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E.P.

N
ANLISIS DE CIRCUITOS ELCTRICOS I.

TRABAJO PREPARATORIO.

Tema: Leyes de Kirchhoff.

OBJETIVO:

Interpretar el cumplimiento de las Leyes de Kirchhoff mediante mediciones de diferencias de


potencial o Intensidades de corriente en los circuitos elctricos.

CUESTINARIO
1. Consultar sobre los enunciados y aplicacin de las Leyes de Kirchhoff, medicin
de voltajes y corrientes.

Ley de Corrientes de Kirchhoff.

La suma algebraica de todas las corrientes que entran en cualquier nodo es cero.

Esta ley representa un enunciado matemtico del hecho en que una carga no se
acumula en un nodo. Un nodo no es un elemento de un circuito por lo cual no puede
acumular, ni crear, ni destruir cargas. Po r lo cual la suma de las corrientes es cero.

Ley de Voltajes de Kirchhoff.

La suma algebraica de todas las tensiones a travs de una trayectoria cerrada es cero

La corriente se relaciona con la carga que fluye por un elemento de un circuito, en


tanto la tensin forma parte de la diferencia de potencial entre los extremos de los
elementos. En la teora de circuitos la tensin solo tiene un valor nico.

2. Presentar un ejemplo donde se aplique las Leyes de Kirchhoff en un circuito con


por lo menos tres mallas propuesto por usted. Resolver nicamente aplicando
las ecuaciones de las leyes.

En el circuito tomamos la circulacin de la corriente de izquierda a derecha.

1 = 60[]
2 = 60[]
60[]
2 = = 3[]
3[]
1 60[]
4 = = = 15[]
4[] 4[]
3 = 5(2) = 15[]
Por ley de voltajes se tiene
60[] + 3 + 5 = 0
5 =60-15=45[V]
Ahora
E.P.N
ANLISIS DE CIRCUITOS ELCTRICOS I.

5 = 4 = 45
5
3 = = 9[]
5
3 = 4 + 5 = 15[] + 9[] = 24[]
1 = 2 + 3 = 3 + 24 = 27

3. Simular en simulink de MATLAB el circuito a realizarse en la prctica, presentar


valores de voltaje y corriente en todos los elementos.

SIMULACIN

Valores encontrados.
Los valores se los simulo en un programa en internet, cuyo simulador es CIRCUITLAB.

V(R2.nB) 6.500 V I(R5.nB) -125.0 mA


I(R2.nB) 50.00 mA V(R4.nB) -13.50 V
I(SW1.nSW1_A) -50.00 mA I(R4.nB) -75.00 mA
V(un4) -6.000 V V(un8) -13.50 V
V(R3.nA) -1.000 V V(un5) -1.000 V
I(R3.nA) 25.00 mA V(un6) 6.500 V
V(R5.nA) -1.000 V V(R3.nB) -6.000 V
I(R5.nA) 125.0 mA I(R3.nB) -25.00 mA
I(SW4.nSW1_A) -125.0 mA I(SW2.nSW1_A) 25.00 mA
V(R5.nB) -13.50 V
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BIBLIOGRAFA

[1] W. Hayt, Anlisis de circuitos en Ingeniera, McGraw Hill, Sptima Edicin, Mxico D.F,
2007, pp. 35-39.

[2] Simulador CIRCUIT-LAB[online]. Disponible en:


https://www.circuitlab.com/editor/#?id=7pq5wm

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