Dimensionnement et commande des onduleurs

multi-niveaux asymétriques
Sébastien Mariéthoz, Prof. Alfred Rufer
Laboratoire d’Electronique Industrielle (LEI)
Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL)
CH-1015 Lausanne EPFL, Suisse

sebastien.mariethoz@epfl.ch
http://leiwww.epfl.ch

Résumé— Cet article traite des onduleurs multi-niveaux asy-

métriques à cellule en série. Ces onduleurs sont constitués v o
de cellules onduleur, connectées en série et dont les tensions U i C
d’entrée sont différentes. La condition d’uniformité de ces
onduleurs et une condition plus restrictive permettant de
minimiser les commutations sont établies. Ces 2 conditions
facilitent le choix des tensions d’alimentations des cellules. C U i 2 U i 1 U i
A partir d’une approche géométrique, une stratégie de com- V o
mande adaptée à la minimisation des commutations et donc U i 2
des pertes associées est proposée, ainsi qu’une approche di-
gitale pour la commande des onduleurs multi-niveaux. Les
résultats présentés sont généraux.
U i 1

I. Introduction 0 0

Les onduleurs multi-niveaux permettent d’augmenter la (a) (b)

tension de sortie des convertisseurs statiques au delà des
limites des semi-conducteurs. Il y a 4 directions principales
pour réaliser un onduleur multi-niveaux : V O +
U V O + U
– le NPC (Neutral Point Clamped inverter) dont des i i,C

solutions à 3 niveaux [1], et à 5 niveaux [2] ont été

C C
réalisées Figure 1(a),
– les onduleurs multi-niveaux à cellules imbriquées [3] U i,2
Figure 1(b),
– l’addition des tensions de sortie avec un transforma- 2 2
teur [4] Figure 1(c), V
V U i,1 O -
– les onduleurs multi-niveaux à cellules en série Figure O -

1(d).
Ces topologies peuvent être combinées, récemment [5] a
notamment proposé une solution hybride entre les cellules
imbriquées et le NPC.
Les onduleurs multi-niveaux symétriques sont une alter-
native au NPC et aux cellules imbriquées pour augmenter
la tension de sortie d’un onduleur [6], [7]. Ils permettent
également d’alimenter un dispositif basse tension à par-
tir d’une tension moyenne ou d’une tension élevée, par
exemple en traction [8]. Pour améliorer la résolution de
ces convertisseurs sans en augmenter le nombre de cel-
lules, il est possible d’alimenter les cellules avec des tensions
d’entrée différentes. [9] propose d’utiliser un facteur 2 entre
les tensions d’entrée des cellules, [10] propose un facteur 3.
Par opposition aux onduleurs multi-niveaux symétriques,
ces onduleurs sont appelés onduleurs multi-niveaux asymé-
triques.
Choisir la même tension d’entrée pour toutes les cel-
lules permet d’obtenir la plus grande tension de sortie
avec un nombre minimum de cellules. Choisir des tensions
d’entrées différentes permet d’obtenir le plus grand nombre
1 1
(c) (d)
Fig. 1 – (a) Une branche d’onduleur NPC. (b) Une branche
d’onduleur à cellule imbriquée. (c) Addition avec transfor-
mateur. (d) Onduleur à cellules en série.
de niveaux pour un nombre minimum de cellules. Cette
distinction montre clairement deux champs d’applications
différents : les onduleurs multi-niveaux dans le cadre des
hautes tensions ; les onduleurs multi-niveaux dans le cadre
de la haute résolution. La frontière n’est évidemment pas
bien tracée.
Cet article traite des propriétés de ces onduleurs et des
méthodes pour les commander.

278 Conférence Internationale Francophone d’Automatique, Nantes, 8-10 juillet 2002

 II. Uniformité du pas des onduleurs +
multi-niveaux à cellules en série )
8 )
A. Niveaux et pas des onduleurs multi-niveaux
Un onduleur multi-niveaux peut être considéré comme 8 +

une source de tension contrôlable, capable de prendre un *

8 *
nombre limité de valeurs de tension de sortie. Nous appel-
lerons ces valeurs, les niveaux de l’onduleur, et la différence
entre 2 niveaux successifs, le pas de l’onduleur.
Lorsque les tensions d’entrée sont équilibrées, le pas des (a)
topologies d’onduleurs existantes est toujours uniforme. 15
1
Un pas uniforme permet d’obtenir des lois de commande 14
1
simples. Dans cette première partie, nous allons décrire les 13
1
12
conditions que les tensions d’entrées doivent respecter pour 11
1
obtenir l’uniformité du pas. 3 10
1
9 9
1 1
8
B. Condition d’uniformité du pas 8
1 1
7 7
1 1
Il a été établi que les facteurs 2 et 3 entre les tensions 6 6
1
d’entrée des différentes cellules [9], [10] étaient des cas par- 5
3 1
4
ticuliers permettant d’obtenir un pas uniforme. 1
3 ∆UB 3
1 ∆UB 1
2 2
B.1 Condition d’uniformité pour 2 cellules 1 1
1 1 ∆UA
∆UA 1 1
0 0
La Figure 2 permet de vérifier que, pour obtenir une cel-
lule à pas uniforme en associant 2 cellules à pas uniforme en VA VB VC ∆U VA VB VC ∆U
série, le pas de chacune des cellules doit respecter l’inégalité (b) (c)
suivante :
7.8
7 1
∆UA ≤ ∆UB ≤ a · ∆UA (1) 1 6.8
6 1
1 5.8
5.4 0.4
5 4.8 0.6
avec ∆UA et ∆UB le pas des cellules, a le nombre de ni- 1 4.4 0.4
4 1
veaux de la cellule ayant le plus petit pas. D’autre part, 1 3.4 0.4
3 3 0.6
1 2.4 0.4
∆UB doit être un multiple de ∆UA . 2 2
1 ∆UB 1
1 ∆UB 1
∆UA 1 ∆UA 1
B.2 Amplitude de la sortie et nombre de niveaux 0 0
VA VB VC ∆U VA VB VC ∆U
les 2 expressions suivantes permettent d’obtenir l’ampli-
tude maximale de la tension de sortie ∆Uok et le nombre (d) (e)
de niveaux N k d’un onduleur constitué de k cellules :
Fig. 2 – (a) connexion série de 2 cellules, il y a 4 cas
k
X possibles : (b) le pas de B, ∆UB est trop grand, (c) ∆UB est
∆Uok = (nj − 1) · ∆Uj (2)
à la limite de la condition, (d) ∆UB respecte la condition,
j=1
(e) ∆UB n’est pas un multiple de ∆UA et le pas résultant ne
Pk
(nj − 1) · ∆Uj peut pas être uniforme. (+ niveau de la cellule A, x niveau
k ∆Uok j=1
N = +1=1+ (3) de la cellule B, * niveaux résultants)
∆U1 ∆U1
B.3 Condition générale d’uniformité
A partir des relations (1) et (3), nous obtenons la condi-
tion d’uniformité pour un nombre quelconque de cellules : avec Ui,1 le pas de l’onduleur résultant et Ui,k la tension
d’entrée de la k ième cellule.
k
X
∆Uk ≤ ∆Uk+1 ≤ ∆U1 + (nj − 1) · ∆Uj (4)
j=1
III. Minimisation des pertes par commutation
avec ∆Uk et nk le pas et le nombre de niveaux de k ième
cellule; ∆U1 est également le pas de l’onduleur résultant. A. Représentation d’état
C. Condition d’uniformité du pas des onduleurs 3 niveaux
Il est possible de représenter les niveaux de sortie d’un
Un cas particulier intéressant est la combinaison série de onduleur composé de C cellules dans un espace à C dimen-
ponts en H à 3 niveaux. Dans ce cas, la condition d’unifor- sions. En associant à chacun des axes, la tension de sortie
mité peut-être exprimée en fonction des tensions d’entrée : des cellules composant l’onduleur, chaque état de l’ondu-
k leur est représenté par un point distinct dans cet espace.
X
Ui,k ≤ Ui,k+1 ≤ Ui,1 + 2 Ui,j (5) La tension de sortie de l’onduleur est alors la somme des
j=1 coordonnées de ce point, comme montré à la Figure 3.

Conférence Internationale Francophone d’Automatique, Nantes, 8-10 juillet 2002 279

 1 −2 1 4 FET où les fréquences de commutation admissibles ne sont
pas les mêmes pour les différentes cellules.
Uo,1
0 −3 0 3
1

0.75

0.5
−1 −4 −1 2
−3 0 3 0.25
Uo,2

uo
0

−0.25

Fig. 3 – Représentation des états et transitions pos- −0.5

sibles ainsi que des niveaux associés. Onduleur asymétrique −0.75

−1
2C9N. Il y a 8 transitions possibles parmi lesquelles 2 im- 0 1 2 3 4 5 6

plique la commutation simultanées de 2 cellules (−2 ↔ −1 (a)

1 1
and 1 ↔ 2) et les 6 autres la commutation d’une seule
0.75 0.75
cellule. 0.5 0.5

0.25 0.25

uo,2

uo,1
0 0

−0.25 −0.25
B. Représentation des commutations dans l’espace d’état −0.5 −0.5

B.1 Hypothèse de signal lent −0.75 −0.75

−1 −1
0 1 2 3 4 5 6 0 1 2 3 4 5 6
La plupart du temps, la référence de la tension de sor-
tie de l’onduleur varie lentement, par conséquent elle ne (b) (c)
commute qu’entre 2 niveaux adjacents, de sorte que pour Fig. 4 – Génération d’une sinusoı̈de d’amplitude 0.49 avec
étudier et optimiser la commutation, il suffit de prendre en un onduleur 9 niveaux à 2 cellules : (a) tension de sortie (b)
considération les transitions entre niveaux adjacents. Cette tension de sortie de la grande cellule (c) tension de sortie
approximation convient parfaitement pour la plupart des de la petite cellule. Pour générer la sortie (a), la grande
applications, telles que les moteurs électriques où des varia- cellule module entre 0 et 0.75 en même temps que la petite
tions importantes ne surviennent que pendant les régimes cellule module entre -0.25 et 0.25. Ce qui cause des pertes
transitoires. importantes et une sortie présentant des impulsions.
B.2 Représentation des transitions
Compte tenu de l’hypothèse précédente §III-B.1, nous al-
1
lons étudier les commutations entre les états permettant de
moduler 2 niveaux adjacents. Sur la représentation d’état 0.67

de la Figure 3, nous ajoutons les commutations entre les ni- 0.33

veaux adjacents. Lors de la poursuite d’une référence, l’état

uo

de l’onduleur ne changera que selon ces 8 transitions. −0.33

−0.67
B.3 Fréquence de commutation
−1
0 1 2 3 4 5 6
La représentation de ces transitions soulève un des points
(a)
faibles des onduleurs asymétriques. Dans notre exemple, 6 1 1

des transitions possibles n’impliquent la commutation que 0.67 0.67

d’une cellule (la plus petite) comme dans le cas des ondu-
0.33 0.33
leurs symétriques, mais 2 impliquent la commutation simul-
uo,2

uo,1

0 0
tanées des 2 cellules. A cause de la difficulté de commuter
−0.33 −0.33
les cellules simultanément, la tension de sortie de l’ondu-
leur va présenter des impulsions qui peuvent être gênantes. −0.67 −0.67

D’autre part, les pertes par commutation vont être plus im- −1
0 1 2 3 4 5 6
−1
0 1 2 3 4 5 6

portantes puisque le nombre de cellules commutées est plus (b) (c)

grand. Dans notre exemple, lors d’une modulation entre les
niveaux 1 et 2 ou entre les niveaux −2 et −1, ce problème
peut s’avérer gênant, ce qui est le cas pour la génération de
signaux d’amplitude moyenne comme illustré à la Figure
4. Les deux cellules commutent à une fréquence presque
aussi élevée que le signal de sortie. Elles doivent donc être
dimensionnées pour supporter cette fréquence de commu-
tation, alors que dans le cas des onduleurs multi-niveaux
symétriques, la fréquence de commutation de chacune des
cellules est la fréquence totale de commutation divisée par
le nombre des cellules.
Ce problème est d’autant plus pointu dans le cas d’une
combinaison hybride telle que GTO- IGBT ou IGBT- MOS-
Fig. 5 – Génération d’une sinusoı̈de d’amplitude 0.49 avec
un onduleur 7 niveaux à 2 cellules : (a) tension de sortie (b)
tension de sortie de la grande cellule (c) tension de sortie
de la petite cellule.
C. Règle de dimensionnement d’une solution adaptée aux
commutations
Moyennant un compromis sur la résolution et une straté-
gie adaptée, le problème des commutations soulevé au pa-
ragraphe précédent peut-être résolu.

280 Conférence Internationale Francophone d’Automatique, Nantes, 8-10 juillet 2002

 Les seules transitions posant problème sont celles im-
pliquant la commutation simultanée de plusieurs cellules.
Les autres transitions permettent de moduler 2 niveaux
adjacents en ne commutant qu’une cellule, celle qui est la
plus adaptée aux commutations et les segments formés par
ces transitions seront appelés segments de modulation. Les
commutations simultanées ne peuvent pas être évitées tant
que l’onduleur est asymétrique, en revanche en diminuant
un peu la résolution par rapport à un cas à asymétrie maxi-
male, des niveaux redondants sont ajoutés comme à la Fi-
gure 6. Dans ce cas, il est possible de moduler n’importe
quel couple de niveaux adjacents en se déplaçant unique-
ment le long d’un segment de modulation, c’est à dire sans
faire de commutations simultanées de plusieurs cellules en
même temps.
C.1 Stratégie de commande
Dans le cas avec asymétrie maximale comme à la Fi-
gure 6(a), les états de l’onduleur peuvent être associé di-
rectement aux niveaux. Dans les autres cas, pour minimiser
les commutations, il faudra se déplacer conformément aux
flèches de la Figure 6(b). Les transitions le long de seg-
ments de modulations pourront être parcourues dans les
2 sens, elles pourront donc être utilisées pour la modula-
tion, alors que les transitions impliquant des changements
de segment ne seront parcourues que dans un sens, le retour
s’effectuant par une autre transition de manière à minimi-
ser les pertes. Les flèches définissent l’état que l’onduleur
doit prendre de manière univoque.
C.2 Condition de modulation
De la même manière que l’inégalité (4) permet de définir
la condition d’uniformité, l’inégalité suivante permet de
définir quelles conditions les pas des cellules doivent res-
pecter, pour que n’importe quelle couple de niveaux puisse
être modulé, en ne commutant qu’une seule cellule :
k
X
∆Uk ≤ ∆Uk+1 ≤ (nj − 1) · ∆Uj (6)
j=1
Pour des ponts en H à 3 niveaux, cette expression peut être
exprimée en fonction des tensions d’entrée :
k
X
Ui,k ≤ Ui,k+1 ≤ 2 Ui,j (7)
j=1
La Figure 5 permet de vérifier que, conjointement à la
stratégie proposée, cette solution permet de résoudre le
problème mis en évidence à la Figure 4. Il n’y a plus que
la cellule avec la plus petite tension d’entrée qui effectue la
modulation. Cela permet également de mettre en évidence
un des aspects des onduleurs multi-niveaux asymétriques
respectant la condition de modulation (6). Lors de la mo-
dulation, les commutations sont partagées entre les cel-
lules alimentée par une petite tension, ce qui signifie que
ces cellules doivent être dimensionnées pour être perfor-
mantes en commutations, alors que les cellules alimentées
par des tensions plus élevées ne devront être performantes
qu’en conduction puisqu’elles ne seront que peu sollicitées
en commutation.
Conférence Internationale Francophone d’Automatique, Nantes, 8-10 juillet 2002
1 1 3
0 3 0 2
2 1
(a ) 2 C 9 N (b ) 2 C 7 N
Fig. 6 – En ajoutant des niveaux redondants, le problèmes
des commutations simultanées pendant la modulation peut-
être supprimé. (a) Onduleur 9 niveaux sans redondance.
(b) Onduleur 7 niveaux avec redondance. La modulation
entre les niveaux 1 et 2 peut être effectuée en ne commutant
qu’une seule cellule.
La condition de modulation (6) est tout à fait générale.
Par exemple, pour un onduleur constitué d’une cellule 2
niveaux et de 2 cellules 3 niveaux, dont une branche est
représentée à la Figure 7, elle permet d’établir que la plus
grande asymétrie des pas permettant une modulation avec
peu de pertes par commutation est 6 ∆U , 2 ∆U , ∆U ce
qui donne 13 niveaux, alors que la plus grande asymétrie
conservant l’uniformité du pas est 9 ∆U , 3 ∆U , ∆U ce qui
donne 18 niveaux. La représentation des états et des ni-
veaux et transitions associées est montrée à la Figure 8.
Par ailleurs, la loi de commande se résume à énoncer
qu’il faut se déplacer le plus longtemps possible le long
des segments de modulations, ce qui permet d’ajouter à la
représentation d’état, le sens de parcours des transitions
impliquant des commutations simultanées. En divisant en
deux cette représentation, nous obtenons une trajectoire à
suivre pour les niveaux croissant et une trajectoire à suivre
pour les niveaux décroissant comme montré à la Figure 9.
A partir de ces représentations, la connaissance de l’état de
l’onduleur et du sens de variation de la tension de référence
permet de déterminer l’état à appliquer à l’onduleur pour
minimiser les commutations.
$ 7 7 7
Fig. 7 – Schéma d’une branche d’onduleur 3C13N
IV. Méthode digitale de commande des
onduleurs multi-niveaux
La méthode traditionnelle pour commander un onduleur
multi-niveaux consiste à utiliser un ensemble de porteuses
triangulaires qui permettent, comparées à une référence
continue, de générer les signaux de commande de l’ondu-
leur.
Ces méthodes peuvent être implantées de manière analo-
gique ou digitale, mais leur nature est plutôt analogique et
elles deviennent rapidement compliquées, voire irréalisables,
avec l’augmentation de la complexité de l’onduleur et de
la modulation. D’autre part, la plupart des systèmes ac-
281
 6
5 4

5 4
3 2
0
4 3 2 1
1
0
1
−1 −2
2 1 0
−1 −2
0
−3 −4

−4 0 −1 3
−2 −3 2
−1 3 −5
2
−4 −5 0 0
0 0 −6

−6 −2 −3
−2 −3
(a)
(a) 6

4 3
1
1
2 1
−1
0
0
0
−2 −3
−1 3
−1 3 2
2 −4 −5

0 0
0 0

−2 −3
(b)
Fig. 8 – (a) Représentation d’état de l’onduleur 3C13N : le
niveau à la fin d’un segment de modulation (segment verti-
caux) et au début du suivant est le même. (b) La stratégie
consiste à se déplacer dans les 2 sens le long des segments
de modulation (marqué en gras) et à respecter le sens de
parcours des segments à sens unique (sens marqué par une
flèche). Cette représentation permet une implantation lo-
gique directe par machine d’état.
tuels sont basés sur des solutions entièrement digitales avec
micro-contrôleur ou DSP. L’approche entièrement digitale
permet de simplifier l’implantation de l’ensemble des fonc-
tions de commande de l’onduleur multi-niveaux.
A. Description fonctionnelle de la commande d’un ondu-
leur multi-niveaux
La Figure 10 représente le schéma fonctionnel de la com-
mande d’un onduleur multi-niveaux.
Le bloc A effectue la fonction de réglage du système, avec
à son entrée toutes les grandeurs permettant de régler le
système, et à sa sortie la tension à appliquer au dispositif à
régler. Pour le régulateur, l’action sur le système à régler est
effectuée avec une source de tension idéale, éventuellement
bornée et discrète. En conséquence, il délivre une tension
de référence. L’onduleur doit appliquer une tension dont
l’effet sur le système, sera le plus proche de celui de cette
tension de référence. Les effets importants seront définis
par le cahier des charges : la dynamique, la distorsion har-
monique, ou la minimisation d’effet parasites tels que par
exemple les couples oscillants pour un moteur, etc.
La tension réellement appliquée aux bornes du dispositif
physique à régler est générée par le biais du bloc B, le
bloc modulateur qui construit la trame à appliquer avec
−2 −3
(b)
Fig. 9 – Pour l’implantation logicielle de la stratégie il y
a une trajectoire pour les référence croissante (a) et une
autre pour les trajectoires décroissantes (b)
.
les niveaux disponibles.
Si un seul état de commande de l’onduleur permet d’at-
teindre cette tension, une simple association permet de
déterminer les signaux de commande de l’onduleur, comme
c’est le cas, pour les onduleurs avec asymétrie maximale.
En revanche, si plusieurs états de commande permettent
d’atteindre cette tension, comme c’est le cas avec les solu-
tions performantes en modulation qui respectent la condi-
tion (6), il faut un bloc qui implante la stratégie proposée.
C’est le rôle du bloc C qui effectue l’association entre la
tension à appliquer et l’état de commande de l’onduleur.
La seule connaissance de la tension à appliquer ne suffit
pas, il faut également connaı̂tre l’état de commande actuel
(rétroaction de l’état précédent).
Le bloc D permet d’appliquer les signaux de commande à
l’onduleur. Ce bloc appliquera la trame des niveaux définie
par le modulateur B avec les états définis par le bloc d’as-
sociation C.
B. Implantation des blocs fonctionnels
Il y a des fonctions de réglage propres à l’onduleur multi-
niveaux, tels que l’équilibrage des tensions d’alimentation,
si ces dernières sont unidirectionnelles ou si certaines sont
simplement constituées d’un élément passif tel qu’un conden-
sateur, mais nous ne discutons ici que du réglage du disposi-
tif à commander, d’autre part l’implantation du régulateur
ne diffère pas de celle d’un autre système, elle n’est donc
pas décrite dans cet article.

282 Conférence Internationale Francophone d’Automatique, Nantes, 8-10 juillet 2002

B.1 Modulateur
Pour définir la trame et implanter le modulateur, la va-
leur moyenne de la tension générée sur une trame est im-
posée égale à la tension de référence : c’est ce qui est réalisé
par la plupart des modulateurs. Il est judicieux de moduler
les 2 niveaux les plus proches de la tension de référence.
Le rapport cyclique est alors obtenu à partir de l’identité
suivante :
Uref = (1 − D) V1 + D V2 (8)
V1 et V2 étant les niveaux de l’onduleur les plus proches
de la tension de référence Uref . L’ordre des niveaux V1 et
V2 est choisi en fonction du niveau précédent, ce qui laisse
une grande liberté dans le choix du type de modulation et
ce qui est aisément implanté à l’aide d’une machine d’état.
B.2 Association entre les niveaux et l’état de commande
de l’onduleur
La représentation d’état avec les transitions et leur sens,
correspond à la représentation d’une machine d’état. Par
exemple, la représentation des transitions possibles de la
Figure 8 peut directement être implantée dans un circuit
logique programmable (FPGA). La condition permettant
d’effectuer une transition est alors d’augmenter ou de di-
minuer la tension. Pour les grandes variations dépassant
un pas, les états à moduler peuvent également être di-
rectement appliqués. Pour une implantation logicielle, la
représentation de la Figure 9 peut directement être trans-
posée, en 2 tables d’association des 2 niveaux à moduler
aux 2 états de commande. Le choix de la table est effectué
en fonction du sens croissant ou décroissant de la tension
de référence. Les 2 tables sont indexées par l’état actuel de
l’onduleur. Le traitement des grandes variations est simi-
laire.
B.3 Application des signaux de commande
Les états de commande de l’onduleur sont appliqués à
l’onduleur à l’aide d’un multiplexeur commandé par un
modulateur PWM à 2 niveaux dont le rapport cyclique est
défini par l’expression (8). Il ne faut plus qu’une seule por-
teuse triangulaire, alors que dans l’approche traditionnelle,
il en faut autant que de niveaux (à un près).
D S P
U r e f
r é g la g e r a p p o r t
V 1
c y c liq u e
n iv e a u x V 2
a d ja c e n ts
-1
z a s s o c ia tio n
é ta t
o n d u le u r
-1
z
A B C D
Fig. 10 – Schéma de commande fonctionnel d’un ondu-
leur multi-niveaux. La répartition des blocs dans un DSP
et dans un circuit logique programmable FPGA est un des
choix possibles d’implantation.
Conférence Internationale Francophone d’Automatique, Nantes, 8-10 juillet 2002
V. Conclusions
Les règles qui permettent d’obtenir un pas uniforme avec
des onduleurs à cellules en série ont été décrites d’une
manière générale. Le problème des commutations simul-
tanées de certaines solutions, en terme de choix des ten-
sions d’alimentation a été soulevé. Une règle plus restric-
tive que la condition d’uniformité, permettant d’éliminer
ce problème, la condition de modulation a été établie.
Lorsque la sortie de l’onduleur est contrôlée par un mo-
dulateur, il convient de respecter la condition de modula-
tion alors que lorsque la sortie de l’onduleur est de type
quantifiée, il suffit de respecter la condition d’uniformité.
Ces 2 règles facilitent le choix des tensions d’entrées d’un
onduleur multi-niveaux. Finalement, une stratégie adaptée
à la minimisation des commutations a été proposée, ainsi
qu’une méthode digitale de commande des onduleurs multi-
niveaux.
Références
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F P G A
D
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P W M
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