CDIGO: SGC.DI.

505
VERSIN: 1.0
FECHA ULTIMA
DEPARTAMENTO: ELCTRICA Y ELECTRNICA REVISIN: 26/10/16

INFORME DE LABORATORIO
PERIODO
ASIGNATURA: ELECTRNICA GENERAL 2017-2018 NIVEL: 5to
LECTIVO:
PRCTICA
DOCENTE: NRC: 1797 1
N:
LABORATORIO DONDE SE
Electrnica
DESARROLLAR LA PRCTICA:
TEMA DE
Funcionamiento del diodo semiconductor
LAPRCTICA:

INTEGRANTES:

INTRODUCCIN:

Se han encontrado muchas aplicaciones para los diodos en circuitos elctricos y en la ingeniera elctrica;
estos han sido fabricados en versiones silicio que es un tomo tetravalente y cuando se encuentra en estado
puro tiene alta resistencia por el hecho de ser covalente, junto con el silicio se le hace una aleacin con fsforo
para que sea un conductor.

Los semiconductores son una clase especial de elementos cuya conductividad

se encuentra entre la de un buen conductor y la de un aislante. En general, los
materiales semiconductores caen dentro de una de dos clases: de un solo cristal
y compuesto. Los semiconductores de un solo cristal como el germanio (Ge) y
el silicio (Si) tienen una estructura cristalina repetitiva, en tanto que
compuestos como el arseniuro de galio (GaAs), el sulfuro de cadmio (CdS), el
nitruro de galio (GaN) y el fosfuro de galio y arsnico (GaAsP) se componen
de dos o ms materiales semiconductores de diferentes estructuras atmicas.
Los tres semiconductores ms frecuentemente utilizados en la construccin de
dispositivos electrnicos son Ge, Si y GaAs.

Los materiales semiconductores en su estado intrnseco no conducen bien la corriente y su valor es limitado.
Esto se debe al nmero limitado de electrones libres presentes en la banda de conduccin y huecos presentes
en la banda de valencia. El silicio intrnseco (o germanio) se debe modificar incrementando el nmero de
electrones libres o huecos para aumentar su conductividad y hacerlo til en dispositivos electrnicos. Esto se
hace aadiendo impurezas al material intrnseco. Dos tipos de materiales semiconductores extrnsecos
(impuros), el tipo n y el tipo p, son los bloques de construccin fundamentales en la mayora de los tipos de
dispositivos electrnicos.

El Diodo.-Si se toma un bloque de silicio y se dopa una parte de l con una impureza trivalente y la otra con
una impureza pentavalente, se forma un lmite llamado unin p-n entre las partes tipo p y tipo n resultantes y se
crea un diodo bsico. Un diodo es un dispositivo que conduce corriente en slo una direccin. La unin p-n es
la caracterstica que permite funcionar a diodos, ciertos transistores y otros dispositivos.
OBJETIVOS:

Determinar el funcionamiento del diodo semiconductor.

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Conocer el funcionamiento de los equipos del laboratorio.

Analizar y entender como fluye la corriente a travs de un circuito con diodos y resistores.
Comparar el voltaje, la intensidad y resistencia de los diodos del silicio y germanio en los circuitos a
estudiar.

ACTIVIDADES POR DESARROLLAR:

1. Arme los circuitos de las figuras y determine

a. Vo e ID para los circuitos en serie.

Fig.2 Determinacin de las cantidades

desconocidas de la red del ejercicio a.

La direccin de la corriente resultante coincide con la de las flechas de los smbolos de ambos diodos y se
obtiene la red de la figura 2. En donde:

2 = = 1.8
1 = = 0.7

El voltaje resultante es:

= 1 2 = 12 2.5 = .

9.5 V
1 = = = = .
680 k

b. Vo para la configuracin:
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Fig.3 Circuito equivalente.

Se debe encontrar el voltaje que pasa por el ramal del diodo, el diodo de silicio se encuentra abierto ya que la
fuente necesaria para que pase energa es mayor que la de silicio.

= 0.3 V.

= 5v.

0 = 5 0.3 = . .

c. Vo e I para la red:

Fig.4 Circuito equivalente.

Diodo Ge "encendido" que evita que el diodo Si se encienda:

10 0.3 9.7
= = = .
1 1
= = 9.7 (1) = .

RESULTADOS OBTENIDOS:

1. Calcule cada uno de los parmetros solicitados en los circuitos implementados.

2. Realice una tabla donde se muestre los valores medidos y los calculados.
3. Calcule el error entre los valores medidos y valores calculados

. .
= 100
.
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Tabla 1. Valores Calculados y Medidos para el circuito del problema 1

Variable Unidades Val. Calculados Val. Medidos Error

Vo Voltios (V) 9.5 8.3 12%

ID miliamperios(m 13.9 12.8 7.9%

A)

Tabla 2. Valores Calculados y Medidos para el circuito del problema 2

Variable Unidades Val. Calculados Val. Medidos Error

Vo Voltios (V) 4.7 4.2 10.6%

Tabla 3. Valores Calculados y Medidos para el circuito del problema 3

Variable Unidades Val. Calculados Val. Medidos Error

Vo Voltios (V) 9.7 8.9 8.2%
(I) miliamperios 9.7 8.9 8.2%
(mA)

CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES:

Se concluye que, un diodo est encendido si la corriente establecida por las fuentes aplicadas es tal
que su direccin concuerda con la de la flecha del smbolo del diodo.

En general, la resistencia en directa del diodo es tan pequea comparada con los dems elementos de la
red, que puede ser omitida.

Un circuito abierto puede tener cualquier voltaje a travs de sus terminales, pero la corriente siempre es
de 0 A.

RECOMENDACIONES:

Para un mejor entendimiento del comportamiento del circuito se lo debe

analizar primero, tambien es importante recordar que la funcin es la de desplazar la seal del voltaje
con la que se est trabajando.

Armar bien cada uno de los circuitos en el protoboard para la obtencin de una forma de onda ms
perfecta
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Conectar correctamente los cables en el generador de funciones y el osciloscopio para que la forma de
onda del voltaje que se grfica en el osciloscopio se pueda observar bien.

BIBLIOGRAFA:

Boylestad R. & L. Nashelsky. (2009). Electrnica: Teora de circuitos y dispositivos

electrnicos (Dcima ed.).

Floyd T. (2008). Dispositivos electrnicos (Octava ed.). Pearson