Exercícios de Semicondutores

S – Microelectronic Circuits, Sedra/Smith, quarta edição

1. (S3.10) Calcule a densidade intrínseca de portadores num cristal de silício às

temperaturas de 250K, 300K e 350K.

Solução: 1.5  10 8 / cm 3 1.5 1010 / cm 3 4.18  1011 / cm 3

2. (S3.11) Considere um cristal de silício dopado com impurezas tipo dador com

N D  1017 / cm 3 . Determine a concentração de electrões e de lacunas às

temperaturas de 250K, 300K e 350k: Utilize os resultados do exercício anterior.

Solução: 1017 / cm 3 ; 2.25  10 1 / cm 3 1017 / cm 3 ; 2.25  10 3 / cm 3

1017 / cm 3 ; 1.75  10 6 / cm 3

3. (S3.12) Obtenha o valor da resistividade de,

a. Silício intrínseco puro

b. Silício dopado tipo-p com N A  1016 / cm 3

Utilize ni  1.5  1010 / cm 3 (300K ) ,  N  1350cm 2 / Vs  P  480cm 2 / Vs

para silício intrínseco, e  N  1100cm 2 / Vs  P  400cm 2 / Vs para silício

dopado.

Solução: a) 2.28  10  cm b) 1.56 cm

4. (S3.32) Dado um semicondutor tipo-n com um perfil de impurezas representado
na figura, determine o valor da corrente de difusão. Assuma W  5m . p n 0 é a

concentração lacunas no cristal em equilíbrio com N D  1016 / cm 3 , para 300K.

pn (x)
1000 pn 0

pn 0
x
W

Solução: 86.3nA / cm 2

5. (S3.34) Calcule a o fluxo de corrente numa barra de Silício com um

comprimento de L  10m e com uma secção transversal de área
A  5m  5m , para uma tensão aplicada de 1V com uma densidade de
electrões de 10 5 / cm 3 e de lacunas de 1015 / cm 3 .

Solução: 19.3A

6. (S3.35) Numa barra de Silício dopado com impurezas dadoras, de 10 m ,

determine qual deve ser a concentração de dadores de forma a obter-mos uma
densidade de corrente de 1mA / m 2 em resposta a um campo aplicado de 0.5V.
Utilize o valor da mobilidade dos electrões para Silício puro.

Solução: n  921 1015 / cm 2

7. (S3.36) Numa secção de silício dopada com impurezas dadoras (fósforo) com
uma concentração de 1016 / cm 3 , determine a concentração de electrões livres e
de lacunas nas temperaturas de 300K e 400K.

Solução: 300K - 1016 ; 22.5  10 3 / cm 3

400K - 1016 ; 2.701  10 9 / cm 3

8. Sabendo que a resistividade do cobre é de 0.168mmm 2 / cm qual é a relação

desta com a resistividade de um semicondutor tipo-n, com N D  1017 ?

Solução: 52980 vezes ????? 27557 vezes

 9. (S3.33) Calcule a velocidade de deslocamento dos electrões e das lacunas num
substrato de silício de 10 m com uma tensão de 1V aos seus terminais.

Solução: v p  4800m / s vn  13500m / s

10. (S3.36) A mobilidade dos portadores varia com a concentração de impurezas. No

seguinte quadro estão representados alguns valores para diferentes valores de
concentração. Utilize a relação de Einstein para obter os valores correspondentes
para as constantes de difusão.

Concentração  n (cm 2 / Vs )  P (cm 2 / Vs ) D n (cm 2 / s ) D p (cm 2 / s )

de impurezas

Intrínseco 1350 480

10 16 1100 400

10 17 700 260

1018 360 150