierra mediante UJT ...................... 23
Figura 17 Control de velocidad de un motor mediante SCR y UJT ....................... 24
Figura 18 A1: Anodo 1, A2: Anodo 2, G: Compuerta ............................................ 25
Figura 19 Circulacin de la corriente ..................................................................... 26
Figura 20 Variaciones del Triac ............................................................................. 27
Figura 21 Smbolo de las terminales ..................................................................... 30
Figura 22 Cuadrantes de la corriente .................................................................... 30
Figura 23 Circuito empleando Diac ....................................................................... 32
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INTRODUCCION
Dentro de los dispositivos electrnicos de potencia, podemos citar: los diodos y
transistores de potencia, el tiristor, as como otros derivados de stos, tales como
los triac, diac, conmutador unilateral o SUS, transistor uniunin o UJT, el transistor
uniunin programable o PUT y el diodo Shockley.
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OBJETIVOS
OBJETIVOS GENERALES
OBJETIVOS ESPECIFICOS
Conocer sus aplicaciones en componentes para electrnica as como
conocer su documentacin.
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TRANSISTORES
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor utilizado para entregar
una seal de salida en respuesta a una seal de entrada. Cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino transistor es la
contraccin en ingls de transfer resistor (resistor de transferencia).
Actualmente se encuentra prcticamente en todos los aparatos electrnicos de
uso diario tales como radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes
de cuarzo, computadoras, lmparas fluorescentes, tomgrafos, telfonos
celulares, aunque casi siempre dentro de los llamados circuitos integrados.
Figura 1 Transistor - El tamao de un transistor guarda relacin con la potencia que es capaz de
manejar.
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En el diseo de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo,32
a diferencia de los resistores, condensadores e inductores que son elementos
pasivos.
Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la integracin a
gran escala disponible hoy en da; para tener una idea aproximada pueden
fabricarse varios cientos de miles de transistores interconectados, por centmetro
cuadrado y en varias capas superpuestas.
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Transistor de Potencia
bipolar.
unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo).
IGBT.
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Nos interesa que el transistor se parezca, lo ms posible, a un elemento ideal:
Pequeas fugas.
Alta potencia.
Bajos tiempos de respuesta (ton , toff), para conseguir una alta frecuencia
de funcionamiento.
Alta concentracin de intensidad por unidad de superficie del
semiconductor.
Que el efecto avalancha se produzca a un valor elevado ( VCE mxima
elevada).
Que no se produzcan puntos calientes (grandes di/dt ).
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En resumen, destacamos tres cosas fundamentales:
Tiempos de conmutacin
Figura 3 Diagrama PV
Tiempo de retardo (Delay Time, td): Es el tiempo que transcurre desde el instante
en que se aplica la seal de entrada en el dispositivo conmutador, hasta que la
seal de salida alcanza el 10% de su valor final.
Tiempo de subida (Rise time, tr): Tiempo que emplea la seal de salida en
evolucionar entre el 10% y el 90% de su valor final.
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Figura 4 Diagrama de Tiempos
Tiempo de almacenamiento (Storage time, ts): Tiempo que transcurre desde que
se quita la excitacin de entrada y el instante en que la seal de salida baja al 90%
de su valor final.
Tiempo de cada (Fall time, tf): Tiempo que emplea la seal de salida en
evolucionar entre el 90% y el 10% de su valor final.
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Otros parmetros importantes
VCBO: tensin entre los terminales colector y base cuando el emisor est en
circuito abierto.
VEBO: tensin entre los terminales emisor y base con el colector en circuito
abierto.
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Estado de saturacin: queda determinado por una cada de tensin prcticamente
constante. VCEsat entre colector y emisor en el bipolar y resistencia de
conduccin RDSon en el FET. Este valor, junto con el de corriente mxima,
determina la potencia mxima de disipacin en saturacin.
Modos de trabajo
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Rectificador controlado de silicio (SCR)
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Cuando se produce una variacin brusca de tensin entre nodo y ctodo de un
tiristor, ste puede dispararse y entrar en conduccin aun sin corriente de puerta.
Por ello se da como caracterstica la tasa mxima de subida de tensin que
permite mantener bloqueado el SCR. Este efecto se produce debido al
condensador parsito existente entre la puerta y el nodo.
Figura 9 Tiristor.
Tiristor tetrodo
Son tiristores con dos electrodos de disparo: puerta de nodo (anode gate) y
puerta de ctodo (cathode gate). El BRY39 es un tiristor tetrodo
Figura 10 SCR
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Parmetros del SCR.
VRDM: Mximo voltaje inverso de cebado (VG = 0)
VFOM: Mximo voltaje directo sin cebado (VG = 0)
IF: Mxima corriente directa permitida.
PG: Mxima disipacin de potencia entre compuerta y ctodo.
VGT-IGT: Mximo voltaje o corriente requerida en la compuerta (G) para el
cebado
IH: Mnima corriente de nodo requerida para mantener cebado el SCR
dv/dt: Mxima variacin de voltaje sin producir cebado.
di/dt: Mxima variacin de corriente aceptada antes de destruir el SCR
IB1 es la corriente base del transistor Q1 y causa que exista una corriente de
colector de Q1 (IC1) que a su vez alimenta la base del transistor Q2 (IB2), este a
su vez causa ms corriente en IC2, que es lo mismos que IB1 en la base de Q1.
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Operacin controlada del rectificador controlado de silicio
El flujo de corriente promedio para una carga puede ser controlado colocando un
SCR en serie con la carga. Este arreglo es presentado en la figura 12. La
alimentaci6n de voltaje es comnmente una fuente de 60-Hz de CA, pero puede
ser de CD en circuitos especiales.
Si la alimentacin de voltaje es de CA, el SCR pasa una cierta parte del tiempo del
ciclo de CA en el estado ON, y el resto del tiempo en el estado OFF. Para una
fuente de 60-Hz de CA, el tiempo del ciclo es de 16.67 ms. Son estos 16.67 ms los
que se dividen entre el tiempo que est en ON y el tiempo que est en OFF. La
cantidad de tiempo que est en cada estado es controlado por el disparador.
Si una porcin pequea del tiempo est en el estado ON, la corriente promedio
que pasa a la carga es pequea. Esto es porque la corriente puede fluir de la
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fuente, a travs del SCR, y a la carga, slo por una porcin relativamente pequea
del tiempo. Si la seal de la compuerta es cambiada para hacer que el SCR este
en ON por un periodo ms largo del tiempo, entonces la corriente de carga
promedio ser mayor. Esto es porque la corriente ahora puede fluir de la fuente, a
travs del SCR, y a la carga, por un tiempo relativamente mayor. De esta manera,
la corriente para la carga puede variarse ajustando la porcin del tiempo del ciclo
que el SCR permanece encendido.
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Por lo anteriormente sealado el SCR tiene una gran variedad de aplicaciones,
entre ellas estn las siguientes:
Controles de relevador.
Interruptores estticos.
Controles de motores.
Recortadores.
Inversores.
Ciclo conversores.
Cargadores de bateras.
Circuitos de proteccin.
Controles de calefaccin.
Controles de fase.
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UJT (El transistor de Unijuntura)
El UJT es un componente que posee tres terminales: dos bases y un emisor, tal
como se muestra en la siguiente figura:
Esto hace que la resistencia entre las dos bases RBB sea muy alta cuando el
diodo del emisor no conduce. Para entender mejor cmo funciona este dispositivo,
vamos a valernos del circuito equivalente de la figura siguiente:
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Figura 14 Circuito Equivalente de UJT
Si en estas condiciones aplicamos una tensin de alimentacin VBB entre las dos
bases, la tensin que aparece entre el emisor y la base ser la que corresponda
en el circuito equivalente a R1; es decir, en el divisor de tensin se cumplir que:
As, por ejemplo, si un UJT posee una relacin intrnseca caracterstica igual a
0,85 y queremos determinar la tensin que aparecer entre el terminal de emisor y
la base 1 al aplicar 12V entre bases, bastar con operar de la siguiente forma:
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Al valor de V1 se le conoce como tensin intrnseca, y es aqulla que hay que
aplicar para que el diodo comience a conducir. En nuestro ejemplo, si aplicamos
una tensin de 8V al emisor, ste no conducir, ya que en el ctodo del diodo D
existe un potencial positivo de 10,2V correspondiente a la tensin intrnseca, por lo
que dicho diodo permanecer polarizado inversamente. Sin embargo, si aplicamos
una tensin superior a 10,9V (los 10,2V de V1 ms 0,7V de la tensin de barrera
del diodo D), el diodo comenzar a conducir, producindose el disparo o
encendido del UJT. En resumen, para conseguir que el UJT entre en estado de
conduccin es necesario aplicar al emisor una tensin superior a la intrnseca.
Una vez que conseguimos que el diodo conduzca, por efecto de una tensin de
polarizacin directa del emisor respecto a la base 1, los portadores mayoritarios
del cristal P (huecos) inundan el tramo de cristal de tipo N comprendido entre el
emisor y dicha base (recordar que el cristal P est fuertemente contaminado con
impurezas y el N dbilmente). Este efecto produce una disminucin repentina de la
resistencia R1 y, con ella, una reduccin de la cada de tensin en la base 1
respecto del emisor, lo que hace que la corriente de emisor aumente
considerablemente.
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Mientras la corriente de emisor sea superior a la de mantenimiento (Iv), el diodo
permanecer en conduccin como si de un biestable se tratase. Esta corriente se
especifica normalmente en las hojas de caractersticas y suele ser del orden de
5mA.
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Su funcionamiento es como sigue: Al aplicar una tensin VCC al circuito serie R-C,
formado por la resistencia variable RS y el condensador CS, dicho condensador
comienza a cargarse. Como este condensador est conectado al emisor, cuando
se supere la tensin intrnseca, el UJT entrar en conduccin. Debido a que el
valor hmico de la resistencia R1 es muy pequeo, el condensador se descargar
rpidamente, y en el terminal de B1 aparecer un impulso de tensin. Al disminuir
la corriente de descarga del condensador, sobre el emisor del UJT, por debajo de
la de mantenimiento, ste se desceba y comienza otro nuevo ciclo de carga y
descarga del condensador. As, se consigue que en el terminal de la base 1
aparezca una seal pulsante en forma de diente de sierra, que puede utilizarse
para controlar los tiempos de disparo de un SCR o de un TRIAC. Para regular el
tiempo de disparo es suficiente con modificar el valor hmico de la resistencia
variable RS, ya que de sta depende la constante de tiempo de carga del
condensador.
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Triac
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Figura 19 Circulacin de la corriente
Dnde:
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T: Triac
A2: Anodo 2
A3: Anodo 3
G: Gate, puerta o compuerta
Aplicaciones Comunes
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Se utilizan TRIACs de baja potencia en muchas aplicaciones como atenuadores
de luz, controles de velocidad para motores elctricos, y en los sistemas de control
computarizado de muchos elementos caseros. No obstante, cuando se utiliza con
cargas inductivas como motores elctricos, se deben tomar las precauciones
necesarias para asegurarse que el TRIAC se apague correctamente al final de
cada semiciclo de la onda de Corriente alterna.
VENTAJAS
DESVENTAJAS
Parmetros Caractersticos
En este captulo explicaremos cuales son los parmetros caractersticos que
definen al TRIAC y que podremos encontrar en un DataSheet. No en todos los
datasheet encontraremos todos los parmetros, pero en general estos son los mas
comunes.
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VDSM: Es el voltaje repetitivo de pico mximo permitido en condiciones de pulso
que soporta el dispositivo. No proporcionada
VGD: Es la tension maxima que se puede aplicar entre puerta y uno de los
terminales sin causar un encendido del dispositivo accidental. 0.2V
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Diac
El TRIAC tiene dos terminales: MT1 y MT2. Ver el diagrama. El DIAC se comporta
como dos diodos zener conectados en serie, pero orientados en formas opuestas.
La conduccin se da cuando se ha superado el valor de tensin del zener que est
conectado en sentido opuesto.
El DIAC normalmente no conduce, sino que tiene una pequea corriente de fuga.
La conduccin aparece cuando la tensin de disparo se alcanza.
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Cuando la tensin de disparo se alcanza, la tensin en el DIAC se reduce y entra
en conduccin dejando pasar la corriente necesaria para el disparo del SCR o
TRIAC. Se utiliza principalmente en aplicaciones de control de potencia mediante
control de fase. La curva caracterstica del DIAC se muestra a continuacin.
Tensin de disparo.
Corriente de disparo.
Tensin de simetra.
Tensin de recuperacin.
Disipacin de potencia (Los DIACs se fabrican con capacidad de disipar
potencia de 0.5 a 1 watt.)
Aplicaciones
Se emplea normalmente en circuitos que realizan un control de fase de la corriente
del triac, de forma que solo se aplica tensin a la carga durante una fraccin de
ciclo de la alterna. Estos sistemas se utilizan para el control de iluminacin con
intensidad variable, calefaccin elctrica con regulacin de temperatura y algunos
controles de velocidad de motores.
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Figura 23 Circuito empleando Diac
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CONCLUSION
Un SCR posee tres conexiones: nodo, ctodo y puerta. La puerta es la
encargada de controlar el paso de corriente entre el nodo y el ctodo. Funciona
bsicamente como un diodo rectificador controlado, permitiendo circular la
corriente en un solo sentido. Mientras no se aplique ninguna tensin en la puerta
del SCR no se inicia la conduccin y en el instante en que se aplique dicha
tensin, el tiristor comienza a conducir. El pulso de disparo ha de ser de una
duracin considerable, o bien, repetitivo. Segn se atrase o adelante ste, se
controla la corriente que pasa a la carga. Una vez arrancado, podemos anular la
tensin de puerta y el tiristor continuar conduciendo hasta que la corriente de
carga disminuya por debajo de la corriente de mantenimiento. Trabajando en
corriente alterna el SCR se desexcita en cada alternancia o semiciclo. Trabajando
en corriente continua, se necesita un circuito de bloqueo forzado.
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REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS
http://proton.ucting.udg.mx/temas/circuitos/omar/Omar.htm
http://es.wikipedia.org/wiki/Rectificador_controlado_de_silicio
http://www.viasatelital.com/proyectos_electronicos/scr.htm
http://www.unicrom.com/Tut_scr.asp
http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_General/transistoresUJT.html
https://unicrom.com/triac-scr-control-de-potencia-en-ac/
https://es.wikibooks.org/wiki/Electr%C3%B3nica_de_Potencia/TRIAC/Aplicaciones
_Comunes
https://es.wikibooks.org/wiki/Electr%C3%B3nica_de_Potencia/TRIAC/Par%C3%A1
metros_Caracteristicos
https://www.ecured.cu/DIAC
https://unicrom.com/diac-diodo-disparo-bidireccional/
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