Semiconductor

Semiconductor (abreviadamente, SC) es un elemento que se comporta como un conductor o como un aislante dependiendo de
diversos factores, como por ejemplo el campo elctrico o magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del
ambiente en el que se encuentre. Los elementos qumicos semiconductores de la
tabla peridica se indican en la tabla adjunta.

Electrones en
Elemento Grupos
la ltima capa

Cd 12 2 e-

Al, Ga, B, In 13 3 e-

Si, C, Ge 14 4 e-

P, As, Sb 15 5 e-

Se, Te, (S) 16 6 e-

El elemento semiconductor ms usado es el silicio, el segundo el germanio, aunque de idntico comportamiento presentan las
combinaciones de elementos de los grupos 12 y 13 con los de los grupos 16 y 15 respectivamente (Ga As, P In, As Ga Al, Te Cd, Se
Cd y S Cd). Posteriormente se ha comenzado a emplear tambin el azufre. La caracterstica comn a todos ellos es que son
tetravalentes, teniendo el silicio unaconfiguracin electrnicasp.

ndice
1 Tipos de semiconductores
1.1 Semiconductores intrnsecos
1.2 Semiconductores extrnsecos
1.2.1 Semiconductor tipo N
1.2.2 Semiconductor tipo P

2 Vase tambin
3 Enlaces externos
4 Semiconductores y electrnica

Tipos de semiconductores

Semiconductores intrnsecos
Es un cristal de silicio o germanio que forma una estructura tetradrica similar a la del carbono
mediante enlaces covalentes entre sus tomos, en la figura representados en el plano por
simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos electrones pueden
absorber la energa necesaria para saltar a la banda de conduccin dejando el correspondiente
hueco en la banda de valencia (1). Las energas requeridas, a temperatura ambiente, son de
1,12 eV y 0,67 eV para el silicio y el germanio respectivamente.
El proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones pueden caer desde el
estado energtico correspondiente en la banda de conduccin a un hueco en la banda de valencia, liberando as energa. Este
fenmeno se conoce como "recombinacin". A una determinada temperatura, las velocidades de creacin de pares e-h, y de
recombinacin se igualan, de modo que la concentracin global de electrones y huecos permanece constante. Sea "n" la
concentracin de electrones (cargas negativas) y "p" la concentracin de huecos (cargas positivas), se cumple entonces que:

ni = n = p

donde ni es la concentracin intrnsecadel semiconductor, funcin exclusiva de la temperatura y del elemento en cuestin.

Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente (27 C):

ni(Si) = 1.5 1010cm-3

ni(Ge) = 2.4 1013cm-3

Los electrones y los huecos reciben el nombre deportadores. En los semiconductores, ambos tipos de portadores contribuyen al paso
de la corriente elctrica. Si se somete el cristal a una diferencia de potencial se producen dos corrientes elctricas. Por un lado la
debida al movimiento de los electrones libres de la banda de conduccin, y por otro, la debida al desplazamiento de los electrones en
la banda de valencia, que tendern asaltar a los huecos prximos (2), originando unacorriente de huecos con 4 capas ideales y en la
direccin contraria al campo elctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de conduccin.

Semiconductores extrnsecos
Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o
pentavalentes, el semiconductor se denomina extrnseco, y se dice que est dopado. Las impurezas debern formar parte de la
estructura cristalina sustituyendo al correspondiente tomo de silicio.

Semiconductor tipo N
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor
para poder aumentar el nmero deportadores de carga libres (en este caso negativos oelectrones).

Cuando se aade el material dopante, aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de
agente dopante es tambin conocido comomaterial donante, ya que da algunos de sus electrones.

El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el material. Para ayudar a entender cmo se
produce el dopaje tipo n considrese el caso del silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que
se forma un enlace covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacentes. Si un tomo con cinco electrones de valencia, tales
como los del grupo 15 de la tabla peridica p. ej., fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb), se incorpora a la red cristalina en
el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn no enlazado. Este electrn extra da
como resultado la formacin de "electrones libres", el nmero de electrones en el material supera ampliamente el nmero de huecos,
en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los tomos
con cinco electrones de valencia tienen un electrn extra que "dar", son llamados tomos donadores. Ntese que cada electrn libre
en el semiconductor nunca est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene una carga
elctrica neta final de cero.

Semiconductor tipo P
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor
para poder aumentar el nmero de portadores de car
ga libres (en este caso positivos ohuecos).
Cuando se aade el material dopante libera los electrones ms dbilmente vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente
dopante es tambin conocido como material aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido un electrn son conocidos
como huecos.

El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un tomo tetravalente (tpicamente del
grupo 14 de la tabla peridica) se le une un tomo con tres electrones de valencia, tales como los del grupo 13 de la tabla peridica
(ej. Al, Ga, B, In), y se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr tres enlaces
covalentes y un hueco producido que se encontrar en condicin de aceptar un electrn libre.

As los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red, un protn del tomo situado en la
posicin del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado como una cierta carga positiva. Cuando un nmero suficiente de
aceptores son aadidos, los huecos superan ampliamente la excitacin trmica de los electrones. As, los huecos son los portadores
mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb),
que contienen impurezas deboro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera natural.

Vase tambin
Conductividad elctrica
Diodo
Silicio
Transistor
Unin PN
Polmero semiconductor

Enlaces externos
"Aniquilacin de Positrones en Semiconductores"
"Algunos estudios de semiconductores con Espectroscopa". Positron Lab, Como, Italy

Semiconductores y electrnica
Wikimedia Commons alberga contenido multimedia sobreSemiconductor.
* Fsica de semiconductores

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Se edit esta pgina por ltima vez el 17 oct 2017 a las 23:56.

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