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Figure 1
Exercice 2
On considère le montage amplificateur donné en figure 2.a. Ce montage utilise un transistor NPN T1 au
silicium à T = 25°C, alimenté sous une tension continue VCC de 15 V. Le transistor possède un gain en courant
de 250 et sa résistance rce est considérée comme infinie. Dans l’émetteur de T1, on a disposé un
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potentiomètre tel que seule la portion RE1 (0 1) de sa résistance totale RE1 soit découplée à la masse par le
condensateur Cd de valeur suffisante.
Figure 2.a
1. Dessiner le schéma du montage en régime continu. Sachant que le courant de repos de collecteur est tel que :
IC1 repos = 5 mA, déterminer :
a. La valeur à donner à la résistance de polarisation R1. On prendra VB1E1=0.6V
b. La résistance d’entrée rbe et la transconductance gm du transistor.
2. Dessiner le schéma équivalent aux petites variations et aux fréquences moyennes du montage complet
sachant que toutes les capacités ont alors une impédance faible. Choisir une représentation en « gmvbe » pour
le transistor. Dans la suite on prendra ib négligeable devant gmvbe
3. Déterminer l’expression de la résistance d’entrée Re1 du montage vue par le générateur d’excitation (eg,Rg).
Entre quelles valeurs limites varie Re1.
4. Déterminer l’expression du gain en tension A1 = vs1/ve. Quelles sont les valeurs limites de A1.
5. Montrer que la résistance de sortie Rs1 du montage vue entre le collecteur C1 de T1 et la masse est égale à
RC1.
Afin d’améliorer les performances de l’ampli, on décide d’ajouter un étage en utilisant un transistor T 2 identique
à T1 comme indiqué en figure 2.b. La base de T2 est reliée au collecteur de T1. Aussi le courant de base de T2
peut être considéré comme négligeable et la tension VB2E2=0.6V.
6. Sachant que RE2 = 1 kΩ, en déduire la valeur du courant de repos IC2 de T2.
7. En déterminant l’impédance d’entrée Re2 du 2ème étage, montrer que le gain en tension du premier étage est
peu influencé par la présence du deuxième étage.
Figure 2.b
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Solution Ex2 :
a. R1 = 670 k
I co VT
b. gm =0.2 S rbe =1.25 K
VT I co
2. schéma équivalent aux petites variations et aux fréquences moyennes du montage :
ib1
gm1vbe1
vbe1
3
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vs1=-gm1vbe1RC1 et ve = vbe1+gm1(1-)RE1vbe1
g m 1R C1
d’où : A1
1 g m 1(1 - )R E1
5. Résistance de sortie :
Méthode de l’ohmmètre : annuler eg et placer à la sortie un générateur (u,i).
gm1vbe1
vbe1
7. En régime de variations, le premier étage est chargé par la résistance d’entrée Re2 du deuxième
étage dont le schéma aux variations est le suivant :
gm2vbe2
4
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9.
a. Le générateur de Thévenin eg1 équivalent à la sortie du premier étage est égal à la tension de
sortie à vide de cet étage à savoir (eg1 = A1.ve). Sa résistance interne Rg1 est la résistance de sortie
de cet étage soit RC1.
gm2vbe2
u
Rs2= RE2//(- )
g m 2vbe 2
vbe 2 R r
Avec u=-(RC1+rbe2) soit alors RS2= RE2//[(RC1+rbe2)/gm2rbe2]= RE2//( C1 be2 )
rbe 2
AN : Rs =11,7
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Le schéma du montage à étudier est donné en figure 3. Il utilise un transistor NPN à 25 °C dont les paramètres
sont les suivants :
Figure 3
3. Sachant que dans le domaine des fréquences de travail, tous les condensateurs sont des courts circuits,
dessiner le schéma équivalent au montage complet, aux petites variations et aux fréquences moyennes.
Représentez le transistor par son modèle en “gm vbe”.
On appelle r la résistance équivalente située entre base et émetteur du transistor et Réq celle qui se
trouve entre collecteur et masse et R’E entre émetteur et masse.
4. Calculer l’expression du gain en tension du montage : Faire l’application numérique.
5. Déterminer l’expression de la résistance d’entrée Re vue par le générateur d’attaque (eg, Rg). Faire
l’application numérique.
6. Déterminer l’expression de la résistance de sortie Rs du montage vue par la résistance Ru.
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Solution Ex3 :
Soit Re = 33,7 k
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6 : Résistance de sortie Rs du montage vue par la résistance Ru. Méthode de « l’ohmmètre » : ne pas
oublier de court-circuiter eg et d’enlever la résistance Ru. Le schéma est alors le suivant :
R’E = R1 //R3//RE
Le générateur dépendant (gm.vbe) est aussi nul. Dans ces conditions : Rs = RC.
Exercice 4 :
On veut réaliser un amplificateur suivant le schéma de la figure4, utilisant deux transistors rigoureusement
complémentaires. Le transistor T2 avec la résistance R2 associée sert de “charge active” au transistor
amplificateur T1. Les caractéristiques des transistors T1 (PNP) et T2 (le NPN complémentaire) sont telles
que :=100, V BE = 0.6 V et rce très élevée sera négligée.
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Figure 4
1ère PARTIE : ETUDE DE LA POLARISATION
1. Dessiner le schéma qui permet de décrire le fonctionnement du montage en courant continu
2. On veut alimenter chaque transistor sous une tension |VCE| = 10 V. Déterminer les valeurs des tensions de
tous les noeuds par rapport à la masse.
3. Déterminer les valeurs à donner aux résistances R1 et R2 pour obtenir dans chaque transistor, un courant de
collecteur de 5 mA.
4. Déterminer les paramètres gm et rbe des transistors autour de leur point de repos.
2ère PARTIE : ETUDE DE L’AMPLIFICATEUR A VIDE (K ouvert)
On suppose que les condensateurs C1 et C2 ont des valeurs suffisantes pour que leur impédance soit négligeable
à la fréquence d’utilisation du montage.
5. Compte tenu de ces hypothèses, dessiner le schéma aux petites variations équivalent à la charge active
constituée par T2 et R2 (partie encadrée du schéma).
6. Déterminer alors la valeur de la résistance R équivalente à la charge active. Il s’agit de la résistance d’entrée
de ce montage vue entre le collecteur C1 et la masse.
7. En déduire et dessiner le schéma aux petites variations équivalent à l’ensemble du montage.
8. Calculer le gain en tension AV0= vs/ ve du montage.
9. Calculer en fonction du gain AV0, la résistance d’entrée Re du montage, telle que la voit le générateur (eg, Rg)
entre les points B1 et M.
10. Calculer la résistance de sortie du montage.
3ère PARTIE : ETUDE DE L’AMPLIFICATEUR CHARGE PAR RU = 1 KΩ
La présence de l’utilisation Ru modifie le gain en tension et la résistance d’entrée.
11. Calculer le nouveau gain en tension AV=vs/ve et la nouvelle résistance d’entrée du montage.
12. Calculer le gain en puissance du montage et l’exprimer en décibels.
13. A l’aide des résultats de la deuxième partie, dessiner l’ensemble de l’amplificateur sous une forme
simplifiée utilisant deux générateurs de Thévenin :
• à l’entrée : le générateur d’attaque (eg, Rg)
• à la sortie : le générateur équivalent au montage vu de l’utilisation (force électromotrice K.eg,
de résistance interne R)
Indiquer la valeur de chaque élément. Application numérique
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Solution Ex4 :
1) et 2)
7.
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8. L’équation au noeud C1 :
v s v be1 v s
g m v be1
R R1
11
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12.
13.
Exercice5 :
La figure 5 représente un montage amplificateur à deux étages qui utilise à 25 °C, deux transistors T 1 et T2 tels
que :
= 2 = 100, VCC=20V et VBE = 0.6 V ;
les résistances internes rce1 et rce2, élevées seront négligées.
Etage T1 Etage T2
1,2 K
13,2 K
50
470
6,8 K
Figure 5
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2. Le courant de repos (en régime continu) du transistor T1 est fixé à IC1repos = 5 mA. En déduire la valeur du
courant de repos de collecteur IC2 du transistor T2. Calculer alors gm et rbe pour chaque transistor.
3. On choisit un courant de pont IP = 20 IB1 (IP circule dans R1 et IB1 sera négligeable devant IP), Calculer les
valeurs à donner aux résistances de polarisation R1 et R2.
4. Dessiner le schéma équivalent au montage complet aux petites variations et aux fréquences moyennes sachant
que les impédances associées aux condensateurs sont négligeables. On utilisera pour les transistors la
représentation «gmvbe».
vs 2
5. Déterminer les expressions de la résistance d'entrée Re2 et du gain en tension A 2 de l’étage T2 vue
v s1
par T1 entre son collecteur C1 et la masse. Faire l’application numérique.
v s1
6. Compte tenu de la question précédente, déterminer le gain en tension A 1 du premier étage ainsi que sa
ve
résistance d’entrée Re1. Faire l’application numérique. En déduire le gain en tension A et la résistance
d’entrée Re du montage complet.
7. Déterminer la résistance de sortie du montage complet.
8. En tenant compte des capacités de liaisons et des paramètres caractéristiques du montage complet (déjà
déterminées précédemment), représenter le schéma de thevenin équivalent au montage. Discuter l’influence
des capacités de liaison sur le gain en tension en très basses fréquences. Pour quelle valeur de C L1, le gain en
tension A subit une diminution de 3dB à f =100Hz
Solution Ex5 :
3. Résistance de pont R1 et R2
Vcc
Ip>> IB soit R1+R2= et R2IP= REIC+ VBE
20 I B
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v s1 v s1
Re 2 rbe 2 //( ) et vs1=-vbe2
i g m 2 vbe 2
1 1
Re 2 rbe 2 // (Car rbe >> gm-1)
g m2 g m2
A2= gm2 RC
g m1 Re 2
Soit donc : A1
1 g m1 R E
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on a :
[(Rg//R1//R2)+ rbe1](vbe1/rbe1)+RE[gm1vbe1 +( vbe1/rbe1)]=0
Dont la solution est vbe1=0.
Par conséquent gm1vbe1=0
Or gm1vbe1 = gm2vbe2 + ( vbe2/rbe2)=0 , la solution est vbe2=0v
En consequence: Rs= (vs/is) = RC= 1,2 k
A.ve
Le montage étant non chargé, donc CL2 n’influence pas sur la réponse en fréquence. Seule donc CL1
introduit un affaiblissement par le filtre passe haut (Re, CL1) dont la fréquence de coupure à -3dB est
donnée par :
1
fcb
2Re C L1
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Figure 6
1. Les courants de repos de collecteur des transistors T1 et T2 sont respectivement : IC1 = 1.7 mA et IC2 = 2 mA.
a. En négligeant les courants de base, indiquer sur le schéma la valeur des tensions remarquable par
rapport à la masse.
b. En déduire la valeur à donner aux résistances R et R1.
On étudie maintenant les performances du montage en régime sinusoïdal petites variations et
fréquences moyennes. Au lieu de dessiner le schéma équivalent du montage complet, il est plus
pratique de procéder par étapes, c’est-à-dire d’analyser chaque étage séparément.
2. Dessiner uniquement le schéma équivalent aux petites variations et aux fréquences moyennes de l’étage T2.
3. Calculer l’expression de la résistance d’entrée Re2 de l’étage T2 ainsi que son gain en tension. Faire les
applications numériques.
4. Compte tenu de la question précédente, en utilisant la résistance Re2, dessiner le schéma équivalent aux petites
variations et aux fréquences moyennes de l’étage T1.
5. Déterminer l’expression du gain en tension du 1° étage. Faire l’application numérique.
6. Donner l’expression et calculer la résistance de sortie Rs du montage complet. Faire le schéma qui permet de
déterminer Rs.
On se propose d’analyser un montage destiné à amplifier le signal fourni par une antenne de
télévision (fréquence de l’ordre de 500 MHz). En effet, cette antenne est située dans une région trop
éloignée de l’émetteur pour obtenir une réception de l’image et du son dans de bonnes conditions.
Aussi, l’amplificateur proposé permettra de palier à cet inconvénient. Le signal délivré par l’antenne,
véhiculé par un câble blindé, est assimilable à un générateur sinusoïdal indépendant eg de résistance
interne Rg de 75.
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3. On supposera que les courants de base de T1 et T2 sont suffisamment faibles pour êtres négligés devant les
courants de collecteur. En déduire la valeur du courant de repos IC1 du transistor T1.
4. Calculer la valeur des tensions VE1M, VE2M et VC1M qui seront reportées sur le schéma précédent. En déduire
la valeur du courant de repos IC2 du transistor T2. Calculer la valeur du potentiel VC2M.
Solution Ex 7 :
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A. Etude en statique
1. schéma en continu
2. Tension VCE1 de T1
VC1E1= VC1B1+ VB1E1=VB2E2+VB1E1
Comme en fonctionnement normal VBE 0.6V alors VC1E1=1.2 V
3. Courant collecteur IC1 ?
En négligeant le courant dans la branche C1B2, il vient :
VCC VC1E1
I C1 soit IC=0.41 mA
R E1 RC1
B. Etude en dynamique :
1. Type de montage :
ie E1 C1 C2
B2
Rg gm1vbe1
gm2vbe2
ve vbe1 RC1 vs
rbe2
eg
B1 E2
2. Paramètres dynamiques
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I co VT
gm rbe
VT I co
Transistor T1 0.016-1 12.2k
Transistor T2 0.056 -1
3.6 k
3. gain en tension :
vs= -(Rc2//Ru) gm2vbe2
vbe2=-gm1vbe1(rbe2//RC1)
et vbe1=-ve
vs
D’où g m1 g m2 (rbe2 // RC1 )( RC 2 // RU ) AN AV= -791
ve
4. Gain en tension à vide :
A vide il faut faire ru infinie d’où Avo=-gm1gm2rbe2RC
Avo =-1582
5. résistance d’entrée Re :
vbe1 1
Re= RE1//rbe1//( ) soit Re = RE1//rbe1// g m
g m vbe1
AN Re= 212
6. Résistance de sortie Rs :
is
B2
Rg gm1vbe1
gm2vbe2
vbe1
A l’entrée on a vbe1= rbe1( gm1vbe1 + )
Rg // RE1
rbe1
Soit vbe1(1- gm1rbe1 - )= 0 le terme entre ( ) n’est nécessairement pas nul, par
Rg // RE1
conséquent vbe1=0 , implique la source gm1vbe1 n’existe pas et donc vbe2=0, il en résulte que la
source gm2vbe2 n’existe pas . La résistance vue depuis la charge RU est alors : Rs = RC=75
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Exercice 8:
Un amplificateur symétrique est constitué par deux transistors bipolaire T1 et T2 montés selon le
schéma de la figure 8 et supposés parfaitement identiques. Les deux transistors possèdent le même
point de fonctionnement. L’amplificateur est alimenté par une source de tension sinusoïdale et les
condensateurs se comportent comme des courts circuits à la fréquence d’utilisation.
On donne : VCC =12 V, REIE = 0,2 VCC, VCE = 4V, IC =12,5 mA , VBE =0,6 V et =120
1/ Déterminer les résistances de polarisation des transistors. On supposera négligeable le courant de
base devant le courant collecteur.
VCC
RB RC RC RB
C3
C2
C1
T1 io v1 T2
vS
Rg= 75
ve
vo RE
CB
eg
Figure 8
2/ Les deux transistors sont représentés en dynamique par leur schéma équivalent en émetteur commun
avec les paramètres rbe et gm que l’on déterminera pour les besoins des applications numériques.
a. Dire le type de montage pour chaque transistor
b. Représenter le schéma équivalent en dynamique de tout l’amplificateur.
vS v
3 / Pour le deuxième étage, déterminer le gain en tension A 'V2 et l’impédance d’entrée Ze2= o
vo io
4/ En utilisant l’impédance d’entrée Ze2 :
a. Représenter le schéma équivalent en dynamique du 1èr étage chargé par le deuxième étage
b. Déterminer l’impédance d’entrée Ze1 du premier étage.
v1 vo
c. Exprimer, puis calculer les gains en tension du premier étage : A V1 et A 'V1
ve ve
vS
d. En déduire le gain en tension de l’amplificateur A v , le comparer à Av1.
ve
5/ Déterminer l’impédance de sortie de l’amplificateur complet
6/ A l’aide des résultats précédents, dessiner l’ensemble de l’amplificateur sous une forme simplifiée
utilisant deux générateurs de Thevenin :
à l’entrée : le générateur d’attaque (eg, Rg),
à la sortie : le générateur équivalent au montage vu entre les deux points de sortie (force
électromotrice K.eg, résistance interne R)
Indiquer la valeur de chaque élément
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Solution Ex8 :
1/ Résistances de polarisation :
REIE= 0,2VCC, En négligeant le courant de base il vient : RE 200
VCC VCE 2 RE I C
RC soit : RC 450
IC
VCC VBE 2 RE I C
RB . soit : RB 110 k
IC
rbe
gmvbe1
gmvbe2
ve io
RB vo RE rbe vbe2 RC
Rg eg
RC
v1 vs
3/ * Gain
en tension du deuxième étage :
vs g m vbe2 RC
A' v 2 soit A’v2 = gmRC
vo vbe2
AN : A’v2 =225
* Impédance d’entrée :
vo vo
Z’e2= = RE//rbe// avec vo = - vbe2
io g m vbe 2
Soit :
1 1
Z’e2= RE//rbe// AN: Z’e2 = 2
gm gm
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vbe1
rbe
gmvbe1
ve
RB vo Ze2
eg
RC
v1
ve vbe1
Ze1=RB//
i avec : ib1=
b1 rbe1
ve vbe1
Ze1=RB//rbe1
v avec ve= vbe1+Ze2gmvbe1 (on néglige le terme )
be1 rbe1
Soit: Ze1= RB//rbe1 (1+gmZe2) AN: Ze1= 480
c. Gains en tension du premier étage :
v1
* gain en tension en émetteur commun: Av1
ve
g m vbe1 RC
Av1
vbe1 Z e 2 gmvbe1
g m RC
soit : Av1
1 gm Z e2
AN: Av = -112,5
vo
Gain en tension en collecteur commun : A' v1
ve
1
A' v1
g m vbe1 Z e 2
vbe1 g m vbe1 Z e 2
soit : A'v1
1
1
g m Z e2
AN : A’v1= 0,5
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gmvbe2
ve
Rg RB vo RE rbe vbe2 RC u
RC
v1
v g m RE
d’ou vbe1 +Rg//RB. be1 = vbe1
rbe 1 g m R E
Par conséquent vbe1=0 ce qui implique également vbe2=0
u
Dans ces conditions
i
RC donc RS= RC
6/ Représentation de Thevenin:
Rg RC
eg ve Ze1 Keg vs
K.eg = Av. ve
ve Z e1
Soit : K= Av. = Av.
eg Rg Z e1
AN: K= 97,3
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Exercie9 :
On considère le montage amplificateur de la figure 9.1. Au point de fonctionnement le transistor T1 est
caractérisé par : 1 =100, VBE1 = 0,7 V, IC1 = 2 mA et VB = 5,7 V;
VCC=20V
RP
C1 T1
B C2
Rg=50 ve RE vs
eg
Figure9.1
VCC=20V VCC=20
C V
RP
C1 T
T2 RP
T1 C1
C2 T
Rg=50 C2
ve
Rg=50
eg RE vs ve RE vs
eg
Figure9.2
Figure9.3
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a. Soit T le transistor équivalent à l’association de T2 et T1 tel que le montage de la figure 1.2 devient
celui de la figure 9.3. Déterminer les paramètres rbe et gm de T en fonction des paramètres de T1 et
T2 ;
b. Calculer l’impédance d’entrée Ze et l’amplification en tension Av .Quel est alors l’intérêt de ce
montage ;
Solution Ex 9 :
1/
Valeurs des résistances de polarisation:
En continu, le montage devient : VCC=20V
VB VBE
RE RP
IC T
B
RE= 2,5 K
RE
VCC VB
RP . RP= 715 K
IC
Paramètres dynamiques :
ve RP RE vs
eg
b.
*Gain en tension :
Remarque : 1/rbe1=8.10-4S<< gm1= 8.10-2 S, par conséquent le courant dans rbe1 peut être négliger
devant gm1vbe1.
vs= gm1.RE.vbe1 et ve = gm1.RE.vbe1+ vbe1
vs g R
A m1 E AV1= 0,9950
v1 ve 1 g R
m1 E
25
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* Gain en courant :
vbe1 v e
is = - gm1vbe1 et ie avec ve= gm1.RE1.vbe1+ vbe1
rbe1 RP
g m1rbe1
d’où Ai Ai = -74
r (1 g m1 RE )
1 be1
RP
u
* Impédance de sortie : Z s1 , méthode de l’Ohmmètre
i e g 0 et R u
vbe1 i
rbe1
gm1vbe1
Rg RP RE u
1
u
i g m1vbe1 (on néglige le courant ib devant gm1vbe1)
RE
rbe1u
avec vbe1
rbe1 Rg // RP
u g m1rbe1u
i
RE rbe1 Rg // RP
rbe1 Rg // RP rbe1 Rg
Zs = RE// RE // car Rg<<RP Zs = 13
g m1rbe1 g m1rbe1
vbe2 gm2vbe2
ib E2=B1 ic
B = B2 C
rbe2
26
gm1vbe1
vbe
donc rbe rbe1 rbe 2 (1 g m1rbe1 ) AN : rbe102 k
ib
= 1(1+2)+ 2 AN : = 6106
vbe
or ic = ib=[1(1+2)+ 2]ib et ib=
rbe
d’où la transconductance du transistor équivalent est :
2 1 (1 2 )
gm AN gm= 0,06 S
rbe1 rbe2 (1 g m1rbe1 )
Pour le calcule de Ze et Av, on utilise les résultas de la deuxième question avec les paramètres de
T:
v g R
A
s
m E
AN Av 0,9934
v v 1 g R
e m E
L’intérêt de ce montage est donc d’augmenter l’impédance d’entrée
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