Facultad de ingeniera, programa de ingeniera mecnica

CURVA CARACTERSTICA DEL DIODO

DIODES CHARACTERISTIC CURVE

Beleo Molina Daniel A.a, Manotas Cantillo Andrs F.b, Ripoll Sierra Hankel A. c, Utria Rincn Luis A. d,
lvarez Navarro Juan C. e

, , , Estudiantes, eDocente
a b c d

Recibido ; Aceptado ; Publicado en lnea .

Resumen
Esta experiencia realizada en el laboratorio de electrnica de la Universidad del Atlntico, tuvo como
objetivo final trazar la curva caracterstica de un diodo de un amperio (1A) y analizar el comporta-
miento del diodo conectado de forma inversa. Para esto, se realiz el montaje de un circuito, confor-
mado por un diodo de un amperio (1A), una resistencia de un kilo Ohmio (1K) y una fuente de
tensin. Se aument el valor de la tensin en la fuente para encontrar experimentalmente la tensin
de ruptura del diodo y tomar los datos para trazar la curva caracterstica; adems se invirti la pola-
ridad del diodo para comprobar que ste funciona como un interruptor abierto bajo esa condicin.

Palabras claves: Diodo, tensin, resistencia, polaridad.

Abstract
This experiment realized in the Electronics' lab of the Universidad Del Atlntico, had as final purpose to graph
the behavior curve of a 1 ampere diode and analyze the behavior of the same diode connected backwards. For
this, was realized a circuit assembling, conformed by an 1 ampere diode (1A) , an 1 Kilo Ohm resistor (1K)
and a voltage source. The value of the voltage was augmented to find experimentally the breaking voltage of the
diode and take data to graph the curve; besides the diode polarity was inverted in order to check that the diode
works as an open switch under this condition.

Keywords: Diode, voltage, resistance, polarity.

1. Introduccin

Un diodo es un componente electrnico que permite
el paso de la corriente en un slo sentido, es el dis-
positivo semiconductor ms sencillo y se puede
encontrar en prcticamente cualquier circuito elec-
trnico.
Prcticamente la mayora de los dispositivos elec-
trnicos que utilizamos cotidianamente incluyen en
sus circuitos varios tipos diferentes de semiconduc
tores de estado slido, entre los que se encuentran
los diodos, elementos imprescindibles para que
todos esos equipos puedan funcionar. Una de las
principales aplicaciones de los diodos es la conver-
sin de corriente alterna (A.C) a corriente continua
(D.C), en este caso se utiliza el diodo como rectifica-
dor. Los diodos tambin se encuentran en los regu-
ladores de voltaje, rectificadores de seal, telfonos
celulares, tarjetas madre y otros dispositivos.

Correo electrnico: guardiandaniel_20@hotmail.com

 Curva caracterstica del diodo

2. Marco terico

El diodo semiconductor es un elemento electrnico de

dos terminales (nodo y ctodo) que tiene la propiedad
de conducir la corriente elctrica en un sentido, est
compuesto por una unin P-N, es un material extrnse-
co que adquiere unas propiedades especificas depen-
diendo del dopado o las impurezas que han sido aa-
didas a un configuracin molecular, en la parte prctica
es utilizado en el rea de la electricidad con el objetivo
de modificar diferentes seales de voltaje, regular el
voltaje, emitir luz y muchas otras aplicaciones. (2)
Figura 2. Unin del elemento PN. Tomado de [1]

De la figura anterior, el negativo de la pila representa

Figura 1. Curvas caractersticas de un diodo. Tomado de
http://electronica-es-facil.blogspot.com.co/2011/03/curva-
caracteristica-del-diodo.html
Considere de la figura 2 la unin PN se considera como
la frontera entre la capa o cristal tipo P y la del material
tipo N, los cuales se han llevado a un contacto unifor-
me. En la misma figura se muestran los dos materiales
que conforman un diodo. Los crculos con el signo
menos de la regin P representan los iones negativos
que han adquirido carga negativa, porque han captu-
rado electrones a fin de llenar los huecos que previa-
mente existan en la impureza. Los signos ms en el
lado P representan los huecos libres que se desplazan
en dicha regin. Igualmente, los crculos con signo ms
de la regin N representan los iones positivos ligados
de la impureza que han perdido sus electrones dbil-
mente ligados, y los de signo menos son los electrones.
2
los iones negativos en P y el positivo representa los
iones positivos. Por cada hueco que atraviesa la unin
desde el lado P al N queda un ion negativo inmvil sin
neutralizar en el lado P; de igual modo, cada electrn
que cruza del lado N al P deja un ion positivo sin neu-
tralizar. Este flujo de huecos de P a N y de electrones
del lado N al P constituye una corriente de recombina-
cin a travs de la unin. Por otra parte, los iones in-
mviles no neutralizados de cada lado de la unin
reciben el nombre de cargas descubiertas y el campo
elctrico entre ellas puede representarse por la pila de
la figura anterior, que indica el potencial de la barrera
establecida por las cargas descubiertas y en oposicin a
la corriente de recombinacin.
Puesto que los materiales P o N no son perfectos, el P
contendr algunos electrones libres originados por la
ruptura de enlaces covalentes a causa de la agitacin
trmica; lo mismo sucede con el material N, que con-
tendr algunos huecos, pues aquellos que pertenecen al
material P son los portadores mayoritarios, mientras
que los electrones de ese mismo material son los mino-
ritarios. De igual manera acontece con el material N,
pues en ste predominan como portadores mayorita-
rios los electrones y los portadores minoritarios son los
huecos. La contaminacin que recibe un cristal P o N es
por lo comn resultado de concentraciones de un to-
mo de impureza por cada lOS tomos de silicio. Cada
tomo de impureza reemplaza a un tomo de silicio en
la estructura del cristal, con lo que sta permanece
bsicamente inalterada por la contaminacin. Sin em-
bargo, los tomos de impurezas incrementan conside-

rablemente la cantidad disponible de electrones o hue-
cos libres, lo que altera las caractersticas elctricas de
los cristales. Si un electrn de la regin P se desplaza
hasta la regin de la unin, caer bajo la influencia del
campo elctrico que en ella existe y ser arrastrado
hasta N a travs de la regin vaca (regin que contiene
las cargas descubiertas) por los iones positivos que se
encuentran en el lado N. Lo mismo sucede con los
huecos generados trmicamente en el material N, que
son los que constituyen los portadores minoritarios, los
cuales sern arrastrados a travs de la regin vaca
desde el lado N al P. Este flujo de portadores es ayuda-
do por el potencial de la barrera.
Corrientes elctricas internas en el diodo
Cuando no se aplica al diodo diferencia de potencial
entre sus terminales, las condiciones de equilibrio son
las siguientes:
= +
La ruptura de enlaces covalentes producir la :
= +
: Corriente neta de recombinacin a travs de la
unin.
: Corriente de recombinacin de huecos que pasan
de PaN.
: Corriente de recombinacin de electrones que
cruzan de N a P.
Figura 3. Representacin del diodo sin tensin elctrica.
Tomado de [1]
Al no haber diferencia de potencial entre los extremos
del diodo, se tiene la ecuacin del diodo:
= Ecuacin a
Ahora, al aplicar un potencial elctrico V entre las
terminales del diodo, ste produce un campo elctrico
que se opone al establecido por el potencial de la barre-
ra en el cristal. Esto se llama polarizacin directa del
diodo. Con lo anterior sucede que, al reducir el ancho
de la barrera, la corriente de recombinacin aumenta
gradualmente, porque un mayor nmero de huecos de
Curva caracterstica del diodo
la regin P y de electrones del lado N pueden atravesar
la unin y recombinarse. Es decir, la 1, (corriente de
recombinacin) aumenta y la corriente generada trmi-
camente, Ig, no vara gran cosa, ya que depende ni-
camente de la temperatura y no de la tensin. Al colo-
car la fuente de voltaje en la forma que se muestra en la
figura I1.4, circular una corriente real que sobrepasar
la barrera. Esta corriente est dada por:
( )
= Ecuacin b
En donde:
: Corriente del nmero neto de portadores que ini-
cian el camino a travs de la unin.
: Potencial elctrico de la barrera.
K: constante de Boltzamann
T: temperatura en K.
q: carga del electrn
Figura 4. a) Smbolo del diodo, b) Diodo polarizado directa-
mente c) curva caracterstica. Tomada de [1].
Sustituyendo la ecuacin a en la b, nos queda:
( )
= Ecuacin 1
Al aplicarle la diferencia de potencial V entre los ex-
tremos del diodo, la barrera de potencial se reduce:
( ) ( ) +( )
= =
Teniendo entonces
( )
=
Ecuacin 2
La corriente neta en la unin del diodo es la diferencia
de la recombinacin y de la corriente generada trmi-
3
 Curva caracterstica del diodo

camente, la cual circula en direccin opuesta, ya que la solamente circulan electrones. Puesto que Ir >> Ig, se
corriente total en la unin es igual a la corriente exter- dice que el diodo est polarizado directamente (p.d.) y
na. = en estas condiciones la cada de potencial a travs del
Entonces:
diodo es pequea, la resistencia hmica que presenta es

( ) de decenas o centenas y la corriente a travs de la

= ( )
unin es la mxima. Por ello se recomienda colocar un
Por lo general se denomina corriente de saturacin, resistor limitador de corriente en serie con el diodo, a
la cual es producida por valores ms negativos que 0.1 fin de protegerlo de las corrientes bruscas.
V. Ecuacin del diodo: Por otra parte, existe una relacin entre la resistencia
dinmica (incremental o c-a) del diodo polarizado

( ) directamente y su corriente esttica. La conductancia

= ( ) Ecuacin 3 dinmica del diodo es:

Donde =/ = 26 mV es el voltaje trmico. (

)


=
= /
= = / Ecuacin 4
Polarizacin directa del diodo
Polarizar quiere decir darles valores adecuados de
voltaje y de corriente a los elementos electrnicos a La recproca de (4) es la resistencia directa a c-a del
partir de resistores, para que stos funcionen en forma diodo. Si, por ejemplo, V (voltaje al que est sometido
correcta. Sea la figura 4 en la que se variar la fuente de el diodo) es unas cinco veces mayor que kT / q (0.13
voltaje V. Segn las condiciones establecidas en la voltios), la ecuacin (1) se reduce a:
figura 4b y tomando a V = O V, la recombinacin de un
( )

electrn va a ocupar el lugar de un hueco, y el electrn, = Sustituyendo la ecuacin en la 4:
/
al haberse desplazado, ser ocupado por otro hueco, el = = Ecuacin 5
/
cual a su vez deja un lugar para otro electrn, dejando
ste otro lugar que ser ocupado por otro hueco, y as Si al diodo de la figura 4b lo dejamos igual e invertimos
sucesivamente. Lo anterior acontece en condiciones solamente la batera V, obtenemos la figura 5:
normales y a temperatura ambiente. Si ahora se incre-
menta el voltaje en centsimas de voltios a travs del
diodo, la recombinacin de los huecos y de los electro-
nes se incrementa aumentando la corriente a travs de
la unin. Al incrementarse V hasta 0.2 o 0.7 voltios
(voltaje de ruptura del germanio o del silicio), la co-
rriente 1 crece rpidamente, ya que V se hizo lo sufi-
cientemente grande para reducir el potencial interno de
la barrera y dar lugar a que la corriente de recombina-
cin sea lo bastante grande. En otras palabras, la placa
positiva de V repele los huecos y los desplaza hacia la
unin, como tambin la placa negativa de V repele los
electrones mandndolos hacia la unin. Tanto los hue-
cos como los electrones cruzarn la unin en forma ms Figura 5. a) Polarizacin inversa, b) Caracterstica completa
rpida y producirn el flujo de electrones a travs de la del diodo c) curva caracterstica. Tomada de [1].
unin. Las dos flechas debajo de la unin en la figura
Para el caso de la polarizacin inversa (p.i.) del diodo,
4b indican que la barrera de potencial se redujo con
la placa negativa de V est conectada al nodo y la
esta polarizacin. Se recordar que, a travs del mate-
placa positiva de V, al ctodo. Incrementar el voltaje en
rial semiconductor, circulan tanto huecos como electro-
forma negativa hace que el campo a travs del cristal
nes, aunque por los conductores externos del diodo
4
 Curva caracterstica del diodo

sea tal, que la barrera del diodo se "vuelve" ms ancha, 3. Mtodos experimentales
impidiendo que los portadores crucen la unin; y cuan-
to ms negativo sea V, ms "aumenta" la anchura de la La experiencia se llev a cabo con la ayuda del arreglo
regin. Cuando V = O, 1 = O, pues Ir = Ig. mostrado en la figura 6, compuesto por una fuente de
voltaje DC y una resistencia de un Kilo Ohmio (1K)
Esto explica la parte curva de la caracterstica inversa conectada en serie con un diodo de un amperio (1A). El
en la vecindad del origen. Para valores de V negativos principal objetivo fue medir la tensin en el diodo y la
de ms de 0.1 V, la Ir es despreciable, y la 1=15. Dicho resistencia variando la tensin de la fuente en el orden
de otra manera, la polarizacin inversa se da cuando el de 0.1V hasta llegar a 1.1V, esto con el fin de tomar
borne negativo de V atrae los huecos del lado P y el varios datos de tensin y as poder trazar la curva
positivo de V atrae. Los electrones, de modo que la caracterstica del diodo y su tensin de ruptura.
barrera de potencial se "hace" ms amplia. Tambin se
puede decir que la polarizacin inversa se produce
cuando el ctodo es ms positivo que el nodo, impi-
diendo el paso de la corriente a travs de la unin. En
la figura 5c se observa que el voltaje entre -D.1 y Vbd
(voltaje de la barrera del diodo) hace que la corriente
inversa se incremente con el voltaje inverso. El incre-
mento de la corriente inversa, debido a la tensin in-
versa, hace suponer "como si" hubiese una resistencia
en paralelo con la unin (resistencia de prdida RLJ
debido a polvo o impurezas a travs de la unin y a Figura 6. Montaje primera experiencia.
efectos poco conocidos de su superficie y que constitu-
En la segunda parte de la prctica (Figura 7), se invirti
yen la RL. Los valores de RL tpicos para el germanio se
la polaridad del diodo y se vari la tensin de la fuente
extienden desde 50 kn, para diodos de alta potencia,
en el orden de 1V hasta llegar a 10V, esto para compro-
hasta varios Mn, para diodos pequeos. Para el silicio,
bar que el diodo invertido no deja pasar la corriente,
RL puede ser de 10 a 100 veces mayor. Las corrientes
funcionando as como un interruptor abierto.
inversas del germanio y del silicio generadas trmica-
mente son:
= 10 Para t (25 a 30) C y se duplica por 10
(0.001 0.01 ) Para t (25 a 30) C y se duplica por

6

Recuerde que el intervalo de energa es mayor en el

silicio que en el germanio, por lo que a una temperatu-
ra dada son menos los electrones excitados desde los
enlaces covalentes a la banda de conduccin. Aunque
el aumento de la temperatura es ms rpido en el silicio
Figura 7. Montaje primera experiencia.
que en el germanio, el valor inicial de 15 es tan bajo que
se prefiere el silicio para temperaturas de hasta 180C,
en comparacin con el germanio, que trabaja hasta los
100C, y el arseniuro de galio, que puede usarse en
temperaturas de hasta 500C. (1)

5
 Curva caracterstica del diodo

4. Anlisis de resultados y discusiones

As mismo para la segunda experiencia se presenta a
continuacin la tabla respectiva a los distintos valores
La tabla presentada a continuacin muestra los distin-
de voltajes, medidos en la resistencia y el diodo en
tos valores de voltajes, medidos en la resistencia y el
forma INVERSA, adems del voltaje arrojado por la
diodo en DIRECTA, adems del voltaje arrojado por la
fuente de alimentacin. El voltaje de la resistencia de
fuente de alimentacin. El voltaje de la resistencia de
1k y el voltaje de barrera del diodo es de 0,596. Los
1k y el voltaje de barrera del diodo es de 0,596. Los
voltajes de la fuente son manipulados a conveniencia
voltajes de la fuente son manipulados a conveniencia
por motivos de la prctica.
por motivos de la prctica.

FUENTE DIODO RESISTENCIA

FUENTE DIODO RESISTENCIA
(V) (V) (V)
(V) (V) (V)
1,004 1 0
0,128 0,127 0
2,1 2,098 0
0,196 0,195 0
3,157 3,154 0
0,246 0,244 0
4,23 4,23 0
0,337 0,336 0,002
5,32 5,31 0
0,485 0,437 0,045
6,16 6,16 0
0,517 0,45 0,06
7,54 7,53 0
0,677 0,5 0,198
8,45 8,44 0
0,755 0,511 0,232
9,23 9,22 0
0,887 0,53 0,351
10,21 10,2 0
1,125 0,553 0,56
Tabla 2. Datos para la segunda experiencia.
Tabla 1. Datos para la primera experiencia.

De la misma forma entonces se obtiene en EXCEL la

Por medio de EXCEL se grafica los voltajes medidos en
representacin grfica del mismo, siendo en el eje X los
la resistencia en el eje Y contra los voltajes del diodo en
voltajes del diodo y en Y los voltajes medidos en la
el eje X para obtener la siguiente representacin:
resistencia.

0.8 1
Voltaje resistencia (V)
Voltaje resistencia (V)

0.8
0.6
y = (4E-07)e25,821x
0.6
0.4 R = 0,989
0.4
0.2 y=0
0.2
0 0
0 0.2 0.4 0.6 0 5 10 15
Voltaje diodo (V) Voltaje diodo (V)

Grfica 1. Representacin de la curva caractersticas del

Grfica 2. Representacin de la curva caractersticas del
diodo implicado, modo directo.
diodo implicado, modo inverso.

6
 Curva caracterstica del diodo

Tenga en cuenta que usualmente las curvas caracters-

0.6
ticas de los diodos se dan en una grfica de corriente

Voltaje resistencia (V)

VS voltaje, pero considere que para este caso no es
0.4
necesario, debido a la resistencia utilizada; al ser una
resistencia de 1 k al ser divida por el voltaje respecti-
0.2
vo (ley de ohm) se va obtener el mismo valor numrico
pero con unidades de mA para la corriente, entonces no
resulta absolutamente necesario que efecte dicho
0
clculo, pues la idea es notar el comportamiento de la 0 0.2 0.4 0.6
curva presente en el diodo. -0.2
Volatje diodo (V)

Para determinar el voltaje de barrera del diodo en

Grfica 2. Representacin de la curva caractersticas del
conexin directa se utiliz el multmetro con la funcin
diodo implicado, modo inverso.
respectiva al diodo, simplemente al colocarlo en el
sentido correcto determina que voltaje debe ser sumi-
El comportamiento del diodo en polarizacin INVER-
nistrado para poder vencer esta condicin; ahora ob-
SA es semejante al de un circuito abierto, no hay paso
serve los valores de la tabla 1, se aprecia que antes de
de corriente de ningn tipo, por lo cual se demuestra lo
este lmite existe presencia de voltaje, pero en un medi-
que anuncia la teora con respecto a la posicin del
da muy pequea, de tal forma que entre la corrida 6 y 7
diodo en el circuito. Note que los valores de voltaje
se aprecia un gran cambio significativo en la cantidad
arrojados por la fuente son los mismos (con una ligera
del voltaje en el diodo, note entonces que para este
desviacin asociada a las condiciones de los elementos
punto claramente se vence dicha barrera y se corrobora
utilizados) medidos en el diodo. En la grfica 2 se apre-
lo establecido por el multmetro, explicando experi-
cia entonces la dependencia lineal sobre el eje X del
mentalmente lo enunciado por la teora; y as poco
fenmeno en forma INVERSA el cual fue mencionado
despus de superar dicho voltaje, los valores aumenta-
previamente, no existe un aumento de voltaje por parte
ban notablemente de manera exponencial, evidencian-
de la resistencia, ya que por ms voltaje que le fue
do entonces aquellas relaciones obtenidas en la seccin
suministrado al sistema, bajo las condiciones del mon-
del marco terico de este informe, dando una explica-
taje, dicha resistencia no realiz su trabajo al no existir
cin al fenmeno implicado en la naturaleza del diodo
un flujo de electrones, recuerde la palabra clave en esta
modelada por las ecuaciones establecidas anteriormen-
experiencia, se trata de un circuito abierto. Finalmente
te. Tenga en cuenta adems la situacin a nivel molecu-
debe hablarse que para valores mayores de voltaje en
lar, y la cantidad que energa que debe tener un elec-
un diodo conectado en forma inversa deja pasar co-
trn para poder desplazarse de un lugar a otro, todo lo
rriente cuando ya est quemado y a este fenmeno se
anterior da lugar a un potencial cuntico, el cual debe
le conoce como la zona de BREAKDOWN. (4)
vencerse y as poder generar el efecto visible en el
circuito, la fsica cuntica otra vez resulta un gran bene-
La idea es ahora obtener la misma curva de la grfica 1
ficio para la electrnica (3).
por medio de algn software de simulacin, en esta
ocasin se usar PROTEUS 8. Para esto lo primero que
Considere que para la grfica 1 no se presentan los
debe realizarse es un esquema que sea equivalente al
primeros 3 datos, debido a que la idea es notar el com-
circuito realizado en la prctica. Considere la figura 8,
portamiento netamente exponencial, de otra forma la
donde se utiliz diodo genrico de 1 A, resistencia
representacin grfica se muestra en la grfica 3, gene-
genrica de 1 k, y una batera a la cual al editar el
rando entonces un umbral que permite el aumento del
componente en voltaje se puso default y en otras
voltaje en el diodo dado en un intervalo de 0,517 V y
propiedades {value=bat1} para realizar de esta forma
0,677 V para la fuente utilizada en la prctica.
que el suministro de voltaje vare en DC.

7

Figura 8. Montaje de primera experiencia en PROTEUS 8.
Note adems el componente azul llamado current
probe el cual va a servir como referencia al momento
de graficar la dependencia del voltaje en funcin de la
corriente.
Ahora la idea es que bajo la opcin graph mode se ob-
tenga la curva caracterstica, usando la funcin DC
sweep, en esta se genera un cuadro donde al editarle
para que en el eje X tenga en cuenta los valores de
voltaje en la batera, y en el eje Y la corriente que recibe
el diodo; siendo as el componente current probe se
desplaza hasta la grfica, se reconoce la variable y al
momento de correr la simulacin se presenta la siguien-
te grfica:
Grfica 3. Representacin de la curva caractersticas del
diodo implicado, modo directo, simulacin PROTEUS 8.
Resultando claramente lo evidenciado en la grfica 1,
tiende el comportamiento lineal hasta que rompe la
barrera propuesta por el diodo, siguiendo luego el
comportamiento exponencial que lo caracteriza.
8
Curva caracterstica del diodo
Por ltimo tenga en cuenta que para la grfica 3 los
valores de la simulacin estn muy relacionados con la
prctica, observe en el eje X que para romper la barrera
del diodo se necesita un voltaje entre 5 y 6 volts, algo
que anteriormente se habl para la primera prctica
referente al umbral lmite de voltaje. Tambin conside-
re en el eje Y que la corriente corresponde a los valores
de la tabla 1, recuerde entonces que el valor de la co-
rriente seria el mismo valor solo que expresado en mA.
5. Conclusiones
Como parte fundamental de la experiencia se identific
claramente los terminales de los diodos, como tambin
se explic de manera detallada el funcionamiento de un
diodo, donde lo ms importante a resaltar es la caracte-
rstica de la barrera que se debe vencer para que el
potencial elctrico sea considerablemente alto, y de esta
forma exista un flujo de electrones despus de esa parte
del circuito.
Para la primera experiencia se estudi satisfactoriamen-
te el circuito implicado bajo la accin de un diodo en
conexin directa, que bajo las tabla 1 se aprecia la exis-
tencia de dicha barrera previamente mencionada; los
valores de dicha tabla segn la grfica 3 muestran el
comportamiento que se quera, mostrando la curva
caracterstica del diodo utilizado, que para fines aca-
dmicos se utiliz la grfica 1 para saber que ecuacin
matemtica modela el comportamiento exponencial en
esa parte del fenmeno.
Para la segunda experiencia se entendi claramente que
el diodo se comporta como un interruptor abierto,
bloqueando el acceso de electrones hacia todo el circui-
to generando que no exista tensin en los componentes,
evidenciando lo anterior segn la tabla 2, como tam-
bin en la grfica 2, donde se muestra la dependencia
hablada en esta parte de la prctica.
Por ltimo mediante el software PROTEUS 8 se logr
obtener de la misma manera la curva caracterstica del
diodo implicado en la experiencia, notando que de
cualquier forma se llega a la modelacin del fenmeno
estudiada desde la respectiva teora.
 Curva caracterstica del diodo

6. Referencias

[1] Cant Chapa Adalberto. Electrnica II. Primera [3] La caja de potencial. En lnea, citado el 16 de septiem-
edicin, 1996. Universidad autnoma metropolitana. bre de 2015. http://www.sc.ehu.es/sbweb/fisica/cuantic
Anlisis de diseo con diodos y transistores. a/pozo/caja.htm

[2] Teora del diodo. En lnea, citado el 16 de septiembre

[4] Adel S. Sedra, Kenneth Carless Smith. Microelec-
de 2015. http://cvb.ehu.es/open_course_ware/castellan
tronic Circuits, Volume 1, Fourth edition. Oxford Uni-
o/tecnicas/electro_gen/teoria/tema2-teoria.pdf
versity Press. Chapter 3, diodes

Anexo

Figura 1A. Curvas caractersticas de un diodo. Tomado de http://electronica-es-facil.blogspot.com.co/2011/03/curva-

caracteristica-del-diodo.html