Chapitre III

2- Les diodes et leurs Applications

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Les diodes et leurs Applications
 Jonction PN polarisée
 La jonction PN est alimentée par une tension continue externe Ve
réglable. La tension peut être appliquée dans les deux sens c'est-à-
dire, en reliant le pôle positif de la pile à la zone P et le pôle négatif
à la zone N ou inversement, en reliant le positif à la zone N et le
négatif à la zone P.
 Dans le premier cas, on dit que la jonction (c'est-à-dire la diode)
est polarisée en direct tandis que dans le second cas, la diode est
polarisée en inverse.

Polarisation directe Polarisation inverse

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 Les diodes et leurs Applications
Si on applique une différence de potentiel positive entre la région p et la
région n, on diminue l’intensité du champ électrique interne =⇒ un plus grand
nombre de porteurs majoritaires peuvent
franchir la région de déplétion !
Pour faire passer un trou de la région p vers la
région n, il faut travailler contre le champ
électrique interne , et fournir une tension qui peut
vaincre la barrière de potentiel e *V0. (e = 1, 6 10E-19 C est la charge
électrique d’un trou).
Courant des majoritaires
Si on applique une différence de potentiel positive entre la région p et la
région n, on diminue l’intensité du champ électrique interne =⇒ un plus grand
nombre de porteurs majoritaires peuvent franchir la région de déplétion !

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On peut montrer que:

 Le courant des minoritaires est inchangé le courant total est

exprimé par la relation suivante

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Remarque
 La figure 3-b illustre le cas où la tension continue Vd est inférieure
à la différence de potentiel Vo (figure 1-b), qui constitue la barrière
de potentiel. Ainsi, tant que la tension Vd est inférieure ou égale
à Vo, le courant est pratiquement nul.
 Ce courant n'existe pratiquement que lorsque la tension Vd dépasse
la valeur de Vo. Cette valeur est différente selon que la jonction est
constituée par un cristal de germanium ou par un cristal de
silicium : pour le germanium, cette valeur est normalement
de 0,2 à 0,4 V alors que pour le silicium elle est de 0,6 à 0,7 V.

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Jonction PN en polarisation inverse

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 Les diodes et leurs Applications
Jonction PN en polarisation libres dans la zone P.Un certain
nombre de porteurs minoritaires réussit
inverse toujours à traverser la jonction.
La tension Vi appliquée aux bornes de On constate donc la présence d'un
la diode (figure 2) est dite tension courant très faible, circulant de
inverse. Si l'on tient compte de ce qui a l'extrémité N à l'extrémité P du cristal.
été dit précédemment, le courant Ce courant est appelé courant inverse
circulant dans la diode(aux bornes de (Ii).
laquelle on a appliqué une tension
inverse) devrait s'annuler rapidement.
En réalité, le courant ne s'annule
pas complètement du fait de la
présence des porteurs minoritaires,
c'est-à-dire de la présence de trous dans
la zone N du cristal et d'électrons

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 Caractéristique courant tension
 La caractéristique d'une diode est la relation existant entre
l'intensité i du courant traversant la diode et la tension u aux
bornes de celle-ci ou la différence de potentiel entre l’anode et la
cathode. Cette relation peut se noter comme une fonction f, ce qui
donne : i=f(v)

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Interprétation de la
caractéristique
 La croissance du courant en
fonction de la tension est d’abord
exponentielle, puis tend à devenir
linéaire,
 Cette déformation est due à la
résistance non négligeable du semi-
conducteur situé de part et d’autre
de la zone de jonction,
 Par ailleurs, on constate la
présence d’un seuil de tension à
partir du quel la croissance du
courant devient importante,
 Ce seuil est appelé, seuil de
redressement, est généralement
défini par l’intersection de l’axe des
tensions avec la partie rectiligne de
la caractéristique,
 La caractéristique directe peut être
assimilée à une droite passant par
E0, l’équation de cette droite
s’écrire :
 V0 :Valeur de seuil de
redressement (barrière de
potentiel)
 K : une constante ayant les
dimensions d’une résistance que
l’on appelera Rd
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Les diodes et leurs Applications
 Résistance dynamique et tension de seuil
 Par définition la résistance dynamique est le rapport d’une petite variation de la
tension ( U) par la variation
correspondante du courant ( I)
autour du point de fonctionnement.

V0

Tension de seuil
 On appelle tension de seuil d’une diode,
 la tension directe à partir de la quelle la conduction de cette diode devient nette,
 Graphiquement, c’est l’intersection du prolongement de la partie linéaire de la
caractéristique directe avec l’axe des tensions,
 la tension seuil est de 0,4V pour les diodes au germanium et de 0,6V pour les
diodes au silicium,

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 Limite d’utilisation d’une diode à jonction
 6.1. Echauffement des diodes
 Dans le sens direct, la puissance : Pd = Ud Id, se transforme
entièrement en chaleur dans tout le cristal. Il ne faut pas dépasser
une valeur limite de la température,
 Exemple : un cristal de germanium supporte une température
maximale de 75°C, alors que celle du silicium est de 150°C,
 6.2. Courant direct maximal
 La d.d.p Ud étant très faible, c’est e courant Id qui peut prendre des
valeurs considérables . Le constructeur donne le courant direct
maximum que peut supporter la diode,
 6.3.Tension inverse maximale
 En sens inverse, la puissance dissipée généralement est très faible
(Pu<<Pd), mais il ne faut pas atteindre la tension de claquage de la
jonction, le constructeur précise également la valeur a ne pas
dépasser,

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 Remarque
 Une étude plus complète de la diode à jonction montre que les
recombinaisons des porteurs en transit dans la région de déplétion
modifient le courant aux faibles tensions.
 En pratique, la caractéristique i =f(v) est exprimée sous la forme
semi-empirique où le facteur n varie entre n ≈ 1 aux tensions
moyennes et n ≈ 2 aux trés faibles tensions.

 n varie également en fonction du semi-conducteur et des

dimensions de la diode.

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Phénomène de Claquage de le semi-conducteur est riche en
impuretés, plus faible est le champ
jonction électrique nécessaire à la rupture
 Ce claquage est le résultat de deux des liaisons covalentes, donc plus
effets successifs : l’effet Zener, faible est le seuil de claquage de la
puis l’effet d’avalanche. jonction.
On a vu que le champ électrique  Par dopage on règle ainsi les seuils
résultant croit avec la tension de claquage en fonction de
inverse appliquée. Au-delà d’une l’utilisation de la jonction.
certaine valeur, (figure 1) ce champ
provoque la rupture de liaisons
covalentes qui unissent les atomes
de cristal. Il y alors augmentation
importante de la concentration en
porteurs minoritaires, donc
accroissement important de courant
inverse. Cet effet statique, par le
champ électrique est appelé effet
Zener.
 Le seuil de tension, pour lequel se
produit le claquage, dépend
essentiellement du dopage en
impuretés du semi-conducteur. Plus
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 Les diodes et leurs Applications
Redressement simple alternance

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Les diodes et leurs Applications

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Redressement double alternance avec filtrage

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