Tiristores

31 de octubre de 2017

Nicols Ospina Mendivelso

Hugo Andrs Martnez Daz
Facultad de Ingeniera, Departamento de Ingeniera Elctrica y
Electrnica
Universidad Nacional de Colombia - Sede Bogot
 Agenda I
1 Definicin
2 Construccin
Estructura y concentracin tpica de dopaje
Formacin de la regin de agotamiento
3 Caractersticas bsicas
Curva caracterstica
4 Familias
SCR
GTO
DIAC
TRIAC
RCT
5 Aplicaciones
6 Bibliografa
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 Definicin

Que es?

Es un elemento semiconductor diseado

para soportar alto voltaje y grandes
corrientes.
Son principalmente usados en
aplicaciones de encendido apagado
(conmutacin).

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Tanto portadores de carga mayoritario
como portadores de carga minoritarios
se involucran en el proceso de
transporte de carga
Rangos de operacin en tensin por
encima de los 10 kV
Rangos de operacin de corriente de
miliamperio a 5kA
Consecuentemente se pueden controlar
potencias de 40 MW

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 Construccin

Estructura y concentracin tpica de dopaje

Figura: Estructura esquemtica de un

tiristor, tres uniones p-n J1, J2 y J3
Figura: Perfil tpico de dopado del tiristor

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 Construccin

Formacin de la regin de agotamiento

Figura: Representacin grfica del perfil de dopado en el tiristor

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 Construccin

Estructura y concentracin tpica de dopaje

Figura: Conformacin de la regin de

agotamiento

Figura: Desplazamiento por difusin

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 Construccin

Construccin fsica

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 Construccin

Materiales

Aplicaciones
I Carburo de silicio (SiC ).
I Voltajes de operacion mas
I Dixido de silicio (SiO2 ).
altos.
I Nitruro de aluminio (AlN). I Funcionan a frecuencias mas
I Nitruro de galio (GaN). altas.
I Nitruro de boro (BN). I Pueden soportar
I Diamante (C ). temperaturas mas altas.

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Caractersticas bsicas
Polarizacin directa
Polarizacin inversa

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 Caractersticas bsicas

Curva caracterstica

I VBF = Voltaje de
ruptura en directo.
I VAK = Voltaje
entre nodo y
ctodo.
I Is Corriente de
encendido.
I Ih Corriente de
conduccin.
I Vh Voltaje de
conduccin.
I VBR Voltaje de
ruptura en inverso.
I Ig Corriente de
compuerta. Figura: Curvas caractersticas de corriente y voltaje del
tiristor, el valor de VBF puede cambiarse con la corriente Ig
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 Caractersticas bsicas

Polarizacion inversa

I Cuando se polariza el tiristor de

manera inversa, las uniones J1 y J3
quedan polarizadas en inverso,
mientras que la unin J2 queda en
directo.
I La unin J3 se encuentra
fuertemente dopada por lo que
puede soportar voltajes relativamente
pequeos, la mayor parte del voltaje
negativo aplicado es soportado por
las uniones P+ y N de deriva.

Figura: Condicin de polarizacin en

inversa

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 Caractersticas bsicas

Polarizacion inversa

Figura: Crecimiento de la regin de

agotamiento ante polarizacin inversa

Figura: Esquema de polarizacin inversa

en la unin J1 J3

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 Caractersticas bsicas

Polarizacion inversa

I Inversamente proporcional a
la concentracin de
portadores, menor dopado
mayor es el voltaje de
ruptura.
I Una regin de agotamiento
pequea es inaceptable
debido a que esta
incrementa la cada de
voltaje de encendido del
tiristor.
I Figura: Distribucin del campo elctrico durante el
bloqueo en inversa
3/4
BVpp = 5,34 1013 ND

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 Caractersticas bsicas

Polarizacion inversa

I Esto sucede si la regin N

de deriva se deja
pobremente dopada.
I Condicin de alcance: Unin
de las regiones de
agotamiento de J1 y J2 se
unen provocando una
inyeccin de huecos que
trae consigo un incremento
abrupto en la corriente del
nodo.
I
qND 2 Figura: Distribucin del campo elctrico durante el
BVRT = Wn bloqueo en inversa
2s

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 Caractersticas bsicas

Polarizacion inversa

Esta compuesta por la corriente del

ctodo amplificada por la ganan-
cia del transistor PNP y la corriente
de fuga generada por difusin en la
creacin de la zona de agotamiento

IA = PNP IK + IL = IK

IL
IA =
1 PNP Figura: Distribucin del campo elctrico durante el
bloqueo en inversa

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 Caractersticas bsicas

Polarizacion directa

I Cuando se polariza el tiristor de

manera directa, las uniones J1 y J3
quedan polarizadas en directo,
mientras que la unin J2 queda en
inverso.
I En la unin J2 la porcin P es la que
se encuentra mas dopada, por ende
la mayora del voltaje aplicado
recaer sobre la regin N de deriva.

Figura: Condicin de polarizacin en

directa

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 Caractersticas bsicas

Polarizacion directa

Figura: Crecimiento de la regin de

agotamiento ante polarizacin directa

Figura: Esquema de polarizacin inversa

en la unin J2

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 Caractersticas bsicas

Bloqueo en directa
I

q NAP (NAP + ND ) 2
BVRT ,P = WP
2s ND

I
3/4
BVPP = 5,34x 101 3ND
I
qND 2
BVRT ,N = WN
2s
I
IL
IA =
1 PNP PNP
(En bloqueo)
I Figura: Distribucin del campo elctrico
NPN IG + IL durante el bloqueo en directa [?]
IA =
1 PNP PNP
(En Conduccin)
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 Caractersticas bsicas

Bloqueo en directa

Esta compuesta por la corriente del

nodo amplificada por la ganancia
del transistor PNP, la corriente del
ctodo amplificada por el transistor
NPN y la corriente de fuga genera-
da por difusin en la creacin de la
zona de agotamiento.

IA = NPN IK + PNP IA + IL = IK

IL Figura: Distribucin del campo elctrico durante el

IA =
1 (NPN + PNP ) bloqueo en inversa

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 Caractersticas bsicas

Conduccin en directa

Figura: Primera parte voltaje en la

conexin de mando
Figura: Movimiento de los portadores en
la unin pn

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 Caractersticas bsicas

Conduccin en directa

Figura: Segunda parte voltaje en la

conexin de mando Figura: Movimiento de los portadores en
la unin pn

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 Caractersticas bsicas

Conduccin en directa

Figura: Tercera parte voltaje en la Figura: Movimiento de los portadores en

conexin de mando la unin pn

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 Caractersticas bsicas

Conduccin en directa

Figura: cuarta parte voltaje en la

conexin de mando Figura: Movimiento de los portadores en
la unin pn

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 Caractersticas bsicas

Conduccin en directa

Figura: Accin regenerativa e inundacin de la unin PN J2 por el cebado

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 Caractersticas bsicas

Conduccin en directa

Esta compuesta por la corriente del

nodo amplificada por la ganancia
del transistor PNP, la corriente del
ctodo amplificada por el transistor
NPN y la corriente de fuga genera-
da por difusin en la creacin de la
zona de agotamiento, cabe recor-
dar que la corriente del ctodo sera
la corriente de nodo sumada con
la corriente de compuerta.

IA = NPN IK + PNP IA + IL

IA = NPN (IA +IG )+PNP IA +IL Figura: Distribucin del campo elctrico durante el
bloqueo en inversa
NPN IG + IL
IA =
1 (NPN + PNP )

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 Caractersticas bsicas

Ejercicio

Procedimiento y conclusiones

Considere un tiristor cuyas corrientes de fu- (0,4 + 0,6) 103

ga I1 e I2 son 0.4 y 0.6 mA respectivamen- I= = 1,01mA
1 0,01
te, explique las caractersticas de bloqueo en
directo cuando (PNP y NPN ) son 0.01 y
En este caso la corriente que pasa a travs
0.9999.
del dispositivo es la suma de las corrientes
Solucin
de fuga.
Las ganancias de corriente son directamen-
te proporcionales a la corriente que pasa
a travs del dispositivo, a corrientes bajas (0,4 + 0,6) 103
I= = 10A
PNP + NPN sera muy inferior a uno, a me- 1 0,9999
dida que la corriente crezca este valor ser
muy prximo a uno. El voltaje aplicado incrementa por ende la
Ecuaciones corriente I tambin incrementa.
A medida que el valor de las ganancias se
IL aproxima a uno la corriente que pasa a tra-
I=
1 (PNP + NPN ) vs del dispositivo crece sin limites, lo que
indica que el dispositivo esta conduciendo
en directa.
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 Familias

Tipos de tiristores

Basado en la capacidad de control del encendido y apagado, las

estructures de los tiristores pueden clasificarse en los siguientes
tipos:

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 Familias

Silicon Controlled Rectifier (SCR)

Es un dispositivo unidireccional que posee tres conexiones (A,K,G)

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 Familias

Gate Turn-Off (GTO)

Al igual que el SCR el dispositivo se enciende por un pulso en G,

pero puede ser apagado con un pulso negativo por el mismo
terminal.

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 Familias

Diode Alterning Current (DIAC)

Es un diodo bi-direccional de
auto-encendido que conduce slo
despus de haberse superado su tensin
de disparo.

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 Familias

DIAC

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 Familias

Triode for Alternating Current (TRIAC)

Al igual que el DIAC es un dispositivo bi-direccional con la

diferencia que el encendido se realiza por medio de la compuerta G

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 Familias

Reverse Conducting Thyristor (RCT)

Se compone de un diodo
conectado en antiparalelo a
travs de un SCR lo que permite
un flujo de corriente inversa
debida a una carga inductiva.

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Aplicaciones

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 Aplicaciones

Aplicaciones

Design and Development of Self Tuning Controller for TCSC

to Damp Inter Harmonic Oscillation
M. DilipKumara, P.Sujathab
14 de septiembre de 2017

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 Aplicaciones

Necesidades

I India no tiene la infraestructura de

transmisin necesaria para evacuar
toda la energa generada, por ende
las lineas son llevadas casi a sus
limites.
I Cambios aleatorios en la carga
pueden generar perturbaciones en la
red.
I Muchos sistemas interceptados
Figura: Diagrama de lineas del sistema de
requieren no solo amortiguar dos redes
oscilaciones de modo local sino las
asociadas a la interaccin del
sistema en si.

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 Aplicaciones

Uso del tiristor

I Reduce la cada de voltaje de la

linea.
I Limita la influencia de la impedancia
en la caida de voltaje.
I Incrementa la eficiencia de la
transferencia de potencia
I Reduce el angulo de transmisin.
I Brinda estabilidad del sistema
Figura: Modelo bsico de un TCSC

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 Aplicaciones

Solucion propuesta

Figura: Controlador PI
Figura: Controlador autosintonizable

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 Aplicaciones

Resultados obtenidos

Figura: Controlador PI con tiempo de Figura: Controlador autosintonizable con

establecimiento de 1.162 seg tiempo de establecimiento de 1.09 seg

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Bibliografa
[1] A. Blicher. Thyristor physics, 1st ed, New York:
Springer-Verlag; 1976; pp 1-24, 46-182.
[2] B. Jayant Baliga. Fundamental of power semiconductor
devices. 1st ed. North Carolina: Springer; 2008; pp 625-733.
[3] R. Perret. Power Electronics Semiconductor Devices. 1st ed.
U.K.: Wiley & Sons; 2009; p 507.
[4] S. M. Sze y M. K. Lee. Semiconductor Devices: Physics and
Technology. 3rd ed. John Wiley & Sons, Inc; 2010; pp 149-155.
[5] http://www.electronicshub.org/
flexible-ac-transmission-systemfacts/
[6] I. Poole. Thyristor Structure & Fabrication.
http://www.radio-electronics.com/info/data/
semicond/thyristor/structure-fabrication.php
Gracias por su atencin
Preguntas?