UNIVERSIDAD NACIONAL DEL

CALLAO
Facultad de Ingeniera Elctrica y
Electrnica
Escuela Profesional de Ingeniera
Electrnica

CURSO :

CIRCUITOS DE POTENCIA I

INFORME LABORATORIO N01

ALUMNOS :

MAMANI BRAVO, JOS ANTONIO 052999J

CICLO :

2015-B

PROFESOR :
ING. CORDOVA RUIZ RUSSELL

BELLAVISTA CALLAO

2015
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FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA

CIRCUITO DE CONTROL DE POTENCIA EN LA CARGA

I. OBJETIVOS:

Probar el funcionamiento de la etapa de control y poder detectar fallas en su

funcionamiento en base a mediciones.
Conocer las formas de cmo se efecta el disparo del TRIAC en esta experiencia en
particular mediante un opto acoplador.

II. FUNDAMENTO TERICO:

1. Definicin:

Los tiristores son una familia de semiconductores de varias capas que presentan una accin de
conmutacin biestable, debido a su inherente realimentacin regenerativa. Los materiales de
los que se compone son de tipo semiconductor, es decir, dependiendo de la temperatura ala
que se encuentren pueden funcionar como aislantes o como conductores. En su gran mayora
son dispositivos unidireccionales porque solo transmiten la corriente en un nico sentido
aunque existen combinaciones de ellos que conectados de forma anti paralela se comportan
de manera bidireccional, esto quiere decir que la corriente puede viajar a travs de ellos en
dos sentidos distintos. Se emplea generalmente para el control de potencia elctrica.

2. Caractersticas de los tiristores:

Un Tiristor es dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura pnpn con tres

uniones pn tiene tres terminales: nodo ctodo y compuerta. La fig. 1 muestra el smbolo del
tiristor y una seccin recta de tres uniones PN.

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3. Activacion del tiristor.

Un tiristor se activa incrementndola corriente del nodo. Esto se puede llevar a cabo
mediante una de las siguientes formas.

TERMICA: Si la temperatura de un tiristor es alta habr un aumento en el nmero de pares

electrn-hueco, lo que aumentar las corrientes de fuga. Este aumento en las corrientes har
que 1 y 2 aumenten. Debido a la accin regenerativa ( 1+ 2) puede tender a la unidad y
el tiristor pudiera activarse. Este tipo de activacin puede causar una fuga trmica que por lo
general se evita.

LUZ: Si se permite que la luz llegue a las uniones de un tiristor, aumentaran los pares
electrn-hueco pudindose activar el tiristor. La activacin de tiristores por luz se logra
permitiendo que esta llegue a los discos de silicio.

ALTO VOLTAJE: Si el voltaje directo nodo a ctodo es mayor que el voltaje de ruptura directo
VBO, fluir una corriente de fuga suficiente para iniciar una activacin regenerativa. Este tipo
de activacin puede resultar destructiva por lo que se debe evitar.

dv/dt: Si la velocidad de elevacin del voltaje nodo-ctodo es alta, la corriente de carga de

las uniones capacitivas puede ser suficiente para activar el tiristor. Un valor alto de corriente
de carga puede daar el tiristor por lo que el dispositivo debe protegerse contra dv/dt alto. Los
fabricantes especifican el dv/dt mximo permisible de los tiristores.

CORRIENTE DE COMPUERTA: Si un tiristor est polarizado en directa, la inyeccin de una

corriente de compuerta al aplicar un voltaje positivo de compuerta entre la compuerta y las
terminales del ctodo activar al tiristor. Conforme aumenta la corriente de compuerta, se
reduce el voltaje de bloqueo directo.

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III.SIMULACIN DE LOS CIRCUITOS EN PROTEUS.

1. Simulacin del circuito.

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2. Grficos obtenidos de la simulacin.

VARIACIN DE ONDA

POT = 10k

POT = 5k

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POT = 0

3. Diseo de la placa impresa.

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4. Vista en 3D.

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IV. CONCLUSIONES:

Los circuitos simulados nos proporcionaron la forma de la onda de entrada como de

salida.
Que a medida que regulamos el potencimetro de 10k la seal de salida cambia de
una onda cuadrada a una seal contina en el tiempo mientras que la seal de entrada
permanece constante.