ANEXO I: CONSTANTES FSICAS

CONSTANTES FSICAS GENERALES

Constante Smbolo Valor
Carga del electrn q 1.6021810-19 C
1.3806610-23 J/K
Constante de Boltzmann k -5
8.6210 eV
0.025852 V (300K)
Tensin Trmica kT/q
0.025256 V (293K)
Electrn-Voltio eV 1.6021810-19 J

CARACTERSTICAS DE LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES

Caracterstica
Smbolo Unidad Ge Si GaAs
(300K)
tomos/
Densidad atmica N0 4.421022 51022 2.211022
cm3
Brecha de energa de la
banda prohibida
Eg eV 0.67 1.107 1.43

Concentracin intrnseca ni cm-3 2.41013 1010 9106

Resistividad intrnseca i cm 47 3.3105 108

n (electrones) 3900 1350 8500

Movilidad en la red cm2/VS
p (huecos) 1900 500 400

Dn (electrones) 100 35 207

2
Constante de difusin cm /S
Dp (huecos) 49.1 13 10
NC (banda de 1.041019 2.81019 4.71017
Densidad efectiva de Conduccin)
Nv cm-3
estados (banda de
Valencia) 61018 1.041019 71018

Fuentes :
R.S. Muller and T.I. Kamins. Device Electronics for Integrated Circuits (second
edition). John Wiley & Sons. Singapore 1986.
S.M. Sze. Semiconductor Devices. Physics and Technology (2nd edition). John Wiley &
Sons. 2002