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Regulador de
tensin + 5 V
+ 12 Volt Resistencia
de carga
R
Circuito
H
V procesador
A Tr de informacin
S
Punto
M
Figura 24
El circuito del sensor por efecto Hall contiene un Mdulo de Control Electrnico,
un Dispositivo por Efecto Hall, conectores y conductores de conexin entre los
componentes (Fig. 24).
Transistor cortado
+ 5 Volt
0 Volt
Transistor saturado
Como se puede apreciar, el circuito produce una seal cuya forma de onda es
cuadrada, seal que es provista al mdulo de control electrnico.
Tensin Hall desarrollada
Tensin
de C.C
aplicada
Lneas de
Fuerza del Intensidad de corriente
Campo magntico
Campo magntico
+V
-V
Figura 27 - a
NoI se genera
tensin
I No se genera
tensin
Blindaje magntico
Elemento Hall fuera del campo magntico Elemento Hall blindado para el campo magntico
(campo magntico con movimiento) (campo magntico en derivacin o con su expan-
sin limitada)
Figura 27 b Figura 27 - c
A medida que el elemento Hall comienza a ser expuesto a un campo magntico, una
tensin comienza a ser generada por dicho elemento. El nivel de esta tensin se va
incrementando a medida que el elemento es inmerso ms y ms en el campo magntico,
es decir a medida que ms cantidad de lneas de fuerza del campo magntico lo
atraviesen. El pico mximo de tensin ser alcanzado cuando el elemento se encuentre
totalmente sumergido en el campo magntico (Fig. 27 a y Fig. 28). Si el elemento
comienza a ser retirado o blindado de la influencia del campo magntico (Figs. 27 b ,
27 c y Fig. 28), el nivel de la tensin generada comenzar a disminuir , llegando a
nivel cero cuan do ya el elemento se encuentre fuera de la accin del campo magntico.
Figura 28
Debido a que el elemento Hall genera una tensin de muy baja amplitud, esta seal debe
ser amplificada para poder ser utilizada por los circuitos del sensor.
El nivel de la tensin es incrementado por medio del amplificador de tensin, pero la
forma de onda permanece invariable. La seal ya amplificada es conformada por la
etapa Schmitt Trigger, para luego ser aplicada a la base del transistor de conmutacin
Tr.
Observe que la forma de onda de la seal es prcticamente una onda cuadrada (Fig. 28).
Se dijo que el bajo nivel de tensin generado por el elemento Hall era amplificado y
conformado pero que se conservaba la forma de onda original, por lo tanto al variar el
nivel de la tensin aplicada a la base del transistor Tr (transistor NPN) de 0 Volt a una
cierto nivel positivo (flanco ascendente de la seal), el transistor pasar de la condicin
de corte (0 Volt aplicado a su base), a la condicin de plena conduccin o saturacin
(tensin positiva aplicada a su base) (Fig. 29). Al cambiar luego ese nivel de tensin
aplicado a su base, de positivo nuevamente a 0 Volt (flanco descendente de la seal) el
transistor ser nuevamente conmutado a la condicin de corte (Fig. 30).
Vemos as que el transistor se comporta como un perfecto interruptor, cuando se
encuentra en la condicin de corte, su circuito emisor/colector est abierto , por lo tanto
en el Punto M ubicado en el Mdulo de Control Electrnico el nivel de tensin ser de +
5 Volt (Fig. 30). Cuando el transistor sea excitado en su base por tensin positiva pasar
a la condicin de saturacin, en esta condicin su circuito emisor/colector se comporta
como un cortocircuito y por lo tanto el nivel de tensin en el Punto M ser 0 Volt (Fig.
29).
Regulador de
tensin + 5V
R
Circuito
H procesador
Tr V de i nformacin
A S Punto
M
0 Volt
Figura 29
Regulador de
tensin + 5 V
R Circuito
H procesador
Tr V de informacin
A S Punto
M
+ 5 Volt
Figura 30
Campana