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SENSORES DE LUZ

Aqu estudiamos a aquellos sensores que se utilizan para medir variables fsicas
mediante el uso de la luz, es por eso que definimos, estrictamente, qu es luz y como se
transforma en otro tipo de energa. La luz, el cual est compuesta por un elemento
llamado fotn o cuanto de luz, es muy eficiente cuando se trata de medir distancia,
temperatura, composicin qumica, intensidad de color, etc.
PRINCIPIO DE ACCIONAMIENTO (PRINCIPIO DE TRANSDUCCIN FOTOELCTRICO)
Para saber cmo ocurre ste tipo de fenmenos es necesario definir qu es un fotn.
Un fotn es un tipo de partcula elemental, llamado originalmente por Albert Einstein
cuanto de luz.
La energa presente en la luz tiene una naturaleza compleja, ya que se dice que tiene
dualidad onda-partcula; se establece que, a pesar de ser una entidad de masa nula,
tiene comportamiento corpuscular; cuando se considera un haz de fotones es posible
observar un comportamiento ondulatorio, que se manifiesta como una onda
electromagntica porque es posible observar que esta se difracta, se polariza o produce
interferencia.
Se dice que un efecto fotoelctrico ocurre cuando se hace incidir un fotn en un
material, y dicho material emite un electrn. As, el principio de transduccin
fotoelctrico se define como la conversin de luz a una seal elctrica. Los efectos
fotoelctricos ocurren dependiendo de cunta energa tenga el fotn incidente y cunta
energa requiere el material para emitir un electrn.
Si un fotn incidente no excede la energa necesaria para que el material emita un
electrn, no existir efecto fotoelctrico. La energa contenida en un fotn est
relacionada con su longitud de onda; as, entre ms corta sea la longitud de onda, mayor
energa tendr el fotn.

Una de las formas ms simples de lograr que este fenmeno ocurra es dirigir un haz de
luz en direccin a una delgada pelcula de material; as, cuando un fotn incide sobre el
material, emite un electrn, por lo que la conductancia de la pelcula aumenta,
incrementando la corriente presente en el circuito de medicin.
La principal ventaja de este tipo de transduccin es su alta sensitividad y su gran
capacidad para trabajar en diversas condiciones ambientales.
Las aplicaciones ms significativas de este tipo de principio de transduccin son en las
mediciones de dimensiones, desplazamientos, deformaciones, fuerza, presin, torque,
flujo y en algunos otros fenmenos dinmicos.
SENSORES INFRARROJOS: EL FOTOTRANSISTOR Y EL FOTODIODO:
Este sistema de medicin es
muy utilizado en sensores de
presencia en donde hay un
emisor de luz infrarroja y un
elemento fotosensible
(fotodiodo o fototransistor)
que se encarga de detectar el
cambio de posicin mediante
el cambio de emisin de luz.
El IRLED (Diodo emisor de luz
infrarrojo) es el elemento
emisivo de luz en el sistema.
Como cualquier diodo emisor
de luz (LED), el LED infrarrojo
cuenta con un nodo y un
ctodo. En este caso, cuando el diodo se polariza en directa, esto es, cuando el voltaje
positivo se encuentra aplicado en el nodo y la referencia a tierra en el ctodo, este
dispositivo emite la luz infrarroja, que es la fuente intrnseca del sistema de medida.
Las diferentes configuraciones del IRLED se ilustran a continuacin: En a se muestra la
configuracin de retrorreflector, donde el objeto refleja el haz de la fuente de luz
produciendo un cambio de intensidad en la seal que genera el receptor; de esta forma
se detecta la presencia de un objeto. En b se muestra la configuracin de haz fijo, en
general utilizada detectores de presencia. En c se muestra la configuracin de foco fijo,
en la que la intensidad de la seal registrada en el receptor depende de la proximidad
del objeto al emisor, se usa para sensores de distancia.
1. FOTOTRANSISTORES
Un fototransistor es el transductor entre la luz y una seal elctrica que indica la
presencia o ausencia de dicho haz, aunque en algunas configuraciones indica la
distancia que hay entre el emisor de luz y cierto objeto.
Un fototransistor convierte la
energa contenida en un fotn
en portadores de carga, de tal
manera que por cada fotn
percibido se genera un par
electrn-hueco, agregando a
este efecto una ganancia en
corriente de la misma manera
que en un transistor comn.
Al conectar una fuente de
voltaje en el circuito base-
emisor-colector se busca que
la unin base-emisor sea
polarizada en inversa, con la
finalidad de que, al percibir
una fuente de luz en la base,
se genere una corriente
fotoinducida.
Lo que diferencia a un fototransistor de un transistor normal es que el fototransistor
no necesita tener la base polarizada ya que aprovecha el fenmeno fotoelctrico para
generar los portadores de
cara que circulan a travs
del transistor, es por eso
que la base del
fototransistor tiene un
rea mayor que los
transistores normales y
eso es para que se pueda
recepcionar mejor la
irradiacin emitida por la
luz.
Con la finalidad de detectar la luz emitida por el IRLED, un fototransistor se puede
utilizar con las siguientes configuraciones:

1.1. Configuracin de emisor comn: Consiste en generar un cambio en la seal


elctrica de estado alto a estado bajo; este cambio se logra mediante la
conexin de la terminal del colector a la fuente de voltaje, a travs de una
resistencia de carga, y la terminal de emisor es conectada a referencia a tierra.
El voltaje de salida se mide en el colector. Este circuito bsico tiene la funcin
de actuar como un amplificador, ya que amplifica la corriente generada en la
base debido a la presencia de luz.

1.2. Configuracin de colector comn: Esta configuracin tambin se conoce como


seguidor emisor y funciona de forma opuesta a la configuracin de emisor
comn, ya que cambia el estado de la seal de estado bajo a estado alto en
presencia de luz en la base. La conexin consiste en colocar el emisor con
referencia a tierra por medio de una resistencia de carga, mientras que el
colector est conectado a una fuente de voltaje positiva; el voltaje de salida se
mide en el emisor.

1.3. Operacin del circuito: Modo switch y modo activo: La configuracin en modo
de switch es ampliamente utilizada para detectar la presencia de un objeto o en
encoders. Por otra parte, la configuracin en modo activo, tambin conocida
como configuracin lineal, consiste en medir el cambio de voltaje
correspondiente a la intensidad de luz percibida por el elemento fotosensible.

1.4. Fototransistores con terminal de base: El uso de la terminal de base es


conveniente en aplicaciones en donde se desea incrementar o disminuir el nivel
de luz permisible, para provocar un cambio de estado en el fototransistor. Si se
tienen valores altos de Rb, se incrementa el nivel de luz necesario para provocar
un cambio de estado; esto mejora en gran medida la calidad de la seal digital
generada por el circuito.
2. FOTODIODOS
Un fotodiodo es un dispositivo
ptico semiconductor cuya principal
caracterstica es generar pares
electrn-hueco a partir de la energa
presente en un fotn percibido.
Para explicar el principio de
funcionamiento de un fotodiodo,
considere una unin PN. Si la unin
est polarizada en directa, es decir si
el lado P se conecta a la terminal positiva
de la fuente de voltaje y el lado N se conecta a la terminal negativa del voltaje, una
corriente circular a travs del diodo; cuando el diodo se expone a la luz, entonces su
corriente tendr un incremento.
Ahora, considere que el diodo es polarizado en inversa; la corriente de oscuridad del
diodo ser muy pequea. Cuando en este se presente el fenmeno fotoelctrico, la
corriente se incrementa de manera notable; esto se debe a que los electrones
generados por el efecto fotoelctrico estarn fluyendo en direccin a la terminal
positiva de la fuente de voltaje.

Los modos de operacin de los fotodiodos se muestran a continuacin:

2.1. Modo fotovoltaico: Consiste en operar al fotodiodo como una fuente de


corriente; en este modo se utiliza una carga resistiva para determinar el voltaje
presente. Este arreglo se utiliza en conjunto con un amplificador operacional en
modo no inversor.

2.1. Modo fotoconductivo: Se requiere aplicar un voltaje en inversa en el fotodiodo;


de igual manera, esta configuracin se acompaa de un circuito de
acondicionamiento de seal, la unin de estos elementos es llamado
convertidor luz-voltaje.
3. FOTORRESISTENCIA O LDR
Un sensor LDR (Light Dependent Resistor /
resistencia dependiente de la luz), por lo
comn llamado fotorresistencia, es un
elemento resistivo cuya caracterstica
principal es que la magnitud de su
resistencia es una funcin de la luz
incidente.
Son sensores muy utilizados para controles
de iluminacin en sistemas de alumbrado,
ya sea domstico o pblico, como sensores
auxiliares en sistemas fotogrficos y
pantallas, etc.
Una fotorresistencia se basa en este ltimo principio fsico; al incidir una fuente de
luz sobre el semiconductor, el nmero de pares electrn-hueco libres para la
conduccin aumenta, por lo que la resistividad del material se ve disminuida.

La principal diferencia de este tipo de sensor con el fotodiodo y el fototransistor es


que no se genera una corriente fotoinducida, sino que se aprovecha el principio de
variacin de resistencia, derivado del cambio de conductividad en el material. En
condiciones de baja iluminacin, la resistencia del LDR es alta. A mayor iluminacin,
menor ser la resistencia elctrica que presenta, gracias al efecto fotoelctrico.

La sensitividad de una fotorresistencia est dada como la razn entre el nmero de


electrones generados por cada fotn incidente:
: sensitividad

= : electrones libres para la conduccin

: tiempo de trnsito de un electrn entre cada contacto [s]

El tiempo de trnsito de un electrn, para el caso de material puede calcularse por


medio de la ecuacin:
d: distancia entre contacto
2 V: voltaje aplicado [v]
=
: movilidad de un electrn

De las ecuaciones anteriores es posible deducir que entre menor distancia exista
entre contacto y contacto, mayor ser la sensitividad del sensor, y dado que se busca
que el valor de voltaje aplicado no sea muy alto con fines de compatibilidad con
aplicaciones de electrnica convencional, la manera ptima para lograr mayor
sensitividad es con la forma de serpentina del sensor, ya que la distancia (d) entre
contacto y contacto es solo el grosor de la capa conductora, por lo que al aumentar
el ancho del sensor tambin aumenta el nmero de pares electrn hueco que puede
generar.

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