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1
MINISTERE DE L’ENSEIGNEMENT SUPERIEUR ET DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE
1
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Résumé
i
Abstract
In the era of sustainable development, photovoltaic (PV) technology has shown signi
cant potential
as a renewable energy source. This thesis focuses on improving performance and e¢ciency of a PV
system through the use of an appropriate algorithm for controlling the power interface. The main
objective is to
nd an e¤ective and optimal algorithm or control law for extracting the maximum
available power from the PV generator. Add to this, the study, design and implementation of a unit
composed of a MPPT algorithm and the management of the energy transmitted to the load (battery).
The main points addressed in this study are : the modeling of a PV system, the topological study of
the power interface, the study of maximum power point tracking (MPPT) algorithms, the simulation
of a MPPT converter, the PV voltage regulation and the design and implementation of a MPPT
converter.
In this investigation, the Perturb and Observe (P&O) MPPT algorithm is improved and the
problem of local maxima in the power curve of the PV generator occurring during partial shading
is processed. The main improvement of the algorithm avoids a misinterpretation of the location of
the MPP under rapidly changing climatic conditions. The simulation results show that the proposed
MPPT algorithm improves the performances and e¢ciency of a PV system signi
cantly. In PV power
systems, the PV generator and the switch-mode power converter characteristics are nonlinear and time
variant making a di¢cult control problem. The linearization of the mathematical models allows to
boil down to a simple control problem. Two di¤erent control approaches are used to regulate the PV
voltage. The
rst one uses a conventional PID controller with an anti-windup action and the second
one is the sliding mode control (SMC). The direct application of the SMC for the MPPT without
recourse to an algorithm shows its e¢ciency. Finally, the design and implementation of a MPPT
converter based on a microcontroller for an optimal energy management are described.
ii
Table des matières
Nomenclature iv
Introduction générale 1
0.1 Généralités . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
0.2 Motivation de la recherche et objectif du projet . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
0.3 Présentation du mémoire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
2 La Cellule Photovoltaïque 9
2.1 Dé
nition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
2.2 Historique et État Actuel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
2.3 Rappel sur les Propriétés des Semi-Conducteurs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
2.3.1 Dopage du silicium . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
2.3.2 Jonction P-N . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
2.4 Principe de Fonctionnement de la Cellule Photovoltaïque . . . . . . . . . . . . . . . . 11
2.5 Rendement Photovoltaïque . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
2.6 Les Di¤érents Types de Cellules Photovoltaïques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
2.7 Description Théorique et Modélisation de la Cellule PV . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.7.1 Cellule PV idéale - Modèle simple . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.7.2 Cellule PV réelle - Modèle précis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.8 E¤ets des Variations Climatiques sur la Cellule Photovoltaïque . . . . . . . . . . . . . 19
2.8.1 Variations de lénergie incidente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
2.8.2 Variations de la température . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
2.9 Simulation de la Cellule Photovoltaïque . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
2.10 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
iii
3 Le Générateur Photovoltaïque 22
3.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
3.2 Groupement de Cellules Photovoltaïques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
3.2.1 Groupement en série . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
3.2.2 Groupement en parallèle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
3.2.3 Groupement mixte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
3.3 Caractérisation et Modélisation dun GPV . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
3.3.1 Caractéristiques électriques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
3.3.2 Rendement dun GPV . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
3.3.3 Modélisation dun GPV . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
3.3.4 Caractéristique I/V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
3.4 Les Principes de Conversion dans les Systèmes PV . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
3.4.1 Couplage direct dun Générateur PV et une charge résistive . . . . . . . . . . . 32
3.4.2 Etage dadaptation entre un Générateur PV et une charge . . . . . . . . . . . . 33
3.4.3 Convertisseur DC/DC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
3.5 Simulation dun GPV . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
3.6 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
4 Lunité de stockage 44
4.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
4.2 Principe de Fonctionnement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
4.3 Caractéristiques Techniques dune Batterie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
4.4 Modélisation dune Batterie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
4.5 Exigences sur les Batteries Solaires . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
4.6 Couplage Direct entre un GPV et une Batterie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
4.7 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
5 Le Convertisseur MPPT 49
5.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
5.2 Principe de la Recherche du MPP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
5.3 Etude du Fonctionnement du Convertisseur Statique (CS) . . . . . . . . . . . . . . . . 50
5.3.1 Convertisseur dévolteur (Buck converter) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
5.3.2 Rendement du convertisseur statique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
5.4 Simulation du Convertisseur Statique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
5.5 Classi
cation des Commandes MPPT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
5.5.1 Classi
cation des commandes MPPT selon le type de recherche . . . . . . . . . 61
5.5.2 Classi
cation des commandes MPPT selon les paramètres dentrée . . . . . . . 62
5.6 Critères de Qualité dune Commande MPPT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
5.7 Rendements de la Chaine de Puissance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
5.8 Les Algorithmes MPPT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
5.8.1 Algorithme de la tension constante (CV, Constant Voltage) . . . . . . . . . . . 63
5.8.2 Algorithme du Courant constant (Constant Current) . . . . . . . . . . . . . . . 64
5.8.3 Algorithme MPPT basé sur le modèle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
5.8.4 Algorithme Perturbation et Observation (P&O) . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
5.8.5 Algorithme de lIncrémentation de la Conductance (IncCond) . . . . . . . . . . 67
5.8.6 Autres méthodes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
5.9 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
iv
6 Simulation du Convertisseur MPPT 70
6.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
6.2 La boite Outils SimPowerSystems . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
6.3 Simulation de lAlgorithme Perturbation et Observation (P&O) . . . . . . . . . . . . . 71
6.3.1 Fonctionnement sous des conditions climatiques stables . . . . . . . . . . . . . 73
6.3.2 Performance sous un niveau de rayonnement variant . . . . . . . . . . . . . . . 77
6.3.3 Performance sous un niveau de température variant . . . . . . . . . . . . . . . 87
6.3.4 Performance lors de la variation de la charge . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
6.3.5 Performance lors dun ombrage partiel sur le GPV . . . . . . . . . . . . . . . . 93
6.4 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98
Bibliographie 149
Bibliographie 150
v
B Module CCP en Mode PWM 158
B.1 Période du PWM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 158
B.2 Rapport cyclique du PWM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 159
B.3 Génération du signal PWM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 159
vi
Nomenclature
vii
Ta Température ambiante nominale
Ta;nom Température ambiante nominale
Td Constante de temps de laction dérivée
Ti Constante de temps de laction intégrale
TN OCT Température sous les conditions nominales
tof f Temps à létat bloqué
ton Temps à létat passant
ts;5% Temps détablissement
Ts Période déchantillonnage
T0 Température STC
V Tension
Vbat Tension aux bornes de la batterie
Vcell Tension aux bornes de la cellule
Vg Energie du band gap
Vload Tension aux bornes de la charge
VM P P Tension au MPP
Voc Tension de circuit ouvert
Vth Tension thermique
1Gci Incrémentation de la conductance
1iL Augmentation du courant iL
1M Marge de module
1Q Charge emmagasinée
1 Marge de retard
Rendement
conv Rendement du convertisseur
M P P T Rendement MPPT
P V Rendement maximum de la conversion
T otal Rendement total de la chaîne de conversion
facteur damortissement
Retard
viii
Liste des Abréviations
AM Air Mass
BO Boucle Ouverte
BF Boucle Fermée
CAN Convertisseur Analogique Numérique
CMG Commande par Mode Glissant
CMGD Commande par Mode Glissant à temps Discret
CS Convertisseur Statique
CV Constant Voltage (Tension Constante)
DC/DC Continue/Continue
GPV Générateur Photovoltaïque
IncCond Incremental Conductance
(Conductance Incrémentale)
MIPS Million dInstruction Par Seconde
MOSFET Métal Oxide Silicon Field E¤ect Transistor
MPP Maximum Power Point
MCC Mode de Conduction Continue
MCD Mode de Conduction Discontinue
NCC Nouvelle Condition de Contrôle
NOCT Nominal Operating Cell Temperature
P&O Perturbation et Observation
PI Proportionnel Integral
PID Proportionnel Integral Dérivée
PF Point de Fonctionnement
PV Photovoltaïque
PWM Pulse Wilde Modulation
(Modulation à Largeur dImpulsion)
SSV Systèmes à Structure Variable
STC Standard Test Conditions
(Conditions de Test Standard)
ix
Introduction générale
0.1 Généralités
Ces dernières décennies, notre planète a connu un accroissement du tau démission des gaz à e¤et
de serre qui a été le résultat de lavancement considérable de la technologie et de lindustrie. Ceci a eu
comme conséquence néfaste, un bouleversement climatique et des catastrophes naturelles notables. Le
recours au développement des énergies non polluantes est alors apparu comme lultime solution face
à ce problème.
Les panneaux solaires ou photovoltaïques sont lélément de base de tout système photovoltaïque.
Ils sont constitués de cellules photosensibles reliées entre elles. Chaque cellule convertit les rayons
provenant du Soleil en électricité grâce à le¤et photovoltaïque. Les panneaux photovoltaïques ont
une caractéristique électrique spéci
que qui est donnée par le fabricant sous forme de courbes. Ces
courbes représentent généralement lévolution du courant et de la puissance par rapport à la tension
du panneau. La caractéristique électrique du panneau est de nature non linéaire et possède un point
particulier appelé « Point de Puissance Maximale » (en anglais "Maximum Power Point" MPP). Ce
point est le point de fonctionnement optimal pour lequel le panneau opère à sa puissance maximale.
Lénergie photovoltaïque dépend fortement des conditions climatiques et de la localisation du site, ce
qui rend la position du MPP variable dans le temps et donc di¢cile à situer.
Dans la plupart des systèmes de production dénergie photovoltaïque, on trouve une technique ou
un algorithme particulier nommé « Maximum Power Point Tracking » (MPPT) qui se traduit par,
poursuite du point de puissance maximale. Cette technique, comme son nom lindique, traque le MPP
dans le temps et permet de la sorte de tirer le maximum de puissance que le panneau est apte à fournir.
Le MPPT vise à améliorer et à optimiser lexploitation des systèmes photovoltaïques. Il permet de
faire un gain qui peut atteindre 25% doù son importance. Techniquement, le MPPT fait appel à une
interface entre le panneau et la charge qui est généralement un dispositif de conversion de puissance.
Lénergie solaire nétant pas disponible la nuit, il est nécessaire déquiper les systèmes photovol-
taïques autonomes par des batteries daccumulateurs qui permettent de stocker lénergie et de la
restituer en temps voulu. Pour les systèmes raccordés au réseau de distribution électrique, le stockage
de lénergie et bien évidemment pas indispensable. La présence des batteries exige lutilisation dune
unité dédiée à la gestion de lénergie. En e¤et, ces dernières possèdent deux tensions critiques (tension
de surcharge et tension de décharge profonde) qui doivent être respectées sous pêne dusure prématurée
ou pire, leur détérioration.
1
Lévolution continue de lélectronique de puissance, plus particulièrement les dispositifs de conver-
sion de la puissance a permis de concevoir de nouveaux schémas plus sophistiqués et moins encombrants
améliorant par la même occasion leur rendement. Cela a une inuence directe sur le rendement et le
coût global du système photovoltaïque dans son ensemble.
Le premier chapitre donne des notions sur lénergie solaire et ses caractéristiques, lénergie pho-
tovoltaïque ainsi que les di¤érents types de systèmes photovoltaïques existants. Les avantages et les
inconvénients du photovoltaïque sont cités et en
n le potentiel solaire en Algérie est décrit.
2
Le quatrième chapitre traite lunité de stockage, son principe de fonctionnement, ses caractéris-
tiques, sa modélisation, sa di¤érence avec une batterie classique et son couplage direct dans un système
photovoltaïque.
Le sixième chapitre est dédié à la simulation du convertisseur MPPT sous Simulink. Pour cela, la
boîte outil SimPowerSystems intégrée à Simulink est utilisée ainsi que la bibliothèque de composants
conçus dans les chapitres précédents..
Le huitième chapitre expose les di¤érentes étapes et la méthodologie suivie pour la conception
et la réalisation du convertisseur MPPT. Le choix des di¤érents composants ainsi que le langage de
programmation du microcontrôleur sont justi
és et lorganigramme du programme global est exhibé.
3
Chapitre 1
1.1 Introduction
Le Soleil est une grande sphère formée de gaz extrêmement chauds. Il est constitué, par la masse,
de 75% dhydrogène, 23% dhélium et autres (2%). Les atomes dhydrogène sont transformés en hélium
par une réaction de fusion thermonucléaire massive. La masse est alors transformée en énergie selon la
fameuse formule dEinstein, E = mc2 . Cette réaction maintient la surface du Soleil à une température
approximative de 5800E K.
Lénergie du Soleil est transmise sous forme de rayonnement dans lespace de manière uniforme
et dans toutes les directions. Lorsque lénergie a voyagé 150 millions de kilomètres du Soleil vers la
Terre, sa densité extraterrestre totale diminue à 1367 W=m2 . Cette valeur est connue sous le nom de
constante solaire [1][2].
Lirradiation est la mesure de la densité dénergie de la lumière du soleil, elle est mesurée en
kW H=m2 . Lirradiation est souvent exprimée en «heures de puissance crête», qui correspond à la
4
durée en heures, à un niveau dirradiance constant de 1kW=m2 , nécessaire pour produire lirradiation
quotidienne. Le nombre dheures de puissance crête est obtenu par intégration de lirradiance sur toutes
les heures de clarté (
gure 1.2). La connaissance de cette valeur permet de quanti
er rapidement les
possibilités o¤ertes par le générateur solaire. Un module de 50W c fournira 150W hH dans un site
correspondant à un ensoleillement de 3 heures de puissance crête [4][5][6].
Dans le cadre de lutilisation des panneaux photovoltaïques, il serait utile de pouvoir déterminer
avec exactitude, la durée dinsolation à un endroit particulier en un jour précis.
Le régulateur de charge (2) a pour fonction principale de protéger la batterie contre les surcharges
et les décharges profondes. Il est un élément essentiel pour la durée de vie de la batterie. En site isolé,
on peut aussi utiliser des récepteurs fonctionnant en courant alternatif (6). Dans ce cas, linstallation
comprendra un onduleur (4). On peut citer quelques exemples de systèmes autonomes, comme les
balises en mer, les lampadaires urbains, le pompage solaire et les maisons en sites isolés.
5
Figure 1.3 : Schéma typique dune installation photovoltaïque autonome.
La majorité des populations à lécart des réseaux électriques vit dans des zones rurales, où limplan-
tation de tels réseaux est di¢cile, pour des raisons daccès ou de moyens. Les systèmes photovoltaïques
constituent alors une option intéressante, ils donnent aux populations un accès à lélectricité avec un
coût, une maintenance et des di¢cultés de mise en oeuvre réduits.
6
1.3.4 Installations ou centrale électriques photovoltaïques hybride
Il sagit de systèmes qui regroupent des sources dénergie de nature di¤érentes tels une installation
éolienne, un générateur diesel ou une centrale de cogénération en plus du générateur photovoltaïque.
Ce type dinstallation est utilisé lorsque le générateur photovoltaïque seul ne couvre pas toute lénergie
requise.
7
Figure 1.5 : Potentiel solaire en Algérie.
Le volet de lénergie solaire le plus utilisé dans notre pays est le solaire photovoltaïque, les autres
volets solaire, thermique et thermodynamique, restent toujours au stade expérimental. Toutefois, la
complexité des procédés de fabrication des modules photovoltaïques et les rendements de production
faibles entraînent des coûts très élevés, ce qui freine son développement.
1.6 Conclusion
Dans ce chapitre, nous avons vu des notions sur lénergie solaire et ses caractéristiques ainsi que
les di¤érents types de systèmes dalimentations photovoltaïques existants et en
n le potentiel solaire
en Algérie.
8
Chapitre 2
La Cellule Photovoltaïque
2.1 Dé
nition
Les cellules photovoltaïques (photon : grain de lumière et volt : unité de tension) sont des com-
posants électroniques à semiconducteurs (généralement faites de silicium sous ses di¤érentes formes).
Elles convertissent directement lénergie lumineuse en électricité courant continu basse tension (e¤et
photovoltaïque). Comme lénergie lumineuse est le soleil, on parle alors de cellules solaires.
Figure 2.1 : Module RTC 3Wc de 1967 (40 cellules de 3cm de diamètre)
Lénergie photovoltaïque eut un regain dintérêt dans les années 1950 lors des premiers lancements
spatiaux de satellites (Vanguard I, 1958). Les crises économiques des années 1970 (ambée des prix
du pétrole, 1973) puis les accidents de centrales nucléaires tels ceux de Three Mile Island (USA, 1979)
ou de Tchernobyl (URSS, 1986) renforcèrent lintérêt envers les énergies renouvelables, en particu-
lier lénergie photovoltaïque qui simpose comme une des sources dénergies renouvelables les plus
prometteuses.
9
Deux types de technologie se partagent la quasi-totalité du marché mondial : les photopiles couches
minces et les photopiles cristallines avec toujours le silicium comme matériau semi-conducteur. Les
photopiles couches minces utilisent en grande majorité le silicium amorphe hydrogéné, les photopiles
cristallines utilisent le silicium monocristallin et polycristallin.
Actuellement, on peut citer quelques-uns des nouveaux axes de recherches dans le domaine de
lénergie photovoltaïque tels que :
Lutilisation des nanotubes de carbone pour un meilleur rendement.
Le recours à de nouveaux nano-matériaux pour une meilleure absorption des rayons du soleil.
La fabrication de cellules solaire exibles.
Dans un semi-conducteur, un courant électrique est favorisé par deux types de porteurs : les
électrons et les trous.
o La propagation par lintermédiaire délectrons est similaire à celle dun conducteur classique :
des atomes fortement ionisés passent leurs électrons en excès le long du conducteur dun atome à un
autre, depuis une zone ionisée négativement à une autre moins négativement ionisée.
o La propagation par lintermédiaire de trous est di¤érente : ici, les charges électriques voyagent
dune zone ionisée positivement à une autre ionisée moins positivement par le mouvement dun trou
créé par labsence dun électron dans une structure électrique quasi pleine.
Le silicium pur est un semi-conducteur intrinsèque. Les propriétés dun semi-conducteur peuvent
être contrôlées en le dopant avec des impuretés. Un semi-conducteur présentant plus délectrons que de
trous est alors dit de type N, tandis quun semi-conducteur présentant plus de trous que délectrons
est dit de type P.
10
se recombinent avec les électrons. Ce phénomène est appelé di¤usion. Il en résulte, au niveau de la
transition des segments, lapparition dune zone exempte de charges mobiles appelée Zone de transi-
tion (aussi nomée Zone de Charge dEspace ou Zone dépuisement), où seuls demeurent les atomes
dimpuretés
xes (ions accepteurs dans le segment P, ions donneurs dans le segment N) et les atomes
de semi-conducteur neutres. Les charges constituées par les ions
xes sont à lorigine dun champ
électrique E dans la zone de transition, et par la même dune di¤érence de potentiel Vo (appelée bar-
rière de potentiel) aux bornes de cette zone. Cette zone possède une grande impédance. Le champ
électrique E tend à maintenir les porteurs majoritaires dans leurs régions respectives et soppose ainsi
à la cause qui lui donne naissance, ce qui conduit à un état déquilibre.
Cependant, le champ électrique E ninterdit pas le passage des porteurs minoritaires présents dans
les segments de type P et N (courant de "saturation" Is ). Ce mouvement est toutefois équilibré par les
porteurs majoritaires qui possèdent lénergie nécessaire au franchissement de la barrière de potentiel.
Ainsi, une di¤érence de potentiel entre les deux face de la cellule est créée. Les grilles métalliques
à lavant et à larrière de la cellule PV collectent les électrons et les trous qui vont donc fournir à un
circuit extérieur le courant électrique produit [12]. Si le photon est très énergétique, il ne peut tout de
même extraire quun seul électron. Lénergie excédentaire est perdue en chaleur.
La zone N est couverte par une grille métallique qui sert de cathode, tandis quune plaque métallique
(contact arrière) recouvre lautre face du cristal et joue le rôle danode. Lépaisseur totale du cristal
est de lordre du millimètre.
11
Figure 2.3 : Collision entre un
photon et un atome Figure 2.4 : Cellule photovoltaïque
12
- Cellule Tandem
- Cellule en matériaux organiques (rendement : 3.6%)
Figure
2.5 :
Silicium Figure 2.6 : Types de cellules photovoltaïques. (a) silicium
polycris- monocristallin, (b) silicium polycristallin, (c) silicium
tallin amorphe
Figure 2.7 : Schéma du circuit électrique équivalent dune cellule solaire idéale connectée à une
charge.
avec :
Iph : photo-courant Vcell : tension aux bornes de la cellule
ID : courant à travers la diode Icell : courant délivré par la cellule
Iload : courant à travers la charge Vload : tension aux bornes de la charge
Le modèle mathématique dune cellule PV idéale illuminée est donné par (Loi de Kircho¤) :
qVcell
Icell = Iph 0 ID = Iph 0 Is e nkT 0 1 (2.1)
13
avec :
Icell : courant fourni par la cellule [A]
Vcell : tension aux bornes de la cellule [V ]
q : charge électrique élémentaire [1:6 1 10019 As]
k : constante de Boltzmann [8:65 1 1005 eV =K = 1:381 1 10023 J=K]
T : température absolue de la cellule [K]
Is : courant de saturation de la jonction non éclairée [A]
n : facteur didéalité de la jonction
Lorsque les bornes du circuit sont court circuité (Rload = 0), la tension de sortie est nulle et, daprès
léquation 2.1, le courant fournit par la cellule est à son maximum. Ce courant est appelé courant de
court-circuit Isc (short-circuit)
Isc = Iph (2.2)
Pour une charge in
niment grande (circuit ouvert), le courant de sortie est nul et la tension aux
bornes de la cellule est maximale. Cette tension est appelée tension de circuit ouvert Voc (open-
circuit). A partir de léquation (2.1), on peut écrire :
nkT Iph Iph
Voc = ln + 1 = Vth ln +1 (2.3)
q Is Is
nkT
Vth = q , est appelée tension thermique.
Voc est déterminé par les propriétés du semi-conducteur, car il dépend de Is qui lui-même dépend
de la densité de courant de saturation du matériau utilisé.
Il existe un point particulier sur la courbe caractéristique (I/V), pour lequel la puissance P = IV
fournie par la cellule est maximale (graphiquement indiquée par la surface dun rectangle). Ce point
est appelé, Point de Puissance Maximum (en anglais Maximum Power Point, MPP). Ce point
14
est situé sur le coude de la courbe caractéristique (I/V) (
gure 2.9). Les valeurs des coordonnées de
ce point, VM P P et IM P P , peuvent être estimées à laide de Voc et Isc de la manière suivante [1][2] :
@P @(IV ) @I
= =I +V =0 (2.5)
@V @V @V
F F appelé Facteur de Forme, est donné par [1] :
VM P P 1 IM P P
FF = (2.6)
Voc 1 Isc
il représente la mesure de la qualité de la cellule solaire. Ca valeur pour une cellule solaire cristalline
est entre 0.7 et 0.8. Il diminue avec laugmentation de la température de la cellule.
PM P P , Isc , Voc sont des paramètres spéci
és par le fabricant. Ces valeurs sont données pour un
ensoleillement, une température de fonctionnement et un air masse donné (AM1.5).
Le rendement de la cellule PV est donné par :
Voc 1 Isc 1 F F
= (2.8)
Pin
avec Pin : puissance fournie par le soleil.
15
Figure 2.10 : Schéma du circuit électrique équivalent dune cellule solaire réelle connectée à une
charge.
avec :
Rp résistance parallèle caractérisant le courant de fuite à la surface de la cellule dû à la non idéalité
de la jonction P-N et des impuretés près de la jonction.
Rs résistance série représentant les diverses résistances de contact et la résistance du semi-conducteur.
En pratique, la résistance parallèle Rp est très importante (de lordre du méga Ohm) et la résistance
série Rs est très faible (de lordre de quelques milli-ohms).
Avec un tel circuit électrique équivalent, on peut écrire :
VD
Icell = Iph 0 ID 0 (2.9)
Rp
VD
ID = Is e Vth
01 (2.10)
Figure 2.11 : Caractéristique I/V pour di¤érentes Figure 2.12 : Caractéristique I/V pour
valeures de Rs di¤érentes valeures de Rp
16
De grandes valeurs de Rs réduisent le courant de court circuit Isc , tandis que de petites valeurs de
Rp réduisent la tension de circuit ouvert Voc . La variation de ces résistance a¤ecte donc le facteur de
forme FF et aussi la puissance de sortie. En négligeant le¤et de Rs et Rp , on obtient léquation 2.1.
Il existe un autre modèle avec deux diodes en parallèle. La deuxième diode représente alors le
phénomène de recombinaison des porteurs de charge au niveau de la zone de dépletion. Dans ce cas,
les facteurs didéalité des diodes sont égaux à 1 et 2 respectivement. Pour le modèle avec une seule
diode, le facteur didéalité est considéré comme un paramètre variable qui prend ses valeurs entre 1 et
2 [12][13][14][16].
Généralement, le¤et de la résistance parallèle du circuit électrique équivalent est négligé, car son
inuence nest prépondérante que pour des niveaux déclairement très bas. Il en découle un circuit
électrique équivalent simpli
é comme le montre la
gure ci-dessous [1][2][12].
Figure 2.13 : Schéma du circuit électrique équivalent simpli é dune cellule PV réelle.
Pour une modélisation plus précise de la cellule PV, linuence du niveau déclairement ainsi que
celle de la température doivent être prises en compte.
En pratique, les paramètres de la cellule sont donnés (par le fabricant) dans des conditions de test
standard (STC : Standard Test Conditions) ou nominales comme lindique le tableau suivant [17] :
Sous les conditions nominales, la température de la cellule TN OCT (NOCT : Nominal Operating
Cell Temperature) est mentionnée sur le catalogue du fabricant.
17
Le photo courant Iph est directement proportionnel à léclairement. Si Isc;0 est donnée sur le
catalogue en STC, alors le photocourant généré pour nimporte quel autre valeur de G, est donné par :
Isc;0
Iph jT = 1 G = C1 G (2.15)
0 G0
Le photo courant dépend aussi de la température, son expression est donnée par [1][12][13][16] :
Isc jT 0 Isc;0
k0 = 2
(2.17)
T2 0 T0
avec k0 : coe¢cient de température de Iph (habituellement donné par le fabricant sur le datasheet
en pourcentage de changement par degré celsius). T2 = 75E C
T C = Ta + C2 G (2.18)
avec
TN OCT 0 Ta;nom
C2 = (2.19)
Gnom
Si la température TN OCT nest pas connue, la constante C2 est approximée par 0:03E Cm2 =W . (en
pratique C2 varie entre 0.01 et 0.03E Cm2 =W )
où C3 = 02:3mV =E C
Le courant de saturation dépend de la température. Sa valeur pour une température donnée est
calculée par léquation suivante [12][13][16][19] :
3
T n
0
qVg 1
0 T1
Is = Is;0 1 1e nk T 0 (2.22)
T0
Is
dI = 0 0 (dV + Rs dI) 1 e(V +Rs I)=Vth (2.24)
Vth
18
C
dV CC 1
Rs = 0 0 (2.25)
dI CVoc;0 XV
V
Is;0 oc;0
XV = 1 e Vth;0 (2.26)
Vth;0
La résistance série peut aussi être calculée en utilisant lexpression [16] :
Rs = Rs jT0 (1 + k3 (T 0 T0 )) (2.27)
La tension de circuit ouvert Voc baisse avec la hausse de température. Cette baisse est aux alentours
de 0.4% /E K. La puissance chute de 0.5% /E K.
19
Figure 2.16 : Caractéristique I/V pour di¤érentes températures
Le modèle que nous avons utilisé pour simuler le comportement de la cellule PV est basé sur le
modèle électrique équivalent simpli
é représenté sur la
gure 2.14 et dont lexpression du courant
délivré Icell est donnée par
I = Iph 0 Is e(V +Rs I)=Vth 0 1 (2.28)
Cette équation est complexe, car sa solution en courant est récursive. Pour la résoudre, nous avons
utilisé la méthode de Newton pour sa rapidité de convergence vers la solution. La méthode de Newton
est décrite ci-dessous :
f (xn )
xn+1 = xn 0 0 (2.29)
f (xn )
avec f 0 (x) est la dérivée de la fonction, xn valeur actuelle et xn+1 valeur suivante.
En posant
f (I) = Iph 0 I 0 Is e(V +Rs I)=Vth 0 1 = 0 (2.30)
La fonction que nous avons utilisé sous MATLAB e¤ectue le calcul pour 5 itérations pour assurer
la convergence de la solution. Les expressions (2.15) à (2.26) ont été utilisées pour une meilleure
précision. Les résultats de la simulation obtenus sont représentés sur les
gures ci-dessous.
20
Caractéristique I/V d'une cellule PV Caractéristique P/V d'une cellule PV
2
4 1000 W/m²
1000 W/m²
3.5
800 W/m² 1.5
3 800 W/m²
Puissance (W)
Courant (A)
0 0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
Tension (V) Tension (V)
Figure 2.17 : Caractéristique I/V dune cellule Figure 2.18 : Caractéristique P/V dune cellule
PV pour di¤érents niveaux de rayonnement. PV pour di¤érents niveaux de rayonnement.
75°C
Courant (A)
50°C
2.5 75°C
1
2
1.5
1 0.5
0.5
0 0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
Tension (V) Tension (V)
Figure 2.19 : Caractéristique I/V dune cellule Figure 2.20 : Caractéristique P/V dune cellule
PV pour di¤érentes températures. PV pour di¤érentes températures.
2.10 Conclusion
Dans ce chapitre, nous avons décrit le principe de fonctionnement dune cellule photovoltaïque au
silicium. Ensuite, nous avons dé
ni son rendement et les di¤érents types de cellules existants. Pour la
modélisation mathématique de la cellule, nous nous sommes basés sur le modèle électrique équivalent.
Nous avons aussi vu le¤et des changements climatiques sur lénergie produite par la cellule à travers
des graphiques représentatifs. Pour simuler le comportement de la cellule photovoltaïque, nous avons
fait appel au logiciel Matlab de Mathworks.
21
Chapitre 3
Le Générateur Photovoltaïque
3.1 Introduction
La cellule solaire, de forme ronde ou carrée est lélément de base dun système solaire. Un ensemble
de cellules forme un module solaire, dans un module les cellules sont reliées électriquement entre
elles et encapsulées, donc protégées des agents extérieurs. Plusieurs modules forment un panneau
solaire. Plusieurs panneaux forment un système ou champ solaire, auxquels viennent sajouter
des protections, un régulateur, un système de stockage de lénergie (batterie) des appareils de contrôle
et de mesure, un onduleur [11] ...
Le terme générateur photovoltaïque GPV est utilisé pour désigner, selon lapplication consi-
dérée, un module ou un panneau PV. Toutefois, il peut faire allusion au système PV tout entier. Pour
la suite de ce document, on utilisera le terme GPV pour désigner un module ou un panneau PV.
22
Figure 3.2 : Groupement en série de Figure 3.3 : Caractéristique I/V dun
cellules PV groupement en série de cellules PV
Le groupement en série des cellules présente un e¤et indésirable lorsque le module est partiellement
à lombre ou lorsque les cellules ne sont pas éclairées équitablement (éclairement non homogène). Le
cas extrême a lieu dans les conditions de court-circuit.
Dans le cas où une cellule est complètement à lombre (
gure 3.4), elle ne produit aucun courant
et agit comme un circuit ouvert, ainsi aucun courant ne circule dans le circuit. Ça diode a tendance à
être inversement polarisée par la tension fournie par les deux autres cellules. Cependant, il ny a pas
dissipation de puissance dans la cellule ombrée, jusquà ce que la tension de claquage de sa diode soit
dépassée. Puisquil ny pas de courant circulant dans le circuit, la puissance de sortie dans ce cas est
nulle.
Une solution à ce problème consiste à brancher des diodes bypass en parallèle avec chaque cellule
(
gure 3.5).
23
Figure 3.6 : Caractéristique I/V dun groupement en série avec une cellule complètement à lombre
On voit sur la
gure 3.5 que, lorsque la troisième cellule est ombrée, sa diode bypass est polarisée en
direct et laisse donc passer le courant du circuit. La cellule ombrée est court circuitée. La caractéristique
I/V, correspondant à ce cas, est représentée sur la
gure 3.6. En conditions normales (sans ombre),
chaque diode bypass est polarisée en inverse et chaque cellule génère de la puissance.
Dans le cas où la troisième cellule est partiellement ombrée, par exemple elle ne reçoit que 20% du
rayonnement incident, alors elle peut fournir environ 20% de son courant en régime normal. Bien que
les autres cellules puissent fournir 100% de leurs photocourant, le courant circulant dans le circuit sera
égal à celui de la troisième cellule (
gure 3.7). Le reste du courant produit par les autres cellules va
circuler dans leur propre diode. De plus, la diode de la troisième cellule est polarisée en inverse par la
tension générée par les deux autres cellules. Par conséquent, une dissipation de puissance survient dans
la troisième cellule, qui devient réceptrice, provoquant son échau¤ement. Une telle situation porte le
nom de "point chaud" (hot spot), un intolérable e¤et qui mène à la détérioration de la jonction p-n,
et donc à la destruction de la cellule. Cependant, ceci peut arriver aussi dans le cas dun groupement
de cellules mal assorties (mismatching).
En utilisant la diode bypass, ce problème peut être évité. Comme illustré sur la
gure 3.8, une
fois que la troisième diode bypass conduit, le courant qui la traverse est égal à la di¤érence entre le
courant du circuit et celui de la troisième cellule.
24
Figure 3.9 : Caractéristique I/V dun groupement en Figure 3.10 : Caractéristiques I/V dune
série. Une cellule est partiellement ombrée cellule PV ensoleillée et dans lobscurité.
Toutes fois, une diode bypass pour chaque cellule est trop coûteux. En pratique, suivant les pertes
de puissance permises, il est su¢sant davoir une diode bypass pour chaque 10 ou 15 cellules (pour un
module de 36 cellules, 3 diodes sont requises).
Pour les cellules au Si, le nombre minimal de cellules en série avec une cellule ombrée pour atteindre
sa tension de claquage est compris entre 15 et 20. La
gure 3.10 montre la tension de claquage dune
cellule PV illuminée et dans lobscurité. Il est à noter que les diodes bypass ne provoquent aucune
perte de puissance en fonctionnement normal
Le rôle de la diode bypass est montré, à traves la caractéristique I/V de lensemble, sur la
gure
suivante :
25
seulement lorsquil y a une grande di¤érence déclairement entre les cellules. On remarque aussi quil
y a deux maxima locaux, mais globalement il y a toujours un seul MPP [21].
Figure 3.12 : Courbes de puissance dun groupement de cellules en série avec éclairement non
homogène
Comme pour le groupement en série, le groupement en parallèle des cellules présente un e¤et non
souhaitable lorsque le module est partiellement à lombre.
26
Figure 3.15 : Association parallèle. Une cellule est complètement ombrée
Dans le cas où une cellule est complètement à lombre, elle ne produit pratiquement plus de courant.
Le cas extrême à lieu dans les conditions de circuit ouvert (pas de charge connectée). La cellule ombrée
devient alors réceptrice plutôt que génératrice. Elle est parcourue par le courant des autres cellules en
inverse sous une tension proche de Voc . Dans le cas où plusieurs cellules sont connectées en parallèle,
la cellule dissipant une puissance trop importante serait détruite. Pour éviter ceci, il est indispensable
de connecter dans chaque branche une diode en série, pour empêcher le courant de traverser la cellule
dans le mauvais sens.
Un groupement parallèle pur des cellules pour la construction dun module, nest généralement pas
convenable, car un grand courant nécessite une section de câblage plus grande. En plus, une tension
basse ocasionne des pertes relativement élevées. Pour ces raisons, un groupement en série est plus
approprié.
Figure 3.16 : Courbes de puissance dun groupement de cellules en parallèle avec éclairement non
homogène
27
Figure 3.17 : Symbole dun générateur PV.
Les diodes en noir sont des diodes bypass, dont nous avons déjà vu lutilité. Les diodes en blanc
sont des diodes de blocage, elles sont branchées en série avec les modules. Ces diodes accomplissent
une fonction de blocage, elles permettent déviter le retour du courant dans les modules, empêchant
ainsi les modules de devenir des charges. Ceci survient lorsquun module est sous lombre, lorsquil y
a un court-circuit ou lorsquun module est endommagé. Dans les systèmes qui intègrent des batteries,
des diodes de blocage entre les panneaux et les batteries sont utilisées pour éviter que ces dernières
ne se déchargent dans les panneaux pendant la nuit. Il est à noter que la con
guration du système
(disposition physique des di¤érents constituants) a un impact sur ces performances [16].
Comme pour la cellule PV, les caractéristiques électriques dun module données par le fabricant
correspondent aux dites, conditions de test standard (STC : Standard Test Conditions, ensoleille-
ment 1000 W/m2 , AM 1.5, température 25E C). Dans ce qui suit, on utilisera lexposant * pour se
référer à ces conditions. Les caractéristiques électrique se résument généralement par le courant de
court-circuit Isc
3 , la tension de circuit ouvert V 3 et la puissance maximale P 3 . Une autre donnée,
oc max
tout aussi importante, est la température de fonctionnement nominale de la cellule (NOCT : Nomi-
nal Operating Cell Temperature), qui est dé
nie comme étant la température atteinte par les cellules
lorsque le panneau est soumis à une irradiance de 800W=m2 et une température ambiante de 20E C.
28
Le tableau suivant présente un exemple de caractéristiques électriques dun module PV fabriqué
avec 72 cellules polycristallines en série.
Caractéristiques électriques
Puissance maximale (Pmax ) 150W
Tension à Pmax (Vmp ) 34:5V
Courant à Pmax (Imp ) 4:35A
Tension de circuit ouvert (Voc ) 43:5V
Courant de court circuit (Isc ) 4:75V
Coe¢cient de température de Isc 0:065 6 0:015% =E C
Coe¢cient de température de Voc 0160 6 20 mV =E C
Coe¢cient de température de puissance 00:5 6 0:05% =E C
NOCT 47 6 2E C
En général, le rendement dun module PV, fourni par le fabricant, est donné dans les STC par la
relation :
Pmax Impp Vmpp
Sm Sm
= = (3.1)
Psol Psol
avec : Pmax : Puissance maximale fournie par le module en STC.
Sm : Surface du module
Psol : Puissance du rayonnement solaire
En réalité, le rendement du module est le rendement dune cellule cellule diminué des pertes
dues aux connexions ( connexion ) des cellules entre elles, à la transparence des matériaux dencapsulage
( encapsulation ) et éventuellement à la chute de tension dans la diode de blocage ( diode ) lorsquil faut
protéger le module contre une éventuelle décharge nocturne de la batterie lorsque celle-ci existe. Il est
donné par :
= cellule 1 connexion 1 diode (3.2)
À titre dexemple, le rendement dun module composé de cellules au silicium polycristallin dun
rendement de 10% vaut approximativement 9.23%. La di¤érence de lordre de 0.77% est attribuée aux
connexions, encapsulation et à la diode de blocage. En général, le rendemant global, dé
ni comme le
rapport de lénergie électrique produite et de lénergie lumineuse incidente, varie en pratique de 10 à
17% selon le type de cellules.
Notons bien que dautres paramètres peuvent inuer sur le rendement des modules. Parmi ceux-ci,
on peut citer :
- Inclinaison du panneau : en fonction de divers angles dinclinaison compris entre lhorizontale
(0 ) et la verticale (90E ), le rendement de puissance est maximum lorsque le panneau est tourné vers
E
29
3.3.3 Modélisation dun GPV
Nous avons vu que le modèle mathématique dune cellule PV est donné par :
V +IRs V + IRs
I = Iph 0 Is e Vth
01 0 (3.3)
Rp
Cette expression donne une représentation adéquate du comportement intrinsèque dune cellule
solaire au silicium typique. Néanmoins, elle ne peut être utilisée directement pour prédire le compor-
tement du GPV, car quelques paramètres, Iph et Is en particulier, ne peuvent être établies à partir
des informations habituellement disponibles. Ces dernières sont restreintes aux valeurs de Isc3 , V 3 et
oc
Pmax qui sont toujours incluses dans le catalogue du fabricant.
3
Pour palier à ce problème, des simpli
cations peuvent être faites en faisant les suppositions sui-
vantes, qui sont généralement valides pour les cellules au silicium [1] :
le¤et de la résistance parallèle est négligé,
le photo
courant
et le courant de court-circuit sont égaux,
V +IRs
exp Vth 1 pour toutes les conditions de fonctionnement.
doù : Voc
0V
Is = Isc 1 e th (3.6)
Finalement, on obtient :
V 0 Voc + IRs
I = Isc 1 0 exp (3.7)
Vth
Cette expression est très pratique, car les paramètres à droite sont facilement déterminés, ce qui
permet lapplication directe de cette dernière.
Nous avons vu que plusieurs cellules PV sont groupées pour constituer des modules ou des panneaux
PV. Ces derniers contiennent Np branches en parallèle, chacune avec Ns cellules connectées en série
(
gure 3.19).
30
Figure 3.19 : Représentation dun module Figure 3.20 : Représentation dun
photovoltaïque champ photovoltaïque.
Le modèle du panneau photovoltaïque est obtenu en remplaçant chaque cellule dans la
gure 3.19
par le schéma équivalent présenté dans la
gure 2.13 (en considérant que les cellules sont semblables et
sont soumises aux mêmes conditions). Dans le modèle mathématique du panneau PV, qui sera présenté
par la suite, les paramètres du panneau portent lindice "P" et les paramètres de la cellule PV, lindice
"C". Ainsi, le courant I P , généré par le module PV, dans des conditions de fonctionnement arbitraires,
peut être exprimé par [1][11][15][17] :
P
P P V 0 VocP + I P RsP
I = Isc 1 0 exp C
(3.8)
Ns Vth
Pour délivrer des courants et des tensions adaptés aux applications courantes, plusieurs panneaux
PV sont connectés en série et/ou en parallèle (
gure 3.20). Dans ce cas, le courant total généré par la
con
guration est donné par [15][17] :
Mp
X
I= Ii (3.9)
i=1
31
Figure 3.21 : Caractéristique I/V dun module Figure 3.22 : Courbe de puissance dun module
PV PV
La
gure 3.22 présente un exemple de la caractéristique (P/V) et (I/V) dun module PV. Elle
illustre limportance de faire fonctionner le système au MPP pour tirer le maximum de la puissance
disponible [12].
32
La
gure 3.24 montre les caractéristiques I/V dun GPV et dune résistance. Pour une charge
résistive, la caractéristique I/V est une droite de pente R1 . Par conséquent, si la résistance R est petite,
le point de fonctionnement est situé dans la région AB de la courbe. Le courant Ipv varie peu en
fonction de la tension et est presque égal au courant de court circuit. Le GPV se comporte comme un
générateur de courant. Dautres part, si la résistance R est grande, le GPV fonctionne dans la région
CD. Dans cette zone, la tension du GPV varie peu en fonction du courant et est presque égale à la
tension de circuit ouvert. Le GPV se comporte comme une source de tension. Dans la région BC sur
la courbe, le GPV ne peut être caractérisé ni par une source de courant, ni par une source de tension.
Cest dans cette zone que se trouve le MPP pour des conditions atmosphériques
xées. La valeur de
la résistance correspondant à ce point est notée Ropt [15].
Les courbes caractéristiques dun GPV pour di¤érents niveaux de rayonnement, ainsi que celles de
deux charges résistives sont représentées sur la
gure 3.25. Lintersection des courbes indique le point
de fonctionnement (la tempétrature est supposée constante). Il est clair que limpédance de la charge
impose les conditions de fonctionnement du GPV.
Pour la charge 2, la puissance transmise est optimale pour un niveau de rayonnement de 1000W/m2 ,
car le point de fonctionnement dans ce cas est très proche du MPP. À mesure que le niveau de
rayonnement baisse, le point de fonctionnement séloigne du MPP. La puissance transmise nest alors
plus optimale. La charge 2 est donc plus appropriée pour des niveaux de rayonnement élevés. Par
contre, la charge 1 est plus adaptée pour de faibles niveaux de rayonnement. Dans les deux cas, il y a
pertes de puissance lors de la variation de lirradiation. On peut conclure que lors dun couplage direct
dun GPV et la charge, le point de fonctionnement coïncide rarement avec le MPP. Pour palier à ce
problème, un étage dadaptation entre la source et la charge est nécessaire.
33
survoltrice ou dévoltrice. Si par exemple la charge est une batterie au plomb, ce sont ses plages de
tension de charge et de décharge qui vont permettre détablir la structure la plus adéquate.
Le rôle du convertisseur DC/DC (dans le cadre du PV) est de faire ladaptation entre la source
(GPV) et la charge pour un transfert de puissance maximal. Ceci est fait en maintenant le PF sur ou
assez proche du MPP pour nimporte quelles conditions de fonctionnement (rayonnement, tempéra-
ture, caractéristique de charge, etc.).
Contrairement au cas général où le convertisseur DC/DC est utilisé pour réguler la tension de
sortie, ici cest plutôt la tension dentrée qui est régulée. La tension de référence (consigne) est alors
constante ou imposée par un algorithme de commande.
Si les pertes internes PL du convertisseur sont négligeables, alors les puissances dentrée et de
sortie sont égales. Dans ce qui suit, le principe de fonctionnement de quelques types de convertisseurs
DC/DC est décrit.
34
Si le commutateur S1 est activé à t0 , un courant circule dans le circuit, mais ne passe pas par
la diode D puisquelle est inversement polarisée. Le courant iL naugmente pas immédiatement, mais
plutôt linéairement avec un taux daccroissement imposé par linductance L [1][11].
diL VP V 0 VLoad
= (3.10)
dt L
Pendant ce temps, linductance emmagasine de lénergie sous forme magnétique. Si S1 est désac-
tivé après t = t1 , la charge est déconnectée de son alimentation. Le courant est toutefois maintenu
par lénergie stockée dans linductance L et circule à travers la diode D appelée diode de roue
libre . Cette dernière permet dévacuer lénergie emmagasinée dans linductance à louverture du
commutateur sans créer de surtension. Selon léquation 3.10, le courant décroit, puisque :
diL VLoad
=0 (3.11)
dt L
Le condensateur C1 permet de réduire les piques du courant tiré du GPV, de soutenir la tension
dalimentation VP V et datténuer les bruits. Le commutateur S1 est activé et désactivé avec une
fréquence de commutation f = T1 . Comme lillustre la
gure 3.30, la tension aux bornes de la charge
présente une ondulation qui peut être lissée par lajout dun condensateur C2 . Quoi quil en soit, la
valeur moyenne Vload est inférieure à VP V . Dans le cas où la fréquence est augmentée, par exemple
jusquau kHz, linductance nécessaire peut être réduite considérablement.
La tension aux bornes de la charge est donnée par :
ton
Vload = VP V = D 1 VP V (3.12)
T
35
avec T = ton + tof f : est la période de commutation.
D = tTon : est le rapport cyclique (0 < D < 1)
Grâce à cette équation, on peut voir que la tension de sortie varie linéairement avec le rapport
cyclique D.
Il est à noter que linterrupteur utilisé est un dispositif à semiconducteur en commutation. Géné-
ralement, un transistor MOSFET est utilisé pour son faible temps de commutation a
n de minimiser
les pertes de puissance.
Si le commutateur S1 est désactivé à t0 et si la chute de tension aux bornes de la diode est négligée,
alors Vload est égale à VP V .
Lorsque le commutateur est activé (
gure 3.32), la tension de la charge chute immédiatement à zéro
si le condensateur C1 est omis. Le courant du circuit iL circule à travers linductance L et augmente
suivant léquation [1] :
diL VP V
= (3.13)
dt L
Lorsque S1 est désactivé (
gure 3.33), linductance se trouve en série avec le générateur et sa f.e.m
sadditionne à celle du générateur (e¤et survolteur). Le courant iL traversant linductance traverse
36
ensuite la diode D, le condensateur C1 et la charge. Il en résulte un transfert de lénergie accumulée
dans linductance vers le condensateur. Le courant décroît ensuite progressivement, car Vload > VP V :
diL VP V 0 Vload
= (3.14)
dt L
La forme donde de la tension de la charge est représentée sur la
gure 3.34. La diode D permet
déviter la décharge du condensateur C1 , lorsque le commutateur est activé. Le condensateur est
supposé assez grand pour pouvoir lisser la tension de la charge.
La tension de la charge est donnée par :
T 1
Vload = VP V = VP V (3.15)
tof f 10D
ton
avec D = T : est le rapport cyclique (0 < D < 1)
c) Convertisseur Buck-Boost :
Un convertisseur Buck-Boost est une alimentation à découpage qui convertit une tension continue
en une autre tension continue de plus faible ou plus grande valeur mais de polarité inverse.
Durant létat «on», lénergie apportée par la source (générateur PV) est stockée dans linductance
L (
gure 3.34). Lénergie stockée dans linductance L est livrée ensuite à la charge pendant létat
«o¤» (Figure 3.35). En raison de la présence de la diode D, le courant circule à travers linductance
37
L seulement dans une direction durant les deux états. Par conséquent, Vload a une polarité opposée à
VP V . Pour cette raison, ce circuit est aussi appelé convertisseur inverseur. Les équations décrivant ce
circuit peuvent être obtenues de la même manière quau paravant. Comme indiqué précédemment, le
condensateur C1 soutient la tension dalimentation VP V , C2 lisse la tension de la charge. En conclusion,
lamplitude de Vload peut être inférieure ou supérieure à VP V suivant la valeur de ton et tof f [1] :
ton D
Vload = 0 VP V = 0 VP V (3.16)
tof f 10D
Figure 3.36 : Convertisseur Buck-Boost durant Figure 3.37 : Convertisseur Buck-Boost durant
létat on létat o¤
Dans les trois cas cités en haut, ladaptation entre la source et la charge est réalisée en choisissant
des valeurs adéquates du rapport cyclique.
Généralement, pour les convertisseurs DC/DC, linterrupteur est commandé par un signal PWM
(Pulse Width Modulation) ou MLI (Modulation de Largeur dImpulsion). Un signal PWM est un
signal rectangulaire de fréquence
xe, mais dont le rapport cyclique D est variable. La valeur du
rapport cyclique permet de contrôler la quantité dénergie transmise.
Il existe dautres types de convertisseur DC/DC plus complexes que ceux décrits en haut. Le
tableau suivant donne une idée sur la complexité de chaque type de convertisseur [22].
Type Fonction Interrupteur Diode Transformateur Complexité
Buck Abaisseur 1 1 non Faible
Boost Elévateur 1 1 non Faible
Buck-Boost Abaisseur/ 1 1 non Faible
Elévateur
Flyback Abaisseur/ 1 1 oui Moyenne
Elévateur
Half Forward Abaisseur/ 1 1 oui Moyenne
Elévateur
Push Pull Abaisseur/ 2 2 oui Forte
Elévateur
Half Bridge Abaisseur/ 2 4 oui Forte
Elévateur
Full Bridge Abaisseur/ 4 4 oui Très forte
Elévateur
38
Considérons lexemple suivant, qui représente un module PV et une charge résistive sous di¤érents
niveaux densoleillement :
Pour des niveaux de rayonnement faibles, le convertisseur donne de bons résultats. Par contre, pour
un rayonnement plus élevé, le¢cacité du convertisseur nest plus ressentie. Le résultat obtenu est plus
mauvais que si le convertisseur nétait pas utilisé. Pour cette raison, une stratégie de commande est
nécessaire pour avoir des résultats satisfaisants, quelles que soient les variations a¤ectant le système.
Dans le cadre du photovoltaïque, lobjectif de la commande est de poursuivre le MPP. Ceci sera vu
en détail dans le chapitre 5.
39
3.5 Simulation dun GPV
Comme pour la cellule PV, nous avons utilisé le logiciel MATLAB pour simuler le comportement du
GPV. Le modèle utilisé pour simuler le comportement de la cellule PV peut être exploité pour simuler
le comportement du GPV moyennant quelques modi
cations. La fonction utilisée sous MATLAB pour
la simulation, nous a permis détablir une interface graphique (
gure 3.39) permettant de visualiser
les variations des caractéristiques I/V et P/V en fonction des changements climatiques.
Figure 3.39 : Interface graphique permettant de visualiser les variations des caractéristiques
électriques du GPV.
Nous avons établi un autre modèle de simulation sous Simulink en se basant sur le modèle mathé-
matique décrit par les équations (3.7) et (2.15) à (2.22).
Simulink est un logiciel de simulation, qui fournit une interface graphique permettant de construire
des modèles sous forme de diagrammes blocs. Il o¤re lavantage de construire des modèles hiérarchisés
qui o¤rent la possibilité de voir le système à di¤érents niveaux. Simulink o¤re également la possibilité de
construire des modèles modulaires, qui ont lavantage dêtre facilement reliés entre eux a
n de simuler
un certain système. Ces modèles permettent également aux concepteurs de systèmes doptimiser la
taille des composants du système PV.
Limplémentation sous Simulink du modèle mathématique du GPV est illustrée sur la
gure ci-
dessous.
40
Figure 3.40 : Schéma bloc du GPV sous Simulink
Léquation implicite (3.8) représentant le courant fourni par le GPV peut être facilement résolue
par le bloc "algebraic constraint".
Une autre fonctionnalité puissante de Simulink est la possibilité dutiliser un masque qui permet
de simpli
er lutilisation du modèle par le remplacement de nombreuses boîtes de dialogue dans un
sous-système avec une seule boîte de dialogue. Au lieu dexiger de lutilisateur du modèle à ouvrir
chaque bloc et entrer les valeurs des paramètres, les valeurs des paramètres peuvent être saisies sur le
masque et transmis aux blocs du sous-système masqué. Le sous-système est alors vu comme un bloc
ordinaire. Les
gures ci-dessous représentent le bloc Simulink représentant le GPV et son masque.
avec
41
Port Identi
cation
G ensoleillement (W=m2 )
Ta température ambiante (E C)
Vp tension du GPV (V )
Ip courant du GPV (A)
Les paramètres à saisir sur le masque du bloc GPV sont ceux donnés sur le catalogue du panneau
PV en STC. Ces paramètres sont la tension de circuit ouvert Voc3 , le courant de court-circuit Isc
3 , le
Le modèle Simulink précédent a pour sortie le courant du GPV. Il est bien adapté pour un bran-
chement en parallèle de plusieurs panneaux PV qui partagent la même tension. Cependant, ce modèle
peut être utilisé pour construire un autre modèle qui a pour sortie la tension du GPV. Ce dernier est
bien adapté pour un branchement en série de plusieurs panneaux PV qui partagent le même courant.
Le schéma bloc sous Simulink de ce modèle est représenté sur la
gure 3.43.
Ce nouveau modèle utilise le même masque pour les paramètres que le modèle précédent.
A
n dobtenir les caractéristiques I/V et P/V à partir du modèle établi du GPV, nous avons
utilisé les composants du package SimPowerSystems de Simulink. Ce dernier intègre les composant de
lélectronique de puissance (résistance, condensateur, inductance, diode...) ce qui facilite la simulation
dun système donné. La
gure 3.45 montre un système permettant davoir les caractéristiques du GPV.
Il sagit dune source de courant contrôlée en série avec un bloc de mesure de courant et une résistance
de 1A: Les résultats sont présentés sur la
gure 3.46 et 3.47. Les paramètres utilisés pour la simulation
sont :
Paramètres Valeurs
Voc 21.1V
Isc 3.8A
Np 1
Ns 36
G 1000W=m2
Ta 25E C
42
Figure 3.45 : Système permettant dobtenir les caractéristiques du GPV
50
3
Puissance (W)
40
Courant (A)
2 30
20
1
10
0 0
0 5 10 15 20 25 0 5 10 15 20 25
Tension (V) Tension (V)
3.6 Conclusion
Dans cette partie, nous avons abordé lanalyse du générateur photovoltaïque GPV et des di¤érents
groupements possibles des cellules. Nous avons ensuite expliqué le problème survenant lors dune non-
homogénéité de léclairement sur les cellules, dont la solution consiste à ajouter une diode bypass.
Nous avons e¤ectué la modélisation mathématique du GPV qui est essentielle à lanalyse, en se basant
le modèle de la cellule. Par la suite, nous avons élucidé le principe de conversion dans les systèmes
photovoltaïques faisant apparaître par la même occasion, le problème de la non-adaptation de la
charge avec le GPV. Finalement, nous avons procédé à la simulation du GPV sous Matlab et nous
avons réalisé une interface graphique a
n de montrer le¤et des changements climatiques sur lénergie
produite par le GPV.
43
Chapitre 4
Lunité de stockage
4.1 Introduction
Dans un système photovoltaïque, la puissance délivrée par le GPV est imprévisible et varie indé-
pendamment de la demande. Ainsi, pour une installation PV autonome, lunité de stockage est requise
pour assurer un approvisionnement continu en énergie électrique. Parmi les nombreuses technologies
de stockage, la batterie au plomb est la plus utilisée dans les installations PV autonomes. Ce type de
batterie est connu pour son coût faible, son rendement (environ 85%), ses performances en tempéra-
ture (fonctionnement en températures extrêmes), sa longue vie et sa grande disponibilité. Dans ce qui
suit, certaines notions sur les batteries seront dé
nies [12][14][23].
Lanode est lélectrode à laquelle loxydation (perte dun ou plusieurs électrons) se produit et à
partir de laquelle les électrons vont alimenter le circuit extérieur (la charge). La cathode est lélectrode
44
à laquelle se produit la réduction (gain dun ou plusieurs électrons), les électrons revenant de la charge
arrivent sur cette électrode. En décharge, lanode est la borne négative de la batterie et la cathode
la borne positive. Par contre, en charge, lélectrode négative est la cathode et lélectrode positive est
lanode, les électrons circulant alors dans lautre sens.
Dans le cas dune batterie au plomb (
gure 4.2), lanode est en plomb (P b), la cathode en oxyde de
plomb (P bO2 ) et lélectrolyte utilisé est lacide sulfurique dilué (H2 SO4 ). La
gure montre le processus
de décharge dune batterie au plomb [2][23].
Durant le processus de décharge de la batterie, les électrodes réagissent avec lélectrolyte selon les
équations suivantes :
Electrode positive :
Réaction primaire : P bO2 + 4H + + SO420 + 2e0 0! P bSO4 + 2H2 O
Réaction secondaire : 21 O2 + 2H + + 2e0 0! H2 O
Electrode négative :
Réaction primaire : P b + SO420 0! P bSO4 + 2e0
Réaction secondaire : H2 0! 2H + + 2e0
Cellule :
Réaction primaire : P b + P bO2 + 2H2 SO4 Ad ech arg e
ch arg e 2P bSO4 + 2H2 O
Réaction secondaire : 21 O2 + H2 0! H2 O
Durant la décharge, la concentration de lacide dans lélectrolyte diminue, alors que durant la
recharge, le¤et inverse se produit.
Dans le cas de la décharge dune batterie, la tension minimale acceptable est appelée tension seuil
de décharge. La baisse au dessous de cette tension est appelée décharge profonde, durant laquelle la
batterie peut être endommagée. Dans le cadre du photovoltaïque, la tension seuil de décharge pour
une batterie au plomb de 12V est de 11,7V.
Une batterie se décharge lentement même si on ne sen sert pas, ceci est appelé lautodécharge.
Lautodécharge est dû à léquilibre des réactions aux électrodes qui est dans le sens de la décharge
(létat de décharge est themodynamiquement plus stable). Pour le cas dune batterie au Plomb, le
taux dautodécharge atteint 5% par mois pour des batteries neuves à 25E C. Il augmente cependant
rapidement avec la température et quand la batterie vieillit : il peut atteindre 1% par jour en
n de
vie.
45
Dans le cas où la batterie est abandonnée durant une longue période après une décharge profonde, le
plomb du support et celui des plaques est converti en cristaux de sulfate de plomb. Ces cristaux peuvent
devenir importants et empêcher leur reconversion en plomb ou en oxyde de plomb. Par conséquent, la
batterie perd une partie de sa capacité de stockage. De plus, les cristaux peuvent altérer la structure des
plaques, causant une perte du matériau, des courts-circuits et des dommages physiques. En pratique,
la décharge profonde doit être évitée.
En ce qui concerne la recharge dune batterie, une tension supérieure à la tension nominale doit
être appliquée. Cependant, cette tension ne doit pas dépasser une certaine valeur appelée tension de
charge maximale qui correspond à la tension dite de gazage. Au-dessus de cette tension (surcharge),
le courant de charge est dépensé dans lélectrolyse de leau donnant naissance à de lhydrogène et de
loxygène et provocant lassèchement de lélectrolyte. Par conséquent, le rendement de stockage de la
batterie sen trouve diminué. Pour une batterie de 12V, la tension de recharge est comprise entre 12V
et 14,4V.
Les batteries au plomb utilisées dans un système PV (batteries solaires) sont di¤érentes de celles
utilisées pour les automobiles (batteries de démarrage). La
gure 4.3 montre une comparaison entre
la structure des électrodes utilisées pour les batteries solaires et celle des batteries de démarrage [2].
Figure 4.3 : Comparaison entre les électrodes dune batterie solaire (à gauche) et ceux dune
batterie de démarage (à droite)
Dans lélectrolyte, les ions près de la surface des électrodes participent immédiatement à une
réaction chimique résultant en une di¤érence de potentiel qui contribue à la circulation du courant.
Une surface très poreuse présente une aire de réaction plus grande, et par conséquent un courant plus
grand. Pour cette raison, les batteries de démarrage peuvent fournir de forts courants pour un court
moment.
Plusieurs batteries sont assemblées en série lorsque lon désire disposer dune tension plus grande
que celle dune seule batterie, et en parallèle, lorsque le courant requis dépasse la capacité dune seule
batterie.
46
inuencée par la profondeur de la charge et de la décharge. Le modèle de la tension doit être capable
de prévoir que la tension de la batterie baisse lentement et linéairement pendant la première partie
de décharge et rapidement à la
n, quand la batterie est presque vide (
gure 4.4). Dans le cas de la
recharge, la tension augmente linéairement pendant la première partie et plus rapidement vers la
n
de la charge.
Figure 4.4 : Evolution de la tension avec le temps, Figure 4.5 : Modèle électrique simpli
é dune
durant la charge et la décharge batterie
Les di¤érents modèles existant dans la littérature sont très complexes et ont un nombre élevé de
paramètres à déterminer. Si on considère uniquement le fonctionnement de la batterie sur les parties
linéaires (entre les points M et N), alors on peut utiliser le modèle simpli
é représenté sur la
gure
4.5 [15].
Par convention, la batterie est vue comme un générateur. Le courant de charge est négatif et celui
de décharge est positif. Pour ce modèle, linuence de la température est négligée, le modèle de la
capacité est approché par le condensateur Cb et le modèle de tension est obtenu en appliquant la loi
des mailles :
Vbat = E 0 R0 Ibat + VCb (4.1)
La résistance R0 représente la résistance interne de la batterie, tandis que la source idéale de tension
E en série avec la capacité Cb modélise la partie linéaire sur les courbes de charge et de décharge.
La température ambiante perturbe le fonctionnement de la batterie, surtout quand il fait froid car
les réactions chimiques vont être ralenties. Une batterie a donc une capacité beaucoup plus faible à
froid quà chaud. Les installations solaires en montagne doivent donc tenir compte de ce critère en
prévoyant une capacité plus importante.
47
4.6 Couplage Direct entre un GPV et une Batterie
La
gure 4.6 illustre un couplage direct entre un GPV et une batterie. Une diode de blocage est
utilisée pour empêcher la batterie de se décharger sur le GPV si la tension de ce dernier est inférieure
à la tension de la batterie ou pendant la nuit [1][2].
Figure 4.6 : Couplage directe entre un GPV et Figure 4.7 : Caractéristiques I/V dun GPV et
une batterie dune batterie
La courbe caractéristique dune batterie idéale peut être représentée par une ligne droite (source
de tension). Elle varie en fonction de létat de charge sur une certaine plage de tension, par exemple
entre 11.7V et 14.4V dans le cas dune batterie au plomb dune tension nominale de 12V. La
gure
4.7 représente les courbes caractéristiques dun GPV ainsi que celle dune batterie pour trois niveaux
déclairement. On remarque que les trois points de fonctionnement sont loin du MPP. Dans ce cas, un
étage dadaptation est requis (en loccurrence un convertisseur buck) pour pouvoir tirer le maximum
de puissance que le GPV est apte à fournir.
4.7 Conclusion
Dans ce chapitre, nous avons examiné lunité de stockage, son principe de fonctionnement, ses
caractéristiques, sa modélisation, sa di¤érence avec une batterie classique et son couplage direct avec
un GPV.
48
Chapitre 5
Le Convertisseur MPPT
5.1 Introduction
La puissance délivrée par un GPV dépend fortement du niveau densoleillement, de la température
des cellules, de lombrage et aussi de la nature de la charge alimentée. Elle est de ce fait très imprévi-
sible. Comme nous lavons déjà vu dans les chapitres précédents, la courbe caractéristique de puissance
du GPV présente un point de puissance maximale MPP (Maximum Power Point) correspondant à
un certain point de fonctionnement de coordonnées VM P P pour la tension et IM P P pour le courant
(voir
gure 5.1). Vu que la position du MPP dépend du niveau densoleillement et de la température
des cellules, elle nest jamais constante dans le temps. Un convertisseur MPPT (Maximum Power
Point Tracker) doit donc être utilisé a
n de suivre ces changements. Un convertisseur MPPT est un
système de conversion de puissance muni dun algorithme de contrôle approprié permettant dextraire
le maximum de puissance que le GPV peut fournir.
Les premières utilisations du MPPT remontent à 1968 dans le cadre dapplications spatiales ayant
pour générateur électrique des panneaux photovoltaïques. Le développement du MPPT a constitué un
thème techniquement attrayant, si bien que
nalement, un grand nombre de procédures et techniques
ont été développés. Elles varient en complexité, capteurs nécessaires, vitesse de convergence, coût,
e¢cacité, matériel pour la réalisation, etc.
49
conséquent de la puissance du GPV) jusquà se placer sur le MPP. Plusieurs algorithmes sont présents
dans la littérature, nous présentons quelques-uns plus loin dans ce chapitre [27].
50
5.3.1.1 Mode de conduction continue
La
gure 5.4 représente les formes dondes des principales grandeurs électriques en MCC.
Figure 5.4 : Formes dondes des tensions et courants dans un convertisseur Buck en MCC
Laugmentation du courant iL durant létat passant ton = DT est donnée par (aire du rectangle
bleu) :
iLZ(DT ) ZDT
VL (VP V 0 Vload ) 1 DT
1iL ;on = diL = dt = (5.1)
L L
iL (0) 0
De même, la baisse du courant dans linductance durant létat bloqué est donnée par :
iZ
L (T ) ZT
VL Vload 1 (T 0 DT )
1iL ;of f = diL = dt = 0 (5.2)
L L
iL (DT ) DT
Si on considère que le convertisseur est en régime permanent, lénergie stockée dans chaque com-
posant est la même au début et à la
n de chaque cycle de commutation. Par conséquent, le courant
iL traversant linductance est le même au début et à la
n de chaque cycle de commutation. Ce qui
peut sécrire de la façon suivante :
La tension de sortie varie donc linéairement avec le rapport cyclique D. Le rapport cyclique étant
compris entre 0 et 1, la tension de sortie Vload est toujours inférieure à celle dentrée.
51
Si on considère que linductance, la diode et le commutateur sont idéaux et quil n y a pas de perte
de puissance, alors les puissances moyennes à lentrée et à la sortie du circuit sont égales [21][34][38].
IP V
=) Iload =
D
Le courant traversant la diode de roue libre est donné par :
ID = (1 0 D) 1 Iload (5.5)
a. Ondulation du courant iL et choix de L : Sur la
gure 5.4, on voit que le courant traver-
sant linductance L présente une ondulation 1iL (londulation du courant est dé
nie comme étant la
di¤érence entre la valeur maximale et la valeur minimale du courant) qui est donnée par [38][39] :
(VP V 0 Vload ) 1 D 1 T
1iL = iL;max 0 iL;min = (5.6)
L
Vload 1 (1 0 D) VP V
= = 1 (1 0 D) 1 D
L1f L1f
1
avec f = T , fréquence de commutation.
Sachant que londulation du courant est maximale pour D = 0:5, on peut écrire pour un courant
dondulation maximum désiré 1iL;max [21][34] :
VP V
L> (5.7)
4 1 1iL;max 1 f
Le courant moyen passant à traver linductance est égal au courant continu traversant la charge,
doù :
Vload
IL;moy = Iload = (5.8)
Rload
Londulation relative du courant de linductance est donnée par :
1iL (1 0 D)
= 1 Rload (5.9)
IL;moy L1f
Le choix de la fréquence de commutation f est crucial. Plus elle est grande, plus est petit le noyau
de linductance et plus sont importantes les pertes par commutation de la puissance.
b. Ondulation de la tension de sortie Vload , choix de C2 : Dans une installation PV, on rajoute
les condensateurs C1 et C2 pour que la tension de sortie Vload et le courant Iload se maintiennent à des
valeurs constantes, même pendant louverture de linterrupteur. Aussi, les composants du convertisseur
52
sont dimensionnés pour que les tensions et courants à lentrée et à la sortie présentent de faibles
ondulations lors du passage de linterrupteur de la fermeture à louverture et inversement.
Londulation de la tension de sortie peut être estimée en admettant que le courant traversant le
condensateur soit égal à londulation du courant dans linductance. Autrement dit, on fait lhypothèse
que londulation du courant traversant la charge Rload est nulle. Sur la
gure 5.5 on peut voir que
pour chaque demi-période de commutation, le condensateur emmagasine ou restitue une charge 1Q
(aire du triangle hachuré) conduisant à une variation de la tension à ses bornes estimée à [38] :
1Q 1 1 1iL T 1iL
1VC2 = = 1 1 1 = (5.10)
C2 C2 2 2 2 8 1 C2 1 f
Vload VP V
= 2
1 (1 0 D) = (1 0 D) 1 D
8 1 L 1 C2 1 f 8 1 L 1 C2 1 f 2
ou en valeur relative
1VC2 (1 0 D)
= (5.11)
VC2 8 1 L 1 C2 1 f 2
La relation (5.11) montre que londulation relative est indépendante de la charge [37].
VP V
C2 > (5.13)
32 1 L 1 1VC2 ;max 1 f 2
Si la valeur de londulation du courant dans linductance 1iL est déterminée, alors la valeur de C2
peut être établie à partir de lexpression (5.10) :
1iL;max
C2 > (5.14)
8 1 1VC2 ;max 1 f
53
c. Ondulation de la tension dentrée VP V , choix de C1 : Londulation de la tension dentrée
peut être elle aussi estimée en admettant que le courant traversant le condensateur C1 soit égal à
londulation du courant dans linductance. Autrement dit, on fait lhypothèse que londulation du
courant dentrée IP V est nulle.
Le courant circulant dans le condensateur C1 est donné par :
À partir de la forme du courant IDS traversant le commutateur (
gure 5.6) et la relation (5.15),
on peut déterminer la forme du courant IC1 dans le condensateur C1 .
Londulation 1VP V de la tension dentrée se déduit de léquation di¤érentielle régissant la tension
et le courant dans le condensateur C1 . La forme de cette ondulation est représentée sur la
gure 5.6
et est donnée par :
ZT
1
1VP V = VP V (T ) 0 VP V (DT ) = IP V dt (5.16)
C1
DT
doù :
IP V
1VP V = (1 0 D) T (5.17)
C1
Londulation absolue maximale a lieu pour un rapport cyclique D = 0.
IP V
1VP Vmax = T (5.18)
C1
Par conséquent, la valeur du condensateur C1 permettant davoir une ondulation inférieure à
1VP Vmax doit satisfaire [21][34] :
IP V
C1 > (5.19)
1VP Vmax 1 f
54
on obtient, à laide de la relation (5.11), pour londulation relative de la tension
2
1VC2 2 fc
= 1 (1 0 D) 1 (5.21)
V C2 2 f
Cette relation montre que londulation relative de la tension peut être minimisée en
xant la
fréquence de coupure du
ltre passe-bas à une valeur très inférieure à la fréquence de commutation f .
Figure 5.7 : Tension aux bornes de linductance et courant la traversant (limite entre MCC et
MCD)
1iL VC2
Iload;lim = = 1 (1 0 D) (5.22)
2 21L1f
Le courant moyen maximum Iload;lim(max) dans la charge est obtenu lorsque D = 0. On peut donc
écrire la relation
V C2
Iload;lim(max) = (5.23)
21L1f
Si la fréquence de commutation f et la résistance de la charge R désirées sont établies, alors il existe
une valeur minimale Lmin pour linductance qui assure le mode de conduction continue. Lexpression
(5.23) permet décrire :
10D
Lmin = 1 Rload (5.24)
21f
Si la valeur de linductance L et la résistance de la charge R désirées sont établies, alors il existe une
valeur minimale pour la fréquence de commutation fmin qui assure le mode de conduction continue.
10D
fmin = 1 Rload (5.25)
21L
Si la fréquence de commutation f et la valeur de linductance L désirées sont établies, alors il
existe une valeur minimale pour la résistance de la charge Rload;min qui assure le mode de conduction
continue.
2f L
Rload;min = (5.26)
10D
55
Figure 5.8 : Forme dondes des tensions et courants en MCD
On peut voir que lexpression de la tension de sortie est bien plus compliquée que celle obtenue en
MCC. En e¤et, la tension de sortie dépend non seulement de la tension dentrée et du rapport cyclique
D, mais aussi de la valeur de linductance L, de la période de commutaion T et du courant de sortie.
Par conséquent, il est plus intéressant de faire fonctionner le convertisseur en MCC.
Dans les deux modes, le convertisseur est caractérisé par un courant dentrée discontinu, ce qui
implique une perturbation harmonique dans la source de puissance.
biload (s)
G(s) = (5.28)
b
d(s)
où laccent circonexe représente une petite variation de la grandeur considérée autour du point
de fonctionnement.
Cette fonction de transfert sera obtenue à travers lanalyse petits signaux du système. Dans cette
analyse, les valeurs moyennes des signaux sont établies et londulation due à la commutation est
ignorée.
56
Pour une fréquence de commutation donnée, le complémentaire du rapport cyclique est donné par :
Dans ce qui suit, la modélisation dynamique du système est décrite. Pour cette approche, il est
supposé que le CS est en MCC. On considère que le CS est idéal, les di¤érentes pertes de puissance
sont négligées.
La tension aux bornes de linductance et le courant à travers le condensateur pour chaque état du
commutateur (a : fermé, b : ouvert) sont donnés par [21][34] :
La valeur moyenne de la tension aux bornes de linductance sur une période de commutation est
donnée par :
d hiL (t)iT
hvL (t)iT = L (5.33)
dt
Sur une période de commutation complète, on peut écrire :
d hiL (t)iT
L = (hvP V (t)iT 0 hvload (t)iT ) d (t) 0 (hvload (t)iT ) d0 (t) (5.34)
dt
= hvP V (t)iT d (t) 0 hvload (t)iT
d hvload (t)iT
hiC2 (t)iT = C2 (5.35)
dt
Sur une période de commutation complète, on peut écrire :
d hvload (t)iT
C2 = (hiL (t)iT 0 hiload (t)iT ) d (t) + (hiL (t)iT 0 hiload (t)iT ) d0 (t) (5.36)
dt
= hiL (t)iT 0 hiload (t)iT
Pour lanalyse petits signaux, chaque entité dépendant du temps est notée par x (t) = X + xb (t),
où X est la valeur du régime permanent (composante DC, DC-component) et x b (t) est une petite
variation autour du point de fonctionnement (composante AC du signal, AC-component en anglais).
Ce qui donne les expressions suivantes [34] :
57
hvL (t)iT = VL + vbL (t) où : jVL j jb
vL (t)j (5.37)
hvP V (t)iT = VP V + vbP V (t) où : jVP V j jb
vP V (t)j
hvload (t)iT = Vload + vbload (t) où : jVload j jb v (t)j
C loadC
Cb C
hiL (t)iT = IL + biL (t) où : jIL j CiL (t)C
C C
C C
hiload (t)iT = Iload + biload (t) où : jIload j Cbiload (t)C
Il est supposé que la composante AC est beaucoup plus petite en amplitude que la composante
DC. Pour cette raison, les expressions ci-dessus sont considérées comme une linéarisation des valeurs
moyennes des signaux. Si on remplace ces expressions dans léquation 5.34 et 5.36 on obtient :
d IL + biL (t)
L = (VP V + vbP V (t)) D + db(t) 0 (Vload + vbload (t)) (5.38)
dt
dVload db
vload (t)
C2 + = IL 0 Iload + biL (t) 0 biload (t) (5.41)
dt dt | {z } | {z }
DC AC 1 er ordre (linéaire)
Puisquil a été supposé que la composante AC est beaucoup plus petite en amplitude que la
composante DC, il est clair que les termes AC de second ordre sont négligeables. La dérivée des termes
DC est nulle, par conséquent, les termes DC à droite doivent être nuls. Ce qui laisse uniquement les
termes AC de premier ordre :
dbiL (t)
L vP V (t) + db(t) VP V 0 vbload (t)
= Db (5.42)
dt
db
vload (t) b
C2 = iL (t) 0 biload (t) (5.43)
dt
En appliquant la transfomée de Laplace, il vient :
C2 sb
vload (s) = RCsbiload (s) = biL (s) 0 biload (s) (5.45)
() biL (t) = (RC2 s + 1) biload (s)
58
Léquation 5.45 est substituée dans 5.44 :
0 1
() vP V (s) + db(s) VP V
RLC2 s2 + Ls + R biload (s) = Db
D VP V
() biload (s) = R
L
vbP V (s) + R
L
db(s)
LC2 s2 + Rs +1 LC2 s2 + Rs +1
b
À titre informatif, la fonction de transfert vbvbload
PV
= RvbiPload
V
est appelée fonction de transfert daudio
susceptibilité. Elle décrit le comportement de la tension de sortie Vload par rapport à une variation de
la tension dentrée VP V :
59
Figure 5.9 : Modèle de simulation du convertisseur Buck
Ce modèle est utilisé comme sous-système et fait appel à un masque qui permet de faciliter la mo-
di
cation des paramètres du CS. La
gure 5.10 présente le système permettant de simuler le compor-
tement du CS. Linterrupteur est commandé par un signal rectangulaire de rapport cyclique D = 67%:
Les résultats de la simulation sont présentés ci-dessous. Les valeurs des composants du CS ont
été choisies selon la procédure décrite précédemment et dont les calculs sont établis en détail dans le
chapitre 8 (L = 120H, C = 55F; R = 1:8A).
10 7.5
Courant (A)
Courant(A)
7
5
6.5
0 6
0 0.5 1 1.5 2 1.61 1.62 1.63 1.64 1.65
-3 -3
x 10 x 10
20 12.08
Tension (V)
15
Tension(V)
12.06
10
12.04
5
0 12.02
0 0.5 1 1.5 2 1.61 1.62 1.63 1.64 1.65
temps(s) -3 temps(s) -3
x 10 x 10
Figure 5.11 : Résultats de la simulation du Figure 5.12 : Zoom sur la réponse temporelle du
convertisseur Buck convertisseur Buck
60
En haut est représenté le courant à travers linductance et en bas la tension aux bornes de la
charge. Daprès lanalyse de la réponse temporelle, il apparaît que :
- après un régime transitoire (< 1ms), le régime permanent est atteint. Ce régime transitoire
correspond à une durée de lordre de grandeur dune période doscillation du circuit LC.
- la tension de sortie se stabilise à la valeur de 12V .
Ces commandes ont lavantage dêtre simples à réaliser. Elles sont plutôt destinées à des systèmes
peu coûteux et peu précis devant fonctionner dans des zones géographiques où il y a peu de changements
climatiques.
b. MPPT Direct
Ce type de commande MPPT détermine le point de fonctionnement optimal (MPP) à partir des
courants, tensions ou puissances mesurés dans le système. Il peut donc réagir à des changements
imprévisibles du fonctionnement du GPV.
Généralement, ces procédures sont basées sur un algorithme de recherche, avec lequel le maximum
de la courbe de puissance est déterminé sans interruption du fonctionnement. Pour cela, la tension
du point de fonctionnement est incrémentée dans des intervalles réguliers. Si la puissance de sortie
est plus grande, alors la direction de recherche est maintenue pour létape suivante, sinon elle sera
inversée. Le point de fonctionnement réel oscille alors autour du MPP. Ce principe de base peut être
préservé par dautres algorithmes contre des erreurs dinterprétation. Ces erreurs peuvent survenir,
par exemple, à cause dune mauvaise direction de recherche, résultant dune hausse de puissance qui
est due à une augmentation rapide du niveau de rayonnement.
Dautres algorithmes se basent sur lintroduction de variations sinusoïdales en petit signal sur la
fréquence de découpage du convertisseur pour comparer la composante alternative et la composante
continue de la tension du GPV et pour ainsi placer le point de fonctionnement du GPV le plus près
possible du MPP.
61
5.5.2 Classi
cation des commandes MPPT selon les paramètres dentrée
a. Commandes MPPT fonctionnant à partir des paramètres dentrée du CS
Ce type de commandes MPPT e¤ectue une recherche du MPP selon lévolution de la puissance
fournie par le GPV. La commande nécessite alors la mesure du courant et de la tension en entrée du
convertisseur [27].
Dautres types de commandes MPPT sont basées sur la régulation du courant du GPV,
supposant que ce dernier soit une image proportionnelle à la puissance. Ceci permet de sapprocher
le plus proche possible du courant optimal Iopt . Ce type de commande ayant besoin dun seul capteur
est plus facile à mettre en oeuvre et a un coût bas.
Dans tous les systèmes utilisant les paramètres de sortie, une approximation de Pmax est faite à
travers le rendement du convertisseur. Plus létage de conversion est bon, plus cette approximation est
valable. Par contre, tous les systèmes avec un seul capteur sont imprécis. La plupart de ces systèmes
ont été conçus à lorigine pour le spatial.
En résumé, lutilisation dun type de commande MPPT par rapport à une connexion directe doit
apporter un gain énergétique et économique quanti
able. Il est important de préciser quil nexiste
pas de standard international qui dé
nisse comment il faut mesurer les performances dune commande
MPPT.[27]
62
Le rendement total de létage dadaptation entre le GPV et la charge DC se compose de divers
types de rendements reliés à chaque partie de la chaîne.
Pmax
P V = (5.49)
G 1 Aef f
La puissance P e¤ectivement délivrée par un GPV dépend en plus de la commande utilisée dans le
convertisseur. Le rendement du point de fonctionnement qui en découle est noté M P P T (Rendement
MPPT) permet de mesurer le¢cacité de la commande qui contrôle le convertisseur statique a
n que
le module PV fournisse la puissance maximale [27].
P
M P P T = (5.50)
Pmax
En
n, le rendement du convertisseur noté conv est dé
ni par :
Pout
conv = (5.51)
P
avec Pout la puissance délivrée en sortie du convertisseur.
Les algorithmes P&O et IncCond font partie de la technique appelée Hill Climbing (monté de
pente).
VM P P
= k1 Voc (5.53)
63
Le problème avec cet algorithme est la perte de la puissance disponible lors de la déconnection de
la charge du GPV. Aussi, le MPP nest pas toujours entre 71% et 78% de la tension Voc . Pour palier à
ce problème, des cellules pilotes sont utilisées pour obtenir Voc . Ces cellules doivent être choisies avec
précaution, a
n de représenter le plus
dèlement possible les caractéristiques du GPV.
Une fois que la tension VM P P a été approximée, un contrôle en boucle fermée sur le convertisseur
de puissance peut être utilisé pour atteindre asymptotiquement cette tension désirée.
Puisque lexpression est juste une approximation, le panneau nopère jamais au MPP. En plus,
dans le cas dombrage partiel, k1 nest plus valide. Même si cette technique nest pas vraiment une
méthode MPPT, elle est facile et pas chère à réaliser.
IM P P
= k2 Isc (5.54)
avec k2 constante de proportionnalité. Comme pour la méthode CV, k2 est déterminée pour le GPV
utilisé. La constante k2 est généralement comprise entre 0.78 et 0.92. La mesure du courant Isc durant
le fonctionnement est problématique. Un commutateur est généralement ajouté au convertisseur de
puissance pour court-circuiter le panneau et mesurer le courant Isc à laide dun capteur de courant.
Ceci augmente le nombre de composants et donc le coût. La puissance de sortie est réduite lors de la
mesure du courant Isc . De plus, le MPP nest jamais atteint.
Bien quintéressant, cet algorithme nest généralement pas pratique, car les paramètres ne sont
pas connus avec certitudes et peuvent varier considérablement dun panneau à un autre du même
fabricant. De plus, le coût dun capteur de lumière précis (pyranomètre), fait que cette méthode nest
pas réalisable.
64
Le processus est répété périodiquement jusquà ce que le MPP soit atteint. Le système oscille
alors autour du MPP, ce qui provoque des pertes de puissance. Loscillation peut être minimisée
en diminuant la taille de la perturbation. Cependant, une taille de perturbation trop petite ralentit
considérablement la poursuite du MPP. Il existe alors un compromis entre précision et rapidité [51].
Il est important de noter quavec lalgorithme P&O, la variable à contrôler peut être soit la tension
soit le courant du GPV. Cependant, la variable idéale qui caractérise le MPP est celle qui varie peu
lors dun changement climatique. Sur la
gure 2.14, on voit bien que la variation du rayonnement
a¤ecte davantage le courant que la tension photovoltaïque. Par contre, la variation de la température
modi
e plus la tension du GPV. Néanmoins, la dynamique de la température est lente et varie sur
une plage réduite. Par conséquent, il est préférable de contrôler la tension du GPV.
Un inconvénient de la méthode P&O est quelle peut échouer lors dun rapide changement des
conditions atmosphériques comme lillustre la
gure 5.16 [12][15][18][51]. Commençant par un point
de fonctionnement A, si les les conditions climatiques restent constantes, une perturbation 1V dans
la tension V amènera le point de fonctionnement au point B, et le sens de la perturbation sera inversé
à cause de la diminution de la puissance. Par contre, si léclairement augmente et déplace la courbe
de puissance de P1 à P2, sur un cycle du MPPT, le point de fonctionnement sera déplacé de A vers
C. Cela représente une augmentation de la puissance, lalgorithme croit que ceci est le résultat de sa
propre action et le sens de la perturbation restera le même. Par conséquent, le point de fonctionnement
séloigne du MPP et continuera à séloigner si léclairement augmente (ou diminue) progressivement
[11]. Pour palier à ce problème, on pourra ajouter le poids dun troisième point et le comparer aux
deux autres avant de prendre une décision sur le sens de la perturbation [18]. Une autre solution serait
de diminuer le cycle du MPPT [51].
65
Début
oui
P(k) - P(k-1) = 0
non
non oui
P(k) > P(k-1)
mise à jour
V(k-1) = V(k)
I(k-1) = I(k)
Retour
Deux capteurs sont généralement nécessaires pour mesurer la tension et le courant à partir desquels
la puissance est calculée. Parfois, le courant est estimé à partir de la tension mesurée, éliminant ainsi
le besoin du capteur de courant.
Il existe une variante de lalgorithme P&O qui utilise uniquement deux mesures, à savoir le courant
et la tension en sortie du convertisseur. Le but est de maximiser la puissance en sortie. Le principe de
fonctionnement est alors le même moyennant quelques changements. Bien que cette technique donne
de bons résultats en simulation avec un convertisseur idéal, il nest pas prouvé en pratique que le MPP
est atteint [12].
Lutilisation dun microprocesseur est plus appropriée pour la réalisation de la méthode P&O,
même si des circuits analogiques peuvent être utilisés [12][51].
66
5.8.5 Algorithme de lIncrémentation de la Conductance (IncCond)
Cette méthode est basée sur le fait que la pente de la courbe caractéristique de puissance du
panneau est nulle au MPP, positive à gauche et négative à droite (
gure 5.14) [12][16][51].
8
< dP=dV = 0 au MPP
dP=dV > 0 à gauche du MPP (5.56)
:
dP=dV < 0 à droite du MPP
Puisque :
dP d(IV ) dI 1I
= =I +V =I +V (5.57)
dV dV dV 1V
alors, léquation (5.56) peut être écrite comme suit :
8 1I
< 1V = 0 VI au MPP
1I I
> 0V à gauche du MPP (5.58)
: 1V1I I
1V < 0 V à droite du MPP
Le MPP peut donc être poursuivi en comparant la conductance instantanée (Gci = I=V ) à lin-
crémentation de la conductance (1Gci = 1I=1V ), comme le montre lorganigramme de la
gure
5.17. Vref est la tension de référence pour laquelle le panneau PV est forcé à fonctionner. Au MPP,
Vref = VM P P . Une fois que le MPP est atteint, le point de fonctionnement correspendant est maintenu,
à moins quun changement dans 1I est noté, indiquant un changement des conditions atmosphériques
et donc du MPP. Lalgorithme augmente ou diminue Vref pour suivre le nouveau MPP.
La taille de lincrément détermine la rapidité de la poursuite du MPP. Une poursuite rapide peut
être obtenue avec un incrément plus grand, mais le système ne pourrait pas fonctionner exactement
au MPP et oscille autour de celui-ci. Il y a donc, comme pour la méthode P&O, un compromis entre
rapidité et précision. Cette méthode peut être améliorée en amenant le point de fonctionnement près
du MPP dans une première étape, puis dutiliser lalgorithme IncCond pour suivre exactement le MPP
dans une deuxième étape.
Généralement, le point de fonctionnement initial est réglé pour correspondre à une charge résistive
proportionnelle au rapport de la tension de circuit ouvert Voc sur le courant de court-circuit Isc . Ces
deux solutions assurent que le vrai MPP est poursuivi sil existe plusieurs maxima locaux.
Une manière moins évidente pour e¤ectuer la méthode IncCond est dutiliser la conductance ins-
tantanée et lincrémentation de la conductance pour générer un signal derreur [16][51].
I dI
e= + (5.59)
V dV
Daprès léquation (5.58), lerreur est nulle au MPP. Un régulateur PI peut donc être utilisé pour
annuler cette erreur.
La mesure de la tension et du courant instantanés du panneau PV nécessite deux capteurs. La
méthode IncCond se prête parfaitement à la commande par microcontrôleur, qui peut garder en
mémoire les valeurs précédentes de la tension et du courant.
67
Début
oui
∆V = 0
non
oui ∆I oui
I+ V =0 ∆I = 0
∆V
non non
oui ∆I oui
I+ V >0 ∆I > 0
∆V
non non
mise à jour
V(k-1) = V(k)
I(k-1) = I(k)
Retour
5.9 Conclusion
Dans ce cette partie, nous avons entamé la partie la plus importante et la plus délicate de cette
étude. Il sagit de la description du convertisseur MPPT qui est un convertisseur de puissance (DC/DC)
commandé par un algorithme MPPT. Nous avons expliqué le principe de recherche du MPP. Ensuite,
68
nous avons étudié de manière approfondie le fonctionnement dun convertisseur de type Buck aboutis-
sant à un modèle mathématique linéarisé (modèle petits signaux). Aussi, nous avons décrit le dimen-
sionnement du convertisseur ainsi que la classi
cation des commandes MPPT. Pour la simulation des
convertisseurs de puissance, nous avons fait appel à la boîte outil SimPowerSystems sous Simulink.
En
n, nous avons cité les algorithmes MPPT existants dans la littérature.
69
Chapitre 6
6.1 Introduction
La simulation est un outil puissant pour lévaluation des performances théoriques dun système. En
e¤et, ce dernier peut être testé sous des conditions facilement contrôlables et ses performances peuvent
être aisément surveillées. La procédure de simulation lie les deux principales parties de la conception
dun système, à savoir, létude théorique et la réalisation dun prototype. Vu que des changements dans
la conception peuvent facilement être faits à létape de la simulation, il est possible dexpérimenter
avec un large ensemble de variations des conditions de fonctionnement a
n daboutir à une solution
optimale.
On sintéresse dans notre travail uniquement aux méthodes MPPT numériques, car elles permettent
un meilleur contrôle (plus exible) que les méthodes analogiques. Le challenge de la conception dun
contrôleur MPPT numérique est linclusion dun dispositif à temps discret dans un environnement à
temps continu. Ceci rend di¢cile lobtention dune fonction de transfert pour une analyse convention-
nelle de la stabilité du système et des performances dynamiques.
Dans ce qui suit, la simulation dun convertisseur MPPT de type Buck est présentée. Elle est
réalisée sous Simulink en utilisant les modèles bloc conçus précédemment.
A
n de réaliser des modèles avec SimPowerSystems, il est recommandé dutiliser des solveurs
supportant les problèmes de transition raide (sti¤ en anglais). Ainsi, « ode23tb» et « ode15s» sont
les solveurs préconisés à ce fait. Le solveur "ode23tb" est classé comme moins précis, mais converge
plus rapidement, alors que le solveur « ode15s» converge plus lentement, mais est classé plus précis.
70
Les problèmes de raideurs interviennent lorsque la solution recherchée varie lentement, alors que
des solutions proches varient plus rapidement. La méthode numérique doit employer des petits pas de
simulation pour converger vers des résultats satisfaisants. Ceci implique que les solveurs "sti¤" réalisent
plus de calculs à chaque pas et permettent de donner des résultats contrairement aux autres solveurs
disponibles. Par ailleurs, la précision des simulations peut être ajustée grâce à la tolérance relative et
à la tolérance absolue dans le menu des paramètres de simulation sous Simulink. Par conséquent, la
réduction des valeurs des tolérances contribue à laugmentation de la précision, mais aussi le temps
de simulation. On peut aussi ajuster la taille minimale et maximale du pas de simulation.
Les deux blocs "Transport Delay" sont utilisés pour retarder lentrée par un laps de temps spéci
é,
ce qui permet de calculer la variation de la puissance 1P (k) = P (k) 0 P (k 0 1) et la variation de
la tension 1V (k) = V (k) 0 V (k 0 1). Le bloc "Multiport Switch" permet de traiter les quatre cas
résumés sur le tableau 5.1. Le bloc "Constant pas" représente le pas de perturbation de la commande
MPPT. Le bloc "Saturation" assure que le raport cyclique D reste dans lintervalle [0,1]. Le bloc
"Zero-Order Hold" est un échantiollonneur bloqueur qui permet de maintenir la valeur du rapport
cyclique D constante sur un cycle du MPPT. Le bloc "IC (Initial Condition)" permet de spéci
er
le rapport cyclique initial. En
n, le bloc "Memory" garde en mémoire la valeur du rapport cyclique
pour le cycle prochain. Un masque de sous-système est utilisé pour faciliter le paramétrage (rapport
cyclique initial, perturbation et fréquence du MPPT).
71
Figure 6.2 : Masque pour la saisie des paramètres de lalgorithme MPPT P&O
72
Dans ce qui suit, les paramètres du GPV qui seront utilisés pour la simulation sont donnés sur le
tableau 8.1, les coordonnées du MPP sont (PM P P ; VM P P ; IM P P ) = (80; 16:75; 4:78). En ce qui concerne
les paramètres du CS, leurs valeurs sont :
L = 120H; C1 = 10F; C2 = 55F; R = 1:8A.
La fonction de transfert établie dans la section 5.3.1.4 est utilisée pour obtenir la réponse temporelle
en courant du CS. La
gure ci-dessous représente la réponse indicielle du convertisseur pour un échelon
de 0.1. On remarque sur cette réponse que le temps détablissement ts est inférieur à 1ms. Le temps
détablissement doit être pris en compte par la commande MPPT. En e¤et, le cycle du MPPT doit
être supérieur au temps détablissement ts a
n que la mesure se fasse correctement (sur le régime
stationnaire et pas sur le transitoire)[12]. Autrement dit, la commande MPPT doit être moins rapide
que la dynamique du système. Dun autre côté, lalgorithme utilisé suppose que le système est stable
durant chaque cycle. En
n, les travaux dans [14] montrent que le rendement de la commande MPPT
diminue dautant plus que la fréquence du MPPT augmente. Ceci est dû au fait que le cycle du MPPT
est trop rapide par rapport à la dynamique du système (le système na pas su¢samment le temps pour
réagir).
Réponse indicielle
1.4
1.2
1
Courant (A)
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0 0.5 1 1.5 2
Temps(s) -3
x 10
Figure 6.5 : Réponse indicielle du système pour un échelon de 0.1A
Le rapport cyclique initial choisi pour la simulation est de 0.3 (choix arbitraire) et la fréquence du
MPPT a été
xée à 1kHz (cycle de 1ms). Le retard introduit par les blocs "Transport Delay" est égal
au cycle du MPPT et correspond aux instants de mesure.
Lobjectif du convertisseur MPPT est de ramener le point de fonctionnement au MPP et faire une
adaptation entre la source et la charge. La tension désirée en sortie du CS est de 12V, ce qui correspond
à la tension nominale dune batterie au plomb. Ici, la charge utilisée est une résistance dont la valeur
a été calculée de façon à avoir une tension de 12V en sortie. Ceci ne représente pas le comportement
dune batterie, mais notre but ici est danalyser la poursuite du MPP. La charge résistive permet une
première étude du comportement du système.
73
Les résultats de la simulation sont représentés sur les
gures 6.6 et 6.7 pour un pas de perturbation
de 0.1 et sur les
gures 6.8 et 6.9 pour un pas de perturbation de 0.02.
Puissance
100
80
60
40
20
0
0 0.005 0.01 0.015
Rapport cyclique
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0 0.005 0.01 0.015
T emps(s)
Figure 6.6 : Puissance en sortie du CS (haut) et rapport cyclique (bas) pour un pas de
perturbation de 0.1.
Tension
14
12
10
0
0 0.005 0.01 0.015
Courant
7
0
0 0.005 0.01 0.015
Temps(s)
74
Puissance
80
60
40
20
0
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Rapport cyclique
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Temps(s)
Figure 6.8 : Puissance en sortie du CS (haut) et rapport cyclique (bas) pour un pas de
perturbation de 0.02
T ension
12
10
0
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Courant
8
0
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
T emps (s)
On remarque que pour un pas de perturbation de 0.1, le point de fonctionnement atteint le MPP en
7ms contre 24ms pour un pas de perturbation de 0.02. La réponse est donc plus rapide dans le premier
cas. Par contre, lamplitude de loscillation autour du MPP est moins importante dans le deuxième
cas. Par conséquent, la perte de puissance engendrée est réduite. On peut dire que la réponse est plus
précise dans le deuxième cas. Ceci met en évidence le compromis qui existe entre rapidité et précision.
Néanmoins, un temps de 24ms reste su¢sant pour notre application. Une fois le MPP atteint, le
rendement total moyen pour une perturbation de 0.1 et 0.02 est de 93.4% et 98.47% respectivement.
Sur la
gure 6.11, on constate que la tension en sortie du CS est de 12V. Lobjectif est donc atteint.
Les
gures 6.10 et 6.11 représentent la puissance, la tension et le courant à lentrée du convertisseur
(aux bornes du GPV) pour un pas de perturbation de 0.1. Les mêmes grandeurs sont représentées sur
les
gures 6.12 et 6.13 pour une perturbation de 0.02. On remarque que dans les deux cas, le point de
75
fonctionnement oscille autour du MPP (PM P P ; VM P P ; IM P P ) = (80; 16:75; 4:78). On remarque aussi
que le courant et la tension aux bornes du GPV (à lentrée du CS) sont fortement bruitée (perturbation
harmonique dans la source de puissance). Ceci est dû à la commutation de linterrupteur.
Puissance
80
70
60
Puissance (W)
50
40
30
20
10
0
0 0.005 0.01 0.015
Temps(s)
Tension
30
20
10
0
0 0.005 0.01 0.015
Courant
6
0
0 0.005 0.01 0.015
Puissance
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Temps(s)
76
Tension
30
20
10
0
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Courant
6
0
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Temps(s)
Rayonnement (W/m²)
1200
1000
800
600
400
200
0
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05
Temps(s)
77
Puissance (W)
100
80
60
40
20
0
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05
Rapport cyclique
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05
Temps(s)
Figure 6.15 : Puissance en sortie du CS (haut) et rapport cyclique (bas) pour un pas de
perturbation de 0.1 lors dun changement brusque de léclairement
Puissance (W)
80
MPP
70
60
50
40
30
20
10
0
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04 0.045 0.05
Temps(s)
Figure 6.16 : Puissance du GPV pour un pas de perturbation de 0.1 lors dun changement brusque
de léclairement
Tension (V)
30
Tension MPP
20
10
0
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04 0.045 0.05
Courant (A)
6
Courant MPP
4
0
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04 0.045 0.05
Temps(s)
Figure 6.17 : Tension et courant du GPV pour un pas de perturbation de 0.1 lors dun changement
brusque de léclairement
78
On remarque que lalgorithme P&O présente une mauvaise interprétation lors dun changement
brusque du niveau de rayonnement. En e¤et, à linstant 0.02 et 0.031 le rapport cyclique est décrémenté
au lieu dêtre incrémenté. Lalgorithme interprète à tort, que la diminution du rapport cyclique au
cycle précédent a eu comme résultat laugmentation de la puissance. Le point de fonctionnement est
déplacé dans la mauvaise direction en séloignant du MPP. Cependant, vu que le cycle du MPPT
est assez court (1ms), et que lalgorithme reprend par la suite dans la bonne direction, la perte de
puissance engendrée est minime. Cette perte est dautant plus petite que le pas de perturbation est
réduit.
Pour mieux analyser le comportement du système lorsque la charge est une batterie, nous avons
mis au point un modèle simpli
é dune batterie (
gure 6.18). Le modèle a été choisi simple, car la
dynamique dune batterie est beaucoup plus lente que celle du système. Un masque facilite, là aussi,
le paramétrage.
79
Les résultats de la simulation pour un pas de perturbation de 0.1 sont donnés sur les
gures 6.21.
Puissance (W)
100
50
- 50
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05
Rapport cyclique
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05
Temps(s)
Figure 6.21 : Puissance en sortie du CS et rapport cyclique pour un pas de perturbation de 0.1
Tension (V)
12.01
12.005
12
11.995
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05
Courant (A)
10
-5
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05
Temps(s)
80
Puissance
80 Puissance MPP
70
60
50
40
30
20
10
0
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04 0.045 0.05
Temps(s)
Tension (V)
30
Tension MPP
20
10
0
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04 0.045 0.05
Courant (A)
6
Courant MPP
4
0
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04 0.045 0.05
Temps(s)
On remarque ici quà linstant 0.031, se manifeste une mauvaise interprétation de lalgorithme qui
éloigne le point de fonctionnement du MPP. La perte de puissance avoisine les 40W sur une durée de
1ms. Sur la
gure 6.22, on voit que la tension de sortie du CS est maintenue à 12V par la batterie.
Par contre, le courant de sortie varie en fonction du changement du niveau de rayonnement.
Ci-dessous sont présentés les résultats de simulation pour une perturbation de 0.02.
81
Puissance (W)
100
80
60
40
20
0
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05
Rapport cyclique
0.8
0.75
0.7
0.65
Figure 6.25 : Puissance en sortie du CS et rapport cyclique pour un pas de perturbation de 0.02
Tension (V)
12.01
12.005
12
11.995
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05
Courant (A)
10
-5
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05
Temps(s)
82
Puissance (W)
90
Puissance MPP
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05
Temps(s)
Tension (V)
20
15
10
5
Tension MPP
0
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05
Courant (A)
6
Courant MPP
0
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05
Temps(s)
Dans ce cas, lerreur dinterprétation ne se produit pas, car les moments de laugmentation de
léclairement, coïncident avec des instants où lalgorithme perturbe le point de fonctionnement dans la
bonne direction. Sur les
gures 6.27 et 6.28 on voit bien que le MPP est poursuivi malgré la variation
de léclairement.
83
Rayonnement (W/m²)
1200
1000
800
600
400
200
0
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1
Temps(s)
Puissance (W)
80
60
40
20
Puissance MPP
0
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1
Rapport cyclique
1
0.9
0.8
0.7
Figure 6.30 : Puissance du GPV et rapport cyclique pour un pas de perturbation de 0.01 lors dun
changement progressif de léclairement
84
Tension (V)
30
Tension MPP
20
10
0
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1
Courant (A)
6
2
Courant MPP
0
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1
Temps(s)
Figure 6.31 : Tension et courant du GPV pour un pas de perturbation de 0.01 lors dun
changement progressif de léclairement
Burger [14][56] a proposé une solution à ce problème en introduisant une nouvelle condition dans
lalgorithme comme il sera expliqué dans ce qui suit. Sur la
gure 6.30, on remarque que laugmentation
de léclairement est caractérisée par laugmentation de la puissance deux fois au cours des deux derniers
cycles ou par le sens de perturbation qui reste le même pour les deux dernières étapes. Une solution
au problème derreur dinterprétation serait dinverser la direction de perturbation lorsque ce cas
se produit. Pour cela, lalgorithme doit prendre en compte les variations de puissance 1P et de
tension 1V à linstant (k 0 1) en plus de ceux de linstant (k) déjà utilisées. Lalgorithme amélioré
utilise alors 4 variables, ce qui donne 16 cas possibles comme le montre le tableau ci-dessous (G
représente lensoleillement). La contribution de lamélioration sera notée NCC pour Nouvelle Condition
de Contrôle.
85
1V (k 0 1) 1P (k 0 1) 1V (k) 1P (k) Description 1V (k + 1)
0 0 0 0 invalide, V < Vmpp +
0 0 0 + invalide, (G %), NCC +
0 0 + 0 G& 0
0 0 + + V < Vmpp +
0 + 0 0 V ' Vmpp ou G & +
0 + 0 + V > Vmpp ou G & , NCC +
0 + + 0 V > Vmpp 0
0 + + + G %; NCC 0
+ 0 0 0 G& +
+ 0 0 + V > Vmpp 0
+ 0 + 0 invalide, V > Vmpp 0
+ 0 + + invalide (G %), NCC 0
+ + 0 0 V < Vmpp +
+ + 0 + G %; NCC +
+ + + 0 V ' Vmpp ou G & 0
+ + + + V < Vmpp ou G % , NCC 0
Si laugmentation de la puissance est causée par la perturbation et non pas par laugmentation
de léclairement, lalgorithme P&O amélioré provoque la diminution de la puissance pour un cycle
(mauvais sens de perturbation), mais reprend dans la bonne direction au cycle suivant.
Le diagramme bloc de lalgorithme P&O amélioré est présenté sur la
gure 6.32. Le modèle est
utilisé comme sous système et un masque facilite le paramétrage.
Les résultats de la simulation pour lalogrithme P&O amélioré pour les mêmes conditions de
fonctionnement quauparavant sont présentés ci-dessous.
86
Puissance (W)
80
60
40
20
Puissance MPP
0
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1
Rapport cyclique
0.8
0.75
0.7
0.65
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1
Temps(s)
Figure 6.33 : Résultat de la simulation de lalgorithme P&O amélioré lors dun changement
progressif de léclairement (puissance du GPV et rapport cyclique)
Tension (V)
25
Tension MPP
20
15
10
0
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1
Courant (A)
6
Courant MPP
0
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1
Temps(s)
Figure 6.34 : Résultat de la simulation de lalgorithme P&O amélioré (tension et courant du GPV)
On remarque sur la
gure 6.33 que lorsque laugmentation de la puissance est le résultat de laug-
mentation de léclairement, linversion du sens de perturbation produite par lalgorithme P&O amé-
lioré provoque laugmentation de la puissance. Par conséquent, le système oscille autour du point
de fonctionnement précédent jusquà ce que lensoleillement devient stable. À linstant 0.66, le MPP
commence à séloigner du point de fonctionnement, mais lalgorithme amélioré detecte ça et déplace
le point de fonctionnement dans la bonne direction. Lalgorithme P&O amélioré donne un meilleur
résultat que lalgorithme classique.
87
Les résultats de la simulation pour une température croissante (
gure 6.35) en utilisant lalgo-
rithme P&O classique sont donnée ci-dessous. Le niveau de rayonnement reste constant (1000W=m2 ).
Ici, laugmentation de la température nest pas réaliste puisquune telle variation ne peut se pro-
duire sur une aussi courte durée. Ce choix permet néanmoins dobtenir une réponse, représentant le
comportement du système, assez visible.
Température (°C)
50
48
46
44
42
40
38
36
34
32
30
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1
Temps(s)
Puissance (W)
80
70
60
Puissance MPP
50
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1
Rapport cyclique
0.9
0.85
0.8
0.75
0.7
0.65
Figure 6.36 : Puissance du GPV et rapport cyclique pour un pas de 0.01 lors de la variation de la
température
88
Puissance (W)
80
70
60
Puissance MPP
50
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1
Rapport cyclique
0.9
0.85
0.8
0.75
0.7
0.65
Lalgorithme amélioré prend au début plus de temps pour atteindre le MPP. Une fois le MPP
atteint, le résultat est identique quavec lalgorithme classique.
89
Puissance (W)
90
80
70
60
50
40 Puissance MPP
30
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07
Rapport cy clique
0.8
0.75
0.7
0.65
Tension (V)
20
15
10
5
Tension MPP
0
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07
Courant (A)
6
3
Courant MPP
2
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07
Temps(s)
Une fois que la charge a varié, on remarque que lalgorithme change la valeur du rapport cyclique
pour poursuivre le MPP. Les résultats pour lalgorithme amélioré sont donnés sur les
gures 6.41 et
6.42.
90
Puissance (W)
90
80
70
60
50
40 Puissance MPP
30
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07
Rapport cyclique
0.8
0.75
0.7
0.65
Tension (V)
20
15
10
5
Tension MPP
0
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07
Courant (A)
6
3
Courant MPP
2
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07
Temps(s)
On voit que lalgorithme amélioré prend plus de temps pour rejoindre le MPP. En e¤et, il lui faut
5 fois plus de temps que lalgorithme classique. Ceci est dû à lamortissement de la réponse résultant
de la nouvelle condition de contrôle ajoutée. Pour palier à ce problème, on propose dutiliser un pas de
perturbation variable. Pour commencer, on utilisera 2 valeurs suivant lamplitude de la variation de
la puissance à linstant (k). Si la variation de la puissance est inférieure à un certain seuil, on utilisera
un pas de perturbation de 0.01. Dans le cas contraire, un pas de 0.05 sera utilisé. Le schéma bloc dun
tel algorithme est représenté ci-dessous.
91
Figure 6.43 : Modèle SIMULINK de lalgorithme P&O amélioré à pas de perturbation variable
Puissance (W)
90
80
70
60
50
40 Puissance MPP
30
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07
Rapport cyclique
0.8
0.75
0.7
0.65
92
Tension (V)
20
15
10
5
Tension MPP
0
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07
Courant (A)
6
3
Courant MPP
2
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07
Temps(s)
Daprès les résultats de la simulation, il est claire que lalgorithme P&O amélioré à pas de pertur-
bation variable donne de meilleurs résultats. En e¤et, la poursuite du MPP est instantanée dans ce
cas.
Les caractéristiques I/V et P/V du GPV utilisé précédemment dont 10 cellules sont ombrées sont
représentées sur les
gures 6.47 et 6.48 respectivement.
93
Caractéristique I/V Caractéristique P/V
6 60
5 50
4 40
Puissance (W)
Courant (A)
3 30
2 20
1 10
0 0
0 5 10 15 20 25 0 5 10 15 20 25
T ension (V) T ension (V)
Figure 6.47 : Caractéristique I/V du panneau dont Figure 6.48 : Caractéristique P/V du panneau
10 cellules sont ombragées dont 10 cellules sont ombragées
Sur la courbe P/V, on remarque quil y a deux maxima locaux, mais globalement il existe un seul
MPP dont les coordonnées sont (Vmpp ; Impp ; Pmpp ) = (12; 4:74; 56:86). Le diagramme bloc ci-dessous
permet de simuler le comportement du système en cas dombrage partiel sur le GPV. Nous avons dû
utiliser un bloc « Lookup Table » au lieu du bloc « GPV ombré » conçu précédemment, car Simulink
narrivait pas à résoudre une boucle algébrique que nous navons pas pu éliminer. Les données utilisées
par le bloc LUT ont été obtenu en utilisant le programme du bloc GPV ombré.
Les paramètres utilisés pour la simulation sont une fréquence MPPT de 1kHz, un rapport cyclique
initial de 10% et un pas de perturbation de 0.01. Les résultats sont représentés sur les
gures 6.50.et
6.51
94
Puissance (W)
20
15
10
0
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Rapport cyclique
0.18
0.16
0.14
0.12
0.1
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Temps(s)
Caractéristique P/V
60
Caractéristique P/V
Point de fonctionnement
50
40
Puissance (W)
30
20
10
0
0 5 10 15 20 25
Tension (V)
On remarque que lalgorithme P&O amélioré ne parvient pas à trouver le MPP, puisquil reste
bloqué sur un maximum local (10W). Nous avons là aussi un autre inconvénient de lalgorithme P&O.
En e¤et, lalgorithme e¤ectue une recherche locale, mais ne fait pas appel à une vision globale.
La solution que nous proposons pour palier à ce problème est de faire un balayage (sweeping) en
variant la valeur du rapport cyclique D de 0% à 100% tout en sauvegardant la valeur maximale de la
puissance au passage. Cela permettra de détecter le vrai MPP. Le schéma bloc représenté ci-dessous
permet de simuler cette méthode.
95
Figure 6.52 : Modèle intégrant laction de balayage (sweeping)
Quand au bloc « MPPT P&O », il a été adapté pour être utilisé avec le bloc « sweeping » (
gure
6.54).
96
Figure 6.54 : Modèle SIMULINK de lalgorithme P&O amélioré adapté pour laction sweeping
Puissance (W)
60
40
20
0
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025
Rapport cy clique
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025
Temps(s)
97
Caractéristique P/V
60
Caractéristique P/V
Point de fonctionnement
50
40
Puissance (W)
30
20
10
0
0 5 10 15 20 25
Tension (V)
Sur la
gure 6.56, on voi que la méthode proposée donne de bons résultats. E¤ectivement, après
le balayage le vrai MPP est trouvé.
6.4 Conclusion
Nous avons e¤ectué dans ce chapitre la simulation du convertisseur MPPT sous Simulink en utili-
sant la boîte outil SimPowerSystems. Ceci nous a permis de constituer une bibliothèque de composants
correspondant à un système photovoltaïque, intégrant les modèles du GPV, du convertisseur de puis-
sance, de lalgorithme MPPT Perturbation et Observation (Perturb & Observe) et de la charge ou
batterie. Nous avons mis en oeuvre, pour les di¤érents composants, un masque facilitant leur paramé-
trage. Nous avons démontré le¢cacité de lalgorithme MPPT à travers les résultats de la simulation.
Pour cela, nous avons utilisé une panoplie de tests pour mettre lalgorithme en épreuve dans le cas de
conditions climatiques et une charge variables. Nous avons constaté, à travers les résultats des tests
le défaut principal de lalgorithme P&O qui est sa mauvaise interprétation de la localisation du MPP
lors dun changement brusque des conditions climatiques. Nous avons vu ensuite que lamélioration
de lalgorithme P&O a permis de passer outre ce problème. Aussi, nous avons parlé du problème,
tout aussi réaliste, de lombrage partiel du GPV et nous avons proposé un modèle qui a permis la
simulation dun tel phénomène. En e¤et, dans ce cas, plusieurs maxima locaux peuvent apparaître
induisant lalgorithme MPPT en erreur, menant de la sorte à une perte de puissance non négligeable.
La solution proposée qui consiste à faire un balayage sur toute la plage de la tension a permis de
remettre lalgorithme sur la bonne direction.
98
Chapitre 7
Etude de la Stabilité et de la
Robustesse
7.1 Introduction
Nous avons mentionné précédemment quil était di¢cile dobtenir un modèle global pour décrire
lalgorithme MPPT et le convertisseur statique en même temps. Ceci rend impossible lanalyse conven-
tionnelle de la stabilité du système et des performances dynamiques. Néanmoins, il est possible détablir
un modèle dynamique sur une période de commutation sans prendre en compte lalgorithme utilisé.
Dans ce chapitre, nous allons étudier la stabilité et la robustesse du système formé par le GPV, le CS
et une batterie.
Nous avons déjà vu que lexpression de la tension du GPV (équation 3.8) est donnée par :
P
P P V 0 VocP + I P RsP
I = Isc 1 0 exp C
(7.1)
Ns Vth
La dérivée de cette expression dé
nit la résistance dynamique rpv du GPV qui est fonction de la
tension et du courant photovoltaïques.
dV
rpv = (7.2)
dI
P
V 0 VocP + I P RsP
h = exp C
(7.3)
Ns Vth
P RP h
0Ns Vth 0 Isc s
rpv = Ph
(7.4)
Isc
La résistance dynamique dépend de la température et du rayonnement puisque les les termes qui la
dé
nissent dépendent eux même de ces derniers. Par conséquent, la résistance dynamique possède des
99
caractéristiques à temps variant. Les
gures 7.1 et 7.2 présentent la courbe de la résistance dynamique
du panneau décrit au chapitre 6 pour di¤érentes températures et di¤érents niveaux de rayonnement.
La résistance dynamique peut être approximée par lexpression 7.5, où vbpv et bipv représentent respec-
tivement une petite variation de la tension et du courant photovoltaïques.
vbpv
rpv ' (7.5)
bipv
0 0
- 20
- 20
Résistance dynamique (Ohm)
- 60
- 60
- 80
T = 10°C G = 1000 W /m ²
T = 25°C G = 800 W /m ²
- 80
- 100 T = 45°C G = 400 W /m ²
MPP MPP
- 120 - 100
14 16 18 20 22 14 16 18 20 22
Tension (V) Tension (V)
Figure 7.1 : Courbes de la résistance dynamique Figure 7.2 : Courbes de la résistance dynamique
du GPV pour di¤érentes température du GPV pour di¤érents niveaux de rayonnement
Dans les travaux de [57] pour simpli
er lanalyse, une approximation linéaire par morceau de la
caractéristique I/V du GPV a été utilisée (
gure 7.3). La courbe I/V est divisée en 4 régions selon la
valeur de la pente qui est proportionnelle à la résistance dynamique. Ces régions sont : région source
de courant, région de puissance I, région de puissance II et région source de tension. La résistance
dynamique en valeur absolue est petite dans la région source de tension et grande dans la région source
de courant.
Courbe I/V
MPP
1
Région source de courant
Région de
Puissance II
0.8
courant normalisé (A/A)
Région de
Puissance I
0.6 Région
source
de tension
0.4
0.2
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
Tension normalisée (V/V)
100
7.3 Linéarisation du Modèle du Système
Dans ce qui suit la modélisation dynamique du système en considérant la tension photovoltaïque
Vpv comme sortie est décrite. Les notations sont les mêmes que dans la partie 5.3.1.4. On considère ici
que le CS fonctionne en MCC et que la charge est une batterie. Les pertes de puissance sont supposées
nulles et la chute de tension aux bornes de la diode est négligeable.
8
>
> diL
< L dt = 0Vbat
>
b: (7.7)
>
> dv
>
: C1 pv
= ipv
dt
En utilisant la méthode de la valeur moyenne, on obtient les équations non linéaires décrivant le
système sur une période de commutation (modèle moyen) :
8
>
> diL
< L dt = Dvpv 0 Vbat
>
(7.8)
>
>
>
: C dvpv = i 0 Di
1 pv L
dt
Lanalyse petits signaux du système (vu dans la partie 5.3.1.4) permet dobtenir un modèle linéarisé
dont la représentation dans lespace détat est :
2 3 2 3
D Vpv
0
d biL L b L
=4 5 iL + 6 4
7b
5d (7.9)
dt vbpv 0 CD1 1 vbpv IL
rpv C1 0 C1
2 3 biL
y= 0 1 (7.10)
vbpv
où rpv est la résistance dynamique. vbpv , bipv et db représentent respectivement une petite variation
autour dun point de fonctionnement de la tension photovoltaïque, du courant photovoltaïque et du
rapport cyclique.
101
En analysant le modèle mathématique du convertisseur Buck, on remarque quil y a 4 paramètres
à temps variant, à savoir, la résistance dynamique, le rapport cyclique, la tension photovoltaïque et le
courant à travers linductance.
La fonction de transfert représentant le système peut être écrite sous la forme dun second ordre
avec zéro à gauche où K est le gain, est le facteur damortissement, ! n est la pulsation propre et :
K (s + )
GBuck (s) = (7.12)
s2 + 2! n s + ! 2n
avec :
IL
K= (7.13)
C1
D
!n = p (7.14)
LC1
1
=0 (7.15)
2rpv C1 ! n
DVpv
= (7.16)
LIL
La réponse fréquentielle pour chaque région de fonctionnement est représentée sur la gure 7.4.
102
Bode Diagram
50
Magnitude (dB)
0
Région source de tension
Région de puissance II
Région de puissance I
Région source de courant
- 50
45
0
Phase (deg)
- 45
- 90
- 135
- 180
1 2 3 4 5 6
10 10 10 10 10 10
Frequency (rad/sec)
On remarque que le système présente un mode souple dans la région de puissance I et la région
source de courant.
La marge de phase ainsi que le facteur damortissement pour chaque cas sont donnés sur le tableau
suivant.
Il est clair que la position du PF parmis les 4 régions considérées, a¤ecte sensiblement les perfor-
mances du système. Le système ne présente pas doscillations ni de dépassement en région de source
de tension. Il est moyennement amorti en région de puissance II , peu amorti en région de puissance
I et très peu amorti en région source de courant. La marge de phase indique que le système est stable
bien quelle est insu¢sante dans la région de source de courant. Le système en BO est stable sur les
4 régions, car le système ne présente pas de pôle instable.
Les résultats de la simulation en utilisant le modèle linéarisé sont représentés ci-dessous. Les
gures illustrent le transitoire de la réponse indicielle en BO dans les régions de puissance pour un un
changement de 2% du rapport cyclique.
103
17.2
15.6
17.1
15.5
17
15.4
Tension Vpv (V)
0.015 0.016 0.017 0.018 0.019 0.02 0.021 0.022 0.023 0.02 0.022 0.024 0.026 0.028 0.03 0.032 0.034
Temps (s) Temps (s)
Figure 7.5 : Réponse du système dans la région Figure 7.6 : Réponse du système dans la région
de puissance II de puissance I
On voit que dans la région de puissance II la réponse est moyennement amortie. Tandis quen région
de puissance I, elle est peu amortie. Le temps détablissement sen trouve alors a¤ecté. Or, comme
nous lavons vu auparavant, le temps détablissement est une donnée importante pour lalgorithme
MPPT. De plus, les oscillations observées engendrent une perte de la puissance produite par le GPV,
ce qui nest pas souhaitable.
Pour conclure, on peut dire que la robustesse en stabilité de notre système est naturellement
assurée, alors que la robustesse en performances ne lest pas..
La
gure ci-dessous illustre la boucle de commande globale qui regroupe lalgorithme MPPT et le
régulateur qui sera synthétisé dans cette partie. Lalgorithme fournit la tension de référence Vref qui
représente une poursuite du MPP. Le régulateur se contente dassurer la poursuite de la tension Vref
en respectant les conditions dun cahier de charges.
104
Figure 7.7 : Boucle de commande globale
Synthèse du régulateur
Lexpression de la fonction de transfert du régulateur PID peut avoir la forme :
1
R (s) = Kp (1 + Td s) 1 + (7.17)
Ti s
Kp
= (1 + Td s) (1 + Ti s)
Ti s
où Kp est le gain de laction proportionnelle,
Ti la constante de temps de laction intégrale et Td
1 1
celle de laction dérivée. Ti 6 Td
105
Pour synthétiser le régulateur, nous devons choisir un modèle nominal. Les autres modèles seront
considérés comme des modèles perturbés. Étant donné que notre système fonctionnera dans la région
de puissance en régime établit (en supposons que les conditions atmosphériques ne varient pas), on
choisira comme modèle nominal, le modèle correspendant à la région de puissance I, car il présente
des caractéristiques plus défavorable.
Le régulateur PID possède une action intégrale, ce qui est su¢sant pour annuler lerreur statique.
La pulsation propre dun second ordre est donnée par lexpression (sans zéro) :
q
1
!0 = 0 ln 0:05 1 0 2 (7.18)
ts;5%
Ce qui donne ! 0 = 1:46 1 103 rd=s:pour ts;5% = 3ms. Pour avoir un temps détablissement inférieur
à 3ms il faut imposer une pulsation de coupure au-delà de cette valeur. Pour être assez loin de la
résonnance, on choisira une fréquence de coupure de 2 1 104 rd=s:
Daprès labaque dun système du 2nd ordre, D% = f () paramétré en marge de phase M ', nous
pouvons dire quimposer un dépassement inférieur à 10% exige une marge de phase supérieure à 75E
et un amortissement supérieur à 0:85.
La fonction de transfert du modèle utilisé possède un zéro à gauche. Étant donné que le¤et majeur
dun zéro à gauche est daugmenter le dépassement, le régulateur devra ajouter plus de phase pour
satisfaire lexigence sur ce critère. Par conséquent, la marge de phase du système corrigé doit être
supérieure à 90E . Lapport de phase se fait par laction dérivée du régulateur (1 + Td s). La phase du
modèle nominal pour ! = 2 1 104 rd=s vaut 0132E . Après plusieurs essais, il a fallu ajouter plus de 80E
par laction dérivée pour aboutir à un dépassement inférieur à 10%. La valeur de Td peut être calculée
par :
0 1 1
arctan 2 1 104 2 Td ' 83 =) Td = 4 1 1004 =) = 2:5 1 103 (7.19)
Td
1
Pour ne pas perturber ce réglage, on choisit Ti inférieur dune décade à la pulsation de coupure.
On prend T1i = 2:103 soit Ti = :0:5 1 1003 :
1
Pour ne pas altérer la marge de phase obtenue, nous avons choisi une valeur de Td = 51104
.
A
n davoir un gain unité à la fréquence de coupure désirée, le gain Kp doit être calculé.
C C
C Kp C
C C (7.20)
C jTi ! (1 + jTd !) (1 + jTi !) Gn (j!)C = 1 =) Kp ' 0:20
!=21104
106
marge de module minimale correspondant à la région source de courant vaut 0.7. Son expression est
donnée par :
1M = min fj1 + Gn (j!) R (j!)jg 8! (7.22)
Nyquist Diagram
0.8
0.6
0.4
Imaginary Axis
0.2
- 0.2
- 0.4
- 0.6
-2 - 1.5 -1 - 0.5 0
Real Axis
20.5 17.5
Tension Vpv (V)
20 17
19.5 16.5
19 16
0.015 0.016 0.017 0.018 0.019 0.02 0.015 0.016 0.017 0.018 0.019 0.02
Temps (s) Temps (s)
16 14
Tension Vpv (V)
15.5 13.5
15 13
14.5 12.5
0.015 0.016 0.017 0.018 0.019 0.02 0.015 0.016 0.017 0.018 0.019 0.02
Temps (s) Temps (s)
Les pôles de la BO dans les 4 régions sont tous à partie réelle négative. Ainsi, la robustesse en
stabilité de la BO est assurée.
107
Le résultat de la simulation pour un rayonnement de 1000W=m2 et une température de 25E C en
utilisant le modèle linéarisé est représenté sur la
gure 7.9. Le temps détablissement est inférieur à
3ms et le dépassement inférieur à 10%. Le cahier de charges est donc respecté. On peut dire que le
régulateur PID assure la robustesse en performances de la BO corrigée.
Discrétisation du régulateur
Pour pouvoir implanter le régulateur PID dans un microcontrôleur, il est nécessaire de le discrétiser.
Lutilisation dun microcontrôleur introduit un retard parasite qui est dû au temps de conversion des
grandeurs physiques continues en numérique (échantillonnage), qui est généralement de T2s , avec Ts
période déchantillonnage, et au temps de calcul. Un retard pur a un e¤et déphaseur. La perte de
phase peut être estimée pour une fréquence ! par 1' = 0! , où représente le retard. Lors de
la commande du CS, la variable à commander peut être mise à jour seulement au début du cycle de
commutation suivant. Si la fréquence déchantillonnage est choisie égale à la fréquence de commutation
du CS, alors le retard peut être considéré égal à une période de commutation, en loccurrence 10s
(fréquence de commutation de 100kHz) [59][62][63].
Le choix de la fréquence déchantillonnage est crucial. En e¤et, la fréquence choisie doit respecter
le théorème de Shannon qui énonce que la fréquence déchantillonnage dun signal doit être égale ou
supérieure au double de la fréquence maximale contenue dans ce signal. Si ce théorème nest pas véri
é,
des distorsions du spectre du signal échantillonné par repliement spectral seront provoquées, ce qui
se traduit par une perte dinformation du signal. En pratique, la fréquence déchantillonnage fs est
choisie telle que : 5fc < f < 10fc avec fc fréquence de coupure du processus à commander. Pour
notre système, nous avons choisi une fréquence déchantillonnage égale à la fréquence de commutation
du CS [64].
A
n de prendre en compte le retard introduit par lutilisation dun microcontrôleur dans létude
de la stabilité, on utilise lapproximation de Padé du premier ordre.
2 0 s
e0 s (7.23)
2 + s
Cette approximation possède un zéro à droite, par conséquent, le système obtenu est à déphasage
non minimal.
La marge de retard qui représente le retard parasite maximum acceptable pour ne pas altérer le
degré de stabilité du système peut être calculée par [59] :
1'
1 = min avec 1' marge de phase en ! exprimée en rd. (7.24)
!
Le tracé de Nyquist de la BO corrigée en ajoutant le¤et du retard valant 10s est représenté
ci-bas..
108
Nyquist Diagram
5
Région source de tension
Région de puissance II
4
Région de puissance I
3 Région source de courant
Imaginary Axis
1
-1
-2
-3
-4
-5
La marge de module est supérieure à 1 sur les 4 régions. Le système corrigé garde de bonnes marges
de stabilité après lajout du retard.
La fonction de transfert du régulateur PID discret (transformée en z) pour une fréquence déchan-
tillonnage de 100kHz est donnée par :
109
Bode Diagram
40
Régulateur continu
30
Approximation T ustin
Magnitude (dB)
20
10
- 10
90
45
Phase (deg)
- 45
- 90
1 2 3 4 5 6
10 10 10 10 10 10
Frequency (rad/sec)
Le¤et Windup
La boucle de régulation de notre système est schématisée sur la
gure 7.12. La présence du bloc
saturation sexplique par le fait que le rapport cyclique, qui constitue la variable de commande, prend
ses valeurs entre 0% et 100%.
Pour un système qui possède des conditions de fonctionnements avec de larges variations, il se
pourrait que la variable de commande atteigne ses limites. Dans ce cas, la BF est brisée et le système
fonctionne comme une BO, car la commande restera bloquée (un certain moment) indépendamment
de la sortie du système. Si un régulateur avec une action intégrale est utilisé, alors lerreur continuera à
être intégrée et persiste plus longtemps. Cela veut dire que le terme intégral peut devenir très important
et il stocke un excès dénergie. Il est alors nécessaire que lerreur ait un signe opposé durant une longue
durée, le temps de dépenser lexcès dénergie stoquée, avant que les choses retournent à la normale.
Ce phénomène porte le nom de¤et Windup (emballement) qui se manifeste par un dépassement
important, des oscillations amorties et un transitoire assez long dans la réponse du système. Le¤et
Windup apparaît aussi lors du démarrage du système, lors de la présence de grandes perturbations ou
lors dun mal fonctionnement de léquipement [67][60][82].
110
Lors des simulations que nous avons e¤ectué, en utilisant un modèle établit sous Simulink (modèle
non linéaire), pour tester le régulateur PID synthétisé précédement, nous avons remarqué un dépasse-
ment important au démarrage du système comme le montre la
gure 7.14. Nous avons constaté aussi
que, dans le cas où la tension de référence fait des sauts de plus de 3V, le dépassement ne satisfait
pas le cahier des charges. Ceci est dû à la commande qui sen trouve saturée lors du démarrage ainsi
que lors dun changement important de la tension de référence, autrement dit, le¤et windup. Pour
palier à ce problème, la solution que nous proposons est illustrée sur la
gure ci-dessous où kaw est le
coe¢cient de compensation anti-windup qui devient actif lorsque dr (k) 0 d (k) 6= 0 (saturation de la
commande). Les résultats de la simulation montrent le¢cacité de lanti-windup.
Vref e dr d Vpv
Régulateur
Processus
_ PID
_
_
+
Kaw
Démarrage
22
avec anti- windup
20 sans anti- windup
18
16
14
Tension Vpv (V)
12
10
0
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01
Temps (s)
Figure 7.14 : Réponse du système corrigé avec et sans action anti-windup lors du démarrage du
système
111
Démarrage
20
avec anti- windup
19.5 sans anti- windup
19
18.5
17.5
17
16.5
16
15.5
15
0.009 0.01 0.011 0.012 0.013 0.014 0.015 0.016 0.017 0.018
Temps (s)
Figure 7.15 : Réponse du système corrigé avec et sans action anti-windup lors dun saut de la
tension de 3V
db0r (z) b0 + b1 z 01 + b2 z 02
R (z) = = (7.27)
E (z) 1 + a1 z 01 + a2 z 02
où db0r est la variable de contrôle petits signaux , E est lerreur entre la consigne et le signal mesuré
(e = Vref 0 Vpv (k)) et ai ; bi des coe¢cients constants.
Pour implanter lalgorithme anti-windup, il su¢t dutiliser lexpression suivante lorsquune satu-
ration de la commande se produit :
112
Organigramme de la régulation
Lorganigramme de la régulation est représenté sur la
gure 7.16.
Boucle de
Régulation
Lire V bat
e = V ref ? V pv Ýk Þ
åv åv åv
d r Ýk Þ = ?a 1 d r Ýk ? 1Þ ? a 2 d r Ýk ? 2Þ + b 0 eÝk Þ + b 1 eÝk ? 1Þ + b 2 eÝk ? 2Þ
åv
d r Ýk Þ > 1
oui
ou
åv
d r Ýk Þ < 0
Fin boucle
Evaluation
Le¢cacité de la commande synthétisée précédemment est démontrée à travers les résultats de la
simulation que nous avons e¤ectué. La
gure 7.17 illustre les performances de la commande sous un
niveau de rayonnement bas de 400W/m2 et une température de 10E C, ce qui représente des conditions
de fonctionnement défavorable, car dans ce cas le système devient très oscillatoire. Les résultats de la
simulation montrent la stabilité du système sur les 4 régions de fonctionnement. À titre comparatif,
la
gure 7.18 représente le comportement du système en labsence du régulateur PID. On distingue
bien la nature oscillatoire du système dans ce cas. Lire Vbat
113
Région source de tension Région de puissance II
20 18
19.5 17.5
18.5 16.5
18 16
0.015 0.02 0.025 0.015 0.02 0.025
16 14
Tension Vpv (V)
15.5 13.5
15 13
14.5 12.5
0,012 0,017 0,022 0,012 0,017 0,022
Temps (s) Temps (s)
20
19
18
17
Tension Vpv (V)
16
15
14
13
12
11
10
0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04 0.045
Temps (s)
La majeure perturbation dont est sujet le système et qui présente une dynamique rapide est la va-
riation du niveau de léclairement. En e¤et, le passage rapide de nuages cause de telles variations. Pour
illustrer le¤et dune telle perturbation, la
gure 7.19 montre la performance du système régulé lorsque
léclairement varie de 1000W/m2 à 500W/m2 puis inversement. On peut dire que la perturbation est
bien rejetée.
114
Rayonnement (W/m²)
1200
1000
800
600
400
0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02 0.022
17
Tension Vpv (V)
16.5
16
0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02 0.022
6
Courant Ipv (A)
2
0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02 0.022
Temp (s)
Figure 7.19 : Performances du système régulé lorsque léclairement varie de 1000W/m2 à 500W/m2
et inversement.
115
reste sensible aux variations de paramètres. Le deuxième mode est appelé mode de glissement, où
létat du système est con
né dans la surface de glissement. Durant ce mode, le comportement du
système ne dépend plus du système dorigine ni des perturbations, mais est entièrement déterminé
par le choix de la surface de glissement. Cependant, la discontinuité de la commande engendre des
oscillations de fréquence élevée une fois le régime glissant atteint. Ce phénomène, connu sous le nom
de broutement ou chattering en anglais, est le plus grand défaut de la CMG [75]. Le chattering
peut poser des problèmes tels que lexcitation des dynamiques hautes fréquences négligées au moment
de la modélisation (qui peuvent dégrader la performance du système et même mener à linstabilité), la
réduction de la précision, la création dondes électromagnétiques néfastes ou autres ondes ampli
ées
par le système. [72][74]
Synthèse de la CMG
Dans la partie précédente, le modèle moyen du convertisseur Buck a été établi. Si on pose x =
[IL Vpv ]T , alors le système peut sécrire sous la forme :
8
> dx1 Vbat
>
>
< =D L x2 0 L
dt
(7.30)
>
> dx
>
: 2
= Rpv1C1 x2 0 CD1 x1
dt
Vpv
avec Rpv = Ipv : charge équivalente connectée au GPV.
Lexpression 7.30 peut être écrite sous la forme dun système non linéaire à temps invariant.
Nous avons déjà vu que la caractéristique P/V dun GPV pour di¤érents niveaux de rayonnement
a lallure représentée sur la
gure 7.5.2 (T = 25E C). Nous avons vu aussi que le MPP est caractérisé
par lexpression :
@Ppv @(Vpv Ipv ) @Ipv
= = Vpv + Ipv = 0 (7.32)
@Vpv @Vpv @Vpv
Cette expression peut être choisie comme surface de glissement pour la CMG. Lexpression ci-
dessous est appelée fonction de commutation.
@Ppv
(x) = (7.33)
@Vpv
116
Figure 7.20 : Partitionnement de la caractéristique P/V du GPV selon le signe de la fonction de
commutation
Sur la
gure ci-dessus, la caractéristique P/V du GPV est divisée en deux régions selon le signe
de la fonction de commutation :
Région 1 0! > 0
Région 2 0! < 0
Il est à noter quici le rapport cyclique ne prend que deux états discrets {0,1} selon la position
souhaitée du commutateur. Par conséquent, il nest pas nécessaire dutiliser un signal pwm.
Nous avons vu auparavant que lexpression du courant photovoltaïque est donnée par :
Vpv 0 Voc + Ipv Rs
Ipv = Isc 1 0 exp (7.36)
Ns Vth
117
La fonction de commutation est donnée par :
@Ipv
(x) = Vpv + Ipv (7.38)
@Vpv
Isc Vpv 0 Voc Vpv 0 Voc
= 0 exp Vpv + Isc 1 0 exp
Ns Vth Ns Vth Ns Vth
Isc Vpv 0 Voc
= 0 Vpv + Isc exp + Isc
Ns Vth Ns Vth
Lexpression du contrôle équivalent deq ; proposé par Filippov [76], est obtenue à partir de la
condition :
:
(x) = 0 (7.39)
: d(x) @(x) T : @(x) T
=) (x) = = x = (f (x) + g (x) deq + H) = 0
dt @x @x
Vpv Isc Vpv 0 Voc :
=) 0 +2 exp x2 = 0
Ns Vth Ns Vth Ns Vth
:
=) x2 = 0
x2 Ipv
=) deq = = avec IL 6= 0
Rpv x1 IL
Cette expression peut être interprétée comme la loi de commande continue qui maintiendrait la
:
trajectoire de létat du système sur la surface de glissement (c.à.d = 0) si les dynamiques étaient
connues avec précision.[75][74]
: 1 x22 Vbat
x1 = + (7.40)
LRpv x1 L
Cette équation décrit la dynamique du système sous linuence de la CMG. Il est important de
noter que lordre du système sen trouve réduit lors de lapplication de cette commande.
Néanmoins, la commande équivalente nest e¢cace quune fois que la trajectoire de létat du
système a atteint la surface de glissement (mode glissant). Un algorithme de commande explicite doit
être formulé pour amener la trajectoire sur la surface de glissement pendant le mode de convergence.
Une des approches de conception dune CMG utilisée pour un système dynamique porte le nom
dapproche de la loi datteinte ou loi de ralliement (reaching law en anglais)[81]. Dans cette approche,
la dynamique de la fonction de commutation est directement exprimée par :
:
= 0Qf () 0 Ksign() (7.41)
où Q et K sont des constantes positives dans le cas monovariable (matrices dé
nies positives dans
le cas multivariable), f () et choisie tel que f () 1 > 0 , 8 6= 0
118
- loi datteinte à taux constant plus proportionnel :
:
= 0Q 0 Ksign() (7.43)
a. Condition dexistence du mode glissant La condition dexistence du mode glissant est lat-
tractivité de la surface de commutation (x) = 0: Elle est démontrée à laide du théorème de Lyapunov
[76][77].
Soit la fonction de Lyapunov quadratique candidate suivante : V (x) = 12 (x)2 > 0 (dé
nie
positive)
Pour que la surface (x) = 0 soit attractive sur tout le domaine de fonctionnement, il su¢t que la
dérivée par rapport au temps de V soit négative (condition su¢sante appelée condition dattractivité
ou datteignabilité) :
: :
V (x) = (x)(x) < 0 8 (x) 6= 0 (7.46)
: Vpv Isc Vpv 0 Voc dVpv
(x) = 0 +2 exp (7.47)
Ns Vth Ns Vth Ns Vth dt
Pour (x) > 0 :
Dans ce cas, le PF est dans la région 1 et la commande D = 0. Cela signi
e que la tension Vpv est
croissante donc :
dVpv
>0 (7.48)
dt
En remplaçant dans lexpression 7.47, il vient :
:
(x) < 0 (7.49)
doù
:
(x)(x) < 0 (7.50)
Pour (x) < 0 :
Dans ce cas, le PF est dans la région 2 et la commande D = 1. Cela signi
e que la tension Vpv est
décroissante donc :
dVpv
<0 (7.51)
dt
En remplaçant dans lexpression 7.47, il vient :
:
(x) > 0 (7.52)
doù
:
(x)(x) < 0 (7.53)
On conclut que le système est asymptotiquement stable.
119
En pratique, un système ne peut commuter à une fréquence in
nie. Par conséquent, une bande
hystérésis doit être utilisée autour de la surface de glissement a
n de pouvoir
xer la fréquence de
commutation à une valeur désirée. Lorsque le système se trouve dans la région où il est dit en mode
quasi glissant ou mode pseudo-glissant. Dans ce cas, on parle de commande par mode quasi glissant
(CMQG). La fréquence de commutation peut être estimée par [72][74] :
0 +
1 1 fN fN
f= = + 0 (7.54)
1t1 + 1t2 1 fN 0 fN
:
avec : fN = (x)
b. Résultats de la simulation La
gure 7.23 présente le schéma bloc sous Simulink permettant
la simulation de la CMG.
Figure 7.23 : Schéma bloc sous Simulink du système global de simulation de la CMG
120
Les résultats de la simulation pour un niveau de rayonnement constant de 1000W/m2 et une
température de 25E C sont présentés ci-dessous.
90 20
80 15
Tension (V)
70 10
60 5
Puissance (W)
0
50 0 1 2 3 4 5
-3
x 10
40
5.4
30
5.2
Courant (A)
20
5
10 4.8
0 4.6
0 1 2 3 4 5 0 1 2 3 4 5
Temps (s) -3 Temps (s) -3
x 10 x 10
On remarque sur la gure 7.24 que la CMG est très rapide puisque le MPP est atteint en 2.2ms.
12.01
Tension (V)
12.005
120
12
100
11.995
0 1 2 3 4 5
80
Puissance (W)
-3
x 10
10
60
Courant (A)
5
40
0
20
-5
0 1 2 3 4 5
0 Temps (s) -3
x 10
0 1 2 3 4 5
Temps (s) -3
x 10
Figure 7.27 : Résultat de la simulation de la
Figure 7.26 : Résultat de la simulation de la CMG en terme de tension et courant sur la
CMG en terme de puissance sur la sortie du CS sortie du CS
Sur les
gures ci-dessus, on voi quil y a un retard de la réponse du système sur la sortie. Ceci est
dû au mode de convergence de la CMG pendant lequel linterrupteur reste ouvert (D = 0).
121
6
1
d : loi CMG 5
0.9 deq : commande équivalente
0.8
Fonction de commutation
4
0.7
3
Commande d
0.6
0.5 2
0.4
1
0.3
0
0.2
0.1
-1
0 1 2 3 4 5
0 Temps (s) -3
0 1 2 3 4 5 x 10
Temps (s) -3
x 10
Figure 7.29 : Tracé de la fonction de
Figure 7.28 : CMG et commande équivalente commutation
La
gure 7.28 représente la loi CMG ainsi que la commande équivalente. On remarque que la
commande équivalente nest pas valable lorsque létat du système na pas encore atteint la surface de
glissement.
Sur la
gure 7.29, on voi que la surface de glissement est atteinte après 2.2ms.
Changement brusque de léclairement
1000
Rayonnement
800
600
400
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01
80
Puissance (W)
60
40
20
0
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01
Temps (s)
Figure 7.30 : Réponse du système sous CMG lors dun changement brusque de léclairement
La réponse du système pour des changements brusques de léclairement est représentée sur la
gure
7.30. Léclairement est initialement égale à 500W/m2 , augmente à 1000W/m2 après 6ms puis diminue
à 800W/m2 à linstant 8ms. Il est clair que la CMG positionne instantanément le PF sur le MPP.
122
Changement progressif de léclairement
800
700
Rayonnement
600
500
400
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
60
Puissance (W)
40
20
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
Temps (s)
Figure 7.31 : Réponse du système sous CMG lors dun changement progressif de léclairement
On remarque sur la
gure 7.31 que la CMG parvient à poursuivre le MPP instantanément lors
dun changement progressif du rayonnement. Néanmoins, lorsque le niveau de rayonnement est faible,
il apparaît un phénomène indésirable comme le montre la
gure 7.32. En e¤et, dans ce cas spécial,
on remarque une mauvaise interprétation de la CMG qui éloigne le PF du MPP jusquà ce que la
commande entre en mode de convergence. La commande parvient alors à atteindre le MPP puis une
mauvaise interprétation survient encore une fois. Ce comportement est dû au fait que la dynamique
du système pour un niveau de rayonnement faible est plus lente par rapport au tau de changement
progressif de léclairement. Ce phénomène se répète tant que le niveau de rayonnement reste faible.
400
Rayonnement (W/m²)
350
300
250
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07
30
28
Puissance (W)
26
24
22
20
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07
Temps (s)
Figure 7.32 : Réponse du système sous CMG pour un rayonnement faible faisant apparaître une
mauvaise interprétation de la commande
123
plus utile lorsquon veut appliquer la commande sur un système discret (utilisation de microcontrôleur)
comme nous le verrons plus loin.
En e¤et, si 2 > 0 alors le PF est à droite de la tension Vref , la commande doit le déplacer vers la
gauche. Ceci nest possible que si D = 1. Par contre, si 2 < 0 alors le PF est à gauche de la tension
Vref , la commande doit le déplacer vers la droite. Ceci nest réalisable que si D = 0.
: : dVpv
2 (x) = x2 = (7.58)
dt
Pour 2 (x) > 0 :
Dans ce cas, le PF est à droite de la tension Vref et la commande D = 1. Cela mène le PF vers la
gauche impliquant la décroissance de la tension Vpv :
dVpv :
< 0 =) 2 (x) < 0 (7.59)
dt
doù
:
2 (x) 2 (x) < 0 (7.60)
Pour 2 (x) < 0 :
Dans ce cas, le PF est à gauche de la tension Vref et la commande D = 0. Cela mène le PF vers
la droite impliquant la croissance de la tension Vpv :
dVpv :
> 0 =) 2 (x) > 0 (7.61)
dt
doù
:
2 (x) 2 (x) < 0 (7.62)
On conclut que le système est asymptotiquement stable.
Lexpression du contrôle équivalent deq ; proposé par Filippov, est obtenue à partir de la condition :
: :
2 (x) = 0 =) x2 = 0 (7.63)
x2 Ipv
=) deq = = avec IL 6= 0
Rpv x1 IL
124
b. Résultats de la simulation
800
Rayonnement (W/m²)
700
600
500
80
Puissance (W)
60
40
20
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
Temps (s)
600
Rayonnement (W/m²)
550
500
450
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07
50
45
Puissance (W)
40
35
30
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07
Temps (s)
Le résultat de la simulation pour un changement progressif est représenté ci-dessus. On voit que
la commande parvient à suivre le MPP. On distingue aussi loscillation autour du MPP caractérisant
lalgorithme utilisé.
125
composants du convertisseur, car cela provoque la saturation du noyau de linductance avec comme
conséquence un pique de courant important. Ce courant peut dépasser la valeur maximale permise pour
le commutateur, ce qui provoquerait sa détérioration. Il convient alors dintroduire à la commande
une protection prévenant que le courant de linductance natteigne des valeurs dangereuses. Cette
propriété peut être facilement incorporée à la CMG.[72][74]
Considérons le système dont le vecteur détat est x = [IL Vpv VC2 ]T . Les équations dynamiques
décrivant ce système en MCC sont données par :
8
> dx1 Vbat
>
> =D L x2 0 L
>
> dt
>
>
>
<
dx2
= Rpv1C1 x2 0 CD1 x1 (7.64)
> dt
>
>
>
>
>
>
: dx3 = 1 x1 0 1 x3
>
dt C2 C2 Rout
Vout
avec Rout = Iout la charge équivalente en sortie
A
n de limiter le courant qui traverse linductance, il convient de forcer le PF à rester sur la droite
déquation (7.65) si une valeur maximale IL;max du courant est dépassée.
15
10
Courant (A)
-5
0 1 2 3 4 5
-3
x 10
80
Puissance (W)
60
40
20
0
0 1 2 3 4 5
Temps (s) -3
x 10
126
Les résultats de la simulation sont donnés sur la
gure 7.35 pour un courant dinductance maximal
iL;max = 10A.
Comme pour le cas continu, la procédure pour la synthèse de la CMGD est composée de deux
étapes :
- Choisir la fonction de commutation (k).
- Établir une loi de commande qui mène le système vers la surface de glissement et assure que la
trajectoire du système reste assez proche de la surface de glissement.
Pour obtenir le modèle discret du système, on fait appel au développement en séries de Taylor. On
note par (k) une variable à linstant t = kTs , où Ts est la période déchantillonnage. Le développement
en séries de Taylor est donné par [84] :
: C
x (k + 1) = x (k) + x (t)Ct=kTs Ts + O1 (Ts ) (7.67)
avec O1 (Ts ) le reste des termes dordre supérieur (n > 2). On négligera par la suite ce terme.
A
n dobtenir une loi de commande non linéaire discrète permettant datteindre la surface de
glissement en un temps
ni, on utilise une loi datteinte. Nous avons choisi une loi datteinte linéaire
(linear reachin law) (proposé par Hui et Spurgeon) [80] dont lexpression est :
(k + 1) = x2 (k + 1) 0 Vref (k + 1) (7.71)
Ts d (k) Ts
= 1+ x2 (k) 0 x1 (k) 0 Vref (k + 1)
Rpv C1 C1
= (k)
127
doù la loi de commande :
C1 1 x2 (k) C1 Vref (k + 1) C1 (k)
d (k) = + 0 0 (7.72)
Ts Rpv x1 (k) Ts x1 (k) Ts x1 (k)
condition 1 :
pour (k) > 0 :
<1
=) (k) < (k) (7.75)
(k) > 0
=) (k + 1) 0 (k) < 0
doù :
[ (k + 1) 0 (k)] sign ( (k)) < 0 (7.77)
Condition 2 :
pour (k) > 0 :
>0
=) (k) > 0 (7.78)
(k) > 0
=) (k + 1) + (k) > (k) > 0
=) (k + 1) + (k) > 0
doù :
[ (k + 1) + (k)] sign ( (k)) > 0 (7.80)
nalement :
j (k + 1)j < j (k)j (7.81)
Lexistence du mode glissant à temps discret est prouvée.
128
b. Résultats de la simulation : Le résultat de la simulation pour une fréquence déchantillonnage
fs = 100kHz et = 0:9 sont donnés ci-dessous. La tension de référence est égale à 17V au départ,
augmente à 18V après 3ms, puis diminue à 17V à linstant 4ms. On voit que la CMGD parvient à
poursuivre la tension de référence avec un temps détablissement inférieur à 0.5ms. On remarque aussi
que lerreur statique nest pas nulle et est égale à 0.01. Il est important de préciser que pour une
fréquence déchantillonnage inférieure à 100kHz (fréquence de commutation), la CMGD na pas donné
de bons résultats.
20
19.5 Vref
Vpv
19
18.5
18
Tension (V)
17.5
17
16.5
16
15.5
15
1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
Temps (s) -3
x 10
7.6 Conclusion
Nous avons consacré ce chapitre à létude de la stabilité et de la robustesse du système photovol-
taïque. Nous avons vu que la caractéristique électrique du GPV peut être approximée par un modèle
linéaire pour faciliter lanalyse. Nous avons établi puis analysé le modèle linéarisé du convertisseur
de puissance. Nous avons aussi montré par le biais de la simulation, que les caractéristiques de la
réponse dynamique du système dépendaient fortement de la localisation du point de fonctionnement,
ce qui a indiqué de la non-robustesse du système. Nous avons ensuite étudié deux approches pour
la régulation de la tension photovoltaïque, visant une robustesse et des performances meilleures. La
première approche a été synthétisée dans le domaine fréquentiel et fait appel à un régulateur PID
classique muni dune action anti-windup. La deuxième, de nature non linéaire a été synthétisée dans
le domaine temporel, il sagit de la Commande par Mode Glissant (CMG). Le régulateur PID muni
de laction anti-windup a permis davoir une robustesse et des performances meilleures que le système
sans régulation. Il a été discrétisé a
n dêtre implanté dans un microcontrôleur. Cependant, la CMG
a donné de meilleurs résultats que le régulateur PID. Lapplication de la CMG à temps discret a été
considérée pour une éventuelle implantation dans un microcontrôleur. Elle a o¤ert aussi la possibilité
de limiter facilement le courant à travers linductance. Dans ce chapitre, nous avons vu que la CMG
est capable de poursuivre le MPP sans faire appel à un algorithme quelconque ; faisant delle une
technique MPPT distinguée. Néanmoins, nous navons pas pu la discrétiser à cause de la complexité
de la commande équivalente.
129
Chapitre 8
8.1 Introduction
Dans ce chapitre, la conception et la réalisation dun convertisseur MPPT sera décrite. Il sagit
dun convertisseur dévolteur (Buck). Nous avons choisi de concevoir et réaliser un convertisseur MPPT
numérique, car il présente certains avantages par rapport à un système analogique. On peut citer
quelques avantages comme [12][16] :
- Nombre de composants réduit, donc un encombrement, un coût et un poids moindres.[85]
- Une puissance de consommation de la carte de commande très faible.
- Une conception et un contrôle simples.
- Robustesse vis-à-vis des perturbations.
- Souplesse dutilisation : les paramètres de réglage et la structure de la loi de commande sont
modi
és par programmation plutôt que par modi
cation du câblage avec un régulateur analogique.
- Possibilité daméliorer lalgorithme utilisé, par conséquent, optimiser les performances du conver-
tisseur.
- Possibilité dimplémenter di¤érents algorithmes, donc une maximisation dans lutilisation du
dispositif.
- Possibilité dutiliser facilement des algorithmes complexes.
- Facilité de modi
cation de lalgorithme si dautres sources dénergie renouvelables sont utilisées
(systèmes hybrides).
- Possibilité dexaminer lexistence de plusieurs maxima locaux sur la courbe de puissance du GPV
qui peuvent apparaître lors dun ombrage partiel du module.
130
Cependant, limplémentation de type numérique présente aussi des inconvénients [64][68] :
- Erreur due au bruit de quanti
cation.
- Le temps de calcul des algorithmes implantés peut avoir de linuence sur la dynamique du
système (retard).
- Les limitations du convertisseur analogique-numérique.
- La technologie numérique est plus lente que lanalogique, puisque quelle manipule des grandeurs
discrètes et quanti
ées.
Le système GPV muni dun convertisseur MPPT est représenté sur la gure 8.1.
8.2 Méthodologie
Le système GPV muni dun convertisseur MPPT est représenté par le diagramme de la
gure 8.2.
La commande MPPT se compose dune unité de mesure et dune unité de commande.
131
8.3 Conception dun Convertisseur MPPT
8.3.1 Conception du convertisseur statique de type Buck
Le schéma du convertisseur Buck est repris ci-dessous (
gure 8.3).
Les caractéristiques techniques du GPV utilisé sont données sur le tableau ci-dessous. Il sagit dun
module de 36 cellules de silicium polycristallin en série, dune puissance maximale de 80W.
Nous avons choisi une batterie au plomb de 12V nominale comme charge. Le rôle du convertisseur
est alors dabaisser la tension Vmpp pour avoir une tension plus adaptée du coté de la charge. A
n de
déterminer les valeurs des di¤érents éléments du convertisseur, il est nécessaire de choisir un point de
fonctionnement
xe, en loccurrence, le MPP. Ceci nous amène à établir la valeur initiale du rapport
cyclique D. À partir de léquation [5.3], on peut écrire :
Vload 12
D= = = 0:716 (8.1)
VP V 16:75
La résistance équivalente Req est donnée par :
2
Vload 122
Req = = = 1:8A (8.2)
P 80
Le choix dune fréquence de commutation de 100kHz à été motivé par les raisons suivantes :
- Plus la fréquence de commutation est grande, moins est grande la taille des composants réactifs
utilisés (capacités et inductance). Autrement dit, la densité de puissance est plus élevée.
- Le retard de la sortie par rapport à lentrée qui est dû au temps de commutation est faible (10s).
132
Détermination des valeurs de L, C1 et C2 :
Le choix des éléments se fait en considérant que le convertisseur est en MCC. Dans le chapitre
précédent, nous avons vu les expressions permettant de déterminer les valeurs de linductance L et
de la capacité du condensateur C2 . A
n de respecter la condition sur londulation du courant de
linductance imposée par le cahier des charges, linductance doit être supérieure à une certaine valeur
donnée par lexpression (5.7).
VP V 16:75
L> =) L > =) L > 104:688H (8.3)
4 1 1iL;max 1 f 4 1 0:4 1 105
En pratique, la valeur de linductance choisie doit être au moins 20% supérieur que la valeur
calculée en théorie. Par conséquent, la valeur de linductance quon utilisera sera de L = 120H
Pour respecter la condition sur londulation de la tension de sortie, la capacité du condensateur
C2 doit véri
er lexpression (5.14). :
1iL 0:4
C2 > =) C2 > =) C2 > 50F (8.4)
8 1 1VC;max 1 f 8 1 1002 1 105
En ajoutant une tolérance de 20% sur la valeur de la capacité, on obtient C2 = 60F . La valeur
que nous utiliserons est 100F .
Pour avoir londulation de la tension dentrée voulue, la capacité du condensateur C1 doit véri
er
lexpression (5.19) :
IP V 4:78
C1 > =) C1 > =) C1 > 478F (8.5)
1VP Vmax 1 f 1001 :105
En ajoutant là aussi une tolérance de 20% sur la valeur de la capacité, on obtient C1 = 573:6F .
On utilisera deux condensateurs en parallèle dune valeur de 330F:
Lexpression (5.20) représente la fréquence de coupure du
ltre du 2eme ordre formé par linductance
et le condensateur :
1
fc = p = 2165:67Hz (8.6)
2 1 L 1 C2
La fréquence de coupure est très inférieure à la fréquence de commutation, ce qui respecte la
condition vue au paragraphe (5.3.1.1.c).
La valeur minimale de linductance Lmin qui assure le MCC est donnée par lexpression (5.24) :
10D (1 0 0:694)
Lmin = 1 Rload = 1 1:8 = 2:754H (8.7)
21f 2 1 105
Type dinterrupteur
Linterrupteur que nous avons choisi dutiliser est un transistor à e¤et de champ à grille métal-
oxyde de canal N (N-MOSFET). Les N-MOSFETs, contrairement aux P-MOSFETs, ont lavantage
davoir une résistance à létat on très petite, ce qui réduit les pertes par conduction. De plus, à létat
bloqué, ils se comportent comme un circuit ouvert. Les MOSFETs assurent aussi une bonne isolation
de la partie commande de la partie puissance.
133
dinterface périphérique) de MICROCHIP, plus particulièrement à la famille MidRange, pour leur
disponibilité et leur facilité dutilisation.
Une grande majorité des microcontrôleurs PIC sont capables de générer un signal PWM. Néan-
moins, ce signal ne peut être directement utilisé pour commander les N-MOSFET que nous avons
choisi dutiliser, car le courant débité par le microcontrôleur (40mA) nest pas su¢sant pour assurer
leur ouverture et fermeture, la grille du MOSFET étant capacitive. Un dispositif dédié, un « Driver
de MOSFET », doit être utilisé pour e¤ectuer cette tâche. Ce dispositif est apte à fournir un courant
su¢sant à la grille du MOSFET pour le commander. De plus, il permet de réduire le temps de propa-
gation et dassurer un signal propre prévoyant un décalage du temps de monté et de descente sur le
signal qui commande le MOSFET. Généralement, le driver de MOSFET fait appel à une pompe de
charge interne complétée par un étage damorçage (bootstrap) pour accomplir sa tâche.
b. Mesure du courant
Les microcontroleurs PIC ne sont pas capables de mesurer un courant. Une méthode indirecte
doit être utilisée pour accomplir cette tâche. Il existe plusieurs méthodes permettant de mesurer un
courant, on peut citer :
- Mesure à laide de la résistance RDS(on) du MOSFET.
- Mesure utilisant un
ltre aux bornes de linductance.
- Mesure par détection magnétique - capteur à e¤et Hall.
- Mesure à laide dune résistance de mesure série.
Nous avons choisi dutiliser la méthode de la résistance de mesure série pour sa simplicité et son
coût faible. Cette méthode consiste à utiliser une résistance relativement petite (quelques miliohm).
134
La tension aux bornes de la résistance est alors proportionnelle au courant qui la traverse, rendant
possible la mesure du courant. Linconvénient de cette méthode, est quelle présente une perte de
puissance dans la résistance, ce qui réduit le rendement du CS. De plus, pour avoir une mesure exacte
du courant, la tension aux bornes de la résistance devrait être de 100mV environ à plein charge. Un
ampli
cateur doit ensuite être utilisé a
n de ramener la tension mesurée aux bornes de la résistance
à la plage 0-5V correspondant à lentrée du microcontrôleur.
8.4 Implementation
Pour létape de la réalisation, nous avons choisi une con
guration particulière du convertisseur
Buck, à savoir, un convertisseur Buck synchrone (
gure 8.4). Dans cette version, la diode de
roue libre D est remplacée par un second interrupteur S2 . Les deux interrupteurs fonctionent alors
de manière synchrone. Cette modi
cation permet daugmenter le rendement du convertisseur, car la
chute de tension aux bornes dun interrupteur est plus faible que celle aux bornes dune diode. Il
est également possible daugmenter encore le rendement en gardant la diode en parallèle du second
interrupteur S2 . La diode permet alors dassurer le transfert dénergie lors de la courte période où les
interrupteurs sont ouverts [86].
Le prototype à réaliser peut être représenté par un schéma synoptique constitué de trois blocs de
base comme le montre la
gure 8.5.
135
- Tension drain-source maximale VDS(max) .
- Tension de seuil minimale VT H(min) .
- Charge total de la grille Qg
Nous avons choisi le MOSFET IRFZ44N dInternational Recti
er pour sa disponibilité. Ce MOS-
FET sera utilisé pour les deux interrupteurs haut et bas. Ses caractéristiques principales sont :
- Résistance à létat on : RDS(on) = 17:5mA:
- Tension drain-source maximale : VDS(max) = 55V:
- Tension de seuil minimale : VT H(min) = 2V:
- Courant Drain continu maximal à 25E C : ID = 49A:
- Charge total de la grille : Qg = 63nC
- Temps de montée : tr = 60ns
- Temps de chute : tf = 45ns
Figure 8.6 : Broches du LT1158 Figure 8.7 : Schéma dune application typique du LT1158
La
gure 8.7 montre une application typique du Driver. Le LT1158 pilote les MOSFETs haut et bas
(pin 14,15 et 8,9 respectivement) suivant le signal PWM généré par le microcontrôleur (pin 6). Ainsi,
un seul signal est nécessaire pour commander les deux FETs. Le driver assure leur synchronisation
et évite davoir les deux FETs passant en même temps, ce qui provoquerait un court-circuit. La
diode et le condensateur de 0.1F font partie du circuit damorçage qui génère la tension nécessaire
à la commande du MOSFET haut. En e¤et, lorsquun N-MOSFET est utilisé comme interrupteur
haut, la tension appliquée à sa grille doit être supérieur de 10V par rapport à la tension à sa source.
Dautre part, une pompe de charge intégrée est actionnée en cas de besoin dactiver le MOSFET haut
continuellement. Les tensions grille-source sont internement limitées à 14.5V lors dun fonctionnement
à des tensions dalimentation plus élevée.
136
Choix de la Diode de blocage
La diode à utiliser doit être de faible seuil à létat passant pour minimiser les pertes de puissance
par conduction et de faible temps de commutation. Une diode Schottky de puissance savère plus
satisfaisante. En outre, cette diode doit supporter un courant moyen direct de 10A et une tension
inverse de plus de 20V.
Bloc de Commande
Choix du microcontrôleur
On ce qui concerne le choix du microcontrôleur, nous avons opté pour le microcontrôleur PIC
de Microchip, plus particulièrement, à la famille Middle-Range (milieu de gamme) qui utilise des
instructions sur 14 bits [87][88][89]. Pour notre application, le microcontrôleur adéquat doit satisfaire
les conditions suivantes :
- 3 entrées con
gurées en convertisseurs analogiques numériques CAN.
- 1 sortie PWM.
- une mémoire de programme de taille su¢sante.
Le PIC16F876A remplit parfaitement ces conditions. La
gure 8.8 montre la disposition de ses
broches. Ses caractéristiques principales sont [90] :
- Une mémoire de programme (ash) de 8K(mots de 14bits).
- Une mémoire de données (RAM) de 368 Bytes.
- Une mémoire de données (EEPROM) de 256 Bytes.
- Ports dentrée/sortie : 3 (Ports A, B et C).
- 3 Timers (Timer0, Timer1 et Timer2).
- 2 modules pour PWM avec une résolution de 10 bits (CCPx).
- Module de conversion Analogique/Numérique CAN de 10bits : 5 canaux.
- Jeux dinstructions :35 instructions.
- Fréquence de fonctionnement : 20MHz.
- Boitier : PDIP 28 pins.
Technologie CMOS :
- Technologie ash haute vitesse.
- Large tension de fonctionnement (de 2V à 5.5V).
- Basse consommation de puissance.
137
Le circuit minimal pour faire fonctionner le PIC est représenté sur la
gure ci-dessous (
gure 8.9).
C1
U2
15p X2 9
OSC1/CLKIN RB0/INT
21
CRYSTAL 10 22
OSC2/CLKOUT RB1
23
C2 RB2
2 24
RA0/AN0 RB3/PGM
3 25
RA1/AN1 RB4
4 26
RA2/AN2/VREF-/CVREF RB5
15p 5 27
+5V RA3/AN3/VREF+ RB6/PGC
6 28
RA4/T0CKI/C1OUT RB7/PGD
7
RA5/AN4/SS/C2OUT
R1 11
RC0/T1OSO/T1CKI
1 12
MCLR/Vpp/THV RC1/T1OSI/CCP2
10k 13
RC2/CCP1
14
RC3/SCK/SCL
15
RC4/SDI/SDA
4
16
RC5/SDO
17
RC6/TX/CK
18
RC7/RX/DT
PIC16F876A
VDD = +5V
1
VSS = GND
Pour être en sécurité, on choisit 3V comme valeur maximale côté PIC. Pour obtenir la valeur des
résistances nécessaires, on utilise la relation :
Vpv;max R1 + R2
= (8.8)
VP IC R2
avec Vpv;max = 23V (tension de circuit ouvert pour une température de 0E C), VP IC = 3V:
On obtient :
R1 = 6:67R2 (8.9)
Il su¢t alors de choisir R1 = 1kA et R2 = 6:8kA
Choix de lampli
cateur
Un ampli
cateur est nécessaire dans le circuit pour ampli
er la tension relative au courant du GPV
mesuré. Cependant, il ne faut pas dépasser le seuil tolérable par le microcontrôleur (+5V). Notre choix
sest porté sur le LM358N dont la disposition des broches est donnée ci-bas. La résistance de mesure
que nous utiliserons est de 0:11A
Le gain de lampli
cateur di¤érentiel peut être
xé en con
gurant les résistances externes. Pour
cela, en se
xe une tension en sortie de 3V. Sachant que le courant maximal débité par le GPV est
138
de 5A, la tension aux bornes de la résistance de mesure sera au maximum de 0.55V. Le gain de
lampli
cateur est donc de 5.45. Il su¢t de choisir des résistances de 1kA et 5:7kA.
Bloc dAlimentation
A
n de fournir la tension nécessaire au fonctionnement du Driver de MOSFET, de lampli
cateur
et du microconrôleur, un régulateur de tension doit être utilisé. Nous avons sélectionné le régulateur
KA78R05 de Fairchild. Le régulateur est utilisé pour abaisser la tension prise à partir de la batterie
aux 5V requises. La tension maximale accéptée à son entrée est de 35V et le courant que peut fournir
le régulateur est de 1A, ce qui est su¢sant pour notre application.
Le convertisseur statique Buck synchrone est formé par linductance L1 , des condensateurs en
entrée C1 et C2 , du condensateur en sortie C3 , des MOSFETs synchrones Q1 et Q2 (IRFZ44N), du
MOSFET Q3 (IRFZ44N) et du transistor NPN Q4 (PN2222A) pour gérer la connexion de la charge,
de la diode de recouvrement rapide D3 , utilisée pour soutenir la circulation du courant lorsque le
MOSFET bas est saturé et de la diode de blocage D2 pour empêcher le courant de la batterie de
circuler dans le circuit pendant la nuit.
139
Entrée : Panneau solaire
B1
1
BORNIER2 Q1 +Vbat
IRFZ44N
C1 C2
R9 330uF 330uF
Batterie 12V Charge
0.22 L1 D2 B2 B3
1 1
R1
120uH 2 2
0.22
BORNIER2 BORNIER2
+5V Q2
R6 R11 IRFZ44N
D3 C3
1k 6.8k
100uF R7
1k2
U1:A
Figure 8.11 : Schéma du prototype à réaliser
8
C18 Q3
3 100nF
R2 IRFZ44N
1
R4 2
C6 1k
R12 C10 100
R5 LM358N
1k
0.1u D1
4
0.1uF 5k7
VLT 1N4148
U3 C12
16
R13
1
R3 6.8k
BOOST DR BOOST 0.1uF
5k7
2
V+ T GATE DR
10 15
V+ T GATE FB
14
T SOURCE
6 13
INPUT R8 Q4
C4 C13 SENSE- BC547
0.1uF 10uF
4
ENABLE SENSE+
12 R14 C11 1k2
5 11 1k
FAULT 0.1uF
GND
B GATE DR
3 9
BIAS B GATE FB
8
140
7
C14 LT1158CN
0.01uF
LCD1
LM016L
VDD
VSS
VEE
RW
X1
RS
U2
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
KA78R05 15pF 15pF
4
E
1
R16
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
VI Vdis VO
2
330 CRYSTAL
GND
C7 LED1
47uF C9 C8 C17 LED-RED
U4
3 +5V
100n 100n 47uF 9 21
OSC1/CLKIN RB0/INT
10 22
OSC2/CLKOUT RB1
U4_VDD 23
RB2
2 24
RA0/AN0 RB3/PGM
3 25
R15 RA1/AN1 RB4
4 26
RA2/AN2/VREF-/CVREF RB5
10k 5 27
RA3/AN3/VREF+ RB6/PGC
6 28
RA4/T0CKI/C1OUT RB7/PGD
7 LED2
C5
RA5/AN4/SS/C2OUT
11 R19 Indicateur de fonctionnement
RC0/T1OSO/T1CKI
0.1uF 1 12
MCLR/Vpp/THV RC1/T1OSI/CCP2 330 du software
13
RC2/CCP1 LED-GREEN
RC3/SCK/SCL
14 LED3
15 R18
TITLE: DATE: RC4/SDI/SDA Batterie faible
16
RC5/SDO 330
17
RC6/TX/CK
Maximum Power Point Tracker 18/11/11 U4_VSS RC7/RX/DT
18 LED-YELLOW
LED4
PAGE: R17
PIC16F876A Batterie chargée
VDD=+5V 330
BY: Boukli-Hacene Omar REV: 7 1/1 VSS=GND LED-RED
Figure 8.12 : Prototype du convertisseur MPPT réalisé.
Le microcontrôleur PIC16F876A est cadencé à 20Mhz par le biais dun quartz. Il est alimenté en 5V
que fournit le régulateur de tension KA78R05. Les PIN 2 (RA0), 3 (RA1) et 4 (RA2) sont con
gurées
en convertisseur analogique numérique (CAN). La PIN 2 (RA0) est reliée à la sortie de lampli
cateur
LM358N pour la mesure du courant du GPV, la PIN 3 (RA1) reçoit le signal arrivant du diviseur de
tension pour la mesure de la tension du GPV et la PIN RA2 arrive du diviseur de tension pour la
mesure de la tension de la batterie. La PIN 14 (RC3) est destinée à activer ou désactiver le driver de
MOSFET. La PIN 13 (RC2) fournit le signal PWM pour la commande du driver et par conséquent des
MOSFETs. Le PIC utilise 3 LED sur les PIN 16 (RC5),17 (RC6) et 18 (RC7) pour indiquer létat du
dispositif et de la batterie. La PIN 15 (RC4), quant à elle, est utilisée pour commander le MOSFET
Q3 via le transistor Q4 . On se qui concerne la¢cheur LCD, les données sont transmises par le PIC
via les PIN 25 (RB4) à 28 (RB7) et la commande se fait à travers les PIN 21(RB0) à 23 (RB2).
141
Lutilisation de la programmation en C présente de multiples avantages [94][95][96][98] :
- Universalité du langage.
- Lisibilité : le C est plus facile à comprendre que lassembleur.
- Rapidité de développement : le temps nécessaire pour le développement dun programme est 5
fois moindre quen assembleur.
- Les compilateurs produisent un code qui est assez proche dun code en assembleur manuellement
fait en terme de taille et de performance.
- Portabilité : le programme peut être facilement remanié pour un microcontrôleur di¤érent.
- Disponibilité dune bibliothèque de fonctions étendue qui couvre une grande partie des besoins
en programmation des mirocontrôleurs.
- Facilité et rapidité dadaptation des algorithmes déjà développés.
Le wizard (magicien) quo¤re le compilateur de CCS est fort utile, il permet sans faire de calcul
de con
gurer directement le PIC.
La lecture dun courant ou dune tension se fait par le biais dune fonction "read_avg" qui :
- soccupe de choisir le canal à convertir.
- fait un moyennage sur 10 échantillons.
Le programme e¤ectue ensuite un test sur la tension de la batterie pour véri
er si elle na pas atteint
le seuil de décharge complète. Si cest le cas, la LED jaune est allumée et la charge est déconnectée
du système et le restera jusquà ce que la tension de la batterie atteint la tension Vb_on (nous avons
choisi 13V). La LED jaune sera alors éteinte. La variable "load_on" est utilisée pour indiquer létat
de connexion de la charge. Un autre test est fait sur la tension, là encore, pour éviter une éventuelle
surcharge. Si le test est positif, la LED rouge est allumée, sinon elle sera éteinte.
142
Début
Initialisation
Lire Vbat
oui
Vbat < Vb_discharged
&& load_on
Déconnecter charge
load_on = false non
Allumer LED jaune
oui
Vbat > Vb_on
&& !load_on
Connecter charge
load_on = True Désactiver Interruption
non du Timer1
Etteindre LED jaune
D% = 100%
oui
Vbat > Vb_charged
Délai 20ms
non
Calculer Ppv_100
oui
seconds > 60
&& !charged
Calculer le Gain de
puissance G
non
Délai 100ms
Lalgorithme MPPT vu au chapitre 5 rentre alors en jeu sil n y a pas de surcharge. Cette étape
soccupe de :
- la lecture du courant et tension du GPV.
- la mise en oeuvre de lalgorithme MPPT.
- la mise à jour des variables pour le prochain cycle.
Toutes les 60 secondes environ, et à condition que la batterie ne soit pas chargée, on connecte
directement le GPV à la batterie (D% = 100%), a
n de calculer le gain de puissance apporté par
143
lalgorithme MPPT utilisé. Pour cela, la lecture du courant (Ipv_100) et tension (Vpv_100) du GPV
est e¤ectuée. Pour le comptage des secondes, on fait appel à linterruption de débordement du Timer1
qui se produit chaque 104ms comme le montre lorganigramme de la
gure 8.13. Le calcul de cette
durée se fait en appliquant la relation :
Le rapport cyclique est ensuite appliqué à laide dune fonction qui adapte la valeur du rapport
cyclique.
La¢chage des di¤érentes grandeurs se fait sur la¢cheur LCD 4 fois par seconde. Un délai de
100ms est en
n imposé avant le cycle suivant.
Pour la gestion de lénergie de la batterie, nous avons utilisé un algorithme simple destiné à la
protéger de la surcharge et de la décharge profonde. Un algorithme plus sophistiqué peut être mis en
oeuvre a
n doptimiser cette gestion. Ceci nétant pas lobjectif de notre projet, nous avons préféré
garder lalgorithme choisi.
Interruption
Timer 1
non
Interrupt_counter++ >
one_second
oui
Interrupt_counter = 0
seconds++
Fin Interruption
Pour implanter le programme dans le microcontrôleur, plus particulièrement le
chier Hex, nous
avons réalisé un programmateur de PIC (JDM programmer) dont le schéma est donné sur la
gure
8.15. Côté software, nous avons utilisé le logiciel WinPic800 pour communiquer avec le programmateur.
144
CONN-D9F
J1
1
6
2
7
3
8
4
9
5
R1
15k
100k
R2
C4
C3
1u
1u
+5V
BC547BP
Q1
VCC=+5V
MAX232
C9
10u
LED-GREEN
14
13
U1
7
8
2
6
LED1
+5V
VS+
VS-
R1IN
R2IN
T1OUT
T2OUT
C1-
C2-
3
R3
4k7
C1
C2
1u
1u
100k
R4
R1OUT
R2OUT
C1+
C2+
R7
T1IN
T2IN
2k2
1
BC557AP
Q2
11
12
10
9
R5
47k
+13V
10
100n
C6
13
12
6
VSS=GND
VDD=+5V
VSS=GND
VSS=GND
VSS=GND
U2:C
VDD=+5V
VDD=+5V
VDD=+5V
4093
U2:D
U2:B
U2:A
4093
4093
4093
9
4
11
R6
1k
RB6 CLK
330p
C5
RB7 DATA
VPP
+5V
C10
5
100n
TBLOCK-I5
4
3
2
J2
1
RB6_
MCLR_
LED-RED
LED2
RB7_
+5V
LED-RED
LED3
RB6_
RB7_
560R
R8
21
22
23
24
25
26
27
28
11
12
13
14
15
16
17
18
C7
47u
R9
2k2
C8
47u
RC7/RX/DT
RC6/TX/CK
RC5/SDO
RB6/PGC
RB7/PGD
RB1
RB2
RB4
RB5
RC1/T1OSI/CCP2
RC2/CCP1
RC3/SCK/SCL
RB3/PGM
RC4/SDI/SDA
RB0/INT
RC0/T1OSO/T1CKI
+5V
+13V
U3
2
U4
1N4733A
RA2/AN2/VREF-/CVREF
KA78R05
VO
KA78R08
VO
RA5/AN4/SS/C2OUT
D1
RA4/T0CKI/C1OUT
GND
RA3/AN3/VREF+
Vdis
4
MCLR/Vpp/THV
OSC2/CLKOUT
GND
Vdis
3
4
OSC1/CLKIN
3
PIC16F876A
RA0/AN0
RA1/AN1
VSS=GND
VDD=+5V
VI
VI
U5
1
1
9
10
2
3
4
5
6
7
1
BORNIER2
1
MCLR_
B1
Microchip propose deux familles dénommées Digital Signal Controler (dsPIC30F et dsPIC33F),
qui sont des microcontrôleurs avec des capacités de calcul renforcées et des périphériques de conver-
145
sion analogique-numérique. Le composant que nous avons sélectionner pour notre application est le
dsPIC33FJ16GS502 de MICROCHIP. Ses caractéristiques principales sont [99] :
- Architecture Harvard modi
ée.
- Architecture du jeu dinstruction optimisé pour le compilateur C avec des modes dadressage
exible et e¢cace.
- 83 instructions de base.
- 24-bit instructions, 16-bit data.
- 16 kByte de mémoire FLASH (Programme).
- 2 kBytes de SRAM (Data).
- Capacité de calcul jusquà 40 MIPs (à 3.0-3.6V).
- Oscillateur interne et boucle à verrouillage de phase (PLL) avec une horloge de 120MHz.
- 35 sources dinterruption.
- 3 Timers 16 bits.
- 4 sorties PWM avec une résolution de 16 bits .
- Module de Conversion Analogique/Numérique CAN de 10 bits : 8 canaux avec 6 échantillonneurs
bloqueurs (tau déchantillonage de 4 Msps).
- Boîtier : SPDIP 28 pins.
Technologie CMOS :
- Technologie ash haute vitesse.
- Tension dalimentation 3.3V (610%).
- Consommation de puissance basse.
Deux caractéristiques principales font la di¤érence avec le composant précédent pour notre applica-
tion. Il sagit de la capacité de calcul qui est de 40 MIPs (Millions dInstructions Par seconde) pour le
dsPIC33FJ16GS502 contre 5 MIPs pour le 16f876A, le nombre de signaux pouvant être convertis à la
fois (CAN) grâce à la présence de 6 échantillonneurs bloqueurs indépendants et le temps de conversion.
En e¤et le temps de conversion minimum dun bit (TAD ) est de 35:8ns pour le dsPIC33FJ16GS502
et 1:6s pour le 16F876A, soit dix fois plus rapide. Le tableau ci-dessous donne un récapitulatif sur
le temps de numérisation pour les deux composants. Il est claire que le dsPIC33FJ16GS502 est bien
plus performant [99] [100][90] .
dsPIC33FJ16GS502 PIC16F876A
Temps dacquisition (TACQ ) 2TAD 19:2s
ou déchantillonnage (TSAM P )
Temps de conversion (TCON V ) 14TAD 14TAD
Total 0:573s 41:6s
Malheureusement, nous navons pas pu nous procurer le dsPIC33FJ16GS502, ce qui nous a empêché
dapprofondir linvestigation à ce niveau.
8.6 Conclusion
Dans ce dernier chapitre, nous avons présenté les di¤érentes étapes et la méthodologie suivie pour
la conception et la réalisation du convertisseur MPPT. Nous avons ensuite fait le choix des di¤érents
composants et nous avons montré lorganigramme de la commande. Malheureusement, nous navons
pas pu appliquer les deux approches de régulation de la tension photovoltaïque vues dans le chapitre
précédent, car le microcontrôleur choisi nétait pas assez puissant.
146
Conclusion Générale
8.7 Sommaire
Cette étude a été centrée sur lamélioration des performances et du rendement dun système photo-
voltaïque. Lobjectif principal était de trouver un algorithme e¢cace et optimal permettant dextraire
le maximum de puissance disponible à partir du générateur photovoltaïque.
Dans le premier chapitre, des notions sur lénergie solaire et ses caractéristiques ont été annoncées
ainsi que les di¤érents types de systèmes photovoltaïques existants et le potentiel solaire en Algérie.
Le quatrième chapitre a fait létude de lunité de stockage (batterie), son principe de fonctionne-
ment, ses caractéristiques, sa modélisation, sa di¤érence avec une batterie classique et son couplage
direct avec un GPV.
Le cinquième chapitre a entamé la partie la plus importante et la plus délicate de cette thèse.
E¤ectivement, la description du convertisseur MPPT qui est un convertisseur de puissance (DC/DC)
commandé par un algorithme MPPT a été faite. Aussi, le principe de recherche du MPP a été élucidé.
Létude du fonctionnement dun convertisseur de puissance de type Buck a été traitée de manière
approfondie aboutissant à un modèle mathématique linéarisé (modèle petits signaux). Le dimension-
nement du convertisseur a été exposé ainsi que la classi
cation des commandes MPPT. La boîte outil
SimPowerSystems sous Simulink a permis aisément de constituer les modèles de simulation des conver-
tisseurs. Dans la dernière partie, les algorithmes MPPT les plus répondus existants dans la littérature
ont été présentés.
Le sixième chapitre a été dédié à la simulation du convertisseur MPPT sous Simulink en utilisant la
boîte outil SimPowerSystems. Ceci a permis de constituer une bibliothèque de composants relatifs à un
système photovoltaïque, intégrant les modèles du GPV, du convertisseur de puissance, de lalgorithme
MPPT Perturbation et Observation (Perturb & Observe) et de la charge ou batterie. Les di¤érents
147
composants ont tous été dotés dun masque facilitant leur paramétrage. Le¢cacité de lalgorithme
MPPT a été démontrée à travers les résultats de la simulation. Une panoplie de tests a été utilisée
pour mettre lalgorithme en épreuve dans le cas de conditions climatiques et une charge variables.
Les résultats des tests ont alors exhibé le défaut principal de lalgorithme P&O qui est sa mauvaise
interprétation de la localisation du MPP lors dun changement brusque des conditions climatiques.
Lamélioration de lalgorithme P&O a permis de passer outre ce problème. Le problème, tout aussi
réaliste, de lombrage partiel du GPV a été mis en évidence grâce au modèle proposé qui a permis
la simulation dun tel phénomène. En e¤et, dans ce cas, plusieurs maxima locaux peuvent apparaître
induisant lalgorithme MPPT en erreur et menant de la sorte à une perte de puissance non négligeable.
La solution proposée qui consiste à faire un balayage sur toute la plage de la tension a permis de
remettre lalgorithme sur la bonne direction, assez proche du vrai MPP.
Dans le chapitre huit, les di¤érentes étapes et la méthodologie suivie pour la conception et la
réalisation du convertisseur MPPT ont été exposées. Le choix des di¤érents composants a ensuite été
justi
é et lorganigramme de la commande a été exhibé. Il na pas été possible dappliquer les deux
approches de régulation de la tension photovoltaïque, car le microcontrôleur choisi nétait pas adapté.
8.8 Conclusion
Lobjectif de cette thèse est daméliorer les performances et le rendement dun système photovol-
taïque en faisant appel à un algorithme spéci
que. La modélisation de tout le système photovoltaïque
étudié est établie facilitant son analyse. Linterface de puissance représentée par un convertisseur à
commutation est profondément étudiée.
148
non linéaire. Les deux approches donnent des résultats satisfaisants en simulation avec un avantage ef-
fectif pour la deuxième. Finalement, les di¤érentes étapes et la méthodologie suivie pour la conception
et la réalisation du convertisseur MPPT de type Buck commandé par le microcontrôleur PIC16F876A
sont exposées.
Nous estimons que ce travail peut être enrichi par plus de recherches et investigations sur les points
suivants :
- Dans cette étude, les pertes dans les di¤érents composants de linterface de puissance nont pas
été prises en compte. Une étude plus rigoureuse peut être faite pour montrer linuence de ces pertes
sur le rendement du système.
- Les bruits de mesure et les perturbations doivent aussi être pris en compte et un
ltre peut être
réalisé.
- Lestimation des pertes dans les di¤érents composants peut être faite.
- Une fonction de poursuite de la trajectoire du soleil peut être intégrée au système de commande.
- Développer létude pour les systèmes photovoltaïques raccordés aux réseaux de distribution élec-
trique ou comportant un onduleur.
- Lamélioration de lalgorithme Perturbation et Observation peut intégrer une autre approche
comme la logique oue.
- Limplantation des lois de commande pour la régulation de la tension photovoltaïque étudiées
dans un DSP.
149
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154
Annexe A
155
Figure A.2 : Modèle dune entrée analogique
156
A.1.2 Temps de conversion
Une fois la tension du condensateur atteint la valeur de la tension à numériser le convertisseur
procède à la conversion. Le temps de conversion dun bit est noté TAN tel que [90] :
avec prédiviseur égal à 2, 4, 8, 16, 32 ou 64. Si on utilise un oscillateur RC interne TAN vaut entre
2 et 6s
Pour une conversion A/N correct, le temps TAN doit être ajusté pour quil soit au minimum de
1; 6s .Puisque notre PIC16F876A est cadencé à 20Mhz, on peut choisir le prédiviseur 32.
On note aussi quun temps équivalent à 2TAN est nécessaire avant de pouvoir e¤ectuer une nouvelle
conversion.
En résumé :
1 La charge du condensateur interne nécessite le temps TACQ
1 La conversion nécessite le temps 12TAN .
1 On doit attendre 2TAN avant de pouvoir recommencer une autre conversion.
Vgamme
Vresolution = (A.7)
2n 0 1
avec n : nombres de bits du CAN, Vgamme gamme de tolérence du PIC (5V).
157
Annexe B
Le PIC16F876A dispose de deux modules CCP1 et CCP2. Ces deux modules sont fortement liés
aux timers 1, timers2 et au CAN. Ils sont strictement identiques, excepté la possibilité pour le module
CCP2 de démarrer automatiquement la conversion A/N. Ces deux modules CCP sont capables de
générer un signal PWM dune période Tpwm (
xe) et dun rapport cyclique variable. La résolution
peut aller jusquà 10 bits [90].
Le module CCP peut être con
guré en mode PWM par linitialisation des registres TRISC, PR2,
CCPxCON, CCPRxL T2CON. Le bit TRISC<x> doit être mis à 0 pour con
gurer la PIN CCPx en
sortie. La
gure B.1 montre le schéma bloc simpli
é du module CCP en mode PWM.
158
Ce qui donne pour notre cas :
1005
P R2 = 0 1 = 49 (B.3)
4 1 5 1 1008 1 1
Il est à noter que le postdiviseur du Timer2 nest pas utilisé pour la détermination de la fréquence
du signal PWM.
Tpwm;on = CCP R1L : CCP 1CON < 5 : 4 > 1TOSC 1 Prédiviseur de TMR2 (B.4)
avec Tpwm;on est le temps Ton pendant lequel le signal PWM est égal à 1.
Pour notre cas par exemple, pour avoir D% = 100%, il faut mettre la valeur 200 dans CCP R1L :
CCP 1CON < 5 : 4 > : Cette valeur est donc la maximale à mêttre dans le registre CCP R1L :
CCP 1CON < 5 : 4 > :
159
En résumé pour con
gurer le module CCP en mode PWM, nous devons suivre les étapes suivantes :
- Dé
nir la période Tpwm en écrivant dans le registre PR2.
- Dé
nir le rapport cyclique en écrivant dans le registre CCPRxL et les bits CCPxCON<5 :4>.
- Initialiser le registre TRISC (bit 1, 2 =0) pour con
gurer la broche CCPx en sortie.
- Dé
nir la valeur du prédiviseur du TMR2 et lancer le Timer2 en écrivant dans T2CON
- Con
guration du registre CCPxCON pour travailler en mode PWM.
La résolution maximale (en bits) pour une fréquence PWM donnée est exprimée par la formule
suivante :
log FFOSC
pwm
Resolution = (B.6)
log (2)
Pour notre cas, cela donne une résolution de 7.64 bits, ce qui donne en terme de résolution du
rapport cyclique de 0:5%:Pour augmenter la résolution, il est impératif de diminuer la fréquence du
signal PWM.
160
1234526
123456728928AB73CDD7E7F2896372327FC3C72DCCBC39722ECF6A2CF2DC7F732F2CEE72C967284AF7672
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