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“GUAYAQUIL”
CARRERA DE ELECTRÓNICA
INFORME 01
Tema:
REALIMENTACION DE COLECTOR DEL BJT
Asignatura:
ELECTRONICA ANALOGICA
Profesor:
Integrantes:
Fecha de presentación:
12/12/2017
Ambato –Ecuador
2017
INDICE
Contenido
1. INTRODUCCIÓN ........................................................................................................... 3
2. OBJETIVOS .................................................................................................................... 3
3. FUNDAMENTO TEÓRICO ........................................................................................... 3
4. MATERIALES, EQUIPOS E INSTRUMENTOS ........................................................ 3
5. PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL ......................................................................... 3
6. ANÁLISIS Y RESULTADOS......................................................................................... 6
7. CONCLUSIONES........................................................................................................... 6
8. BIBLIOGRAFÍA ............................................................................................................... 6
9. CUESTIONARIO ............................................................................................................ 6
10. ANEXOS........................................................................... Error! Bookmark not defined.
1. INTRODUCCIÓN
2. OBJETIVOS
objetivo genereal:
Conocer en este laboratorio la teoría, como se usa y sus aplicaciones de los transistores bipolares.
objetivo especifico:
3. FUNDAMENTO TEÓRICO
5. PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL
2. El siguiente circuito corresponde a una polarización fija del BJT. Arme el circuito de la figura Nro. 1 en
el protoboard y en el simulador. Β= 150
Figura Nro. 01
3. Determine IC, VCE en el circuito haciendo uso del análisis teórico del circuito dado en la clase, trace
el punto Q, y llene la tabla Nro. 01.
VB= VBE (Porque en este caso no hay resistencia en el emisor del transistor)
NOTA: Recuerde que el Vce Sat = 0.2 voltios.
4. Mida los voltajes de: VCE, VB, tal como se indica en el circuito Nro. 02. (Utilice el voltímetro en DC) y
además efectué la medida de la corriente de emisor IE= IC, para ello utilice el amperímetro y
conecte tal como se indica en el circuito de la figura 3.
Tabla Nro. 01 Anotar los valores calculados y medidos con el multitester y en forma virtual (simulador).
5. En el circuito diga que sucede con: VCE, y la IE si la resistencia de base disminuye a 100K. Explique
porque. (Experiméntelo cambiando el valor de RB de 150 K por otra de 100K)
(TAREA PARA LA CASA) Cambie el transistor 2N2222 por el otro transistor solicitado 2SA1015 y mida el VCE y
el VB, y la IE.
Cual es la función de RB en los circuitos del presente laboratorio.
6. ANÁLISIS Y RESULTADOS
7. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES
Como ya hemos podido ver en este proyecto hemos conocido su respectiva utilización.
También hemos visto la forma de utilizar, medir y conocer las aplicaciones de los transistores como
por ejemplo los instrumentos para la toma de lecturas y ver si es o no que varía su resultado..
Aprendimos a ver la polaridad del transistor NPN o PNP y asi afirmar a qué electrodo corresponde
cada patilla si es BASE, COLECTOR o EMISOR.
También darnos cuenta si los valores medidos son relativos a los del transistor por fabricación o ya
sea calculando aparte.
Usar mandil
Tener en cuenta del uso correcto de las fuentes de alimentación
Escuchar al profesor encargado
8. BIBLIOGRAFÍA
9. CUESTIONARio
Calcule los valores de las resistencias RB, RC, si se tienen los siguientes datos: VCC= 9V, IC = 2 mA, TR=
2N2222, VCE = 4.5 V, Beta 150
10. ANEXOS