Technische Information / Technical Information

IGBT-Module
IGBT-Modules BSM10GP120

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier
Periodische Rckw. Spitzensperrspannung
VRRM 1600 V
repetitive peak reverse voltage
Durchlastrom Grenzeffektivwert
IFRMSM 40 A
RMS forward current per chip
Dauergleichstrom
TC = 80C Id 10 A
DC forward current
Stostrom Grenzwert tP = 10 ms, T vj = 25C IFSM 300 A
surge forward current tP = 10 ms, T vj = 150C 230 A
2
Grenzlastintegral tP = 10 ms, T vj = 25C It 450 A2s
2 2
I t - value tP = 10 ms, T vj = 150C 260 As

Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter

Kollektor-Emitter-Sperrspannung
VCES 1200 V
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom Tc = 80 C IC,nom. 10 A
DC-collector current TC = 25 C IC 20 A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
tP = 1 ms, T C = 80 C ICRM 20 A
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
TC = 25C Ptot 100 W
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
VGES +/- 20V V
gate-emitter peak voltage

Diode Wechselrichter/ Diode Inverter

Dauergleichstrom
Tc = 80 C IF 10 A
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
tP = 1 ms IFRM 20 A
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral 2
2 VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125C It 18 A2s
I t - value

Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper

Kollektor-Emitter-Sperrspannung
VCES 1200 V
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom TC = 80 C IC,nom. 10 A
DC-collector current TC = 25 C IC 20 A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
tP = 1 ms, TC = 80C ICRM 20 A
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
TC = 25C Ptot 100 W
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
VGES +/- 20V V
gate-emitter peak voltage

Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper

Dauergleichstrom
Tc = 80 C IF 10 A
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
tP = 1 ms IFRM 20 A
repetitive peak forw. current

prepared by: Andreas Schulz date of publication:17.09.1999

approved by: M.Hierholzer revision: 5

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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM10GP120

Modul Isolation/ Module Isolation

Isolations-Prfspannung RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL 2,5 kV
insulation test voltage NTC connected to Baseplate

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier min. typ. max.
Durchlaspannung
Tvj = 150C, I F = 10 A VF - 0,9 0,95 V
forward voltage
Schleusenspannung
Tvj = 150C V(TO) - - 0,8 V
threshold voltage
Ersatzwiderstand
Tvj = 150C rT - - 10,5 m
slope resistance
Sperrstrom
Tvj = 150C, V R = 1600 V IR - 2 - mA
reverse current
Modul Leitungswiderstand, Anschlsse-Chip
TC = 25C RAA+CC - 8 - m
lead resistance, terminals-chip

Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter min. typ. max.

Kollektor-Emitter Sttigungsspannung VGE = 15V, Tvj = 25C, IC = 10 A VCE sat - 2,4 2,85 V
collector-emitter saturation voltage VGE = 15V, Tvj = 125C, IC = 10 A - 2,75 - V
Gate-Schwellenspannung
VCE = VGE, Tvj = 25C, IC = 0,35 mA VGE(TO) 4,5 5,5 6,5 V
gate threshold voltage
Eingangskapazitt f = 1MHz, Tvj = 25C
Cies - 0,6 - nF
input capacitance VCE = 25 V, VGE = 0 V
Kollektor-Emitter Reststrom VGE = 0V, Tvj = 25C, V CE = 1200 V ICES - 0,5 500 A
collector-emitter cut-off current VGE = 0V, Tvj =125C, V CE = 1200 V - 0,8 - mA
Gate-Emitter Reststrom
VCE = 0V, VGE =20V, Tvj =25C IGES - - 300 nA
gate-emitter leakage current
Einschaltverzgerungszeit (ind. Last) IC = INenn, V CC = 600 V
turn on delay time (inductive load) VGE = 15V, Tvj = 25C, R G = 82 Ohm td,on - 40 - ns
VGE = 15V, Tvj = 125C, R G = 82 Ohm - 45 - ns
Anstiegszeit (induktive Last) IC = INenn, V CC = 600 V
rise time (inductive load) VGE = 15V, Tvj = 25C, R G = 82 Ohm tr - 45 - ns
VGE = 15V, Tvj = 125C, R G = 82 Ohm - 40 - ns
Abschaltverzgerungszeit (ind. Last) IC = INenn, V CC = 600 V
turn off delay time (inductive load) VGE = 15V, Tvj = 25C, R G = 82 Ohm td,off - 255 - ns
VGE = 15V, Tvj = 125C, R G = 82 Ohm - 285 - ns
Fallzeit (induktive Last) IC = INenn, V CC = 600 V
fall time (inductive load) VGE = 15V, Tvj = 25C, R G = 82 Ohm tf - 40 - ns
VGE = 15V, Tvj = 125C, R G = 82 Ohm - 60 - ns
Einschaltverlustenergie pro Puls IC = INenn, V CC = 600 V
turn-on energy loss per pulse VGE = 15V, Tvj = 125C, R G = 82 Ohm Eon - 1,2 - mWs
LS = 75 nH
Abschaltverlustenergie pro Puls IC = INenn, V CC = 600 V
turn-off energy loss per pulse VGE = 15V, Tvj = 125C, R G = 82 Ohm Eoff - 1,1 - mWs
LS = 75 nH
Kurzschluverhalten tP 10s, VGE 15V, RG = 82 Ohm
SC Data Tvj125C, VCC = 720 V ISC - 45 - A
dI/dt = 800 A/s

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IGBT-Module
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Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Charakteristische Werte / Characteristic values
min. typ. max.
Modulinduktivitt
LCE - - 100 nH
stray inductance module
Modul Leitungswiderstand, Anschlsse-Chip
TC = 25C RCC+EE - 11 - m
lead resistance, terminals-chip

Diode Wechselrichter/ Diode Inverter min. typ. max.

Durchlaspannung VGE = 0V, Tvj = 25C, IF = 10 A VF - 2,2 2,55 V
forward voltage VGE = 0V, Tvj = 125C, IF = 10 A - 2,1 - V
Rckstromspitze IF=INenn, - diF/dt = 400A/s
peak reverse recovery current VGE = -10V, Tvj = 25C, V R = 600 V IRM - 11 - A
VGE = -10V, Tvj = 125C, V R = 600 V - 13 - A
Sperrverzgerungsladung IF=INenn, - diF/dt = 400A/s
recovered charge VGE = -10V, Tvj = 25C, V R = 600 V Qr - 0,84 - As
VGE = -10V, Tvj = 125C, V R = 600 V - 1,5 - As
Abschaltenergie pro Puls IF=INenn, - diF/dt = 400A/s
reverse recovery energy VGE = -10V, Tvj = 25C, V R = 600 V ERQ - 0,3 - mWs
VGE = -10V, Tvj = 125C, V R = 600 V - 0,54 - mWs

Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper min. typ. max.

Kollektor-Emitter Sttigungsspannung VGE = 15V, Tvj = 25C, IC = 10,0 A VCE sat - 2,4 2,85 V
collector-emitter saturation voltage VGE = 15V, Tvj = 125C, IC = 10,0 A - 2,75 - V
Gate-Schwellenspannung
VCE = VGE, Tvj = 25C, IC = 0,35mA VGE(TO) 4,5 5,5 6,5 V
gate threshold voltage
Eingangskapazitt f = 1MHz, Tvj = 25C
Cies - 0,6 - nF
input capacitance VCE = 25 V, VGE = 0 V
Kollektor-Emitter Reststrom VGE = 0V, Tvj = 25C, V CE = 1200 V ICES - 0,5 500 A
collector-emitter cut-off current VGE = 0V, Tvj = 125C, V CE = 1200 V - 0,8 - mA
Gate-Emitter Reststrom
VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25C IGES - - 300 nA
gate-emitter leakage current

Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper min. typ. max.

Durchlaspannung Tvj = 25C, IF = 10,0 A VF - 2,2 2,55 V
forward voltage Tvj = 125C, IF = 10,0 A - 2,1 - V

NTC-Widerstand/ NTC-Thermistor min. typ. max.

Nennwiderstand
rated resistance TC = 25C R25 - 5 - k

Abweichung von R100

deviation of R100 TC = 100C, R 100 = 493 R/R -5 5 %

Verlustleistung TC = 25C P25 20 mW

power dissipation
B-Wert R2 = R1 exp [B(1/T2 - 1/T1)] B25/50 3375 K
B-value

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Thermische Eigenschaften / Thermal properties

min. typ. max.
Innerer Wrmewiderstand Gleichr. Diode/ Rectif. Diode RthJC - - 1 K/W
thermal resistance, junction to case Trans. Wechsr./ Trans. Inverter - - 1,2 K/W
Diode Wechsr./ Diode Inverter - - 2,3 K/W
Trans. Bremse/ Trans. Brake - - 1,2 K/W
Diode Bremse/ Diode Brake - - 2,3 K/W
bergangs-Wrmewiderstand Gleichr. Diode/ Rectif. Diode Paste=1W/m*K RthCK - 0,08 - K/W
thermal resistance, case to heatsink Trans. Wechsr./ Trans. Inverter grease=1W/m*K - 0,04 - K/W
Diode Wechsr./ Diode Inverter - 0,08 - K/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
Tvj - - 150 C
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
Top -40 - 125 C
operation temperature
Lagertemperatur
Tstg -40 - 125 C
storage temperature

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Innere Isolation
Al2O3
internal insulation
CTI
225
comperative tracking index
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung M 3 Nm
mounting torque 10%
Gewicht
G 180 g
weight

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Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch) CI = f (VCE)

Output characteristic Inverter (typical) VGE = 15 V

20

18

16
Tj = 25C
14 Tj = 125C

12
IC [A]

10

0
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 5

VCE [V]

Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch) CI = f (VCE)

Output characteristic Inverter (typical) Tvj = 125C

20

18 VGE = 17V
VGE = 15V
16
VGE = 13V
14 VGE = 11V
VGE = 9V
12
IC [A]

10

0
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 5

VCE [V]

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bertragungscharakteristik Wechselr. (typisch) I

C = f (VGE)
Transfer characteristic Inverter (typical) VCE = 20 V

20

18

16

14 Tj = 25C
Tj = 125C
12
IC [A]

10

0
0 2 4 6 8 10 12 14

VGE [V]

Durchlakennlinie der Freilaufdiode Wechselr. (typisch) FI = f (VF)

Forward characteristic of FWD Inverter (typical)

20

18

16

14 Tj = 25C
Tj = 125C
12
IF [A]

10

0
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3

VF [V]

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Schaltverluste Wechselr. (typisch) Eon = f (IC), Eoff = f (IC), Erec = f (IC) VCC = 600 V
Switching losses Inverter (typical) Tj = 125C, V GE = 15 V, RGon = RGoff = 82 Ohm

3,5
Eon
Eoff
3
Erec

2,5
E [mWs]

1,5

0,5

0
0 5 10 15 20 25

IC [A]

Schaltverluste Wechselr. (typisch) Eon = f (RG), Eoff = f (RG), Erec = f (RG)

Switching losses Inverter (typical) Tj = 125C, V GE = +-15 V , I c = Inenn , VCC = 600 V

1,6

1,4 Eon
Eoff
Erec
1,2

1
E [mWs]

0,8

0,6

0,4

0,2

0
0 20 40 60 80 100 120 140

RG []

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Transienter Wrmewiderstand Wechselr. ZthJC = f (t)

Transient thermal impedance Inverter

10

Zth-IGBT
Zth-FWD
ZthJC [K/W]

0,1
0,001 0,01 0,1 1 10

t [s]

Sicherer Arbeitsbereich Wechselr. (RBSOA) I

C = f (VCE)
Reverse bias save operating area Inverter (RBSOA)Tvj = 125C, VGE = 15V, RG = 82 Ohm

25

20

IC,Modul
15 IC,Chip
IC [A]

10

0
0 200 400 600 800 1000 1200 1400

VCE [V]

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IGBT-Module
IGBT-Modules BSM10GP120

Ausgangskennlinienfeld Brems-Chopper-IGBT (typisch) CI = f (VCE)

Output characteristic brake-chopper-IGBT (typical) VGE = 15 V

20

18

16 Tj = 25C
Tj = 125C
14

12
IC [A]

10

0
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5

VCE [V]

Durchlakennlinie der Brems-Chopper-Diode (typisch) FI = f (VF)

Forward characteristic of brake-chopper-FWD (typical)
20

18

16

14
Tj = 25C
12 Tj = 125C
IF [A]

10

0
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3

VF [V]

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IGBT-Module
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Durchlakennlinie der Gleichrichterdiode (typisch) FI = f (VF)

Forward characteristic of Rectifier Diode (typical)

20

18

16

14
Tj = 25C
12 Tj = 150C
IF [A]

10

0
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6

VF [V]

NTC- Temperaturkennlinie (typisch) R = f (T)

NTC- temperature characteristic (typical)

100000
Rtyp

10000
R[]

1000

100
0 20 40 60 80 100 120 140 160

TC [C]

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Schaltplan/ Circuit diagram

21 22 8 9

20 18 16
19 17 15 NTC
1 2 3 7 4 5 6

14 13 12 11
23 24 10

Gehuseabmessungen/ Package outlines

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine

Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen.

This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is

valid in combination with the belonging technical notes.

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Nutzungsbedingungen
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Aufgrund der technischen Anforderungen knnte unser Produkt gesundheitsgefhrdende Substanzen enthalten. Bei Rckfragen zu
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Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefhrdenden oder
lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir fr diese Flle
- die gemeinsame Durchfhrung eines Risiko- und Qualittsassessments;
- den Abschluss von speziellen Qualittssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einfhrung von Manahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend
empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Manahmen abhngig
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