Objetivos

- Determinar el funcionamiento de un transistor de efecto de campo

- Determinar la dependencia exponencial dada por la ley de SHOCKLEY entre corriente I0 y el
voltaje VGS
- Determinar la curva de transferencia del transistor FET
- Comprobar el efecto de amplificacin

Introduccin
Se denominan as porque durante su funcionamiento la seal de entrada crea un campo elctrico
que controla el paso de la corriente a travs del dispositivo

A los transistores de efecto de campo se les conoce abreviadamente como FET (Field Effect
Transistor) y entre ellos podemos distinguir dos grandes tipos:

Transistor de Efecto de Campo de Unin

JFET (Junction Field Effect Transistor)
Transistor de Efecto de Campo Metal - xido - Semiconductor
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)

La principal diferencia entre ambos radica en el hecho de que el transistor BJT es un dispositivo
controlado por corriente, mientras que los transistores FET son dispositivos controlados por
tensin. En ambos casos, la corriente del circuito de salida es controlada por un parmetro del
circuito de entrada, en un caso el nivel de corriente y en el otro el nivel de tensin aplicada.

En los transistores FET se crea un campo elctrico que controla la anchura del camino de
conduccin del circuito de salida sin que exista contacto directo entre la magnitud controlada
(corriente) y la magnitud controladora (tensin).

De forma anloga a como en los transistores bipolares existen dos tipos npn y pnp, en los
transistores de efecto de campo se habla de transistores FETs de canal n y de canal p.

Una diferencia importante entre ambos tipos de transistores consiste en que mientras que los
transistores BJT son bipolares, es decir, en la corriente intervienen los dos tipos de portadores
(electrones y huecos), los transistores FET son unipolares, en los que el nivel de conduccin
depender nicamente de un nico tipo de portadores: de los electrones en los de canal n y de los
huecos en los de canal p.

Una de las caractersticas ms importantes de los FETs es su alta impedancia de entrada con
niveles que pueden varias desde uno hasta varios cientos de megahmios, muy superiores a la
que presentan los transistores bipolares que presentan impedancias de entrada del orden de unos
pocos kilohmios. Esto proporciona a los FET una posicin de ventaja a la hora de ser utilizados en
circuitos amplificadores.
 Sin embargo, el transistor BJT presenta mayor sensibilidad a los cambios en la seal aplicada, es
decir, la variacin de la corriente de salida es mayor en los BJT que en los FET para la misma
variacin de la tensin aplicada.

Por ello, tpicamente, las ganancias de tensin en alterna que presentan los amplificadores con BJT
son mucho mayores que las correspondientes a los FET.

En general los FET son ms estables con la temperatura y, normalmente, ms pequeos en

construccin que los BJT, lo que les hace particularmente tiles en circuitos integrados (sobre todo
los MOSFET).

Una caracterstica importante de los FET es que se pueden comportar como si se tratasen de
resistencias o condensadores, lo que posibilita la realizacin de circuitos utilizando nica y
exclusivamente transistores FET.

Curva Caracterstica
Los parmetros que definen el funcionamiento de un FET se observan en la siguiente figura:

Parmetros de un FET de canal N

Parmetros de un FET de canal P

La curva caracterstica del FET define con precisin como funciona este dispositivo. En ella
distinguimos tres regiones o zonas importantes:

Zona lineal.- El FET se comporta como una resistencia cuyo valor depende de la tensin
VGS.
 Zona de saturacin.- A diferencia de los transistores bipolares en esta zona, el FET,
amplifica y se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensin que existe
entre Puerta (G) y Fuente o surtidor (S) , VGS.
Zona de corte.- La intensidad de Drenador es nula.

Caractersticas de Salida

Desarrollo
Experimento 1. Polarizacin del transistor I
Se arm el circuito mostrado en la figura 1.

XMM1
VDD
16V
R1
1.2k

Q1

2N5484

R2
1.2k

Figura 1.
Se realizaron mediciones de corriente a diferentes voltajes para posteriormente construir la
grfica correspondiente

Experimento 2. Polarizacin con divisor de voltaje

Se arm el circuito mostrado en la figura 2

XMM1
VDD
16V
R1
1.2k

Q1

2N5484

R2
1.2k

Figura 2.

Se realizaron mediciones de corriente a diferentes voltajes para posteriormente construir la

grfica correspondiente

Experimento 3. Polarizacin con retroalimentacin

Se arm el circuito mostrado en la figura 3
16V

R8 VDD
10k
C2

Q3 1F
C1

1F 2N5484
R6
V2 1M R7
33k
10 Vrms
60 Hz V3
0 15 V

Figura 3.

Una vez armado este circuito y conectados el generador de funciones y el osciloscopio obtuvimos
la seal de salida y entrada para hacer una comparacin de stas.

Resultados y Anlisis Experimentales

Experimento 1. Polarizacin Fija
Voltaje Intensidad
(V) (mA)
0 0.02
0.5 0.22
1 0.43
1.5 0.59
2 0.78
2.5 1
3 1.22
3.5 1.37
4 1.59
4.5 1.76
5 1.95
7 2.60
9 2.91
11 2.96
13 2.98
15 2.99

Como podemos observar a medida que aumentamos el voltaje la intensidad tambin aumenta.
Podemos decir que para obtener mediciones que sean exactas es necesario tener una gran
precisin en las resistencias que usamos, ya que en este caso, la curva no sali exactamente como
la esperbamos. Por lo tanto una grfica ptima depende de que tan precisos respecto a los
clculos son los valores que usamos en nuestros componentes.

Experimento 2. Polarizacin con divisor de voltaje

VD VG Intensidad
(V) (V) (mA)
0 154mV 0.006
3 0.594 0.010
6 0.615 0.011
9 0.626 0.014
12 0.634 0016
15 0.640 0.019

Experimento 3. Polarizacin con retroalimentacin

Al tener problemas con el osciloscopio al no mostrarnos tan evidentemente la seal de salida, la
tuvimos que simular tomando en cuenta Vo donde se conecta el osciloscopio.
En Vo se observ la seal de la figura siguiente, donde a la seal de entrada se amplifica de
manera negativa recortando por completo la parte positiva de la onda y reduciendo la amplitud de
la onda dando como resultado la seal de salida (verde) mostrada en la siguiente figura.

Seal de salida (verde) y entrada (azul)

Los transistores JFET funcionan principalmente amplificando pequeas seales aprovechando su

alta impedancia de entrada, en este experimento se tiene un Vi de +16V y -16V, en el Vo se ve un
decremento muy marcado de -5.33mV debido a que suponemos que los capacitores se comportan
como corto circuito a estas frecuencias haciendo cero la fuente de corriente directa.

Cuestionario
1. Explique la diferencia entre un transistor BJT y un transistor FET
El JFET por su estructura, tiene una gran impedancia de entrada, adems es ms inmune al ruido
que un BJT, pero por otro lado, su respuesta en frecuencia es menor, o sea que son ms lentos y
su frecuencia de corte superior es ms chica, adems son menos lineales.

2. Indique los elementos que determinan el punto de trabajo de un transistor FET

El transistor bipolar que opera en la regin lineal tiene unas caractersticas elctricas lineales que
son utilizadas para amplificacin. En estos circuitos, las seales de entrada son amplificadas a la
salida y, por consiguiente, hay un aporte de energa realizado a travs de fuentes de tensin
externas denominadas fuentes de alimentacin o de polarizacin. Las fuentes de alimentacin
cubren dos objetivos: proporcionar las corrientes y tensiones en continua necesarias para que el
transistor opere en la regin lineal y suministra energa al transistor de la que parte de ella va a ser
convertida en potencia.

3. Enuncie tres ejemplos de aplicacin para transistores FET

4. Explique la operacin del FET en la zona de corte y saturacin en las curvas de

caractersticas
 - ZONA HMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta como una resistencia
variable dependiente del valor de VGS.
- ZONA DE SATURACIN: En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta como
una fuente de corriente gobernada por VGS
- ZONA DE CORTE: La intensidad de drenado es nula (ID = 0).

5. Explique por qu un FET tiene alta impedancia de entrada

Porque el circuito de entrada, la compuerta, no demanda corriente. Tener una alta impedancia de
entrada minimiza la interferencia con la fuente de seal, ya que supone una "carga" pequea. Por
lo que es deseable esta caracterstica de amplificacin

6. Enuncie los tipos de FET que conoce

7. Describa la ecuacin de SHOCKLEY

Modelo matemtico empleado en el estudio del diodo. Permite aproximar el comportamiento del
diodo en la mayora de las aplicaciones, liga la intensidad de corriente y la diferencia de potencial

= ( 1)
Donde:
I: Intensidad de la corriente que atraviesa el diodo
VD: Diferencia de tensin entre sus extremos
Is: Corriente de saturacin
q: Carga del electrn
T: Temperatura absoluta de la unin
K: Constante de Boltzmann
N: Coeficiente de emisi{on

8. Cules son las ventajas que presenta el FET con respecto a un BJT?
Son dispositivos controlados por una tensin con una impedancia de entrada muy
elevada
Generan un nivel de ruido menor que los BJT
Son ms estables con la temperatura
Son ms fciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten integrar
ms dispositivos en un circuito integrado
 Se comportan como resistencias controlados por tensin para valores pequeos de
tensin drenaje-fuente
Su alta impedancia de entrada les permite retener la carga el tiempo suficiente para
permitir su utilizacin como dispositivos de mantenimiento

9. Explique cul es el efecto que tiene la carga esttica en el FET

La carga esttica puede daar el transistor

10. Explique cmo opera el FET en la regin de agotamiento

La construccin bsica del JFET de canal-n se muestra en la figura siguiente Observe que la mayor
parte de la estructura es el material tipo n que forma el canal entre las capas difundidas en
material tipo p. El extremo superior del canal tipo n se conecta mediante contacto hmico a la
terminal denominada como drenaje (drain) (D), mientras que el extremo inferior del mismo
material se conecta por medio de contacto hmico a la terminal llamada la fuente (source) (S). Los
dos materiales tipo p se encuentran conectados juntos y al mismo tiempo hacia la terminal de
compuerta (gate) (Q). Por tanto, esencialmente el drenaje y la fuente se conectan en esencia a los
extremos del canal tipo n y la compuerta, a las dos capas del material tipo p. En ausencia de
cualquiera de los potenciales aplicados, el JFET tiene dos uniones p-n bajo condiciones sin
polarizacin. El resultado es una regin de agotamiento en cada unin, como se ilustra en la figura
siguiente, que se parece a la misma regin de un diodo bajo condiciones sin polarizacin.
Recurdese tambin que una regin de agotamiento es aquella regin carente de portadores
libres y por lo tanto incapaz de permitir la conduccin a travs de la regin.

Conclusiones
A pesar de la tardanza por nuestra falta de material, en el osciloscopio se pudo determinar el
funcionamiento de un transistor de efecto de campo con sus diferentes polarizaciones,
determinamos la dependencia exponencial que est dada por la ley de Shockley entre la corriente
Io y el voltaje VCS.. En los transistores JFET que estuvimos majeando pudimos determinar la curva de
transferencia, su efecto de amplificacin que se observo en los voltajes de entrada y salida as
como en el experimento 3 en la simulacin, Lo ms importante fue el entender como conectar
este tipo de transistores en sus diferentes terminales.

A manera de conclusin podemos observar que el FET es un dispositivo activo que funciona como
una fuente de corriente controlada por voltaje. Los transistores FET realizan la funcin de control
de la corriente, comn a todos los transistores por ser caracterstica bsica, mediante una tensin
aplicada en uno de sus terminales. El comportamiento de los transistores de efecto de campo se
caracteriza por sus curvas caractersticas en las que se representa la corriente que entra o sale por
el Drenador en funcin de la tensin aplicada entre ste y la Fuente.

Estos transistores pueden ser empleados en los circuitos en una disposicin similar a la de los
bipolares, es decir, en fuente comn, aunque la primera y la ltima son las ms utilizadas en la
prctica.

Referencias
Robert L. Boylestad, Electrnica: Teora de Circuitos y Dispositivos electrnicos (Ed. Pearson
Education, 6ta. Edicin, Mxico, 1997).