UNIVERSIDAD TECNOLGICA DEL PER

CURSO
Circuitos Amplificadores

LABORATORIO 1
Simetra Complementaria

Profesor
RUELAS ALVARADO, Saul

Alumnos

Lima, 13 de octubre 2017

 ndice

1. Objetivo

1.1. Objetivo del Proyecto

1.2. Alcance del Proyecto

1.3. Caractersticas de la Vivienda

1.4. Normativa

2. Fundamento Terico

2.1. Prepolarizacin de base

3. Circuito

4. Equipos y Materiales

5. Procedimiento

6. Cuestionario

7. Observaciones

8. Conclusiones

9. Referencia Bibliogrfica
1. OBJETIVO

Estudio del funcionamiento del amplificador de simetra complementaria

2. FUNDAMENTO TEORICO

Los transistores tipos PNP y NPN, pueden usarse ambos en los circuitos
de simetra complementaria para obtener todas las ventajas de los
amplificadores push-pull convencionales, sumadas a las que surgen del
acoplamiento directo.

Se denominan transistores complementarios a un par de transistores tipo

PNP y NPN cuyas caractersticas de ganancia, potencia, etc., sean
iguales o muy similares.

Estos transistores pueden conectarse en serie siempre que se respete el

sentido de conduccin de cada uno de ellos. En la figura 1 se observa que
el colector del transistor NPN est conectado al potencial positivo de la
fuente de alimentacin mientras que el colector del transistor PNP est
conectado al potencial negativo (masa) de la misma.

figura 1. Transistores complementarios.

Esta disposicin permite realizar un amplificador clase B de un modo
sencillo.

Si se ingresa una seal alterna a la unin de las bases de los transistores,

cuando la seal alterna toma valores positivos, la base del transistor TR1
es ms positiva que el emisor y puede circular corriente. En cambio, el
diodo base-emisor del transistor TR2 queda polarizado en sentido inverso
(base ms positiva que su emisor en un transistor PNP). Esto significa
que durante el medio ciclo positivo conduce solamente el transistor TR1.

figura 2. Seal alterna en sus dos semiciclos.

Durante el semiciclo negativo la situacin se invierte. La base de TR1 es

menos positiva que el emisor y el transistor queda bloqueado. En cambio,
el diodo base-emisor de TR2 se polariza en sentido de conduccin (base
menos positiva que emisor en un transistor PNP) y el transistor conduce.

Como puede observarse, el circuito es totalmente simtrico ya que ambos

transistores trabajan de la misma manera en su respectivo semiciclo.

La nica diferencia radica en que las corrientes de colector (Ic1 e Ic2)

circularn en sentido opuesto por el parlante, reproduciendo el ciclo
completo de la seal de entrada. Esto lo podemos ver en la figura 3.
figura 3. Transistor complementario en sus dos semiciclos. Vase la diferencia en el sentido de la corriente
de colector en ambos semiciclos.

Prepolarizacin de base

El diodo base-emisor de los transistores reales presenta una fuerte

alinealidad al comienzo de la conduccin. Aplicando tensiones pequeas
el diodo prcticamente no conduce. Recin comienza a hacerlo cuando
se supera un cierto valor (VBO) que es de 200 mV en los transistores de
germanio y de 700 mV en los de silicio.

figura 4. Trabajo de un transistor de silicio.

Debido a esto existe una zona alrededor del eje cero de la seal en la cual
ninguno de los dos transistores conduce, lo que acarrea una deformacin
conocida como distorsin por cruce, la cual podemos ver en la figura 5.
 figura 5. Distorsin por cruce de una onda alterna debido al funcionamiento de los transistores.

Se evita esta distorsin superponiendo a la seal que recibe cada

transistor, una pequea tensin positiva del mismo orden que VBO.

3. CIRCUITO

figura 6. Circuito a realizar en la presente experiencia de laboratorio.

4. EQUIPOS Y MATERIALES

Osciloscopio
Generador de seales
2 fuentes de alimentacin
Resistores10k,1K,220
Un lm741
Transistores 2N222 y 2N3906
Multmetro

5. PROCEDIMIENTO

Poner: = 0

MEDICIONES EN DC Valor en
Valor Experimental
simulacin
Mida la tensin en el
VE= 11.4mV
punto E respecto a tierra 0.5 mV

Mida la tensin en el
VB=555.325mV
punto B respecto a tierra 0.54 mV

Mida la tensin en el pin

V2= 944.628uV
2 del 741 10 mV

Mida la tensin en el pin

V3=-52.6uV
3 del 741 0.3 mV
Aplique la seal de entrada Vg con frecuencia de 1Khz, Aumente Vg hasta
que se obtenga mxima excursin simtrica en la salida. Anote los valores
pico:

Simulacin Experimental

Vg= 10Vp 10 Vpp

Vsalida=9.97V
20 V

Dibuje las formas de onda en los puntos B y E

Onda en el punto B

figura 7. Onda en el punto B del circuito.

Onda el punto E

figura 8. Onda en el punto E del circuito.

 con el nivel de Vg del paso 3 mida la respuesta en frecuencia del circuito:

simulacin
F(Hz) 100 500 1K 2K 5K 10K 20K 30K 50K 70K 100K
Vsalida 22.2
( )

Valores experimentales
F(hz) 100 500 1K 2K 5K 10K 20K 30K 50K 70K 100K
Vsalida
( )

Grficos de 100 Hz hasta 5 khz

A partir de 10 kHz se deforma la seal de salida

 Frecuencia 30 kHz

Frecuencia 50 kHz

Frecuencia 70 kHz

Frecuencia 100 kHz

 Desconecte el resistor R4, de 10K del punto E y conectado al punto B.
Reduzca Vg para obtener en la salida 3 Voltios pico.

Dibuje la forma de onda de salida

Dibuje la forma de onda en el punto B

6. CUESTIONARIO

a. Por qu la tensin pico de salida no llega a ser igual a la tensin

de la fuente?

Al no ser un circuito que cuentan con componentes ideales las

tensiones de salida variarn.

b. Por qu las tensiones en pines 2 y 3 del operacional tienden a

ser iguales?
Los pines 2 y 3 del lm741 son las entradas inversoras y no inversoras.
Con Vg=0 las tensiones de entrada son 0 voltios, por lo tanto, el voltaje
en los pines se aproxima a cero.

c. Porque la tensin de seal de salida est en fase con la entrada

El amplificador del tipo seguidor-emisivo (colector a masa): la tensin

de salida es de la misma fase y amplitud que la tensin de entrada.

d. Haga el grafico de la respuesta de frecuencia de la ganancia y

explique por qu tiene la forma medida?

Porque a frecuencias mayores aproximadas a 10 KHz la seal se

deformando y con esa tambin va disminuyendo la ganancia en
comparacin de la entrada con la salida mientras que en frecuencias
menores de a 10KHz la comparacin de la seal de entrada con la
salida se mantiene constante, al mantenerse constante dentro del
rango aproximado menores a 10KHZ se observa que la ganancia en
estos amplificadores es unitaria
7. OBSERVACIONES

La carga ser de acoplamiento directo. Cuando la seal de entrada es

positiva, el voltaje en el emisor de Q1 es levemente menor que en la
entrada, haciendo conducir este y dejando en corte Q2. Cuando el
voltaje de entrada es negativo conduce Q2, quedando en corte Q1.

La particularidad que tiene un amplificador en una configuracin de

colector comn en alterna, la seal de entrada se aplica por la base y
la seal de salida se toma por el emisor
La amplificacin de voltaje en una configuracin de colector comn es
menor a un 98%, pero la ganancia en corriente si es alta.

8. CONCLUSIONES

Se llama complementaria porque un transistor es PNP y el otro NPN,

uno trabaja con la parte positiva y la otra con la parte negativa, luego
se unen y vuelve a generar la onda original pero amplificada en
corriente.

El problema de la configuracin es que la onda de salida tiene

distorsin debido a que los transistores no empiezan a conducir
inmediatamente, dado que la seal en la base debe sobrepasar el
umbral Vbe. El semi ciclo de la salida no es una sinusoide perfecta.

A travs de la prctica de laboratorio realizado se pudo verificar el

funcionamiento de un amplificador de simetra complementaria en el
cual se pudo comprobar el tipo de amplificacin que este genera, y
teniendo en cuenta la mxima excursin sin distorsin se vari la
frecuencia observndose que a un determinado valor de este se
generaba distorsin de cruce por cero en la seal de salida como fue
en este caso a partir de 10Khz.
9. REFERENCIA BIBLIOGRAFICA

Boylestad, Robert, Electrnica: Teora de Circuitos, sexta edicin.

Prentice-Hall Hispanoamericana, S. A. 1997

Savant Jr, Diseo electrnico y sistemas. Tercera edicin, Pearson

educacin, Mxico ,2000