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SOLIDIFICACIN METLICA
1 INTRODUCCIN
Las sustancias pueden clasificarse como amorfas o cristalinas. En el estado amorfo, los tomos se
encuentran mezclados de una manera completamente desordenada, y sus posiciones no guardan una
relacin especfica con la de sus vecinos. La estructura cristalina, por su parte, consiste en tomos
dispuestos segn un orden geomtrico regular. La
disposicin vara, segn veremos, de una a otra
sustancia.
Todos los slidos verdaderos son de naturaleza
cristalina. Este hecho explica hasta cierto punto su
rigidez, ya que el ordenamiento de los tomos,
siguiendo un patrn geomtrico, hace ms difcil la
distorsin de la estructura de un slido. Si un slido
se somete a esfuerzos inferiores a su lmite elstico,
cualquier distorsin producida es temporal y, cuando
se retira el esfuerzo, el slido retorna a su forma
original. As pues, la remocin del esfuerzo conduce
a la remocin de la deformacin, y decimos que la
sustancia es elstica.
La estructura amorfa es tpica de todos los lquidos,
ya que los tomos se pueden mover fcilmente con
respecto a los dems tomos, puesto que no se
sujetan a un patrn determinado. Una estructura
amorfa por lo tanto, no posee elasticidad sino slo
plasticidad.
En estado gaseoso, los tomos se encuentran
totalmente desordenados y con gran energa cintica,
las fuerzas de cohesin son casi nulas por lo que el
gas tiende a ocupar el volumen del recipiente que lo
contiene. La disposicin atmica de los tres estados
de la materia la podemos representar segn el
esquema lateral:
2 MECNICA DE LA SOLIDIFICACIN
Se llama solidificacin a la formacin de una fase slida en el seno de un lquido. Para formar una
porcin de fase nueva necesitamos disponer de una cantidad de energa libre. En efecto, para crear
esta porcin de cristal en el seno del metal lquido debemos crear un volumen nuevo y una
superficie de interfase.
El volumen de slido formado se acompaa de un desprendimiento de energa libre Fv, puesto
que, segn las condiciones fsicas ya existentes el material slido se encuentra en un estado de
equilibrio ms estable que el lquido. Por lo tanto, la formacin de la partcula slida va
acompaada por un desprendimiento de energa libre que es proporcional al volumen de slido
formado: Fv. Por el contrario, la superficie de interfase que debe formarse es un sitio de mayor
energa y, por lo tanto, debemos entregar al sistema una cantidad de energa que es proporcional a la
superficie formada: Fs.
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De este modo, durante la formacin de una partcula de cristal dentro del lquido, el sistema
desprende una cantidad de energa proporcional al cubo del radio (volumen) y absorbe otra,
proporcional al cuadrado del radio (superficie). Con partculas de tamao pequeo (superficie
grande respecto del volumen) prevalecer el valor de la energa superficial, o sea que el sistema
absorbe energa. Pero en partculas cada vez mayores, el valor de Fv va influyendo cada vez ms,
puesto que ste aumenta proporcionalmente al cubo del radio, mientras Fs vara con el cuadrado
del mismo. Si sumamos ambas funciones, tendremos una curva resultante Ftotal, que pasa por un
valor mximo y luego disminuye. Esto significa que para que una partcula se transforme en ncleo
y siga creciendo, debe poseer un radio mayor que el radio crtico r* y una energa crtica mayor que
F*. La frmula siguiente y la figura ilustran el proceso de nucleacin:
= +
4
= . . .
3
= 4. . .
Donde:
F(sup): energa necesaria para crear la interfase.
F(vol): energa liberada por el volumen de fase condensado.
: coeficiente. Energa necesaria para crear una unidad de superficie de interfase.
: coeficiente. Energa liberada por la formacin de una unidad de volumen de fase condensada.
En efecto, sabemos que un sistema fsico progresa en sentido tal que le permita disminuir su energa
interna. Una partcula de radio r1, con una energa libre correspondiente al punto A disminuye su
energa libre cuando avanza hacia el punto O, o sea disminuye su radio. Esta partcula tiene
probabilidades de desaparecer.
En cambio, una partcula de radio r2, con una energa libre correspondiente al punto B, disminuye
su energa libre hacia la derecha, o sea aumentando su radio. Esta partcula est destinada a crecer.
Se dice que el germen se ha convertido en ncleo (r >r*) y crece.
La forma de calcular el radio crtico es teniendo en cuenta que la energa libre del slido y del
lquido son iguales a la temperatura de solidificacin. Matemticamente:
=
. = .
. =
. =
=
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Donde:
H: entalpa
S: entropa
L: calor latente de fusin
Ahora bien, la energa liberada por unidad de volumen debido a la solidificacin puede expresarse
en funcin de zxc12
/520la diferencia entre la energa libre del lquido y el slido:
=
= . .
= . .
= .
= .
= .
.
=
Si reemplazamos esto en la frmula de energa libre rotal, obtenemos:
4 .
= . . . + 4. . .
3
Derivando, igualando a cero y despejando el radio obtenemos el radio crtico:
.
= 4. . . + 8. . . .
.
0 = 4. . . + 8. . .
2. .
=
.
Donde:
TE: temperatura de equilibrio
T: subenfriamiento
rc: radio crtico
El ncleo ser una unidad simple de estructura reticular cristalina apropiada, de la cual crece el
cristal. Cada cristal comienza a formarse independientemente de un ncleo o centro de
cristalizacin. El cristal se desarrolla por adicin de tomos, siguiendo el patrn reticular y
rpidamente comienza a tomar proporciones visibles en lo que se llama una dendrita. sta es una
especie de esqueleto de cristal, algo as como el tronco del cual parten las ramas en otras
direcciones. De estas ramas secundarias, comienzan a formarse ramas terciarias, en forma algo
similar a las ramas de un rbol. Un cristal metlico crece en esta forma, debido a que el calor se
disipa con mayor rapidez de un punto, de manera que en este punto ser en el que la temperatura
descienda ms rpidamente, llevando a la formacin de un esqueleto relativamente alargado.
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Las ramas dendrticas continan creciendo y ensanchndose al mismo tiempo, hasta que finalmente
el espacio entre ellas se llena con slido. Mientras tanto, las ramas exteriores comienzan a hacer
contacto con dendritas contiguas, que se han desarrollado de forma totalmente independiente y al
mismo tiempo. Todos estos cristales vecinos, estarn orientadas en forma diferente, debido a su
formacin independiente; esto es, sus estructuras reticulares se unen formando ngulos variados.
Cuando ha tenido lugar el contacto entre las ramas exteriores de cristales adyacentes, no puede
haber ms crecimiento hacia fuera y la solidificacin se completar cuando el lquido remanente se
emplee en aumentar el espesor de los brazos dendrticos existentes. Por lo tanto, la formacin
independiente de cada cristal, conduce a la forma irregular de los cristales. El crecimiento
dendrtico de los cristales se ilustra en la figura 4. En estos diagramas, sin embargo, los ejes
principales de los cristales se ilustran en el mismo plano horizontal; es decir, en el plano del papel;
en la prctica, ste no es necesariamente el caso.
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FeO + C Fe + CO
Puede existir una pequea cantidad de FeO en equilibrio con el Fe y el C en solucin. Al iniciarse la
solidificacin del lingote, es casi hierro puro, del cual estn compuestas las dendritas iniciales. Esto
causa un aumento en la concentracin del carbono y del FeO; en el metal fundido restante el
equilibrio qumico, se altera de manera que la reaccin anterior comienza de nuevo. Las burbujas de
monxido de carbono formadas, quedan atrapadas por las dendritas que se forman produciendo
sopladuras.
b) Rechupe:
Cuando un metal se solidifica su volumen disminuye y, si el molde est diseado de tal manera que
queden bolsas de lquido aisladas cuando la superficie de la fundicin est slida se formarn
cavidades de rechupe. Por lo tanto, el molde debe disearse de tal manera que siempre exista
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columna de metal fundido, que se solidifique al final y que pueda por tanto, alimentar material
al cuerpo principal del vaciado, al solidificarse y contraerse.
El rechupado es responsable tambin del efecto conocido como tubificacin en lingotes
fundidos. Considrese que la lingotera (Figura 6.a) se llena instantneamente con metal fundido.
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Cristalinas
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Conforme los cristales columnares comienzan a crecer hacia adentro, van empujando algunas de las
impurezas que estuvieren disueltas en el metal fundido, del cual se estn formando
formando ellos mismos.
En esta forma, existe una tendencia a que, muchas de las impurezas contenidas en la masa fundida
original se concentren en el tubo central. Si se pule y ataca una seccin vertical de un lingote, estas
impurezas se acusan como marcas en fforma de V en el rea del tubo (Figura 7--B). El efecto se
llama segregacin mayor.
En el caso de lingotes muy grandes, el gradiente de temperatura puede ser poco pronunciado hacia
el final del proceso de solidificacin y es comn que la banda de metal que se encuentra altamente
cargada con impurezas, inmediatamente al frente de los cristales columnares crecientes, tiene un
punto de solidificacin menor que el metal fundido relativamente puro, al centro. Puesto que el
gradiente de temperatura es ligero, el metal del centro puede comenzar a solidificarse en forma de
cristales grandes equi-axiales,
axiales, de manera que el metal fundido queda atrapado en una posicin
intermedia. Este metal impuro por lo tanto, se solidifica al final, causando la aparicin de marcas
marca en
forma de V invertida en la seccin atacada de estos lingotes. Se conoce como segregacin en ve ve-
invertida (Figura 7-C).
De estos tipos de segregacin, la segregacin menor es probablemente la de efecto ms daino, ya
que causa la fragilidad general del
el vaciado y, dependiendo de la naturaleza de la impureza, hacen al
lingote susceptible de desmoronarse durante los procesos de trabajado en caliente o en fro.
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IMPERFECCIONES CRISTALINAS
Hasta este punto hemos asumido en todo momento que los cristales eran perfectos, definiendo as
un cristal como aquel para el que todos sus tomos se encuentran en sus posiciones correctas en la
celda. En realidad, un cristal perfecto slo puede, hipotticamente, ser obtenido a la temperatura del
cero absoluto. A cualquier temperatura real los cristales presentan defectos. En un cristal real
siempre encontraremos un cierto nmero de tomos fuera de su lugar terico, o desaparecidos.
La existencia de defectos en los cristales es debido a que, hasta cierta concentracin, su presencia
origina una disminucin de la energa libre (G). Es evidente que la creacin de un defecto requiere
una cierta cantidad de energa H, pero al mismo tiempo supone un considerable aumento de la
entropa dado el gran nmero de posiciones que ese defecto puede ocupar y al desorden que el
efecto induce en las posiciones vecinas de la red. Consecuentemente, la energa libre, dada por G=
H TS, disminuye y el cristal gana estabilidad.
Por el contrario, si el nmero de defectos es ya muy grande (> 10%) la energa requerida para crear
un nuevo defecto se hace ms grande que la ganancia de entropa y por tanto el cristal se
desestabilizara. La mayora de los materiales se encuentran entre ambos extremos. Con una
determinada concentracin de defectos que supone una situacin de equilibrio termodinmico.
Evidentemente, el nmero de defectos presentes en un cristal aumentar con la temperatura.
Asumiendo que H y S son independientes de la temperatura, al aumentar sta el trmino TS
aumentar, y por tanto el mnimo de energa libre se desplazar hacia mayores concentraciones de
defectos.
En algunos cristales, el nmero de defectos es pequeo, pero en otros supera el 1%. En estos
ltimos, la cuestin que surge es si los defectos no son, en s mismos, un constituyente fundamental
de la estructura cristalina, en lugar de una imperfeccin de una estructura ideal. En cualquier caso es
preciso tener en cuenta que muchas de las propiedades de los slidos dependen precisamente del
nmero de impurezas que contienen. As, controlando el nmero de defectos se pueden obtener
aceros ms resistentes, imanes de mayor potencia, clulas solares de mayor capacidad, vidrios con
colores o propiedades luminiscentes diferentes, etc. Es decir en muchos casos los defectos se
introducen; o se provoca su incremento, artificialmente para mejorar una determinada propiedad.
Adems, durante el procesado de un material se puede mejorar, bien aumentando o bien
disminuyendo el nmero de defectos, sus propiedades.
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Existen diferentes posibles esquemas de clasificacin de los defectos. Por ejemplo, los defectos
pueden ser divididos en estequiomtricos y no estequiomtricos, segn si la formacin del defecto
supone un cambio o no en la composicin del cristal. Tambin pueden ser clasificados, en base a su
forma y tamao, como defectos puntuales y extendidos. Estos ltimos a su vez pueden ser
clasificados en defectos en lnea (o dislocaciones), defectos de plano y defectos de volumen (poros,
grietas, etc.).
DEFECTOS PUNTUALES
Los defectos puntuales afectan localmente a pequeos grupos de tomos dentro de la red. En
principio, como su nombre indica consisten en presencias o ausencias de un determinado tomo o
in, pero es preciso tener en cuenta que de alguna forma el entorno inmediato tambin se ve
afectado. Por ejemplo, una vacante catinica presenta una carga efectiva negativa y ocasiona un
desplazamiento de los aniones que le rodean.
Los defectos puntuales pueden tener su origen en una de las siguientes causas (o en combinacin de
ellas):
- Ausencia de tomos/iones en algunas posiciones de la red: vacantes
- Presencia de tomos/iones en posiciones intersticiales: autointersticiales
- Presencia de tomos/iones extraos al compuesto: impurezas
Vacantes
La vacante es el ms simple de los defectos puntuales. Se producen normalmente durante el proceso
de solidificacin, a altas temperaturas, o bien por efecto de una radiacin de alta energa.
Evidentemente, el nmero de vacantes depende de la energa de los tomos y por tanto de la
temperatura, creciendo exponencialmente con sta:
= . .
siendo N el nmero total de posiciones ocupadas en la red
Nv el nmero de vacantes por m3,
Q la energa de activacin necesaria para producir el defecto y
R la constante de los gases (R= 8.31 J.mol-1K-1).
Un defecto de este tipo muy frecuente en slidos inicos es el llamado Defecto de Schottky, que
consiste en la formacin de un par de sitios vacantes, una vacante de catin y una de anin.
Obviamente es un defecto estequiomtrico, para preservar la electroneutralidad del cristal debe
haber igual nmero de cationes que de aniones vacantes. Es el principal defecto puntual presente en
los haluros alcalinos.
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Las vacantes pueden estar distribuidas al azar por el cristal o asociadas formando pares o clusters
ms grandes. La razn por la que tienden a asociarse es su carga efectiva: una vacante positiva atrae
a las vacantes negativas y viceversa, y as se restablece la electroneutralidad local.
Autointersticiales
Los defectos autointersticiales son tambin muy frecuentes y se originan cuando un tomo o in
emigra desde su posicin natural en la red hasta una posicin intersticial habitualmente vaca. Dado
que las posiciones intersticiales son habitualmente ms pequeas que las normales, la colocacin de
un tomo en un intersticio genera deformaciones importantes en la red si su nmero es elevado. En
cualquier caso, el nmero de este tipo de defectos presentes en un material es inferior al de las
vacantes, aunque por el contrario su dependencia trmica es mucho mayor.
En los slidos inicos, un defecto de este tipo muy frecuente es el llamado Defecto de Frenkel que
implica un desplazamiento de un in desde su posicin en la red hasta una posicin intersticial
normalmente vaca, donde es estabilizado por interaccin electrosttica con sus vecinos. Este
defecto es el predominante en el AgCl (cuya estructura es tipo NaCl).
Habitualmente, son los cationes los que emigran a posiciones intersticiales, debido a su menor
tamao que les permite colocarse en otros huecos diferentes de los que habitualmente ocupan. Sin
embargo, no es una regla que deba llevarse hasta sus extremos, as por ejemplo el CaF2 presenta
predominantemente defectos Frenkel, pero es el anin F- el que ocupa las posiciones intersticiales.
Evidentemente, y aunque tericamente es posible, es muy improbable que ambos, cationes y
aniones ocupen simultneamente posiciones intersticiales; normalmente, al menos uno de los
defectos ser energticamente desfavorable por razones de tamao. Como ocurra con los defectos
de Schottky, las vacantes y los iones intersticiales de un defecto Frenkel estn cargados
opuestamente y pueden atraerse mutuamente para formar un par. Estos pares son elctricamente
neutros pero bipolares por lo que pueden atraerse unos a otros para formar agregados superiores.
Estos clusters pueden actuar como centros de nucleacin para la precipitacin de fases de diferente
composicin en los cristales no estequiomtricos.
Impurezas y Defectos Sustitucionales
Los defectos tambin pueden ser originados mediante la introduccin en la red de un tomo/in
diferente en una posicin intersticial o bien reemplazando a uno de los que constituyen el cristal.
Los tomos que se incluyen en posiciones intersticiales deben ser obviamente tomos pequeos
como el hidrgeno o el carbono, fundamentalmente como veremos posteriormente en la preparacin
de aceros. Adems, en el caso de los metales, las presencia de tamaos y propiedades qumicas muy
semejantes, implica ya que de forma natural es muy difcil que un metal pueda considerarse puro.
Las tcnicas de refino ms avanzadas pueden conseguir purezas del 99.9999%, pero ir ms all es
prcticamente imposible. Pero en realidad, tampoco es ese generalmente el objetivo. La presencia
de diferentes tipos de tomos, formando aleaciones, mejora en muchos casos las propiedades
buscadas en los metales. As por ejemplo, la introduccin de cobre en la plata permite mantener la
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excelente resistencia a la corrosin de esta ltima y dotarla adems de una buena resistencia
mecnica.
En el caso de los slidos inicos el fenmeno de la introduccin de nuevos iones como impurezas
substitucionales se conoce como valencia controlada, proceso en el que un catin estable con
diferente carga se introduce en un compuesto con un metal de transicin. Por ejemplo, dopando con
Li2O un cristal de NiO se consigue que una pequea parte de las posiciones catinicas sean
ocupadas por iones Li+ en lugar de por iones Ni2+. Para preservar la electroneutralidad del cristal
algunos iones Ni2+ se convierten en iones Ni3+. El efecto de esta sustitucin se traduce en
importantes cambios en las propiedades del compuesto: cambia su color de verde a gris y
especialmente se hace semiconductor.
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Las dislocaciones helicoidales (o de tornillo) se producen cuando parte de una capa de tomos se
desliza una unidad atmica respecto de su capa vecina (efecto cizalla). La distorsin atmica
producida tambin es lineal y se sita a lo largo de la lnea de dislocacin. El nombre helicoidal se
utiliza para reflejar la disposicin de los planos atmicos alrededor de la lnea de dislocacin. Para
describir este defecto se utiliza el smbolo. En este caso, el vector de Burgers es paralelo al eje de la
dislocacin.
Dislocacin helicoidal.
Dislocacin mixta.
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Cuando se aplica una fuerza en la direccin del vector de Burgers la dislocacin puede desplazarse
rompindose enlaces en un plano. Este plano se desliza y establece nuevos enlaces con los tomos
de la siguiente capa. Si el proceso se repite la dislocacin se mueve por todo el cristal hasta originar
una deformacin externa. Este fenmeno se produce ms fcilmente cuanto menor sea el vector de
Burgers o lo que es lo mismo cuanto menor sea la separacin entre tomos, este es el caso de los
metales con empaquetamientos compactos.
Esta propiedad explica el por qu los metales son menos duros de lo esperado por su tipo de enlace
(no se necesita romper simultneamente tantos enlaces como predice la teora). Tambin puede
explicarse as la ductilidad de los metales, que en caso contrario seran ms quebradizos. Igualmente
hay que tener en cuenta que si calentamos a altas temperaturas un material reducimos drsticamente
el nmero de dislocaciones por lo que incrementamos su resistencia pero disminuimos su
ductilidad. Finalmente, es preciso tener en cuenta que los procesos de deslizamiento son muy
difciles en los materiales cermicos (inicos o covalentes), lo que explica su carcter quebradizo.
DEFECTOS PLANARES
Los defectos planares (superficies, interfaciales) son los planos que separan regiones del material
que tienen diferente orientacin cristalogrfica e incluso diferente estructura. Los ms importantes
los constituyen las superficies externas, los lmites de grano, los defectos de apilamiento y los
lmites de macla.
Superficies externas
La superficie de los materiales se considera un defecto porque representa el fin brusco de la
estructura cristalina. Los enlaces y el nmero de coordinacin de los tomos situados sobre la
superficie son necesariamente menores que los de los tomos del interior, lo que provoca un claro
aumento de su energa y por tanto de su reactividad.
Lmites de grano
Un grano es una porcin de material con un ordenamiento idntico de los tomos. Pero las
orientaciones de los diferentes granos cambian, de manera que en la separacin entre los granos se
genera una regin en la que los tomos no estn igualmente espaciados (lmites, fronteras o bordes
de grano), producindose situaciones de compresin y de tensin. Se produce una situacin similar
a la descrita para la superficie de los materiales, con un claro incremento energtico y por tanto con
un incremento de la reactividad en esas regiones. Adems, los tomos de las impurezas se colocarn
fundamentalmente en estas regiones variando ligeramente la composicin qumica del material por
zonas. Obviamente el tamao de los granos va a ejercer por tanto un papel fundamental sobre las
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propiedades del material. Si el tamao de grano es pequeo, aumentar el rea de los lmites de
grano y por tanto la reactividad del material. Por el contrario, la propagacin de las dislocaciones se
ver dificultada y por tanto aumentar la resistencia del material. Otro factor importante a tener en
cuenta es el grado de desalineamiento entre los diferentes granos, ya que cuanto mayor sea el
ngulo mayor ser el incremento de energa de la regin fronteriza. Una situacin especial se
produce cuando los ngulos son muy pequeos (lmites de grano de bajo ngulo). En realidad estos
defectos se originan por dislocaciones de arista o helicoidales consecutivas alineadas en una
determinada direccin.
Defectos de apilamiento
Aparecen fundamentalmente en metales con estructura FCC, donde la secuencia de apilamiento de
capas debiera ser ABCABCABC... pero pueden darse situaciones como ABCABABC..., esto es
regiones con empaquetamientos diferentes.
Lmites de macla
Este tipo de defecto se caracteriza porque la parte situada a un lado del defecto es una imagen
especular de la que se sita del otro lado. Las maclas se forman normalmente por desplazamientos
atmicos producidos por efecto de fuerzas deformantes, aunque tambin pueden aparecer durante
los tratamientos trmicos a que se someten los materiales (especialmente los FCC). Generalmente
se producen a travs de una determinada direccin preferente de la estructura cristalina.
Evidentemente, la presencia de estos defectos impide tambin la propagacin de las dislocaciones e
incrementa la resistencia de los materiales (excepto en la direccin de la propia macla).
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NUCLEACIN
Nucleacin homognea.
La nucleacin homognea se considera en primer lugar, ya que es el caso ms simple de nucleacin.
La nucleacin homognea en el lquido fundido tiene lugar cuando el metal proporciona por s
mismo tomos para formar los ncleos. Vamos a considerar el caso de un metal puro
solidificndose. Cuando se enfra un metal lquido puro por debajo de su temperatura de
solidificacin de equilibrio en un grado suficiente, se crean numerosos ncleos homogneos por
movimiento lento de tomos que se mantienen unidos. La nucleacin homognea requiere
usualmente un elevado subenfriamiento que puede llegar a ser de varios cientos de grados
centgrados para algunos metales.
Para que un ncleo estable pueda transformarse en un cristal, debe alcanzar un tamao crtico. Un
conglomerado de tomos enlazados entre s que es menor que el tamao crtico se llama embrin, y
otro que sea mayor que el tamao crtico se llama ncleo. A causa de su inestabilidad, los
embriones estn siendo continuamente formados y redisueltos en el metal fundido debido a la
agitacin de los tomos.
Valores de la temperatura de solidificacin, calor de fusin, energa superficial y mximo subenfriamiento para
metales seleccionados
Nucleacin Heterognea.
La nucleacin heterognea es la nucleacin que se produce en un lquido sobre las superficies del
recipiente que lo contiene, impurezas insolubles, u otras materias estructurales que reduzcan la
energa libre crtica requerida para formar un ncleo estable. Como durante las operaciones
industriales de fundicin no se dan subenfriamientos fuertes, y normalmente varan entre 0,1 y
10C, la nucleacin debe ser heterognea y no homognea.
Para que se produzca la nucleacin heterognea, el agente de nucleacin slido (impureza slida o
recipiente) debe ser humedecido por el metal lquido. Adems, el lquido debera solidificar
fcilmente en el agente de nucleacin. La nucleacin heterognea tiene lugar sobre el agente de
nucleacin porque la energa superficial para formar un ncleo estable es ms baja en este material
que si el ncleo estuviera formado en el mismo lquido puro (nucleacin homognea). Puesto que la
energa superficial es ms baja para la nucleacin heterognea, el cambio de energa libre total para
la formacin de un ncleo estable ser ms bajo, y el tamao crtico del ncleo ser menor. De este
modo, la cantidad de subenfriamiento requerido para formar un ncleo estable producido por
nuc1eacin heterognea es mucho menor.
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trmica para permitir que las dislocaciones se reordenen por s mismas en configuraciones de
energa ms baja. La recuperacin de algunos metales trabajados en fro (por ejemplo, aluminio
puro), produce una estructura de subgrano con bordes de grano de ngulo pequeo. Este proceso de
recuperacin se llama poligonizacin, y a menudo se trata de un cambio estructural, el cual precede
a la recristalizacin. La energa interna del metal recuperado es ms baja que la de ste en el estado
de trabajado en fro, puesto que algunas dislocaciones son destruidas o pasadas a configuraciones de
ms baja energa, debido al proceso de recuperacin. Durante la recuperacin, la resistencia del
metal trabajado en fro se reduce slo ligeramente, pero su ductilidad generalmente aumenta y de
modo significativo.
Recristalizacin
Bajo calentamiento de un metal trabajado en fro a una temperatura suficientemente alta, los nuevos
granos libres de deformaciones se nuclean en una estructura metlica recuperada y comienzan a
crecer formando una estructura recristalizada. Despus de un tiempo suficientemente largo a una
temperatura a la que tiene lugar la recristalizacin, se produce un reemplazamiento de la estructura
trabajada en fro por una estructura de granos recristalizados.
La primera recristalizacin ocurre por dos principales mecanismos: (1) un ncleo aislado puede
expandirse dentro de un grano deformado, o (2) un borde de grano de ngulo grande puede
introducirse en una regin altamente deformada del metal. En cualquier caso, la estructura sobre el
lado cncavo de la frontera en movimiento se encuentra libre de deformaciones y tiene una energa
interna relativamente baja, mientras la estructura sobre el lado convexo del movimiento de la
interfase se deforma enormemente con una elevada densidad de dislocaciones y una gran energa
interna. El movimiento del borde de grano es hacia el exterior del centro de la curvatura de la
frontera. De este modo, el crecimiento de un nuevo grano en expansin, durante la recristalizacin
primaria, conduce a un decrecimiento global en la energa interna del metal, por reemplazamiento
de las regiones deformadas con regiones libres de deformaciones.
La resistencia a la tensin de un metal trabajado en fro disminuye considerablemente, y su
ductilidad se ve incrementada cuando media un tratamiento de recocido, el cual da lugar a que la
estructura del metal experimente recristalizacin.
Existen factores importantes que afectan al proceso de recristalizacin en los metales y aleaciones
como: (1) la cantidad de la deformacin previa del metal, (2) la temperatura, (3) el tiempo, (4) el
tamao inicial del grano, y (5) la composicin del metal o aleacin. La recristalizacin del metal
puede producirse en un intervalo de temperaturas, y el intervalo es dependiente en alguna magnitud
de las variables anteriores. De este modo, uno no puede referirse a la temperatura de recristalizacin
de un metal en el mismo sentido que a la temperatura de fusin del metal puro. Sobre el proceso de
recristalizacin se pueden hacer las siguientes generalizaciones:
1. Para que la recristalizacin sea posible, es necesaria una mnima deformacin del metal.
2. Cuanto ms pequeo sea el grado de deformacin (por encima del mnimo), ms alta es la
temperatura que se necesita para provocar la recristalizacin.
3. Al incrementar la temperatura para la recristalizacin, disminuye el tiempo necesario para
completada.
4. El tamao final del grano depende principalmente del grado de deformacin. Cuanto mayor
es el grado de deformacin, ms baja es la temperatura de recocido, y ms pequeo el
tamao del grano recristalizado.
5. Cuanto ms grande sea el tamao original del grano, mayor ser la deformacin requerida
para producir una temperatura de recristalizacin equivalente.
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